FI119307B - Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor - Google Patents

Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor Download PDF

Info

Publication number
FI119307B
FI119307B FI20055324A FI20055324A FI119307B FI 119307 B FI119307 B FI 119307B FI 20055324 A FI20055324 A FI 20055324A FI 20055324 A FI20055324 A FI 20055324A FI 119307 B FI119307 B FI 119307B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
motion sensor
micromechanical
wafer
component
structures
Prior art date
Application number
FI20055324A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20055324A0 (sv
FI20055324A (sv
Inventor
Anssi Blomqvist
Original Assignee
Vti Technologies Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vti Technologies Oy filed Critical Vti Technologies Oy
Publication of FI20055324A0 publication Critical patent/FI20055324A0/sv
Priority to FI20055324A priority Critical patent/FI119307B/sv
Priority to EP06764497A priority patent/EP1891668A1/en
Priority to CNA2006800217799A priority patent/CN101199047A/zh
Priority to CA002612283A priority patent/CA2612283A1/en
Priority to JP2008516360A priority patent/JP2008544513A/ja
Priority to KR1020087001143A priority patent/KR20080031282A/ko
Priority to PCT/FI2006/050258 priority patent/WO2006134233A1/en
Priority to US11/453,914 priority patent/US7682861B2/en
Publication of FI20055324A publication Critical patent/FI20055324A/sv
Priority to IL187939A priority patent/IL187939A0/en
Priority to NO20080337A priority patent/NO20080337L/no
Application granted granted Critical
Publication of FI119307B publication Critical patent/FI119307B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
    • G01C3/02—Details
    • G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
    • G01C3/08—Use of electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5642—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams
    • G01C19/5656—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams the devices involving a micromechanical structure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49007—Indicating transducer

Claims (11)

