DE19615390A1 - Radio frequency modulation circuit for use in the Pal method - Google Patents

Radio frequency modulation circuit for use in the Pal method

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Abstract

A radio frequency (RF) modulating circuit for video tape recorders, game apparatuses and the like belonging to the PAL method is disclosed. Different audio carrier frequencies f1, f2, f3 can be automatically selected in response to switch control signals produced by control section 40 receiving channel select signals CS1, CS2 and at the same time, precise TSG (test pattern) signals are formed by utilizing the audio carrier frequency. The frequency divider 70 (fig.6 not shown) including a cascaded chain of counters, Nand gate, latch circuit and a duty adjusting circuit variably divide the different audio carrier frequencies for the different PAL methods to supply a signal at the same frequency to the TSG circuit. A clamping circuit 51 fixes the potential of the synchronization tip of video signals Vin at a constant level. A switching section 52 selectively supplies the clamped video signals or the test pattern signals TSG to a mixer 56 also receiving frequency modulated audio signals and a carrier signal from oscillator 30.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Modulationsschaltung oder -schaltkreis für eine Radiofrequenz (RF) zum Einsatz bei einem Videorecorder (VTR) bei Spielgeräten oder dergleichen, die nach dem PAL-Verfahren arbeiten. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen RF-Modulationsschaltkreis zur Verwendung beim PAL-Verfahren, bei dem unterschiedliche Tonträgerfrequenzen in einfacher Weise automatisch auf der Grundlage des B/G-Verfahrens, des I-Verfahrens, des D/K-Verfahrens oder dergleichen bei PAL-Norm auswählbar sind und zur gleichen Zeit genaue TSG-Signale unter Verwendung der Tonträgerfrequenz gebildet werden.The present invention relates to a modulation circuit or circuit for a radio frequency (RF) for use with a video recorder (VTR) in gaming devices or the like, who work according to the PAL process. In particular, the present invention an RF modulation circuit for Use in the PAL process, in which different Sound carrier frequencies automatically on the Basis of the B / G process, the I process, the D / K process or the like can be selected in the PAL standard and at the same time accurate TSG signals using the Sound carrier frequency are formed.

Als Fernsehübertragungsverfahren sind allgemein das NTSC-Verfahren, das PAL-Verfahren und das SECAM-Verfahren bekannt. Das erste Verfahren wird in Korea, den Vereinigten Staaten von Amerika und Japan eingesetzt. Die letzteren Verfahren werden in den europäischen Staaten verwendet. Das PAL-Verfahren der europäischen Staaten enthält mehrere Verfahren, wie das B/G-Verfahren, das I-Verfahren und das D/K-Verfahren. Diese Verfahren sind unterschiedlich in Abhängigkeit von den einzelnen Staaten. Weiterhin sind die bei den verschiedenen Verfahren verwendeten Tonträgerfrequenzen ebenfalls unterschiedlich und enthalten 5,5 MHz, 6,0 MHz und 6,5 MHz als Frequenzen.As a television transmission method, the NTSC method is generally the PAL process and the SECAM process known. The first procedure is in Korea, the United States of America America and Japan used. The latter will be used in European countries. The PAL process of European countries contains several procedures, such as the B / G procedure, the I method and the D / K method. These Procedures are different depending on the individual states. Furthermore, the various Methods also used sound carrier frequencies different and contain 5.5 MHz, 6.0 MHz and 6.5 MHz as Frequencies.

Bei dem PAL-Verfahren, wenn ein Rundfunkkanal durch einen VTR ausgewählt ist und wenn die reproduzierten Signale des VTR in Fernsehsignale passend zu dem relevanten Rundfunkkanal zur Ausgabe auf einem Fernseher RF-moduliert werden, erscheint das reproduzierte Bild des VTR auf dem Fernsehbildschirm unter der Voraussetzung, daß der relevante Kanal des Fernsehers frei ist. In the PAL method, when a broadcast channel through a VTR is selected and when the reproduced signals of the VTR in TV signals suitable for the relevant radio channel The output appears to be RF modulated on a television, that appears reproduced picture of the VTR on the television screen under the Prerequisite that the relevant channel of the television is free is.  

Ein allgemein bekannter RF-Modulationsschaltkreis ist in Fig. 1 dargestellt.A well known RF modulation circuit is shown in FIG. 1.

Gemäß Fig. 1 laufen Videosignale Vin, die als BAS-Signale durch einen VTR oder ein Spielgerät reproduziert werden, durch eine Klemmschaltungssektion 1, welche das Synchronisationsspitzenpotential auf einem konstanten Pegel fixiert. Dann durchlaufen die Videosignale Vin eine Schaltsektion 3, in der eine Gruppe von Signalen aus den Videosignalen und den TSG-Signalen ausgewählt wird. Die ausgewählten Signale werden in einem Mischer 5 vermischt, um durch einen RF-Verstärker 6 zum Fernsehgerät ausgegeben zu werden. Weiterhin durchlaufen Tonsignale Ain des hörbaren Bandes einen Tonverstärker 2 und eine Frequenzmodulationssektion 4, um frequenzmoduliert zu werden. Anschließend werden die modulierten Tonsignale durch einen Mischer 5 gemischt und durchlaufen den RF-Verstärker 6, um an das Fernsehgerät ausgegeben zu werden.Referring to FIG. 1 through video signal Vin, will be reproduced as a BAS-signals by a VTR or a game machine by a clamping circuit section 1, which fixes the synchronization tip potential at a constant level. Then the video signals Vin pass through a switching section 3 , in which a group of signals is selected from the video signals and the TSG signals. The selected signals are mixed in a mixer 5 to be output to the television by an RF amplifier 6 . Furthermore, audio signals Ain of the audible band pass through a sound amplifier 2 and a frequency modulation section 4 to be frequency modulated. Then the modulated sound signals are mixed by a mixer 5 and pass through the RF amplifier 6 to be output to the television set.

Die TSG-Signale werden als "Testsignale" oder "Testbildsignale" bezeichnet und enthalten Synchronisationssignale und Videosignale mit Schwarz- und Weiß-Pegeln.The TSG signals are called "test signals" or "Test image signals" labeled and included Synchronization signals and video signals with black and White levels.

In dem bekannten RF-Modulationsschaltkreis ist ein mechanischer Schalter Swi an einer versteckten Stelle, wie auf einer Rückseite eines VTR oder eines Fernsehgeräts angeordnet, durch den unterschiedliche Tonträgerfrequenzen passend zum Rundfunkverfahren nach dem PAL-Verfahren machbar sind. Dies ist eine störanfällige Einrichtung.In the known RF modulation circuit is a mechanical switch Swi in a hidden place, like on placed on the back of a VTR or TV, due to the different sound carrier frequencies to match Broadcasting methods according to the PAL method are feasible. This is a fault-prone facility.

Weiterhin, auch wenn vom allgemeinen Konsumenten selten benutzt, um die Produkte zu testen, werden die TSG-Signale während der Herstellung gebildet. Zu diesem Zweck weist der bekannte RF-Modulator einen Kondensator, einen Sägezahn-Resonator und einen getrennten Oszillator auf, wodurch die Herstellungskosten anwachsen. Furthermore, even if rarely by the general consumer The TSG signals are used to test the products formed during manufacture. For this purpose the known RF modulator a capacitor, a sawtooth resonator and a separate oscillator, whereby the Manufacturing costs grow.  

Fig. 2 zeigt einen weiteren bekannten RF-Modulationsschaltkreis. Fig. 2 shows another known RF modulation circuit.

Der Schaltkreis nach Fig. 2 ist aus der US-A-5 136 387 bekannt. Dieser RF-Modulationsschaltkreis führt eine Kanalauswahl ohne Verwendung eines Testbildgenerators durch.The circuit of Fig. 2 is known from US-A-5 136 387. This RF modulation circuit performs channel selection without using a test pattern generator.

Der RF-Modulator nach Fig. 2 weist auf: einen A/D-Wandler zum Umwandeln der Fernsehkanalauswahldaten in digitale Signale; einen Oszillationssteuerschaltkreis sowohl zur Steuerung der Tonkanaloszillation als auch einer RF-Kanaloszillation auf der Grundlage der digitalen Kanalauswahldaten des A/D-Wandlers; eine Signalmischeinrichtung zum Mischen der Amplituden-modulierten Videosignale (welche passend zur RF-Trägeroszillationsfrequenz moduliert sind) mit den Frequenz-/Amplituden-modulierten Tonsignalen, welche passend zur Tonträgeroszillation moduliert sind; eine Kanaleinfangeinrichtung zum Einfangen von Zentralbereichen der Kanäle der Kanalauswahldaten und eine Signalblockiereinrichtung zum Blockieren der Videoeingangssignale in Endbereichen, die weit von der Kanaleinfangeinrichtung abweichen.The RF modulator of Fig. 2 includes: an A / D converter for converting the television channel selection data into digital signals; an oscillation control circuit for controlling both the audio channel oscillation and an RF channel oscillation based on the digital channel selection data of the A / D converter; signal mixing means for mixing the amplitude-modulated video signals (which are modulated to match the RF carrier oscillation frequency) with the frequency / amplitude-modulated audio signals which are modulated to match the sound carrier oscillation; a channel capture device for capturing central areas of the channels of the channel selection data and a signal blocking device for blocking the video input signals in end areas which differ widely from the channel capture device.

