FR3001083A1 - Method for separation of two substrates at separation interface in e.g. photovoltaic device, involves inserting blade between two substrates at penetration zone and tangential to contours of two substrates - Google Patents

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Abstract

The method involves inserting a separation tool i.e. blade between two substrates (1, 2) at a penetration zone (4) lying on the thickness of a structure, between the two substrates, at a level of an axis perpendicular to the substrates and tangential to the contours of the two substrates, where the angle is between 80 to 100 degrees. The two substrates are misaligned, where the substrates have different sizes and/or forms, and one of the substrates is made of silicon, and the other substrate is made of sapphire.

Description

DISPOSITIF DE SEPARATION DE DEUX SUBSTRATS DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne un dispositif de séparation de deux substrats, au niveau d'une interface dite "de séparation", au moins l'un de ces deux substrats étant destiné à être utilisé dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et/ou le photovoltaïque, ces deux substrats formant ensemble une structure.FIELD OF THE INVENTION The invention relates to a device for separating two substrates, at a so-called "separation" interface, at least one of these two substrates being intended for use in electronics, optics, optoelectronics and / or photovoltaics, these two substrates together forming a structure.

ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Cette séparation mécanique peut être effectuée le long de différents types d'interfaces de séparation.BACKGROUND OF THE INVENTION This mechanical separation can be performed along different types of separation interfaces.

Un premier type d'interface de séparation est une interface de collage, par exemple une interface de collage par adhésion moléculaire. Par "collage par adhésion moléculaire", on désigne un collage par contact intime entre deux surfaces mettant en oeuvre des forces d'adhésion, principalement les forces de Van der Watts, et n'utilisant pas de couche adhésive.A first type of separation interface is a bonding interface, for example a molecular bond bonding interface. By "molecular adhesion bonding" is meant bonding by intimate contact between two surfaces employing adhesion forces, mainly Van der Watts forces, and not using an adhesive layer.

