EP0086369A1 - Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver - Google Patents

Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver Download PDF

Info

Publication number
EP0086369A1
EP0086369A1 EP83100672A EP83100672A EP0086369A1 EP 0086369 A1 EP0086369 A1 EP 0086369A1 EP 83100672 A EP83100672 A EP 83100672A EP 83100672 A EP83100672 A EP 83100672A EP 0086369 A1 EP0086369 A1 EP 0086369A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
sensor
sensor elements
conversion circuit
series
capacitance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP83100672A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Peter Dr. Dipl.-Phys. Wägli
Robert Hunter Marshall
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cerberus AG
Original Assignee
Cerberus AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cerberus AG filed Critical Cerberus AG
Publication of EP0086369A1 publication Critical patent/EP0086369A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
    • G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
    • G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
    • G08B13/191—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems using pyroelectric sensor means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors

Definitions

  • the invention relates to an infrared intrusion detector with a pyroelectric radiation receiver for the detection of a body penetrating into its detection area, which has a temperature deviating from its surroundings, with optics for focusing the IR radiation emanating from this body, with one of two series-connected, Reverse polarized sensor elements existing differential sensor with an impedance conversion circuit having a field effect transistor as an amplifier element and an evaluation circuit for alarm signaling.
  • Such an intrusion detector is known from US Pat. No. 3,389,640; it responds to the temperature difference between the ambient temperature and the body temperature of an intruder moving past the detector. The interaction of body temperature and body movement unbalances the differential sensor and triggers an alarm signal.
  • the pyroelectric radiation receivers generally have an electrical capacitance and a high internal impedance
  • these pyrodetectors are used with a circuit in which a field effect transistor serves as an impedance converter.
  • passive IR detectors respond to the radiation change caused by a moving body, these detectors are sensitive to all disturbances caused by temperature fluctuations in the detection area or by heat measurement radiation that strikes the detector, in particular the radiation entry window. For example, they are also sensitive to air turbulence from heating or ventilation.
  • the optics create two adjacent zones which overlap in the near range. These signals cancel each other out at the impedance converter and the temperature fluctuations on the window are suppressed.
  • EP-A 23'354 proposes a pyrodetector in which, in addition to a sensor mounted in the focus of a concave mirror, a further sensor is attached outside the focus, as a result of which only the close range is imaged on both sensors.
  • the two sensors would have to be at a certain distance from one another.
  • the two sensors should be arranged as close as possible to one another or even on the same chip. At the very least, they should be housed in the same housing to enable the smallest possible IR filter. Therefore, the proposed solution does not result in a significant improvement in the proximity sensitivity of the previously known detectors.
  • the detectors are wide apart placed, there is an unwieldy look. On the other hand, the false alarm suppression becomes poor due to the different optical imaging on the two sensors.
  • the invention is based on the object of eliminating the disadvantages of the IR intrusion detectors of the prior art and, in particular, of creating an IR intrusion detector with a pyrodetector which, with good false alarm suppression with simple means, has improved sensitivity in the close range.
  • the impedance conversion circuit has switching elements which influence the frequency response of the one sensor element in such a way that IR radiation, which acts on both sensor elements simultaneously, causes a signal at the output of the impedance converter which has a rapid change in the signal level .
  • the circuit elements are selected such that such IR radiation preferably produces a signal at the output of the impedance converter whose signal level has a frequency of more than 0.5 Hz, in particular 0.75 Hz, particularly preferably 1 Hz.
  • an inductive or a capacitive element is arranged in the impedance conversion circuit in parallel or in series with one of the two sensor elements, the capacitance of the capacitive element being of the same order of magnitude as the capacity of the sensor element.
  • Figure 1 shows a circuit arrangement for an IR intrusion detector with pyroelectric radiation receiver of the prior art.
  • the signal used for the alarm signaling can be taken from the resistance between the source electrode of the FET and the earth.
  • Curve (a) represents the signal of a simple detector
  • curve (b) is the signal of a detector with a circuit arrangement according to FIG. 1. It can be seen that the sensitivity of differential sensors decreases sharply with increasing speed.
  • a turbulence spectrum is given in FIG.
  • the amplitude as a function of the frequency is plotted.
  • the amplitude shows a sharp maximum at low frequencies (0.25 Hz).
  • FIG. 4a shows a circuit arrangement in which the capacitor influencing the frequency response of the differential sensor is arranged in series with the sensor element.
  • the sensor element is a differential sensor consisting of two reversely polarized sensor elements 1, 2 which are connected in series and to which an impedance conversion circuit I is arranged.
  • the impedance conversion circuit I has in parallel with the differential sensor 1, 2 two series-connected resistors 5, 6, the connection point 4 of which is connected to the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the one end point 11 of which is connected to the one pole of the differential sensor 1, 2 and whose other end point 8 is connected on the one hand via a capacitor 7, whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 1, to the other pole of the differential sensor 1, 2 and on the other hand to the gate electrode G of a field effect transistor serving as an impedance converter 9 is connected.
  • the output signal A s of the impedance conversion circuit I is taken via a resistor 12 connected between the source electrode S and the end point 11 of the resistor 5.
  • the circuit arrangement shown in FIG. 4b differs from the circuit arrangement according to FIG. 4a only in that the capacitor 7, the capacitance of which is also of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 1, is not in series with the sensor element 1, ie between sensor element 1 and gate -Electrode G of the field Effect transistor 9 is connected, but is located parallel to the sensor element 1 between the one end point 8 of the resistors 5, 6 and the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2.
  • the third embodiment is implemented, in which a capacitor 10, whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 2, is arranged parallel to the sensor element 2, i.e. is located between the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the other end point 11 of the two resistors 5, 6.
  • circuits can be used with equal success in which inductive elements are used instead of the capacitors 7 and 10.
  • FIG. 4d Such a circuit is shown in FIG. 4d. It corresponds exactly to the circuit according to FIG. 4b, whereby in series with the sensor element 1, i.e. an inductive element 17 is connected between the latter and the gate electrode G of the field effect transistor 9, the impedance of which is of the same order of magnitude as that of the sensor elements 1, 2.
  • a further embodiment of the circuit arrangement of an impedance converter I of an IR intrusion detector according to the invention consists in arranging the two reversely polarized sensor elements 1, 2 not in series but in parallel.
  • This circuit arrangement is shown in Figure 4e.
  • the two reversely polarized sensor elements 1, 2 are arranged parallel to one another and parallel to a resistor 14, with one sensor element 2 and the connection being located between them
  • Point 16 of one end of the resistor 14 and the other sensor element 1 is a capacitor 13 (or an inductive member), whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 2.
  • the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the other end point 15 of the resistor 14 are connected to the gate electrode G of a field effect transistor 9 serving as an impedance converter.
  • the output signal A s of the impedance conversion circuit I is taken via a resistor 12 connected between the source electrode S and the end point 16 of the resistor 14.
  • FIG. 5a shows the differential signal ⁇ s at the output of the impedance conversion circuit I according to FIG. 4c of an IR intrusion detector for different capacitance values of the capacitor 10.
  • the ordinate shows the signal level in mV in logarithmic representation, while the frequency in Hz is also shown in logarithmic representation on the abscissa.
  • a LiTa03 crystal with a capacitance of 8 pF was used as the detector for the differential sensor elements 1, 2.
  • the resistors 5 and 6 each have 30 Gn.
  • Curve a) was recorded without additional capacitor 10, while curve b) was recorded with a capacitor 10 with a capacitance of 6pF; curve c) was recorded with the same detector, however, for comparison with a capacitor 10 with a capacitance of 10 pF. It can be seen that the detector only differentiates in the relevant low frequency range. This becomes particularly clear when the ratio S / ⁇ s (di me; nsionless number) against the frequency (see Figure 5b).
  • S is the signal that is obtained at the output of the impedance conversion circuit I when the sensor element 2 is covered in FIG. 4c.
  • switching elements can be used whose ohmic resistance is the same, but whose capacitance must be different, e.g. Diodes, whose built-in capacity of the p-n junction is used.
  • the sensitivity in the close range can be increased considerably without the suppression of false alarms being impaired.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Abstract

