DE102017009136A1 - Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material - Google Patents
Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017009136A1 DE102017009136A1 DE102017009136.6A DE102017009136A DE102017009136A1 DE 102017009136 A1 DE102017009136 A1 DE 102017009136A1 DE 102017009136 A DE102017009136 A DE 102017009136A DE 102017009136 A1 DE102017009136 A1 DE 102017009136A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- blank
- disc
- damage zone
- electromagnetic waves
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 10
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Trennen und Ablösen von Scheiben von einem Rohling aus einem sprödharten Material mit eingebrachten Defekten als eine ebene Schädigungszone.Die Verfahren zeichnen sich insbesondere durch ein schnelles und einfaches Abtrennen aus.Das erfolgt durch- Beaufschlagen der Oberfläche der vom Rohling abzulösenden Scheibe mit elektromagnetischen Wellen, wobei das Material des Rohlings für die elektromagnetischen Wellen transparent oder teiltransparent ist und die ebene Schädigungszone eine erhöhte Absorption aufweist, und- Erzeugen von thermisch induzierten mechanischen Spannungen in der Schädigungszone durch absorbierte elektromagnetische Wellen, so dass sich die Scheibe vom Rohling ablöst.Die Schädigungszone fungiert hierbei als Trennebene, in die ein gezieltes Einbringen von thermischer Energie erfolgt. Das kann entweder seriell durch ein Abscannen mit einem Laser hoher Leistung und geringer Intensität oder parallel durch großflächige Bestrahlung der Scheibe mit einer leistungsstarken Strahlungsquelle erfolgen. Die Scheibe ist dazu beispielsweise ein Wafer.The invention relates to methods for separating and detaching slices from a blank of a brittle-hard material with defects introduced as a planar damage zone. The methods are characterized in particular by a quick and easy separation. This is done by applying the surface of the disc to be detached from the blank with electromagnetic waves, wherein the material of the blank for the electromagnetic waves is transparent or partially transparent and the planar damage zone has an increased absorption, and - generating thermally induced mechanical stresses in the damage zone by absorbed electromagnetic waves, so that the disc separates from the blank The damage zone acts as a separation plane into which a targeted introduction of thermal energy takes place. This can be done either serially by scanning with a laser of high power and low intensity or in parallel by large-area irradiation of the disc with a powerful radiation source. The disk is, for example, a wafer.
Description
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Trennen und Ablösen von Scheiben von einem Rohling aus einem sprödharten Material mit eingebrachten Defekten als eine ebene Schädigungszone.The invention relates to methods for separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material with defects introduced as a planar damage zone.
Beim großflächigen Trennen von sprödharten Materialien wird bei bekannten Verfahren in einem ersten Schritt mittels Laserbestrahlung eine Schädigungsebene eingebracht. In einem zweiten Schritt wird die Scheibe als Wafer durch mechanische Krafteinwirkung mittels Schrumpfwirkung einer aufgeklebten Schicht abgetrennt.In the large-area separation of brittle-hard materials, a damage level is introduced in a first step by means of laser irradiation in known methods. In a second step, the wafer is separated as a wafer by mechanical force by means of shrinkage effect of a glued layer.
Durch die Druckschrift
Der im Patentanspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Scheiben von einem Rohling aus einem sprödharten Material einfach und schnell zu trennen.The specified in
Diese Aufgabe wird mit den im Patentanspruch 1 aufgeführten Merkmalen gelöst.This object is achieved with the features listed in
Die Verfahren zum Trennen und Ablösen von Scheiben von einem Rohling aus einem sprödharten Material mit eingebrachten Defekten als eine ebene Schädigungszone zeichnen sich insbesondere durch ein schnelles und einfaches Abtrennen aus.The methods for separating and detaching slices of a brittle from a brittle-hard material with defects introduced as a flat damage zone are characterized in particular by a quick and easy separation.
Das erfolgt durch
- - Beaufschlagen der Oberfläche der vom Rohling abzulösenden Scheibe mit elektromagnetischen Wellen, wobei das Material des Rohlings für die elektromagnetischen Wellen transparent oder teiltransparent ist und die ebene Schädigungszone eine erhöhte Absorption aufweist, und
- - Erzeugen von thermisch induzierten mechanischen Spannungen in der Schädigungszone durch absorbierte elektromagnetische Wellen, so dass sich die Scheibe vom Rohling ablöst.
- - Impacting the surface of the disc to be detached from the blank with electromagnetic waves, wherein the material of the blank for the electromagnetic waves is transparent or partially transparent and the planar damage zone has an increased absorption, and
- - Generating thermally induced mechanical stresses in the damage zone by absorbed electromagnetic waves, so that the disc detaches from the blank.
