DE19518779C1 - Verbundkörper aus vakuumbeschichtetem Sinterwerkstoff und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Verbundkörper, dessen Träger aus einem Sinterwerkstoff besteht, auf dem eine oder mehrere Oberflächenschichten aufge­ bracht sind, von denen mindestens eine Schicht durch Vakuumbeschichtung ab­ geschieden ist und aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) besteht. Derartige Verbundkörper werden beispielsweise als Schneidwerkzeuge bei der spanenden Bearbeitung eingesetzt. Vorzugsweise finden derartige Verbundkörper als Wendeschneidplat­ ten Verwendung.

Es sind Verbundkörper bekannt, die eine Al₂O₃-Schicht enthalten, welche durch chemische Dampfphasenabscheidung (CVD) bei Temperaturen oberhalb 1000°C auf dem Träger aus Sinterwerkstoff abgeschieden worden sind. Derartige Schichten sind kristallin und enthalten neben der thermodynamisch stabilen α- Phase im allgemeinen weitere metastabile Phasen, insbesondere die -Phase (DE 22 33 700; DE 22 53 745). Bei den notwendigen hohen Temperaturen wäh­ rend der Herstellung des Verbundkörpers und den unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Materialien sind die Träger extremen Belastungen ausgesetzt, wodurch sich ihre mechanischen Eigenschaften verschlechtern. Beim Einsatz in Schneidwerkzeugen unterliegen solche Verbundkörper hohen Tempe­ raturen. Diese sind mit einer Phasenumwandlung insbesondere der -Phase ver­ bunden. Die Schichten haben eine rauhe Oberfläche und relativ hohe Reibungs­ koeffizienten. Durch eine Volumenkontraktion bei der Phasenumwandlung kommt es zu einer ausgeprägten Rißbildung und einer Delamination zwischen Schicht und Trägerkörper. Daraus resultiert der Nachteil, daß einschneidende Grenzen für den Einsatz der Verbundkörper in Bezug auf die Gebrauchsdauer bestehen. Um die Delamination auf Schneidwerkzeugen in Grenzen zu halten, müssen die Schneidkanten des Trägers abgerundet werden. Daraus resultieren aber erhebli­ che Begrenzungen der Schneidleistung und der Oberflächengüte der spanend bearbeiteten Werkstücke.

Es sind weiterhin Verbundkörper bekannt, die eine bei niedrigen Temperaturen durch plasmagestützte CVD-Verfahren abgeschiedene Al₂O₃-Schicht besitzen (DE 41 10 005; DE 41 10 006). Derartige Schichten enthalten verfahrensbedingt Verunreinigungen, die aus einer unvollständigen chemischen Reaktion herrühren. Diese Schichten weisen beispielsweise einen Chlorgehalt von 0,5 bis 3,5% auf. Die Al₂O₃-Schichten auf diesen Verbundkörpern enthalten neben kristallinem α- Al₂O₃ im allgemeinen einen hohen Anteil amorphen Aluminiumoxids. Daraus er­ gibt sich der Nachteil, daß sowohl die Verunreinigungen im Al₂O₃ als auch die amorphe Phase eine unzureichende chemische, mechanische und thermische Beständigkeit der Schicht auf dem Verbundkörper bewirken. Es sind auch fein­ körnige, nur aus α-Al₂O₃ bestehende Schichten auf Verbundkörpern bekannt. Da­ bei wird eine aus der Halbwertsbreite der Interferenzlinien bei der Röntgenfein­ strukturanalyse (XRD) der Schichten abgeleitete Bemessungsregel für die Fein­ körnigkeit angegeben. Als Herstellungsverfahren wird ein Plasma-CVD-Verfahren mit den obengenannten Nachteilen beschrieben (DE 41 10 005; DE 41 10 006). Es kann angenommen werden, daß die Linienbreite im XRD vorwiegend auf Git­ terverzerrungen infolge des Fremdstoffgehaltes der Schichten und nicht, wie an­ gegeben, nur auf die Feinkörnigkeit des Gefüges der Al₂O₃-Schichten zurückge­ führt werden muß. Generell erfordern alle CVD-Verfahren die Verwendung toxischer Substanzen und sind deshalb umweltbelastend.

Es ist weiterhin bekannt, Al₂O₃-Schichten auf Trägerkörpern durch Hochfrequenz- Dioden- oder -Magnetron-Zerstäubung abzuscheiden (Thornton und Chin, Cera­ mic Bulletin, 56 [1977] 504). Es wird beschrieben, daß kristalline α-Al₂O₃-Schichten mit diesem Verfahren ebenfalls nur erzeugt werden können, wenn der Verbund­ körper bei der Beschichtung einer Temperatur von mindestens 1000°C ausge­ setzt wird. Anderenfalls ist eine nachträgliche Wärmebehandlung bei 1000 . . . 1250°C erforderlich. Die damit verbundenen Nachteile entsprechen denen der Schichten, die durch CVD-Verfahren abgeschieden worden sind.

Es wurde auch beschrieben, daß bei Al₂O₃-Schichten, die durch Zerstäubung hergestellt wurden, eine relativ hohe Härte erreicht werden kann, aber diese Schichten weisen eine röntgenamorphe Struktur auf, was nachteilig für die Stabili­ tät beim Einsatz ist (Scherer, Latz und Patz; Proc. 7th Int. Conf. IPAT, Geneva, 1989, p. 181).

Somit ist festzustellen, daß die bekannten vakuumbeschichteten Verbundkörper aus Sinterwerkstoff stets mit Mängeln behaftet sind. Weiterhin sind die Verbund­ körper, deren Träger durch CVD- oder HF-Zerstäubungsverfahren mit Al₂O₃ be­ schichtet sind, teuer in der Herstellung, da alle genannten Verfahren nur eine niedrige Abscheiderate von weniger als 1 nm/s ermöglichen. Werden Verbund­ körper zur Erhöhung der Abscheiderate mit einer Al₂O₃-Schicht durch reaktives Vakuumbedampfen der Träger hergestellt, so sind die Al₂O₃-Schichten porös und nicht ausreichend hart, selbst wenn der Träger bei der Beschichtung auf eine Temperatur von 1000°C erhitzt wird (Bunshah, Schramm; Thin Solid Films 40 [1977] 211).

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Mängel am Stand der Technik zu beseitigen. Es soll ein Verbundkörper mit einer thermisch, mechanisch und che­ misch stabilen Al₂O₃-Schicht geschaffen werden, die eine glatte, rißfreie Oberflä­ che aufweist. Das Verfahren zu seiner Herstellung soll umweltfreundlich sein, ei­ ne hohe Prozeßstabilität aufweisen und kostengünstig sein.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe, ein Verbundkörper, nach den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Das Verfahren zu seiner Herstellung wird nach den Merkma­ len des Anspruches 5 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verbund­ körpers und des Herstellungsverfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 4 bzw. 6 bis 8 beschrieben.

Für die Fachwelt überraschend wurde gefunden, einen Verbundkörper mit einer äußeren Schicht aus vollständig kristallinem α-Al₂O₃ herzustellen, auch wenn dessen Träger während der Abscheidung der Schicht eine Temperatur von maxi­ mal 800°C nicht überschreitet. Es wurde dabei weiterhin festgestellt, daß bereits eine Temperatur von 600°C ausreicht, um besagte Schicht abzuscheiden. Die Al₂O₃-Schicht enthält typischerweise einen Anteil von maximal 1 at% Argon. An­ dere Verunreinigungen lassen sich mit gebräuchlichen Analyseverfahren wie Elektronenstrahl-Mikroanalyse (ESMA) nicht nachweisen. Die Kristallitgröße be­ trägt typischerweise 0,5 . . . 2 µm. Die Eigenschaften des Verbundkörpers sind weit­ gehend identisch, wenn besagte Al₂O₃-Schicht nicht ausschließlich in der α- Phase vorliegt, sondern teilweise aus texturiertem γ-Al₂O₃ besteht. Für diese Schichten wird eine geringere Kristallitgröße beobachtet, vorzugsweise 0,05 . . . 0,1 µm. Die Ausbildung der beschriebenen kristallinen Phasen, insbesondere die Ausbildung reiner α-Al₂O₃-Schichten, scheint im Widerspruch zu den bisher all­ gemein anerkannten thermodynamisch begründeten Bildungsbedingungen für diese Phase zu stehen. Danach wäre eine Aktivierungsenergie für die Bildung von α-Al₂O₃ erforderlich, die nur oberhalb einer Temperatur von 1000 °C aufge­ bracht werden kann. Offensichtlich bewirkt das erfindungsgemäße Verfahren durch eine nicht im einzelnen verstandene zusätzliche Aktivierung der Komponen­ ten Aluminium und Sauerstoff im Plasma einen nennenswerten zusätzlichen Bei­ trag zur notwendigen Aktivierungsenergie.

Außer den materialspezifischen Eigenschaften von α-Al₂O₃ sind die angegebene Bemessung der Druckeigenspannungen und die genannten Kristallitgrößen für die hohe Härte der äußeren Schicht des Verbundkörpers verantwortlich. Die ge­ eignete Bemessung der Druckeigenspannung gewährleistet, daß kein vorzeitiges Versagen der Schicht durch mechanische Rißbildung bei abrasiver Belastung des Verbundkörpers auftritt. Andererseits können die Druckeigenspannungen so klein gehalten werden, daß die Haftung der Al₂O₃-Schicht auf dem Träger problemlos erreicht werden kann. Das gilt insbesondere, wenn der Träger mit einer oder meh­ reren Oberflächenschichten, die als Zwischenschichten vor dem Abscheiden der Al₂O₃-Schicht aufgebracht worden sind, versehen ist. Als Zwischenschichten eig­ nen sich vorteilhafterweise bekannte Hartstoffschichten wie TiN, (Ti, Al) N oder TiC.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des Verbundkörpers nutzt in vorteilhafter Weise bekannte Grundverfahren und Einrichtungen zur Abscheidung elektrisch isolierender Verbindungsschichten durch Magnetron-Zerstäubung ohne Anwendung einer HF-Entladung. Das pulsförmig erregte Plasma sichert die Sta­ bilität des Zerstäubungsprozesses trotz des hohen Isolationsvermögens von Al₂O₃-Schichten und verhindert Prozeßstörungen durch elektrische Überschläge. Das vorgeschlagene Prinzip ermöglicht die Anwendung einer so hohen Abschei­ derate und Plasmadichte in der Puls-Ein-Zeit, daß offenbar die vermutete Plas­ maaktivierung bei der Schichtbildung des kristallinen α-Al₂O₃ erreicht wird. Un­ verzichtbares Verfahrensmerkmal ist die ebenfalls pulsförmige wechselweise Be­ aufschlagung der sich bildenden Schicht mit negativen und positiven Ladungsträ­ gern der angegebenen Mindeststromdichte.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung des Verfahrens nutzt Einrichtungen mit unipolar gepulstem Plasma unter Verwendung eines im reaktiven Gas zerstäubten Al- Targets.

Eine weitere, besonders vorteilhafte Ausgestaltung nutzt die Doppelanordnung zweier Al-Targets, die durch eine bipolare (Wechsel-)Spannung gespeist werden und bei der die Al-Targets im Wechsel Katode und Anode beim Magnetron- Zerstäuben bilden. Die Einstellung des Sauerstoffgehaltes im Plasma wird durch geometrische Bedingungen der Zerstäubungsapparatur beeinflußt und muß des­ halb experimentell ermittelt werden. Der notwendige Sauerstoffgehalt ist, offenbar wegen der erhöhten Temperatur des zu beschichtenden Trägers, wesentlich hö­ her, als er nach der allgemeinen Praxis zur Abscheidung stöchiometrischer Alu­ miniumoxid-Schichten eingestellt werden muß. Damit ist eine stärkere Bedeckung der Al-Targets mit Al₂O₃ verbunden. Im dynamischen Gleichgewicht zwischen der Bildung von Al₂O₃ auf dem Target und seiner Wiederzerstäubung wird eine weite­ re Ursache dafür gesehen, daß sich in der Dampfphase Molekül-Bruchstücke be­ finden, die eine Voraussetzung für die Bildung kristalliner Phasen bei den verfah­ rensspezifisch niedrigen Temperaturen des Trägers sind.

Beide Verfahrensvarianten werden vorteilhaft unter Einwirkung einer Wechsels­ pannung am Träger, einer sogenannten Puls-Bias-Spannung, ausgeführt. Die Einstellung der erfindungsgemäßen Werte für Druckeigenspannung und Härte der Al₂O₃-Schicht auf dem Träger erfolgt durch Anpassung dieser Spannung.

Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Verbundkörper haben den Vorteil, daß die Begrenzung der Temperatur auf 600 . . . 800°C bei ihrer Her­ stellung weitreichende Auswirkungen auf die Eigenschaften des Verbundkörpers hat. Besteht der Träger aus einem Sintermaterial, das beispielsweise Wolfram­ karbid und Kobalt enthält, so wird durch die besagte Begrenzung der Temperatur eine gewöhnlich bei der Hartstoffbeschichtung beobachtete Schädigung des Trä­ gers vermieden, weil keine nennenswerte Diffusion und keine Bildung von Poren und brüchigen Phasen auftritt. Damit behält der Verbundkörper seine guten, für niedrige Temperaturen charakteristischen mechanischen Eigenschaften. Die di­ rekte Abscheidung der thermodynamisch stabilen α-Al₂O₃-Phase ohne nachträgli­ che Phasenumwandlung ist der Grund für die völlige Rißfreiheit des Verbundkör­ pers. Auch die Al₂O₃-Schichten mit einem großen Anteil an γ-Al₂O₃ zeigen keiner­ lei Rißbildung, wenn sie nachträglich bis über 1000°C erwärmt werden. Gegen­ über Verbundkörpern mit Al₂O₃-Schichten, die durch CVD-Verfahren auf einem Träger abgeschieden worden sind, zeichnen sich die Verbundkörper nach der Erfindung durch eine sehr glatte Oberfläche mit einer um mindestens eine Grö­ ßenordnung geringeren Rauheit aus. Diese Größe korreliert mit sehr geringen Verschleißraten bei abrasiver Belastung. Beim Einsatz des Verbundkörpers als Schneidwerkzeug lassen sich dadurch hohe Standwege erreichen. Aufgrund der Phasenzusammensetzung, der Kristallitgröße und der hohen Packungsdichte der äußeren Schicht zeichnen sich diese Verbundkörper auch durch eine ausge­ zeichnete Beständigkeit gegenüber Säuren, Laugen und korrosiven Medien, wie sie gebräuchliche Schmiermittel bei der zerspanenden Bearbeitung aufweisen, aus.

An einem Ausführungsbeispiel sollen der erfindungsgemäße Verbundkörper und das Verfahren zu seiner Herstellung näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigen:

Fig. 1: eine Ausführungsform des Verbundkörpers ohne Beschichtung,

Fig. 2: einen Schnitt durch einen beschichteten Verbundkörper,

Fig. 3: ein Ergebnis der Röntgenfeinstrukturanalyse der äußeren Oberflächen­ schicht.

Ein quaderförmiger Träger 1 als Grundkörper mit den Abmessungen 15×15×5 mm³ besteht aus einem Sinterwerkstoff, der aus Wolframkarbid und Kobalt sowie Sinterhilfsstoffen gebildet ist. Eine Ausnehmung 2 dient zum Einspannen des Trägers 1 während der weiteren Prozeßschritte zur Herstellung des Verbundkör­ pers sowie zum Einspannen bei seinem Gebrauch. Auf dem Träger 1 befindet sich eine durch einen bekannten Vakuumbeschichtungsprozeß aufgebrachte Schicht 3 aus TiC. Im Bereich der Kanten 4; 5 beträgt die Dicke dieser Schicht 3 etwa 6 µm. In Richtung zur Ausnehmung 2 ist die Dicke dieser Schicht 3 herstel­ lungsbedingt geringer. Der Träger 1 und die Schicht 3 bilden gemeinsam den Grundkörper, auf dem eine im Vakuum abgeschiedene Al₂O₃-Schicht 6 aufge­ bracht ist. Im Zusammenhang mit der Al₂O₃-Schicht 6 bildet die Schicht 3 eine Zwischenschicht. Die Al₂O₃-Schicht 6 hat im Bereich der Kanten 4; 5 eine Dicke von 4 µm. Auch die Dicke dieser Al₂O₃-Schicht 6 verringert sich im Bereich der Ausnehmung 2.

Merkmalbestimmend für den Verbundkörper ist, daß er während der Abscheidung der Al₂O₃-Schicht 6 einer Maximaltemperatur von 700°C ausgesetzt worden ist und daß die Al₂O₃-Schicht 6 vollständig kristallin ist.

Fig. 3 zeigt das Ergebnis der Röntgenfeinstrukturanalyse der Al₂O₃-Schicht 6. Es wurde mit Cu _α-Strahlung in einem Röntgendiffraktometer gewonnen. Als Abszis­ se ist der Netzebenenabstand d bzw. der Glanzwinkel 2 θ dargestellt. Als Ordina­ te ist die Intensität der Interferenzen aufgetragen. Es lassen sich die Interferenz­ linien der α-Al₂O₃-Phase erkennen. Metastabile Phasen sind nicht vorhanden.

Weitere Merkmale der Al₂O₃-Schicht 6 sind eine Mindest-Druckeigenspannung von 1 GPa (im Beispiel wurde der Bereich der Druckeigenspannung zu 3,0 ± 0,5 GPa bestimmt) sowie eine hohe Härte von 23 GPa. Diese Größe wird durch Mi­ krohärteprüfung HV 0.01 bestimmt. Eine Elektronenstrahl-Mikroanalyse zeigt ei­ nen Argon-Gehalt von (0,3 ± 0,1) at% in der Al₂O₃-Schicht 6 sowie das Fehlen weiterer Verunreinigungen mit einer Konzentration oberhalb der Nachweisgrenze dieses Verfahrens. Der Verbundkörper zeigt eine hervorragende Haftfestigkeit der Oberflächenschichten, eine verglichen mit CVD-Schichten sehr geringe mittlere Rauheit und einen Reibungskoeffizient gegen Stahl von weniger als 0,15. Auf Grund seiner Eigenschaften wird der Verbundkörper als hochleistungsfähige Wendeschneidplatte bei der spanenden Bearbeitung von Stählen mit unterbro­ chenem und kontinuierlichem Schnitt verwendet. Im Vergleich zu herkömmlichen Wendeschneidplatten zeichnet er sich durch eine höhere Belastbarkeit und eine deutlich erhöhte Gebrauchsdauer (Standweg) aus.

Das Verfahren zur Herstellung des Verbundkörpers wird wie folgt ausgeübt: Der Träger, der aus Sinterwerkstoffen und einer darauf aufgebrachten TiC- Schicht besteht, wird nach der Reinigung in eine Vakuumbeschichtungsanlage eingebracht und in bekannter Weise in einer Niederdruck-Glimmentladung durch einen Ätzprozeß vorbehandelt. Durch einen leistungsfähigen Strahlungsheizer im Inneren der Vakuumbeschichtungsanlage wird eine Temperatur des Trägers von 700°C eingestellt und konstant gehalten. Für die Abscheidung der Al₂O₃-Schicht wird der Träger unter Nutzung der Ausnehmungen auf rotierenden, stabförmigen Aufnahmen gehaltert, wobei der Abstand zwischen je zwei Trägern 30 mm be­ trägt. Durch planetenartige Bewegung wird erreicht, daß alle zu beschichtenden Flächen des Trägers dem schichtbildenden Teilchenstrom ausgesetzt werden. Zur Erzeugung des Teilchenstromes dient eine Anordnung von zwei Magnetron- Zerstäubungsquellen mit Aluminium-Targets, die mit einem leistungsfähigen spe­ ziellen Sinusgenerator derart verbunden sind, daß mit einer Pulswechselfrequenz von 50 kHz beide Zerstäubungsquellen im Wechsel als Anode und Katode der Zerstäubungsanordnung wirken. In der Vakuumbeschichtungsanlage wird ein Druck von 0,1 Pa eingestellt. Das Gas besteht aus Argon und einem Anteil von etwa 25 at% Sauerstoff. Zur Einstellung eines stabilen Betriebes der Zerstäu­ bungsanordnung und der genauen Justierung des Sauerstoff-Anteils werden die Magnetron-Zerstäubungsquellen zunächst in reinem Argon-Gas gezündet und dann der Sauerstoff-Gehalt so weit erhöht, bis sich ein vorgegebener Punkt in der Strom-Spannungs-Kennlinie und vorgegebene, mittels optischer Spektroskopie kontrollierte Linienintensitäten ergeben. Bei einer in die Magnetron- Zerstäubungsquellen eingespeisten elektrischen Leistung von 30 kW wird eine Abscheiderate für Al₂O₃ erreicht, die einem Wert von 8 nm/s auf einem fest ange­ ordneten Träger entspricht. Die sich bildende Al₂O₃-Schicht ist dem intensiven Puls-Plasma in der Umgebung der Magnetron-Zerstäubungsquellen ausgesetzt.

Der kürzeste Abstand zwischen den bewegten Trägern und den Targets der Ma­ gnetron-Zerstäubungsquellen beträgt 30 mm. Die Träger sind weiterhin an ihrer Ausnehmung elektrisch leitend mit den Aufnahmen verbunden. Die Aufnahmen werden während des Abscheidens der Al₂O₃-Schicht mit einer Sinus- Wechselspannungsquelle mit einer Frequenz von 10 kHz derart zusammenge­ schaltet, daß sich eine effektive Wechselspannung von ± 28 V gegenüber dem Plasma und ein pulsierender Strom wechselnder Polarität einstellt, der einem La­ dungsträgerstrom mit einer mittleren Stromdichte von 1,2 mA/cm² entspricht, be­ zogen auf die aufwachsende Al₂O₃-Schicht. Der Beschichtungsprozeß zur Ab­ scheidung der Al₂O₃-Schicht zeichnet sich trotz des hohen elektrischen Isolati­ onsvermögens der Al₂O₃-Schichten, die sich auf allen inneren Wandungen der Vakuumbeschichtungsanlage abscheiden, durch eine hohe Langzeitstabilität aus. Nach Erreichen der vorgegebenen Dicke der Al₂O₃-Schicht werden die Magne­ tron-Zerstäubungsquellen ausgeschaltet. Nach Abkühlung der beschichteten Trä­ ger werden diese der Vakuumbeschichtungsanlage entnommen. Die beschichte­ ten Verbundkörper stehen ohne weitere thermische Nachbehandlungsprozesse für ihren Einsatz bereit.

Claims (8)

1. Verbundkörper aus vakuumbeschichtetem Sinterwerkstoff, bestehend aus einem Träger aus Sinterwerkstoff, auf dem mindestens eine Schicht, als die äußere Schicht, aus Al₂O₃ in einem Vakuumbeschichtungsprozeß aufge­ bracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger (1) die Al₂O₃- Schicht (6) bei maximal 800°C vollständig kristallin aufgebracht ist und aus der α-Al₂O₃-Phase und gegebenenfalls der γ-Al₂O₃-Phase mit einer (440)- Textur besteht, eine Druckeigenspannung von mindestens 1 GPa und eine Härte von mindestens 20 GPa hat, und daß in der Al₂O₃-Schicht (6) mit Ausnahme von Argon keine nennenswerten Verunreinigungen eingelagert sind.

2. Verbundkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß minde­ stens eine zwischen der Al₂O₃-Schicht (6) und dem Träger (1) aufgebrachte Schicht (3) aus einem Metall und/oder einer Metallverbindung aus der Gruppe Ti, Zr, Cr, AI, Nb, Hf besteht.

3. Verbundkörper nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallverbindungen Oxide, Nitride, Oxinitride, Karbide oder Car­ bonitride sind.

4. Verbundkörper nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Al₂O₃-Schicht (6) eine Dicke von 1 bis 10 µm, vorzugsweise 3 µm hat.

5. Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers, indem auf dem Träger aus Sinterwerkstoff mindestens eine Schicht im Vakuum aufgebracht wird und dabei die äußere Schicht aus Al₂O₃ durch reaktives Magnetron- Zerstäuben aufgebracht wird, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Al₂O₃-Schicht durch gepulste Magnetronzerstäubung bei Zufüh­ rung von sauerstoffhaltigem Gas aufgebracht wird, daß die Pulsfrequenz auf 20 bis 100 kHz, vorzugsweise 50 kHz, eingestellt wird, daß mit einer Zerstäubungsrate von mindestens 1 nm/s, bezogen auf einen stationär an­ geordneten Träger, abgeschieden wird und daß ein pulsförmiger im Wech­ sel von positiven und negativen Ladungsträgern getragener Strom mit einer mittleren Stromdichte von mindestens 1 mA/cm²und einer Pulswechselfre­ quenz von mindestens 5 kHz auf den Träger auftrifft.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Al₂O₃- Schicht durch Zerstäuben zweier gemeinsam wirkender Al-Targets, die wechselweise als Katode und Anode einer Magnetron- Zerstäubungseinrichtung geschaltet werden, aufgebracht wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Al₂O₃- Schicht durch Zerstäuben eines Al-Targets einer Magnetron- Zerstäubungseinrichtung aufgebracht wird.

8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß besagte Zwischenschichten ebenfalls durch Vakuum­ beschichtung, insbesondere durch Magnetron-Zerstäubung aufgebracht werden.