DE102016004331B4 - Circuit arrangement for limiting a load current - Google Patents
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Abstract
Schaltungsanordnung (1) zur Begrenzung eines Laststromes, mit einem als Längsbegrenzer geschalteten ersten Transistor (4), welcher als Verarmungstyp-Feldeffekttransistor mit einem Drain-, einem Source- und einem Gate-Anschluss (4D, 4S, 4G) ausgebildet ist, und einem zweiten Transistor (9), der einen Stromeingang (9E), einen Stromausgang (9A) und einen Steuereingang (9S) hat, wobei der Drain-Anschluss (4D) mit dem Eingang (2) der Schaltungsanordnung (1) verbunden ist, der Gate-Anschluss (4G) mit dem Stromeingang (9E) des zweiten Transistors (9) und der Stromausgang (9A) des zweiten Transistors (9) mit dem Ausgang (3) der Schaltungsanordnung (1) verbunden ist, wobei eine Stromsenke mit einem Stromeingangsanschluss und einem Stromausgangsanschluss vorgesehen ist, wobei der Stromeingangsanschluss mit dem Source-Anschluss (4S) des ersten Transistors (4) und der Stromausgangsanschluss mit dem Stromausgang (9A) des zweiten Transistors (9) verbunden ist, wobei die Stromsenke ein erstes Transistorelement (11) mit einem ersten Stromeingang (11E), einem ersten Stromausgang (11A) und einem ersten Steuereingang (11S) aufweist, und wobei die Stromsenke über eine Rückkopplung derart mit dem Gate-Anschluss (4G) des ersten Transistors (4) in Steuerverbindung steht, dass bei einem Anstieg des vom Source-Anschluss (4S) über die Stromsenke zum Ausgang (3) der Schaltungsanordnung (1) fließenden Stroms das Potential am Gate-Anschluss (4G) des ersten Transistors (4) im Sinne einer Abnahme der Leitfähigkeit der Drain-Source-Strecke des ersten Transistors (4) verändert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Stromeingang (11E) mit dem Stromeingangsanschluss und der erste Stromausgang (11A) über einen als Shunt für den Laststrom dienenden vierten Widerstand (12) mit dem Stromausgangsanschluss und über einen fünften Widerstand (14) mit dem Steuereingang (9S) des zweiten Transistors (9) verbunden ist, dass die Stromsenke ein zweites Transistorelement (15) mit einem zweiten Stromeingang (15E), einem zweiten Stromausgang (15A) und einem zweiten Steuereingang (15S) aufweist, dass der zweite Stromeingang (15E) über einen sechsten Widerstand (16) mit dem Stromeingangsanschluss, der zweite Stromausgang (15A) mit dem Stromausgangsanschluss und der zweite Steuereingang (15S) über einen siebten Widerstand (17) mit dem Stromausgang (11A) des ersten Transistorelements (11) verbunden ist.Circuit arrangement (1) for limiting a load current, with a first transistor (4) connected as a series limiter, which is designed as a depletion type field effect transistor with a drain, a source and a gate connection (4D, 4S, 4G), and a second transistor (9) which has a current input (9E), a current output (9A) and a control input (9S), the drain connection (4D) being connected to the input (2) of the circuit arrangement (1), the gate -Connection (4G) is connected to the current input (9E) of the second transistor (9) and the current output (9A) of the second transistor (9) is connected to the output (3) of the circuit arrangement (1), a current sink having a current input connection and a current output connection is provided, the current input connection being connected to the source connection (4S) of the first transistor (4) and the current output connection being connected to the current output (9A) of the second transistor (9), the current sink being a first transistor gate element (11) with a first current input (11E), a first current output (11A) and a first control input (11S), and wherein the current sink is connected to the gate terminal (4G) of the first transistor (4) via a feedback in this way The control connection is that when the current flowing from the source connection (4S) via the current sink to the output (3) of the circuit arrangement (1) increases, the potential at the gate connection (4G) of the first transistor (4) in the sense of a decrease in the Conductivity of the drain-source path of the first transistor (4) is changed, characterized in that the first current input (11E) with the current input connection and the first current output (11A) via a fourth resistor (12) serving as a shunt for the load current connected to the current output terminal and via a fifth resistor (14) to the control input (9S) of the second transistor (9), so that the current sink has a second transistor element (15) with a second current input (1 5E), a second current output (15A) and a second control input (15S) that the second current input (15E) via a sixth resistor (16) with the current input connection, the second current output (15A) with the current output connection and the second control input ( 15S) is connected to the current output (11A) of the first transistor element (11) via a seventh resistor (17).
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Begrenzung eines Laststromes nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.The invention relates to a circuit arrangement for limiting a load current according to the preamble of
Eine derartige Schaltungsanordnung ist aus
Die Stromsenke hat ein erstes Transistorelement mit einem ersten Stromeingang, einem ersten Stromausgang und einem ersten Steuereingang. Sie steht über eine Rückkopplung derart mit dem Gate-Anschluss des ersten Transistors in Steuerverbindung, dass bei einem Anstieg des vom Source-Anschluss über die Stromsenke zum Ausgang der Schaltungsanordnung fließenden Stroms das Potential am Gate-Anschluss des ersten Transistors im Sinne einer Abnahme der Leitfähigkeit der Drain-Source-Strecke des ersten Transistors verändert wird.The current sink has a first transistor element with a first current input, a first current output and a first control input. It is in control connection with the gate connection of the first transistor via feedback in such a way that when the current flowing from the source connection via the current sink to the output of the circuit arrangement rises, the potential at the gate connection of the first transistor in the sense of a decrease in conductivity the drain-source path of the first transistor is changed.