In dem obenbeschriebenen bekannten Schaltkreis wird eine Kappsteuerschaltung 33 anstelle einer Testbildsteuerschaltung 34 verwendet. Dabei führt die Kappsteuerschaltung 33 die gleiche Funktion wie die Testbildsteuerschaltung 34 durch. Außerdem enthält ein AM-Modulator 22 eine Klemmschaltung 22a, eine Kappschaltung 22b und eine Modulationsschaltung 22c.In the known circuit described above, a capping control circuit 33 is used instead of a test pattern control circuit 34 . The capping control circuit 33 performs the same function as the test pattern control circuit 34 . In addition, an AM modulator 22 includes a clamp circuit 22 a, a clipping circuit 22 b and a modulation circuit 22 c.

Dieser bekannte Schaltkreis enthält anstelle des Testbildsteuerschaltkreises den Kappsteuerschaltkreis 33 und dieser führt die gleiche Funktion wie oben beim Testbildsteuerschaltkreis beschrieben durch. Das heißt, die Kappschaltung führt die Funktion des Durchlassens oder Blockierens der eintreffenden Videosignale durch. Allerdings ist kein Testbildgenerator vorgesehen und daher kann dieser bekannte Schaltkreis nur mit einem Gerät verwendet werden, durch das anstelle der Testbildsignale verwendbare Signale, wie Blauschwarz oder dergleichen, ausgegeben werden. Weiterhin werden die Kanäle per Hand unter Verwendung eines variablen Widerstands VR ausgewählt. Dadurch ist eine Bedienung dieses Gerätes unbequem.This known circuit contains the cap control circuit 33 instead of the test pattern control circuit and this performs the same function as described above for the test pattern control circuit. That is, the clipping circuit performs the function of passing or blocking the incoming video signals. However, no test pattern generator is provided and therefore this known circuit can only be used with a device by means of which signals such as blue black or the like that can be used instead of the test pattern signals are output. Furthermore, the channels are selected by hand using a variable resistor VR. This makes operation of this device uncomfortable.

Die vorliegende Erfindung hat sich als Ziel gesetzt, die obenbeschriebenen Nachteile bei den bekannten Techniken auszuräumen.The present invention has set itself the goal of Disadvantages described above in the known techniques clear out.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine RF-Modulationsschaltung zur Verwendung beim PAL-Verfahren bereitzustellen, bei der angemessene Tonträgerfrequenzen einfach in Übereinstimmung mit dem B/G-Verfahren, dem I-Verfahren und dem D/K-Verfahren des PAL-Verfahrens auswählbar sind.The present invention is therefore based on the object an RF modulation circuit for use in the PAL method provide at the appropriate sound carrier frequencies simply in accordance with the B / G process, the I process and the D / K method of the PAL method can be selected are.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer RF-Modulationsschaltung zur Verwendung beim PAL-Verfahren, bei der die Tonträgerfrequenz teilbar ist selbst ohne separate Resonanzeinrichtung, Kondensator und Oszillator, um TSG-Signale zu bilden.Another object of the present invention is Provision of an RF modulation circuit for use with the PAL method, in which the sound carrier frequency is divisible even without a separate resonance device, capacitor and Oscillator to form TSG signals.

Schließlich ist es noch Aufgabe der vorliegenden Erfindung, genaue TSG-Signale bereitzustellen, in denen die Fehler minimal und die Genauigkeit hoch ist, da die in den TSG-Signalen enthaltenen Fehler zusammen mit den TSG-Signalen frequenzgeteilt werden in dem RF-Modulationsschaltkreis zur Verwendung beim PAL-Verfahren, wobei die Tonträgerfrequenz auch ohne separate Resonanzeinrichtung, Kondensator und Oszillator frequenzteilbar ist, um die TSG-Signale zu bilden.Finally, it is an object of the present invention provide accurate TSG signals in which the errors minimal and the accuracy is high because of that in the TSG signals contained errors together with the TSG signals are frequency divided in the RF modulation circuit Use in the PAL process, the sound carrier frequency also without separate resonance device, capacitor and Oscillator is frequency divisible to form the TSG signals.

Zur Lösung der obigen Aufgaben weist die RF-Modulationsschaltung zur Verwendung beim PAL-Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung auf: einen TSG-Erzeugungsbereich zur Erzeugung von TSG-Signalen auf der Grundlage einer bestimmten Eingangsfrequenz; eine Klemmschaltung zum Fixieren des Potentials der Videosignale Vin auf einem konstanten Pegel; einen Tonverstärker zur Verstärkung der Tonsignale; einen Oszillatorschwingkreis mit drei Tonträgeroszillatorschaltungen auf der Grundlage des Rundfunkverfahrens; einen Frequenzmodulationsbereich zur Frequenzmodulation von Tonträgern von einem Oszillator mittels der Ausgangssignale des Tonverstärkers; einen Mischer zum Mischen der Ausgangssignale des Frequenzmodulationsbereichs und der Ausgangssignale der Klemmschaltung und entsprechend des TSG-Erzeugungsbereichs mit den Frequenzen eines Oszillators; und einen RF-Verstärker zum Verstärken der Ausgangssignale des Mischers, wobei der RF-Modulationsschaltkreis weiterhin einen Steuerbereich zum Lesen extern eingegebener Kanalauswahlsignale zur Ausgabe von Schaltsteuersignalen und Frequenzteilersteuersignalen und einen Oszillationsbereich aufweist zum Auswählen und Oszillieren einer aus einer Vielzahl von oszillierenden Resonanzfrequenzen mittels der Vielzahl von Oszillatorschwingkreisen des Oszillatorschwingkreisbereichs und mittels der Schaltsteuersignale des Steuerbereichs.The RF modulation circuit has the solution to the above tasks for use in the PAL process according to of the present invention: a TSG production area  to generate TSG signals based on a certain input frequency; a clamping circuit for fixing the potential of the video signals Vin at a constant Level; a sound amplifier for amplifying the sound signals; an oscillator circuit with three Sound carrier oscillator circuits based on the Broadcasting process; a frequency modulation range for Frequency modulation of sound carriers by means of an oscillator the output signals of the sound amplifier; a mixer for Mixing the output signals of the frequency modulation range and the output signals of the clamping circuit and accordingly of the TSG production area with the frequencies of one Oscillators; and an RF amplifier to amplify the Output signals of the mixer, the RF modulation circuit continue to have a control area for reading externally entered channel selection signals for the output of Switching control signals and frequency divider control signals and has an oscillation range for selecting and Oscillate one of a variety of oscillating ones Resonance frequencies by means of the multitude of Oscillator resonant circuits of the oscillator resonant circuit area and by means of the switching control signals of the control area.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist der RF-Modulationsschaltkreis zur Verwendung beim PAL-Verfahren auf: Einen TSG-Erzeugungsbereich zum Erzeugen von TSG-Signalen auf der Grundlage einer bestimmten Eingangsfrequenz; eine Klemmschaltung zum Fixieren des Potentials der Videosignale Vin auf einem konstanten Pegel; einen Tonverstärker zur Verstärkung von Tonsignalen; einen Oszillatorschwingkreisbereich mit drei Tonträgeroszillatorschwingkreisen auf der Grundlage des Rundfunkverfahrens; einen Oszillationsbereich zum Oszillieren der Tonträger des Oszillatorschwingkreisbereichs; einen Frequenzmodulationsbereich zum Frequenzmodulieren von Tonträgern eines Oszillators mittels der Ausgangssignale des Tonverstärkers; einen Mischer zum Mischen von Ausgangssignalen des Frequenzmodulationsbereichs und Ausgangssignalen des Klemmschaltkreisbereichs und entsprechend des TSG-Erzeugungsbereichs mit Frequenzen eines Oszillators; und einen RF-Verstärker zum Verstärken der Ausgangssignale des Mischers, wobei der RF-Modulationsschaltkreis weiterhin einen Steuerbereich zum Lesen extern eingegebener Kanalauswahlsignale zur Ausgabe von Schaltsteuersignalen und Frequenzteilersteuersignalen und einen Frequenzteilerbereich zum Frequenzteilen der Oszillationsfrequenz des Oszillationsbereichs auf der Grundlage der frequenzgeteilten Steuersignale des Steuerbereichs zur Ausgabe des frequenzgeteilten Ausgangs zum TSG-Erzeugungsbereich aufweist.According to a further aspect of the present invention the RF modulation circuit for use in the PAL method on: A TSG generation area for generating TSG signals based on a specific Input frequency; a clamping circuit for fixing the Potential of the video signals Vin at a constant level; a sound amplifier for amplifying sound signals; one Three oscillator circuit area Sound carrier oscillator circuits based on the Broadcasting process; an oscillation range for oscillation the sound carrier of the oscillator circuit area; one Frequency modulation range for frequency modulation of Sound carriers of an oscillator using the output signals of the Sound amplifiers; a mixer for mixing output signals  the frequency modulation range and output signals of the Clamp circuit area and corresponding to the TSG generation area with frequencies of an oscillator; and one RF amplifier for amplifying the mixer output signals, the RF modulation circuit still being one Control area for reading externally entered Channel selection signals for the output of switching control signals and Frequency divider control signals and a frequency divider range for frequency dividing the oscillation frequency of the Oscillation range based on the frequency divided Control signals of the control area for output of the frequency-divided output to the TSG generation area.

