DE102006008777B4 - Ballast for a picture display device - Google Patents

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Abstract

Vorschaltgerät für eine Bildwiedergabeeinrichtung (Display), welches zwischen einer Schnittstelle (200) einer Bildsignalquelle (100) und einer Schnittstelle (400) des Displays (500) angeordnet ist, wobei die Schnittstellen (200, 400) Anschlüsse (12, 52) für einen Datenbus (1, 2), Anschlüsse (13, 53) für eine Taktsignalleitung (8, 9) und Anschlüsse (11, 51) für Bildinformationssignale aufweisen und wobei das Vorschaltgerät (300) einen nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher (4) enthält, in welchem Betriebsinformationsdaten für das Display (500) abgelegt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die in dem nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher (4) abgelegten Betriebsinformationsdaten gegenüber herstellerseitigen Betriebsinformationsdaten in einem Halbleiterdatenspeicher (6) des Displays (500) modifiziert sind und dass das Vorschaltgerät (300) eine steuerbare Schaltfunktion (Schalteinrichtung 3, 10) aufweist, welche die Weiterleitung von Adressdaten oder Taktsignalen der Bildsignalquelle (100) an den Halbleiterdatenspeicher (6) des Displays (500) oder die Weiterleitung von Betriebsinformationsdaten des Halbleiterdatenspeichers (6) des Displays (500) an die Bildsignalquelle (100) unterbricht, sofern der Halbleiterdatenspeicher (4) des Vorschaltgerätes (300) von der Bildsignalquelle (100) adressiert wird...Ballast for a picture display device (Display), which between an interface (200) of an image signal source (100) and an interface (400) of the display (500) is, wherein the interfaces (200, 400) terminals (12, 52) for a Data bus (1, 2), connections (13, 53) for a clock signal line (8, 9) and terminals (11, 51) for image information signals and wherein the ballast (300) a non-volatile Contains semiconductor data memory (4), in which operating information data is stored for the display (500) are characterized in that in the non-volatile Semiconductor data memory (4) stored operating information data across from manufacturer's operating information data in a semiconductor data memory (6) of the display (500) are modified and that the ballast (300) a controllable switching function (switching device 3, 10), which the forwarding of address data or clock signals of the image signal source (100) to the semiconductor data memory (6) of the display (500) or the Forwarding of operating information data of the semiconductor data memory (6) of the display (500) to the image signal source (100) interrupts, if the semiconductor data memory (4) of the ballast (300) is addressed by the image signal source (100) ...

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Figure 00000001

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Vorschaltgerät gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Ein derartiges Vorschaltgerät ist allgemein bekannt.The The invention relates to a ballast according to the preamble of patent claim 1. Such a ballast is well known.

Bekannte Bildwiedergabeeinrichtungen (im Folgenden "Displays") enthalten einen nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher, in welchem der Hersteller Betriebsinformationsdaten für das Display ablegen kann. Diese Betriebsinformationsdaten können über die Display-Schnittstelle von einer Bildsignalquelle, beispielsweise einem Fernsehempfänger, adressiert und ausgelesen werden, um das wiederzugebende Bild optimal darzustellen. Die in dem Halbleiterdatenspeicher des Displays abgelegten, herstellerseitigen Betriebsinformationsdaten sind indessen für eine optimale Bilddarstellung nicht immer ausreichend, was beim Benutzer zum Wunsch einer Neuanschaffung der Bildwiedergabeeinrichtung führen kann, insbesondere dann, wenn die in dem Halbleiterdatenspeicher des Displays abgelegten Betriebsinformationsdaten nicht über die Display-Schnittstelle geändert werden können.Known Image rendering devices (hereinafter "displays") contain a non-volatile Semiconductor data storage in which the manufacturer's operating information data for the Can put down display. This operating information data can be accessed via the Display interface of an image signal source, for example a television receiver, addressed and be read to optimally represent the image to be reproduced. The stored in the semiconductor memory of the display, manufacturer side However, operation information data is for optimum picture display not always sufficient, what the user to request a new purchase lead the image display device can, especially if in the semiconductor data memory of the display stored operating information data does not have the Display interface changed can be.

Es sind bereits Vorschaltgeräte mit einem flüchtigen Halbleiterdatenspeicher bekannt, welcher einer "Plug- und Play" Bildsignalquelle bei nicht vorhandenen Display (z.B. bei Umschalten der Bildsignalquelle auf ein anderes Display) das Vorhandensein eines Displays vortäuschen. In dem Halbleiterdatenspeicher des Vorschaltgerätes sind Betriebsinformationsdaten für das Display abgelegt, welche gegenüber den im Halbleiterspeicher des Displays abgelegten Betriebsinformationsdaten unverändert sind.It are already ballasts with a fleeting Semiconductor data storage known which of a "plug and play" image signal source in non-existent Display (for example, when switching the image signal source to another Display) simulate the presence of a display. In the semiconductor data memory of the ballast are business information data for stored the display, which compared to those in the semiconductor memory of the display stored operating information data are unchanged.

Die Druckschrift EP 1 032 201 A2 beschreibt ein Vorschaltgerät (Terminal) für eine Bildwiedergabeeinrichtung, welches zwischen einer Schnittstelle einer Bildsignalquelle und einer Schnittstelle des Displays angeordnet ist. Der in 1 dieser Druckschrift für die Verbindung der Anschlüsse dargestellte Datenbus "Synchronous bidirectionalserial Digital I/F" führt dort alle für die Kommunikation der Geräte erforderlichen Signale. Ferner verfügt das Display sowie das Vorschaltgerät über nicht-flüchtige Halbleiterspeicher. Insbesondere werden dort durch das Vorschaltgerät herstellerseitige Betriebsdaten des Displays (aus dessen Halbleiterspeicher) angefordert und ausgewertet um eine optimierte. Bildwiedergabe auf den Display zu ermöglichen.The publication EP 1 032 201 A2 describes a ballast (terminal) for an image display device, which is arranged between an interface of an image signal source and an interface of the display. The in 1 This data link "synchronous bidirectionalsial digital I / F" data bus, which is shown here, carries all signals necessary for the communication of the devices. Furthermore, the display and the ballast have non-volatile semiconductor memory. In particular, manufacturer-side operating data of the display (from its semiconductor memory) are requested and evaluated by the ballast in order to optimize it. To allow image playback on the display.

Die Druckschrift JP 04-286492 A beschreibt eine Schaltungsanordnung, welche zum Betrieb eines Displays zwischen in einem nicht-flüchtigen Halbleiterspeicher abgelegten herstellerseitigen Betriebsdaten und optimierten Benutzereinstellungsbetriebsdaten eines weiteren Speichers mittels einer steuerbaren Schaltfunktion umschaltet, um eine optimierte Bildwiedergabe auf den Display zu erzielen.The publication JP 04-286492 A describes a circuit arrangement which switches to operate a display between stored in a non-volatile semiconductor memory manufacturer-side operating data and optimized user setting operation data of another memory by means of a controllable switching function to achieve an optimized image display on the display.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Vorschaltgerät der eingangs erwähnten Art dahingehend zu verbessern, dass eine optimale, ungestörte Darstellung gewährleistet ist.The The object of the invention is a ballast of the above mentioned Art to improve that an optimal, undisturbed representation guaranteed is.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.These The object is achieved by the characterizing features of claim 1 solved.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Vorschaltgerätes ergeben sich aus den Unteransprüchen.advantageous Embodiments and developments of the ballast invention result from the dependent claims.

Das erfindungsgemäße Vorschaltgerät arbeitet im Gegensatz zu den eingangs erwähnten Vorschaltgeräten mit modifizierten Betriebsinformationsdaten. Mit Hilfe dieser modifizierten Betriebsinformationsdaten, welche von der Bildsignalquelle anstelle der im Halbleiterspeicher des Displays abgelegten Betriebsinformationsdaten ausgelesen werden, lassen sich die Bildsignale auf dem Display optimal darstellen. Um zu verhindern, dass bei kryptographisch verschlüsselten Bildsignalen die Bilddarstellung durch das Vorschaltgerät gestört oder unterbunden wird, wird dem Vorschaltgerät eine steuerbare Schaltfunktion zugeordnet, welche bei verschlüsselten Bildsignalen die im Halbleiterdatenspeicher des Displays gespeicherten Betriebsinformationsdaten wirksam schaltet.The Ballast according to the invention works in contrast to the aforementioned ballasts with modified operational information data. With the help of this modified Operation information data which is output from the image signal source instead of the in the semiconductor memory of the display stored operating information data can be read, the picture signals on the display optimally represent. To prevent cryptographically encrypted Image signals disturbed the image representation by the ballast or is suppressed, the ballast is a controllable switching function associated with which encrypted Image signals stored in the semiconductor memory of the display Operating information data effectively switches.

Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die einzige Figur zeigt ein Blockschaltbild eines Vorschaltgerätes nach der Erfindung, welches zwischen den Schnittstellen 200 und 400 einer Bildsignalquelle 100 und einer Bildwiedergabeeinrichtung 500 (Display) angeordnet ist.The invention will be explained in more detail with reference to an embodiment shown in the drawing. The single FIGURE shows a block diagram of a ballast according to the invention, which is between the interfaces 200 and 400 an image signal source 100 and a picture display device 500 (Display) is arranged.

In der Figur mit 100 bezeichnete eine Bildsignalquelle kann beispielsweise ein Fernsehempfänger, ein Videorecorder, ein PC-Grafikausgang oder eine Set-Top-Box sein. Die Anschlüsse der Bildsignalquelle 100 sind als Schnittstelle 200 ausgebildet. Von den dargestellten Schnittstellen-Anschlüssen 11, 12 und 13 der Bildsignalquelle 100 sind die Anschlüsse 11 mit analogen oder digitalen Bildsignalen belegt, die zu dem Display 500 übertragen werden. Der Schnittstellenanschluss 13 der Bildsignalquelle 100 ist mit Taktsignalen für das Vorschaltgerät 300 und das Display 500 belegt. Der als Datenbus ausgebildete Schnittstellen-Anschluss 12 sendet einerseits Adressdaten aus und empfangt andererseits Betriebsinformationsdaten zur Darstellung der Bildsignale auf der Bildwiedergabeeinrichtung (Display) 500.In the figure with 100 a designated image signal source may be, for example, a television receiver, a video recorder, a PC graphics output or a set-top box. The connections of the image signal source 100 are as an interface 200 educated. From the illustrated interface connections 11 . 12 and 13 the image signal source 100 are the connections 11 with analog or digital video signals coming to the display 500 be transmitted. The interface connector 13 the image signal source 100 is with clock signals for the ballast 300 and the display 500 busy. The interface connection designed as a data bus 12 on the one hand sends out address data and on the other hand receives operating information data for displaying the image signals on the image display device (display) 500 ,

Zwischen den Schnittstellen 200 der Bildsignalquelle 100 und den Schnittstellen 400 der Bildwiedergabeeinrichtung 500 ist ein Vorschaltgerät 300 angeordnet, welches einen nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher 4 und eine Steuereinrichtung 5 enthält. Der Halbleiterdatenspeicher 4 enthält ebenso wie ein nicht-flüchtiger Halbleiterdatenspeicher 6 des Displays 500 Betriebsinformationsdaten zur Darstellung der Bildsignale auf dem Display 500, wobei sich diese abgelegten Betriebsinformationsdaten dadurch unterscheiden, dass es sich bei den Daten im Datenspeicher 6 um herstellerseitig abgelegte Betriebsinformationsdaten handelt, wohingegen die im Datenspeicher 4 individuell auf die optimale Darstellung der jeweiligen Bildsignale der Quelle 100 auf dem Display 500 angepasst sind.Between the interfaces 200 the figurative nalquelle 100 and the interfaces 400 the image display device 500 is a ballast 300 arranged, which a non-volatile semiconductor data storage 4 and a controller 5 contains. The semiconductor data memory 4 contains as well as a non-volatile semiconductor data memory 6 of the display 500 Operating information data for displaying the image signals on the display 500 , wherein this stored operating information data differs in that it is the data in the data memory 6 is factory-stored information stored by the manufacturer, whereas in the data memory 4 individually to the optimal representation of the respective image signals of the source 100 on the display 500 are adjusted.

Der nicht-flüchtige Halbleiterdatenspeicher 4 und die Steuereinrichtung 5 in dem Vorschaltgerät 300 sind jeweils über einen eingangsseitigen Datenbus 1 und eine eingangsseitige Taktsignalleitung 8 mit den Schnittstellenanschlüssen 12 bzw. 13 der Bildsignalquelle 100 verbunden sind. Der eingangsseitige Datenbus 1 ist über ein Schaltelement 3 mit einem ausgangsseitigen Datenbus 2 verbindbar, welcher von dem Vorschaltgerät 300 über die Schnittstelle 400 zu einem Datenanschluss 52 des Displays 500 führt. Der Datenanschluss 52 ist mit dem nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher 6 sowie mit einem Entschlüssler 7 in dem Display 500 verbunden. ferner ist die eingangsseitige Taktsignalsleitung 8 über ein steuerbares Schaltelement 10 in dem Vorschaltgerät 300 mit einer ausgangsseitigen Taktsignalleitung 9 verbunden, welche über die Schnittstelle 400 an einen Taktsignalanschluss 53 des Displays 500 angeschlossen ist. Der Taktsignalanschluss 53 führt zu Takteingängen des Halbleiterdatenspeichers 6 und des Entschlüsslers 7 in dem Display 500.The non-volatile semiconductor data memory 4 and the controller 5 in the ballast 300 are each via an input-side data bus 1 and an input side clock signal line 8th with the interface connections 12 respectively. 13 the image signal source 100 are connected. The input-side data bus 1 is via a switching element 3 with an output side data bus 2 connectable, which of the ballast 300 over the interface 400 to a data port 52 of the display 500 leads. The data connection 52 is with the non-volatile semiconductor data storage 6 as well as with a decipherer 7 in the display 500 connected. Further, the input side clock signal line 8th via a controllable switching element 10 in the ballast 300 with an output side clock signal line 9 connected via the interface 400 to a clock signal terminal 53 of the display 500 connected. The clock signal connection 53 leads to clock inputs of the semiconductor data memory 6 and the decoder 7 in the display 500 ,

Die an den Schnittstellenanschlüssen 11 der Bildsignalquelle 100 anliegenden Bildsignale sind durch das Vorschaltgerät 300 durchgeschleift und führen über die Schnittstelle 400 zu Anschlüssen 51 des Displays 500.The at the interface connections 11 the image signal source 100 Adjacent image signals are through the ballast 300 looped through and run across the interface 400 to connections 51 of the display 500 ,

Die Ausbildung der Schaltelemente 3 und 10 kann in beliebiger Weise erfolgen, beispielsweise in Form von bidirektionalen Datenbustreibern mit Tristate-Fähigkeit, in Form von Transistoren oder in Form anderer, zum gesteuerten Schalten geeigneter Bauelemente. Derartige Schaltelemente 3 und 10 sind in der Lage, die Verbindung zwischen den Datenbussen 1 und 2 bzw. den Taktsignalleitungen 8 und 9 hochohmig zu schalten, wenn wenigstens der Halbleiterdatenspeicher 4, gegebenenfalls auch die Steuereinrichtung 5 im Vorschaltgerät 300 von der Quelle 100 adressiert werden. Im Falle einer Adressierung wertet die Steuereinrichtung 5 die über den eingangsseitigen Datenbus 1 ankommenden Adressdaten dahingehend aus, ob das erste Adressbit und gegebenenfalls weitere Adressbits mit der Adresse des Halbleiterdatenspeichers 4 übereinstimmen. Wird eine solche Übereinstimmung von der Steuereinrichtung 5 festgestellt, öffnet die Steuereinrichtung 5 das Schaltelement 3 und/oder das Schaltelement 10. Der im Display 500 befindliche Halbleiterdatenspeicher 6 erhält durch die Öffnung des Schaltelementes 3 keine gültige Adresse über den ausgangsseitigen Datenbus 2, so dass ausschließlich modifizierte Betriebsinformationsdaten aus dem Halbleiterdatenspeicher 4, nicht aber herstellerseitige Betriebsinformationsdaten aus dem Halbleiterdatenspeicher 6 an die Quelle 100 übertragen werden.The formation of the switching elements 3 and 10 can be done in any way, for example in the form of bidirectional data bus drivers with tristate capability, in the form of transistors or in the form of other, for the controlled switching of suitable components. Such switching elements 3 and 10 are able to connect the data buses 1 and 2 or the clock signal lines 8th and 9 to switch high impedance, if at least the semiconductor data memory 4 , optionally also the control device 5 in the ballast 300 from the source 100 be addressed. In the case of addressing evaluates the controller 5 the via the input side data bus 1 incoming address data to the effect of whether the first address bit and possibly further address bits with the address of the semiconductor data memory 4 to match. Will such a match from the controller 5 detected, opens the control device 5 the switching element 3 and / or the switching element 10 , The in the display 500 located semiconductor data storage 6 obtained through the opening of the switching element 3 no valid address via the output data bus 2 such that only modified operating information data from the semiconductor data memory 4 , but not factory-side operating information data from the semiconductor data storage 6 to the source 100 be transmitted.

