EP0806787A1 - Fabrication of an anode of a flat viewing screen - Google Patents

Fabrication of an anode of a flat viewing screen Download PDF

Info

Publication number
EP0806787A1
EP0806787A1 EP97410049A EP97410049A EP0806787A1 EP 0806787 A1 EP0806787 A1 EP 0806787A1 EP 97410049 A EP97410049 A EP 97410049A EP 97410049 A EP97410049 A EP 97410049A EP 0806787 A1 EP0806787 A1 EP 0806787A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
anode
strips
anode according
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP97410049A
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
EP0806787B1 (en
Inventor
Stéphane Mougin
Guy Reynaud
Catherine Oules-Chaton
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pixtech SA
Original Assignee
Pixtech SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pixtech SA filed Critical Pixtech SA
Publication of EP0806787A1 publication Critical patent/EP0806787A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP0806787B1 publication Critical patent/EP0806787B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/08Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
    • H01J29/085Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays

Definitions

  • the rows of the grid 3 are sequentially polarized at a potential of the order of 80 volts, while the strips of phosphor elements (for example 7g in FIG. 1) to be excited are polarized under a voltage of the order 400 volts via the ITO strip on which these phosphors are deposited.
  • the ITO bands, carrying the other bands of phosphor elements (for example 7r and 7b in FIG. 1), are at low or zero potential.
  • the columns of cathode 1 are brought to respective potentials between a maximum emission potential and a non-emission potential (for example, 0 and 30 volts respectively). The brightness of a color component of each of the pixels of a line is thus fixed.
  • an insulating strip 8 can become such that it causes the formation of a destructive arc between the anode and the cathode.
  • the material is chosen so that its secondary emission coefficient is less than 1, at least in the energy range of the primary electrons emitted by the microtips.
  • the surface material 21 of the strips 20 has a secondary emission coefficient less than 1, it becomes negatively charged, as the screen operates, when the edge of the surface 21 receives primary electrons from microtips (not shown). This negative charge leads to the fact that the electrons are, unlike conventional screens, more and more repelled by the insulation bands 20.

Landscapes

  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

The screen has a cathode composed of microdots (2) for electron bombardment of an anode (5) provided with luminophores (7) of the primary colours on strips (9) of indium-tin oxide deposited on the glass (6). The strips are separated by insulation (20) whose surface (21) has a secondary emission coefficient less than 1 at least within the range of primary electron energies. Each insulating strip of e.g. silicon dioxide has sufficient resistivity to prevent breakdown between two neighbouring luminophores. Its surface may have a coating of low-emission material (e.g. silicon) to a thickness of about 100 Angstrom with a gap of 5-10 mu m at each edge.

Description

La présente invention concerne les écrans plats de visualisation, et plus particulièrement des écrans dit à cathodoluminescence, dont l'anode porte des éléments luminescents, séparés les uns des autres par des zones isolantes, et susceptibles d'être excités par bombardement électronique. Ce bombardement électronique nécessite que les éléments luminescents soient polarisés et peut provenir de micropointes, de couches à faible potentiel d'extraction ou d'une source thermoionique.The present invention relates to flat display screens, and more particularly to so-called cathodoluminescence screens, the anode of which carries luminescent elements, separated from each other by insulating zones, and capable of being excited by electronic bombardment. This electronic bombardment requires that the luminescent elements are polarized and can come from microtips, from layers with low extraction potential or from a thermionic source.

Pour simplifier la présente description, on ne considérera ci-après que les écrans couleur à micropointes mais on notera que l'invention concerne, de façon générale, les divers types d'écrans susmentionnés et analogues.To simplify the present description, below only the color microtip screens will be considered, but it will be noted that the invention relates, in general, to the various types of screens mentioned above and the like.

La figure 1 représente la structure d'un écran plat couleur à micropointes.Figure 1 shows the structure of a color microtip flat screen.

Un tel écran à micropointes est essentiellement constitué d'une cathode 1 à micropointes 2 et d'une grille 3 pourvue de trous 4 correspondants aux emplacements des micropointes 2. La cathode 1 est placée en regard d'une anode cathodoluminescente 5 dont un substrat de verre 6 constitue la surface d'écran.Such a microtip screen essentially consists of a cathode 1 with microtips 2 and a grid 3 provided with holes 4 corresponding to the locations of the microtips. The cathode 1 is placed opposite a cathodoluminescent anode 5 including a substrate of glass 6 constitutes the screen surface.

Le principe de fonctionnement et un mode de réalisation particulier d'un écran à micropointes sont décrits, en particulier, dans le brevet américain n° 4 940 916 du Commissariat à l'Energie Atomique.The operating principle and a particular embodiment of a microtip screen are described, in particular, in the American patent n ° 4 940 916 of the French Atomic Energy Commission.

La cathode 1 est organisée en colonnes et est constituée, sur un substrat de verre 10, de conducteurs de cathode organisés en mailles à partir d'une couche conductrice. Les micropointes 2 sont réalisées sur une couche résistive 11 déposée sur les conducteurs de cathode et sont disposées à l'intérieur des mailles définies par les conducteurs de cathode. La figure 1 représente partiellement l'intérieur d'une maille et les conducteurs de cathode n'apparaissent pas sur cette figure. La cathode 1 est associée à la grille 3 organisée en lignes. L'intersection d'une ligne de la grille 3 et d'une colonne de la cathode 1 définit un pixel.The cathode 1 is organized in columns and consists, on a glass substrate 10, of cathode conductors organized in meshes from a conductive layer. The microtips 2 are produced on a resistive layer 11 deposited on the cathode conductors and are arranged inside the meshes defined by the cathode conductors. Figure 1 partially shows the interior of a mesh and the cathode conductors do not appear in this figure. The cathode 1 is associated with the grid 3 organized in lines. The intersection of a line of the grid 3 and a column of the cathode 1 defines a pixel.

Ce dispositif utilise le champ électrique qui est créé entre la cathode 1 et la grille 3 pour que des électrons soient extraits des micropointes 2. Ces électrons sont ensuite attirés par des éléments luminophores 7 de l'anode 5 si ceux-ci sont convenablement polarisés. Dans le cas d'un écran couleur, l'anode 5 est pourvue de bandes alternées d'éléments luminophores 7r, 7g, 7b correspondant chacune à une couleur (Rouge, Vert, Bleu). Les bandes sont parallèles aux colonnes de la cathode et sont séparées les unes des autres par un isolant 8, généralement de l'oxyde de silicium (SiO2). Les éléments luminophores 7 sont déposés sur des électrodes 9, constituées de bandes correspondantes d'une couche conductrice transparente telle que de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). Les ensembles de bandes rouges, vertes, bleues sont alternativement polarisés par rapport à la cathode 1, pour que des électrons extraits des micropointes 2 d'un pixel de la cathode/grille soient alternativement dirigés vers les éléments luminophores 7 en vis-à-vis de chacune des couleurs.This device uses the electric field which is created between the cathode 1 and the grid 3 so that electrons are extracted from the microtips 2. These electrons are then attracted by phosphor elements 7 from the anode 5 if these are suitably polarized. In the case of a color screen, the anode 5 is provided with alternating bands of phosphor elements 7r, 7g, 7b each corresponding to a color (Red, Green, Blue). The strips are parallel to the columns of the cathode and are separated from each other by an insulator 8, generally silicon oxide (SiO 2 ). The phosphor elements 7 are deposited on electrodes 9, made up of corresponding strips of a transparent conductive layer such as indium tin oxide (ITO). The sets of red, green and blue bands are alternately polarized with respect to the cathode 1, so that electrons extracted from the microtips 2 of a pixel of the cathode / grid are alternately directed towards the phosphor elements 7 opposite of each of the colors.