Une structure apte à être séparée le long d'une interface de collage, par exemple par adhésion moléculaire, est connue de l'homme du métier sous l'appellation de structure "décollable" ou structure à interface de collage réversible (en anglais "debondable structure"). Sans vouloir être limitatif, on peut toutefois considérer que ce 25 type de structure décollable peut être utilisé principalement dans quatre applications différentes : a) collage d'un raidisseur mécanique : il peut être souhaitable de coller un raidisseur mécanique sur un substrat ou une couche mince fragile pour éviter son endommagement ou sa rupture durant certaines étapes de fabrication, -30 puis de pouvoir retirer ce raidisseur mécanique lorsque sa présence n'est plus nécessaire. b) rectification d'un mauvais collage : te décollement permet de décoller deux substrats qui n'auraient pas été collés correctement une première fois, puis de tes recoller après nettoyage, afin d'améliorer ta rentabilité d'un 35 procédé de fabrication et d'éviter par exemple la mise au rebut de substrats mat collés. c) protection temporaire : lors de certaines étapes de stockage ou de transport de substrats, notamment dans des boites en matière plastique, il peut être utile de protéger temporairement leurs surfaces, notamment celles destinées à être utilisées ultérieurement pour la fabrication de composants 5 électroniques, afin d'éviter tout risque de contamination. Une solution simple consiste à coller deux substrats de façon que leurs faces à protéger soient collées respectivement l'une avec l'autre, puis à décoller ces deux substrats lors de leur utilisation finale. d) double transfert d'une couche : il consiste à réaliser une 10 interface de collage réversible entre une couche active et un premier substrat support (éventuellement réalisé en un matériau coûteux), puis à transférer cette couche active sur un second substrat définitif, par décollement de ladite interface de collage réversible. Un deuxième type d'interface de séparation est une interface dite 15 "de fragilisation", qui désigne par exemple une zone obtenue par implantation d'espèces atomiques. Une séparation selon une telle interface est utilisée dans un procédé de transfert d'une couche d'un premier substrat vers un second, tel que celui connu par exemple sous la dénomination commerciale "Smart Cut®". Une interface de fragilisation peut également être une zone 20 poreuse. Un troisième type d'interface de séparation est une interface entre un premier et un second matériau, qui peuvent avoir été joints l'un à l'autre par un apport du second sur le premier, par une technique de dépôt, par exemple dépôt CVD ou une épitaxie. 25 Quelles que soient les applications envisagées, il est nécessaire d'effectuer cette séparation, sans endommager, rayer, ou contaminer les surfaces des deux substrats situés de part et d'autre de l'interface séparation et sans casser ces deux substrats. En fonction des différentes applications, ces deux "substrats à séparer" peuvent être deux couches d'un même substrat ou deux 30 substrats distincts. On sait, d'après l'état de la technique, que dans la mesure où des substrats ou couches à séparer présentent des rigidités suffisantes, il est alors possible de les séparer, en les écartant suffisamment l'un de l'autre, par insertion d'une lame (ou coin) au niveau de leur bord chanfreiné. Ceci a pour effet de 35 créer une onde de séparation. Celle-ci se propage depuis le point du bord des substrats où elle est initiée, vers toute la surface de ces substrats au fur et à mesure de l'insertion de la lame. De plus, lorsque les substrats sont identiques (épaisseurs et matériaux comparables) et la lame symétrique, la charge mécanique qui s'exerce 5 sur tes deux substrats est identique. En l'absence de tout support venant gêner le mouvement desdits substrats, leur déformation est semblable. Dans le cas d'un assemblage entre deux substrats qui présentent des rigidités différentes, (on parle de collage "à rigidité asymétrique"), parce qu'ils sont réalisés dans des matériaux de nature différente ou d'épaisseur 10 différente, ou les deux, on constate que ces deux substrats se déforment en fonction de leur rigidité. Un exemple concret illustre ce phénomène. Lors de l'ouverture de l'interface de collage entre un substrat en saphir et un en silicium, le saphir étant deux fois plus rigide que le silicium, celui en silicium casse 15 systématiquement, dès que l'énergie de collage dépasse 0,5 J/m2. Pour un collage silicium/silicium, cette limite est quatre fois supérieure (2,0 J/m2). Les collages à rigidité asymétrique sont donc beaucoup plus sensibles à la casse lors des ouvertures mécaniques que les collages symétriques. Ce phénomène est considérablement accentué lorsque les 20 substrats assemblés ne sont pas alignés ou que les substrats sont de taille et/ou de forme différente. Ainsi, le choix de la zone de pénétration d'un outil de séparation, entre les substrats, permettant de séparer les substrats, de sorte à éviter les rayures, cassures et/ou contaminations, est particulièrement important. 25 OBJET DE L'INVENTION La présente invention a donc pour objet de proposer une méthode de séparation de deux substrats obviant les problèmes précités. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION En vue de la réalisation de ce but, l'invention propose une méthode de séparation de deux substrats au niveau d'une interface dite "de séparation", les deux substrats formant une structure, au moins l'un de ces deux substrats étant destiné à être utilisé dans l'électronique, l'optique, 30 l'optoélectronique et/ou le photovoltaïque, la méthode consistant à insérer un outil de séparation entre les deux substrats au niveau d'une zone dite de « pénétration ». Cette zone de pénétration se situe sur l'épaisseur de la structure, entre les deux substrats, au niveau d'un axe (X-X') sensiblement perpendiculaire aux substrats et tangent au contour du premier et du second substrat. Idéalement, l'axe (X-X') et la surface des substrats définissent un angle de 90°, plus ou moins 10° . Le choix de la zone de pénétration est déterminé de manière à ce que, lors de l'insertion de l'outil de séparation entre les substrats, l'outil de séparation 3 puisse s'appuyer sur chaque contour des substrats, offrant ainsi une répartition adéquate des efforts exercés par l'outil de séparation sur les substrats, palliant ainsi à d'éventuelles cassures de l'un ou l'autre des substrats, mais aussi d'éviter les rayures sur l'un des substrats, et