Die vorbekannte Schaltungsanordnung weist im normalen Betrieb, d.h. wenn die Strombegrenzung inaktiv ist, noch eine relativ hohe Verlustleistung auf. Auch die Regelgeschwindigkeit, mit der die Schaltungsanordnung einem schnellen Stromanstieg im Laststrom entgegenwirkt, ist noch verbesserungswürdig.The previously known circuit arrangement still has a relatively high power loss in normal operation, i.e. when the current limitation is inactive. The control speed with which the circuit arrangement counteracts a rapid rise in the load current is also in need of improvement.
Aus der
Im normalen Betriebszustand ist der erste Transistor etwa durchgeschaltet. Steigt jedoch der Ausgangsstrom an, erhöht sich die an dem ersten Widerstand abfallende Spannung, wodurch sich die Spannung am Steuereingang des zweiten Transistors erhöht. Dies bewirkt, dass der zweite Transistor über seinen mit dem Gate-Anschluss des ersten Transistors verbundenen Stromeingang dem ersten Transistor Steuerstrom entzieht beziehungsweise sich die am Steuereingang des ersten Transistors anliegende Spannung verringert, wodurch sich der Stromfluss im ersten Transistor reduziert. Gleichzeitig mit der erhöhten Sperrung des ersten Transistors erhöht sich die an ihm abfallende Spannung.In the normal operating state, the first transistor is approximately switched through. However, if the output current increases, the voltage drop across the first resistor increases, as a result of which the voltage at the control input of the second transistor increases. This has the effect that the second transistor withdraws control current from the first transistor via its current input connected to the gate connection of the first transistor or the voltage applied to the control input of the first transistor is reduced, whereby the current flow in the first transistor is reduced. At the same time as the increased blocking of the first transistor, the voltage drop across it increases.
Erreicht die Spannung den Wert der Spannung der ersten Zenerdiode, fließt durch diese und den mit ihr in Reihe geschalteten zweiten Widerstand ein Strom zum Ausgang der Schaltungsanordnung. Hierdurch wird am zweiten Widerstand ein Spannungsabfall hervorgerufen, welcher der am Steuereingang des zweiten Transistors anliegenden Spannung entgegenwirkt. Dadurch sperrt der zweite Transistor etwas, wodurch die Spannung am Steuereingang des ersten Transistors ansteigt beziehungsweise ein weiteres Abfallen von ihr verhindert wird. Es stellt sich somit ein Gleichgewichtszustand ein, bei dem am ersten Transistor eine der Zenerspannung entsprechende Spannung abfallt.If the voltage reaches the value of the voltage of the first Zener diode, a current flows through it and the second resistor connected in series with it to the output of the circuit arrangement. This causes a voltage drop across the second resistor, which counteracts the voltage applied to the control input of the second transistor. As a result, the second transistor blocks something, as a result of which the voltage at the control input of the first transistor increases or a further drop is prevented. A state of equilibrium is thus established in which a voltage corresponding to the Zener voltage drops across the first transistor.
Da mehrere dieser Schaltungsanordnungen mit einem Verbraucher in Reihe geschaltet werden können, ist die vorbekannte Schaltungsanordnung insbesondere zur Strombegrenzung in Verbrauchern geeignet, an denen hohe Spannungen auftreten können, wie zum Beispiel an Lichtbögen, Plasmen oder Elektronenstrahlen.Since several of these circuit arrangements can be connected in series with a consumer, the known circuit arrangement is particularly suitable for current limitation in consumers at which high voltages can occur, such as arcs, plasmas or electron beams.
Obwohl sich die aus
Ungünstig ist außerdem, dass die Schaltungsanordnung einen Mitkopplungseffekt aufweist. Steigt die Spannung an der Drain-Source-Strecke des ersten Transistors an, fließt durch parasitäre Kapazitäten, die durch den Miller-Effekt verstärkt werden, und durch Widerstände für die Gate-Versorgung vorübergehend ein Strom in das Gate. Das führt zunächst dazu, dass die Leitfähigkeit der Drain-Source-Strecke des Transistors zunimmt und damit der Strom in der Drain-Source-Strecke weiter ansteigt. Dies kann in den ersten 100 bis 500 Nanosekunden zu einem sehr steilen Stromanstieg mit bis zu 100 Ampere in der Spitze führen. Erst der erhöhte Stromfluss und die darauf folgende Zunahme des Stroms durch die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Transistors, der als Stromerkennungstransistor dient, bewirkt, dass der Strom durch die Drain-Source-Strecke des ersten Transistors wieder abfällt und begrenzt wird.It is also unfavorable that the circuit arrangement has a positive feedback effect. If the voltage at the drain-source path of the first transistor increases, a current flows temporarily into the gate due to parasitic capacitances, which are amplified by the Miller effect, and due to resistors for the gate supply. This initially means that the conductivity of the drain-source path of the transistor increases and the current in the drain-source path continues to rise. In the first 100 to 500 nanoseconds, this can lead to a very steep increase in current with a peak of up to 100 amperes. It is only the increased current flow and the subsequent increase in the current through the collector-emitter path of the second transistor, which serves as a current detection transistor, that the current through the drain-source path of the first transistor drops again and is limited.
Der schnelle Stromanstieg wirkt sich bei einer Schaltungsanordnung, die zur Stromversorgung eines Lichtbogens, eines Plasmas zum Schweißen, Beschichten oder Oberflächenbearbeiten eines Werkstücks oder eines Elektronenstrahls einer Elektronenstrahlschweißanlage dient, ungünstig auf den Prozess aus. Insbesondere wird durch den Stromanstieg innerhalb kurzer Zeit relativ viel Energie in den Lichtbogen, das Plasma bzw. den Elektronenstrahl eingebracht, wodurch Störstellen im oder an der Oberfläche des mit dem entsprechenden Prozess zu bearbeitenden Werkstücks auftreten können.The rapid increase in current has an unfavorable effect on the process in a circuit arrangement that is used to supply an electric arc, a plasma for welding, coating or surface processing of a workpiece or an electron beam from an electron beam welding system. In particular, a relatively large amount of energy is introduced into the arc, the plasma or the electron beam within a short time due to the increase in current, as a result of which defects can occur in or on the surface of the workpiece to be machined with the corresponding process.
