DE102014208958A1 - Surface-mountable optoelectronic component and method for producing a surface-mountable optoelectronic component - Google Patents

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Abstract

Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement angeordneten Montagefläche und einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Strahlungsfläche eines optoelektronischen Chips beschrieben. Das Strukturelement weist eine Aussparung auf, die das Strukturelement in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche vollständig durchdringt. In der Aussparung ist der Chip angeordnet. Zumindest eine senkrecht zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche des Chips ist mit einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden. Auf dem Strukturelement sind ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich angeordnet, die elektrisch voneinander isoliert sind. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich sind jeweils an der Montagefläche sowie an senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche angrenzenden Kontaktflächen angeordnet und wobei der an der Montagefläche angeordnete Teil der elektrisch leitenden Bereiche Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Schaltungsträgers bildet und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil elektrisch leitenden Bereiche den optoelektronischen Chips elektrisch kontaktieren.The invention relates to a surface-mountable optoelectronic component having a mounting surface arranged on an electrically insulating structural element and a radiation surface of an optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface. The structural member has a recess that completely penetrates the structural member in a direction perpendicular to the mounting surface. In the recess of the chip is arranged. At least one side surface of the chip arranged perpendicular to the mounting surface is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface. On the structural element, a first and a second electrically conductive region are arranged, which are electrically isolated from each other. The first and second electrically conductive region are respectively arranged on the mounting surface and disposed perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface contact surfaces and wherein the arranged on the mounting surface part of the electrically conductive regions connecting contacts for electrical and mechanical contacting of a circuit substrate forms and to the Contact surfaces arranged part electrically conductive areas contact the optoelectronic chips electrically.

Description

Der hier beschriebene Gegenstand betrifft ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit einer seitlich angeordneten Strahlungsfläche. Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements mit einer seitlich angeordneten Strahlungsfläche beschrieben. The subject matter described here relates to a surface-mountable optoelectronic component with a laterally arranged radiation surface. Furthermore, a method for producing a surface-mountable optoelectronic component with a laterally arranged radiation surface is described.

Optoelektronische Bauelemente, wie zum Beispiel Leuchtdioden (LED), mit seitlich angeordneten Strahlungsflächen können als Sidelooker bezeichnet werden. Diese Bauelemente können mit ihrer Grundfläche auf einen Schaltungsträger montiert werden, wobei die von Bauelement erzeugte oder die vom Bauelement zu detektierende elektromagnetische Strahlung an einer senkrecht zur Grundfläche angeordneten Strahlungsfläche abgegeben oder aufgenommen wird.Optoelectronic components, such as light emitting diodes (LED), with laterally arranged radiation surfaces can be referred to as Sidelooker. These components can be mounted with their base on a circuit carrier, wherein the component generated by the device or to be detected by the device electromagnetic radiation is emitted or recorded on a perpendicular to the base surface arranged radiation surface.

Derartige Bauelemente können zum Beispiel zur Hintergrundbeleuchtung einer Anzeige, beispielsweise einem Bildschirm eines Mobiltelefons, vorgesehen sein. Die Sidelooker sind mit ihrer Strahlungsfläche an den Seitenflächen einer Lichtverteilerplatte angeordnet. Die Lichtverteilerplatte wiederum ist hinter der Flüssigkristallanzeige angeordnet. Das von den LEDs erzeugte Licht wird an den Rändern der Lichtverteilerplatte in die Lichtverteilerplatte eingekoppelt. Die Lichtverteilerplatte weist Auskoppelstrukturen auf, mit denen das eingekoppelte Licht gleichmäßig ausgekoppelt und in Richtung der Flüssigkristallanzeige abgestrahlt wird. Das die Flüssigkristallanzeige durchdringende Licht kann von einem Betrachter der Anzeige wahrgenommen werden. Such components may be provided, for example, for backlighting a display, for example a screen of a mobile telephone. The sidelooker are arranged with their radiation surface on the side surfaces of a light distribution plate. The light distribution plate in turn is arranged behind the liquid crystal display. The light generated by the LEDs is coupled into the light distribution plate at the edges of the light distribution plate. The light distribution plate has coupling-out structures, with which the coupled-in light is uniformly coupled out and emitted in the direction of the liquid-crystal display. The light penetrating the liquid crystal display can be perceived by a viewer of the display.

Mit Hinblick auf die Miniaturisierung mobiler Endgeräte besteht die Anforderung möglichst kompakte Bauelemente bereitzustellen, um die Dicke der Anzeige zu verringern. Insbesondere die Höhe des Bauelements ist dabei ein relevantes Kriterium. Bisher verwendete Bauelemente, wie zum Beispiel die Micro SIDELED von OSRAM Opto Semiconductors, weisen beispielsweise eine Höhe von ungefähr 0,65 mm auf. Es besteht somit die Aufgabe ein optoelektronisches Bauelement mit geringer Höhe bereitzustellen. Da mit abnehmender Größe der Bauelemente die Herstellung und die Verarbeitung der Bauelemente zunehmend schwieriger werden, besteht ferner die Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung der optoelektronischen Bauelemente bereitzustellen.With regard to the miniaturization of mobile terminals, the requirement is to provide the most compact possible components in order to reduce the thickness of the display. In particular, the height of the component is a relevant criterion. Previously used components, such as the Micro SIDELED from OSRAM Opto Semiconductors, for example, have a height of about 0.65 mm. It is therefore the object to provide an optoelectronic component with low height. Since the size and size of the components make it increasingly difficult to manufacture and process the components, there is also the task of providing a method for producing the optoelectronic components.

Vorgeschlagene LösungSuggested solution

Zur Lösung der Aufgabe wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement angeordneten Montagefläche und einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Strahlungsfläche eines optoelektronischen Chips vorgeschlagen. Das Strukturelement weist eine Aussparung auf, die das Strukturelement in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche vollständig durchdringt. In der Aussparung des Strukturelements ist der optoelektronische Chip angeordnet. Zumindest eine senkrecht zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche des optoelektronischen Chips ist mit einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden. Auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement sind ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich angeordnet, die elektrisch voneinander isoliert sind. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich ist jeweils an der Montagefläche sowie an einer senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche angrenzenden Kontaktfläche angeordnet, wobei der an der Montagefläche angeordnete Teil der ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Schaltungsträgers bildet, und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Chips vorgesehen sind.To achieve the object, a surface-mountable optoelectronic component having a mounting surface arranged on an electrically insulating structural element and a radiation surface of an optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface is proposed. The structural member has a recess that completely penetrates the structural member in a direction perpendicular to the mounting surface. In the recess of the structural element of the optoelectronic chip is arranged. At least one side surface of the optoelectronic chip arranged perpendicular to the mounting surface is mechanically connected to a side surface of the recess arranged perpendicular to the mounting surface. On the electrically insulating structural element, a first and a second electrically conductive region are arranged, which are electrically isolated from each other. The first and second electrically conductive regions are respectively arranged on the mounting surface and on a contact surface arranged perpendicular to the mounting surface and adjacent to the mounting surface, wherein the part of the first and second electrically conductive regions arranged on the mounting surface forms connection contacts for the electrical and mechanical contacting of a circuit carrier and the part of the first and second electrically conductive regions arranged on the contact surfaces are provided for electrically contacting the optoelectronic chip.

Durch die einfache Struktur können Bauelemente mit geringer Höhe bereitgestellt werden. Die auf dem Strukturelement angeordneten elektrisch leitenden Bereiche ermögliche eine kompakte elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Chips. Da die elektrische Kontaktierung durch die elektrisch leitenden Bereiche erfolgt, kann ein Bauelement ohne Vias oder Durchkontaktierungen bereitgestellt werden. Durch das Anordnen des Chips in der Aussparung kann das Strukturelement derart gestaltet werden, dass die durch das Strukturelement bereitgestellte elektrische und mechanische Funktionen nicht zur Höhe des Bauelements beitragen. Vereinfacht ausgedrückt ist das Strukturelemente und die Aussparung derart gestaltet, dass der Chip neben dem Strukturelement angeordnet ist. Das Bauelement ist für unterschiedliche Chiptypen geeignet. Wenn das Bauelement zum Beispiel einen lichtemittierenden Chip aufweist, kann als Chip zum Beispiel ein Saphir-Chip, ein Saphir-Flip-Chip oder ein Dünnfilmchip vorgesehen sein. Ferner können Chips mit zwei Rückseitenkontakten, zwei Oberseitenkontakten oder mit einem Oberseiten und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. The simple structure allows low height components to be provided. The arranged on the structural member electrically conductive regions allow a compact electrical contacting of the optoelectronic chip. Since the electrical contacting takes place through the electrically conductive regions, a component without vias or plated-through holes can be provided. By arranging the chip in the recess, the structural element can be designed in such a way that the electrical and mechanical functions provided by the structural element do not contribute to the height of the component. In simple terms, the structural elements and the recess are designed such that the chip is arranged next to the structural element. The component is suitable for different chip types. For example, if the device has a light emitting chip, a sapphire chip, a sapphire flip chip, or a thin film chip may be provided as the chip. Further, chips may be provided with two backside contacts, two topside contacts, or one top and one backside contact.

Ferner wird zur Lösung der Aufgabe ein Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Strukturelementträgers mit einer Vielzahl mechanisch miteinander verbundener, elektrisch isolierender Strukturelemente, wobei die Strukturelemente in Reihen und/oder in Spalten angeordnet sind und jeweils zumindest eine die Strukturelemente vollständig durchdringende Aussparung aufweisen. Ferner umfasst das Verfahren ein Aufbringen elektrisch leitender Bereiche auf zumindest zwei senkrecht zueinander angeordneter und aneinander angrenzenden Seitenflächen der Strukturelemente; ein Bereitstellen einer Vielzahl optoelektronischer Chips; ein Einbringen der optoelektronischen Chips in die Aussparungen der Strukturelemente; ein mechanisches Verbinden der Vielzahl der optoelektronischen Chips mit den Strukturelementen; und ein Aufteilen des Strukturelementträgers.Furthermore, a method for producing a surface-mountable optoelectronic component is proposed for achieving the object. The method comprises providing a structural element carrier having a plurality of mechanically interconnected, electrically insulating structural elements, wherein the structural elements are arranged in rows and / or in columns and in each case at least one of the structural elements is complete have penetrating recess. Furthermore, the method comprises applying electrically conductive regions on at least two mutually perpendicular and mutually adjacent side surfaces of the structural elements; providing a plurality of optoelectronic chips; introducing the optoelectronic chips into the recesses of the structural elements; mechanically connecting the plurality of optoelectronic chips to the structure elements; and dividing the structural element carrier.

Der gemeinsame Strukturelementträger vereinfacht die Herstellung der Bauelemente, da anstelle einer Vielzahl einzelner Strukturelemente lediglich ein gemeinsamer Strukturelementträger gehandhabt werden muss. Zudem ermöglicht der Strukturelementträger, dass einige der Verfahrensschritte für eine Vielzahl von Bauelementen parallel durchgeführt werden können. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche durch ein Beschichtungsverfahren gleichzeitig auf eine Vielzahl von Strukturelementen aufgebracht werden. Ferner kann das mechanische Verbinden der Chips mit den Strukturelementen für eine Vielzahl von Bauelementen parallel durchgeführt werden. Die Bauelemente können ohne Fototechnik hergestellt werden. Dadurch wird die Herstellung der Bauelemente vereinfacht. The common structural element carrier simplifies the production of the components, since instead of a plurality of individual structural elements, only one common structural element carrier has to be handled. In addition, the structural element carrier allows some of the process steps to be performed in parallel for a plurality of devices. For example, the electrically conductive regions may be simultaneously applied to a plurality of structural elements by a coating process. Further, the mechanical bonding of the chips to the features may be performed in parallel for a plurality of devices. The components can be produced without photographic technology. This simplifies the manufacture of the components.

Weitere AusgestaltungenFurther embodiments

Als Material für das Strukturelement kann Keramik vorgesehen sein. Ferner kann als Material für das Strukturelement Kunststoff vorgesehen sein. Zum Beispiel kann ein Material verwendet werden, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient ungefähr dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Chips entspricht. Ferner kann ein Material verwendet werden, das für die vom Chip emittierte oder absorbierte elektromagnetische Strahlung eine hohe Reflektivität aufweist. As material for the structural element ceramic may be provided. Furthermore, plastic can be provided as the material for the structural element. For example, a material whose coefficient of thermal expansion corresponds approximately to the thermal expansion coefficient of the chip may be used. Furthermore, a material can be used which has a high reflectivity for the electromagnetic radiation emitted or absorbed by the chip.

Die vorgeschlagene Struktur ermöglicht das Bereitstellen von Bauelementen mit geringer Höhe. So kann die Höhe des Strukturelements ungefähr der Höhe des optoelektronischen Chips entsprechen. Ferner kann die Gesamthöhe des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements maximal doppelt so groß sein, wie die Höhe des optoelektronischen Chips. Zum Beispiel können Bauelemente bereitgestellt werden, bei denen der optoelektronische Chip eine Höhe von ungefähr 200 µm aufweist und das Bauelement eine Gesamthöhe von 300 µm aufweist. Es können somit Bauelemente bereitgestellt werden, deren Gesamthöhe maximal dem 1,5 fachen der Höhe des Chips entspricht. Bei einigen Ausführungsbeispielen können Bauelemente bereitgestellt werden, bei denen die Gesamthöhe des Bauelements ungefähr der Höhe der Strahlungsfläche des optoelektronischen Chips entspricht. The proposed structure enables the provision of low-height devices. Thus, the height of the structural element can correspond approximately to the height of the optoelectronic chip. Furthermore, the total height of the surface-mountable optoelectronic component can be at most twice as large as the height of the optoelectronic chip. For example, devices may be provided in which the optoelectronic chip has a height of about 200 microns and the device has an overall height of 300 microns. It can thus be provided components whose total height corresponds to a maximum of 1.5 times the height of the chip. In some embodiments, devices may be provided in which the overall height of the device is approximately equal to the height of the radiating surface of the optoelectronic chip.

An der Montagefläche des Strukturelements und/oder an einer der Montagefläche gegenüberliegenden Oberseite des Strukturelements kann eine Reflektorschicht angeordnet sein. Durch die Reflektorschicht kann die Effizienz des Bauelements erhöht werden. Die Reflektorschicht kann Teil einer auf das Strukturelement aufgebrachten Folie sein. Ferner kann die Reflektorschicht eine reflektierende Vergussmasse sein. A reflector layer may be arranged on the mounting surface of the structural element and / or on an upper side of the structural element opposite the mounting surface. Through the reflector layer, the efficiency of the device can be increased. The reflector layer may be part of a film applied to the structural element. Furthermore, the reflector layer may be a reflective potting compound.

