EP2013968A1 - Operational amplifier - Google Patents

Operational amplifier

Info

Publication number
EP2013968A1
EP2013968A1 EP07724519A EP07724519A EP2013968A1 EP 2013968 A1 EP2013968 A1 EP 2013968A1 EP 07724519 A EP07724519 A EP 07724519A EP 07724519 A EP07724519 A EP 07724519A EP 2013968 A1 EP2013968 A1 EP 2013968A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
sub
transistors
input
branch
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP07724519A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Odile Dequiedt
Wolfram Kluge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Atmel Germany GmbH
Original Assignee
Atmel Germany GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atmel Germany GmbH filed Critical Atmel Germany GmbH
Publication of EP2013968A1 publication Critical patent/EP2013968A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45652Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more further dif amp stages, either identical to the dif amp or not, in cascade

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

An operational amplifier and use of an operational amplifier with a difference amplifier (A1, A2, A3, A4) which is linked to a first input (In<SUB>11</SUB>, In<SUB>12</SUB>, In<SUB>13</SUB>, In<SUB>14</SUB>) and to a second input (In<SUB>21</SUB> , In<SUB>22</SUB>, In<SUB>23</SUB>, In<SUB>24</SUB>), and with a differential output stage (D1, D2, D3, D4) which is linked to the difference amplifier (A1, A2, A3, A4) and to a first output (O<SUB>21</SUB>, O<SUB>22</SUB>, O<SUB>23</SUB>, O<SUB>24</SUB>) and a second output (O<SUB>11</SUB>, O<SUB>12</SUB>, O<SUB>13</SUB>, O<SUB>14</SUB>), in which the differential output stage (D1, D2, D3, D4) has a first branch with two first transistors ([M<SUB>P211</SUB>, M<SUB>N211</SUB>], [M<SUB>P221</SUB>, M<SUB>N221</SUB>], [Q<SUB>P231</SUB>, Q<SUB>N231</SUB>], [Q<SUB>P241</SUB>, Q<SUB>N241</SUB>]), the drain and/or collector of which are linked to each other and to the first output (O<SUB>21</SUB>, O<SUB>22</SUB>, O<SUB>23</SUB>, O<SUB>24</SUB>), the differential output stage (D1, D2, D3, D4) has a second branch with two second transistors ([M<SUB>P212</SUB>, M<SUB>N212</SUB>], [M<SUB>P222</SUB>, M<SUB>N222</SUB>], [Q<SUB>P232</SUB>, Q<SUB>N232</SUB>], [Q<SUB>P242</SUB>, Q<SUB>N242</SUB>]), the drain and/or collector of which are linked to each other and to the second output (O<SUB>11</SUB>, O<SUB>12</SUB>, O<SUB>13</SUB>, O<SUB>14</SUB>), the first gates and/or the first bases of the two first transistors ([M<SUB>P211</SUB>, M<SUB>N211</SUB>], [M<SUB>P221</SUB>, M<SUB>N221</SUB>], [Q<SUB>P231</SUB>, Q<SUB>N231</SUB>], [Q<SUB>P241</SUB>, Q<SUB>N241</SUB>]) in the first branch are linked to each other and to a first output (O<SUB>D11</SUB>, O<SUB>D12</SUB>, O<SUB>D13</SUB>, O<SUB>D24</SUB>) of the difference amplifier (A1, A2, A3, A4), the second gates and/or the second bases of the two second transistors ([M<SUB>P212</SUB>, M<SUB>N212</SUB>], [M<SUB>P222</SUB>, M<SUB>N222</SUB>], [Q<SUB>P232</SUB>, Q<SUB>N232</SUB>], [Q<SUB>P242</SUB>, Q<SUB>N242</SUB>]) in the second branch are linked to each other and to a second output (O<SUB>D21</SUB>, O<SUB>D22</SUB>, O<SUB>D23</SUB>, O<SUB>D14</SUB>) of the difference amplifier (A1, A2, A3, A4), the differential output stage (D1, D2, D3, D4) has a constant-current source (CS<SUB>21</SUB>, CS<SUB>22</SUB>, CS<SUB>23</SUB>, CS<SUB>24</SUB>), which is linked to each branch in order to supply a current (I<SUB>21</SUB>, I<SUB>22</SUB>, I<SUB>23</SUB>, I<SUB>24</SUB>) through the branches.

