Pauschgenerator und Verfahren zu seiner Herstellung Die ErfIndung
betrifft einen Rauechgenerator-und, ein Verfahren zu seiner lneratellung.General Generator and Process for Its Production The invention relates to a noise generator and to a process for its production.
Bisher hat aan zu-r Zrzeugung einer Rauschspannung Glimm,-lampen und
gaegefUllte Röhrendioden verwendete Diese haben dea Nachteil, daß sie eine
hohe Betriebaspannung benötigen und deshalb fUr transistorisierte 23-chaltungen
ungeeignet eindo Der ]Erfindung liegt die Aufgabe zugrundeg einen rator zu
schaffeng der nur eine niedrige Spannung benötigt und daher insbesondere auch für
tranaistorisierte Schaltungen geeignet Ist.So far aan to-r Zrzeugung has a noise voltage glow lamps, and gaegefUllte tube diodes used These have eindo dea disadvantage that they require high Betriebaspannung and therefore for transistorized 23-chaltungen unsuitable The] invention addresses the problem zugrundeg too schaffeng ator only requires a low voltage and is therefore particularly suitable for transistorized circuits.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemüß dadurch gelöstg daß zur Perstellung
eines Rauschgeneratord eine ilalbleitordiode durch Strommstöße von einer Stärke,
welche den fUr sie maxtmal zu-
lässigen Wert überschreitetg formiert wird,
Durch eine derartige Behandlung der HalbleiterdiOde kann Ihr Rauschpegol um 20 bis
'40 d3 ('-,lezibel) erhöht werden* Dabei hat das Geräusch..des no erzeugten
Rausehgenera4%"ors in Tonfrequenzbereich und noch woitii-, darüber hinaus ein weitigehend
lineares Pr9q7a-enzopektrum, und an 4:ät-boatändig in-seiner Amplitudes,
InfolgedEsssen ißt eiU
solcher Rauschgenerator auch bei hohen Aneprüchen
verwendbar, etwa als Rauschgenerator für die Wegen seiner Einfachheit eignet sich
der Rauschgenerator ferner fUr die
Fehlersuche in Verstärkern.This object is erfindungsgemüß characterized gelöstg that for Perstellung a noise Generatord a ilalbleitordiode by Strommstöße of a strength which it is maxtmal formed überschreitetg permissible value to fur, By such a treatment of the semiconductor diode you can Rauschpegol 20 to '40 d3 ( '- , lezibel) are increased * Thereby the noise ... of the no generated noise genera4% "ors in the audio frequency range and still woitii, beyond a largely linear Pr9q7a-enzo spectrum, and at 4: at-boat-like in-its amplitudes, As a result, eating eats aiU Such a noise generator can also be used with high demands, for example as a noise generator. Because of its simplicity, the noise generator is also suitable for troubleshooting in amplifiers.
Das Formieren der Halbleiterdiode erfolgt zwocia.-.äßig in der Weinei
daß während der Stromstoßbehandlung der Halbleiterdiode der Sperrwiderbtand der
21ode beobachtet und das Formieren solange fortgesetzt wird# bis der Sperzwiderstand
einen vorgegebenen Ilert erreicht hat* Die Zwichnung dient zur Veranachaulichung
der Erfindung, Pige 1 zdLigt die Schaltung zum Formieren einar Halbleiterdiode
nach der Erfindung und Fig. 2 das Prinzipbild der Anwendung einar nach Fig.
1
formierten Halbleiterdiode alß Rauschgenerator. Die zu formierende Halbleiterdiode
1 wird durch eine Taste 2 von Zeit zu Zeit an einen Kondennator
3 gelegt, der über einem Widerstand 4 an einer Ladegleichspannungsquelle
5 liegt. Es
wird z9B9 eine Valyo-Diode Oj'.85 wiederholt unmittelbar
an einen Kondeneator von 2,2 P gelegt, der auf 15 Volgt aufgeladen wird.The formation of the semiconductor diode takes place in the following manner: the blocking resistance of the diode is observed during the current surge treatment of the semiconductor diode and the forming is continued until the blocking resistance has reached a predetermined value * The drawing serves to illustrate the invention, Pige 1 zdLigt the circuit for forming a semiconductor diode according to the invention and FIG. 2 shows the basic diagram of the application of a semiconductor diode formed according to FIG. 1 as a noise generator. The semiconductor diode 1 to be formed is connected from time to time by a button 2 to a capacitor 3 which is connected to a DC charging voltage source 5 via a resistor 4. A Valyo diode Oj'.85 is repeatedly applied directly to a capacitor of 2.2 P, which is charged to 15 volts.
Die Taste 2 ist als Umschalter ausgebildetg welcher nach der Ehtladung
das'Kondensators 3 über die Diode 1 diese in der Schalteerahestellung
mit einem Oh=eter 6 verbindet..durch das der Widerstand der Halbleiterdiode
1 in Sperrrichtung gemessen wird. Die Tante 2 wird mehruals betätigt# bis
der.gewUns&te Widerstand
erreicht worden lett der ein Xaßetab
für die zu erwartende Rausohspannung ist. Dieser Wideretandswert ist nicht krititch.
Er kann z.B. zwischen 10 und 100 kJ-25 liegen* Zur Verwendung als
Rauechgenerator wird die wie oben beschrie-ben behandelte Halbleiterdiode
1 ähnlich geaehaltet wie eine Glimmlampe als Rauschgenerator. In Pig. 2 ist
eine derartige Schaltung dargeotellt. Die Diode 1 liegt mit einem Widerstand
7 in Reihe an einer Gleichspannungbquelle 8* An dor Diode wird Uber einen
Kondensator 9 j--die Paiz£)chßpannung aungekoppelt.The button 2 is designed as a changeover switch which, after charging, connects the capacitor 3 via the diode 1 in the switch position with an oh = eter 6 through which the resistance of the semiconductor diode 1 is measured in the reverse direction. Aunt 2 is pressed several times until the resistance has been reached, which is a table for the expected raw voltage. This resistance value is not critical. It can for example be between 10 and 100 kJ-25 * For use as Rauechgenerator the above described ben treated semiconductor diode 1 is similar geaehaltet as a glow lamp as a noise generator. In Pig. Such a circuit is shown. The diode 1 is connected in series with a resistor 7 to a DC voltage source 8. At the diode, the voltage is uncoupled via a capacitor 9 j -.
la Rahmen der Erfindung sind noch mancherlei Abünderungen und andere
Aufiführungen möglich. Insbesondere karin die Schaltung züm Formieren der Halbleiterdiodo
auch anders atiegef Uhrt seine So könnte während des Formierenn auch die Enuschspannung
selbst ,eiaecaen und das Formieren bis zum der gewUnschten Höhe dieser Rauschapannung
fortgesetZt werden*Within the scope of the invention there are still all sorts of additions and others
Performances possible. In particular karin the circuit for forming the semiconductor diode
It also works differently. Thus, the relaxation tension could also be achieved during formation
yourself, eiaecaen and forming up to the desired level of this noise voltage
be continued*