Außerdem kann der schnelle Stromanstieg EMV-Störungen in Regel-, Schnittstellen- und Steuerschaltkreisen verursachen, die mit der Schaltungsanordnung zusammenwirken oder räumlich zu dieser benachbart sind. Insbesondere bei Geräten mit digitaler Regelung und Datenübertragung machen sich diese Störungen durch Abschaltungen ungünstig bemerkbar. Auch hierdurch können Fehler an dem zu bearbeitenden Werkstück auftreten.In addition, the rapid increase in current can cause EMC interference in regulation, interface and control circuits that interact with the circuit arrangement or are spatially adjacent to it. Particularly in devices with digital control and data transmission, these disruptions make themselves unfavorably noticeable through shutdowns. This can also cause errors in the workpiece to be machined.
Es besteht deshalb die Aufgabe, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, die eine geringe Verlustleistung aufweist und bei einem steilen Anstieg des Laststromes eine schnelle Begrenzung des Laststromes ermöglicht.The object is therefore to create a circuit arrangement of the type mentioned at the outset which has a low power loss and enables the load current to be limited quickly in the event of a steep increase in the load current.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Diese sehen vor, dass der erste Stromeingang mit dem Stromeingangsanschluss und der erste Stromausgang über einen als Shunt für den Laststrom dienenden vierten Widerstand mit dem Stromausgangsanschluss und über einen fünften Widerstand mit dem Steuereingang des zweiten Transistors verbunden ist, dass die Stromsenke ein zweites Transistorelement mit einem zweiten Stromeingang, einem zweiten Stromausgang und einem zweiten Steuereingang aufweist, dass der zweite Stromeingang über einen sechsten Widerstand mit dem Stromeingangsanschluss, der zweite Stromausgang mit dem Stromausgangsanschluss und der zweite Steuereingang über einen siebten Widerstand mit dem Stromausgang des erstes Transistorelements verbunden ist.This object is achieved with the features of
Da der erste Transistor ein Verarmungstyp-Feldeffekttransistor ist, leitet dieser, wenn keine Spannung zwischen Drain- und Gate-Anschluss anliegt. Dadurch benötigt die Schaltungsanordnung keinen Widerstand zwischen Drain- und Gate-Anschluss und während des Stromflusses durch die Drain-Source-Strecke des ersten Transistors liegt nur eine entsprechend geringe Drain-Source-Spannung am ersten Transistor an. In vorteilhafter Weise tritt an der Schaltungsanordnung dadurch während des Betriebs nur eine geringe Verlustleistung auf. Der Wegfall des Widerstands zwischen Drain- und Gate-Anschluss ermöglicht insbesondere bei einer Schaltungsanordnung, mit der hohe Spannungen geschaltet werden sollen, einen platzsparenden Aufbau der Schaltungsanordnung.Since the first transistor is a depletion type field effect transistor, it conducts when there is no voltage between the drain and gate terminals. As a result, the circuit arrangement does not require any resistance between the drain and gate connection and only a correspondingly low drain-source voltage is applied to the first transistor while the current is flowing through the drain-source path of the first transistor. As a result, the circuit arrangement advantageously has only a low power loss during operation. The omission of the resistor between the drain and gate connection enables a space-saving construction of the circuit arrangement, particularly in the case of a circuit arrangement with which high voltages are to be switched.
Der Verarmungstyp-Feldeffekttransistor hat außerdem den Vorteil, dass bei einem Anstieg des Stromflusses durch den ersten Transistor eine Gegenkopplung auftritt, die eine schnelle Begrenzung des Laststromes ermöglicht. Bei Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung zur Stromversorgung eines Lichtbogens, eines Plasmas zum Bearbeiten eines Werkstücks oder eines Elektronenstrahls einer Elektronenstrahlschweißanlage wird dadurch ein geringer und gleichmäßiger Energieeintrag in den Prozess und somit ein gutes und störstellenfreies Bearbeitungsergebnis ermöglicht.The depletion-type field effect transistor also has the advantage that when the current flow through the first transistor increases, negative feedback occurs, which enables the load current to be limited quickly. When using the circuit arrangement according to the invention for power supply of an arc, a plasma for processing a workpiece or an electron beam of an electron beam welding system, this enables a low and uniform input of energy into the process and thus a good processing result free of defects.
Durch die schnelle Begrenzung des Laststromes können außerdem im praktischen Betrieb EMV-Störungen in Regel-, Schnittstellen- und Steuerschaltkreisen, die mit der Schaltungsanordnung zusammenwirken oder räumlich zu dieser benachbart sind, weitestgehend vermieden. Dies ermöglicht eine sichere Prozessführung.As a result of the rapid limitation of the load current, EMC interference in regulation, interface and control circuits that interact with the circuit arrangement or are spatially adjacent to it can also be largely avoided in practical operation. This enables safe process management.