1. Ett förfarande för att framställa en kiselmikromekanisk rörelsegivare av ett skivelement, vid 5 vilket förfarande man av ett skivpaket, som erhällits genom att sammanfoga atminstone tvä skivor, sagar ut den kiselmikromekaniska rörelsegivaren, kännetecknad av, att man sagar ut den kiselmikromekaniska rörelsegivaren sälunda, att 10. rörelsegivarkomponentens areal i skivans ytplan är mindre än rörelsegivarkomponentens areal, da den är utsagad och vänd 90”, och att den 90° vända rörelsegivarkomponentens höjd i sammanfogningsriktningen är mindre än tjockleken hos det 15 skivpaket som bildas av de sammanfogade skivorna.
2. Förfarande enligt patentkrav 1, kannetecknat av, att man uppläterar elektriska anslutningsomräden tili den kiselmikromekaniska rörelsegivaren pä den vid utsägningen φφφ ···· 20 uppkomna sägyta som är den största tili arealen. φφφ • ·· • · ·· · « · « j ·* 3. Förfarande enligt patentkrav 1 eller 2, kannetecknat • * « Φ Φ · **·.* av, att man vid förfarandet: Φφφ Φ Φ # *·*.* - pä en skiva etsar (23) de kiselmikromekaniska • * • · *** 25 rörelsegivarkonstruktionerna, . , - tili ett skivpaket sammanfogar (24) atminstone tvä Φ · · φ φ Φ skivor, φ · Φ Φ *Γ - ur skivpaketet utsägar (25) i skivplanet smala och ·· • · ! ** längsträckta rörelsegivarkomponenter, φ φ φ Φ # *···* 30 - vänder (26) rörelsegivarkomponenterna pä sida 90°, IV och • Φ ί,*·· - metallbelägger (27) anslutningsomräden pä rörelsegivarkomponenternas utsägade sida. 15 1 1 9307
5. Förfarande enligt patentkrav 3 eller 4, kännetecknat av, att antalet skivor som sammanfogas är tre, en förslutningsskiva pä vardera sidan om den skiva som 5 omfattar givarkonstruktionerna.
6. En kiselmikromekanisk rörelsegivare utsägad av ett skivpaket som erhällits genom sammanfogning av ätminstone tvä skivor, kännetecknad av, att 10. rörelsegivarkomponentens areal i skivytans pian är mindre än den utsägade och 90° vända rörelsegivarkomponentens areal, och att den 90° vända rörelsegivarkomponentens höjd i sammanfogningsriktningen är mindre än tjockleken hos det 15 skivpaket som bildats av de sammanfogade skivarna.
7. Rörelsegivare enligt patentkrav 6, kännetecknad av, att elektriska anslutningsomräden tili den kiselmikromekaniska rörelsegivaren uppläterats pä den vid • · · •••i 20 utsägningen uppkomna sägyta som är den största tili • * • · · *· *· arealen. • · · • · · • · • · • · • · · i,: · 8. Rörelsegivare enligt patentkrav 6 eller 7, • · · ··· · kännetecknad av, att en seismisk massa (13) i ··· ' • · *···* 25 rörelsegivaren utgörs av en längsträckt balkliknande , , konstruktion (13) som uppbärs vid en av sinä sidor pä bäda • · * • I I sidorna. • · • · * · · • · : ** 9. Rörelsegivare enligt patentkrav 6 eller 7, • * * 30 kännetecknad av, att en seismisk massa (14) i :***: rörelsegivaren utgörs av en längsträckt balkliknande konstruktion (14) som uppbärs vid sin mitt pä bäda sidorna. 119307 16
10. Rörelsegivare enligt patentkrav 6 eller 7, kännetecknad av, att seismiska massor (15)-(18) i rörelsegivaren utgörs av i ett pian i olika sidoriktningar 5 installerade konstruktioner (15)-(18) som uppbärs vid en av sinä ändar vid bäda kanterna.
11. Rörelsegivare enligt patentkrav 6 eller 7, kännetecknad av, att seismiska massor (19)-(22) i 10 rörelsegivaren utgörs av triangelformiga, i ett pian i olika sneda riktningar installerade konstruktioner (19)-(22) som uppbärs vid ett av sinä hörn vid bäda kanterna. • · · · • · · • ·· • · • · · • · · • · • · · • · · • * * • · · Φ • · • · Φ Φ Φ ΦΦΦ · • · · • · • · «·· • Φ Φ Φ · Φ • Φ ··· • * * · ··· « • • · . • ·· ·Φ· Φ Φ Φ · • · · Φ ·· · Φ Φ · Φ m Φ Φ Φ · • Φ Φ • ·· Φ Φ
FI20055324A 2005-06-17 2005-06-17 Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor FI119307B (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055324A FI119307B (sv) 2005-06-17 2005-06-17 Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor
JP2008516360A JP2008544513A (ja) 2005-06-17 2006-06-13 微小機械モーションセンサーを製造する方法、および、微小機械モーションセンサー
CNA2006800217799A CN101199047A (zh) 2005-06-17 2006-06-13 微机械运动传感器的制造方法以及微机械运动传感器
CA002612283A CA2612283A1 (en) 2005-06-17 2006-06-13 Method for manufacturing a micromechanical motion sensor, and a micromechanical motion sensor
EP06764497A EP1891668A1 (en) 2005-06-17 2006-06-13 Method for manufacturing a micromechanical motion sensor, and a micromechanical motion sensor
KR1020087001143A KR20080031282A (ko) 2005-06-17 2006-06-13 초소형 기계식 운동 센서 제조 방법 및 초소형 기계식 운동센서
PCT/FI2006/050258 WO2006134233A1 (en) 2005-06-17 2006-06-13 Method for manufacturing a micromechanical motion sensor, and a micromechanical motion sensor
US11/453,914 US7682861B2 (en) 2005-06-17 2006-06-16 Method for manufacturing a micromechanical motion sensor, and a micromechanical motion sensor
IL187939A IL187939A0 (en) 2005-06-17 2007-12-06 Method of manufacturing a micromechanical motion sensor and a micromechanical motion sensor
NO20080337A NO20080337L (no) 2005-06-17 2008-01-16 Metode for a fremstille en mikromekanisk bevegelsessensor, og en mikromekanisk bevelgelsessensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055324A FI119307B (sv) 2005-06-17 2005-06-17 Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor
FI20055324 2005-06-17

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20055324A0 FI20055324A0 (sv) 2005-06-17
FI20055324A FI20055324A (sv) 2007-03-01
FI119307B true FI119307B (sv) 2008-09-30

