DE10339998B3 - Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises using a triethoxysilylalkylamine adhesive - Google Patents

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Abstract

Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises coating the substrate and/or support with an adhesive comprising a triethoxysilylalkylamine, placing the substrate and support together so the adhesive is between them, hardening the adhesive, and releasing the substrate from the support.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Verbinden, insbesondere das reversible Verbinden, von Halbleitersubstraten mit einem Träger und insbesondere auf das Verbinden eines Halbleitersubstrats mit einem Träger zum Handhaben und Durchführen von Arbeitsprozessen an dem Halbleitersubstrat.The The present invention relates to bonding, in particular the reversible bonding of semiconductor substrates to a carrier and in particular on connecting a semiconductor substrate to a carrier for Handling and performing of working processes on the semiconductor substrate.

Mit der Nachfrage seitens der Halbleiterindustrie nach immer dünneren Chips bis in den Größenbereich von weniger als 50 μm verbleibender Restdicke erhöhen sich in entsprechender Weise die Anforderungen an die Durchführung von Prozeßschritten innerhalb der Fertigungstechnologie. Insbesondere bei ultradünnen Wafern und Chips sind aufgrund der erhöhten Bruchfestigkeit neue Handhabungstechniken erforderlich, die einen schonenden Transport zwischen den Prozeßschritten ebenso wie auch innerhalb eines Prozesses ermöglichen. Hochtemperaturprozesse, wie beispielsweise eine Rückseitenmetallisierung, ebenso wie lithographische Rückseitenprozeßschritte, die sich bei einer Dünnungssequenz anschließen, erfordern eine vorübergehende stabile Fixierung der zu prozessierenden ultradünnen Chips oder Wafer sowie ein gutes Ablöseverhalten der fixierten Chips oder Wafer nach dem jeweiligen Prozeßschritt. Zusätzliche Anforderungen ergeben sich für Einzelhalbleiter und gedünnte Wafer hinsichtlich einer Eignung für Rückseitenprozesse bei den hierfür notwendigen Temperaturen.With Demand from the semiconductor industry for ever thinner chips to the size range less than 50 μm increase the remaining thickness In a similar way, the requirements for the implementation of process steps within the manufacturing technology. Especially with ultrathin wafers and chips are due to the increased Breaking strength required new handling techniques, the one careful transport between the process steps as well as within a process. High temperature processes, such as backside metallization, as well as lithographic backside process steps, resulting in a thinning sequence connect, require a temporary stable fixing of the ultra-thin chips or wafers to be processed as well as a good release behavior the fixed chips or wafers after the respective process step. additional Requirements arise for Single semiconductor and thinned Wafers in terms of suitability for back processes in the necessary Temperatures.

Eine bekannte Verfahrenstechnik zum Handhaben und Transportieren von Wafern oder Chips bedient sich in vielen Berei chen eines Vakuum- oder Pin-Chucks, um Substrate beispielsweise in einer Prozeßkammer zu bearbeiten. Hierbei wird der gesamte Wafer oder ein Wafer/Trägerwafer-Verbund mittels einer flächigen Vakuumansaugung während des Prozeßschrittes fixiert. Durch ein An- und Ausschalten der Vakuumeinrichtung kann das Substrat gehalten und wieder abgenommen werden.A known process technology for handling and transporting Wafers or chips in many areas use a vacuum or pin chucks to substrates, for example, in a process chamber to edit. Here, the entire wafer or a wafer / carrier wafer composite means a flat Vacuum suction during the process step fixed. By turning on and off the vacuum device can the substrate is held and removed again.

Bei der bekannten Technik unter Verwendung von Pin-Chucks wird bei einem Befestigen und Handhaben eines Wafers mittels eines Pin-Chucks der Wafer oder ein Wafer/Trägerwafer-Verbund mittels mehrerer kleiner beweglicher Stifte am Waferrand gehalten.at The known technique using pin chucks is at a Attach and handle a wafer using a pin chuck Wafer or a wafer / carrier wafer composite by means of several small movable pins held on the wafer edge.

Ferner bedienen sich neuere Techniken eines elektrostatischen Chucks, auf dessen Oberfläche ein zu prozessierender Wafer mittels elektrostatischer Kräfte gehalten werden kann. Zum Befestigen wird der Wafer auf der elektrostatischen Chuckoberfläche abgelegt, und daraufhin eine entsprechende Versorgungsspannung an den elektrostatischen Chuck angelegt, wodurch der Wafer fixiert wird. Durch ein Kurzschließen oder Umpolen der Kontakte kann nach dem Beenden eines Prozeßschrittes der Wafer von dem Chuck wieder abgenommen werden. Für die Durchführung einer Rückseitenbehandlung werden diese oben beschriebenen Techniken typischerweise bei Prozessen eingesetzt, die in der Regel mit höheren Temperaturen bis 400°C verbunden sind. Da die Durchführung von Rückseitenmetallisierungen im allgemeinen unter Vakuumbedingungen durchgeführt wird, ist der Einsatz von Vakuum-Chucks für diesen Prozeßschritt nicht möglich.Further use newer techniques of electrostatic chuck, on its surface held a wafer to be processed by means of electrostatic forces can be. To attach the wafer to the electrostatic Chuck surface filed, and then a corresponding supply voltage the electrostatic chuck is applied, thereby fixing the wafer becomes. By shorting or polarity reversal of contacts may occur after completing a process step the wafer is removed from the chuck again. To carry out a Be backside treatment These techniques are typically used in processes used, which are usually associated with higher temperatures up to 400 ° C. As the implementation of backside metallizations Generally carried out under vacuum conditions, the use of Vacuum chucks for this process step not possible.

Andererseits können ultradünne Substrate bei derart hohen Temperaturen mittels eines Pin-Chucks nicht ohne ein Träger-Substrat gehalten werden, da die Kraftausübung der Pins des Chucks auf den dünnen Wafer diesen zerstören würde. Aus diesem Grund ist es für ultradünne Substrate erforderlich, dieselben zum Stabilisieren auf ein Träger-Substrat zu kleben. Derartige Klebetechniken, die beispielsweise mittels doppelseitig klebenden Folien, Wachs oder mit Hilfe eines Resists zwischen den zu klebenden Flächen durchgeführt werden, sind jedoch nicht temperaturstabil in Temperaturbereichen, die beispielsweise für eine Rückseitenmetallisierung erforderlich ist.on the other hand can ultrathin Substrates at such high temperatures by means of a pin-chuck not without a carrier substrate be held, as the exercise of power the pins of the chuck on the thin Wafers destroy it would. That's why it's for ultrathin Substrates required, the same for stabilization on a support substrate to stick. Such adhesive techniques, for example by means of double-sided Adhesive films, wax or with the help of a resist between the to be bonded surfaces carried out but are not temperature stable in temperature ranges, for example for a backside metallization is required.