Die Schaltungsanordnung hat außerdem den Vorteil, dass mehrere der Schaltungsanordnungen in Reihe und/oder parallel zueinander geschaltet werden können, wodurch eine Strombegrenzung bei Spannungen und Lastströmen nahezu beliebiger Größe erreicht werden kann.The circuit arrangement also has the advantage that a plurality of the circuit arrangements can be connected in series and / or parallel to one another, thereby limiting the current Voltages and load currents of almost any size can be achieved.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Gate-Anschluss über einen ersten Strompfad, an dem bei einem Stromfluss ein Spannungsabfall auftritt, mit dem Source-Anschluss verbunden. Bei einem Stromfluss über die Stromeingang-Stromausgang-Strecke des zweiten Transistors tritt dann ein Spannungsabfall am ersten Strompfad auf, der die zum Begrenzen des Laststroms benötigte Gate-Source-Spannung für den ersten Transistors erzeugt.In a preferred embodiment of the invention, the gate connection is connected to the source connection via a first current path on which a voltage drop occurs when a current flows. When a current flows over the current input-current output path of the second transistor, a voltage drop then occurs on the first current path, which generates the gate-source voltage for the first transistor that is required to limit the load current.
Vorteilhaft ist, wenn in dem ersten Strompfad ein erster elektrischer Widerstand angeordnet. Dies ermöglicht einen einfachen und kostengünstigen Schaltungsaufbau.It is advantageous if a first electrical resistor is arranged in the first current path. This enables a simple and inexpensive circuit construction.
Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung ist der Gate-Anschluss zum Schutz des ersten Transistors vor Überspannung über einen zweiten Strompfad, in dem eine Zenerdiode und gegebenenfalls ein mit dieser in Reihe geschalteter zweiter elektrischer Widerstand angeordnet ist, mit dem Drain-Anschluss verbunden. Wenn der erste Transistor ein n-Kanal Feldeffekttransistor ist, wird die Zenerspannung der Zehnerdiode so dimensioniert, dass beim Auftreten einer hohen Spannung zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Schaltungsanordnung die Zenerdiode durchschaltet. Dies verursacht einen Stromfluss in dem zweiten Strompfad, der einen Potentialanstieg am Gate-Anschluss des ersten Transistors bewirkt. Dadurch nimmt die Leitfähigkeit der Drain-Source-Strecke ab und die Drain-Source-Spannung des ersten Transistors wird begrenzt.In an expedient embodiment of the invention, the gate connection to protect the first transistor from overvoltage is connected to the drain connection via a second current path in which a Zener diode and possibly a second electrical resistor connected in series is arranged. If the first transistor is an n-channel field effect transistor, the Zener voltage of the Zener diode is dimensioned such that the Zener diode switches through when a high voltage occurs between the input and the output of the circuit arrangement. This causes a current to flow in the second current path, which causes a potential increase at the gate terminal of the first transistor. As a result, the conductivity of the drain-source path decreases and the drain-source voltage of the first transistor is limited.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Drain-Anschluss mit mindestens einer Induktivität in Reihe geschaltet. Bei Simulationen wurde festgestellt, dass der Strom aufgrund der Miller-Kapazität zwischen Drain- und Source-Anschluss mehrere Ampere betragen kann. Durch die Induktivität(en) wird die Stromanstiegsgeschwindigkeit und damit der Laststrom begrenzt. Parallel zu der mindestens einen Induktivität sollte eine Freilaufdiode geschaltet sein, um Schwingungen zu vermeiden.In an advantageous embodiment of the invention, the drain connection is connected in series with at least one inductance. During simulations it was found that the current can be several amperes due to the Miller capacitance between the drain and source connection. The rate of increase in current and thus the load current is limited by the inductance (s). A freewheeling diode should be connected in parallel to the at least one inductance in order to avoid oscillations.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Gate-Anschluss über einen dritten elektrischen Widerstand mit dem Stromeingang des zweiten Transistors verbunden ist, wobei zu dem dritten Widerstand ein Kondensatorelement parallel geschaltet ist. Durch den Kondensator kann der Laststrom mit hoher Dynamik begrenzt werden.In a preferred embodiment of the invention, the gate connection is connected to the current input of the second transistor via a third electrical resistor, a capacitor element being connected in parallel with the third resistor. The load current can be limited with high dynamics by the capacitor.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung weist die Schaltungsanordnung einen dritten Transistor auf, welcher einen Stromeingang, einen Stromausgang und einen Steuereingang hat, wobei der Stromeingang mit der Source und der Stromausgang über die Stromsenke mit dem Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden ist, wobei die Schaltungsanordnung eine Betriebszustandserfassungseinrichtung aufweist, die zur Detektion eines zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Schaltungsanordnung fließenden Überstroms und/oder einer zwischen dem Eingang und dem Ausgang der Schaltungsanordnung anliegenden Überspannung ausgebildet ist, wobei die Betriebszustandserfassungseinrichtung einen mit dem Steuereingang des dritten Transistors verbundenen ersten Ausgang und einen mit dem Gate-Anschluss verbundenen zweiten Ausgang aufweist, und dass die Betriebszustandserfassungseinrichtung derart ausgestaltet ist, dass beim Detektieren des Überstroms und/oder der Überspannung
- a) eine den dritten Transistor sperrende erste Sperrspannung an den ersten Ausgang angelegt wird, und
- b) eine zweite Sperrspannung derart an den zweiten Ausgang angelegt wird, dass die Leitfähigkeit der Drain-Source-Strecke des ersten Transistors abnimmt.
- a) a first reverse voltage blocking the third transistor is applied to the first output, and
- b) a second reverse voltage is applied to the second output in such a way that the conductivity of the drain-source path of the first transistor decreases.