par conséquent d'éviter la contamination des substrats. La méthode de séparation selon l'invention est particulièrement avantageuse dans le cas où les substrats ne sont pas alignés, présentent des rigidités, des tailles, et/ou des formes différentes.A structure capable of being separated along a bonding interface, for example by molecular adhesion, is known to those skilled in the art under the name of "peelable" structure or reversible bonding interface structure (in English "debondable structure"). Without wishing to be limiting, however, it can be considered that this type of peelable structure can be used mainly in four different applications: a) bonding a mechanical stiffener: it may be desirable to stick a mechanical stiffener on a substrate or a thin layer fragile to prevent damage or breakage during certain stages of manufacture, -30 and then to remove the mechanical stiffener when its presence is no longer necessary. b) rectification of a bad bond: peeling allows to take off two substrates which would not have been glued correctly a first time, then to reattach them after cleaning, in order to improve the profitability of a manufacturing process and avoid, for example, the disposal of matte substrates. c) Temporary protection: during certain stages of storage or transport of substrates, especially in plastic boxes, it may be useful to temporarily protect their surfaces, especially those intended to be used later for the manufacture of electronic components, to avoid any risk of contamination. A simple solution is to stick two substrates so that their faces to be protected are respectively bonded to each other, and then to take off these two substrates during their final use. d) double transfer of a layer: it consists in producing a reversible bonding interface between an active layer and a first support substrate (optionally made of an expensive material), then transferring this active layer to a second definitive substrate, by detachment of said reversible bonding interface. A second type of separation interface is a so-called "weakening" interface, which for example designates a zone obtained by implantation of atomic species. A separation according to such an interface is used in a method of transferring a layer from a first substrate to a second, such as that known for example under the trade name "Smart Cut®". An embrittlement interface may also be a porous zone. A third type of separation interface is an interface between a first and a second material, which may have been joined to each other by a contribution of the second on the first, by a deposition technique, for example CVD deposit or epitaxy. Whatever the intended applications, it is necessary to perform this separation, without damaging, scratching, or contaminating the surfaces of the two substrates located on either side of the separation interface and without breaking these two substrates. Depending on the different applications, these two "substrates to be separated" may be two layers of the same substrate or two separate substrates. It is known from the state of the art that insofar as substrates or layers to be separated have sufficient stiffnesses, it is then possible to separate them, by separating them sufficiently from one another, by insertion of a blade (or corner) at their chamfered edge. This has the effect of creating a separation wave. This propagates from the point of the edge of the substrates where it is initiated, to the entire surface of these substrates as and when the insertion of the blade. In addition, when the substrates are identical (thicknesses and comparable materials) and the symmetrical blade, the mechanical load on the two substrates is identical. In the absence of any support hindering the movement of said substrates, their deformation is similar. In the case of an assembly between two substrates which have different rigidities, (we speak of bonding "with asymmetrical rigidity"), because they are made of materials of different types or of different thickness, or both. it is found that these two substrates deform according to their rigidity. A concrete example illustrates this phenomenon. When the bonding interface is opened between a sapphire and a silicon substrate, the sapphire being twice as stiff as silicon, the silicon one breaks systematically as soon as the bonding energy exceeds 0.5 J / m2. For a silicon / silicon bond, this limit is four times higher (2.0 J / m2). Asymmetric stiffness collages are therefore much more sensitive to breakage during mechanical openings than symmetrical collages. This phenomenon is considerably accentuated when the assembled substrates are not aligned or the substrates are of different size and / or shape. Thus, the choice of the penetration zone of a separation tool, between the substrates, for separating the substrates, so as to avoid scratches, breaks and / or contaminations, is particularly important. OBJECT OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a method of separating two substrates obviating the aforementioned problems. BRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION With a view to achieving this object, the invention proposes a method of separating two substrates at a so-called "separation" interface, the two substrates forming a structure, at least one of which of these two substrates being intended for use in electronics, optics, optoelectronics and / or photovoltaics, the method of inserting a separation tool between the two substrates at a zone called " penetration ". This penetration zone is located on the thickness of the structure, between the two substrates, at an axis (X-X ') substantially perpendicular to the substrates and tangent to the contour of the first and the second substrate. Ideally, the axis (X-X ') and the surface of the substrates define an angle of 90 °, plus or minus 10 °. The choice of the penetration zone is determined so that, during the insertion of the separation tool between the substrates, the separation tool 3 can be supported on each contour of the substrates, thus providing a distribution the forces exerted by the separating tool on the substrates, thus compensating for possible breaks in one or the other of the substrates, but also to avoid scratching on one of the substrates, and consequently avoid contamination of substrates. The separation method according to the invention is particularly advantageous in the case where the substrates are not aligned, have rigidities, sizes, and / or different shapes.

BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise à la lumière de la description qui suit de plusieurs modes de réalisation particuliers non limitatifs de l'invention en référence aux figures ci-jointes parmi lesquelles : - la figure 1 est une vue latérale de deux substrats entre lesquels un outil de séparation est inséré ; - la figure 2 est une vue de dessus représentant deux substrats assemblés de manière désalignée ; - les figures 3 et 4 sont des vues latérales des substrats, selon les plans de coupe Y-Y' et Z-Z' représentés à la figure 2; - la figure 5 est une vue de dessus représentant deux substrats assemblés de manière alignée ; - les figures 6 et 7 représentent deux assemblages de deux substrats ayant, respectivement, des formes et tailles différentes vus de dessus ; - les figures 8 et 9 sont des vues latérales de deux substrats entre lesquels l'outil de séparation est inséré de différentes façons. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN MODE DE REALISATION Plusieurs modes de réalisation possibles de la méthode de 30 séparation de deux substrats conforment à l'invention vont maintenant être décrits en faisant référence à l'ensemble des figures. Les éléments communs aux différents modes de réalisation possèdent les mêmes références. D'une manière générale, cette méthode consiste à séparer deux substrats 1, 2, au niveau d'une interface de séparation 10, à l'aide d'un outil de 5 séparation 3 inséré entre les deux substrats 1, 2, comme représenté en figure 1. De manière non limitative, les substrats 1, 2 sont en silicium, les deux substrats formant une structure, et l'outil de séparation 3 est une lame présentant une section transversale en forme de triangle. De sorte à éviter toute cassure, rayure et/ou contamination des substrats 1, 2, la méthode de séparation selon 10 l'invention doit considérer différents paramètres, tels que le positionnement des substrats 1, 2 l'un par rapport à l'autre, la taille, la forme et ou la rigidité de chaque substrat 1, 2. Les figures 2, 3 et 4 représentent les deux substrats assemblés de manière désalignée, les substrats étant de forme et de taille identique. Les 15 différentes méthodes d'assemblage de deux substrats 1, 2 peuvent être sujettes à un désalignement, plus ou moins important, rendant problématique l'opération de séparation des substrats 1, 2. Le choix d'une zone d'insertion 4 recherchée de l'outil de séparation 3 entre les substrats 1, 2 doit être définit de telle sorte que les efforts subits par chacun des substrats 1, 2, lors de l'insertion de l'outil de 20 séparation 3, soient équilibrés en fonction de la rigidité de chaque substrat, et ce, pour éviter toute cassure de l'un des deux substrats 1, 2. De manière générale et non limitative, lors de l'assemblage de deux substrats, il peut être constaté un désalignement D, de l'ordre de 10 pm à 1000 pm. Dans l'industrie, ces désalignements peuvent être du fait d'un 25 assemblage des substrats manquant de précisions, de l'utilisation de substrats non standardisés, et par conséquent pouvant avoir des tailles ou des formes différentes, ou bien, le résultat d'un assemblage volontairement désaligné, tel est te cas dans les collages de type 3D, connus de l'art antérieur, où l'alignement des substrats, juste avant leur assemblage, est réalisé à l'aide de repères situés 30 sur les surfaces des substrats et non pas par rapport à leurs contours. Ainsi, le désalignement des substrats 1, 2, illustré en figure 2, est artificiellement accentué pour une meilleur compréhension de l'invention. La figure 3 représente les substrats assemblés à la figure 2 selon un plan de coupe Y-Y', et la figure 4 représente les substrats assemblés à la figure 2 35 selon un plan de coupe Z-Z'.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The invention will be better understood in the light of the following description of several particular non-limiting embodiments of the invention with reference to the attached figures among which: - Figure 1 is a side view of two substrates between which a separation tool is inserted; FIG. 2 is a view from above showing two substrates assembled in a misaligned manner; FIGS. 3 and 4 are lateral views of the substrates, along the sectional planes Y-Y 'and Z-Z' shown in FIG. 2; FIG. 5 is a view from above showing two substrates assembled in an aligned manner; - Figures 6 and 7 show two assemblies of two substrates having, respectively, different shapes and sizes seen from above; - Figures 8 and 9 are side views of two substrates between which the separation tool is inserted in different ways. DETAILED DESCRIPTION OF ONE EMBODIMENT Several possible embodiments of the method for separating two substrates according to the invention will now be described with reference to all of the figures. The elements common to the various embodiments have the same references. In a general manner, this method consists in separating two substrates 1, 2, at a separation interface 10, using a separation tool 3 inserted between the two substrates 1, 2, as shown In Figure 1. Without limitation, the substrates 1, 2 are made of silicon, the two substrates forming a structure, and the separation tool 3 is a blade having a cross section in the form of a triangle. In order to avoid any breakage, scratching and / or contamination of the substrates 1, 2, the separation method according to the invention must consider various parameters, such as the positioning of the substrates 1, 2 relative to one another. the size, shape and or rigidity of each substrate 1, 2. Figures 2, 3 and 4 show the two substrates assembled in a misaligned manner, the substrates being of identical shape and size. The different methods of assembling two substrates 1, 2 may be subject to misalignment, to a greater or lesser extent, making the operation of separating substrates 1, 2 problematic. The choice of a desired insertion zone 4 of FIG. the separation tool 3 between the substrates 1, 2 must be defined in such a way that the forces exerted by each of the substrates 1, 2 during the insertion of the separating tool 3 are balanced as a function of the the rigidity of each substrate, and this, to avoid any breakage of one of the two substrates 1, 2. In general and not limiting, during the assembly of two substrates, it can be found a misalignment D, the order of 10 pm to 1000 pm. In industry, these misalignments may be due to inaccurate substrate assembly, the use of non-standardized substrates, and therefore may have different sizes or shapes, or the result of a deliberately misaligned assembly, such is the case in the type 3D collages, known from the prior art, where the alignment of the substrates, just before their assembly, is carried out using markers located on the surfaces of the substrates and not in relation to their contours. Thus, the misalignment of the substrates 1, 2, illustrated in FIG. 2, is artificially accentuated for a better understanding of the invention. FIG. 3 represents the substrates assembled in FIG. 2 along a Y-Y 'plane, and FIG. 4 represents the substrates assembled in FIG. 2 along a section plane Z-Z'.

