DE3045281C2 - Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika - Google Patents

Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika

Info

Publication number
DE3045281C2
DE3045281C2 DE3045281T DE3045281T DE3045281C2 DE 3045281 C2 DE3045281 C2 DE 3045281C2 DE 3045281 T DE3045281 T DE 3045281T DE 3045281 T DE3045281 T DE 3045281T DE 3045281 C2 DE3045281 C2 DE 3045281C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solution
copper
electrochemical
holes
metallization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3045281T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3045281T1 (de
Inventor
Vladimir W. Novosibirsk Boldyrev
Oleg I. Berdsk Lomovskiv
Almaksud M. Novosibirsk Makkajev
Jurij I. Michajlov
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institut Fiziko-Chimiceskich Osnov Pererabotki Mineral'nogo Syr'ja Sibirskogo O
Original Assignee
Institut Fiziko-Chimiceskich Osnov Pererabotki Mineral'nogo Syr'ja Sibirskogo O
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institut Fiziko-Chimiceskich Osnov Pererabotki Mineral'nogo Syr'ja Sibirskogo O filed Critical Institut Fiziko-Chimiceskich Osnov Pererabotki Mineral'nogo Syr'ja Sibirskogo O
Publication of DE3045281T1 publication Critical patent/DE3045281T1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3045281C2 publication Critical patent/DE3045281C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1605Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1655Process features
    • C23C18/1664Process features with additional means during the plating process
    • C23C18/1667Radiant energy, e.g. laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1675Process conditions
    • C23C18/1678Heating of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1675Process conditions
    • C23C18/168Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • C23C18/1653Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1893Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073Multistep pretreatment
    • C23C18/2086Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/02Heating or cooling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/46Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48After-treatment of electroplated surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/422Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
    • H05K3/424Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S205/00Electrolysis: processes, compositions used therein, and methods of preparing the compositions
    • Y10S205/918Use of wave energy or electrical discharge during pretreatment of substrate or post-treatment of coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet -ti der elektrochemischen Abscheidung von Metall, Insbesondere eine Lösung zur Erzeugung einer katalytisch wirksamen, stromleitenden Grundierungsschicht auf einem Dielektrikum mit einem Kupfersalz, einem Salz der hypophosphorigen Säure, einem Stabilisator und jo Wasser und ein Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika.
Zum Zwecke der elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika sind Lösungen verschiedener Zusammensetzungen bekannt und wurden auch verwendet. So ü verwendet man Lösungen oberflächenaktiver Stoffe zum Entfetten der Oberfläche, saure Lösungen von Zinnchlorid zur Senslblllsierung der Oberfläche, Lösungen von Talladlumchlorld zur Aktivierung der Oberfläche, um den Prozeß der chemischen Verkupferung ZU katalysle- M) ren, Lösungen zur chemischen Verkupferung, d. h. zum Aufbringen einer dünnen (1 bis 3 um) stromleitenden Schicht, Lösungen von Elektrolyten zum elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht erforderlicher Dicke (UdSSR-Urhebersch. Nr. 240 061). t.5
Bekannt sind auch Lösungen, die sich insbesondere dadurch unterscheiden, daß man zur Aktivierung der Oberfläche Salze von verschiedenen Edelmetallen (Gold.
Silber, Platin u. a. m.) verwendet und auf die aktivierte Oberfläche eine stromleitende Schicht aus anderen Metallen (Nickel, Kobalt, Eisen u. a. m.) chemisch abscheidet. Entsprechend unterscheiden sich auch die Lösungen zur chemischen Metallisierung, die aus einem Salz des zu reduzierenden Metalls (Kupfer, Nickel, Kobalt, Eisen u.a.m.), einem Reduktionsmittel (Natriumborhydrid, Formaldehyd, Hydrazin u. a. m.) und einem Stabilisator, einer Lösung eines Komplexbildners für Metallionen (Citronensäure, Seignette-Salz). oder einem oberflächenaktiven Stoff (Dodecylaminacetat u.a.m.) bestehen (US-PS 35 15 649), US-PS 35 53 085, US-PS 37 64 488, US-PS 35 63 784).
Bekannt ist auch eine Lösung für die Aktivierung der Oberfläche vor der chemischen Metallisierung. Diese weist folgende Zusammensetzung auf: PdCl; 0,5 bis 1 g/l; HjSO4 40 bis 200 ml/1; SnCl· 30 bfc SO g/l; HCl 10 bis 50 ml/1 (US-PS 36 50 913).
Bekannt sind außerdem Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Durchgangslöchern mehrschichtiger Druckplatten, die sich von den oben genannten durch die zusätzliche Verwendung einer salzsauren Lösung von Rhodiumchlorid der folgenden Zusammensetzung unterscheidet: Rhodiumchlorid 4,5 bis 5 g/l. Salzsäure 200 bis 250 g/l (UdSSR-Urheberschein Nr. 4 70 940).
Alle oben genannten Lösungen zur elektrochemischen Metallisierung enthalten teure und schwer zugängliche Stoffe, wie Salze der Edelmetalle (Palladium, Gold. Silber, Platin, Rhodium), Stabilisatoren wie Citronensäure und Seignette-Salz. Die oben genannten Lösungen zur elektrochemischen Metallisierung sind wenig beständig und erfordern es, daß sie häufig eingestellt und ersetzt werden. Sie erlauben es nicht, einwandfrei chemische Überzüge mit hoher Reproduzierbarkeit aufzubringen.
