DE102004060184A1

DE102004060184A1 - Extreme ultraviolet mirror arrangement used in the semiconductor industry comprises a mirror substrate supporting dielectric layers and an electrically insulating heat transfer layer and a substrate support

Info

Publication number: DE102004060184A1
Application number: DE200410060184
Authority: DE
Inventors: Martin Dr. Roß-Meßemer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2004-12-14
Filing date: 2004-12-14
Publication date: 2006-07-06

Abstract

Extreme ultraviolet mirror arrangement (1) comprises a mirror substrate (11) supporting a number of dielectric layers on a first substrate surface to reflect extreme ultraviolet radiation and supporting an electrically insulating heat transfer layer on a second substrate surface and a substrate support (14) which is joined to the heat transfer material by an adhesive layer (13). An independent claim is also included for a method for reflecting extreme ultraviolet radiation using the above mirror arrangement. Preferred Features: The adhesive layer comprises a solder (46) having a melting temperature of less than 100[deg] C, especially less than 80[deg] C. The adhesive layer comprises a layer of adhesive based on plastic.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine EUV-Spiegelanordnung, insbesondere zur Verwendung in EUV-Optikanordnungen.The The present invention relates to an EUV mirror assembly, in particular for use in EUV optics assemblies.

Mit der Entwicklung hin zu immer kleineren Mikrostrukturen, insbesondere im Bereich der Halbleiterindustrie, wachsen auch die Anforderungen an Optikanordnungen, welche zu deren Herstellung verwendet werden. So wird im Allgemeinen eine immer höhere Auflösung im Bereich der Photolithographie insbesondere durch Erhöhung der numerischen Apertur und eine Verringerung der zur Belichtung verwendeten Wellenlänge der Strahlenquelle erreicht. Der Übergang in den Bereich der extremen Ultraviolett (EUV) – Strahlung mit einem Wellenlängenbereich von typischerweise 11 bis 14 nm machte einen Übergang von dioptrischen oder katadioptrischen zu katoptrischen Systemen, d.h. auf reflektierenden Elementen beruhenden Systemen, notwendig.With the development towards ever smaller microstructures, in particular In the semiconductor industry, too, the demands are growing at optics arrangements, which are used for their production. Thus, in general, an ever higher resolution in the field of photolithography in particular by raising the numerical aperture and a reduction of the exposure used wavelength reaches the radiation source. The transition to the area of extreme ultraviolet (EUV) radiation with a wavelength range typically 11 to 14 nm made a transition from dioptric or catadioptric to catoptric systems, i. on reflective Elements based systems, necessary.

Reflektive Elemente oder Spiegel, welche in solchen katoptrischen Systemen eingesetzt werden, bestehen üblicherweise aus einem Substrat und einer darauf aufgebrachten Schichtenfolge aus alternierenden Schichten zweier Materialien, wobei bei dem einen Material eine Differenz zwischen seinem Brechungsindex bei der zu verwendenden Wellenlänge und im Vakuum relativ groß ist und bei dem anderen Material eine Differenz zwischen seinem Brechungsindex bei der zu verwendenden Wellenlänge und im Vakuum relativ klein ist, wobei die jeweiligen Schichtdicken so eingerichtet sind, dass die reflektierten Lichtwellen positiv interferieren. Beispiele für geeignete Materialpaare umfassen W/C, Mo/C, und Mo/Si, welche mittels CVD-Technik, Sputtern, Vakuumabscheidung und dergleichen abgeschieden werden.reflective Elements or mirrors used in such catoptric systems are used, usually exist from a substrate and a layer sequence applied thereto from alternating layers of two materials, wherein the one Material is a difference between its refractive index in the case of using wavelength and in the vacuum is relatively large and in the other material, a difference between its refractive index at the wavelength to be used and in vacuum is relatively small, with the respective layer thicknesses are set up so that the reflected light waves are positive interfere. Examples of suitable Material pairs include W / C, Mo / C, and Mo / Si, which by CVD technique, Sputtering, vacuum deposition and the like are deposited.

Die Reflexion solcher Schichten bei Wellenlängen von etwa 10 bis 15 nm beträgt bei bekannten Schichten im Allgemeinen weniger als 75% und ist damit relativ gering. Dies bedeutet, dass ein Teil der Strahlung in Wärme umgesetzt wird und dadurch die Spiegel aufheizt. In der Regel werden die Spiegelflächen nicht homogen bestrahlt, so dass ein thermisches Ungleichgewicht im Spiegel entsteht. Dieses führt zu internen Spannungen und beeinträchtigt so die optische Leistungsfähigkeit des Spiegels und somit des gesamten Systems.The Reflection of such layers at wavelengths of about 10 to 15 nm is in known layers generally less than 75% and is with it relatively low. This means that some of the radiation is converted into heat and thereby heats the mirrors. In general, the mirror surfaces are not homogeneously irradiated, leaving a thermal imbalance in the mirror arises. This leads to internal voltages and thus affects the optical performance the mirror and thus the entire system.

Daher besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, EUV-Spiegel bereitzustellen, in denen eine bessere Wärmeabfuhr gewährleistet ist.Therefore An object of the invention is to provide EUV mirrors, in which a better heat dissipation guaranteed is.

Weiterhin besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, ein Verfahren zum Betreiben eines EUV-Spiegels bzw. zum Reflektieren von EUV-Licht bereitzustellen, bei welchem eine bessere Wärmeabfuhr erreicht wird.Farther It is an object of the invention to provide a method of operation to provide an EUV mirror or to reflect EUV light, in which a better heat dissipation is reached.

Unter einem ersten Aspekt der Erfindung wird eine EUV-Spiegelanordnung bereitgestellt, welche ein Spiegelsubstrat umfasst, welches auf einer ersten Substratfläche eine Mehrzahl dielektrischer Schichten zur Reflexion von EUV-Strahlung trägt und auf einer zweiten Substratfläche eine Schicht eines elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials trägt, und welche einen Substratträger umfasst, welcher mit der Schicht aus dem Wärmeübertragungsmaterial durch eine Haftschicht flächig fest verbunden ist.Under In a first aspect of the invention, there is provided an EUV mirror assembly which a mirror substrate comprising on a first substrate surface a Plural dielectric layers for reflection of EUV radiation carries and on a second substrate surface carrying a layer of electrically insulating heat transfer material, and which is a substrate carrier which is connected to the layer of the heat transfer material by a Adhesive layer surface is firmly connected.

Diese EUV-Spiegelanordnung ermöglicht einerseits die Vermeidung eines Wärmestaus in der Spiegelanordnung und damit eine verbesserte optische Leistungsfähigkeit. Andererseits kann mittels der durch die Schicht des Wärmeübertragungsmaterials bereitgestellten elektrischen Isolierung eine vorzeitige Alterung der dielektrischen Schichten vermieden werden.These EUV mirror arrangement allows on the one hand the avoidance of heat accumulation in the mirror assembly and thus an improved optical performance. On the other hand can by means provided by the layer of the heat transfer material electrical insulation premature aging of the dielectric Layers are avoided.

Bei Bestrahlung der dielektrischen Schichten werden durch Photoemission Photoelektronen freigesetzt, die wiederum zur Bildung von Ionen führen.at Irradiation of the dielectric layers is by photoemission Photoelectrons released, which in turn leads to the formation of ions to lead.