La commande de sélection du luminophore 7 (le luminophore 7g en figure 1) qui doit être bombardé par les électrons issus des micropointes de la cathode 1 impose de commander, sélectivement, la polarisation des éléments luminophores 7 de l'anode 5, couleur par couleur.The command to select the phosphor 7 (the phosphor 7g in FIG. 1) which must be bombarded by the electrons coming from the microtips of the cathode 1 means that selectively, the polarization of the phosphor elements 7 of the anode 5, color by color.

Généralement, les rangées de la grille 3 sont séquentiellement polarisées à un potentiel de l'ordre de 80 volts, tandis que les bandes d'éléments luminophores (par exemple 7g en figure 1) devant être excités sont polarisées sous une tension de l'ordre de 400 volts par l'intermédiaire de la bande d'ITO sur laquelle ces éléments luminophores sont déposés. Les bandes d'ITO, portant les autres bandes d'éléments luminophores (par exemple 7r et 7b en figure 1), sont à un potentiel faible ou nul. Les colonnes de la cathode 1 sont portées à des potentiels respectifs compris entre un potentiel d'émission maximale et un potentiel d'absence d'émission (par exemple, respectivement 0 et 30 volts). On fixe ainsi la brillance d'une composante couleur de chacun des pixels d'une ligne.Generally, the rows of the grid 3 are sequentially polarized at a potential of the order of 80 volts, while the strips of phosphor elements (for example 7g in FIG. 1) to be excited are polarized under a voltage of the order 400 volts via the ITO strip on which these phosphors are deposited. The ITO bands, carrying the other bands of phosphor elements (for example 7r and 7b in FIG. 1), are at low or zero potential. The columns of cathode 1 are brought to respective potentials between a maximum emission potential and a non-emission potential (for example, 0 and 30 volts respectively). The brightness of a color component of each of the pixels of a line is thus fixed.

Le choix des valeurs des potentiels de polarisation est lié aux caractéristiques des éléments luminophores 7 et des micropointes 2. Classiquement, en dessous d'une différence de potentiel de 50 volts entre la cathode et la grille, il n'y a pas d'émission électronique, et l'émission maximale utilisée correspond à une différence de potentiel de 80 volts.The choice of the values of the polarization potentials is linked to the characteristics of the phosphor elements 7 and the microtips 2. Conventionally, below a potential difference of 50 volts between the cathode and the grid, there is no emission. electronic, and the maximum emission used corresponds to a potential difference of 80 volts.

Un inconvénient des écrans classiques est qu'ils souffrent d'une faible durée de vie, c'est-à-dire qu'au bout d'un temps de fonctionnement relativement court (de l'ordre d'une centaine d'heures), la brillance de l'écran diminue considérablement et on voit même parfois apparaître des phénomènes destructeurs dus à la formation d'arcs entre la cathode et l'anode de l'écran.A disadvantage of conventional screens is that they suffer from a short lifespan, that is to say that after a relatively short operating time (of the order of a hundred hours) , the screen brightness decreases considerably and we sometimes even see destructive phenomena appearing due to the formation of arcs between the cathode and the screen anode.

De plus, au bout d'un certain temps de fonctionnement, on constate que la couleur varie et ne correspond plus aux consignes de commande de l'écran. Ce phénomène sera appelé ici "dérive de couleur". En pratique, ceci signifie que l'une au moins des bandes de matériau luminophore adjacentes aux bandes polarisées se met à présenter une luminescence.In addition, after a certain operating time, it can be seen that the color varies and no longer corresponds to the screen control instructions. This phenomenon will be called here "color drift". In practice, this means that at least one of the bands of phosphor material adjacent to the polarized bands begins to exhibit luminescence.

L'origine de ce phénomène était, jusqu'ici, mal comprise. On pensait qu'il était dû au fait que des électrons s'accumulent sur les zones isolantes 8 entre les bandes de matériau luminophore et assurent une conduction vers des bandes voisines. Pour éviter ce phénomène, on a proposé dans l'art antérieur diverses techniques dont l'une consiste à séparer par des intervalles de temps brefs les polarisations des bandes d'anode entre deux sous-trames couleurs successives, et à appliquer une impulsion de tension négative sur la bande qui vient d'être polarisée avant de polariser positivement la bande d'anode suivante à exciter.The origin of this phenomenon was, until now, poorly understood. We thought it was due to the fact that electrons accumulate on the insulating zones 8 between the strips of phosphor material and provide conduction to neighboring strips. To avoid this phenomenon, various techniques have been proposed in the prior art, one of which consists in separating the polarizations of the anode bands between two successive color subframes by brief time intervals, and in applying a voltage pulse. negative on the strip which has just been polarized before positively polarizing the next anode strip to be excited.

Toutefois, ce procédé présente l'inconvénient d'être relativement complexe à mettre en oeuvre puisqu'il complique la fourniture des tensions d'alimentation d'anode, qui sont des tensions de valeurs élevées (quelques centaines de volts) et qu'il nuit à la brillance de l'écran.However, this method has the disadvantage of being relatively complex to implement since it complicates the supply of the anode supply voltages, which are voltages of high values (a few hundred volts) and that it harms to the brightness of the screen.

La présente invention a pour objet de proposer une nouvelle solution aux problèmes susmentionnés de durée de vie de l'écran et de dérive de couleur.The object of the present invention is to propose a new solution to the abovementioned problems of screen life and color drift.

Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit une anode d'écran plat de visualisation du type comportant au moins deux ensembles de bandes parallèles alternées de conducteurs d'anode revêtues d'éléments luminophores destinés à être excités par des électrons primaires, lesdites bandes étant séparées les unes des autres par des bandes d'isolement comprenant, au moins en surface, un matériau présentant un coefficient d'émission secondaire inférieur ou égal à l'unité, au moins dans la plage d'énergie desdits électrons primaires.To achieve this object, the present invention provides a flat screen display anode of the type comprising at least two sets of alternating parallel strips of anode conductors coated with phosphor elements intended to be excited by primary electrons, said strips being separated from each other by insulation bands comprising, at least at the surface, a material having a secondary emission coefficient less than or equal to unity, at least in the energy range of said primary electrons.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit matériau présente un coefficient d'émission secondaire maximal inférieur à l'unité.According to an embodiment of the present invention, said material has a maximum secondary emission coefficient less than one.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdites bandes d'isolement sont constituées d'une seule couche en un matériau présentant un coefficient d'émission secondaire inférieur à l'unité et présentant une résistivité suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines d'éléments luminophores.According to an embodiment of the present invention, said insulation strips consist of a single layer of a material having a secondary emission coefficient less than unity and having a resistivity sufficient to withstand a determined potential difference between two neighboring bands of phosphor elements.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdites bandes d'isolement sont constituées d'une première couche mince en un matériau isolant recouverte d'une deuxième couche très mince en un matériau dont le coefficient d'émission secondaire est inférieur à l'unité.According to an embodiment of the present invention, said insulation strips consist of a first thin layer of insulating material covered with a second very thin layer of material whose secondary emission coefficient is less than unit.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, la deuxième couche présente une largeur inférieure à celle de la première couche pour laisser subsister, de part et d'autre de la deuxième couche, un espace isolant.According to an embodiment of the present invention, the second layer has a width less than that of the first layer to allow to remain, on either side of the second layer, an insulating space.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit matériau constitutif de la deuxième couche est choisi pour présenter une résistivité suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines d'éléments luminophores.According to an embodiment of the present invention, said material constituting the second layer is chosen to have sufficient resistivity to withstand a determined potential difference between two neighboring strips of phosphor elements.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ladite deuxième couche est en un matériau conducteur, l'épaisseur de la deuxième couche étant choisie pour qu'elle présente une résistance suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines d'éléments luminophores.According to an embodiment of the present invention, said second layer is made of a conductive material, the thickness of the second layer being chosen so that it has sufficient resistance to withstand a determined potential difference between two neighboring strips of elements phosphors.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit matériau à coefficient d'émission secondaire inférieur à l'unité est choisi parmi l'oxyde de chrome et l'oxyde de fer.According to an embodiment of the present invention, said material with a secondary emission coefficient of less than one is chosen from chromium oxide and iron oxide.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit matériau constitutif de la deuxième couche est du carbone graphite.According to an embodiment of the present invention, said material constituting the second layer is graphite carbon.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdites bandes d'isolement sont en oxyde de silicium dont la surface a été conditionnée pour développer une couche très mince de silicium.According to an embodiment of the present invention, said insulation strips are made of silicon oxide, the surface of which has been conditioned to develop a very thin layer of silicon.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, ladite deuxième couche des bandes d'isolement est polarisée à un potentiel négatif ou nul.According to an embodiment of the present invention, said second layer of the insulation bands is biased at a negative or zero potential.

L'invention concerne également un écran plat de visualisation du type comportant une cathode à micropointes et une anode constituée d'au moins deux ensembles de bandes alternées d'éléments luminophores, ladite anode comportant des bandes d'isolement selon l'un des modes de réalisation susmentionnés.The invention also relates to a flat display screen of the type comprising a microtip cathode and an anode made up of at least two sets of alternating strips. phosphor elements, said anode comprising insulating strips according to one of the abovementioned embodiments.

La présente invention a pour origine une interprétation des phénomènes qui engendrent les problèmes susmentionnés dans les écrans classiques.The present invention originates from an interpretation of the phenomena which give rise to the abovementioned problems in conventional screens.

Les inventeurs considèrent que ces problèmes sont dus, en particulier, à un phénomène d'émission secondaire se produisant à la surface de l'anode.The inventors consider that these problems are due, in particular, to a phenomenon of secondary emission occurring at the surface of the anode.

La figure 2 représente, schématiquement et en coupe transversale, trois bandes d'éléments luminophores d'une anode séparées par un isolant.Figure 2 shows, schematically and in cross section, three bands of phosphor elements of an anode separated by an insulator.

Pour des raisons de clarté, les différents constituants représentés à la figure 2 seront désignés par les mêmes références qu'en figure 1. Ainsi, trois bandes, respectivement 7b, 7g et 7r d'éléments luminophores de couleurs différentes sont déposées sur des bandes correspondantes, respectivement 9b, 9g et 9r d'ITO, elles-mêmes déposées sur un substrat de verre 6 constituant la surface de l'écran.For reasons of clarity, the various constituents represented in FIG. 2 will be designated by the same references as in FIG. 1. Thus, three bands, respectively 7b, 7g and 7r of phosphor elements of different colors are deposited on corresponding bands , respectively 9b, 9g and 9r of ITO, themselves deposited on a glass substrate 6 constituting the surface of the screen.

Quand la bande 9g est polarisée à 400 volts, les bandes 9b et 9r ne sont pas polarisées et des électrons dits "primaires" ei, émis par les micropointes (non représentées) de la cathode, arrivent sur les éléments luminophores 7g. Des électrons dits "secondaires" es sont réémis par les éléments luminophores 7g. De plus, un certain nombre d'électrons primaires arrivent sur le bord des bandes isolantes 8 séparant la bande 9g des bandes 9b et 9r. On constate, là aussi, une émission d'électrons secondaires.When the band 9g is polarized at 400 volts, the bands 9b and 9r are not polarized and so-called "primary" electrons ei, emitted by the microtips (not shown) of the cathode, arrive on the phosphor elements 7g. So-called electron "secondary" century are re-emitted by the phosphor elements 7g. In addition, a number of primary electrons arrive on the edge of the insulating strips 8 separating the strip 9g from the strips 9b and 9r. Here, too, there is an emission of secondary electrons.

Tout matériau possède un coefficient d'émission secondaire, appelé δ, qui représente le nombre moyen d'électrons secondaires réémis pour un électron incident arrivant sur ce matériau. L'énergie prédominante de la distribution statistique des électrons secondaires est de l'ordre de 30 à 50 eV, quelle que soit l'énergie des électrons incidents.Any material has a secondary emission coefficient, called δ, which represents the average number of secondary electrons re-emitted for an incident electron arriving on this material. The predominant energy of the statistical distribution of secondary electrons is of the order of 30 to 50 eV, whatever the energy of the incident electrons.

Le coefficient d'émission secondaire d'un matériau varie en fonction de l'énergie des électrons qui touchent sa surface. Dans le cas des écrans à micropointes, l'énergie des électrons primaires est liée au potentiel de polarisation de l'anode et est, par exemple, de l'ordre de 400 eV.The secondary emission factor of a material varies depending on the energy of the electrons touching its surface. In the case of microtip screens, the energy of primary electrons is related to the polarization potential of the anode and is, for example, of the order of 400 eV.

Quand le coefficient d'émission secondaire δ est supérieur à 1, cela veut dire que la surface du matériau réémet plus d'électrons qu'elle n'en reçoit et tend à se charger positivement. A l'inverse, quand le coefficient d'émission secondaire δ est inférieur à 1, il y a accumulation d'électrons.When the secondary emission coefficient δ is greater than 1, this means that the surface of the material re-emits more electrons than it receives and tends to charge positively. Conversely, when the secondary emission coefficient δ is less than 1, there is an accumulation of electrons.

Le fait que les écrans à micropointes soient réalisés en utilisant des technologies dérivées de celles utilisées dans la fabrication des circuits intégrés, a entraîné le recours à l'oxyde de silicium pour réaliser les bandes isolantes 8. En effet, l'oxyde de silicium constitue un matériau usuel et dont on maîtrise bien l'utilisation. Malencontreusement, l'oxyde de silicium présente un coefficient d'émission secondaire particulièrement élevé.The fact that microtip screens are produced using technologies derived from those used in the manufacture of integrated circuits, has led to the use of silicon oxide to produce the insulating strips 8. In fact, silicon oxide constitutes a common material and which we master well the use. Unfortunately, silicon oxide has a particularly high secondary emission coefficient.

