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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Haftbandbefestigungsverfahren zum Befestigen eines Haftbands an der Vorderseite eines Wafers mit einem Einrichtungsbereich, bei dem eine Vielzahl an Einrichtungen ausgebildet sind, und einem peripheren Randbereich, der den Einrichtungsbereich umgibt, wobei das Haftband eine ringförmige Haftschicht aufweist, die dem peripheren Randbereich entspricht.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Im Zusammenhang mit der hohen Packungsdichte von Halbleiterbauelementen werden Erhebungen aus Lot oder dergleichen zum Verkleben eines Halbleiterchips mit einem Substrat eingesetzt. Beispielsweise in dem Fall der direkten Verklebung des Halbleiterchips mit dem Substrat werden häufig kugelförmige Erhebungen mit einem jeweiligen Durchmesser von ungefähr 100 μm eingesetzt. Ein Wafer mit auf der Vorderseite ausgebildeten Erhebungen wird in einer solchen Weise verarbeitet, dass die Rückseite des Wafers zum Reduzieren der Dicke des Wafers geschliffen wird, und der Wafer wird danach geteilt, um Halbleiterchips herzustellen, die jeweils die Erhebungen auf der Vorderseite aufweisen.
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Beim Schleifen der Rückseite des Wafers zum Reduzieren der Dicke des Wafers wird ein Haftband (Schutzband) an der Vorderseite des Wafers, auf dem die Erhebungen vorgesehen sind, befestigt, und der Wafer wird auf einer Ansaughaltefläche oder dergleichen mittels des Haftbands in dem Zustand festgehalten, in dem die Rückseite des Wafers freiliegt. In diesem Zustand wird die freiliegende Rückseite des Wafers geschliffen. Wenn jede Erhebung eine große Höhe (z. B. ungefähr 100 μm Durchmesser) aufweist, wird ein Bereich der Vorderseite des Wafers, bei dem keine Erhebungen vorgesehen sind, während des Schleifbetriebs auf die Ansaughaltefläche angesaugt, sodass auf der Rückseite des Wafers Unregelmäßigkeiten erzeugt werden. Mit anderen Worten haben die Unregelmäßigkeiten auf der Vorderseite des Wafers infolge der Erhebung einen Einfluss auf die Rückseite des Wafers.
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Wenn auf der Rückseite des Wafers, wie vorstehend beschrieben, Unregelmäßigkeiten erzeugt werden, kann eine während des Schleifbetriebs auf den Wafer applizierte Last durch die Dämpfungseigenschaft des Haftbands nicht ausreichend absorbiert werden, was zu einem Problem der Beschädigung des Wafers während des Schleifbetriebs oder einem Problem der Bildung eines Grübchens (Vertiefung auf der Rückseite des Wafers) führt, was zu einer Abnahme der Zuverlässigkeit jeder mit dem Wafer gewonnenen Einrichtung führt. Um mit dem Problem der Beschädigung des Wafers umzugehen, wird die Enddicke des Wafers nach dem Schleifen gängigerweise auf eine relativ hohe Dicke festgesetzt. In dem Fall, dass eine kleine Enddicke des Wafers benötigt wird, wird ein Haftband mit einer dicken Haftschicht (Pastenschicht) eingesetzt, um die Vorderseite des Wafers zu schützen, wobei die Dicke der Haftschicht so festgesetzt wird, dass sie die auf der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Erhebungen aufnimmt. Dementsprechend wird das Schleifen in dem Zustand durchgeführt, in dem die Erhebungen in der Haftschicht eingebettet sind.
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In dem Fall des Einsatzes so eines Haftbands mit einer dicken Haftschicht, in der die Erhebungen eingebettet sind, tritt jedoch ein Problem auf, demzufolge die Haftschicht als Rückstand auf den Erhebungen auf der Vorderseite jeder Einrichtung nach dem Abschälen des Haftbands zurückbleiben kann. Um mit diesem Problem umzugehen, wurde eine Technik der Verwendung eines Haftbands mit einer ringförmigen Haftschicht, die einem peripheren Randbereich entspricht, der einen Einrichtungsbereich aufweist, bei dem auf der Vorderseite des Wafers Einrichtungen ausgebildet sind, vorgeschlagen. Das heißt, die ringförmige Haftschicht ist nur in dem peripheren Randbereich des Wafers angeordnet, und die mit einer relativ hohen Dichte angeordneten Erhebungen werden anstelle der Haftschicht als Stützelement eingesetzt, sodass der Rückstand der Haftschicht nach dem Schleifen des Wafers nicht zurückbleibt (siehe
japanische Patentnummern 4462997 und
4447280 ).
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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In dem Fall, in dem das Haftband mit der ringförmigen Haftschicht an dem Wafer in dem Zustand befestigt wird, in dem die ringförmige Haftschicht ordnungsgemäß nur in dem peripheren Randbereich des Wafers als ein spezifizierter Bereich ohne Abweichung angeordnet ist, wird jedoch, im Vergleich mit dem Fall der Befestigung eines Haftbands mit einer Haftschicht, die zur einfachen Befestigung an der gesamten Vorderseite des Wafers ausgebildet ist, eine Ausrichtung mit höherer Genauigkeit benötigt.
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Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Haftbandbefestigungsverfahren bereitzustellen, welches die ringförmige Haftschicht bei einer optimalen Position anordnen kann, in dem Zustand, in dem das Haftband an dem Wafer befestigt ist.
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In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Haftbandbefestigungsverfahren zum Befestigen eines Haftbands an der Vorderseite eines Wafers mit einem Einrichtungsbereich, bei dem eine Vielzahl an Einrichtungen ausgebildet sind, und einem peripheren Randbereich, der den Einrichtungsbereich umgibt, bereitgestellt, wobei das Haftband eine ringförmige Haftschicht aufweist, die dem peripheren Randbereich entspricht, wobei das Haftbandbefestigungsverfahren umfasst: einen Halbleiteranordnungsschritt des Anordnens des Wafers auf einem Spanntisch, in dem Zustand, in dem die Vorderseite des Wafers freiliegend ist; einen Ausrichtungsschritt des gegenüberliegend Anordnens des Haftbands mit der ringförmigen Haftschicht, die dem peripheren Randbereich des Wafers entspricht, zu der Vorderseite des auf dem Spanntisch angeordneten Wafers, und des direkt unterhalb des zentralen Abschnitts des Haftbands Positionierens des zentralen Abschnitts des Wafers, wobei das Haftband aus einer kreisförmigen Basis mit einem Durchmesser aufgebaut ist, der mit demjenigen des Wafers identisch ist, und die ringförmige Haftschicht auf einer Seite der kreisförmigen Basis entlang dem äußeren Umfang derselben ausgebildet ist; einen partiellen Befestigungsschritt des das Haftband an der Vorderseite des Wafers Andrückens, unter Verwendung einer Befestigungswalze, die so positioniert ist, dass sie den Umfang des Haftbands, das durch den zentralen Abschnitt des Haftbands hindurchläuft, überdeckt, wodurch ein Teil des Haftbands an dem Wafer bei einer Position befestigt wird, bei der der zentrale Abschnitt des Haftbands auf dem zentralen Abschnitt des Wafers überlagert ist; und einen Befestigungsschritt der Drehbewegung der Befestigungswalze von dem zentralen Abschnitt des Wafers in Richtung der radial entgegengesetzten äußeren Umfangsabschnitte des Wafers, nachdem der partielle Befestigungsschritt ausgeführt wurde, wodurch das Haftband an dem Wafer befestigt wird.
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In dem Zustand, in dem das Haftband mit der ringförmigen Haftschicht an dem Wafer befestigt ist, kann die ringförmige Haftschicht bei einer optimalen Position angeordnet werden.
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Bei dem Haftbandbefestigungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird der zentrale Abschnitt des kreisförmigen Haftbands mit der ringförmigen Haftschicht zuerst mit dem zentralen Abschnitt des Wafers ausgerichtet und dann darauf überlagert. Danach wird das Haftband auf dem Wafer unter Verwendung der Befestigungswalze so festgedrückt, dass der zentrale Abschnitt des Haftbands nicht zu dem zentralen Abschnitt des Wafers falsch ausgerichtet ist (der partielle Befestigungsschritt). Danach wird die Befestigungswalze in einer Drehbewegung von dem zentralen Abschnitt des Wafers (Haftband) zu einem der radial entgegengesetzten äußeren Umfangsabschnitte des Wafers (Haftband) bewegt (der Befestigungsschritt). Danach wird die Befestigungswalze in einer weiteren Drehbewegung so bewegt, dass das Gesamte der Haftschicht des Haftbands an dem Wafer befestigt wird. Dementsprechend wird im Vergleich zu dem konventionellen Befestigungsverfahren, bei dem die Befestigungswalze in einer Drehbewegung von einem diametralen Ende des Wafers (Haftband) zu dem anderen diametralen Ende derselben in einem Zug bewegt wird, die Menge an Fehlausrichtung zwischen dem zentralen Abschnitt des Haftbands und dem zentralen Abschnitt des Wafers infolge einer Dehnung des Haftbands reduziert.
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Die vorstehenden und anderen Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise der Realisierung derselben wird ersichtlicher werden, und die Erfindung selbst wird am besten anhand des Studiums der nachfolgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, zu verstehen sein.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers und eines Haftbands;
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2 ist eine perspektivische Ansicht einer Bandzuführvorrichtung;
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3 ist eine Seitenschnittansicht, die eine Lagebeziehung zwischen dem Wafer und dem Haftband illustriert;
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4 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Lagebeziehung zwischen einer Befestigungswalze und dem Wafer zeigt;
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5A ist eine partielle Seitenschnittansicht, die eine Lagebeziehung zwischen der Befestigungswalze und dem Wafer zeigt;
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5B ist eine zur 5A ähnliche Ansicht, die einen partiellen Befestigungsschritt zweigt;
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6 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Befestigungsschritt zeigt; und
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7 ist eine Schnittansicht, die eine Lagebeziehung zwischen einem peripheren Randbereich und einer Haftschicht nach dem Befestigungsschritt zeigt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Wie in 1 gezeigt bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Haftbandbefestigungsverfahren zum Befestigen eines Haftbands 20 an der Vorderseite 11a eines Wafers 11 mit einem Einrichtungsbereich 17, bei dem eine Vielzahl an Einrichtungen 15 ausgebildet sind, und einem peripheren Randbereich 19, der den Einrichtungsbereich 17 umgibt, wobei das Haftband 20 eine ringförmige Haftschicht 22 aufweist, die dem peripheren Randbereich 19 entspricht.
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Wie in 1 gezeigt, ist der Wafer 11 als Werkstück beispielsweise ein kreisförmiger Siliziumwafer mit einer Dicke von 700 μm. Eine Vielzahl von sich kreuzenden Trennlinien (Straßen) 13 sind wie ein Gitter auf der Vorderseite 11a des Wafers 11 ausgebildet, um dadurch eine Vielzahl an Gebieten zu partitionieren, wo die vielen Einrichtungen 15 jeweils ausgebildet sind. Eine Vielzahl an Erhebungen 14 als Elektroden sind an der Vorderseite jeder Einrichtung 15 vorgesehen. Wie vorstehend beschrieben, weist der Wafer 11 den Einrichtungsbereich 17 auf, bei dem die Einrichtungen 15 ausgebildet sind, und den ringförmigen peripheren Randbereich 19, der den Einrichtungsbereich 17 an der Vorderseite 11a umgibt.
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Die Form des Wafers 11 als Werkstück ist nicht auf eine in 1 gezeigte kreisförmige Form beschränkt, sondern eine viereckige Form wie eine rechteckige Form und eine quadratische Form werden ebenfalls zugelassen. In dem Fall, in dem der Wafer 11 eine viereckige Form aufweist, wird angenommen, dass der periphere Randbereich 19 des Wafers 11 eine viereckige Ringform aufweist. Ferner ist der Wafer 11 als Werkstück nicht auf einen Halbleiterwafer beschränkt, sondern ein optischer Wafer kann auch verwendet werden. Jede Einrichtung 15 des Wafers 11 kann ohne die Erhebungen 14 ausgebildet sein. Ferner können Unregelmäßigkeiten auf der Vorderseite jeder Einrichtung 15 ausgebildet sein, zusätzlich zu den Erhebungen 14 oder anstelle der Erhebungen 14.
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Das Haftbandbefestigungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung, angewendet auf den Wafer 11, wird nun beschrieben werden. Wie in 2 gezeigt, wird ein Waferanordnungsschritt in einer solchen Weise ausgeführt, dass der Wafer 11 auf einem Spanntisch 30 in dem Zustand, in dem die Vorderseite 11a des Wafers 11 freiliegend ist, angeordnet wird. Die obere Oberfläche des Spanntischs 30 dient als Haltefläche zum unter Ansaugen Halten der Hinterseite des Wafers 11. Der Wafer 11 wird auf der Haltefläche des Spanntischs in dem Zustand gehalten, in dem die Vorderseite 11a des Wafers 11 gegen oben orientiert oder freiliegend ist.
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Nachdem der vorstehend erwähnte Waferanordnungsschritt durchgeführt worden ist, wird ein Ausrichtungsschritt, wie in 1–3 gezeigt, in einer solchen Weise ausgeführt, dass das Haftband 20 mit der ringförmigen Haftschicht 22, die dem peripheren Randbereich 19 des Wafers 11 entspricht, der Vorderseite 11a des auf dem Spanntischs 30 angeordneten Wafers 11 gegenüberliegt, und dass der Zentralabschnitt 11C des Wafers 11 direkt unterhalb des zentralen Abschnitts 20C des Haftbands 20 positioniert ist, wobei das Haftband 20 aus einer kreisförmigen Basis 24 mit einem Durchmesser aufgebaut ist, der mit demjenigen des Wafers 11 identisch ist, und die ringförmige Haftschicht 22 auf einer Seite der kreisförmigen Basis 24 entlang des äußeren Umfangs derselben ausgebildet ist. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform weist die Basis 24 dieselbe Form und Größe wie diejenigen des Wafers 11, wie in der Ebene betrachtet, auf, und die ringförmige Haftschicht 22 ist auf der Rückseite 24b (siehe 3) der Basis 24 ausgebildet. Das Haftband 20 ist mit dem Wafer 11 so ausgerichtet, dass die Haftschicht 22 direkt oberhalb des peripheren Randbereichs 19 des Wafers 11 positioniert ist. Die Basis 24 ist nicht im Wesentlichen eingeschränkt. Beispielsweise kann die Basis 24 mit einer Basisschicht, die aus einem weichen Harz wie beispielsweise Polyolefin ausgebildet ist, versehen sein und eine Dicke von ungefähr 70–200 μm aufweisen. Ferner kann die Haftschicht 22 durch ringförmiges Applizieren eines Haftmittels mit einer Dicke von ungefähr 5–100 μm an der Rückseite 24b der Basis 24 ausgebildet sein.