Family

ID=34778460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20055324A FI119307B (sv) 2005-06-17 2005-06-17 Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7682861B2 (sv)
EP (1) EP1891668A1 (sv)
JP (1) JP2008544513A (sv)
KR (1) KR20080031282A (sv)
CN (1) CN101199047A (sv)
CA (1) CA2612283A1 (sv)
FI (1) FI119307B (sv)
IL (1) IL187939A0 (sv)
NO (1) NO20080337L (sv)
WO (1) WO2006134233A1 (sv)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8322216B2 (en) * 2009-09-22 2012-12-04 Duli Yu Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same
CN109634036B (zh) * 2017-10-09 2022-02-18 中强光电股份有限公司 投影装置及其照明系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758824A (en) * 1985-08-22 1988-07-19 Heinz Jurgen Bernhard Fechner Alarm for a blind
GB2198231B (en) * 1986-11-28 1990-06-06 Stc Plc Rotational motion sensor
US4926695A (en) * 1987-09-15 1990-05-22 Rosemount Inc. Rocking beam vortex sensor
US5022269A (en) * 1989-12-26 1991-06-11 Lew Hyok S Resonance frequency position sensor
JPH06331649A (ja) * 1993-05-18 1994-12-02 Murata Mfg Co Ltd 加速度センサおよびその製造方法
DE19541388A1 (de) * 1995-11-07 1997-05-15 Telefunken Microelectron Mikromechanischer Beschleunigungssensor
AU2001286711A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-26 Applied Materials, Inc. Micromachined silicon block vias for transferring electrical signals to the backside of a silicon wafer
JP2002286746A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Tdk Corp 圧電センサの製造方法
US6956268B2 (en) * 2001-05-18 2005-10-18 Reveo, Inc. MEMS and method of manufacturing MEMS
KR100452818B1 (ko) * 2002-03-18 2004-10-15 삼성전기주식회사 칩 패키지 및 그 제조방법
US6829937B2 (en) * 2002-06-17 2004-12-14 Vti Holding Oy Monolithic silicon acceleration sensor

Also Published As

Publication number Publication date
FI20055324A0 (sv) 2005-06-17
CN101199047A (zh) 2008-06-11
WO2006134233A1 (en) 2006-12-21
FI20055324A (sv) 2007-03-01
JP2008544513A (ja) 2008-12-04
KR20080031282A (ko) 2008-04-08
EP1891668A1 (en) 2008-02-27
US7682861B2 (en) 2010-03-23
US20070012108A1 (en) 2007-01-18
WO2006134233A9 (en) 2007-10-25
CA2612283A1 (en) 2006-12-21
IL187939A0 (en) 2008-03-20
NO20080337L (no) 2008-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7238999B2 (en) High performance MEMS packaging architecture
CN102023234B (zh) 一种具有多个共面电极一体结构的mems加速度传感器及其制造方法
EP0693690B1 (en) Accelerometer and method of manufacture
US6634231B2 (en) Accelerometer strain isolator
JP5896114B2 (ja) 物理量検出デバイス、物理量検出器、および電子機器
CA1332883C (en) Rectilinearly deflectable element fabricated from a single wafer
CN117486166A (zh) 具有容差沟槽的加固的晶圆级mems力传感器
JP2007127607A (ja) センサブロック
CN102408089A (zh) 可同时量测加速度及压力的微机电传感器
JP2005249454A (ja) 容量型加速度センサ
JP2016095236A (ja) 慣性センサーの製造方法および慣性センサー
FI119307B (sv) Förfarande för framställning av mikromekanisk rörelsesensor och mikromekanisk rörelsesensor
JP2009241164A (ja) 半導体センサー装置およびその製造方法
US9731958B2 (en) Microelectromechanical system and fabricating process having decoupling structure that includes attaching element for fastening to carrier
CN111517271A (zh) 包括面板键合操作的方法和包括空腔的电子器件
JP6926099B2 (ja) センサ
CN110082563B (zh) 振动梁式加速度计
CN103196593B (zh) 谐振式微机械压力传感器及传感器芯片的低应力组装方法
JP2008224525A (ja) ３軸加速度センサー
JP2010251365A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008309731A (ja) 加速度検知ユニット及び加速度センサ
EP3951342A1 (en) Force sensor package and fabrication method
US20220219971A1 (en) Multiply encapsulated micro electrical mechanical systems device
JP2007178374A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN117699731A (zh) 一种mems谐振式传感器

Legal Events

Date Code Title Description
PC Transfer of assignment of patent

Owner name: MURATA ELECTRONICS OY

MM Patent lapsed