Eine Auswertung bereits des ersten Adressbits durch die Steuereinrichtung 5 genügt für die Öffnung des Schaltelementes 3 bzw. 10, sofern sich die Adresse des Halbleiterdatenspeichers 4 bereits ab dem ersten Adressbit von der Adresse des Entschlüsslers 7 unterscheidet. Falls die Steuereinrichtung 5 von der Quelle 100 nicht adressiert wird, kann die Steuereinrichtung 5 alternativ so ausgebildet sein, dass sie die Schaltelemente 3 bzw. 10 öffnet, sobald nur der Halbleiterdatenspeicher 4 oder beide Halbleiterdatenspeicher 4 und 6 Betriebsinformationsdaten an die Quelle 100 senden. Die Steuereinrichtung 5 detektiert in diesen Fällen das Auftreten von Betriebsinformationsdaten zumindest auf dem eingangsseitigen Datenbus 1 und gegebenenfalls auch auf dem ausgangsseitigen Datenbus 2 und öffnet das Schaltelement 3, um die Verbindung zwischen dem ausgangsseitigen Datenbus 2 und der Quelle 100 zu unterbrechen. Alternativ kann beim Auftreten von Betriebsinformationen auf dem Datenbus 1 und gegebenenfalls auch auf dem Datenbus 2 die Steuereinrichtung 5 das Schaltelement 10 öffnen, um die Taktzuführung von der Quelle 100 zu dem Halbleiterdatenspeicher 6 zu unterbrechen und damit die (weitere) Ausgabe von Betriebsinformationsdaten aus dem Halbleiterdatenspeicher 6 zu verhindern.An evaluation already of the first address bit by the control device 5 is sufficient for the opening of the switching element 3 respectively. 10 , if the address of the semiconductor data memory 4 already from the first address bit on the address of the decoder 7 different. If the controller 5 from the source 100 not addressed, the controller may 5 alternatively be designed so that they are the switching elements 3 respectively. 10 opens as soon as the semiconductor memory 4 or both semiconductor data memories 4 and 6 Operational information data to the source 100 send. The control device 5 detects in these cases the occurrence of operating information data at least on the input side data bus 1 and optionally also on the output side data bus 2 and opens the switching element 3 to the connection between the output side data bus 2 and the source 100 to interrupt. Alternatively, when operating information occurs on the data bus 1 and possibly also on the data bus 2 the controller 5 the switching element 10 open to the clock supply from the source 100 to the semiconductor data memory 6 to interrupt and thus the (further) output of operating information data from the semiconductor data memory 6 to prevent.

Im Falle von kryptographisch verschlüsselten Bildsignalen soll der Halbleiterdatenspeicher 4 nicht ausgelesen werden, da seine Betriebsinformationsdaten die Darstellung von verschlüsselten Bildsignalen stören oder sogar verhindern könnten. Die Quelle 100 sendet bei verschlüsselten Bildsignalen geänderte Adressdaten über den Anschluss 12 aus, welche nur den Halbleiterdatenspeicher 6 im Display 500, nicht aber den Halbleiterdatenspeicher 4 im Vorschaltgerät 300 adressieren. Die Steuereinrichtung 5 stellt die fehlende Übereinstimmung zwischen den gesendeten Adressdaten und der Adresse des Halbleiterdatenspeichers 4 fest und hält dadurch die Schaltelemente 3 und 10 in geschlossenem Zustand, wodurch die Datenbusse 1 und 2 sowie die Taktleitungen 8 und 9 leitend miteinander verbunden bleiben. Dies hat zur weiteren Folge, dass die von der Quelle 100 ausgesandte Adressdaten von dem Halbleiterdatenspeicher 6 und dem Entschlüssler 7 im Display 500 empfangen und ausgewertet werden. Die für die Wiedergabe krypotgraphisch verschlüsselter Bildinformationssignale herstellerseitig vorgesehen Betriebsinformationsdaten werden dann von dem Halbleiterdatenspeicher 6 und dem Entschlüssler 7 über die Datenbusse 2 und 1 an die Quelle 100 ausgegeben.In the case of cryptographically encrypted image signals to the semiconductor data memory 4 can not be read because his operational information data could interfere with or even prevent the display of encrypted image signals. The source 100 For coded picture signals, changes the address data via the connection 12 from which only the semiconductor data memory 6 in the display 500 but not the semiconductor data memory 4 in the ballast 300 address. The control device 5 represents the mismatch between the sent address data and the address of the semiconductor data memory 4 firmly and thereby holds the switching elements 3 and 10 in the closed state, eliminating the data buses 1 and 2 as well as the clock lines 8th and 9 stay connected to each other. This has the further consequence that the source 100 emitted address data from the semiconductor data memory 6 and the decoder 7 in the display 500 be received and evaluated. The operating information data provided by the manufacturer for the reproduction of cryptographically encrypted image information signals are then supplied by the semiconductor data memory 6 and the decoder 7 over the data buses 2 and 1 to the source 100 output.

Wie schon erwähnt, kann anstelle des Schaltelementes 3 auch das Schaltelement 10 zwischen den Taktsignalleitungen 8 und 9 geöffnet werden, so dass Taktsignale von der Quelle 100 lediglich zu dem Halbleiterdatenspeicher 4 in dem Vorschaltgerät 300, nicht aber zu dem Halbleiterdatenspeicher 6 in dem Display 500 gelangen können. Auf diese Weise wird durch die Öffnung des Schaltelementes 10 ebenfalls sichergestellt, dass nur die in dem Halbleiterdatenspeicher 4 abgelegten, modifizierten Betriebsinformationsdaten und nicht die im Halbleiterdatenspeicher 6 abgelegten, herstellerseitigen Betriebsinformationsdaten von der Quelle 100 adressiert und für die Darstellung der Bildinformationssignale auf dem Display 500 verwendet werden.As already mentioned, instead of the switching element 3 also the switching element 10 between the clock signal lines 8th and 9 be opened so that clock signals from the source 100 only to the semiconductor data memory 4 in the ballast 300 but not to the semiconductor data memory 6 in the display 500 can reach. In this way, through the opening of the switching element 10 also ensures that only those in the semiconductor memory 4 stored, modified operating information data and not in the semiconductor data storage 6 stored, manufacturer-side operating information data from the source 100 addressed and for the display of the image information signals on the display 500 be used.

Die Steuereinrichtung 5 kann als nicht-flüchtiger Halbleiterdatenspeicher ausgebildet sein, dessen Speicherinhalt das Schaltelement 3 und/oder das Schaltelement 10 steuert. Des Weiteren ist es möglich, dass die Steuereinrichtung 5 und der Halbleiterdatenspeicher 4 sowie die Schaltelemente 3 und 10 in Form eines einzigen Bauelementes ausgeführt sind. Es ist ferner möglich. eine oder beide Schaltelemente 3, 10 durch eine oder zwei selektive Signalregenerierungsschaltungen zu ersetzen. Den selektiven Signalregenerierungsschaltungen können zusätzlich Datenpufferschaltungen vor- oder nachgeschaltet werden, die eine zeitliche Verzögerung bewirken.The control device 5 may be formed as a non-volatile semiconductor data memory, the memory contents of the switching element 3 and / or the switching element 10 controls. Furthermore, it is possible that the control device 5 and the semiconductor data memory 4 as well as the switching elements 3 and 10 are executed in the form of a single component. It is also possible. one or both switching elements 3 . 10 by one or two selective signal regeneration circuits. The selective signal regeneration circuits may additionally be preceded or followed by data buffer circuits which cause a time delay.

Claims (11)

Vorschaltgerät für eine Bildwiedergabeeinrichtung (Display), welches zwischen einer Schnittstelle (200) einer Bildsignalquelle (100) und einer Schnittstelle (400) des Displays (500) angeordnet ist, wobei die Schnittstellen (200, 400) Anschlüsse (12, 52) für einen Datenbus (1, 2), Anschlüsse (13, 53) für eine Taktsignalleitung (8, 9) und Anschlüsse (11, 51) für Bildinformationssignale aufweisen und wobei das Vorschaltgerät (300) einen nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher (4) enthält, in welchem Betriebsinformationsdaten für das Display (500) abgelegt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die in dem nicht-flüchtigen Halbleiterdatenspeicher (4) abgelegten Betriebsinformationsdaten gegenüber herstellerseitigen Betriebsinformationsdaten in einem Halbleiterdatenspeicher (6) des Displays (500) modifiziert sind und dass das Vorschaltgerät (300) eine steuerbare Schaltfunktion (Schalteinrichtung 3, 10) aufweist, welche die Weiterleitung von Adressdaten oder Taktsignalen der Bildsignalquelle (100) an den Halbleiterdatenspeicher (6) des Displays (500) oder die Weiterleitung von Betriebsinformationsdaten des Halbleiterdatenspeichers (6) des Displays (500) an die Bildsignalquelle (100) unterbricht, sofern der Halbleiterdatenspeicher (4) des Vorschaltgerätes (300) von der Bildsignalquelle (100) adressiert wird und/oder Betriebsinformationsdaten ausgibt.Ballast for a picture display device (display) which is connected between an interface ( 200 ) an image signal source ( 100 ) and an interface ( 400 ) of the display ( 500 ), the interfaces ( 200 . 400 ) Connections ( 12 . 52 ) for a data bus ( 1 . 2 ), Connections ( 13 . 53 ) for a clock signal line ( 8th . 9 ) and connections ( 11 . 51 ) for image information signals and wherein the ballast ( 300 ) a non-volatile semiconductor data memory ( 4 ) in which operating information data for the display ( 500 ) are stored, characterized in that in the non-volatile semiconductor data memory ( 4 ) stored operating information data compared to manufacturer-side operating information data in a semiconductor data memory ( 6 ) of the display ( 500 ) and that the ballast ( 300 ) a controllable switching function (switching device 3 . 10 ), which the forwarding of address data or clock signals of the image signal source ( 100 ) to the semiconductor data memory ( 6 ) of the display ( 500 ) or the forwarding of operating information data of the semiconductor data memory ( 6 ) of the display ( 500 ) to the image signal source ( 100 ) interrupts, provided that the semiconductor data memory ( 4 ) of the ballast ( 300 ) from the image signal source ( 100 ) and / or outputs operating information data. Vorschaltgerät nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung (5) für die Schalteinrichtung (3, 10), welche die Adressdaten der Bildsignalquelle (100) mit der Adresse des Halbleiterdatenspeicher (4) des Vorschaltgerätes (300) vergleicht und im Falle einer Übereinstimmung zumindest der ersten n Adressbits der Adressdaten mit der Adresse des Halbleiterdatenspeichers (4) eine Unterbrechung durch die Schalteinrichtung (3, 10) auslöst, wobei n einer Zahl zwischen 1 und der maximalen Anzahl der Adressbits der Adressdaten entspricht.Ballast according to Claim 1, characterized by a control device ( 5 ) for the switching device ( 3 . 10 ) containing the address data of the image signal source ( 100 ) with the address of the semiconductor data memory ( 4 ) of the ballast ( 300 ) and in the case of a match of at least the first n address bits of the address data with the address of the semiconductor data memory ( 4 ) an interruption by the switching device ( 3 . 10 ), where n corresponds to a number between 1 and the maximum number of address bits of the address data. Vorschaltgerät nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung (5) für die Schalteinrichtung (3, 10), welche die Ausgabe von Betriebsinformationsdaten aus dem Halbleiterdatenspeicher (4) des Vorschaltgerätes (300) und gegebenenfalls auch aus dem Halbleiterdatenspeicher (6) des Displays (500) detektiert und eine Unterbrechung durch die Schalteinrichtung (3, 10) auslöst.Ballast according to Claim 1, characterized by a control device ( 5 ) for the switching device ( 3 . 10 ), which output the operating information data from the semiconductor data memory ( 4 ) of the ballast ( 300 ) and optionally also from the semiconductor data memory ( 6 ) of the display ( 500 ) and an interruption by the switching device ( 3 . 10 ) triggers. Vorschaltgerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (5) als nicht-flüchtiger Halbleiterdatenspeicher ausgebildet ist, dessen Speicherinhalt die Schalteinrichtung (3, 10) steuert.Ballast according to claim 1 or 2, characterized in that the control device ( 5 ) is designed as a non-volatile semiconductor data memory whose memory contents the switching device ( 3 . 10 ) controls. Vorschaltgerät nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (5) und der Halbleiterdatenspeicher (4) in dem Vorschaltgerät (300) in Form eines einzigen Bauelementes ausgeführt sind.Ballast according to one of claims 2 to 4, characterized in that the control device ( 5 ) and the semiconductor data memory ( 4 ) in the ballast ( 300 ) are executed in the form of a single component. Vorschaltgerät nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (5), der Halbleiterdatenspeicher (4) und die Schalteinrichtung (3, 10) in dem Vorschaltgerät (300) in Form eines einzigen Bauelementes ausgeführt sind.Ballast according to one of claims 2 to 4, characterized in that the control device ( 5 ), the semiconductor data memory ( 4 ) and the switching device ( 3 . 10 ) in the ballast ( 300 ) are executed in the form of a single component. Vorschaltgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass für die steuerbare Schaltfunktion (Schalteinrichtung 3, 10) ein Schaltelement vorgesehen ist, das in dem Datenbus (1, 2) oder in der Taktsignalleitung (8, 9) angeordnet ist.Ballast according to one of claims 1 to 6, characterized in that for the controllable switching function (switching device 3 . 10 ) a switching element is provided which in the data bus ( 1 . 2 ) or in the clock signal line ( 8th . 9 ) is arranged. Vorschaltgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für die steuerbare Schaltfunktion (Schalteinrichtung 3, 10) eine oder zwei selektive Signalregenerierungsschaltungen vorgesehen sind, die in dem Datenbus (1, 2) oder in der Taktsignalleitung (8, 9) angeordnet sind.Ballast according to claim 1, characterized in that for the controllable switching function (switching device 3 . 10 ) one or two selective signal regeneration circuits are provided, which in the data bus ( 1 . 2 ) or in the Taktsignallei tion ( 8th . 9 ) are arranged. Vorschaltgerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass den selektiven Signalregenerierungsschaltungen zusätzlich Datenpufferschaltungen vor- oder nachgeschaltet werden, die eine zeitliche Verzögerung bewirken.ballast according to claim 8, characterized in that the selective signal regeneration circuits additionally Data buffer circuits are preceded or followed, the one delay cause. Vorschaltgerät nach dem Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalregenerierungsschaltungen durch eine Datenverarbeitungseinrichtung gebildet werden.ballast according to claim 9, characterized in that the signal regeneration circuits be formed by a data processing device. Vorschaltgerät nach dem Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das oder die Schaltelement(e) (3, 10) durch ein oder mehrere Halbleiterbauteile gebildet sind.Ballast according to claim 6, characterized in that the one or more switching element (s) ( 3 . 10 ) are formed by one or more semiconductor devices.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1032201A2 (en) * 1999-02-26 2000-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Image display control system and method

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