Im folgenden wird ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der in der Zeichnung beigefügten Figuren näher erläutert und beschrieben.In the following an advantageous embodiment of the Invention based on the figures enclosed in the drawing explained and described in more detail.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 ein Blockdiagramm zur Darstellung des Aufbaus eines bekannten RF-Modulationsschaltkreises; Fig. 1 is a block diagram showing the construction of a conventional RF modulation circuit;

Fig. 2 ein Blockdiagramm zur Darstellung des Aufbaus eines weiteren RF-Modulationsschaltkreises; Fig. 2 is a block diagram showing the construction of another RF modulation circuit;

Fig. 3 ein Blockdiagramm zur Darstellung des Aufbaus eines RF-Modulationsschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung; Fig. 3 is a block diagram showing the construction of an RF modulation circuit according to the present invention;

Fig. 4 eine detaillierte Schaltkreisdarstellung eines Steuerbereichs nach Fig. 3; FIG. 4 shows a detailed circuit diagram of a control area according to FIG. 3;

Fig. 5 eine detaillierte Schaltkreisdarstellung eines Oszillationsbereichs nach Fig. 3; und Fig. 5 is a detailed circuit diagram of an oscillation area shown in Fig. 3; and

Fig. 6 eine detaillierte Schaltkreisdarstellung eines Frequenzteilerbereichs nach Fig. 3. FIG. 6 shows a detailed circuit diagram of a frequency divider range according to FIG. 3.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden im folgenden unter Bezugnahme auf Fig. 3 bis 6 beschrieben.Preferred embodiments of the present invention are described below with reference to FIGS. 3 to 6.

Fig. 3 zeigt ein Blockdiagramm des Aufbaus eines RF-Modulationsschaltkreises gemäß der vorliegenden Erfindung. Ein Steuerbereich 40 liest extern eingegebene Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 und übermittelt Schaltsteuersignale S1, S2 und S3 an einen Oszillationsbereich 60 sowie Frequenzteilungssteuersignale C11, C12, C21, C22, C31 und C32 an einen Frequenzteilerbereich 70. Fig. 3 is a block diagram showing the construction of an RF modulation circuit according to the present invention. A control area 40 reads externally input channel selection signals CS1 and CS2 and transmits switching control signals S1, S2 and S3 to an oscillation area 60 and frequency division control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32 to a frequency dividing area 70 .

Ein Oszillatorschwingkreisbereich umfaßt einen ersten Oszillator C1 und L1, einen zweiten Oszillator C2 und L2 und einen dritten Oszillator C3 und L3, um dadurch auf der Grundlage des Rundfunkverfahrens einen Tonträgerresonanzschaltkreis zu bilden.An oscillator circuit section comprises a first one Oscillators C1 and L1, a second oscillator C2 and L2 and a third oscillator C3 and L3 to thereby on the Basis of the broadcasting process To form the sound carrier resonance circuit.

Eine Klemmschaltung 51 fixiert das Potential des Synchronisationsspitzenpotentials der Videosignale Vin (welches BAS-Signale sind) auf einem konstanten Pegel.A clamp circuit 51 fixes the potential of the synchronization peak potential of the video signals Vin (which are BAS signals) at a constant level.

Ein Schaltbereich 52 schaltet die Signale der Klemmschaltung 51 und die Signale eines TSG-Erzeugungsbereichs mittels eines externen Justierschalters SWO. In dem Fall, in dem Ausgabesignale des TSG-Erzeugungsbereichs 80 ausgewählt werden, weist der Schaltbereich 52 die Funktionen des Inaktivierens des Tonverstärkers und des Freigebens des Frequenzteilerbereichs 70 auf.A switching area 52 switches the signals of the clamping circuit 51 and the signals of a TSG generation area by means of an external adjustment switch SWO. In the case where output signals of the TSG generating section 80 are selected, the switching section 52 has the functions of inactivating the sound amplifier and releasing the frequency dividing section 70 .

Ein Tonverstärker 53 verstärkt die Tonsignale Ain, die zu einem hörbaren Frequenzband gehören.A sound amplifier 53 amplifies the sound signals Ain which belong to an audible frequency band.

Ein Frequenzmodulationsbereich 54 moduliert die Tonträger, die aus den Ausgangssignalen des Tonverstärkers 53 durch den Oszillationsbereich 60 ausgewählt wurden. A frequency modulation section 54 modulates the sound carriers selected from the output signals of the sound amplifier 53 by the oscillation section 60 .

Ein Mischer 55 mischt die Ausgangssignale des Frequenzmodulationsbereichs 54 und die Ausgangssignale des Schaltbereichs 52 entsprechend mit der Oszillationsfrequenz des Oszillators 34, um eine Radiofrequenz auszugeben. Ein RF-Verstärker 56 verstärkt die Ausgangssignale des Mischers 55.A mixer 55 accordingly mixes the output signals of the frequency modulation section 54 and the output signals of the switching section 52 with the oscillation frequency of the oscillator 34 to output a radio frequency. An RF amplifier 56 amplifies the output signals of the mixer 55 .

Ein Oszillationsbereich 60 führt die Schaltbetätigungen unter Zuhilfenahme der Schaltsteuersignale S1, S2 und S3 des Steuerbereichs 40 durch, um durch Auswahl einer Frequenz aus den Resonanzfrequenzen F1, F2 und F3 des Oszillatorschwingkreisbereichs 50 zu oszillieren.An oscillation section 60 carries out the switching operations with the aid of the switching control signals S1, S2 and S3 of the control section 40 in order to oscillate by selecting a frequency from the resonance frequencies F1, F2 and F3 of the oscillator circuit section 50 .

Ein Frequenzteilerbereich 70 wird durch ein Signal des Schaltbereichs 52 freigegeben und teilt die Oszillationsfrequenz des Oszillationsbereichs 60 mittels der Frequenzteilersteuersignale C11, C12, C21, C22, C31 und C32 des Steuerbereichs 40. Demzufolge gibt der Frequenzteilerbereich 70 eine konstante Frequenz an den TSG-Erzeugungsbereich zu allen Zeiten ab.A frequency divider area 70 is released by a signal of the switching area 52 and divides the oscillation frequency of the oscillation area 60 by means of the frequency divider control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32 of the control area 40 . As a result, the frequency dividing section 70 outputs a constant frequency to the TSG generating section at all times.

Der TSG-Erzeugungsbereich 80, der ein Testsignalgenerator ist, bildet TSG-Signale unter Verwendung der frequenzgeteilten Frequenz des Frequenzteilerbereichs 70.The TSG generating section 80 , which is a test signal generator, forms TSG signals using the frequency-divided frequency of the frequency dividing section 70 .

In Fig. 4 ist eine detaillierte Schaltkreisdarstellung eines Steuerbereichs nach Fig. 3 dargestellt. FIG. 4 shows a detailed circuit diagram of a control area according to FIG. 3.

Der Steuerbereich 40 umfaßt einen ersten Vergleichsschaltungsbereich 41 mit einer Vielzahl von Transistoren Q11-Q33 zum Vergleich von extern eingegebenen Kanalauswahlsignalen CS1 und CS2 mit einer internen Referenzspannung Vref 1, um Schaltsteuersignale S1, S2 und S3 auszugeben, und einen zweiten Vergleichsschaltungsbereich 43 des Differenztyps mit einer Vielzahl von Transistoren Q1, Q2, Q3, Q4, Q5 und Q6 zum Vergleich der Ausgangssignale des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41 mit einer internen Referenzspannung Vref2 auf, um Frequenzteilersteuersignale C11, C12, C21, C22, C31 und C32 auszugeben.The control section 40 includes a first comparison circuit section 41 having a plurality of transistors Q11-Q33 for comparing externally input channel selection signals CS1 and CS2 with an internal reference voltage Vref 1 to output switching control signals S1, S2 and S3, and a second comparison circuit section 43 of the differential type with one A plurality of transistors Q1, Q2, Q3, Q4, Q5 and Q6 for comparing the output signals of the first comparison circuit section 41 with an internal reference voltage Vref2 to output frequency divider control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32.

Die Frequenzteilersteuersignale C11, C12, C21, C22, C31 und C32 des Steuerbereichs werden in Paaren von C11 und C12, C21 und C22 sowie C31 und C32 gebildet und anschließend in einem Emitter-gekoppelten Logikschaltkreis benötigt.The frequency divider control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32's control area are in pairs of C11 and C12, C21 and C22 and C31 and C32 are formed and then in one Emitter-coupled logic circuit required.

Fig. 5 zeigt eine detaillierte Schaltkreisdarstellung eines Oszillationsbereichs nach Fig. 3. FIG. 5 shows a detailed circuit diagram of an oscillation range according to FIG. 3.

Der Oszillationsbereich 60 umfaßt elektronische Schaltbereiche Q11-Q14, Q21-Q24 und Q31-Q34 zur Verbindung eines Oszillatorschwingkreises C1 und L1, C2 und L2 sowie C3 und L3 des Oszillatorschwingkreisbereichs 50 mit den Oszillationsschaltungen Q41 und Q43 des Oszillationsbereichs 60 in Übereinstimmung mit den Schaltsteuersignalen S1, S2 und S3 des Steuerbereichs 40 und die Oszillationsschaltungen Q41 und Q43 zum Oszillieren der Resonanzfrequenz des verbundenen Oszillatorschwingkreises.The oscillation section 60 includes electronic switch sections Q11-Q14, Q21-Q24 and Q31-Q34 for connecting an oscillator circuit C1 and L1, C2 and L2 as well as C3 and L3 of the oscillator circuit section 50 to the oscillation circuits Q41 and Q43 of the oscillation section 60 in accordance with the switch control signals S1 , S2 and S3 of the control section 40 and the oscillation circuits Q41 and Q43 for oscillating the resonance frequency of the connected oscillator circuit.

Fig. 6 zeigt eine detaillierte Schaltkreisansicht eines Frequenzteilerbereichs 70 nach Fig. 3. FIG. 6 shows a detailed circuit view of a frequency divider region 70 according to FIG. 3.

Der Frequenzteilerbereich 70 umfaßt erste, zweite, dritte und vierte Zähler 71, 72, 73 und 74 zum Durchführen von Zähloperationen entsprechend zu den Sätzen von Frequenzteilersteuersignalen C11, C21 und C31 oder C12, C22 und C32 des Steuerbereichs 40; einen NAND-Bereich 75 zur NAND-Verknüpfung der Signale von den Zählern; einen Sperrbereich 76 zum Aufrechterhalten der Ausgabe des NAND-Bereichs 75 für eine bestimmte Zeitdauer und einen Betriebsjustierbereich 77 zum Justieren des Betriebsverhältnisses der Ausgangssignale des Sperrbereichs 76 auf einen bestimmten Wert.The frequency dividing section 70 includes first, second, third and fourth counters 71 , 72 , 73 and 74 for performing counting operations corresponding to the sets of frequency dividing control signals C11, C21 and C31 or C12, C22 and C32 of the control section 40 ; a NAND area 75 for NANDing the signals from the counters; a lockout area 76 for maintaining the output of the NAND area 75 for a certain period of time, and an operation adjustment area 77 for adjusting the duty ratio of the output signals of the lockout area 76 to a certain value.

Weiterhin sind durch Bezugszeichen CK1 und CK2 Taktsignale zum Freigeben der Zähler, durch Q11-Q34 Transistoren zum Vergleich von Signalen miteinander und durch R1-R35 Vorspannwiderstände bezeichnet.CK1 and CK2 are clock signals for Enable the counters, through Q11-Q34 transistors for  Comparison of signals with each other and with R1-R35 Bias resistors called.

Im folgenden wird die Erfindung und deren Betriebsweise und Effekte anhand der Fig. 3 bis 6 beschrieben.The invention and its mode of operation and effects are described below with reference to FIGS. 3 to 6.

Vor einer Beschreibung der Betriebsweise der vorliegenden Erfindung sei angemerkt, daß die Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 Öffnungs- und Erdungskonzeptionen aufweisen, da sie angeschlossen oder getrennt zwischen den Schaltkreisanschlüssen und Masse in ihren Strukturen wie den elektrischen Schaltkreisen und den Schaltern sind. Allerdings werden zur Vereinfachung der Beschreibung die Statussignale des Öffnens und des Erdens im folgenden in Form der logischen Signale, d. h. "1" und "0", beschrieben.Before describing the operation of the present Invention, it should be noted that the channel selection signals CS1 and CS2 have opening and grounding concepts as they connected or disconnected between the Circuit connections and ground in their structures like that electrical circuits and the switches are. Indeed are the status signals to simplify the description of opening and grounding in the following in the form of logical Signals, d. H. "1" and "0" described.

Nach Fig. 3 liest zuerst der Steuerbereich 40 die einkommenden Kanalauswahlsignale CS1 und CS2. Dann vergleicht der Differenzvergleichsschaltkreis 41 die gelesenen Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 mit einer intern eingestellten Referenzspannung Vref 1. Entsprechend zu den Vergleichsergebnissen werden Schaltsteuersignale S1, S2 und S3 mit hohem oder niedrigem Pegel zu dem oszillationsbereich 60 ausgegeben.According to FIG. 3, the control section 40 first reads the incoming channel selection signals CS1 and CS2. Then the difference comparison circuit 41 compares the read channel selection signals CS1 and CS2 with an internally set reference voltage Vref 1 . In accordance with the comparison results, switching control signals S1, S2 and S3 with high or low level are output to the oscillation region 60.

Im Zusammenhang mit Fig. 4 wird die Betriebsweise des Schaltkreises im folgenden im Detail beschrieben.In connection with Fig. 4, the operation of the circuit in the following be described in detail.

Wenn eine Spannung von ungefähr +5 V einem Spannungsquellenanschluß +Vcc des Steuerbereichs 40 zugeführt wird, ergibt sich eine Spannung von ungefähr +4 V an dem gemeinsamen Kollektoranschluß der Transistoren Q1, Q2 und Q3 und an dem gemeinsamen Kollektoranschluß der Transistoren Q4, Q5 und Q6 des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41. Zur gleichen Zeit wird eine Spannung von ungefähr +2 V als Referenzspannung Vref 1 den Basisanschlüssen der Transistoren Q3 und Q4 angelegt. Weiterhin wird eine Spannung von ungefähr +2,5 V als Referenzspannung Vref2 dem gemeinsamen Basisanschluß der Transistoren Q11, Q12, Q21, Q22, Q31 und Q32 des zweiten Vergleichsschaltungsbereichs 43 zugeführt.When a voltage of approximately +5 V is supplied to a voltage source terminal + Vcc of the control section 40 , a voltage of approximately +4 V results at the common collector terminal of the transistors Q1, Q2 and Q3 and at the common collector terminal of the transistors Q4, Q5 and Q6 of the first comparison circuit area 41 . At the same time, a voltage of approximately +2 V is applied as the reference voltage Vref 1 to the base terminals of the transistors Q3 and Q4. Furthermore, a voltage of approximately +2.5 V as the reference voltage Vref2 is supplied to the common base connection of the transistors Q11, Q12, Q21, Q22, Q31 and Q32 of the second comparison circuit region 43 .

In dem obenbeschriebenen Fall soll insbesondere der Fall beschrieben werden, bei dem die Kanalauswahlsignale in der Form "01" eingegeben werden. Aufgrund des Kanalauswahlsignals CS1 und der Bezugsspannung Vref 1 werden die Transistoren Q1 und Q2 des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41 des Steuerbereichs 40 ausgeschaltet, während der Transistor Q3 eingeschaltet wird. Weiterhin aufgrund des Kanalauswahlsignals CS2 und der Bezugsspannung Vref 1 werden die Transistoren Q5 und Q6 des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41 des Steuerbereichs 40 aus- und der Transistor Q4 eingeschaltet.In the case described above, the case in which the channel selection signals are input in the form "01" will be described in particular. Due to the channel selection signal CS1 and the reference voltage Vref 1, the transistors Q1 and Q2 of the first comparison circuit region 41 of the control region 40 are switched off, while the transistor Q3 is switched on. Furthermore, on the basis of the channel selection signal CS2 and the reference voltage Vref 1, the transistors Q5 and Q6 of the first comparison circuit region 41 of the control region 40 are switched off and the transistor Q4 is switched on.

In Übereinstimmung mit dem Betrieb des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41 des Steuerbereichs 40 werden die Schaltsignale S1, S2 und S3 als "010" ausgegeben.In accordance with the operation of the first comparison circuit section 41 of the control section 40 , the switching signals S1, S2 and S3 are output as "010".

Gleichzeitig mit den Operationen des ersten Vergleichsschaltungsbereichs 41, werden die Transistoren Q33 und Q32 des zweiten Vergleichsschaltungsbereichs 43 eingeschaltet und der Transistor Q31 ausgeschaltet. Dies hat als Ergebnis, daß die Frequenzteilersteuersignale als "10" ausgegeben werden. Weiterhin sind die Transistoren Q23 und Q22 aus- und der Transistor Q21 eingeschaltet. Dies hat als Ergebnis, daß die Frequenzteilersteuersignale C21 und C22 als "01" ausgegeben werden. Schließlich sind die Transistoren Q13 und Q12 aus- und der Transistor Q11 eingeschaltet, mit dem Ergebnis, daß die Frequenzteilersteuersignale C11 und C12 als "01" ausgegeben werden.Simultaneously with the operations of the first comparison circuit area 41 , the transistors Q33 and Q32 of the second comparison circuit area 43 are turned on and the transistor Q31 is turned off. As a result, the frequency divider control signals are output as "10". Furthermore, transistors Q23 and Q22 are off and transistor Q21 is on. As a result, the frequency divider control signals C21 and C22 are output as "01". Finally, transistors Q13 and Q12 are off and transistor Q11 is on, with the result that the frequency divider control signals C11 and C12 are output as "01".

Die Betriebsweise wird im Hinblick auf die obige Beschreibung im folgenden analysiert.The mode of operation is in view of the above description analyzed below.

Werden die Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 in Form von "10" eingegeben, werden die Frequenzteilersteuersignale C31 und C32 in Form von "01" ausgegeben, die Frequenzteilersteuersignale C21 und C22 werden in der Form "10" ausgegeben und die Frequenzteilersteuersignale C11 und C12 werden in der Form "10" ausgegeben.Are the channel selection signals CS1 and CS2 in the form of "10" are entered, the frequency divider control signals C31 and C32  output in the form of "01", the frequency divider control signals C21 and C22 are output in the form "10" and the Frequency divider control signals C11 and C12 are in the form "10" output.

Wenn die Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 in der Form "11" eingegeben werden, werden die Frequenzteilersteuersignale C31 und C32 in der Form "01", die Frequenzteilersteuersignale C21 und C22 in der Form "10" und die Frequenzteilersteuersignale C11 und C12 in der Form "01" ausgegeben.When the channel selection signals CS1 and CS2 are in the form "11" are entered, the frequency divider control signals C31 and C32 in the form "01", the frequency divider control signals C21 and C22 in the form "10" and the frequency divider control signals C11 and C12 output in the form "01".

In der Zwischenzeit schwingen in dem Oszillatorschwingkreisbereich 50 nach Fig. 3 der erste Oszillatorschwingkreis C1 und L1 mit einer Resonanzfrequenz von 5,5 MHz, der zweite Oszillatorschwingkreis C2 und L2 mit einer Resonanzfrequenz von 6,0 MHz und der dritte Oszillatorschwingkreis C3 und L3 mit einer Resonanzfrequenz von 6,5 MHz. Eine dieser Resonanzfrequenzen wird durch den Oszillationsbereich 60 entsprechend zu den Schaltungssteuersignalen S1, S2 und S3 des Steuerbereichs 40 ausgewählt, um Schwingungen auszuführen. Dies wird im folgenden im Detail beschrieben.In the meantime, 3 oscillate in the oscillator resonant circuit portion 50 of FIG., The first tank circuit C1 and L1 with a resonant frequency of 5.5 MHz, the second oscillator resonant circuit C2 and L2 with a resonant frequency of 6.0 MHz and the third tank circuit C3 and L3 having a Resonance frequency of 6.5 MHz. One of these resonance frequencies is selected by the oscillation section 60 in accordance with the circuit control signals S1, S2 and S3 of the control section 40 to perform vibrations. This is described in detail below.

Die Schaltungssteuersignale des Steuerbereichs 40 nach Fig. 3 werden dem Oszillationsbereich 60 nach Fig. 4 zugeführt. Von den Schaltsteuersignalen S1, S2 und S3 des Steuerbereichs 40 hat nur eins einen niedrigen Pegel, während die übrigen einen hohen Pegel aufweisen.The circuit control signals of the control area 40 according to FIG. 3 are supplied to the oscillation area 60 according to FIG. 4. Of the switching control signals S1, S2 and S3 of the control section 40 , only one is at a low level, while the rest are at a high level.

Eine der Resonanzfrequenzen F1, F2 und F3, die von dem Oszillatorschwingkreisbereich 10 ausgegeben werden, wird entsprechend zu dem Steuersignal mit niedrigem Pegel des Steuerbereichs 40 ausgewählt und basiert auf dem stetigen Betrieb einer jeden Gruppe der Transistoren Q11-Q16, Q21-Q26 und Q31-Q36 des elektronischen Schaltbereichs. Dann wird die ausgewählte Frequenz den Oszillationsschaltkreisen Q41 und Q43 zugeführt. Folglich schwingen die Oszillationsschaltkreise Q41 und Q43 mit der Resonanzfrequenz der Oszillatorschwingkreise, die durch die elektronischen Schaltbereiche Q11-Q36 des Oszillationsbereichs 60 ausgewählt wurde, vor der Ausgabe.One of the resonance frequencies F1, F2 and F3 output from the oscillation circuit section 10 is selected in accordance with the low level control signal of the control section 40 and is based on the steady operation of each group of the transistors Q11-Q16, Q21-Q26 and Q31- Q36 of the electronic switching range. Then the selected frequency is supplied to the oscillation circuits Q41 and Q43. As a result, the oscillation circuits Q41 and Q43 oscillate at the resonance frequency of the oscillator oscillation circuits selected by the electronic switching regions Q11-Q36 of the oscillation region 60 before output.

Die dem Steuerbereich 40 zugeführten Kanalauswahlsignale CS1 und CS2 sind entweder Steuersignale, die durch einen externen Mikrocomputer erzeugt werden, oder Statussignale, die durch äußere mechanische Einrichtungen gebildet werden. Daher kann der RF-Modulationsschaltkreis gemäß der vorliegenden Erfindung durch externe mechanische Einrichtungen oder externe elektronische Einrichtungen wie eine Fernsteuerung gesteuert werden.The channel selection signals CS1 and CS2 supplied to the control area 40 are either control signals which are generated by an external microcomputer or status signals which are formed by external mechanical devices. Therefore, the RF modulation circuit according to the present invention can be controlled by external mechanical devices or external electronic devices such as a remote control.

Entsprechend zu den Frequenzteilersteuersignalen C11, C12, C21, C22, C31 und C32 des Steuerbereichs 40 teilt der Frequenzteilerbereich 70 im Verhältnis von 1 : 22, wenn ein Tonträger mit einer Frequenz von 5,5 MHz zugeführt wird, im Verhältnis von 1 : 24, wenn er mit einer Frequenz von 6,0 MHz zugeführt wird, und mit einem Verhältnis von 1 : 26, wenn er mit einer Frequenz von 6,5 MHz eingegeben wird. Folglich führt der Frequenzteilerbereich 70 unter der Steuerung des Steuerbereichs 40 immer 250 KHz zu allen Zeiten dem TSG-Erzeugungsbereich 80 zu. Dieser TSG-Erzeugungsbereich 80 gibt TSG-Signale mit gleicher Frequenz wie die vom Frequenzteilerbereich 70 zugeführte Frequenz aus.Corresponding to the frequency dividing control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32 of the control area 40 , the frequency dividing area 70 divides 1:22 when a sound carrier with a frequency of 5.5 MHz is fed in at a ratio of 1:24. when it is fed at a frequency of 6.0 MHz and at a ratio of 1:26 when it is fed at a frequency of 6.5 MHz. Consequently, the frequency divider section 70 always feeds 250 KHz to the TSG generating section 80 under the control of the control section 40 . This TSG generation area 80 outputs TSG signals with the same frequency as the frequency supplied by the frequency dividing area 70 .

Von den Frequenzteilersteuersignalen C11, C12, C21, C22, C31 und C32 haben entsprechend die Paare C11 und C12, C21 und C22 sowie C31 und C32 gegenseitig inverse logische Pegel. Die erforderlichen logischen Pegel sind, systemabhängig unterschiedlich und folglich werden zwei zueinander inverser logischer Pegel bereitgestellt. Es sei angenommen, daß die Frequenzteilersteuersignale C12, C22 und C32 bei der vorliegenden Erfindung verwendet werden. From the frequency divider control signals C11, C12, C21, C22, C31 and C32 have pairs C11 and C12, C21 and C22, respectively and C31 and C32 mutually inverse logic levels. The required logic levels are system dependent different and consequently two become inverse to each other logic level provided. It is assumed that the Frequency divider control signals C12, C22 and C32 at the present invention can be used.  

In Fig. 6 wird der Fall beschrieben, in dem die Frequenzteilersteuersignale C31 und C32 vom Steuerbereich 40 in Form "10" ausgegeben werden, die Frequenzteilersteuersignale C21 und C22 von dem Steuerbereich 40 in Form "01" ausgegeben werden und die Frequenzteilersteuersignale C11 und C12 von dem Steuerbereich 40 in Form von "01" ausgegeben werden. Das heißt, wenn die Frequenzteilersteuersignale C12, C22 und C32 den Wert "110" aufweisen, führt der erste Zähler 71 des Frequenzteilerbereichs 70 keine Frequenzteileroperation durch und die zweiten und dritten Zähler 72 und 73 führen eine Frequenzteileroperation im Verhältnis 1 : 2 durch, während der vierte Zähler 74 eine Frequenzteileroperation im Verhältnis von 1 : 2 während der ganzen Zeit durchführt.In Fig. 6, the case will be described in which the frequency dividing control signals C31 and C32 are output from the control section 40 in the form "10", the frequency dividing control signals C21 and C22 are output from the control section 40 in the form "01" and the frequency dividing control signals C11 and C12 by the control area 40 in the form of "01". That is, when the frequency dividing control signals C12, C22 and C32 are "110", the first counter 71 of the frequency dividing section 70 does not perform a frequency dividing operation, and the second and third counters 72 and 73 perform a frequency dividing operation in a ratio of 1: 2 during that fourth counter 74 performs a frequency divider operation in a ratio of 1: 2 all the time.