Die Schädigungszone fungiert hierbei als Trennebene, in die ein gezieltes Einbringen von thermischer Energie erfolgt. Das kann entweder seriell durch ein Abscannen mit einem Laser hoher Leistung und geringer Intensität oder parallel durch großflächige Bestrahlung der Scheibe mit einer leistungsstarken Strahlungsquelle erfolgen. Die Scheibe ist dazu beispielsweise ein Wafer.The damage zone acts as a separation plane into which a targeted introduction of thermal energy takes place. This can be done either serially by scanning with a laser of high power and low intensity or in parallel by large-area irradiation of the disc with a powerful radiation source. The disk is, for example, a wafer.
Vorteilhafterweise erfolgt damit ein thermisch induziertes großflächiges Trennen. Dabei wird der Umstand ausgenutzt, dass das Volumen des Rohlings bis zur Schädigungszone zumindest teiltransparent ist, so dass die Strahlung zum Teil bis in die Schädigungszone vordringen kann. In der Schädigungszone liegt eine erhöhte Absorption vor, so dass die Strahlung vorzugsweise dort absorbiert wird. Da die Strahlung durch die erhöhte Absorption in der Schädigungszone kaum noch in den darunter liegenden Bereich des Rohlings vordringen kann, dehnt sich dieser zumindest weniger aus als der darüberliegende bestrahlte Bereich, der sich durch die Teiltransparenz und die daraus resultierende Absorption der Strahlung erwärmt hat. Dadurch entstehen vor allem in der Schädigungszone thermisch induzierte mechanische Spannungen, die zur Trennung der Scheibe vom Rohling führen. Der Rohling kann dazu auch eine Scheibe sein, so dass bei Anwendung des Verfahrens zwei Scheiben vorhanden sind.Advantageously, this is a thermally induced large-scale separation. In this case, the fact is exploited that the volume of the blank is at least partially transparent up to the damage zone, so that the radiation can partly penetrate into the damage zone. In the damage zone there is an increased absorption, so that the radiation is preferably absorbed there. Since the radiation can hardly penetrate into the underlying area of the blank due to the increased absorption in the damage zone, this at least expands less than the overlying irradiated area, which has been heated by the partial transparency and the resulting absorption of the radiation. As a result, especially in the damage zone thermally induced mechanical stresses that lead to the separation of the disc from the blank. The blank may also be a disc, so that there are two discs when using the method.
Das Verfahren zeichnet sich damit durch eine geringe Anzahl von Verfahrensschritten aus, so dass ein schnelles Trennen und Ablösen erfolgt.The process is characterized by a small number of process steps, so that a rapid separation and detachment takes place.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen 2 bis 7 angegeben.Advantageous embodiments of the invention are specified in the
Die Oberfläche der vom Rohling abzulösenden Scheibe wird nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 2 mit elektromagnetischen Wellen als Laserstrahlung wenigstens eines Lasers beaufschlagt, wobei das Material des Rohlings für die Laserstrahlung transparent oder teiltransparent ist und die ebene Schädigungszone eine erhöhte Absorption aufweist. Weiterhin werden thermisch induzierte mechanische Spannungen in der Schädigungszone durch absorbierte Laserstrahlung erzeugt, so dass sich die Scheibe vom Rohling ablöst. Die Strahlung kann so mit einem schwach fokussierten Laserstrahl genügender Leistung seriell eingebracht werden. Dabei wird die Wellenlänge so gewählt, dass genügend Strahlung bis zur Schädigungszone vordringen kann.The surface of the disc to be detached from the blank is subjected according to the embodiment of
In Fortführung wird die Laserstrahlung nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 3 mäanderförmig, spiralförmig oder reihenförmig über die Oberfläche der vom Rohling abzulösenden Scheibe geführt. Damit wird die ganze Fläche des Rohlings seriell bestrahlt.In continuation, the laser radiation according to the embodiment of
Die Oberfläche der vom Rohling abzulösenden Scheibe wird nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 4 mit elektromagnetischen Wellen als Strahlung wenigstens eines Halogenstrahlers, wenigstens einer Gasentladungsröhre, Lumineszenzdioden oder Laserdioden flächig beaufschlagt, wobei das Material des Rohlings für die elektromagnetischen Wellen transparent oder teiltransparent ist und die ebene Schädigungszone eine erhöhte Absorption aufweist. Dadurch werden thermisch induzierte mechanische Spannungen in der Schädigungszone durch absorbierte Strahlung erzeugt, so dass sich die Scheibe vom Rohling ablöst. Mit den Lumineszenzdioden oder den Laserdioden kann die Wellenlänge so gewählt werden, dass genügend Strahlung bis zur Schädigungszone vordringen kann. Mit dem Einschalten der jeweiligen Strahlungsquelle wird der Rohling vorzugsweise über und in der Schädigungszone schnell erwärmt, so dass ein schnelles Abtrennen der Scheibe erfolgt.According to the embodiment of
Der Rohling ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 5 ein Ingot aus einem Halbleiter- oder Isolatormaterial. Die vom Ingot getrennte und abgelöste Scheibe ist damit ein Wafer.The blank is according to the embodiment of
Das Material des Rohlings und damit der getrennten und abgelösten Scheibe ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 6 Diamant, Silizium, Siliziumkarbid, Germanium, Galliumarsenid, Galliumnitrid, Indiumphosphit, Saphir, Quarz, Glas oder Keramik.The material of the blank and thus the separated and detached disc is according to the embodiment of
Die Scheibe ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 7 ein Substrat für elektronische Bauelemente.The disc is according to the embodiment of
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen jeweils prinzipiell dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben.Embodiments of the invention are illustrated in principle in the drawings and will be described in more detail below.