Andere Klebe- oder Verbindungstechniken, wie beispielsweise das Kleben mittels Epoxidharzen, das anodische Bonden oder Glaslöttechniken sind irreversibel bezüglich der Wiederablösbarkeit des Substrats nach dem jeweiligen Prozeßschritt.Other Bonding or bonding techniques, such as gluing using epoxy resins, anodic bonding or glass soldering techniques are irreversible the redetachability of the substrate after the respective process step.

Die JP 2002-121530 AA beschreibt einen Haftfilm, der verwendet wird, um ein Halbleiterbauelement mit einem Leiterrahmen oder einem isolierenden Substrat zu verkleben. Der Haftfilm kann ein Polyimid-Harz umfassen, das ein Triethoxysilylalkylamin sein kann.The JP 2002-121530 AA describes an adhesive film that is used to a semiconductor device with a lead frame or an insulating Bond the substrate. The adhesive film may comprise a polyimide resin, which may be a triethoxysilylalkylamine.

Die DE 100 55 763 A1 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer hochtemperaturfesten Verbindung zwischen zwei Wafern. Auf zumindest einem Wafer wird dazu eine Flüssigschicht aus Alkoholen und polymerisierten Kieselsäuremolekülen verwendet, wodurch eine kontaminationsfreie und mechanisch stabile wiederablösbare Verbindung zwischen beiden Wafern geschaffen wird.The DE 100 55 763 A1 shows a method of making a high temperature bond between two wafers. On at least one wafer, a liquid layer of alcohols and polymerized silica molecules is used for this purpose, whereby a contamination-free and mechanically stable redetachable connection between the two wafers is created.

Die DE 197 52 412 A1 beschreibt ein Verfahren zum Verbinden von zwei Festkörpern, bei dem eine wässrige Lösung von Tetramethoxysilan oder Tetraethoxysilan verwendet wird, um die beiden Festkörper miteinander zu verbinden. Die beiden Festkörper können durch ein Erwärmen wieder entbondet werden.The DE 197 52 412 A1 describes a method of joining two solids using an aqueous solution of tetramethoxysilane or tetraethoxysilane to bond the two solids together. The two solids can be debonded by heating again.

Die DE 198 18 962 A1 offenbart ein Verfahren zum Verbinden zweier Festkörper, bei dem ein schwefelhaltiges Organosilan zum Verbinden verwendet wird.The DE 198 18 962 A1 discloses a method for joining two solids in which a sulfur-containing organosilane is used for bonding.

Die US 2003/0190484 A1 beschreibt ein mit Strahlung ausgehärtetes Verbindungsmittel, das Triethoxysilyl-Endgruppen aufweist.The US 2003/0190484 A1 describes a radiation cured bonding agent, having triethoxysilyl end groups.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren und ein Verbundsystem zu schaffen, die ein verbessertes Anbringen eines Halbleitersubstrats an einem Träger ermöglichen, das zum einen hohen Temperaturen standhält und zum anderen reversibel ist.The The object of the present invention is a method and to provide a composite system that provides improved attachment enable a semiconductor substrate to a carrier, which on the one hand high Withstand temperatures and on the other hand is reversible.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelös. Die DE 100 55 763 A1 oder die DE 197 52 412 A1 bilden den Oberbegriff des Anspruchs 1.This object is achieved by a method according to claim 1. The DE 100 55 763 A1 or the DE 197 52 412 A1 form the preamble of claim 1.

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum ablösbaren Verbinden einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats mit einer Oberfläche eines Trägers mit folgenden Schritten:
Aufbringen einer Haftmittelschicht, die Haftmittel Triethoxysilylalkylamin aufweist, auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats und/oder einer Oberfläche eines Trägers;
Zusammenfügen des Halbleitersubstrats und des Trägers, so daß die Haftmittelschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Träger angeordnet ist; und
Aushärten der Haftmittelschicht, wodurch eine mechanische Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Träger erzeugt wird; und
Ablösen des Halbleitersubstrats von dem Träger.The invention provides a method for releasably bonding a surface of a semiconductor substrate to a surface of a carrier, comprising the following steps:
Applying an adhesive layer comprising adhesive triethoxysilylalkylamine on the surface of the semiconductor substrate and / or a surface of a support;
Assembling the semiconductor substrate and the carrier such that the adhesive layer is disposed between the semiconductor substrate and the carrier; and
Curing the adhesive layer, thereby creating a mechanical bond between the semiconductor substrate and the carrier; and
Detaching the semiconductor substrate from the carrier.

Die vorliegende Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß ein verbessertes Verbinden eines Halbleitersubstrats mit einem Träger erreicht werden kann, indem als Haftmittel ein Haftvermittler auf Triethoxysilylalkylamin-Basis verwendet wird. Die Verwendung eines Haftvermittlers auf Triethoxysilylalkylamin-Basis ermöglicht einerseits ein reversibles Anbringen an einem Trägersubstrat und weist ferner den Vorteil auf, daß hohe Temperaturbelastungen von bis zu 400°C ausgehalten werden, ohne daß die Verbindungskraft wesentlich verringert wird.The The present invention is based on the finding that an improved Connecting a semiconductor substrate to a carrier can be achieved by as a bonding agent, a triethoxysilylalkylamine-based adhesion promoter is used. The use of a triethoxysilylalkylamine-based coupling agent allows on the one hand a reversible attachment to a carrier substrate and further comprises the Advantage on that high Temperature loads of up to 400 ° C can be sustained without the connection force is significantly reduced.

Vorzugsweise hat der Haftvermittler auf Triethoxysilylalkylamin-Basis Triethoxylsilyl-Gruppierungen (Si(OEt)3), die sich besonders für das Verbinden von Siliziumsubstraten eignet, da die Triethoxylsilyl-Gruppierungen kovalente Bindungen mit einer Silizium- oder Siliziumoxidoberfläche aber auch mit Oberflächen, die aus anderen Materialien bestehen, eingehen. Der Haftvermittler, beispielsweise ein Haftvermittler des Typs VM651 (Marke) (Triethoxylsilylpropylamin) von der Firma Dupont, kann vorzugsweise mit einem Lösungsmittel verdünnt werden, um besonders gute Verhaltenseigenschaften hinsichtlich einer Haftung und Wiederablösbarkeit zu erreichen. Beispielsweise kann der Haftvermittler mit Wasser in Verdünnungsverhältnissen in einem Bereich zwischen 1:20 und 1:400 gemischt werden, wodurch ein besonders günstiges Verhalten von Siliziumsubstraten auf Glassubstraten und Silizium-Trägersubstraten erreicht wird.Preferably, the triethoxysilylalkylamine-based coupling agent has triethoxylsilyl moieties (Si (OEt) 3 ), which is particularly suitable for bonding silicon substrates, since the triethoxylsilyl moieties form covalent bonds with a silicon or silicon oxide surface but also with surfaces derived from others Materials exist, enter. The adhesion promoter, for example a bonding agent of the type VM651 (trade name) (triethoxylsilylpropylamine) from Dupont, can preferably be diluted with a solvent in order to achieve particularly good adhesion and redetachability properties. For example, the coupling agent can be mixed with water in dilution ratios in a range between 1:20 and 1: 400, whereby a particularly favorable behavior of silicon substrates on glass substrates and silicon carrier substrates is achieved.

Mit dem erfindungsgemäßen Konzept lassen sich insbesondere ultradünne Substrate mit Dicken, die kleiner als 50 μm sind, mit einem Träger verbinden, um Prozeßschritte, wie beispielsweise eine Rückseitenmetallisierung durchzuführen. Aufgrund der Temperaturbeständigkeit können die mit dem Träger verbundenen Halbleitersubstrate Temperaturen bis zu 400°C ausgesetzt werden, ohne daß die Gefahr eines Ablösens oder sonstiger Nachteile besteht.With the inventive concept especially ultrathin Connect substrates with thicknesses smaller than 50 μm to a support, to process steps, such as a backside metallization perform. Due to the temperature resistance can the one with the carrier bonded semiconductor substrates exposed to temperatures up to 400 ° C. be without the danger a detachment or other disadvantages.

Zum Erreichen einer besonders hohen Verbindungskraft wird der mit einem Lösungsmittel versehene Haftvermittler nach dem Aufbringen und Zusammenfügen des Halbleitersubstrats und des Trägers einem Trocknungsprozeß unterzogen, um die Moleküle des Lösungsmittels, beispielsweise Wassermoleküle, und Ethanolmoleküle langsam abzudampfen. Zur Verbesserung des Trocknungsprozesses können die Haftflächen an dem Halbleitersubstrat oder an dem Träger funktionelle Strukturen aufweisen, die das Abdampfen und Entweichen der Moleküle verbessern. Ferner können auch kleinflächige Stege, die als Haftgrenzflächen dienen, eingesetzt werden, um den Trocknungsprozeß zu verbessern. Eine weitere Möglichkeit zum Erreichen einer vorteilhaften Trocknung besteht darin, als Träger einen Trägerring einzusetzen, der einen runden Trägerstreifen mit einer Breite von vorzugsweise 2 bis 10 mm aufweist, um das Halbleitersubstrat lediglich an einem äußeren Rand mechanisch zu halten. Die Verwendung eines Trägerrings weist ferner den Vorteil auf, daß der Trägerring als Spannrahmen für dünne Wafer wirken kann und ein welliges Verformen derselben verhindert. Der Ring kann ferner Abmessungen eines üblichen Wafers umfassen, so daß derselbe als eine Versteifung für das dünne Halbleitersubstrat wirkt und ferner ein standardmäßiges Handhaben ermöglicht, beispielsweise indem der Ring mitsamt dem aufgebrachten Halbleitersubstrat in Wafer-Horden gelagert wird oder an Waferbefestigungseinrichtungen auf eine reversible Weise befestigt wird.To the Achieving a particularly high connection force is the one with solvent provided adhesion promoter after the application and joining of the Semiconductor substrate and the carrier subjected to a drying process, around the molecules the solvent, for example, water molecules, and ethanol molecules to evaporate slowly. To improve the drying process, the surfaces on the semiconductor substrate or on the carrier functional structures have, which improve the evaporation and escape of the molecules. Furthermore, can also small-scale webs, as adhesive interfaces serve to improve the drying process. A another possibility to achieve an advantageous drying is to use as a carrier support ring to use, which has a round carrier strip a width of preferably 2 to 10 mm around the semiconductor substrate only on an outer edge to hold mechanically. The use of a carrier ring also has the advantage on that the support ring as a clamping frame for thin wafers can act and prevents wavy deformation of the same. Of the Ring may further comprise dimensions of a conventional wafer, so that same as a stiffener for the thin one Semiconductor substrate acts and also a standard handling allows for example, by the ring together with the applied semiconductor substrate stored in wafer hordes or to wafer attaching devices on a reversible Way is attached.

Die reversible Ablösung eines erfindungsgemäß mit einem Träger verbundenen Halbleitersubstrats kann vorzugsweise in einem Wasserbad erfolgen, wodurch eine unkomplizierte und kostengünstige Entfernung des Halbleitersubstrats ermöglich ist. Zur Unterstützung des Ablösprozesses kann das Wasser auf eine Temperatur in einem Bereich von 70 bis 80°C, vorzugsweise 75°C, erhöht sein. Ein solcher Ablöseprozeß kann durch das Einkoppeln von Ultraschallenergie in das Lösebad unterstützt werden.The reversible detachment of a semiconductor substrate connected to a carrier according to the invention can preferably take place in a water bath, which makes it possible to remove the semiconductor substrate in an uncomplicated and cost-effective manner. To assist in the stripping process, the water may be heated to a temperature in the range of 70 to 80 ° C, preferably 75 ° C, to be increased. Such a detachment process can be assisted by the coupling of ultrasonic energy into the release bath.

Ferner kann ein Ablöseverhalten erleichtert oder vervollständigt werden, indem eine 10-25% NH3-Lösung oder eine 0,01-0,1 N NaOH-Lösung (0,01-0,1 normale NaOH-Lösung) verwendet wird. Eine weitere Erleichterung der Wiederablösbarkeit kann erreicht werden, indem die Oberfläche des Trägersubstrats beispielsweise durch einen Schleifprozeß aufgerauht wird.Further, peel performance can be facilitated or completed by using a 10-25% NH 3 solution or a 0.01-0.1 N NaOH solution (0.01-0.1 normal NaOH solution). Further ease of redetachability can be achieved by roughening the surface of the carrier substrate, for example, by a grinding process.

Die Wahl eines geeigneten Ablöseprozesses ist vorzugsweise davon abhängig, welche Temperaturbelastungen das Verbundsystem nach dem Verbinden erhalten hat und welche Oberflächen das Halbleitersubstrat bzw. der Träger aufweist. Die Oberflächen des Halbleitersubstrats oder des Trägers können zur Verbesserung einer Wiederablösung auch mit einem Material beschichtet werden, beispielsweise Siliziumnitrid, das auf einem Glasträgersubstrat aufgebracht wird. Die Verwendung von Siliziumnitrid eignet sich insbesondere für eine Wiederablösung nach Hochtemperaturschritten von bis etwa 400°C. Für eine Wiederablösung nach Temperaturprozessen bis etwa 250°C können auch Oberflächen aus Silizium oder Siliziumoxid vorteilhaft verwendet werden.The Choice of a suitable separation process is preferably dependent on what temperature loads the composite system after joining received and which surfaces has the semiconductor substrate or the carrier. The surfaces of the Semiconductor substrate or the carrier can to improve redetachment be coated with a material, such as silicon nitride, that on a glass carrier substrate is applied. The use of silicon nitride is suitable especially for a redemption after high temperature steps of up to about 400 ° C. For a redemption after Temperature processes up to about 250 ° C can also surfaces made of silicon or silicon oxide can be used advantageously.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:preferred embodiments The present invention will be described below with reference to FIG the enclosed drawings closer explained. Show it:

1a-1c Querschnittdarstellungen, die ein Verfahren zum Verbinden und Wiederablösen gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen; 1a - 1c Cross-sectional views illustrating a method for connecting and disconnecting according to an embodiment of the present invention;

2 eine Darstellung der chemischen Struktur eines Haftvermittlers gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und 2 a representation of the chemical structure of a coupling agent according to an embodiment of the present invention; and

3 eine Darstellung eines Trägers, der mit einem Halbleitersubstrat verbunden wird, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 3 an illustration of a carrier, which is connected to a semiconductor substrate, according to an embodiment of the present invention.

Unter Bezugnahme auf die 1a-1c wird im folgenden ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben.With reference to the 1a - 1c An embodiment of the present invention will be described below.

In einem ersten Verfahrensschritt wird auf einem Träger 10 eine Haftschicht 12 aufgebracht, die erfindungsgemäß einen Haftvermittler auf Triethoxysilylalkylamin-Basis umfaßt. Der Träger 10 kann jede Form aufweisen, die geeignet ist, um ein zu befestigendes Halbleitersubstrat zu tragen. Vorzugsweise weist der Träger 10 eine planare Oberfläche 10a auf, auf der die Haftschicht 12 ganzflächig aufgebracht wird. Der Träger 10 kann beispielsweise die Form und Abmessungen eines Wafers aufweisen, wodurch nach einem Befestigen des Halbleitersubstrats ermöglicht wird, daß das dadurch gebildete Verbundsystem an bekannten Befestigungseinrichtungen für Wafer angebracht werden kann oder in bekannten Ablageeinrichtungen für Wafer, beispielsweise Wafer-Horden, gelagert werden kann. Dadurch kann eine Mobilität erreicht werden, da nach dem erfindungsgemäßen Verbinden des Halbleitersubstrats mit dem Träger das dadurch gebildete Verbundsystem an jeden beliebigen Ort transportiert werden kann.In a first process step is on a support 10 an adhesive layer 12 which comprises a triethoxysilylalkylamine-based adhesion promoter according to the invention. The carrier 10 may be any shape suitable for supporting a semiconductor substrate to be attached. Preferably, the carrier 10 a planar surface 10a on top of that the adhesive layer 12 is applied over the entire surface. The carrier 10 For example, it may have the shape and dimensions of a wafer, which, after mounting the semiconductor substrate, allows the composite system formed thereby to be attached to known wafer fasteners or to be stored in known wafer storage means, such as wafer trays. As a result, a mobility can be achieved because after connecting the semiconductor substrate according to the invention with the carrier, the composite system formed thereby can be transported to any location.

Das Aufbringen der Haftmittelschicht kann mit sämtlichen geeigneten bekannten Verfahren, beispielsweise einem Druckaufbringen oder eines Sprühaufbringens erfolgen.The Applying the adhesive layer can be done with any suitable known Method, for example, a pressure application or a spray application respectively.

Erfindungsgemäß weist das Haftmittel wie oben beschrieben einen Haftvermittler auf Triethoxysilylalkylamin-Basis auf, der beispielsweise kommerziell erhältlich ist. Der Haftvermittler auf Triethoxysilylalkylamin-Basis besteht aus mehreren Untereinheiten, welche die Haftung der Komponenten bewirken. 2 zeigt die chemische Struktur gemäß einem Ausführungsbeispiel, das als Untereinheiten die allgemein bekannten Triethoxysilyl-Gruppierungen (-Si(OEt)3)aufweist, welche kovalente Bindungen mit einer Silizium- oder Siliziumoxidoberfläche aber auch mit Oberflächen aus anderen Materialien eingeht. Wie es in 2 dargestellt ist, schließt sich an die Triethoxysilyl-Gruppierung ein Alkylspacer an, der als Abstandshalter dient und in seiner Länge durch die Anzahl der Methylengruppen (-CH2-) variieren kann. Die Substanz weist funktionelle Gruppen X auf, die je nach verwendetem Material variieren können und die Bindung zu den zu klebenden Substraten vermittelt. Als erfindungsgemäßer Haftvermittler kann beispielsweise der Haftvermittler VM651 (Triethoxysilylpropylamin) verwendet werden, der normalerweise als Adhäsionsvermittler für Polyimid verwendet wird.According to the invention, as described above, the adhesive has a triethoxysilylalkylamine-based adhesion promoter, which is commercially available, for example. The triethoxysilylalkylamine-based adhesion promoter consists of several subunits which cause the adhesion of the components. 2 Figure 4 shows the chemical structure according to an embodiment having as subunits the well-known triethoxysilyl moieties (-Si (OEt) 3 ) which undergo covalent bonds with a silicon or silicon oxide surface but also with surfaces of other materials. As it is in 2 , the triethoxysilyl moiety is followed by an alkyl spacer which serves as a spacer and may vary in length by the number of methylene groups (-CH 2 -). The substance has functional groups X, which can vary depending on the material used and mediates binding to the substrates to be bonded. The adhesion promoter VM651 (triethoxysilylpropylamine) which is normally used as an adhesion promoter for polyimide can be used, for example, as adhesion promoter according to the invention.

Die funktionelle Gruppe ist erfindungsgemäß eine Amin-Gruppe. Wie es bereits vorhergehend beschrieben ist, wird der Haftvermittler mit einem Lösungsmittel, vorzugsweise H2O gemischt, so daß sich ein Verdünnungsverhältnis im Bereich zwischen 1:20 und 1:400 ergibt, was insbesondere für das Anbringen von Siliziumhalbleitersubstraten, wie beispielsweise Siliziumchips oder Siliziumwafer auf Glassubstrate oder Siliziumträgersubstrate vorteilhaft ist.The functional group is according to the invention an amine group. As already described above, the adhesion promoter is mixed with a solvent, preferably H 2 O, so that a dilution ratio in the range between 1:20 and 1: 400 results, which is particularly for the attachment of silicon semiconductor substrates, such as silicon chips or silicon wafers on glass substrates or silicon carrier substrates is advantageous.

Nach dem Aufbringen der Haftschicht 12 wird auf der Oberfläche 10a des Trägers 10 ein Halbleitersubstrat 14 auf der Haftschicht 12 angeordnet, so daß die Haftschicht 12 zwischen einer Oberfläche 14a des Halbleitersubstrats 14 und der Oberfläche 10a des Trägers 10 angeordnet ist, wie es in 1b dargestellt ist. Bei dem Halbleitersubstrat 14 kann es sich um jedes bekannte Halbleitersubstrat, beispielsweise ein Siliziumsubstrat oder ein GaAs-Substrat handeln. Vorzugsweise eignet sich das Verfahren für dünne Halbleitersubstrate, die eine Schichtdicke aufweisen, die geringer als 150 μm ist.After application of the adhesive layer 12 will be on the surface 10a of the carrier 10 a semiconductor substrate 14 on the adhesive layer 12 arranged so that the adhesive layer 12 between a surface 14a of the semiconductor substrate 14 and the surface 10a of the carrier 10 is arranged as it is in 1b is shown. In the semiconductor substrate 14 it may be any known semiconductor substrate, for example a silicon substrate or a GaAs substrate. Preferably, the method is suitable for thin semiconductor substrates having a layer thickness that is less than 150 microns.

Zum Anordnen der Haftschicht 12 zwischen dem Träger 10 und dem Halbleitersubstrat 14 kann jedoch die Haftmittelschicht 12 zunächst auf dem Halbleitersubstrat 14 aufgebracht werden und daraufhin ein Zusammenfügen des Trägers 10 und des Halbleitersubstrats 14 erfolgen. Ebenso kann die Haftmittelschicht auch beispielsweise durch ein Einspritzen in einen Raum zwischen dem Träger 10 und dem davon beabstandeten Halbleitersubstrat 14 erfolgen. Zum Zusammenfügen des Trägers 10 und des Halbleitersubstrats 14 kann eine Druckkraft ausgeübt werden, wobei jedoch zu beachten ist, daß bei ultradünnen Halbleitersubstraten 14 eine Beschädigung desselben auftreten kann. Das Halbleitersubstrat 14 kann ein Rohsubstrat sein oder kann Strukturen aufweisen, wie beispielsweise elektronische Schaltungen oder CMOS-Schaltungen, die in vorhergehenden Prozeßschritten auf dem Halbleitersubstrat 14 erzeugt wurden. Der Träger kann beispielsweise ein Glas- oder Siliziummaterial aufweisen, wobei die Oberflächen desselben mit einer funktionellen Beschichtung versehen sein können, um eine Wiederablösbarkeit zu verbessern. Vorzugsweise weist die Haftmittelschicht nach dem Zusammenfügen eine Dicke in einem Bereich unter 100 nm auf.For arranging the adhesive layer 12 between the carrier 10 and the semiconductor substrate 14 However, the adhesive layer can 12 first on the semiconductor substrate 14 be applied and then an assembly of the carrier 10 and the semiconductor substrate 14 respectively. Likewise, the adhesive layer may also be, for example, by injection into a space between the support 10 and the semiconductor substrate spaced therefrom 14 respectively. To assemble the carrier 10 and the semiconductor substrate 14 can be exerted a compressive force, but it should be noted that in ultra-thin semiconductor substrates 14 Damage may occur. The semiconductor substrate 14 may be a raw substrate or may have structures, such as electronic circuits or CMOS circuits, in previous process steps on the semiconductor substrate 14 were generated. For example, the support may comprise a glass or silicon material, the surfaces of which may be provided with a functional coating to enhance redetachability. Preferably, the adhesive layer after joining has a thickness in a range below 100 nm.

Nach dem Zusammenfügen des Trägers und des Halbleitersubstrats wird das dadurch gebildete Verbundsystem einem Aushärteprozeß bzw. Trocknungsprozeß unterzogen. Vorzugsweise weist die Haftmittelschicht einen Haftvermittler auf Ethoxysilylbasis auf, der in einem Lösungsmittel gelöst ist. Der Haftvermittler kann beispielsweise den Typ VM651 (Triethoxysilylpropylamin) umfassen, der mit Wasser in einem Verdünnungsverhältnis von 1:20 bis 1:400 gemischt ist. Zur Unterstützung des Trocknungsprozesses kann das Verbundsystem mit einer Temperatur beaufschlagt werden, die über 100°C, vorzugsweise in einem Bereich von 100-150°C aufweist. Der Trocknungsprozeß ist insbesondere dann erforderlich, wenn die Haftschicht einen flüssigen Haftvermittler auf Ethoxysilylbasis in einer wäßrigen Lösung aufweist, um die Wasser- und Ethanolmoleküle langsam abdampfen zu lassen und ein Entweichen derselben zu ermöglichen. Diesbezüglich kann der Träger 10 Strukturen aufweisen, die ein Ausgasen der Wassermoleküle erleichtern bzw. ermöglichen. Beispielsweise können die Haftflächen 10a von Löchern, Perforationen oder Kanälen durchsetzt sein. Ein Ausführungsbeispiel umfaßt beispielsweise einen Trägerwafer mit Oberflächen-Kanälen, beispielsweise Gräben, die durch ein Einsägen mit einer Wafersäge oder durch ein Plasmaätzen hergestellt wurden, wie es in der deutschen Patentanmeldung 10229499.2-33 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren wird nach einem mechanischen Erzeugen von vorbestimmten Strukturen ein Ätzen der mechanisch erzeugten Oberfläche durchgeführt, um eine Bruchfestigkeit des Trägers zu erhöhen. Daraufhin kann sich ein rückseitiger oder andere Ätzprozesse anschließen, um jeweilige Strukturen zu bilden oder Teile zu trennen. Ferner können auch perforierte Substrate, bei denen der Träger ein feines Raster von Löchern aufweist, verwendet werden, wie es in der deutschen Patentanmeldung 10232914.1-33 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren werden eine erste Mehrzahl von Gräben in einer ersten Hauptoberfläche und eine zweite Mehrzahl von Gräben in einer weiteren Hauptoberfläche erzeugt. Die Gräben werden dabei so erzeugt, daß die ersten und zweiten Gräben winkelversetzt zueinander und mit einer solchen Tiefe gebildet werden, daß in Schnittbereichen der Gräben Öffnungen gebildet werden, die den Wafer durchdringen. Weitere Möglichkeiten zur Verbesserung des Trocknungsprozesses umfassen das Vorsehen von kleinflächigen Stegen, die als Haftgrenzflächen dienen so daß das Halbleitersubstrat 14 lediglich auf einer geringen Flächen gelagert ist. Ferner kann der Träger einen Trägerring umfassen, wie es nachfolgend unter Bezugnahme auf 3 beschrieben wird. 3 zeigt einen Trägerring 310, der einen ringförmigen Streifen auf, der den Waferrand mechanisch unterstützt.After joining the carrier and the semiconductor substrate, the composite system formed thereby is subjected to a curing process. The adhesive layer preferably has an ethoxysilyl-based adhesion promoter which is dissolved in a solvent. The primer may comprise, for example, the type VM651 (triethoxysilylpropylamine) mixed with water in a dilution ratio of 1:20 to 1: 400. To support the drying process, the composite system can be exposed to a temperature which is above 100 ° C., preferably in a range of 100-150 ° C. The drying process is particularly necessary when the adhesive layer has a liquid ethoxysilyl-based adhesion promoter in an aqueous solution in order to allow the water and ethanol molecules to evaporate slowly and to allow them to escape. In this regard, the carrier may 10 Have structures that facilitate or allow outgassing of the water molecules. For example, the adhesive surfaces 10a be interspersed with holes, perforations or channels. For example, one embodiment includes a carrier wafer having surface channels, such as trenches, made by sawing with a wafer saw or by plasma etching, as described in German Patent Application 10229499.2-33. In this method, after mechanical generation of predetermined structures, etching of the mechanically generated surface is performed to increase a break strength of the carrier. Then, a back or other etching process may join to form respective structures or separate parts. Furthermore, perforated substrates in which the carrier has a fine grid of holes can also be used, as described in German patent application 10232914.1-33. In this method, a first plurality of trenches in a first main surface and a second plurality of trenches in another main surface are produced. The trenches are thereby produced so that the first and second trenches are angularly offset from each other and formed with such a depth that openings are formed in the intersection of the trenches, which penetrate the wafer. Other ways to improve the drying process include the provision of small-area webs, which serve as adhesive interfaces so that the semiconductor substrate 14 is stored only on a small area. Furthermore, the carrier may comprise a carrier ring, as described below with reference to FIG 3 is described. 3 shows a carrier ring 310 , which has an annular strip which mechanically supports the wafer edge.

Der Streifen kann vorzugsweise eine Breite von 2-10 mm aufweisen und aus einem Material bestehen, das Silizium, Glas oder Keramik umfaßt. Diese Konfiguration weist insbesondere Vorteile auf, wenn Rückseitenprozesse an sehr dünnen Wafern bei hohen Temperaturen erfolgen sollen. Der Ring wirkt als ein Spannrahmen für den dünnen Wafer und verhindert ein welliges Verformen derselben während und nach dem Durchführen der Prozeßschritte. Der Ring wirkt ferner auch als eine Versteifung und ermöglicht ein standardmäßiges Handhaben des Verbundsystems mittels Wafer-Horden und -Kassetten zwischen verschiedenen Prozeßschritten bzw. innerhalb eines Prozeßschrittes.Of the Strip may preferably have a width of 2-10 mm and consist of a material comprising silicon, glass or ceramic. These Configuration has particular advantages when back processes on very thin Wafern should be done at high temperatures. The ring acts as a clamping frame for the thin one Wafer and prevents wavy deformation of the same during and after performing the process steps. The ring also acts as a stiffener and allows a standard handling of the composite system by means of wafer hordes and cassettes between various process steps or within a process step.

Nach dem Trocknen der Haftmittelschicht 12 kann der dadurch gebildete Träger/Halbleitersubstrat-Verbund verschiedenen Prozeßschritten unterworfen werden, die beispielsweise das Erzeugen von Rückseitenmetallisierungen umfassen. Insbesondere kann gemäß dem erfindungsgemäßen Verbinden das Verbundsystem auch Prozessen unterworfen werden, die eine hohe Temperaturbeaufschlagung umfassen, insbesondere auch für ultradünne Halbleitersubstrate. Die bei diesen Prozessen angewendete Temperatur kann in einem Bereich bis 250°C oder in einem Temperaturbereich von 250°C bis 400°C liegen. Die Prozeßschritte können beispielsweise in einer Prozeßkammer durchgeführt werden, die mit einem Vakuum versehen ist. Ferner kann der Träger während des Durchführens der Prozeßschritte an einer geeigneten Befestigungseinrichtung, beispielsweise einem Wafer-Chuck, befestigt sein, wodurch eine Integration in bestehende Verfahrensabläufe ohne weiteres möglich ist.After drying the adhesive layer 12 For example, the carrier / semiconductor substrate composite formed thereby may be subjected to various process steps, including, for example, the production of backside metallizations. In particular, according to the bonding according to the invention, the composite system can also be subjected to processes which comprise a high temperature exposure, in particular also for ultrathin semiconductor substrates. The temperature used in these processes may be in a range up to 250 ° C or in a temperature range of 250 ° C to 400 ° C The process steps can be carried out, for example, in a process chamber which is provided with a vacuum. Furthermore, during the performance of the process steps, the carrier may be attached to a suitable fastening device, for example a wafer chuck, whereby integration into existing process sequences is readily possible.

Die Temperaturstabilität des Verbundsystems wurde von den Erfindern durch Versuchsreihen getestet, wobei Wafer-Chip bzw. Wafer-Verbunde auf bis zu 400°C erhitzt wurden, um die Temperaturstabilität der Klebeflächen zu untersuchen sowie reale Temperaturbelastungen einer Rückseitenmetallisierung innerhalb des Halbleiterprozesses zu simulieren.The temperature stability of the composite system was tested by the inventors by series of experiments, wherein wafer-chip or wafer composites heated to up to 400 ° C. were added to the temperature stability of the adhesive surfaces investigate as well as real temperature loads of a backside metallization within the semiconductor process.

Nach dem Durchführen der Arbeitsschritte an dem Halbleitersubstrat werden das Halbleitersubstrat und der Träger auf eine reversible Weise voneinander getrennt. Vorzugsweise kann dazu das Verbundsystem in einem Wasserbad angeordnet werden, das vorzugsweise mit einer Temperatur von etwa 75°C beaufschlagt ist. Um das Ablöseverhalten zu erleichtern, können ferner geeignete Lösungen eingesetzt werden. Beispielsweise kann eine 10-25% NH3-Lösung oder eine 0,01-01 N NaOH-Lösung verwendet werden, die das Ablöseverhalten erleichtern und gegebenenfalls vervollständigen. Auch hier kann wieder unterstützend Ultraschall eingesetzt werden.After performing the operations on the semiconductor substrate, the semiconductor substrate and the carrier are separated from each other in a reversible manner. Preferably, for this purpose, the composite system can be arranged in a water bath, which is preferably acted upon by a temperature of about 75 ° C. In order to facilitate the detachment behavior, suitable solutions can also be used. For example, a 10-25% NH 3 solution or a 0.01-01 N NaOH solution can be used which facilitate the dissolution behavior and complete if necessary. Again, supportive ultrasound can be used again.

Bei den von den Erfindern durchgeführten Versuchsreihen wurden die erfindungsgemäß aufgeklebten Chips, Wafer- sowie Wafer-Chipverbunde nach einem Tempern im Wasserbad innerhalb kurzer Zeit wieder voneinander gelöst. Eine Wiederablösbarkeit kann ferner durch speziell behandelte Oberflächen des Trägersubstrats oder des Halbleitersubstrats verbessert werden. Beispielsweise kann das Trägersubstrat durch einen Schleifprozeß (Grinder-Prozeß) aufgerauht werden, wodurch die Wassermoleküle verbessert an der Haftschicht 12 angreifen können. Darüber hinaus wird auch durch die funktionellen Strukturen, die zum Verbessern einer Trocknung der Haftschicht vorgesehen sein können, ein Angreifen und Ablösen der Haftschicht verbessert.In the test series carried out by the inventors, the chips, wafer and wafer chip composites bonded according to the invention were dissolved again within a short time after annealing in a water bath. Redetachability may be further improved by specially treated surfaces of the carrier substrate or the semiconductor substrate. For example, the carrier substrate may be roughened by a grinding process (Grinder process), thereby improving the water molecules on the adhesive layer 12 can attack. Moreover, the functional structures that may be provided to improve drying of the adhesive layer also improve attack and release of the adhesive layer.

Bei einem Ausführungsbeispiel, bei dem das Verbundsystem bei den Arbeitsschritten Temperaturen bis etwa 250°C ausge setzt war, ist ein Lösen im Wasserbad bei etwa 75°C bevorzugt. Diesbezüglich kann eine verdünnte Ammoniaklösung, beispielsweise 10-25%, verwendet werden, die bevorzugt für Trägertechniken von dünnen Wafern mit CMOS-Schaltungen zum Einsatz kommen kann, da NH3 keine Metallkontaminationen hinterläßt. Bei mit Problem-behafteten Substrat-Waferverbunden, die mit hoher Temperatur getempert wurden, kann auch eine Natriumhydroxidlösung zum Wiederablösen verwendet werden, die allerdings nur für in Abhängigkeit der Waferbeschichtung bzw. Passivierung geeigneten Fällen realisiert werden kann.In one embodiment, in which the composite system was set in the steps temperatures up to about 250 ° C, a dissolution in a water bath at about 75 ° C is preferred. In this regard, a dilute ammonia solution, for example 10-25%, may be used, which may be preferred for carrier techniques of thin wafers with CMOS circuitry since NH 3 does not cause metal contamination. In problematic substrate wafers bonded at high temperature, a sodium hydroxide solution can also be used for redetachment, but this can only be realized for cases depending on the wafer coating or passivation.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel kann der Träger mit speziellen funktionellen Oberflächen beschichtet sein, die ein Wiederablösen erleichtern oder verbessern. Beispielsweise ist es nach Temperaturschritten bis 250°C bevorzugt, Silizium- oder Siliziumoxidoberflächen vorzusehen, während es für eine Wiederablösung nach Hochtemperaturschritten von bis zu etwa 400°C bevorzugt ist, Siliziumnitrid beschichtete Oberfläche zu verwenden. Siliziumnitrid wird in der Halbleitertechnologie als Standardpassivierung eingesetzt, so daß ein Vorsehen derselben auf eine kostengünstige Weise und in geringer Zeit implementiert werden kann. Die funktionellen Oberflächen können auf verschiedenen Materialien des Trägers aufgebracht werden, beispielsweise auf einem Substratträger aus Glas, Keramik oder Silizium. Wie bereits oben erwähnt wurde, kann die Haftkraft weiter reduziert werden, indem die Trägeroberfläche mittels geeigneter Verfahren aufgerauht wird.at a further embodiment may the carrier be coated with special functional surfaces that a redemption facilitate or improve. For example, it is after temperature steps up to 250 ° C preferred to provide silicon or silicon oxide surfaces while it for one redetachment after high temperature steps of up to about 400 ° C is preferred, silicon nitride coated surface to use. Silicon nitride is used in semiconductor technology as Standard passivation used, so that a provision of the same a cost-effective Way and in a short time can be implemented. The functional surfaces can be applied to various materials of the carrier, for example on a substrate carrier made of glass, ceramics or silicon. As mentioned above, the adhesive force can be further reduced by the carrier surface by means of roughened appropriate method.

Claims (22)

Verfahren zur Herstellung einer ablösbaren Verbindung zwischen einem Halbleitersubstrat (14) und einem Träger (10) mit folgenden Schritten: Aufbringen einer Haftmittelschicht (12), die ein Haftmittel aufweist, auf der Oberfläche (14a) des Halbleitersubstrats (14) und/oder einer Oberfläche (10a) eines Trägers (10); Zusammenfügen des Halbleitersubstrats (14) und des Trägers (10), so daß die Haftmittelschicht (12) zwischen dem Halbleitersubstrat (14) und dem Träger (10) angeordnet ist; Aushärten der Haftmittelschicht (12), wodurch eine mechanische Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat (14) und dem Träger (10) erzeugt wird; und Ablösen des Halbleitersubstrats (14) von dem Träger (10), dadurch gekennzeichnet, daß die Haftmittelschicht als Haftmittel Triethoxysilylalkylamin enthält.Method for producing a detachable connection between a semiconductor substrate ( 14 ) and a carrier ( 10 ) comprising the following steps: application of an adhesive layer ( 12 ), which has an adhesive, on the surface ( 14a ) of the semiconductor substrate ( 14 ) and / or a surface ( 10a ) of a carrier ( 10 ); Assembling the semiconductor substrate ( 14 ) and the carrier ( 10 ), so that the adhesive layer ( 12 ) between the semiconductor substrate ( 14 ) and the carrier ( 10 ) is arranged; Curing of the adhesive layer ( 12 ), whereby a mechanical connection between the semiconductor substrate ( 14 ) and the carrier ( 10 ) is produced; and detaching the semiconductor substrate ( 14 ) of the carrier ( 10 ), characterized in that the adhesive layer contains triethoxysilylalkylamine as the adhesive. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt des Aufbringens einer Haftmittelschicht (12) das Aufbringen einer Haftmittelschicht (12) umfaßt, die ein mit einem Lösungsmittel verdünntes Triethoxysilylalkylamin umfaßt.Method according to claim 1, wherein the step of applying an adhesive layer ( 12 ) the application of an adhesive layer ( 12 ) comprising a triethoxysilylalkylamine diluted with a solvent. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Haftmittelschicht als Haftmittel Triethoxysilylpropylamin enthält.Method according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer as the adhesive triethoxysilylpropylamine contains. Verfahren gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem das Lösungsmittel H2O ist.Process according to claim 2 or 3, wherein the solvent is H 2 O. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem der Schritt des Aufbringens einer Haftmittelschicht (12) das Aufbringen einer Haftmittelschicht (12) umfaßt, die eine Lösung von Triethoxysilylalkylamin mit einem Lösungsmittel in einem Verhältnis von 1:20 bis 1:400 umfaßt.Method according to one of claims 2 to 4, wherein the step of applying an adhesive layer ( 12 ) the application of an adhesive layer ( 12 ) comprising a solution of triethoxysilylalkylamine with a solvent in a ratio of 1:20 to 1: 400. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, das ferner den Schritt eines Aufrauhens der Oberfläche (14a) des Halbleitersubstrats (14) und/oder der Oberfläche (10a) des Trägers umfaßt.Method according to one of claims 1 to 5, further comprising the step of roughening the surface ( 14a ) of the semiconductor substrate ( 14 ) and / or the surface ( 10a ) of the carrier. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Oberfläche (14a) des Halbleitersubstrats (14) und/oder die Oberfläche (10a) des Trägers (10), auf der die Haftmittelschicht (12) aufgebracht wird, Silizium, Siliziumoxid oder Siliziumnitrid umfaßt.Method according to one of Claims 1 to 6, in which the surface ( 14a ) of the semiconductor substrate ( 14 ) and / or the surface ( 10a ) of the carrier ( 10 ) on which the adhesive layer ( 12 ), silicon, silicon oxide or silicon nitride. Verfahren gemäß Anspruch 7, das ferner den Schritt eines Beschichtens des Trägers (10) mit Silizium, Siliziumoxid oder Siliziumnitrid umfaßt, um die Oberfläche (10a) des Trägers (10) zu erzeugen.A method according to claim 7, further comprising the step of coating the carrier ( 10 ) with silicon, silicon oxide or silicon nitride to the surface ( 10a ) of the carrier ( 10 ) to create. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, das ferner den Schritt eines Erzeugens von funktionellen Strukturen auf dem Träger (10) aufweist, wobei die funktionellen Strukturen ausgebildet sind, um bei dem Schritt des Aushärtens der Haftmittelschicht ein Ausgasen von Molekülen über die funktionellen Strukturen zu ermöglichen.Method according to one of claims 1 to 8, further comprising the step of creating functional structures on the support ( 10 ), wherein the functional structures are configured to allow outgassing of molecules via the functional structures in the step of curing the adhesive layer. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem das Erzeugen der funktionellen Strukturen einen oder mehrere der folgenden Schritte umfaßt: Erzeugen von Oberflächen-Kanälen auf dem Träger; Erzeugen von Löchern in dem Träger; Erzeugen von Stegen auf dem Träger; Erzeugen eines geschlossenen Trägerrings.Method according to claim 9, in which the creation of the functional structures one or more the following steps include: Produce from surface channels to the carrier; Produce of holes in the carrier; Produce of bars on the carrier; Produce a closed carrier ring. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der Schritt des Aushärtens ein Trocknen bei einer Temperatur von 100-150°C umfaßt.Method according to one the claims 1 to 10, wherein the step of curing drying at a Temperature of 100-150 ° C includes. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem das Halbleitersubstrat ein Wafer oder ein Chip mit einer Dicke ist, die geringer als 50 μm ist.Method according to one the claims 1 to 11, wherein the semiconductor substrate is a wafer or a chip with a thickness less than 50 μm. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem der Träger Silizium, Glas oder Keramik aufweist.Method according to one the claims 1 to 12, in which the carrier Silicon, glass or ceramic. Verfahren gemäß Anspruch 13, bei dem der Schritt des Ablösens des Halbleitersubstrats (14) ein Berühren der Haftmittelschicht (12) mit einem Lösungsmittel umfaßt.Method according to claim 13, wherein the step of detaching the semiconductor substrate ( 14 ) touching the adhesive layer ( 12 ) with a solvent. Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem das Lösungsmittel zum Ablösen des Halbleitersubstrats (14) H2O ist.A method according to claim 14, wherein the solvent for stripping the semiconductor substrate ( 14 ) H 2 O is. Verfahren gemäß Anspruch 14 oder 15, bei dem das Ablösen des Halbleitersubstrats (14) ein Erwärmen des Lösungsmittels zum Ablösen auf eine Temperatur aufweist, die zwischen 70 und 80°C liegt.Method according to Claim 14 or 15, in which the detachment of the semiconductor substrate ( 14 ) has a heating of the solvent for detachment to a temperature which is between 70 and 80 ° C. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, bei dem der Schritt des Ablösens des Halbleitersubstrats von dem Träger ein Anwenden einer Ultraschallwelle umfaßt.Method according to one the claims 13 to 16, wherein the step of detaching the semiconductor substrate from the carrier applying an ultrasonic wave. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem das Lösungsmittel zum Ablösen eine Natriumhydroxid-Lösung oder eine NH3-Lösung umfaßt.A method according to any one of claims 14 to 16, wherein the solvent for detachment comprises a sodium hydroxide solution or an NH 3 solution. Verfahren gemäß Anspruch 17 oder 18 bei dem das Lösungsmittel zum Ablösen eine 10-25% NH3-Lösung oder eine 0,01-0,1 N NaOH-Lösung umfaßt.A process according to claim 17 or 18 wherein the solvent for stripping comprises a 10-25% NH 3 solution or a 0.01-0.1 N NaOH solution. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 19, das ferner zwischen dem Schritt des Aushärtens der Haftmittelschicht (12) und dem Schritt des Ablösens des Halbleitersubstrats (14) den Schritt eines Durchführens eines Arbeitsschritts an dem Halbleitersubstrat (14) umfaßt.A method according to any one of claims 13 to 19, further comprising between the step of curing the adhesive layer (16). 12 ) and the step of detaching the semiconductor substrate ( 14 ) the step of performing a working step on the semiconductor substrate ( 14 ). Verfahren gemäß Anspruch 20, bei dem der Arbeitsschritt an dem Halbleitersubstrat (14) ein Erwärmen des Halbleitersubstrats (14) auf eine Temperatur bis zu 250°C umfaßt.A method according to claim 20, wherein the operation on the semiconductor substrate ( 14 ) heating the semiconductor substrate ( 14 ) to a temperature of up to 250 ° C. Verfahren gemäß Anspruch 20, bei dem der Arbeitsschritt an dem Halbleitersubstrat (14) ein Erwärmen des Halbleitersubstrats (14) auf eine Temperatur umfaßt, die in einem Bereich von 250°C bis 400°C liegt.A method according to claim 20, wherein the operation on the semiconductor substrate ( 14 ) heating the semiconductor substrate ( 14 ) to a temperature ranging from 250 ° C to 400 ° C.
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