DE102017125140B4 - Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil Download PDF

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Abstract

Verfahren (100) zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil, umfassend:Einbringen (102) eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer, wobei der Gehäusedeckel einen Hohlraum des Gehäusekörpers abschließt und gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist, wobei zumindest eine Öffnung in dem Gehäuse ausgebildet ist, wobei zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei das Gehäuse Keramikmaterial aufweist, und wobei die zumindest eine Öffnung eine Metallisierung aufweist;Erzeugen (104) eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer;Erzeugen (106) einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer; undAufbringen (108) von Dichtungsmaterial auf die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht, wobei das Aufbringen (108) von Dichtungsmaterial ein Schleudern eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung umfasst.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Ausführungsbeispiele betreffen ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse mit einem Halbleiterbauteil sowie Verfahren zum Herstellen desselben.
  • Hintergrund
  • Hermetisch abgedichtete Gehäuse werden für eine Vielzahl von Anwendungen, welche eine definierte Gasatmosphäre benötigen, verwendet. Dabei wird für gewöhnlich ein Gehäuse mit einem Deckel versiegelt. Dies kann z.B. mittels Schweißen, Löten oder Glasfrittenbonding erfolgen. All diese Prozesse benötigen jedoch eine hohe Temperatur. Zudem müssen die Abdichtprozesse unter derjenigen Gasatmosphäre ausgeführt werden, die später innerhalb des Gehäuses herrschen soll. Durch das Abkühlen auf Raumtemperatur nach dem Abdichtprozess fällt der Gasdruck jedoch auf einen Bruchteil des beim Anbringen des Deckels herrschenden Umgebungsdrucks (z.B. 50 %). Mit anderen Worten: Der tatsächliche Gasdruck der Gasatmosphäre innerhalb des Gehäuses liegt nur bei einem Bruchteil des gewünschten bzw. benötigten Gasdrucks.
  • Beispielsweise betreffen die Druckschriften DE 10 2014 202 801 A1 , DE 10 2005 060 870 A1 und DE 10 2015 224 482 A1 Verfahren zum Verschließen von Halbleiterbauteilen.
  • Zusammenfassung
  • Es besteht ein Bedürfnis, ein verbessertes Herstellungsverfahren für hermetisch abgedichtete Gehäuse bereitzustellen.
  • Der Bedarf kann durch den Gegenstand der Patentansprüche gedeckt werden.
  • Ausführungsbeispiele eines Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil umfassen ein Einbringen eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht. In dem Gehäuse ist zumindest eine Öffnung ausgebildet. Zumindest ein Halbleiterbauteil ist in dem Hohlraum angeordnet. Das Gehäuse weist Keramikmaterial auf und die zumindest eine Öffnung weist eine Metallisierung auf. Ferner umfasst das Verfahren ein Erzeugen eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer sowie ein Erzeugen einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer. Das Verfahren umfasst zudem ein Aufbringen von Dichtungsmaterial auf die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht. Das Aufbringen von Dichtungsmaterial umfasst ein Schleudern eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung.
  • Ferner betreffen Ausführungsbeispiele ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil. Das Verfahren umfasst ein Einbringen eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist. In dem Gehäuse ist zumindest eine Öffnung ausgebildet. Zumindest ein Halbleiterbauteil ist in dem Hohlraum angeordnet. Ferner umfasst das Verfahren ein Erzeugen eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer sowie ein Erzeugen einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer. Das Verfahren umfasst zudem ein Einbringen von Dichtungsmaterial in die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht. Das Einbringen des Dichtungsmaterials in die zumindest eine Öffnung umfasst ein Einpressen eines Festkörpers, der aus dem Dichtungsmaterial besteht, in die zumindest eine Öffnung. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Aufschmelzen des Dichtungsmaterials, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest eine Öffnung gasdicht verschließt. Das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials erfolgt unter einer Luftatmosphäre.
  • Ausführungsbeispiele betreffen zudem noch ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht. Zumindest zwei Öffnungen sind in dem Gehäuse ausgebildet. Zumindest ein Halbleiterbauteil ist in dem Hohlraum angeordnet. Das Gehäuse weist Keramikmaterial auf und die zumindest zwei Öffnungen weisen eine Metallisierung auf. Das Verfahren umfasst ferner ein Leiten eines Gasflusses durch den Hohlraum mittels der zumindest zwei Öffnungen, so dass eine vorbestimmte Gasatmosphäre in dem Hohlraum entsteht. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Aufbringen von Dichtungsmaterial auf die zumindest zwei Öffnungen sowie ein gasdichtes Verschließen der zumindest zwei Öffnungen mittels des Dichtungsmaterials. Das Aufbringen von Dichtungsmaterial umfasst ein Schleudern eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest zwei Öffnungen.
  • Figurenliste
  • Einige Beispiele von Vorrichtungen und/oder Verfahren werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Figuren lediglich beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
    • 1 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil;
    • 2 zeigt einzelne Prozessschritte des Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil;
    • 3 zeigt ein Ablaufdiagramm eines zweiten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil;
    • 4 zeigt einzelne Prozessschritte des zweiten Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil;
    • 5 zeigt ein Ablaufdiagramm eines dritten Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil; und
    • 6 zeigt ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse.
  • Beschreibung
  • Verschiedene Beispiele werden nun ausführlicher Bezug nehmend auf die beiliegenden Figuren beschrieben, in denen einige Beispiele dargestellt sind. In den Figuren können die Stärken von Linien, Schichten und/oder Bereichen zur Verdeutlichung übertrieben sein.
  • Während sich weitere Beispiele für verschiedene Modifikationen und alternative Formen eignen, sind dementsprechend einige bestimmte Beispiele derselben in den Figuren gezeigt und werden nachfolgend ausführlich beschrieben. Allerdings beschränkt diese detaillierte Beschreibung weitere Beispiele nicht auf die beschriebenen bestimmten Formen. Weitere Beispiele können alle Modifikationen, Entsprechungen und Alternativen abdecken, die in den Rahmen der Offenbarung fallen. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich in der gesamten Beschreibung der Figuren auf gleiche oder ähnliche Elemente, die bei einem Vergleich miteinander identisch oder in modifizierter Form implementiert sein können, während sie die gleiche oder eine ähnliche Funktion bereitstellen.
  • Sofern nicht anderweitig definiert, werden alle Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) hier in ihrer üblichen Bedeutung auf dem Gebiet verwendet, zu dem Beispiele gehören.
  • 1 zeigt ein erstes Verfahren 100 zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil. Das Verfahren umfasst ein Einbringen 102 eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer.
  • Die Prozesskammer ist ein abgeschlossenes Volumen, in dem einer oder mehrere (äußere) Prozessparameter eingestellt werden können. Beispielsweise kann in der Prozesskammer eine bestimmte Temperatur, ein bestimmter Gasdruck oder eine bestimmte Gasatmosphäre eingestellt werden.
  • Gehäusekörper wie auch Gehäusedeckel können aus einer Vielzahl an verschiedenen Materialien gebildet sein. Der Gehäusekörper kann beispielsweise aus Keramik gebildet sein, während der Gehäusedeckel aus Keramik, Metall, Halbmetall (z.B. Silizium) oder Glas gebildet sein kann. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht. Mit anderen Worten: Der Gehäusedeckel ist derart an dem Gehäusekörper angebracht, dass im Wesentlichen kein Gasaustausch zwischen dem Hohlraum und der das Gehäuse umgebenden Atmosphäre stattfinden kann. Es versteht sich dabei jedoch von selbst, dass aufgrund üblicher prozesstechnischer Schwankungen bzw. Toleranzen eine perfekt dichtende Anbringung des Gehäusedeckels an dem Gehäusekörper nicht immer möglich ist. Entsprechend schließt der Begriff „gasdicht“ im Rahmen der vorliegenden Anmeldung auch Befestigungen des Gehäusedeckels an dem Gehäusekörper mit ein, die eine gewisse (sehr niedrige) Leckage in den Hohlraum bzw. aus diesem heraus ermöglichen. Der Gehäusedeckel kann beispielsweise mittels Schweißen (z.B. Nahtschweißen, Widerstandsschweißen oder Laserschweißen), Löten (mit oder ohne Verwendung von Vorformen) oder Glasfrittenbonding an dem Gehäusekörper angebracht sein.
  • In dem Gehäuse ist zumindest eine Öffnung ausgebildet. Bei der Öffnung kann es sich um jede Art von Aussparung in dem Gehäuse handeln, welche einen Kontakt des Hohlraums in dem Gehäuse mit der das Gehäuse umgebenden Atmosphäre ermöglicht. Die Öffnung kann sowohl in dem Gehäusedeckel, dem Gehäusekörper als auch in der gasdichten Anbindung des Gehäusedeckels an den Gehäusekörper angeordnet sein. Beispielsweise kann die Öffnung in einer Bodenplatte des Gehäusekörpers (an welche sich eine oder mehrere Seitenwände des Gehäusekörpers anschließen) ausgebildet sein. Entlang seiner Erstreckung durch das Gehäuse kann die Öffnung dabei jede Art von Querschnitt aufweisen. Der Querschnitt kann dabei kontant sein oder sich verändern. Beispielsweise kann der Querschnitt sich entlang der Erstreckung der Öffnung durch das Gehäuse verjüngen. Ebenso kann die Form des Querschnitts beliebig. Der Querschnitt kann z.B. rund, oval, eckig oder sternförmig sein.
  • Zudem ist zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet. Bei dem Halbleiterbauteil kann es sich um jegliches ein Halbleitermaterial umfassendes Bauteil handeln. Beispielsweise kann es sich bei dem Halbleiterbauteil um einen Sensor, wie etwa Mikrofon (z.B. ein MEMS, MikroElektroMechanisches System, engl. MicroElectroMechanical System), oder eine Lichtquelle (z.B. für infrarotes oder sonstiges Licht) handeln.
  • Ferner umfasst das Verfahren 100 ein Erzeugen 104 eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer. Da der Hohlraum im Inneren des Gehäuses über die Öffnung mit dem Volumen der Prozesskammer in Kontakt steht, kann durch das Evakuieren der Prozesskammer ein Vakuum in dem Hohlraum erzeugt werden und somit zu Beginn in dem Hohlraum befindliches Gas aus diesem entfernt werden. Beispielsweise kann die Prozesskammer mit einer oder mehrerer Vakuumpumpen gekoppelt sein, welche das in der Prozesskammer befindliche Gas abpumpen und so das Vakuum in dem Hohlraum des Gehäuses erzeugen. Als Vakuum wird ein Druck von 300 hPa oder weniger verstanden.
  • Das Verfahren 100 umfasst weiterhin ein Erzeugen 106 einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer. Die vorbestimmte Gasatmosphäre enthält eines oder mehrere vorbestimmte gasförmige Medien bei einer vorbestimmten Temperatur und einem vorbestimmten Gasdruck. Aufgrund des Kontakts zwischen dem Hohlraum im Inneren des Gehäuses und dem Volumen der Prozesskammer über die Öffnung kann durch Einstellung der vorbestimmten Gasatmosphäre in der Prozesskammer diese auch in dem Hohlraum eingestellt werden. Die vorbestimmte Gasatmosphäre kann beispielsweise im Wesentlichen (z.B. zu mehr als 75, 80, 85, 90, 95, 99 Vol.-% oder mehr) aus Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Methan, Ethanol, Stickstoff, einem Halogen oder einer Kombination davon bestehen. Eine Temperatur der vorbestimmten Gasatmosphäre kann z.B. zwischen 15 °C und 30 °C betragen, während ein hydrostatischer Druck der vorbestimmten Gasatmosphäre zwischen 500 hPa und 0,3 MPa betragen kann.
  • Das Verfahren 100 umfasst zudem ein Aufbringen 108 von Dichtungsmaterial auf die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht. Mittels des Dichtungsmaterials kann die Öffnung gasdicht verschlossen werden. Bei dem Dichtungsmaterial kann es sich um jegliches geeignete Material zum Verschließen der Öffnung handeln. Ist die Öffnung beispielsweise metallisiert (d.h. mit einer Schicht aus Metall ausgekleidet), so kann das Dichtungsmaterial eine vorbestimmte Menge einer Metalllegierung sein. Ist die Öffnung nicht metallisiert, kann das Dichtungsmaterial alternativ z.B. auch eine vorbestimmte Menge an Glas sein. Um den Hohlraum nach Einstellung der vorbestimmten Gasatmosphäre in ebendiesem gasdicht zu verschließen, ist beim Verfahren 100 lediglich das Aufbringen 108 des Dichtungsmaterials auf die Öffnung nötig. Dies kann Verglichen mit dem gasdichten Anbringen des Gehäusedeckels an dem Gehäusekörper mit einem wesentlich geringeren sowie lokal konzentrierten Wärmeeintrag erfolgen. Entsprechend kann eine Erwärmung der Gasatmosphäre im Wesentlichen vermieden und die gewünschten Druckverhältnisse innerhalb des Gehäuses erhalten werden. Bei einem nach dem Verfahren 100 hergestellten Gehäuse kann der tatsächliche Gasdruck der Gasatmosphäre innerhalb des Gehäuses somit im Wesentlichen dem Gasdruck der Gasatmosphäre innerhalb der Prozesskammer entsprechen.
  • Das Aufbringen 108 von Dichtungsmaterial kann beispielsweise ein Aufbringen eines viskosen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung umfassen. Als viskoses Dichtungsmaterial kann dabei jedes Dichtungsmaterial mit einer dynamischen Viskosität von 1000 Pa s oder weniger verstanden werden. Beispielsweise kann eine Lötmittelpaste auf die Öffnung aufgebracht werden (z.B. dispensiert oder aufgedruckt).
  • Ebenso kann das Aufbringen 108 von Dichtungsmaterial ein Schleudern von Dichtungsmaterial aus einer Kapillare auf die zumindest eine Öffnung umfassen. Ein solches Ausstoßen des Dichtungsmaterials aus einer Kapillare auf die zumindest eine Öffnung kann ein gezieltes und schnelles Aufbringen des Dichtungsmaterials ermöglichen.
  • Nach dem Schleudern des Dichtungsmaterials kann dieses ferner noch aufgeschmolzen werden (z.B. mittels eines gepulsten Laserstrahls), sodass das Aufbringen 108 von Dichtungsmaterial effektiv ein Aufbringen eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung umfasst. Ist die Öffnung metallisiert, so kann das Dichtungsmaterial beispielsweise eine aus einer Metalllegierung gebildete Kugel (z.B. aus einem Lot) sein. Die Kugel wird in festem Zustand (d.h. nicht geschmolzen) aus der Kapillare auf die Öffnung geschleudert. Fast zeitgleich kann die Kugel unter Verwendung z.B. eines Laserpulses geschmolzen werden. Derart befeuchtet die geschmolzene Kugel die Metallisierung der Öffnung und härtet anschließend wieder aus, da das Dichtungsmaterial sich bei Raumtemperatur (d.h. zwischen 15 °C und 30 °C) in einem festen Aggregatszustand befindet. Die Öffnung ist somit gasdicht verschlossen.
  • Entsprechend kann nach dem Aufbringen 108 des Dichtungsmaterials auf eine weitere Wärmezufuhr in das Gehäuse oder das Dichtungsmaterial zum gasdichten Verschluss der zumindest einen Öffnung verzichtet werden. Vielmehr erfolgt das Aufschmelzen durch den lokal beschränkten Wärmeeintrag in die aus der Metalllegierung gebildete Kugel. Somit wird nicht das gesamte Gehäuse erhöhten Temperaturen ausgesetzt. Eine Erwärmung der Gasatmosphäre und die damit verbundene Änderung des statischen Drucks der Gasatmosphäre in dem Hohlraum des Gehäuses kann somit vermieden werden.
  • Das Dichtungsmaterial kann neben Schleudern auch auf andere Weise auf die zumindest eine Öffnung aufgebracht werden. Beispielsweise kann eine aus einer Metalllegierung gebildete Kugel auf die Öffnung gesetzt werden und anschließend lokal erwärmt werden (z.B. mittels Laserstrahls oder eines Lötwerkzeugs), so dass sie schnell schmilzt, die Metallisierung der Öffnung befeuchtet und so die Öffnung verschließt. Es versteht sich von selbst, dass neben den oben erwähnten Kugeln aus Metalllegierung auch andere Geometrien verwendet werden können - rein beispielhaft sei hier ein Stück Lötdraht genannt.