Wenn der Laststrom einen vorbestimmten Grenzwert überschreitet, also ein Überstrom auftritt, was beispielsweise passieren kann, wenn in einem von der Schaltungsanordnung gespeisten Prozess (Lichtbogen, Plasma, Elektronenstrahl) ein Kurzschluss auftritt, wird der Laststrom zunächst begrenzt und dann abgeschaltet.If the load current exceeds a predetermined limit value, i.e. an overcurrent occurs, which can happen, for example, if a short circuit occurs in a process fed by the circuit arrangement (arc, plasma, electron beam), the load current is first limited and then switched off.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist die Betriebszustandserfassungseinrichtung ein Zeitglied auf, welches derart ausgestaltet ist, dass die Sperrspannungen nach dem Detektieren des Überstroms und/oder der Überspannung nur eine vorbestimmte Zeitdauer lang an die Ausgänge der Betriebszustandserfassungseinrichtung angelegt werden. Nach Ablauf der vorbestimmten Zeitdauer wird der den Eingang mit dem Ausgang verbindende Strompfad der Schaltungsanordnung wieder niederohmig, so dass die Schaltungsanordnung dann wieder ihren normalen Betriebszustand einnimmt. Das Zeitglied hat also die Charakteristik eines Monoflops, d.h. bei einem Trigger-Ereignis fällt es in einen Zustand und wechselt nach einer gewissen Zeit in den ursprünglichen Zustand zurück. Das Trigger-Ereignis ist ein detektierter Überstrom und/oder eine Überspannung.In an advantageous embodiment of the invention, the operating state detection device has a timing element which is designed such that the blocking voltages are only applied to the outputs of the operating state detection device for a predetermined period of time after the overcurrent and / or overvoltage has been detected. After the predetermined period of time has elapsed, the current path of the circuit arrangement connecting the input to the output becomes low-resistance again, so that the circuit arrangement then resumes its normal operating state. The timing element has the characteristics of a monoflop, i.e. when a trigger event occurs, it falls into a state and changes back to its original state after a certain time. The trigger event is a detected overcurrent and / or an overvoltage.
Vorteilhaft ist, wenn das Zeitglied einen Kondensator und einen damit in Reihe geschalteten ersten Spannungsteiler aufweist, wenn ein erster Anschluss des Kondensators mit dem Eingang der Schaltungsanordnung und ein zweiter Anschluss des Kondensators über einen ersten Teilwiderstand des ersten Spannungsteilers mit dem Steuereingang des dritten Transistors verbunden ist und wenn der Steuereingang des dritten Transistors über einen zweiten Teilwiderstand des ersten Spannungsteilers mit dem Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden ist. Dies ermöglicht einen einfachen und robusten Schaltungsaufbau.It is advantageous if the timing element has a capacitor and a first voltage divider connected in series therewith, if a first connection of the capacitor to the input of the circuit arrangement and a second connection of the capacitor via a first partial resistance of the first voltage divider is connected to the control input of the third transistor and when the control input of the third transistor is connected to the output of the circuit arrangement via a second partial resistance of the first voltage divider. This enables a simple and robust circuit structure.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist parallel zu dem ersten Spannungsteiler eine Reihenschaltung geschaltet, die einen zweiten Spannungsteiler und eine weitere Zenerdiode aufweist, wobei der zweite Spannungsteiler einen dritten Teilwiderstand und einen vierten Teilwiderstand aufweist, die an einem Knoten miteinander verbunden sind, der mit einem Steuereingang eines vierten Transistors verbunden ist, welcher mit seinem Stromeingang mit dem Gate-Anschluss und mit seinem Stromausgang mit der Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden ist. Dabei ist der Stromeingang des vierten Transistors vorzugsweise indirekt über einen Widerstand mit dem Gate-Anschluss verbunden. Wenn der erste Transistor leitend ist und der dritte Transistor gesperrt wird, , fließt der Laststrom zunächst vom Eingang der Schaltungsanordnung, die Stromeingangs-Stromausgangsstrecke des ersten Transistors, den ersten Widerstand, den gegebenenfalls zwischen dem Stromeingang des vierten Transistors und dem Gate angeordneten weiteren Widerstand und die Stromeingangs-Stromausgangsstrecke des eingeschalteten vierten Transistors zum Ausgang der Schaltungsanordnung. Es entsteht eine negative Spannung zwischen Gate- und Source-Anschluss des ersten Transistors. Der erste Transistor sperrt infolgedessen. Wird die Spannung am Source-Anschluss zu groß, kann der Strom auch über eine die Stromeingangs-Stromausgangsstrecke des dritten Transistors überbrückende Schutzdiode und eine Zenerdiode, welche den Stromausgang des dritten Transistors mit dem Ausgangsanschluss der Schaltungsanordnung verbindet, fließen, wodurch die Spannung am Source-Anschluss begrenzt wird. Am Source-Anschluss entsteht also eine positive Spannung gegenüber dem Ausgang der Schaltungsanordnung, zum einen über den Stromfluss durch den ersten Widerstand, den gegebenenfalls zwischen dem Stromeingang des vierten Transistors und dem Gate angeordneten weiteren Widerstand und die Stromeingangs-Stromausgangsstrecke des vierten Transistors oder über die Schutzdiode und die Zenerdiode. Wird dieser Stromfluss durch das Sperren des ersten Transistors unterbrochen, wird eine gegenüber dem Ausgang der Schaltungsanordnung positive Spannung über eine den Stromeingang mit dem Steuereingang des dritten Transistors verbindende Schutzdiode und dem ersten Spannungsteiler an den Source-Anschluss angelegt. Da der Gate-Anschluss über den gegebenenfalls zwischen dem Stromeingang des vierten Transistors und dem Gate angeordneten weiteren Widerstand und den leitenden vierten Transistor mit dem Ausgang der Schaltungsanordnung verbunden ist, bleibt der erste Transistor gesperrt. Kann über den Kondensator kein Strom mehr fließen, werden erst erste Transistor und der dritte Transistor wieder leitend und der vierte Transistor sperrt. Der Strom kann wie zuvor beschrieben mit Hilfe der Stromsenke und dem ersten Transistor begrenzt werden. Während der Sperrzeit des ersten Transistors