In dem Strahlengang des Chips kann parallel zur Strahlungsfläche einen Folie angeordnet sein, wobei auf der Folie ein Leuchtstoff aufgebracht ist. In weiteren Ausführungsbeispielen kann ein Leuchtstoff direkt auf die Strahlungsfläche des optoelektronischen Chips aufgebracht sein. Zum Beispiel kann ein in Vergussmasse eingebetteter Leuchtstoff in eine durch Folien und das Strukturelement gebildete Kavität gefüllt werden. Für das Einfüllen des Leuchtstoffs in die durch die Folien und das Strukturelement gebildete Kavität kann zum Beispiel Dispensen vorgesehen sein. Ferner kann der Leuchtstoff auch auf die Strahlungsfläche des Chips aufgesprüht sein.In the beam path of the chip, a film may be arranged parallel to the radiation surface, wherein a phosphor is applied to the film. In further embodiments, a phosphor can be applied directly to the radiation surface of the optoelectronic chip. For example, a phosphor embedded in potting compound may be filled in a cavity formed by films and the structural member. For the filling of the phosphor into the cavity formed by the foils and the structural element, dispensing may be provided, for example. Furthermore, the phosphor can also be sprayed onto the radiation surface of the chip.

Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich können oberflächlich auf das Strukturelement aufgebracht sein. Als oberflächlich aufgebracht können zum Beispiel Strukturen bezeichnet werden, die mit einem Beschichtungsverfahren auf das Strukturelement aufgebracht worden sind. Zum Beispiel können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich Schichten sein, die auf das Strukturelement aufgebracht wurden. Die Schichtdicke kann weniger als 10 µm betragen. In weiteren Ausführungsbeispielen kann die Schichtdicke 2 µm betragen.The first and second electrically conductive region can be superficially applied to the structural element. For example, structures which have been applied to the structural element by means of a coating process can be referred to as superficially applied. For example, the first and second electrically conductive regions may be layers that have been applied to the structural element. The layer thickness can be less than 10 microns. In further embodiments, the layer thickness may be 2 microns.

Das Strukturelement kann den optoelektronischen Chip an drei senkrecht zur Montagefläche angeordneten Seitenflächen umgeben. Entsprechend kann das Strukturelement im Wesentlichen U-förmig sein. Eine Funktion der beiden Schenkel des U-förmigen Strukturelements kann zum Beispiel darin bestehen ausreichend Fläche für eine mechanische und elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Bauelement und einem Schaltungsträger bereitzustellen. Eine Funktion des Querstücks des U-förmigen Strukturelements kann zum Beispiel darin bestehen, die beiden Schenkel des Strukturelements mechanisch miteinander zu verbinden.The structural element can surround the optoelectronic chip at three side surfaces arranged perpendicular to the mounting surface. Accordingly, the structural element may be substantially U-shaped. For example, a function of the two legs of the U-shaped structural element may be to provide sufficient area for a mechanical and electrically conductive connection between the device and a circuit carrier. For example, one function of the crosspiece of the U-shaped structural element may be to mechanically interconnect the two legs of the structural element.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel können zumindest zwei Bauelemente zu einem Mehrfachbauelement zusammengefasst werden. Die einzelnen Bauelemente eines Mehrfachbauelements können über eine elektrisch leitende Folie mechanische und elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Die elektrisch leitende Folie kann ein Beispiel für einen Schaltungsträger sein. Die einzelnen Bauelemente des Mehrfachbauelements können in einer elektrischen Reihenschaltung angeordnet sein. In a further embodiment, at least two components can be combined to form a multiple component. The individual components of a multiple component can be connected to one another mechanically and electrically conductively via an electrically conductive foil. The electrically conductive foil may be an example of a circuit carrier. The individual components of the multiple component can be arranged in an electrical series circuit.

Die elektrisch leitende Folie kann an der Montagefläche und/oder der Oberseite des Strukturelements angeordnet sein. Die elektrisch leitende Folie kann eine Reflektorschicht aufweisen. Ferner können auf der Montagefläche und auf der Oberseite angeordnete Folien über die Strahlungsfläche überstehen und zusammen mit dem Strukturelement eine Kavität bilden. Dabei kann zumindest eine der Folien eine elektrisch leitende Folie sein. In die Kavität kann ein Leuchtstoff eingebracht werden. Alternativ oder ergänzend zu zumindest zwei über eine Folie mechanisch und/oder elektrisch miteinander verbundenen Bauelementen können zumindest zwei Strukturelemente eines Mehrfachbauelements mechanisch miteinander verbunden sein. Die miteinander verbunden Strukturelemente können integral geformt sein. Die mechanisch miteinander verbundenen Strukturelemente können die optoelektronischen Chips des Mehrfachbauelements elektrisch leitenden verbinden. Zum Beispiel können ein erster elektrisch leitender Bereich und ein zweiter elektrisch leitender Bereich einen gemeinsamen elektrisch leitenden Bereich bilden. Aufgrund der größeren Abmessungen kann ein Mehrfachbauelement im Vergleich zu einem einzelnen Bauelement zum Beispiel einfacher weiterverarbeitet werden. The electrically conductive foil may be arranged on the mounting surface and / or the upper side of the structural element. The electrically conductive foil may have a reflector layer. Furthermore, films arranged on the mounting surface and on the upper side can project beyond the radiation surface and form a cavity together with the structural element. In this case, at least one of the films may be an electrically conductive film. In the cavity, a phosphor can be introduced. As an alternative or in addition to at least two components mechanically and / or electrically interconnected via a foil, at least two structural elements of a multiple component can be mechanically connected to one another. The interconnected structural elements may be integrally formed. The mechanically interconnected structural elements can connect the optoelectronic chips of the multiple component electrically conductive. For example, a first electrically conductive region and a second electrically conductive region may form a common electrically conductive region. Due to the larger dimensions, a multiple device can be processed more easily compared to a single device, for example.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel können das Bauelement oder das Mehrfachbauelement Teil einer Hintergrundbeleuchtungseinrichtung sein. Die Hintergrundbeleuchtungseinrichtung kann dazu eingerichtet sein, den Hintergrund einer Flüssigkristallanzeige eines Bildschirms zu beleuchten. Die Hintergrundbeleuchtungseinrichtung kann eine Lichtverteilerplatte aufweisen, wobei das Bauelement oder das Mehrfachbauelement an zumindest einer senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der Lichtverteilerplatte angeordneten Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet sein können. In a further embodiment, the component or the multiple component may be part of a backlight device. The backlighting device may be configured to illuminate the background of a liquid crystal display of a display screen. The backlighting device may comprise a light distribution plate, wherein the component or the multiple component may be arranged on at least one side surface of the light distribution plate that is perpendicular to a light outcoupling surface of the light distribution plate.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel können die Bauelemente über eine auf der Montagefläche und/oder der Oberseite angeordnete Folie lediglich mechanisch miteinander verbunden sein. Lediglich mechanisch miteinander verbunden kann dabei bedeuten, dass zwischen den Bauelementen keine elektrisch leitende Verbindung besteht. Die mechanisch miteinander verbunden Bauelemente können dann unmittelbar vor dem Aufbringen auf einen Schaltungsträger voneinander getrennt werden. Die Folie kann eine Reflektorschicht aufweisen. Die durch die Folie miteinander verbunden Bauelemente können einfach gehandhabt, transportiert und verarbeitet werden. In a further embodiment, the components can be connected only mechanically to one another via a film arranged on the mounting surface and / or the upper side. Only mechanically connected to one another can mean that there is no electrically conductive connection between the components. The mechanically interconnected components can then be separated from each other immediately prior to application to a circuit carrier. The foil may have a reflector layer. The interconnected by the film components can be easily handled, transported and processed.

Die elektrisch leitenden Bereiche können strukturiert auf den Strukturelementträger aufgebracht werden. Das strukturierte Aufbringen der elektrisch leitenden Bereiche kann zum Beispiel mit einem Beschichtungsverfahren erfolgen. Für das strukturierte Aufbringen kann zum Beispiel eine Schattenmaske vorgesehen sein. The electrically conductive regions can be applied in a structured manner to the structural element carrier. The structured application of the electrically conductive regions can be carried out, for example, by a coating method. For example, a shadow mask may be provided for the structured application.

Für das Aufteilen des Strukturelementträgers kann ein Materialabtrag entlang eines ersten Grabens vorgesehen sein. Der Materialabtrag entlang des ersten Grabens kann nachstehend vereinfacht auch als Reihenaufteilung bezeichnet werden. Die Reihenaufteilung kann für einen Strukturelementträger vorgesehen sein, bei dem die Strukturelemente in Reihen und Spalten angeordnet sind. Mit der Reihenaufteilung kann ein Strukturelementträger bereitgestellt werden, der nur eine einzige Reihe von Strukturelementen aufweist. For the splitting of the structural element carrier, a material removal along a first trench can be provided. The removal of material along the first trench can also be referred to as row division in a simplified manner below. The series division may be provided for a structural element carrier in which the structural elements are arranged in rows and columns. With the row splitting, a structural element carrier can be provided which has only a single row of structural elements.

Für das Aufteilen des Strukturelementträgers kann ferner ein Materialabtrag zwischen zwei in einer Reihe angeordneten Strukturelementen vorgesehen sein. Dieser Materialabtrag kann nachstehend auch als Spaltenaufteilung bezeichnet werden. Die Spaltenaufteilung kann nach der Reihenaufteilung vorgesehen sein. Zum Beispiel kann mit der Spatenaufteilung ein Strukturelementträger mit einer einzelnen Reihe von Strukturelementen in einzelne Strukturelemente oder in Gruppen mit mindestens zwei Strukturelementen aufgeteilt werden.For the splitting of the structural element carrier, a material removal between two structural elements arranged in a row can furthermore be provided. This material removal can also be referred to as column division below. The column division may be provided after the row division. For example, with spade partitioning, a structural element support having a single row of structural elements may be divided into individual structural elements or into groups having at least two structural elements.

Die Strukturelemente können nach dem Aufteilen des Strukturelementträgers auf eine Folie aufgebracht werden. Ferner kann ein Strukturelementträger mit einer einzelnen Reihe von Strukturelementen auch ohne ein vorheriges Aufteilen auf die Folie aufgebracht werden. Die Folie kann vorgesehen sein, um eine Vielzahl von Strukturelementen mechanisch miteinander zu verbinden. Die Folie mit den aufgebrachten Bauelementen kann auf eine Rolle aufgewickelt werden. Die auf einer Rolle aufgewickelte Folie kann als Transportverpackung vorgesehen sein. The structural elements can be applied to a film after dividing the structural element carrier. Furthermore, a structural element support having a single row of structural elements may also be applied without prior partitioning to the foil. The film may be provided to mechanically bond a plurality of structural elements together. The film with the applied components can be wound up on a roll. The wound on a roll film may be provided as a transport packaging.

Ferner kann eine Folie mit einer Vielzahl von Bauelementen in einzelne Bauelemente oder in Gruppen mit mindestens zwei Bauelementen aufgeteilt werden. Für das Aufteilen der Folie sowie der über die Folie mechanisch miteinander verbundenen Bauelemente kann zum Beispiel Lasertrennen oder Schneiden vorgesehen sein. Furthermore, a film with a plurality of components can be divided into individual components or in groups with at least two components. For dividing the film and the mechanically interconnected via the film components can be provided for example laser cutting or cutting.

Kurze Beschreibung der FigurenBrief description of the figures

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren näher erläutert. Die gleichen Bezugszeichen werden für gleichartige oder gleich wirkende Elemente bzw. Eigenschaften in allen Figuren verwendet. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu.Exemplary embodiments will be explained in more detail below with reference to the figures. The same reference numerals are used for similar or equivalent elements or properties in all figures. The figures are not to scale.

Es zeigen:Show it:

1a eine schematische Draufsicht auf ein erstes oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement; 1a a schematic plan view of a first surface mountable optoelectronic device;

1b eine schematische Seitenansicht des in 1a dargestellten Bauelements; 1b a schematic side view of the in 1a illustrated component;

1c eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements; 1c a schematic sectional view of a second surface mountable optoelectronic device;

1d eine schematische Schnittdarstellung eines dritten oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements; 1d a schematic sectional view of a third surface mountable optoelectronic device;

1e eine schematische Schnittdarstellung eines vierten oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements; 1e a schematic sectional view of a fourth surface mountable optoelectronic device;

2a eine schematische Draufsicht auf ein fünftes oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement; 2a a schematic plan view of a fifth surface mountable optoelectronic device;

2b eine schematische Schnittdarstellung des in 2a dargestellten Bauelements; 2 B a schematic sectional view of the in 2a illustrated component;

3a eine schematische Draufsicht auf eine Strukturelementträger; 3a a schematic plan view of a structural element carrier;

3b eine schematische Seitenansicht des in 3a dargestellten Strukturelementträgers; 3b a schematic side view of the in 3a illustrated Strukturelementträgers;

4a4e schematische Darstellungen zwischen einzelnen Bearbeitungsschritten; 4a - 4e schematic representations between individual processing steps;

5 eine schematische Darstellung eines ersten Mehrfachbauelements; 5 a schematic representation of a first multiple component;

6 eine schematische Darstellung eines zweiten Mehrfachbauelements. 6 a schematic representation of a second multiple component.

Detaillierte Beschreibung von AusführungsbeispielenDetailed description of embodiments

Der Begriff „optoelektronisches Bauelement“ kann zum Beispiel Bauelemente umfassen, die dazu eingerichtet sind, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder elektromagnetische Strahlung zu detektieren. Nachfolgend wird die vorgeschlagene Lösung am Beispiel einer Licht emittierenden Diode (LED) erläutert, wobei die für eine LED erläuterten Merkmale auch bei anderen optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein können.The term "optoelectronic component" may, for example, comprise components that are configured to emit electromagnetic radiation and / or to detect electromagnetic radiation. The proposed solution is explained below using the example of a light-emitting diode (LED), wherein the features explained for one LED can also be provided in other optoelectronic components.