  • Während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht, kann das Verfahren 100 somit ein Aufschmelzen des Dichtungsmaterials umfassen, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest eine Öffnung gasdicht verschließt. Wie bereits oben angedeutet, kann das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials ein Erhitzen lediglich eines Teilbereichs des Gehäuses, der die zumindest eine Öffnung umgibt, sowie des Dichtungsmaterials umfassen. Beispielsweise kann das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials ein Bestrahlen des Dichtungsmaterials mit einem Laserstrahl umfassen.
  • Das Dichtungsmaterial ist dabei so gewählt, dass sein Schmelzpunkt niedriger ist als der Schmelzpunkt des Teils des Gehäuses, welcher die Öffnung umgibt. Derart kann ein Schmelzen des Gehäuses beim Schmelzen des Dichtungsmaterials vermieden werden. So kann sichergestellt werden, dass beim Schmelzen des Dichtungsmaterials keine weiteren Öffnungen in dem Gehäuse durch Schmelzen des Gehäuses entstehen. Dabei kann das Dichtungsmaterial z.B. so gewählt sein, dass sein Schmelzpunkt über 200 °C liegt. Wird das gemäß Verfahren 100 hergestellte Gehäuse z.B. in einem späteren Prozess erneut erwärmt (z.B. beim Aufbringen des Gehäuses auf eine gedruckte Leiterplatte, engl. Printed Circuit Board, PCB), kann ein erneutes Schmelzen des Dichtungsmaterials während dieses nachfolgenden Prozesses verhindert werden.
  • Bei dem Verfahren 100 kann der Gehäusedeckel somit unter Verwendung standardmäßiger Prozesse und Ausrüstung angebracht werden, ohne beteiligte Prozesstemperaturen, Drücke oder Umgebungsatmosphären berücksichtigen zu müssen. Ein höherer Druck und somit eine höhere Gaskonzentration gegenüber gewöhnlichen Herstellungsverfahren kann erreicht werden, da der Abdichtungsprozess (d.h. die Abdichtung der zumindest einen Öffnung) im Wesentlichen bei Raumtemperatur ausgeführt werden kann mit nur einer geringen Erhöhung der lokalen Temperatur (z.B. aufgrund des Laserpulses).
  • Zur Veranschaulichung sind in 2 nochmals einzelne Prozessschritte eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens 100 gezeigt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde dabei auf die Darstellung des Halbleiterbauteils verzichtet.
  • Zunächst wird das Gehäuse 200 mitsamt Halbleiterbauteil bereitgestellt. Der Gehäusedeckel 220 des Gehäuses 200 ist auf „standardmäßige“ Weise angebracht, wie oben beschrieben. Es verbleibt jedoch eine kleine Öffnung 240 (oder mehr als eine Öffnung) - entweder in dem Gehäusedeckel 220, dem Gehäusekörper 210 oder der Verbindung zwischen dem Gehäusekörper 210 und dem Gehäusedeckel 220. Bei dem Beispiel der 2 ist die Öffnung 240 in einer Bodenplatte des Gehäusekörpers 210 angeordnet. Die Öffnung 240 kann z.B. ein metallisiertes Durchgangsloch (Via-Loch) sein, das unter Verwendung standardmäßiger Verfahren während der Herstellung des Hohlraum-Gehäuses 200 (z.B. aus Keramik) erzeugt werden kann.
  • Nach der Anbringung des Gehäusedeckels 220 wird das Gehäuse 200 in eine Prozesskammer (Vakuumkammer) 290 eingebracht und diese anschließend evakuiert. Dann wird die Vakuumkammer 290 mit dem benötigten Gas geflutet - dieses füllt den evakuierten Hohlraum 211 durch das Via-Loch 240.
  • Dann wird das Gehäuse 200 - d.h. das Via-Loch 240 - unter Verwendung eines Prozesses, der nicht das gesamte Gehäuse 200 erhöhten Temperaturen aussetzt, abgedichtet. Der Prozess wird dabei vollständig in der entsprechenden Gasatmosphäre in der Prozesskammer 290 ausgeführt. Dies kann wie bereits oben angedeutet auf vielfältige Weise geschehen. Beispielsweise kann das metallisierte Via-Loch 240 durch ausstoßen einer Lötkugel 280, d.h. einer Kugel aus einer zum Löten geeigneten Metalllegierung, auf das Via-Loch 240 abgedichtet werden (Durchmesser des Lötkugel 280 ist größer als Durchmesser des Via-Lochs 240). Die Lötkugel 280 wird fast gleichzeitig unter Verwendung eines Laser-Pulses 270 geschmolzen (auch als Solder-Jetting bezeichnet). Das Lötmittel befeuchtet derart die Metallisierung des Via-Lochs 240 und härtet wieder aus. Geometrie und Form der Via-Metallisierung bestimmen die abschließende Form der Abdichtung (aufgrund der Oberflächenspannung des flüssigen Lötmittels).
  • Alternativ kann eine Lötkugel auch in anderer Weise auf das Via-Loch 240 gesetzt werden und lokal erwärmt werden (z.B. durch einen Laserpuls oder ein kleines Löt-Werkzeug), sodass sie schnell schmilzt und das Via-Metall wieder befeuchtet und abdichtet.
  • Anstelle einer Lötkugel (Sphäre) können auch andere Geometrien verwendet werden (z.B. ein Stück Lötmitteldraht). Anstelle eines festen Lötmittels kann auch ein bestimmtes Volumen einer Lötmittelpaste aufgebracht (z.B. dispensiert oder aufgedruckt) werden. Das Lötmittel, das zum Abdichten des Via-Lochs 240 verwendet wird, kann eine Schmelztemperatur höher als 260 °C aufweisen (z.B. Legierungen aus SnCuNi, AuSn oder Lötmittel, die einen hohen Gehalt von Pb enthalten). Somit schmilzt das Lötmittel während der Anbringung des finalen Gehäuses 200 an einer gedruckten Schaltungsplatine (PCB) nicht wieder.
  • Alternativ kann auch ein Glas-Lötmittel (Glasfritte) verwendet werden, um die Öffnung 240 abzudichten. In diesem Fall kann die Öffnung 240 ohne Metallisierung realisiert werden.
  • Die Öffnung 240 muss nicht kreisförmig sein, sondern kann z.B. auch ein Schlitz sein oder jegliche andere Geometrie aufweisen.
  • In 3 ist ferner noch ein weiteres Verfahren 300 zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil gezeigt. Auch das Verfahren 300 umfasst ein Einbringen 302 eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer. Der Gehäusedeckel schließt einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht. In dem Gehäuse ist zumindest eine Öffnung ausgebildet. Zumindest ein Halbleiterbauteil ist in dem Hohlraum angeordnet. Ebenso umfasst das Verfahren 300 ein Erzeugen 304 eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer sowie ein Erzeugen 306 einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer. Es wird daher auf die obigen Ausführungen zu den entsprechenden Prozessschritten des Verfahrens 100 verwiesen.
  • Das Verfahren 300 umfasst zudem ein Einbringen 308 von Dichtungsmaterial in die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht. Durch das Einbringen von Dichtungsmaterial in die Öffnung kann ein vorläufiger Verschluss der Öffnung erreicht werden, so dass die im Hohlraum des Gehäuses herrschende vorbestimmte Gasatmosphäre zumindest über einen kurzen Zeitraum unabhängig von der das Gehäuse umgebenden Atmosphäre aufrecht erhalten werden kann.
  • Weiterhin umfasst das Verfahren 300 ein Aufschmelzen 310 des Dichtungsmaterials, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest eine Öffnung gasdicht verschließt. Beim Verfahren 300 kann das Aufschmelzen 310 des Dichtungsmaterials aufgrund des vorläufigen Verschluss der Öffnung durch das eingebrachte Dichtungsmaterial nunmehr unter einer beliebigen Atmosphäre stattfinden. Beispielsweise kann das Aufschmelzen 310 des Dichtungsmaterials innerhalb oder außerhalb der Prozesskammer erfolgen. Außerhalb der Prozesskammer kann das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials beispielsweise unter einer Luftatmosphäre erfolgen (d.h. unter Anwesenheit gewöhnlicher Umgebungsluft um das Gehäuse herum).
  • Das Einbringen 308 des Dichtungsmaterials in die zumindest eine Öffnung kann z.B. ein Einpressen eines Festkörpers, der aus dem Dichtungsmaterial besteht, in die zumindest eine Öffnung umfassen. Das Einpressen des Festkörpers kann einen mechanischen Schluss zwischen der Öffnung und dem Festkörper ermöglichen, welcher eine vorläufige Versiegelung des Hohlraums mit hoher Güte ermöglicht.
  • Zur besseren Veranschaulichung sind in 4 nochmals einzelne Prozessschritte eines Ausführungsbeispiels des Verfahrens 300 gezeigt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde wiederum auf die Darstellung des Halbleiterbauteils verzichtet.
  • Wie bereits oben in Zusammenhang mit 1 und 2 ausgeführt, wird zunächst das Gehäuse 400 (mit Gehäusekörper 410 und Gehäusedeckel 420) in die Prozesskammer (Vakuumkammer) 490 eingebracht, diese anschließend evakuiert und die gewünschte Gasatmosphäre eingestellt.
  • Nach dem Füllen des Hohlraums 411 mit dem gewählten Gas wird das Via-Loch 440 vorabgedichtet. Danach kann es aus der Vakuumkammer 490 genommen werden, sodass die endgültige Abdichtung (z.B. ein Laserprozess oder ein lokale Erwärmung durch ein kleines Lötwerkzeug) mit weniger Aufwand unter Standard-Umgebungsatmosphäre (d.h. Luft) ausgeführt werden kann. Die Vorabdichtung kann über verschiedene Prozessschritte erfolgen.
  • Beispielsweise kann eine Lötkugel 480 (oder ein anderes Lötmittelstück, d.h. eine Metalllegierung) mechanisch in das Via-Loch 440 gedrückt werden, wie dies in 4 angedeutet ist. Durch die mechanisch duktile Deformation der Lötkugel 480 dichtet sie das Loch 440 für eine gewisse Zeit ausreichend ab. Beispielsweise kann die Lötkugel 480 wiederum aus einer Kapillare auf die Öffnung 440 geschleudert werden.
  • Ebenso kann die Vorabdichtung durch Verwendung eines „Pfropfens“ in der Art einer Presspassung erreicht werden. Anschließend (z.B. außerhalb der Vakuumkammer 490) kann die Abdichtung durch einen standardmäßigen Abdichtungsprozess komplettiert werden.
  • Die Komplementierung der Abdichtung kann wie oben dargestellt z.B. über ein Schmelzen der Lötkugel 480 mittels eines (gepulsten) Laserstrahls oder eines entsprechenden Lötwerkzeugs erfolgen.
  • Alternativ kann wiederum auch ein Glas-Lötmittel (Glasfritte) verwendet werden, um die Öffnung 400 abzudichten. In diesem Fall kann die Öffnung 440 ohne Metallisierung realisiert werden.
  • In 5 ist noch ein alternatives Verfahren 500 zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil gezeigt. Auch das Verfahren 500 umfasst ein Bereitstellen 502 eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel. Der Gehäusedeckel schließt wiederum einen Hohlraum des Gehäusekörpers ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht. Auch ist wieder zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet. Insofern sei auf die obigen Ausführungen betreffend das Gehäuse und das Halbleiterbauteil verwiesen. Im Gegensatz zu den oben beschriebenen Verfahren sind bei dem Verfahren 500 jedoch zumindest zwei Öffnungen in dem Gehäuse ausgebildet.
  • Das Verfahren 500 umfasst ferner ein Leiten 504 eines Gasflusses durch den Hohlraum mittels der zumindest zwei Öffnungen, so dass eine vorbestimmte Gasatmosphäre in dem Hohlraum entsteht. Derart kann in dem Hohlraum des Gehäuses die vorbestimmte Gasatmosphäre erzeugt werden, ohne dass es der vorherigen Erzeugung eines Vakuums in dem Hohlraum bedarf.
  • Weiterhin umfasst das Verfahren 500 ein Aufbringen 506 von Dichtungsmaterial auf die zumindest zwei Öffnungen sowie ein gasdichtes Verschließen 508 der zumindest zwei Öffnungen mittels des Dichtungsmaterials. Das Aufbringen 506 von Dichtungsmaterial als auch das gasdichte Verschließen 508 der zumindest zwei Öffnungen kann wiederum gemäß den oben für eine einzige Öffnung beschriebenen Prozessschritten erfolgen. Insofern sei auf die obigen Ausführungen in Zusammenhang mit 1 und 2 verwiesen. So kann das gasdichte Verschließen 508 der zumindest zwei Öffnungen beispielsweise ein Aufschmelzen des Dichtungsmaterials, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest zwei Öffnungen jeweils gasdicht verschließt, umfassen. Das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials umfasst dabei jeweils ein Erhitzen lediglich eines Teilbereichs des Gehäuses, der eine der zumindest zwei Öffnungen umgibt, sowie des Dichtungsmaterials. Entsprechend kann vermieden werden, dass das gesamte Gehäuse erhöhten Temperaturen ausgesetzt wird und sich die Gasatmosphäre in dem Hohlraum des Gehäuses signifikant erwärmt.
  • Alternativ zu den Verfahren 100 und 200 kann das Verfahren 500 somit ein Füllen des Hohlraums mit Gas ermöglichen, ohne zuvor ein Vakuum anzuwenden. Da nach dem Anbringen des Deckels mindestens zwei Öffnungen zu dem Hohlraum gelassen werden, kann die Gasfüllung durch Blasen des erforderlichen Gases in eines der Löcher für eine bestimmte Zeit erreicht werden, bis das ursprüngliche Gas im Inneren des Gehäuses verdrängt und durch das gewählte Gas ersetzt wurde.
  • 6 zeigt im Weiteren noch ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse 600, wie es beispielsweise gemäße einem der oben beschriebenen Verfahren hergestellt werden kann. Das Gehäuse 600 umfasst einen Gehäusekörper 610 und einen Gehäusedeckel 620. Der Gehäusekörper 610 kann beispielsweise aus Keramik gebildet sein, während der Gehäusedeckel 620 aus Keramik, Metall oder Glas gebildet sein kann.
  • Der Gehäusedeckel 620 schließt einen Hohlraum 611 des Gehäusekörpers 610 ab und ist gasdicht an dem Gehäusekörper 610 angebracht. Der Gehäusedeckel 620 ist somit derart an dem Gehäusekörper 610 angebracht, dass im Wesentlichen kein Gasaustausch zwischen dem Hohlraum 611 und der das Gehäuse 600 umgebenden Atmosphäre stattfinden kann. In dem Hohlraum 611 herrscht eine vorbestimmte Gasatmosphäre 630. Aufgrund des gasdichten Anbringens des Gehäusedeckels 620 an dem Gehäusekörper 610 kann ein Austritt des Gases der Gasatmosphäre 630 aus dem Hohlraum 611 als auch eine Verunreinigung (Kontaminierung) der Gasatmosphäre 630 im Wesentlichen vermieden werden. Die vorbestimmte Gasatmosphäre 630 kann beispielsweise im Wesentlichen (z.B. zu mehr als 75, 80, 85, 90, 95, 99 Vol.-% oder mehr) aus Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Methan, Ethanol, Stickstoff, einem Halogen oder einer Kombination davon bestehen.
  • Ferner ist in dem Hohlraum 611 ein Halbleiterbauteil 660 angeordnet. Bei dem Halbleiterbauteil 660 kann es sich um jegliches ein Halbleitermaterial umfassendes Bauteil handeln. Wie bereits oben angedeutet, kann das Halbleiterbauteil 660 z.B. ein Mikrofon oder eine Lichtquelle sein.
  • In dem Gehäuse 600 ist eine Öffnung 640 ausgebildet, welche von einem aufgeschmolzenen Dichtungsmaterial 650 gasdicht verschlossen ist. Bei dem in 6 gezeigten Gehäuse 600 ist die Öffnung 640 in dem Gehäusedeckel 620 ausgebildet. Alternativ kann die Öffnung 640 auch in dem Gehäusekörper 610 (z.B. in der Bodenplatte 612) ausgebildet sein. Wie bereits oben in Zusammenhang mit den Herstellungsverfahren beschrieben, können weitere Öffnungen in dem Gehäuse 600 ausgebildet sein, welche jeweils von einem aufgeschmolzenen Dichtungsmaterial gasdicht verschlossen sind.
  • Das Gehäuse 600 kann für das Halbleiterbauteil 660 eine definierte Atmosphäre bereitstellen. Entsprechend kann das Halbleiterbauteil 660 in einer definierten Umgebung betrieben werden.
  • Wie bereits oben angedeutet, sind viele Anwendungen für das Gehäuse 600 möglich. Beispielsweise kann das Gehäuse 600 für photoakustische Gassensoren (auf der Detektorseite) verwendet werden, da diese mit einem Gas gefüllt werden müssen, das detektiert werden soll. Das heißt, es wird z.B. ein CO2-Sensor-Detektorgehäuse mit einem CO2-Gas gefüllt. Ebenso kann das Gehäuse 600 für einen Infrarot (IR)-Emitter verwendet werden. Beispielsweise enthalten Breitbandemitter vom MEMS-Typ dünne Widerstände, die durch Strom erwärmt werden, um IR-Licht zu emittieren. Dies kann eine hohe thermische Last sein, die auf diesen Widerstand ausgeübt wird. Lebensdauer und Qualität können dadurch verbessert werden, dass der Emitter-Chip in einen Hohlraum gegeben wird, der mit Schutzgas gefüllt ist (z.B. N2 oder Halogene). Auch andere Komponenten können von Schutzgasumgebungen profitieren aufgrund der reduzierten Anfälligkeit für Korrosion. Die Verwendung von Gasen mit bestimmten Drücken oder Wärmeleitfähigkeit kann allgemein die Qualität und Lebensdauer von Komponenten unter hoher thermischer Last verbessern.
  • Aspekte der vorliegenden Unterlagen schaffen somit ein Verfahren zum Füllen z.B. eines Keramik-Hohlraum-Gehäuses mit einem spezifischen Gas und zum hermetischen Abdichten desselben. Dazu umfasst das Verfahren ein Füllen mit Gas nach dem Anbringen des Deckels durch Evakuieren sowie Fluten mit dem benötigten Gas (durch das Via-Loch). Ebenso umfasst das Verfahren ein Abdichten des Via-Loches durch einen Lötstrahlprozess oder ähnliches (verschiedene Optionen - siehe oben).
  • Die Aspekte und Merkmale, die zusammen mit einem oder mehreren der vorher detaillierten Beispiele und Figuren beschrieben sind, können auch mit einem oder mehreren der anderen Beispiele kombiniert werden, um ein gleiches Merkmal des anderen Beispiels zu ersetzen oder um das Merkmal in das andere Beispiel zusätzlich einzuführen.
  • Durch die Beschreibung und Zeichnungen werden nur die Grundsätze der Offenbarung dargestellt. Weiterhin sollen alle hier aufgeführten Beispiele grundsätzlich ausdrücklich nur Lehrzwecken dienen, um den Leser beim Verständnis der Grundsätze der Offenbarung und der durch den (die) Erfinder beigetragenen Konzepte zur Weiterentwicklung der Technik zu unterstützen. Alle hiesigen Aussagen über Grundsätze, Aspekte und Beispiele der Offenbarung sowie konkrete Beispiele derselben deren Entsprechungen umfassen.
  • Es versteht sich, dass die Offenbarung mehrerer, in der Beschreibung oder den Ansprüchen offenbarter Schritte, Prozesse, Operationen oder Funktionen nicht als in der bestimmten Reihenfolge befindlich ausgelegt werden soll, sofern dies nicht explizit oder implizit anderweitig, z. B. aus technischen Gründen, angegeben ist. Daher werden diese durch die Offenbarung von mehreren Schritten oder Funktionen nicht auf eine bestimmte Reihenfolge begrenzt, es sei denn, dass diese Schritte oder Funktionen aus technischen Gründen nicht austauschbar sind. Ferner kann bei einigen Beispielen ein einzelner Schritt, Funktion, Prozess oder Operation mehrere Teilschritte, -funktionen, -prozesse oder -operationen einschließen und/oder in dieselben aufgebrochen werden. Solche Teilschritte können eingeschlossen sein und Teil der Offenbarung dieses Einzelschritts sein, sofern sie nicht explizit ausgeschlossen sind.
  • Weiterhin sind die folgenden Ansprüche hiermit in die detaillierte Beschreibung aufgenommen, wo jeder Anspruch als getrenntes Beispiel für sich stehen kann. Während jeder Anspruch als getrenntes Beispiel für sich stehen kann, ist zu beachten, dass - obwohl ein abhängiger Anspruch sich in den Ansprüchen auf eine bestimmte Kombination mit einem oder mehreren anderen Ansprüchen beziehen kann - andere Beispiele auch eine Kombination des abhängigen Anspruchs mit dem Gegenstand jedes anderen abhängigen oder unabhängigen Anspruchs umfassen können. Solche Kombinationen werden hier explizit vorgeschlagen, sofern nicht angegeben ist, dass eine bestimmte Kombination nicht beabsichtigt ist. Ferner sollen auch Merkmale eines Anspruchs für jeden anderen unabhängigen Anspruch eingeschlossen sein, selbst wenn dieser Anspruch nicht direkt abhängig von dem unabhängigen Anspruch gemacht ist.

Claims (20)

  1. Verfahren (100) zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil, umfassend: Einbringen (102) eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer, wobei der Gehäusedeckel einen Hohlraum des Gehäusekörpers abschließt und gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist, wobei zumindest eine Öffnung in dem Gehäuse ausgebildet ist, wobei zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei das Gehäuse Keramikmaterial aufweist, und wobei die zumindest eine Öffnung eine Metallisierung aufweist; Erzeugen (104) eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer; Erzeugen (106) einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer; und Aufbringen (108) von Dichtungsmaterial auf die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht, wobei das Aufbringen (108) von Dichtungsmaterial ein Schleudern eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung umfasst.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aufbringen (108) von Dichtungsmaterial ein Aufbringen eines viskosen Dichtungsmaterials auf die zumindest eine Öffnung umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei das Aufbringen (108) von Dichtungsmaterial ein Schleudern von Dichtungsmaterial aus einer Kapillare auf die zumindest eine Öffnung umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 3, wobei sich die Metallisierung sowohl in die zumindest eine Öffnung hinein als auch lateral zu der zumindest einen Öffnung erstreckt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei nach dem Aufbringen (108) des Dichtungsmaterials keine weitere Wärmezufuhr in das Gehäuse oder das Dichtungsmaterial zum gasdichten Verschluss der zumindest einen Öffnung erfolgt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner umfassend: Aufschmelzen des Dichtungsmaterials, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest eine Öffnung gasdicht verschließt
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials ein Erhitzen lediglich eines Teilbereichs des Gehäuses, der die zumindest eine Öffnung umgibt, sowie des Dichtungsmaterials umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, wobei das Aufschmelzen des Dichtungsmaterials ein Bestrahlen des Dichtungsmaterials mit einem Laserstrahl umfasst.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Öffnung metallisiert ist, und wobei das Dichtungsmaterial eine vorbestimmte Menge einer Metalllegierung ist.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Dichtungsmaterial eine vorbestimmte Menge an Glas ist.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Gehäusekörper aus Keramik gebildet ist, und wobei der Gehäusedeckel aus Keramik, Metall oder Glas gebildet ist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleiterbauteil ein Mikrofon oder eine Lichtquelle ist.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die vorbestimmte Gasatmosphäre zu mehr als 75 Vol.-% aus Kohlenstoffmonooxid, Kohlenstoffdioxid, Methan, Ethanol, Stickstoff oder einem Halogen besteht.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Schmelzpunkt des Dichtungsmaterials niedriger ist als ein Schmelzpunkt eines Teils des Gehäuses, welcher die Öffnung umgibt.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Schmelzpunkt des Dichtungsmaterials über 200 °C liegt.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Temperatur der vorbestimmten Gasatmosphäre zwischen 15 °C und 30 °C beträgt.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein hydrostatischer Druck der vorbestimmten Gasatmosphäre zwischen 500 hPa und 0,3 MPa beträgt.
  18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Öffnung in dem Gehäusedeckel oder einer Bodenplatte des Gehäusekörpers ausgebildet ist.
  19. Verfahren (300) zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil, umfassend: Einbringen (302) eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel in eine Prozesskammer, wobei der Gehäusedeckel einen Hohlraum des Gehäusekörpers abschließt und gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist, wobei zumindest eine Öffnung in dem Gehäuse ausgebildet ist, und wobei zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet ist; Erzeugen (304) eines Vakuums in dem Hohlraum durch Evakuieren der Prozesskammer; Erzeugen (306) einer vorbestimmten Gasatmosphäre in dem Hohlraum und der Prozesskammer; Einbringen (308) von Dichtungsmaterial in die zumindest eine Öffnung, während in der Prozesskammer die vorbestimmte Gasatmosphäre herrscht, wobei das Einbringen (308) des Dichtungsmaterials in die zumindest eine Öffnung ein Einpressen eines Festkörpers, der aus dem Dichtungsmaterial besteht, in die zumindest eine Öffnung umfasst; und Aufschmelzen (310) des Dichtungsmaterials, sodass das aufgeschmolzene Dichtungsmaterial die zumindest eine Öffnung gasdicht verschließt, wobei das Aufschmelzen (310) des Dichtungsmaterials unter einer Luftatmosphäre erfolgt.
  20. Verfahren (500) zum Herstellen eines hermetisch abgedichteten Gehäuses mit einem Halbleiterbauteil, umfassend: Bereitstellen (502) eines Gehäuses mit einem Gehäusekörper und einem Gehäusedeckel, wobei der Gehäusedeckel einen Hohlraum des Gehäusekörpers abschließt und gasdicht an dem Gehäusekörper angebracht ist, wobei zumindest zwei Öffnungen in dem Gehäuse ausgebildet sind, wobei zumindest ein Halbleiterbauteil in dem Hohlraum angeordnet ist, wobei das Gehäuse Keramikmaterial aufweist, und wobei die zumindest zwei Öffnungen eine Metallisierung aufweisen; Leiten (504) eines Gasflusses durch den Hohlraum mittels der zumindest zwei Öffnungen, so dass eine vorbestimmte Gasatmosphäre in dem Hohlraum entsteht; Aufbringen (506) von Dichtungsmaterial auf die zumindest zwei Öffnungen, wobei das Aufbringen (506) von Dichtungsmaterial ein Schleudern eines sich in einem geschmolzenen Zustand befindlichen Dichtungsmaterials auf die zumindest zwei Öffnungen umfasst; und gasdichtes Verschließen (508) der zumindest zwei Öffnungen mittels des Dichtungsmaterials.
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