Description

Operationsverstärker operational amplifiers
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Operationsverstärker, insbesondere für ein batteriebetriebenes Funksystem.The present invention relates to an operational amplifier, in particular for a battery-operated radio system.
Verstärker werden für eine Vielzahl von Anwendungsfällen benötigt. So werden Verstärker für Filterschaltungen oder zur Verstärkung von Messsignalen, beispielsweise in Sensorsystemen verwendet. Eine bekannte Verstärkerschaltung ist beispielsweise der Operationsverstärker. Für ein weites Anwendungsgebiet können Verstärker vorteilhafterweise ein breites Frequenzband verstärken. Für einige Anwendungen ist es auch ausreichend, dass der Verstärker als Selektivverstärker lediglich ein schmales Frequenzband im Bereich einer Betriebsfrequenz verstärkt.Amplifiers are needed for a variety of applications. Thus, amplifiers are used for filter circuits or for amplifying measuring signals, for example in sensor systems. A known amplifier circuit is, for example, the operational amplifier. For a wide range of applications, amplifiers may advantageously amplify a wide frequency band. For some applications, it is also sufficient that the amplifier amplifies as a selective amplifier only a narrow frequency band in the range of an operating frequency.
Ein Operationsverstärker kann einen Eingangsdifferenzverstärker und eine Ausgangsstufe aufweisen. Ein Operationsverstärker ist beispielsweise in „Analoge Schaltungen"; Seifart; 4. Aufl.; Verlag Technik Berlin; 1994; Seiten 276 bis 286 offenbart. Die Eingangsstufe eines Operationsverstärkers ist beispielsweise ein Differenzverstärker. Ein Differenzverstärker ist beispielsweise in „Analoge Schaltungen"; Seifart; 4. Aufl.; Verlag Technik Berlin; 1994; Seiten 107 ff. offenbart. Die Ausgangsspannung des Differenzverstärkers ist proportional zur Differenzspannung zwischen beiden Eingangsklemmen. Gleichtaktspannungen, die an beiden Eingängen in gleicher Amplitude und Phasenlage wirken, werden vom idealen Differenzverstärker nicht verstärkt. Die vorteilhaften Eigenschaften erhält der Differenzverstärker durch seinen weitgehend symmetrischen Aufbau. Die Emitter der beiden Eingangstransistoren können miteinander und mit einer Eingangskonstantstromquelle verbunden sein.An operational amplifier may include an input differential amplifier and an output stage. An operational amplifier is disclosed, for example, in "Analog Circuits", Seifart, 4th ed., Verlag Technik Berlin, 1994, pages 276 to 286. The input stage of an operational amplifier is, for example, a differential amplifier. Seifart; 4th edition; Verlag Technik Berlin; 1994; Pages 107 et seq. Disclosed. The output voltage of the differential amplifier is proportional to the difference voltage between both input terminals. Common mode voltages acting on both inputs in the same amplitude and phase are not amplified by the ideal differential amplifier. The advantageous properties of the differential amplifier receives by its largely symmetrical structure. The Emitters of the two input transistors may be connected together and to an input constant current source.
In IEEE Journal of Solid-State Circuits, VOL. 38, NO. 2, Feb. 2003; Seiten 176 ff. ist ein Niederleistungs - 2,4 GHz - Sender/Empfänger - CMOS IC mit einem Differenzverstärker bekannt. Aus IEEE Journal of Solid-State Circuits, VOL. 38, NO. 4, April 2003 ist ein 5,2 GHz Nieder-Rauschen-Verstärker in 0,35 μm CMOS-Technologie mit einem Differenzverstärker bekannt.In IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 38, NO. 2, Feb. 2003; Pages 176 ff., A low power 2.4 GHz transmitter / receiver CMOS IC with a differential amplifier is known. From IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 38, NO. 4, April 2003, a 5.2 GHz low-noise amplifier in 0.35 μm CMOS technology with a differential amplifier is known.
In IEEE International Solid-State Circuits Conference, 1994, Paper FA 14.1 ist ein 3V CMOS Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifier for VLSI Cell Libraries offenbart. In IEEE Journal of Solid-State Circuits, VOL. 35, NO. 4, APRIL 2000 ist ein 1.2 V CMOS Operational Amplifier with Dynamically Biased Output Stage offenbart.In IEEE International's Solid-State Circuits Conference, 1994, Paper FA 14.1, a 3V CMOS Rail-to-Rail Input / Output Operational Amplifier for VLSI Cell Libraries is disclosed. In IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 35, NO. 4, APRIL 2000 discloses a 1.2V CMOS Operational Amplifier with Dynamically Biased Output Stage.
Aus der WO 01/73943 A1 ist eine elektronische Ausgangsstufe für CMOS- LVDS-Pegel (LVDS-Iow voltage differential signaling) zur Anwendung in analogen und digitalen Hochfrequenzschaltungen bekannt. Die Ausgangsstufe weist einen ersten und einen zweiten Transistor auf, die mit einem ersten Anschluss an eine Stromquelle und mit einem Steueranschluss an Eingangsanschlüsse angeschlossen sind. Ein dritter und ein vierter Transistor sind mit einem ersten Anschluss an ein Versorgungspotential angeschlossen mit einem zweiten Anschluss an einen zweiten Anschluss des ersten und des zweiten Transistors sowie an einen Ausgangsanschluss und mit einem Steueranschluss an umgeformte Eingangssignale. Zur Umformung der Eingangssignale ist ein Differenzverstärker vorgesehen, der mit dem Steueranschluss des dritten und vierten Transistors verbunden ist. Der Differenzverstärker dient dazu die Eingangssignale zu verstärken, zu invertieren und mit einem Spannungsoffset zu versehen. Auch ist es möglich über Hoch- und Niedrig-Pegel aus dem Differenzverstärker die gewünschte Ausgangsspannung am Ausgang der Ausgangsstufe einzustellen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen möglichst einfachen Operationsverstärker für eine möglichst hohe Stromtreiberfähigkeit zu entwickeln.From WO 01/73943 A1 an electronic output stage for CMOS LVDS level (LVDS-Iow voltage differential signaling) for use in analog and digital radio frequency circuits is known. The output stage includes a first and a second transistor connected to a first terminal to a power source and a control terminal to input terminals. A third and a fourth transistor are connected with a first terminal to a supply potential with a second terminal to a second terminal of the first and the second transistor and to an output terminal and with a control terminal to converted input signals. For the conversion of the input signals, a differential amplifier is provided, which is connected to the control terminal of the third and fourth transistors. The differential amplifier is used to amplify the input signals, to invert and to provide a voltage offset. It is also possible to set the desired output voltage at the output of the output stage via the high and low level from the differential amplifier. The invention is based on the object to develop the simplest possible operational amplifier for the highest possible Stromtreiberfähigkeit.
Diese Aufgabe wird durch einen Operationsverstärker mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.This object is achieved by an operational amplifier having the features of patent claim 1. Advantageous developments of the invention are the subject of dependent claims.
Demzufolge ist ein Operationsverstärker mit mindestens einem Eingangsdifferenzverstärker und mindestens einer Ausgangsstufe vorgesehen. Der Eingangsdifferenzverstärker ist mit einem ersten Eingang und mit einem zweiten Eingang verbunden. Die Ausgangsstufe ist differentiell ausgebildet, so dass diese mit einem ersten Ausgang und einem zweiten Ausgang des Operationsverstärkers verbunden ist. Ein durch den Operationsverstärker verstärktes Nutzsignal ist an dem ersten Ausgang und an dem zweiten Ausgang dabei gegenphasig.Accordingly, an operational amplifier is provided with at least one input differential amplifier and at least one output stage. The input differential amplifier is connected to a first input and to a second input. The output stage is differentially formed, so that it is connected to a first output and a second output of the operational amplifier. A useful signal amplified by the operational amplifier is in antiphase at the first output and at the second output.
Die Ausgangsstufe kann mit dem Eingangsdifferenzverstärker indirekt über eine weitere Stufe verbunden sein. Vorzugsweise ist die Ausgangsstufe mit dem Eingangsdifferenzverstärker jedoch direkt verbunden. Die Ausgangsstufe weist Bipolartransistoren oder Feldeffekttransistoren auf.The output stage may be connected to the input differential amplifier indirectly via another stage. Preferably, however, the output stage is directly connected to the input differential amplifier. The output stage has bipolar transistors or field-effect transistors.
Die differentielle Ausgangsstufe weist einen ersten Zweig mit zwei ersten Transistoren auf, deren Drain beziehungsweise Kollektor miteinander und mit dem ersten Ausgang verbunden sind. Die differentielle Ausgangsstufe weist weiterhin einen zweiten Zweig mit zwei zweiten Transistoren auf, deren Drain beziehungsweise Kollektor miteinander und mit dem zweiten Ausgang verbunden sind. Vorzugsweise sind der erste Zweig und der zweite Zweig symmetrisch ausgebildet. Vorzugsweise weisen der erste Zweig und der zweite Zweig gleiche Transistoren auf. Unter gleichen Transistoren werden dabei Transistoren verstanden, die voneinander bedingt durch Toleranzen des Fertigungsprozesses geringe Unterschiede aufweisen können.The differential output stage has a first branch with two first transistors whose drain and collector are connected to each other and to the first output. The differential output stage further has a second branch with two second transistors whose drain and collector are connected to each other and to the second output. Preferably, the first branch and the second branch are formed symmetrically. Preferably, the first branch and the second branch have identical transistors. Be under the same transistors This understood transistors, which may have small differences from each other due to tolerances of the manufacturing process.
Die ersten Gates beziehungsweise die ersten Basen der zwei ersten Transistoren im ersten Zweig sind miteinander und mit einem erstenThe first gates or the first bases of the two first transistors in the first branch are connected to one another and to a first one
Ausgang des Eingangsdifferenzverstärkers verbunden. Die zweiten Gates beziehungsweise die zweiten Basen der zwei zweiten Transistoren sind im zweiten Zweig miteinander und mit einem zweiten Ausgang desOutput of the input differential amplifier connected. The second gates or the second bases of the two second transistors are in the second branch with each other and with a second output of
Eingangsdifferenzverstärkers verbunden. Die derart verbundenen zwei ersten Transistoren und zwei zweiten Transistoren werden im Folgenden alsInput differential amplifier connected. The thus connected two first transistors and two second transistors are hereinafter referred to as
Vollbrücke bezeichnet.Full bridge called.
An beiden Gate-Anschlüssen beziehungsweise an beiden Basis-Anschlüssen der Transistoren eines Zweiges liegt daher stets dieselbe Spannung an. Es sind keine Stufen zur Einstellung einer für die zwei Gates beziehungsweise zwei Basen eines Zweiges unterschiedlichen Bias-Spannung vorgesehen.Therefore, always the same voltage is applied to both gate terminals or to both base terminals of the transistors of a branch. There are no stages for setting a different bias voltage for the two gates or two bases of a branch.
Die zwei Transistoren eines Zweiges sind vorzugsweise als so genannte push-pull-Stufe verschaltet. Vorzugsweise weist jeder Zweig einen N-Kanal- Feldeffekttransistor (NMOS, N-JFET) und einen P-Kanal-Feldeffekttransistor (PMOS, P-JFET) auf. Bei der push-pull-Stufe ist dabei vorteilhafterweise die Source des N-Kanal-Feldeffekttransistor mit Masse oder einem negativen Versorgungsspannungsanschluss verbunden. Alternativ ist vorzugsweise die Source des P-Kanal-Feldeffekttransistors mit einem positiven Versorgungsspannungsanschluss verbunden.The two transistors of a branch are preferably connected as a so-called push-pull stage. Preferably, each branch comprises an N-channel field effect transistor (NMOS, N-JFET) and a P-channel field effect transistor (PMOS, P-JFET). In the case of the push-pull stage, the source of the N-channel field-effect transistor is advantageously connected to ground or to a negative supply voltage terminal. Alternatively, the source of the P-channel field-effect transistor is preferably connected to a positive supply voltage terminal.
Alternativ weist jeder Zweig einen npn-Bipolartransistor und einen pnp- Bipolartransistor auf. Bei der push-pull-Stufe ist dabei vorteilhafterweise der Emitter des npn-Transistors mit Masse oder einem negativen Versorgungsspannungsanschluss verbunden. Alternativ ist vorzugsweise der Emitter des pnp-Transistors mit einem positiven Versorgungsspannungsanschluss verbunden. Die Vollbrücke ist somit vorzugsweise aus zwei push-pull-Stufen (Gegentakt- verstärker) gebildet. Die beiden Zweige sind vorteilhafterweise im Rahmen von Fertigungstoleranzen gleich ausgebildet. Der Drain beziehungsweise Kollektor jedes Transistors eines Zweiges ist mit einem Ausgang des Operationsverstärkers verbunden. Somit sind die Lastanschlüsse an der Vollbrücke in der Brückendiagonalen ausgebildet.Alternatively, each branch has an npn bipolar transistor and a pnp bipolar transistor. In the case of the push-pull stage, the emitter of the npn transistor is advantageously connected to ground or to a negative supply voltage terminal. Alternatively, preferably, the emitter of the PNP transistor is connected to a positive supply voltage terminal. The full bridge is thus preferably formed of two push-pull stages (push-pull amplifier). The two branches are advantageously formed equal within the scope of manufacturing tolerances. The drain or collector of each transistor of a branch is connected to an output of the operational amplifier. Thus, the load terminals are formed on the full bridge in the bridge diagonal.
Weiterhin weist die differentielle Ausgangsstufe eine Konstantstromquelle auf. Die Konstantstromquelle ist mit jedem Zweig zur Speisung eines Stromes verbunden. Hierzu ist die Konstantstromquelle mit einer Source beziehungsweise einem Emitter eines Transistors der ersten Transistoren des ersten Zweiges und mit einer Source beziehungsweise einem Emitter eines Transistor der zweiten Transistoren des zweiten Zweiges verbunden. Eine Source beziehungsweise ein Emitter des anderen Transistors der ersten Transistoren des ersten Zweiges ist vorzugsweise mit einem Versorgungsspannungsanschluss verbunden. Zudem ist vorzugsweise eine Source beziehungsweise ein Emitter des anderen Transistors der zweiten Transistoren des zweiten Zweiges mit dem Versorgungsspannungsanschluss verbunden. Folglich sind die durch die Transistoren gebildeten push-pull- Stufen mit der Konstantstromquelle verbunden, beziehungsweise ist die Konstantstromquelle mit der Vollbrücke zur Speisung eines Stromes durch die Vollbrücke verbunden.Furthermore, the differential output stage has a constant current source. The constant current source is connected to each branch for supplying a current. For this purpose, the constant current source is connected to a source or an emitter of a transistor of the first transistors of the first branch and to a source or an emitter of a transistor of the second transistors of the second branch. A source or an emitter of the other transistor of the first transistors of the first branch is preferably connected to a supply voltage terminal. In addition, a source or an emitter of the other transistor of the second transistors of the second branch is preferably connected to the supply voltage terminal. Consequently, the push-pull stages formed by the transistors are connected to the constant current source, or the constant current source is connected to the full bridge for supplying a current through the full bridge.
Werden beispielsweise Feldeffekttransistoren in der differentiellen Ausgangsstufe verwendet, fließt der Konstantstrom durch die Speisung mittels der Konstantstromquelle über Drain-Source-Strecken der Transistoren. Ein kleiner Anteil fließt bei hohen Frequenzen zudem als Verschiebestrom über die Gate-Kapazitäten und die Gate-Anschlüsse ab oder zu. Werden beispielsweise Bipolartransistoren in der differentiellen Ausgangsstufe verwendet, fließt der Konstantstrom durch die Speisung mittels der Konstantstromquelle über Kollektor-Emitter-Strecken der Transistoren. Ein kleiner Anteil fließt zudem als Basisstrom über die Basis- Anschlüsse der Bipolartransistoren ab oder zu. Unter einer Konstantstromquelle ist dabei je nach Flussrichtung des Stromes eine Stromquelle oder eine Stromsenke zu verstehen.For example, if field effect transistors are used in the differential output stage, the constant current flows through the feed by means of the constant current source via drain-source paths of the transistors. In addition, at high frequencies, a small proportion flows or changes as a displacement current via the gate capacitances and the gate terminals. For example, if bipolar transistors are used in the differential output stage, the constant current flows through the supply by means of the constant current source via collector-emitter paths of the Transistors. A small proportion also flows as a base current through the base terminals of the bipolar transistors or to. Under a constant current source is depending on the direction of flow of the current to understand a power source or a current sink.
Gemäß einer ersten Ausgestaltungsvariante sind die zwei ersten Transistoren komplementäre Bipolartransistoren und die zwei zweiten Transistoren komplementäre Bipolartransistoren. Gemäß einer zweiten Ausgestaltungsvariante sind die zwei ersten Transistoren komplementäre Feldeffekttransistoren und die zwei zweiten Transistoren komplementäre Feldeffekttransistoren.According to a first embodiment variant, the two first transistors are complementary bipolar transistors and the two second transistors are complementary bipolar transistors. According to a second embodiment variant, the two first transistors are complementary field effect transistors and the two second transistors are complementary field effect transistors.
In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass der Arbeitspunkt der Ausgangsstufe derart eingestellt ist, dass im Arbeitspunkt der Konstantstrom der Konstantstromquelle zur einen Hälfte durch die zwei ersten Transistoren des ersten Zweiges und zur anderen Hälfte durch die zwei zweiten Transistoren des zweiten Zweiges fließt. Unter der Hälfte des Stromes wird dabei nicht eine mathematische Hälfte sondern eine hälftige Aufteilung des Stromes im Rahmen der Fertigungstoleranzen des Operationsverstärkers verstanden. Der Ausgangsstrom oder die Ausgangspannung des Operationsverstärkers weist aufgrund dieser Fertigungstoleranzen üblicherweise einen geringen Offset auf.In a preferred embodiment of the invention it is provided that the operating point of the output stage is set such that at the operating point of the constant current of the constant current source flows to the one half through the two first transistors of the first branch and the other half through the two second transistors of the second branch. Under half of the current is understood not a mathematical half but a halfway division of the current within the manufacturing tolerances of the operational amplifier. The output current or the output voltage of the operational amplifier usually has a low offset due to these manufacturing tolerances.
Vorzugsweise weist der Eingangsdifferenzverstärker einen ersten Eingangstransistor und einen zweiten Eingangstransistor auf. Vorzugsweise sind zudem ein erster Source-Anschluss beziehungsweise ein erster Emitteranschluss des ersten Eingangstransistors und ein zweiter Source- Anschluss beziehungsweise ein zweiter Emitteranschluss des zweiten Eingangstransistors mit einer Eingangskonstantstromquelle verbunden. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung sind die Konstantstromquelle der differentiellen Ausgangsstufe und die Eingangskonstant- stromquelle des Eingangsdifferenzverstärkers an demselben Versorgungs- spannungsanschluss des Operationsverstärkers angeschlossen.Preferably, the input differential amplifier has a first input transistor and a second input transistor. In addition, a first source terminal or a first emitter terminal of the first input transistor and a second source terminal or a second emitter terminal of the second input transistor are preferably connected to an input constant current source. According to an advantageous embodiment of the invention, the constant current source of the differential output stage and the input constant current source of the input differential amplifier connected to the same supply voltage terminal of the operational amplifier.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung ist eine Verwendung eines Operationsverstärkers für ein batteriebetriebenes Funksystem. Dabei weist der Operationsverstärker einen Eingangsdifferenzverstärker und eine differentielle Ausgangsstufe auf, die mit dem Eingangsdifferenzverstärker verbunden ist. Die differentielle Ausgangsstufe weist einen ersten Zweig mit einer push-pull-Stufe mit zwei ersten Transistoren und einen zweiten Zweig mit einer push-pull-Stufe mit zwei zweiten Transistoren auf. Die differentielle Ausgangsstufe weist weiterhin eine Konstantstromquelle auf, die mit jeder push-pull-Stufe zur Speisung eines Stromes durch die push-pull-Stufen verbunden ist.Another aspect of the invention is a use of an operational amplifier for a battery operated radio system. In this case, the operational amplifier has an input differential amplifier and a differential output stage, which is connected to the input differential amplifier. The differential output stage has a first branch with a push-pull stage with two first transistors and a second branch with a push-pull stage with two second transistors. The differential output stage further includes a constant current source connected to each push-pull stage for supplying a current through the push-pull stages.
Die zuvor beschriebenen Weiterbildungsvarianten sind sowohl einzeln als auch in Kombination besonders vorteilhaft. Dabei können sämtliche Weiterbildungsvarianten untereinander kombiniert werden. Einige mögliche Kombinationen sind in der Beschreibung der Ausführungsbeispiele der Figuren erläutert. Diese dort dargestellten Möglichkeiten von Kombinationen der Weiterbildungsvarianten sind jedoch nicht abschließend.The further development variants described above are particularly advantageous both individually and in combination. All training variants can be combined with each other. Some possible combinations are explained in the description of the embodiments of the figures. However, these possibilities of combinations of further development variants presented there are not exhaustive.
Im Folgenden wird die Erfindung in Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen näher erläutert.In the following the invention will be explained in more detail in exemplary embodiments with reference to drawings.
Dabei zeigenShow
Fig. 1 einen ersten schematischen Schaltplan eines erstenFig. 1 is a first schematic circuit diagram of a first
Ausführungsbeispiels eines Operationsverstärkers;Embodiment of an operational amplifier;
Fig. 2 einen zweiten schematischen Schaltplan eines zweitenFig. 2 is a second schematic circuit diagram of a second
Ausführungsbeispiels eines Operationsverstärkers; Fig. 3 einen dritten schematischen Schaltplan eines drittenEmbodiment of an operational amplifier; Fig. 3 is a third schematic circuit diagram of a third
Ausführungsbeispiels eines Operationsverstärkers; undEmbodiment of an operational amplifier; and
Fig. 4 einen vierten schematischen Schaltplan eines vierten4 shows a fourth schematic circuit diagram of a fourth
Ausführungsbeispiels eines Operationsverstärkers.Embodiment of an operational amplifier.
Fig. 1 zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Operationsverstärkers. Ziel dieses Ausführungsbeispiels des Operationsverstärkers ist es, einen möglichst geringen Stromverbrauch oder eine möglichst hohe Stromtreiberfähigkeit bei gegebenem Betriebsstrom zu erreichen. Der Operationsverstärker weist einen Eingangsdifferenzverstärker A1 auf, der mit einem ersten Eingang In-π und mit einem zweiten Eingang In2I des Operationsverstärkers verbunden ist. Weiterhin weist der Operationsverstärker eine differentielle Ausgangsstufe D1 auf, die mit dem Eingangsdifferenzverstärker A1 und einem ersten Ausgang On und einem zweiten Ausgang O2i verbunden ist. Die Versorgungsspannung V+ im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 beträgt 1 ,8 V.Fig. 1 shows a preferred embodiment of an operational amplifier. The aim of this embodiment of the operational amplifier is to achieve the lowest possible power consumption or the highest possible Stromtreiberfähigkeit given operating current. The operational amplifier has an input differential amplifier A1, which is connected to a first input In-π and to a second input In 2I of the operational amplifier. Furthermore, the operational amplifier has a differential output stage D1, which is connected to the input differential amplifier A1 and a first output On and a second output O 2 i. The supply voltage V + in the embodiment of FIG. 1 is 1, 8 V.
Die differentielle Ausgangsstufe D1 weist zwei NMOS-Feldeffekttransistoren Mp2n, MN2H und zwei PMOS-Feldeffekttransistoren MP212 und MN212 auf. Im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 werden als Transistoren Mp2n, MN2n, MP212, und MN2i2 MOSFETS einer CMOS-Technologie verwendet. Alternativ können auch Sperrschichtfeldeffekttransistoren verwendet werden.The differential output stage D1 has two NMOS field effect transistors Mp2n, MN2H and two PMOS field effect transistors MP212 and MN 2 1 2 . In the embodiment of Fig. 1 are used as transistors Mp 2 n, M N 2n, M P2 12, and M N 2i 2 MOSFETs a CMOS technology. Alternatively, junction field effect transistors may also be used.
Als Ausgangsstufe können zwei push-pull-Stufen verwendet werden. Einer der beiden Transistoren jeder push-pull-Stufe, im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 ist dies der PMOS-Feldeffekttransistor eines Zweiges ist dabei nicht mit dem Source-Anschluss an der Betriebsspannung V+, sondern an einer Konstantstromquelle CS21 angeschlossen. Ein erster Zweig der differentiellen Ausgangsstufe D1 weist einen PMOS- Transistor MP2n und einen NMOS-Transistor MN2n auf, die vorzugsweise komplementär sind. Die Gate-Anschlüsse beider Transistoren MP2n und MN211 sind direkt miteinander verbunden. Weiterhin sind die Gate-Anschlüsse beider Transistoren Mp2n und MN2n mit einem Ausgang ODH des Eingangsdifferenzverstärkers A1 verbunden.The output stage can be two push-pull stages. One of the two transistors of each push-pull stage, in the embodiment of FIG. 1, this is the PMOS field-effect transistor of a branch is not connected to the source terminal at the operating voltage V +, but to a constant current source CS21. A first branch of the differential output stage D1 has a PMOS transistor M P2 n and an NMOS transistor M N2 n, which are preferably complementary. The gate terminals of both transistors M P2 n and M N 211 are directly connected together. Furthermore, the gate terminals of both transistors Mp 2 n and M N2 n are connected to an output ODH of the input differential amplifier A1.
Ebenfalls sind die Drain-Anschlüsse beider Transistoren Mp2n und MN2H direkt miteinander und mit einem Ausgang O2i der Ausgangsstufe D1 verbunden. Der Source-An Schluss des NMOS-Transistor MN2n ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss - hier mit Masse GND - verbunden. Hingegen ist der Source-Anschluss des PMOS-Transistors Mp2n mit der Konstantstromquelle CS21 verbunden.Also, the drain terminals of both transistors Mp 2 n and MN2H are directly connected to each other and to an output O 2 i of the output stage D1. The source at the end of the NMOS transistor M N2 n is connected to a supply voltage connection - in this case to ground GND. On the other hand, the source terminal of the PMOS transistor Mp 2 n is connected to the constant current source CS 21 .
Ein zweiter Zweig weist ebenfalls einen PMOS-Transistor Mp2I2 und einen NMOS-Transistor MN212 auf, die vorzugsweise ebenfalls komplementär sind. Die Gate-Anschlüsse beider Transistoren Mp2i2 und MN212 sind direkt miteinander verbunden. Weiterhin sind die Gate-Anschlüsse beider Transistoren MP2i2 und MN212 mit einem Ausgang OD2i des Eingangsdifferenzverstärkers A1 verbunden.A second branch also has a PMOS transistor Mp 2I2 and an NMOS transistor M N212 , which are preferably also complementary. The gate terminals of both transistors Mp 2 i 2 and MN 212 are directly connected together. Furthermore, the gate terminals of both transistors M P2 i 2 and M N212 are connected to an output O D2 i of the input differential amplifier A1.
Ebenfalls sind die Drain-Anschlüsse beider Transistoren MP212 und MN2i2 direkt miteinander und mit einem Ausgang O22 der Ausgangsstufe D1 verbunden. Der Source-Anschluss des NMOS-Transistor MN2i2 ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss - hier mit Masse GND - verbunden. Hingegen ist der Source-Anschluss des PMOS-Transistors Mp212 mit dem Source-Anschluss des PMOS-Transistors MP2n des anderen Zweiges und mit der Konstantstromquelle CS2I verbunden. Die Konstantstromquelle CS2I ist mit einem Versorgungsspannungsanschluss, hier dem positiven Versorgungsspannungsanschluss V+, verbunden. Die vier Transistoren MP2H, MN2H , MP212, MN212 können in der beschriebenen Verschaltung auch als Vollbrücke bezeichnet werden. Die differentielle Ausgangsstufe D1 weist daher die Konstantstromquelle CS21 auf, die mit der Vollbrücke zur Speisung eines Stromes I21 durch die Vollbrücke verbunden ist. Der Strom l2i durch die Vollbrücke ist dabei ausschließlich durch die Konstantstromquelle CS21 festgelegt, sofern durch die Ausgänge On oder O21 der Ausgangsstufe D1 kein zusätzlicher Strom den Strom I21 der Konstantstromquelle CS21 überlagert.Also, the drain terminals of both transistors M P212 and M N2 i 2 are directly connected to each other and to an output O 22 of the output stage D1. The source terminal of the NMOS transistor M N2 i 2 is connected to a supply voltage connection - in this case to ground GND. On the other hand, the source terminal of the PMOS transistor Mp 212 is connected to the source terminal of the PMOS transistor M P2 n of the other branch and to the constant current source CS 2I . The constant current source CS 2I is connected to a supply voltage connection, here the positive supply voltage connection V +. The four transistors MP2H, MN2H, MP212, MN 212 can also be referred to as a full bridge in the described interconnection. The differential output stage D1 therefore has the constant current source CS 21 , which is connected to the full bridge for supplying a current I 21 through the full bridge. The current i l 2 by the full-bridge is determined solely by the constant current source CS 21, if no additional current of the constant current source CS superimposed by the outputs On or O21 of the output stage D1 the current I 21 21st
Die Konstantstromquelle CS21 dient weiterhin der Arbeitspunkteinstellung. Die Spannung VDI stellt sich selbstständig ein, indem die ersten Transistoren des ersten Zweiges und die zweiten Transistoren des zweiten Zweiges mit der Konstantstromquelle CS21 betrieben sind.The constant current source CS 21 continues to be the operating point setting. The voltage VDI adjusts itself by operating the first transistors of the first branch and the second transistors of the second branch with the constant current source CS 21 .
Der Eingangsdifferenzverstärker A1 weist zwei Eingangstransistoren MPm und Mp112 auf, die im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 als PMOS- Feldeffekttransistoren ausgebildet sind. Alternativ können selbstverständlich auch andere Transistortypen, wie Sperrschichtfeldeffekttransistoren verwendet werden. Der Gate-Anschluss des ersten Eingangstransistors Mp111 ist mit einem Eingang In2I des Operationsverstärkers verbunden. Der Gate-Anschluss des zweiten Eingangstransistors MPn2 ist mit dem anderen Eingang In11 des Operationsverstärkers verbunden. Die Source-An Schlüsse beider Eingangstransistoren Mp111 und Mp1-I2 sind direkt miteinander und mit einer Eingangskonstantstromquelle CS11 verbunden. Die Eingangskonstant- Stromquelle CS11 ist wiederum mit einem Versorgungsspannungsanschluss , hier mit dem positiven Versorgungsspannungsanschluss V+ verbunden.The input differential amplifier A1 has two input transistors M P m and Mp 112 , which are formed in the embodiment of FIG. 1 as PMOS field effect transistors. Alternatively, of course, other types of transistors, such as junction field effect transistors may be used. The gate terminal of the first input transistor Mp 111 is connected to an input In 2I of the operational amplifier. The gate terminal of the second input transistor M P n 2 is connected to the other input In 11 of the operational amplifier. The source terminals of both input transistors Mp 111 and Mp 1 -I2 are connected directly to each other and to an input constant current source CS 11 . The input constant current source CS 11 is in turn connected to a supply voltage terminal, here to the positive supply voltage terminal V +.
Der Drain-Anschluss des ersten Eingangstransistors MpH 1 ist mit einer weiteren Stromquelle und mit einem ersten Ausgang Op11 des Eingangsdifferenzverstärkers A1 und somit direkt mit den Gate-Anschlüssen der Transistoren Mp211 und MN2n der differentiellen Ausgangsstufe D1 verbunden. Der Drain-Anschluss des zweiten Eingangstransistors ist mit einer wiederum weiteren Stromquelle und mit einem zweiten Ausgang Ooi2 des Eingangsdifferenzverstärkers A1 und somit direkt mit den Gate- Anschlüssen der Transistoren MP212 und MN2i2 der differentiellen Ausgangsstufe D1 verbunden.The drain terminal of the first input transistor Mp H 1 is connected to a further current source and to a first output Op 11 of the input differential amplifier A1 and thus directly to the gate terminals of the transistors Mp 211 and M N2 n of the differential output stage D1. The drain terminal of the second input transistor is with a further current source and with a second output Ooi2 of the input differential amplifier A1 and thus directly connected to the gate terminals of the transistors M P21 2 and M N2 i 2 of the differential output stage D1.
Für die mit der Konstantstromquelle CS21 verbundene Vollbrücke des Ausführungsbeispiels der Fig. 1 wird im Gegensatz zu einem AB-Verstärker kein Ansteuerschaltkreis zur Bereitstellung von Bias- und Signalspannung an den Gates der Ausgangstransistoren MP2n, MN211, MP212, und MN2i2 benötigt. Dies hat den Vorteil, dass push-pull-Betrieb dieser Gegentaktstufe erreicht wird, ohne zusätzlichen Aufwand für die Ansteuerung der Ausgangstransistoren Mp2n, IvWn, MP212, und MN2i2 zu benötigen. Die maximal zu verstärkende Frequenz wird durch die elektrischen Eigenschaften der Ausgangstransistoren Mp2n, MN2H, MP212, und MN212 bestimmt und nicht durch zusätzliche Verstärkerstufen verringert.For the full bridge connected to the constant current source CS21 of the embodiment of FIG. 1, unlike an AB amplifier, no drive circuit is provided for providing bias and signal voltage at the gates of the output transistors M P 2n, M N 211, M P2 12, and M N 2i2 needed. This has the advantage that push-pull operation of this push-pull stage is achieved, without requiring additional effort for the control of the output transistors Mp 2 n, IvWn, MP212, and M N 2i2. The maximum frequency to be amplified is determined by the electrical characteristics of the output transistors Mp2n, MN2H, MP212, and MN212 and not reduced by additional amplifier stages.
Die maximale Treiberstärke wird erreicht, wenn die Steilheiten der PMOS- Feldeffekttransistoren und der NMOS-Feldeffekttransistoren im Rahmen von Fertigungstoleranzen gleich sind. In diesem Fall kann eine Signalamplitude (Spitze-Spitze) von maximal 2 x l2i von den Transistoren des ersten Zweiges und des zweiten Zweiges an den Ausgängen On, O2i abgegeben werden, wobei in jedem der beiden Zweige ein Ruhestrom von I21/2 fließt. Ein weiterer möglicher Vorteil ist, dass die Schaltung der Fig. 1 einen geringen Versorgungsstrom benötigt, wobei der Strom In für den Eingangsdifferenzverstärker A1 durch die Konstantstromquelle CSn und der Strom I21 für die Ausgangsstufe D1 durch die Konstantstromquelle CS21 festgelegt ist.The maximum driver strength is achieved when the transconductances of the PMOS field effect transistors and the NMOS field effect transistors are equal within manufacturing tolerances. In this case, a signal amplitude (peak-peak) of a maximum of 2 xl 2 i from the transistors of the first branch and the second branch at the outputs On, O 2 i are discharged, wherein in each of the two branches a quiescent current of I 21 / 2 flows. Another possible advantage is that the circuit of FIG. 1 is a low supply current needs, the current In for the input differential amplifier A1 is determined by the constant current source CSn and the current I 21 for the output stage D1 by the constant current source CS21.
Für einen zuverlässigen Betrieb des Eingangsdifferenzverstärkers ist es im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 nur schlecht möglich die Eingangs-For a reliable operation of the input differential amplifier, it is only possible in the embodiment of FIG.
Gleichtaktspannung auf die halbe Versorgungsspannung V+/2 von 0,9V zu legen. Die Summe aus Schwellspannung, Vdsat des Verstärkertransistors und Vdsat der Eingangskonstantstromquelle CSn sind im Ausführungsbeispiel der Fig. 1 größer als 0,9 V. Somit kann die praktische Eingangs- Gleichtaktspannung bei 0,6V bis 0,7V liegen, womit eine symmetrische Aussteuerung der Ausgangsstufe D1 nicht erforderlich ist.Apply common-mode voltage to half the supply voltage V + / 2 of 0.9V. The sum of threshold voltage, Vdsat of the amplifier transistor and Vdsat of the input constant current source CSn are larger than 0.9V in the embodiment of Fig. 1. Thus, the practical input common-mode voltage can be 0.6V to 0.7V, thus not requiring symmetrical modulation of the output stage D1.
Die Gleichtaktregelschaltung, die für den differentiellen Operationsverstärker der Fig. 1 bevorzugt verwendet wird, ist in der Fig. 1 zur vereinfachten Darstellung nicht gezeigt.The common mode control circuit which is preferably used for the differential operational amplifier of Fig. 1 is not shown in Fig. 1 for the sake of simplicity.
In Fig. 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen Operationsverstärker als Schaltplan schematisch dargestellt. Die Ausgangsstufe D2 mit der Konstantstromquelle CS22 und den Transistoren MP221, MN221, MP222, und MN222 unterscheidet sich nicht von der Ausgangsstufe D1 in Fig. 1. Hingegen weist der Eingangsdifferenzverstärker A2 einen ersten NMOS- Feldeffekttransistor MN121 und einen zweiten NMOS-Feldeffekttransistor M1M122 auf, deren Gate-Anschlüsse mit Eingängen Ini2 und Iri22 des Operationsverstärkers verbunden sind. Zudem sind die Source-Anschlüsse der Transistoren MNi22. MNi2i mit einer Eingangskonstantstromquelle CS12 verbunden. Die Eingangskonstantstromquelle CS12 ist wiederum mit Masse GND verbunden.2, a further embodiment of an operational amplifier is shown schematically as a circuit diagram. The output stage D2 with the constant current source CS22 and the transistors MP221, MN221, MP222, and MN 222 does not differ from the output stage D1 in FIG. 1. On the other hand, the input differential amplifier A2 has a first NMOS field effect transistor M N121 and a second NMOS field effect transistor M. 1M 1 22 whose gate terminals are connected to inputs Ini 2 and Iri 22 of the operational amplifier. In addition, the sources of the transistors M N i 22 . M N i2i connected to an input constant current source CS12. The input constant current source CS 12 is in turn connected to ground GND.
An den Eingängen Ini2 und In22 liegt ein Eingangssignal an, das sowohl einen Gleichtaktsignalanteil als auch einen Gegentaktsignalanteil aufweisen kann. Unter einem Gleichtaktsignal wird dabei ein Signal verstanden, dass an beiden Eingängen Ini2 und In22 des Eingangsdifferenzverstärkers A2 mit gleicher Frequenz und gleicher Phasenlage und gleicher Amplitude anliegt. Unter einem Gegentaktsignal wird ein an den Eingängen lni2 und In22 anliegendes Signal mit gleicher Frequenz, gleicher Amplitude und einer um 180° verschobenen Phase verstanden. Gleichtaktsignale und Gegentakt- Signale können auch einander überlagert sein. Das Gegentaktsignal ist dabei üblicherweise das Nutzsignal. Das Gegentaktsignal wird durch den Eingangsdifferenzverstärker A2 spannungsverstärkt und gelangt über die Ausgänge 0Di2 und OD22 des Eingangsdifferenzverstärkers A2 an die Gate-Anschlüsse der Transistoren Mp22i, MN221, MP222> und MN222 der Ausgangsstufe D2. Die Gate-Elektroden der Transistoren Mp22i, MN22I , MP222, und MN222 stellen dabei eine kapazitive Impedanz als zusätzliche Last des Eingangsdifferenzverstärkers A2 dar. Je kleiner diese kapazitive Last ausgebildet ist, desto höher kann eine maximale Verstärkungsfrequenz des Eingangsdifferenzverstärkers A2 erzielt werden. Mit Verringerung der kapazitiven Last wird jedoch auch die Gate-Weite der Transistoren MP22i, MN221 > MP222, und MN222 der Ausgangsstufe D2 verringert. Dies wiederum verringert die Stromtreibfähigkeit der Ausgangsstufe D2.At the inputs Ini 2 and In 22 is an input signal which may have both a common-mode signal component and a push-pull signal component. In this case, a common-mode signal is understood to mean a signal which is applied to both inputs Ini 2 and In 22 of the input differential amplifier A2 with the same frequency and the same phase position and the same amplitude. A push-pull signal is understood to be a signal applied to the inputs lni 2 and In 22 with the same frequency, the same amplitude and a phase shifted by 180 °. Common-mode signals and push-pull signals can also be superimposed on one another. The push-pull signal is usually the useful signal. The push-pull signal is voltage-amplified by the input differential amplifier A2 and passes through the outputs 0 D i 2 and O D22 of the input differential amplifier A2 to the gate terminals of the transistors Mp22i, M N 221, MP222 > and M N2 22 of the output stage D2. The gate electrodes of the transistors Mp22i, MN22I, MP222, and MN 222 represent a capacitive impedance as additional load of the input differential amplifier A2. The smaller this capacitive load is formed, the higher a maximum amplification frequency of the input differential amplifier A2 can be achieved. However, as the capacitive load is reduced, the gate width of the transistors M P22 i, M N221> MP222, and M N222 of the output stage D2 is also reduced. This in turn reduces the current driving capability of the output stage D2.