fließt nur noch ein Reststrom über den Kondensator und die Spannungsteiler. Der Reststrom ist allerdings gering und kann in der Größenordnung von einem Milliampere liegen.In a preferred embodiment of the invention, a series circuit is connected in parallel to the first voltage divider, which has a second voltage divider and a further Zener diode, the second voltage divider having a third partial resistor and a fourth partial resistor, which are connected to one another at a node that is connected to a Control input of a fourth transistor is connected, which is connected with its current input to the gate terminal and with its current output to the output of the circuit arrangement. In this case, the current input of the fourth transistor is preferably indirectly connected to the gate connection via a resistor. When the first transistor is conductive and the third transistor is blocked, the load current initially flows from the input of the circuit arrangement, the current input-current output path of the first transistor, the first resistor, the further resistor, which may be arranged between the current input of the fourth transistor and the gate, and the current input current output path of the switched-on fourth transistor to the output of the circuit arrangement. A negative voltage arises between the gate and source connections of the first transistor. As a result, the first transistor blocks. If the voltage at the source connection is too high, the current can also flow via a protective diode bridging the current input-current output path of the third transistor and a Zener diode which connects the current output of the third transistor to the output connection of the circuit arrangement, whereby the voltage at the source Connection is limited. At the source connection there is thus a positive voltage compared to the output of the circuit arrangement, on the one hand via the current flow through the first resistor, the further resistor, which may be arranged between the current input of the fourth transistor and the gate, and the current input-current output path of the fourth transistor or via the Protection diode and the zener diode. If this current flow is interrupted by blocking the first transistor, a voltage that is positive compared to the output of the circuit arrangement is applied to the source terminal via a protective diode connecting the current input to the control input of the third transistor and the first voltage divider. Since the gate connection is connected to the output of the circuit arrangement via the further resistor, which may be arranged between the current input of the fourth transistor and the gate, and the conductive fourth transistor, the first transistor remains blocked. If no more current can flow through the capacitor, only the first transistor and the third transistor become conductive again and the fourth transistor blocks. As previously described, the current can be limited with the aid of the current sink and the first transistor. During the blocking time of the first transistor, only a residual current flows through the capacitor and the voltage divider. However, the residual current is low and can be in the order of one milliampere.
Vorteilhaft ist, wenn mindestens zwei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnungen mit ihren Eingängen und Ausgängen in Reihe geschaltet sind und eine mehrstufige Strombegrenzungsschaltung bilden. Die an dem an der Strombegrenzungsschaltung angeschlossenen Verbraucher bzw. Prozess anliegende Spannung wird dann auf die einzelnen Stufen der Strombegrenzungsschaltung aufgeteilt, wodurch bei einer entsprechenden Anzahl von Stufen eine Strombegrenzung an Spannungen von nahezu beliebiger Höhe erreicht werden kann.It is advantageous if at least two of the circuit arrangements according to the invention are connected in series with their inputs and outputs and form a multi-stage current limiting circuit. The voltage applied to the consumer or process connected to the current limiting circuit is then divided between the individual stages of the current limiting circuit, which means that, with a corresponding number of stages, the current can be limited to voltages of almost any desired level.
Bei einer bevorzugten Ausgestaltung dieser mehrstufigen Strombegrenzungsschaltung hat jede Schaltungsanordnung Steueranschlüsse, an die eine Hilfsgleichspannung anlegbar ist, mittels welcher die Schaltungsanordnung zwischen einem Betriebszustand, der einen Stromfluss vom Stromeingangsanschluss zum Stromausgangsanschluss ermöglicht, und einem Ruhezustand, in dem der Stromfluss unterbrochen ist, umschaltbar ist, wobei jeder Schaltungsanordnung jeweils eine Hilfsspannungsquelle zugeordnet ist, die Eingangsanschlüsse für eine Wechselspannung und Ausgangsanschlüsse für eine mittels einer Gleichrichterschaltung aus der Wechselspannung erzeugte Hilfsgleichspannung aufweist, wobei jede Hilfsspannungsquelle jeweils einen Steuersignaleingang zum Anlegen eines Steuersignals hat und derart ausgestaltet ist, dass die Hilfsgleichspannung in Abhängigkeit von dem Steuersignal an den Ausgangsanschlüssen der Hilfsspannungsquelle aktivierbar und deaktivierbar ist, wobei eine erste Kettenschaltung vorgesehen ist, die für jede Schaltungsanordnung jeweils einen Übertrager aufweist, der eine Eingangswicklung und eine induktiv damit gekoppelte Ausgangswicklung hat, wobei Wicklungsanschlüsse der Eingangswicklung eines ersten Übertragers der Kettenschaltung mit einer Wechselspannungsquelle und Wicklungsanschlüsse der Ausgangswicklung des ersten Übertragers mit den Eingangsanschlüssen einer ersten Hilfsspannungsquelle sowie Wicklungsanschlüssen der Eingangswicklung eines zweiten Übertragers der Kettenschaltung verbunden sind, wobei Wicklungsanschlüsse der Ausgangswicklung des zweiten Übertragers mit den Eingangsanschlüssen einer zweiten Hilfsspannungsquelle verbunden sind, dass die Stromversorgung einen Koppler aufweist, der einen Eingang und einen galvanisch davon getrennten Ausgang für ein veränderliches Steuersignal hat, und dass der Eingang mit einem Steuersignalgeber in Steuerverbindung steht und mit dem Steuersignaleingang der ersten Hilfsspannungsquelle verbunden ist, und dass der Ausgang mit dem Steuersignaleingang der zweiten Hilfsspannungsquelle verbunden ist. Dabei ist es sogar möglich, zwischen den