Folglich erfolgt eine Frequenzteilung im Verhältnis von 1 : 11 im letzten Zähler 74 und im NAND-Glied 75. Diese 1 : 11- geteilten Signale werden durch den Sperrbereich 76 hindurchgeführt, um einen Betriebsartenjustierbereich 77 zugeführt werden, in dem die Signale im Verhältnis 1 : 2 geteilt werden, so daß sie schließlich in einem Verhältnis von 1 : 22 geteilt sind. In der Zwischenzeit ist die von dem Oszillationsbereich 60 ausgehende Frequenz von 5,5 MHz im Verhältnis von 1 : 22 geteilt worden. Als Ergebnis werden Signale von 250 KHz dem TSG-Erzeugungsbereich 80 zugeführt.Consequently, a frequency division in a ratio of 1:11 occurs in the last counter 74 and in the NAND gate 75 . These 1:11 divided signals are passed through the blocking area 76 to be fed to a mode adjustment area 77 in which the signals are divided 1: 2 so that they are finally divided at a 1:22 ratio. In the meantime, the frequency of 5.5 MHz originating from the oscillation region 60 has been divided in a ratio of 1:22. As a result, signals of 250 KHz are supplied to the TSG generation area 80 .

Ausgehend von dem obenbeschriebenen Verarbeitungsprinzip wird eine Frequenzteilung im Verhältnis von 1:12 im letzten Zähler 74 und im NAND-Glied 75 durchgeführt, wenn die Frequenzteilersteuersignale C12, C22 und C32 die Form "001" haben. Diese 1 : 12-geteilten Signale treten durch den Sperrbereich 76 hindurch, um dem Betriebsartenjustierbereich 77 zugeführt werden, indem sie im Verhältnis von 1 : 2 geteilt werden, wodurch eine endgültige Teilung im Verhältnis 1 : 24 erhalten wird. Die von dem Oszillationsbereich 60 eingegebene Frequenz von 6,0 MHz wird im Verhältnis von 1:24 geteilt und als Ergebnis werden Signale von 250 KHz dem TSG-Erzeugungsbereich 80 zugeführt.Based on the processing principle described above, frequency division in a ratio of 1:12 is carried out in the last counter 74 and in the NAND gate 75 if the frequency divider control signals C12, C22 and C32 have the form "001". These 1:12 divided signals pass through the blocking area 76 to be supplied to the mode adjustment area 77 by dividing them in a 1: 2 ratio, thereby obtaining a final 1:24 split. The frequency of 6.0 MHz input from the oscillation area 60 is divided by 1:24, and as a result, signals of 250 KHz are supplied to the TSG generation area 80 .

Haben die Frequenzteilersteuersignale C12, C22 und C32 die Form "101", wird eine Frequenzteilung im Verhältnis von 1 : 13 im letzten Zähler 74 und in dem NAND-Glied 75 durchgeführt. Diese 1 : 13-geteilten Signale treten durch den Sperrbereich 76 hindurch und werden dem Betriebsartenjustierbereich 77 zugeführt, indem sie im Verhältnis 1 : 2 geteilt werden, um endgültig im Verhältnis von 1 : 26 geteilt zu werden. Entsprechend wird die von dem Oszillationsbereich 60 eingegebene Frequenz von 6,5 MHz im Verhältnis von 1 : 26 geteilt und als Ergebnis werden Signale von 250 KHz dem TSG-Erzeugungsbereich 80 zugeführt.If the frequency divider control signals C12, C22 and C32 have the form "101", a frequency division in the ratio of 1:13 is carried out in the last counter 74 and in the NAND gate 75 . These 1:13 divided signals pass through the blocking area 76 and are supplied to the mode adjustment area 77 by dividing them in a 1: 2 ratio to be finally divided in a 1:26 ratio. Accordingly, the 6.5 MHz frequency input from the oscillation section 60 is divided in a ratio of 1:26, and as a result, 250 KHz signals are supplied to the TSG generating section 80 .

Wird bei einem bekannten Schaltkreis eine Frequenz von 500 KHz verwendet, betragen die Abweichungen ungefähr ±10 KHz. Im Gegensatz dazu sind die Abweichungen bei der vorliegenden Erfindung bei Verwendung einer Frequenz von 500 KHz ungefähr ±1 KHz. Da allerdings die vorliegende Erfindung eine Frequenz von 250 KHz verwendet, werden die Abweichungen auf die Hälfte von ±1 KHz reduziert. Folglich weisen die gemäß der vorliegenden Erfindung bereitgestellten TSG-Signale sehr geringe Abweichungen auf.If a known circuit has a frequency of 500 kHz used, the deviations are approximately ± 10 KHz. in the In contrast, the deviations in the present Invention using a frequency of 500 KHz approximately ± 1 KHz. However, since the present invention has a frequency used by 250 KHz, the deviations are halved reduced by ± 1 KHz. Consequently, according to the TSG signals provided by the present invention slight deviations.

Das Potential der Synchronisationsspitze der Videosignale Vin wird durch den Eingangsschaltkreisbereich 51 auf einem bestimmten Pegel fixiert und der Schaltungsbereich 52 führt Schaltfunktionen durch, um selektiv eine Menge der Videosignale oder der TSG-Signale dem Mischer 55 zuzuführen.The potential of the synchronization peak of the video signals Vin is fixed at a certain level by the input circuit section 51, and the circuit section 52 performs switching functions to selectively supply a quantity of the video signals or the TSG signals to the mixer 55 .

Arbeitet der Schaltbereich 52 in einer solchen Weise, daß die TSG-Signale durch einen externen Justierschalter SWO ausgewählt werden, schaltet der Schaltungsbereich 52 die Stromversorgung des Tonverstärkers 53 ab und aktiviert den Frequenzteilerbereich 70. Folglich wird die Möglichkeit einer Frequenzvariation der Tonträger entsprechend zu den eingehenden Tonsignalen in dem Fall eliminiert, indem die Tonträgerfrequenz frequenzgeteilt wird, um sie als TSG-Signale zu verwenden.If the switching area 52 operates in such a way that the TSG signals are selected by an external adjustment switch SWO, the switching area 52 switches off the power supply of the sound amplifier 53 and activates the frequency dividing area 70 . As a result, the possibility of frequency variation of the sound carriers according to the incoming sound signals is eliminated in the case by frequency dividing the sound carrier frequency to be used as TSG signals.

Folglich werden die Tonsignale Ain nur in dem Fall, in dem die Videosignale durch den Schaltbereich 52 ausgewählt werden, auf einen bestimmten Pegel durch den Tonverstärker 53 verstärkt, um an den RF-Modulationsbereich 54 ausgegeben zu werden. Dieser RF-Modulationsbereich 54 moduliert die Frequenz der Tonträgerwellen zu Audiosignalen, wie obenbeschrieben, um diese dem Mischer 55 zuzuführen.Accordingly, only in the case where the video signals are selected by the switching section 52 , the sound signals Ain are amplified to a certain level by the sound amplifier 53 to be output to the RF modulation section 54 . This RF modulation area 54 modulates the frequency of the sound carrier waves into audio signals as described above to be fed to the mixer 55 .

Der Mischer 55 mischt entweder die eingehenden Videosignale und die modulierten Tonsignale mit der Schwingfrequenz des Oszillators 34 oder mischt die TSG-Signale mit der Oszillationsfrequenz des Oszillators 34. Die auf diese Weise gemischten Signale werden durch den RF-Verstärker 56 auf einen bestimmten Pegel verstärkt, um an ein elektronisches Gerät wie ein Fernsehgerät oder dergleichen ausgegeben zu werden.The mixer 55 either mixes the incoming video signals and the modulated audio signals with the oscillation frequency of the oscillator 34 or mixes the TSG signals with the oscillation frequency of the oscillator 34 . The signals thus mixed are amplified to a certain level by the RF amplifier 56 to be output to an electronic device such as a television or the like.

Gemäß der vorangehend beschriebenen vorliegenden Erfindung ist ein separater Resonator oder ein separater Kondensator zur Erzeugung der TSG-Signale nicht erforderlich. Die Tonträger werden entsprechend zum Rundfunkverfahren frequenzgeteilt und folglich wird eine konstante Frequenz dem TSG-Schaltkreis zu allen Zeiten zur Erzeugung der TSG-Signale zugeführt. Während die bekannten Oszillatorschwingkreise und Oszillatoren eine Abweichung von ungefähr ±10 KHz aufweisen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung die Abweichung daher drastisch reduziert, weil die Abweichung zusammen mit der oszillierenden Frequenz frequenzgeteilt wird. Entsprechend sind die TSG-Signale genauer.According to the present invention described above a separate resonator or a separate capacitor for Generation of the TSG signals is not necessary. The sound carriers are frequency divided according to the broadcasting method and consequently, a constant frequency becomes the TSG circuit fed at all times to generate the TSG signals. While the known oscillator circuits and oscillators one Deviation of approximately ± 10 KHz, is according to the present invention, the deviation is therefore drastic reduced because the deviation along with the oscillating Frequency is frequency divided. The TSG signals are corresponding more accurate.

Weiterhin ergibt sich gemäß der vorliegenden Erfindung, daß unterschiedliche Tonträgerfrequenzen einfach gemäß der unterschiedlichen Rundfunkverfahren, d. h. B/G-Verfahren, I-Verfahren und D/K-Verfahren des PAL-Verfahrens ausgewählt werden können. Folglich werden unter Verwendung der Tonträgerfrequenzen die TSG-Signale gebildet.Furthermore, according to the present invention, it follows that different sound carrier frequencies simply according to the different broadcasting methods, d. H. B / G process, I process  and D / K methods of the PAL method are selected can be. Consequently, using the Sound carrier frequencies formed the TSG signals.

Weiterhin können gemäß der vorliegenden Erfindung genauere TSG-Signale ohne Verwendung separater Resonatoren und Kondensatoren bei der Bildung der TSG-Signale erhalten werden. Ebenso kann das Rundfunkverfahren einfach unter Verwendung eines elektronischen Schalters in dem Oszillationsbereich umgeschaltet werden.Furthermore, according to the present invention, more precise TSG signals without the use of separate resonators and Capacitors are obtained in the formation of the TSG signals. Likewise, the broadcasting method can be easily used of an electronic switch in the oscillation area can be switched.

Die obigen Beschreibungen zeigen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung und daher sind Variationen und Modifikationen innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung möglich.The descriptions above show one preferred Embodiment of the invention and therefore are variations and modifications within the scope of the present invention possible.

Claims (17)

1. Ein RF-Modulationsschaltkreis zur Verwendung beim PAL-Verfahren, gekennzeichnet durch
einen TSG-Erzeugungsbereich (80) zum Erzeugen von TSG-Signalen basierend auf einer bestimmten Eingangsfrequenz;
einen Klemmschaltkreis (51) zum Fixieren des Potentials der Videosignale auf einem konstanten Pegel;
einen Tonverstärker (53) zum Verstärken von Tonsignalen;
einen Oszillatorschwingkreisbereich (50) bestehend aus drei Tonträger-Oszillatorschwingkreisen basierend auf dem Rundfunkverfahren;
einen Frequenzmodulationsbereich (54) zum Frequenzmodulieren der Tonträger von einem Oszillator (60) mittels Ausgangssignalen des Tonverstärkers (53);
einen Mischer (56) zum Mischen der Ausgangssignale des Frequenzmodulationsbereichs und der Ausgangssignale des Klemmschaltkreisbereichs und des TSG-Erzeugungsbereichs entsprechend mit einer Frequenz eines Oszillators; und
einen RF-Verstärker (56) zum Verstärken der Ausgabesignale des Mischers, wobei der RF-Modulationsschaltkreis (54) weiterhin aufweist:
1. An RF modulation circuit for use in the PAL method, characterized by
a TSG generating area ( 80 ) for generating TSG signals based on a certain input frequency;
a clamp circuit ( 51 ) for fixing the potential of the video signals at a constant level;
a sound amplifier ( 53 ) for amplifying sound signals;
an oscillator circuit section ( 50 ) consisting of three sound carrier oscillator circuits based on the broadcasting method;
a frequency modulation section ( 54 ) for frequency modulating the sound carriers from an oscillator ( 60 ) by means of output signals of the sound amplifier ( 53 );
a mixer ( 56 ) for mixing the output signals of the frequency modulation section and the output signals of the clamping circuit section and the TSG generation section accordingly with a frequency of an oscillator; and
an RF amplifier ( 56 ) for amplifying the mixer output signals, the RF modulation circuit ( 54 ) further comprising:
einen Steuerbereich (40) zum Lesen extern eingegebener Kanalauswahlsignale zur Ausgabe von Schaltsteuersignalen und Frequenzteilersteuersignalen und
einen Oszillationsbereich (60) zum Auswählen und Oszillieren einer Vielzahl von oszillierenden Resonanzfrequenzen mittels der Vielzahl von Oszillatorschwingkreisen des Oszillatorschwingkreisbereichs (50) und mittels der Schaltsteuersignale des Steuerbereichs (40).
a control area ( 40 ) for reading externally input channel selection signals for outputting switching control signals and frequency dividing control signals and
an oscillation section ( 60 ) for selecting and oscillating a plurality of oscillating resonance frequencies by means of the plurality of oscillator circuits of the oscillator circuit section ( 50 ) and by means of the switching control signals of the control section ( 40 ).
2. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen Schaltbereich (52) zum Schalten der Signale des Klemmschaltkreises und der Signale des TSG-Erzeugungsbereichs (80) mittels eines externen Justierschalters; und
einen Frequenzteilerbereich (70) zum Frequenzteilen der Oszillationsfrequenz eines Tonträgeroszillators mittels der Frequenzteilersteuersignale des Steuerbereichs zur Zuführung der geteilten Frequenz zu dem TSG-Erzeugungsbereich.
2. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized by
a switching area ( 52 ) for switching the signals of the clamping circuit and the signals of the TSG generating area ( 80 ) by means of an external adjustment switch; and
a frequency dividing section ( 70 ) for frequency dividing the oscillation frequency of a sound carrier oscillator by means of the frequency dividing control signals of the control section for supplying the divided frequency to the TSG generating section.
3. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerbereich (40) aufweist:3. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized in that the control area ( 40 ) comprises: einen ersten Vergleichsschaltkreisbereich (41) bestehend aus einer Vielzahl von Transistoren zum Vergleich von extern eingegebenen, zwei Kanalauswahlsignalen mit einer inneren Referenzspannung, um drei Schaltsteuersignale (S1, S2, S3) auszugeben; und
einen zweiten Vergleichsschaltkreisbereich (43) vom Differenztyp aus einer Vielzahl von Transistoren zum Vergleich der Ausgangssignale des ersten Vergleichsschaltkreisbereichs (41) mit einer weiteren inneren Referenzspannung, um Frequenzteilersteuersignale aus zugeben.
a first comparison circuit section ( 41 ) consisting of a plurality of transistors for comparing externally input two channel selection signals with an internal reference voltage to output three switching control signals (S1, S2, S3); and
a second comparison circuit section ( 43 ) of the differential type consisting of a plurality of transistors for comparing the output signals of the first comparison circuit section ( 41 ) with a further internal reference voltage in order to output frequency divider control signals.
4. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillationsbereich (60) aufweist:
elektronische Schaltbereiche zum Verbinden eines der Oszillatorschwingkreise (C1, L1; C2, L2; C3, L3) des Oszillatorschwingkreisbereichs (50) mit Oszillationsschaltkreisen des Oszillationsbereichs (60) entsprechend zu Schaltsteuersignalen des Steuerbereichs (40), wobei die Oszillationsschaltkreise (Q41, Q43) mit der Resonanzfrequenz des angeschlossenen Oszillatorschwingkreises oszillieren.
4. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized in that the oscillation range ( 60 ) comprises:
electronic switching areas for connecting one of the oscillator resonant circuits (C1, L1; C2, L2; C3, L3) of the oscillator resonant circuit area ( 50 ) to oscillating circuits of the oscillating area ( 60 ) corresponding to switching control signals of the control area ( 40 ), the oscillating circuits (Q41, Q43) also the resonance frequency of the connected oscillator circuit oscillate.
5. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Steuerbereich eingegebenen Kanalauswahlsignale Steuersignale von einem externen Mikrocomputer sind.5. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized characterized that the entered in the control area Channel selection signals Control signals from an external Are microcomputers. 6. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Steuerbereich eingegebenen Kanalauswahlsignale Pegelsignale von einem externen mechanischen Schalter sind.6. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized characterized that the entered in the control area Channel selection signals Level signals from an external are mechanical switches. 7. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Auswahl von Ausgabesignalen des TSG-Erzeugungsbereichs (80) der Schaltungsbereich (52) den Tonverstärker (53) unwirksam und den Frequenzteilerbereich (70) wirksam schaltet.7. The RF modulation circuit according to claim 2, characterized in that when selecting output signals of the TSG generation area ( 80 ) the circuit area ( 52 ) the sound amplifier ( 53 ) ineffective and the frequency divider area ( 70 ) switches effectively. 8. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Frequenzteilerbereich (70) aufweist:
erste, zweite, dritte und vierte Zähler (71-74) zum Durchführen von Zähloperationen in Übereinstimmung mit Sätzen von Frequenzteilersteuersignalen C11, C21 und C31 oder C12, C22 und C32 des Steuerbereichs;
ein NAND-Glied (75) zum NAND-Verknüpfen der Signale von den Zählern;
einen Sperrbereich (76) zum Aufrechterhalten der Ausgabe des NAND-Glieds (75) für eine bestimmte Zeitperiode; und
einen Betriebsartenjustierbereich (77) zum Justieren des Betriebsverhältnisses der Ausgabesignale des Sperrbereichs (76) auf einem bestimmten Wert.
8. The RF modulation circuit according to claim 2, characterized in that the frequency divider range ( 70 ) comprises:
first, second, third and fourth counters ( 71-74 ) for performing counting operations in accordance with sets of frequency dividing control signals C11, C21 and C31 or C12, C22 and C32 of the control area;
a NAND gate ( 75 ) for NANDing the signals from the counters;
a blocking area ( 76 ) for maintaining the output of the NAND gate ( 75 ) for a certain period of time; and
an operating mode adjustment area ( 77 ) for adjusting the operating ratio of the output signals of the blocking area ( 76 ) to a certain value.
9. Ein RF-Modulationsschaltkreis zur Verwendung beim PAL-Verfahren, gekennzeichnet durch
einen TSG-Erzeugungsbereich (80) zum Erzeugen von TSG-Signalen auf der Grundlage einer bestimmten Eingangsfrequenz;
einen Klemmschaltkreis (51) zum Fixieren des Potentials von Videosignalen auf einem bestimmten Pegel;
einen Tonverstärker (53) zum Verstärken von Tonsignalen;
einen Oszillatorschwingkreisbereich (50) bestehend aus drei Tonträger-Oszillatorschwingkreisen (C1, L1; C2, L2; C3, L3) auf der Grundlage eines Rundfunkverfahrens;
einen Oszillationsbereich (60) zum Oszillieren der Tonträger des Oszillatorschwingkreisbereichs (50), einen Frequenzmodulationsbereich (54) zum Frequenzmodulieren der Tonträger vom Oszillator mittels von Ausgangssignalen des Tonverstärkers;
einen Mischer (56) zum Mischen von Ausgangssignalen des Frequenzmodulationsbereichs (54) und Ausgangssignalen des Klemmschaltkreisbereichs (51) und des TSG-Erzeugungsbereichs (80) entsprechend mit einer Frequenz eines Oszillators; und
einen RF-Verstärker (56) zum Verstärken der Ausgabesignale des Mischers, wobei der RF-Modulationsschaltkreis weiterhin aufweist:
einen Steuerbereich (40) zum Lesen extern eingegebener Kanalauswahlsignale zur Ausgabe von Schaltsteuersignalen und Frequenzteilersteuersignalen; und
einen Frequenzteilerbereich (70) zum Frequenzteilen der Oszillationsfrequenz des Oszillationsbereichs (60) auf der Grundlage von Frequenzteilersteuersignalen des Steuerbereichs (40) zur Ausgabe des frequenzgeteilten Signals zum TSG-Erzeugungsbereich (80).
9. An RF modulation circuit for use in the PAL method, characterized by
a TSG generation area ( 80 ) for generating TSG signals based on a particular input frequency;
a clamp circuit ( 51 ) for fixing the potential of video signals at a certain level;
a sound amplifier ( 53 ) for amplifying sound signals;
an oscillator circuit section ( 50 ) consisting of three sound carrier oscillator circuits (C1, L1; C2, L2; C3, L3) based on a broadcasting method;
an oscillation section ( 60 ) for oscillating the sound carriers of the oscillator circuit section ( 50 ), a frequency modulation section ( 54 ) for frequency modulating the sound carriers from the oscillator by means of output signals of the sound amplifier;
a mixer ( 56 ) for mixing output signals of the frequency modulation section ( 54 ) and output signals of the clamping circuit section ( 51 ) and the TSG generation section ( 80 ) accordingly with a frequency of an oscillator; and
an RF amplifier ( 56 ) for amplifying the mixer output signals, the RF modulation circuit further comprising:
a control section ( 40 ) for reading externally input channel selection signals to output switching control signals and frequency divider control signals; and
a frequency dividing section ( 70 ) for frequency dividing the oscillation frequency of the oscillating section ( 60 ) based on frequency dividing control signals of the control section ( 40 ) for outputting the frequency divided signal to the TSG generating section ( 80 ).
10. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 9, weiterhin gekennzeichnet durch:
einen Schaltbereich (52) zum Schalten der Signale des Klemmschaltkreises (51) und der Signale eines TSG-Erzeugungsbereichs (80) mittels eines externen Justierschalters; und
einen Oszillationsbereich (60) zum Durchführen von Oszillationen durch Auswahl einer der Resonanzfrequenzen einer Vielzahl von Oszillatorschwingkreisen des Oszillatorschwingkreisbereichs (50) gemäß Schaltsteuersignalen des Steuerbereichs (40).
10. The RF modulation circuit of claim 9, further characterized by:
a switching area ( 52 ) for switching the signals of the clamping circuit ( 51 ) and the signals of a TSG generating area ( 80 ) by means of an external adjustment switch; and
an oscillation section ( 60 ) for performing oscillations by selecting one of the resonance frequencies of a plurality of oscillator circuits of the oscillator circuit section ( 50 ) in accordance with switching control signals of the control section ( 40 ).
11. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerbereich (40) aufweist:11. The RF modulation circuit according to claim 9, characterized in that the control area ( 40 ) comprises: einen ersten Vergleichsschaltkreisbereich (41) bestehend aus einer Vielzahl von Transistoren zum Vergleich von zwei extern eingegebenen Kanalauswahlsignalen mit einer inneren Vergleichsspannung zur Ausgabe von drei Schaltsteuersignalen; und
einen zweiten Vergleichsschaltkreisbereich (43) des Differenztypen bestehend aus einer Vielzahl von Transistoren zum Vergleich von Ausgabesignalen des ersten Vergleichsschaltkreisbereichs (41) mit einer weiteren internen Bezugsspannung zur Ausgabe von Frequenzteilersteuersignalen.
a first comparison circuit section ( 41 ) consisting of a plurality of transistors for comparing two externally input channel selection signals with an internal comparison voltage for outputting three switching control signals; and
a second comparison circuit area ( 43 ) of the differential type consisting of a plurality of transistors for comparing output signals of the first comparison circuit area ( 41 ) with a further internal reference voltage for outputting frequency divider control signals.
12. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Frequenzteilerbereich (70) weiterhin aufweist:
erste, zweite, dritte und vierte Zähler (71-74) zum Durchführen von Zähloperationen entsprechend zu Mengen C11, C21 und C31 oder C12, C22 und C32 der Frequenzteilersteuersignale des Steuerbereichs (40);
ein NAND-Glied (75) zum NAND-Verknüpfen der Signale der Zähler;
einen Sperrbereich (76) zum Aufrechterhalten der Ausgabe des NAND-Bereichs für eine bestimmte Zeitperiode; und
einen Betriebsartenjustierbereich (77) zum Justieren von Betriebsverhältnissen der Ausgabesignale des Sperrbereichs (76) auf einem bestimmten Wert.
12. The RF modulation circuit according to claim 9, characterized in that the frequency divider range ( 70 ) further comprises:
first, second, third and fourth counters ( 71-74 ) for performing counting operations corresponding to sets C11, C21 and C31 or C12, C22 and C32 of the frequency dividing control signals of the control section ( 40 );
a NAND gate ( 75 ) for NANDing the signals of the counters;
a blocking area ( 76 ) for maintaining the output of the NAND area for a certain period of time; and
an operating mode adjustment area ( 77 ) for adjusting operating conditions of the output signals of the blocking area ( 76 ) to a specific value.
13. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Auswahl von Ausgabesignalen des TSG-Erzeugungsbereichs (80) der Tonverstärker (53) unwirksam und der Frequenzteilerbereich (70) wirksam durch den Schalterbereich (52) schaltbar ist.13. The RF modulation circuit according to claim 9, characterized in that upon selection of output signals of the TSG generation area ( 80 ) the sound amplifier ( 53 ) is ineffective and the frequency divider area ( 70 ) is effectively switchable by the switch area ( 52 ). 14. Der RF-Modulationsschaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillationsbereich (60) aufweist; elektronische Schaltbereiche (Q11-Q14; Q28-Q24; Q31-Q34) zum Verbinden eines der Oszillatorschwingkreise (C1, L1; C2, L2; C3, L3) des Oszillatorschwingkreisbereichs (50) mit Oszillationsschaltkreisen (Q41, Q43) des Oszillationsbereichs (60) entsprechend zu Schaltsteuersignalen (S1-S3) des Steuerbereichs (40), wobei die Oszillationsschaltkreise (Q41, Q43) mit der Resonanzfrequenz des angeschlossenen Oszillatorschwingkreises oszillieren.14. The RF modulation circuit according to claim 1, characterized in that the oscillation region ( 60 ) comprises; electronic switching areas (Q11-Q14; Q28-Q24; Q31-Q34) for connecting one of the oscillator circuits (C1, L1; C2, L2; C3, L3) of the oscillator circuit area ( 50 ) to oscillation circuits (Q41, Q43) of the oscillation area ( 60 ) corresponding to switching control signals (S1-S3) of the control area ( 40 ), the oscillation circuits (Q41, Q43) oscillating at the resonance frequency of the connected oscillator circuit.
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