DE102008013898A1 - Opto-electronic element has semiconductor body, which has semiconductor layer sequence, where semiconductor layer sequence has two main surfaces, which are opposite to each other - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, eine Anordnung und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.The The invention relates to an optoelectronic component, an arrangement and a method for producing an optoelectronic component.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, ein optoelektronisches Bauelement zu schaffen, das eine gute Abstrahlung von elektromagnetischer Strahlung ermöglicht. Außerdem soll ein Verfahren angegeben werden, durch welches es ermöglicht wird, in einfacher Weise ein optoelektronisches Bauelement mit guter Abstrahlung von elektromagnetischer Strahlung herzustellen.The The object of the present invention is an optoelectronic component to create that good radiation of electromagnetic radiation allows. In addition, a method is specified will be made easier by which it is made possible Way an optoelectronic device with good radiation of produce electromagnetic radiation.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.These Task is solved by the characteristics of the independent Claims. Advantageous embodiments and developments The invention are characterized in the subclaims.
Gemäß eines ersten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, der epitaktisch gewachsen ist und der eine Halbleiterschichtenfolge umfasst, die zumindest eine erste Hauptfläche und eine gegenüberliegende zweite Hauptfläche an seiner Oberfläche umfasst, und einem Träger mit zumindest einem Reflektor, wobei der Reflektor ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung, die von dem Halbleiterkörper emittiert wird, zu reflektieren und zwar derart, dass sie zumindest teilweise unter Umgehung der ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers aus dem Halbleiterkörper emittiert wird. Der Träger ist auf der der ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet und ist von einem Aufwachssubstrat für den Halbleiterkörper verschieden.According to one In the first aspect, the invention is characterized by an optoelectronic Component with a semiconductor body that has grown epitaxially and which comprises a semiconductor layer sequence that is at least a first major surface and an opposite one second major surface on its surface, and a support having at least one reflector, wherein the Reflector is formed electromagnetic radiation generated by the semiconductor body is emitted to reflect and that such that they are at least partially bypassing the first major surface of the semiconductor body from the semiconductor body is emitted. The carrier is on the first major surface the semiconductor layer sequence facing side of the semiconductor body is arranged and is of a growth substrate for the semiconductor body different.
Bei dem optoelektronisches Bauelement handelt es sich um ein Halbleiterbauelement, welches bevorzugt eine Halbleiterschichtenfolge aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. In diesem Fall wird durch das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung vorzugsweise in eine Hauptabstrahlrichtung ausgesendet, welche ausgehend von der Halbleiterschichtenfolge in eine entgegengesetzte Richtung des Trägers weist. Beispielsweise ist das optoelektronische Bauelement ein Lumineszenzdiodenchip, insbesondere ein UV-Lumineszenzdiodenchip. Das optoelektronische Bauelement ist auch geeignet einen Strahlungsempfänger zu bilden, beispielsweise einen Sensor. In diesem Fall werden sehr gute Empfangseigenschaften ermöglicht. Beispielsweise kann die lichtempfangende Fläche eines Detektors vergrößert werden.at the optoelectronic component is a semiconductor component, which preferably has a semiconductor layer sequence that is suitable is to emit an electromagnetic radiation. In this Case becomes electromagnetic by the optoelectronic component Radiation preferably emitted in a main emission direction, which starting from the semiconductor layer sequence in an opposite direction the wearer points. For example, the optoelectronic component a luminescence diode chip, in particular a UV luminescence diode chip. The optoelectronic component is also suitable for a radiation receiver to form, for example, a sensor. In this case will be very good reception properties possible. For example, can the light-receiving surface of a detector increases become.
Dadurch, dass der Reflektor zumindest teilweise ein reflektierendes Material aufweist, ist es insbesondere möglich, elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von einem Lumineszenzdiodenchip emittiert wird, auszukoppeln und somit in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umzulenken. Somit kann eine gute Effizienz des optoelektronischen Bauelements erreicht werden. Da der Reflektor nicht an die Dimension des Halbleiterkörpers gebunden ist, wird beispielsweise eine Strahlaufweitung ermöglicht. Somit kann zum Beispiel eine Flächenlichtquelle ausgebildet werden. Durch geeignete Wahl des Materials kann die Absorption der emittierten elektromagnetischen Strahlung minimiert werden und beispielsweise ein UV-Lumineszenzdiodenchip ausgebildet werden.Thereby, that the reflector at least partially a reflective material In particular, it is possible to use electromagnetic Radiation emitted, for example, from a Lumineszenzdiodenchip is to decouple and thus in a desired direction of radiation or to redirect a desired radiation solid angle. Thus, a good efficiency of the optoelectronic component be achieved. Because the reflector does not match the dimension of the semiconductor body is bound, for example, a beam expansion is possible. Thus, for example, a surface light source may be formed become. By suitable choice of the material, the absorption of the emitted electromagnetic radiation can be minimized and, for example a UV luminescence diode chip can be formed.
Der Träger kann beispielsweise transparente Keramiken oder Kristalle umfassen, welche zum Beispiel im Vergleich zu Glas hohe Wärmeleitfähigkeiten aufweisen können. Dadurch kann zum Beispiel entstehende Wärme der Halbleiterschichtenfolge vorteilhaft abgeführt werden und ein besonders zuverlässiger Betrieb des optoelektronischen Bauelements kann ermöglicht werden.Of the Carrier, for example, transparent ceramics or Crystals include, for example, which are high compared to glass May have thermal conductivities. As a result, for example, resulting heat of the semiconductor layer sequence be advantageously dissipated and a particularly reliable Operation of the optoelectronic component can be made possible become.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist der Reflektor zumindest teilweise konkav ausgebildet.In In an advantageous embodiment, the reflector is at least partially concave.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Auch kann elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von einem Lumineszenzdiodenchip emittiert wird, in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umgelenkt werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Also can be electromagnetic Radiation emitted, for example, from a Lumineszenzdiodenchip is, in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle are deflected. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Reflektor zumindest teilweise konvex ausgebildet.In a further advantageous embodiment the reflector is at least partially convex.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Auch kann elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von einem Lumineszenzdiodenchip emittiert wird, in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umgelenkt werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Also can be electromagnetic Radiation emitted, for example, from a Lumineszenzdiodenchip is, in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle are deflected. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Reflektor zumindest teilweise parabolisch ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially parabolic.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Reflektor zumindest teilweise zylinderförmig ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially cylindrical.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist der Reflektor zumindest teilweise kugelförmig ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially spherical.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Halbleiterschichtenfolge einen aktiven Bereich, welcher zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist.In In a further advantageous embodiment, the semiconductor layer sequence comprises an active area, which is used to generate electromagnetic Radiation is formed.
Bevorzugt umfasst der Halbleiterkörper III-V-Halbleitermaterialien. Mit III-V-Halbleitermaterialien können bei der Strahlungserzeugung vorteilhaft hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.Prefers the semiconductor body comprises III-V semiconductor materials. III-V semiconductor materials can be used in radiation generation advantageously high internal quantum efficiencies can be achieved.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise elastisch ausgebildet.In A further advantageous embodiment is the semiconductor layer sequence at least partially elastic.
Dadurch, dass die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise elastisch ausgebildet ist, ist es beispielsweise möglich, dass durch das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung vorwiegend in einer gewünschten Abstrahlrichtung oder einem gewünschten Abstrahl-Raumwinkel ausgesendet wird. Beispielsweise kann eine Strahlaufweitung ermöglicht werden. Somit kann eine gute Effizienz des optoelektronischen Bauelements erreicht werden. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge Galliumnitrid (GaN) umfassen mit zum Beispiel einem durchschnittlichen Elastizitätsmodul von etwa 297GPA.Thereby, that the semiconductor layer sequence is at least partially elastic is formed, it is possible, for example, that the optoelectronic component electromagnetic radiation predominantly in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle is emitted. For example, a beam expansion be enabled. Thus, a good efficiency of the optoelectronic Component can be achieved. For example, the semiconductor layer sequence Gallium nitride (GaN) include, for example, an average Young's modulus of about 297GPA.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist zur Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf der ersten Hauptfläche und/oder der zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge zumindest ein Auskoppelprisma ausgebildet.In a further advantageous embodiment is for decoupling the electromagnetic radiation generated in the semiconductor layer sequence on the first major surface and / or the second major surface the semiconductor layer sequence formed at least one Auskoppelprisma.
An den Grenzflächen der Halbleiterschichtenfolge erfolgt ein Sprung der Brechungsindizes von dem Material der Halbleiterschichtenfolge einerseits zu dem umgebenden Materials andererseits. Dadurch kommt es zu einer Brechung der elektromagnetischen Wellen beim Übergang von der Halbleiterschichtenfolge in die Umgebung. Je nach Winkel, in dem eine elektromagnetische Welle beziehungsweise ein Photon auf die Grenzfläche auftrifft, kann es zur Totalreflektion kommen. Aufgrund der bevorzugt parallelen Oberflächen der Halbleiterschichtenfolge trifft die reflektierte elektromagnetische Welle im gleichen Winkel auf der gegenüber liegenden Grenzfläche auf, so dass auch dort Totalreflektion auftritt. Die Folge ist, dass sich die elektromagnetische Welle in der Halbleiterschichtenfolge tot läuft und somit nichts zur Abstrahlung beitragen kann. Dadurch, dass Maßnahmen wie beispielsweise ein Auskoppelprisma vorgesehen sind zur Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung, wird der Winkel verändert, in dem eine elektromagnetische Welle auf die Oberfläche auftrifft. Somit kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Insbesondere kann eine Auskopplung etwa durch eine zumindest partielle Mikroprismenstrukturierung einer Hauptfläche verbessert werden. Durch ein Auskoppelprisma kann beispielsweise in dem Bereich des Auskoppelprismas ein anderer Auftreffwinkel einer elektromagnetischen Welle auf eine Grenzfläche entstehen als in zu dem Auskoppelprisma benachbarten Bereichen der Hauptfläche. Folglich können sich in verschiedenen Bereichen der Hauptflächen unterschiedliche Lagen der Grenzflächen ergeben, was die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung verbessern kann.At the interfaces of the semiconductor layer sequence takes place Jump of the refractive indices of the material of the semiconductor layer sequence on the one hand to the surrounding material on the other. This comes there is a refraction of the electromagnetic waves during the transition from the semiconductor layer sequence to the environment. Depending on the angle, in which an electromagnetic wave or a photon If it strikes the interface, it can cause total reflection come. Due to the preferably parallel surfaces of Semiconductor layer sequence meets the reflected electromagnetic Wave at the same angle on the opposite interface on, so that even there total reflection occurs. The result is, that the electromagnetic wave in the semiconductor layer sequence Dead runs and thus can contribute nothing to the radiation. The fact that measures such as a Auskoppelprisma provided are for decoupling the generated in the semiconductor layer sequence electromagnetic radiation, the angle is changed, in which an electromagnetic wave on the surface incident. Thus, an improved outcoupling of the in the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation. In particular, a decoupling can be achieved by an at least partial Microprism structuring of a major surface improved become. By a decoupling prism can, for example, in the area of the decoupling prism another angle of impact of an electromagnetic Wave on an interface arise as in to the decoupling prism adjacent areas of the main area. Consequently, you can different in different areas of the main areas Layers of the interfaces show what the coupling of can improve electromagnetic radiation.
Insbesondere können die Maßnahmen zur Verbesserung der Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung wie beispielsweise ein Auskoppelprisma auf beiden Hauptflächen der Halbleiterschichtenfolge vorgesehen sein.In particular, the measures for improving the decoupling in the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation such as a Auskoppelprisma be provided on both major surfaces of the semiconductor layer sequence.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind zur Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung die erste Hauptfläche und/oder die zweite Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge zumindest partiell aufgeraut.In a further advantageous embodiment are for decoupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation the first major surface and / or the second major surface of the Semiconductor layer sequence roughened at least partially.
Insbesondere kann eine verbesserte Auskopplung elektromagnetischer Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge durch eine zumindest partielle Oberflächenstrukturierung einer Hauptfläche ermöglicht werden. Somit kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Insbesondere kann eine Auskopplung etwa durch eine Rauhigkeitserhöhung zumindest eines Teils einer Hauptfläche verbessert werden. Werden Aufrauungen der Oberfläche vorgesehen, so ist dadurch eine unregelmäßige Oberfläche gebildet, die die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung verbessern kann.Especially can be an improved coupling of electromagnetic radiation from the semiconductor layer sequence by an at least partial Surface structuring of a major surface allows become. Thus, an improved outcoupling of the in the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation. In particular, a decoupling can be achieved by increasing the roughness at least a part of a main surface can be improved. If roughening of the surface is provided, it is characterized an irregular surface formed, which improve the decoupling of electromagnetic radiation can.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist auf der von dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge und/oder auf der von dem Träger zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge eine Stromverteilungsstruktur angeordnet.In a further advantageous embodiment is on the of the carrier opposite side of the semiconductor layer sequence and / or on the from the carrier side facing the semiconductor layer sequence a current distribution structure arranged.
Insbesondere übernimmt die Stromverteilungsstruktur eine elektrische Funktion und ist derart beschaffen, dass sie zur Stromaufweitung dient. Ein zugeführter Strom kann in der Stromverteilungsstruktur auf verschiedene Bereiche der Halbleiterschichtenfolge verteilt werden. Dadurch kann eine verbesserte Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung in der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.In particular, takes over the power distribution structure is an electrical function and is such that it serves to stream expansion. A supplied stream can be applied to different areas of the power distribution structure Semiconductor layer sequence are distributed. This can be an improved Generation of the electromagnetic radiation in the semiconductor layer sequence be enabled. Thus, the efficiency of the optoelectronic Component can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist auf der dem Träger zugewandter Seite der Halbleiterschichtenfolge zumindest eine Verspiegelung angeordnet.In a further advantageous embodiment is on the the carrier facing side of the semiconductor layer sequence at least one Verspiegelung arranged.
Die Verspiegelung ermöglicht es, elektromagnetische Strahlung zu reflektieren und beispielsweise aus der dem Träger gegenüber liegender Hauptfläche aus dem Halbleiterkörper abzustrahlen. Da die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt durch beide Hauptflächen elektromagnetische Strahlung aussendet, geht die reflektierte elektromagnetische Strahlung nicht verloren, sondern wird in die entgegen gesetzte Richtung emittiert.The Mirroring allows electromagnetic radiation to reflect and for example from the carrier opposite lying main surface of the semiconductor body radiate. Since the semiconductor layer sequence preferably by both major surfaces emits electromagnetic radiation, the reflected electromagnetic goes Radiation is not lost, but is in the opposite direction Direction emitted.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das optoelektronische Bauelement zumindest einen ersten elektrischen Kontaktbereich, der mit der ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden ist.In A further advantageous embodiment comprises the optoelectronic Component at least a first electrical contact area, with the first main surface of the semiconductor layer sequence electrically is conductively connected.
Über den ersten elektrischen Kontaktbereich kann Strom zugeführt werden, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements zu ermöglichen. Der erste elektrische Kontaktbereich ermöglicht den Anschluss des optoelektronischen Bauelements in vereinfachter Weise.about The first electrical contact area can be supplied with power be an electrical contact of the optoelectronic To enable component. The first electrical contact area allows the connection of the optoelectronic device in a simplified Wise.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst das optoelektronische Bauelement zumindest einen zweiten elektrischen Kontaktbereich, der mit der zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden ist.In A further advantageous embodiment comprises the optoelectronic Component at least a second electrical contact area, the one with the second main surface of the semiconductor layer sequence is electrically connected.
Über den zweiten elektrischen Kontaktbereich kann Strom zugeführt werden, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements zu ermöglichen. Der zweite elektrische Kontaktbereich ermöglicht den Anschluss des optoelektronischen Bauelements in vereinfachter Weise.about Power can be supplied to the second electrical contact region be an electrical contact of the optoelectronic To enable component. The second electrical contact area allows the connection of the optoelectronic component in a simplified way.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung ist auf der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite des ersten elektrischen Kontaktbereichs und/oder des zweiten elektrischen Kontaktbereichs eine Verspiegelung vorgesehen.In A further advantageous embodiment is on the semiconductor layer sequence facing side of the first electrical contact area and / or the second electrical contact area provided a mirror coating.
Die Verspiegelung ermöglicht es, die Absorption der elektromagnetischen Strahlung in Bereichen zumindest eines elektrischen Kontaktbereichs zu verringern. Elektromagnetische Strahlung kann durch die Verspiegelung reflektiert werden und beispielsweise auf der gegenüber liegenden Hauptfläche ausgesendet werden. Somit geht die reflektierte elektromagnetische Strahlung nicht verloren, sondern kann in entgegen gesetzter Richtung emittiert werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.The Mirroring allows the absorption of the electromagnetic Radiation in areas of at least one electrical contact area reduce. Electromagnetic radiation can be through the mirroring be reflected and, for example, on the opposite lying main surface are sent out. Thus, the reflected electromagnetic radiation is not lost, but can be emitted in the opposite direction. Thus, can the efficiency of the optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind der erste elektrische Kontaktbereich und/oder der zweite elektrische Kontaktbereich streifenförmig, insbesondere rahmenförmig ausgestaltet zur Stromverteilung auf verschiedene Bereiche der Halbleiterschichtenfolge.In a further advantageous embodiment, the first electrical Contact area and / or the second electrical contact area strip-shaped, in particular frame-shaped designed to distribute power to different Areas of the semiconductor layer sequence.
Ein zugeführter Strom kann somit besonders gut auf verschiedene Bereiche der Halbleiterschichtenfolge verteilt werden. Dadurch kann eine verbesserte Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung in der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.One supplied power can thus be particularly good at different Regions of the semiconductor layer sequence are distributed. This can an improved generation of electromagnetic radiation in the semiconductor layer sequence are made possible. Thus, can the efficiency of the optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Halbleiterschichtenfolge aneinander angrenzender Schichten einen n-dotierten Indiumgalliumnitrid-Bereich und einen p-dotierten Indiumgalliumnitrid-Bereich.In a further advantageous embodiment, the semiconductor layer sequence comprises one another an n-doped Indiumgalliumnitridbereich and a p-doped Indiumgalliumnitridbereich.
Dadurch kann eine verbesserte Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung in der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.Thereby can be an improved generation of electromagnetic radiation be made possible in the semiconductor layer sequence. Consequently can increase the efficiency of the optoelectronic device become.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist der Träger eine Trägerfolie auf.In a further advantageous embodiment, the carrier a carrier film on.
Die Trägerfolie kann aus einem transparenten Material sein, um die Abstrahlung aus der Halbleiterschichtenfolge in Richtung des Trägers zu ermöglichen. Die Trägerfolie kann beispielsweise elektrisch leitend ausgestaltet werden oder es wird zumindest eine Kontaktbahn vorgesehen, während die restlichen Bereiche der Trägerfolie nicht leitend sind. Zumindest auf der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seiten der Trägerfolie kann zumindest eine Kontaktbahn vorgesehen sein, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements zu ermöglichen. Für die Kontaktbahnen ist es von Vorteil, wenn leitfähige und gleichzeitig transparente Materialien verwendet werden, was bei transparenten leitenden Oxiden der Fall ist. Ein geeignetes Material ist Indium-Zinnoxyd (ITO), durch welches vorzugsweise die Kontaktierung erfolgt, so dass kein Metall notwendig ist.The Carrier film may be made of a transparent material, to the radiation from the semiconductor layer sequence in the direction to enable the wearer. The carrier foil can be designed, for example, electrically conductive or at least one contact track is provided while the remaining areas of the carrier film are not conductive. At least on the semiconductor layer sequence facing sides of the carrier film At least one contact track may be provided to provide electrical contact to enable the optoelectronic device. For the contact tracks it is beneficial when conductive and at the same time transparent materials are used, what with transparent conductive oxides is the case. A suitable material is indium tin oxide (ITO), through which preferably the contacting takes place, so that no metal is necessary.
Transparente leitende Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.Transparent conductive oxides ("TCO" for short) are transparent, conductive materials, usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO), in addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.
Die Trägerfolie kann ein Kunststoffmaterial enthalten. Für die Trägerfolie bevorzugte Materialien sind beispielsweise Glas, ein Epoxidharz, PET, ein Polymer, insbesondere Polyimid, beispielsweise Kapton, oder eine Kombination dieser Materialien. Darüber hinaus enthält die Trägerfolie bevorzugt Kohlefasern. Diese können beispielsweise in einen Polymerfilm eingebettet sein und eine höhere thermische Leitfähigkeit aufweisen als der Polymerfilm, so dass sich daraus vorteilhafterweise insgesamt ein haftender und thermisch leitender Bereich des Trägers ergibt. Außerdem kann die Trägerfolie ein Glasgewebe, insbesondere ein Silikat, aufweisen. Insbesondere sind auch ITO (Indium-Zinnoxyd)-beschichtete Glasfolien geeignet.The Carrier film may contain a plastic material. For the carrier film preferred materials are, for example Glass, an epoxy resin, PET, a polymer, in particular polyimide, for example Kapton, or a combination of these materials. Furthermore The carrier film preferably contains carbon fibers. These can be embedded, for example, in a polymer film be and a higher thermal conductivity have as the polymer film, so that advantageously Overall, an adhesive and thermally conductive region of the carrier results. In addition, the carrier film, a glass fabric, in particular a silicate. In particular are also ITO (Indium-tin oxide) -coated glass sheets suitable.
Gemäß eines zweiten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch eine Anordnung mit einem optoelektronischen Bauelement gemäß des ersten Aspekts und einer transparenten Folie, die zumindest eine Kontaktbahn trägt, wobei die Kontaktbahn mit dem zweiten elektrischen Kontaktbereich des optoelektronischen Bauelements elektrisch leitend verbunden ist.According to one second aspect, the invention is characterized by an arrangement with an optoelectronic component according to the first aspect and a transparent film, the at least one Wear contact track, wherein the contact track with the second electrical contact region of the optoelectronic component electrically is conductively connected.
Die transparente Folie kann die Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge in entgegen gesetzter Richtung des Trägers ermöglichen und gleichzeitig mittels zumindest einer Kontaktbahn eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements ermöglichen. Durch die Anordnung kann der Halbleiterkörper zwischen zumindest einer transparenten Folie und dem Träger aufgenommen werden, wobei auch der Träger eine transparente Folie umfassen kann. Die transparente Folie wird zumindest mit einer Kontaktbahn vorgesehen, während die restlichen Bereiche der Trägerfolie nicht leitend sein müssen. Zumindest auf der der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite der transparente Folie ist zumindest eine Kontaktbahn vorgesehen, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements über den zweiten elektrischen Kontaktbereich zu ermöglichen. Besonders vorteilhaft ist die Anordnung für eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen, da zum Beispiel für eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen mit zumindest einer Kontaktbahn eine elektrische Kontaktierung gleichzeitig ermöglicht werden kann. Für die zumindest eine Kontaktbahn werden bevorzugt leitfähige und gleichzeitig transparente Materialien verwendet wie die transparenten leitenden Oxide. Ein geeignetes Material ist Indium-Zinnoxyd (ITO).The transparent film can be the emission of electromagnetic radiation from the semiconductor layer sequence in the opposite direction enable the wearer while using at least one contact track electrical contacting of the optoelectronic Allow component. By the arrangement, the semiconductor body between at least one transparent film and the carrier be taken, whereby the carrier is a transparent Can include film. The transparent film is at least one Contact track provided while the remaining areas the carrier film need not be conductive. At least on the semiconductor layer sequence facing side of the transparent Foil is provided at least one contact track to an electrical Contacting of the optoelectronic component via the allow second electrical contact area. Especially advantageous is the arrangement for a plurality of optoelectronic Components, for example, for a plurality of optoelectronic Components with at least one contact track an electrical contact can be simultaneously enabled. For the least a contact track are preferably conductive and at the same time transparent Materials used as the transparent conductive oxides. One suitable material is indium tin oxide (ITO).
Die transparente Folie kann ein Kunststoffmaterial enthalten. Für die transparente Folie bevorzugte Materialien sind beispielsweise Glas, ein Epoxidharz, PET, ein Polymer, insbesondere Polyimid, beispielsweise Kapton, oder eine Kombination dieser Materialien. Darüber hinaus enthält die transparente Folie bevorzugt Kohlefasern. Diese können beispielsweise in einen Polymerfilm eingebettet sein und eine höhere thermische Leitfähigkeit aufweisen als der Polymerfilm, so dass sich daraus vorteilhafterweise insgesamt ein haftender und thermisch leitender Bereich der transparenten Folie ergibt. Außerdem kann die transparente Folie ein Glasgewebe, insbesondere ein Silikat, aufweisen. Beispielsweise ist die transparente Folie als ITO (Indium-Zinnoxyd)-beschichtete Glasfolie ausgebildet.The transparent film may contain a plastic material. For the transparent film preferred materials are, for example Glass, an epoxy resin, PET, a polymer, in particular polyimide, for example Kapton, or a combination of these materials. About that In addition, the transparent film preferably contains carbon fibers. These can be embedded, for example, in a polymer film be and a higher thermal conductivity have as the polymer film, so that advantageously Overall, an adhesive and thermally conductive region of the transparent Foil results. In addition, the transparent film can Glass fabric, in particular a silicate, have. For example the transparent film as ITO (indium-tin oxide) -coated glass sheet educated.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die Kontaktbahn Indium-Zinnoxyd auf.In an advantageous embodiment, the contact track indium tin oxide on.
Indium-Zinnoxyd, ein transparentes leitendes Oxid, ermöglicht besonders vorteilhaft das Ausbilden zumindest einer leitfähigen und gleichzeitig transparenten Kontaktbahn. Somit kann die Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge in entgegen gesetzter Richtung des Trägers verbessert werden und gleichzeitig mittels zumindest der einen Kontaktbahn eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht werden. Zum Beispiel kann auch ein heterogener Metall-Indium-Zinnoxyd-Mischkontakt verwendet werden, der beispielsweise Gold umfassen kann.Indium tin oxide, a transparent conductive oxide, especially allows Advantageously, the formation of at least one conductive and at the same time transparent contact track. Thus, the radiation electromagnetic radiation from the semiconductor layer sequence in be improved in the opposite direction of the carrier and at the same time by means of at least one contact track an electrical contact of the optoelectronic component are made possible. To the An example may also be a heterogeneous metal-indium-tin oxide mixed contact may be used, which may include gold, for example.
Gemäß eines dritten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch eine Anordnung mit zumindest einem optoelektronischen Bauelement gemäß des ersten Aspekts, wobei die Anordnung eine Vielzahl von epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpern umfasst, wobei die Halbleiterkörper jeweils die Halbleiterschichtenfolgen umfassen, die in einer Matrix angeordnet und elektrisch kontaktiert sind, wobei die Matrix auf dem Träger angeordnet ist.According to one third aspect, the invention is characterized by an arrangement with at least one optoelectronic component according to the first aspect, wherein the arrangement has a plurality of epitaxial grown semiconductor bodies, wherein the semiconductor body each comprise the semiconductor layer sequences arranged in a matrix and electrically contacted, wherein the matrix on the support is arranged.
Eine derartige Anordnung kann durch die Vielzahl der Halbleiterkörper zum Beispiel eine hohe Beleuchtungsstärke und/oder eine hohe Beleuchtungsdichte ermöglichen. Die Anordnung kann mindestens zwei optoelektronische Bauelemente umfassen, welche auf dem Träger angeordnet sind. Beispielsweise kann die Anordnung vier optoelektronische Bauelemente umfassen, auch kann Anordnung zum Beispiel zwanzig optoelektronische Bauelemente umfassen.A Such an arrangement can be achieved by the multiplicity of semiconductor bodies For example, a high illuminance and / or a enable high illumination density. The arrangement can comprise at least two optoelectronic components, which on the carrier are arranged. For example, the arrangement Four optoelectronic components include, can also arrangement for Example include twenty optoelectronic devices.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung umfasst die Anordnung eine Vielzahl von Reflektoren, die jeweils ausgebildet sind, elektromagnetische Strahlung, die von dem jeweiligen Halbleiterkörper emittiert wird, zu reflektieren und zwar derart, dass sie zumindest teilweise unter Umgehung der jeweiligen ersten Hauptfläche des jeweiligen Halbleiterkörpers aus dem jeweiligen Halbleiterkörper emittiert wird.In According to an advantageous embodiment, the arrangement comprises a plurality reflectors, which are each formed electromagnetic Radiation emitted by the respective semiconductor body is to reflect, in such a way that it at least partially bypassing the respective first main surface of the respective Semiconductor body from the respective semiconductor body is emitted.
Dadurch, dass die Reflektoren zumindest teilweise reflektierendes Material aufweisen, ist es insbesondere möglich, elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von Lumineszenzdiodenchips emittiert wird, auszukoppeln und somit in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umzulenken. Somit kann eine gute Effizienz der Anordnung der optoelektronischen Bauelemente erreicht werden. Da die Reflektoren nicht an die Dimension der Halbleiterkörper gebunden sind, wird beispielsweise eine Strahlaufweitung ermöglicht. Somit kann zum Beispiel eine Flächenlichtquelle ausgebildet werden. Durch geeignete Wahl des Materials kann zum Beispiel die Absorption der emittierten elektromagnetischen Strahlung minimiert werden und beispielsweise eine Anordnung von UV-Lumineszenzdiodenchips ausgebildet werden.Thereby, that the reflectors at least partially reflective material In particular, it is possible to have electromagnetic Radiation that emits, for example, of LED chips is to decouple and thus in a desired direction of radiation or to redirect a desired radiation solid angle. Thus, a good efficiency of the arrangement of the optoelectronic Components can be achieved. Because the reflectors are not up to the dimension the semiconductor body are bound, for example allows a beam expansion. Thus, for example a surface light source can be formed. By a suitable choice of the material can, for example, the absorption of the emitted electromagnetic Radiation are minimized and, for example, an array of UV LED chips are formed.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung sind die Reflektoren jeweils zumindest teilweise konvex und/oder konkav ausgebildet.In a further advantageous embodiment, the reflectors each at least partially convex and / or concave.
Durch eine derartige Ausbildung der Reflektoren kann eine verbesserte Auskopplung der in den Halbleiterschichtenfolgen erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Auch kann elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von Lumineszenzdiodenchips emittiert wird, in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umgelenkt werden. Somit kann die Effizienz der Anordnung der optoelektronischen Bauelemente gesteigert werden.By Such a design of the reflectors can be improved Decoupling of the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequences Radiation can be enabled. Also can be electromagnetic Radiation that emits, for example, of LED chips is deflected in a desired direction of radiation or a desired radiation solid angle become. Thus, the efficiency of the arrangement of optoelectronic devices be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung umfassen die jeweiligen Halbleiterschichtenfolgen jeweils den aktiven Bereich, welche jeweils zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge ausgebildet sind, um eine Mischung der elektromagnetischen Strahlung der jeweiligen Halbleiterschichtenfolgen zu ermöglichen.In In another advantageous embodiment, the respective ones comprise Semiconductor layers each follow the active region, which respectively for generating electromagnetic radiation of different Wavelength are designed to be a mixture of electromagnetic To allow radiation of the respective semiconductor layer sequences.
Durch eine Verwendung von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge kann eine Farbmischung ermöglicht werden. Zum Beispiel kann die Anordnung eine Halbleiterschichtenfolge eines optoelektronischen Bauelements mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren roten Bereich des Farbspektrums des Lichts umfassen und eine weitere Halbleiterschichtenfolge eines weiteren optoelektronischen Bauelements mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren blauen Bereich des Farbspektrums des Lichts umfassen. Zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren roten Bereich des Farbspektrums des Lichts kann die Halbleiterschichtenfolge zum Beispiel Aluminiumindiumgalliumphosphid (AlInGaP) umfassen und zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren blauen Bereich des Farbspektrums des Lichts kann die weitere Halbleiterschichtenfolge zum Beispiel Indiumgalliumnitrid (InGaN) umfassen. In diesem beispielhaften Fall kann die Mischung der elektromagnetischen Strahlung der Halbleiterschichtenfolgen eine elektromagnetische Strahlung im sichtbaren violetten Bereich des Farbspektrums des Lichts erzeugen. Durch Mischung elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge kann beispielsweise die Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung in einem beliebigen Bereich des Farbspektrums des Lichts ermöglicht werden. Bevorzugt kann auch die Erzeugung von weißem Licht durch Farbmischung ermöglicht werden.By a use of electromagnetic radiation of different Wavelength allows color mixing become. For example, the arrangement may be a semiconductor layer sequence an optoelectronic component with an active region for Generation of electromagnetic radiation in the visible red Area of the color spectrum of the light include and another semiconductor layer sequence a further optoelectronic component with an active Area for the generation of electromagnetic radiation in the visible blue region of the color spectrum of the light. To produce of electromagnetic radiation in the visible red region of the Color spectrum of the light, the semiconductor layer sequence, for example Aluminum indium gallium phosphide (AlInGaP) include and for generation of electromagnetic radiation in the visible blue region of the Color spectrum of the light, the further semiconductor layer sequence For example, indium gallium nitride (InGaN). In this exemplary Case can follow the mixture of the electromagnetic radiation of the semiconductor layers an electromagnetic radiation in the visible violet area of the Create color spectrum of the light. By mixing electromagnetic Radiation of different wavelengths can, for example the generation of electromagnetic radiation in any Range of the color spectrum of the light are made possible. Preferably, the generation of white light by Color mixing are possible.
Gemäß eines vierten Aspekts zeichnet sich die Erfindung aus durch ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß des ersten Aspekts mit den Schritten: Ausbilden einer zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeigneten Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat, Ausbilden eines von dem Aufwachssubstrat verschiedenen Trägers mit zumindest einem Reflektor, wobei der Reflektor bestimmungsgemäß dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird, zu reflektieren und zwar derart, dass sie zumindest teilweise unter Umgehung einer dem Träger zugewandten ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird, und Koppeln der Halbleiterschichtenfolge mit dem Träger, so dass der Reflektor elektromagnetische Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird, reflektieren kann und zwar derart, dass sie zumindest teilweise unter Umgehung der dem Träger zugewandten ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird.According to a fourth aspect is apparent the invention by a method for producing an optoelectronic component according to the first aspect, comprising the steps of: forming a semiconductor layer sequence suitable for generating electromagnetic radiation on a growth substrate, forming a support other than the growth substrate with at least one reflector, the reflector being designed as intended is to reflect electromagnetic radiation emitted by the semiconductor layer sequence, in such a way that it is emitted at least partially bypassing a first main surface of the semiconductor layer sequence facing the carrier, and coupling the semiconductor layer sequence to the carrier, so that the reflector electromagnetic radiation, which is emitted by the semiconductor layer sequence, can reflect in such a way that they emit at least partially, bypassing the first main surface of the semiconductor layer sequence facing the carrier is iert.
Die Halbleiterschichtenfolge wird bevorzugt derart ausgebildet, dass diese geeignet ist eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. In diesem Fall wird durch das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung vorzugsweise in eine Hauptabstrahlrichtung ausgesendet, welche ausgehend von der Halbleiterschichtenfolge in eine entgegengesetzte Richtung des Trägers weist. Die Halbleiterschichtenfolge kann auch als Empfänger von elektromagnetischer Strahlung ausgebildet werden, beispielsweise als Sensor. In diesem Fall können durch ein derartiges Herstellungsverfahren die Empfangseigenschaften des Strahlungsempfängers verbessert werden. Beispielsweise kann die lichtempfangende Fläche eines Detektors vergrößert werden.The Semiconductor layer sequence is preferably formed such that this is suitable to emit electromagnetic radiation. In this case, the optoelectronic component becomes electromagnetic Radiation preferably emitted in a main emission direction, which starting from the semiconductor layer sequence in an opposite Direction of the carrier points. The semiconductor layer sequence can also act as a receiver of electromagnetic radiation be formed, for example as a sensor. In this case, you can by such a manufacturing method, the receiving properties of the radiation receiver can be improved. For example can increase the light-receiving area of a detector become.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung wird die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise elastisch ausgebildet und derart mit dem Träger gekoppelt, dass die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise gekrümmt ausgebildet wird.In In an advantageous embodiment, the semiconductor layer sequence at least partially elastic and so with the carrier coupled, that the semiconductor layer sequence at least partially is formed curved.
Dadurch, dass die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise elastisch ausgebildet wird, ist es beispielsweise möglich, dass durch das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung vorwiegend in einer gewünschten Abstrahlrichtung oder einem gewünschten Abstrahl-Raumwinkel ausgesendet wird. Beispielsweise kann eine Strahlaufweitung ermöglicht werden. Somit kann eine gute Effizienz des optoelektronischen Bauelements erreicht werden. Beispielsweise kann die Halbleiterschichtenfolge Galliumnitrid (GaN) umfassen mit zum Beispiel einem durchschnittlichen Elastizitätsmodul von etwa 297GPA.Thereby, that the semiconductor layer sequence is at least partially elastic is formed, it is possible, for example, that the optoelectronic component electromagnetic radiation predominantly in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle is emitted. For example, a beam expansion be enabled. Thus, a good efficiency of the optoelectronic Component can be achieved. For example, the semiconductor layer sequence Gallium nitride (GaN) include, for example, an average Young's modulus of about 297GPA.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird auf der Halbleiterschichtenfolge eine erste elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht auf der ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet.In A further advantageous embodiment is on the semiconductor layer sequence a first electrically conductive contact material layer on the first main surface of the semiconductor layer sequence educated.
Die erste Kontaktmaterialschicht ermöglicht die elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements in einfacher Weise.The first contact material layer allows the electrical Contacting of the optoelectronic component in a simple manner.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird zur Ausbildung eines ersten elektrischen Kontaktbereichs die erste Kontaktmaterialschicht derart strukturiert, dass zumindest ein von der ersten Kontaktmaterialschicht befreiter Bereich der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird.In a further advantageous embodiment is to form a first electrical contact region, the first contact material layer structured such that at least one of the first contact material layer liberated region of the semiconductor layer sequence is formed.
Über den ersten elektrischen Kontaktbereich kann Strom zugeführt werden, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements zu ermöglichen. Der erste elektrische Kontaktbereich ermöglicht den Anschluss des optoelektronischen Bauelements in vereinfachter Weise.about The first electrical contact area can be supplied with power be an electrical contact of the optoelectronic To enable component. The first electrical contact area allows the connection of the optoelectronic device in a simplified Wise.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der zumindest eine von der ersten Kontaktmaterialschicht befreite Bereich der Halbleiterschichtenfolge an seiner Oberfläche zumindest partiell aufgeraut.In In another advantageous embodiment, the at least one Released from the first contact material layer region of the semiconductor layer sequence at least partially roughened on its surface.
Durch eine zumindest partielle Oberflächenstrukturierung kann eine verbesserte Auskopplung elektromagnetischer Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht werden. Somit kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Insbesondere kann eine Auskopplung etwa durch eine Rauhigkeitserhöhung zumindest eines Teils einer Hauptfläche verbessert werden. Werden Aufrauungen der Oberfläche vorgesehen, so ist dadurch eine unregelmäßige Oberfläche gebildet, die die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung verbessern kann.By an at least partial surface structuring can an improved coupling of electromagnetic radiation from the Semiconductor layer sequence are made possible. Thus, can an improved outcoupling in the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation. In particular, a decoupling can be achieved by increasing the roughness at least a part of a main surface can be improved. If roughening of the surface is provided, it is characterized an irregular surface formed, which improve the decoupling of electromagnetic radiation can.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird die Halbleiterschichtenfolge über die strukturierte erste Kontaktmaterialschicht mit dem Träger gekoppelt.In In a further advantageous embodiment, the semiconductor layer sequence is over the structured first contact material layer with the carrier coupled.
Dadurch wird es ermöglicht, dass der Reflektor elektromagnetische Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge emittiert wird, reflektieren kann und zwar derart, dass sie zumindest teilweise unter Umgehung der dem Träger zugewandten ersten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge emittiert werden kann.Thereby It allows the reflector to be electromagnetic Radiation emitted by the semiconductor layer sequence, can reflect in such a way that they at least partially bypassing the carrier facing the first main surface the semiconductor layer sequence can be emitted.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird eine zweite elektrisch leitfähige Kontaktmaterialschicht auf einer der ersten Hauptfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, a second is electrically conductive contact material layer on one of the first Main surface opposite second major surface formed of the semiconductor layer sequence.
Die zweite Kontaktmaterialschicht ermöglicht die elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements in einfacher Weise.The second contact material layer allows the electrical Contacting of the optoelectronic component in a simple manner.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird zur Ausbildung eines zweiten elektrischen Kontaktbereichs die zweite Kontaktmaterialschicht derart strukturiert, dass zumindest ein von der zweiten Kontaktmaterialschicht befreiter Bereich der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird.In a further advantageous embodiment is to form a second electrical contact region, the second contact material layer structured such that at least one of the second contact material layer liberated region of the semiconductor layer sequence is formed.
Über den zweiten elektrischen Kontaktbereich kann Strom zugeführt werden, um eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Bauelements zu ermöglichen. Der zweite elektrische Kontaktbereich ermöglicht den Anschluss des optoelektronischen Bauelements in vereinfachter Weise.about Power can be supplied to the second electrical contact region be an electrical contact of the optoelectronic To enable component. The second electrical contact area allows the connection of the optoelectronic component in a simplified way.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der zumindest eine von der zweiten Kontaktmaterialschicht befreite Bereich der Halbleiterschichtenfolge an seiner Oberfläche zumindest partiell aufgeraut.In In another advantageous embodiment, the at least one Released from the second contact material layer region of the semiconductor layer sequence at least partially roughened on its surface.
Durch eine zumindest partielle Oberflächenstrukturierung kann eine verbesserte Auskopplung elektromagnetischer Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge ermöglicht werden. Somit kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Insbesondere kann eine Auskopplung etwa durch eine Rauhigkeitserhöhung zumindest eines Teils einer Hauptfläche verbessert werden. Werden Aufrauungen der Oberfläche vorgesehen, so ist dadurch eine unregelmäßige Oberfläche gebildet, die die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung verbessern kann.By an at least partial surface structuring can an improved coupling of electromagnetic radiation from the Semiconductor layer sequence are made possible. Thus, can an improved outcoupling in the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation. In particular, a decoupling can be achieved by increasing the roughness at least a part of a main surface can be improved. If roughening of the surface is provided, it is characterized an irregular surface formed, which improve the decoupling of electromagnetic radiation can.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird während oder nach der Strukturierung der ersten Kontaktmaterialschicht und/oder der zweiten Kontaktmaterialschicht zumindest ein Auskoppelprisma auf der Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet.In a further advantageous embodiment is during or after the structuring of the first contact material layer and / or the second contact material layer on at least one decoupling prism formed the surface of the semiconductor layer sequence.
Durch das Vorsehen eines Auskoppelprismas wird eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht, da der Winkel verändert wird, in dem eine elektromagnetische Welle auf die Oberfläche auftrifft. Insbesondere kann eine Auskopplung etwa durch eine zumindest partielle Mikroprismenstrukturierung einer Hauptfläche verbessert werden. Durch ein Auskoppelprisma kann beispielsweise in dem Bereich des Auskoppelprismas ein anderer Auftreffwinkel einer elektromagnetischen Welle auf eine Grenzfläche entstehen als in zu dem Auskoppelprisma benachbarten Bereichen der Hauptfläche. Folglich können sich in verschiedenen Bereichen der Hauptflächen unterschiedliche Lagen der Grenzflächen ergeben, was die Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung verbessern kann. Insbesondere können die Maßnahmen zur Verbesserung der Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung wie beispielsweise ein Auskoppelprisma auf beiden Hauptflächen der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet werden.By the provision of a decoupling prism becomes an improved decoupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation allows, as the angle is changed, in which an electromagnetic wave on the surface incident. In particular, a decoupling may be achieved by at least one partial microprism structuring of a major surface be improved. By a decoupling prism can, for example in the region of the decoupling prism another angle of incidence one electromagnetic wave arise on an interface as in areas of the main surface adjacent to the decoupling prism. Consequently, in different areas of the main surfaces can different layers of the interfaces yield what the Extraction of electromagnetic radiation can improve. Especially may be the measures to improve the decoupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation such as a decoupling prism on both major surfaces the semiconductor layer sequence can be formed.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden die erste Kontaktmaterialschicht und/oder die zweite Kontaktmaterialschicht derart aufgebracht, dass die der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seiten zumindest teilweise verspiegelt sind.In In a further advantageous embodiment, the first contact material layer and / or the second contact material layer is applied such that the semiconductor layer sequence facing sides at least partially are mirrored.
Das Vorsehen der Verspiegelung ermöglicht es, dass elektromagnetische Strahlung reflektiert wird und beispielsweise aus der dem Träger gegenüber liegender Hauptfläche aus dem Halbleiterkörper abgestrahlt werden kann. Da die Halbleiterschichtenfolge bevorzugt durch beide Hauptflächen elektromagnetische Strahlung aussendet, geht die reflektierte elektromagnetische Strahlung nicht verloren, sondern wird in entgegen gesetzter Richtung emittiert.The Providing the mirroring allows electromagnetic Radiation is reflected and, for example, from the carrier opposite major surface emitted from the semiconductor body can be. As the semiconductor layer sequence preferably by both Main surfaces emitting electromagnetic radiation goes the reflected electromagnetic radiation is not lost, but is emitted in the opposite direction.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Reflektor zumindest teilweise konkav ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially concave.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Auch kann elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von einem Lumineszenzdiodenchip emittiert wird, in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umgelenkt werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Also can be electromagnetic Radiation emitted, for example, from a Lumineszenzdiodenchip is, in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle are deflected. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Reflektor zumindest teilweise konvex ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially convex.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Auch kann elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise von einem Lumineszenzdiodenchip emittiert wird, in eine gewünschte Abstrahlrichtung oder einen gewünschten Abstrahl-Raumwinkel umgelenkt werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Also can be electromagnetic Radiation emitted, for example, from a Lumineszenzdiodenchip is, in a desired direction of radiation or a desired Radiation solid angle are deflected. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Reflektor zumindest teilweise parabolisch ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially parabolic.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By such a design of the reflector In this case, an improved decoupling of the electromagnetic radiation generated in the semiconductor layer sequence can be made possible. Thus, the efficiency of the optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Reflektor zumindest teilweise zylinderförmig ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially cylindrical.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird der Reflektor zumindest teilweise kugelförmig ausgebildet.In In a further advantageous embodiment, the reflector is at least partially spherical.
Durch eine derartige Ausbildung des Reflektors kann eine verbesserte Auskopplung der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung ermöglicht werden. Somit kann die Effizienz des optoelektronischen Bauelements gesteigert werden.By Such a design of the reflector can be an improved coupling the electromagnetic generated in the semiconductor layer sequence Radiation can be enabled. Thus, the efficiency of the Optoelectronic device can be increased.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird das Aufwachssubstrat von der Halbleiterschichtenfolge entfernt.In In a further advantageous embodiment, the growth substrate removed from the semiconductor layer sequence.
Dadurch wird es ermöglicht, dass der Träger mit der Halbleiterschichtenfolge auf der Seite der Halbleiterschichtenfolge gekoppelt wird, auf der sich das Aufwachssubstrat befindet oder auf der gegenüberliegenden Seite.Thereby it is made possible that the carrier with the semiconductor layer sequence is coupled on the side of the semiconductor layer sequence, on the the growth substrate is located or on the opposite Page.
Ist das Aufwachssubstrat beispielsweise auf der der zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, so kann das Aufwachssubstrat zunächst für die notwendige Stabilität der Halbleiterschichtenfolge sorgen und so beispielsweise eine verbesserte Realisierung der Kontaktmaterialschicht oder später auch des Kontaktbereichs und der Maßnahmen zur Verbesserung der Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung wie zum Beispiel das Auskoppelprisma auf der ersten Hauptfläche ermöglichen. Nachfolgend kann die Halbleiterschichtenfolge auf der bereits strukturierten Seite mit dem Träger gekoppelt werden, so dass auf der gegenüberliegenden Seite das Aufwachssubstrat entfernt und die zweite Seite bearbeitet werden kann. Dann können auf der zweiten Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge beispielsweise die Kontaktmaterialschicht, der Kontaktbereich oder die Maßnahmen zur Verbesserung der Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung wie zum Beispiel das Auskoppelprisma realisiert werden.is the growth substrate, for example, on the second major surface the semiconductor layer sequence facing side of the semiconductor layer sequence arranged, the growth substrate may initially for the necessary stability of the semiconductor layer sequence and so for example, an improved realization of the contact material layer or later also the contact area and the measures to improve the extraction of electromagnetic radiation such as the decoupling prism on the first main surface enable. Subsequently, the semiconductor layer sequence coupled to the carrier on the already structured side so that on the opposite side the growth substrate removed and the second page can be edited. Then you can the second main surface of the semiconductor layer sequence, for example the contact material layer, the contact area or the measures to improve the extraction of electromagnetic radiation such as the Auskoppelprisma be realized.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung wird eine Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente hergestellt, wobei die optoelektronischen Bauelemente jeweils die Halbleiterschichtenfolgen umfassen, die in einer Matrix angeordnet und elektrisch kontaktiert werden, wobei die Matrix auf dem Träger angeordnet wird.In In another advantageous embodiment, a plurality of produced optoelectronic components, wherein the optoelectronic Components each comprise the semiconductor layer sequences, the are arranged in a matrix and electrically contacted, wherein the matrix is placed on the carrier.
Insbesondere können eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen im Wesentlichen gleichzeitig hergestellt werden. In diesem Fall umfasst das Verfahren insbesondere ein Zerteilen eines Grundkörpers zum Vereinzeln der optoelektronischen Bauelemente aus ihrem gemeinsamen Verbund. Besonders bevorzugt ist der Grundkörper ein Wafer oder ein Grundträger, auf dem die Halbleiterschichtenfolge oder mehrere solcher Halbleiterschichtenfolgen aufgebracht werden können.Especially can be a plurality of optoelectronic devices be made substantially simultaneously. In this case In particular, the method comprises a division of a basic body for separating the optoelectronic components from their common Composite. Particularly preferably, the base body is a wafer or a base support on which the semiconductor layer sequence or several such semiconductor layer sequences are applied can.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung werden die jeweiligen Halbleiterschichtenfolgen derart ausgebildet, dass die Halbleiterschichtenfolgen jeweils zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge ausgebildet sind, um eine Mischung der elektromagnetischen Strahlung der jeweiligen Halbleiterschichtenfolgen zu ermöglichen.In a further advantageous embodiment, the respective Semiconductor layer sequences formed such that the semiconductor layer sequences each for generating electromagnetic radiation of different Wavelength are adapted to a mixture of electromagnetic radiation to enable the respective semiconductor layer sequences.
Durch eine Verwendung von elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge kann eine Farbmischung ermöglicht werden. Durch Mischung elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge kann beispielsweise die Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung in einem beliebigen Bereich des Farbspektrums des Lichts ermöglicht werden. Bevorzugt kann auch die Erzeugung von weißem Licht durch Farbmischung ermöglicht werden.By a use of electromagnetic radiation of different Wavelength allows color mixing become. By mixing electromagnetic radiation different Wavelength, for example, the generation of electromagnetic Radiation in any area of the color spectrum of light be enabled. Preferably, the generation of white light through color mixing.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind im Folgenden anhand der schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:embodiments The invention are described in more detail below with reference to the schematic drawings explained. Show it:
In
der
Der
Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge
Insbesondere
kann das optoelektronische Bauelement
Das
optoelektronische Bauelement
- – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
- – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d. h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
- - The epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 microns or less, in particular in the range of 10 microns; and
- The epitaxial layer sequence contains at least one semiconductor layer having at least one surface which has a thorough mixing structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial layer sequence, ie it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.
Ein
Grundprinzip des optoelektronischen Bauelements
Im
Ausführungsbeispiel nach
Bei
der beispielhaften Ausgestaltung nach
Der
Träger
Auf
der von dem Träger
Das
optoelektronische Bauelement
Auf
der der Halbleiterschichtenfolge
Bevorzugt umfasst der Halbleiterkörper III-V-Halbleitermaterialien. Diese zeichnen sich durch eine besonders hohe Effizienz zur Strahlungserzeugung aus. III-V-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (InxGayAl1-x-yN) über den sichtbaren (InxGayAl1-x-yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder InxGayAl1-x-yP, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (InxGayAl1-x-yAs) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung vorteilhaft hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.The semiconductor body preferably comprises III-V semiconductor materials. These are characterized by a particularly high efficiency for generating radiation. III-V semiconductor materials are used for generating radiation in the ultraviolet (In x Ga y Al 1-xy N) over the visible (In x Ga y Al 1-xy N, in particular for blue to green radiation, or In x Ga y Al 1- xy P, in particular for yellow to red radiation) to the infrared (In x Ga y Al 1-xy As) spectral range is particularly suitable. In each case 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1 and x + y ≦ 1, in particular with x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 and / or y ≠ 0. With III-V semiconductor materials, in particular from the said material systems, can be achieved in the generation of radiation advantageously high internal quantum efficiencies.
Die
Halbleiterschichtenfolge
Das
in
In
Der
Halbleiterkörper umfasst die Halbleiterschichtenfolge
Bei
der beispielhaften Ausgestaltung nach
Die
Halbleiterschichtenfolge
Eine
auf Nitrid-Verbindungshalbleitern basierende Halbleiterschichtenfolge
bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive Epitaxie-Schichtenfolge
oder zumindest eine Schicht davon ein Nitrid-III/V-Verbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise
AlnGamIn1-n-mN umfasst, wobei 0 ≤ n ≤ 1,
0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei muss dieses
Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung
nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen,
die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIn1-n-mN-Materials
im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet
obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters
(Al, Ga, In, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen
weiterer Stoffe ersetzt sein können. Ein optoelektronisches
Bauelement
Im
Ausführungsbeispiel nach
Eine
erste Maßnahme ist eine zumindest teilweise Aufrauung
Eine
weitere Maßnahme ist das Vorsehen von zumindest einem Auskoppelprisma
Auskoppelprismen
Eine
dritte Maßnahme ist eine zumindest teilweise Verspiegelung
Eine
weitere Maßnahme zur Bildung von Auskoppelstrukturen kann
beispielsweise der Einsatz eines photonischen Kristalls sein z.
B. als zusätzliche Schicht auf zumindest einer der Hauptflächen
Der
photonische Kristall kann neben der optischen Funktion eine elektrische
Funktion übernehmen und derart beschaffen sein, dass er
zur Stromaufweitung dient, dass heißt der über
Kontaktbereiche
Als
Abwandlungen der gezeigten und beschriebenen Ausgestaltung können
die elektrischen Kontaktbereiche
Das
in
Vorzugsweise
sind die anhand von
In
der Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement
Die
In
der
Der
Träger
Die
transparente Folie
Darüber
hinaus enthalten die transparente Folie
Außerdem
können die transparente Folie
Auf
der dem optoelektronischen Bauelement
Die
transparente Folie
Für
die Kontaktbahnen
Vorzugsweise
sind die anhand von
Auf
der der Halbleiterschichtenfolge
Der
erste elektrische Kontaktbereich
Anhand
der
In
einem ersten Schritt (
In
der
Die
erste Kontaktmaterialschicht
Bei
der Darstellung gemäß
In
dem Herstellungsschritt nach
In
einem weiteren Herstellungsschritt gemäß
Der
Reflektor
Nach
dem Koppeln mit dem Träger
Um
auch auf der anderen Seite eine zur Abstrahlung elektromagnetischer
Strahlung und gleichzeitig Kontaktierung geeignete Flächenstruktur
zu erhalten, wird in einem weiteren Herstellungsschritt gemäß
Insbesondere
können statt oder zusätzlich zu der Aufrauung
Sowohl
das Aufrauen als auch das Erzeugen von Auskoppelprismen
Die
Halbleiterschichtenfolge
In
Die
optoelektronischen Bauelemente
Die
Halbleiterschichtenfolgen
Der
Träger
Zum
Beispiel können die aktiven Bereiche
Die
Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele
beschränkt, vielmehr sind zahlreiche Abwandlungen möglich
und von der Erfindung umfasst. Insbesondere sind zusätzlich
zu dem Reflektor
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Legal Events
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| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |
Effective date: 20150313 |