DE102008006831A1 - Hot-film sensor - Google Patents

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Winfried Kupke
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Abstract

Heißfilmsensor mit einem durch eine elektrische Leiterstruktur gebildeten Sensorelement (2) und einem Substrat (1), auf welchem das Sensorelement (2) angeordnet ist, wobei in dem Substrat (1) eine unter dem Sensorelement (2) ausgedehnte Kavität (3) zur Verminderung des Wärmeübergangs vom Sensorelement (3) an das Substrat (1) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist das Substrat (1) durch eine flexible Folie aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet, in welchem die unter dem Sensorelement (2) ausgedehnte Kavität (3) an der dem Sensorelement (2) abgewandten Rückseite (1b) ausgebildet ist, wobei eine reduzierte Dicke des Substrats (1) an der dem Sensorelement (2) zugewandten Vorderseite (1a) übrig ist.Hot-film sensor having a sensor element (2) formed by an electrical conductor structure and a substrate (1) on which the sensor element (2) is arranged, wherein in the substrate (1) under the sensor element (2) extended cavity (3) for reducing the heat transfer from the sensor element (3) to the substrate (1) is formed. According to the invention, the substrate (1) is formed by a flexible film made of an electrically insulating material, in which the cavity (3) extended below the sensor element (2) is formed on the rear side (1b) facing away from the sensor element (2) Thickness of the substrate (1) on the sensor element (2) facing front (1a) is left.

Description

Die Erfindung betrifft einen Heißfilmsensor mit einem durch eine Leiterstruktur gebildeten Sensorelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The The invention relates to a hot film sensor with a through a sensor structure formed sensor element according to the preamble of claim 1.

Heißfilmsensoren und Anordnungen (Arrays) von Heißfilmsensoren werden zur Vermessung von Strömungen von Fluids verwendet, beispielsweise zur Vermessung der Luftströmung an Flugzeugbauteilen wie Flügeln, Leitwerken oder dergleichen im Windkanal oder beim Testflug. Dabei wird eine ein Sensorelement bildende dünne Leiterstruktur geeigneter Geometrie auf einem dünnen, elektrisch und thermisch isolierenden Substrat erzeugt und mit einer elektronischen Heiz- und Auswerteschaltung verbunden. Zur Messung wird der Sensor auf eine gegenüber dem Fluid erhöhte Temperatur gebracht, wobei die Heizelektronik dazu vorgesehen ist, die Spannung (CV-Betrieb), den Strom (CC-Betrieb) oder die Temperatur (CT-Betrieb) konstant zu halten. Die von der Strömung des umgebenden Fluids abgeführte Wärme dient zur Charakterisierung der Strömung, insbesondere ihrer Geschwindigkeit. Das Hellprinzip als solches findet an sich schon seit langem Verwendung beispielsweise auf dem Gebiet meteorologischer Hitzdrahtanemometer oder bei Luftmassensensoren von Brennkraftmaschinen.Hot-film sensors and arrays of hot film sensors become the Measurement of flows of fluids used, for example for Measurement of air flow on aircraft components such as wings, Tail or the like in the wind tunnel or the test flight. there becomes a thin conductor pattern forming a sensor element suitable geometry on a thin, electric and thermal insulating substrate produced and with an electronic heating and evaluation connected. The sensor is set up for measurement an elevated relative to the fluid temperature, wherein the heating electronics are intended to control the voltage (CV operation), the current (CC operation) or the temperature (CT operation) constant to keep. The discharged from the flow of the surrounding fluid Heat is used to characterize the flow, especially their speed. The light principle as such has been used for a long time, for example, on the Field of meteorological hot wire anemometer or air mass sensors of internal combustion engines.

Die zur Vermessung von Strömungen verwendeten Heißfilmsensoren arbeiten um so effektiver und genauer, je mehr Wärme in das strömende Fluid übertragen wird und je weniger durch Wärmeleitung über das Substrat in den zu vermessenen (Versuchs)träger abgegeben wird. Ein Substrat mit geringer Wärmeleitung kann weiter verbessert werden, indem in die Substratrückseite eine Kavität (Vertiefung, Höhlung oder Ausnehmung) eingebracht wird, welche die Wärmeleitung lokal weiter reduziert.The hot film sensors used to measure flows Work more effectively and accurately, the more heat in the flowing fluid is transmitted and the less by conduction of heat across the substrate in the measured (test) carrier is delivered. A substrate with low heat conduction can be further improved by a cavity (depression, cavity or recess) is introduced, which the heat conduction locally further reduced.

Aus der EP 0 958 487 B1 , der DE 199 61 129 A1 , der US 6 698 283 B2 , der US 5 237 867 A oder der JP 2003 021547 A sind Heißfilmsensoren bekannt, bei denen durch eine elektrische Leiterstruktur gebildete Sensorelemente auf einem Substrat angeordnet sind, wobei in dem Substrat eine unter dem Sensorelement ausgedehnte Kavität zur Verminderung des Wärmeübergangs vom Heizelement an das Substrat und damit an den darunter liegenden (Versuchs)träger ausgebildet ist. Bei der EP 0 958 478 B1 ist das Substrat durch einen relativ massiven Träger aus Glas, beispielsweise mit einer Dicke von 0,5 mm gebildet, in welchem ein die Kavität bildendes, durch die gesamte Dicke des Trägers durchgehendes Fenster ausgespart ist. Eine Beschichtung, welche letztlich als eine das eigentliche Sensorelement tragende Membran dient, ist durch mehrere Teilschichten gebildet, wobei eine Siliziumnitridschicht zwischen zwei Siliziumkarbidschichten eingebettet ist. Der in der DE 199 61 129 A1 beschriebene Heißfilmsensor ist in ähnlicher Weise aufgebaut, wobei ein das eigentliche Sensorelement tragender Basisfilm auf einem plattenartigen Substrat angeordnet ist, in welchem ein die Kavität bildender Hohlraum ebenfalls als ein durch die gesamte Dicke des plattenartigen Substrats gehendes Fenster vorgesehen ist. Bei den aus der US 6 698 283 B1 und der US 5 237 867 A bekannten Heißfilmsensoren wird ebenfalls ein plattenartiges Substrat verwendet, welches aus Halbleitersilizium besteht und ein ebenfalls durch seine gesamte Dicke gehendes Fenster aufweist, über dem das eigentliche Sensorelement auf einem eine Membran bildenden isolierenden Film angeordnet ist. Der aus der JP 2003 021547 A bekannte Heißfilmsensor ist in einer ähnlichen Weise aufgebaut. Aus der US 5 484 517 ist ein Heißfilmsensor bekannt, bei dem das Sensorelement auf einem durch einen Polyimidfilm gebildeten Substrat aufgebracht ist, welches eine konstante Dicke aufweist. Schließlich ist aus der DE 44 17 679 C1 ein Heißfilmsensor bekannt, bei welchem mit dem eigentlichen Sensorelement elektrisch verbundene Sensorzuleitungen in Vertiefungen einer Trägerfolie so versenkt sind, dass sie keine Erhebungen in der Folienoberfläche darstellen.From the EP 0 958 487 B1 , of the DE 199 61 129 A1 , of the US Pat. No. 6,698,283 B2 , of the US 5 237 867 A or the JP 2003 021547 A hot-film sensors are known in which sensor elements formed by an electrical conductor structure are arranged on a substrate, wherein in the substrate an extended under the sensor element cavity for reducing the heat transfer from the heating element to the substrate and thus to the underlying (trial) carrier is formed. In the EP 0 958 478 B1 the substrate is formed by a relatively massive support of glass, for example with a thickness of 0.5 mm, in which a cavity-forming, through the entire thickness of the support continuous window is recessed. A coating, which ultimately serves as a membrane carrying the actual sensor element, is formed by a plurality of partial layers, wherein a silicon nitride layer is embedded between two silicon carbide layers. The Indian DE 199 61 129 A1 described hot film sensor is constructed in a similar manner, wherein a base film carrying the actual sensor element is disposed on a plate-like substrate, in which a cavity forming the cavity is also provided as a window passing through the entire thickness of the plate-like substrate. In the from the US Pat. No. 6,698,283 B1 and the US 5 237 867 A known hot-film sensors, a plate-like substrate is also used, which consists of semiconductor silicon and also has a window extending through its entire thickness, over which the actual sensor element is arranged on an insulating film forming a membrane. The from the JP 2003 021547 A known hot film sensor is constructed in a similar manner. From the US 5,484,517 For example, a hot film sensor is known in which the sensor element is deposited on a substrate formed by a polyimide film which has a constant thickness. Finally, out of the DE 44 17 679 C1 a hot film sensor is known in which electrically connected to the actual sensor element sensor leads are sunk in wells of a carrier film so that they do not represent elevations in the film surface.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, einen verbesserten Heißfilmsensor zu schaffen, welcher eine möglichst genaue und unverfälschte Messung von Fluidströmungen gestattet.The The object of the invention is an improved hot film sensor to create the most accurate and unadulterated Measurement of fluid flows allowed.

Die Aufgabe wird durch einen Heißfilmsensor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.The Task is by a hot film sensor with the features of claim 1.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors sind in den Unteransprüchen angegeben.advantageous Embodiments and developments of the invention Hot film sensors are specified in the subclaims.

Durch die Erfindung wird ein Heißfilmsensor mit einem durch eine elektrische Leiterstruktur gebildeten Sensorelement und einem Substrat, auf welchem das Sensorelement angeordnet ist, wobei in dem Substrat eine unter dem Sensorelement ausgedehnte Kavität zur Verminderung des Wärmeübergangs vom Sensorelement an das Substrat ausgebildet ist, geschaffen. Erfindungsgemäß ist das Substrat durch eine flexible Folie aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet, in welchem die unter dem Sensorelement ausgedehnte Kavität an der dem Sensorelement abgewandten Rückseite ausgebildet ist, wobei eine reduzierte Dicke des Substrats an der dem Sensorelement zugewandten Vorderseite desselben übrig ist.By The invention will be a hot film sensor with a through a electrical conductor structure formed sensor element and a substrate, on which the sensor element is arranged, wherein in the substrate an under the sensor element extended cavity for reduction the heat transfer from the sensor element to the substrate is formed, created. According to the invention the substrate by a flexible foil of an electrically insulating Material formed in which extended under the sensor element Cavity on the rear side facing away from the sensor element is formed, wherein a reduced thickness of the substrate at the Sensor element facing the front of the same is left.

Gemäß vorteilhaften Ausgestaltungen der Erfindung hat die das Substrat bildende flexible Folie eine Dicke von 10 bis 1000 μm, insbesondere eine Dicke von 25 bis 250 μm.According to advantageous Embodiments of the invention has the flexible forming the substrate Film has a thickness of 10 to 1000 microns, in particular a thickness from 25 to 250 μm.

Vorzugsweise hat die an der dem Sensorelement abgewandten Rückseite des Substrats ausgebildete Kavität eine Tiefe von 20% bis 80% der Dicke der das Substrat bildenden Folie.The rear side of the substrate, which faces away from the sensor element, has preferably emerged Cavity formed a depth of 20% to 80% of the thickness of the film forming the substrate.

Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors ist auf der das Sensorelement bildenden Leiterstruktur und dem Substrat eine Passivierungsschicht vorgesehen, die eine glatte Oberfläche bildet.According to one advantageous embodiment of the invention Hot film sensor is on the sensor element forming Ladder structure and the substrate provided a passivation layer, which forms a smooth surface.

Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Passivierungsschicht einen über dem Sensorelement ausgebildeten Bereich mit einem höheren Wärmeübergang und einen über dem übrigen Substrat ausgebildeten Bereich mit niedrigerem Wärmeübergang aufweist.According to one advantageous development of the invention, it is provided that the passivation layer formed over the sensor element Area with a higher heat transfer and one formed over the remaining substrate Has area with lower heat transfer.

Gemäß einer Ausführungsform hiervon kann vorgesehen werden, dass die Passivierungsschicht in dem über dem Sensorelement ausgebildeten Bereich aus einem Material mit höherer thermischer Leitfähigkeit und in dem über dem übrigen Substrat ausgebildeten Bereich aus einem Material mit niedrigerer thermischer Leitfähigkeit besteht.According to one Embodiment thereof may be provided that the Passivation layer in the formed over the sensor element Range of a material with higher thermal conductivity and in the over the other substrate formed Range of a material with lower thermal conductivity consists.

Dabei kann das Material höherer thermischer Leitfähigkeit, das über dem Sensorelement vorgesehen ist, eine höhere Steifigkeit aufweisen als das über dem übrigen Substrat vorgesehene Material niedrigerer thermischer Leitfähigkeit.there can the material of higher thermal conductivity, which is provided above the sensor element, a higher Have stiffness than that over the rest Substrate provided material of lower thermal conductivity.

Die das Sensorelement bildende Leiterstruktur kann als Mäander, Spirale oder als Doppelspirale ausgebildet sein.The the conductor element forming the sensor element can be used as a meander, Spiral or be designed as a double spiral.

Gemäß einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors ist es vorgesehen, dass die Leiterstruktur mit elektrischen Kontakten verbunden ist, die von der Vorderseite zur Rückseite des Substrats durchgeführt sind.According to one Further development of the hot-film sensor according to the invention It is envisaged that the conductor structure with electrical contacts connected from the front to the back of the substrate are performed.

Gemäß vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors können eine Anzahl von Sensorelementen in einer 1-dimensionalen oder in einer 2-dimensionalen Anordnung auf der das Substrat bildenden flexiblen Folie gemeinsam angeordnet sein, wobei jeweils unter den Sensorelementen ausgedehnte Kavitäten an der dem Sensorelement abgewandten Rückseite der das Substrat bildenden flexiblen Folie ausgebildet sind.According to advantageous Embodiments of the invention Hot film sensors may include a number of sensor elements in a 1-dimensional or in a 2-dimensional arrangement the flexible film forming the substrate is co-located be, wherein in each case under the sensor elements extensive cavities on the side facing away from the sensor element back of the substrate forming flexible film are formed.

Die das Substrat bildende flexible Folie kann vorteilhafterweise aus Polyimid oder aus Polyetheretherketon hergestellt sein.The The flexible film forming the substrate may advantageously be made Polyimide or be prepared from polyetheretherketone.

Gemäß einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors ist die Rückseite des Substrats durch eine Zusatzisolierung in Form einer weiteren Folie oder Beschichtung oder durch eine Kleberschicht elektrisch isoliert.According to one Further development of the hot-film sensor according to the invention is the back of the substrate through an additional insulation in the form of another film or coating or by an adhesive layer electrically isolated.

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung erläutert.in the Below, embodiments of the invention are based on explained the drawing.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine perspektivische stark vergrößerte Darstellung eines Heißfilmsensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; 1 a highly magnified perspective view of a hot-film sensor according to an embodiment of the invention;

2 eine perspektivische Querschnittsansicht des Heißfilmsensors gemäß dem Ausführungsbeispiel von 1; 2 a perspective cross-sectional view of the hot-film sensor according to the embodiment of 1 ;

3 eine Draufsicht auf den Heißfilmsensor gemäß dem Ausführungsbeispiel von 1; 3 a plan view of the hot film sensor according to the embodiment of 1 ;

4 eine Rückansicht des Heißfilmsensors gemäß dem Ausführungsbeispiel von 1; 4 a rear view of the hot-film sensor according to the embodiment of 1 ;

5 in der Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors; und 5 in the plan view, another embodiment of the hot film sensor according to the invention; and

6 in der Draufsicht ein Heißfilm Array als ein noch weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. 6 in plan view, a hot-film array as a still further embodiment of the invention.

In den 1 bis 4 ist ein Heißfilmsensor gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, bei dem ein durch eine elektrische Leiterstruktur gebildetes Sensorelement 2 auf einem Substrat 1 angeordnet ist. Das Substrat 1 ist durch eine flexible Folie aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet, beispielsweise durch eine Polyimidfolie oder durch eine Folie aus thermoplastischem Polyetheretherketon (PEEK). In dem durch die flexible Folie gebildeten Substrat 1 ist eine unter dem Sensorelement 2 ausgedehnte Kavität 3 ausgebildet, die zur Verminderung des Wärmeübergangs vom Sensorelement 2 an das Substrat 1 und damit an dem darunter befindlichen (Versuchs)träger dient. Diese Kavität 3 in Form einer Höhlung, Ausnehmung oder Vertiefung ist an der dem Sensorelement 2 abgewandten Rückseite 1b des Substrats ausgebildet, so dass eine reduzierte Dicke des Substrats 1 an der dem Sensorelement 2 zugewandten Vorderseite 1a desselben übrig bleibt.In the 1 to 4 a hot film sensor according to an embodiment of the invention is shown in which a sensor element formed by an electrical conductor structure 2 on a substrate 1 is arranged. The substrate 1 is formed by a flexible film of an electrically insulating material, for example by a polyimide film or by a film of thermoplastic polyetheretherketone (PEEK). In the substrate formed by the flexible film 1 is one under the sensor element 2 extended cavity 3 designed to reduce the heat transfer from the sensor element 2 to the substrate 1 and thus to the underlying (trial) carrier. This cavity 3 in the form of a cavity, recess or depression is at the sensor element 2 facing away back 1b formed of the substrate, so that a reduced thickness of the substrate 1 at the sensor element 2 facing front 1a of the same remains.

Die das Substrat 1 bildende flexible Folie kann beispielsweise eine Dicke von 10 bis 1000 μm, insbesondere eine Dicke von 25 bis 250 μm aufweisen, und die an der dem Sensorelement 2 abgewandten Rückseite 1b des Substrats 1 ausgebildete Kavität 3 kann beispielsweise eine Tiefe von 20% bis 80% der Dicke der das Substrat 1 bildenden Folie haben.The the substrate 1 forming flexible film may for example have a thickness of 10 to 1000 .mu.m, in particular a thickness of 25 to 250 .mu.m, and those at the sensor element 2 facing away back 1b of the substrate 1 trained cavity 3 For example, a depth of 20% to 80% of the thickness of the substrate 1 have forming film.

Auf der das Sensorelement 2 bildenden Leiterstruktur und dem Substrat 1 ist eine Passivierungsschicht 4 vorgesehen, die eine glatte Oberfläche bildet. Bei dem in den 1 bis 4 dargestelltem Ausführungsbeispiel hat die Passivierungsschicht 4 einen über dem Sensorelement 2 ausgebildeten Bereich 4a mit höherem Wärmeübergang und einem über dem übrigen Substrat 1 ausgebildeten Bereich 4b mit niedrigerem Wärmeübergang. Dazu besteht die Passivierungsschicht 4 in dem über dem Sensorelement 2 ausgebildeten Bereich 4a aus einem Material mit höherer thermischer Leitfähigkeit und in dem über dem übrigen Substrat 1 ausgebildeten Bereich 4b aus einem Material mit niedrigerer thermischer Leitfähigkeit. Der höhere Wärmeübergang in dem Bereich 4a über dem Sensorelement 2 kann zusätzlich oder alternativ auch durch eine geringere Dicke der Passivierungsschicht 4 in diesem Bereich 4a bewirkt werden.On the the sensor element 2 forming conductor structure and the substrate 1 is a passivation layer 4 provided a smooth Oberflä kitchen. In the in the 1 to 4 illustrated embodiment has the passivation layer 4 one above the sensor element 2 trained area 4a with higher heat transfer and one above the rest of the substrate 1 trained area 4b with lower heat transfer. This is the passivation layer 4 in the above the sensor element 2 trained area 4a made of a material with higher thermal conductivity and in the above the rest of the substrate 1 trained area 4b made of a material with lower thermal conductivity. The higher heat transfer in the area 4a above the sensor element 2 may additionally or alternatively also by a smaller thickness of the passivation layer 4 in this area 4a be effected.

Weiterhin kann das Material höherer thermischer Leitfähigkeit, das im Bereich 4a über dem Sensorelement 2 vorgesehen ist, eine höhere Steifigkeit haben als das über dem übrigen Substrat 1 vorgesehene Material niedrigerer thermischer Leitfähigkeit.Furthermore, the material of higher thermal conductivity, in the range 4a above the sensor element 2 is intended to have a higher rigidity than that over the rest of the substrate 1 provided material of lower thermal conductivity.

Die das Sensorelement 2 bildende Leiterstruktur ist mit elektrischen Kontakten 5a, 5b verbunden, die bei dem in den 1 bis 4 gezeigten Ausführungsbeispiel von der Vorderseite 1a zur Rückseite 1b des Substrats 1 durchgeführt sind.The the sensor element 2 forming conductor structure is with electrical contacts 5a . 5b connected to that in the 1 to 4 shown embodiment of the front 1a to the back 1b of the substrate 1 are performed.

Die Kavität 3 kann durch verschiedene Verfahren erzeugt werden, beispielsweise:

  • 1. Es wird eine Maskierungsschicht auf die Rückseite 1b des Substrats 1 aufgebracht und fotolithographisch strukturiert. In einem Sauerstoffplasma, dem auch etwas Fluor beigemengt sein kann, wird die Kavität 3 in das Substrat 1 geätzt. Danach wird die Maskenschicht entfernt.
  • 2. Es wird ein Prozess wie unter 1. durchgeführt, aber die Ätzung wird in einer geeigneten Weise als Nassätzung ausgeführt.
  • 3. Bei dicken Substraten 1 und großen Strukturen kann die Kavität 3 auch durch einen Feinfräser erzeugt werden.
  • 4. Die Kavität 3 wird durch Laserablation erzeugt.
  • 5. Die Kavität kann erzeugt werden durch Laminieren von mindestens zwei Folien, wobei in eine dieser Folien die Geometrie der Kavität eingeschnitten wurde, während die andere als geschlossene Deckfolie dient. Das Zuschneiden dieser Folie kann durch einen Schneidplotter, Laserschneiden, Wasserstrahlschneiden oder Plasmaätzen erfolgen.
The cavity 3 can be generated by various methods, for example:
  • 1. There will be a masking layer on the back 1b of the substrate 1 applied and patterned photolithographically. In an oxygen plasma, which may also be mixed with some fluorine, the cavity 3 in the substrate 1 etched. Thereafter, the mask layer is removed.
  • 2. A process is carried out as in 1., but the etching is carried out in a suitable manner as wet etching.
  • 3. For thick substrates 1 and big structures can be the cavity 3 also be produced by a fine milling cutter.
  • 4. The cavity 3 is generated by laser ablation.
  • 5. The cavity can be produced by laminating at least two films, wherein in one of these films, the geometry of the cavity was cut, while the other serves as a closed cover sheet. The cutting of this film can be done by a cutting plotter, laser cutting, water jet cutting or plasma etching.

Der Heißfilmsensor mit dem fertigen Substrat 1 wird mit dem Sensorelement 2 nach oben und der Kavität 3 nach unten auf dem zu vermessenden (Versuchs)träger befestigt.The hot film sensor with the finished substrate 1 becomes with the sensor element 2 upwards and the cavity 3 attached to the bottom of the (trial) carrier to be measured.

Die Herstellung des Substrats 1 durch eine flexible Folie, beispielsweise eine Folie aus Polyimid, ermöglicht eine Anbringung an gekrümmten oder verrundeten Oberflächen, wie beispielsweise an Bauteilen von Flügeln, Leitwerken oder anderen umströmten Körpern, insbesondere von Luftfahrzeugen.The production of the substrate 1 by a flexible film, such as a film of polyimide, allows attachment to curved or rounded surfaces, such as on components of wings, tail units or other flow around bodies, in particular of aircraft.

Der beschriebene Heißfilmsensor zeichnet sich durch eine geringe Bauhöhe aus, so dass Strömungseigenschaften auf bzw. in unmittelbarer Nähe der zu untersuchenden Trägeroberfläche ermittelt werden können, ohne dass der Träger verändert werden müsste, beispielsweise durch Anbringen von Einschnitten, ohne dass die zu untersuchende Strömung nennenswert beeinflusst wird.Of the described hot film sensor is characterized by a low Height out so that flow characteristics up or in the immediate vicinity of the carrier surface to be examined can be determined without the carrier would have to be changed, for example by Applying incisions without affecting the flow to be studied is significantly affected.

Der Sensor besitzt zum Schutz vor Umwelteinflüssen und zur elektrischen Isolierung über dem Sensorelement 2 die beschriebene Passivierungsschicht 4. Durch eine Strukturierung der Passivierungsschicht in der oben beschriebenen Weise, wonach über dem Sensorelement 2 eine Passivierungsschicht 4a mit höherer thermischer Wärmeübertragung und an den übrigen Bereichen eine Passivierung 4b mit niedrigerer thermischer Wärmeübertragung vorgesehen ist, wird eine Erhöhung der lokal am Ort des Sensorelements 2 an die Strömung abgegebenen Wärme erreicht.The sensor has protection against environmental influences and electrical insulation over the sensor element 2 the passivation layer described 4 , By structuring the passivation layer in the manner described above, after which over the sensor element 2 a passivation layer 4a with higher thermal heat transfer and passivation on the remaining areas 4b is provided with lower thermal heat transfer, an increase of locally at the location of the sensor element 2 reached to the flow of heat.

Damit die zu messende Strömung nicht durch die Geometrie des Sensors beeinflusst wird, besitzt der Sensor eine geringe Dicke und eine glatte Oberfläche. Insbesondere die elektrischen Kontakte 5a, 5b sind durch das Substrat 1 auf die Rückseite zu Zuleitungen oder Anschlüssen 7a, 7b durchgeführt. Falls der zu vermessende (Versuchs)träger aus einem leitenden Material besteht, beispielsweise Aluminium, wird die Rückseite 1b des Substrats 1, auf der die Zuleitungen oder Anschlüsse 7a, 7b dann laufen, durch eine Zusatzisolierung in Form einer weiteren Folie oder Beschichtung oder durch eine Kleberschicht von dem Substrat 1 elektrisch isoliert, was in 1 durch die teilweise dargestellte, gestrichelte Beschichtung mit dem Bezugszeichen 6 angedeutet ist.So that the flow to be measured is not influenced by the geometry of the sensor, the sensor has a small thickness and a smooth surface. In particular, the electrical contacts 5a . 5b are through the substrate 1 on the back to supply lines or connections 7a . 7b carried out. If the (trial) beam to be measured is made of a conductive material, such as aluminum, the back side becomes 1b of the substrate 1 on which the supply lines or connections 7a . 7b then run, by an additional insulation in the form of another film or coating or by an adhesive layer of the substrate 1 electrically isolated what is in 1 by the partially shown, dashed coating with the reference numeral 6 is indicated.

Die das Sensorelement 2 bildende Leiterstruktur kann als Mäander, Spirale oder als Doppelspirale ausgebildet sein.The the sensor element 2 forming conductor structure may be formed as a meander, spiral or as a double spiral.

5 zeigt in der Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Heißfilmsensors, bei dem die besagte Leiterstruktur als Doppelspirale ausgebildet ist. Dadurch werden Leitungskreuzungen in der Zuleitung vermieden und es ergibt sich eine weitestgehend richtungsunabhängige Empfindlichkeit des Sensorelements 2. 5 shows in plan view another embodiment of the hot film sensor according to the invention, in which the said conductor structure is formed as a double spiral. As a result, line crossings are avoided in the supply and results in a largely independent direction sensitivity of the sensor element 2 ,

Es können eine Anzahl von Sensorelementen 2 in einer 1-dimensionalen oder in einer 2-dimensionalen Anordnung auf einem durch eine flexible Folie gebildeten gemeinsamen Substrat 1 vorgesehen sein, wobei unter den jeweiligen Sensorelementen 2 Kavitäten 3 der beschriebenen Art an der dem Sensorelement 2 abgewandten Rückseite 1b der das Substrat 1 bildenden flexiblen Folie vorgesehen sind. Eine solche Ausbildung ermöglicht eine Strömungsmessung mit hoher Auflösung bei kleinen "Pixeln" und hohem Sensorwiderstand. Damit ist es möglich, bei gleicher Empfindlichkeit der Sensorelemente 2 geringere Ströme zur Messung einzusetzen als mit herkömmlichen Sensoren.There may be a number of sensor elements 2 in a 1-dimensional or 2-dimensional arrangement on a common substrate formed by a flexible film 1 intended be, where among the respective sensor elements 2 wells 3 of the type described at the sensor element 2 facing away back 1b the substrate 1 forming flexible film are provided. Such a design allows high resolution flow measurement with small "pixels" and high sensor resistance. This makes it possible, with the same sensitivity of the sensor elements 2 to use lower currents for measurement than with conventional sensors.

Die Kavität 3 unter dem Sensorelement 2 kann eine Fläche in der Größenordnung von 0,1 bis 10 mm2 und eine Tiefe von 10 bis 200 μm haben.The cavity 3 under the sensor element 2 may have an area of the order of 0.1 to 10 mm 2 and a depth of 10 to 200 μm.

6 zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Heißfilm-Array mit drei Reihen von jeweils 16 Sensoren. Die einzelnen Sensoren sind als zweidimensionales Array angeordnet. Es können auch mehrere Arrays auf mehr als einem Foliensubstrat verteilt sein Die oben beschriebene strukturierte Passivierung mit einer Passivierungsschicht 4a höherer thermischer Leitfähigkeit und einer Passivierungsschicht 4b niedrigerer thermischer Leitfähigkeit ist insbesondere insofern vorteilhaft, als dass auch thermisch leitfähigere Materialien mit höherer Steifigkeit verwendet werden können. Diese brauchen dann nur einzelne Inseln in einer Matrix einer weicheren und/oder spannungsfreieren Passivierungsschicht 4b mit niedrigerer thermischer Leitfähigkeit bilden. Die beschichtete Sensorfolie bleibt vergleichsweise flexibel und spannungsfrei und kann damit besser gehandhabt werden als wenn eine spannungsreichere und/oder steifere Dünnschicht auf die gesamte Oberfläche aufgebracht wird. Im Falle einer sehr spannungsreichen Dünnschicht würde sich sonst die Sensorfolie so stark werfen oder rollen, dass sie nicht mehr auf einer gekrümmten Oberfläche angebracht oder weiter gehandhabt werden könnte, ohne dass die Beschichtung 4 lokal abplatzen oder darin Risse entstehen könnten. 6 shows as a further embodiment of the invention, a hot-film array with three rows of 16 sensors. The individual sensors are arranged as a two-dimensional array. It is also possible for a plurality of arrays to be distributed on more than one film substrate. The above-described structured passivation with a passivation layer 4a higher thermal conductivity and a passivation layer 4b lower thermal conductivity is particularly advantageous in that even more thermally conductive materials with higher stiffness can be used. These then only need individual islands in a matrix of a softer and / or stress-free passivation layer 4b form with lower thermal conductivity. The coated sensor film remains relatively flexible and stress-free and can thus be handled better than if a tighter and / or more rigid thin film is applied to the entire surface. Otherwise, in the case of a high voltage thin film, the sensor film would throw or roll so much that it could no longer be mounted on a curved surface or handled further without the coating 4 locally flake or cracks may occur.

Durch die Erfindung wird ein Heißfilmsensor geschaffen, dessen Wärmeverlust zum (Versuchs)träger deutlich reduziert ist, so dass sich eine verbesserte Sensorempfindlichkeit und ein verbessertes Zeitverhalten des Sensors ergeben. Durch die geringe Dicke und die glatte Oberfläche des Sensors wird die zu messende Strömung wenig gestört und es besteht die Möglichkeit einer Anbringung auf gewölbten oder gekrümmten Oberflächen. Aufgrund einer Durchführung der elektrischen Kontakte 5a, 5b zur Rückseite hat der Sensor eine glatte Oberfläche, so dass die zu messende Größe nicht beeinflusst wird.The invention provides a hot film sensor whose heat loss to the (trial) carrier is significantly reduced, resulting in improved sensor sensitivity and improved time response of the sensor. Due to the small thickness and the smooth surface of the sensor, the flow to be measured is little disturbed and there is the possibility of mounting on curved or curved surfaces. Due to a carrying out the electrical contacts 5a . 5b To the back, the sensor has a smooth surface, so that the size to be measured is not affected.

11
Substratsubstratum
1a1a
Vorderseitefront
1b1b
Rückseiteback
22
Sensorelementsensor element
33
Kavitätcavity
44
Passivierungsschichtpassivation
4a4a
Passivierungsschicht höherer thermischer Leitfähigkeitpassivation higher thermal conductivity
4b4b
Passivierungsschicht niedrigerer thermischer Leitfähigkeitpassivation lower thermal conductivity
5a5a
KontaktContact
5b5b
KontaktContact
66
Zusatzisolierungadditional insulation
7a7a
Anschlussconnection
7b7b
Anschlussconnection

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Claims (14)

Heißfilmsensor mit einem durch eine elektrische Leiterstruktur gebildeten Sensorelement (2) und einem Substrat (1), auf welchem das Sensorelement (2) angeordnet ist, wobei in dem Substrat (1) eine unter dem Sensorelement (2) ausgedehnte Kavität (3) zur Verminderung des Wärmeübergangs vom Sensorelement (3) an das Substrat (1) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) durch eine flexible Folie aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, in welchem die unter dem Sensorelement (2) ausgedehnte Kavität (3) an der dem Sensorelement (2) abgewandten Rückseite (1b) ausgebildet ist, wobei eine reduzierte Dicke des Substrats (1) an der dem Sensorelement (2) zugewandten Vorderseite (1a) übrig ist.Hot film sensor having a sensor element formed by an electrical conductor structure ( 2 ) and a substrate ( 1 ) on which the sensor element ( 2 ), wherein in the substrate ( 1 ) one under the sensor element ( 2 ) extended cavity ( 3 ) for reducing the heat transfer from the sensor element ( 3 ) to the substrate ( 1 ), characterized in that the substrate ( 1 ) is formed by a flexible foil of an electrically insulating material, in which the under the sensor element ( 2 ) extended cavity ( 3 ) at the sensor element ( 2 ) facing away from the back ( 1b ), wherein a reduced thickness of the substrate ( 1 ) at the sensor element ( 2 ) facing front ( 1a ) is left over. Heißfilmsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die das Substrat (1) bildende flexible Folie eine Dicke von 10 bis 1000 μm, insbesondere eine Dicke von 25 bis 250 μm aufweist.Hot-film sensor according to claim 1, characterized in that the substrate ( 1 ) forming flexible film has a thickness of 10 to 1000 .mu.m, in particular a thickness of 25 to 250 microns. Heißfilmsensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die an der dem Sensorelement (2) abgewandten Rückseite (1b) des Substrats (1) ausgebildete Kavität (3) eine Tiefe von 20% bis 80% der Dicke der das Substrat (1) bildenden Folie aufweist.Hot film sensor according to claim 1 or 2, characterized in that the on the the sensor element ( 2 ) facing away from the back ( 1b ) of the substrate ( 1 ) formed cavity ( 3 ) a depth of 20% to 80% of the thickness of the substrate ( 1 ) has forming film. Heißfilmsensor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf der das Sensorelement (2) bildenden Leiterstruktur und dem Substrat (1) eine Passivierungsschicht (4) vorgesehen ist, die eine glatte Oberfläche bildet.Hot film sensor according to claim 1, 2 or 3, characterized in that on which the sensor element ( 2 ) forming conductor structure and the substrate ( 1 ) a passivation layer ( 4 ) is provided which forms a smooth surface. Heißfilmsensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (4) einen über dem Sensorelement (2) ausgebildeten Bereich (4a) mit höherem Wärmeübergang und einen über dem übrigen Substrat (1) ausgebildeten Bereich (4b) mit niedrigerem Wärmeübergang aufweist.Hot film sensor according to claim 4, characterized in that the passivation layer ( 4 ) one above the sensor element ( 2 ) trained area ( 4a ) with higher heat transfer and one above the remaining substrate ( 1 ) trained area ( 4b ) with lower heat transfer. Heißfilmsensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Passivierungsschicht (4) in dem über dem Sensorelement (2) ausgebildeten Bereich (4a) aus einem Material mit höherer thermischer Leitfähigkeit und in dem über dem übrigen Substrat (1) ausgebildeten Bereich (4b) aus einem Material mit niedrigerer thermischer Leitfähigkeit besteht.Hot film sensor according to claim 5, characterized in that the passivation layer ( 4 ) in the above the sensor element ( 2 ) trained area ( 4a ) of a material with higher thermal conductivity and in the above the remaining substrate ( 1 ) trained area ( 4b ) consists of a material with lower thermal conductivity. Heißfilmsensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Material höherer thermischer Leitfähigkeit, das über dem Sensorelement (2) vorgesehen ist, eine höhere Steifigkeit aufweist als das über dem übrigen Substrat (1) vorgesehene Material niedrigerer thermischer Leitfähigkeit.Hot film sensor according to claim 6, characterized in that the material of higher thermal conductivity, the above the sensor element ( 2 ) has a higher rigidity than that over the remaining substrate ( 1 ) provided lower thermal conductivity material. Heißfilmsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die das Sensorelement (2) bildende Leiterstruktur als Mäander, Spirale oder als Doppelspirale ausgebildet ist.Hot film sensor according to one of claims 1 to 7, characterized in that the sensor element ( 2 ) forming conductor structure is designed as a meander, spiral or as a double spiral. Heißfilmsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterstruktur mit elektrischen Kontakten (5a, 5b) verbunden ist, die von der Vorderseite (1a) zur Rückseite (1b) des Substrats (1) durchgeführt sind.Hot film sensor according to one of claims 1 to 8, characterized in that the conductor structure with electrical contacts ( 5a . 5b ) connected from the front ( 1a ) to the back ( 1b ) of the substrate ( 1 ) are performed. Heißfilmsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl von Sensorelementen (2) in einer 1-dimensionalen oder in einer 2-dimensionalen Anordnung auf der das Substrat (1) bildenden flexiblen Folie gemeinsam angeordnet sind, wobei jeweils unter den Sensorelementen (2) ausgedehnte Kavitäten (3) an der dem Sensorelement (2) abgewandten Rückseite der das Substrat (1) bildenden flexiblen Folie ausgebildet sind.Hot-film sensor according to one of claims 1 to 9, characterized in that a number of sensor elements ( 2 ) in a 1-dimensional or in a 2-dimensional arrangement on which the substrate ( 1 ) are arranged together, wherein in each case under the sensor elements ( 2 ) extensive cavities ( 3 ) at the sensor element ( 2 ) facing away from the back of the substrate ( 1 ) are formed flexible film. Heißfilmsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) durch eine flexible Folie aus Polyimid oder Polyetheretherketon gebildet ist.Hot-film sensor according to one of claims 1 to 10, characterized in that the substrate ( 1 ) is formed by a flexible film of polyimide or polyetheretherketone. Heißfilmsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Rückseite (1b) des Substrats (1) durch eine Zusatzisolierung (6) in Form einer weiteren Folie oder Beschichtung oder durch eine Kleberschicht elektrisch isoliert ist.Hot film sensor according to one of claims 1 to 11, characterized in that the rear side ( 1b ) of the substrate ( 1 ) by an additional insulation ( 6 ) is electrically isolated in the form of another film or coating or by an adhesive layer. Heißfilmsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von Sensorelementen (2) als zweidimensionales Array angeordnet sind.Hot film sensor according to one of the preceding claims, characterized in that a plurality of sensor elements ( 2 ) are arranged as a two-dimensional array. Heißfilmsensor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Arrays von Sensorelementen auf mehreren als Folie ausgestalteten Substraten (1) verteilt angeordnet sind.Hot film sensor according to claim 13, characterized in that one or more arrays of sensor elements on a plurality of substrates ( 1 ) are arranged distributed.
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