jeweils aus der Schaltungsanordnung, der Hilfsspannungsquelle, dem Übertrager und dem Koppler gebildeten Stufe eine weitere Stufe oder sogar mehrere weitere Stufen anzuordnen und zu einer Kette miteinander zu verbinden. In vorteilhafter Weise muss bei dieser Ausgestaltung jeweils nur die Isolationsspannung des ersten Übertragers und des ersten Kopplers an die insgesamt an den Stufen anliegende Spannung angepasst sein, während die Isolationsspannung des mindestens einen weiteren Übertragers und des gegebenenfalls vorhandenen mindestens einen weiteren Kopplers jeweils nur von der Stufenspannung der betreffenden Stufe abhängig ist.In a preferred embodiment of this multi-stage current limiting circuit, each circuit arrangement has control connections to which an auxiliary DC voltage can be applied, by means of which the circuit arrangement can be switched between an operating state that enables current to flow from the current input connection to the current output connection, and an idle state in which the current flow is interrupted, each circuit arrangement being assigned an auxiliary voltage source, which has input connections for an alternating voltage and output connections for an auxiliary direct voltage generated from the alternating voltage by means of a rectifier circuit, each auxiliary voltage source each having a control signal input for applying a control signal and being designed such that the auxiliary direct voltage is dependent on the control signal at the output connections of the auxiliary voltage source can be activated and deactivated, a first chain circuit being provided hen, which has a transformer for each circuit arrangement which has an input winding and an output winding inductively coupled therewith, winding connections of the input winding of a first transformer of the chain circuit with an AC voltage source and winding connections of the output winding of the first transformer with the input connections of a first auxiliary voltage source and winding connections the input winding of a second transformer of the chain circuit are connected, winding connections of the output winding of the second transformer with the input connections of a second Auxiliary voltage source are connected that the power supply has a coupler that has an input and an output galvanically separated therefrom for a variable control signal, and that the input is in control connection with a control signal transmitter and is connected to the control signal input of the first auxiliary voltage source, and that the output is connected to the control signal input of the second auxiliary voltage source. It is even possible to arrange a further stage or even several further stages between the stage formed from the circuit arrangement, the auxiliary voltage source, the transformer and the coupler and to connect them to one another to form a chain. Advantageously, in this embodiment only the insulation voltage of the first transformer and the first coupler has to be adapted to the total voltage applied to the stages, while the insulation voltage of the at least one further transformer and the possibly present at least one further coupler only depends on the stage voltage depends on the level in question.
Die Koppler sind bevorzugt als Optokoppler ausgestaltet. Es sind aber auch andere Ausgestaltungen denkbar, bei denen die Koppler induktive oder kapazitive Koppler sein können.The couplers are preferably designed as optocouplers. However, other configurations are also conceivable in which the couplers can be inductive or capacitive couplers.
Nachfolgend sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
-
1 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer Schaltungsanordnung zur Begrenzung eines Laststromes, -
2 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Strombegrenzungsschaltung, bei der mehrere der in1 abgebildeten Schaltungsanordnungen in Reihe geschaltet sind, -
3 ein Schaltbild eines zweiten Ausführungsbeispiels der Schaltungsanordnung zur Begrenzung eines Laststromes, -
4 ein zweites Ausführungsbeispiel einer mehrstufigen Strombegrenzungsschaltung, die mehrere der in3 abgebildeten Schaltungsanordnungen aufweist, und -
5 ein drittes Ausführungsbeispiel einer mehrstufigen Strombegrenzungsschaltung.
-
1 a circuit diagram of a first embodiment of a circuit arrangement for limiting a load current, -
2 a first embodiment of a current limiting circuit in which several of the in1 the circuit arrangements shown are connected in series, -
3 a circuit diagram of a second embodiment of the circuit arrangement for limiting a load current, -
4th a second embodiment of a multi-stage current limiting circuit, the several of the in3 has illustrated circuit arrangements, and -
5 a third embodiment of a multi-stage current limiting circuit.
Eine in
Die Schaltungsanordnung
Der Gate-Anschluss
Der Gate-Anschluss
Die Schaltungsanordnung
Die Stromsenke weist einen erstes Transistorelement
Außerdem ist der Steuereingang
Zu der Stromsenke gehören also die Transistorelemente
Zwischen Stromeingangs- und Stromausgangsanschluss der Stromsenke fällt eine Spannung von etwa 0,8 V ab. Dies ist durch das erste Transistorelement
Der zweite Transistor
Nachfolgend wird die Arbeitsweise der Schaltungsanordnung
- Ab einem Spannungsabfall von etwa 0,6 V
am vierten Widerstand 12 beginnt das zweite Transistorelement15 zu leiten und entzieht dem ersten Transistorelement11 den Steuereingangsstrom. Dieses wird dadurch hochohmig und es fällt eine Spannung zwischen seinemStromeingang 11E und seinemStromausgang 11A ab.Die dritte Zenerdiode 13 begrenzt diese Spannung. Auch der zweiteTransistor 9 beginnt zu leiten und zieht das Potential am Gate-Anschluss 4G des erstenTransistors 4 nach unten. Dadurch entsteht ein negativer Spannungsabfall zwischen Gate-Anschluss 4G und Source-Anschluss 4S , wodurch der ersteTransistor 4 hochohmiger wird. Übersteigt dieser Spannungsabfall die Durchbruchsspannung der ersten Zenerdiode6 , fließt durch die erste Zenerdiode6 ein Strom, welcher die Gate-Source-Spannung wieder anhebt und somit den Spannungsabfall zwischen dem Drain-Anschluss 4D und dem Source-Anschluss 4S des erstenTransistors 4 begrenzt. Der Laststrom, ab welchem dieSchaltungsanordnung 1 aktiv wird, ist etwa 0,6 V dividiert durch den Widerstandswert des als Shunt dienenden vierten Widerstands12 .