The short-range sensitivity of an IR intrusion detector with pyro- electrical radiation receiver, which consists of two series- or parallel-connected reversely polarised sensor elements (1, 2) is considerably improved, without impairing the suppression of false alarms, by the fact that an inductive or capacitive element is arranged in parallel with or in series with one of the two sensor elements (1, 2). <IMAGE>

Description

Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Einbruchdetektor mit pyroelektrischem Strahlungsempfänger zur Detektion eines in dessen Detektionsbereich eindringenden Körpers, der eine von seiner Umgebung abweichende Temperatur besitzt, mit einer Optik zur Fokussierung der von diesem Körper ausgehenden IR-Strahlung, mit einem aus zwei in Reihe geschalteten, umgekehrt gepolten Sensorelementen bestehenden Differentialsensor, mit einer einen Feldeffekttransistor als Verstärkerelement aufweisenden Impedanzumwandlungsschaltung und einer Auswerteschaltung zur Alarmsignalgabe.The invention relates to an infrared intrusion detector with a pyroelectric radiation receiver for the detection of a body penetrating into its detection area, which has a temperature deviating from its surroundings, with optics for focusing the IR radiation emanating from this body, with one of two series-connected, Reverse polarized sensor elements existing differential sensor with an impedance conversion circuit having a field effect transistor as an amplifier element and an evaluation circuit for alarm signaling.

Ein solcher Einbruchdetektor ist aus der US-PS 3'389'640 bekannt; er spricht auf die Temperaturdifferenz zwischen der Umgebungstemperatur und der Körpertemperatur eines Eindringlings, der sich am Detektor vorbeibewegt, an. Das Zusammenwirken von Körpertemperatur und Körperbewegung bringt den Differentialsensor aus dem Gleichgewicht und löst ein Alarmsignal aus.Such an intrusion detector is known from US Pat. No. 3,389,640; it responds to the temperature difference between the ambient temperature and the body temperature of an intruder moving past the detector. The interaction of body temperature and body movement unbalances the differential sensor and triggers an alarm signal.

Da die pyroelektrischen Strahlungsempfänger im allgemeinen eine elektrische Kapazität und eine hohe Innenimpedanz aufweisen, werden diese Pyrodetektoren mit einem Schaltkreis angewendet, bei dem als Impedanzwandler ein Feldeffekttransistor dient.Since the pyroelectric radiation receivers generally have an electrical capacitance and a high internal impedance, these pyrodetectors are used with a circuit in which a field effect transistor serves as an impedance converter.

Da passive IR-Detektoren auf die durch einen sich bewegenden Körper verursachte Strahlungsänderung ansprechen, sind diese Detektoren empfindlich gegenüber allen Störungen, die durch Temperaturschwankungen des Detektionsbereichs oder durch Wärmestrahlung, die auf den Melder, insbesondere das Strahlungseintrittsfenster, auftrifft, verursacht werden. Sie sind z.B. auch empfindlich gegenüber Luftturbulenzen aus Heizungen oder Lüftungen. Bei den zur Unterdrückung dieser Störungen verwendeten Differentialsensoren werden durch die Optik zwei benachbarte Zonen geschaffen, die sich im Nahbereich überlappen. Diese Signale heben sich am Impedanzwandler auf und die Temperaturschwankungen auf dem Fenster werden unterdrückt.Since passive IR detectors respond to the radiation change caused by a moving body, these detectors are sensitive to all disturbances caused by temperature fluctuations in the detection area or by heat measurement radiation that strikes the detector, in particular the radiation entry window. For example, they are also sensitive to air turbulence from heating or ventilation. In the differential sensors used to suppress these interferences, the optics create two adjacent zones which overlap in the near range. These signals cancel each other out at the impedance converter and the temperature fluctuations on the window are suppressed.