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Das Haftband 20 wird mit einer Bandzuführvorrichtung 40 zum kontinuierlichen Zuführen einer Vielzahl von ähnlichen Haftbändern 20 zugeführt. Diese vielen Haftbänder 20 sind an der Rückseite 41b eines gerollten Trägerpapiers 41 unterstützt, sodass sie in Intervallen in der Längsrichtung des Trägerpapiers 41 angeordnet sind. Jedes der vielen Haftbändern 20 wird durch geeignetes Abrollen des gerollten Trägerpapiers 41 zugeführt, sodass die Rückseite 24b der Basis 24 des Haftbands 20 dem Spanntisch 30 gegenüberliegt. Die Bandzuführvorrichtung 40 ist so positioniert, dass die Mittelposition des Spanntischs 30 mit der Mittelposition des Haftbands 20 in der Y-Richtung übereinstimmt. Ferner wird die Bandzuführvorrichtung 40 so bedient, dass das gerollte Trägerpapier 41 in einer geeigneten Weise abgerollt wird, sodass die Mittelposition des Spanntischs 30 mit der Mittelposition des Haftbands 20 in der Y-Richtung übereinstimmt. Als Abwandlung kann eine Bildgebungsvorrichtung zum Erfassen der Mittelposition des Spanntischs 30 und der Mittelposition des Haftbands 20 zum in geeigneter Weise Ausführen einer Ausrichtung des Spanntischs 30 und des Haftbands 20 vorgesehen sein, für den Fall einer Fehlausrichtung zwischen diesen Mittelpositionen.
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In dem vorstehend erwähnten Ausrichtungsschritt liegt die Rückseite 24b der Basis 24 des Haftbands 20 der Vorderseite 11a des auf dem Spanntisch 30 angeordneten Wafers 11 gegenüber, und der zentrale Abschnitt 110 des Wafers 11 ist direkt unterhalb des zentralen Abschnitts 20C des Haftbands 20 positioniert. Die Formulierung „der zentrale Abschnitt 20C des Haftbands 20” bezeichnet ein Konzept, welches die Mittelposition der Basis 24 des Haftbands 20 einschließt, und die Formulierung „der zentrale Abschnitt 110 des Wafers 11” bezeichnet ein Konzept, welches die Mittelposition des Wafers 11 einschließt. Dieser Ausrichtungsschritt wird ausgeführt, um die Haftschicht 22 des Haftbands 20 mit dem peripheren Randbereich 19 des Wafers 11 auszurichten. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform weisen das Haftband 20 und der Wafer 11 kreisförmige Formen mit demselben Durchmesser auf.
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Dementsprechend kann, durch Ausrichten des zentralen Abschnitts 20C des Haftbands 20 mit dem zentralen Abschnitt 110 des Wafers 11, die Haftschicht 22 mit dem peripheren Randbereich 19 mit hoher Genauigkeit ausgerichtet werden.
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Nach dem Ausführen des vorstehend erwähnten Ausrichtungsschritts, wird ein partieller Befestigungsschritt, wie in 4, 5A und 5B gezeigt, in einer solchen Weise ausgeführt, dass das Haftband 20 auf der Vorderseite 11A des Wafers 11 unter Verwendung einer Befestigungswalze 46, die so positioniert ist, dass sie den Durchmesser des Haftbands 20, das sich durch den zentralen Abschnitt 20C des Haftbands 20 zieht, festdrückt, wodurch ein Teil des Haftbands 20 an dem Wafer 11 bei einer Position 20M, bei welcher der zentrale Abschnitt 20C des Haftbands 20 auf dem zentralen Abschnitt 110 des Wafers 11 überlagert ist, befestigt und fixiert wird.
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Die Befestigungswalze 46 ist dazu ausgebildet, mit der Vorderseite 41a des Trägerpapiers 41 in Kontakt zu gelangen und das Haftband 20, welches auf der Rückseite 41B des Trägerpapiers 41 unterstützt ist, gegen den Wafer 11 zu drücken. Die Befestigungswalze 46 ist um ihre Achse 46a drehbar. Die Drehachse 46a der Befestigungswalze 46 ist so positioniert, dass sie den Durchmesser des Haftbands 20 überdeckt, d. h. so, dass sie den zentralen Abschnitt 20C des Haftbands 20 (den zentralen Abschnitt 110 des Wafers 11) durchläuft. Dementsprechend sind, wie in 5A gezeigt, die Drehachse 46A bei Befestigungswalze 46, der zentrale Abschnitt 20C des Haftbands 20, und der zentrale Abschnitt 110 des Wafers 11 alle in einer Linie, wie in einer Seitenansicht betrachtet (bei derselben Position in der X-Richtung), angeordnet.
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In diesem Zustand wird die Befestigungswalze 46, wie in 5B gezeigt, abgesenkt, um einen Teil der Haftschicht 22 des Haftbands 20 an der Vorderseite 11a des Wafers 11 in dem Zustand zu befestigen, in dem der zentrale Abschnitt 20C des Haftbands 20 auf dem zentralen Abschnitt 110 des Wafers 11 überlagert ist. Da die Haftschicht des Haftbands 20 mit dem peripheren Randbereich 19 des Wafers 11 in dem vorstehend erwähnten Ausrichtungsschritt ausgerichtet worden ist, wird ein Teil der Haftschicht 22, d. h. ein Abschnitt der Haftschicht 22, der gerade unterhalb der Befestigungswalze 46 positioniert ist, an einem entsprechenden Abschnitt des peripheren Randbereichs 19 des Wafers 11 befestigt.
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Nach dem Ausführen des vorstehend erwähnten partiellen Befestigungsschritts, wird ein Befestigungsschritt, wie in 6 gezeigt, in einer solchen Weise ausgeführt, dass die Befestigungswalze 46 in einer Drehbewegung von dem zentralen Abschnitt 1C des Wafers 11 in Richtung der radial gegenüberliegenden äußeren Umfangsabschnitte 11L und 11R des Wafers 11 bewegt wird, wobei das Haftband 20 an dem Wafer 11 befestigt wird. In dem mittels des vorangehenden partiellen Befestigungsschritts erzeugten Zustand wird das Haftband 20 mittels der Befestigungswalze 46 an dem Wafer 11 festgedrückt, um eine Fehlausrichtung zwischen dem zentralen Abschnitt 20C des Haftbands 20 und dem zentralen Abschnitt 11C des Wafers 11 zu vermeiden. Dementsprechend ist es beim Bewegen der Befestigungswalze 46 von dem zentralen Abschnitt 11C des Wafers 11 in Richtung der äußeren Umfangsabschnitte 11L und 11R in dem Befestigungsschritt möglich, das Auftreten einer Fehlausrichtung zwischen den zentralen Abschnitten 20C und 11C infolge von Dehnung des Haftbands 20 (der Basis 24) zu unterdrücken.
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Da das Auftreten von Fehlausrichtung zwischen den zentralen Abschnitten 20C und 11C wie vorstehend beschrieben unterdrückt werden kann, kann das Auftreten von Fehlausrichtung zwischen der Haftschicht 22 und dem peripheren Randbereich 19 unterdrückt werden. Dementsprechend kann in dem Zustand, in dem das Haftband 20 mit der ringförmigen Haftschicht 22 an dem Wafer 11 wie in 7 gezeigt befestigt ist, die ringförmige Haftschicht 22 bei einer optimalen Position angeordnet werden, d. h. bei einer Position, die dem peripheren Randbereich 19 entspricht. In dem Fall, dass die Befestigungswalze 46 von einem diametralen Ende (dem äußeren Umfangsabschnitt 11L) des Wafers 11 (des Haftbands 20) zu dem anderen diametralen Ende (dem äußeren Umfangsabschnitt 11R) des Wafers 11 in einem Zug bewegt wird, ist der durch die Befestigungswalze 46 zurückgelegte Abstand groß, sodass, wenn das Haftband 20 (die Basis 24) während der Bewegung der Befestigungswalze 46 gedehnt wird, Fehlausrichtung zwischen den zentralen Abschnitten 20C und 11C auftreten kann. Im Ergebnis kann die Haftschicht 22 an einer Position angeordnet werden, die von dem peripheren Randbereich 19 abweicht.
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Der Pfad der Drehbewegung der Befestigungswalze 46 ist nicht speziell beschränkt, aber es ist essentiell, dass die Befestigungswalze 46 von einer Position, die dem zentralen Abschnitt des Wafers 11 entspricht, in Richtung der äußeren Umfangsabschnitte 11L und 11R bewegt wird. Es kann beispielsweise ein Pfad 1A, der in 6 gezeigt ist, eingenommen werden. Das heißt, der Pfad 1A ist ein Pfad, bei dem die Befestigungswalze 46 von dem zentralen Abschnitt 11C durch den äußeren Umfangsabschnitt 11L zu dem äußeren Umfangsabschnitt 11R bewegt wird. Ferner kann ein Pfad 11B, der in 6 gezeigt ist, ebenfalls eingenommen werden. Das heißt, der Pfad 11B ist ein Pfad, bei dem die Befestigungswalze 46 einmal von dem zentralen Abschnitt 11C zu dem äußeren Umfangsabschnitt 11L bewegt wird, anschließend zu dem zentralen Abschnitt 11C zurückgeführt wird, und danach wieder von dem zentralen Abschnitt 11C zu dem äußeren Umfangsabschnitt 11R bewegt wird.
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Durch Realisierung eines solchen Pfads, um die Befestigungswalze 46 von dem zentralen Abschnitt 11C in Richtung der äußeren Umfangsabschnitte 11L und 11R zu bewegen, kann die Fehlausrichtung zwischen den zentralen Abschnitten 20C und 11C bis zur Hälfte oder weniger im Vergleich zu dem Fall, dass die Befestigungswalze 46 von dem äußeren Umfangsabschnitt 11R zu dem äußeren Umfangsabschnitt 11L in einem Zug bewegt wird, unterdrückt werden. Dementsprechend kann die Fehlausrichtung zwischen der Haftschicht 22 und dem peripheren Randbereich 19 unterdrückt werden.
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Ferner wird, wie in 7 gezeigt, der Einrichtungsbereich des Wafers 11 durch die ringförmige Haftschicht 20 umgeben, und die Erhebungen 14, die auf der Vorderseite jeder Einrichtung 15 ausgebildet sind, sind in einem Raum 23 aufgenommen, der innerhalb der ringförmigen Haftschicht 22 definiert ist. Dementsprechend besteht keine Möglichkeit, dass die Haftschicht 22 an den Erhebungen 14 haftet, und dass der Rückstand der Haftschicht 22 auf der Vorderseite jeder Einrichtung 15 nach dem Abschälen des Haftbands 20 zurückbleiben kann.
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Wenn die Fehlausrichtung zwischen den zentralen Abschnitten 20C und 11C groß ist, tritt eine Problem auf, dass die Haftschicht 22 in dem Einrichtungsbereich 17 angeordnet sein kann und mit den Erhebungen 14 in der in 7 gezeigten Konfiguration in Kontakt kommen kann, sodass der Rückstand der Haftschicht 22 auf der Vorderseite jeder Einrichtung 15 nach dem Abschälen des Haftbands 20 zurückbleiben kann. In dem Fall, dass die auf der Vorderseite jeder Einrichtung 15 ausgebildeten Erhebungen 14 mit einer relativ hohen Dichte angeordnet sind, wie in 7 gezeigt, können die Erhebungen 14 in einem darauf folgenden Schritt des Schleifens der Rückseite des Wafers 11 als ein Stützelement eingesetzt werden.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung ist durch die angehängten Ansprüche definiert, und alle Veränderungen und Modifikationen, die in die Äquivalenz des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher als durch die Erfindung eingeschlossen zu betrachten.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 4462997 [0005]
- JP 4447280 [0005]