- From a voltage drop of around 0.6 V at the fourth resistor
12th the second transistor element begins15th to conduct and deprive thefirst transistor element 11 the control input current. This becomes high-resistance and a voltage drops between itscurrent input 11E and itscurrent output 11A from. The third zener diode13th limits this tension. The second transistor too9 begins to conduct and pulls the potential at thegate connection 4G of the first transistor4th downward. This creates a negative voltage drop between thegate connection 4G andsource connector 4S , making the first transistor4th becomes higher resistance. If this voltage drop exceeds the breakdown voltage of the first Zener diode6th , flows through the first zener diode6th a current which increases the gate-source voltage again and thus the voltage drop between thedrain connection 4D and thesource connector 4S of the first transistor4th limited. The load current from which thecircuit arrangement 1 becomes active is about 0.6 V divided by the resistance value of the fourth resistor serving as a shunt12th .
Je mehr Strom über den ersten Transistor
Bei dem in
Außerdem ist mit den Schaltungsanordnungen
Das in
Der Stromeingang
Die Schaltungsanordnung
Der erste Ausgang
Parallel zu dem ersten Spannungsteiler ist eine Reihenschaltung, die einen zweiten Spannungsteiler und eine vierte Zenerdiode
Nachfolgend wird die Arbeitsweise der in
- Zunächst fließt der Laststrom über den ersten
Transistor 4 ,den dritten Transistor 21 ,das erste Transistorelement 11 und den viertenWiderstand 12 . Der dritteTransistor 21 leitet,weil der Stromausgang 21A aufgrund des Spannungsabfalls über der Stromsenke auf höherem Potential liegt als derSteuereingang 21S . Bei einem Überstrom setzt der gleiche Sperrvorgang ein, wie bei der Schaltungsanordnung1 nach 1 . Durch den Spannungsabfall an der Drain-Source-Strecke des erstenTransistors 4 fließt aber ein Stromüber den Kondensator 29 , den erstenTeilwiderstand 27 sowie über die vierte Zenerdiode30 undden dritten Teilwiderstand 31 . Der Strom über den erstenTeilwiderstand 27 hat zur Folge, dass der dritteTransistor 21 sperrt. Der Strom fließt weiter über den erstenWiderstand 5 , was eine Sperrspannung am Gate-Anschluss 4G des dritten Transistors zur Folge hat. Damit dieser Strom fließen kann, wird der vierteTransistor 33 durchgeschaltet. Damit die Sperrspannung zwischen dem Source-Anschluss 4S und dem Gate-Anschluss 4G bzw. überdem achten Widerstand 34 und der Stromeingangs-Stromaushangs-Strecke des viertenTransistor 33 zum Ausgang 3 der Schaltungsanordnungen 1 nicht zu groß wird, wird diese mit der Schutzdiode22 und der dritten Zenerdiode13 begrenzt. Mit zunehmenderSpannung am Kondensator 29 nimmt der durchden Kondensator 29 und die Spannungsteiler fließende Strom ab, bis er so klein wird, dass der dritte Transistor wieder zu leiten beginnt. Die Stromsenke kann dann bei Bedarf den Laststrom wieder begrenzen.
- First, the load current flows through the first transistor
4th , thethird transistor 21 , thefirst transistor element 11 and the fourth resistance12th . Thethird transistor 21 conducts because thecurrent output 21A due to the voltage drop across the current sink is at a higher potential than thecontrol input 21S . In the event of an overcurrent, the same blocking process takes place as with thecircuit arrangement 1 to1 . Due to the voltage drop across the drain-source path of the first transistor4th but a current flows through thecapacitor 29 , the firstpartial resistance 27 as well as the fourth zener diode30th and the thirdpartial resistance 31 . The current through the firstpartial resistance 27 has the consequence that thethird transistor 21 locks. The current continues to flow through thefirst resistor 5 what a reverse voltage at thegate connection 4G of the third transistor. In order for this current to flow, the fourth transistor becomes33 switched through. So that the reverse voltage between thesource connection 4S and thegate terminal 4G or above theeighth resistance 34 and the current input current hanging path of thefourth transistor 33 to theexit 3 thecircuit arrangements 1 does not get too big, this is done with the protection diode22nd and the third zener diode13th limited. With increasing voltage on thecapacitor 29 takes the through thecapacitor 29 and the voltage divider from the current flowing until it is so small that the third transistor begins to conduct again. The current sink can then limit the load current again if necessary.
Bei dem in
Jeder Schaltungsanordnung
Wie in
Wicklungsanschlüsse der Eingangswicklung
Zum Anlegen der Steuersignale an die Steuersignaleingänge
Claims (12)
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DE102016004331.8A DE102016004331B4 (en) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | Circuit arrangement for limiting a load current |
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DE102016004331.8A DE102016004331B4 (en) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | Circuit arrangement for limiting a load current |
Publications (2)
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DE102016004331A1 DE102016004331A1 (en) | 2017-10-19 |
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DE102016004331.8A Active DE102016004331B4 (en) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | Circuit arrangement for limiting a load current |
Country Status (1)
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DE (1) | DE102016004331B4 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115802550A (en) * | 2022-12-08 | 2023-03-14 | 珠海市圣昌电子有限公司 | High-reliability short-circuit protection circuit for PWM dimming |
Citations (2)
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DE19739008C1 (en) * | 1997-09-06 | 1999-04-08 | Schneider Elektrotechnik Gmbh | Circuit for limiting load current with 1st transistor connected as series regulator |
CA2619387C (en) * | 2005-12-02 | 2013-07-02 | Tellabs Operations, Inc. | Power switch with simple overload protection |
-
2016
- 2016-04-13 DE DE102016004331.8A patent/DE102016004331B4/en active Active
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