Zur Verbesserung der Nahempfindlichkeit wurde bereits vorgeschlagen (GB-A 2'034'l15 und US-PS 3'453'432) nur eine oder nur einen Teil einer der beiden Elektrodenflächen der Strahlung auszusetzen, wodurch vorwiegend die Temperaturschwankungen des Detektorgehäuses aufgehoben werden. Zum Ausgleich der Temperaturschwankungen des Strahlungseintrittsfensters des Melders war dies jedoch nicht ausreichend.To improve the proximity sensitivity, it has already been proposed (GB-A 2'034'l15 and US-PS 3'453'432) to expose only one or only part of one of the two electrode surfaces to the radiation, which predominantly eliminates the temperature fluctuations of the detector housing. However, this was not sufficient to compensate for the temperature fluctuations in the radiation entrance window of the detector.

In der EP-A 23'354 wird ein Pyrodetektor vorgeschlagen, bei dem zustäzlich zu einem im Fokus eines Hohlspiegels angebrachten Sensor ein weiterer Sensor ausserhalb des Fokus angebracht ist, wodurch nur der Nahbereich auf beide Sensoren abgebildet wird. Zur Verbesserung der Nahempfindlichkeit und Verringerung der Störanfälligkeit durch IR-Strahlung, die von der Abdeckung des Hohlspiegels ausgeht, müssten die beiden Sensoren einen gewissen Abstand voneinander aufweisen. Aus konstruktiven Gründen sollten jedoch die beiden Sensoren möglichst nahe beeinander oder sogar auf demselben Chip angeordnet sein. Zumindest sollten sie aber in demselben Gehäuse untergebracht sein, um ein möglichst kleines IR-Filter zu ermöglichen. Daher ergibt die vorgeschlagene Lösung keine wesentliche Verbesserung der Nahempfindlichkeit der vorbekannten Detektoren. Werden die Detektoren weit auseinandergelegt, ergibt sich eine unhandliche Optik. Andererseits wird aufgrund der unterschiedlichen optischen Abbildung auf die beiden Sensoren die Fehlalarmunterdrückung schlecht.EP-A 23'354 proposes a pyrodetector in which, in addition to a sensor mounted in the focus of a concave mirror, a further sensor is attached outside the focus, as a result of which only the close range is imaged on both sensors. To improve the proximity sensitivity and reduce the susceptibility to interference from IR radiation, which emanates from the cover of the concave mirror, the two sensors would have to be at a certain distance from one another. For design reasons, however, the two sensors should be arranged as close as possible to one another or even on the same chip. At the very least, they should be housed in the same housing to enable the smallest possible IR filter. Therefore, the proposed solution does not result in a significant improvement in the proximity sensitivity of the previously known detectors. The detectors are wide apart placed, there is an unwieldy look. On the other hand, the false alarm suppression becomes poor due to the different optical imaging on the two sensors.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, die erwähnten Nachteile der IR-Einbruchdetektoren des Standes der Technik zu beseitigen und insbesondere einen IR-Einbruchdetektor mit Pyrodetektor zu schaffen, der bei guter Fehlalarmunterdrükkung mit einfachen Mitteln eine verbesserte Empfindlichkeit im Nahbereich aufweist.The invention is based on the object of eliminating the disadvantages of the IR intrusion detectors of the prior art and, in particular, of creating an IR intrusion detector with a pyrodetector which, with good false alarm suppression with simple means, has improved sensitivity in the close range.

Dies wird erfindungsgemäss dadurch erreicht, dass die Impedanzumwandlungsschaltung Schaltelemente aufweist, welche den Frequenzgang des einen Sensorelementes so beeinflussen, dass von IR-Strahlung, welche beide Sensorelemente gleichzeitig beaufschlagt, beorzugt solche ein Signal am Ausgang des Impedanzwandlers bewirkt, welche eine schnelle Aenderung des Signalpegels aufweist.This is achieved according to the invention in that the impedance conversion circuit has switching elements which influence the frequency response of the one sensor element in such a way that IR radiation, which acts on both sensor elements simultaneously, causes a signal at the output of the impedance converter which has a rapid change in the signal level .

Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform werden die Schaltungselemente so gewählt, dass bevorzugt solche IR-Strahlung ein Signal am Ausgang des Impedanzwandlers bewirkt, deren Signalpegel eine Frequenz von mehr als 0,5 Hz, insbesondere von 0,75 Hz, besonders bevorzugt von 1 Hz aufweist.According to a preferred embodiment, the circuit elements are selected such that such IR radiation preferably produces a signal at the output of the impedance converter whose signal level has a frequency of more than 0.5 Hz, in particular 0.75 Hz, particularly preferably 1 Hz.

Gemäss einer Ausgestaltung des erfindungsgemässen Detektors wird in der Impedanzumwandlungsschaltung parallel oder in Reihe zu einem der beiden Sensorelemente ein induktives oder ein kapazitives Glied angeordnet, wobei die Kapazität des kapazitiven Gliedes von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes ist.According to one embodiment of the detector according to the invention, an inductive or a capacitive element is arranged in the impedance conversion circuit in parallel or in series with one of the two sensor elements, the capacitance of the capacitive element being of the same order of magnitude as the capacity of the sensor element.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen

  • Figur l eine Schaltungsanordnung für einen Pyrodetektor des Standes der Technik.
  • Figur 2 die Ausgangssignale des Detektors gemäss Figur 1 in einem Abstand von 3 m vom Detektor.
  • Figur 3 ein Turbulenz-Spektrum
  • Figur 4 mehrer Beispiele für Schaltungsanordnungen für ein IR-Einbruchdetektor gemäss vorliegender Erfindung und
  • Figur 5 das differentielle Signal eines IR-Einbruchdetektors als Funktion der Frequenz für verschiedene Kapazitätswerte des kapazitiven Gliedes.
Preferred embodiments of the invention are explained in more detail below in comparison with the prior art with reference to the drawings. Show it
  • Figure 1 shows a circuit arrangement for a pyrodetector of the prior art.
  • 2 shows the output signals of the detector according to FIG. 1 at a distance of 3 m from the detector.
  • Figure 3 shows a turbulence spectrum
  • FIG. 4 shows several examples of circuit arrangements for an IR intrusion detector according to the present invention and
  • FIG. 5 shows the differential signal of an IR intrusion detector as a function of the frequency for different capacitance values of the capacitive element.

Figur 1 zeigt eine Schaltungsanordnung für einen IR-Einbruchdetektor mit pyroelektrischem Strahlungsempfänger des Standes der Technik. An dem Widerstand zwischen der Source-Elektrode des FET und der Erde kann das zur Alarmsignalgabe dienende Signal abgenommen werden.Figure 1 shows a circuit arrangement for an IR intrusion detector with pyroelectric radiation receiver of the prior art. The signal used for the alarm signaling can be taken from the resistance between the source electrode of the FET and the earth.

In Figur 2 sind die Ausgangssignale eines IR-Einbruchdetektors des Standes der Technik als Funktion der Geschwindigkeit eines sich in 3 m Abstand vom Detektor bewegenden Objekts aufgetragen. Die Kurve (a) stellt das Signal eines einfachen Detektors dar, Kurve (b) ist das Signal eines Detektors mit einer Schaltungsanordnung gemäss Figur 1. Es zeigt sich, dass die Empfindlichkeit von Differentialsensoren mit zunehmender Geschwindigkeit stark abnimmt.The output signals of an IR intrusion detector of the prior art are plotted in FIG. 2 as a function of the speed of an object moving at a distance of 3 m from the detector. Curve (a) represents the signal of a simple detector, curve (b) is the signal of a detector with a circuit arrangement according to FIG. 1. It can be seen that the sensitivity of differential sensors decreases sharply with increasing speed.

In Figur 3 ist ein Turbulenz-Spektrum angegeben. Es ist die Amplitude in Abhängigkeit von der Frequenz aufgetragen. Die Amplitude zeigt ein scharfes Maximum bei tiefen Frequenzen (0,25 Hz).A turbulence spectrum is given in FIG. The amplitude as a function of the frequency is plotted. The amplitude shows a sharp maximum at low frequencies (0.25 Hz).

Es ergibt sich, dass eine gute Differenzierung nur bei tiefen Frequenzen erforderlich ist, bei hohen Frequenzen kann der Detektor unbalanciert sein. Dies kann durch eine der in den Figuren 4a bis 4c angegebenen Schaltungsanordnungen erreicht werden.It turns out that a good differentiation is only necessary at low frequencies, at high frequencies the detector can be unbalanced. This can be achieved by one of the circuit arrangements shown in FIGS. 4a to 4c.

Figur 4a zeigt eine Schaltungsanordnung, bei welcher der den Frequenzgang des Differentialsensors beeinflussende Kondensator in Reihe mit dem Sensorelement angeordnet ist. Das Sensorelement ist ein aus zwei in Reihe geschalteten umgekehrt gepolten Sensorelementen 1, 2 bestehender Differentialsensor, dem eine Impedanzumwandlungsschaltung I nachgeordnet ist. Die Impedanzumwandlungsschaltung I weist parallel zum Differentialsensor 1, 2 zwei in Reihe geschaltete Widerstände 5, 6 auf, deren Verbindungspunkt 4 mit dem Verbindungspunkt 3 der beiden Sensorelemente 1, 2 verbunden ist und deren einer Endpunkt 11 mit dem einen Pol des Differentialsensors 1, 2 verbunden ist und deren anderer Endpunkt 8 einerseits über einen Kondensator 7, dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes 1 ist, mit dem anderen Pol des Differentialsensors 1, 2 verbunden ist und andererseits mit der Gate-Elektrode G eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffekttransistor 9 verbunden ist. Das Ausgangssignal As der Impedanzumwandlungsschaltung I wird über einem zwischen die Source-Elektrode S und den Endpunkt 11 des Widerstands 5 geschalteten Widerstand 12 abgenommen.FIG. 4a shows a circuit arrangement in which the capacitor influencing the frequency response of the differential sensor is arranged in series with the sensor element. The sensor element is a differential sensor consisting of two reversely polarized sensor elements 1, 2 which are connected in series and to which an impedance conversion circuit I is arranged. The impedance conversion circuit I has in parallel with the differential sensor 1, 2 two series-connected resistors 5, 6, the connection point 4 of which is connected to the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the one end point 11 of which is connected to the one pole of the differential sensor 1, 2 and whose other end point 8 is connected on the one hand via a capacitor 7, whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 1, to the other pole of the differential sensor 1, 2 and on the other hand to the gate electrode G of a field effect transistor serving as an impedance converter 9 is connected. The output signal A s of the impedance conversion circuit I is taken via a resistor 12 connected between the source electrode S and the end point 11 of the resistor 5.

Die in Figur 4b dargestellte Schaltungsanordnung unterscheidet sich von der Schaltungsanordnung gemäss Figur 4a lediglich dadurch, dass der Kondensator 7, dessen Kapazität ebenfalls von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelements 1 ist, nicht in Reihe zum Sensorelement 1, d.h. zwischen Sensorelement 1 und Gate-Elektrode G des Feldeffekttransistors 9 geschaltet ist, sondern sich parallel zum Sensorelement 1 zwischen dem einen Endpunkt 8 der Widerstände 5, 6 und dem Verbindungspunkt 3 der beiden Sensorelemente 1, 2 befindet.The circuit arrangement shown in FIG. 4b differs from the circuit arrangement according to FIG. 4a only in that the capacitor 7, the capacitance of which is also of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 1, is not in series with the sensor element 1, ie between sensor element 1 and gate -Electrode G of the field Effect transistor 9 is connected, but is located parallel to the sensor element 1 between the one end point 8 of the resistors 5, 6 and the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2.

In der in der Figur 4c dargestellten Schaltungsanordnung ist die dritte Ausführungsform verwirklicht, bei welcher ein Kondensator 10, dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes 2 ist, parallel zum Sensorelement 2 angeordnet ist, d.h. sich zwischen dem Verbindungspunkt 3 der beiden Sensorelemente 1, 2 und dem anderen Endpunkt 11 der beiden Widerstände 5, 6 befindet.In the circuit arrangement shown in FIG. 4c, the third embodiment is implemented, in which a capacitor 10, whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 2, is arranged parallel to the sensor element 2, i.e. is located between the connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the other end point 11 of the two resistors 5, 6.

Anstelle der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung können mit gleichem Erfolg Schaltungen verwendet werden, bei denen anstelle der Kondensatoren 7 und 10 jeweils induktive Glieder eingesetzt werden.Instead of the embodiments of the invention described above, circuits can be used with equal success in which inductive elements are used instead of the capacitors 7 and 10.

In Figur 4d ist eine solche Schaltung dargestellt. Sie entspricht genau.der Schaltung gemäss Figur 4b, wobei in Reihe zum Sensorelement 1, d.h. zwischen diesem und der Gate-Elektrode G des Feldeffektransistors 9 ein induktives Glied 17 eingeschaltet ist, dessen Impedanz von der gleichen Grössenordung wie diejenige der Sensorelemente 1, 2.Such a circuit is shown in FIG. 4d. It corresponds exactly to the circuit according to FIG. 4b, whereby in series with the sensor element 1, i.e. an inductive element 17 is connected between the latter and the gate electrode G of the field effect transistor 9, the impedance of which is of the same order of magnitude as that of the sensor elements 1, 2.

Eine weitere Ausgestaltung der Schaltungsanordnung eines Impedanzwandlers I eines erfindungsgemässen IR-Einbruchdetektors besteht darin, die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente 1, 2 nicht in Reihe sondern parallel anzuordnen. Diese Schaltungsanordnung ist in Figur 4e dargestellt. Die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente 1, 2 sind parallel zueinander und parallel zu einem Widerstand 14 angeordnet, wobei sich zwischen dem einen Sensorelement 2 und dem Verbindungspunkt 16 des einen Endes des Widerstandes 14 und dem anderen Sensorelement 1 ein Kondensator 13 (oder ein induktives Glied), dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes 2 ist, befindet. Der Verbindungspunkt 3 der beiden Sensorelemente 1, 2 und der andere Endpunkt 15 des Widerstandes 14 sind mit der Gate-Elektrode G eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffekttransistor 9 verbunden. Das Ausgangssignal As der Impedanzumwandlungsschaltung I wird über einen zwischen die Source-Elektrode S und den Endpunkt 16 des Widerstandes 14 geschalteten Widerstand 12 abgenommen.A further embodiment of the circuit arrangement of an impedance converter I of an IR intrusion detector according to the invention consists in arranging the two reversely polarized sensor elements 1, 2 not in series but in parallel. This circuit arrangement is shown in Figure 4e. The two reversely polarized sensor elements 1, 2 are arranged parallel to one another and parallel to a resistor 14, with one sensor element 2 and the connection being located between them Point 16 of one end of the resistor 14 and the other sensor element 1 is a capacitor 13 (or an inductive member), whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element 2. The connection point 3 of the two sensor elements 1, 2 and the other end point 15 of the resistor 14 are connected to the gate electrode G of a field effect transistor 9 serving as an impedance converter. The output signal A s of the impedance conversion circuit I is taken via a resistor 12 connected between the source electrode S and the end point 16 of the resistor 14.

In Figur 5a ist das differentielle Signal Δs am Ausgang der Impedanzumwandlungsschaltung I gemäss Figur 4c eines IR-Einbruchdetektors für verschiedene Kapazitätswerte des Kondensators 10 aufgetragen. Auf der Ordinate ist in logarithmischer Darstellung der Signalpegel in mV angegeben, während auf der Abszisse, ebenfalls in logarithmischer Darstellung die Frequenz in Hz angegeben ist. Die Stärke des Signals wurde mit einem Detektor gemessen, der sich in einem Abstand von 50 cm von der IR-Strahlungsquelle befand (Strahlungsquelle: schwarzer Strahler auf T = 400 K).FIG. 5a shows the differential signal Δs at the output of the impedance conversion circuit I according to FIG. 4c of an IR intrusion detector for different capacitance values of the capacitor 10. The ordinate shows the signal level in mV in logarithmic representation, while the frequency in Hz is also shown in logarithmic representation on the abscissa. The strength of the signal was measured with a detector which was at a distance of 50 cm from the IR radiation source (radiation source: black radiator at T = 400 K).

Als Detektor diente ein LiTa03-Kristall mit einer Kapazität von 8 pF für die differentiellen Sensorelemente 1, 2. Die Widerstände 5 und 6 weisen je 30 Gn auf. Die Kurve a) wurde ohne Zusatzkondensator 10 aufgenommen, während die Kurve b) mit einem Kondensator 10 mit einer Kapazität von 6pF aufgenommen wurde; die Kurve c) wurde mit demselben Detektor jedoch zum Vergleich mit einem Kondensator 10 mit einer Kapazität von 10 pF aufgenommen. Man erkennt, dass der Detektor nur im relevanten tiefen Freqeuenzbereich differenziert. Besonders deutlich wird das, wenn man das Verhältnis S/ Δs (di- me;nsionslose Zahl) gegen die Frequenz aufträgt (vgl. Figur 5b). S ist dabei das Signal, das am Ausgang der Impedanzumwandlungsschaltung I erhalten wird, wenn das Sensorelement 2 in Figur 4c abgedeckt wird.A LiTa03 crystal with a capacitance of 8 pF was used as the detector for the differential sensor elements 1, 2. The resistors 5 and 6 each have 30 Gn. Curve a) was recorded without additional capacitor 10, while curve b) was recorded with a capacitor 10 with a capacitance of 6pF; curve c) was recorded with the same detector, however, for comparison with a capacitor 10 with a capacitance of 10 pF. It can be seen that the detector only differentiates in the relevant low frequency range. This becomes particularly clear when the ratio S / Δs (di me; nsionless number) against the frequency (see Figure 5b). S is the signal that is obtained at the output of the impedance conversion circuit I when the sensor element 2 is covered in FIG. 4c.

Anstelle der Widerstände 5 und 6 können Schaltelemente eingesetzt werden, deren ohmscher Widerstand gleich ist, deren Kapazität jedoch verschieden sein muss, z.B. Dioden, deren eingebaute Kapazität des p-n-Uebergangs ausgenutzt wird.Instead of resistors 5 and 6, switching elements can be used whose ohmic resistance is the same, but whose capacitance must be different, e.g. Diodes, whose built-in capacity of the p-n junction is used.

Durch die Schaltungsanordnung gemäss vorliegender Erfindung kann die Empfindlichkeit im Nahbereich beträchtlich gesteigert werden, ohne dass die Unterdrückung von Fehlalarmen beeinträchtigt wird.By means of the circuit arrangement according to the present invention, the sensitivity in the close range can be increased considerably without the suppression of false alarms being impaired.

Claims (10)

1. Infrarot-Einbruchdetektor mit pyroelektrischem Strahlungsempfänger zur Detektion eines in dessen Detektionsbereich eindringenden Körpers, der eine von seiner Umgebung abweichende Temperatur besitzt, mit einer Optik zur Fokussierung der von diesem Körper ausgehenden IR-Strahlung, mit einem aus zwei in Reihe oder parallel geschalteten, umgekehrt gepolten Sensorelementen (1, 2) bestehenden Differentialsensor, mit einer einen Feldeffekttransistor (9) als Verstärkerelement aufweisenden Impedanzumwandlungsschaltung (I) und einer Auswerteschaltung zur Alarmsignalgabe, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzumwandlungsschaltung (I) Schaltelemente (7, 10) aufweist, welche den Frequenzgang des einen Sensorelementes (1, 2) so beeinflussen, dass von IR-Strahlung, welche beide Sensorelemente (1, 2) gleichzeitig beaufschlagt, bevorzugt solche ein Signal am Ausgang des Impedanzwandlers (9) bewirkt, welche eine schnelle Aenderung des Signalpegels aufweist.1. Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver for the detection of a body penetrating into its detection area, which has a temperature deviating from its surroundings, with optics for focusing the IR radiation emanating from this body, with one of two connected in series or in parallel, Reverse polarized sensor elements (1, 2) existing differential sensor, with an impedance conversion circuit (I) having a field effect transistor (9) as an amplifier element and an evaluation circuit for alarm signaling, characterized in that the impedance conversion circuit (I) has switching elements (7, 10), which the Influence the frequency response of one sensor element (1, 2) in such a way that IR radiation, which acts on both sensor elements (1, 2) at the same time, preferably causes a signal at the output of the impedance converter (9) which has a rapid change in the signal level. 2. Infrarot-Einbruchdetektor gemäss Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltelemente (7, 10) so eingerichtet sind, dass sie den Frequenzgang des einen Sensorelementes (1, 2) so beeinflussen, dass von IR-Strahlung, welche beide Sensorelemente (1, 2) gleichzeitig beaufschlagt, bevorzugt solche Strahlung ein Signal am Ausgang des Impedanzwandlers (9) bewirkt, welche eine Frequenz des Signalpegels von mehr als 0,5 Hz, vorzugsweise von mehr als 0,75 Hz, insbesondere von mehr als 1 Hz, aufweist.2. Infrared intrusion detector according to claim 1, characterized in that the switching elements (7, 10) are set up in such a way that they influence the frequency response of the one sensor element (1, 2) in such a way that IR radiation, which both sensor elements (1 , 2) at the same time, preferably such radiation produces a signal at the output of the impedance converter (9) which has a frequency of the signal level of more than 0.5 Hz, preferably more than 0.75 Hz, in particular more than 1 Hz . 3. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) in Reihe geschaltet sind und dass in der Impedanzumwandlungsschaltung (I) parallel oder in Reihe zu einem der beiden Sensorelemente (1, 2) ein induktives Glied angeordnet ist.3. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in series and that in the impedance conversion circuit (I) in parallel or in series with one of the two sensor elements (1 , 2) an inductive element is arranged. 4. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) in Reihe geschaltet sind und dass in der Impedanzumwandlungsschaltung (I) parallel oder in Reihe zu einem der beiden Sensorelemente (1, 2) ein kapazitives Glied (7, 10) angeordnet ist, das eine Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes (1, 2) aufweist.4. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in series and that in the impedance conversion circuit (I) in parallel or in series with one of the two sensor elements (1 , 2) a capacitive element (7, 10) is arranged, which has a capacitance of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (1, 2). 5. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) in Reihe geschaltet sind und dass die Impedanzumwandlungsschaltung (I), zwei in Reihe geschaltete Widerstände (5, 6), deren Verbindungspunkt (4) mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1, 2) verbunden ist, deren einer Endpunkt (11) mit dem einen Pol des Differentialsensors (1, 2) verbunden ist und deren anderer Endpunkt (8) einerseits über einen Kondensator (7), dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes (1) ist, mit dem anderen Pol des Differentialsensors (1, 2) verbunden ist und andererseits mit der Gate-Elektrode (G) eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffekttransistors (9) verbunden ist, aufweist, wobei das Ausgangssignal der Impedanzumwandlungsschaltung (I) über einem zwischen die Source-Elektrode (S) und den Endpunkt (11) des Widerstands (5) geschalteten Widerstand (12) abgenommen wird.5. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in series and that the impedance conversion circuit (I), two resistors (5, 6) connected in series, whose connection point (4) is connected to the connection point (3) of the two sensor elements (1, 2), one end point (11) of which is connected to one pole of the differential sensor (1, 2) and the other end point (8) of which is connected on the one hand a capacitor (7), whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (1), is connected to the other pole of the differential sensor (1, 2) and, on the other hand, to the gate electrode (G) of a field effect transistor serving as an impedance converter (9) is connected, the output signal of the impedance conversion circuit (I) being taken off via a resistor (12) connected between the source electrode (S) and the end point (11) of the resistor (5). 6. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) in Reihe geschaltet sind und dass die Impedanzumwandlungsschaltung (I) zwei in Reihe geschaltete Widerstände (5, 6), deren Verbindungspunkt (4) mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1,.2) verbunden ist, deren einer Endpunkt (11) mit dem einen Pol des Differentialsensors (1, 2) verbunden ist und deren anderer Endpunkt (8) mit dem anderen Pol des Differentialsensors (1, 2), mit der Gate-Elektrode (G) eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffektransistors (9) und über einen Kondensator (7), dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes (1) ist, mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1, 2) verbunden ist, aufweist, wobei das Ausgangssignal der Impedanzumwandlungsschaltung (I) über einem zwischen die Source-Elektrode (S) und den Endpunkt (11) des Widerstands (5) geschalteten Widerstand (12) abgenommen wird.6. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in series and that the impedance conversion circuit (I) has two series-connected resistors (5, 6), the Connection point (4) is connected to the connection point (3) of the two sensor elements (1, .2), one end point (11) of which is connected to one pole of the differential sensor (1, 2) and the other end point (8) of which another pole of the differential sensor (1, 2), with the gate electrode (G) of a field-effect transistor (9) serving as an impedance converter and via a capacitor (7), the capacitance of which is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (1), is connected to the connection point (3) of the two sensor elements (1, 2), the output signal of the impedance conversion circuit (I) being connected via a between the source electrode (S) and the end point (11) of the resistor (5) th resistor (12) is removed. 7. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) in Reihe geschaltet sind und dass die Impedanzumwandlungsschaltung (I) zwei in Reihe geschaltete Widerstände (5, 6) deren Verbindungspunkt (4) mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1, 2) verbunden ist, deren einer Endpunkt (8) einerseits mit dem einen Pol des Differentialsensors (1, 2), andererseits mit der Gate-Elektrode (G) eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffekttransistors (9) verbunden ist, deren anderer Endpunkt (11) mit dem anderen Pol des Differentialsensors (1, 2) und über einen Kondensator (10), dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung ist wie die Kapazität des Sensorelementes (2), mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (I, 2) verbunden ist, aufweist, wobei das Ausgangssignal der Impedanzumwandlungsschaltung (I) über einem zwischen die Source-Elektrode (S) des Feldeffekttransistors (9) und den Endpunkt (11) des Widerstands (5) geschalteten Widerstand (12) abgenommen wird.7. IR intrusion detector according to one of the claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in series and that the impedance conversion circuit (I) has two resistors (5, 6) connected in series, their connection point (4) is connected to the connection point (3) of the two sensor elements (1, 2), one end point (8) of which on the one hand is connected to one pole of the differential sensor (1, 2), on the other hand to the gate electrode (G) of a field effect transistor (9) serving as an impedance converter, the other end point (11) of which is connected to the other pole of the differential sensor (1, 2) and via a capacitor (10), whose capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (2), is connected to the connection point (3) of the two sensor elements (I, 2), the output signal of the impedance conversion circuit (I ) is removed via a resistor (12) connected between the source electrode (S) of the field effect transistor (9) and the end point (11) of the resistor (5). 8. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) parallel geschaltet sind und dass in der Impedanzumwandlungsschaltung (I) in Reihe zu einem der beiden Sensorelemente ein induktives Glied (17) angeordnet ist.8. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in parallel and that in the impedance conversion circuit (I) in series with one of the two sensor elements, an inductive element (17th ) is arranged. 9. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) parallel geschaltet sind und dass in der Impedanzumwandlungsschaltung (I) in Reihe zu einem der beiden Sensorelemente ein kapazitives Glied (13) angeordnet ist, das eine Kapazität von der gleichen Grössenordnung wie die Kapazität des Sensorelementes (1, 2) aufweist.9. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in parallel and that in the impedance conversion circuit (I) in series with one of the two sensor elements, a capacitive element (13 ) is arranged, which has a capacitance of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (1, 2). 10. IR-Einbruchdetektor gemäss einem der Patentansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden umgekehrt gepolten Sensorelemente (1, 2) parallel geschaltet sind und dass die Impedanzumwandlungsschaltung (I) einen Widerstand (14), dessen einer Endpunkt (15) einerseits mit dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1, 2), andererseits mit der Gate-Elektrode (G) eines als Impedanzwandler dienenden Feldeffekttransistors (9) verbunden ist, dessen anderer Endpunkt (16) einerseits über einen Kondensator (13), dessen Kapazität von der gleichen Grössenordnung ist wie die Kapazität des Sensorelements (2), mit dem dem Verbindungspunkt (3) der beiden Sensorelemente (1, 2) entgegengesetzten Pol des Sensorelements (2), andererseits direkt mit dem dem Verbindungspunkt (3) entgegengesetzten Pol des Sensorelementes (1) verbunden ist, wobei das Ausgangssignal der Impedanzumwandlungsschaltung (I) über einen zwischen die Source-Elektrode (S) des Feldeffekttransistors (9) und den Endpunkt (16) des Widerstands (14) geschalteten Widerstand (12) abgenommen wird.10. IR intrusion detector according to one of claims 1 and 2, characterized in that the two reversely polarized sensor elements (1, 2) are connected in parallel and that the impedance conversion circuit (I) has a resistor (14), one end point (15) on the one hand with the connection point (3) of the two sensor elements (1, 2), on the other hand with the gate electrode (G) of a field effect transistor (9) serving as an impedance converter, the other end point (16) of which is connected on the one hand via a capacitor (13) Capacitance is of the same order of magnitude as the capacitance of the sensor element (2), with the pole of the sensor element (2) opposite the connection point (3) of the two sensor elements (1, 2), on the other hand directly with the pole of the sensor point (3) opposite Sensor element (1) is connected, the output signal of the impedance conversion circuit (I) via a between the source electrode (S) of the field effect transistor (9) and the end puncture kt (16) of the resistor (14) switched resistor (12) is removed.
EP83100672A 1982-02-12 1983-01-26 Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver Withdrawn EP0086369A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH88482 1982-02-12
CH884/82 1982-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP0086369A1 true EP0086369A1 (en) 1983-08-24

Family

ID=4197414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP83100672A Withdrawn EP0086369A1 (en) 1982-02-12 1983-01-26 Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0086369A1 (en)
JP (1) JPS58151698A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0299219A1 (en) * 1987-06-17 1989-01-18 EMIL U. ADOLF BECKER GMBH &amp; CO KG Method and device for securing windows doors etc. against burglary
US5414263A (en) * 1994-02-24 1995-05-09 Regent Lighting Corporation Infrared detection switching circuit
EP0825573A1 (en) * 1996-08-19 1998-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for signal evaluation of a movement detector

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340895A (en) * 1986-08-06 1988-02-22 Opt Kk Moving object detector
KR970010976B1 (en) * 1993-12-31 1997-07-05 엘지전자 주식회사 Infrared array sensor system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631434A (en) * 1969-10-08 1971-12-28 Barnes Eng Co Passive intrusion detector
US3928843A (en) * 1974-06-24 1975-12-23 Optical Coating Laboratory Inc Dual channel infrared intrusion alarm system
US4225786A (en) * 1978-09-15 1980-09-30 Detection Systems, Inc. Infrared detection system
EP0018033A1 (en) * 1979-04-12 1980-10-29 Philips Electronics Uk Limited Radiation detector devices and circuit arrangements including radiation detector devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631434A (en) * 1969-10-08 1971-12-28 Barnes Eng Co Passive intrusion detector
US3631434B1 (en) * 1969-10-08 1986-08-05
US3928843A (en) * 1974-06-24 1975-12-23 Optical Coating Laboratory Inc Dual channel infrared intrusion alarm system
US4225786A (en) * 1978-09-15 1980-09-30 Detection Systems, Inc. Infrared detection system
EP0018033A1 (en) * 1979-04-12 1980-10-29 Philips Electronics Uk Limited Radiation detector devices and circuit arrangements including radiation detector devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0299219A1 (en) * 1987-06-17 1989-01-18 EMIL U. ADOLF BECKER GMBH &amp; CO KG Method and device for securing windows doors etc. against burglary
US5414263A (en) * 1994-02-24 1995-05-09 Regent Lighting Corporation Infrared detection switching circuit
EP0825573A1 (en) * 1996-08-19 1998-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for signal evaluation of a movement detector

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58151698A (en) 1983-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0107042B1 (en) Infrared detector for spotting an intruder in an area
EP0370426B1 (en) Infrared intrusion detector
DE19628050C2 (en) Infrared measuring device and method of detecting a human body through it
EP0049493B1 (en) Infrared intrusion detector
DE10131243C1 (en) Capacitive proximity switch e.g. for production line robot, uses difference signal between 2 screened sensor electrodes
DE69832549T2 (en) Motion detection system
DE3528646C2 (en)
DE2526171A1 (en) DEVICE FOR ROOM SECURITY
DE2742389A1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR AN INFRARED INTRUSION DETECTOR
EP1071931B1 (en) Sensor device and method for operating a sensor device
DE3614616C2 (en)
EP0086369A1 (en) Infrared intrusion detector with pyroelectric radiation receiver
DE19548578C2 (en) Position-selective passive infrared intrusion sensor
EP0376024A2 (en) Process and device for correcting a signal-processing circuit with respect to deviations from its elements due to manufacturing tolerances
DE19619459C2 (en) Circuit for the detection of electromagnetic radiation
DE19524884A1 (en) Device for object detection
DE3232924A1 (en) RADIATION DETECTOR ARRANGEMENT
DE19858656A1 (en) Air mass-flow measuring device using heater resistance, for motor vehicle engine
DE3419802C2 (en) Burglar alarm device for locked rooms
DE2420120B2 (en) MEASURING DEVICE
EP0849714A1 (en) Method for evaluating a signal of a motion detector
DE3910715C2 (en)
DE3624195A1 (en) DETECTION PROCESS FOR A PASSIVE INFRARED MOTION DETECTOR AND ARRANGEMENT FOR PERFORMING THE PROCEDURE
DE3304369C2 (en)
EP0691531B1 (en) Infrared detector comprising a pyroelectric sensor

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE FR GB

17P Request for examination filed

Effective date: 19830903

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 19850806

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: MARSHALL, ROBERT HUNTER

Inventor name: WAEGLI, PETER, DR., DIPL.-PHYS.