Bekannt ist auch eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung g/l: Kupfersalz (umgerechnet auf metallisches Kupfer) 35 bis 40, Kaliumpyrophosphat 450 bis 500, Ammoniak 3 bis 6, Citronensäure 10 bis 20 (UdSSR-Urheberschein Nr. 1 59 368).
Diese Lösung besitzt jedoch ein schwaches Aktivierungsvermögen gegenüber den Dielektrika.
In der US-PS 30 46 159 ist für die stromlose Verkupferung von Metallsubstraten eine Lösung beschrieben, die als Bestandteile ein Kupfersalz, ein Hypophosphlt, einen Stabilisator und Wasser enthält, wobei eine unlösliche Cu(I)-Verblndung zugesetzt Ist. Die Konzentration der Lösungsbestandteile sind für eint andere Verwendung einer solchen Lösung, nämlich zur Erzeugung einer kata-.ytlsch wirksamen, stromleitenden Grundierungsschichl auf Dielektrika ungeeignet.
Es sind auch verschiedene Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika bekannt.
So wird beispielsweise die elektrochemische Metallisierung von Dielektrika wie folgt durchgeführt. Die Oberfläche wird entfettet, mit Wasser gewaschen, dann wird sie mit einer Zinnchloridlösung behandelt, gewaschen, mit einer Palladiumchloridlösung behandelt und wieder gewaschen. Durch die Aktivierung werden an der Oberfläche Teilchen an metallischem Palladium erzeugt, die als Initiator des Prozesses der chemischen Verkupferung dienen. Durch die chemische Verkupferung erzeugt man an der Oberfläche des Dielektrikums eine stromleitende Schicht. Dann führt man nach dem Waschen die elektrolytische Abscheidung eines Überzuges erforderlicher Dicke durch. (UdSSR-Urheberschein Nr. 2 40 061).
Ein anderes Verfahren unterscheidet sich von dem
genannten dadurch, daß die Aktivierung der Oberfläche unter Verwendung einer kombinierten Lösung von Zinnchlorid und Palladiumchlorid durchgeführt wird, um die Sensibilisierung und Aktivierung in einem Arbeitsgang durchzuführen und einen Waschvoreang zu vermeiden (US-PS 36 50 913).
Die DE-OS 27 16 729 beschreibt ein Verfahren, bei dem eine als Grundierungsschicht bezeichenbare kupferhaltige Schicht erzeugt wird, wobei eine Kupfersalzlösung in einem organischen Lösungsmittel verwendet wird, und unter Vermeidung eines Trocknungsschritis (ohne Erwärmen) wird die katalytisch wirksame Grundierungsschicht hydrolytisch durch Eintauchen in Wasser bzw. eine Lösung eines Reduktionsmittels erzeugt. Es sind keine Angaben enthalten, daß die erzeugte Grundierungsschicht elektrisch leitfähig ist.
Die genannten Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika sind kompliziert, dauern lange, die Abfälle der Edelmetalle Palladium und Rhodium müssen zurückgewonnen werden, und sie sind schlecht reproduzierbar.
Bekannt ist auch ein Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung, welches bei der Metallisierung von Wandungen der .Durchgangslöcher mehrschichtiger Druckplatten angewandt wird. Das Verfahren unterscheidet sich von den oben genannten Verfahren durch eine Vorbehandlung der Oberfläche mit einer Lösung von Rhodiumchlorid, um an den Stirnseiten der Kupferfolie einen Schutzfilm metallischen Rhodiums abzuscheiden, der die Bildung eines störenden Palladiumfilms in der Folgezeit n) verhindert (UdSSR-Urheberschein Nr. 4 70 940). Dieses Verfahren weist die Nachteile der obigen Verfahren auf. Außerdem ist die Haftfestigkeit der Metallisierungsschicht an der dielektrischen Oberfläche der Lochwandung unzureichend, da nur eine drei-bis fünffache Umlötung der Löcher möglich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Lösung zur Erzeugung einer katalytisch wirksamen, stromleitenden Grundierungsschicht auf einem Dielektrikum zu schaffen, die es ermöglicht, eine derartige Schicht mit verbesserter Haftung zu erzeugen, ohne daß Edelmetallsalze verwendet werden müssen, und ohne daß organische Lösungsmittel verwendet werden, und die eine Vereinfachung des Gesamtverfahrens zur elektrolytischen Metallisierung von Dielektrika ermöglicht.
Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur elektrolytischen Metallisierung von Dielektrika anzugeben, bei dem eine solche Lösung verwendet wird.
Diese Aufgabe wird bei einer Lösung zur Erzeugung -,n einer katalytisch wirksamen, stromleitenden Grundierungsschlcht auf einem Dielektrikum mit einem Kupfersalz, einem Salz der hypophosphorigen Säure, einem Stabilisator und Wasser dadurch gelöst, daß die Lösung folgende Bestandteile enthält: r">
Kupfersalz 35 bis 350 g/l
Salz der hypophosphorigen Säure 35 bis 400 g/l
Stabilisator 0,004 bis 250 g/l
Wasser bis zur Auffüllung auf 1 Liter.
60
Zur gleichmäßigeren Kristallisation des metallischen Kupfers an der Oberfläche des Dielektrikums Ist es bevorzugt, daß die genannte Lösung zusätzlich Alkallorthophosphat In einer Menge von 1 bis 14 g/l enthält. Die Lösung kann auch Ammonlumfluorid in einer Menge von 2 bis 36 g/l enthalten, was es ermöglicht, die Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche des Dielektrikums bei einer niedrigeren Temperatur durchzuführen. Wenn Alkaliorthophosphat in einer Menge von 1 bis 14 g/l und Ammoniumfluorid in einer Menge von 2 bis 36 g/l enthalten sind, wird eine Erhöhung des Aktivierungsvermögens der Lösung bewirkt.
Die Aufgabe wird bei einem Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika unier Verwendung der Lösung gemäß Anspruch 1 oder 2 zur Erzeugung einer katalytischen Gmndierungsschicht und Aktivierung der mit dieser Lösung benetzten Oberfläche des Dielektrikums, sowie anschließender elektrochemischer oder elektrolytischer Verkupferung dadurch gelöst, daß das mit der Lösung benetzte Dielektrikum zur Aktivierung unter Erzeugung einer elektrisch leitfähigen Kupferstahl einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 80 bis 350° C unterzogen wird.
Man führt die Wärmebehandlung vorzugsweise mit IR-Bestrahlung bei einer Temperatur von 220 bis 270° C innerhalb von 7 bis 20 Sekunden durch. Es ist auch vorteilhaft, die Wärmebehandlung auch durch gemeinsame !R- und UV-Bestrahlung bei einer Temperatur von ISO bis 220° C innerhalb von 5 bis 12 Sekunden durchzuführen.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, die Technologie des Prozesses zu vereinfachen und die Adhäsion der Metallschicht an der Oberfläche des Dielektrikums zu erhöheri Die erfindungsgemäße Lösung bzw. das Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika ermöglichen es. Überzüge von höherer Qualität aufzubringen, besonders bei der elektrochemischen Metallisierung von Durchgangslöchern von Druckplatten sowie in anderen Fällen, wo sich die bekannten Lösungen und Verfahren als ungeeignet erweisen, wie beispielsweise bei der Metallisierung von Piezokeramik.
Die erfindungsgcniaiJe Lösung enthält Kupferionen und Hypophosphitlonen. Als Kupfersalze kommen beliebige in Wasser gut lösliche Kupfersalze, wie Kupfersulfat, Kupferselenat, Kupfernitra.t und andere in Frage. Als Salze der hypophosphorigen Säure werfen Salze, wie Natriumhypophosphit, Kaliumhypophosphit, Aluminiumhypophosphlt und andere verwendet.
Die erfindungsgemäßen mengenmäßigen Verhältnisse der genannten Komponenten der Lösung gestatten es, das höchste Aklivlerungsvermögen zu gewährleisten. Die erfindungsgemäße Lösung kann durch gewöhnliche Auflösung der Komponenten In der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser bei Zimmertemperatur bereitet werden.
Zur kinetischen Hemmung der Oxidations-Redukcions-Wechselwirkung enthält die Lösung einen Stabilisator. Als Stabilisator für eine solche Lösung können Komplexbildner für Kupferionen, wie Triäthylendlamin, Äthylendiamln, Ammoniak, Glycerin und andere dienen. Die stabilisierende Wirkung solcher Komplexbildner besteht darin, daß sie die vorzeitige Übertragung der Elektronen von den Hypophosphllionen an die Kupferionen verhindern. Andererseits können als Stabilisatoren für eine solche Lösung oberflächenaktiven Stoffe, wie Dodecylaminacetat, dienen. Derartige Stabilisatoren behindern nicht die direkte Übertragung der Elektronen von den Hypophosphitionen auf die Ionen des Reduktionsmittels.
Die stabilisierende Wirkung oberflächenaktiver Stoffe besteht darin, daß sie die in der Lösung entstehenden Kupfertellchen passivleren und den Übergang des Oxldatlons-Reduktlons-Prozesses In einen autokatalytischen Prozeß verhindern.
Somit Ist die Kupferionen und Hypophosphitlonen enthaltende Lösung In Gegenwart von Stabilisatoren hlnrel-
chend beständig bei Zimmertemperatur. Sie ist jedoch metastabil. Bei der Erhitzung des mit einer solchen Lösung benetzten Dielektrikums setzt dann infolge der Aktivierung der chemischen Umwandlungen der Prozeß der Reduktion des Kupfers ein, wobei die Kristallisation des metallischen Kupfers an der Oberfläche des Dielektrikums vor allem an den Unvollkommenheiten der Oberfläch?, d. h. in den Poren, Rissen u. ä. m. erfolgt, was im Endergebnis eine erhöhte Haftfestigkeit gewährleistet.
In Gegenwart eines Zusatzes von Alkaliphosphaten, wie Natriumphosphat, Kaliumphosphat und andere, wird eine gleichmäßigere Bedeckung der Oberfläche herbeigeführt, während es in Gegenwart eines Zusatzes von Ammoniumfluorid möglich wird, den Prozeß der Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche des Dielektrikums bei einer niedrigeren Temperatur durchzuführen.
Die Erzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche des Dielektrikums kann in einem breiten Temperaturbereich durchgeführt werder·. wobei die Wärmebehandlung unter der Wirkung einer Bestrahlung bei einer Temperatur von 220 bis 270° C innerhalb von 7 bis 20 Sekunden wirksamer ist. Ein besonders wirksames Resultat erhält man bei gemeinsamer Anwendung einer IR- und UV-Bestrahlung bei einer Temperatur von 180 bis 220° C innerhalb von 5 bis 12 Sekunden, weil die UV-Strahlung die chemischen Umsetzungen zusätzlich stimuliert.
Durch die Wärmebehandlung der Oberfläche des mit der oben genannten Lösung benetzten Dielektrikum; bildet sich an der Oberfläche des Dielektrikums ein Niederschlag von schwarzer Farbe, welcher aus Teilchen feindispersen metallischen Kupfers besteht.