In 1a ist ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement 10 schematisch dargestellt. Die 1a ist eine Draufsicht auf eine Montagefläche des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements 10. Die 1b ist eine schematische Draufsicht auf die Strahlungsfläche 20 des Bauelements 10. Als oberflächenmontierbares Bauelement 10 werden Bauelemente bezeichnet, die für eine Oberflächenmontage auf einem Schaltungsträger, wie zum Beispiel einer Leiterplatte, geeignet sind. Diese Bauelementform kann auch als SMD (engl. Surface Mounted Device) bezeichnet werden. Bei der Oberflächenmontage werden die Bauelemente mit einer Montagefläche auf den Schaltungsträger gelegt. Die Bauelemente werden dann durch Kleben oder Löten, zum Beispiel Wiederaufschmelzlöten oder mit einem elektrisch leitenden Klebstoff, mechanisch und elektrisch leitend mit dem Schaltungsträger verbunden. In 1a is a surface mount optoelectronic device 10 shown schematically. The 1a is a plan view of a mounting surface of the surface mountable optoelectronic device 10 , The 1b is a schematic plan view of the radiation surface 20 of the component 10 , As a surface mountable component 10 are referred to components which are suitable for surface mounting on a circuit carrier, such as a printed circuit board. This component form can also be referred to as SMD (Surface Mounted Device). In surface mounting, the components are placed with a mounting surface on the circuit board. The components are then connected by gluing or soldering, for example reflow soldering or with an electrically conductive adhesive, mechanically and electrically conductive to the circuit carrier.

Das in den 1a und 1b dargestellte Bauelement 10 umfasst ein Strukturelement 12 und einen optoelektronischen Chip 16. Der dargestellte optoelektronische Chip 16 weist ungefähr die Form eines Quaders auf. Der Chip 16 ist in einer Aussparung des Strukturelements 12 angeordnet. Das dargestellte Strukturelement 12 grenzt an drei Seitenflächen des Chips 16 an. Die Aussparung durchdringt das Strukturelement 12 in vertikaler Richtung – also bei der Darstellung der 1a senkrecht zur Zeichenebene – vollständig. Die Aussparung wird an einer Seite nicht durch das Strukturelement 12 begrenzt. Diese Seite kann nachstehend auch als offene Seite der Aussparung bezeichnet werden. Somit umgibt das erste Strukturelement 12 den Chip 16 im Wesentlichen U-förmig. Die Form der Aussparung ist an die Form des aufzunehmenden optoelektronischen Chips 16 angepasst. Für das dargestellte Ausführungsbeispiel kann zum Beispiel ein Dünnfilmchip mit zwei Oberseitenkontakten vorgesehen sein. That in the 1a and 1b illustrated component 10 comprises a structural element 12 and an opto-electronic chip 16 , The illustrated optoelectronic chip 16 has approximately the shape of a cuboid. The chip 16 is in a recess of the structural element 12 arranged. The illustrated structural element 12 borders on three side surfaces of the chip 16 at. The recess penetrates the structural element 12 in the vertical direction - ie in the representation of 1a perpendicular to the drawing plane - complete. The recess is not on one side by the structural element 12 limited. This page can also be referred to below as the open side of the recess. Thus, the first structural element surrounds 12 the chip 16 essentially U-shaped. The shape of the recess is the shape of the male optoelectronic chip 16 customized. For example, a thin-film chip with two top-side contacts may be provided for the illustrated embodiment.

Der Chip 16 weist an einer Seitenfläche, also einer senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Fläche eine Strahlungsfläche 20 auf. Die Strahlungsfläche 20 ist beim erläuterten Beispiel der LED dazu vorgesehen, die von dem Chip erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Chip 16 auszukoppeln. Die zur Strahlungserzeugung vorgesehene Schichtenfolge des Chips 16 ist parallel zur Strahlungsfläche 20 angeordnet. Die Strahlungsfläche 20 ist an der offenen Seite der Aussparung angeordnet. Da die Strahlungsfläche 20 in dem Bauelement 10 senkrecht zur Montagefläche 18 angeordnet ist, wird das von dem Bauelement 10 emittierte Licht seitlich ausgekoppelt. Diese Bauform kann als Sidelooker bezeichnet werden. Sidelooker können zum Beispiel vorgesehen sein, um Licht seitlich in eine Lichtverteilerplatte einzukoppeln. The chip 16 points to a side surface, so one perpendicular to the mounting surface 18 arranged surface a radiation surface 20 on. The radiation surface 20 In the illustrated example of the LED, the electromagnetic radiation generated by the chip is provided from the chip 16 decouple. The layer sequence of the chip provided for the generation of radiation 16 is parallel to the radiation surface 20 arranged. The radiation surface 20 is arranged on the open side of the recess. As the radiation surface 20 in the device 10 perpendicular to the mounting surface 18 is arranged, that of the component 10 emitted light emitted laterally. This design can be called Sidelooker. Sidelooker can be provided, for example, to couple light laterally in a light distribution plate.

Bei dem dargestellten Bauelement 10 ist der Chip 16 an drei Seiten von dem Strukturelement 12 U-förmig umgeben. Eine erste an die Strahlungsfläche 20 angrenzende Seitenfläche des Chips 16 liegt an einer in der Aussparung angeordneten ersten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Eine zweite an die Strahlungsfläche 20 angrenzende Seitenfläche des Chips 16 liegt an einer zweiten in der Aussparung angeordneten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Eine der Strahlungsfläche 20 gegenüberliegende Rückseite des Chips 16 liegt an einer dritten Seitenfläche des Strukturelements 12 an. Der Chip 16 ist mechanisch mit dem Strukturelement 12 verbunden. Für die mechanische Verbindung ist zwischen zumindest einer Seitenfläche des Chips 16 und zumindest einer der in der Aussparung angeordneten Seitenflächen des Strukturelements ein Verbindungsmittel 21 vorgesehen. Als Verbindungsmittel 21 kann zum Beispiel Klebstoff, elektrisch leitender Klebstoff oder Lot vorgesehen sein.In the illustrated device 10 is the chip 16 on three sides of the structural element 12 Surrounded in a U-shape. A first to the radiation surface 20 adjacent side surface of the chip 16 is located on a first side surface of the structural element arranged in the recess 12 at. A second to the radiation surface 20 adjacent side surface of the chip 16 is located on a second arranged in the recess side surface of the structural element 12 at. One of the radiation surface 20 opposite back of the chip 16 is due to a third Side surface of the structure element 12 at. The chip 16 is mechanical with the structural element 12 connected. For the mechanical connection is between at least one side surface of the chip 16 and at least one of the side surfaces of the structural element disposed in the recess, a connecting means 21 intended. As connecting means 21 For example, adhesive, electrically conductive adhesive or solder may be provided.

Das Strukturelement 12 ist aus einem elektrisch isolierenden Material wie zum Beispiel Kunststoff oder Keramik geformt. Als Kunststoff kann zum Beispiel Polybutylenterephthalat (PBT) oder Polycarbonat (PC) vorgesehen sein. Als Keramik kann zum Beispiel Al2O3 vorgesehen sein. Ferner kann eine maschinell bearbeitbare Glaskeramik vorgesehen sein. Ferner kann das Material des Strukturelements so gewählt sein, dass es für die von dem Chip 16 emittierte Strahlung eine hohe Reflektivität aufweist. Zum Beispiel können Materialien verwendet werden, die für einen Betrachter weiß erscheinen.The structural element 12 is formed of an electrically insulating material such as plastic or ceramic. As a plastic, for example, polybutylene terephthalate (PBT) or polycarbonate (PC) may be provided. As a ceramic, for example Al 2 O 3 may be provided. Furthermore, a machinable glass ceramic can be provided. Further, the material of the structural element may be chosen to be that of the chip 16 emitted radiation has a high reflectivity. For example, materials that appear white to a viewer may be used.

Auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement 12 sind ein erster elektrisch leitender Bereich 22 und ein zweiter elektrisch leitender Bereich 23 angeordnet. Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 sind oberflächlich auf das Strukturelement 12 aufgebracht. Das oberflächliche Aufbringen der elektrisch leitenden Bereiche kann mit einem Beschichtungsverfahren erfolgen. Zum Beispiel kann ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung wie Sputterdeposition oder thermisches Verdampfen oder ein Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung wie plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung vorgesehen sein. Ferner kann thermisches Spritzen oder Galvanisieren vorgesehen sein. Die Beschichtung kann auch zweistufig aufgebracht werden. Zum Beispiel kann in einem ersten Schritt zum Beispiel durch Sputterdeposition eine Keimschicht aufgebracht werden. In einem zweiten Schritt kann zum Beispiel durch Galvanisieren die Schichtdicke erhöht werden. Insbesondere für aus Kunststoff geformte Strukturelemente 12 können das Strukturelement 12 und die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 auch mit einem Herstellverfahren für Spritzgegossene Schaltungsträger (engl. Molded Interconnect Devices) erzeugt werden. Als Materialien für die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann zum Beispiel Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Titan und/oder eine diese Materialien enthaltende Legierung vorgesehen sein.On the electrically insulating structural element 12 are a first electrically conductive area 22 and a second electrically conductive region 23 arranged. The first and second electrically conductive area 22 . 23 are superficial on the structural element 12 applied. The superficial application of the electrically conductive regions can be effected by a coating method. For example, a physical vapor deposition method such as sputter deposition or thermal evaporation or a chemical vapor deposition method such as plasma enhanced chemical vapor deposition may be provided. Furthermore, thermal spraying or electroplating may be provided. The coating can also be applied in two stages. For example, in a first step, for example by sputter deposition, a seed layer may be applied. In a second step, the layer thickness can be increased, for example, by electroplating. In particular for plastic molded structural elements 12 can the structural element 12 and the electrically conductive areas 22 . 23 also be produced with a manufacturing method for injection-molded circuit carriers (Molded interconnect devices). As materials for the electrically conductive areas 22 . 23 For example, gold, silver, copper, nickel, titanium and / or an alloy containing these materials may be provided.

Die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 können jeweils Schichten sein, die mit im Wesentlichen gleichbleibenden Schichtdicken die darunterliegenden Konturen des Strukturelements 12 überziehen. Die elektrisch leitenden Bereiche können eine oder mehrere übereinander angeordnete Schichten aufweisen. Sofern übereinander angeordnete Schichten vorgesehen sind, können diese Schichten unterschiedliche Materialien aufweisen. Durch mehrere übereinander angeordnete Schichten aus unterschiedlichen Materialien kann zum Beispiel die Haftung des elektrisch leitenden Materials auf dem Strukturelement 12 verbessert werden. Ferner kann die Qualität der elektrischen und mechanischen Verbindungen zwischen dem Strukturelement 12 und einem Schaltungsträger und/oder zwischen dem Strukturelement 12 und dem Chip 16 verbessert werden. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche eine Titanschicht, eine Platinschicht, eine Nickelschicht eine Kupferschicht und/oder eine Goldschicht aufweisen. Die Schichtdicken können zum Beispiel 100 nm für die Titanschicht, 100 nm für die Platinschicht und 100 nm für die Goldschicht betragen. Die Schichtdicken für die Kupfer und Nickelschicht können 1–2 µm betragen. Die Dicke des elektrisch leitenden Bereichs kann allgemein weniger als 10 µm betragen.The electrically conductive areas 22 . 23 In each case layers can be, which with substantially constant layer thicknesses the underlying contours of the structural element 12 cover. The electrically conductive regions may have one or more layers arranged one above the other. If superimposed layers are provided, these layers can have different materials. By way of a plurality of layers of different materials arranged one above another, for example, the adhesion of the electrically conductive material to the structural element 12 be improved. Furthermore, the quality of the electrical and mechanical connections between the structural element 12 and a circuit carrier and / or between the structure element 12 and the chip 16 be improved. For example, the electrically conductive regions may comprise a titanium layer, a platinum layer, a nickel layer, a copper layer and / or a gold layer. The layer thicknesses may be, for example, 100 nm for the titanium layer, 100 nm for the platinum layer and 100 nm for the gold layer. The layer thicknesses for the copper and nickel layer can be 1-2 μm. The thickness of the electrically conductive region may generally be less than 10 μm.

Der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 sind elektrisch voneinander isoliert. Zum Beispiel können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 derart auf dem Strukturelement 12 angeordnet sein, dass sie sich nicht berühren oder überschneiden. Ferner können der erste und zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 derart auf dem Strukturelement angeordnet sein, dass sie mit einem einzelnen Beschichtungsschritt auf das Strukturelement 12 aufgebracht werden können.The first and second electrically conductive area 22 . 23 are electrically isolated from each other. For example, the first and second electrically conductive regions 22 . 23 such on the structural element 12 be arranged so that they do not touch or overlap. Furthermore, the first and second electrically conductive region 22 . 23 be arranged on the structural element that they with a single coating step on the structural element 12 can be applied.

Die ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 sind auf zwei, im Wesentlichen senkrecht zueinander angeordneten Flächen des Strukturelements 12 angeordnet. Zudem bedecken die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 die Kante, die sich zwischen den senkrecht zueinander angeordneten Flächen befindet. Bei den dargestellten Ausführungsbeispiel bedecken die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 einen Teil der Montagefläche 18, sowie neben der Strahlungsfläche 20 angeordneten Bondflächen 32, 36. Die senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Flächen der elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 können nachstehend allgemein als Kontaktflächen bezeichnet werden. Zusätzlich oder alternativ können als Kontaktflächen auch zwei voneinander getrennte Flächen auf der dritten Seitenfläche der Aussparung vorgesehen sein. Ferner können der erste beziehungsweise der zweite elektrisch leitende Bereich 22, 23 auch die in der Aussparung angeordnete erste sowie zweite Seitenfläche des Strukturelements 12 und/oder eine Stirnfläche 38 des Strukturelements 12 bedecken. Die Kontaktflächen sind zur elektrischen Kontaktierung des Chips 16 vorgesehen. Die elektrische Kontaktierung des Chips 16 kann zum Beispiel durch Lotverbindungen, elektrisch leitende Klebeverbindungen und/oder Bonddrahtverbindungen erfolgen.The first and second electrically conductive regions 22 . 23 are on two, substantially perpendicular surfaces of the structural element 12 arranged. In addition, the electrically conductive areas cover 22 . 23 the edge, which is located between the mutually perpendicular surfaces. In the illustrated embodiment, the electrically conductive regions cover 22 . 23 a part of the mounting surface 18 , as well as next to the radiation surface 20 arranged bonding surfaces 32 . 36 , The perpendicular to the mounting surface 18 arranged surfaces of the electrically conductive regions 22 . 23 may be referred to generally below as contact surfaces. Additionally or alternatively, as a contact surfaces, two separate surfaces may be provided on the third side surface of the recess. Furthermore, the first and the second electrically conductive region 22 . 23 also arranged in the recess first and second side surface of the structural element 12 and / or an end face 38 of the structure element 12 cover. The contact surfaces are for electrical contacting of the chip 16 intended. The electrical contacting of the chip 16 can be done for example by solder joints, electrically conductive adhesive bonds and / or bonding wire connections.