La figure 3 illustre la caractéristique de l'évolution du coefficient d'émission secondaire de l'oxyde de silicium (SiO2) en fonction de l'énergie des électrons incidents en eV.FIG. 3 illustrates the characteristic of the evolution of the secondary emission coefficient of silicon oxide (SiO 2 ) as a function of the energy of the incident electrons in eV.

Quel que soit le matériau, cette caractéristique a une forme de cloche, c'est-à-dire que le coefficient δ commence par croître jusqu'à atteindre un niveau δmax pour une quantité d'énergie Umax puis décroît vers une valeur d'asymptote.Whatever the material, this characteristic has the shape of a bell, that is to say that the coefficient δ begins to increase until it reaches a level δ max for an amount of energy U max then decreases towards a value d 'asymptote.

Les éléments luminophores présentent généralement un coefficient δmax de l'ordre de 2 à 2,5 pour une énergie Umax de l'ordre de 500 eV.The phosphor elements generally have a coefficient δ max of the order of 2 to 2.5 for an energy U max of the order of 500 eV.

Pour l'oxyde de silicium, δmax est de l'ordre de 3 pour une énergie Umax de l'ordre de 400 eV. Les écrans classiques fonctionnent donc dans la région d'émission secondaire maximale et les électrons primaires qui parviennent à toucher l'oxyde de silicium des bandes 8 engendrent une émission importante d'électrons secondaires.For silicon oxide, δ max is around 3 for an energy U max around 400 eV. Conventional screens therefore operate in the maximum secondary emission region and the primary electrons which manage to touch the silicon oxide of the bands 8 generate a significant emission of secondary electrons.

La conséquence de ce phénomène d'émission secondaire sur une anode d'écran à micropointes est la suivante.The consequence of this secondary emission phenomenon on a microtip screen anode is as follows.

Initialement, les pistes 8 de matériau isolant en oxyde de silicium sont à un potentiel nul. Les électrons primaires qui arrivent sur les bords des pistes isolantes voisines d'une bande (par exemple 9g) polarisée entraînent, par l'émission d'électrons secondaires, une charge positive en surface de l'oxyde de silicium. Au fur et à mesure du fonctionnement de l'écran, cette zone de charge positive se développe, dans la mesure où les électrons primaires sont de plus en plus attirés par la surface au fur et à mesure que sa charge positive augmente, ce qui provoque une diminution de la brillance de la bande 7g polarisée. La zone de charge positive se propage vers les pistes 9b et 9r non-polarisées voisines et son potentiel peut dépasser le potentiel de polarisation des bandes d'anode.Initially, the tracks 8 of silicon oxide insulating material are at zero potential. The primary electrons which arrive on the edges of the neighboring insulating tracks of a polarized strip (for example 9 g) entail, by the emission of secondary electrons, a positive charge on the surface of the silicon oxide. As the screen operates, this positive charge area grows, as the primary electrons are more and more attracted to the surface as its positive charge increases, which causes a decrease in the brightness of the polarized 7g strip. The positive charge zone propagates towards the neighboring non-polarized tracks 9b and 9r and its potential can exceed the polarization potential of the anode strips.

Des électrons secondaires réémis par les éléments luminophores 7g sont alors attirés par cette zone de charge positive, ce qui accroît le phénomène.Secondary electrons re-emitted by the phosphor elements 7g are then attracted to this zone of positive charge, which increases the phenomenon.

De plus, le potentiel de surface d'une bande isolante 8 peut devenir tel qu'il provoque la formation d'un arc destructeur entre l'anode et la cathode.In addition, the surface potential of an insulating strip 8 can become such that it causes the formation of a destructive arc between the anode and the cathode.

En outre, et bien que l'oxyde de silicium et les éléments luminophores présentent un coefficient d'émission secondaire inférieur à 1 pour une énergie de l'ordre de 30 à 50 eV qui correspond à l'énergie de la majorité des électrons secondaires, l'émission d'un électron secondaire donne lieu à son tour à une réémission d'électrons secondaires, ce qui entraîne un effet d'avalanche.In addition, and although the silicon oxide and the phosphor elements have a secondary emission coefficient less than 1 for an energy of the order of 30 to 50 eV which corresponds to the energy of the majority of secondary electrons, the emission of a secondary electron in turn gives rise to a re-emission of secondary electrons, which results in an avalanche effect.

En effet, certains électrons secondaires possèdent une énergie suffisante, la valeur de 30 à 50 eV correspondant à la quantité maximale d'une distribution statistique.Indeed, some secondary electrons have sufficient energy, the value of 30 to 50 eV corresponding to the maximum amount of a statistical distribution.

De plus, le champ électrique transverse entre deux bandes d'éléments luminophores, respectivement polarisée et non-polarisée, accélère les électrons secondaires qui possèdent alors une énergie très nettement supérieure à leur énergie initiale (de l'ordre de 250 eV).In addition, the transverse electric field between two bands of phosphor elements, respectively polarized and non-polarized, accelerates the secondary electrons which then have an energy very much higher than their initial energy (of the order of 250 eV).

Comme les luminophores sont des matériaux relativement isolants (ils possèdent généralement une résistance linéique de l'ordre de 108 Ω.cm), ils ne se déchargent pas complètement lorsque la bande d'ITO qui les supporte n'est plus polarisée mais restent chargés à un potentiel, généralement de l'ordre de 50 volts. Ainsi, les luminophores d'une bande non-polarisée finissent par être excités par les électrons secondaires réémis par les pistes isolantes 8.As the phosphors are relatively insulating materials (they generally have a linear resistance of the order of 10 8 Ω.cm), they do not discharge completely when the ITO band which supports them is no longer polarized but remains charged at a potential, generally of the order of 50 volts. Thus, the phosphors of a non-polarized band end up being excited by the secondary electrons re-emitted by the insulating tracks 8.

Le phénomène d'émission d'électrons secondaires présente un deuxième inconvénient dans les écrans à micropointes. En effet, lorsque des électrons entrent en contact avec le matériau de la couche 8, ils peuvent, soit générer un ion positif, soit désorber une espèce neutre (molécule quelconque collée en surface de la piste 8) ou encore, percuter une espèce neutre et générer alors un ion positif. Ce phénomène conduit à la formation d'un microplasma en surface de la piste 8. Les micropointes de la cathode attirent alors les ions positifs de ce plasma et se trouvent polluées par ces ions positifs.The secondary electron emission phenomenon has a second drawback in microtip screens. Indeed, when electrons come into contact with the material of layer 8, they can either generate a positive ion or desorb a neutral species (any molecule stuck on the surface of track 8) or even strike a neutral species and then generate a positive ion. This phenomenon leads to the formation of a microplasma on the surface of track 8. The microdots of the cathode then attract the positive ions from this plasma and are polluted by these positive ions.

De plus, ces plasmas émettent généralement des rayonnements. Ces rayonnements se traduisent par une lueur bleutée qui se voit à travers la surface de l'écran. En outre, les ions positifs sont susceptibles d'exciter les éléments luminophores de la bande voisine (non-polarisée) par photoluminescence.In addition, these plasmas generally emit radiation. These rays translate into a bluish glow that can be seen through the surface of the screen. In addition, positive ions are likely to excite the phosphor elements of the neighboring band (non-polarized) by photoluminescence.

Ce phénomène d'émission d'électrons secondaires est un phénomène connu, notamment, dans les tubes cathodiques où la surface de l'écran porte également des luminophores qui sont bombardés par un canon à électrons.This phenomenon of secondary electron emission is a known phenomenon, in particular, in cathode-ray tubes where the surface of the screen also carries phosphors which are bombarded by an electron gun.

Dans le cas des tubes cathodiques, le problème dû au phénomène d'émission secondaire est résolu en revêtant les luminophores d'une métallisation, généralement une fine couche d'aluminium, polarisée à une haute tension positive. Le rôle de cette métallisation est, d'une part, de polariser les luminophores et, d'autre part, de drainer les charges primaires non consommées ainsi que les charges secondaires qui sont alors collectées.In the case of cathode ray tubes, the problem due to the phenomenon of secondary emission is resolved by coating the phosphors with a metallization, generally a thin layer of aluminum, polarized at a high positive voltage. The role of this metallization is, on the one hand, to polarize the phosphors and, on the other hand, to drain the primary charges which are not consumed as well as the secondary charges which are then collected.

Cette solution est inapplicable aux écrans à micropointes pour plusieurs raisons.This solution cannot be applied to microtip screens for several reasons.

Premièrement, il n'est pas souhaitable de revêtir les luminophores d'un écran à micropointes d'une couche métallique en raison de l'énergie relativement faible des électrons primaires. En effet, dans un tube cathodique, les électrons émis par le canon à électrons possèdent une énergie de l'ordre de 20 à 30 keV et traversent donc la fine couche de métallisation alors que les électrons secondaires de faible énergie (30 eV) sont collectés par cette métallisation. Dans un écran à micropointes, l'énergie des électrons primaires (de l'ordre de 400 eV) n'est pas suffisante.First, it is undesirable to coat the phosphors of a microtip screen with a metallic layer. because of the relatively low energy of the primary electrons. Indeed, in a cathode ray tube, the electrons emitted by the electron gun have an energy of the order of 20 to 30 keV and therefore cross the thin metallization layer while the secondary electrons of low energy (30 eV) are collected by this metallization. In a microtip screen, the energy of the primary electrons (of the order of 400 eV) is not sufficient.

Deuxièmement, dans le cas d'un tube cathodique couleur, tous les luminophores sont polarisés à un même potentiel par cette couche unique d'aluminium, quelle que soit leur couleur. A l'inverse, dans le cas d'un écran couleur à micropointes, l'anode est constituée d'ensembles de bandes parallèles alternées polarisées par ensemble de bandes d'une même couleur. Les bandes d'éléments luminophores doivent donc être isolées les unes des autres pour permettre le fonctionnement de l'écran.Second, in the case of a color cathode ray tube, all the phosphors are polarized to the same potential by this single layer of aluminum, whatever their color. Conversely, in the case of a color microtip screen, the anode is made up of sets of alternating parallel strips polarized by sets of strips of the same color. The strips of phosphor elements must therefore be isolated from each other to allow the screen to function.

A partir de cette analyse, la présente invention propose de supprimer l'apparition du phénomène d'émission secondaire sur l'anode d'un écran plat de visualisation.From this analysis, the present invention proposes to suppress the appearance of the phenomenon of secondary emission on the anode of a flat display screen.

Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :

  • les figures 1 et 2 qui ont été décrites précédemment sont destinées à exposer l'état de la technique et le problème posé ;
  • la figure 3 représente des caractéristiques du coefficient d'émission secondaire en fonction de l'énergie d'électrons incidents pour différents matériaux ; et
  • la figure 4 représente un mode de réalisation d'une anode d'écran plat de visualisation à cathodoluminescence selon l'invention.
These objects, characteristics and advantages, as well as others of the present invention will be explained in detail in the following description of particular embodiments given without limitation in relation to the attached figures among which:
  • Figures 1 and 2 which have been described above are intended to show the state of the art and the problem posed;
  • FIG. 3 represents characteristics of the secondary emission coefficient as a function of the energy of incident electrons for different materials; and
  • FIG. 4 represents an embodiment of a cathode-luminescence flat display screen anode according to the invention.

Une caractéristique de la présente invention est de sélectionner un matériau de surface, pour les pistes isolantes séparant deux bandes d'éléments luminophores d'une anode pourvue d'ensembles de bandes alternées d'éléments luminophores, parmi des matériaux à faible coefficient d'émission secondaire δ.A characteristic of the present invention is to select a surface material, for the insulating tracks separating two bands of phosphor elements from an anode provided with sets of alternating bands of phosphor elements, from materials with a low secondary emission coefficient δ.

Le matériau est, selon l'invention, choisi pour que son coefficient d'émission secondaire soit inférieur à 1, au moins dans la plage d'énergie des électrons primaires émis par les micropointes.According to the invention, the material is chosen so that its secondary emission coefficient is less than 1, at least in the energy range of the primary electrons emitted by the microtips.

Le matériau choisi doit respecter certaines conditions inhérentes au fonctionnement d'un écran plat de visualisation de ce type. En particulier, ce matériau doit respecter les nécessités d'isolement entre les bandes d'éléments luminophores de l'anode, c'est-à-dire qu'il doit supporter une différence de potentiel d'environ 500 volts sans conduire (c'est-à-dire avec un faible courant de fuite).The material chosen must comply with certain conditions inherent in the operation of a flat display screen of this type. In particular, this material must respect the requirements for isolation between the strips of phosphor elements of the anode, that is to say that it must withstand a potential difference of approximately 500 volts without driving (it i.e. with a low leakage current).

Le cas échéant, on pourra choisir un matériau métallique qui sera alors déposé en couche très mince pour présenter une résistance suffisante entre les bandes d'éléments luminophores. Il pourra également s'agir d'un diélectrique (oxyde métallique), réduit pour qu'il ne présente que du métal en surface.If necessary, a metallic material can be chosen which will then be deposited in a very thin layer to have sufficient resistance between the strips of phosphor elements. It may also be a dielectric (metal oxide), reduced so that it only has metal on the surface.

Selon un premier mode de réalisation (non représenté), la couche isolante, généralement en oxyde de silicium, est remplacée par une couche d'un matériau dont le coefficient d'émission secondaire est inférieur à 1, au moins dans la plage d'énergie des électrons incidents émis par la cathode (non représentée). On choisira alors cependant un matériau dont la résistivité est suffisante, alors même qu'il est déposé sur une épaisseur de l'ordre de 1 µm.According to a first embodiment (not shown), the insulating layer, generally made of silicon oxide, is replaced by a layer of a material whose secondary emission coefficient is less than 1, at least in the energy range incident electrons emitted by the cathode (not shown). However, a material will then be chosen whose resistivity is sufficient, even though it is deposited over a thickness of the order of 1 μm.

La figure 4 représente un deuxième mode de réalisation de l'invention. Selon l'invention, les bandes d'ITO 9 de l'anode 5' sont séparées par des bandes d'isolement 20 constituées d'une première couche isolante 8' (d'une épaisseur de quelques microns, voire moins), par exemple en oxyde de silicium, recouverte d'une deuxième couche très mince 21 (d'une épaisseur inférieure au µm) en un matériau, présentant un coefficient d'émission secondaire inférieur à 1.FIG. 4 represents a second embodiment of the invention. According to the invention, the ITO strips 9 of the anode 5 ′ are separated by insulation strips 20 constituted by a first insulating layer 8 ′ (with a thickness of a few microns or even less), for example made of silicon oxide, covered with a second very thin layer 21 (of a thickness less than a μm) made of a material, having a secondary emission coefficient less than 1.

Un avantage de ce deuxième mode de réalisation est que la résistivité du matériau est beaucoup plus facile à contrôler sur une telle couche très mince. Pour améliorer l'isolement entre les bandes d'éléments luminophores, on peut prévoir que la largeur de la deuxième couche 21 soit inférieure à la largeur de la première couche 8' afin de laisser subsister, de part et d'autre de la couche 21, un espace (d'une largeur de l'ordre de 5 à 10 µm) isolant.An advantage of this second embodiment is that the resistivity of the material is much easier to control on such a very thin layer. To improve the insulation between the strips of phosphor elements, provision may be made for the width of the second layer 21 to be less than the width of the first layer 8 ′ in order to allow the remaining on each side of the layer 21 , an insulating space (with a width of the order of 5 to 10 μm).

Comme le matériau de surface 21 des bandes 20 possède un coefficient d'émission secondaire inférieur à 1, celui-ci se charge négativement, au fur et à mesure du fonctionnement de l'écran, lorsque le bord de la surface 21 reçoit des électrons primaires issus des micropointes (non représentées). Cette charge négative conduit à ce que les électrons sont, à l'inverse des écrans classiques, de plus en plus repoussés par les bandes d'isolement 20.As the surface material 21 of the strips 20 has a secondary emission coefficient less than 1, it becomes negatively charged, as the screen operates, when the edge of the surface 21 receives primary electrons from microtips (not shown). This negative charge leads to the fact that the electrons are, unlike conventional screens, more and more repelled by the insulation bands 20.

Cette charge négative augmente jusqu'à un point d'équilibre de charge en raison de la polarisation positive de la bande d'éléments luminophores voisine.This negative charge increases to a charge equilibrium point due to the positive polarization of the neighboring phosphor band.

On notera que cet équilibre de charge s'effectue avec la bande polarisée dans la mesure où l'autre bande d'éléments luminophores, voisine de la piste du matériau secondaire, est à un potentiel nettement inférieur (de l'ordre de 50 volts).It will be noted that this charge balance is effected with the polarized strip insofar as the other strip of phosphor elements, close to the track of the secondary material, is at a much lower potential (of the order of 50 volts) .

Cependant, un tel équilibre dépend de la résistivité du matériau 21 de surface des bandes 20 et est difficilement contrôlable.However, such a balance depends on the resistivity of the material 21 of the surface of the strips 20 and is difficult to control.

A titre de variante, les bandes secondaires 21 déposées sur l'oxyde de silicium sont polarisées à un potentiel nul ou négatif. La résistance des bandes secondaires n'est pas gênante vis-à-vis d'une telle polarisation. En effet, le courant qui circule est très faible et il y a donc peu de pertes résistives. La chute de potentiel engendrée par la résistance de bande sur la polarisation est faible.As a variant, the secondary bands 21 deposited on the silicon oxide are polarized at zero or negative potential. The resistance of the secondary bands is not a problem with regard to such polarization. In fact, the current flowing is very low and there are therefore few resistive losses. The potential drop caused by the band resistance on the bias is small.

Un avantage d'une telle variante est qu'elle permet de contrôler le niveau de charge négative de ces bandes 21 et, ainsi, de garantir qu'il ne se produise aucun effet destructeur de l'écran par un courant circulant depuis une bande non-polarisée.An advantage of such a variant is that it makes it possible to control the negative charge level of these strips 21 and, thus, to guarantee that there is no destructive effect of the screen by a current flowing from a non-visible strip. -polarized.

Un avantage de la présente invention est qu'elle supprime tout phénomène de dérive de couleur.An advantage of the present invention is that it eliminates any phenomenon of color drift.

Un autre avantage de la présente invention est qu'elle supprime la formation de microplasmas entre les bandes d'éléments luminophores 7 et évite ainsi la pollution des micropointes de la cathode (non représentée).Another advantage of the present invention is that it eliminates the formation of microplasmas between the strips of phosphor elements 7 and thus avoids pollution of the microdots of the cathode (not shown).

Un autre avantage de la présente invention est que l'accumulation de charges négatives entre les bandes d'éléments luminophores constitue une barrière focalisatrice vers les bandes polarisées.Another advantage of the present invention is that the accumulation of negative charges between the bands of phosphor elements constitutes a focusing barrier towards the polarized bands.

On indiquera ci-après quatre exemples de matériaux pouvant être choisis pour revêtir la surface de la première couche constitutive des bandes 20.Four examples of materials which can be chosen to coat the surface of the first constituent layer of the strips 20 will be indicated below.

Selon un premier exemple, on conditionne la surface de la première couche 8' d'oxyde de silicium (SiO2) pour développer, en surface, une couche très mince 21 de silicium (Si) de l'ordre d'une centaine d'angströms. Bien que le silicium ait un coefficient δmax de l'ordre de 1,1 (figure 3), ce δmax correspond à une énergie Umax de l'ordre de 250 eV et le silicium présente un coefficient à inférieur à 1 pour l'énergie de 400 eV des électrons primaires.According to a first example, the surface of the first layer 8 ′ of silicon oxide (SiO 2 ) is conditioned to develop, on the surface, a very thin layer 21 of silicon (Si) of the order of one hundred angstroms. Although silicon has a coefficient δ max of the order of 1.1 (Figure 3), this δ max corresponds to an energy U max of the order of 250 eV and silicon has a coefficient of less than 1 for l energy of 400 eV of primary electrons.

Il est donc possible de choisir, pour la couche 21, un matériau dont le coefficient δmax n'est que très légèrement supérieur à 1, pourvu que son coefficient d'émission secondaire δ soit inférieur à 1 dans la plage d'énergie des électrons primaires issus des micropointes. Cependant, on préfère choisir un matériau dont le coefficient δmax est inférieur à 1, dans la mesure où cela garantit l'absence d'émission secondaire indépendamment de l'énergie des électrons primaires, c'est-à-dire indépendamment des valeurs de polarisation de l'anode et de la cathode.It is therefore possible to choose, for layer 21, a material whose coefficient δ max is only very slightly greater than 1, provided that its secondary emission coefficient δ is less than 1 in the energy range of the electrons primary from microtips. However, we prefer to choose a material whose coefficient δ max is less than 1, insofar as this guarantees the absence of secondary emission independently of the energy of the primary electrons, that is to say independently of the values of polarization of the anode and the cathode.

Selon un deuxième exemple, on dépose par pulvérisation cathodique de l'oxyde de chrome (Cr2O3) sur la première couche 8' d'oxyde de silicium. Ce dépôt est, de préférence, effectué sur une épaisseur de l'ordre de 1000 à 2000 angströms pour un écran dont la tension anode/cathode est de l'ordre de 500 volts. On obtient alors une résistance inter-pistes d'environ 500 MΩ. Le coefficient d'émission secondaire maximal δmax de l'oxyde de chrome est de l'ordre de 0,95 pour une énergie Umax de l'ordre de 300 eV (figure 3).In a second example, chromium oxide (Cr 2 O 3 ) is deposited by sputtering on the first layer 8 ′ of silicon oxide. This deposition is preferably carried out on a thickness of the order of 1000 to 2000 angstroms for a screen whose anode / cathode voltage is of the order of 500 volts. This gives an inter-track resistance of around 500 MΩ. The maximum secondary emission coefficient δ max for chromium oxide is of the order of 0.95 for an energy U max of the order of 300 eV (Figure 3).

Selon un troisième exemple, on dépose par pulvérisation cathodique, sur la couche 8' d'oxyde de silicium, de l'oxyde de fer (Fe2O3) dont le coefficient d'émission secondaire maximal δmax est de l'ordre de 0,9 pour une énergie Umax de l'ordre de 350 eV. Ce dépôt s'effectue sur une épaisseur de l'ordre de 1000 angströms et la résistance d'isolement inter-pistes obtenue est de l'ordre de 500 MΩ.According to a third example, iron oxide (Fe 2 O 3 ) is deposited by sputtering, on the layer 8 ′ of silicon oxide, whose maximum secondary emission coefficient δ max is of the order of 0.9 for an energy U max of the order of 350 eV. This deposition takes place over a thickness of the order of 1000 angstroms and the inter-track insulation resistance obtained is of the order of 500 MΩ.

Selon un quatrième exemple, on dépose du carbone graphite (C), dont le coefficient d'émission secondaire maximal δmax est égal à 1 pour une énergie Umax de l'ordre de 300 eV, par pulvérisation cathodique sur l'oxyde de silicium.According to a fourth example, graphite carbon (C) is deposited, the maximum secondary emission coefficient of which égal max is equal to 1 for an energy U max of the order of 300 eV, by sputtering on silicon oxide .

On notera que la mise en oeuvre de la présente invention est compatible avec les faibles épaisseurs (quelques microns, voire moins) des couches constitutives de l'anode et avec les procédés classiques de dépôt en couche mince (en particulier des bandes d'isolement) qui sont généralement utilisés pour la fabrication des anodes classiques.It will be noted that the implementation of the present invention is compatible with the small thicknesses (a few microns, or even less) of the constituent layers of the anode and with the conventional methods of deposition in thin layer (in particular insulation strips). which are generally used for the manufacture of conventional anodes.

Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, l'épaisseur des matériaux à coefficient d'émission secondaire inférieur à 1 sera choisi en fonction des indications fonctionnelles données ci-dessus. De même, d'autres matériaux que ceux cités ci-dessus pourront être utilisés pour réaliser la fonction de blocage de l'émission secondaire et les procédés de dépôt de ces matériaux sont à la portée de l'homme de l'art.Of course, the present invention is susceptible of various variants and modifications which will appear to those skilled in the art. In particular, the thickness of materials with a secondary emission factor less than 1 will be chosen according to the functional indications given above. Likewise, other materials than those mentioned above could be used to carry out the function of blocking the secondary emission and the methods of depositing these materials are within the reach of those skilled in the art.

En outre, l'invention s'applique non seulement à un écran couleur, mais également à un écran monochrome dont l'anode est constituée de deux ensembles de bandes parallèles alternées d'éléments luminophores d'une même couleur polarisés alternativement.Furthermore, the invention applies not only to a color screen, but also to a monochrome screen, the anode of which consists of two sets of alternating parallel strips of phosphor elements of the same color alternately polarized.

Claims (12)

Anode (5') d'écran plat de visualisation du type comportant au moins deux ensembles de bandes (9) parallèles alternées de conducteurs d'anode revêtues d'éléments luminophores (7) destinés à être excités par des électrons primaires (ei), caractérisée en ce que lesdites bandes (9) sont séparées les unes des autres par des bandes d'isolement (20) comprenant, au moins en surface (21), un matériau présentant un coefficient d'émission secondaire (δ) inférieur ou égal à l'unité, au moins dans la plage d'énergie desdits électrons primaires (ei).Flat display anode (5 ′) of the type comprising at least two sets of alternating parallel strips (9) of anode conductors coated with phosphor elements (7) intended to be excited by primary electrons (ei), characterized in that said strips (9) are separated from each other by insulation strips (20) comprising, at least on the surface (21), a material having a secondary emission coefficient (δ) less than or equal to unity, at least in the energy range of said primary electrons (ei). Anode selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit matériau présente un coefficient d'émission secondaire maximal (δmax) inférieur à l'unité.Anode according to claim 1, characterized in that said material has a maximum secondary emission coefficient (δ max ) less than unity. Anode selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que lesdites bandes d'isolement (20) sont constituées d'une seule couche en un matériau présentant un coefficient d'émission secondaire (δ) inférieur à l'unité et présentant une résistivité suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines (7g, 7r) d'éléments luminophores.Anode according to claim 1 or 2, characterized in that said insulation strips (20) consist of a single layer of a material having a secondary emission coefficient (δ) less than unity and having sufficient resistivity to support a determined potential difference between two neighboring bands (7g, 7r) of phosphor elements. Anode selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que lesdites bandes d'isolement (20) sont constituées d'une première couche mince (8') en un matériau isolant recouverte d'une deuxième couche très mince (21) en un matériau dont le coefficient d'émission secondaire (δ) est inférieur à l'unité.Anode according to claim 1 or 2, characterized in that said insulation strips (20) consist of a first thin layer (8 ') of an insulating material covered with a second very thin layer (21) of a material whose secondary emission factor (δ) is less than one. Anode selon la revendication 4, caractérisée en ce que la deuxième couche (21) présente une largeur inférieure à celle de la première couche (8') pour laisser subsister, de part et d'autre de la deuxième couche, un espace isolant.Anode according to claim 4, characterized in that the second layer (21) has a width less than that of the first layer (8 ') to allow an insulating space to remain on either side of the second layer. Anode selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit matériau constitutif de la deuxième couche (21) est choisi pour présenter une résistivité suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines (7g, 7r) d'éléments luminophores.Anode according to claim 4, characterized in that said material constituting the second layer (21) is chosen to have sufficient resistivity to withstand a determined potential difference between two neighboring strips (7g, 7r) of phosphor elements. Anode selon la revendication 4, caractérisée en ce que ladite deuxième couche (21) est en un matériau conducteur, l'épaisseur de la deuxième couche (21) étant choisie pour qu'elle présente une résistance suffisante pour supporter une différence de potentiel déterminée entre deux bandes voisines (7g, 7r) d'éléments luminophores.Anode according to claim 4, characterized in that said second layer (21) is made of a conductive material, the thickness of the second layer (21) being chosen so that it has sufficient resistance to withstand a determined potential difference between two neighboring strips (7g, 7r) of phosphor elements. Anode selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérisée en ce que ledit matériau à coefficient d'émission secondaire (δ) inférieur à l'unité est choisi parmi l'oxyde de chrome (Cr2O3) et l'oxyde de fer (Fe2O3).Anode according to any one of claims 3 to 6, characterized in that said material with a secondary emission coefficient (δ) less than unity is chosen from chromium oxide (Cr 2 O 3 ) and oxide iron (Fe 2 O 3 ). Anode selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit matériau constitutif de la deuxième couche (21) est du carbone graphite (C).Anode according to claim 4, characterized in that said material constituting the second layer (21) is graphite carbon (C). Anode selon les revendications 1 et 4, caractérisée en ce que lesdites bandes d'isolement (20) sont en oxyde de silicium (SiO2) dont la surface a été conditionnée pour développer une couche très mince (21) de silicium (Si).Anode according to claims 1 and 4, characterized in that said insulation strips (20) are made of silicon oxide (SiO 2 ) whose surface has been conditioned to develop a very thin layer (21) of silicon (Si). Anode selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisée en ce que ladite deuxième couche (21) des bandes d'isolement (20) est polarisée à un potentiel négatif ou nul.Anode according to any one of claims 4 to 10, characterized in that said second layer (21) of the insulation strips (20) is polarized at a negative or zero potential. Écran plat de visualisation du type comportant une cathode (1) à micropointes (2) et une anode (5') selon l'une quelconque des revendications 1 à 11.Flat display screen of the type comprising a cathode (1) with microtips (2) and an anode (5 ') according to any one of claims 1 to 11.
EP97410049A 1996-05-06 1997-05-02 Fabrication of an anode of a flat viewing screen Expired - Lifetime EP0806787B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9605930 1996-05-06
FR9605930A FR2748346B1 (en) 1996-05-06 1996-05-06 REALIZATION OF A FLAT DISPLAY ANODE

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0806787A1 true EP0806787A1 (en) 1997-11-12
EP0806787B1 EP0806787B1 (en) 2002-03-20

Family

ID=9492080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP97410049A Expired - Lifetime EP0806787B1 (en) 1996-05-06 1997-05-02 Fabrication of an anode of a flat viewing screen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6002205A (en)
EP (1) EP0806787B1 (en)
JP (1) JPH1097834A (en)
DE (1) DE69711115D1 (en)
FR (1) FR2748346B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998005187A1 (en) * 1996-07-29 1998-02-05 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent devices with electrode protection
KR101002648B1 (en) * 2003-11-26 2010-12-20 삼성에스디아이 주식회사 Flat panel display device and method of preparing the same
WO2013074577A1 (en) 2011-11-16 2013-05-23 Stuart Martin A High energy density storage device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2858466A (en) * 1955-11-25 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Method of reducing secondary emission from bombarded surfaces
US3614504A (en) * 1970-04-09 1971-10-19 Zenith Radio Corp Color picture tube screen with phosphors dots overlapping portions of a partial-digit-transmissive black-surround material
DE2436622A1 (en) * 1974-07-30 1976-02-19 Licentia Gmbh Image intensifier and converter tube - has luminescent screen whose electrons exposed parts take up potential slightly deviating from applied one
EP0635865A1 (en) * 1993-07-21 1995-01-25 Sony Corporation Field-emission display

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543691A (en) * 1995-05-11 1996-08-06 Raytheon Company Field emission display with focus grid and method of operating same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2858466A (en) * 1955-11-25 1958-10-28 Westinghouse Electric Corp Method of reducing secondary emission from bombarded surfaces
US3614504A (en) * 1970-04-09 1971-10-19 Zenith Radio Corp Color picture tube screen with phosphors dots overlapping portions of a partial-digit-transmissive black-surround material
DE2436622A1 (en) * 1974-07-30 1976-02-19 Licentia Gmbh Image intensifier and converter tube - has luminescent screen whose electrons exposed parts take up potential slightly deviating from applied one
EP0635865A1 (en) * 1993-07-21 1995-01-25 Sony Corporation Field-emission display

Also Published As

Publication number Publication date
FR2748346B1 (en) 1998-07-24
US6002205A (en) 1999-12-14
DE69711115D1 (en) 2002-04-25
EP0806787B1 (en) 2002-03-20
JPH1097834A (en) 1998-04-14
FR2748346A1 (en) 1997-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0704877B1 (en) Electric protection of an anode of a plat viewing screen
FR2530851A1 (en) PLAN VIEWING APPARATUS FOR TELEVISIONS AND TERMINALS
EP1814136B1 (en) Ionic pumping of a flat screen with microdots
EP0806787B1 (en) Fabrication of an anode of a flat viewing screen
FR2807205A1 (en) VISUALIZATION FLAT SCREEN CATHODE PLATE
EP0806788A1 (en) Anode of a flat display screen with protection ring
EP0383672A1 (en) Flat light source
EP0802559B1 (en) Flat panel display with hydrogen source
FR2780808A1 (en) FIELD EMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHODS
EP0877407A1 (en) Anode of a flat display screen
US5998923A (en) Lateral deviation flat display screen
EP1210721B1 (en) Field emission flat screen with modulating electrode
EP0649162B1 (en) Flat cold cathode display with switched anode
WO1998025291A1 (en) Display screen comprising a source of electrons with microtips, capable of being observed through the microtip support, and method for making this source
EP1032017B1 (en) Resistive anode of a flat viewing screen
FR2800512A1 (en) FLAT VISUALIZATION SCREEN WITH PROTECTION GRID
EP0844642A1 (en) Flat panel display with focusing gates
EP0657914B1 (en) Anode consisting of conducting stripes which are addressed individually
WO2000021112A1 (en) Electron source comprising at least a protective electrode against spurious emissions
EP0867908A1 (en) Uniforming the potential electron emission 0f a cathode of a flat screen with microtips
FR2800511A1 (en) Flat screen display with cathode field effect transmission and anode/extraction grid together with electronic bombardment permeable ion parasitic reduction filter.
FR2798507A1 (en) Device for producing electric field between electrodes in field emission flat screen has series of metallic strips forming modulating electrodes, and controller applying potential difference between first and modulating electrodes
FR2797092A1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING AN ANODE OF A FLAT VISUALIZATION SCREEN
FR2845820A1 (en) Integrated transformer field transmission display screen element having individual transformers with primary /address mechanism and secondary display mechanism connection display mechanism.
FR2788879A1 (en) Flat screen display for aircraft use includes micro-channels formed in front of electron emitters of cathode to collimate electron beams

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB IT

17P Request for examination filed

Effective date: 19980421

111Z Information provided on other rights and legal means of execution

Free format text: DE FR GB IT

17Q First examination report despatched

Effective date: 19991125

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAG Despatch of communication of intention to grant

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB IT

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRE;WARNING: LAPSES OF ITALIAN PATENTS WITH EFFECTIVE DATE BEFORE 2007 MAY HAVE OCCURRED AT ANY TIME BEFORE 2007. THE CORRECT EFFECTIVE DATE MAY BE DIFFERENT FROM THE ONE RECORDED.SCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20020320

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20020320

REF Corresponds to:

Ref document number: 69711115

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20020425

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20020621

GBV Gb: ep patent (uk) treated as always having been void in accordance with gb section 77(7)/1977 [no translation filed]

Effective date: 20020320

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed

Effective date: 20021223

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20031128

Year of fee payment: 7

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20050131

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST