DE102007010711B4 - Switching arrangement, measuring device with it and method for its production - Google Patents

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Abstract

Schaltanordnung, welche einen Träger (1), ein mikroelektronisches Bauteil (2) und mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') umfasst,wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') eine leitende Verbindung zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) herstellt,wobei zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) ein Teil der elektrischen Kontaktierung (3, 3') freigestellt ist und das mikroelektronische Bauteil (2) zur mechanischen Entkopplung des mikroelektronischem Bauteils (2) und des Trägers (1) vom Träger (1) beabstandet angeordnet ist und das mikroelektronische Bauteil (2) an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') hängend oder tragend befestigt ist, und der Träger (1) zumindest einen Teil eines Gehäuses mit einem geschlossenen Hohlraum (6) bildet, wobei das mikroelektronische Bauteil (2) im Hohlraum (6) angeordnet ist,wobei das mikroelektronische Bauteil (2) ein mikroelektronisch-mechanisches System (20) umfasst und das mikroelektronische Bauteil (2) einen weiteren Hohlraum (41) aufweist, in welchem das mikroelektronisch-mechanische System (20) angeordnet ist.Switching arrangement comprising a carrier (1), a microelectronic component (2) and at least one electrical contact (3, 3 '), wherein the at least one electrical contact (3, 3') has a conductive connection between the carrier (1) and the microelectronic component (2) is produced, wherein between the carrier (1) and the microelectronic component (2) a part of the electrical contact (3, 3 ') is free and the microelectronic component (2) for the mechanical decoupling of the microelectronic component (2 ) and the carrier (1) from the carrier (1) is arranged spaced and the microelectronic component (2) on the at least one electrical contact (3, 3 ') hanging or supporting, and the carrier (1) at least part of a Enclosed housing with a closed cavity (6), wherein the microelectronic component (2) in the cavity (6) is arranged, wherein the microelectronic component (2) a microelectronic-mechanical system (2 0) and the microelectronic component (2) has a further cavity (41) in which the microelectronic-mechanical system (20) is arranged.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltanordnung und ein Verfahren zu deren Herstellung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine leitende Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herstellt.The invention relates to a switching arrangement and a method for the production thereof, which comprises a carrier, a microelectronic component and at least one electrical contact, wherein the at least one electrical contact establishes a conductive connection between the carrier and the microelectronic component.

Die Integrationsdichte von Schaltungen auf einem mikroelektronischen Bauteil nimmt gemäß dem Gesetz von Moore exponentiell zu. Daher müssen immer mehr Schaltungen auf immer kleinerem Raum gepackt werden. Dabei entsteht das Problem, dass die Gesamtheit der mikroelektronischen Bauteile auf der Trägerplatte nicht mehr genügend Platz finden, so dass neue Packkonzepte erforderlich sind. So zeigt z.B. die WO 01/37338 A2 ein Verfahren zum Integrieren eines Chips innerhalb einer Leiterplatte, wobei der Chip auf der Leiterplatte angeordnet und von einem Polymer umgeben ist. Auf diese Art und Weise können viele mikroelektronische Bauteile übereinander und nebeneinander angeordnet werden, so dass eine größere Oberfläche zum Anbringen von mikroelektronischen Bauteilen zur Verfügung steht.The integration density of circuits on a microelectronic device increases exponentially according to Moore's Law. Therefore, more and more circuits must be packaged in ever smaller space. This creates the problem that the totality of the microelectronic components on the support plate no longer find enough space, so that new packaging concepts are required. So shows eg the WO 01/37338 A2 a method for integrating a chip within a printed circuit board, wherein the chip is arranged on the printed circuit board and surrounded by a polymer. In this way, many microelectronic components can be arranged one above the other and next to one another, so that a larger surface is available for mounting microelectronic components.

Bei vielen Anwendungen sind mikrotechnisch hergestellte Sensoren und Aktoren, sogenannte mikroelektronisch-mechanische Systeme (MEMS) von Nöten. Diese sind typischerweise sehr empfindlich gegenüber mechanischen Belastungen ihres Trägers. Eine mechanische Belastung durch äußere Einflüsse wie z.B. Biegung oder thermische Verformung setzt die Sensoren unter eine Vorbelastung und ändert ihre Kenndaten, was zu einer Verfälschung der Messdaten führt und gegebenenfalls sogar sicherheitsrelevante Auswirkungen hat, wie dies z.B. bei Sensoren eines Antiblockiersystems oder einer Flughöhensensorik offensichtlich ist.Many applications require micro-technologically produced sensors and actuators, so-called microelectronic-mechanical systems (MEMS). These are typically very sensitive to mechanical stress on their wearer. Mechanical stress due to external influences, such as Bending or thermal deformation places the sensors under a preload and changes their characteristics, which leads to a falsification of the measurement data and possibly even has safety-relevant effects, as described e.g. in sensors of an anti-lock brake system or an altitude sensor is obvious.

Um die empfindlichen MEMS dennoch auf hochintegrierten Schaltungen zu verwenden, werden heutzutage Trägermaterialien mit geeigneten Ausdehnungskoeffizienten verwendet, welche den Belastungen, welchen der Träger ausgesetzt ist, angepasst sind. Desweiteren gibt es zwischen dem MEMS und dem Träger eine mechanische Verbindung mittels Mitteln mit einem niedrigen Elastizitätsmodul und einer elektrischen Verbindung mittels Drahtbondtechnik. Die DE 10 2004 015 597 A1 zeigt beispielsweise eine mechanische Entkopplung eines Chips von einem Halbleitersubstrat durch eine Entkopplungseinrichtung aus weichem oder elastischem Material. Die DE 10 2004 011 203 A1 zeigt einen spannungsunempfindlichen Aufbau, bei dem ein Chip in einer überhängenden Aufbauweise auf ein Substrat mit einer Aussparung montiert ist und eine Entkopplung durch seit liches Überhängen des Chips vorgesehen ist. Mit diesen sehr aufwendigen Lösungsansätzen werden die mechanischen Belastungen, welche auf das Trägersubstrat wirken, zu einem geringen Prozentteil auf die hochempfindlichen MEMS Bausteine übertragen. Die Kosten der Lösungsansätze übersteigen jedoch oftmals die Kosten der Bauteilherstellung.Nevertheless, in order to use the sensitive MEMS on large scale integrated circuits, carrier materials with suitable coefficients of expansion which are adapted to the stresses to which the carrier is exposed are nowadays used. Furthermore, there is a mechanical connection between the MEMS and the carrier by means of a low modulus of elasticity and an electrical connection by means of wire bonding technology. The DE 10 2004 015 597 A1 shows, for example, a mechanical decoupling of a chip from a semiconductor substrate by a decoupling device made of soft or elastic material. The DE 10 2004 011 203 A1 shows a voltage insensitive structure in which a chip is mounted in an overhanging structure on a substrate with a recess and a decoupling is provided by Lich since overhanging the chip. With these very complex approaches, the mechanical stresses which act on the carrier substrate are transferred to a small percentage of the highly sensitive MEMS devices. However, the cost of the solutions often exceeds the cost of component manufacturing.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die mechanische Belastung auf ein mikroelektronisches Bauteil zu minimieren bei gleichzeitiger Gewährleistung seiner Funktion.The object of the present invention is to minimize the mechanical stress on a microelectronic component while ensuring its function.

Die Aufgabe wird durch eine Schaltanordnung gemäß dem Hauptanspruch gelöst.The object is achieved by a switching arrangement according to the main claim.

Die erfindungsgemäße Schaltanordnung umfasst einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung eine leitende Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herstellt. Die Schaltanordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil ein Teil der elektrischen Kontaktierung freigestellt ist und das mikroelektronische Bauteil zur mechanischen Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils und des Trägers vom Träger beabstandet angeordnet ist, wobei das mikroelektronische Bauteil an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt ist.The switching arrangement according to the invention comprises a carrier, a microelectronic component and at least one electrical contact, wherein the at least one electrical contact establishes a conductive connection between the carrier and the microelectronic component. The switching arrangement is characterized in that between the carrier and the microelectronic component part of the electrical contact is free and the microelectronic component for mechanical decoupling of the microelectronic device and the carrier is spaced from the carrier, wherein the microelectronic device at the at least one electrical contact attached or suspended.

Durch die mechanische Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils vom Träger werden die mechanischen Belastungen, welche auf den Träger wirken, nur in geringem Maße auf das mikroelektronische Bauteil übertragen. Die mechanische Entkopplung wird dadurch erreicht, dass das mikroelektronische Bauteil mit dem Gehäuse nicht direkt in Verbindung steht, sondern an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung, welche auch mit dem Träger verbunden ist, aufgehängt ist oder auf der elektrischen Kontaktierung tragend angeordnet ist. Dazu ist es notwendig, dass zwischen der Verbindung der elektrischen Kontaktierung mit dem Träger und der Verbindung der elektrischen Kontaktierung mit dem mikroelektronischen Bauteil ein Teilbereich der elektrischen Kontaktierung freigestellt ist, d.h. dass dieser Teilbereich weder vom Gehäuse noch vom mikroelektronischen Bauteil berührt wird. Dadurch kann das mikroelektronische Bauteil vom Träger beabstandet ausgeführt werden. Die Kontaktierung kann dabei in die gewünschte Form gebogen oder vorgeformt werden bzw. in einem später erläuterten Verfahren als Schicht aufgedampft werden.Due to the mechanical decoupling of the microelectronic component from the carrier, the mechanical loads which act on the carrier are transferred only to a small extent to the microelectronic component. The mechanical decoupling is achieved in that the microelectronic component with the housing is not directly in communication, but at the at least one electrical contact, which is also connected to the carrier, suspended or is arranged to support the electrical contact. For this purpose, it is necessary that between the connection of the electrical contact with the carrier and the connection of the electrical contact with the microelectronic component, a portion of the electrical contact is exempted, i. that this portion is not touched by the housing or the microelectronic device. As a result, the microelectronic component can be carried out at a distance from the carrier. The contacting can be bent or preformed into the desired shape or vapor-deposited as a layer in a later explained method.

Der Abstand zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil sollte so bemessen sein, dass auch bei einer hohen mechanischen Belastung des Trägers das mikroelektronische Bauteil nicht mit dem Träger in Kontakt kommt, da ein Kontakt das mikroelektronische Bauteil beschädigen könnte. Mit der erfindungsgemäßen mechanischen Entkopplung von Träger und mikroelektronischem Bauteil kann das mikroelektronische Bauteil besser gegenüber äußeren mechanischen Einflüssen isoliert werden.The distance between the carrier and the microelectronic component should be dimensioned so that even with a high mechanical load of the carrier, the microelectronic component does not come into contact with the carrier, since a contact the could damage microelectronic device. With the inventive mechanical decoupling of carrier and microelectronic component, the microelectronic component can be better insulated from external mechanical influences.

Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Schaltanordnung sind in den untergeordneten Ansprüchen beschrieben.Advantageous developments of the switching arrangement according to the invention are described in the subordinate claims.

Eine vorteilhafte Weiterbildung der Schaltanordnung ist es, dass der Träger eine Aussparung aufweist und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet ist. Durch eine derartige Ausführung wird das mikroelektronische Bauteil schützend in der Aussparung angeordnet bei gleichzeitiger mechanischer Entkopplung, wie in den vorhergehenden Abschnitten beschrieben.An advantageous development of the switching arrangement is that the carrier has a recess and the microelectronic component is arranged in the recess. By such an embodiment, the microelectronic device is protectively disposed in the recess with simultaneous mechanical decoupling, as described in the preceding sections.

Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung ist es, wenn der Träger zumindest einen Teil eines Gehäuses bildet, wobei in dem Gehäuse ein geschlossener Hohlraum vorhanden ist, in welchem das mikroelektronische Bauteil angeordnet ist. Durch ein geschlossenes Gehäuse wird das mikroelektronische Bauteil weitestgehend gegen äußere Einflüsse geschützt. Insbesondere lässt sich bei geeigneter Materialwahl des Gehäuses eine thermische Isolation gegenüber dem Außenraum des Gehäuses erreichen. Dies ist wichtig, da manche mikroelektronische Bauteile innerhalb eines bestimmten Temperaturbereiches arbeiten, was aufgrund der Wärmeabstrahlung der das Gehäuse umgebenden Bauteile nicht immer gewährleistet ist.A further advantageous embodiment is when the carrier forms at least a part of a housing, wherein in the housing a closed cavity is present, in which the microelectronic component is arranged. A closed housing protects the microelectronic component as far as possible against external influences. In particular, can be achieved with a suitable choice of material of the housing, a thermal insulation with respect to the outer space of the housing. This is important because some microelectronic components operate within a certain temperature range, which is not always guaranteed due to the heat radiation of the components surrounding the housing.

Der geschlossene Hohlraum kann dabei als Aussparung in den Träger gefräst oder geätzt werden und wird nach dem Anbringen des mikroelektronischen Bauteils im Hohlraum mit einer Deckplatte verschlossen. Zur einfachen Herstellung eines geschlossenen Gehäuses ist es insbesondere vorteilhaft, wenn der Träger bzw. das Gehäuse aus mindestens zwei verschiedenen Teilen aufgebaut ist.The closed cavity can be milled or etched as a recess in the carrier and is sealed after mounting the microelectronic device in the cavity with a cover plate. For easy production of a closed housing, it is particularly advantageous if the carrier or the housing is constructed from at least two different parts.

Zweckmäßig ist die erfindungsgemäße Schaltanordnung insbesondere dann, wenn das mikroelektronische Bauteil mindestens ein MEMS aufweist. Da insbesondere MEMS stark auf äußere Einflüsse reagieren, kann durch die mechanische Entkopplung von mikroelektronischem Bauteil und Träger eine robuste Arbeitsweise des mikroelektronischen Bauteils erreicht werden, was eine verbesserte Messung der z.B. Sensoren und Aktoren zulässt.The inventive switching arrangement is expedient in particular when the microelectronic component has at least one MEMS. In particular, since MEMS react strongly to external influences, a robust operation of the microelectronic device can be achieved by the mechanical decoupling of microelectronic device and carrier, resulting in improved measurement of e.g. Sensors and actuators allow.

Für den Betrieb einiger mikroelektronischer Bauteile ist es vorteilhaft, wenn der geschlossene Hohlraum der Schaltanordnung mit einem Material gefüllt ist, welches zumindest eine flüssige Phase aufweist. Dabei ist es zweckmäßig, wenn die flüssige Phase des Materials in einem Temperatur- und Druckbereich liegt, welcher beim Betrieb der Schaltanordnung und insbesondere des mikroelektronischen Bauteils erreicht wird. Auch ist es sinnvoll, dass das Material dielektrische Eigenschaften hat, damit es nicht zu einem Kurzschluss innerhalb des Hohlraumes kommen kann. Durch das Auffüllen des Hohlraumes mit einem Material mit flüssiger Phase, welches insbesondere in flüssiger Phase ist, wenn das mikroelektronische Bauteil betrieben wird, wird eine weitere Dämpfung von mechanischen äußeren Belastungen erreicht. Die Dämpfung ist dabei auf die viskosen Eigenschaften der Flüssigkeit zurückzuführen. Desweiteren kann durch eine Zuleitung und eine Ableitung des Materials innerhalb des Hohlraums ein Strömungssensor betrieben werden, welcher Veränderungen des Flusses bzw. der Zusammensetzung des fließenden Materials überwacht. Eine derartige Anwendung kann bei Sensoren, welche die Orientierung und Beschleunigung im Raum messen, von großem Nutzen sein.For the operation of some microelectronic components, it is advantageous if the closed cavity of the switching arrangement is filled with a material which has at least one liquid phase. It is expedient if the liquid phase of the material is in a temperature and pressure range which is achieved during operation of the switching arrangement and in particular of the microelectronic component. It also makes sense that the material has dielectric properties, so that it can not lead to a short circuit within the cavity. By filling the cavity with a liquid phase material, which is particularly in the liquid phase when the microelectronic device is operated, a further damping of mechanical external loads is achieved. The damping is due to the viscous properties of the liquid. Furthermore, through a supply line and a discharge of the material within the cavity, a flow sensor can be operated, which monitors changes in the flow or the composition of the flowing material. Such an application can be of great use in sensors that measure orientation and acceleration in space.

Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungemäßen Schaltanordnung ist es, wenn mindestens zwei elektrische Kontaktierungen vorhanden sind, welche den Träger mit dem mikroelektronischen Bauteil verbinden, und mindestens zwei elektrische Kontaktierungen zur Minimierung eines auf das mikroelektronische Bauteil wirkenden physikalischen Drehmoments auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunkts des mikroelektronischen Bauteil mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden sind. Dadurch lässt sich eine besonders stressarme Verbindung zwischen den elektrischen Kontaktierung und dem mikroelektronischen Bauteil herstellen, was zu einer verbesserten Funktionsweise und einer längeren Lebensdauer der Schaltanordnung führt. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Verbindung zwischen den elektrischen Kontaktierungen und dem mikroelektronischen Bauteil formfest ist.A preferred embodiment of the inventive switching arrangement is when there are at least two electrical contacts which connect the carrier to the microelectronic component and at least two electrical contacts for minimizing a physical torque acting on the microelectronic component on opposite sides of the center of gravity of the microelectronic component are connected to the microelectronic device. This makes it possible to produce a particularly low-stress connection between the electrical contact and the microelectronic component, which leads to an improved mode of operation and a longer service life of the switching arrangement. Furthermore, it is advantageous if the connection between the electrical contacts and the microelectronic component is dimensionally stable.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die elektrische Kontaktierung blattfederartig ausgebildet ist. Durch die federnde Ausbildung der elektrischen Kontaktierung wird eine noch bessere mechanische Entkopplung erreicht, da die mechanische Energie, welche auf den Träger wirkt, in Federbewegungen umgesetzt wird und das mikroelektronische Bauteil nahezu in Ruhe bleibt.Furthermore, it is advantageous if the electrical contact is formed like a leaf spring. Due to the resilient design of the electrical contacting an even better mechanical decoupling is achieved because the mechanical energy which acts on the carrier is converted into spring movements and the microelectronic component remains almost at rest.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die elektrische Kontaktierung eine im wesentlichen bogenförmige Rundung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil aufweist. Die bogenförmige Rundung erlaubt es, eine besonders stressentkoppelnde Verbindung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil herzustellen. So kann bei thermischen Belastungen das Material der elektrischen Kontaktierung sich ausdehnen und zusammenziehen, wobei die Ausdehnung bzw. die Kontraktion sich nicht auf das mikroelektronische Bauteil überträgt, sondern primär eine Aufweitung der bogenförmigen Rundung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil verursacht. Auf diese Weise wird die Schub- bzw. Zugspannung an der festen Verbindung zwischen der elektrischen Kontaktierung und dem mikroelektronischen Bauteil, insbesondere bei Vorhandensein von mindestens zwei elektrischen Kontaktierungen, welche auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunkts des mikroelektronischen Bauteils angeordnet sind, verringert, wobei sich hierdurch die Schub- bzw. Zugspannung auf die bogenförmige Rundung erhöht, die Kontakte am mikroelektronische Bauteil jedoch entlastet.Furthermore, it is advantageous if the electrical contact has a substantially arcuate curve between the carrier and the microelectronic component. The arcuate curve makes it possible to produce a particularly stress-decoupling connection between the carrier and the microelectronic component. Thus, under thermal stress, the material of the electrical contact can expand and contract, wherein the expansion or contraction does not affect the microelectronic Component transmits, but primarily causes a widening of the arcuate curve between the carrier and the microelectronic device. In this way, the shear or tensile stress on the fixed connection between the electrical contact and the microelectronic component, in particular in the presence of at least two electrical contacts, which are arranged on opposite sides of the center of gravity of the microelectronic device, is reduced, thereby increases the shear or tensile stress on the arcuate curve, but relieves the contacts on the microelectronic device.

Obwohl das Eigengewicht des mikroelektronischen Bauteils primär durch die elektrischen Kontaktierungen getragen wird, kann es vorteilhaft sein, zusätzliche elastische Stützelemente auf dem Träger anzuordnen. Dabei sind die elastischen Stützelemente derart angeordnet, dass sie zwischen einer Oberfläche des Trägers und einer dieser Oberfläche gegenüber liegenden Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils befestigt sind. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Oberfläche des elastischen Stützelementes, welche der benachbarten Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils zugewandt ist, wesentlich kleiner ist als die Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Durch den wesentlich kleineren Querschnitt ergibt sich eine kleine Kontaktfläche, was die mechanische Entkopplung nicht wesentlich schwächt.Although the dead weight of the microelectronic device is primarily borne by the electrical contacts, it may be advantageous to arrange additional elastic support elements on the carrier. In this case, the elastic support elements are arranged such that they are fastened between a surface of the carrier and a surface of the microelectronic component opposite this surface. It is advantageous if the surface of the elastic support element, which faces the adjacent surface of the microelectronic device, is substantially smaller than the surface of the microelectronic device. Due to the much smaller cross-section results in a small contact surface, which does not significantly weaken the mechanical decoupling.

Vorteilhafterweise ist das elastische Stützelement so angeordnet, dass es im unbelasteten Zustand der Schaltanordnung das mikroelektronische Bauteil nicht berührt. Wird das mikroelektronische Bauteil jedoch aufgrund von äußeren Einflüssen beschleunigt, so verhindern die elastischen Stützelemente, dass das mikroelektronische Bauteil den Träger berührt und somit beschädigt werden kann. Die Höhe des elastischen Stützelements sollte dabei nicht größer sein als der Abstand zwischen der Trägeroberfläche und der ihr gegenüber liegenden Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Es kann vorteilhaft sein, dass im Ruhezustand das Stützelement so gewählt ist, dass es das mikroelektronische Bauteil berührt, jedoch keine tragende Funktion ausübt.Advantageously, the elastic support element is arranged so that it does not touch the microelectronic component in the unloaded state of the switching arrangement. However, when the microelectronic device is accelerated due to external influences, the elastic support elements prevent the microelectronic device from contacting the carrier and thus being damaged. The height of the elastic support element should not be greater than the distance between the support surface and the surface of the microelectronic component opposite it. It may be advantageous that in the resting state, the support element is selected so that it touches the microelectronic component, but does not perform a supporting function.

Eine vorteilhafte Weiterbildung des elastischen Stützelementes ist es hierbei, wenn dieses aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodul besteht, welcher schnell und einfach aufgebracht werden kann.An advantageous development of the elastic support element is in this case if it consists of an adhesive with a low modulus of elasticity, which can be applied quickly and easily.

Zweckmäßig ist mindestens eine elektrische Kontaktierung mit einem elektrischen Leiter leitend verbunden, wobei der elektrische Leiter innerhalb oder außerhalb des Trägers verläuft. Dadurch können durch etablierte Prozesse Kontaktierungen zu weiteren Bauteilen oder Schaltanordnungen realisiert werden.Suitably, at least one electrical contact is conductively connected to an electrical conductor, wherein the electrical conductor extends inside or outside the carrier. As a result, established processes make it possible to make contact with other components or switching arrangements.

Eine erfindungsgemäße Schaltanordnung kommt vorteilhafter Weise in einer Messvorrichtung zur Anwendung, wobei das mikroelektronische Bauteil dabei als Drucksensor und/oder Beschleunigungssensor und/oder Flusssensor und/oder Präzisionsoszillator und/oder Hochfrequenzfilter ausgebildet ist. Derartige Anwendungen finden sich häufig in der Telekommunikation, Automobilindustrie, Medizintechnik, Mess- und Regeltechnik und in optischen Technologien.A switching arrangement according to the invention is advantageously used in a measuring device, wherein the microelectronic component is designed as a pressure sensor and / or acceleration sensor and / or flow sensor and / or precision oscillator and / or high-frequency filter. Such applications are often found in the telecommunications, automotive, medical, measurement and control and optical technologies.

Im folgenden soll noch auf das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Schaltanordnung eingegangen werden.In the following will be discussed on the inventive method for producing a circuit arrangement.

Bei der erfindungsgemäßen Herstellung einer Schaltanordnung, welche einen Träger, ein mikroelektronisches Bauteil und mindestens eine elektrische Kontaktierung umfasst, wird die mindestens eine elektrische Kontaktierung teilweise mit dem Träger und teilweise mit dem mikroelektronischen Bauteil verbunden, wobei ein Teil der mindestens einen elektrischen Kontaktierung zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil freigestellt angeordnet ist, in dem Sinne, dass die elektrische Kontaktierung in diesem Teil weder den Träger noch das mikroelektronische Bauteil berührt, so dass das mikroelektronische Bauteil vom Träger beabstandet an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung hängend oder tragend befestigt wird. Mit einem derartigen Verfahren kann eine mechanische Entkopplung des mikroelektronischen Bauteils vom Träger gewährleistet werden.In the inventive production of a switching arrangement which comprises a carrier, a microelectronic component and at least one electrical contact, the at least one electrical contact is partially connected to the carrier and partially to the microelectronic component, wherein a part of the at least one electrical contact between the carrier and the microelectronic component is arranged to be free, in the sense that the electrical contact in this part does not contact the carrier or the microelectronic component, so that the microelectronic component is attached to the at least one electrical contact in a suspended or load-bearing manner spaced from the carrier. With such a method, a mechanical decoupling of the microelectronic device from the carrier can be ensured.

Vorteilhafte Weiterbildungen des Verfahrens sind in den untergeordneten Verfahrensansprüchen angegeben.Advantageous developments of the method are specified in the subordinate method claims.

Eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung eine Aussparung in den Träger eingebracht wird und das mikroelektronische Bauteil in der Aussparung angeordnet wird.An advantageous development of the method is characterized in that before the application of the at least one electrical contacting a recess is introduced into the carrier and the microelectronic component is arranged in the recess.

Ein weiterer Vorteil ist dadurch gegeben, dass vor dem Befestigen des mikroelektronisches Bauteils an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung auf der Oberfläche des Trägers mindestens eine Opferschicht aufgebracht wird, auf welcher das mikroelektronische Bauteil platziert wird und welche das mikroelektronische Bauteil zumindest in Teilen umschließt. Dabei können verschiedene Opferschichten in verschiedenen Schritten angebracht werden. So ist es beispielsweise vorteilhaft, auf den Träger bzw. in der Aussparung eine Opferschicht aufzubringen, das mikroelektronische Bauteil auf der Opferschicht anzuordnen und eine weitere Opferschicht auf die bereits vorhandene Opferschicht aufzubringen derart, dass das mikroelektronische Bauteil zumindest in Teilen umschlossen wird. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die zweite umschließende Opferschicht eine Oberfläche das mikroelektronische Bauteil gerade noch umschließt, so dass später auf dieser Opferschicht eine Metallisierungslage aufgebracht werden kann. Dies ermöglicht eine besonders einfache Form der Herstellung einer erfindungsgemäßen Schaltanordnung.A further advantage is given by the fact that at least one sacrificial layer is applied to the surface of the carrier prior to attaching the microelectronic component to the at least one electrical contact on which the microelectronic component is placed and which encloses the microelectronic component at least in part. Different sacrificial layers can be applied in different steps. Thus, for example, it is advantageous to apply a sacrificial layer to the carrier or in the recess, to arrange the microelectronic component on the sacrificial layer and to apply a further sacrificial layer to the already existing sacrificial layer such that the microelectronic Component is enclosed at least in parts. This is particularly advantageous when the second enclosing sacrificial layer just surrounds a surface of the microelectronic component, so that later on this sacrificial layer, a metallization layer can be applied. This allows a particularly simple form of production of a switching arrangement according to the invention.

Auf eine ähnliche Art und Weise kann eine besondere Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltanordnung realisiert werden. Dabei werden die elektrischen Kontaktierungen zuerst auf dem Träger aufgebracht und zeigen im wesentlichen senkrecht nach oben. Danach wird eine Opferschicht aufgebracht, welche im wesentlichen die elektrischen Kontaktierungen umgibt. Auf die Opferschicht wird das mikroelektronische Bauteil aufgesetzt, woraufhin das mikroelektronische Bauteil mit den elektrischen Kontaktierungen verbunden wird. Zu einem späteren Zeitpunkt kann die Opferschicht wieder entfernt werden.In a similar manner, a particular embodiment of the switching arrangement according to the invention can be realized. The electrical contacts are first applied to the carrier and show substantially vertically upwards. Thereafter, a sacrificial layer is applied, which essentially surrounds the electrical contacts. The microelectronic component is placed on the sacrificial layer, whereupon the microelectronic component is connected to the electrical contacts. At a later date, the sacrificial layer can be removed again.

Bei Vorhandensein einer Opferschicht, welche im wesentlichen das mikroelektronische Bauteil umschließt, kann das Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung besonders einfach durchgeführt werden. Dabei wird eine Metallisierungslage zumindest in Teilabschnitten der Oberfläche des Trägers und auf der Opferschicht aufgebracht. Die Metallisierungslage kann durch Aufdampfen oder Abscheidungsprozesse aufgebracht werden. In einem zweiten Prozessschritt werden Löcher in der das mikroelektronische Bauteil umschließenden Opferschicht eingebracht und das mikroelektronische Bauteil ankontaktiert. In einem weiteren Schritt wird die Metallisierungslage strukturiert, wobei das Strukturieren vorzugsweise durch Ätzen geschieht, insbesondere durch Ätzen mit einer Maske. Dadurch kann bei gleichzeitigem Aufbringen der elektrischen Kontaktierungen und der Verbindungen der elektrischen Kontaktierungen mit dem Träger und mit dem mikroelektronischen Bauteil eine Strukturierung der Kontaktierung erreicht werden, so dass diese beispielsweise blattfederartig oder mit einer bogenförmigen Rundung ausgestaltet wird. Das schichtweise Aufbringen der Schichten und das Strukturieren derselbigen stellt eine besonders effiziente und kostengünstige Herstellungsmethode der elektrischen Kontaktierung dar.In the presence of a sacrificial layer, which encloses substantially the microelectronic component, the application of the at least one electrical contact can be carried out particularly easily. In this case, a metallization layer is applied at least in partial sections of the surface of the carrier and on the sacrificial layer. The metallization layer can be applied by vapor deposition or deposition processes. In a second process step, holes are introduced into the sacrificial layer enclosing the microelectronic component and the microelectronic component is contacted. In a further step, the metallization layer is patterned, wherein the structuring is preferably done by etching, in particular by etching with a mask. As a result, with simultaneous application of the electrical contacts and the connections of the electrical contacts with the carrier and with the microelectronic component, a structuring of the contacting can be achieved so that it is designed, for example, like a leaf spring or with an arcuate curve. The layered application of the layers and the structuring of the same is a particularly efficient and cost-effective method of producing the electrical contact.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn nach dem Aufbringen der elektrischen Kontaktierung und dem Verbinden der elektrischen Kontaktierung mit dem Träger und mit dem mikroelektronischen Bauteil die Opferschicht wieder entfernt wird. Durch das Vorhandensein der Opferschicht wird das Aufbringen der elektrischen Kontaktierung in einem stressfreien Umfeld erzeugt, so dass diese Verbindung das mikroelektronische Bauteil nach dem Entfernen der Opferschicht tragen bzw. stützen kann.Furthermore, it is advantageous if, after the application of the electrical contacting and the connection of the electrical contacting with the carrier and with the microelectronic component, the sacrificial layer is removed again. The presence of the sacrificial layer generates the application of the electrical contact in a stress-free environment, so that this connection can support or support the microelectronic component after removal of the sacrificial layer.

Zweckmäßig kann es sein, dass auf dem Träger zusätzliche elastische Stützelemente angeordnet werden, wie in einem der vorherigen Abschnitte beschrieben. Dabei können die Stützelemente sowohl komplett aus einem elastischen Material hergestellt sein, oder aus einer elastischen Hülle mit einer Flüssigkeit gefüllt sein.It may be expedient for additional elastic support elements to be arranged on the support, as described in one of the previous sections. In this case, the support elements may be made entirely of an elastic material, or be filled with a liquid from an elastic shell.

Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Schaltanordnung und des Verfahrens zu deren Herstellung sind in den weiteren untergeordneten Ansprüchen gegeben.Further advantageous developments of the switching arrangement and of the method for the production thereof are given in the further subordinate claims.

Im folgenden wird die erfindungsgemäße Schaltanordnung anhand einiger Beispiele genauer beschrieben oder erläutert. Es zeigen:

  • 1 einfaches Beispiel zur Erläuterung der Schaltanordnung;
  • 2a bis 2c weitere Ausführungsformen der Schaltanordnung oder erläuternde Beispiele zu der Schaltanordnung;
  • 3 Aufsicht auf eine erfindungsgemäße Schaltanordnung
  • 4a, 4b schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktierung;
  • 5a bis 5e Verfahrensschritte zum Herstellen einer Schaltanordnung.
In the following, the switching arrangement according to the invention will be described or explained in more detail with reference to some examples. Show it:
  • 1 simple example for explaining the switching arrangement;
  • 2a to 2c further embodiments of the switching arrangement or illustrative examples of the switching arrangement;
  • 3 Top view of a switching arrangement according to the invention
  • 4a . 4b schematic representation of an electrical contact according to the invention;
  • 5a to 5e Method steps for producing a switching arrangement.

1 zeigt eine einfache Ausführung einer Schaltanordnung. Dabei ist auf einem Träger 1 ein mikroelektronisches Bauteil 2 derart angeordnet, dass es vom Träger 1 beabstandet ist und die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' den Träger 1 mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 verbinden. Dabei ist das mikroelektronische Bauteil 2 mit dem Bereich 30 und der Träger 1 mit dem Bereich 31 der elektrischen Kontaktierung 3 verbunden. Der Teilbereich 32 ist zwischen dem mikroelektronischen Bauteil 2 und dem Träger 1 angeordnet und freigestellt, in dem Sinne, dass dieser Teil weder mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 oder dem Träger 1 verbunden ist. Der Abstand zwischen dem Träger 1 und dem mikroelektronischen Bauteil 2 wird dadurch erreicht, dass der Teil 32 der elektrischen Kontaktierung aufgebogen ist. Die mechanische Entkopplung wird weiterhin dadurch verbessert, dass die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' aus Materialien gefertigt sind, die nicht eine zu hohe Steifigkeit aufweisen und nachgeben, um eine mechanische Entkopplung zu erreichen. Als Materialien kommen hierbei insbesondere Kupfer (bei Verwendung von Leiterplatten), sowie Aluminium und Gold (bei Draht- und Bändchenbonds) in Frage. Weitere Metalle, und in beschränktem Maße auch Polymere, können abhängig vom Verwendungszweck eingesetzt werden. 1 shows a simple embodiment of a switching arrangement. It is on a carrier 1 a microelectronic component 2 arranged so that it is from the carrier 1 is spaced apart and the electrical contacts 3 . 3. ' the carrier 1 with the microelectronic component 2 connect. This is the microelectronic component 2 with the area 30 and the carrier 1 with the area 31 the electrical contact 3 connected. The subarea 32 is between the microelectronic device 2 and the carrier 1 arranged and released, in the sense that this part neither with the microelectronic device 2 or the carrier 1 connected is. The distance between the carrier 1 and the microelectronic device 2 is achieved in that the part 32 of the electrical contact is bent. The mechanical decoupling is further improved by the fact that the electrical contacts 3 . 3. ' are made of materials that do not have too high stiffness and yield to achieve a mechanical decoupling. As materials in this case in particular copper (when using printed circuit boards), and aluminum and gold (in wire and ribbon bonds) in question. Other metals, and to a lesser extent, polymers, may be used depending on the purpose.

In 1 ist das mikroelektronische Bauteil 2 an den Kontakten 30, 30' aufgehängt. In einer ähnlichen Ausführung könnte das mikroelektronische Bauteil 2 auf den Kontakten 30, 30' angeordnet sein, so dass diese von den elektrischen Kontaktierungen 30, 30' getragen werden. Um die Kontakte 30, 30' nicht zu strapazieren, bietet es sich an, diese so anzuordnen, dass auf den Schwerpunkt des mikroelektronischen Bauteils 2 kein Drehmoment wirkt, welches im Laufe der Zeit aufgrund der mechanischen Beanspruchung zu einem Defekt in der Verbindung 30, 30' führen kann. In 1 is the microelectronic device 2 at the contacts 30 . 30 ' suspended. In a similar embodiment, the microelectronic device could 2 on the contacts 30 . 30 ' be arranged so that these from the electrical contacts 30 . 30 ' be worn. To the contacts 30 . 30 ' not to straining, it is advisable to arrange them so that the center of gravity of the microelectronic device 2 no torque acts, which over time due to the mechanical stress to a defect in the connection 30 . 30 ' can lead.

Der Träger 1 ist als Leiterplatte ausgebildet, da diese mit etablierten Prozessen strukturiert und bearbeitet werden kann. Das mikroelektronische Bauteil kann in der in 1 gezeigten Ausführung beispielsweise ein Oberflächenwellenbauelement sein oder ein hochpräziser Oszillator oder ein mikroelektronischer Sensor, welcher den Piezoeffekt oder den Halleffekt ausnutzt. Durch die Beabstandung vom Träger 1 messen diese mikroelektronischen Bauteile 2 nicht die Beanspruchung des Trägers 1, sondern nur die externen äußeren Einflüsse für welche sie konzipiert sind. Im Bereich 31 der Kontaktierung bzw. 31' sind Vias 4 bzw. 4' zu sehen, welche die zwei sich gegenüber liegenden Oberflächen des Trägers miteinander leitend verbinden. Über solche Vias können Leiterbahnen oder weitere Bauteile auf der anderen Seite angesprochen werden.The carrier 1 is designed as a printed circuit board, since it can be structured and processed with established processes. The microelectronic component can be found in the in 1 For example, be shown a surface acoustic wave device or a high-precision oscillator or a microelectronic sensor, which exploits the piezoelectric effect or the Hall effect. By the spacing from the vehicle 1 measure these microelectronic components 2 not the stress of the wearer 1 but only the external external influences for which they are designed. In the area 31 the contacting or 31 'are vias 4 respectively. 4 ' to see which conductively interconnect the two opposing surfaces of the carrier. About such vias conductor tracks or other components can be addressed on the other side.

Die erfindungsgemäßen Schaltanordnungen besitzen eine Ausdehnung in der Größenordnung von µm2 oder mm2. Momentan sind die mikroelektronischen Bauteile im Bereich von 0,01 mm2 bis 50 mm2 verfügbar, wobei eine weitere Miniaturisierung in den µm2-Bereich absehbar ist. Typische Kontaktierungen haben eine Breite von 10 µm (bei Drahtbonds) bis zu 500µm (bei Verwendung von Leiterplattentechniken). Die Schaltanordnung und das Verfahren können auch in den kleineren Ausmaßen verwendet werden.The switching arrangements according to the invention have an extent of the order of μm 2 or mm 2 . Currently, the microelectronic components in the range of 0.01 mm 2 to 50 mm 2 are available, with further miniaturization in the μm 2 range is foreseeable. Typical contacts have a width of 10 μm (for wire bonds) up to 500 μm (using printed circuit board techniques). The switching arrangement and the method can also be used in the smaller dimensions.

In den 2a bis c sind weitere Beispiele für Schaltungsanordnungen gegeben. In 2a ist eine Aussparung 5 im Träger 1 eingebracht, in welcher das mikroelektronische Bauteil 2 eingebracht ist und über die Kontaktierung 30 mit der elektrischen Kontaktierung 3 verbunden ist und an dieser hängt. Im Gegensatz zu 1 ist in 2a nur eine elektrische Kontaktierung 3 gegeben. Auf diese Weise kann ein Drehmoment, welches auf den Schwerpunkt des mikroelektronischen Bauteils 2 wirkt, nur dann vermieden werden, wenn die Kontaktierung 30 direkt über dem Schwerpunkt angeordnet ist. Für den Fall, dass die Kontaktierung 30 nicht über dem Schwerpunkt sitzt, ist das mikroelektronische Bauteil 2 einem ständigen Drehmoment ausgesetzt und ist besonders gut geeignet, um Drehbeschleunigungen zu messen. Dabei ist die elektrische Kontaktierung 3 als Blattfeder federnd ausgebildet.In the 2a to c are given further examples of circuit arrangements. In 2a is a recess 5 in the carrier 1 introduced, in which the microelectronic component 2 is introduced and about the contact 30 with the electrical contact 3 is connected and hangs on this. In contrast to 1 is in 2a only one electrical contact 3 given. In this way, a torque acting on the center of gravity of the microelectronic device 2 works, only be avoided when contacting 30 is located directly above the center of gravity. In the event that contacting 30 not sitting above the center of gravity, is the microelectronic device 2 exposed to a constant torque and is particularly well suited to measure spin. Here is the electrical contact 3 designed as a leaf spring resilient.

In 2b ist eine erfindungsgemäße Ausführung der Schaltungsanordnung gezeigt. Dabei bildet der Träger 1 mit einer Abdeckung 1' einen Hohlraum 6, in welchem das mikroelektronische Bauteil 2 angeordnet ist. Das mikroelektronische Bauteil wird wie in den vorherigen Abbildungen durch die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' vom Träger bzw. der Abdeckung 1' beabstandet getragen, wobei die elektrischen Kontaktierungen 3, 3' im Gehäuseinneren verlaufen und durch ein Via 4 bzw. ein als Sacklochbohrung ausgeführtes Via 4' elektrisch leitend verbunden sind. Desweiteren sind elastische Stützelemente 7 aufgeführt, welche bei einer Bewegung des mikroelektronischen Bauteils 2 verhindern sollen, dass dieses an eine der Oberflächen des Hohlraums 6 anschlägt und das mikroelektronische Bauteil 2 dadurch beschädigt wird.In 2 B an embodiment of the circuit arrangement according to the invention is shown. In this case, the carrier 1 forms with a cover 1' a cavity 6 in which the microelectronic component 2 is arranged. The microelectronic component is as in the previous figures by the electrical contacts 3, 3 'from the carrier or the cover 1' worn spaced, wherein the electrical contacts 3 . 3. ' run inside the housing and through a via 4 or a via hole made as a blind hole 4 ' are electrically connected. Furthermore, elastic support elements 7 which occurs during a movement of the microelectronic device 2 To prevent this from happening on any of the surfaces of the cavity 6 strikes and the microelectronic device 2 is damaged.

Es ist deutlich erkennbar, dass die dem elektronischen Bauteil 2 zugewandte Fläche der elastischen Stützelemente 7 eine sehr viel kleinere Oberfläche aufweisen als die der Oberfläche des elastischen Stützelements am nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils. Dadurch wird für den Fall einer Berührung zwischen dem mikroelektronischen Bauteil 2 und den elastischen Stützelementen 7 nur eine geringe mechanische Kopplung zwischen dem Gehäuse, bestehend aus dem Träger 1 und der Abdeckung 1', und dem mikroelektronischen Bauteil 2 hergestellt.It is clearly evident that the electronic component 2 facing surface of the elastic support elements 7 have a much smaller surface area than the surface of the elastic support member closest to the surface of the microelectronic device. As a result, in the event of a contact between the microelectronic component 2 and the elastic support elements 7 only a slight mechanical coupling between the housing, consisting of the carrier 1 and the cover 1' , and the microelectronic device 2 produced.

Die elastischen Stützelemente sind hierbei Klebstoffpunkte aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodul. Dadurch besitzen sie eine zusätzlich dämpfende Wirkung, falls das mikroelektronische Bauteil 2 in Richtung einer der Oberflächen des Hohlraums 6 beschleunigt wird. Wie in 1 bereits erwähnt, befindet sich an der elektrischen Kontaktierung 3 eine Rundung 32. Ohne die Rundung 32 bewegen sich bei einer thermischen Belastung des Trägers die Kontakte 30, 30' aufeinander zu und erhöhen dadurch die Spannung auf die Kontakte 30, 30' selbst. Die Rundung 32 absorbiert die durch die thermische Erwärmung entstandene Schub- bzw. Zugspannung durch eine weitere Auswölbung der Rundung 32 selbst und verringert die auf die Kontakte 30, 30' wirkenden Kräfte.The elastic support elements here are adhesive dots made of an adhesive with a low modulus of elasticity. As a result, they have an additional damping effect, if the microelectronic component 2 towards one of the surfaces of the cavity 6 is accelerated. As in 1 already mentioned, is located at the electrical contact 3 a rounding 32 , Without the rounding 32 At a thermal load of the carrier move the contacts 30 . 30 ' towards each other, thereby increasing the voltage on the contacts 30 . 30 ' itself. The rounding 32 absorbed by the thermal heating shear or tensile stress absorbed by a further bulge of the rounding 32 itself and reduces the on the contacts 30 . 30 ' acting forces.

Anstelle der elastischen Stützelemente 7 kann der Hohlraum 6 auch mit einer Flüssigkeit, insbesondere einer dielektrischen Flüssigkeit gefüllt werden. Dabei wird die Viskosität der Flüssigkeit so gewählt, wie es das mikroelektronische Bauteil in seiner Funktion erfordert. Beispielsweise ist eine Flüssigkeit von hoher Viskosität bei schlagartigen starken Stößen besonders gut geeignet, da diese die Beschleunigung des mikroelektronischen Bauteils 2 verlangsamt. Im Falle von hochsensiblen Sensoren bietet es sich an, eine Flüssigkeit von niedriger Viskosität zu wählen, da diese nur eine geringe Absorption der mechanischen Energie, welche auf die Schaltanordnung wirkt, aufnimmt.Instead of the elastic support elements 7 can the cavity 6 also be filled with a liquid, in particular a dielectric liquid. The viscosity of the liquid is chosen as required by the microelectronic component in its function. For example, a liquid of high viscosity is particularly well suited for sudden, strong impacts, as these accelerate the microelectronic component 2 slowed down. In the case of highly sensitive sensors, it is advisable to choose a liquid of low viscosity, since this absorbs only a small absorption of the mechanical energy which acts on the switching arrangement.

Bei einem mit Flüssigkeit gefüllten Hohlraum mit einer Zuleitung und/oder Ableitung kann insbesondere der außen wirkende hydrostatische Druck mit Hilfe eines mikroelektronischen Bauteils gemessen werden. Des Weiteren kann das Auffüllen mit Flüssigkeit helfen, dass -aufgrund der geringeren Kompressibilität der Flüssigkeit- die mikroelektronischen Bauteile im Hohlraum gegenüber Druckschwankungen geschützt werden.In the case of a liquid-filled cavity with a feed line and / or discharge, in particular the outside acting hydrostatic pressure can be measured with the aid of a microelectronic component. Furthermore, liquid filling may help to protect the microelectronic components in the cavity from pressure fluctuations due to the lower compressibility of the liquid.

Eine besondere Ausführung ist gegeben, wenn der Hohlraum 6 mit einem Wachs bzw. einem Harz gefüllt ist, welches im erkalteten Zustand eine feste Form annimmt, jedoch bei Erreichen einer bestimmten Betriebstemperatur der Schaltanordnung in die flüssige Phase übergeht und somit die Funktion der mechanischen Entkopplung zwischen Träger und mikroelektronischem Bauteil gewährleistet ist.A special design is given when the cavity 6 is filled with a wax or a resin which assumes a solid form in the cooled state, but on reaching a certain operating temperature of the switching device merges into the liquid phase and thus the function of mechanical decoupling between the carrier and microelectronic device is ensured.

In 2c ist eine spezielle Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltanordnung gegeben. Hierbei ist der Hohlraum 6 über zwei Kanäle 8, 8' mit weiteren Elementen verbunden, wobei durch die Kanäle 8, 8' ein Medium wie beispielsweise Luft oder eine Flüssigkeit strömt, welche in dem Hohlraum 6 läuft und beispielsweise durch die Zuleitung 8' wieder abläuft. Bei einer derartigen Anordnung kann ein MEMS sowohl den Druck des Flusses bzw. die Materialzusammensetzung desselben feststellen. Besonders für Beschleunigungssensoren bzw. Orientierungssensoren sind derartige Vorrichtungen gut geeignet. Statt Medien kann auch ein optischer Zugang zum Hohlraum geschaffen werden, z.B. durch eine Integration von Lichtleitfasern oder Fenstern in die Umhüllung.In 2c is given a special embodiment of the switching arrangement according to the invention. Here is the cavity 6 over two channels 8th . 8th' connected to other elements, passing through the channels 8th . 8th' a medium, such as air or liquid, flows in the cavity 6 runs and for example through the supply line 8th' runs again. In such an arrangement, a MEMS can detect both the pressure of the flow and the material composition thereof. Such devices are particularly suitable for acceleration sensors or orientation sensors. Instead of media, an optical access to the cavity can be created, for example by an integration of optical fibers or windows in the enclosure.

In 3 ist eine Aufsicht auf die Schaltanordnung aus 2b gegeben. Es sind vier elektrische Kontaktierungen 3, 3', 3", 3"' zu sehen, welche eine bogenförmige Rundung aufweisen. Die Kontakte 30, 31 können durch Schichtprozesse oder Mikroschweißen oder Löten hergestellt werden. Anhand dieses Beispieles soll verständlich gemacht werden, wie die bogenförmige Rundungen 32, 32', 32", 32"' eine Schub- bzw. Zugspannung, welche sich aufgrund einer Erwärmung der Schaltanordnung auf den Kontakte 30 und 30', bzw. 30" und 30"' aufbaut, kompensieren. Dabei wirkt die Spannung auf den Kontakt 30 nach rechts und die Spannung auf den Kontakt 30' nach links, so dass sich das mikroelektronische Bauteil 2 nicht bewegt, aber die Kontakte 30 und 30' jeweils beansprucht werden. Durch die bogenförmige Rundung 32 bzw. 32' kann die elektrische Kontaktierung die Schub- bzw. Zugspannung durch Verformung der Rundung kompensieren und schont damit die Kontakte 30 und 30'. Weiterhin ist auf dem mikroelektronischen Bauteil 2 ein MEMS 20 sichtbar, welches stressfrei von den elektrischen Kontaktierungen 30, 30', 30", 30"' beabstandet und mechanisch entkoppelt vom Träger 1 angeordnet ist.In 3 is a plan view of the switching arrangement 2 B given. There are four electrical contacts 3 . 3. ' . 3 ' . 3 '' to see, which have an arcuate curve. The contacts 30 . 31 can be produced by layer processes or micro welding or soldering. Based on this example, it should be made clear how the arcuate curves 32 . 32 ' . 32 " . 32 '' a shear stress, which is due to heating of the switching arrangement on the contacts 30 and 30 ' , respectively. 30 " and 30 '' build up, compensate. The voltage acts on the contact 30 to the right and the tension on the contact 30 ' to the left, leaving the microelectronic device 2 not moved, but the contacts 30 and 30 ' each claimed. Due to the curved curve 32 respectively. 32 ' The electrical contact can compensate for the shear or tensile stress by deformation of the rounding and thus protects the contacts 30 and 30 ' , Furthermore, on the microelectronic device 2 a MEMS 20 visible, which is stress-free from the electrical contacts 30 . 30 ' . 30 " . 30 '' spaced and mechanically decoupled from the carrier 1 is arranged.

In 4a und 4b werden zwei Ausführungsformen von erfindungsgemäßen elektrischen Kontaktierungen aufgeführt. In 4a ist zwischen den Kontakten 30 und 30' eine bogenförmige Rundung 32 ausgebildet. Diese bogenförmige Rundung sorgt dafür, dass bei veränderten thermischen Verbindungen der Stress auf die mit dem mikroelektronischen Bauteil 2 verbundenen Kontakte 30, welche wie in den 1, 2b, 2c auf gegenüber liegenden Seiten des Schwerpunktes des mikroelektronischen Bauteils 2 angeordnet sind, durch die bogenförmige Rundung 32 kompensiert wird. Durch eine derartige Ausführung wird das mikroelektronische Bauteil auch von Schub- bzw. Zugspannungen oder Torsionsspannungen, welche auf das Gehäuse, aufgebaut aus zumindest dem Träger 1 und der Abdeckung 1', wirken, nicht belastet, da die Ausführung der elektrischen Kontaktierung in 3a auch insbesondere bei einer Verdrillung der elektrischen Kontaktierungen 3, 3', 3", 3'" selber die Spannung über die bogenförmige Rundungen 32, 32', 32", 32"' kompensiert.In 4a and 4b Two embodiments of electrical contacts according to the invention are listed. In 4a is between the contacts 30 and 30 ' an arcuate curve 32 educated. This arcuate curve ensures that with changed thermal connections the stress on with the microelectronic component 2 connected contacts 30 , which like in the 1 . 2 B . 2c on opposite sides of the center of gravity of the microelectronic device 2 are arranged through the arcuate curve 32 is compensated. By such an embodiment, the microelectronic component is also of shear or tensile stresses or torsional stresses, which on the housing, composed of at least the carrier 1 and the cover 1' , act, not burdened, since the execution of the electrical contact in 3a also in particular at a twist of the electrical contacts 3 . 3. ' . 3 ' . 3 '' itself the tension over the arcuate curves 32 . 32 ' . 32 " . 32 '' compensated.

In 4b ist die bogenförmige Rundung mit einem größeren Radius gezeigt, wobei eine derartige elektrische Kontaktierung gut als blattfederartiges Element eingesetzt werden kann. Dies ist insbesondere bei oszillatorischen mikroelektronischen Bauteilen gut geeignet, um mit dem mikroelektronischen Bauteil mitzuschwingen.In 4b the arcuate curve is shown with a larger radius, such electrical contact can be used well as a leaf spring-like element. This is well suited in particular for oscillatory microelectronic components in order to resonate with the microelectronic component.

Anhand der 5a bis 5e soll die Herstellung einer Schaltanordnung beispielhaft erläutert werden. In 5a ist ein Träger 1 zu sehen, welcher eine Aussparung 5 aufweist, in welche eine Opferschicht 61 flächig eingebracht wird. Auf der Opferschicht 61 wird das elektronische Bauteil 2 angeordnet. In diesem Fall weist das elektronische Bauteil 2 ein MEMS mit einer Deckelung 40 auf, welche unter anderem als Kontaktierungsfläche dient. Obwohl das Aufbringen einer Opferschicht 61 nicht zwingend notwendig ist, da auch andere Möglichkeiten denkbar sind, die Beabstandung zwischen dem Träger 1 und dem mikroelektronischen Bauteil herzustellen, wie z.B. Wachs, welches bei Betriebstemperatur der Schaltanordnung flüssig ist oder Auflegen auf elastischen Stützelementen, wie in den Ansprüchen beschrieben, so ist ein Opferpolymer, welches später durch ein geeignetes Medium ausgelöst werden kann, vorteilhaft, da auf der Opferschicht weitere Lagen angebracht werden können.Based on 5a to 5e the production of a switching arrangement will be exemplified. In 5a is a carrier 1 to see which one recess 5 in which a sacrificial layer 61 is introduced flat. On the sacrificial layer 61 becomes the electronic component 2 arranged. In this case, the electronic component 2 a MEMS with a cap 40 on, which serves as a contact surface, among other things. Although applying a sacrificial layer 61 is not absolutely necessary, since other possibilities are conceivable, the spacing between the carrier 1 and the microelectronic device, such as wax, which is liquid at the operating temperature of the switching device or placed on elastic support elements as described in the claims, a sacrificial polymer which can later be triggered by a suitable medium is advantageous because on the sacrificial layer additional layers can be attached.

Dieses wird in 5b gezeigt, wo auf der Opferschicht 61 nach dem Einbringen des mikroelektronischen mechanischen Systems 2 eine weitere Opferschicht 62 eingebracht wird, welche mit der Oberkante der Deckelung 40 abschließt. Auf dem Träger bzw. der Opferschicht 62 bzw. der Deckelung 40 wird eine Metallisierungslage 70 aufgetragen. Dies kann durch bekannte Prozesse geschehen wie beispielsweise Metallabscheidung bzw. Metallaufdampfung. Das MEMS selber ist im Hohlraum. 41 des mikroelektronischen Bauteils 2 untergebracht, da es auf diese Weise nicht berührt wird und somit sowohl in der Aussparung 5 als auch durch die Deckelung 40 geschützt ist.This will be in 5b shown where on the sacrificial layer 61 after introduction of the microelectronic mechanical system 2 another sacrificial layer 62 is introduced, which with the upper edge of the cap 40 concludes. On the carrier or the sacrificial layer 62 or the cap 40 becomes a metallization layer 70 applied. This can be done by known processes such as metal deposition or metal evaporation. The MEMS itself is in the cavity. 41 of the microelectronic device 2 housed as it is not touched in this way and thus both in the recess 5 as well as through the cap 40 is protected.

In einem weiteren Schritt werden in die Metallisierungslage 70 Löcher 71 bzw. 71' eingebracht und über einen elektrochemischen Prozess eine Ankontaktierung an die Bauelementkontakte 30 bzw. 30' hergestellt bzw. eine Ankontaktierung an das mikroelektronische Bauteil über Kontakte 30, 30' geschaffen. Dabei werden die Löcher 71 bzw. 71' durch Laserbeschuss hergestellt und an den Lochoberflächen die Metallisierungslage falls nötig neu aufgetragen. Die Löcher können jedoch auch durch verschiedene Ätzverfahren, wie Plasmaätzen mit Maske, oder mit mechanischen Verfahren wie Bohren hergestellt werden. Mit Hilfe eines Ätzbads und einer Maske werden überflüssige Komponenten der Metallisierungslage 70 abgetragen. Dabei kann die Maske gleichzeitig die bogenförmigen Rundungen der elektrischen Kontaktierung 3 bzw. 3' herstellen. Auch die Ausbildung als Blattfeder ist möglich.In a further step are in the metallization 70 holes 71 respectively. 71 ' introduced and via an electrochemical process a Ankontaktierung to the device contacts 30 respectively. 30 ' made or a Ankontaktierung to the microelectronic device via contacts 30 . 30 ' created. This will be the holes 71 respectively. 71 ' produced by laser bombardment and re-applied at the hole surfaces, the metallization layer if necessary. However, the holes may also be made by various etching techniques, such as plasma etching with a mask, or by mechanical methods such as drilling. Using an etching bath and a mask become superfluous components of the metallization layer 70 ablated. The mask can simultaneously the arcuate curves of the electrical contact 3 respectively. 3. ' produce. The training as a leaf spring is possible.

Anschließend kann die Opferschicht 61 und 62, beispielsweise mit Hilfe eines CO2-Lasers, entfernt werden, so dass, wie in 5d gezeigt, das mikroelektronische Bauteil 2 an den elektrischen Kontaktierungen 3 bzw. 3' aufgehängt ist und vom Träger 1 beabstandet ausgeführt ist. Dadurch ist die mechanische Entkopplung sichergestellt. In einem weiteren Schritt wird der Träger 1 mit einer Abdeckelung versehen und ein geschlossener Hohlraum 6 gebildet. In dem in dem 5a bis 5d gezeigten Beispiel ist das MEMS, welches im Hohlraum 41 angeordnet ist, sehr gut gegen mechanische, elektrische und thermische Einflüsse isoliert.Subsequently, the sacrificial layer 61 and 62 be removed, for example with the aid of a CO 2 laser, so that, as in 5d shown the microelectronic device 2 at the electrical contacts 3 respectively. 3. ' is suspended and from the carrier 1 spaced executed. As a result, the mechanical decoupling is ensured. In a further step, the carrier becomes 1 provided with a cover and a closed cavity 6 educated. In that in the 5a to 5d The example shown is the MEMS, which is in the cavity 41 is arranged, very well insulated against mechanical, electrical and thermal influences.

In der 5e ist eine Weiterbildung der Schaltanordnung gezeigt. Die elektrischen Kontaktierungen 3 und 3' werden über Vias 9 bzw. Sacklochbohrungen 9' mit der äußeren Hülle des Gehäuses kontaktiert, wobei in diesem Falle ein weiteres mikroelektronisches Bauteil 2', wie in 1 ausgeführt, an die Schaltanordnung angebunden wird.In the 5e a development of the switching arrangement is shown. The electrical contacts 3 and 3. ' be about vias 9 or blind holes 9 ' contacted with the outer shell of the housing, in which case another microelectronic device 2 ' , as in 1 executed, is connected to the switching arrangement.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann herkömmliche Leiterplattentechnologien bzw. Spritzpressprozesse zum Herstellen der elektrischen Kontaktierungen zwischen dem Träger und dem mikroelektronischen Bauteil verwenden. Alternativ können die elektrischen Kontaktierungen auch aus einem Stanzgitter bestehen oder aus Drahtbonds gefertigt werden.The method according to the invention can use conventional printed circuit board or transfer molding processes for producing the electrical contacts between the carrier and the microelectronic component. Alternatively, the electrical contacts can also consist of a stamped grid or be made of wire bonds.

Die hier offenbarte Schaltanordnung kann in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz kommen. Beispielhaft sei der Betrieb von MEMS genannt, welche gegenüber äußeren mechanischen Belastungen sehr empfindlich reagieren. Zugleich sollen die MEMS spezifische äußere Einflüsse messen. Dies betrifft beispielsweise Drucksensoren, Beschleunigungssensoren oder Oberflächen- und Volumenwellenbauelemente als auch hochpräzise Oszillatoren und mikroelektronische Sensoren. Diese Elemente kommen insbesondere im Telekommunikationsbereich, der Automobiltechnik, der Medizintechnik, den optischen Technologien und der Mess- und Regeltechnik in Betracht. Durch die mechanische Entkopplung kann ein zuverlässiger Einsatz der mikroelektronisch-mechanischen Systeme sichergestellt werden.The switching arrangement disclosed herein may be used in a variety of applications. As an example, the operation of MEMS may be mentioned, which react very sensitively to external mechanical loads. At the same time, the MEMS should measure specific external influences. This applies, for example, pressure sensors, acceleration sensors or surface and bulk wave components as well as high-precision oscillators and microelectronic sensors. These elements are particularly in the telecommunications sector, automotive technology, medical technology, optical technologies and measurement and control technology into consideration. The mechanical decoupling ensures a reliable use of the microelectronic-mechanical systems.

Claims (21)

Schaltanordnung, welche einen Träger (1), ein mikroelektronisches Bauteil (2) und mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') umfasst, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') eine leitende Verbindung zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) herstellt, wobei zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) ein Teil der elektrischen Kontaktierung (3, 3') freigestellt ist und das mikroelektronische Bauteil (2) zur mechanischen Entkopplung des mikroelektronischem Bauteils (2) und des Trägers (1) vom Träger (1) beabstandet angeordnet ist und das mikroelektronische Bauteil (2) an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') hängend oder tragend befestigt ist, und der Träger (1) zumindest einen Teil eines Gehäuses mit einem geschlossenen Hohlraum (6) bildet, wobei das mikroelektronische Bauteil (2) im Hohlraum (6) angeordnet ist, wobei das mikroelektronische Bauteil (2) ein mikroelektronisch-mechanisches System (20) umfasst und das mikroelektronische Bauteil (2) einen weiteren Hohlraum (41) aufweist, in welchem das mikroelektronisch-mechanische System (20) angeordnet ist.Switching arrangement comprising a carrier (1), a microelectronic component (2) and at least one electrical contact (3, 3 '), wherein the at least one electrical contact (3, 3 ') establishes a conductive connection between the carrier (1) and the microelectronic component (2), wherein between the carrier (1) and the microelectronic component (2) a part of the electrical contact (3, 3 ') is free and the microelectronic component (2) for the mechanical decoupling of the microelectronic component (2) and the carrier (1) from Carrier (1) is arranged spaced and the microelectronic component (2) on the at least one electrical contact (3, 3 ') is attached hanging or supporting, and the carrier (1) at least a portion of a housing with a closed cavity (6) forms, wherein the microelectronic component (2) is arranged in the cavity (6), wherein the microelectronic component (2) comprises a microelectronic-mechanical system (20) and the microelectronic component (2) has a further cavity (41) in which the microelectronic-mechanical system (20) is arranged. Schaltanordnung nach Anspruch 1, wobei der geschlossene Hohlraum (6) mit einem Material gefüllt ist, welches zumindest eine flüssige Phase aufweist.Switching arrangement according to Claim 1 wherein the closed cavity (6) is filled with a material having at least one liquid phase. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei innerhalb und/oder außerhalb des Trägers (1) mindestens ein elektrischer Leiter vorhanden ist, wobei mindestens ein elektrischer Leiter mit der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') verbunden ist. Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein inside and / or outside of the carrier (1) at least one electrical conductor is present, wherein at least one electrical conductor with the at least one electrical contact (3, 3 ') is connected. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens zwei elektrische Kontaktierungen (3, 3') vorhanden sind, welche den Träger (1) mit dem mikroelektronischen Bauteil (2) verbinden, und mindestens zwei elektrische Kontaktierungen (3, 3') zur Minimierung eines auf das mikroelektronische Bauteil (2) wirkenden physikalischen Drehmoments auf gegenüberliegenden Seiten eines Schwerpunktes des mikroelektronischen Bauteils (2) mit dem mikroelektronischen Bauteil (2) verbunden sind.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein at least two electrical contacts (3, 3 ') are present, which connect the carrier (1) to the microelectronic component (2), and at least two electrical contacts (3, 3') for minimizing a physical torque acting on the microelectronic component (2) on opposite sides of a center of gravity of the microelectronic component (2) are connected to the microelectronic component (2). Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') blattfederartig ausgebildet ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein the at least one electrical contact (3, 3 ') is formed like a leaf spring. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') eine bogenförmige Rundung (32, 32', 32", 32''') aufweist, wobei die bogenförmige Rundung (32, 32', 32", 32"') zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) angeordnet ist.Circuit arrangement according to one of the preceding claims, wherein the at least one electrical contact (3, 3 ') has an arcuate curve (32, 32', 32 ", 32 '' '), wherein the arcuate curve (32, 32', 32" , 32 "') is arranged between the carrier (1) and the microelectronic component (2). Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine dem mikroelektronischen Bauteil (2) benachbarte Oberfläche des Trägers (1) mindestens ein elastisches Stützelement (7) aufweist, wobei das elastische Stützelement (7) zum mikroelektronischen Bauteil (2) hin eine wesentlich kleinere Oberfläche als eine dem elastischen Stützelement (7) am Nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils (2) hat und eine maximale Höhe besitzt, welche einem Abstand zwischen der Oberfläche des Trägers (1) und der dem Stützelement (7) am Nächsten liegende Seite des mikroelektronischen Bauteils (2) entspricht.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein a surface of the carrier (1) adjacent to the microelectronic component (2) has at least one elastic support element (7), wherein the elastic support element (7) has a substantially smaller surface area towards the microelectronic component (2) has a surface closest to the elastic support element (7) of the microelectronic component (2) and has a maximum height which corresponds to a distance between the surface of the support (1) and the side of the microelectronic component (7) closest to the support element (7). 2) corresponds. Schaltanordnung nach Anspruch 7, wobei das mindestens eine elastische Stützelement (7) aus einem Klebstoff mit einem niedrigen Elastizitätsmodel besteht.Switching arrangement according to Claim 7 wherein the at least one elastic support element (7) consists of an adhesive with a low modulus of elasticity. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') aus einer elektrisch leitenden Schicht und/oder einem Drahtbond und/oder einem Stanzgitter besteht.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein the at least one electrical contact (3, 3 ') consists of an electrically conductive layer and / or a wire bond and / or a stamped grid. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (1) aus mindestens zwei Teilen aufgebaut ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein the carrier (1) is constructed from at least two parts. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (1) eine Leiterplatte aufweist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein the carrier (1) comprises a printed circuit board. Schaltanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das mikroelektronische Bauteil (2) eine größte Ausdehnung von 0,01 mm^2 bis 50 mm^2 aufweist und/oder die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') eine Breite zwischen 1µm und 500µm aufweist, und eine Länge der elektrischen Kontaktierung (3, 3') größer als die Breite ist.Switching arrangement according to one of the preceding claims, wherein the microelectronic component (2) has a maximum extension of 0.01 mm ^ 2 to 50 mm ^ 2 and / or the at least one electrical contact (3, 3 ') has a width between 1 .mu.m and 500 .mu.m and a length of the electrical contact (3, 3 ') is greater than the width. Messvorrichtung, welche eine Schaltanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweist, wobei das mikroelektronisch-mechanische System (20) ein Drucksensor und/oder Beschleunigungssensor und/oder Flusssensor und/oder Präzisionsoszillator und/oder Hochfrequenzfilter ist.Measuring device, which is a switching arrangement according to one of Claims 1 to 12 wherein the microelectronic-mechanical system (20) is a pressure sensor and / or acceleration sensor and / or flow sensor and / or precision oscillator and / or high-frequency filter. Verfahren zur Herstellung einer Schaltanordnung, welche einen Träger (1), ein mikroelektronisches Bauteil (2) und mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') umfasst, wobei die mindestens eine elektrische Kontaktierung (3, 3') teilweise mit dem Träger (1) und teilweise mit dem mikroelektronischen Bauteil (2) verbunden und aufgebracht wird, wobei ein Teil der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') zwischen dem Träger (1) und dem mikroelektronischen Bauteil (2) freigestellt angeordnet wird und das mikroelektronische Bauteil (2) vom Träger (1) beabstandet an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') hängend oder tragend befestigt wird, und der Träger (1) mindestens zwei Teile mit einem ersten und einem zweiten Teil aufweist und der erste Teil des Trägers (1) mit dem zweiten Teil des Trägers (1) zu einem Gehäuse verschlossen wird, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Teil ein geschlossener Hohlraum (6) gebildet wird, in welchem das mikroelektronischen Bauteil (2) angeordnet wird, wobei das mikroelektronische Bauteil (2) ein mikroelektronisch-mechanisches System (20) umfasst und das mikroelektronische Bauteil (2) einen weiteren Hohlraum (41) aufweist, in welchem das mikroelektronisch-mechanische System (20) angeordnet ist.Method for producing a switching arrangement, which comprises a carrier (1), a microelectronic component (2) and at least one electrical contact (3, 3 '), wherein the at least one electrical contact (3, 3') is partially connected to the carrier (1 ) and partially connected to the microelectronic component (2) and is applied, wherein a part of the at least one electrical contact (3, 3 ') between the carrier (1) and the microelectronic component (2) is arranged freely and the microelectronic component ( 2) spaced from the support (1) to the at least one electrical contact (3, 3 ') is suspended or supported, and the carrier (1) has at least two parts with a first and a second part and the first part of the carrier ( 1) is closed with the second part of the carrier (1) to a housing, wherein between the first and the second part, a closed cavity (6) is formed, in which the microelectrical onic component (2) is arranged, wherein the microelectronic component (2) comprises a microelectronic-mechanical system (20) and the microelectronic component (2) has a further cavity (41), in which the microelectronic-mechanical system (20) is. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der geschlossene Hohlraum (6) mit einer Flüssigkeit gefüllt wird.Method according to Claim 14 , wherein the closed cavity (6) is filled with a liquid. Verfahren nach Anspruch 14 bis 15, wobei vor einem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') eine Aussparung (5) in den Träger (1) eingebracht wird und das mikroelektronische Bauteil (2) in der Aussparung (5) angeordnet wird.Method according to Claim 14 to 15 , wherein prior to application of the at least one electrical contacting (3, 3 ') a recess (5) in the carrier (1) is introduced and the microelectronic component (2) in the recess (5) is arranged. Verfahren nach Anspruch 14 bis 16, wobei vor einem Befestigen des mikroelektronischen Bauteils (2) an der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') auf einer Oberfläche des Trägers (1) mindestens eine Opferschicht aufgebracht wird, auf welcher das mikroelektronische Bauteil (2) platziert wird und welche das mikroelektronische Bauteil (2) zumindest in Teilen umschließt.Method according to Claim 14 to 16 wherein, prior to attaching the microelectronic component (2) to the at least one electrical contact (3, 3 ') on a surface of the carrier (1) at least one sacrificial layer is applied, on which the microelectronic component (2) is placed and which Microelectronic component (2) encloses at least in parts. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') folgende Schritte umfasst: a) Aufbringen einer Metallisierungslage zumindest auf Teilabschnitten der Oberfläche des Trägers (1) und der Opferschicht; b) Erstellen von Löchern in der das mikroelektronische Bauteil (2) umschließenden Opferschicht und Ankontaktieren des mikroelektronischen Bauteils (2); c) Strukturieren der Metallisierungslage. Method according to Claim 17 wherein the application of the at least one electrical contact (3, 3 ') comprises the following steps: a) applying a metallization layer at least on partial sections of the surface of the carrier (1) and the sacrificial layer; b) creating holes in the sacrificial layer surrounding the microelectronic component (2) and contacting the microelectronic component (2); c) structuring of the metallization layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 18, wobei die Opferschicht nach dem Aufbringen der mindestens einen elektrischen Kontaktierung (3, 3') entfernt wird.Method according to one of Claims 17 or 18 , wherein the sacrificial layer is removed after the application of the at least one electrical contact (3, 3 '). Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei auf einer dem mikroelektronischen Bauteil (2) benachbarten Oberfläche des Trägers (1) mindestens ein elastisches Stützelement (7) angeordnet wird, wobei das elastische Stützelement (7) zum mikroelektronischen Bauteil (2) hin eine wesentlich kleinere Oberfläche als eine dem elastischen Stützelement (7) am Nächsten liegende Oberfläche des mikroelektronischen Bauteils (2) aufweist.Method according to one of Claims 14 to 19 in which at least one elastic support element (7) is arranged on a surface of the support (1) adjacent to the microelectronic component (2), the elastic support element (7) towards the microelectronic component (2) having a substantially smaller surface than an elastic support element (7) has the closest surface of the microelectronic device (2). Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, wobei der Träger (1) mindestens einen weiteren elektrischen Leiter aufweist, welcher als Sacklochbohrung (4', 9') oder Through-Via (4, 9) realisiert wird.Method according to one of Claims 14 to 20 , wherein the carrier (1) has at least one further electrical conductor, which is realized as a blind hole (4 ', 9') or through-via (4, 9).
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