DE102008047215A1 - X-ray source e.g. ring tube type X-ray source, for use in e.g. computed tomography scanner, for radiographing examination object, has thin-layer anode, where X-ray radiation bundles are formed from X-ray emission parts emerging from anode - Google Patents
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Abstract
Description
Die
Erfindung betrifft eine Röntgenquelle sowie einen Röntgenscanner
mit einer solchen Röntgenquelle, wie sie beispielsweise
aus der
Zur Erzeugung von Röntgenstrahlen werden von einer Elektronenquelle ausgehende Elektronen auf eine Anode beschleunigt. Zu diesem Zweck liegt zwischen der Elektronenquelle und der Anode eine hohe elektrische Potentialdifferenz an, so dass die von der Elektronenquelle ausgehenden Elektronen stark beschleunigt werden und mit einer Energie von ca. 30 bis 300 KeV auf die Anode treffen. Beim Auftreffen der Elektronen auf das Anodenmaterial, beispielsweise Wolfram, entsteht die Röntgenstrahlung. Bei diesem Prozess wird jedoch lediglich ca. 1% der in das Anodenmaterial eingebrachten Leistung in Röntgenstrahlung umgewandelt, der übrige Teil liegt in Form von Abwärme vor, und muss aus dem Anodenmaterial abgeführt werden.to Generation of X-rays are from an electron source accelerating outgoing electrons to an anode. To this end Between the electron source and the anode is a high electrical Potential difference, so that emanating from the electron source Electrons are strongly accelerated and with an energy of approx. 30 to 300 KeV hit the anode. Upon impact of the electrons on the anode material, such as tungsten, the X-radiation is formed. at However, this process is only about 1% of the anode material converted power converted into X-rays, the rest is in the form of waste heat, and must be removed from the anode material.
Der Leistungssteigerung von Röntgenquellen sind vor allem aufgrund des hohen thermischen Verlustanteils Grenzen gesetzt. So kann zur Erzeugung intensiver Röntgenstrahlung die Leistung der Elektronenquelle nicht beliebig vergrößert werden, da das Anodenmaterial ansonsten aufzuschmelzen droht, wodurch die Anode zerstört wird. Die Anforderungen hinsichtlich der Röntgenemissionsleistung moderner Röntgenquellen steigt jedoch stetig, da mit steigender Röntgenleistung höhere Auflösungen und kürzerer Messzeiten erzielt werden können.Of the Performance increase of x-ray sources are mainly due to of the high thermal loss ratio limits. So can to Generation of intense X-radiation the power of the electron source can not be increased arbitrarily, since the anode material otherwise it threatens to melt, which destroys the anode becomes. The requirements for the X-ray emission performance more modern However, X-ray sources is increasing steadily, as rising X-ray power higher resolutions and shorter Measuring times can be achieved.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Röntgenquelle sowie einen Röntgenscanner mit einer solchen Röntgenquelle anzugeben, deren emittierte Strahlungsleistung verbessert ist.task The present invention is an X-ray source as well an x-ray scanner with such an x-ray source indicate whose emitted radiation power is improved.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Röntgenquelle mit den Merkmalen nach Anspruch 1 sowie durch einen Röntgenscanner mit den Merkmalen nach Anspruch 14.The Task is solved by an X-ray source with the features of claim 1 and by an X-ray scanner with the features of claim 14.
Die erfindungsgemäße Röntgenquelle umfasst eine Elektronenquelle und eine Dünnschichtanode, wobei ein von der Elektronenquelle ausgehender Elektronenstrahl auf eine diesem zugewandte Vorderseite der Dünnschichtanode gerichtet ist. Dieser ruft in der Dünnschichtanode ein Anregungszentrum hervor, von dem eine Röntgenemission ausgeht. Aus einem auf der Vorderseite der Dünnschichtanode austretenden Teil der Röntgenemission wird ein erstes Röntgenstrahlbündel gebildet, aus einem auf der dem Elektronenstrahl abgewandten Rückseite der Dünnschichtanode austretenden Teil der Röntgenemission wird ein zweites Röntgenstrahlbündel gebildet.The X-ray source according to the invention comprises an electron source and a thin film anode, wherein an outgoing electron beam from the electron source to a directed to this facing front of the thin-film anode is. This calls an excitation center in the thin-film anode from which an X-ray emission emanates. From a on the front of the thin-film anode emerging part the X-ray emission becomes a first X-ray beam formed from a remote on the electron beam backside the thin-film anode emerging part of the X-ray emission a second x-ray beam is formed.
Der
Konstruktion der Röntgenquelle liegt die folgende Erkenntnis
zugrunde:
Der auf die Anode auftreffende Elektronenstrahl erzeugt
in dem Anodenmaterial ein Anregungszentrum, von welchem die Röntgenstrahlung
in nahezu isotroper räumlicher Verteilung ausgeht. Bei
herkömmlichen Anoden wird die erzeugte Strahlung lediglich
in einem geringen Raumwinkel genutzt. Der übrige Teil der
Röntgenstrahlung wird ungenutzt von der Anode oder dem
Gehäuse der Röntgenquelle absorbiert. Die erfindungsgemäße
Röntgenquelle verwendet eine Dünnschichtanode,
die unter einem flachen Winkel bestrahlt wird. Die Verwendung einer Dünnschichtanode
ist dabei zwingend vorgesehen, da bei dickeren Anoden ein Teil der
Röntgenstrahlung von dem Anodenmaterial selbst absorbiert
wird, und somit nicht mehr zur Verfügung steht. Bei einer Dünnschichtanode
steht im Vergleich zu einer herkömmlichen Anode die doppelte
Strahlungsleistung zur Verfügung, denn bei der oben genannten
Konstruktion wird sowohl derjenige Teil der Röntgenemission,
welcher aus der Vorderseite der Dünnschichtanode austritt
als auch derjenige Teil, welcher aus der dem Elektronenstrahl abgewandten
Rückseite der Dünnschichtanode austritt als Röntgenemission
ge nutzt. Die emittierte Strahlungsleistung der Röntgenquelle
kann somit erhöht werden. Die Röntgenquelle weist
zwei nutzbare Röntgenstrahlbündel auf, wodurch
u. a. gleichzeitig zwei Bereiche eines mit dieser bestrahlten Untersuchungsobjektes
untersucht werden können. Dem Nutzer der Röntgenquelle
steht somit eine höhere Röntgenleistung zur Verfügung.The construction of the X-ray source is based on the following finding:
The electron beam impinging on the anode generates in the anode material an excitation center, from which the X-radiation emanates in almost isotropic spatial distribution. In conventional anodes, the generated radiation is used only in a small solid angle. The remainder of the X-radiation is absorbed unused by the anode or the housing of the X-ray source. The X-ray source of the invention uses a thin film anode which is irradiated at a shallow angle. The use of a thin-film anode is imperatively provided since with thicker anodes a part of the X-ray radiation is absorbed by the anode material itself, and thus is no longer available. In the case of a thin-film anode, twice the radiant power is available in comparison to a conventional anode, because in the construction mentioned above, both that part of the x-ray emission which emerges from the front side of the thin-film anode and that part which emerges from the rear side of the thin-film anode facing away from the electron beam exit as X-ray emission ge uses. The emitted radiation power of the X-ray source can thus be increased. The X-ray source has two usable X-ray beams, whereby, inter alia, two areas of an examination object irradiated with it can be examined simultaneously. The user of the X-ray source thus has a higher X-ray power available.
Nach einer ersten Ausführungsform beträgt der Winkel zwischen der Vorderseite der Anode und der Richtung aus welcher der Elektronenstrahl auf diese trifft, zwischen 5 und 45°, vorzugsweise beträgt dieser zumindest annähernd 10°. Um sowohl denjenigen Teil der Röntgenemission, welcher auf der Vorderseite der Dünnschichtanode austritt als auch denjenigen Teil, welcher auf der Rückseite der Dünnschichtanode austritt, nutzen zu können, ist es nötig, die Dünnschichtanode unter einem flachen Winkel mit dem Elektronenstrahl zu beschießen. Anhand empirischer Messungen haben sich Winkel im Bereich zwischen 5° und 15°, insbesondere Winkel von in etwa 10° als besonders vorteilhaft herausgestellt. Bei diesen Winkeln ist der aus der Vorderseite und der aus der Rückseite der Dünnschichtanode austretende Teil der Röntgenemission in etwa gleich intensiv.To In a first embodiment, the angle is between the front of the anode and the direction from which the electron beam strikes it, between 5 and 45 °, preferably, this is at least approximately 10 °. In order to cover both that part of the X-ray emission, which exits on the front side of the thin-film anode as well as the part which on the back of the Thin film anode exits to use, is it is necessary to place the thin-film anode under a flat Shoot angle with the electron beam. Based on empirical Measurements have angles in the range between 5 ° and 15 °, in particular angle of about 10 ° as particular advantageously proved. At these angles is the one from the front and the one from the back of the thin film anode emerging part of the X-ray emission in about the same intensity.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Dünnschichtanode einen Sandwichaufbau auf, der zumindest aus einer Trägerschicht und einer Anodenschicht besteht. Vorzugsweise beträgt dabei die Dicke der Anodenschicht zumindest annähernd 1–5 μm. Ein Sandwichaufbau der Dünnschichtanode erlaubt die Verwendung einer dünnen Anodenschicht, wobei mit Hilfe der Trägerschicht die mechanische Stabilität der Dünnschichtanode gewährleistet werden kann. Anhand empirischer Untersuchungen hat sich eine Dicke der Anodenschicht von in etwa 1 μm Wolfram als vorteilhaft herausgestellt. Wird die Anodenschicht zu dick gewählt, so hat dies auf denjenigen Teil der Röntgenemission, welcher aus ihrer Vorderseite austritt, praktisch keinen Einfluss. Derjenige Teil der Röntgenemission, welcher an der Rückseite der Dünnschichtanode austritt, wird jedoch mit zunehmender Dicke der Anodenschicht von dieser selbst ab sorbiert, und somit geringer. Bei einer nur wenige μm dicken Anodenschicht kann praktisch keine Röntgenemission mehr beobachtet, welche auf der Rückseite der Dünnschichtanode austritt.According to a further embodiment, the thin-film anode has a sandwich construction, which consists of at least one carrier layer and one anode layer. Preferably, the thickness of the anode layer is at least approximately 1-5 microns. A sandwich construction of the thin-film anode allows the use of a thin anode layer, wherein the mechanical stability of the thin-film anode can be ensured with the aid of the carrier layer. Based on empirical studies, a thickness of the anode layer of approximately 1 μm tungsten has proven to be advantageous. If the anode layer is chosen to be too thick, this has virtually no influence on that part of the X-ray emission which emerges from its front side. That part of the X-ray emission which emerges at the rear side of the thin-film anode, however, is absorbed by the anode layer itself as the thickness of the anode layer increases, and is thus lower. With an anode layer only a few μm thick, practically no X-ray emission which emerges on the rear side of the thin-film anode can be observed.
Bei einer Anodenschicht mit einer Stärke von etwa 1 μm sind die Anteile der Röntgenemission, welche auf der Vorder- und der Rückseite der Dünnschichtanode austreten, in etwa gleich groß, wodurch das erste und zweite Röntgenstrahlbündel in gleicher Weise nutzbar sind. Die Dicke der Anodenschicht ist jedoch nicht auf einen Wert von 1 μm festgelegt. Die Stärke der Anodenschicht wird entsprechend dem Anodenmaterial und der Elektronenenergie angepasst.at an anode layer with a thickness of about 1 micron are the proportions of the X-ray emission which are on the front and exit the back of the thin film anode, about the same size, whereby the first and second X-ray beam are usable in the same way. However, the thickness of the anode layer is not set to a value of 1 μm. The strenght the anode layer becomes according to the anode material and the electron energy customized.
Als optimale Materialien zur Verwendung in einer Röntgenquelle der oben genannten Art, haben sich Graphit für die Trägerschicht und Wolfram für die Anodenschicht herausgestellt. Der auf die Vorderseite der Dünnschichtanode auftreffende Elektronenstrahl ruft in dem Anodenmaterial, d. h. in der Anodenschicht, ein Anregungszentrum hervor. Die auf der Rückseite der Anodenschicht vorhandene Trägerschicht absorbiert also ggf. einen Teil der Röntgenemission, welcher auf der Rückseite der Dünnschichtanode austritt. Durch die Verwendung von Graphit, welches einen geringen Absorptionskoeffizient für Röntgenstrahlung aufweist, kann eine unnötig Abschwächung des zweiten Röntgenstrahlbündels (welches durch denjenigen Teil der Röntgenemission, welcher auf der Rückseite der Dünnschichtanode austritt, gebildet wird) vermieden werden.When optimal materials for use in an X-ray source of the above type, have become graphite for the backing layer and tungsten exposed for the anode layer. The on the front side of the thin film anode incident electron beam calls in the anode material, i. H. in the anode layer, an excitation center out. The existing on the back of the anode layer Carrier layer thus absorbs possibly a part of the X-ray emission, which on the back of the thin-film anode exit. Through the use of graphite, which has a low Has absorption coefficient for X-radiation, may be an unnecessary attenuation of the second X-ray beam (which by that part of the X-ray emission which is on the back of the thin-film anode emerges formed will be avoided).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Röntgenquelle einen Kühlkanal auf, der an die Rückseite der Dünnschichtanode angrenzt. Zur Abfuhr der in der Dünnschichtanode entstehenden Verlustwärme ist es vorteilhaft, wenn sich in deren unmittelbarer Nähe ein Kühlkanal befindet. Besonders vorteilhaft ist es, gemäß einer weiteren Ausführungsform, wenn der Kühlkanal von einem flüssigen Kühlmittel durchströmbar ist, welches in direktem Kontakt mit der Rückseite der Dünnschichtanode steht. Durch den unmittelbaren Kontakt zwischen dem Kühlmittel und der Dünnschichtanode kann eine besonders gute Wärmeankopplung erreicht werden. Da die Dünnschichtanode eine geringe Masse aufweist, und außerdem die von dem Elektronenstrahl in das Anodenmaterial eingetragene Verlustwärme nicht, wie beispielsweise bei einer Drehanodenröhre auf ein größeres Volumen verteilt wird, ist eine effektive Kühlung der Dünnschichtanode unabdingbar. Eine effektive Kühlung erlaubt es, die Röntgenquelle mit hoher Leistung zu betreiben.According to one Another embodiment, the X-ray source a cooling channel on the back of the Thin-film anode adjacent. For removal of the in the thin-film anode resulting heat loss, it is advantageous if in the immediate vicinity of a cooling channel is located. It is particularly advantageous, according to another Embodiment, when the cooling channel of a liquid coolant can flow through, which is in direct contact with the back of the thin film anode. Due to the direct contact between the coolant and the thin-film anode can be a particularly good heat coupling be achieved. Because the thin-film anode has a low mass and also that of the electron beam in the Anode material registered loss heat not, such as in a rotary anode tube to a larger one Volume is distributed, is an effective cooling of the thin-film anode essential. An effective cooling allows the X-ray source with to operate at high power.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Elektronenquelle eine Beschleunigungsspannung von mehr als 80 kV auf. Die ansonsten nahezu isotrop von dem Anregungszentrum ausgehende Röntgenemission verändert ihre Form bei Beschleunigungsspannung oberhalb von 80 kV. Bei solchen Beschleunigungsspannungen wird eine bevorzugt vorwärts gerichtete Röntgenemission beobachtet, d. h. die räumliche Verteilung der Röntgenemission bildet ein Maximum unter einem Emissionswinkel aus, der in etwa dem Auftreffwinkel des Elektronenstrahls auf die Anode entspricht. Der Emissionswinkel und der Auftreffwinkel liegen in einer Ebene, wobei nach der Art einer Reflektion der Elektronenstrahl unter dem Auftreffwinkel auf die Anodenoberfläche trifft und die Röntgenemission diese unter dem in etwa gleichen Emissionswinkel verlässt. Dies trifft sowohl für denjenigen Teil der Röntgenemission zu, welcher die Vorderseite der Dünnschichtanode verlässt, als auch für denjenigen Teil, der die Rückseite der Dünnschichtanode verlässt. Bei Beschleunigungsspannungen oberhalb von 80 kV führt die vorwärtsgerichtete Verteilung der Röntgenemission dazu, dass ein größerer Anteil von dieser in dem ebenfalls vorwärtsgerichteten ersten und zweiten Röntgenstrahlbündel genutzt werden kann.According to one Embodiment, the electron source has an acceleration voltage of more than 80 kV. The otherwise almost isotropic from the excitation center Outgoing X-ray emission changes its shape at acceleration voltage above 80 kV. At such accelerating voltages becomes a preferred forward x-ray emission observed, d. H. the spatial distribution of the X-ray emission forms a maximum at an emission angle that is approximately corresponds to the angle of incidence of the electron beam on the anode. The emission angle and the angle of incidence lie in one plane, wherein after the type of reflection of the electron beam at the angle of incidence meets the anode surface and the X-ray emission leaves them under the approximately same emission angle. This is true for the part of the X-ray emission to which leaves the front of the thin-film anode, as well as for the part that covers the back the thin-film anode leaves. At acceleration voltages above of 80 kV leads the forward distribution the X-ray emission that a larger proportion from this in the likewise forward-looking first and second X-ray beam are used can.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Röntgenquelle nach der Art einer Ringröhre ausgestaltet und weist eine im Wesentlichen ringförmige Dünnschichtanode auf. Eine ringförmige Röntgenquelle ist besonders für Röntgentomographen, welche eine Röntgenquelle mit feststehenden Anoden verwenden, sogenannte non-mechanical-CTs, geeignet. Um eine bei diesen Geräten notwendige Beleuchtung des Untersuchungsobjekts aus verschiedenen Richtungen zu ermöglichen, ist die Elektronenquelle, gemäß einer weiteren Ausführungsform, entlang des Umfangs der Ringröhre beweglich. Alternativ besteht die Elektronenquelle aus einer Vielzahl von Subemittern, die entlang des Umfangs der Ringröhre angeordnet sind.According to one Another embodiment is the X-ray source configured in the manner of a ring tube and has a essentially annular thin-film anode. An annular X-ray source is especially for X-ray tomography, which is an X-ray source using fixed anodes, so-called non-mechanical CTs, suitable. To a necessary with these devices lighting to allow the object to be examined from different directions, is the electron source, according to another Embodiment, along the circumference of the ring tube movable. Alternatively, the electron source consists of a plurality of Subemittern, which are arranged along the circumference of the ring tube are.
Der erfindungsgemäße Röntgenscanner weist eine Röntgenquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 13 auf, wobei deren erstes und zweites Röntgenstrahlbündel zur Durchstrahlung eines Untersuchungsobjektes in einem ersten und zweiten Untersuchungsbereich auf einen ersten bzw. zweiten Detektor gerichtet sind. Der Röntgenscanner weist zwei Nutzstrahlen auf, wodurch im Vergleich zu Systemen mit nur einem Nutzstrahl in der gleichen Zeit ein doppelt so großer Bereich des Untersuchungsobjektes abgetastet werden kann. Dabei werden, gemäß einer weiteren Ausführungsform, das Untersuchungsobjekt und die Röntgenquelle in einer Scanrichtung relativ zueinander bewegt. Die Scanrichtung ist dabei im Wesentlichen senkrecht zu den Richtungen des ersten und zweiten Röntgenstrahlbündels orientiert.The X-ray scanner according to the invention has an X-ray source according to any one of claims 1 to 13, wherein the first and second X-ray beam for irradiating an examination subject in a first and second examination area are directed to a first and second detector. The X-ray scanner has two useful beams, which compared to systems with only one useful beam in the same time a twice as large area of the object to be examined can be sampled. In this case, according to a further embodiment, the examination subject and the x-ray source are moved relative to one another in a scanning direction. The scanning direction is oriented substantially perpendicular to the directions of the first and second X-ray beam.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Röntgenquelle sowie des erfindungsgemäßen Röntgenscanners gehen aus den vorstehend nicht angesprochenen Unteransprüchen hervor.Further advantageous embodiments of the invention X-ray source and the inventive X-ray scanners go from the above not mentioned Subclaims forth.
Im
Folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren der
Zeichnung weiter erläutert:
Dabei zeigt derenIn the following the invention will be further explained with reference to the figures of the drawing:
It shows their
Die
in
Die
auftreffenden Elektronen erzeugen in der Dünnschichtanode
An
die Rückseite
Das
erste und zweite Gehäuseteil
Alternativ
zu einer Bewegung der Elektronenquelle
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - US 7349525 B2 [0001] - US 7349525 B2 [0001]
Claims (17)
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- 2008-09-15 DE DE102008047215A patent/DE102008047215A1/en not_active Withdrawn
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US7349525B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-03-25 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources |
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