Es zeigen:
-
1 eine Einrichtung zum Trennen und Ablösen von Scheiben von einem Rohling mit einem Laser und einer Scannereinrichtung und -
2 eine Einrichtung zum Trennen und Ablösen von Scheiben von einem Rohling mit einer Strahlungsquelle.
-
1 a device for separating and detaching slices from a blank with a laser and a scanner device and -
2 a device for separating and detaching disks from a blank with a radiation source.
In Verfahren zum Trennen und Ablösen von Scheiben
Die
Die Oberfläche
Die
Die Oberfläche der vom Rohling
Der Rohling
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- DE 102015000134 A1 [0003]DE 102015000134 A1 [0003]
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017009136.6A DE102017009136A1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017009136.6A DE102017009136A1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017009136A1 true DE102017009136A1 (en) | 2019-03-28 |
Family
ID=65638161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017009136.6A Pending DE102017009136A1 (en) | 2017-09-28 | 2017-09-28 | Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102017009136A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019116228A1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | centrotherm international AG | A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69231328T2 (en) * | 1991-09-18 | 2001-02-22 | Commissariat Energie Atomique | Process for the production of thin layers of semiconductor material |
US20130032582A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing thermal flux regime for energy controlled cleaving |
US20150060509A1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of Controlled Crack Propagation for Material Cleavage using Electromagnetic Forces |
DE102015000134A1 (en) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Siltectra Gmbh | Laser-based solid-state separation process |
DE102016212316A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Disco Corporation | Polycrystalline SIC WAFER MANUFACTURING PROCESS |
-
2017
- 2017-09-28 DE DE102017009136.6A patent/DE102017009136A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69231328T2 (en) * | 1991-09-18 | 2001-02-22 | Commissariat Energie Atomique | Process for the production of thin layers of semiconductor material |
US20130032582A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing thermal flux regime for energy controlled cleaving |
US20150060509A1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-05 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method of Controlled Crack Propagation for Material Cleavage using Electromagnetic Forces |
DE102015000134A1 (en) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Siltectra Gmbh | Laser-based solid-state separation process |
DE102016212316A1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Disco Corporation | Polycrystalline SIC WAFER MANUFACTURING PROCESS |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019116228A1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | centrotherm international AG | A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
DE102019116228B4 (en) | 2019-06-14 | 2023-09-28 | centrotherm international AG | Method for producing a semiconductor device and a semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11004723B2 (en) | Wafer production method | |
DE102013111016B4 (en) | singulation procedure | |
DE19640594B4 (en) | module | |
US8329556B2 (en) | Localized annealing during semiconductor device fabrication | |
JP2017526161A (en) | Solid separation by substance change | |
CN107454892A (en) | Chip for cutting material manufactures and the method for chip processing | |
DE102014002600A1 (en) | Combined wafer fabrication process with laser treatment and temperature-induced stresses | |
DE102015101143A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for its production | |
WO2013167399A1 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
DE102015204698B4 (en) | Process for dividing a wafer | |
DE102017009136A1 (en) | Method of separating and detaching slices from a brittle of a brittle-hard material | |
DE102015004603A1 (en) | Combined wafer fabrication process with laser treatment and temperature-induced stresses | |
EP2586054A1 (en) | Method for preparing a substrate by implantation and irradiation | |
EP3055447A1 (en) | Creation of a crack-initiating point or a cracking line for the improved splitting off of a solid layer from a solid body | |
DE102015008034A1 (en) | Method for guiding a tear in the edge region of a donor substrate | |
DE102019207990A1 (en) | Method for machining a workpiece and system for machining a workpiece | |
EP3147068B1 (en) | Novel wafer production method | |
EP3137657B1 (en) | Combined method for producing solids, involving laser treatment and temperature-induced stresses to generate three-dimensional solids | |
DE112019006915T5 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ELEMENT | |
DE102019202914A1 (en) | Wafer processing method | |
DE102019003331A1 (en) | SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING SYSTEMS AND RELATED METHODS | |
DE102007041852A1 (en) | High power LED module, has semicircular hollow portion extending into transparent carrier on side of LED and having evaporable cooling agent, and electrode structures provided in transparent carrier | |
DE102015000134A1 (en) | Laser-based solid-state separation process | |
JP7353157B2 (en) | Laser processing method | |
DE102018209579B4 (en) | ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication |