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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zum Aufbringen
eines festen Materials auf ein Substrat. Insbesondere betrifft die
vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Aufbringen von Photolack-Materialien
auf Halbleiter-Wafer. Beispielsweise wird in einer Ausführungsform
eine ein Photolack-Material
enthaltende Flüssigkeitslösung atomisiert
bzw. zerstäubt
und auf einen Halbleiterwafer aufgebracht, während der Wafer mit wenigstens
einer Energiequelle in Kontakt steht.
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Hintergrund
der Erfindung
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Im
Allgemeinen ist eine integrierte Schaltung eine elektronische Schaltung
auf einem einzelnen monolithischen Chip, der aktive und passive
Schaltungselemente aufweist. Integrierte Schaltungen werden durch
Diffundieren und Aufbringen aufeinander folgender Schichten verschiedener
Materialien in einem vorgewählten
Muster auf ein Substrat gefertigt. Die Materialien können Halbleitermaterialien
wie Silizium, leitende Materialien wie Metalle und Materialien mit
kleiner Dielektrizität,
wie Siliziumdioxid, umfassen. Die Halbleitermaterialien, die in
integrierten Schaltungschips enthalten sind, werden dazu verwendet,
um übliche
elektronische Schaltungselemente, wie Widerstände, Kondensatoren, Dioden und
Transistoren zu bilden.
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Integrierte
Schaltungen werden in hohem Maße
in elektronischen Geräten,
wie beispielsweise digitalen Rechnern verwendet, weil sie kleine
Abmessungen, einen geringen Energieverbrauch und hohe Zuverlässigkeit
aufweisen. Die Komplexität
integrierter Schaltungen reicht von einfachen logischen Gattern
und Speichereinheiten bis zu großen Anordnungen, mit denen
komplette Video-, Audio- und Druckdatenverarbeitungen möglich sind.
Gegenwärtig
besteht jedoch Nachfrage nach integrierten Schaltungschips, mit
denen mehr Aufgaben mit kleinerem Raumbedarf bei noch geringerer
Betriebsspannung durchgeführt
werden können.
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Wie
zuvor beschrieben, werden integrierte Schaltungschips durch aufeinander
folgendes Aufbringen von Schichten unterschiedlicher Materialien auf
ein Substrat hergestellt. Typischerweise besteht das Substrat aus
einer dünnen
Scheibe oder einem dünnen
Wafer aus n-leitendem oder p-leitendem Silizium. Die aktiven und
passiven Komponenten der integrierten Schaltung sind in einer dünnen n-leitenden epitaxialen
Schicht oben auf dem Substrat ausgebildet. Die Komponenten der integrierten
Schaltung können
Schichten unterschiedlicher leitender Materialien, wie Metalle und
Halbleitermaterialien umfassen, die von isolierenden Materialien
mit niederer Dielektrizität
umgeben sind. Um verbesserte integrierte Schaltungschips zu schaffen,
wurde Beachtung nicht nur darauf fokussiert, unterschiedliche Materialien
für den
Aufbau der Chips zu verwenden, sondern es wurde auch Wert gelegt,
neue Verfahren zum Aufbringen verschiedener Schichten von Materialien
auf das Substrat zu entdecken bzw. zu entwickeln.
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Die
Materialien, die in Schichten auf Halbleiterwafer aufgebracht werden,
müssen
generell entsprechend einem vorgegebenen Muster auf den Wafer aufgebracht
werden. Um die Materialien entsprechend einem Muster auf den Wafer
zu bringen, wird typischerweise zuerst eine Beschichtung auf dem Wafer
gebildet. Kanäle
und Verbindungen werden dann in der Beschichtung gebildet, die das
Muster zum Applizieren der Materialien bilden, die zur Ausbildung
der integrierten Schaltung verwendet werden. Das Applizieren der
vorläufigen
Beschichtung auf Halbleiterwafer, wie sie zuvor beschrieben wurden,
wird generell durch ein Lithografie-Verfahren vorgenommen. Typischerweise
sind fünf
bis zwanzig vollständige
Lithografie-Operationen auf jedem Wafer in Abhängigkeit vom Typ der integrierten
Schaltung erforderlich. Bei den meisten Anwendungen besteht die
vorläufige
Beschichtung, die auf einen Wafer appliziert wird, aus einem Photoresist-
bzw. Photolack-Material, das ein lichtreaktives Material ist, dessen
Eigenschaften durch optische Bestrahlung über einen spezifischen Wellenlängenbereich
geändert
werden. Aufgrund der licht- oder photoreaktiven Eigenschaften der
Photolack-Materialien können
unter Verwendung von Lichtenergie Muster in den Schichten gebildet
werden.
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Beispielsweise
wird beieiner Ausführungsform
der Halbleiterwafer zunächst
mit einem Photolack-Material beschichtet. Die Beschichtung des Photolack-Materials sollte
gleichförmig
sein und fest am Wafer anhaften. Nachdem die Beschichtung auf den
Wafer aufgebracht worden ist, wird die Beschichtung üblicherweise
bei einer Temperatur von bis zu 100°C ausgebacken bzw. erhitzt,
um alle Lösungsmittel,
die in der Beschichtung enthalten sein könnten, zu entfernen.
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Der
nächste
Verfahrensschritt besteht darin, Kanäle und Verbindungen in der
Photolack-Beschichtung auszubilden. Dies wird durchgeführt, indem
der Wafer zunächst
zu einer Maske ausgerichtet wird, die mit einem Form gebenden Muster
gedruckt wird. Beispielsweise kann die Maske eine gelatinephotographische
Emulsion auf einer Glasplatte sein, die über den Halbleiterwafer platziert
wird. Der Wafer wird dann Lichtenergie ausgesetzt, die mit dem Photolack-Material
reagiert. Da die Maske über
dem Wafer platziert ist, gelangt insbesondere die Lichtenergie,
die auf den Wafer gerichtet wird, auf die Photolack-Beschichtung
entsprechend dem Muster, das auf der Maske aufgedruckt ist.
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Nachdem
der Wafer mit Licht einer bestimmten Wellenlänge bestrahlt wurde, kann der
Wafer gewünschtenfalls
danach noch einmal ausgebacken oder erhitzt werden. Nachdem er ausgebacken
ist, wird der Wafer in einem geeigneten Lösungsmittel gespült. In Abhängigkeit
von der Art des verwendeten Photolack-Materials entfernt das Lösungsmittel
entweder das Photolack-Material, das dem Licht ausgesetzt war, oder
es entfernt das Photolack-Material, das nicht dem Licht ausgesetzt
war. Wenn das Lösungsmittel
den dem Licht ausgesetzten Bereich der Photolack-Beschichtung entfernt,
wird das Photolack-Material
als "positiver" Photolack angesehen. Wenn
das Lösungsmittel
dagegen die nicht dem Licht ausgesetzten Bereiche entfernt, ohne
dass es die dem Licht ausgesetzten Bereiche beeinflusst, wird das
Photolack-Material als "negativer" Photolack bezeichnet.
Unabhängig
davon, werden die Bereiche der Photolackbeschichtung, die dem Lösungsmittel ausgesetzt
werden entfernt, so dass ein gewünschtes
Muster verbleibt.
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Entsprechend
einer bestimmten Anwendung kann der Wafer dann geätzt werden,
um die Teile des darunter liegenden Films oder der darunter liegenden Schicht
zu entfernen, die nicht mit Photolack bedeckt sind. Das Ätzen bewirkt
dann die Bildung von Fenstern im Maskenfilm oder in der Maskenschicht.
Das Ätzen
wird ausgeführt,
um eine auf einen Halbleiterwafer aufzubringende Schicht mit einer
Schicht zu verbinden, die zuvor aufgebracht wurde.
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Nach
dem Ätzvorgang
kann die nächste Schicht
des Halbleiterwafers ausgebildet werden. Wie zuvor ausgeführt, kann
die auf die mit einem Muster versehene Photolack-Beschichtung aufgebrachte
Schicht ein Halbleitermaterial, ein leitendes Material oder ein
Material geringer Dielektrizität
sein.
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Wie
zuvor beschrieben umfasst der lithographische Prozess daher typischerweise
die Verfahrensschritte zum Beschichten eines Wafers mit einem Photolack
und dann die Verwendung einer geeignet gemusterten Maske und deren
Abbildung auf die Oberfläche
der Vorbeschichtung. Ein Gravierungsverfahren wird dann ausgeführt, wo
ein Muster auf der Photolack-Beschichtung ausgebildet ist. Das Muster
wird zum Öffnen
von Fenstern in einer darunter liegenden Schicht verwendet, um Halbleiterbereiche
zu definieren und/oder um Metall von einem beschichteten Wafer zu
entfernen, um ein Verbindungsmuster aufzureissen bzw. zu schaffen.
Um eine Photolack-Beschichtung auf einem Wafer auszubilden, wurden
die Photolack-Materialien in der Vergangenheit durch Schleuderbeschichtung
(spin coding) ausgebildet.
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Gemäß diesem
Verfahren wird das Substrat zunächst
auf einen Vakuumträger
gebracht und mit hoher Geschwindigkeit gedreht. Eine den Photolack enthaltene
Lösung
wird dann auf das Substrat gebracht. Aufgrund der Zentrifugalkraft
wird eine Beschichtung auf dem Substrat ausgebildet, die getrocknet
und auf einer heißen
Platte oder in einem Ofen geglüht
wird.
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Bei
diesem Verfahren treten jedoch Schwierigkeiten auf, den Photolack
am Substrat haften zu lassen und eine Schicht oder einen Film mit
guten physika lischen Eigenschaften zu erzeugen. Diese Aufbringverfahren
erzeugen üblicherweise
Ablage- oder Schichtmaterial mit unerwünschten physikalischen Eigenschaften.
Darüber
hinaus traten weitere Probleme bei der Steuerung oder Kontrolle
verschiedener Parameter, wie der Dicke und der Gleichförmigkeit
der Schicht bzw. des Films insbesondere dann auf, wenn große Wafer
beschichtet wurden.
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Im
Hinblick auf die zuvor genannten Nachteile des Standes der Technik
besteht Bedarf an einem Verfahren zum Aufbringen von Photolacken
auf Substrate, die in integrierten Halbleiterchips verwendet werden.
Insbesondere besteht Bedarf nach einem Verfahren zum gleichförmigen Aufbringen
von Photolacken auf Substrate, beispielsweise auf Silizium, während der
Herstellung integrierter Schaltungen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung erkannte die zuvor genannten Nachteile und
nimmt sich dieser und anderer Nachteile herkömmlicher Vorrichtungen und Verfahren
an.
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Dementsprechend
ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Aufbringen
eines Photolack-Materials auf ein Substrat anzugeben.
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Eine
andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zum Aufbringen und Anhaften einer Photolack-Beschichtung auf einem
Halbleiterwafer unter Verwendung von Lichtenergie zu schaffen.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zum Aufbringen eines Photolack-Materials auf ein Substrat anzubringen,
bei dem ein Material aus der flüssigen
Form in eine feste Form unter Verwendung von Lichtenergie umgewandelt
wird.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zum Aufbringen von Schichten aus Photolack-Materialien auf ein Substrat,
beispielsweise einen Siliziumwafer während der Herstellung integrierter
Schaltungschips zu schaffen.
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Diese
und andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden durch ein
verbessertes chemisches Bedampfungs-Aufbringverfahren gelöst. Die Bezeichnung
chemische Bedampfungs-Aufbringung wird hier als ein Verfahren bezeichnet,
bei dem ein fester Film oder eine feste Beschichtung von einem Flüssig- oder
Gas-Zwischenstoff (Flüssig-
oder Gas-Prekursor) aufgewachsen wird. Im Allgemeinen umfasst das
Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung das direkte Injizieren eines flüssigen Zwischenstoffs, der
in einem Photolack-Material enthalten ist, in einen Reaktionsbehälter, in
dem sich ein Substrat befindet. Nachdem der flüssige Zwischenstoff in den
Reaktionsbehälter
injiziert wurde, kann er Lichtenergie ausgesetzt werden, die bewirkt,
dass der flüssige
Zwischenstoff eine feste Beschichtung des Photolack-Materials auf
dem Substrat bildet.
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Das
Verfahren umfasst die Verfahrensschritte, zunächst eine Lösung mit einem Photolack-Material,
das in flüssiger
Form vorliegt, in Tröpfchen
zu atomisieren bzw. zu zerstäuben.
Die Flüssigkeitströpfchen werden
auf einen Halbleiterwafer gerichtet. Vor und nach der Beschichtung
des Wafers werden die Flüssigkeitströpfchen einer
Lichtenergie ausgesetzt, die bewirkt, dass das Photolack-Material
eine feste Beschichtung auf dem Substrat bildet. In einigen Konfigurationen
wird das Substrat auch erhitzt, um den Aufbring- bzw. Abscheideprozess
zu unterstützen.
Das Substrat kann unter Verwendung indirekter Lichtenergie, direkter
Lichtenergie oder mittels eines elektrischen Widerstandsheizers
vorerhitzt werden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
werden die Flüssigkeitströpfchen in
einer Reaktionskammer auf das Substrat gerichtet. Die Reaktionskammer
kann gewünschtenfalls
unter Unterdruck stehen. Die von den Flüssigkeitströpfchen absorbierte Lichtenergie kann
von Lampen stammen. Die Flüssigkeitströpf chen die
von der das Photolack-Material enthaltenden Lösung gebildet werden, können generell
einen Durchmesser von etwa 10 Mikrons (μm) bis etwas 100 Mikrons (μm) aufweisen.
Die Lösung
kann durch Hindurchleiten durch eine Düse atomisiert bzw. zerstäubt werden.
In einer Ausführungsform
kann die Düse
beheizt sein.
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Während des
Aufbring- oder Abscheideverfahrens wird vorzugsweise der Halbleiterwafer,
der mit dem Photolackmaterial beschichtet werden soll, in einer
Weise bewegt, dass die Bildung einer gleichförmigen Beschichtung erleichtert
wird. Beispielsweise kann der Halbleiterwafer während der Ausbildung der Beschichtung
gedreht, in Vibration versetzt oder einer Ultraschallenergie ausgesetzt
werden. Bei den meisten Anwendungsformen sollte der Halbleiterwafer
auf eine Temperatur von wenigstens 50°C und insbesondere auf eine
Temperatur von etwas 50°C bis
etwa 150°C
vorerhitzt werden. Während
des Verfahrens können
die Flüssigkeitströpfchen und
die ausgebildete Beschichtung auf eine Temperatur von etwas 100°C bis etwa
500°C aufgeheizt
werden. Bei den meisten Anwendungsformen wird die Beschichtung eine
Dicke von wenigstens 100 Angström
aufweisen.
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Gemäß einer
Ausführungsform
werden die Flüssigkeitströpfchen mit
einer Temperatur innerhalb eines ersten Temperaturbereichs auf den
Halbleiterwafer aufgebracht bzw. abgeschieden. Wenn die Tröpfchen auf
den Halbleiterwafer abgeschieden sind, kann die Temperatur des Wafers
weiter auf eine Temperatur innerhalb eines zweiten Temperaturbereichs
erhöht
werden. Es wird angenommen, dass bei der Verwendung einiger Photolack-Materialien eine
bessere Haftung zwischen dem Wafer und der Beschichtung bei zwei
unterschiedlichen Temperaturen resultiert.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Eine
volle und weiterhin erläuternde
Beschreibung der vorliegenden Erfindung einschließlich der
besten Art und Weise, wie ein Fachmann sie ausführen kann, ist in mehr Einzelheit
in der übrigen
Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren ausgeführt. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels für ein System
zum Aufbringen oder Abscheiden eines festen Materials auf ein Substrat
entsprechend der vorliegenden Erfindung;
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1A eine
Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform eines Reaktionsbehälters, der
in Zusammenhang mit dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung
verwendet werden kann;
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2 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform für eine Düse, die
zur Bildung fester Materialien entsprechend der vorliegenden Erfindung
verwendet wird, in Aufsicht;
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3 eine
Querschnittsdarstellung einer alternativen Ausführungsform einer Düse und eines Flüssigkeitsbehälters, die
bzw. der bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung benutzt werden kann; und
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4 eine
schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Verfahrens
zum Reinigen von Materialien, die einer thermischen Prozesskammer
zugeführt
werden.
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Wiederholte
Verwendung von Bezugszeichen in der vorliegenden Beschreibung und
den Zeichnungen betreffen dieselben oder analoge Merkmale oder Elemente
der Erfindung.
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Ins Einzelne
gehende Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
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Die
vorliegende Diskussion ist eine Beschreibung lediglich beispielhafter
Ausführungsformen
und beschränkt
oder begrenzt nicht die breiteren Aspekte der vorliegenden Erfindung
wobei diese breiteren Aspekte in den beispielsweisen Ausführungsformen
oder -vorrichtungen enthalten sind.
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Wie
zuvor beschrieben, erfordert die Herstellung integrierter Schaltungen
die präzise
Aufbringung und Positionierung verschiedener Materialien auf einen
Halbleiterwafer. Insbesondere muss jede auf den Wafer aufgebrachte
Schicht typischerweise in einem vorgegebenen Muster aufgebracht
oder abgeschieden werden. Um ein Muster auf der Oberfläche des Wafers
zu schaffen, umfasst das Verfahren generell die Schritte, den Wafer
zunächst
mit einem Photolackmaterial zu beschichten. Eine geeignete mit einem
Muster oder einer Schablone versehene Maske wird dann auf den Wafer
platziert. Nachdem die Maske aufgebracht ist, wird ein Gravur- oder Ätzprozess durchgeführt, bei
dem die Photolackschicht elektromagnetische Strahlung bestimmter
Wellenlänge
entsprechend dem in der Maske ausgebildeten Muster ausgesetzt wird.
In Abhängigkeit
von dem verwendeten Photolack-Material werden entweder die dem Licht
ausgesetzten Bereiche des Photolack-Materials oder die nicht dem
Licht ausgesetzten Bereiche entfernt, so dass ein gewünschtes
Muster verbleibt. Das Muster wird dafür verwendet, Fenster in einer
darunter liegenden Schicht zu öffnen,
um Halbleiterbereiche zu definieren, oder um Metall von einem beschichteten
Wafer zu entfernen, um ein Verbindungsmuster aufzureissen bzw. zu
entwerfen. In der Vergangenheit wurden Halbleiterwafer mit Photolackmaterialien
unter Verwendung einer Schleuderbeschichtungs-Technik beschichtet.
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Allgemein
ist die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren und ein System zum
Aufbringen oder Abscheiden eines Photolack-Materials auf ein Substrat,
beispielsweise einen Halbleiterwafer, unter Verwendung von Lichtenergie
gerichtet. Insbesondere werden Flüssigkeitströpfchen, die ein Photolack-Material
enthalten, auf ein Substrat gerichtet und Lichtenergie ausgesetzt.
Die Lichtenergie bewirkt, dass das in den Tröpfchen enthaltene Photolackmaterial eine
feste Beschichtung auf dem Substrat bildet. Vorzugsweise wird das
Substrat während
des Aufbring- oder Abscheidevorgangs in Vibration versetzt, gedreht
oder Ultraschallenergie ausgesetzt, um die Ausbildung einer Beschichtung
mit einer gleichförmigen
Dicke zu verbessern. Bei den meisten Anwendungsfällen wird das Substrat auch
vorzugsweise vorerhitzt, bevor es mit den Flüssigkeitströpfchen in Kontakt tritt.
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1 zeigt
ein System zum Umsetzen eines flüssigen
Zwischenstoffs, der ein Photolackmaterial enthält in eine feste Beschichtung
auf einem Substrat, ent sprechend der vorliegenden Erfindung. Um den
Prozess zu beginnen, wird zunächst
ein flüssiger Zwischenstoff
geschaffen und in einen Flüssigkeitsbehälter 10 gebracht.
Der flüssige
Zwischenstoff enthält
in irgendeiner Weise ein Photolackmaterial, das später in ein
festes Material übergeführt werden
soll. Der flüssige
Zwischenstoff kann eine reine Flüssigkeit
oder eine Lösung
sein. Bei einer Ausführungsform
der Erfindung kann der flüssige
Zwischenstoff das Photolackmaterial gelöst in einer Lösung enthalten.
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Der
flüssige
Photolack-Zwischenstoff, der im Flüssigkeitsbehälter 10 enthalten
ist, wird entsprechend der vorliegenden Erfindung über eine
Leitung 12 einer Düse 14 zugeführt, die
in 2 noch klarer dargestellt ist. Die Düse 14 zerstäubt den
Flüssigkeits-Zwischenstoff
in Flüssigkeitströpfchen.
Die Flüssigkeitströpfchen werden
direkt in einen Reaktorbehälter 16 auf
ein Substrat 18 injiziert.
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Bei
dem in den 1 und 2 dargestellten
Ausführungsbeispiel
zerstäubt
die Düse 14 den flüssigen Zwischenstoff
unter Verwendung eines unter Druck stehenden Gases. Im Einzelnen
umfasst das System einen Gasbehälter 20,
der über
eine Gasleitung 22 mit der Düse 14 in Verbindung
steht. Das Gas, das zum Zerstäuben
des flüssigen
Zwischenstoffes verwendet wird, sollte das Aufbringverfahren nicht
nachteilig beeinflussen. Bei den meisten Anwendungsformen sollte
das Gas, das zum Zerstäuben
des flüssigen
Zwischenstoffes verwendet wird, ein inertes Gas, beispielsweise
Argon oder Stickstoff sein.
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Im
Allgemeinen kann bei dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung
irgendeine geeignete Zerstäubungsdüse verwendet
werden. Auch können
mehr als eine Düse
bei dem System verwendet werden, was bei einigen Anwendungsfällen zu
besserer gleichförmiger
Applikation des flüssigen
Zwischenstoffs führen
kann. Für
die meisten Anwendungsfälle
sollte die Düse
so ausgebildet sein, dass sie Flüssigkeitströpfchen mit
einem Durchmesser von kleiner als etwas 100 μm, und insbesondere Durchmesser
im Bereich von etwa 10 μm
bis etwas 100 μm
erzeugt. Gemäß einer
alternativen Ausführungsform
des in 1 dargestellten Systems kann eine Düse gewählt werden,
die nicht ein unter Druck stehendes Gas benutzt, um eine Flüssigkeit
zu zerstäuben.
Beispielsweise kann eine Düse
verwendet werden, mit der die Flüssigkeit
unter Verwendung von Schallwellen oder anderen Hochdruckquellen zerstäubt wird.
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3 zeigt
eine alternative Ausführungsform
einer Düse 14 zur
Verwendung bei dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Bei dieser Ausführungsform
weist die Düse 14 mehrere Öffnungen 15 auf, die
so ausgebildet sind, dass sie die das Photolack-Material enthaltende
Lösung
zerstäuben.
Insbesondere umfasst die Düse 14 mehrere Öffnungen
um die Flüssigkeitströpfchen über die
Fläche
des Substrats 18 gleichförmig zu verteilen.
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Gewünschtenfalls
kann die das Photolack-Material enthaltende Lösung konditioniert werden,
bevor sie zerstäubt
wird. Beispielsweise kann die chemische Zusammensetzung des Photolacks, der
in der Lösung
enthalten ist und die Parameter der Lösung, beispielsweise die Viskosität, die Lichtempfindlichkeit,
der pH-Wert, die Reinheit usw. gewählt und entsprechend den gegebenen
Anwendungsfällen
geändert
werden. Darüber
hinaus kann die Temperatur der Lösung
innerhalb eines gewünschten
Bereichs eingestellt werden, bevor sie zerstäubt wird. Diesbezüglich kann
die Düse 14 in
einer Ausführungsform
so ausgebildet sein, um die Lösung
zu erhitzen, wenn die Lösung
zerstäubt
wird. Insbesondere kann die Düse 14 auf
eine Temperatur erhitzt werden, so dass keine Kondensation der Flüssigkeit
auftritt, und so dass die Photolack-Lösung die Düse leicht vaporisiert verlässt, jedoch
die Fluideigenschaften einer Flüssigkeit
beibehält.
Bei den meisten Anwendungsfällen
sollte die die Lösung
so hoch wie möglich
ohne Dampfbildung erhitzt werden, so dass die Flüssigkeit sich auf dem Substrat
abscheidet und so schnell wie möglich
eine Beschichtung oder Schicht bildet.
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Wenn
der flüssige
Zwischenstoff einmal zerstäubt
ist, werden die resultierenden Flüssigkeitströpfchen im Reaktorbehälter auf
den Halbleiterwafer 18 gerichtet. Vorzugsweise wird der
Halbleiterwafer 18 während
und/oder nach der Abscheidung in einer Weise bewegt, dass nicht
nur das Anhaften zwischen der Photolack-Schicht und dem Wafer verbessert wird,
sondern auch zur Bildung einer Beschichtung mit einer gleichförmigen Dicke
beiträgt.
Beispielsweise können
die Halbleiterwafer 18 während des Prozesses gedreht,
in Vibration versetzt, und/oder einer Ultraschallenergie ausgesetzt
werden. Beispielsweise kann der Wafer mit einer halben Viertelkreis-Vibration
beaufschlagt werden. Alternativ wird Ultraschalldrehung verwendet,
so dass der Wafer sowohl Dreh- als auch Vibrationseffekten ausgesetzt
ist.
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Bei
einer alternativen Ausführungsform
kann vor der Ausbildung der Photolack-Beschichtung eine dünne Adhäsionsschicht
auf dem Halbleiterwafer ausgebildet werden. Die Adhäsionsschicht
kann vorgesehen werden, um die Verbindung zwischen dem Wafer und
der Photolack-Schicht zu verbessern. Beispielsweise kann bei einer
Ausführungsform
eine durch Sputtern aufgebrachte Schicht eines Materials verwendet
werden, das dem Photolack entspricht oder ihm ähnlich oder gleich ist. Bei
einer weiteren alternativen Ausführungsform
kann das Verfahren gemäß der vorliegenden
Erfindung mit herkömmlichen Verfahren
zur Bildung einer Photolack-Beschichtung kombiniert werden. Beispielsweise
kann eine Photolack-Schicht, die gemäß dem Verfahren der vorliegenden
Erfindung ausgebildet wurde, auf der Oberseite oder auf der Unterseite
einer Photolackschicht vorgesehen oder platziert sein, die nach
herkömmlichen
Verfahren gebildet wurde. Beispielsweise kann eine dünne Photolackschicht
auf einen Halbleiterwafer entsprechend der vorliegenden Erfindung
aufgebracht werden. Eine weitere Photolackschicht kann dann auf
der Oberseite der vorausgehenden Schicht aufgebracht werden, indem
eine Schleuderbeschichtungstechnik, wie sie zuvor beschrieben wurde,
verwendet wird. Alternativ kann der Halbleiterwafer zunächst mit
einem Photolack unter Verwendung von Schleuderbeschichtungstechniken
beschichtet und dann mit einer zusätzlichen Photolackschicht unter Verwendung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
beaufschlagt werden. Auf diese Weise können Photolack-Schichten mit unterschiedlichen
Eigenschaften hergestellt werden, die für besondere Anwendungsfälle gewünscht werden.
Kombinierte Techniken können
auch sehr dicke Beschichtungen mit verbesserten Eigenschaften schaffen.
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Vor
der Zerstäubung
der Lösung
kann der Halbleiterwafer 18 vorerhitzt werden, um die Ausbildung
der Beschichtung zu unterstützen.
Beispielsweise kann das Substrat bei den meisten Anwendungsfällen auf
eine Temperatur von etwa 50°C
bis etwa 150°C
erhitzt werden. Das Substrat kann unter Verwendung verschiedener
und unterschiedlicher Energiequellen erhitzt werden. Beispielsweise
kann der Halbleiterwafer 18 unter Verwendung von Wärmelichtenergie
vorerhitzt oder mit einer elektrischen Widerstands-Heizeinrichtung
aufgeheizt werden.
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Wie
dies in den 1, 1a und 2 gezeigt
ist, weist der Reaktorbehälter 16 Lampen 28 auf,
die unter dem Halbleiterwafer 18 angeordnet sind. Die Lampen 28 können so
ausgebildet sein, dass sie Wärmeenergie
abgeben, die bewirkt, dass die Temperatur des Wafers ansteigt. Die
Lampen können
so angeordnet werden, dass sie den Wafer 18 direkt aufheizen,
oder sie können
in der Weise angeordnet werden, dass sie den Wafer indirekt aufheizen.
Bei einem Ausführungsbeispiel
können
die Lampen 28 zusätzlich
zur Abgabe von Wärmeenergie auch
Ultraviolettlicht einschließlich
Vakuum-Ultraviolett-Licht emittieren. Das Ultraviolettlicht kann
bei einigen Anwendungsfällen
wünschenswert
sein, um die Verbindung, die zwischen der Photolack-Beschichtung und
dem Wafer ausgebildet wird, zu verstärken. Wie zuvor beschrieben
wurde, sind die Photolack-Materialien jedoch typischerweise gegen
Ultraviolettlicht bei einer bestimmten Wellenlänge reaktiv. Wenn bei dem Verfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung
dies benutzt wird, sollte daher das Ultraviolettlicht nur den Wafer
bestrahlen oder sollte in einem Maße vorhanden sein, das nicht
unerwünschte Reaktionen
hervorruft. Beispielsweise kann das Ultraviolettlicht durch eine
inkohärente
Lichtquelle emittiert werden, die ultraviolettes Licht in einem
breiten Wellenlängenbereich
erzeugt.
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Wenn
die Flüssigkeitströpfchen gemäß der vorliegenden
Erfindung auf das Substrat 18 gerichtet sind, werden sie
erhitzt, indem sie etwa Lichtenergie ausgesetzt werden. Wie dies
in den Figuren dargestellt ist, ist das Substrat 18 beispielsweise
von Lampen 24 und 26 zusätzlich zu den Lampen 28 umgeben.
Die Lampen 24 und 26 können entweder optische Energie,
Wärmeener gie
oder beides emittieren. Optische Energie erzeugt atomare und molekulare Erregung
bzw. Anregung innerhalb der Tröpfchen, wogegen
thermische Energie die Vibrationsbewegung in den Tröpfchen vergrößert. Die
optische Energie kann durch Ultraviolettlicht, Vakuum-Ultraviolett-Licht
und sichtbares Licht vorgesehen sein, die bei Wellenlängen von
etwa 0,05 μm
bis etwa 0,8 μm vorliegt.
Die optische Energie, wenn sie vorhanden ist, sollte jedoch nicht
in einem Maße
zusätzlich
benutzt werden, das ausreicht, dass das Photolackmaterial irgendwelche
unerwünschten
chemischen Reaktionen eingeht.
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Wenn
die Tröpfchen
und der sich ergebende Film bzw. die sich ergebende Schicht beispielsweise optischer
Energie ausgesetzt wird, wird die optische Energie vorzugsweise
durch eine oder mehrere inkohärente
Lichtquellen erzeugt, die ultraviolettes Licht und/oder Vakuum-Ultraviolett-Licht
mit vielen unterschiedlichen Wellenlängen erzeugt. Bei den meisten Anwendungsfällen wird
das Photolack-Material reaktiv auf optische Energie einer bestimmten
Wellenlänge
oder in einem bestimmten Wellenlängenbereich sein.
Wenn die Photolackschicht ausgebildet wird, sollten die inkohärenten Lichtquellen
keinen wesentlichen Anteil an optischer Energie in dem bestimmten Wellenlängenbereich
erzeugen, bei dem das Photolack-Material reaktiv ist.
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Thermische
Energie ist andererseits ähnlich mit
einer Wellenlänge
von etwa 0,4 μm
und höher enthalten.
Licht mit Wellenlängen
im Bereich von etwa 0,4 μm
und etwa 0,8 μm
umfasst sowohl optische als auch thermische Energie.
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Wenn
die Flüssigkeitströpfchen auf
das Substrat 18 fallen, bewirkt die die Tröpfchen erreichende Lichtenergie,
dass das Stamm- bzw. Muttermaterial, das im flüssigen Zwischenstoff enthalten
ist, eine feste Beschichtung auf dem Substrat bildet. Insbesondere
kann die Lichtenergie bewirken, dass verschiedene chemische Transformationen
auftreten. Beispielsweise kann der flüssige Zwischenstoff bei einem
Ausführungsbeispiel
eine Lösung
sein, die ein Lösungsmittel
enthält,
das bei Lichtenergie verdampft. Wenn das Lösungsmittel verdampft ist,
fällt das
Stamm- bzw. Muttermaterial aus der Lösung aus und wird fest.
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Die
Lampen 24, 26 und 28 müssen eine
ausreichende Energiemenge liefern, damit die Flüssigkeitströpfchen verdampfen, reagieren
oder sich zersetzen, um das Stamm- oder Muttermaterial in eine feste
Form überzuführen.
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Generell
kann das Zwischenstoff-Material auf eine Temperatur von etwa 50°C bis etwa
700°C und
insbesondere von etwa 100°C
bis etwa 500°C während des
Verfahrens aufgeheizt werden.
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Verschiedene
Lampen, die in dem System der vorliegenden Erfindung verwendet werden
können,
können
Bogenlampen oder Wolfram-Halogenlampen umfassen, die sowohl Wärme- als
auch optische Energie emittieren. Lampen, die hauptsächlich ultraviolettes
Licht emittieren und bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden
können,
umfassen Deuteriumlampen, Quecksilberdampflampen, Xenonlampen und
inkohärente
Excimer-Lampen. Es können
so viele Lampen wie für
das Verfahren erforderlich sind verwendet werden, und die Lampen
können
in jeder geeigneten Anordnung angebracht werden. Der Ort der Lampen
ist lediglich beispielsweise in den Figuren dargestellt.
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Durch
die Verwendung von Lampen und Lichtenergie bietet das erfindungsgemäße Verfahren viele
Vorteile gegenüber
herkömmlichen
Chemical-Vapor-Deposition-Verfahren
bzw. chemischen Dampfaufbringverfahren mit Öfen oder anderen geeigneten
Heizquellen zur Erzeugung des festen Materials. Beispielsweise haben
die Lampen wesentlich höhere
Aufheiz- und Abkühlraten
als herkömmliche Öfen. Durch
die Verwendung von Lampen wird ein schnelles isothermisches Verfahrensystem
geschaffen. Die Lampen liefern unverzögert Energie und erfordern üblicherweise
keine wesentliche Anlaufperiode.
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Darüber hinaus
kann die durch die Lampen emittierte Energie leicht und genau gesteuert
und verändert
werden. Wenn während
des erfindungsgemäßen Verfahrens
beispielsweise der flüssige
Zwischenstoff in einen Feststoff gebildet wird, tendiert die durch
die Flüssigkeitströpfchen absorbierte
Energie dazu, die Umgebungsatmosphäre abzukühlen. Im Gegensatz zu anderen
Licht quellen kann Lichtenergie verzögerungsfrei und sofort während des
Verfahrens erhöht
werden, wenn dies erforderlich ist, um die Reaktionsbedingungen
konstant zu halten. Insbesondere ermöglicht Lichtenergie die schnelle
bzw. unverzögerte
Wiederaufnahme irgendwelcher auftretender Reaktionen oder Transformationen,
die endotherm sind.
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Durch
Verwendung von Lichtenergie und dem Einsatz von Lampen kann die
Reaktionsrate und die Rate, mit der der Feststoff ausgebildet wird,
auch genau gesteuert bzw. geregelt werden. Beispielsweise kann die
Bildung von Feststoffen während
des erfindungsgemäßen Verfahrens
auf einfache Weise zu irgendeinem Zeitpunkt abrupt beendet werden,
indem die Lampen ausgeschaltet und der Lichtenergiestrom auf die
bzw. in die Reaktionskammer unterbrochen wird. Die Lampen können auch
mit graduellen Energie- bzw. Leistungs-Steuer- oder Regeleinrichtungen
ausgestattet sein, die dazu verwendet werden können, die Reaktionsrate bzw.
-geschwindigkeit mit sehr schnellen Ansprechzeiten zu erhöhen oder zu
verringern.
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Die
Verwendung von Lichtenergie führt
auch zu weiteren Vorteilen über
die Ausbildung der gleichförmigen
Photolack-Beschichtungen hinaus. Beispielsweise werden verschiedene Ätzschritte
während
der Herstellung der integrierten Schaltungen vorgenommen. Der Erfinder
der vorliegenden Anmeldung hat festgestellt, dass durch Belichten
der Wafer mit ultravioletter Lichtenergie und insbesondere Vakuum-Ultraviolett-Lichtenergie,
Unreinheiten oder unerwünschte
Reste, die nach einem Ätzschritt
verbleiben, entfernt werden können.
Insbesondere wurde festgestellt, dass die Ultraviolett-Licht-Energie
die Reste bzw. Rückstände verdampfen
bzw. verflüchtigen
lässt und
eine weitere Reinigung des Substrats vor dem nächsten Aufbring- bzw. Abscheideschritt bewirkt.
Wenn Lichtenergie während
des erfindungsgemäßen Verfahrens
benutzt wird, sollte der Reaktorbehälter 16 aus einem
Material hergestellt werden oder mit einem Material ausgelegt bzw.
ausgekleidet sein, das als Isolator wirkt, eine geringe thermische Masse
aufweist und ein schlechter Wärmeleiter
ist. Bei Verwendung eines Materials, das Wärme oder Lichtenergie nicht
absorbiert, kann die Energie, die für das Verfahren erforderlich
ist, klein gehal ten werden. Beispielsweise kann gemäß einer
Ausführungsform
der Reaktorbehälter 16 aus
Quarz hergestellt werden und kann einen Substrathalter enthalten,
der auch aus Quarz besteht. Alternativ kann der Substrathalter aus
Graphit bestehen, der mit Siliziumkarbid beschichtet ist.
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Bei
einem anderen Ausführungsbeispiel
können
die Lampen, die zur Bereitstellung von Lichtenergie bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
verwendet werden, innerhalb des Reaktorbehälters selbst platziert werden.
Bei dieser Ausführungsform
kann der Reaktorbehälter
aus irgendeinem geeigneten Material einschließlich Metallen hergestellt
werden. Durch Anordnen der Lampen innerhalb des Reaktorbehälters 16 braucht
der Behälter
nicht aus einem isolierenden Material zu bestehen.
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Der
Reaktorbehälter 16 sollte
evakuiert werden können,
um ein Vakuum in der Kammer zu erzeugen. Insbesondere kann ein Vakuum
erforderlich werden, wenn ultraviolette Strahlen mit einer Wellenlänge von
kleiner als etwa 0,2 Mikron (μm)
in den Reaktionsbehälter
eingestrahlt werden. Wenn derartige ultraviolette Lichtstrahlen
für das
Verfahren jedoch nicht erforderlich sind, kann der Reaktionsbehälter 16 bei
normalem Atmosphärendruck
betrieben werden.
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1A zeigt
ein Ausführungsbeispiel
für einen
Reaktorbehälter 16,
der bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
verwendet werden kann. Der Reaktorbehälter 16 umfasst eine
Düse 14,
die einen flüssigen
Zwischenstoff zerstäubt
und auf ein Substrat richtet, das auf einem Substrathalter 19 liegt.
Der Substrathalter 19 ist mit einer Temperaturabfühleinrichtung 21 zum
Messen der Temperatur des Substrats während des Verfahrens ausgestattet.
Die Temperaturabfühleinrichtung 21 kann
beispielsweise ein Thermoelement oder ein Pyrometer sein.
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Bei
dieser Ausführungsform
weist der Reaktorbehälter 16 auch
eine Vakuumleitung 23 auf, über die ein Vakuum im Behälter erzeugt
werden kann. Wenn andererseits gewünscht wird, im Behälter einen Überdruck
zu erzeugen oder eine inerte Atmosphäre innerhalb des Behälters aufrecht
zu erhalten, ist eine Gasleitung 27 vorgesehen, um ein
Gas in den Reaktorbehälter 16 zu
leiten.
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Der
in 1A dargestellte Reaktorbehälter 16 umfasst weiterhin
eine Kühlleitung 29,
die um den Außenumfang
des Behälters
gewickelt ist. Die Kühlleitung 29 ist
dafür vorgesehen,
dass ein Kühlfluid, beispielsweise
Wasser, gewünschtenfalls
zirkuliert. Beispielsweise kann ein Kühlfluid durch die Leitung 29 zirkulieren,
um die Temperatur innerhalb des Reaktorbehälters 16 zu steuern,
zu regeln und/oder aufrecht zu erhalten.
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Unter
Bezugnahme auf 1 kann das erfindungsgemäße Verfahren
gewünschtenfalls
voll automatisiert werden. Beispielsweise kann das System eine Steuer-
bzw. Regeleinheit 30, beispielsweise einen Mikroprozessor
oder einen Computer aufweisen. Die Steuer- bzw. Regeleinheit 30 ist
mit den Lampen 24, 26 und 28 und mit
einer Temperatur-Steuer- bzw. Regeleinheit 32 verbunden.
Die Temperatur-Steuer- bzw. Regeleinheit 32 misst bzw. überwacht
die Temperatur des Substrats 18, etwa mittels eines Thermoelements,
wie dies in 1A dargestellt ist. Die Temperatur-Regel-
bzw. Steuereinheit 32 steht auch mit einem Ventil 34,
etwa einem Magnetventil, in Verbindung.
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Bei
dieser Anordnung kann die Regel- bzw. Steuereinheit 30 Information
von der Temperatur-Regel- bzw. Steuereinheit 32 empfangen
und auf der Grundlage der Information, die Lichtenergiemenge, die
von den Lampen 24, 26 und 28 abgestrahlt
wird, steuern bzw. regeln. Die Steuer- bzw. Regeleinheit 30 steuert
bzw. regelt auch die Flussrate des flüssigen Zwischenstoffs vom Flüssigkeitsbehälter 30 zur Düse 14.
Beispielsweise kann die Steuer- bzw. Regeleinrichtung 30 so
programmiert werden, dass nur dann der flüssige Zwischenstoff in den
Reaktionsbehälter 16 geleitet
wird, wenn das Substrat 18 eine Temperatur in einem bestimmten
Temperaturbereich aufweist. Weiterhin kann die Temperatur innerhalb des
Reaktionsbehälters 16 durch
automatische Einstellung der von den Lampen 24, 26 und 28 emittierten
Lichtmenge aufrecht erhalten und gesteuert bzw. geregelt werden.
Ein weiterer Vorteil bei Verwendung von Lichtenergie in Zusammenhang
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
besteht also in der Möglichkeit,
den Prozess und die Reaktionsbedingungen von einer entfernten Stelle
aus genau zu steuern bzw. zu regeln.
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Gemäß einer
Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
kann das Aufbringen bzw. Abscheiden der Photolack-Beschichtung in
zwei unterschiedlichen Temperaturbereichen durchgeführt werden,
um die Adhäsion
zwischen der Beschichtung und dem Halbleiterwafer zu verbessern. Bei
einem Ausführungsbeispiel
kann die Beschichtung beispielsweise in einem ersten Temperaturbereich
auf dem Substrat ausgebildet werden. Nachdem die Beschichtung auf
dem Substrat aufgebracht bzw. abgeschieden worden ist, kann die
Temperatur auf einen zweiten Temperaturbereich erhöht werden. Bei
einer Ausführungsform
kann die Beschichtung beispielsweise bei einer Temperatur von etwa
50°C bis
etwa 700°C
abgeschieden bzw. aufgebracht werden und dann wird auf eine Temperatur
von etwa 100°C
bis etwa 700°C
weiter aufgeheizt. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass die Photolack-Beschichtungen
bzw. -Schichten, die gemäß der vorliegenden
Erfindung aufgebracht werden, nach dem Aufbringen bzw. Abscheiden
auf einen Halbleiterwafer nicht aufgeheizt bzw. gebacken werden
müssen, wie
dies bei vielen herkömmlichen
Verfahren, etwa bei Schleuderbeschichtungsverfahren notwendig ist. Insbesondere
ist das erfindungsgemäße Verfahren effektiver
als herkömmliche
Verfahren beim Entfernen unerwünschter
Lösungsmittel
während
des Aufbring- bzw. Abscheideverfahrens, so dass eine spätere Aufheizung
bzw. ein späteres
Aufbacken der Beschichtungen nicht erforderlich ist.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung können die Beschichtungen optischer
Energie in einem Maße
ausgesetzt werden, anstatt die ausgebildeten Beschichtungen Wärme auszusetzen,
so dass die Eigenschaften der Schicht bzw. Beschichtung verbessert
werden können.
Nachdem eine Beschichtung bzw. Schicht ausgebildet worden ist, kann
die Beschichtung beispielsweise Ultraviolett-Licht und/oder Vakuum-Ultraviolett-Licht ausgesetzt
werden, das von einer inkohärenten Lichtquelle
abgegeben wird. Dieser Aspekt der vorliegenden Erfindung kann bei
Photolack-Beschichtungen verwendet werden, die entsprechend dem
erfindungsgemäßen Verfahren
ausge bildet wurden, oder im Zusammenhang mit Photolack-Beschichtungen,
die gemäß herkömmlicher
Techniken, beispielsweise Schleuderbeschichtungstechniken hergestellt wurden.
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Die
Photolack-Beschichtungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung
hergestellt wurden, können
verschiedene Dicken aufweisen und auf verschiedene Substrate aufgebracht
oder abgeschieden sein. Die vorliegende Erfindung ist insbesondere
besonders gut geeignet, Beschichtungen oder Schichten auf Wafer
mit größerem Durchmesser
zu applizieren. Insbesondere ist das Verfahren besonders vorteilhaft,
eine Beschichtung mit einer gleichförmigen Dicke zu erzeugen. Bei
den meisten Anwendungsfällen
weist die Beschichtung eine Dicke von wenigsten 500 Angström, beispielsweise
von etwa 10 000 Angström
bis 25 000 Angström
auf.
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Bei
einer Ausführungsform
kann das erfindungsgemäße Verfahren
mit Vorteil dazu verwendet werden, relativ dicke Photolack-Beschichtungen
auszubilden. Insbesondere wurde vom Erfinder der vorliegenden Erfindung
entdeckt, dass sehr dünne
Photolack-Schichten mit der vorliegenden Erfindung auf Halbleiterwafern
ausgebildet werden können,
bei denen weniger Spannungen auftreten, so dass die Wahrscheinlichkeit
nachfolgender Sprünge
oder Aufbrechungen der Beschichtung verringert werden kann, die
typischerweise bei vielen herkömmlichen Verfahren
auftreten. Die vorliegende Erfindung ist darüber hinaus besonders vorteilhafter
Weise zur Erzeugung dünner
Photolack-Schichten
geeignet. Da der Prozess genau gesteuert bzw. geregelt werden kann
und da sehr gleichförmige
Beschichtungen hergestellt werden können, ist das Verfahren auch
sehr gut zur Ausbildung sehr dünner
Beschichtungen oder Schichten geeignet.
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Das
tatsächliche
Photolack-Material, das bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden
kann, kann von der speziellen Anwendung abhängen. Allgemein kann ein geeigneter
positiver oder negativer Photolack verwendet werden. Beispiele negativer
Photolacke umfassen polymere organische Materialien, wie Poly(Vinylcinnamat),
Poly-Isopren-Kautschuke, beispielsweise zyk lisierte cis-Poly-Isopren
in Verbindung mit einer vernetzenden Verbindung, beispielsweise
einem Bisazid. Die zuvor genannten negativen Photolack-Materialien sind
in verschiedenen Lösungsmitteln
gut löslich,
bevor sie ultraviolettem Licht ausgesetzt werden. Diese Lösungen umfassen
aromatische Lösungsmittel,
beispielsweise Benzol, Toluol, Xylol, ein Isodecan, "n"-Butylazetat
oder Isopropyl-Alkohol.
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Positive
Photolack-Materialien, die bei der vorliegenden Erfindung verwendet
werden können, umfassen
beispielsweise eine Kombination eines alkalilöslichen Kunststoffs mit geringem
Molekulargewicht, beispielsweise Phenolformaldehydnovolac, einen
photoaktiven Lösungs-Inhibitor,
der ein Orthochinon-Diazin
oder eine andere ähnliche
Verbindung sein kann, und ein Lösungsmittel,
beispielsweise Xylen oder Cellosolve-Acetat. Bei Belichtung mit
Licht einer bestimmten Wellenlänge,
baut sich positiver Photolack ab und wird in verschiedenen Lösungsmitteln
löslich,
beispielsweise in Alkalien, wie Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid
oder Tetramethylammonium-Hydroxid.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung, eine positive Photolack-Lösung, die in dem Prozess gemäß der vorliegenden
Erfindung verwendet werden kann, enthält zwischen etwa 10 Gewichtsprozent
und etwa 25 Gewichtsprozent eines Novolak-Kunststoffes, zwischen
etwas 10 Gewichtsprozent und etwa 25 Gewichtsprozent einer photoaktiven
Verbindung, beispielsweise Naphtochinon-Diazin, zwischen etwa 50
Prozent und etwa 70% eines Lösungsmittels,
beispielsweise Ethylenglykol-Monoethylether-Azetat oder Propylenglykol-Monoethylenether-Azetat
und gewünschtenfalls
andere Zusätze wie
Xylol oder Butylazetat, um das Trocknen und eine gleichförmige Applikation
zu erleichtern.
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Andere
positive Photolacke umfassen Poly-Methyl-Methacrylat und ihre Derivate.
Kürzlich wurden
Elektronenstrahl- und Röntgenstrahl-resistente
Systeme entwickelt, die Polyolefin-Sulfone, beispielsweise Poly(Butensulfon)
enthalten.
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Nachdem
eine Photolack-Beschichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung
ausgebildet wurde, kann die Beschichtung oder der Film einem Ätzprozess
unterworfen werden, bei dem ein vorgegebenes Muster in die Beschichtung
ausgebildet wird. Nach dem Ätzvorgang
kann die Schicht dann verwendet werden, um eine integrierte Schaltung
zu bilden.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung liegt das in die Kamera eingeführte Photolack-Material
als Gas, etwa als Dampf, vor. Bei dieser Ausführungsform kann die vorliegende
Erfindung ähnlich
oder gleich einem Verfahren arbeiten, das, wie zuvor beschrieben,
auf eine Flüssigkeit
gerichtet ist, die zersprüht
wird. Wenn ein Gas in die Kammer eingeleitet wird, kann die von
den Lampen emittierte Lichtenergie dazu verwendet werden, das Gas
auf dem Halbleiterwafer in eine feste Form umzuwandeln.
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Wenn
Gas in eine thermische Prozesskammer für die Reaktion mit einem Substrat
innerhalb der Kammer eingeleitet wird, so ist die vorliegende Erfindung
weiterhin auf ein System zum Reinigen des Gases gerichtet, bevor
es in die Kammer eintritt. Obwohl dieses Verfahren und dieses System
für die
Verwendung mit Gas-Zwischenstoffen bereits verwendet wird, das Photolack-Beschichtungen bildet,
so kann dieser Prozess selbstverständlich auch zum Reinigen metallischer,
dielektrischer und semi-leitender Zwischenstoffgase verwendet werden.
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4 zeigt
eine Ausführungsform
eines Gasreinigungssystems 100. Bei dieser Ausführungsform
werden zwei Gasströme 112 und 114 zu
einer thermischen Prozesskammer 110 geleitet. Die Gasströme 112 und 114 können dazu
verwendet werden, dasselbe Gas in die Kammer einzuleiten oder sie können dazu
verwendet werden, unterschiedliche Gase zuzuführen, die miteinander, mit
dem Substrat reagieren oder die eine gewünschte Atmosphäre innerhalb
der Kammer 110 schaffen. Wie in diesem Ausführungsbeispiel
dargestellt ist, werden die Gase, die über die Gasleitungen 112 und 114 geleitet
werden, durch Verdampfen einer Flüssigkeit gebildet.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung umfasst der Gasstrom 112 eine katalytische Minikammer 116, die
von mehreren Lampen 118 umgeben ist. Die Lampen 118 können so
ausgebildet sein, dass sie Wärmeenergie,
jedoch vorzugsweise ultraviolette Strahlung einschließlich Vakuumultraviolett-Strahlung
emittieren. Wenn Gase durch die Kammer 116 hindurch strömen, werden
die Gase entsprechend der vorliegenden Erfindung elektromagnetischer Strahlung
ausgesetzt, die von den Lampen emittiert werden. Die elektromagnetische
Strahlung, beispielsweise Ultraviolettstrahlung, verringert die
Unreinheiten innerhalb des Gases, beispielsweise irgendwelcher unerwünschter
Kohlenstoffe, die im Gasstrom enthalten sein können. Gewünschtenfalls kann die Kammer 116 eine
Katalysatorplatte 120 enthalten, die dafür ausgebildet
ist, die Rate bzw. Geschwindigkeit, mit der die chemische Zersetzung
innerhalb der Kammer erfolgt, zu erhöhen. Die katalytische Platte 120 kann
aus verschiedenen Materialien bestehen und mit Standardmaterialien,
etwa Nickel, beschichtet sein.
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Das
System kann weiterhin einen Spektroskopanalysierer 122 umfassen,
der dazu vorgesehen ist, das Gas zu analysieren, das durch die Kammer 116 geleitet
wird. Der Analysierer 122 kann dazu verwendet werden, sicherzustellen,
dass die meisten Unreinheiten bzw. Verunreinigungen aus dem Gasstrom
entfernt sind.
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Nachdem
das Gas die katalytische Kammer 116 verlassen hat, wird
es durch ein Filter 124 geleitet. Das Filter 124 filtert
metallische, Hydro-Kohlenstoff- und
andere Verunreinigungen aus, die im Gas enthalten sein können, bevor
es in die Reaktionskammer eintritt.
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Diese
und weitere Modifikationen und Abwandlungen der vorliegenden Erfindung
können
von einem Fachmann durchgeführt
werden, ohne dass dadurch der Erfindungsgedanke der vorliegenden
Erfindung verlassen wird, die insbesondere in den Ansprüchen angegeben
ist. Darüber
hinaus können selbstverständlich Aspekte
der verschiedenen Ausführungsformen
ganz oder teilweise ausgetauscht werden. Darüber hinaus sind Angaben in
der vorausgegange nen Beschreibung lediglich beispielhaft genannt,
und sie beschränken
nicht die Erfindung, die in den Ansprüchen angegeben ist.