In Fig. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen Operationsverstärker in Form eines Schaltplans schematisch dargestellt. In der Fig. 3 werden für den Eingangsdifferenzverstärker A3 und für die Ausgangsstufe D3 Bipolartransistoren Qp23I, QN23I , QP23I , QP232, QN232, QNI3I und Qm32 verwendet.In Fig. 3, a further embodiment of an operational amplifier in the form of a circuit diagram is shown schematically. In the Fig. 3 are used for the input differential amplifier A3 and the output stage bipolar transistors Qp 23 D3 I, QN23I, QP23I, QP232, QN232, and Qm QNI3I 32 is used.
Der Eingangsdifferenzverstärker A3 weist npn-Bipolartransistoren QN232 und Q.N131 als Eingangstransistoren auf. Die Basen der Eingangstransistoren Q-N232 und Q.N131 sind mit den Eingängen lni3 und In23 des Operationsverstärkers verbunden. Die Emitter der Eingangstransistoren Q.N232 und Q.N131 sind mit einer Eingangskonstantstromquelle CS13 verbunden, die wiederum mit Masse GND verbunden ist.The input differential amplifier A3 includes npn bipolar transistors QN 32 and Q. 2 N131 on as the input transistors. The bases of the input transistors QN 232 and Q.N131 are connected to the inputs lni 3 and In 2 3 of the operational amplifier. The emitters of the input transistors QN 232 and QN 1 31 are connected to an input constant current source CS 13 , which in turn is connected to ground GND.
Die Ausgangsstufe D3 weist einen ersten Zweig mit einem komplementären npn-Bipolartransistor QN23i und pnp-Bipolartransistor Qp23i auf, deren Basen miteinander und mit einem Ausgangs ODi3 des Eingangsdifferenzverstärkers A3 verbunden sind. Weiterhin sind die Kollektoren des npn-Bipolartransistors QN23I und des pnp-Bipolartransistors Qp23i miteinander und mit einem Ausgang O13 der Ausgangsstufe D3 verbunden. Der Emitter des npn- Bipolartransistors QN23I ist mit einer Konstantstromquelle CS23 verbunden, die wiederum mit Masse GND verbunden ist. Der Emitter des pnp- Bipolartransistors QP231 ist hingegen mit einem Versorgungsspannungs- anschluss, hier mit der positiven Versorgungsspannung V+, verbunden.The output stage D3 has a first branch with a complementary npn bipolar transistor Q N23 i and pnp bipolar transistor Qp 23 i whose bases are connected to one another and to an output O D i 3 of the input differential amplifier A3. Furthermore, the collectors of the npn bipolar transistor QN23 I and the pnp bipolar transistor Qp 2 3i are connected to each other and to an output O 13 of the output stage D3. The emitter of npn bipolar transistor Q N23I is connected to a constant current source CS 23 , which in turn is connected to ground GND. By contrast, the emitter of the pnp bipolar transistor Q P231 is connected to a supply voltage connection, in this case to the positive supply voltage V +.
Weiterhin weist die Ausgangsstufe D3 einen zweiten Zweig mit einem komplementären npn-Bipolartransistor QN232 und pnp-Bipolartransistor QP232 auf. Der Emitter des npn-Bipolartransistors QN232 ist mit dem Emitter des npn-Bipolartransistors QN231 und mit der Konstantstromquelle CS23 verbunden. Demzufolge ist sowohl die Konstantstromquelle CS23 der Ausgangsstufe D3 als auch die Eingangskonstantstromquelle CS13 des Eingangsdifferenzverstärkers A3 mit demselben Versorgungsspannungs- potential (hier GND) verbunden.Furthermore, the output stage D3 has a second branch with a complementary npn bipolar transistor QN232 and pnp bipolar transistor Q P232 . The emitter of the npn bipolar transistor QN232 is connected to the emitter of the npn bipolar transistor QN 2 31 and to the constant current source CS 2 3. Consequently, both the constant current source CS 23 of the output stage D3 and the input constant current source CS 13 of the input differential amplifier A3 are connected to the same supply voltage potential (here GND).
Das Ausführungsbeispiel der Fig. 3 ist besonders für kleine Versorgungs- Spannungen durch eine Batterie geeignet. Hierzu sind vorzugsweise besonders kleine Basis-Emitter-Spannungen im Arbeitspunkt und hohe Stromverstärkungsfaktoren der Bipolartransistoren vorteilhaft. Für besonders hohe Frequenzen werden vorteilhafterweise Heterobipolartransistoren, beispielsweise mit einem Mischkristall aus Silizium-Germanium verwendet.The embodiment of Fig. 3 is particularly suitable for small supply voltages by a battery. For this purpose, particularly small base-emitter voltages at the operating point and high current amplification factors of the bipolar transistors are advantageous. For particularly high frequencies, heterobipolar transistors, for example with a mixed crystal of silicon germanium, are advantageously used.
Fig. 4 zeigt ein wiederum anderes Ausführungsbeispiel eines Operationsverstärkers anhand eines schematischen Schaltplans. Im Unterschied zu Fig. 3 weist der Eingangsdifferenzverstärker A4 pnp- Bipolartransistoren QP14i und QPI42 als Eingangstransistoren auf. Die Basen der Eingangstransistoren QPI4I und Q.P142 sind mit den Eingängen lni4 und In24 des Operationsverstärkers verbunden. Die Emitter der Eingangstransistoren Qp14I und Qp142 sind mit einer Eingangskonstantstromquelle CS14 verbunden, die wiederum mit der positiven Versorgungsspannung V+ verbunden ist. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 4 weist den Vorteil auf, dass die Basisströme der Transistoren Qp24i, QN24I , QP242 und QN242 nicht durch Extrastufen separat eingestellt werden müssen, sondern durch die Stromverteilung des Stromes I24 der Konstantstromquelle CS24 automatisch in ihrem Arbeitspunkt eingestellt werden. Vorteilhafterweise weisen die Transistoren QP24I, QN241, QP242 und QN242 hierzu eine im Rahmen der Fertigungstoleranzen gleiche Stromverstärkung auf.FIG. 4 shows yet another embodiment of an operational amplifier based on a schematic circuit diagram. In contrast to FIG. 3, the input differential amplifier A4 has pnp bipolar transistors Q P14 i and QPI 42 as input transistors. The bases of the input transistors QPI 4 I and Q. P142 are connected to the inputs lni 4 and In 24 of the operational amplifier. The emitters of the input transistors Qp 14I and Qp 142 are connected to an input constant current source CS 14 , which in turn is connected to the positive supply voltage V +. The embodiment of FIG. 4 has the advantage that the base currents of the transistors Qp24i, QN24I, QP242 and QN242 need not be set separately by extra steps, but automatically by the current distribution of the current I 24 of the constant current source CS 24 be set in their operating point. Advantageously, the transistors QP2 4 I, QN241, QP242 and QN242 for this purpose have the same current amplification within the scope of the manufacturing tolerances.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Ausführungsbeispiele der vier Figuren beschränkt. Beispielsweise können in den Ausführungsbeispielen der Figuren 1 und 2 anstelle der NMOS-Feldeffekttransistoren npn-Bipolar- transistoren und anstelle der PMOS-Feldeffekttransistoren pnp-Bipolar- transistoren verwendet werden. Beispielsweise können in den Ausführungs- beispielen der Figuren 3 und 4 anstelle der npn-Bipolartransistoren NMOS- Feldeffekttransistoren und anstelle der pnp-Bipolartransistoren PMOS- Feldeffekttransistoren verwendet werden. Ebenfalls können in dem Eingangsdifferenzverstärker und/oder in der Ausgangsstufe auch gemischt Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren verwendet werden. Ebenfalls ist es möglich im Eingangsdifferenzverstärker und/oder in der Ausgangsstufe Transistoren in Kaskodeschaltung oder in Darlingtonschaltung zu verwenden um eine höhere Spannungsverstärkung oder Stromverstärkung zu erzielen.However, the invention is not limited to the embodiments of the four figures. For example, in the exemplary embodiments of FIGS. 1 and 2, NPN bipolar transistors may be used instead of the NMOS field-effect transistors and PNP bipolar transistors may be used instead of the PMOS field-effect transistors. For example, in the exemplary embodiments of FIGS. 3 and 4, NMOS field-effect transistors may be used instead of the NPN bipolar transistors, and PMOS field-effect transistors may be used instead of the PNP bipolar transistors. Likewise, mixed bipolar transistors and field-effect transistors can also be used in the input differential amplifier and / or in the output stage. It is also possible in the input differential amplifier and / or in the output stage to use transistors in cascode or Darlington circuit to achieve a higher voltage gain or current gain.
Der Eingangsdifferenzverstärker ist vorteilhafterweise zusammen mit der differentiellen Ausgangsstufe auf einem Halbleiterchip als integrierte Schaltung ausgebildet. The input differential amplifier is advantageously formed together with the differential output stage on a semiconductor chip as an integrated circuit.
BezuqszeichenlisteLIST OF REFERENCES
MN2H , MN212, MNI2I , MNI22, Feldeffekttransistoren (NMOS, N-SFET) MN2H, MN212, MNI2I, MNI22, field effect transistors (NMOS, N-SFET)
Mpin, Mpi12, Mp2n, MP212, Feldeffekttransistoren (PMOS, P-SFET)Mpin, Mpi 12 , Mp 2 n, M P212 , field-effect transistors (PMOS, P-SFET)
Mp221 , Mp222Mp221, Mp222
QNI3I , QNI32, QN23I, QN232, npn-BipolartransistorQNI3I, QNI32, QN23I, QN232, npn bipolar transistor
QN241 , QN242QN241, QN242
Qp23i , QP232, Qp-141, Qpi42, pnp-BipolartransistorQp23i, QP232, Qp-141, Qpi42, pnp bipolar transistor
Qp241, QP242Qp241, QP242
CSn, CS21, CS12, CS22, Stromquelle, Stromsenke CSn, CS21, CS 12 , CS22, power source, current sink
V+ positiver VersorgungsspannungsanschlussV + positive supply voltage connection
GND Masse-AnschlussGND ground connection
Irin, ln2i, In12, In22, In^, Eingang des Eingangsdifferenzverstärkers;Irin, ln 2 i, In 12 , In 22 , In ^, input of the input differential amplifier;
In23, In14, In24 Eingang des OperationsverstärkersIn 23 , In 14 , In 24 input of the operational amplifier
ODH , O021, OD-I2, OD22, Ausgang des EingangsdifferenzverstärkersODH, O 021 , OD-I 2 , OD22, output of the input differential amplifier
OD13> OD23> OD14> OD24OD13> OD23> OD14> OD24
O1 I, O21, O12, O22, O13, Ausgang der Ausgangsstufe; Ausgang desO 1 I , O 21 , O 12 , O 22 , O 13 , output of the output stage; Output of the
O23, O14, O24 OperationsverstärkersO 23 , O 14 , O 24 operational amplifier
A1 , A2, A3, A4 EingangsdifferenzverstärkerA1, A2, A3, A4 input differential amplifier
D1 , D2, D3, D4 AusgangsstufeD1, D2, D3, D4 output stage
I StromI electricity
V Spannung V voltage

Claims

Patentansprüche claims
1. Operationsverstärker,1. operational amplifier,
- mit einem ersten Eingang (Inn, lni2, lni3l lni4),- having a first input (INN, lni 2, lni 3l lni 4)
- mit einem zweiten Eingang (In2-I, In22, In23, In24),with a second input (In 2 -I, In 22 , In 2 3, In 24 ),
- mit einem Eingangsdifferenzverstärker (A1 , A2, A3, A4), der mit dem ersten Eingang (Irin, lni2, lni3, In^) und mit dem zweiten Eingang- With an input differential amplifier (A1, A2, A3, A4), with the first input (Irin, lni 2 , lni 3 , In ^) and with the second input
(ln2i, In22, In23, In24) verbunden ist,(ln 2 i, In 22 , In 23 , In 24 ),
- mit einem ersten Ausgang (O2i, O22, O23, O24),with a first output (O 2 i, O 22 , O 23 , O 24 ),
- mit einem zweiten Ausgang (On, O12, Oi3, Ou), undwith a second output (On, O 12 , Oi 3 , Ou), and
- mit einer differentiellen Ausgangsstufe (D1 , D2, D3, D4), die mit dem Eingangsdifferenzverstärker (A1 , A2, A3, A4) und dem ersten- With a differential output stage (D1, D2, D3, D4), with the input differential amplifier (A1, A2, A3, A4) and the first
Ausgang (O21, O22, O23, O24) und dem zweiten Ausgang (On, Oi2, Oi3, Oi4) verbunden ist, bei demOutput (O 21 , O 22 , O 23 , O 24 ) and the second output (On, Oi 2 , Oi 3 , Oi 4 ) is connected to the
- die differentielle Ausgangsstufe (D1 , D2, D3, D4) einen ersten Zweig mit zwei ersten Transistoren ([MP2n, MN2n], [MP22i, MN22i], [Qp23i,- The differential output stage (D1, D2, D3, D4) a first branch with two first transistors ([M P2 n, M N2 n], [M P22 i, M N22 i], [Qp 2 3i,
QN23I], [Qp24i, QN24I]) aufweist, deren Drain beziehungsweise Kollektor miteinander und mit dem ersten Ausgang (O21 , O22, O23, O24) verbunden sind,QN23I], [Qp24i, QN24I]) whose drain or collector are connected to each other and to the first output (O 21 , O 22 , O 23 , O 24 ),
- die differentielle Ausgangsstufe (D1 , D2, D3, D4) einen zweiten Zweig mit zwei zweiten Transistoren ([MP2i2, MN212], [Mp222, MN222], [QP232,the differential output stage (D1, D2, D3, D4) has a second branch with two second transistors ([M P2 i 2 , MN212], [Mp 222 , MN222], [QP232,
Q.N232], [QP242, QN242]) aufweist, deren Drain beziehungsweise Kollektor miteinander und mit dem zweiten Ausgang (On, O12, Oi3, d4) verbunden sind,Q.N232], [QP242, QN242]) whose drain or collector are connected to each other and to the second output (On, O 12 , Oi 3 , d 4 ),
- die ersten Gates beziehungsweise die ersten Basen der zwei ersten Transistoren ([MP2ii, MN2n], [Mp221, MN22i], [Qp23i, QN231], [Qp24i, QN24I]) im ersten Zweig miteinander und mit einem ersten Ausgang (ODH , 0DI2, 0DI3, OD24) des Eingangsdifferenzverstärkers (A1 , A2, A3, A4) verbunden sind,the first gates or the first bases of the two first transistors ([M P2 ii, M N 2n], [Mp 221 , M N 22i], [Qp23i, QN231], [Qp24i, QN24I]) are connected in the first branch together and to a first output (ODH, 0 D I2, I3 0 D, O D 24) of the input differential amplifier (A1, A2, A3, A4),
- die zweiten Gates beziehungsweise die zweiten Basen der zwei zweiten Transistoren ([Mp2I2, MN212], [MP222, MN222], [QP232, QN232],the second gates or the second bases of the two second transistors ([Mp 2 I 2 , MN212], [M P2 22, M N22 2], [QP232, QN232],
[Qp242, QN242]) im zweiten Zweig miteinander und mit einem zweiten Ausgang (OD2i, OD22, OD23, O0I4) des Eingangsdifferenzverstärkers (A1 , A2, A3, A4) verbunden sind,[Qp 2 42, QN 242 ]) in the second branch are connected to one another and to a second output (O D 2i, OD22, OD23, O 0 I 4 ) of the input differential amplifier (A1, A2, A3, A4),
- die differentielle Ausgangsstufe (D1 , D2, D3, D4) eine Konstantstromquelle (CS2i, CS22, CS23, CS24) aufweist, die mit jedem- The differential output stage (D1, D2, D3, D4) has a constant current source (CS 2 i, CS 22 , CS 23 , CS 24 ), with each
Zweig zur Speisung eines Stromes (I21, I22, I23, I24) durch die Zweige verbunden ist.Branch for supplying a current (I 21 , I 22 , I 23 , I 24 ) is connected by the branches.
2. Operationsverstärker nach Anspruch 1 , bei dem die zwei ersten Transistoren komplementäre Bipolartransistoren ([Qp23i,The operational amplifier of claim 1, wherein the two first transistors are complementary bipolar transistors ([Qp 2 3i,
QN231], [Q.P241, QN24I]) Und die zwei zweiten Transistoren komplementäre Bipolartransistoren ([Qp232,QN231], [Q.P241, QN24I]) and the two second transistors complementary bipolar transistors ([Qp 232 ,
QN232], [QP242, QN242]) Sind.QN232], [QP242, QN242]).
3. Operationsverstärker nach Anspruch 1 , bei dem die zwei ersten Transistoren komplementäre FeldeffekttransistorenThe operational amplifier of claim 1, wherein the two first transistors are complementary field effect transistors
([MP2ii, MN2ii], [Mp22I, MN22i]) und die zwei zweiten Transistoren komplementäre Feldeffekttransistoren([M P2 ii, M N 2ii], [Mp 22 I, M N 22i]) and the two second transistors complementary field-effect transistors
([Mp212, MN212], [Mp222, MN222]) sind.([Mp 212 , M N 212], [Mp 222 , MN222]).
4. Operationsverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Arbeitspunkt der zwei ersten Transistoren ([MP2n, MN2HL [Mp221,4. An operational amplifier according to one of the preceding claims, in which the operating point of the two first transistors ([M P2 n, MN2HL [Mp 221 ,
MN22i], [QP23I, QN23I], [Qp24i, Q.N24i]) im ersten Zweig und der zwei zweiten Transistoren ([MP2i2, MN212], [MP222, MN222], [QP232, QN232], [QP242, QN242]) im zweiten Zweig derart eingestellt ist, dass der Konstantstrom (I21, I22,M N 22i], [QP23I, QN23I], [Qp24i, Q.N24i]) in the first branch and the two second transistors ([M P2 i 2 , MN212], [M P2 22, MN222], [QP232, QN232] , [QP242, QN242]) in the second branch is set such that the constant current (I 21 , I 22 ,
I23, I24) der Konstantstromquelle (CS21, CS22, CS23, CS24) zur einen Hälfte durch die zwei ersten Transistoren ([Mp2H, MN2n], [MP22i, MN22i], [Qp23i, QN23I], [Qp24i, QN24I]) des ersten Zweiges und zur anderen Hälfte durch die zwei zweiten Transistoren ([MP212, MN212], [MP222, MN222], [QP232, QN232], [QP242, QN242]) des zweiten Zweiges fließt.I 2 3, I 24 ) of the constant current source (CS21, CS 22 , CS 2 3, CS24) to one half by the two first transistors ([Mp 2 H, M N 2n], [M P2 2i, M N 22i], [Qp23i, QN23I], [Qp24i, QN24I]) of the first branch and the other half by the two second transistors ([M P2 12, MN212], [M P22 2, MN222], [QP232, QN232], [QP242, QN242]) of the second branch.
5. Operationsverstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem5. Operational amplifier according to one of the preceding claims, wherein
- der Eingangsdifferenzverstärker (A1 , A2, A3, A4) einen ersten Eingangstransistor (Mpm, MNi2i, QN131, QPMI) und einen zweiten Eingangstransistor (MPn2, MNi22, QNI32, QP142) aufweist,- the input differential amplifier (A1, A2, A3, A4) has a first input transistor (Mpm, M N i2i, QN 1 3 1 , QPMI) and a second input transistor (M P n 2 , M N i22, QNI32, QP142),
- ein erster Source-Anschluss beziehungsweise ein erster Emitteranschluss des ersten Eingangstransistors (MPm, MNi2i, QN131, QPI4I) und ein zweiter Source-Anschluss beziehungsweise ein zweiter Emitteranschluss des zweiten Eingangstransistors (MPn2, MN122, Q.N132, Q.P142) mit einer Eingangskonstantstromquelle (CSn, CSi2,a first source terminal or a first emitter terminal of the first input transistor (M P m, M N i2i, QN131, Q P I 4 I) and a second source terminal or a second emitter terminal of the second input transistor (M P n 2 , M N122 , Q.N132, Q.P142) with an input constant current source (CSn, CSi 2 ,
CS13, CSi4) verbunden sind, undCS 13 , CSi 4 ), and
- die Konstantstromquelle (CS2i, CS22, CS23, CS24) der differentiellen Ausgangsstufe (D1 , D2, D3, D4) und die Eingangskonstantstromquelle (CS11, CS12, CS13, CSi4) des Eingangsdifferenzverstärkers (A1 , A2, A3, A4) an demselben Versorgungsspannungsanschluss (V+,the constant current source (CS 2 i, CS 22 , CS 23 , CS 24 ) of the differential output stage (D1, D2, D3, D4) and the input constant current source (CS 11 , CS 12 , CS 13 , CSi 4 ) of the input differential amplifier (A1, A2, A3, A4) at the same supply voltage connection (V +,
GND) angeschlossen sind.GND) are connected.
6. Verwendung eines Operationsverstärkers nach einem der vorhergehenden Ansprüche für ein batteriebetriebenes Funksystem. 6. Use of an operational amplifier according to one of the preceding claims for a battery-powered radio system.
EP07724519A 2006-04-28 2007-04-24 Operational amplifier Withdrawn EP2013968A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006020485.9A DE102006020485B4 (en) 2006-04-28 2006-04-28 operational amplifiers
PCT/EP2007/003589 WO2007124895A1 (en) 2006-04-28 2007-04-24 Operational amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2013968A1 true EP2013968A1 (en) 2009-01-14

Family

ID=38226430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP07724519A Withdrawn EP2013968A1 (en) 2006-04-28 2007-04-24 Operational amplifier

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7535300B2 (en)
EP (1) EP2013968A1 (en)
CN (1) CN101432964B (en)
DE (1) DE102006020485B4 (en)
WO (1) WO2007124895A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2533299A (en) * 2014-12-15 2016-06-22 Nordic Semiconductor Asa Differential comparator
US9531372B1 (en) * 2015-06-05 2016-12-27 Texas Instruments Incorporated Driver with transformer feedback
US9444406B1 (en) * 2015-06-29 2016-09-13 Silicon Laboratories Inc. Amplifier topology achieving high DC gain and wide output voltage range

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9313840D0 (en) * 1993-07-05 1993-08-25 Philips Electronics Uk Ltd Cascaded amplifier
US5703532A (en) * 1995-12-13 1997-12-30 International Business Machines Corporation Fully differential self-biased signal receiver
JP3795606B2 (en) * 1996-12-30 2006-07-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Circuit and liquid crystal display device using the same
US5973957A (en) 1997-09-16 1999-10-26 Intel Corporation Sense amplifier comprising a preamplifier and a differential input latch for flash memories
JP4167747B2 (en) * 1998-04-13 2008-10-22 株式会社ルネサステクノロジ Frequency variable oscillation circuit and phase synchronization circuit using the same
US6249153B1 (en) * 1999-05-25 2001-06-19 Micrel Incorporated High slew rate input differential pair with common mode input to ground
DE10016445C2 (en) 2000-03-29 2002-03-28 Infineon Technologies Ag Electronic output stage
US6542019B1 (en) * 2001-11-28 2003-04-01 Berkäna Wireless, Inc. Highly linear and low noise figure mixer
US6801090B1 (en) * 2002-08-13 2004-10-05 Applied Microcircuits Corporation High performance differential amplifier
US6970043B2 (en) * 2002-10-29 2005-11-29 Fairchild Semiconductor Corporation Low voltage, low power differential receiver
US6870424B2 (en) * 2002-10-29 2005-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Low voltage differential in differential out receiver
KR20060004260A (en) * 2004-07-09 2006-01-12 삼성전자주식회사 Self biased differential amplifier
US7573331B2 (en) * 2004-10-06 2009-08-11 Agere Systems Inc. Low power low noise amplifier for a magnetoresistive sensor
KR100682056B1 (en) * 2005-07-01 2007-02-15 삼성전자주식회사 Buffer Amplifier

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2007124895A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20080084245A1 (en) 2008-04-10
US7535300B2 (en) 2009-05-19
CN101432964A (en) 2009-05-13
DE102006020485B4 (en) 2019-07-04
WO2007124895A1 (en) 2007-11-08
DE102006020485A1 (en) 2007-11-15
CN101432964B (en) 2012-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014111130B4 (en) Operational amplifier with current feedback
DE102009054113B4 (en) Process, voltage and temperature control for high-gain, high-gain, variable-gain and low-power MOSFET resistors
EP1816742B1 (en) Differential amplifier and radio system with differential amplifier
US8106700B2 (en) Wideband voltage translators
DE102005008372B4 (en) Controllable amplifier and its use
CN112986669B (en) Radio frequency power detection circuit
DE102005054216B4 (en) Output stage, amplifier control loop and use of the output stage
EP1806839A1 (en) Cascoded differential amplifier
DE102013109363B4 (en) SMART CARD
US10348260B2 (en) Amplifier circuit and filter
DE10344878B4 (en) Differential amplifier arrangement with current control circuit and method for operating a differential amplifier arrangement
DE102015115225A1 (en) Electronic device for a high frequency signal receiving chain comprising a low noise transconductance amplifier stage
KR19980036295A (en) Mixers with Replication Voltage-to-Current Converter
DE102009033414A1 (en) Circuit with single-pole input and differential output
EP2013968A1 (en) Operational amplifier
DE102004021155B3 (en) Traveling wave amplifier
DE102016106562A1 (en) AMPLIFIER WITH TWO ENTRANCES
DE69721898T2 (en) Variable gain amplifier with low DC voltage deviation at the output and low distortion
DE102004022991B3 (en) Sample differential amplifier and sample amplifier
KR20090047619A (en) Wide band amplifier
CN112825003B (en) Amplifier device and voltage-current conversion device
CN113364438B (en) Intermediate frequency buffer circuit and buffer with high linearity
EP1599936B1 (en) Transimpedance amplifier with a high gain bandwidth for converting a dac-output current
DE10054971B4 (en) Buffer circuit and holding circuit
EP2084812B1 (en) Amplifier circuit

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20080912

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA HR MK RS

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): DE FR

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20091103