Die senkrecht zur Montagefläche 18 angeordneten Kontaktflächen sind in 1b dargestellt. Die Kante des Strukturelements 12 zwischen der Montagefläche 18 und den Kontaktflächen kann abgerundet oder angeschrägt sein. Eine abgerundete oder abgeschrägte Kante kann zum Beispiel die Qualität der Kantenbedeckung verbessern. Die auf der Montagefläche 18 angeordneten Abschnitte des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs 22, 23 bilden einen ersten und einen zweiten Anschlusskontakt 24, 26. Der erste und zweite Anschlusskontakt 24, 26 sind zur Oberflächenmontage des Bauelements 10 vorgesehen. Die Anschlusskontakte 22, 23 sind dazu geeignet, durch Löten oder Kleben, mechanisch und elektrisch leitend mit einem Schaltungsträger verbunden zu werden.The perpendicular to the mounting surface 18 arranged contact surfaces are in 1b shown. The edge of the structure element 12 between the mounting surface 18 and the contact surfaces may be rounded or bevelled. For example, a rounded or bevelled edge can improve the quality of the edge coverage. The on the mounting surface 18 arranged portions of the first and second electrically conductive region 22 . 23 form a first and a second connection contact 24 . 26 , The first and second connection contact 24 . 26 are for surface mounting of the device 10 intended. The connection contacts 22 . 23 are suitable to be connected by soldering or gluing, mechanically and electrically conductive to a circuit carrier.

Bei dem in den 1a und 1b dargestellten Ausführungsbeispiel sind zur elektrischen Kontaktierung des Chips 16 zumindest zwei Bonddrähte 28 vorgesehen. Dabei verbindet ein erster Bonddraht 28 ein auf der Strahlungsfläche 20 des Chips 16 angeordnetes erstes Bondpad 30 mit der auf dem Strukturelement 12 angeordneten ersten Bondfläche 32. Ein zweiter Bonddraht 28 verbindet ein zweites auf der Strahlungsfläche 20 des Chips 16 angeordnetes Bondpad 34 mit der auf dem Strukturelement 12 angeordneten zweiten Bondfläche 36. Die erste und zweite Bondfläche 32, 36 und die Strahlungsfläche 20 sind im Vergleich zu der im Wesentlichen parallel zur Strahlungsfläche 20 des Chips 16 angeordneten Stirnfläche 38 des Bauelements 10 zurückgesetzt angeordnet. Durch die zurückgesetzte Anordnung der Bondflächen 32, 36 ragen die Bonddrähte 28 nicht über die Stirnfläche 38 hinaus. In the in the 1a and 1b illustrated embodiment are for electrical contacting of the chip 16 at least two bonding wires 28 intended. It connects a first bonding wire 28 one on the radiation surface 20 of the chip 16 arranged first bonding pad 30 with the on the structural element 12 arranged first bonding surface 32 , A second bonding wire 28 connects a second on the radiation surface 20 of the chip 16 arranged bondpad 34 with the on the structural element 12 arranged second bonding surface 36 , The first and second bonding surfaces 32 . 36 and the radiation surface 20 are compared to the substantially parallel to the radiating surface 20 of the chip 16 arranged face 38 of the component 10 placed back. Due to the recessed arrangement of the bonding surfaces 32 . 36 the bonding wires protrude 28 not over the face 38 out.

Auf der Strahlungsfläche 20 kann ein Leuchtstoff 40 aufgebracht sein. In den Darstellungen der 1a und 1b ist der Leuchtstoff 40 schraffiert dargestellt. Der Leuchtstoff 40 ist dazu vorgesehen, die von dem Chip 16 in einem ersten Wellenlängenbereich emittierte Strahlung zumindest teilweise in Strahlung mit einem zweiten Wellenlängenbereich umzuwandeln, so dass ein Betrachter die emittierte Strahlung zum Beispiel als „weißes“ Licht wahrnimmt. Die Bonddrähte 28 können zumindest teilweise in den Leuchtstoff 40 eingebettet sein. Der Leuchtstoff 40 kann zum Beispiel eine Dicke von 20 µm aufweisen.On the radiation surface 20 can be a fluorescent 40 be upset. In the representations of the 1a and 1b is the phosphor 40 hatched shown. The phosphor 40 is meant to be that of the chip 16 at least partially converting radiation emitted in a first wavelength range into radiation having a second wavelength range, such that an observer perceives the emitted radiation as "white" light, for example. The bonding wires 28 can at least partially into the phosphor 40 be embedded. The phosphor 40 may for example have a thickness of 20 microns.

Die 1c ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein zweites Bauelement 42. Das zweite Bauelement 42 ist eine Variante des in Verbindung mit den 1a und 1b dargestellten ersten Bauelements 10. Das zweite Bauelement 42 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement durch eine auf einer Oberseite 44 des Bauelements 42 angeordnete erste Folie 46. Ferner weist das in 1c dargestellte zweite Bauelement Stufen 47 auf.The 1c is a schematic sectional view through a second component 42 , The second component 42 is a variant of in conjunction with the 1a and 1b shown first component 10 , The second component 42 differs from the first component by one on an upper side 44 of the component 42 arranged first slide 46 , Furthermore, the in 1c illustrated second component stages 47 on.

Die Oberseite 44 des Bauelements liegt der Montagefläche gegenüber. Die erste Folie 46 weist mehrere Schichten auf. Bei dem in 1b dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst die erste Folie 46 eine Klebeschicht 48, eine Isolationsschicht 49 und eine Reflektorschicht 50. Die Isolationsschicht 49 ist zwischen der Klebeschicht 48 und der Reflektorschicht 50 angeordnet. Die Isolationsschicht 49 ist elektrisch nicht leitend. Neben der elektrischen Isolation kann die Isolationsschicht 49 auch zur mechanischen Stabilisierung der ersten Folie 46 vorgesehen sein. Als Material für die Isolationsschicht 49 können zum Beispiel Polyimide oder Polymethylmethacrylate vorgesehen sein. Die Reflektorschicht 50 ist aus einem Material gebildet, das für die von dem Chip 16 emittierte elektromagnetische Strahlung einen hohen Reflexionsgrad aufweist. Als Material für die Reflektorschicht 50 kann zum Beispiel Silber oder Aluminium vorgesehen sein. Die Reflektorschicht 50 kann zum Beispiel auf die Isolationsschicht 49 mittels einer Beschichtung aufgebracht werden. Ferner können über der Reflektorschicht 50 noch weitere Schichten wie zum Beispiel eine zweite Isolationsschicht angeordnet sein. Die erste Folie 46 kann zum Beispiel eine Dicke von weniger als 50 µm aufweisen. The top 44 of the component is opposite to the mounting surface. The first slide 46 has several layers. At the in 1b illustrated embodiment includes the first film 46 an adhesive layer 48 , an insulation layer 49 and a reflector layer 50 , The insulation layer 49 is between the adhesive layer 48 and the reflector layer 50 arranged. The insulation layer 49 is not electrically conductive. In addition to the electrical insulation, the insulation layer 49 also for mechanical stabilization of the first film 46 be provided. As material for the insulation layer 49 For example, polyimides or polymethylmethacrylates may be provided. The reflector layer 50 is made of a material that for the chip 16 emitted electromagnetic radiation has a high reflectance. As material for the reflector layer 50 For example, silver or aluminum may be provided. The reflector layer 50 for example, on the insulation layer 49 be applied by means of a coating. Furthermore, over the reflector layer 50 still further layers such as a second insulating layer may be arranged. The first slide 46 For example, it may have a thickness of less than 50 μm.

Die erste Folie 46 ist mit der Klebeschicht 48 auf der Oberseite 44 des Strukturelements 12 befestigt. Neben den reflektierenden Eigenschaften kann die erste Folie 46 das Bauelement mechanisch stabilisieren. Die erste Folie 46 kann bis zur Stirnfläche 38 des Bauelements reichen. Die erste Folie 46 kann im Bereich der Aussparung über die zurückgesetzten Bondflächen 32, 36 und den Chip 16 überstehen. Der überstehende Abschnitt der ersten Folie 46 kann neben einer mechanischen Stabilisierung und der Reflexion von Strahlung ferner als Begrenzung für das Einbringen des Leuchtstoffs 40 vorgesehen sein. The first slide 46 is with the adhesive layer 48 on the top 44 of the structure element 12 attached. In addition to the reflective properties, the first film 46 mechanically stabilize the device. The first slide 46 can be up to the face 38 of the device. The first slide 46 may be in the area of the recess over the recessed bonding surfaces 32 . 36 and the chip 16 survive. The protruding section of the first slide 46 In addition to mechanical stabilization and reflection of radiation, it can further limit the introduction of the phosphor 40 be provided.

An dem Strukturelement 12 des zweiten Bauelements 42 sind Stufen 47 angeordnet. Die Stufen 47 können zum Beispiel vorgesehen sein, um die Höhe des Bauelements auf eine gewünschte Höhe einstellen zu können. Bei dem in 1c dargestellten Bauelement 42 ist auf der Oberseite eine vorstehende Stufe 47a und an der Montagefläche 18 eine zurückgesetzte Stufe 47b angeordnet. Die Anordnung der 1c ist exemplarisch. Bei weiteren Ausführungsbeispielen können zum Beispiel nur eine Stufe, zwei vorstehende Stufen oder zwei zurückgesetzte Stufen vorgesehen sein. Die Stufen 47 können zum Beispiel beim Vereinzel der Strukturelemente 12 erzeugt werden.On the structural element 12 of the second component 42 are stages 47 arranged. The steps 47 may be provided, for example, to adjust the height of the device to a desired height can. At the in 1c illustrated component 42 is on the top of a protruding step 47a and on the mounting surface 18 a recessed level 47b arranged. The arrangement of 1c is exemplary. In further embodiments, for example, only one stage, two protruding stages or two recessed stages may be provided. The steps 47 can, for example, when separating the structural elements 12 be generated.

Die 1d ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein drittes Bauelement 52. Das dritte Bauelement 52 ist eine Variante des in Verbindung mit den 1a und 1b dargestellten ersten Bauelements 10. Das dritte Bauelement 52 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 dadurch, dass auf der Oberseite 44 eine erste Folie 46 und auf der Montagefläche 18 eine zweite Folie 66 angeordnet ist. Die zweite Folie 66 kann im Wesentlichen der ersten Folie 46 entsprechen. Die zweite Folie 66 weist eine bereits in Verbindung mit 1c genannte zweite Isolationsschicht 51 auf. Die zweite Isolationsschicht 51 entspricht der ersten Isolationsschicht 49. Die zweite Isolationsschicht 49 ist auf der Reflektorschicht 50 angeordnet.The 1d is a schematic sectional view through a third component 52 , The third component 52 is a variant of in conjunction with the 1a and 1b shown first component 10 , The third component 52 differs from the first component 10 thereby, that on the top 44 a first slide 46 and on the mounting surface 18 a second slide 66 is arranged. The second slide 66 can essentially be the first slide 46 correspond. The second slide 66 already has one in connection with 1c said second insulation layer 51 on. The second insulation layer 51 corresponds to the first insulation layer 49 , The second insulation layer 49 is on the reflector layer 50 arranged.

Die erste und zweite Folie 46, 66 stehen im Bereich der Aussparung über die zurückgesetzten Bondflächen 32, 36 und den Chip 16 über. Auf der zweiten Folie 66 sind Öffnungen für die auf der Montagefläche 18 angeordneten ersten und zweiten Anschlusskontakt 24, 26 vorgesehen. Die überstehende erste und zweite Folien 46, 66 bilden zusammen mit dem Strukturelement 12 eine Kavität, wobei die Strahlungsfläche 20 und die Bondflächen 32, 36 den Boden der Kavität bilden. In diese Kavität kann zum Beispiel eine Leuchtstoffpartikel aufweisende Vergussmasse 40 gefüllt werden.The first and second slide 46 . 66 are in the area of the recess on the recessed bonding surfaces 32 . 36 and the chip 16 above. On the second slide 66 are openings for those on the mounting surface 18 arranged first and second terminal contact 24 . 26 intended. The protruding first and second slides 46 . 66 form together with the structural element 12 a cavity, the radiation surface 20 and the bonding surfaces 32 . 36 form the bottom of the cavity. In this cavity, for example, a phosphor particles having potting compound 40 be filled.

Die 1e ist eine schematische Schnittdarstellung durch ein viertes Bauelement 54. Das vierte Bauelement 54 ist eine Variante des in Verbindung mit den 1a und 1b dargestellten ersten Bauelements 10. Das vierte Bauelement 54 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 dadurch, dass an der Oberseite 44 und/oder der Montagefläche 18 eine reflektierende Vergussmasse 56 angeordnet ist. Die reflektierende Vergussmasse 56 kann zum Beispiel ein mit Titandioxidpartikeln gefülltes Silikonharz sein. Die reflektierende Vergussmasse 56 kann eine Reflektorschicht bilden. An der Montagefläche 18 des vierten Bauelements 54 sind die Anschlusskontakte 24, 26 angeordnet. The 1e is a schematic sectional view through a fourth component 54 , The fourth component 54 is a variant of in conjunction with the 1a and 1b shown first component 10 , The fourth component 54 differs from the first component 10 in that at the top 44 and / or the mounting surface 18 a reflective potting compound 56 is arranged. The reflective potting compound 56 For example, it may be a titanium dioxide particle filled silicone resin. The reflective potting compound 56 can form a reflector layer. At the mounting surface 18 of the fourth component 54 are the connection contacts 24 . 26 arranged.

In den 2a und 2b ist ein fünftes oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement 60 dargestellt. Die 2a ist eine Draufsicht auf die Montagefläche 18 des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements 60. Die 2b ist eine schematische Schnittdarstellung entlang der in 2a dargestellten Linie AA. Das fünfte Bauelement 60 unterscheidet sich von dem ersten Bauelement 10 insbesondere dadurch, dass anstelle eines Dünnfilmchips mit zwei Oberseitenkontakten ein Saphir-Flip-Chip 61 vorgesehen ist, dessen Kontakte an der Rückseite vorgesehen sind. Entsprechend sind zur elektrischen Kontaktierung des Chips 61 keine Bonddrähte erforderlich. Die an der Rückseite des Chips 61 angeordnete Kontakte sind über zwei Verbindungsmittel 21 jeweils mit dem an der dritten Seitenfläche der Aussparung angeordneten Kontaktflächen des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereich 22, 23 elektrisch leitend verbunden. Zum Beispiel kann als Verbindungsmittel eine Lotlegierung vorgesehen sein, deren Löttemperatur bei über 250°C liegt. In the 2a and 2 B is a fifth surface mount optoelectronic device 60 shown. The 2a is a plan view of the mounting surface 18 the surface mount optoelectronic device 60 , The 2 B is a schematic sectional view along in 2a represented line AA. The fifth component 60 differs from the first component 10 in particular in that, instead of a thin-film chip with two upper-side contacts, a sapphire flip-chip 61 is provided, whose contacts are provided on the back. Accordingly, the electrical contacting of the chip 61 no bonding wires required. The at the back of the chip 61 arranged contacts are via two connecting means 21 each with the arranged on the third side surface of the recess contact surfaces of the first and second electrically conductive region 22 . 23 electrically connected. For example, may be provided as a connecting means, a brazing alloy whose brazing temperature is above 250 ° C.

