DE102011012295B4 - MEMS microphone and method for manufacturing the MEMS microphone - Google Patents

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Abstract

Mikrofon- mit einem Träger (TR),- mit einem auf dem Träger (TR) montierten Wandlerelement (WE),- mit einer Abdeckung, wobei das Wandlerelement (WE) zwischen dem Träger (TR) und der Abdeckung eingeschlossen ist,- mit einer ersten Schalleintrittsöffnung (SO1), die im Träger (TR) vorbereitet aber verschlossen ist, und- mit einer zweiten Schalleintrittsöffnung (SO2) in der Abdeckung, wobei das Wandlerelement (WE) ein Rückvolumen (RV) aufweist, das gegenüber der ersten und der zweiten Schalleintrittsöffnung (SO1, SO2) verkapselt ist.Microphone- with a carrier (TR), - with a transducer element (WE) mounted on the carrier (TR), - with a cover, the transducer element (WE) being enclosed between the carrier (TR) and the cover, - with a first sound entry opening (SO1), which is prepared but closed in the carrier (TR), and - with a second sound entry opening (SO2) in the cover, the transducer element (WE) having a back volume (RV) that is opposite the first and the second Sound inlet opening (SO1, SO2) is encapsulated.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Mikrofon, bei dem ein Wandlerelement zwischen einem Träger und einer Abdeckung eingeschlossen ist. Das Wandlerelement kann akustische Signale, die durch eine Schalleintrittsöffnung eintreten, in elektrische Signale umwandeln.The present invention relates to a microphone in which a transducer element is enclosed between a carrier and a cover. The transducer element can convert acoustic signals that enter through a sound inlet opening into electrical signals.

Aus der US 2009/0001553A1 sind verschiedene Möglichkeiten bekannt, MEMS-Bauelemente (= micro-electro-mechanische Systeme) auf einem Träger aufzubringen und mit einer Kappe oder einer anderen Abdeckung abzudecken. Als Sensoren ausgebildete MEMS-Bauelemente, die für die Funktion des Bauelements eine fluidische Verbindung (z. B. für Gase oder Flüssigkeiten) des abgedeckten Innenraums nach außen benötigen, wie beispielsweise Mikrofone oder Drucksensoren, benötigen im Träger oder in der Abdeckung eine Öffnung.From the US 2009 / 0001553A1 Various possibilities are known for applying MEMS components (= micro-electro-mechanical systems) to a carrier and covering them with a cap or another cover. MEMS components designed as sensors that require a fluidic connection (e.g. for gases or liquids) of the covered interior to the outside, such as microphones or pressure sensors, require an opening in the carrier or in the cover for the function of the component.

Weit verbreitet sind Mikrofone mit unten liegender, also im Träger vorgesehener Schallöffnung. Der MEMS-Chip kann dabei die Schallöffnung von innen verschließen und somit das gesamte Gehäusevolumen als akustisches Referenz- oder Rückvolumen nutzen.Microphones with a sound opening at the bottom, i.e. provided in the carrier, are widespread. The MEMS chip can close the sound opening from the inside and thus use the entire housing volume as an acoustic reference or back volume.

Die elektrische Kontaktierung eines MEMS-Chips auf einem Trägersubstrat kann an der Unterseite des Mikrofons erfolgen, d. h. an der Seite des MEMS-Chips, die dem Trägersubstrat zugewandt ist. Externe Lötanschlüsse sind dann in der Regel mittels Durchkontaktierungen im Trägersubstrat an dessen Unterseite geführt. Ist auch die Schalleintrittsöffnung an der Unterseite des Mikrofons angeordnet, so lassen sich Funktionstests des Mikrofons einfach und effektiv durchführen, da ein elektrischer und ein akustischer Kontakt zu einer Testeinrichtung von der gleichen Seite her erstellt werden können.The electrical contacting of a MEMS chip on a carrier substrate can take place on the underside of the microphone, i. H. on the side of the MEMS chip that faces the carrier substrate. External solder connections are then usually made by means of plated-through holes in the carrier substrate on its underside. If the sound inlet opening is also arranged on the underside of the microphone, functional tests of the microphone can be carried out simply and effectively, since electrical and acoustic contact with a test device can be established from the same side.

Oftmals werden jedoch an die Akustik eines MEMS-Mikrofons Anforderungen gestellt, die eine Schalleintrittsöffnung an einer anderen Stelle verlangen. Insbesondere bei MEMS-Mikrofonen mit Schalleintrittsöffnungen an ungewöhnlicher Stelle besteht das Problem, dass die Funktionstests nunmehr deutlich aufwändiger sind. Ein elektrischer und ein akustischer Kontakt zu einer Testvorrichtung müssen hier von zwei verschiedenen Seiten aufgebaut werden. Alternativ kann auch eine Einzelhandhabung des Mikrofons in Funktionstests notwendig sein.However, the acoustics of a MEMS microphone are often subject to requirements that require a sound inlet opening at another point. Especially with MEMS microphones with sound entry openings at an unusual location, there is the problem that the functional tests are now significantly more complex. An electrical and an acoustic contact to a test device must be established from two different sides. Alternatively, it may also be necessary to handle the microphone individually in functional tests.

Ferner ist aus DE 103 03 263 A1 ein Mikrofon mit zwei Schalleintrittsöffnungen bekannt.Furthermore is off DE 103 03 263 A1 a microphone with two sound inlet openings is known.

Aus US 2009/0169035 A1 ist ferner bekannt, dass bei einem MEMS Wandler rückwärtige Öffnungen verschlossen werden können.Out US 2009/0169035 A1 it is also known that rearward openings can be closed in a MEMS converter.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein MEMS-Mikrofon anzugeben, welches eine Schalleintrittsöffnung an einer beliebigen Stelle aufweisen kann und welches dabei einfach zu testen ist.The object of the present invention is therefore to provide a MEMS microphone which can have a sound inlet opening at any point and which is easy to test.

Diese Aufgabe wird durch ein Mikrofon mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sowie ein Verfahren zur Herstellung des Mikrofons sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.This object is achieved by a microphone with the features of claim 1. Advantageous refinements and a method for producing the microphone can be found in further claims.

Es wird ein Mikrofon vorgeschlagen, das einen Träger, eine Abdeckung, ein auf dem Träger montiertes Wandlerelement, das zwischen dem Träger und der Abdeckung eingeschlossen ist, eine erste Schalleintrittsöffnung, die im Träger vorbereitet, aber verschlossen ist, und eine zweite Schalleintrittsöffnung in der Abdeckung aufweist.A microphone is proposed which has a carrier, a cover, a transducer element mounted on the carrier and enclosed between the carrier and the cover, a first sound inlet opening which is prepared in the carrier but is closed, and a second sound inlet opening in the cover having.

Ferner weist das Wandlerelement ein Rückvolumen auf, das gegenüber der ersten und der zweiten Schalleintrittsöffnung verkapselt ist.Furthermore, the transducer element has a back volume which is encapsulated with respect to the first and the second sound inlet opening.

Die erste Schalleintrittsöffnung, die im Träger ausgebildet ist, wird während der Herstellung zum Testen des Mikrofons verwendet. Dadurch wird ein einfaches und automatisiertes Testverfahren ermöglicht, bei dem vorzugsweise elektrische und akustische Kontaktierung von der Unterseite des Mikrofons her vorgenommen werden kann. Danach wird die erste Schalleintrittsöffnung verschlossen und es wird eine zweite Schalleintrittsöffnung an einer beliebigen Stelle ausgebildet. Dementsprechend ermöglicht das erfindungsgemäße Mikrofon ein einfaches und automatisiertes Testen und bietet gleichzeitig die Möglichkeit, die zweite Schalleintrittsöffnung an einer beliebigen Stelle anzuordnen, sodass eine größere Designfreiheit erreicht wird.The first sound entry opening formed in the carrier is used to test the microphone during manufacture. This enables a simple and automated test method in which electrical and acoustic contacting can preferably be carried out from the underside of the microphone. The first sound entry opening is then closed and a second sound entry opening is formed at any point. Accordingly, the microphone according to the invention enables simple and automated testing and at the same time offers the possibility of arranging the second sound inlet opening at any point, so that greater design freedom is achieved.

In einer Ausführung ist die erste Schalleintrittsöffnung mit einer kunststoffhaltigen Masse verschlossen. Bei dieser Masse kann es sich um einen Polymer handeln, der vorzugsweise durch ein Jetdruckverfahren aufgetragen wird. Bei einem Jetdruckverfahren wird ein flüssiges oder zähflüssiges Material über eine Düse ortsgenau und kontaktlos aufgebracht. Das Verfahren ermöglicht es, kleine Tröpfchen des kunststoffhaltigen Materials gezielt auf die erste Schalleintrittsöffnung „aufzuschießen“.In one embodiment, the first sound inlet opening is closed with a plastic-containing mass. This mass can be a polymer, which is preferably applied by a jet printing process. In a jet printing process, a liquid or viscous material is applied precisely and contactlessly via a nozzle. The process makes it possible to “shoot” small droplets of the plastic-containing material into the first sound inlet.

Alternativ kann die erste Schalleintrittsöffnung auch durch selektives Aufbringen (Dispensen) verschlossen werden. Hierbei sind Thermoplaste und Reaktionsharzmassen, gegebenenfalls in Mischung mit anderen Materialien wie Füllstoffen, geeignet.Alternatively, the first sound entry opening can also be closed by selective application (dispensing). Thermoplastics and reactive resin compositions, optionally in a mixture with other materials such as fillers, are suitable here.

Wird im Bereich der ersten Schalleintrittsöffnung eine geeignete lötbare Metallisierung, z. B. eine Lochwandauskleidung oder ein Ring um die Schalleintrittsöffnung, vorgesehen, so ist ein Verschluss auch durch Aufbringen und Umschmelzen von Lotpaste oder durch einen Jetdruck des geschmolzenen Lots möglich. Die erste Schalleintrittsöffnung kann somit auch durch lötbares Material, wie etwa Lotpaste oder geschmolzenes Lot, verschlossen werden.If a suitable solderable metallization, z. B. a perforated wall lining or a ring around the sound inlet opening is provided, so is a closure also possible by applying and remelting solder paste or by jet printing the melted solder. The first sound entry opening can thus also be closed by solderable material, such as solder paste or molten solder.

Es ist ferner auch möglich, die erste Schalleintrittsöffnung mit einem Formteil in der Art eines Stöpsels oder Aufklebers zu verschließen.It is also possible to close the first sound inlet opening with a molded part in the manner of a stopper or sticker.

In einer Ausführung sind Mittel zur elektrischen Kontaktierung des Wandlerelements auf der Seite des Wandlerelements vorgesehen, die dem Träger zugewandt ist. Dazu kann der Träger auf seiner dem Wandlerelement zugewandten Seite Anschlussflächen aufweisen und auf seiner dem Wandlerelement abgewandten Seite Kontaktpads. Ferner können die Anschlussflächen und Kontaktpads elektrisch über Durchkontaktierungen verbunden sein. Das Wandlerelement kann in Flip-Chip-Technik auf dem Träger montiert sein und über Bumps mit den Anschlussflächen des Trägers kontaktiert sein.In one embodiment, means for making electrical contact with the transducer element are provided on the side of the transducer element which faces the carrier. For this purpose, the carrier can have connection surfaces on its side facing the transducer element and contact pads on its side facing away from the transducer element. Furthermore, the connection areas and contact pads can be electrically connected via vias. The transducer element can be mounted on the carrier using flip-chip technology and can be contacted with the connection surfaces of the carrier via bumps.

Es ist aber auch möglich, das Wandlerelement konventionell mit Chipkleber zu befestigen und die elektrischen Verbindungen mit Bonddrähten herzustellen. Die Abdeckung kann dann beispielsweise aus einer Kappe oder einem Deckel bestehen.However, it is also possible to attach the converter element conventionally with chip adhesive and to make the electrical connections with bond wires. The cover can then consist, for example, of a cap or a lid.

In einer Ausführung weist das Mikrofon zumindest ein weiteres Bauelement auf, wobei das weitere Bauelement ebenfalls von der Abdeckung bedeckt ist. Bei dem weiteren Bauelement kann es sich um einen ASIC-Chip handeln. Alternativ können das Wandlerelement und der ASIC-Chip zu einem gemeinsamen Bauelement auf einem einzigen Chip kombiniert sein.In one embodiment, the microphone has at least one further component, the further component also being covered by the cover. The further component can be an ASIC chip. Alternatively, the converter element and the ASIC chip can be combined to form a common component on a single chip.

In einer Ausführung sind in dem Wandlerelement und in dem weiteren Bauelement jeweils ein Hohlraum ausgebildet. Die beiden Hohlräume können über einen Kanal oder anderweitig miteinander verbunden sein. Bei dem Hohlraum in dem Wandlerelement handelt es sich vorzugsweise um das Rückvolumen des Wandlerelements. Durch die Verbindung dieses Rückvolumens mit einem weiteren Hohlraum, der in dem ASIC-Chip ausgebildet ist, wird das Rückvolumen des Wandlerelements vergrößert und somit die Empfindlichkeit des Mikrofons verbessert.In one embodiment, a cavity is formed in the converter element and in the further component. The two cavities can be connected to one another via a channel or in some other way. The cavity in the transducer element is preferably the back volume of the transducer element. By connecting this back volume to a further cavity which is formed in the ASIC chip, the back volume of the transducer element is increased and thus the sensitivity of the microphone is improved.

In einer Ausführung werden das Wandlerelement und das weitere Bauelement aus zwei Wafern gebildet, die jeweils auf einer ihrer Flachseiten Ausnehmungen aufweisen und deren Flachseiten derart zusammengesetzt werden, dass die Ausnehmungen bei zusammengesetzten Wafern zusammen einen Hohlraum ausbilden. Einer der beiden Wafer kann dabei als Pressglas- oder Spritzgusswafer in einem Heißpräge- bzw. Spritzgussverfahren hergestellt werden. Die Ausnehmungen der beiden Wafer können genau aufeinander angepasst werden. Das Zusammensetzen von zwei Wafern erlaubt es, die Prozesszeiten für das Einbringen der Kavitäten zu reduzieren und ferner die Wanddicken zu minimieren.In one embodiment, the transducer element and the further component are formed from two wafers, each of which has recesses on one of its flat sides and whose flat sides are assembled in such a way that the recesses together form a cavity when wafers are assembled. One of the two wafers can be produced as a pressed glass or injection molding wafer in a hot stamping or injection molding process. The recesses of the two wafers can be exactly matched to one another. The combination of two wafers makes it possible to reduce the process times for inserting the cavities and also to minimize the wall thicknesses.

In einer Ausführung umfasst die Abdeckung des Mikrofons eine Abdeckfolie und zumindest eine Metallisierungsschicht.In one embodiment, the cover of the microphone comprises a cover film and at least one metallization layer.

In einem Verfahren zur Herstellung des Mikrofons wird ein Wandlerelement auf einem Träger montiert. Anschließend wird eine Abdeckung so über das Wandlerelement und den Träger angeordnet, dass das Wandlerelement zwischen Abdeckung und Träger eingeschlossen wird. Eine erste Schalleintrittsöffnung wird vorab in dem Träger vorgesehen oder wird nachträglich nach dem Anbringen der Abdeckung erzeugt. Nun wird ein Funktionstest des Mikrofons durchgeführt. Anschließend wird die erste Schalleintrittsöffnung verschlossen und eine zweite Schalleintrittsöffnung wird in der Abdeckung erzeugt. Hierbei können das Verschließen der ersten Schalleintrittsöffnung und das Erzeugen der zweiten Schalleintrittsöffnung in beliebiger Reihenfolge erfolgen.In a method for producing the microphone, a transducer element is mounted on a carrier. A cover is then placed over the transducer element and the carrier such that the transducer element is enclosed between the cover and the carrier. A first sound entry opening is provided in advance in the carrier or is created after the cover has been attached. Now a function test of the microphone is carried out. The first sound entry opening is then closed and a second sound entry opening is created in the cover. The first sound entry opening and the second sound entry opening can be closed in any order.

Ferner weist das Wandlerelement ein Rückvolumen auf, das gegenüber der ersten und der zweiten Schalleintrittsöffnung verkapselt ist.Furthermore, the transducer element has a back volume which is encapsulated with respect to the first and the second sound inlet opening.

Die erste Schalleintrittsöffnung wird durch eine kunststoffhaltige Masse verschlossen. Dabei kann es sich insbesondere um ein Polymer bzw. ein polymer-haltiges Material handeln, das durch ein Jetdruckverfahren auf die erste Schalleintrittsöffnung aufgebracht wird und das ferner bei Bedarf durch Belichtung und/oder thermisch ausgehärtet werden kann. Es kann auch ein geschmolzener Thermoplast in die erste Schalleintrittsöffnung eingespritzt werden, der beim Abkühlen erstarrt bzw. aushärtet.The first sound inlet opening is closed by a plastic-containing mass. This can be, in particular, a polymer or a polymer-containing material which is applied to the first sound inlet opening by a jet printing process and which, if required, can also be cured by exposure and / or thermally. A melted thermoplastic can also be injected into the first sound inlet opening, which solidifies or hardens on cooling.

Ein Jetdruckverfahren ist ein Verfahren zum gezielten kontaktlosen Aufbringen eines flüssigen oder zähflüssigen Materials. Es ermöglicht es, kleine Tröpfchen des kunststoffhaltigen Materials gezielt auf die erste Schalleintrittsöffnung „aufzuschießen“.A jet printing process is a process for the targeted contactless application of a liquid or viscous material. It makes it possible to "shoot" small droplets of the plastic-containing material in a targeted manner onto the first sound inlet.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren sind dabei nur schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt, sodass den Figuren weder absolute noch relative Maßangaben entnehmbar sind.

  • 1A bis 1E zeigen verschiedene Verfahrensstufen bei der Herstellung eines MEMS-Mikrofons mit zwei Schalleintrittsöffnungen,
  • 2 zeigt einen Funktionstest der MEMS-Mikrofone,
  • 3A und 3B zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel eines MEMS-Mikrofons,
  • 4A und 4B zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel eines MEMS-Mikrofons.
The invention is explained in more detail below on the basis of exemplary embodiments and the associated figures. The figures are only schematic and not to scale, so that neither absolute nor relative dimensions can be found in the figures.
  • 1A to 1E show different process stages in the production of a MEMS microphone with two sound inlet openings,
  • 2nd shows a function test of the MEMS microphones,
  • 3A and 3B show a second embodiment of a MEMS microphone,
  • 4A and 4B show a third embodiment of a MEMS microphone.

Die 1A bis 1E zeigen verschiedene Verfahrensstufen der Herstellung eines MEMS-Mikrofons. 1A zeigt ein MEMS-Mikrofon nach der Montage eines Wandlerelements WE und eines weiteren Bauelements BE auf einem Träger TR. Das Wandlerelement WE weist eine Membran MEM auf und ein Rückvolumen RV. Das Rückvolumen RV wird von einer ersten Abdeckung AD begrenzt, die auf Waferlevel aufgebracht wird. Bei der ersten Abdeckung AD handelt es sich um eine Folie. In dem Träger TR ist eine Schalleintrittsöffnung SO1 angeordnet.The 1A to 1E show different process stages of the production of a MEMS microphone. 1A shows a MEMS microphone after mounting a transducer element WE and another component BE on a support TR . The converter element WE exhibits a membrane MEM on and a back volume RV . The back volume RV is covered by a first cover AD limited, which is applied to the wafer level. At the first cover AD it is a slide. In the carrier TR is a sound inlet SO1 arranged.

Eine Abdeckfolie AF ist über den beiden Chips WE, BE derart aufgebracht, dass die Abdeckfolie AF mit dem Träger TR seitlich rundum abschließend abdichtet.A cover sheet AF is over the two chips WE , BE applied such that the cover film AF with the carrier TR finally seals on the sides.

Das Wandlerelement WE ist über Bumps BU elektrisch mit dem Träger TR kontaktiert. Der Träger TR weist auf seiner dem Wandlerelement WE zugewandten Seite Anschlussflächen ANF auf. Auf der dem Wandlerelement WE abgewandten Seite weist der Träger TR Kontaktpads KP auf. Die Kontaktpads KP und die Anschlussfläche ANF sind über Durchkontaktierungen DK miteinander verbunden.The converter element WE is about bumps BU electrically with the carrier TR contacted. The carrier TR points to the transducer element WE facing side pads REQU on. On the the converter element WE facing away from the carrier TR Contact pads KP on. The contact pads KP and the pad REQU are via vias DK connected with each other.

Dementsprechend befinden sich nun die elektrischen Kontaktierungen und der akustische Zugang des Mikrofons auf der Unterseite des Trägers TR. Funktionstests können nunmehr einfach und automatisiert durchgeführt werden.Accordingly, the electrical contacts and the acoustic access of the microphone are now on the underside of the carrier TR . Function tests can now be carried out easily and automatically.

Auch das weitere Bauelement (BE) ist in Flip-Chip-Technik mittels Bumps (BU) auf dem Träger montiert.The other component ( BE ) is in flip-chip technology using bumps ( BU ) mounted on the carrier.

Nach den Funktionstests wird ein weiterer Verfahrensschritt durchgeführt, der in 1B dargestellt ist.After the functional tests, a further process step is carried out, which in 1B is shown.

Dabei wird die erste Schalleintrittsöffnung SO1 in dem Träger TR verschlossen. Dazu wird durch ein Jetdruckverfahren ein Polymer in der ersten Schalleintrittsöffnung SO1 aufgebracht. Anschließend wird das Polymer ausgehärtet, z. B. durch Belichtung und/oder thermisch.This is the first sound inlet SO1 in the carrier TR locked. For this purpose, a polymer is created in the first sound inlet opening by means of a jet printing process SO1 upset. The polymer is then cured, e.g. B. by exposure and / or thermal.

Anschließend wird auf der Abdeckfolie AF eine Grundmetallisierung GM ganzflächig aufgebracht, beispielsweise durch eine Plasmaabscheidung oder durch Sputtern. Dazu wird ein Metall wie z. B. Ti oder eine Mischung oder eine Schichtenfolge von Metallen verwendet, die zum Einen gute Haftung auf der Abdeckfolie AF gewährleisten und zum Anderen gut als Wachstumsschicht zum späteren galvanischen Verstärken der Grundmetallisierung GM geeignet sind.Then on the cover film AF a basic metallization GM applied over the entire surface, for example by plasma deposition or by sputtering. For this, a metal such. B. Ti or a mixture or a layer sequence of metals is used, on the one hand good adhesion to the cover film AF guarantee and on the other hand good as a growth layer for later galvanic reinforcement of the base metallization GM are suitable.

Alternativ kann die Grundmetallisierung GM auf der Abdeckfolie AF ganzflächig aufgebracht werden bevor die erste Schalleintrittsöffnung SO1 in dem Träger TR, wie oben beschrieben, verschlossen wird.Alternatively, the basic metallization GM on the cover film AF be applied over the entire area before the first sound entry opening SO1 in the carrier TR , as described above, is closed.

1C zeigt das MEMS-Mikrofon nach dem nächsten Schritt. Die Grundmetallisierung GM wird galvanisch verstärkt. Vorzugsweise wird die Verstärkung so vorgenommen, dass eine zweite Schalleintrittsöffnung SO2 vorgebildet wird bzw. eine für eine zweite Schalleintrittsöffnung SO2 vorgesehene Fläche von der galvanischen Verstärkung ausgenommen wird. Dazu kann eine Resist-Struktur RS im Bereich der späteren zweiten Schalleintrittsöffnung SO2 auf der Grundmetallisierung GM erzeugt werden, beispielsweise durch Strukturierung einer Fotolackschicht. 1C shows the MEMS microphone after the next step. The basic metallization GM is galvanically reinforced. The reinforcement is preferably carried out in such a way that a second sound inlet opening SO2 is pre-formed or one for a second sound inlet opening SO2 intended area is excluded from the galvanic reinforcement. This can be done with a resist structure RS in the area of the later second sound inlet opening SO2 on the base metallization GM are generated, for example by structuring a photoresist layer.

Die galvanische Verstärkung der Grundmetallisierung GM kann beispielsweise durch galvanische Abscheidung von Kupfer als Leitschicht und einer weiteren Schicht als Korrosionsschutzschicht erfolgen, wobei die Leitschicht und die weitere Schicht zusammen eine Verstärkerschicht VS ausbilden. Beispielsweise werden ca. 50 µm Cu und einige µm Nickel nacheinander galvanisch über der Grundmetallisierung GM erzeugt. 1D zeigt die Anordnung nach dem galvanischen Abscheiden der Verstärkerschicht VS und nach dem Entfernen der Resist-Struktur RS. Eine Öffnung in der Verstärkerschicht VS befindet sich nach dem Entfernen der Resist-Struktur RS da, wo die Resist-Struktur RS eine galvanische Verstärkung der Grundmetallisierung GM verhindert hat.The galvanic reinforcement of the basic metallization GM can be done, for example, by electrodeposition of copper as a conductive layer and a further layer as a corrosion protection layer, the conductive layer and the further layer together being a reinforcing layer VS form. For example, approx. 50 µm Cu and a few µm Nickel are successively galvanized over the base metallization GM generated. 1D shows the arrangement after the galvanic deposition of the amplifier layer VS and after removing the resist pattern RS . An opening in the reinforcement layer VS is after removing the resist pattern RS where the resist structure RS galvanic reinforcement of the base metallization GM prevented.

1E zeigt das MEMS-Mikrofon nach seiner Herstellung. Eine vollständige Durchbrechung der Abdeckung zur Erzeugung der zweiten Schalleintrittsöffnung SO2 gelingt nun beispielsweise durch Laserbohren. Da nur eine relativ dünne Metallschicht, die Grundmetallisierung GM, sowie eine vorzugsweise aus Kunststoff bestehende Abdeckfolie AF zu durchbrechen ist, gelingt dies mit relativ geringen Intensitäten und in kontrollierter Weise, sodass eine Beschädigung unterhalb der zweiten Schalleintrittsöffnung SO2 gelegener Komponenten des MEMS-Mikrofons erfolgreich verhindert werden kann. Zum Öffnen der Grundmetallisierung GM im Bereich der zweiten Schalleintrittsöffnung SO2 sind beispielsweise CO2-, YAG- oder UV-Laser geeignet. 1E shows the MEMS microphone after its manufacture. A complete breakthrough of the cover to create the second sound entry opening SO2 is now possible, for example, through laser drilling. Since only a relatively thin layer of metal, the basic metallization GM , and a cover film, preferably made of plastic AF can be broken through, this succeeds with relatively low intensities and in a controlled manner, so that damage below the second sound inlet opening SO2 located components of the MEMS microphone can be successfully prevented. To open the base metallization GM in the area of the second sound inlet SO2 For example, CO 2 , YAG or UV lasers are suitable.

In einer Variante des Verfahrens kann die Resist-Struktur RS auch aufgedruckt werden. Vorzugsweise wird die Resist-Struktur RS in einer lateralen Ausdehnung erzeugt, die mindestens der doppelten Dicke der späteren Verstärkungsschicht VS entspricht. Auf diese Weise wird ein Überwachsen der Resist-Struktur RS bei der galvanischen Abscheidung vermieden. Nach dem Durchbrechen der Grundmetallisierung GM kann die Abdeckfolie AF mit niedrigeren Laserintensitäten bearbeitet werden, um die zweite Schalleintrittsöffnung SO2 vollständig zu öffnen bzw. durch alle Schichten der Abdeckung hindurch zu führen.In a variant of the method, the resist structure RS can also be printed. The resist structure is preferred RS generated in a lateral extent that is at least twice the thickness of the subsequent reinforcement layer VS corresponds. In this way an overgrowth the resist structure RS avoided during galvanic deposition. After breaking through the base metallization GM can the cover sheet AF can be processed with lower laser intensities to the second sound entry opening SO2 open completely or pass through all layers of the cover.

Ferner kann in einem weiteren Schritt eine Dichtstruktur rund um die zweite Schalleintrittsöffnung SO2 erzeugt werden, was durch Strukturieren einer Polymerschicht, beispielsweise einer Fotolackschicht, durch Aufdrucken oder alternativ durch Aufkleben oder sonstiges Befestigen einer vorgefertigten Dichtstruktur erfolgen kann.Furthermore, in a further step, a sealing structure around the second sound inlet opening SO2 are generated, which can be done by structuring a polymer layer, for example a photoresist layer, by printing or alternatively by gluing or otherwise attaching a prefabricated sealing structure.

Alternativ kann auf die Resiststruktur RS verzichtet werden. Setzt man etwa bei einem Laserbohrprozessen eine Endpunktdetektion - z. B. durch Plasma-Spektralanalyse - ein, so kann die zweite Schalleintrittsöffnung durch die volle Metallisierungsdichte gebohrt werden, ohne dass unzulässige Beschädigungen darunter liegender Teile in Kauf genommen werden müssen.Alternatively, the resist structure RS to be dispensed with. If you set an end point detection in a laser drilling process - e.g. B. by plasma spectral analysis - a, so the second sound inlet opening can be drilled through the full metallization density, without having to accept undue damage to underlying parts.

Ferner kann der Häusungsprozess auch grundsätzlich anders erfolgen, etwa durch Befestigung einer vorgeformten Kappe oder eines Deckels über dem Chip. Entscheidend ist die Ausgestaltung der ersten Schalleintrittsöffnung SOl auf der Bauteilkontaktseite, der Wiederverschluss der ersten Schalleintrittsöffnung SO1 und das Erstellen der zweiten Schalleintrittsöffnung SO2 nach dem Funktionstest.Furthermore, the packaging process can also be fundamentally different, for example by attaching a preformed cap or a cover over the chip. The decisive factor is the design of the first sound entry opening SO1 on the component contact side, the reclosure of the first sound entry opening SO1 and creating the second sound entry opening SO2 after the function test.

2 zeigt das Testverfahren, mit dem die gefertigten MEMS-Mikrofone auf ihre Funktionsfähigkeit getestet werden. Die Mikrofone MIK werden parallel aus einem Wafer gefertigt und anschließend in einzelne Mikrofone vereinzelt. Für den Funktionstest wird eine Testapparatur TA verwendet, die einen Lautsprecher LS, eine Schallaustrittsöffnung SAO und ein Referenzmikrofon RM aufweist. Die Testapparatur TA wird über der Schalleintrittsöffnung SO2 des zu testenden Mikrofons MIK derart justiert, dass Schallaustrittsöffnung SAO der Testapparatur TA und Schalleintrittsöffnung SO2 des Mikrofons MIK übereinander liegen. Für die Feinjustierung kann eine Kamera CAM eingesetzt werden. Durch die Schallaustrittsöffnung SAO und die Schalleintrittsöffnungen SO2 sind Testapparatur TA und Mikrofon MIK akustisch miteinander gekoppelt. 2nd shows the test procedure with which the manufactured MEMS microphones are tested for their functionality. The microphones MIK are manufactured in parallel from a wafer and then separated into individual microphones. A test apparatus is used for the function test TA used a speaker LS , a sound outlet SAO and a reference microphone RM having. The test equipment TA is above the sound inlet SO2 of the microphone to be tested MIK adjusted so that sound outlet opening SAO the test equipment TA and sound inlet SO2 of the microphone MIK lie on top of each other. A camera can be used for fine adjustment CAM be used. Through the sound outlet SAO and the sound inlets SO2 are test equipment TA and microphone MIK acoustically coupled.

Ferner weist die Testapparatur TA eine elektrische Kontaktvorrichtung EKV auf, die eine elektrische Kontaktierung des Mikrofons MIK ermöglicht. Durch eine Relativbewegung der Testapparatur TA und der auf einem Band BA angeordneten Mikrofone MIK zueinander können mehrere Mikrofone MIK nacheinander getestet werden.Furthermore, the test equipment TA an electrical contact device EKV on the electrical contacting of the microphone MIK enables. By a relative movement of the test equipment TA and the one on a tape BA arranged microphones MIK several microphones can be used together MIK be tested one after the other.

3A und 3B zeigen schematisch eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Mikrofons. 3A zeigt ein erfindungsgemäßes Mikrofon in einer Seitenansicht. 3B zeigt einen Querschnitt durch das in 3A dargestellte Mikrofons entlang der Linie B-B'. 3A and 3B schematically show a second embodiment of the microphone according to the invention. 3A shows an inventive microphone in a side view. 3B shows a cross section through the in 3A Microphones shown along the line B-B '.

Bei dem in den 3A und 3B gezeigten Mikrofon sind das Wandlerelement WE und das weitere Bauelement BE zu einem einzigen Chip CH zusammengefasst. Der Chip CH weist eine Öffnung auf, die in die zweite Schalleintrittsöffnung SO2 mündet. In dem Wandlerelement WE ist ein Rückvolumen RV ausgebildet.In the in the 3A and 3B microphone shown are the transducer element WE and the other component BE into a single chip CH summarized. The chip CH has an opening into the second sound inlet opening SO2 flows. In the converter element WE is a back volume RV educated.

Der in den 3A und 3B dargestellte Chip CH wird aus einem Wafer aus Halbleitermaterial, beispielsweise aus einem Siliziumwafer, gefertigt. Auf der dem Träger TR zugewandten Unterseite des Chips werden Bauelementstrukturen BES sowie eine Membran MEM strukturiert. Bei den Bauelementstrukturen kann es sich beispielsweise um integrierte Schaltungen, insbesondere ASIC-Strukturen handeln.The one in the 3A and 3B illustrated chip CH is manufactured from a wafer made of semiconductor material, for example from a silicon wafer. On the carrier TR facing bottom of the chip are device structures BES as well as a membrane MEM structured. The component structures can be, for example, integrated circuits, in particular ASIC structures.

Auf der vom Träger TR abgewandten Oberseite des Chips CH sind in Trocken- oder Nassätzverfahren Ausnehmungen RV, HO und ein oder mehrere Kanäle KA geätzt. Die Ausnehmungen und die Kanäle sind mit einer ersten Abdeckung AD verschlossen und können auf dem Träger mit einer weiteren Abdeckung versehen werden, deren Struktur und Aufbringung in den 1A bis 1E beschrieben ist. Alle Fertigungsschritte des Chips inklusive erster Abdeckung können auf Waferlevel erfolgen. Nach dem Vereinzeln der Chips erfolgt deren Montage auf dem Träger und die weitere Abdeckung mit der Abdeckfolie AF.On the carrier TR facing away from the top of the chip CH are recesses in dry or wet etching processes RV , HO and one or more channels KA etched. The recesses and the channels are covered with a first cover AD closed and can be provided on the carrier with another cover, the structure and application in the 1A to 1E is described. All manufacturing steps of the chip, including the first covering, can take place at wafer level. After the chips have been separated, they are mounted on the carrier and further covered with the cover film AF .

Die erste Abdeckung AD, die auf Waferebene aufgebrachte wird, kann eine Folie sein. Diese verhindert, dass die Abdeckfolie AF in das Rückvolumen RV eindringen kann. Auf diese Weise kann die Reproduzierbarkeit eines exakten Rückvolumens RV gewährleistet werden.The first cover AD that is applied at the wafer level can be a film. This prevents the cover film AF in the back volume RV can penetrate. In this way the reproducibility of an exact back volume can be achieved RV be guaranteed.

3B zeigt einen Querschnitt durch das in 3A dargestellte Mikrofons entlang der Linie B-B'. Das Rückvolumen RV des Wandlerelements WE ist über die Kanäle KA mit einem Hohlraum HO, der in dem weiteren Bauelement BE ausgebildet ist, verbunden ist. Die Kanäle KA umschließen dabei die zweite Schalleintrittsöffnung SO2. 3B shows a cross section through the in 3A Microphones shown along the line B-B ' . The back volume RV of the transducer element WE is across the channels KA with a cavity HO that in the other component BE is formed, is connected. The canals KA enclose the second sound inlet opening SO2 .

4A und 4B zeigen schematisch eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Mikrofons. 4A zeigt ein erfindungsgemäßes Mikrofon in einer Seitenansicht. 4B zeigt einen Querschnitt durch das in 4A dargestellte Mikrofons entlang der Linie B-B'. 4A and 4B schematically show a third embodiment of the microphone according to the invention. 4A shows an inventive microphone in a side view. 4B shows a cross section through the in 4A Microphones shown along the line B-B ' .

Hier sind das weitere Bauelement BE und das Wandlerelement WE ebenfalls zu einem einzigen Chip CH zusammengefasst. Der Chip CH wird durch Verbinden zweier Wafer WF1, WF2 gebildet, wobei jeder Wafer WF1, WF2 auf der dem gegenüberliegenden Wafer WF1, WF2 zugewandten Seite Ausnehmungen aufweist. Nun werden die beiden Wafer WF1, WF2 so zusammengesetzt, dass ihre Ausnehmungen sich paarweise zu Hohlräumen HO ergänzen. Wiederum ist das Rückvolumen RV des Wandlerelements WE über Kanäle KA mit einem Hohlraum HO im weiteren Bauelement BE verbunden.Here are the other component BE and the transducer element WE also to a single chip CH summarized. The chip CH is done by connecting two wafers WF1 , WF2 formed with each wafer WF1 , WF2 on the opposite wafer WF1 , WF2 facing side has recesses. Now the two wafers WF1 , WF2 composed in such a way that their recesses form cavities in pairs HO complete. Again, the back volume RV of the transducer element WE through channels KA with a cavity HO in the other component BE connected.

Der erste Wafer WF1 ist zwischen dem Träger TR und dem zweiten Wafer WF2 angeordnet. Der erste Wafer WF1 besteht im Wesentlichen aus einem Halbleitermaterial, beispielsweise aus Silizium. Auf der Unterseite des ersten Wafers WF1, die dem Träger TR zugewandt ist, sind Bauelementstrukturen BES und eine Membran MEM strukturiert. Auf der Oberseite des ersten Wafers WF1 sind Ausnehmungen eingeätzt. Nach dem Zusammensetzten der beiden Wafer WF1, WF2 bilden diese Ausnehmungen einen Teil des Rückvolumens RV, HO des Wandlerelements WE.The first wafer WF1 is between the carrier TR and the second wafer WF2 arranged. The first wafer WF1 consists essentially of a semiconductor material, for example silicon. On the bottom of the first wafer WF1 that the wearer TR facing are component structures BES and a membrane MEM structured. On top of the first wafer WF1 recesses are etched. After assembling the two wafers WF1 , WF2 these recesses form part of the back volume RV , HO of the transducer element WE .

Der zweite Wafer WF2 ist auf der Oberseite des ersten Wafers WF1 angeordnet, d. h. auf der Seite des ersten Wafers WF1, die dem Träger TR abgewandt ist. Der zweite Wafer WF2 kann im Wesentlichen aus einem Kunststoff oder aus Glas bestehen. Er kann in einem Druckguss-, Spritzguss- oder Heißprägeverfahren geformt werden. Dabei werden auf der Unterseite des zweiten Wafers, d. h. auf der Seite, die dem ersten Wafer WF1 zugewandt ist, Ausnehmungen strukturiert. Werden der erste und der zweite Wafer WF1, WF2 an ihren Flachseiten zusammengesetzt, so bilden die Ausnehmungen im ersten und im zweiten Wafer Hohlräume HO, RV aus, die als Rückvolumen des Wandlerelements WE dienen.The second wafer WF2 is on top of the first wafer WF1 arranged, ie on the side of the first wafer WF1 that the wearer TR is turned away. The second wafer WF2 can essentially consist of a plastic or glass. It can be molded in a die casting, injection molding or hot stamping process. In this case, on the underside of the second wafer, ie on the side that the first wafer WF1 facing recesses structured. Become the first and second wafers WF1 , WF2 Assembled on their flat sides, the recesses in the first and second wafers form cavities HO , RV from that as the back volume of the transducer element WE serve.

Ferner werden in der Fügefläche mindestens eines der Wafer WF1, WF2 Kanäle KA strukturiert, die bei zusammengesetzten Wafern WF1, WF2 die Hohlräume miteinander verbinden.Furthermore, at least one of the wafers is in the joining surface WF1 , WF2 channels KA structured that with composite wafers WF1 , WF2 connect the cavities together.

Neben der Fertigung des Mikrofons auf Waferlevel ist es natürlich auch möglich, zuerst die beiden Wafer zu verbinden, die Mikrofone zu vereinzeln und dann auf den Träger zu montieren. Ebenfalls möglich ist es, aus dem ersten Wafer vereinzelte Chips zu montieren und erst danach mit einem zweiten Chip zu verbinden und abzudecken. Die Abdeckung von erstem und zweiten Chip z.B. mittels einer über dem Chip (erster und zweiter Chip) aufgebrachten Abdeckfolie erfolgt in allen Fällen auf dem Träger.In addition to manufacturing the microphone at wafer level, it is of course also possible to first connect the two wafers, separate the microphones and then mount them on the carrier. It is also possible to assemble individual chips from the first wafer and only then to connect and cover them with a second chip. Covering the first and second chip e.g. in all cases by means of a cover film applied over the chip (first and second chip) on the carrier.

Es zeigt sich, dass mit der beschriebenen Anordnung von Wandlerelement WE, weiterem Bauelement BE und zweiter Schallöffnung SO2 eine akustische Performance des Mikrofons erreichen kann, die derjenigen eines identischen Mikrofons mit Schallöffnung nach unten entspricht.It turns out that with the arrangement of transducer element described WE , further component BE and second sound opening SO2 can achieve an acoustic performance of the microphone that corresponds to that of an identical microphone with sound opening downwards.

BezugszeichenlisteReference symbol list

WE -WE -
WandlerelementConverter element
BE -BE -
weiteres Bauelementanother component
TR -TR -
Trägercarrier
MEM -MEM -
Membranmembrane
RV -RV -
RückvolumenBack volume
SO1 -SO1 -
erste Schalleintrittsöffnungfirst sound inlet
AF -AF -
AbdeckfolieCover film
BU -BU -
BumpBump
ANF -ANF -
AnschlussflächePad
KP -KP -
KontaktpadContact pad
DK -DK -
DurchkontaktierungPlated-through hole
GM -GM -
GrundmetallisierungBase metallization
SO2 -SO2 -
zweite Schalleintrittsöffnungsecond sound inlet
RS -RS -
Resist-StrukturResist structure
VS -VS -
Verstärker-SchichtAmplifier layer
MIK -MIK -
Mikrofonmicrophone
TA -TA -
TestapperaturTest equipment
LS -LS -
Lautsprecherspeaker
SAO -SAO -
SchallaustrittsöffnungSound outlet opening
RM -RM -
ReferenzmikrofonReference microphone
CAM -CAM -
Kameracamera
EKV -EKV -
elektrische Kontaktvorrichtungelectrical contact device
BA -BA -
Bandtape
CH -CH -
Chipchip
KA -KA -
Kanalchannel
HO -HO -
Hohlraumcavity
WF1, WF2 -WF1, WF2 -
erster bzw. zweiter Waferfirst and second wafers
BES -BES -
BauelementstrukturenDevice structures
AD -AD -
erste Abdeckungfirst cover

Claims (17)

Mikrofon - mit einem Träger (TR), - mit einem auf dem Träger (TR) montierten Wandlerelement (WE), - mit einer Abdeckung, wobei das Wandlerelement (WE) zwischen dem Träger (TR) und der Abdeckung eingeschlossen ist, - mit einer ersten Schalleintrittsöffnung (SO1), die im Träger (TR) vorbereitet aber verschlossen ist, und - mit einer zweiten Schalleintrittsöffnung (SO2) in der Abdeckung, wobei das Wandlerelement (WE) ein Rückvolumen (RV) aufweist, das gegenüber der ersten und der zweiten Schalleintrittsöffnung (SO1, SO2) verkapselt ist.Microphone - with a carrier (TR), - with a transducer element (WE) mounted on the carrier (TR), - with a cover, the transducer element (WE) being enclosed between the carrier (TR) and the cover, with a first sound entry opening (SO1), which is prepared but closed in the carrier (TR), and - with a second sound entry opening (SO2) in the cover, the transducer element (WE) having a back volume (RV) that is opposite the first and the second sound inlet opening (SO1, SO2) is encapsulated. Mikrofon gemäß Anspruch 1, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) mit einer kunststoffhaltigen Masse verschlossen ist.Microphone according to Claim 1 , in which the first sound inlet opening (SO1) is closed with a plastic-containing mass. Mikrofon gemäß Anspruch 1, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) mit Lot verschlossen ist.Microphone according to Claim 1 , in which the first sound inlet opening (SO1) is closed with solder. Mikrofon gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Wandlerelement (WA) auf der Seite, die dem Träger (TR) zugewandt ist, Mittel zur elektrischen Kontaktierung aufweist.Microphone according to one of the Claims 1 to 3rd , in which the transducer element (WA) on the side facing the carrier (TR) has means for electrical contacting. Mikrofon gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Träger (TR) auf seiner dem Wandlerelement (WE) zugewandten Seite Anschlussflächen (ANF) aufweist, bei dem der Träger (TR) auf seiner dem Wandlerelement (WE) abgewandten Seite Kontaktpads (KP) aufweist, bei dem der Träger (TR) Durchkontaktierungen (DK) aufweist, die die Anschlussflächen (ANF) elektrisch mit den Kontaktpads (KP) kontaktieren, bei dem das Wandlerelement (WE) in Flip-Chip Technik auf dem Träger (TR) montiert ist, und bei dem das Wandlerelement (WE) über Bumps (BU) mit den Anschlussflächen (ANF) kontaktiert ist.Microphone according to one of the Claims 1 to 4th , in which the carrier (TR) has connection surfaces (ANF) on its side facing the transducer element (WE), in which the carrier (TR) has contact pads (KP) on its side facing away from the transducer element (WE), in which the carrier ( TR) has plated-through holes (DK) which contact the connection surfaces (ANF) electrically with the contact pads (KP), in which the transducer element (WE) is mounted on the carrier (TR) using flip-chip technology, and in which the transducer element ( WE) is contacted via bumps (BU) with the connection surfaces (ANF). Mikrofon gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Wandlerelement (WA) über Bonddrähte mit dem Träger (TR) elektrisch kontaktiert ist.Microphone according to one of the Claims 1 to 4th , in which the transducer element (WA) is electrically contacted with the carrier (TR) via bond wires. Mikrofon gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, das zumindest ein Halbleiter-Bauelement (BE) aufweist, wobei das Halbleiter-Bauelement (BE) von der Abdeckung bedeckt wird.Microphone according to one of the Claims 1 to 5 , which has at least one semiconductor component (BE), the semiconductor component (BE) being covered by the cover. Mikrofon gemäß Anspruch 7, bei dem in dem Wandlerelement (WE) und in dem Halbleiter-Bauelement (BE) je ein Hohlraum (RV, HO) ausgebildet ist, und bei dem die beiden Hohlräume (RV, HO) über einen Kanal (KA) miteinander verbunden sind.Microphone according to Claim 7 , in each of which a cavity (RV, HO) is formed in the converter element (WE) and in the semiconductor component (BE), and in which the two cavities (RV, HO) are connected to one another via a channel (KA). Mikrofon gemäß Anspruch 7 oder 8, bei dem das Wandlerelement (WE) und das Halbleiter-Bauelement (BE) in zwei Wafern (WF1, WF2) ausgebildet werden, die jeweils auf einer ihrer Flachseiten eine Ausnehmung aufweisen, und bei dem die Flachseiten im Mikrofon derart zusammengesetzt sind, dass die Ausnehmungen zusammen einen verbundenen Hohlraum (HO) ausbilden.Microphone according to Claim 7 or 8th , in which the transducer element (WE) and the semiconductor component (BE) are formed in two wafers (WF1, WF2), each of which has a recess on one of its flat sides, and in which the flat sides in the microphone are composed such that the Form recesses together into a connected cavity (HO). Mikrofon gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die Abdeckung eine Abdeckfolie und eine Metallisierungsschicht umfasst.Microphone according to one of the Claims 1 to 9 , in which the cover comprises a cover film and a metallization layer. Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons nach einem der Ansprüche 1-10, bei dem ein Wandlerelement (WE) auf einem Träger (TR) montiert wird, bei dem eine Abdeckung so über dem Wandlerelement (WE) und den Träger (TR) angeordnet wird, dass das Wandlerelement (WE) zwischen der Abdeckung und dem Träger (TR) eingeschlossen wird, bei dem eine erste Schalleintrittsöffnung (SO1) in dem Träger (TR) erzeugt wird, bei dem ein Funktionstest des Mikrofons durchgeführt wird, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) verschlossen wird, bei dem eine zweite Schalleintrittsöffnung (SO2) in der Abdeckung erzeugt wird, wobei das Wandlerelement (WE) ein Rückvolumen (RV) aufweist, das gegenüber der ersten und der zweiten Schalleintrittsöffnung (SO1, SO2) verkapselt ist.Method for producing a microphone according to one of the Claims 1 - 10th , in which a transducer element (WE) is mounted on a carrier (TR), in which a cover is arranged above the transducer element (WE) and the carrier (TR) such that the transducer element (WE) between the cover and the carrier ( TR) is included, in which a first sound entry opening (SO1) is created in the carrier (TR), in which a functional test of the microphone is carried out, in which the first sound entry opening (SO1) is closed, in which a second sound entry opening (SO2) is generated in the cover, the transducer element (WE) having a back volume (RV) which is encapsulated with respect to the first and the second sound inlet opening (SO1, SO2). Verfahren gemäß Anspruch 11, bei dem die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) durch eine kunststoffhaltige Masse oder durch Lot verschlossen wird.Procedure according to Claim 11 , in which the first sound inlet opening (SO1) is closed by a plastic-containing mass or by solder. Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem die kunststoffhaltige Masse, durch die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) verschlossen wird, ein Polymer-haltiges Material ist, das in einem Jetdruckverfahren auf die erste Schalleintrittsöffnung (SO1) aufgebracht und durch Belichtung und/oder thermisch ausgehärtet wird.Procedure according to Claim 12 , in which the plastic-containing mass is closed by the first sound entry opening (SO1) is a polymer-containing material which is applied to the first sound entry opening (SO1) in a jet printing process and is cured by exposure and / or thermally. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11-13, bei dem vor dem Aufbringen der Abdeckung ein Halbleiter-Bauelement (BE) auf dem Träger (TR) montiert wird.Method according to one of the Claims 11 - 13 , in which a semiconductor component (BE) is mounted on the carrier (TR) before the cover is applied. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11-14, bei dem das Wandlerelement (WE) in Flip-Chip Technik auf dem Träger (TR) montiert wird.Method according to one of the Claims 11 - 14 , in which the converter element (WE) is mounted on the carrier (TR) using flip-chip technology. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11-14, bei dem eine Folie (AF) auf das Wandlerelement (WE) und den Träger (TR) auflaminiert wird.Method according to one of the Claims 11 - 14 , in which a film (AF) is laminated onto the transducer element (WE) and the carrier (TR). Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem eine Metallisierungsschicht (GM, VS) über der Folie (AF) aufgebracht wird.Procedure according to Claim 16 , in which a metallization layer (GM, VS) is applied over the film (AF).
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