DE19652376A1 - Positioner for directional processing in production of monocrystalline semiconductor wafers - Google Patents

Positioner for directional processing in production of monocrystalline semiconductor wafers

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    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

The fastening platelet (3) has at least one orthogonally etched window. An AIIIBV semiconductor wafer (8) to be positioned has an orthogonally split surface and is so fastened in the window of the Si fastening platelet (3) that, at the latter, etching edges abut the split faces of the semiconductor wafer. A spacer disc (4), located on the Si fastening platelet, has an aperture of at least the size of the semiconductor wafer and carries a slot mask (5) with the same outer contours as the Si fastening platelet. A three-point mechanism provides securing of aligned outer contours of the fastening platelet and the slot mask. There are guide pins (9) for vertical components and fasteners (10,10') after completed positioning.

Description

Die Erfindung betrifft eine Positioniervorrichtung für die gerichtete Bearbeitung einkristalliner Halbleiterwafer.The invention relates to a positioning device for directional processing single crystal semiconductor wafer.

Für gerichtet wirkende Bearbeitungen von Monokristallen mit definierter Struktur ist eine genaue Positionierung dieser Kristalle bezüglich einer eventuell notwendigen Schablone und einem auf den Kristall einwirkenden Mittel erforderlich.For directed processing of monocrystals with defined Structure is an exact positioning of these crystals with respect to one possibly necessary template and one acting on the crystal Funds required.

Allgemein bekannt sind hierzu feinmechanische Konstruktionen, bei denen mittels Justierschrauben oder Mikromanipulatoren in Mikroskopsicht eine Positionierung des zu bearbeitenden Kristalls und der Schablone zueinander durchgeführt wird. Diese Lösungen erfordern einen großen Justieraufwand und sind oftmals für kommerziell erhältliche Vakuumanlagen, in denen eine gewünschte Bearbeitung durchgeführt werden soll, in ihren Abmessungen zu groß, um vorgesehene Schleusen und dgl. nutzen zu können.Precise mechanical constructions in which using adjusting screws or micromanipulators in microscope view Positioning of the crystal to be processed and the template to each other is carried out. These solutions require a lot of adjustment and are often for commercially available vacuum systems in which a desired processing should be carried out in their dimensions large in order to be able to use the planned locks and the like.

So ist beispielsweise in ECIO'93, Neuchatêl, Proceedings pp. 14-15 beschrieben, daß auf dem zu bearbeitenden Wafer ein Distanzstück und auf diesem eine das Distanzstück in seiner Fläche überragende Schattenmaske fixiert ist. Die in dieser Veröffentlichung dargestellte Anordnung der Schattenmaske zum Halbleiterkristall und der Abstandsscheibe auf einem rotierenden Teller ermöglicht das direkte Schattenätzen, jedoch sind bei Verwendung geeigneter Justiervorrichtungen die Schleusenmaße mancher zum Einsatz kommender Vakuumanlagen nicht einzuhalten.For example, in ECIO'93, Neuchatêl, Proceedings pp. 14-15 described that a spacer and on the wafer to be processed this one shadow mask that surpasses the spacer in its area is fixed. The arrangement of the Shadow mask to the semiconductor crystal and the spacer on one rotating plate allows direct shadow etching, but are at The use of suitable adjustment devices allows the lock dimensions of some to comply with the use of upcoming vacuum systems.

Deshalb ist es Aufgabe der Erfindung, eine Positioniervorrichtung für die gerichtete Bearbeitung von einkristallinen Halbleiterwafern anzugeben, die geringe Abmessungen aufweisen und trotzdem eine große Fixiergenauigkeit, einfache Handhabbarkeit und gute Wärmeabführung gewährleisten. It is therefore an object of the invention to provide a positioning device for the Specify directional processing of single crystal semiconductor wafers that have small dimensions and still a high fixing accuracy, ensure easy handling and good heat dissipation.  

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Positioniervorrichtung gelöst, die aus einem Kontaktteller, einer auf dem Kontaktteller aufgelegten Basisplatine, einer auf der Basisplatine angeordneten Si-Fixierplatine mit mindestens einem orthogonal geätzten Fenster, einem zu positionierenden AIIIBV-Halbleiterwafer mit orthogonal gespaltener Fläche, wobei dieser in dem Fenster der Si-Fixierplatine derart fixiert ist, daß an den Ätzkanten der Si- Fixierplatine die Spaltflächen des AIIIBV-Halbleiterwafers anliegen, einer eine Öffnung mindestens in der Größe des zu bearbeitenden AIIIBV-Halbleiterwafers aufweisenden Distanzscheibe, die auf die Si-Fixierplatine aufgelegt ist, einer auf der Distanzscheibe angeordneten Schlitzmaske mit gleichen Außenkonturen wie die Si-Fixierplatine und einer Dreipunktanlage für die deckungsgleiche Fixierung der Außenkonturen der Si-Fixierplatine und der Schlitzmaske sowie Stiften zur Grobführung der vertikal angeordneten Bestandteile der Vorrichtung und Mitteln zur Befestigung der Bestandteile der Vorrichtung nach deren erfolgter Positionierung besteht.The object is achieved according to the invention by a positioning device which consists of a contact plate, a base plate placed on the contact plate, a Si fixing plate arranged on the base plate with at least one orthogonally etched window, and an A III B V semiconductor wafer to be positioned with an orthogonally split surface, wherein this is fixed in the window of the Si fixing plate in such a way that the gap areas of the A III B V semiconductor wafer lie against the etched edges of the Si fixing plate, a spacer having an opening at least the size of the A III B V semiconductor wafer to be processed , which is placed on the Si fixing plate, a slot mask arranged on the spacer with the same outer contours as the Si fixing plate and a three-point system for congruent fixing of the outer contours of the Si fixing plate and the slot mask, as well as pins for rough guidance of the vertically arranged components the device and means for attaching the components of the device after it has been positioned.

Bei der erfindungsgemäßen Lösung, die mit einer vertikalen Schablonenstruktur vergleichbar ist, werden die Vorzüge der anisotropen Ätztechnik für die Si-Wafer als Fixierplatine und des orthogonalen Spaltkonzepts für einkristalline AIIIBV-Wafer als zu bearbeitende Proben dahingehend genutzt, daß die exakt kristallorientierten Ätzkanten der Si-Wafer eine einwandfreie Anlagekante für die Spaltflächen des zu bearbeitenden AIIIBV-Wafers darstellen. Außerdem garantiert die Dreipunktanlage eindeutig die laterale Lage der Außenkonturen der Fixierplatine und der Schlitzmaske.In the solution according to the invention, which is comparable to a vertical template structure, the advantages of the anisotropic etching technique for the Si wafers as the fixing plate and the orthogonal gap concept for single-crystalline A III B V wafers as samples to be processed are used in such a way that the exactly crystal-oriented etching edges the Si wafer represents a perfect contact edge for the gap surfaces of the A III B V wafer to be processed. In addition, the three-point system clearly guarantees the lateral position of the outer contours of the fixing plate and the slit mask.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Dreipunktanlage aus drei Anlegescheiben mit rechteckigem Querschnitt gebildet, wobei zwei von diesen mit jeweils einer Fläche senkrecht zueinander und zwei der Anlegescheiben mit jeweils einer Fläche an der gleichen Außenkante der Fixierplatine angeordnet sind, und die Höhe der Anlegescheiben mindestens der Summe der Dicken der Fixierplatine, der Distanzscheibe und der Schlitzmaske entspricht. Damit bilden die drei Anlegescheiben rechtwinklige Positions-Bezugspunkte für die Fixierplatine und die darüber angeordnete Schlitzmaske.In one embodiment of the invention, the three-point system consists of three Rectangular cross-section washers, two of them each with a surface perpendicular to each other and two of the contact discs one surface each arranged on the same outer edge of the fixing plate and the height of the contact discs is at least the sum of the thicknesses of the Fixing board, the spacer and the slot mask corresponds. Form with it the three locating washers are right-angled position reference points for the Fixing board and the slit mask arranged above it.

Weitere Ausführungsformen der Erfindung betreffen den Kontaktteller, der als Wärmesenke dient. So kann dieser Kontaktteller eine Aluminium- oder Edelstahlplatine sein, diese erfordert dann eine Dicke von 1 bis 2 mm. Noch dünner ausgebildet, nämlich 0,5 bis 0,6 mm, kann der Kontaktteller sein, wenn er ein Si-Wafer mit eingelöteten Gewinde- und/oder Passungsbuchsen ist.Further embodiments of the invention relate to the contact plate, which as Heat sink serves. So this contact plate can be an aluminum or Stainless steel board, this then requires a thickness of 1 to 2 mm. Still  formed thinner, namely 0.5 to 0.6 mm, the contact plate can be, if it is a Si wafer with soldered-in threaded and / or fit bushings.

Weiterhin ist in einer anderen Ausführungsform vorgesehen, die Basisplatine und die Distanzscheibe aus Standard-Si-Wafern, z. B. lasergeschnitten, zu bilden. Diese genannten Ausführungsformen garantieren die Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch in Vakuumanlagen mit geringen Schleusenabmessungen.Furthermore, the base board is provided in another embodiment and the spacer made of standard Si wafers, e.g. B. laser cut, too form. These mentioned embodiments guarantee the use of the The device according to the invention also in vacuum systems with low Lock dimensions.

Die Positioniergenauigkeit der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist von der Maßhaltigkeit der Schlitzmaske, der Fixierplatine, die einen Winkelrahmen für den Halbleiterwafer vorgibt, und des gespaltenen Halbleiterwafers bestimmt, die jeweils mit photolithographischer Präzision (± 1,5 µm) hergestellt werden.The positioning accuracy of the device according to the invention is of the Dimensional accuracy of the slit mask, the fixing plate, which is an angle frame for specifies the semiconductor wafer, and determines the split semiconductor wafer, which are each manufactured with photolithographic precision (± 1.5 µm).

Damit ermöglicht die erfindungsgemäße Vorrichtung bei sehr kleinen Abmessungen die lateral genaue Fixierung einer Si-Schlitzmaske mit definiertem (1 bis 2,5 mm) Vertikalabstand zu dem zu bearbeitenden AIIIBV- Wafer mit hoher Genauigkeit, besser als 10 µm. Über den Kontaktteller wird die bei der Bearbeitung des AIIIBV-Wafers entstehende Wärme abgeführt.The device according to the invention thus enables the laterally precise fixing of an Si slit mask with a defined (1 to 2.5 mm) vertical distance from the A III B V wafer to be processed with high accuracy, better than 10 μm. The heat generated during processing of the A III B V wafer is dissipated via the contact plate.

Eine mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung realisierbare justagefreie laterale Positionierung von Maske und Wafer zueinander, deren Handhabung bei geringer Bauhöhe weder durch Klemmen oder Verkanten beeinträchtigt wird, ist besonders vorteilhaft für die Herstellung eines gewünschten Höhenprofils des Wafers, beispielsweise für die Erzeugung eines Gradienten der Ätzrate (Taperätzung insbesondere beim Ionenstrahlätzen) bzw. der Depositionsrate (Aufdampfen von Profilen).An adjustment-free lateral that can be realized with the device according to the invention Positioning of the mask and wafer relative to one another, their handling at low height is not impaired by clamping or canting, is particularly advantageous for the production of a desired height profile of the wafer, for example for generating a gradient of the etching rate (Taper etching especially when ion beam etching) or the deposition rate (Vapor deposition of profiles).

Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel anhand von Zeichnungen näher erläutert.An exemplary embodiment is explained in more detail below with reference to drawings explained.

Dabei zeigenShow

Fig. 1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Querschnitt, Fig. 1 shows a device according to the invention in cross-section,

Fig. 2 schematisch eine Si-Fixierplatine mit eingelegtem Halbleiterwafer gemäß Fig. 1 in der Draufsicht; FIG. 2 schematically shows a Si fixing plate with an inserted semiconductor wafer according to FIG. 1 in a top view;

Fig. 3 schematisch eine Si-Schlitzmaske gemäß Fig. 1 in der Draufsicht. Fig. 3 shows schematically a Si-slit mask as shown in FIG. 1 in top view.

In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße Positioniervorrichtung für die Taperätzung dargestellt. In dieser Vorrichtung ist auf einem Kontaktteller 1, der als Wärmesenke dient, eine Basisplatine 2 angeordnet. Diese weist eine sehr ebene Oberfläche auf, auf der die Si-Fixierplatine 3 aufliegt. Aus der Fixierplatine 3 sind Fenster 11 orthogonal herausgeätzt. In einem solchen orthogonal geätzten Fenster 11 der Si-Fixierplatine 3 ist der zu bearbeitende und orthogonal gespaltene InP-Wafer 8 mittels eines Klebers derart fixiert, daß die Spaltfläche des InP-Wafers 8 an der Ätzkante des Fensters 11 der Si- Fixierplatine 3 anliegt. Damit sind durch die kristallorientierten Ätz- bzw. Spalteigenschaften der Si-Fixierplatine 3 bzw. des InP-Wafers 8 hochpräzise Anlegekanten vorgegeben. So ist eine Positionierung bezüglich der kristallographischen Achsen der Si-Fixierplatine 3 gegeben. Auf der Si- Fixierplatine 3 mit in deren Fenster 11 angeordnetem InP-Halbleiterwafer 8 ist eine Distanzscheibe 4 aufgelegt, auf der die Schlitzmaske 5 angeordnet ist. In den Kontaktteller 1 eingepreßte Stifte 9 definieren die Position der Anlegescheiben 6. Drei Anlegescheiben 6 mit rechteckigem Querschnitt bilden eine Dreipunktanlage für die Außenkontur der Si-Fixierplatine 3 und für die Außenkontur der Schlitzmaske 5, die einander gleich sind. Abschließend werden alle Teile der Vorrichtung ihrer entsprechenden Höhe beispielsweise mittels Unterlegscheiben und Schrauben 10 und mittels Kappe 7 und Senkkopfschrauben 10' fixiert. Dabei wird die Schlitzmaske 5 und die Fixierplatine 8 jeweils mit leichtem Druck in Richtung Anlegescheiben 6 gehalten.In Fig. 1 a positioning device according to the invention is shown for the Taperätzung. In this device, a base plate 2 is arranged on a contact plate 1 , which serves as a heat sink. This has a very flat surface on which the Si fixing plate 3 rests. Windows 11 are etched out orthogonally from the fixing plate 3 . In such an orthogonally etched window 11 of the Si fixing plate 3 , the InP wafer 8 to be processed and orthogonally split is fixed by means of an adhesive in such a way that the gap surface of the InP wafer 8 bears against the etched edge of the window 11 of the Si fixing plate 3 . Highly precise contact edges are thus predefined by the crystal-oriented etching or gap properties of the Si fixing board 3 or the InP wafer 8 . Positioning with respect to the crystallographic axes of the Si fixing plate 3 is thus provided. A spacer 4 , on which the slit mask 5 is arranged, is placed on the Si fixing plate 3 with InP semiconductor wafer 8 arranged in its window 11 . Pins 9 pressed into the contact plate 1 define the position of the contact disks 6 . Three washers 6 with a rectangular cross-section form a three-point system for the outer contour of the Si fixing plate 3 and for the outer contour of the slit mask 5 , which are identical to one another. Finally, all parts of the device of their corresponding height are fixed, for example by means of washers and screws 10 and by means of cap 7 and countersunk screws 10 '. The slit mask 5 and the fixing plate 8 are each held with slight pressure in the direction of the contact disks 6 .

Mit der in diesem Ausführungsbeispiel beschriebenen Vorrichtung kann zur Fabrikation von keilähnlichen Halbleiterprofilen für optische Taper, hergestellt mittels Ionenstrahl-Schattenätzen (IBSE) unter Verwendung von Schlitzmasken, die 0,5 mm dicke Schlitzmaske mit 1 bis 2,5 mm Vertikalabstand über dem InP-Wafer ohne Justierbedarf lateral auf < ± 10 µm Genauigkeit fixiert werden. Dabei ist auch die Abführung der beim Ätzen entstehenden Wärme über die Schlitzmaske und über die 0,3 mm dicken InP- Wafer gewährleistet. Die Gesamthöhe der erfindungsgemäßen Vorrichtung in diesem Ausführungsbeispiel ist kleiner als 5,5 mm und somit auch für kleine Schleusenabmessungen kommerzieller Vakuumanlagen geeignet.With the device described in this embodiment, for Fabrication of wedge-like semiconductor profiles for optical tapers using ion beam shadow etching (IBSE) using Slit masks, the 0.5 mm thick slit mask with 1 to 2.5 mm Vertical distance above the InP wafer laterally without adjustment need to <± 10 µm Accuracy can be fixed. This also includes the removal of the during etching heat generated via the slit mask and the 0.3 mm thick InP Wafer guaranteed. The total height of the device according to the invention in this embodiment is smaller than 5.5 mm and thus also for small Lock dimensions of commercial vacuum systems are suitable.

In Fig. 2 ist der orthogonal gespaltene Halbleiterwafer 8 im geätzten Fenster 11 der Si-Fixierplatine 3 dargestellt. Die drei Anlegescheiben 6 bilden die bereits beschriebene Dreipunktanlage sowohl für die Außenkontur der Si-Fixierplatine 3 als auch für die Außenkontur der Schlitzmaske 5, die einander gleich sind, wie auch aus Fig. 3 ersichtlich ist, die die um 180° gewendete Schlitzmaske 5 zeigt. Zur besseren Übersichtlichkeit sind nur einige Führungsbohrungen bzw. -durchbrüche 12 eingezeichnet.In FIG. 2 the split orthogonal semiconductor wafer 8 is shown in the etched window 11 of the Si-Fixierplatine. 3 The three contact disks 6 form the three-point system already described both for the outer contour of the Si fixing plate 3 and for the outer contour of the slit mask 5 , which are identical to one another, as can also be seen from FIG. 3, which shows the slit mask 5 turned through 180 ° . For better clarity, only a few guide bores or openings 12 are shown.

In der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird durch die Kombination der anisotropen Ätztechnik für die Herstellung des Fensters 11 in der Si- Fixierplatine 3 (mit einer Toleranz < ± 5 µm realisierbar) mit dem orthogonalen Spaltkonzept für einkristalline Halbleiterwafer erreicht, daß sich die Schlitzmaske 5 über dem Halbleiterwafer 8 ohne Justieraufwand hinreichend genau positionieren läßt. Die geringe Positioniertoleranz wird durch die Dreipunktanlage erzielt, deren Anlegescheiben 6 in der Funktion von "Anschlagwürfeln" sich den exakt kristallorientierten Spaltflächen des Si- Wafers 8 anpassen, wobei beim "Beladen" der erfindungsgemäßen Vorrichtung die Schlitzmaske 5 die vom Layout bestimmte Position exakt einnimmt und spielfrei fixiert werden kann.In the device according to the invention, the combination of the anisotropic etching technique for the production of the window 11 in the Si fixing plate 3 (which can be implemented with a tolerance <± 5 μm) and the orthogonal gap concept for single-crystal semiconductor wafers means that the slit mask 5 is located above the semiconductor wafer 8 can be positioned with sufficient accuracy without adjustment effort. The low positioning tolerance is achieved by the three-point system, the contact disks 6 of which function in the function of "stop cubes" adapt to the exactly crystal-oriented slit surfaces of the Si wafer 8 , the slit mask 5 assuming the position determined by the layout exactly when "loading" the device according to the invention and can be fixed without play.

Claims (6)

1. Positioniervorrichtung für die gerichtete Bearbeitung einkristalliner Halbleiterwafer bestehend aus
  • - einem Kontaktteller (1),
  • - einer auf dem Kontaktteller (1) aufgelegten Basisplatine (2),
  • - einer auf der Basisplatine (2) angeordneten Si-Fixierplatine (3) mit mindestens einem orthogonal geätzten Fenster (11),
  • - einem zu positionierenden AIIIBV-Halbleiterwafer (8) mit orthogonal gespaltener Fläche, wobei dieser in dem Fenster (11) der Si-Fixierplatine (3) derart fixiert ist, daß an den Ätzkanten der Si-Fixierplatine (3) die Spaltflächen des AIIIBV-Halbleiterwafers (8) anliegen,
  • - einer eine Öffnung mindestens in der Größe des zu bearbeitenden AIIIBV- Halbleiterwafers (8) aufweisenden Distanzscheibe (4), die auf die Si- Fixierplatine (3) aufgelegt ist,
  • - einer auf der Distanzscheibe (4) angeordneten Schlitzmaske (5) mit gleichen Außenkonturen wie die Si-Fixierplatine (3) und
  • - einer Dreipunktanlage für die deckungsgleiche Fixierung der Außenkonturen der Si-Fixierplatine (3) und der Schlitzmaske (5) sowie
  • - Stiften (9) zur Grobführung der vertikal angeordneten Bestandteile der Vorrichtung und Mitteln zur Befestigung (10, 10') nach erfolgter Positionierung der Bestandteile der Vorrichtung.
1. Positioning device for the directional processing of single-crystal semiconductor wafers consisting of
  • - a contact plate ( 1 ),
  • - one placed on the contact plate (1) the base board (2),
  • - a Si fixing plate ( 3 ) arranged on the base plate ( 2 ) with at least one orthogonally etched window ( 11 ),
  • - A to be positioned A III B V semiconductor wafer ( 8 ) with an orthogonally split surface, this being fixed in the window ( 11 ) of the Si fixing plate ( 3 ) in such a way that the gap surfaces on the etching edges of the Si fixing plate ( 3 ) of the A III B V semiconductor wafer ( 8 ),
  • - A spacer ( 4 ) having an opening at least the size of the A III B V semiconductor wafer ( 8 ) to be processed, which is placed on the Si fixing plate ( 3 ),
  • - A on the spacer ( 4 ) arranged slit mask ( 5 ) with the same outer contours as the Si fixing plate ( 3 ) and
  • - A three-point system for congruent fixing of the outer contours of the Si fixing plate ( 3 ) and the slit mask ( 5 ) and
  • - Pins ( 9 ) for rough guidance of the vertically arranged components of the device and means for fastening ( 10 , 10 ') after the components of the device have been positioned.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dreipunktanlage aus drei Anlegescheiben mit rechteckigem Querschnitt (6) gebildet ist, wobei zwei Anlegescheiben (6) mit jeweils einer Fläche senkrecht zueinander und zwei Anlegescheiben (6) mit jeweils einer Fläche an der gleichen Außenkante der Fixierplatine (3) angeordnet sind, und die Höhe der Drehwürfel mindestens der Summe der Dicken der Fixierplatine (3), der Distanzscheibe (4) und der Schlitzmaske (5) entspricht.2. Device according to claim 1, characterized in that the three-point system is formed from three washers with a rectangular cross-section ( 6 ), two washers ( 6 ) each having a surface perpendicular to one another and two washers ( 6 ) each having a surface on the same Outside edge of the fixing plate ( 3 ) are arranged, and the height of the rotating cube corresponds at least to the sum of the thicknesses of the fixing plate ( 3 ), the spacer ( 4 ) and the slit mask ( 5 ). 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktteller (1) eine Aluminium-Platine ist. 3. Apparatus according to claim 1, characterized in that the contact plate ( 1 ) is an aluminum circuit board. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktteller (1) eine Edelstahlplatine ist.4. The device according to claim 1, characterized in that the contact plate ( 1 ) is a stainless steel plate. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktteller (1) aus einem Si-Wafer mit eingelöteten Gewinde- und/oder Passungsbuchsen gebildet ist.5. The device according to claim 1, characterized in that the contact plate ( 1 ) is formed from a Si wafer with soldered threaded and / or fitting bushings. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatine (2) und die Distanzscheibe (4) aus Standard-Si-Wafern gebildet sind.6. The device according to claim 1, characterized in that the base plate ( 2 ) and the spacer ( 4 ) are formed from standard Si wafers.
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