Aufgrund der spezifischen Eigenschaften des feindispersen Metalls ist eine solche Oberfläche bei angelegtem elektrischem Feld stromleiiend trotz des möglichen Fehlens eines engen mechanischen Kontaktes solcher Teilchen. Gerade dadurch wird es anschließend möglich.' eine Metallschicht erforderlicher Dicke direkt unter Vermeiden einer chemischen Verkupferung elektrolytisch abzuscheiden. Jedoch können aufgrund derselben spezifischen Eigenschaften des Metalls in hochdispersem Zustand die an der Oberfläche bei der Wärmebehandlung entstandenen Teilchen des metallischen Kupfers auch als Katalysator für den Prozeß einer chemischen Verkupferung dienen. Dadurch wird es möglich, im Bedarfsfall eine chemische Verkupferung der Oberfläche nach der Wärmebehandlung :',nd dem Abwaschen des Dielektrikums zum Zwecke einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der stromleiUnden Schicht durchzuführen, was sich bei dem darauffolgenden elektrolytischen Abscheiden einer Metallschicht einer gewünschten Dicke günstig auswirkt. Die Erzeugung einer stromleitenden Schicht an der Oberfläche des Dielektrikums gestattet es, verschiedene Metalle aus entsprechenden Elektrolyten elektrolytisch abzuscheiden.
Die Wirksamkeit der Anwendung der erfindungsgemäßen Lösung bzw. des Verfahrens zur elektrochemischen Metallisierung kann am Beispiel der Metallisierung der Wandungen von Durchgangslöchern in Druckplatten illustriert werden, die ein besonders wichtiges Problem auf dem Gebiet der Metallisierung von Dielektrika darstellt.
Die elektrochemische Metallisierung der Wandungen von Durchgangslöc1 ern In Druckplatten wird wie folgt durchgeführt. Aus einer Folie aus einem mit Kunstharz getränkten Glasfaserstoff schneidet man Halbzeuge von
der Größe der jeweiligen Platten, bringt Fotoresist auf, exponiert, bringt Schutzlack auf, bohrt Löcher nach dem Leitungsbild, entfettet die Wandungen der Löcher und wäscht. Dann benetzt man die Wandungen der Löcher mit der erfindungsgemäßen Lösung und führt danach die Wärmebehandlung vorzugsweise durch IR-Bestra'.dung oder gemeinsame IR- und UV-Bestrahlung bis zur Schwärzung der Wandungen der Löcher der Druckplatten durch und wäscht anschließend. Nach der Wäsche führt man eine elektrochemische Abscheidung einer Metallschicht erforderlicher Dicke auf die Wandungen der Löcher durch. Das genannte Verfahren weist gegenüber dem bekannten Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Durchgangslöchern der Druckplatten folgende Vorteile auf:
Erstens wird der technologische Prozeß der elektrochemischen Metallisierung der Durchgangslöcher wesentlich vereinfacht. Die Vereinfachung ergibt sich aus der Verringerung der Anzahl der Operationen, der Senkung der ?n Dauer des Prozesses (die für oic Vorbereitung der Löcher zum elektrochemischen Abscheiden des Überzuges benötigte Zeit sinkt von 35 bis 40 Minuten auf 2 bis 15 Minuten in Abhängigkeit von den Bedingungen der Wärmebehandlung), dem Wegfall der Notwendigkeit, bei der Aktivierung der Wandungen der Löcher und ihrer chemischen Verkupferung verschiedene Lösungen zu bereiten, zu verwenden, einzustellen und die Abfalls dieser Lösungen zu verwerten. Die Ausschaltung der chemischen Verkupferung gestattet es. In einem Betrieb mit Serienfertigung die Straße der Metallisierung von Löchern von 20 m auf 8 m zu verkürzen. Produktionsflächen und Arbeitskräfte freizumachen.
Zweitens wird die Ahäsion des Metallüberzuges an den Wandungen der Löcher verbessert. Das erfindungsgemäße Verfahren eliminiert die Probleme der technologischen Zuverlässigkeit der Haftung des Metallüberzuges an den Stirnseiten der Kupferkontaktflächen, da die Verwendung von Palladiumsalzen vermieden wird. Andererseits bewirkt das Verfahren eine Erhöhung der Haftfe-4" stigkeit an der dielektrischen Oberfläche der Wandungen der Löcher. Die Ergebnisse der Haftfestigkeitsprüfung des metallisierten Hohlniets an der Wandungen der Löcher ergaben, daß die Löcher in den Platten eine 12-bls 15fache Umlötung erlauben, während nach dem bekannten Verfahren nur eine 3- bis 5fache Umlötung ermöglicht wird. Drittens werden bei dem Verfahren keine schwerzugänglichen Stoffe verwendet.
Die erfindungsgemäße Lösung zur elektrochemischen Metallisierung kann hauptsächlich zur Erzeugung einer stromleitendeti Schicht an der Oberfläche von Dielektrika vor dem anschließenden elektrochemischen Aufbringen sowohl funktloneller als auch dekorativer Metall-Überzüge auf die Oberfläche von mit Kunstharz getränktem Glasfaserstoff, Glas, Keramik, Aktivkohlen, Kunststoffpulvern. Papier, Gewebe und verschiedener anderer Dielektrika angewandt werden. Die erfindungsgemäße Lösung bzw. das Verfahren zur elektrochemischen Metallisierunf von Dielektrika findet Anwendung in de,-elektrochemischen Industrie, in der Haushaltstechnik, im Schiffs-, Flugzeug- und Krafifahrzeugbau, Im Gerätebau und In anderen Teilgebieten der Technik. Sie können unter anderem bei der Metallisierung von Durchgangslöchern einseitiger, doppelseitiger und mehrschichtiger Druckplatten ν·_'wendet werden.
Zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung werden nachstehend konkrete Varianten der erfindungsgemäßen Lösung bzw. des Verfahrens zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika angeführt.
Beispiel I
Man verwendet eine Lösung /ur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupfersulfat
Natriumhypophosphit
Triäthylendlamin
350 400 180
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der kompo- ι· nenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man /ur elektrochemischen Metallisierung der Wandungen von Durchgangslochern von Druckplatten bei der Erzeugung der sinmileitenden Schicht an der Oberfläche der Wandungen vor der elektrolytischen Abscheidung.
Die Herstellung der Druckplatten erfolgt in folgender
Rpihpnfnlup *^'!S (1InPr f-Cilip :>ns ρίηρηι ΓΠ!1 ^ "PH'h-tf7 getriinklen Glasfaserstoff schneidet man Halbzeuge von der Größe der jeweiligen Platten mit einer Zugabe von 15 mm. bringt Fotoresist auf. exponiert, bringt Schutzlack auf. bohrt Löcher nach dem Leitungsbild, entfettet die Wandungen der Löcher in der Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wascht. Man benetzt dann die Halbzeuge mit der oben genannten Lösung innerhalb von 0.5 Minuten, führt die Wärmebehandlung mit IR-Strahlung bei einer Temperatur von 220 C innerhalb von 20 Sekunden bis zur Schwärzung der Wandungen der Löcher der Druckplatten durch und wäscht in kaltem fließendem Wasser. Danach entfernt man den Schutzlack und scheidet elektrolytisch auf die Wandungen der Löcher und die stromführenden Spuren eine Kupferschicht unter folgenden Bedingungen ab: Zusammensetzung des Elektrolyten, g/l:
Kupfervitriol
230
Äthanol
Stromdichte
10 3 bis 4 A/cnr
Zeitdauer der elektrochemischen Verkupferung 60 '" Minuten. Kupferschichtdicke 30 um. Temperatur der Lösung 18 bis 25' C. Dann scheidet man galvanisch einen Schutzüberzug aus Silber von 12 um Dicke ab, ätzt das Kupfer von den nichtdruckenden Elementen weg und führt die mechanische Fertigbearbeitung der Platten -n durch.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht ab-.eschieden. Die Haftfestigkeit der v> Nietallschicht an der Oberfläche der Wandungen der Löcher ermöglicht eine mindestens 12fache Umlötung der Löcher, was den an die metallisierten Löcher von Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt.
55
Beispiel 2
Man verwendet eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung der folgenden Zusammensetzung. g/I:
Kupferselenat 180
Natriumhypophosphit 160
Glycerin 90
Ammoniumfluorid 36
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung der Wandungen von Durchgangslöchern der Druckplatten bei der Urzeugung der stromleitenden Schicht an der Oberfläche der Wandungen vor der elektrolytischen Abscheidung. Die Herstellung der Druckplatte erfolgt analog dem in Beispiel I beschriebenen. Die Erzeugung der stromleltendcn Schicht an der Oberfläche der Wandungen der löcher erfolgt wie folgt. Man benetzt das Halbzeug mit der oben genannten lösung I Minute lang, führt dann die Wärmebehandlung mit IR-Sirahlung bei einer Temperatur von 270 C innerhalb von 7 Sekunden bis zur Schwärzung der Wandungen der löcher durch und wäscht in fließendem Wasse:. Dann tühn man zum Zwecke einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der stromleitenden Schicht eine chemische Verkupler'.inu der Wandungen der Löcher in einer bekannten Lösung mit der Zusammensetzung, g/l
Kuplersulfal
Kaliiimnatriumtartrat
Ätznatron
Natriumcarbonat
Nickelchlorid
Formaldehyd
innerhalb von 15 Minuten bei einer Temperatur von 20 C durch Danach wird die Herstellung der Druckplatte analog der in Beispiel 1 beschriebenen durchgelührt.
Durch ΐ .e elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Dh Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Wandungen der Löcher ermöglicht eine mindestens 12fache L'mlötung der Löcher, was den an die metallisierten Löcher von Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt
Beispiel 3
Man verwendet eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupfersulfat
Kaliumhypophosphit
Dodecvlaminacetat
35 35 0.004
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung sowohl der Wandungen der Durchgangslöcher als auch der Oberfläche der Druckplatte bei ihrer Herstellung nach der halbadditiven Methode.