Ferner ist bei dem in den 2a und 2b dargestellten Ausführungsbeispiel auf der Oberseite 44 des Strukturelements 12 die erste Folie 46 und auf der Montagefläche 18 die zweite Folie 66 angeordnet. Die Folien sind bei der Darstellung der 2a gestrichelt und transparent dargestellt, da ansonsten der Chip 16 durch die Folien verdeckt wird. Die Folien können den bereits in Verbindung mit 1d erläuterten Folien entsprechen. Bei der Darstellung der 2a und 2b sind die erste und zweite Folie 46, 66 über einen Foliensteg 74 miteinander verbunden. Der Foliensteg 74 ist auf Höhe der Stirnfläche 38 parallel zur Strahlungsfläche 20 angeordnet. Auf den Foliensteg 74 kann ein Leuchtstoff 80 aufgebracht sein. Dies ist in der Darstellung der 2b durch die schraffierte Fläche gekennzeichnet. Der Foliensteg 74 kann zum Beispiel aus einer Isolationsschicht 49 oder einer Trägerschicht der Folie gebildet sein. Ferner ist der Foliensteg 74 für die von dem Chip 16 und/oder dem Leuchtstoff 80 emittierte Strahlung transparent. Furthermore, in which in the 2a and 2 B illustrated embodiment on the top 44 of the structure element 12 the first slide 46 and on the mounting surface 18 the second slide 66 arranged. The slides are in the representation of 2a shown dashed and transparent, otherwise the chip 16 is covered by the slides. The slides can already be used in conjunction with 1d correspond explained foils. In the presentation of 2a and 2 B are the first and second slide 46 . 66 over a foil web 74 connected with each other. The foil path 74 is at the height of the face 38 parallel to the radiation surface 20 arranged. On the foil path 74 can be a fluorescent 80 be upset. This is in the presentation of 2 B characterized by the hatched area. The foil path 74 can for example consist of an insulation layer 49 or a carrier layer of the film. Furthermore, the foil gate 74 for the of the chip 16 and / or the phosphor 80 emitted radiation transparent.

Die in Verbindung mit den 1 und 2 erläuterten Merkmale sind voneinander unabhängig. Zum Beispiel kann auch beim ersten Bauelement 10, die in Verbindung mit den 2a und 2b erläuterte zweite Folie 66 vorgesehen sein. Zudem sind auch Mischformen möglich, so kann zum Beispiel auch ein Dünnfilmchip mit einem Oberseitenkontakt und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. Entsprechend kann an der Strahlungsfläche 20 des Chips 16 ein in Verbindung mit den 1a und 1b beschriebener Bonddraht 28 zur elektrischen Kontaktierung des Oberseitenkontakts und an der Rückseite des Chips 16 eine in Verbindung mit den 2a und 2b beschriebene Lotverbindung zur elektrischen Kontaktierung des Rückseitenkontakts angeordnet sein. Ferner kann das fünfte Bauelement 60 auch Merkmale des zweiten, dritten und/oder vierten Bauelements 42, 52, 54 aufweisen.The in conjunction with the 1 and 2 explained features are independent. For example, even with the first component 10 that in conjunction with the 2a and 2 B explained second slide 66 be provided. In addition, mixed forms are possible, so for example, a thin-film chip with a top contact and a back contact can be provided. Accordingly, at the radiation surface 20 of the chip 16 a in conjunction with the 1a and 1b described bonding wire 28 for electrical contacting of the top side contact and on the back side of the chip 16 one in conjunction with the 2a and 2 B be described solder joint arranged for electrical contacting of the rear side contact. Furthermore, the fifth component 60 Also features of the second, third and / or fourth component 42 . 52 . 54 exhibit.

Bei den Bauelementen 10, 42, 52, 54 60 entspricht die Höhe „hc“ der Chips 16, 61 ungefähr der Höhe des Strukturelements 12. Da durch die Folien 46, 66 die Gesamthöhe „hg“ des Bauelements lediglich geringfügig erhöht wird, kann ein Bauelement bereitgestellt werden, dessen Gesamthöhe „hc“ maximal doppelt so groß ist wie die Höhe „hc“ des Chips 16, 61. Es kann ein Bauelement bereitgestellt werden, dessen Gesamthöhe „hg“ kleiner ist als 0,5 mm. Zum Beispiel können Bauelemente 10 mit einer Höhe im Bereich zwischen 0,3 mm und 0,15 mm bereitgestellt werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Gesamthöhe „hg“ des Bauelements 200 µm betragen. Die Gesamtlänge „lg“ der Bauelemente 10, 60 kann zum Beispiel zwischen 0,8 mm und 2,5 mm betragen. Die Gesamtbreite „bg“ der Bauelemente 10, 60 kann zum Beispiel zwischen 0,3 mm und 1 mm betragen.With the components 10 . 42 . 52 . 54 60 corresponds to the height "hc" of the chips 16 . 61 approximately the height of the structural element 12 , Because through the slides 46 . 66 the total height "hg" of the device is only slightly increased, a device can be provided whose total height "hc" is at most twice as large as the height "hc" of the chip 16 . 61 , It can be provided a component whose total height "hg" is smaller than 0.5 mm. For example, components can 10 be provided with a height in the range between 0.3 mm and 0.15 mm. In one embodiment, the total height "hg" of the device may be 200 μm. The total length "lg" of the components 10 . 60 may for example be between 0.8 mm and 2.5 mm. The total width "bg" of the components 10 . 60 may for example be between 0.3 mm and 1 mm.

In den 3a und 3b ist ein Strukturelementträger 102 dargestellt. Die 3a ist eine schematische Draufsicht auf den Strukturelementträger 102. Die 3b ist eine schematische Seitenansicht des Strukturelementträgers 102. Der Strukturelementträger ist vorgesehen, um eine einfache Herstellung der in Verbindung mit den 1 und 2 erläuterten Bauelemente zu ermöglichen. In the 3a and 3b is a structural element carrier 102 shown. The 3a is a schematic plan view of the structural element carrier 102 , The 3b is a schematic side view of the structural element carrier 102 , The structural element carrier is provided to allow easy manufacture of the device in conjunction with the 1 and 2 allow explained components.

Auf den Strukturelementträger 102 ist eine Vielzahl von miteinander verbundenden Strukturelementen 12 angeordnet. Zur deutlicheren Darstellung sind die einzelnen Strukturelemente 12 in den 3a und 3b gepunktet dargestellt. Die gestrichelten Linien deuten in der Darstellung der 3a und 3b Trennlinien an, entlang derer die einzelnen Strukturelemente vereinzelt werden können. Die Strukturelemente 102 sind entlang von Spalten 104 und/oder Reihen 106 angeordnet. Bei der Darstellung der 3a und 3b sind Reihen 106 vorgesehen, wobei in jeder Reihe 106 jeweils zwei Strukturelemente 12 angeordnet sind. In den Strukturelementträger 102 sind erste Gräben 108 und zweite Gräben 110a, 110b eingebracht. Die ersten Gräben 108 sind parallel zu den Reihen 106 angeordnet. Die zweiten Gräben 110a, 110b sind parallel zu den Spalten 104 angeordnet. Die zweiten Gräben 110a, 110b sind senkrecht zu den ersten Gräben 108 angeordnet. Bei der Darstellung der 3a überlagert der erste Graben 108 die zweiten Gräben 110a, 110b. Entsprechend ist bei der Darstellung der 3a der erste Graben 108 tiefer in das Material des Strukturelementträgers eingebracht als die zweiten Gräben 110a, 110b. Neben den dargestellten Strukturelementträger 102 bei dem die Strukturelemente in Spalten und Reihen angeordnet sind, können auch Strukturelementträger vorgesehen sein, bei denen die Strukturelemente lediglich in einer Reihe 106 angeordnet sind. Strukturelementträger die aus Strukturelementen bestehen, die entlang einer Reihe angeordnet sind, weisen entsprechend keine ersten Gräben auf.On the structural element carrier 102 is a variety of interconnected structural elements 12 arranged. For a clearer illustration, the individual structural elements 12 in the 3a and 3b shown dotted. The dashed lines indicate in the representation of 3a and 3b Dividing lines, along which the individual structural elements can be separated. The structural elements 102 are along columns 104 and / or rows 106 arranged. In the presentation of 3a and 3b are rows 106 provided, with in each row 106 two structural elements each 12 are arranged. In the structural element carrier 102 are first trenches 108 and second trenches 110a . 110b brought in. The first trenches 108 are parallel to the rows 106 arranged. The second trenches 110a . 110b are parallel to the columns 104 arranged. The second trenches 110a . 110b are perpendicular to the first trenches 108 arranged. In the presentation of 3a superimposed the first ditch 108 the second trenches 110a . 110b , Accordingly, in the presentation of the 3a the first ditch 108 deeper introduced into the material of the structural element carrier than the second trenches 110a . 110b , In addition to the illustrated structural element carrier 102 in which the structural elements are arranged in columns and rows, it is also possible to provide structural element carriers in which the structural elements are arranged only in one row 106 are arranged. Structural element carriers consisting of structural elements arranged along a row have correspondingly no first trenches.

Bei dem in den 3a und 3b dargestellten Strukturelementträger 102 sind unterschiedliche zweite Gräben 110a, 110b dargestellt. Der in den 3a und 3b links angeordnete zweite Graben 110a ist dabei länger und flacher als der rechts angeordnete zweite Graben 110b. Ferner weist der links angeordnete zweite Graben 110a Abstufungen auf. Diese Abstufungen bilden die Bondflächen 32, 36 des späteren Bauelements. Der linke zweite Graben 110a und der rechte zweite Graben 110b sind zur Aufnahme unterschiedlicher Chiptypen vorgesehen. Das linke Strukturelement ist zur Aufnahme eines Chips 16 mit Oberflächenkontakten vorgesehen. Das rechte Strukturelement ist zur Aufnahme eines Chips 61 mit Rückseitenkontakten vorgesehen. Neben dem in den 3a und 3b dargestellten Strukturelementträger 102 können auch Strukturelementträger 102 mit gleichen zweiten Gräben 110 vorgesehen sein. Ferner können Strukturelementträger vorgesehen sein, bei denen die Strukturelemente jeweils nur eine Abstufung aufweisen. Derartige Strukturelemente können zur Aufnahme eines Chips mit einem Oberseitenkontakt und einem Rückseitenkontakt vorgesehen sein. In the in the 3a and 3b illustrated structural element carrier 102 are different second trenches 110a . 110b shown. The in the 3a and 3b left second trench 110a is longer and shallower than the second trench on the right 110b , Furthermore, the left arranged second trench 110a Gradations on. These gradations form the bonding surfaces 32 . 36 the later component. The left second ditch 110a and the right second ditch 110b are intended to accommodate different types of chips. The left structural element is for receiving a chip 16 provided with surface contacts. The right structural element is for receiving a chip 61 provided with backside contacts. In addition to the in the 3a and 3b illustrated structural element carrier 102 can also structural element carrier 102 with the same second trenches 110 be provided. Furthermore, structural element carriers can be provided, in which the structural elements each have only one step. Such structural elements may be provided for receiving a chip having a top side contact and a rear side contact.

Der Strukturelementträger 102 kann zum Beispiel durch Spritzpressen hergestellt werden. Für Strukturelemente aus Keramik kann zum Beispiel Heißisostatisches Pressen vorgesehen sein. Allgemein können Herstellprozesse vorgesehen sein, mit denen bereits beim Formen des Strukturelementträgers 102 erste und zweite Gräben eingebracht werden können. Ferner können die ersten und zweiten Gräben 108, 110a, 110b durch einen Materialabtrag wie zum Beispiel Sägen und/oder Schleifen in den Strukturelementträger 102 eingebracht werden.The structural element carrier 102 can be produced for example by transfer molding. For ceramic structural elements, for example, hot isostatic pressing may be provided. In general, manufacturing processes can be provided with which already during the molding of the structural element carrier 102 first and second trenches can be introduced. Further, the first and second trenches 108 . 110a . 110b by a material removal such as sawing and / or grinding in the structural element carrier 102 be introduced.

Anhand der 4a4e wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente erläutert. Die 4a4e sind schematische Darstellungen der Bauelemente zwischen einzelnen Bearbeitungsschritten. Based on 4a - 4e a method for producing optoelectronic components is explained. The 4a - 4e are schematic representations of the components between individual processing steps.

4a ist eine schematische Draufsicht auf den in Verbindung mit 3a und 3b erläuterten Strukturelementträger 102. In Verbindung mit 4a wird ein Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials erläutert. Das elektrisch leitende Material kann zum Beispiel mittels einer anisotropen Metallisierung aufgebracht werden. Dies ist in 4a durch die dargestellten Pfeile angedeutet. Zum Beispiel können zur Metalisierung des Strukturelementträgers Verfahren der physikalischen oder der chemischen Gasphasenabscheidung vorgesehen sein. Ferner kann die Metallisierung auch zum Beispiel durch thermisches Spritzen erfolgen. Durch die Beschichtung können sämtliche parallel zur Zeichenebene angeordneten Flächen beschichtet werden. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind dies die Stirnflächen 38, die Bondflächen 32, 38, die Bodenfläche der ersten Gräben 108 und die Bodenflächen der zweiten Gräben 110a, 110b. Zusätzlich wird zumindest auch ein Teil der Flächen der Strukturelemente 12 beschichtet, die in der Darstellung der 4a senkrecht zur Zeichenebene angeordnet sind. Zum Beispiel ist die spätere Montagefläche 18 des Bauelements bei der Darstellung der 4a senkrecht zur Zeichenebene angeordnet. Die Metallisierung kann zum Beispiel mit einer Schichtdicke von 2 µm auf den Strukturelementträger 102 aufgebracht werden. Für die Metallisierung können auch mehrere, einander überlagernde Schichten unterschiedlicher Materialien aufgebracht werden, wie dies zum Beispiel bereits in Verbindung mit dem ersten Bauelement erläutert wurde. In einem weiteren Ausführungsbeispiel, kann der Strukturelementträger 102 und die Metallisierung auch mit einem Herstellverfahren für Spritzgegossene Schaltungsträger (MID-Verfahren) hergestellt werden. 4a is a schematic plan view of in conjunction with 3a and 3b explained structural element carrier 102 , Combined with 4a An application of an electrically conductive material is explained. The electrically conductive material can be applied, for example, by means of anisotropic metallization. This is in 4a indicated by the arrows shown. For example, processes of physical or chemical vapor deposition may be provided for metallization of the structural element support. Furthermore, the metallization can also be done for example by thermal spraying. The coating allows all surfaces arranged parallel to the plane of the drawing to be coated. In the illustrated embodiment, these are the end faces 38 , the bonding surfaces 32 . 38 , the bottom surface of the first trenches 108 and the bottom surfaces of the second trenches 110a . 110b , In addition, at least a part of the surfaces of the structural elements 12 coated in the representation of the 4a are arranged perpendicular to the plane of the drawing. For example, the later mounting surface 18 of the device in the representation of 4a arranged perpendicular to the plane of the drawing. The metallization can, for example, with a layer thickness of 2 microns on the structural element carrier 102 be applied. For the metallization, it is also possible to apply a plurality of overlapping layers of different materials, as has already been explained, for example, in connection with the first component. In a further embodiment, the structural element carrier 102 and metallization too a manufacturing method for injection-molded circuit carriers (MID method) are produced.