Ainsi, la figure 4 montre le désalignement des substrats 1, 2 l'un par rapport à l'autre. L'insertion de l'outil de séparation 3 au niveau d'une zone de désalignement 5, entre les substrats 1, 2, comme représenté dans la figure 4, provoquerait des rayures sur une partie libre d'une face 6 du substrat 1, la face 6 étant en contact avec une face 7 du substrat 2, du fait de frottements provoqués par l'outil de séparation 3 sur de la partie libre 6 lorsque l'outil de séparation 3 s'approche de la zone de désalignement 5. Par ailleurs, le choix de l'insertion de l'outil de séparation 3 dans une telle zone de désalignement 5 provoquerait une répartition critique des efforts subits par les substrats 1, 2 entrainant la rupture du substrat 1. De sorte à éviter ces inconvénients, le choix de la zone de pénétration 4 est déterminé de manière à ce que, lors de l'insertion de l'outil de séparation 3 entre les substrats 1, 2, l'outil de séparation 3 puisse s'appuyer sur chaque contour des substrats 1, 2, offrant ainsi une répartition adéquate des efforts exercés par l'outil de séparation 3 sur les substrats 1, 2.Thus, Figure 4 shows the misalignment of the substrates 1, 2 relative to each other. The insertion of the separation tool 3 at a misalignment zone 5 between the substrates 1, 2, as shown in FIG. 4, would cause scratches on a free part of a face 6 of the substrate 1, the face 6 being in contact with a face 7 of the substrate 2, due to friction caused by the separation tool 3 on the free portion 6 when the separation tool 3 approaches the misalignment zone 5. By moreover, the choice of the insertion of the separation tool 3 in such misalignment zone 5 would cause a critical distribution of the stresses experienced by the substrates 1, 2 causing the substrate 1 to break. In order to avoid these drawbacks, the choice of the penetration zone 4 is determined so that, during the insertion of the separation tool 3 between the substrates 1, 2, the separation tool 3 can rely on each contour of the substrates 1 , 2, thus offering an adequate distribution of the exerted by the separation tool 3 on the substrates 1, 2.

Ainsi, en référence à la figure 3, la détermination de cette zone de pénétration 4 est localisée sur l'épaisseur de la structure (1, 2), entre les deux substrats 1, 2, au niveau d'un axe (X-X') perpendiculaire aux substrats 1, 2 et tangent aux contours de chaque substrat 1, 2. Ainsi définie, la zone de pénétration 4 de l'outil de séparation 3 permet à l'outil de séparation de s'appuyer sur chaque contour des substrats 1, 2 pour séparer les substrats 1, 2. De manière générale et non limitative, les contours des substrats 1, 2 sont chanfreinés pour que les contours soient sensiblement arrondis. Comme cela est illustrée aux figures 5, 6 et 7, la détermination de la zone de pénétration 4 peut être définie de la même manière que 25 précédemment. Il est évident que les cas d'assemblage des substrats 1, 2, représentés sur ces figures, ne définissent pas une liste exhaustive des situations d'assemblage pouvant être rencontrées dans le monde de l'industrie. Ainsi, à titre d'exemple et en référence à la figure 5, la superposition, parfaitement alignés, de deux substrats 1, 2 de forme et taille 30 identique, permet de définir une zone de pénétration 4 s'étendant sur l'épaisseur de la structure (1, 2), entre les deux substrats 1, 2 sur tout le contour de la structure (1, 2). La figure 6 illustre le cas d'une structure (1, 2) dans laquelle les substrats 1, 2 assemblés sont de taille différente, et assemblés de manière à ce 35 que le substrat 1 comprenne une partie libre d'une face 6, et le substrat 2 comprenne une partie libre d'une face 7, une autre partie de la face 6 étant en contact avec une autre partie de la face 7 du substrat 2. La figure 7 illustre le cas d'une structure (1, 2) dans laquelle les substrats 1, 2 sont de forme différente, carré et rond, et assemblés de manière à ce qu'au moins un axe (X-X'), non représenté, soit perpendiculaire aux substrats 1, 2 et tangent aux contours de chaque substrat 1, 2 pour que la zone de pénétration 4 de l'outil de séparation 3 puisse être localisée. Dans le cas présent, les coins du substrat 1 affleurent le contour du substrat 2 offrant ainsi quatre zones de pénétration possibles selon l'invention.Thus, with reference to FIG. 3, the determination of this penetration zone 4 is located on the thickness of the structure (1, 2) between the two substrates 1, 2, at an axis (X-X ') perpendicular to the substrates 1, 2 and tangent to the contours of each substrate 1, 2. Thus defined, the penetration zone 4 of the separation tool 3 allows the separation tool to rely on each contour of the substrates 1, 2 to separate the substrates 1, 2. In general and without limitation, the contours of the substrates 1, 2 are chamfered so that the contours are substantially rounded. As illustrated in FIGS. 5, 6 and 7, the determination of the penetration zone 4 can be defined in the same way as before. It is obvious that the cases of assembly of substrates 1, 2, shown in these figures, do not define an exhaustive list of assembly situations that can be encountered in the world of industry. Thus, by way of example and with reference to FIG. 5, the perfectly aligned superimposition of two substrates 1, 2 of identical shape and size makes it possible to define a penetration zone 4 extending over the thickness of the structure (1, 2) between the two substrates 1, 2 over the entire contour of the structure (1, 2). FIG. 6 illustrates the case of a structure (1, 2) in which the substrates 1, 2 assembled are of different size, and assembled so that the substrate 1 comprises a free part of a face 6, and the substrate 2 comprises a free part of a face 7, another part of the face 6 being in contact with another part of the face 7 of the substrate 2. FIG. 7 illustrates the case of a structure (1, 2) in which the substrates 1, 2 are of different shape, square and round, and assembled so that at least one axis (X-X '), not shown, is perpendicular to the substrates 1, 2 and tangent to the contours of each substrate 1, 2 so that the penetration zone 4 of the separation tool 3 can be located. In this case, the corners of the substrate 1 are flush with the contour of the substrate 2 thus providing four possible penetration areas according to the invention.

Nous préciserons, de manière générale, que la localisation de la zone de pénétration 4 selon l'invention permet de limiter de manière optimale les inconvénients précités. Comme expliqué précédemment et pour éviter les inconvénients précités, la rigidité des substrats 1, 2 peut également être pris en considération lors de l'insertion de l'outil de séparation 3 dans la zone de pénétration 4, telle que définie précédemment. Ainsi, les figures 8 et 9 illustrent deux moyens différents, respectivement, la forme et l'orientation de l'outil de séparation 3, permettant d'obvier aux problèmes de différence de rigidité des substrats 1, 2. Cette différence peut être du fait d'une différence d'épaisseur, de matériaux 20 des substrats 1, 2, ou même de conditions atmosphériques dans lesquelles sont soumis les substrats 1, 2 en fonction de la composition de chacun. En référence aux figures 8 et 9, te substrat 1 est en saphir et le substrat 2 est en silicium. A titre indicatif, le saphir est deux fois plus rigide que le silicium. Ainsi, le substrat en saphir 1 pourra supporter un effort plus 25 important que pour le substrat en silicium 2. En conséquence, l'insertion de l'outil de séparation 3, ici une lame présentant une section transversale en forme de triangle, au niveau de la zone de pénétration 4, exercera un effort plus important sur le substrat en saphir 1. Pour cela, un homme du métier pourra : - soit adapter les dimensions de la lame 3, tel que présenté en 30 figure 8. Plus précisément, une droite C-C passe par l'extrémité de la lame 3 dit angle d'attaque 9, destinée à être insérée dans la zone de pénétration 4, et coupe perpendiculairement le côté arrière 8 de la lame 3. Cette droite C-C' partage ainsi l'angle d'attaque 9 en un premier angle a1, adjacent au substrat saphir 1, et un second angle a2, adjacent au substrat silicium 2. Du fait, de la 35 rigidité supérieure du saphir par rapport au silicium, al >a2 ; - soit adapter ta direction de l'insertion de la lame 3, axe B-B', dans la zone de pénétration 4 en fonction d'un axe A-A' sur lequel s'étend l'interface de séparation 10, tel que présenté à la figure 9, permettant ainsi d'exercer un effort plus important sur le substrat en saphir 1 que sur le substrat en silicium. Il est entendu qu'un opérateur pourra utiliser l'un de ces deux moyens, ou une combinaison de ces moyens pour adapter les efforts que peuvent subir les substrats 1, 2. Comme présenté en figure 1, les substrats, 1, 2 possèdent une rigidité identique, tous les deux en silicium et présentant une épaisseur similaire. Ainsi, la lame 3 présente une section transversale en forme de triangle isocèle, et les axes A-A' et B-B' sont confondus, de sorte à ce que chaque substrat 1, 2, au niveau de la zone de pénétration 4, supportent les mêmes efforts tors de l'insertion de la lame 3.We will specify, in general, that the location of the penetration zone 4 according to the invention optimally limits the aforementioned drawbacks. As explained above and to avoid the aforementioned drawbacks, the rigidity of the substrates 1, 2 can also be taken into consideration during the insertion of the separation tool 3 in the penetration zone 4, as defined above. Thus, FIGS. 8 and 9 illustrate two different means, respectively, the shape and the orientation of the separation tool 3, making it possible to obviate the problems of difference in stiffness of the substrates 1, 2. This difference can be due to of a difference in thickness, of the materials of the substrates 1, 2, or even of the atmospheric conditions in which the substrates 1, 2 are subjected according to the composition of each. With reference to Figures 8 and 9, the substrate 1 is sapphire and the substrate 2 is silicon. As an indication, sapphire is twice as stiff as silicon. Thus, the sapphire substrate 1 will be able to withstand greater force than for the silicon substrate 2. Consequently, the insertion of the separation tool 3, here a blade having a triangular cross-section, penetration zone 4, will exert a greater effort on the sapphire substrate 1. For this, a skilled person can: - either adapt the dimensions of the blade 3, as shown in Figure 8. More specifically, a right CC passes through the end of the blade 3 said angle of attack 9, intended to be inserted into the penetration zone 4, and perpendicularly cuts the rear side 8 of the blade 3. This line CC 'thus shares the angle etching 9 at a first angle a1, adjacent to the sapphire substrate 1, and a second angle a2, adjacent to the silicon substrate 2. Due to the higher rigidity of the sapphire to the silicon, al> a2; - or adapt the direction of the insertion of the blade 3, axis B-B ', in the penetration zone 4 according to an axis AA' on which extends the separation interface 10, as presented to Figure 9, thus making it possible to exert a greater force on the sapphire substrate 1 than on the silicon substrate. It is understood that an operator can use one of these two means, or a combination of these means to adapt the efforts that substrates 1, 2 can undergo. As shown in FIG. 1, the substrates 1, 2 have a identical stiffness, both of silicon and having a similar thickness. Thus, the blade 3 has a cross section in the form of an isosceles triangle, and the axes AA 'and BB' coincide, so that each substrate 1, 2, at the level of the penetration zone 4, support the same forces tors of inserting the blade 3.

Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de mise en oeuvre décrits, et on peut y apporter des variantes de réalisation sans sortir du cadre de l'invention, telles que définies par les revendications.Of course, the invention is not limited to the embodiments described, and it is possible to provide alternative embodiments without departing from the scope of the invention, as defined by the claims.

Claims (8)

REVENDICATIONS1. Méthode de séparation de deux substrats (1,REVENDICATIONS1. Method of separating two substrates (1, 2) au niveau d'une interface dite "de séparation" (10), les deux substrats (1, 2) formant une structure (1, 2), au moins l'un de ces deux substrats (1, 2) étant destiné à être utilisé dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et/ou le photovoltaïque, la méthode consiste à insérer un outil (3) de séparation entre les deux substrats (1, 2) au niveau d'une zone dite de « pénétration » (4), la méthode étant caractérisé en ce que la zone de pénétration (4) se situe sur l'épaisseur de la structure (1, 2), entre les deux substrats (1, 2), au niveau d'un axe (X-X') sensiblement perpendiculaire aux substrats (1, 2), par sensiblement perpendiculaire on entend un angle de 80 à 100°, et tangent aux contours du premier et du second substrat (1, 2). 2. Méthode de séparation selon la revendication 1, dans laquelle les substrats (1, 2) sont désalignés.2) at a so-called "separation" interface (10), the two substrates (1, 2) forming a structure (1, 2), at least one of these two substrates (1, 2) being intended for use in electronics, optics, optoelectronics and / or photovoltaics, the method consists of inserting a tool (3) for separating the two substrates (1, 2) at a zone called "Penetration" (4), the method being characterized in that the penetration zone (4) lies on the thickness of the structure (1, 2), between the two substrates (1, 2), at the level of an axis (X-X ') substantially perpendicular to the substrates (1, 2), by substantially perpendicular means an angle of 80 to 100 °, and tangent to the contours of the first and second substrate (1, 2). 2. Separation method according to claim 1, wherein the substrates (1, 2) are misaligned. 3. Méthode de séparation selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle les substrats (1, 2) ont une taille et/ou une forme différente.3. Separation method according to claim 1 or 2, wherein the substrates (1, 2) have a different size and / or shape. 4. Méthode de séparation selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle l'outil de séparation (3) est une lame présentant une section transversale en forme de triangle.4. Separation method according to one of the preceding claims, wherein the separation tool (3) is a blade having a cross section in the form of a triangle. 5. Méthode de séparation selon la revendication 4, dans laquelle tes dimensions de la base de la lame (3) et la direction de l'insertion (B-B') de la lame (3) dans la zone de pénétration (4) sont ajustés de manière à adapter les efforts subits par les substrats (1, 2) lors de l'insertion de la lame (3).5. Separation method according to claim 4, wherein the dimensions of the base of the blade (3) and the direction of insertion (B-B ') of the blade (3) in the penetration zone (4) are adjusted so as to adapt the forces exerted by the substrates (1, 2) during the insertion of the blade (3). 6. Méthode de séparation selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle les substrats (1, 2) présentent une rigidité différente.6. Separation method according to one of the preceding claims, wherein the substrates (1, 2) have a different rigidity. 7. Méthode de séparation selon la revendication 6, dans laquelle l'un des substrats (1, 2) est en silicium et l'autre substrat en saphir.7. Separation method according to claim 6, wherein one of the substrates (1, 2) is silicon and the other substrate sapphire. 8. Méthode de séparation selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle les deux substrats (1, 2) formant la structure sont assemblés par collage, préférentiellement par adhésion moléculaire.8. Separation method according to one of the preceding claims, wherein the two substrates (1, 2) forming the structure are assembled by gluing, preferably by molecular adhesion.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1107295A2 (en) * 1999-12-08 2001-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Composite member separating method, thin film manufacturing method, and composite member separating apparatus
EP2075105A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-01 Commissariat à l'Energie Atomique Method and device for separating a structure

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