Durch die erfindungsgemäße Spiegelanordnung, insbesondere durch die Anordnung des elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials auf dem Spiegelsubstrat, wird es beispielsweise ermöglicht, ein Spannung anzulegen und durch Photoelektronen erzeugte Ionen durch ein durch die angelegte Spannung erzeugtes elektrisches Feld zur Reinigung von Kontaminationsschichten auf die dielektrischen Schichten der EUV-Spiegelanordnung zu lenken, oder aber die Ionen abzulenken, um eine vorzeitige Alterung der dielektrischen Schichten zu vermeiden.By the mirror arrangement according to the invention, in particular by the arrangement of the electrically insulating heat transfer material on the mirror substrate, it is possible, for example, apply a voltage and ions generated by photoelectrons by an electric field generated by the applied voltage for cleaning contamination layers on the dielectric layers direct the EUV mirror assembly, or distract the ions, to avoid premature aging of the dielectric layers.

Unter EUV-Strahlung wird dabei hierin insbesondere Strahlung im Wellenlängenbereich von 10 bis 20 nm verstanden. In typischen Anwendungen treffen auf eine EUV-Spiegelanordnungen Photonen mit einer Energie von etwa 100 eV.Under EUV radiation is herein in particular radiation in the wavelength range from 10 to 20 nm understood. In typical applications meet an EUV mirror arrangement Photons with an energy of about 100 eV.

Unter einem zweiten Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine EUV-Spiegelanordnung bereit, welche umfasst: ein Spiegelsubstrat, welches auf einer ersten Substratfläche ein Molybdän-Silizium-Schichtsystem zur Reflexion von EUV-Strahlung trägt, und einen Substratträger, welcher mit dem Spiegelsubstrat (insbesondere einer zweiten Substratfläche des Spiegelsubstrats) durch ein Lot flächig fest verbunden ist, dessen Schmelztemperatur kleiner als 80 °C, insbesondere kleiner als 70 °C, ist. Weiterhin kann diese Spiegelanordnung die Merkmale der Spiegelanordnung gemäß dem ersten Aspekt umfassen.In a second aspect, the present invention provides an EUV mirror assembly comprising: a mirror substrate carrying on a first substrate surface a molybdenum-silicon layer system for reflection of EUV radiation, and a substrate support connected to the mirror substrate (in particular a mirror substrate) second substrate surface of the mirror substrate) is firmly connected by a flat surface whose melting temperature is less than 80 ° C, especially less than 70 ° C. Furthermore, this mirror arrangement Merkma le of the mirror assembly according to the first aspect.

Unter Lot wird eine relativ niedrig schmelzende Metalllegierung verstanden, insbesondere eine solche, die zum Löten geeignet ist. Durch sogenannten Niedertemperaturlote kann eine besonders vorteilhafte Benetzung der sich daran in beiden Richtungen anschließenden Schichten der Spiegelanordnung erreicht werden, was sich günstig auf die Wärmeabfuhr bzw. den Wärmeübergangskoeffizienten auswirkt. In typischen Anwendungen dieser Spiegelanordnungen werden diese bei einer Temperatur betrieben, die nur wenig unter der des Schmelzpunktes des Niedertemperaturlots liegt, da das Niedertemperaturlot in diesem Temperaturbereich für diese Anwendung besonders günstige Eigenschaften aufweist.Under Lot is understood to mean a relatively low-melting metal alloy, especially one that is suitable for soldering. By so-called Niedertemperaturlote can be a particularly advantageous wetting the layers of the mirror array adjoining it in both directions be achieved, which is favorable on the heat dissipation or the heat transfer coefficient. In typical applications of these mirror arrays, these become operated at a temperature only slightly below that of the melting point the Niedertemperaturlots lies because the Niedertemperaturlot in this Temperature range for this application is especially cheap Features.

Als Beispiel für ein Niedertemperaturlot sei L-Lot46 aus der Reihe der Stannol^®-Weichlote der Firma Stannol (Wuppertal, Deutschland) genannt, welches einen Schmelzpunkt von 46°C aufweist.As an example of a Niedertemperaturlot be from the series of the company Stannol ^® -Weichlote Stannol (Wuppertal, Germany) called L-Lot46 having a melting point of 46 ° C.

Unter einem dritten Aspekt stellt die Erfindung eine EUV-Spiegelanordnung bereit, welche eine Mehrzahl dielektrischer Schichten zur Reflexion von EUV-Strahlung, ein Spiegelsubstrat und eine Schicht eines elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials umfasst, wobei eine erste Oberfläche der Schicht des elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials mit einer äußersten dielektrischen Schicht der Mehrzahl dielektrischer Schichten flächig fest verbunden ist und eine zweite Oberfläche der Schicht des elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials mit dem Spiegelsubstrat flächig fest verbunden ist.Under In a third aspect, the invention provides an EUV mirror assembly providing a plurality of dielectric layers for reflection of EUV radiation, a mirror substrate and a layer of an electric insulating heat transfer material comprising, wherein a first surface of the Layer of the electrically insulating heat transfer material with an outermost dielectric layer of the plurality of dielectric layers surface firmly is connected and a second surface of the layer of electrical insulating heat transfer material with the mirror substrate surface is firmly connected.

In beispielhaften Ausführungsformen umfasst die EUV-Spiegelanordnung gemäß dem dritten Aspekt ferner einen mit dem Spiegelsubstrat flächig verbundenen Substratträger.In exemplary embodiments includes the EUV mirror assembly according to the third aspect furthermore, a substrate carrier connected in a planar manner to the mirror substrate.

Die erfindungsgemäßen Spiegelanordnungen sind besonders vorteilhaft bei punktförmiger Bestrahlung oder Bestrahlung lediglich eines kleinen Bereichs der Gesamtfläche der Anordnung, da die durch diese Bestrahlung induzierten Spannungen auch durch eine effiziente Kühlung allein nur mehr schwer zu kompensieren sind. Durch die hohe Bestrahlungsdichte bei punktförmiger Bestrahlung kommt es zu lokalen Temperaturerhöhungen, welche im Bereich einiger Kelvin liegen können. Diese Temperaturveränderungen induzieren Spannungen, welche wiederum zu lokalen Deformationen führen, welche eine Wellenfront der von der Spiegelanordnung reflektierten EUV-Strahlung nachteilig beeinflussen. Ein Verhältnis eines Durchmesser der Spiegelanordnung zu einer Dicke der Spiegelanordnung hat Einfluss auf die mechanischen Spannungen, die infolge von Bestrahlung auftreten. In bevorzugten Ausführungsformen liegt ein Wert des Verhältnisses von Durchmesser zu Dicke der Spiegelanordnung im Bereich von 4 bis 6. Bei Werten kleiner als 4 kann es zu Problemen infolge einer ungünstigen Querausdehnung der Wärme kommen, oder es kann bei Werten über 6 zu einer mechanischen Instabilität der Spiegelanordnung kommen. Durch die Integration der Schicht aus elektrisch isolierendem Wärmeübertragungsmaterial kann dieses Problem zumindest soweit verringert werden, dass thermische Stabilität der EUV-Spiegelanordnung erreicht werden kann. Außerdem ermöglichen die erfindungsgemäßen Spiegelanordnungen, Spiegelanordnungen in EUV-Lithographiesystemen pupillennäher einzusetzen. Der Bezeichnung pupillennah legt hier die folgende Definition zugrunde: Eine pupillennahe Ebene ist die Fourierebene zu einer sogenannten feldnahen Optik, welche in einer konjugierten Ebene zur Bildebene des abzubildenden Objekts liegt (welche wiederum in der Luke liegt).The mirror arrangements according to the invention are particularly advantageous for punctiform irradiation or irradiation only a small portion of the total area of the arrangement, as by This irradiation also induced an efficient voltage cooling alone are more difficult to compensate. Due to the high irradiation density at punctate Irradiation results in local temperature increases, which are in the range of some Kelvin can lie. These temperature changes induce stresses, which in turn lead to local deformations to lead, which reflected a wave front of the mirror assembly EUV radiation disadvantageous influence. A relationship a diameter of the mirror assembly to a thickness of the mirror assembly has an influence on the mechanical stresses resulting from irradiation occur. In preferred embodiments is a value of the ratio from diameter to thickness of the mirror assembly in the range of 4 to 6. Values less than 4 may cause problems due to unfavorable conditions Transverse expansion of heat come, or it can be over in values 6 come to a mechanical instability of the mirror assembly. By integrating the layer of electrically insulating heat transfer material this problem can at least be reduced to the extent that thermal stability the EUV mirror assembly can be achieved. Also allow the mirror arrangements according to the invention, Mirror assemblies in EUV lithography systems pupil closer use. The term pupillennah uses the following definition here: A pupil-near level is the Fourier level to a so-called near-field optics, which in a conjugate plane to the image plane of the object to be imaged (which in turn is in the hatch).

Das Wärmeübertragungsmaterial umfasst allgemein ein Material hoher Wärmeleitfähigkeit. Die Schicht aus dem Wärmeübertragungsmaterial kann beispielsweise eine Wärmeleitzahl von größer als 10 W/(m·K) aufweisen. In anderen Ausführungsformen kann die Wärmeleitzahl größer als 100 W/(m·K) sein, in weitern Ausführungsbeispielen größer als 1000 W/(m·k).The Heat transfer material generally comprises a material of high thermal conductivity. The layer from the Heat transfer material For example, a thermal conductivity from bigger than 10 W / (m · K) exhibit. In other embodiments the thermal conductivity greater than 100 W / (m · K) be, in further embodiments greater than 1000 W / (m · k).

Eine elektrische Durchschlagfestigkeit des Wärmeübertragungsmaterials ist bevorzugt größer als 10 V/μm. In anderen Ausführungsbeispielen ist die elektrische Durchschlagfestigkeit des Wärmeübertragungsmaterials größer als 20 V/μm, in weiteren Ausführungsbeispielen größer als 50 V/μm.A Electrical breakdown strength of the heat transfer material is preferred greater than 10 V / μm. In other embodiments the electrical breakdown strength of the heat transfer material is greater than 20 V / μm, in further embodiments greater than 50 V / μm.

Das Wärmeübertragungsmaterial kann beispielsweise Diamant oder/und Bornitrid umfassen. In bevorzugten Ausführungsformen wird eine reine Diamantschicht, d.h. eine nur aus Diamant bestehende Schicht als Wärmeübertragungsmaterial verwendet.The Heat transfer material may include, for example, diamond or / and boron nitride. In preferred embodiments becomes a pure diamond layer, i. a layer of diamond only as a heat transfer material used.

Die Verwendung von Diamant bzw. Diamantschichten ist insbesondere insofern vorteilhaft, als eine Reihe von Verfahren zum Herstellen dünner Diamantschichten bekannt sind und Diamant den Vorteil besonders hohen Wärmeleitvermögens (ca. 1800 W/m·K) sowie eine Durchschlagfestigkeit von 100 V/μm bietet.The Use of diamond or diamond layers is particularly so far advantageous as a series of methods for producing thin diamond layers are known and diamond the advantage of particularly high thermal conductivity (approx. 1800 W / m · K) as well as a dielectric strength of 100 V / μm.

Die Schicht aus dem Wärmeübertragungsmaterial kann beispielsweise durch einen CVD-Prozess auf die zweite Substratfläche aufgebracht sein. Solche CVD (chemical vapour deposition)-, d.h. Gasphasen-Prozesse zum Abscheiden bzw. Aufbringen von Wärmeübertragungsmaterial, beispielsweise Diamant, sind im Fachbereich wohl bekannt und etwa in Veröffentlichungen der Firma de Beers (beispielsweise deren Vertriebsinformationen oder Patentanmeldungen) sowie beispielsweise denen des Kompetenzzentrums Werkstoffe der Mikrotechnik an der Universität Ulm offenbart. Weiterentwicklungen im Bereich dünner Diamantfilme sind Gegenstand intensiver Forschung und wird von einer großen Zahl von Forschungsgruppen vorangetrieben.The layer of the heat transfer material may for example be applied to the second substrate surface by a CVD process. Such chemical vapor deposition (CVD) processes, ie gas phase processes for depositing heat transfer material, for example diamond, are well known in the art and are described in publications by the company de Beers (ex their sales information or patent applications) as well as, for example, those of the Competence Center for Materials in Microtechnology at the University of Ulm. Advances in thin diamond films are the subject of intense research and are driven by a large number of research groups.

Die Herstellung von Diamantbeschichtungen kann dabei insbesondere durch thermische CVD-Verfahren (wie zum Beispiel Hot Filament CVD) oder Plasma-CVD-Verfahren (z.B. Mikrowellen-Plasma CVD) erfolgen, wobei zur Herstellung besonders reiner Schichten derzeit noch bevorzugt Plasma-Verfahren angewandt werden.The Production of diamond coatings can in particular by thermal CVD processes (such as hot filament CVD) or Plasma CVD methods (e.g., microwave plasma CVD) are performed wherein currently preferred for the production of particularly pure layers Plasma method can be applied.

In bevorzugten Ausführungsformen ist das Wärmeübertragungsmaterial insbesondere beim dritten Aspekt der Erfindung Diamant mit einer mittlere Kristallitgröße im Bereich von von 100 nm bis 5 μm, beispielsweise im Bereich von 100 bis 1000 nm. Bevorzugt ist eine mittlere Kristallitgröße im Bereich von 300 bis 700 nm. Dabei liegt eine Standardabweichung der mittleren Kristallitgröße beispielsweise bei etwa 250 nm, bevorzugt bei etwa 100 nm.In preferred embodiments is the heat transfer material In particular, in the third aspect of the invention diamond with a average crystallite size in the range from 100 nm to 5 μm, for example in the range of 100 to 1000 nm. Preferred is an average crystallite size in the range from 300 to 700 nm. Here, a standard deviation of the mean Crystallite size, for example at about 250 nm, preferably at about 100 nm.

Außerdem ist als weiterer Parameter insbesondere eine Oberflächenrauhigkeit der Schicht des Wärmeübertragungsmaterials von Bedeutung. Bevorzugt liegt eine sog. Mid-Spatial Frequency Roughness (MSFR) der Wärmeübertragungsmaterialschicht im Bereich von weniger als 10 nm.Besides that is as a further parameter, in particular a surface roughness of the layer of the heat transfer material significant. Preferably, a so-called. Mid-Spatial Frequency Roughness (MSFR) is the Heat transfer material layer in the range of less than 10 nm.

Als Wärmeübertragungsmaterial kann beispielsweise auch Glimmer eingesetzt werden. Die Durchschlagfestigkeit dieses Silikatwerkstoffs liegt bei etwa 10 bis 100 V/μm und die Wärmeleitfähigkeit im Bereich von 0,3 bis 0,6 W/m·K.When Heat transfer material For example, mica can also be used. The dielectric strength this silicate material is about 10 to 100 V / μm and the Thermal conductivity in the Range of 0.3 to 0.6 W / m · K.

In einigen Ausführungsformen der erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnung ist eine Fläche der Schicht aus dem Wärme übertragungsmaterial größer als eine Hälfte einer Fläche der dielektrischen Schichten. Dadurch soll gewährleistet werden, dass eine genügend große Fläche zur Wärmeübertragung weg von den dielektrischen Schichten zur Verfügung steht.In some embodiments the EUV mirror assembly according to the invention is an area the layer of the heat transfer material greater than a half a surface the dielectric layers. This is to ensure that a enough size area for heat transfer away from the dielectric layers is available.

Eine Dicke der Schicht aus dem Wärmeübertragungsmaterial kann kleiner als 1 mm, insbesondere kleiner als 0,5 mm sein. Aufgrund der sehr guten elektrisch isolierenden und thermischen Eigenschaften von Diamantfilmen genügt bei diesen für typische Anwendungen von EUV-Spiegelanordnungen bereits eine Schichtdicke der Diamantschicht im Bereich von 5 bis 10 μm.A Thickness of the layer of the heat transfer material may be less than 1 mm, in particular less than 0.5 mm. by virtue of the very good electrical insulating and thermal properties of diamond films is enough at these for typical applications of EUV mirror arrays already a layer thickness the diamond layer in the range of 5 to 10 microns.

Auch in der EUV-Spiegelanordnung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung kann die Haftschicht eine Schicht aus einem Lot umfassen. Lote stellen, wie bereits angesprochen, vorteilhafte Benetzungseigenschaften bereit, welche für den Wärmeübergangskoeffizienten von Bedeutung ist.Also in the EUV mirror arrangement according to the first Aspect of the invention, the adhesive layer, a layer of a Lot include. Solders provide, as already mentioned, advantageous Wetting properties ready, which for the heat transfer coefficient of importance is.

Ein in den erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnungen verwendetes Lot weist beispielsweise eine Schmelztemperatur von weniger als 100°C, insbesondere weniger als 80 °C auf.One in the EUV mirror assemblies according to the invention For example, solder used has a melting temperature of less than 100 ° C, in particular less than 80 ° C on.

In anderen Ausführungsformen der EUV-Spiegelanordnung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung umfasst die Haftschicht eine Schicht aus einem Kleber auf Kunststoffbasis. Ein solcher Kleber kann beispielsweise einen Zweikomponentenkleber umfassen. In vorteilhaften Ausführungsformen wird ein Kleber verwendet, welcher bei den Vakuumbedingungen, unter welchen die EUV-Spiegelanordnung üblicherweise zu verwenden ist, vakuumtauglich ist, d.h. keine flüchtigen oder sonstigen Stoffe, wie etwa Kohlenwasserstoffe, abgibt. Von den geeigneten Klebern sind diejenigen besonders vorteilhaft, welche dauerelastisch sind, d.h. nach Aushärtung nicht spröde werden, so dass eine Klebefuge nach einer mechanischen Beanspruchung leicht reißen könnte. Als Beispiel für einen geeigneten Kleber sei H2OE der Firma Polytec (Polytec GmbH, Waldbronn) genannt.In other embodiments the EUV mirror assembly according to the first Aspect of the invention, the adhesive layer comprises a layer of a Plastic-based adhesive. Such an adhesive can, for example comprise a two-component adhesive. In advantageous embodiments an adhesive is used which under vacuum conditions, under which the EUV mirror arrangement is usually to be used, is vacuum compatible, i. no volatile or other substances, such as hydrocarbons releases. From the suitable adhesives those are particularly advantageous which are permanently elastic, i.e. after curing not brittle so that a glue joint after a mechanical stress tear easily could. As an example for A suitable adhesive is H2OE from Polytec (Polytec GmbH, Waldbronn).

Eine Dicke der Haftschicht in den erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnungen ist beispielsweise kleiner als 0,5 mm, insbesondere kleiner als 0,25 mm. Wird beispielsweise ein Niedertemperaturlot als Haftschicht verwendet, kann die Dicke der Haftschicht auch bei nur etwa 1 bis 30 μm liegen.A Thickness of the adhesive layer in the EUV mirror assemblies according to the invention is for example less than 0.5 mm, in particular less than 0.25 mm. For example a low-temperature solder used as an adhesive layer, the thickness the adhesive layer are also only about 1 to 30 microns.

Für die Haftschicht sind Eigenschaften wie beispielsweise Vakuumtauglichkeit, Wärmeleitfähigkeit und Ausmaß der Ausdehnung bei einer Temperaturänderung neben der Benetzbarkeit von Bedeutung.For the adhesive layer are properties such as vacuum compatibility, thermal conductivity and extent of Expansion at a temperature change in addition to the wettability of importance.

Des weiteren kommen beispielsweise spezielle vakuumtaugliche Wärmeleitpasten zur Ausbildung der Haftschicht in Frage. Eine Schicht dieses Materials kann beispielsweise dadurch hergestellt werden, dass mit Abstandshaltern ein fixer Spalt zwischen der Spiegelsubstratschicht und dem Substratträger erzeugt wird, in den die Paste eingebracht wird. Derartige Pasten können Durchschlagsfestigkeiten zwischen 15 und 20 V/μm aufweisen, so dass in einigen typischen Anwendungsfällen Schichtdicken im Bereich von 100 μm eine geeignete elektrische Isolierung bereitstellen können.Of others come, for example, special vacuum-compatible thermal compounds for the formation of the adhesive layer in question. A layer of this material can be made, for example, by using spacers creates a fixed gap between the mirror substrate layer and the substrate carrier is, in which the paste is introduced. Such pastes can have dielectric strengths between 15 and 20 V / μm have layer thicknesses in some typical applications in the range of 100 microns can provide suitable electrical insulation.

Zur Verwendung als Haftschicht sind etwa auch die Materialien Aluminium, Indium oder Molybdän denkbar.to As an adhesive layer are also about the materials aluminum, Indium or molybdenum conceivable.

Der Substratträger kann beispielsweise aus einem Metall, insbesondere aus Kupfer, gefertigt sein. Als Material oder Kombination von Materialien für den Substratträger wird vorteilhaft ein solches/eine solche mit hoher Wärmeleitfähigkeit gewählt. Kupfer ist durch seine thermischen Eigenschaften besonders gut geeignet zur schnellen Wärmeabfuhr.The substrate carrier can be made, for example, from a metal, in particular from copper be. As a material or combination of materials for the substrate carrier, one with a high thermal conductivity is advantageously selected. Due to its thermal properties, copper is particularly suitable for rapid heat dissipation.

Es sind Ausführungsformen der erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnungen vorgesehen, in welchen die Spiegelanordnung ferner eine Temperierungseinrichtung zum einstellbaren Zuführen oder/und Abführen von Wärme zu bzw. von dem Substratträger umfasst. Dadurch wird in vorteilhafter Weise ermöglicht, dass die Spiegelanordnung thermisch stabil gehalten wird.It are embodiments the EUV mirror assemblies according to the invention provided in which the mirror assembly further comprises a temperature control device for adjustable feeding and / or lead away of heat to or from the substrate carrier includes. This advantageously makes it possible for the mirror arrangement is kept thermally stable.

Eine solche Temperierungseinrichtung kann beispielsweise wenigstens einen Fluidströmungskanal umfassen, welcher mit dem Substratträger thermisch gekoppelt ist. Dabei kann der Fluidströmungskanal mit dem Substratträger nur an einer Oberfläche in Berührung stehen oder diesen in anderen Ausführungsformen durchdringen. Das Fluid kann dabei beispielsweise Wasser sein. Bei einer EUV-Spiegelanordnung gemäß dem dritten Aspekt kann die Temperiervorrichtung auch direkt thermisch mit dem Spiegelsubstrat gekoppelt sein.A Such tempering device may, for example, at least one Fluid flow channel which is thermally coupled to the substrate carrier. In this case, the fluid flow channel with the substrate carrier only on one surface in contact stand or penetrate this in other embodiments. The fluid can be, for example, water. In an EUV mirror arrangement according to the third Aspect, the tempering directly thermally with the Coupled mirror substrate.

Das Spiegelsubstrat kann beispielsweise ein Siliziumsubstrat oder/und ein Glassubstrat umfassen. Das Glassubstrat kann beispielsweise ULE^TM Titanium-Silicatglas der Firma Corning (Corning, NY, USA) oder gegebenenfalls Zerodur^® von Schott (Mainz, Deutschland) sein. Die Glasmaterialien zeichnen sich dadurch aus, dass bei größeren Temperaturdifferenzen durch die extrem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten vergleichsweise geringe mechanische Spannungen erzeugt werden. Um diese geringen, teilweise jedoch noch immer inakzeptabel hohen Spannungen auszugleichen, wird erfindungsgemäß der Wärmefluss homogenisiert. Silizium ist ein sehr guter Wärmeleiter mit etwa 150–160 W/m·K. Welches Material für das Spiegelsubstrat verwendet wird, hängt im allgemeinen von der Anwendung der EUV-Spiegelanordnung und den damit verbundenen Anforderungen ab. Die Verwendung von Silizium bietet den Vorteil, dass Silizium als Werkstoff und die Silizium-Technologie sehr gut erforscht und damit handhabbar sind.The mirror substrate may comprise, for example, a silicon substrate and / or a glass substrate. The glass substrate, for example, ULE ^TM titanium silicate his Corning (Corning, NY, USA), or optionally Zerodur ^® from Schott (Mainz, Germany). The glass materials are characterized by relatively small mechanical stresses being generated by the extremely low coefficients of thermal expansion given larger temperature differences. To compensate for these low, but still always unacceptably high voltages, the heat flow is homogenized according to the invention. Silicon is a very good heat conductor with about 150-160 W / m · K. Which material is used for the mirror substrate generally depends on the application of the EUV mirror assembly and the associated requirements. The use of silicon offers the advantage that silicon as a material and silicon technology are very well researched and thus manageable.

Die Mehrzahl dielektrischer Schichten kann beispielsweise Molybdänschichten und Siliziumschichten umfassen, insbesondere ein Verbund alternierender Mo- und Si-Schichten sein. Herstellung und Eigenschaften solcher EUV-Strahlung reflektierender Schichten sind im Fachbereich bereits ausführlich beschrieben worden.The A plurality of dielectric layers may be, for example, molybdenum layers and silicon layers, in particular a composite of alternating Mo and Si layers be. Production and properties of such EUV radiation reflecting layers are already in the department in detail been described.

Es sind auch Ausführungsformen denkbar, in denen eine Siliziumschicht derart dotiert ist, dass eine Diodenfunktionalität erreicht werden kann.It are also embodiments conceivable in which a silicon layer is doped such that a diodes functionality can be achieved.

In vorteilhaften Ausführungsformen der erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnungen umfassen diese ferner eine Spannungsversorgung zum Einstellen eines elektrischen Potentials der Mehrzahl dielektrischer Schichten relativ zu dem Substratträger. Es kann beispielsweise eine Spannung im Bereich von 150 V angelegt werden. Das Anlegen einer Spannung wirkt sich in vorteilhafter Weise auf die Photoemission bzw. die dadurch bewirkte Ionenbildung aus. Insbesondere kann das Potential derart eingestellt werden, dass in einem Fall, wie bereits voranstehend angesprochen, durch Photoelektronen erzeugte Ionen auf die Oberfläche der Spiegelanordnung gelenkt werden können, um Kontaminationen von der reflektierenden Schicht zu entfernen, oder aber Ionen abgestoßen werden können, um einer Alterung der reflektierenden Schichten vorzubeugen.In advantageous embodiments the EUV mirror assemblies according to the invention These further comprise a power supply for setting a electric potential of the plurality of dielectric layers relative to the substrate carrier. For example, a voltage in the range of 150 V may be applied become. The application of a voltage has an advantageous effect on the photoemission or thereby caused ion formation. In particular, the potential can be adjusted such that in a case, as already mentioned above, generated by photoelectrons Ions on the surface the mirror assembly can be directed to contamination of of the reflective layer, or ions are repelled can, to prevent aging of the reflective layers.

Unter einem vierten Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Reflektieren von EUV-Strahlung bereit, welches umfasst:
Bereitstellen einer Spiegelanordnung, welche ein Spiegelsubstrat umfasst, welches auf einer ersten Substratfläche eine Mehrzahl dielektrischer Schichten zur Reflexion von EUV-Strahlung trägt, und welche weiterhin einen Substratträger umfasst, welcher mit dem Spiegelsubstrat durch ein Lot flächig fest verbunden ist;
Temperieren des Substratträgers auf eine Betriebstemperatur, für welche gilt: TS – 20°C < TB < TS – 1°Cwobei TS eine Schmelztemperatur des Lotes ist und TB die Betriebstemperatur ist; und
Reflektieren von EUV-Strahlung an der temperierten Spiegelanordnung.In a fourth aspect, the invention provides a method of reflecting EUV radiation comprising:
Providing a mirror assembly comprising a mirror substrate carrying on a first substrate surface a plurality of dielectric layers for reflecting EUV radiation, and further comprising a substrate carrier which is fixedly connected to the mirror substrate by a solder;
Tempering the substrate carrier to an operating temperature, for which applies: TS - 20 ° C <TB <TS - 1 ° C where TS is a melting temperature of the solder and TB is the operating temperature; and
Reflecting EUV radiation on the tempered mirror assembly.

Bevorzugt erfolgt die Temperierung des Substratträgers auf eine Betriebestemperatur, für welche gilt: TS – 15°C < TB < TS – 1°C, und weiter bevorzugt TS – 12°C < TB < TS – 2°C. The temperature of the substrate carrier preferably takes place at an operating temperature, for which the following applies: TS - 15 ° C <TB <TS - 1 ° C, and more preferred TS - 12 ° C <TB <TS - 2 ° C.

In anderen Worten wird eine Betriebstemperatur der Spiegelanordnung eingestellt, innerhalb eines Bereichs zu liegen, welcher nach oben in etwa durch ein Grad oder einige wenige Grade unterhalb der Schmelztemperatur des Lots und nach unten durch einen Wert von zwischen 20 und 10 Grad Celsius unter der Schmelztemperatur des Lots begrenzt ist.In In other words, an operating temperature of the mirror assembly set to be within an area which is up at about one degree or a few degrees below the melting temperature of the lot and down by a value of between 20 and 10 Celsius degrees is limited below the melting temperature of the solder.

Dadurch ergeben sich besonders gute Eigenschaften der Spiegelanordnung, da besonders unter diesen Bedingungen Spannungen im Material der an die Lotschicht angrenzenden Schichten vermieden werden können, die gewöhnlich aus der unterschiedlichen Volumenänderung der Materialien beim Ab kühlen vom Schmelzpunkt des Lots auf die Betriebstemperatur auftreten.This results in particularly good properties of the mirror arrangement, since especially under these conditions stresses in the material the layers adjacent to the solder layer can be avoided, which usually occur from the different volume change of the materials in cooling from the melting point of the solder to the operating temperature.

Unter einem fünften Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Reflektieren von EUV-Strahlung bereit, welches umfasst:
Bereitstellen einer EUV-Spiegelanordnung, umfassend:
ein Spiegelsubstrat, welches auf einer ersten Substratfläche eine Mehrzahl dielektrischer Schichten zur Reflexion von EUV-Strahlung trägt und auf einer zweiten Substratfläche eine Schicht eines elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials trägt und;
einen Substratträger, welcher mit der Schicht aus dem Wärmeübertragungsmaterial durch eine Haftschicht flächig fest verbunden ist; und
Reflektieren von EUV-Strahlung an der temperierten Spiegelanordnung.In a fifth aspect, the invention provides a method for reflecting EUV radiation comprising:
Providing an EUV mirror assembly, comprising:
a mirror substrate carrying a plurality of dielectric layers for reflecting EUV radiation on a first substrate surface and supporting a layer of an electrically insulating heat transfer material on a second substrate surface, and;
a substrate carrier which is firmly bonded to the layer of the heat transfer material through an adhesive layer; and
Reflecting EUV radiation on the tempered mirror assembly.

Unter einem sechsten Aspekt wird ein Verfahren zum Reflektieren von EUV-Strahlung bereitgestellt, welches umfasst:
Bereitstellen einer EUV-Spiegelanordnung, umfassend:
ein Spiegelsubstrat, welches auf einer ersten Substratfläche ein Molybdän-Silizium-Schichtsystem zur Reflexion von EUV-Strahlung trägt, und
einen Substratträger, welcher mit dem Spiegelsubstrat durch ein Lot flächig fest verbunden ist, dessen Schmelztemperatur kleiner als 80 °C, insbesondere kleiner als 70 °C, ist; und
Reflektieren von EUV-Strahlung an der temperierten Spiegelanordnung.In a sixth aspect, there is provided a method of reflecting EUV radiation comprising:
Providing an EUV mirror assembly, comprising:
a mirror substrate carrying on a first substrate surface a molybdenum-silicon layer system for reflection of EUV radiation, and
a substrate carrier, which is fixedly connected to the mirror substrate by a solder whose melting temperature is less than 80 ° C, in particular less than 70 ° C; and
Reflecting EUV radiation on the tempered mirror assembly.

Unter einem siebten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Reflektieren von EUV-Strahlung bereitgestellt, welches umfasst: Bereitstellen einer EUV-Spiegelanordnung, mit einer Mehrzahl dielektrischer Schichten zur Reflexion von EUV-Strahlung, einem Spiegelsubstrat und einer Schicht eines elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials, wobei eine erste Oberfläche der Schicht des elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials mit einer äußersten dielektrischen Schicht der Mehrzahl dielektrischer Schichten flächig fest verbunden ist und eine zweite Oberfläche der Schicht des elektrisch isolierenden Wärmeübertragungsmaterials mit dem Spiegelsubstrat flächig fest verbunden ist und das Verfahren ferner Reflektieren von EUV-Strahlung an der Spiegelanordnung umfasst.Under A seventh aspect of the invention is a method for reflecting provided by EUV radiation, comprising: providing an EUV mirror assembly having a plurality of dielectric layers for reflection of EUV radiation, a mirror substrate and a Layer of an electrically insulating heat transfer material, wherein a first surface the layer of the electrically insulating heat transfer material having an outermost one dielectric layer of the plurality of dielectric layers surface firmly is connected and a second surface of the layer of electrical insulating heat transfer material with the mirror substrate surface is firmly connected and the method further comprising reflecting EUV radiation at the Mirror arrangement comprises.

Die EUV-Spiegelanordnungen, welche in den erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden, können in der gleichen Weise und mit den gleichen Vorteilen ausgestaltet werden wie obig für die erfindungsgemäßen Spiegelanordnungen beschrieben. Ebenso gelten die im Zusammenhang mit den Spiegelanordnungen diskutierten Wirkungsweisen etc. entsprechend.The EUV mirror arrangements, which in the inventive method can be used designed in the same way and with the same advantages become like above for the mirror assemblies according to the invention described. The same applies in connection with the mirror arrangements discussed modes of action, etc. accordingly.

1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen EUV-Spiegelanordnung und eines erfindungsgemäßen Verfahrens. 1 shows a first embodiment of an EUV mirror assembly according to the invention and a method according to the invention.

2 stellt ein zweites Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße EUV-Spiegelanordnung dar. 2 represents a second embodiment of an EUV mirror assembly according to the invention.

Die EUV-Spiegelanordnung 1 des ersten Ausführungsbeispiels umfasst eine Multilayerschicht 10, welche aus einem Verbund alternierender Molybdän- und Siliziumschichten als dielektrischen Schichten besteht, welche die EUV-reflektierenden Eigenschaften der Spiegelanordnung 1 bereitstellen und auf einem Spiegelsubstrat 11 flächig aufgebracht sind.The EUV mirror arrangement 1 of the first embodiment comprises a multilayer film 10 , which consists of a composite of alternating molybdenum and silicon layers as dielectric layers, which the EUV-reflective properties of the mirror assembly 1 deploy and on a mirror substrate 11 are applied flat.

Das Spiegelsubstrat 11 besteht im vorliegenden ersten Ausführungsbeispiel aus Silizium. Die Herstellung des Verbundes der Multilayerschicht 10 und des Spiegelsubstrats 11 erfolgt durch Bearbeiten des Spiegelsubstratmaterials Silizium derart, dass die Seite des Spiegelsubstrats, auf welche die dielektrischen Schichten aufzubringen sind, eine konkave Form aufweist. Dies erfolgt durch herkömmliche Verfahren. Anschließend werden die dielektrischen Schichten eine nach der anderen aufgebracht.The mirror substrate 11 consists in the present first embodiment of silicon. The production of the multilayer composite 10 and the mirror substrate 11 is performed by processing the mirror substrate material silicon such that the side of the mirror substrate to which the dielectric layers are to be applied has a concave shape. This is done by conventional methods. Subsequently, the dielectric layers are applied one after the other.

Auf der zweiten, von der Reflexionsschicht abgewandten Seite des Spiegelsubstrats 11 ist eine Diamantschicht 12 angeordnet, welche etwa durch einen CVD-Prozess auf das Spiegelsubstrat 11 aufgebracht sein kann. Die Diamantschicht 12 ist im vorliegenden ersten Ausführungsbeispiel in etwa 20 μm dick. Sie stellt sowohl sehr gute elektrisch isolierende Eigenschaften wie auch sehr gute Wärmeleitfähigkeit bereit.On the second, facing away from the reflective layer side of the mirror substrate 11 is a diamond layer 12 arranged, for example, by a CVD process on the mirror substrate 11 can be applied. The diamond layer 12 is in the present first embodiment in about 20 microns thick. It provides both very good electrical insulating properties as well as very good thermal conductivity.

Auf der dem Spiegelsubstrat 11 abgewandten Seite der Diamantschicht 12 schließt sich eine Haftschicht 13 an, welche mit der Diamantschicht 12 fest und formschlüssig verbunden ist, um eine gute Wärmeabfuhr in Richtung eines sich an die Haftschicht 13 anschließenden Substratträgers 14 bereitzustellen. Zur Herstellung der Haftschicht 13 und Ankoppelung der Haftschicht 13 an die Diamantschicht 12 wird hier Niedertemperaturlot L-LOT 46 (Stannol^®-Weichlote) verwendet, welches einen Schmelzpunkt von 46°C aufweist.On the mirror substrate 11 opposite side of the diamond layer 12 closes an adhesive layer 13 which, with the diamond layer 12 firmly and positively connected to a good heat dissipation in the direction of a to the adhesive layer 13 subsequent substrate carrier 14 provide. For the preparation of the adhesive layer 13 and coupling the adhesive layer 13 to the diamond layer 12 Here is low-temperature solder L-LOT 46 (Stannol ^® soft solder), which has a melting point of 46 ° C.

Die Haftschicht 13 ist weiterhin fest und formschlüssig mit dem Substratträger 14 verbunden, welcher hier aus einem Kupferblock besteht. An den Kupferblock ist eine Temperiervorrichtung 32 angeschlossen, welche einen Wasserzu führungskanal 30 und einen Wasserabführungskanal 31 umfasst, wobei die beiden Wasserkanäle 30, 31 innerhalb des Kupferblocks miteinander verbunden sind (gestrichelt dargestellt) und dazu dienen, diesen und die gesamte Spiegelanordnung zu temperieren. Die Temperierung der bereitgestellten Spiegelanordnung 1 wird gemäß einem der erfindungsgemäßen Verfahren so eingestellt, dass die Betriebstemperatur der EUV-Spiegelanordnung zwischen 36°C und 46°C beträgt.The adhesive layer 13 is still firm and positive fit with the substrate carrier 14 connected, which consists here of a copper block. At the copper block is a tempering device 32 connected, which a water supply channel 30 and a water drainage channel 31 includes, with the two water channels 30 . 31 within the copper block are interconnected (shown in phantom) and serve to temper this and the entire mirror assembly. The temperature of the provided mirror assembly 1 is adjusted according to one of the inventive method so that the operating temperature of the EUV mirror assembly is between 36 ° C and 46 ° C.

Weiterhin umfasst das dargestellte erste Ausführungsbeispiel eine Spannungsversorgung mit elektrischen Anschlüssen 20 und 21. Anschluß 20 liegt auf positivem Potential und ist mit der reflektierenden Schicht dielektrischer Schichten gekoppelt. Anschluss 21 liegt auf Masse und ist mit der Haftschicht gekoppelt. Im vorliegenden Beispiel wird an Anschluss 20 eine Spannung von 150 V angelegt.Furthermore, the illustrated first embodiment includes a power supply with electrical connections 20 and 21 , Connection 20 is at positive potential and is coupled to the reflective layer of dielectric layers. connection 21 is grounded and coupled with the adhesive layer. In the present example is connected to port 20 a voltage of 150 V applied.

Das zweite Ausführungsbeispiel zeigt eine EUV-Spiegelanordnung 100 gemäß dem dritten Aspekt der Erfindung. Eine solche Anordnung kann beispielsweise hergestellt werden, indem auf das vorpolierte Spiegelsubstrat 111 mittels CVD eine nanokristalline Diamantschicht 112 aufgebracht wird. Diese Diamantschicht dient aufgrund ihrer guten Wärmeleitfähigkeit der effizienten Abführung von Wärme und weist zum Beispiel eine Dicke im Bereich zwischen 1 und 500 μm auf. Auf die Diamantschicht wird anschließend eine Multilayerschicht 110 aufgebracht. Die Multilayerschicht 110 entspricht im Wesentlichen der Multilayerschicht 10 im ersten Ausführungsbeispiel.The second embodiment shows an EUV mirror arrangement 100 according to the third aspect of the invention. Such an arrangement can be made, for example, by applying to the pre-polished mirror substrate 111 using CVD a nanocrystalline diamond layer 112 is applied. Due to its good thermal conductivity, this diamond layer serves for the efficient dissipation of heat and has, for example, a thickness in the range between 1 and 500 μm. On the diamond layer is then a multilayer film 110 applied. The multilayer layer 110 essentially corresponds to the multilayer layer 10 in the first embodiment.

Ferner umfasst die EUV-Spiegelanordnung 100 des zweiten Ausführungsbeispiels einen Substratträger 114, welcher in Analogie zum dem im ersten Ausführungsbeispiel aus einem Kupferblock besteht. Substratträger 114 und Spiegelsubstrat 111 sind flächig miteinander verbunden, wobei zur besseren Wärmeübertragung beispielsweise eine Wärmeleitpaste oder andere geeignete Schichten zwischengeschaltet sein können. Zur Beschreibung der Temperierungsvorrichtung 132 mit Wasserzuführungs- und Abführungskanal 130, 131 sei auf das erste Ausführungsbeispiel verwiesen (30, 31, 32).Furthermore, the EUV mirror arrangement comprises 100 of the second embodiment, a substrate carrier 114 , which consists in analogy to that in the first embodiment of a copper block. substrate carrier 114 and mirror substrate 111 are connected to each other surface, wherein for better heat transfer, for example, a thermal paste or other suitable layers can be interposed. For a description of the tempering device 132 with water supply and discharge channel 130 . 131 refer to the first embodiment ( 30 . 31 . 32 ).

Die zwischen Multilayerschicht 110 und Spiegelsubstrat 111 angeordnete und mit beiden flächig fest verbundenen Diamantschicht 112 stellt eine verbesserte Wärmeabfuhr bereit und ermöglicht es dadurch, thermisch induzierte Spannungen zu vermeiden und so die optische Leistungsfähigkeit zu verbessern.The between multilayer layer 110 and mirror substrate 111 arranged and firmly bonded with two surface diamond layer 112 provides improved heat dissipation, thereby avoiding thermally induced stresses and thus improving optical performance.

Es wäre auch möglich, die im zweiten Ausführungsbeispiel dargestellte EUV-Spiegelanordnung entsprechend geeignet anzupassen und wie im ersten Ausführungsbeispiel eine Spannungsversorgung vorzusehen und eine Spannung anzulegen, mit den obig bereits beschriebenen Wirkungen und Vorteilen.It would be too possible, in the second embodiment Adjusted EUV mirror assembly appropriately adapted accordingly and as in the first embodiment provide a power supply and apply a voltage, with the effects and advantages already described above.

Außerdem sind zur Illustrierung insbesondere der erfindungsgemäßen Verfahren schematisch einige einfallende EUV-Strahlen 41 bzw. 141 dargestellt sowie die entsprechenden an den dielektrischen Schichten 10 bzw. 110 reflektierten Strahlen 42 bzw. 142.In addition, to illustrate in particular the method of the invention schematically some incident EUV rays 41 respectively. 141 and the corresponding ones on the dielectric layers 10 respectively. 110 reflected rays 42 respectively. 142 ,

Die Spiegelanordnung der vorliegenden Ausführungsbeispiele ist dabei beispielsweise zur Verwendung in einem Beleuchtungssystem einer EUV-Anordnung vorgesehen.The Mirror arrangement of the present embodiments is, for example intended for use in an illumination system of an EUV arrangement.

Claims

EUV mirror assembly comprising: a mirror substrate, which on a first substrate surface a plurality of dielectric Layers for reflection of EUV radiation carries and on a second substrate surface a Wearing layer of an electrically insulating heat transfer material and one Substrate carrier, which with the layer of the heat transfer material by a Adhesive layer surface is firmly connected.

EUV mirror assembly according to claim 1, wherein the adhesive layer comprises a layer of a solder.

EUV mirror assembly according to claim 2, wherein the Lot a melting temperature of less than 100 ° C, in particular less than 80 ° C has.

EUV mirror assembly according to claim 1, wherein the adhesive layer comprises a layer of a plastic-based adhesive.

EUV mirror assembly according to claim 4, wherein the adhesive comprises a two-component adhesive.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 5, wherein the plurality of dielectric layers molybdenum layers and silicon layers.

EUV mirror arrangement, in particular according to claim 1, comprising: a mirror substrate which is on a first substrate surface a molybdenum-silicon layer system contributes to the reflection of EUV radiation, and a substrate carrier, which is firmly connected to the mirror substrate by a solder surface whose melting temperature less than 80 ° C, in particular less than 70 ° C, is.

EUV mirror arrangement according to one of the claims 1 to 7, wherein the heat transfer material comprises diamond or / and boron nitride.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 8, wherein the layer of the heat transfer material through a CVD process on the second substrate surface is applied.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 9, wherein a thermal conductivity the layer of the heat transfer material greater than 10 W / (m · K) is.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 10, wherein an electrical breakdown strength of the heat transfer material is greater than 10 V / μm is.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 11, with one area the layer of the heat transfer material is larger as a half a surface the dielectric layers.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 12, wherein a thickness of the layer of the heat transfer material is smaller is greater than 1 mm, in particular less than 0.5 mm.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 13, wherein a thickness of the adhesive layer is smaller than 0.5 mm, in particular is less than 0.25 mm.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 14, wherein the substrate carrier made of a metal, in particular of copper.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 15, further comprising a tempering device for adjustable Feeding or / and lead away of heat to or from the substrate carrier.

EUV mirror assembly according to claim 16, wherein the Temperature control device at least one fluid flow channel comprises which with the substrate carrier thermally coupled.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 17, wherein the mirror substrate is a silicon substrate and / or a Glass substrate includes.

EUV mirror arrangement according to one of claims 1 to 18, further comprising a power supply for setting a electric potential of the plurality of dielectric layers relative to the substrate carrier.

A method of reflecting EUV radiation, comprising: providing a mirror assembly comprising a mirror substrate carrying on a first substrate surface a plurality of dielectric layers for reflection of EUV radiation, and a substrate carrier, which flatly bonds with the mirror substrate by a solder connected is; Tempering the substrate carrier to an operating temperature, for which applies: TS - 20 ° C <TB <TS - 1 ° C, where TS is a melting temperature of the solder and TB is the operating temperature; and reflecting EUV radiation at the tempered mirror array.

A method of reflecting EUV radiation, comprising: Provide an EUV mirror assembly comprising: a mirror substrate, which on a first substrate surface a plurality of dielectric Layers for reflection of EUV radiation carries and on a second substrate surface a Wearing layer of an electrically insulating heat transfer material and; one Substrate carrier, which with the layer of the heat transfer material by a Adhesive layer surface is firmly connected; and Reflecting of EUV radiation at the tempered mirror arrangement.

A method of reflecting EUV radiation, comprising: Provide an EUV mirror assembly comprising: a mirror substrate, which on a first substrate surface, a molybdenum-silicon layer system contributes to the reflection of EUV radiation, and a substrate carrier, which is firmly connected to the mirror substrate by a solder surface whose melting temperature less than 80 ° C, in particular less than 70 ° C, is; and Reflecting EUV radiation on the tempered mirror assembly.

EUV mirror assembly comprising: a majority dielectric layers for reflection of EUV radiation, one Mirror substrate, a layer of an electrically insulating Heat transfer material, in which a first surface the layer of the electrically insulating heat transfer material having an outermost one dielectric layer of the plurality of dielectric layers surface firmly is connected and a second surface of the layer of the electrically insulating heat transfer material with the mirror substrate surface is firmly connected.

An EUV mirror assembly according to claim 23, further comprising one with the mirror substrate surface connected substrate carrier.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 or 24, wherein a thermal conductivity the layer of the heat transfer material greater than 10 W / (m · K) is.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 25, wherein an electrical breakdown strength of the heat transfer material is greater than 10 V / μm is.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 26, wherein the heat transfer material Diamond or / and boron nitride.

An EUV mirror assembly according to claim 27, wherein said Heat transfer material Is diamond, which has an average crystallite size of 100 nm to 5 microns.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 28, wherein the layer of the heat transfer material through a CVD process the substrate is applied.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 29, with one area the layer of the heat transfer material is larger as a half a surface the dielectric layers.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 30, wherein a thickness of the layer of the heat transfer material is smaller is greater than 1 mm, in particular less than 0.5 mm.

EUV mirror arrangement according to one of claims 24 or 25 to 31 in conjunction with claim 24, wherein the substrate carrier a metal, in particular made of copper.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 32, further comprising a tempering device for adjustable Feeding or / and lead away of heat to or from the substrate and / or the substrate carrier.

An EUV mirror assembly according to claim 33, wherein said Temperature control device at least one fluid flow channel comprises which is thermally coupled to the substrate and / or substrate carrier.

EUV mirror arrangement according to one of claims 23 to 34, wherein the mirror substrate, a silicon substrate and / or a Glass substrate includes.

EUV mirror arrangement according to one of claims 24 or 25-35 in conjunction with claim 24, further comprising a power supply for adjusting an electric potential of the plurality of dielectric Layers relative to the substrate carrier.

A method of reflecting EUV radiation, comprising: Provide an EUV mirror assembly comprising: a plurality of dielectric Layers for reflection of EUV radiation, a mirror substrate, a Layer of an electrically insulating heat transfer material, in which a first surface the layer of the electrically insulating heat transfer material having an outermost one dielectric layer of the plurality of dielectric layers surface firmly is connected and a second surface of the layer of the electrically insulating heat transfer material with the mirror substrate surface is firmly connected; and Reflecting of EUV radiation at the tempered mirror arrangement.