Zur Strukturierung der elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann eine Schattenmaske 111 vorgesehen sein. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Schattenmaske 111 langgestreckte Strukturen 112 aufweisen. Die langgestreckten Strukturen weisen eine gleichbleibende Dicke auf und erstrecken sich im Wesentlichen parallel zur Beschichtungsrichtung sowie den zweiten Gräben 110a, 110b. Ferner kann die Metallisierung durch einen Materiallabtrag strukturiert werden. Für den Materialabtrag können Zerspanende Bearbeitungsverfahren wie zum Beispiel Sägen oder Schleifen vorgesehen sein. Zum Beispiel kann durch Sägen entlang der zweiten Gräben 110a, 110b eine auf die Bodenfläche des zweiten Grabens 110a, 110b aufgebrachte Metallisierung wieder entfernt werden, um voneinander getrennte elektrisch leitende Bereiche zu erzeugen. Die strukturiert aufgebrachte Metallisierung oder die strukturierte Metallisierung bilden die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 des späteren Bauelements.For structuring the electrically conductive regions 22 . 23 can a shadow mask 111 be provided. In the illustrated embodiment, the shadow mask 111 elongated structures 112 exhibit. The elongated structures have a constant thickness and extend substantially parallel to the coating direction and the second trenches 110a . 110b , Furthermore, the metallization can be structured by a material removal. For material removal, machining processes such as sawing or grinding can be used. For example, by sawing along the second trenches 110a . 110b one on the bottom surface of the second trench 110a . 110b applied metallization are removed again to produce separate electrically conductive regions. The structured metallization or the structured metallization form the electrically conductive regions 22 . 23 the later component.

Die 4b ist eine schematische Darstellung eines Schnitts durch den Strukturelementträger 102 entlang der in 4a dargestellten Linie BB. Die Strukturelemente 12 sind durch das unter dem ersten Graben 108 angeordnete Material miteinander verbunden. The 4b is a schematic representation of a section through the structural element carrier 102 along the in 4a shown line BB. The structural elements 12 are through the under the first ditch 108 arranged material interconnected.

Die schraffierten Flächen 114 in 4b zeigen die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23. Durch das strukturierte Aufbringen der Metallisierung sind der erste elektrisch leitende Bereich 22 und der zweite elektrisch leitende Bereich 23 voneinander getrennt. Ein Teil der Montagefläche wird somit nicht von den elektrisch leitenden Bereichen 22, 23 bedeckt. Neben den in 4b dargestellten Flächen bedecken die elektrisch leitenden Bereiche auch die Stirnflächen 38 und die Bondflächen 32, 36. Als Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des Chips sind bei dem Strukturelement 12 mit dem linken zweiten Graben 110a die Bondflächen 32, 36 vorgesehen. Als Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des Chips ist bei dem Strukturelement 12 mit dem rechten zweiten Graben 110b die Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b vorgesehen. Auf der Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b sind zwei elektrisch voneinander isolierte elektrische leitende Flächen vorgesehen.The hatched areas 114 in 4b show the electrically conductive areas 22 . 23 , Due to the structured application of the metallization, the first electrically conductive region 22 and the second electrically conductive region 23 separated from each other. Part of the mounting surface is thus not affected by the electrically conductive areas 22 . 23 covered. In addition to the in 4b shown surfaces cover the electrically conductive areas and the end faces 38 and the bonding surfaces 32 . 36 , As contact surfaces for electrical contacting of the chip are in the structural element 12 with the left second ditch 110a the bonding surfaces 32 . 36 intended. As contact surfaces for electrical contacting of the chip is in the structural element 12 with the right second ditch 110b the bottom surface of the right second trench 110b intended. On the bottom surface of the right second trench 110b two electrically insulated from each other electrically conductive surfaces are provided.

In 4c ist ein Strukturelementträger 102 dargestellt, in dem Chips 16, 61 eingebracht wurden. Vor dem Einbringen der Chips 16, 61 kann Lot oder Klebstoff auf zumindest eine der in der Aussparung angeordneten Seitenflächen der Strukturelemente 12 und/oder auf eine Seitenfläche der Chips 16, 61 angeordnet werden. Die zweiten Gräben können zum Beispiel 15 µm länger sein als die Chips 16, 61. Der in den linken zweiten Graben 110a eingebrachte Chip 16 kann zum Beispiel mit einem elektrisch isolierenden Klebstoff über seine Rückseite mit der Bodenfläche des linken zweiten Grabens 110a mechanisch verbunden sein. Zur elektrisch Kontaktierung sind die Oberflächenkontakte des Chips 16 über die Bonddrähte 28 mit den Bondflächen 32, 36 verbunden. Der in den rechten zweiten Graben 110b eingebrachte Chip 61 kann zum Beispiel mit einem elektrisch leitenden Klebstoff über seine Rückseite mit der Bodenfläche des rechten zweiten Grabens 110b mechanisch und elektrisch leitenden verbunden sein. Zur elektrischen Kontaktierung der beiden Rückseitenkontakte sind zwei Verbindungsmittel 21 vorgesehen. Nach dem Einbringen der Chips 16, 61 kann zum Beispiel durch Zuführen von Wärmeenergie der zwischen den Chips 16, 61 und den Strukturelementträger 102 angeordnete Klebstoff ausgehärtet oder eine Lotlegierung gelötet werden. In 4c is a structural element carrier 102 shown in the chips 16 . 61 were introduced. Before inserting the chips 16 . 61 can solder or adhesive on at least one of the arranged in the recess side surfaces of the structural elements 12 and / or on a side surface of the chips 16 . 61 to be ordered. For example, the second trenches may be 15 microns longer than the chips 16 . 61 , The one in the left second ditch 110a introduced chip 16 can, for example, with an electrically insulating adhesive on its back with the bottom surface of the left second trench 110a be mechanically connected. For electrical contacting are the surface contacts of the chip 16 over the bonding wires 28 with the bonding surfaces 32 . 36 connected. The in the right second ditch 110b introduced chip 61 For example, with an electrically conductive adhesive over its back with the bottom surface of the right second trench 110b be connected mechanically and electrically conductive. For electrical contacting of the two back contacts are two connecting means 21 intended. After inserting the chips 16 . 61 For example, by supplying heat energy between the chips 16 . 61 and the structural element carrier 102 cured adhesive or brazed a solder alloy.

Auf die Strahlungsfläche der in den Strukturelementträger eingebrachten Chips 16, 61 kann ein Leuchtstoff 40 gesprüht werden. Der Leuchtstoff 40 wird dabei strukturiert aufgebracht. Zum Beispiel können die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 des Bauelements durch eine Schattenmaske verdeckt werden. In anderen Ausführungsbeispielen kann der Leuchtstoff auch erst später aufgebracht werden.On the radiation surface of the introduced into the structural element carrier chips 16 . 61 can be a fluorescent 40 be sprayed. The phosphor 40 is applied in a structured manner. For example, the electrically conductive regions 22 . 23 of the device are covered by a shadow mask. In other embodiments, the phosphor can also be applied later.

Ferner kann in die ersten Gräben 108 eine reflektierende Vergussmasse gefüllt werden, um die in 1e dargestellte Struktur bereitzustellen. Auf die elektrisch leitenden Bereiche 22, 23 kann zum Beispiel vor dem Einfüllen der reflektierenden Vergussmasse eine Schicht aufgebracht werden, die nach einer Aufteilung der Bauelemente ein entfernen der Vergussmasse von den Anschlusskontakten 24, 26 erleichtert.Furthermore, in the first trenches 108 a reflective potting compound to be filled in the 1e to provide structure shown. On the electrically conductive areas 22 . 23 For example, before the filling of the reflective potting compound, a layer can be applied which, after a division of the components, removes the potting compound from the connection contacts 24 . 26 facilitated.

In 4d sind gestrichelte Trennlinien dargestellt. Die Trennlinien sind in den ersten Gräben 108 angeordnet. Der Strukturelementträger 102 kann durch einen Materialabtrag entlang der ersten Gräben 108 aufgeteilt werden. Das Aufteilen des Strukturelementträgers 102 entlang des ersten Grabens 108 kann nachstehend auch als Reihenaufteilung bezeichnet werden. Für den Materialabtrag kann zum Beispiel Sägen, Schleifen oder Lasertrennen vorgesehen sein. Der Materialabtrag kann zum Beispiel von oben oder von unten erfolgen. Mit von oben kann ein Materialabtrag bezeichnet werden, der im Wesentlichen von der Seite des Strukturelementträgers 102 erfolgt, auf der die Chips angeordnet sind. Von unten kann ein Materialabtrag bezeichnen, der im Wesentlichen von der Seite des Strukturelementträgers 102 erfolgt, die den Aussparungen gegenüberliegt. Durch die Reihenaufteilung können die in 1c dargestellten Stufen 47 auf der Montagefläche 18 und/oder der Oberfläche 44 erzeugt werden. Die Stufen können zum Beispiel vorgesehen sein, um die Höhe der Bauelemente auf einen gewünschten Wert einzustellen. Dabei kann durch einen Materialabtrag von oben eine vorstehende Stufe 47 erzeugt werden. Als vorstehende Stufe 47 kann dabei eine Stufe bezeichnet werden, die über die Anschlusskontakte 24, 26 vorsteht. Durch einen Materialabtrag von unten können vorstehende oder zurückgesetzte Stufen erzeugt werden. Als zurückgesetzt kann eine Stufe bezeichnet werden, bei der ausgehend von der Montagefläche Material entfernt wurde. Bei Ausführungsbeispielen, bei denen Strukturelementträger verwendet werden, die nur eine Reihe von Strukturelementen 12 aufweisen, kann die Reihenaufteilung entfallen. In 4d dashed lines are shown. The dividing lines are in the first trenches 108 arranged. The structural element carrier 102 may be due to a material removal along the first trenches 108 be split. The splitting of the structural element carrier 102 along the first ditch 108 may also be referred to as a row split below. Sawing, grinding or laser cutting can be provided for the removal of material, for example. The material removal can be done for example from above or from below. With the top material removal can be referred to, which is essentially from the side of the structural element carrier 102 takes place, on which the chips are arranged. From below may refer to a material removal, which is substantially from the side of the structural element carrier 102 takes place, which is opposite to the recesses. By the row division, the in 1c illustrated stages 47 on the mounting surface 18 and / or the surface 44 be generated. The steps may be provided, for example, to adjust the height of the components to a desired value. In this case, by a material removal from above a projecting stage 47 be generated. As the previous stage 47 In this case, a stage can be designated, which via the connection contacts 24 . 26 protrudes. Material removal from below can create protruding or recessed steps. The reset can be a stage where material has been removed from the mounting surface. In embodiments in which structural element carriers are used, only a number of structural elements are used 12 have, the series division can be omitted.

Nach einer Reihenaufteilung kann ein Materialabtrag vorgesehen sein, um in einer Reihe angeordnete Strukturelemente zu trennen. Eine entsprechende Trennline ist in 4e dargestellt. Dieser Materialabtrag kann nachstehend als Spaltenaufteilung bezeichnet werden. Durch die Spaltenaufteilung können einzelne Bauelemente oder Gruppen von zumindest zwei Bauelementen bereitgestellt werden. Zur Spaltenaufteilung kann zum Beispiel Schleifen, Sägen, Scheiden oder Lasertrennen vorgesehen sein. After a series division, material removal may be provided to separate structural elements arranged in a row. A corresponding Trennline is in 4e shown. This material removal can be referred to below as column division. By splitting the columns, individual components or groups of at least two components can be provided. For splitting, for example, loops, saws, sheaths or laser cutting can be provided.

In 4e ist eine Reihe von Strukturelementen 12 mit einer ersten und zweiten Folie 46, 66 dargestellt. Zum Beispiel wird die Reihe der Strukturelemente 12 nach dem Vereinzeln auf die erste oder die zweite Folie 46, 66 gelegt. Nach dem Aufbringen der Strukturelemente 12 auf die erste oder die zweite Folie 46, 66 kann die andere Folie aufgebracht werden. Bei der Darstellung der 4e weist die zweite Folie 66 Öffnungen für die Anschlusskontakte 24, 26 auf.In 4e is a set of structural elements 12 with a first and second foil 46 . 66 shown. For example, the series of structural elements 12 after singling on the first or the second foil 46 . 66 placed. After applying the structural elements 12 on the first or the second slide 46 . 66 the other film can be applied. In the presentation of 4e has the second slide 66 Openings for the connection contacts 24 . 26 on.

Sofern noch kein Leuchtstoff aufgebracht wurde, kann nach dem Aufbringen der ersten und zweiten Folie 46, 66, Leuchtstoff 40 auf die Strahlungsfläche 40 aufgebracht werden. Zum Beispiel können in Vergussmasse eingebettete Leuchtstoffpartikel in eine durch die überstehende erste und zweite Folien 46, 66 sowie das Strukturelement 12 gebildete Kavität auf die Strahlungsfläche 40 aufgebracht werden. Ferner ist es möglich, dass die erste und zweite Folie 46, 66 über einen in Verbindung mit den 2a und 2b erläuterten Foliensteg 74 miteinander verbunden sind. Dabei kann der Leuchtstoff 80 auf den Foliensteg 74 angeordnet sein. Für die ersten Bauelemente 10 die keine Folie aufweisen, kann das in Verbindung mit 4d erläuterte Aufbringen der ersten und zweiten Folie 46, 66 entfallen. If no phosphor has been applied, after the application of the first and second film 46 . 66 , Phosphor 40 on the radiation surface 40 be applied. For example, phosphor particles embedded in encapsulant may be in one through the supernatant first and second films 46 . 66 as well as the structural element 12 formed cavity on the radiation surface 40 be applied. Furthermore, it is possible that the first and second film 46 . 66 about one in conjunction with the 2a and 2 B explained film path 74 connected to each other. In this case, the phosphor 80 on the foil path 74 be arranged. For the first components 10 which have no film, which can in conjunction with 4d explained applying the first and second film 46 . 66 omitted.

Der Spaltenaufteilung kann vor oder nach dem Aufbringen auf die erste und oder zweite Folie erfolgen. So können zum Beispiel die Bauelemente nach der Spaltenaufteilung einzeln auf die Folie 44, 66 aufgebracht werden. Dies kann zum Beispiel dann vorgesehen sein, wenn bei der weiteren Verarbeitung der Bauelemente ein großer Abstand zwischen den einzelnen Bauelementen gewünscht ist.The division of the columns can be done before or after application to the first and / or second film. Thus, for example, the components after the column division individually to the film 44 . 66 be applied. This can be provided, for example, if during the further processing of the components, a large distance between the individual components is desired.

Bei einer Spaltenaufteilung nach dem Aufbringen der Bauelemente auf die Folie können durch die Spaltenaufteilung die Bauelemente zusammen mit der Folie 44, 66 aufgeteilt werden. Neben diesen beiden Varianten sind auch Mischformen möglich. When splitting the columns after applying the components to the film, the components can be divided by the division of the columns together with the film 44 . 66 be split. In addition to these two variants, mixed forms are also possible.

So kann zum Beispiel vor dem Aufbringen der Bauelemente auf die Folie eine Spaltenaufteilung vorgesehen sein, bei der der Strukturelementträger 102 in Gruppen von zumindest zwei Bauelementen aufgeteilt wird und nach dem Aufbringen der Gruppen von Bauelementen auf die Folie 46, 66 kann eine erneute Spaltenaufteilung vorgesehen sein, um die Bauelemente zu vereinzeln. Dies kann zum Beispiel vorgesehen sein, um die Handhabung der Bauelemente bei der Herstellung oder der weiteren Verarbeitung zu vereinfachen. For example, prior to the application of the components to the film, a column division may be provided, in which the structural element carrier 102 is divided into groups of at least two components and after applying the groups of components to the film 46 . 66 a redistribution of columns may be provided to separate the components. This can be provided, for example, to simplify the handling of the components during manufacture or further processing.

Die Folie 44, 66 mit den aufgebrachten Bauelementen kann auf eine Rolle aufgewickelt werden. Die Rolle mit der Vielzahl miteinander verbundener Bauelemente kann an einen Kunden geliefert werden. Der Schritt der Spaltenaufteilung kann dann von einem Kunden, zum Beispiel unmittelbar vor dem Aufbringen der Bauelemente auf einem Schaltungsträger durchgeführt werden. Wenn das Vereinzeln der Bauelemente unmittelbar vor dem Aufbringen der Bauelemente auf einem Schaltungsträger vorgesehen ist, kann die Handhabung und der Transport der Bauelemente vereinfacht werden. Dies ist insbesondere bei Bauelementen mit geringen Abmessungen vorteilhaft. The foil 44 . 66 with the applied components can be wound up on a roll. The roll with the plurality of interconnected components can be delivered to a customer. The column splitting step may then be performed by a customer, for example immediately prior to applying the devices to a circuit carrier. If the separation of the components is provided immediately before the application of the components on a circuit board, the handling and transport of the components can be simplified. This is particularly advantageous for components with small dimensions.

5 ist eine schematische Darstellung eines ersten Mehrfachbauelements 500. Das Mehrfachbauelement 500 umfasst zumindest zwei Bauelemente 502, 504. Die zumindest zwei Bauelemente 502, 504 sind über eine elektrisch leitende Folie 506 mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden. Die Bauelemente 502, 504 sind entlang einer Richtung beabstandet voneinander auf die elektrisch leitende Folie 506 aufgebracht. Die Zwischenräume zwischen den einzelnen Bauelementen können frei bleiben oder zum Beispiel mit Silikon gefüllt sein. 5 is a schematic representation of a first multiple component 500 , The multiple component 500 includes at least two components 502 . 504 , The at least two components 502 . 504 are over an electrically conductive foil 506 mechanically and electrically connected to each other. The components 502 . 504 are spaced along one direction of each other on the electrically conductive foil 506 applied. The spaces between the individual components can remain free or be filled with silicone, for example.

Die elektrisch leitende Folie 506 unterscheidet sich von der ersten und zweiten Folie 46, 66 zumindest dadurch, dass zusätzlich zu der Klebeschicht 48, der Isolationsschicht 49 und der Reflektorschicht 50 zumindest eine weitere Isolationsschicht und elektrische Leiterbahnen 510 vorgesehen sind. Die elektrischen Leiterbahnen 510 können zum Beispiel zwischen zwei Isolationsschichten 49 eingebettet sein. Die elektrischen Leiterbahnen 510 können auf der von den Strukturelementen 12 abgewandten Seite der elektrisch leitenden Folie 506 angeordnet sein. Die elektrisch leitende Folie kann ausgehend von dem Strukturelement 12 eine Klebeschicht 48, eine Isolationsschicht 49, eine Reflektorschicht 50, eine Isolationsschicht 49, elektrische Leiterbahnen 510, und eine weitere Isolationsschicht 49 aufweisen. Ferner weist die elektrisch leitende Folie 506 Durchkontaktierungen 512 auf. Die Durchkontaktierungen 512 durchdringen einen Teil der Isolationsschichten 49 sowie die Reflektorschicht 50 und bilden eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den elektrischen Leiterbahnen 510 und den Anschlusskontakten 24, 26 der einzelnen Bauelemente. Die Reflektorschicht kann Öffnungen für die Durchkontaktierungen 512 aufweisen. Die Durchkontaktierungen 512 können zum Beispiel mit einem elektrisch leitenden Klebstoff oder durch eine Lotverbindung mit den Anschlusskontakten 24, 26 elektrisch leitend verbunden sein. Die elektrisch leitende Folie kann zum Beispiel eine Dicke von weniger als 100 µm aufweisen.The electrically conductive foil 506 is different from the first and second slide 46 . 66 at least in that in addition to the adhesive layer 48 , the insulation layer 49 and the reflector layer 50 at least one further insulation layer and electrical conductor tracks 510 are provided. The electrical conductors 510 For example, you can choose between two layers of insulation 49 be embedded. The electrical conductors 510 can on the of the structural elements 12 opposite side of the electrically conductive film 506 disposed be. The electrically conductive film can be based on the structural element 12 an adhesive layer 48 , an insulation layer 49 , a reflector layer 50 , an insulation layer 49 , electrical conductors 510 , and another insulation layer 49 exhibit. Furthermore, the electrically conductive foil 506 vias 512 on. The vias 512 penetrate part of the insulation layers 49 and the reflector layer 50 and form an electrically conductive connection between the electrical conductor tracks 510 and the connection contacts 24 . 26 the individual components. The reflector layer may openings for the vias 512 exhibit. The vias 512 For example, with an electrically conductive adhesive or by a solder connection to the terminals 24 . 26 be electrically connected. The electrically conductive foil may, for example, have a thickness of less than 100 μm.

Ferner weist die elektrisch leitende Folie 506 einen ersten und einen zweiten externen Anschlusskontakt 514, 516 auf. Der erste und der zweite externe Anschlusskontakt 514, 516 sind vorgesehen, um das Mehrfachbauelement 500 elektrisch zu kontaktieren. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der erste externe Anschlusskontakt 514 über eine elektrische Leiterbahn 510 mit einem ersten Anschlusskontakt 24 des Bauelements 502 elektrisch leitend verbunden. Der zweite Anschlusskotakt 26 des Bauelements 502 ist über eine elektrische Leiterbahn 510 mit dem ersten Anschlusskontakt 24 des Bauelements 504 elektrisch leitend verbunden. Der zweite Anschlusskontakt 26 des Bauelements 506 ist über eine elektrische Leiterbahn 510 mit dem zweiten externen Anschlusskontakt 516 elektrisch leitend verbunden. Die Bauelemente 504, 506 des Mehrfachbauelements 500 sind elektrisch in Reihe geschaltet. Zusätzlich zur elektrisch leitenden Folie 506 kann auf der anderen Seite der Bauelemente einer der in Verbindung mit den 1c, 1d, 2a, 2b beschriebenen Folien 46, 66 vorgesehen sein. Ferner kann auf der Oberseite und der Unterseite der Bauelemente eine elektrisch leitende Folie 506 angeordnet sein. Das Mehrfachbauelement 500 unterscheidet sich somit von zum Beispiel auf einer Rolle angeordneten Einzelbauelementen insbesondere dadurch, dass die Bauelemente des Mehrfachbauelements 500 elektrisch leitend miteinander verbunden sind.Furthermore, the electrically conductive foil 506 a first and a second external connection contact 514 . 516 on. The first and second external connection contacts 514 . 516 are provided to the multiple component 500 to contact electrically. In the illustrated embodiment, the first external terminal contact 514 via an electrical conductor 510 with a first connection contact 24 of the component 502 electrically connected. The second connection contact 26 of the component 502 is via an electrical conductor 510 with the first connection contact 24 of the component 504 electrically connected. The second connection contact 26 of the component 506 is via an electrical conductor 510 with the second external connection contact 516 electrically connected. The components 504 . 506 of the multiple component 500 are electrically connected in series. In addition to the electrically conductive foil 506 On the other side of the components, one of the most associated with the 1c . 1d . 2a . 2 B described films 46 . 66 be provided. Further, on the top and the bottom of the components, an electrically conductive foil 506 be arranged. The multiple component 500 differs from, for example, arranged on a roll individual components in particular by the fact that the components of the multiple component 500 electrically conductively connected to each other.

6 ist eine schematische Darstellung eines zweiten Mehrfachbauelements 600. Das in 6 dargestellte zweite Mehrfachbauelement 600 unterscheidet sich von dem in 5 dargestellten ersten Mehrfachbauelement 500 dadurch, dass die Strukturelemente 12 mechanisch und elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Das Mehrfachbauelement 600 kann zum Beispiel eine Reihe des in 4c schematisch angedeuteten Strukturelementträgers 102 aufweisen. Im Unterschied zur Darstellung der schematischen Darstellung der 4c kann das zweite Mehrfachbauelement 600 nur Chips eines Typs aufweisen. Ferner kann das zweite Mehrfachbauelement 600 zum Beispiel eine Reihe des Strukturelementträgers 102 mit drei Aussparungen und drei in den Aussparungen angeordneten Chips 16 aufweisen. 6 is a schematic representation of a second multiple device 600 , This in 6 illustrated second multiple component 600 is different from the one in 5 shown first multiple component 500 in that the structural elements 12 mechanically and electrically conductively connected to each other. The multiple component 600 For example, a series of the in 4c schematically indicated structural element carrier 102 exhibit. In contrast to the representation of the schematic representation of 4c can the second multiple component 600 only have chips of one type. Furthermore, the second multiple component 600 for example a row of the structural element carrier 102 with three recesses and three chips arranged in the recesses 16 exhibit.

Das zweite Mehrfachbauelement 600 weist gemeinsame elektrisch leitende Bereiche 602 auf. Die gemeinsamen elektrisch leitenden Bereiche 602 weisen einen zur Kontaktierung eines ersten Chips vorgesehen ersten elektrisch leitenden Bereich 22 und einen zur Kontaktierung eines benachbart angeordneten zweiten Chips vorgesehenen zweiten elektrisch leitenden Bereich 23 auf. The second multiple component 600 has common electrically conductive areas 602 on. The common electrically conductive areas 602 have a first electrically conductive region provided for contacting a first chip 22 and a second electrically conductive region provided for contacting a second chip arranged adjacent thereto 23 on.

Auf der Oberseite 44 und/oder der Montagefläche 18 der Strukturelemente 12 kann eine Folie 46, 66 angeordnet sein. Die Folie 46, 66 weist eine Reflektorschicht 50 auf. Durch die Reflektorschicht 50 kann seitlich von dem Bauelement emittiertes Licht in Richtung der Strahlungsfläche umgelenkt werden. Entsprechend kann die Folie 46, 46 eine lichtführende Funktion bereitstellen. On the top 44 and / or the mounting surface 18 the structural elements 12 can a slide 46 . 66 be arranged. The foil 46 . 66 has a reflector layer 50 on. Through the reflector layer 50 can be deflected laterally from the component emitted light in the direction of the radiation surface. Accordingly, the film 46 . 46 provide a light-guiding function.

Durch das Zusammenfassen von zumindest zwei Bauelementen zu einem Mehrfachbauelement, kann die Handhabung der Bauelemente bei der weiteren Verarbeitung vereinfacht werden.By combining at least two components into a multiple component, the handling of the components during further processing can be simplified.

Die Bauelemente sowie die Mehrfachbauelemente können zum Beispiel zum Einkoppeln von Licht in eine Lichtverteilerplatte vorgesehen sein. Das Mehrfachbauelement und die Lichtverteilerplatte können zum Beispiel Teil einer Hintergrundbeleuchtungseinrichtung einer Anzeige, wie zum Beispiel einer Flüssigkristallanzeige sein. Die Bauelemente können mit ihrer Strahlungsfläche 20 an einer Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet sein. Die Seitenfläche der Lichtverteilerplatte kann senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der Lichterverteilerplatte angeordnet sein. Der Lichtweg zwischen der Strahlungsfläche und der Seitenfläche der Lichtverteilerplatte kann einstellbar sein. Einstellbar kann zum Beispiel bedeuten, dass die Länge des Lichtweges auf einen gewünschten Wert eingestellt werden kann. Der gewünschte Wert kann zum Beispiel kleiner als 100 µm sein. Die Länge des Lichtweges kann zum Beispiel über die Tiefe der zweiten Gräben relativ zur Stirnfläche 38 eingestellt werden. Ferner kann die Länge des Lichtweges durch die Dicke eines auf der Strahlungsfläche angeordneten Leuchtstoffs 40 eingestellt werden. The components and the multiple components may be provided, for example, for coupling light into a light distribution plate. For example, the multiple device and the light distribution plate may be part of a backlight of a display, such as a liquid crystal display. The components can with their radiation surface 20 be arranged on a side surface of the light distribution plate. The side surface of the light distribution plate may be arranged perpendicular to a light output surface of the light distribution plate. The light path between the radiating surface and the side surface of the light distribution plate may be adjustable. Adjustable, for example, mean that the length of the light path can be set to a desired value. The desired value may be less than 100 μm, for example. The length of the light path can be, for example, via the depth of the second trenches relative to the end face 38 be set. Furthermore, the length of the light path can be determined by the thickness of a phosphor arranged on the radiation surface 40 be set.

Das optoelektronische Bauelement und das Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements wurden zur Veranschaulichung des zugrundeliegenden Gedankens anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben. Die Ausführungsbeispiele sind dabei nicht auf bestimmte Merkmalskombinationen beschränkt. Auch wenn einige Merkmale und Ausgestaltungen nur im Zusammenhang mit einem besonderen Ausführungsbeispiel oder einzelnen Ausführungsbeispielen beschrieben wurden, können sie jeweils mit anderen Merkmalen aus anderen Ausführungsbeispielen kombiniert werden. Es ist ebenso möglich, in Ausführungsbeispielen einzelne dargestellte Merkmale oder besondere Ausgestaltungen wegzulassen oder hinzuzufügen, soweit die allgemeine technische Lehre realisiert bleibt.The optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component have been described to illustrate the underlying idea based on some embodiments. The embodiments are not limited to specific feature combinations. Although some features and configurations have been described only in connection with a particular embodiment or individual embodiments, they may each be combined with other features from other embodiments. It is also possible to omit or add in individual embodiments illustrated features or particular embodiments, as far as the general technical teaching is realized.

Auch wenn die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements in einer bestimmten Reihenfolge beschrieben sind, so ist es selbstverständlich, dass jedes der in dieser Offenbarung beschriebenen Verfahren in jeder anderen, sinnvollen Reihenfolge durchgeführt werden kann, wobei auch Verfahrensschritte ausgelassen oder hinzugefügt werden können, soweit nicht von dem Grundgedanken der beschriebenen technischen Lehre abgewichen wird.Although the steps of the method of manufacturing the optoelectronic device are described in a particular order, it is to be understood that any of the methods described in this disclosure may be performed in any other meaningful order, including but not limited to, method steps. unless deviated from the basic idea of the technical teaching described.

Claims (17)

Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement (10, 42, 52, 54, 60) mit einer an einem elektrisch isolierenden Strukturelement (12) angeordneten Montagefläche (18) und einer senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Strahlungsfläche (20) eines optoelektronischen Chips (16, 61), wobei – das Strukturelement (12) eine Aussparung aufweist, die das Strukturelement (12) in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche (18) vollständig durchdringt; – in der Aussparung des Strukturelements (12) der optoelektronische Chip (16, 61) angeordnet ist; – zumindest eine senkrecht zur Montagefläche (18) angeordnete Seitenfläche des optoelektronischen Chips (16, 61) mit einer senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Seitenfläche der Aussparung mechanisch verbunden ist; – auf dem elektrisch isolierenden Strukturelement (12) ein erster und ein zweiter elektrisch leitender Bereich (22, 23) angeordnet sind, die elektrisch voneinander isoliert sind; – der erste und zweite elektrisch leitende Bereich (22, 23) jeweils an der Montagefläche (18) sowie an senkrecht zur Montagefläche angeordneten und an die Montagefläche (18) angrenzende Kontaktflächen angeordnet ist, und wobei – der an der Montagefläche angeordnete Teil der ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereiche (22, 23) Anschlusskontakte zur elektrischen und mechanischen Kontaktierung eines Schaltungsträgers bilden und der an den Kontaktflächen angeordnete Teil des ersten und zweiten elektrisch leitenden Bereichs (22, 23) den optoelektronischen Chips (16, 61) elektrisch kontaktieren.Surface-mountable optoelectronic component ( 10 . 42 . 52 . 54 . 60 ) with one on an electrically insulating structural element ( 12 ) arranged mounting surface ( 18 ) and one perpendicular to the mounting surface ( 18 ) arranged radiation surface ( 20 ) of an optoelectronic chip ( 16 . 61 ), wherein - the structural element ( 12 ) has a recess which the structural element ( 12 ) in a direction perpendicular to the mounting surface ( 18 ) completely penetrates; - in the recess of the structural element ( 12 ) the optoelectronic chip ( 16 . 61 ) is arranged; At least one perpendicular to the mounting surface ( 18 ) arranged side surface of the optoelectronic chip ( 16 . 61 ) with a perpendicular to the mounting surface ( 18 ) arranged side surface of the recess is mechanically connected; On the electrically insulating structural element ( 12 ) a first and a second electrically conductive region ( 22 . 23 ) are arranged, which are electrically isolated from each other; The first and second electrically conductive region ( 22 . 23 ) at the mounting surface ( 18 ) and arranged perpendicular to the mounting surface and to the mounting surface ( 18 ) is arranged adjacent contact surfaces, and wherein - arranged on the mounting surface part of the first and second electrically conductive regions ( 22 . 23 ) Terminal contacts for the electrical and mechanical contacting of a circuit carrier form and arranged on the contact surfaces part of the first and second electrically conductive region ( 22 . 23 ) the optoelectronic chips ( 16 . 61 ) contact electrically. Bauelement nach Anspruch 1, wobei eine Höhe des Strukturelements (12) ungefähr einer Höhe (hc) des optoelektronischen Chips (16, 61) entspricht. Component according to claim 1, wherein a height of the structural element ( 12 ) about a height (hc) of the optoelectronic chip ( 16 . 61 ) corresponds. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Gesamthöhe (hg) des Bauelements maximal doppelt so groß ist wie die Höhe (hc) des optoelektronischen Chips (16, 61). Component according to claim 1 or 2, wherein the total height (hg) of the component is at most twice as large as the height (hc) of the optoelectronic chip ( 16 . 61 ). Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei an der Montagefläche (18) des Strukturelements (12) und/oder an einer der Montagefläche (18) gegenüberliegenden Oberseite (44) des Strukturelements (12) eine Reflektorschicht (50, 56) angeordnet ist. Component according to one of claims 1 to 3, wherein on the mounting surface ( 18 ) of the structural element ( 12 ) and / or on one of the mounting surface ( 18 ) opposite top ( 44 ) of the structural element ( 12 ) a reflector layer ( 50 . 56 ) is arranged. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei im Strahlengang des Chips (16, 61) parallel zur Strahlungsfläche (20) eine Folie (74) angeordnet ist und auf der Folie ein Leuchtstoff (80) aufgebracht ist. Component according to one of claims 1 to 4, wherein in the beam path of the chip ( 16 . 61 ) parallel to the radiation surface ( 20 ) a film ( 74 ) is arranged on the film and a phosphor ( 80 ) is applied. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei auf der Montagefläche (18) und der Oberseite (44) eine über die Strahlungsfläche (20) überstehende Folie (46, 66) angeordnet ist und in einer durch die überstehende Folie (46, 66) und das Strukturelement (12) gebildeten Kavität Leuchtstoff (40) angeordnet ist. Component according to one of claims 1 to 4, wherein on the mounting surface ( 18 ) and the top ( 44 ) one over the radiation surface ( 20 ) projecting film ( 46 . 66 ) and in a through the overhanging film ( 46 . 66 ) and the structural element ( 12 ) formed cavity phosphor ( 40 ) is arranged. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der erste und zweite elektrisch leitende Bereich (22, 23) oberflächlich auf das Strukturelement (12) aufgebracht sind.Component according to one of claims 1 to 6, wherein the first and second electrically conductive region ( 22 . 23 ) superficially on the structural element ( 12 ) are applied. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Strukturelement (12) den optoelektronischen Chip (16, 61) an drei senkrecht zur Montagefläche (18) angeordneten Seitenflächen umgibt.Component according to one of claims 1 to 7, wherein the structural element ( 12 ) the optoelectronic chip ( 16 . 61 ) at three perpendicular to the mounting surface ( 18 ) arranged side surfaces surrounds. Mehrfachbauelement (500) mit zumindest zwei der in den Ansprüchen 1 bis 8 beschriebenen Bauelemente (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wobei die zumindest zwei Bauelemente über eine elektrisch leitende Folie (506) elektrisch leitend miteinander verbunden sind. Multiple component ( 500 ) with at least two of the components described in claims 1 to 8 ( 10 . 42 . 52 . 54 . 60 . 502 . 504 ), wherein the at least two components via an electrically conductive foil ( 506 ) are electrically connected to each other. Mehrfachbauelement (600) mit zumindest zwei der in den Ansprüchen 1 bis 8 beschriebenen Bauelementen (10, 42, 52, 54, 60, 502, 504), wobei die Strukturelemente (12) mechanisch miteinander verbunden sind und wobei ein erster elektrisch leitender Bereich und ein zweiter elektrisch leitender Bereich (23) einen gemeinsamen elektrisch leitenden Bereich (602) bilden. Multiple component ( 600 ) with at least two of the components described in claims 1 to 8 ( 10 . 42 . 52 . 54 . 60 . 502 . 504 ), the structural elements ( 12 ) are mechanically connected to each other and wherein a first electrically conductive region and a second electrically conductive region ( 23 ) a common electrically conductive region ( 602 ) form. Bauelementtransportanordnung mit einer Vielzahl von Bauelementen (10, 42, 52, 54) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Vielzahl der Bauelemente (10, 42, 52, 54) über zumindest eine Folie (46, 66) mechanisch miteinander verbunden sind.Component transport arrangement with a plurality of components ( 10 . 42 . 52 . 54 ) according to one of claims 1 to 8, wherein the plurality of components ( 10 . 42 . 52 . 54 ) via at least one film ( 46 . 66 ) are mechanically interconnected. Hintergrundbeleuchtungseinrichtung für eine Anzeigeeinrichtung, wobei die Hintergrundbeleuchtungseinrichtung zumindest eines der Bauelemente (10, 60) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 und eine Lichtverteilerplatte aufweist, wobei das zumindest eine Bauelement (10, 42, 52, 56, 60) mit der Strahlungsfläche (20) an einer Seitenfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet ist, und wobei die Seitenfläche der Lichtverteilerplatte senkrecht zu einer Lichtauskoppelfläche der Lichtverteilerplatte angeordnet ist. Background illumination device for a display device, wherein the backlight device at least one of the components ( 10 . 60 ) according to one of claims 1 to 10 and a light distribution plate, wherein the at least one component ( 10 . 42 . 52 . 56 . 60 ) with the radiation surface ( 20 ) is arranged on a side surface of the light distribution plate, and wherein the side surface of the light distribution plate is arranged perpendicular to a light output surface of the light distribution plate. Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements mit Bereitstellen eines Strukturelementträgers (102) mit einer Vielzahl mechanisch miteinander verbundener, elektrisch isolierender Strukturelemente (12), wobei die Strukturelemente (12) in Reihen und/oder in Spalten angeordnet sind und jeweils zumindest eine die Strukturelemente vollständig durchdringende Aussparung aufweisen; Aufbringen elektrisch leitender Bereiche auf zumindest zwei senkrecht zueinander angeordnete und aneinander angrenzende Seitenflächen der Strukturelemente (12); Bereitstellen einer Vielzahl optoelektronischer Chips (16, 61); Einbringen optoelektronischen Chips (16, 61) in die Aussparungen der Strukturelemente (12); mechanisches Verbinden der Vielzahl optoelektronischen Chips (16, 61) mit den Strukturelementen (12); Aufteilen des Strukturelementträgers (102).Method for producing a surface-mountable optoelectronic component with provision of a structural element carrier ( 102 ) with a plurality of mechanically interconnected, electrically insulating structural elements ( 12 ), the structural elements ( 12 ) are arranged in rows and / or in columns and each having at least one structure element completely penetrating recess; Applying electrically conductive areas on at least two mutually perpendicular and adjacent side surfaces of the structural elements ( 12 ); Providing a plurality of optoelectronic chips ( 16 . 61 ); Introducing optoelectronic chips ( 16 . 61 ) in the recesses of the structural elements ( 12 ); mechanically connecting the plurality of optoelectronic chips ( 16 . 61 ) with the structural elements ( 12 ); Splitting the structural element carrier ( 102 ). Verfahren nach Anspruch 13, wobei die elektrisch leitenden Bereiche strukturiert auf den Strukturelementträger (102) aufgebracht werden. The method of claim 13, wherein the electrically conductive regions structured on the structural element carrier ( 102 ) are applied. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei für das Aufteilen des Strukturelementträgers (102) ein Materialabtrag entlang eines ersten Grabens (108) vorgesehen ist und/oder ein Materialabtrag zwischen zwei in einer Reihe angeordneten Strukturelementen vorgesehen ist.A method according to claim 13 or 14, wherein for the splitting of the structural element carrier ( 102 ) a material removal along a first trench ( 108 ) is provided and / or a material removal between two arranged in a row structural elements is provided. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Strukturelemente (12) nach dem Aufteilen des Strukturelementträgers (102) auf eine Folie (46, 66, 506) aufgebracht werden. Method according to one of claims 13 to 15, wherein the structural elements ( 12 ) after splitting the structural element carrier ( 102 ) on a foil ( 46 . 66 . 506 ) are applied. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Folie (46, 66, 506) mit den aufgebrachten Strukturelementen (12) auf eine Rolle aufgewickelt wird.The method of claim 16, wherein the film ( 46 . 66 . 506 ) with the applied structural elements ( 12 ) is wound up on a roll.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017174647A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Production of a semiconductor component
DE102019202715A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. FILM-BASED PACKAGE WITH DISTANCE COMPENSATION
US11521919B2 (en) 2019-02-28 2022-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Flex-foil package with coplanar topology for high-frequency signals
US11615996B2 (en) 2019-02-28 2023-03-28 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Thin dual foil package including multiple foil substrates
US11764122B2 (en) 2019-02-28 2023-09-19 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. 3D flex-foil package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070109792A1 (en) * 2003-09-29 2007-05-17 Yoshihiko Chosa Liner light source, method for manufacturing the same and surface emitting device
US20080101062A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Lighting device for projecting a beam of light
US20110079801A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Zhang Xianzhu Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278205A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Linear light source device and manufacturing method thereof
JP4903393B2 (en) * 2005-04-27 2012-03-28 京セラ株式会社 Light source device and liquid crystal display device
JP2009038184A (en) * 2007-08-01 2009-02-19 Harison Toshiba Lighting Corp Semiconductor light emitting device, light source device, and surface light emitting device
KR20110087579A (en) * 2010-01-26 2011-08-03 삼성엘이디 주식회사 Led light module and backlight unit having led module

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070109792A1 (en) * 2003-09-29 2007-05-17 Yoshihiko Chosa Liner light source, method for manufacturing the same and surface emitting device
US20080101062A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Lighting device for projecting a beam of light
US20110079801A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Zhang Xianzhu Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017174647A1 (en) * 2016-04-06 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Production of a semiconductor component
DE102019202715A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. FILM-BASED PACKAGE WITH DISTANCE COMPENSATION
US11521919B2 (en) 2019-02-28 2022-12-06 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Flex-foil package with coplanar topology for high-frequency signals
US11574858B2 (en) 2019-02-28 2023-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Foil-based package with distance compensation
US11615996B2 (en) 2019-02-28 2023-03-28 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Thin dual foil package including multiple foil substrates
US11764122B2 (en) 2019-02-28 2023-09-19 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. 3D flex-foil package

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