Die Herstellung der Druckplatte nach der halbaujitiven Methode wird wie folgt durchgeführt. Das Halbzeug aus mit einem Haftmittel aus Epoxidkautschuk überzogenem mit Kunstharz durchtränktem Glasfaserstoff mit durchgebohrten Löchern entfettet man durch Waschen in Dimethylformamid innerhalb von 30 Minuten, ätzt das Haftmittel bei einer Temperatur von 20" C 2 Minuten lang in einer Lösung, welche (g/l) Chromsäureanhydrid 950. Schwefelsäure 85.5. Eisensulfat 3 enthält und wäscht mit Wasser. Das Halbzeug benetzt man 2 Minuten lang mit der oben genannten Lösung und unterwirft es einer Wärmebehandlung mit IR-Strahlung bei einer Temperatur von 250= C für 15 Sekunden bis zur Schwärzung der Wandungen der Löcher und der Oberfläche der Platte, wonach die Platte gewaschen wird. Zum Zwecke einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit der stromleitenden Schicht führt man eine chemische Verkupferung der Wandungen der Löcher und der Oberfläche der Platte in der bekannten Lösung der folgenden Zusam-
mcnseizung, g/l, durch:
Kupfersulfai
Kai Ium natrium tart ral
Ätznatron
Natriumkarbonat
lormaldchydlösung (33\ig)
20 bis 30 ml/l
Die Zeitdauer der vhemischen Verkupl'erung beträgt 30 Minuten, die Temperatur 20" C". Die Platte wäscht man mit VVasser und führt die elektrolytisc'ic Abscheidung einer Kupierschicht auf die Wandungen der I öcher und die Oberfläche der Plane durch. Die weitere Herstellung vier Druckplatte erfolgt in .in sich bekannter Weise
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Wandungen der Löcher der Druckplatten eine dichte, gleichmäßige, ieinkristalllne. leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Nictuü'chich! .:r. der Oberfläche ".!'.τ w.indimLvn der Löcher ermöglicht eine mindestens Iülache l'mlötung der Löcher, aas den .in die metallisierten I öcher von Druckplatten gestellten Forderungen durchaus genügt. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Platte beträgt 1267 bis 1400 g/.-ni. was die in den bekannten '.'erfahren /ur elektrochemischen Metallisierung w>n Dielektrika erreichten llaftlestigkeilswerte übersteigt.
HeI spie I 4
Man verwendet eine Lösung /ur elektrochemischen Mobilisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupfernitrat
Kuliunihypohosph.il
Ammoniak
Kaliumphosphat
AmtmHiiüiVifi'üöfiu
280
240
235
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemischen Metallisierung von Piezokeramik. Dazu entfettet man eine Platte aus Piezokeramik (Bariumtitanat) in einer Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wäscht. Man benetzt dann die Platte mit der oben genannten Lösung 20 Sekunden lang und unterwirft sie dann einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 80-" C innerhalb von 10 Minuten bis zur Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewaschen wird. Die elektrolytische Abscheidung einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog dem in Beispiel 1 beschriebenen.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Platte eine dichte, gleichmäßige, feinkristalline leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Platte aus Piezokeramik beträgt 1333 bis 1433 g/cm.
Beispiel 5
Man verwendet eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
110 100 150
Kupferselenat
Ammoniumhypophosphit
Ammoniak
sehen Metallisierung eines glaskeramischen Materials bei tier Lr/eugung einer stromleitenden Schicht an der Ober-Mäche vor der elektrolytischen Abscheidung. Dazu entfettet man eine Platte aus nicht geschliffenem glaskeramischem Material in einer Lösung eines oberflächenakti-'.en Stoffes und wäscht. Man benetzt dann die Platte 40 Sekunden lang mit der oben genannten Lösung und unterwirft sie danach 10 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unter gleichzeitiger Einwirkung von IR-Strah- > lung und UV-Strahlung bei einer Temperatur von 200° C bis /ur Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewaschen wird.
Die elektrolytische Abscheidung einer Kupferschicht iul\iie Oberfläche der Platte erfolgt analog Beispiel I
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der oberlläche tor glaskeramischen Platte eine dichte. ^lelchmuMige. leinkristalline, leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an de- Oberlläche der Platte aus Sital betrügt 1533 i/cm bis IWlO g/cm.
Beispiel ft
Man verwendet eine Lösung für elektrochemische Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, ji/l:
Kupfersulfat
Kaliunihypophosphit
Xthylendiamin
Dodecylaminacelat
Kaliumphosphat
50
50
34
0,007 14
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in der genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man zur elektrochemi-
;. sehen Metallisierung von Karton bei der Erzeugung einer stromleitenden Schicht an seiner Oberfläche vor der elektrolytischen Abscheidung. Dazu enifeüei man eine Platte aus Karton in einer Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wäscht. Man benetzt dann die Platte mit der
vi oben genannten Lösung 30 Sekunden lang und unter« rlt sie danach 5 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unter gleichzeitiger Einwirkung von IR-Strahlung und UV-Strahlung bei einer Temperatur von 350° C bis zur Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte
4» mit Wasser gewaschen wird.
Die elektrolytisch^ Abscheidung einer Kupferschicht auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog Beispiel 1.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Platte aus Karton eine dichte, gleichmäßige, feinkristalline, leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Platte aus Karton beträgt 1167 bis 1233 g/cm
Beispiel 7
Man verwendet eine Lösung zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika der folgenden Zusammensetzung, g/l:
Kupfernitrat
Natriumhypophosphit
Äthylendiamin
Natriumphosphat
200
190
84
Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in ner genannten. Reihenfolge in destilliertem Wasser .; <ung verwendet man zur elektrochemi-Die Lösung bereitet man durch Auflösung der Komponenten in üer genannten Reihenfolge in destilliertem Wasser. Die Lösung verwendet man zur elekrochemi- ;cnen Metallisierung eines Erzeugnisses aus Hartgummi
bei der Urzeugung einer stromleitenden Schicht an der Oberfläche vor der elektrolytischen Abscheidung. Dazu unterwirft man eine Platte aus Hartgummi einer Sandstrahlbchandlung, um Ihre Oberfläche aufzurauhen, entfettet in einer Lösung eines oberflächenaktiven Stoffes und wäscht. Die Lrzeugung der stromleitenden Schicht an der Platte erfolgt wie folgt. Man benetzt 1 Minute lang die Oberfläche d'Ji Platte mit der oben genannten Lösung und unterwirft sie 12 Sekunden lang einer Wärmebehandlung unter gleichzeitiger Einwirkung von IR- und UV-Strahlung bei Jincr Temperatur von 220 C bis zur Schwärzung der Oberfläche der Platte, wonach die Platte mit Wasser gewa'xhen wird.
Die eleklrolylische Abscheidung einer Kuplerschiehi auf die Oberfläche der Platte erfolgt analog Beispiel I.
Durch die elektrochemische Metallisierung wird an der Oberfläche der Platte aus Hartgummi eine leuchtend rosafarbene Schicht abgeschieden. Die Haftfestigkeit der Metallschicht an der Oberfläche der Platte aus Hartgummi beträgt 1733 bis 1800 g/cm.

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Lösung zur Erzeugung einer katalytisch wirksamen, stromleitenden Grundierungsschicht auf einem Dielektrikum mit einem Kupfersalz, einem Salz der hypophosphorigen Säure, einem Stabilisator und Wasser, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung folgende Bestandteile enthält:
Kupfersalz 25 bis 350 g/l
Salz der hypophosphorigen Säure 35 bis 400 g/l Stabilisator 0,004 bis 250 g/l
Wasser bis zur Auffüllung auf 1 Liter.
2. Lösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie zusätzlich Alkaiiorthophosphat in einer Menge von 1 bis 14 g/l und/oder Ammoniumfluorid in einer Menge von 2 bis 36 g/l enthält.
3. Verfahren zur elektrochemischen Metallisierung von Dielektrika unter Verwendung der Lösung gemäß Anspruch 1 oder 2 zur Erzeugung einer katalytischen Grundierungsschicht und Aktivierung der mit dieser Lösung benetzten Oberfläche des Dielektrikums, sowie anschließender elektrochemischer oder elektrolytischer Verkupferung, dadurch gekennzeichnet, daß das mit der Lösung benetzte Dielektrikum zur Aktivierung unter Erzeugung einer elektrisch leitfähigen Kupferschicht einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 80 bis 35O^ C unterzogen wird. J"
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung durch IR-Bestrahlung bei einer Temperatur von 220 bis 2705 C innerhalb von 7 bis 20 Sekunden durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn- )5 zeichnet, daß die Wärmebehandlung durch gemeinsame IR- und UV-Bestrahlung bei einer Temperatur von 180 bis 220' C innerhalb von 5 bis 12 Sekunden durchgeführt wird.
DE3045281T 1979-06-19 1980-04-25 Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika Expired DE3045281C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792772501A SU921124A1 (ru) 1979-06-19 1979-06-19 Способ металлизации отверстий печатных плат
PCT/SU1980/000063 WO1980002570A1 (en) 1979-06-19 1980-04-25 Solution for activation of dielectric surface and obtaining conducting layer thereon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3045281T1 DE3045281T1 (de) 1982-02-18
DE3045281C2 true DE3045281C2 (de) 1984-03-08

Family

ID=20830407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3045281T Expired DE3045281C2 (de) 1979-06-19 1980-04-25 Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4576689A (de)
JP (1) JPS59500869A (de)
DE (1) DE3045281C2 (de)
FR (1) FR2459300A1 (de)
SE (1) SE442124B (de)
SU (1) SU921124A1 (de)
WO (1) WO1980002570A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138214A1 (de) * 1991-11-21 1993-05-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von aluminiumnitridkeramik

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8513152D0 (en) * 1985-05-24 1985-06-26 Ciba Geigy Ag Diagnostic strips
EP0322764B1 (de) * 1987-12-24 1993-03-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Verfahren zur Herstellung von Körpern mit einem Kupferüberzug
GB8821503D0 (en) * 1988-09-14 1988-10-12 Macpherson Plc Protecting metallic layers on substrates
US5358907A (en) * 1990-01-30 1994-10-25 Xerox Corporation Method of electrolessly depositing metals on a silicon substrate by immersing the substrate in hydrofluoric acid containing a buffered metal salt solution
US5213840A (en) * 1990-05-01 1993-05-25 Macdermid, Incorporated Method for improving adhesion to polymide surfaces
DE69229115T2 (de) * 1991-06-20 1999-10-14 Harnden Basische beschleunigerlösung zur direkten elektrobeschichtung
US6921467B2 (en) * 1996-07-15 2005-07-26 Semitool, Inc. Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6752584B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-22 Semitool, Inc. Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US7244677B2 (en) 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6565729B2 (en) * 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
US6197181B1 (en) * 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
TW593731B (en) 1998-03-20 2004-06-21 Semitool Inc Apparatus for applying a metal structure to a workpiece
US6126761A (en) 1998-06-10 2000-10-03 International Business Machines Corporation Process of controlling grain growth in metal films
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
MXPA01001907A (es) * 1998-08-21 2003-05-15 Stanford Res Inst Int Impresion de circuitos y componentes electronicos.
WO2000040779A1 (en) 1998-12-31 2000-07-13 Semitool, Inc. Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece
US7020537B2 (en) 1999-04-13 2006-03-28 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
US7438788B2 (en) * 1999-04-13 2008-10-21 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7264698B2 (en) * 1999-04-13 2007-09-04 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7351315B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US6368475B1 (en) * 2000-03-21 2002-04-09 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7585398B2 (en) * 1999-04-13 2009-09-08 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
US7351314B2 (en) 2003-12-05 2008-04-01 Semitool, Inc. Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces
TWI226387B (en) * 1999-04-13 2005-01-11 Semitool Inc Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow
US7189318B2 (en) * 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US20030038035A1 (en) * 2001-05-30 2003-02-27 Wilson Gregory J. Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces
US20050183959A1 (en) * 2000-04-13 2005-08-25 Wilson Gregory J. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece
AU2001259504A1 (en) * 2000-05-24 2001-12-03 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
AU2001282879A1 (en) * 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
JP2005501180A (ja) 2001-08-31 2005-01-13 セミトゥール・インコーポレイテッド 超小型電子ワークピースの電気化学処理のための装置及び方法
US6893505B2 (en) * 2002-05-08 2005-05-17 Semitool, Inc. Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids
US7025866B2 (en) * 2002-08-21 2006-04-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces
US20040108212A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Lyndon Graham Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
US20050221112A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Daewoong Suh Microtools for package substrate patterning
US20050230262A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Semitool, Inc. Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features
US7513090B2 (en) * 2006-07-11 2009-04-07 Automated Packaging Systems, Inc. Apparatus and method for making fluid filled units
US20080264774A1 (en) * 2007-04-25 2008-10-30 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal onto a microelectronic workpiece
CN102534704B (zh) * 2012-01-16 2014-07-16 青岛大学 酸性电镀铜溶液氯离子替代方法
RU2708677C1 (ru) * 2019-02-08 2019-12-11 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Способ металлизации сквозных отверстий в полуизолирующих полупроводниковых подложках
JP7311838B2 (ja) * 2019-09-12 2023-07-20 住友金属鉱山株式会社 銅張積層板の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046159A (en) * 1957-12-17 1962-07-24 Hughes Aircraft Co Method of copper plating by chemical reduction
DE2716729A1 (de) * 1976-04-13 1977-10-20 Kollmorgen Tech Corp Verfahren zum stromlosen metallisieren

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1005619A (en) * 1962-06-29 1965-09-22 Ibm Improvements in and relating to the deposition of copper on non-conductive surfaces
US3307972A (en) * 1963-03-11 1967-03-07 Bell Telephone Labor Inc Electroless copper deposition
US3716462A (en) * 1970-10-05 1973-02-13 D Jensen Copper plating on zinc and its alloys
US3994727A (en) * 1971-07-29 1976-11-30 Photocircuits Divison Of Kollmorgen Corporation Formation of metal images using reducible non-noble metal salts and light sensitive reducing agents
US4209331A (en) * 1978-05-25 1980-06-24 Macdermid Incorporated Electroless copper composition solution using a hypophosphite reducing agent

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046159A (en) * 1957-12-17 1962-07-24 Hughes Aircraft Co Method of copper plating by chemical reduction
DE2716729A1 (de) * 1976-04-13 1977-10-20 Kollmorgen Tech Corp Verfahren zum stromlosen metallisieren

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4138214A1 (de) * 1991-11-21 1993-05-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von aluminiumnitridkeramik

Also Published As

Publication number Publication date
FR2459300B1 (de) 1984-01-27
SE442124B (sv) 1985-12-02
FR2459300A1 (fr) 1981-01-09
DE3045281T1 (de) 1982-02-18
JPS6133077B2 (de) 1986-07-31
US4576689A (en) 1986-03-18
SU921124A1 (ru) 1982-04-15
JPS59500869A (ja) 1984-05-17
WO1980002570A1 (en) 1980-11-27
SE8101066L (sv) 1981-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3045281C2 (de) Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika
EP0109920B1 (de) Verfahren zum Reinigen von Löchern in gedruckten Schaltungsplatten mit permanganathaltigen und basischen Lösungen
EP0489759B1 (de) Verfahren zur herstellung einer durchkontaktierten leiterplatte
DE69434619T2 (de) Sich selbstbeschleunigendes und sich selbst auffrischendes Verfahren zur Tauchbeschichtung ohne Formaldehyd, sowie die entsprechende Zusammensetzung
DE3002166C2 (de)
DE3323476C2 (de)
DE3421988C2 (de)
DE1521436B2 (de) Verfahren zum Herstellen von auf Isolierstofftrager aufgebrachte ge druckte Schaltungen oder dergleichen
DE1197720B (de) Verfahren zur Vorbehandlung von insbesondere dielektrischen Traegern vor der stromlosen Metallabscheidung
DE2159612A1 (de) Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper
DE3741459C1 (de) Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter Leiterplatten
DE3806884C1 (en) Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it
DE2500160C2 (de) Verfahren zur galvanischen Herstellung von metallischen Knötchen auf metallischen Oberflächen
DE69730288T2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Leiterplatten mit galvanisierten Widerständen
EP0417750B1 (de) Verfahren zur direkten Metallisierung von Leiterplatten
DE1665314C2 (de) Basismaterial zur Herstellung gedruckter Schaltungen
DE3304004A1 (de) Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten schaltungen
DE4402413C2 (de) Verfahren zum Elektroplattieren
EP0696410B1 (de) Verfahren zur durchkontaktierung von leiterplatten mittels leitfähiger kunststoffe zur direkten metallisierung
EP0802266B1 (de) Verfahren zur Herstellung von induktiv arbeitenden Zählsystemen
DE3543615A1 (de) Verfahren zum herstellen eines stromlos abgeschiedenen metallbelages auf einer keramischen unterlage
AT334452B (de) Verfahren zur herstellung einer mehrschichtleiterplatte
DE1496834C (de) Verfahren zum elektrolytischen Metalli sieren poröser nichtleitender Korper
DE3940407A1 (de) Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung
DE2142169A1 (de) Verfahren zum stromlosen auftragen eines kupferueberzuges und durch dieses verfahren hergestellte gedruckte schaltung

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee