DE10157946A1 - Device and method for growing layers on a substrate - Google Patents

Device and method for growing layers on a substrate

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Abstract

The device for growing layers on a wafer comprises a reactor housing (10), a susceptor (12), which is placed inside the reactor housing and provided for accommodating one or more substrates (14), and comprises a fluid admission device (18) for admitting reaction fluids into the reactor housing as well as a fluid outlet device (20a, 20b) for removing the reaction fluids from the reactor housing once these have been guided over the surface to be coated of the substrate(s). According to the invention, the fluid admission device (18) has fluid outlet openings, which are located along the periphery of the susceptor (12), and the fluid outlet device (20a, 20b) has at least one fluid admission opening, which is located in the middle of the susceptor (12) so that the reaction fluids passed through the fluid outlet openings of the fluid admission device flow radially inward from the periphery of the susceptor (12) over the surface to be coated of the substrate(s) (14) and are removed by suction by the fluid admission opening of the fluid outlet device.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufwachsen von mindestens einer Schicht auf ein oder mehrere Substrate, gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 bzw. gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 11. The present invention relates to a device and a Method of growing at least one layer on top of one or more substrates, according to the preamble of Claim 1 or according to the preamble of claim 11.

Derartige Vorrichtungen werden insbesondere für CVD(Chemical Vapour Deposition)-Verfahren eingesetzt, bei denen ein Substrat bzw. Wafer in einem Reaktorgehäuse angeordnet ist und mit dem oder den Reaktionsfluiden aus der Gasphase beschichtet wird. Unter dem Begriff "Reaktionsfluide" werden im Rahmen dieser Erfindung Gase, Flüssigkeiten, Lösungen oder Gemische von für CVD-Verfahren geeigneten chemischen Stoffen verstanden. Such devices are used in particular for CVD (Chemical Vapor Deposition) process used in which a Substrate or wafer is arranged in a reactor housing and with the reaction fluid or gases from the gas phase is coated. Under the term "reaction fluids" in Within the scope of this invention gases, liquids, solutions or Mixtures of chemical substances suitable for CVD processes Roger that.

Die Reaktionsfluide werden üblicherweise in das Reaktorgehäuse eingebracht, indem die aufzubringenden chemischen Stoffe in einen sogenannten Gasspüler eingefüllt werden und dann ein Trägergas durch den Gasspüler geleitet wird. Das Trägergas nimmt die Moleküle der chemischen Stoffe auf, um das Reaktionsfluid zu bilden, welches dann unter Verwendung eines Mengendurchsatzmessers in das Reaktorgehäuse geführt wird. The reaction fluids are usually in the Reactor housing introduced by the chemical to be applied Substances are poured into a so-called gas purifier and then a carrier gas is passed through the gas purging device. The Carrier gas picks up the molecules of the chemical substances to form the reaction fluid, which is then used a flow meter in the reactor housing becomes.

Die Bedingungen, unter denen die Reaktionsfluide in das Reaktorgehäuse eingeleitet werden, haben entscheidende Auswirkungen auf die auf das Substrat epitaktisch aufgewachsenen Schichten. Zu diesen Bedingungen, welche zum Optimieren des Schichtwachstums variiert werden können, zählen beispielsweise die Materialviskosität, die Dichte, der Dampfdruck, der Strömungsweg der Reaktionsfluide, die chemische Reaktionsfähigkeit, die Temperatur der Substrate und der Reaktionsfluide und dergleichen. The conditions under which the reaction fluids in the Reactor casings are crucial Effects on those grown epitaxially on the substrate Layers. At these conditions, which are used to optimize the Layer growth can be varied, count for example the material viscosity, the density, the vapor pressure, the Flow path of the reaction fluids, the chemical Responsiveness, the temperature of the substrates and the Reaction fluids and the like.

Beim epitaktischen Abscheiden der Schichten auf Substrate werden die Substrate üblicherweise auf einem Suszeptor bzw. auf einer Substrat-Halterung eines Suszeptors angeordnet, welche(r) drehbar in dem Reaktorgehäuse montiert ist, um durch schnelle Rotation des Suszeptors und damit der Substrate ein gleichmäßiges Schichtwachstum zu erzielen. Die Dicke, die Zusammensetzung und die Qualität der abgeschiedenen Schichten bestimmen die Eigenschaften der letztlich hergestellten Halbleiterbauelemente. Demzufolge muss das CVD- Verfahren in der Lage sein, Schichten mit gleichmäßiger Zusammensetzung und Schichtdicke auf den Oberflächen der Substrate zu erzeugen. Mit der Verwendung immer größerer Substrate und dem Einsatz von Vorrichtungen, mit denen mehrere Substrate gleichzeitig bearbeitet werden können, wurden die Anforderungen an diese Gleichmäßigkeit immer größer. During the epitaxial deposition of the layers on substrates the substrates are usually placed on a susceptor or arranged on a substrate holder of a susceptor, which is rotatably mounted in the reactor housing to by rapid rotation of the susceptor and thus the Substrates to achieve a uniform layer growth. The Thickness, composition and quality of deposited layers ultimately determine the properties of the manufactured semiconductor devices. As a result, the CVD Processes can be used with even layers Composition and layer thickness on the surfaces of the To produce substrates. With the use of bigger and bigger ones Substrates and the use of devices with which several Substrates can be processed at the same time Requirements for this uniformity are becoming ever greater.

Aus diesem Grund sind aus dem Stand der Technik verschiedene Konstruktionen für Reaktorgehäuse bekannt, die sich insbesondere in den Strömungswegen der Reaktionsfluide, den Einlassvorrichtungen für die Reaktionsfluide, der Anordnung des Suszeptors für die Substrate und der Anordnung und dem Aufbau von Einrichtungen zur Einstellung der Temperatur von Substraten und/oder Reaktionsfluiden unterscheiden. For this reason, there are various ones from the prior art Constructions for reactor housings known especially in the flow paths of the reaction fluids Inlet devices for the reaction fluids, the arrangement of the Susceptors for the substrates and the arrangement and structure of devices for adjusting the temperature of Distinguish substrates and / or reaction fluids.

So ist zum Beispiel in der DE 37 21 636 A1 ein Reaktor für MOCVD-Anlagen beschrieben, der ein Reaktionsgefäß in der Form eines Quarzglases aufweist. Der Gaseinlass erfolgt stirnseitig in das Reaktionsgefäß, in dem die Reaktionsgase im wesentlich parallel zur Längsachse des Quarzglases geleitet und schließlich umgelenkt werden, um durch die Mantelfläche des Reaktionsgefäßes auszutreten. Die Substrate sind dabei derart in dem Reaktionsgefäß angeordnet, dass ihre zu beschichtende Oberfläche etwa parallel zu der Strömungsrichtung der Reaktionsgase in dem Reaktionsgefäß liegt. For example, DE 37 21 636 A1 describes a reactor for MOCVD systems described a reaction vessel in the form of a quartz glass. The gas admission takes place face in the reaction vessel in which the reaction gases in guided substantially parallel to the longitudinal axis of the quartz glass and finally be redirected to through the lateral surface of the To emerge from the reaction vessel. The substrates are such arranged in the reaction vessel that its to be coated Surface approximately parallel to the flow direction of the Reaction gases in the reaction vessel.

Ein grundsätzlich ähnlicher Aufbau ist aus der DE 199 40 033 A1 bekannt. Hier weist der Strömungskanal an einem Ende einen aktiv gekühlten Einlass und an seinem anderen Ende einen mehrstufigen Auslass auf. In dem Strömungskanal befindet sich ein Substrathalter, auf dem mehrere Substrate rotierend gehalten werden können, wobei die zu beschichtenden Oberflächen der Substrate etwa parallel zu der Strömungsrichtung der Reaktionsgase liegen. Der Strömungskanal wird beispielsweise mittels mehrerer umlaufender Spulen allseitig beheizt, um eine möglichst homogene Temperaturverteilung in dem Strömungskanal und somit ein möglichst homogenes Schichtwachstum auf den Substraten zu erzielen. A basically similar structure is known from DE 199 40 033 A1 known. Here the flow channel has one at one end actively cooled inlet and one at its other end multi-stage outlet. Is in the flow channel a substrate holder on which several substrates are rotating can be kept, the surfaces to be coated of the substrates approximately parallel to the flow direction of the Reaction gases are. The flow channel is, for example heated on all sides by means of several rotating coils the most homogeneous possible temperature distribution in the Flow channel and thus the most homogeneous layer growth possible to achieve on the substrates.

Einen weiteren CVD-Reaktor offenbart die DE 43 30 266 A1. Bei diesem Reaktor werden die Substrate auf einem Suszeptor mit einer Erwärmungsstufe derart gehalten, dass ihre zu beschichtenden Oberflächen nach unten zeigen. In kurzem Abstand gegenüber dem Suszeptor ist ein Gasversorgungskopf vorgesehen, durch den Reaktionsgase in Richtung auf den Suszeptor geleitet werden können. Der Abgasauslass ist entlang des gesamten Umfangs des Suszeptors vorgesehen, so dass die Reaktionsgase etwa senkrecht von unten auf die Oberflächen der Substrate treffen und dann radial nach außen abgesaugt werden. DE 43 30 266 A1 discloses another CVD reactor. at The substrates are placed on a susceptor in this reactor a warming level held such that its too facing surfaces down. At a short distance a gas supply head is provided opposite the susceptor, through the reaction gases towards the susceptor can be directed. The exhaust outlet is along the entire Circumference of the susceptor is provided so that the reaction gases approximately perpendicularly from below onto the surfaces of the substrates meet and then sucked off radially outwards.

Des weiteren zeigt die DE 198 13 523 A1 einen CVD-Reaktor, bei dem als zentraler Fluideinlass sogenannte Showerheads im Reaktordeckel verwendet werden, die direkt oberhalb der Substrate angeordnet sind und aus einer Vielzahl kleiner Löcher die Reaktionsgase in Form einer Dusche vertikal nach unten auf die Substrate sprühen. Der Abgasauslass ist am Umfang des üblicherweise zylindrischen Reaktorgehäuses vorgesehen. Außerdem ist eine Heizeinrichtung für den Suszeptor vorgesehen, um diesen auf Temperaturen bis zu 1200°C zu erwärmen, und der Fluideinlass wird derart temperiert, dass zwischen dem Suszeptor und dem Fluideinlass ein bestimmter Temperaturgradient einstellbar ist. Furthermore, DE 198 13 523 A1 shows a CVD reactor, with the so-called showerheads in the central fluid inlet Reactor covers are used that are directly above the Substrates are arranged and made up of a multitude of small holes the reaction gases in the form of a shower vertically downwards spray on the substrates. The exhaust outlet is at the perimeter of the usually provided cylindrical reactor housing. A heating device for the susceptor is also provided, to heat it up to 1200 ° C, and the Fluid inlet is tempered such that between the Susceptor and the fluid inlet a certain temperature gradient is adjustable.

Schließlich beschreibt die WO 01/07691 einen CVD-Reaktor, der ebenfalls einen Fluideinlass in Form von Showerheads und einen Abgasauslass am Umfang des Suszeptors verwendet. Zusätzlich ist der Substrateträger porös und die den Substrateträger drehbar tragende Spindel ist hohl ausgebildet, so dass die Substrate durch Unterdruck auf dem Substrateträger festgehalten werden. Finally, WO 01/07691 describes a CVD reactor that also a fluid inlet in the form of showerheads and uses an exhaust outlet on the circumference of the susceptor. In addition, the substrate carrier is porous and the Substrate carrier rotatably supporting spindle is hollow, so that the substrates by negative pressure on the substrate carrier be held.

Ausgehend von dem oben beschriebenen Stand der Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufwachsen von einer oder mehreren Schichten auf einem oder mehreren Substraten vorzusehen, die bzw. das auf einfache Weise eine gleichmäßige Zuführung von Reaktionsfluiden zu den Substraten und damit ein gleichmäßigeres Schichtwachstum ermöglicht. Die Vorrichtung bzw. das Verfahren soll weiterhin insbesondere ein gleichmäßiges Schichtwachstum auch bei niedrigeren Reaktortemperaturen und/oder niedrigerem Verbrauch an Reaktionsfluiden erzielen. Based on the prior art described above, it is an object of the present invention, an apparatus and a method of growing one or more To provide layers on one or more substrates, the or that easily and evenly feed Reaction fluids to the substrates and thus a more uniform Layer growth enables. The device or the In particular, the process should continue to be uniform Layer growth even at lower reactor temperatures and / or achieve lower consumption of reaction fluids.

Diese Aufgaben werden durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen von Patentanspruch 10 gelöst. These tasks are performed by a device with the Features of claim 1 or by a method with the Features of claim 10 solved.

Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 10 bzw. 12 bis 15. Advantageous embodiments and developments of Invention are the subject of dependent claims 2 to 10 and 12 to 15th

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Vorrichtung zum Wachsen von Schichten auf ein Substrat vorgesehen, die ein Reaktorgehäuse, einen in dem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor zur Aufnahme eines oder mehrerer Substrate, eine Fluideinlassvorrichtung zum Einlassen von Reaktionsfluiden in das Reaktorgehäuse und eine Fluidauslassvorrichtung zum Entfernen der Reaktionsfluide aus dem Reaktorgehäuse, nachdem diese über die zu beschichtende Oberfläche des oder der Substrate geleitet worden sind, aufweist. Weiter weist die Fluideinlassvorrichtung Fluidaustrittsöffnungen auf, die entlang des Umfangs des Suszeptors angeordnet sind, und die Fluidauslassvorrichtung weist wenigstens eine Fluideintrittsöffnung auf, die mittig zum Suszeptors angeordnet ist, so dass die durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung eingeleiteten Reaktionsfluide radial von außen nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des oder der Substrate strömen und durch die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung abgesaugt werden. According to the present invention, an apparatus for Growing layers on a substrate provided the Reactor housing, one disposed in the reactor housing Susceptor for receiving one or more substrates, one Fluid inlet device for admitting reaction fluids into the Reactor housing and a fluid outlet device for removal the reaction fluids from the reactor housing after this over the surface of the substrate or substrates to be coated have been conducted. Further points the Fluid inlet device on fluid outlet openings that along the Circumference of the susceptor are arranged, and the Fluid outlet device has at least one fluid inlet opening, which is arranged in the middle of the susceptor, so that the through the fluid outlet openings of the fluid inlet device introduced reaction fluids radially from outside to inside the surface to be coated of the substrate or substrates flow and through the fluid inlet opening of the Fluid outlet device are sucked off.

Im Gegensatz zu den bekannten Vorrichtungen strömen die Reaktionsfluide bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung radial von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse und entlang der zu beschichtenden Oberflächen der Substrate. Die Strömungsrichtung verläuft damit von der Seitenwandung des Reaktorgehäuses zu dessen Mitte hin. In contrast to the known devices, the flow Reaction fluids in the device according to the invention radially from outside inside through the reactor housing and along the coating surfaces of the substrates. The The direction of flow thus runs from the side wall of the reactor housing towards the middle.

Diese Maßnahme hat verschiedene Vorteile. Da das Absaugen der Reaktionsfluide annähernd punktförmig in der Mitte des Reaktorgehäuses bzw. des Suszeptors erfolgt, wird eine sehr gleichmäßige Strömung der Reaktionsfluide erzielt, es werden die gesamten Oberflächen der Substrate überströmt und der Sogeffekt wirkt sich nur in der unmittelbaren Nähe der Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung aus. This measure has several advantages. Since the suction of the Reaction fluids almost point-shaped in the middle of the Reactor housing or the susceptor is a very achieved uniform flow of the reaction fluids, it will overflows the entire surfaces of the substrates and the Pull effect only affects the immediate vicinity of the Fluid inlet opening of the fluid outlet device.

Wenn die Reaktionsfluide von außen nach innen durch das Reaktorgehäuse strömen sind niedrigere Eintrittsgeschwindigkeiten realisierbar, was durch die wesentlich größere und vielfältig variierbare Eintrittsfläche der Reaktionsfluide bedingt ist. Durch die niedrigeren Eintrittsgeschwindigkeiten der Reaktionsfluide erfolgt die Erwärmung der Reaktionsfluide auf erheblich kürzeren Strecken, so dass die Reaktionsfluide im Reaktorgehäuse schneller zerfallen und zur Abscheidung auf die Oberflächen der Substrate beitragen. Hierdurch kann der Verbrauch an Reaktionsfluiden gegenüber herkömmlichen Systemen verringert werden. Andererseits können durch die effektivere Erwärmung der Reaktionsfluide im Reaktorgehäuse aufgrund der niedrigeren Eintrittsgeschwindigkeiten auch reduzierte Reaktortemperaturen realisiert werden. If the reaction fluids from the outside in through the Flowing reactor casings are lower entry speeds feasible, which is due to the much larger and varied variable entry area of the reaction fluids is caused. Due to the lower entry speeds of the Reaction fluids are heated up to the reaction fluids considerably shorter distances, so that the reaction fluids in the Reactor housing disintegrate faster and for deposition on the Surfaces of the substrates contribute. This allows the Reaction fluid consumption compared to conventional systems be reduced. On the other hand, through the more effective Heating of the reaction fluids in the reactor housing due to the lower entry speeds also reduced Reactor temperatures can be realized.

Ein weiterer Vorteil der entlang des Umfangs des Suszeptors beispielsweise in der Seitenwand des Reaktorgehäuses angeordneten Fluideinlassvorrichtung besteht darin, dass einfachere Konstruktionen des Reaktorgehäuses verwirklicht werden können. Beispielsweise müssen keine Zuleitungen für Reaktionsfluide im Reaktordeckel vorgesehen werden. Auch die Abgasleitung kann vorteilhafterweise vom Reaktordeckel getrennt, ausgeführt werden. Dies hat erhebliche Vorteile beim Öffnen des Reaktorgehäuses, da keine oder zumindest deutlich weniger Gasleitungen getrennt werden müssten. Another benefit along the circumference of the susceptor for example in the side wall of the reactor housing arranged fluid inlet device is that simpler designs of the reactor housing can be realized can. For example, no leads for Reaction fluids can be provided in the reactor cover. Also the Exhaust line can advantageously be separated from the reactor cover, be carried out. This has considerable advantages when opening of the reactor housing, since no or at least significantly less Gas lines would have to be separated.

Vorzugsweise ist der Suszeptor mit den aufgenommenen Substraten um seine Mittelachse drehbar, und auch die Substrate sind in dem Suszeptor drehbar aufgenommen, so dass durch eine derartige Planetenanordnung der Substrate und deren entsprechende Rotation in bekannter Weise eine noch gleichmäßigere Beschichtung erzielt werden kann. The susceptor is preferably included with the Substrates rotatable about its central axis, and so are the substrates rotatably received in the susceptor, so that by a such planetary arrangement of the substrates and their corresponding rotation in a known manner an even smoother Coating can be achieved.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Fluideinlassvorrichtung eine ringförmige Kanalanordnung mit nach innen gerichteten Fluidaustrittsöffnungen, die mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen verbunden ist. Hierbei kann die Fluideinlassvorrichtung auch mit mehreren Kammern und entsprechenden Fluidzuleitungen zum Zuleiten verschiedener Reaktionsfluide verbunden sein. In a preferred embodiment of the invention, the Fluid inlet device having an annular channel arrangement inward fluid outlet openings with a or several fluid supply lines is connected. Here can the fluid inlet device also with multiple chambers and corresponding fluid supply lines for supplying various Reaction fluids can be connected.

Zur Einstellung der Temperatur der in das Reaktorgehäuse eingeleiteten Reaktionsfluide kann vorteilhafterweise die Fluideinlassvorrichtung mit einer Temperaturregelvorrichtung gekoppelt sein, und zum Einstellen der Temperatur des Suszeptors und damit des Substrats kann vorzugsweise der Suszeptor mit einer Temperaturregelvorrichtung gekoppelt sein. To adjust the temperature of the reactor housing initiated reaction fluids can advantageously the Fluid inlet device with a temperature control device be coupled, and for adjusting the temperature of the Susceptor and thus the substrate can preferably the susceptor be coupled with a temperature control device.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist der Suszeptor derart ausgebildet, dass sowohl die Oberseite als auch die Unterseite der aufgenommenen Substrate den Reaktionsfluiden dargeboten werden. Durch eine entsprechende Anordnung der Fluideinlassvorrichtung und der Fluidauslassvorrichtung können dann beide Oberflächen der Substrate gleichzeitig beschichtet werden. According to a further preferred embodiment, the Susceptor designed such that both the top and the underside of the recorded substrates Reaction fluids are presented. By an appropriate arrangement of the Fluid inlet device and the fluid outlet device can then use both surfaces of the substrates simultaneously be coated.

Alternativ ist der Suszeptor mit einer Oberseite und einer Unterseite derart ausgebildet, dass auf seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Substraten und auf seiner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehreren Substraten aufnehmbar ist, deren Oberflächen den Reaktionsfluiden dargeboten werden. Mit Hilfe dieser Konstruktion ist es möglich, eine größere Anzahl an Substraten gleichzeitig in dem Reaktorgehäuse zu beschichten. Alternatively, the susceptor is with a top and one Underside formed such that a first group of one or more substrates and on its underside is a second group of one or more Substrates is recordable, the surfaces of which Reaction fluids are presented. With the help of this construction it is possible to have a larger number of substrates at the same time to coat the reactor housing.

Die obigen sowie weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung. The above as well as other features and advantages of present invention will be apparent from the following description of a preferred embodiment with reference to the enclosed drawing.

Die einzige Figur zeigt in stark schematisierter perspektivischer Darstellung ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zum Wachsen von Schichten auf einen oder mehrere Wafer gemäß der vorliegenden Erfindung. The only figure shows in a highly schematic perspective view of a preferred embodiment of a Device for growing layers on one or more Wafers according to the present invention.

Die Figur zeigt einen Reaktor zum Wachsen von Schichten auf einen oder mehrere Wafer mittels CVD-Verfahren. Der Reaktor weist ein im wesentlichen zylindrisches Reaktorgehäuse 10 mit Seitenwänden, einem Boden und einem abnehmbaren Deckel (nicht dargestellt) auf. Im Innern des Reaktorgehäuses 10 ist ein Suszeptor 12 angeordnet, der im wesentlichen in der Form einer Scheibe ausgebildet und um seine Mittelachse drehbar gelagert (16) ist. Auf dem Suszeptor 12 sind ein oder mehrere Bereiche für die Aufnahme von Substraten bzw. Wafer 14 vorgesehen. Die zu beschichtenden Oberflächen der Wafer 14 liegen frei. Wahlweise sind auch die Wafer 14 selbst drehbar in dem Suszeptor 12 aufgenommen. Bei einer derartigen Planetenrotation betragen die Drehgeschwindigkeiten beispielsweise etwa 10 bis 200 U/min. während im Fall einer einfachen Rotation nur des Suszeptors 12 oder nur der Wafer 14 deutlich höhere Drehgeschwindigkeiten gewählt werden. The figure shows a reactor for growing layers on one or more wafers by means of the CVD method. The reactor has a substantially cylindrical reactor housing 10 with side walls, a bottom and a removable cover (not shown). Arranged in the interior of the reactor housing 10 is a susceptor 12 , which is essentially in the form of a disk and is rotatably mounted ( 16 ) about its central axis. One or more areas for receiving substrates or wafers 14 are provided on the susceptor 12 . The surfaces of the wafers 14 to be coated are exposed. Optionally, the wafers 14 themselves are also rotatably received in the susceptor 12 . With such a planetary rotation, the rotational speeds are, for example, approximately 10 to 200 rpm. while in the case of a simple rotation of only the susceptor 12 or only the wafer 14, significantly higher rotational speeds are selected.

Die Fluideinlassvorrichtung 18 ist an der Seitenwand des Reaktorgehäuses 10 vorgesehen und in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Figur in der Form einer ringförmigen Kanalanordnung etwa in der Höhe des Suszeptors 12 ausgebildet. Dieser ringförmige Kanal 18 weist einerseits eine Vielzahl von nach innen gerichteten Fluidaustrittsöffnungen auf (dies wird durch die nach Innen gerichteten Pfeile 22 angedeutet), die dem Suszeptor 12 zugewandt sind, und ist andererseits mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen (nicht dargestellt) verbunden, durch welche wahlweise eines oder mehrere Reaktionsfluide zu der Fluideinlassvorrichtung 18 und in das Innere des Reaktorgehäuses 10 geleitet werden können. Zur Steuerung der Menge der zugeführten Reaktionsfluide ist in an sich bekannter Weise zum Beispiel ein Fluiddurchsatzmesser (nicht dargestellt) vorgesehen. The fluid inlet device 18 is provided on the side wall of the reactor housing 10 and, in the preferred exemplary embodiment of the figure, is designed in the form of an annular channel arrangement approximately at the height of the susceptor 12 . On the one hand, this annular channel 18 has a multiplicity of inward-directed fluid outlet openings (this is indicated by the inward-pointing arrows 22 ), which face the susceptor 12 , and on the other hand is connected to one or more fluid supply lines (not shown) through which optionally one or more reaction fluids can be directed to the fluid inlet device 18 and into the interior of the reactor housing 10 . To control the amount of the supplied reaction fluids, a fluid flow meter (not shown) is provided, for example, in a manner known per se.

Ist die Fluideinlassvorrichtung 18 beispielsweise mit mehreren getrennten Kammern und mit diesen verbundenen Fluidzuleitungen versehen, so können gleichzeitig unterschiedliche Reaktionsfluide zugeführt und in das Reaktorgehäuse 10 eingeleitet werden. Is the fluid inlet device for example provided with a plurality of separate chambers and connected thereto fluid supply lines 18, so at the same time different reaction fluids can be fed and introduced into the reactor housing 10th

Durch die sehr große Anzahl an Fluidaustrittsöffnungen und der dadurch bedingten großen Fluidaustrittsfläche sind für die Reaktionsfluide niedrigere Eintrittsgeschwindigkeiten in das Reaktorgehäuse 10 realisierbar. Dies führt zu den oben erläuterten Vorteilen eines niedrigeren Verbrauchs an Reaktionsfluiden und einer niedrigeren Reaktortemperatur. Due to the very large number of fluid outlet openings and the resulting large fluid outlet surface, lower inlet speeds into the reactor housing 10 can be achieved for the reaction fluids. This leads to the advantages of a lower consumption of reaction fluids and a lower reactor temperature explained above.

Außerdem kann bei der erfindungsgemäßen Gestaltung der Fluideinlassvorrichtung 18 am Umfang des Suszeptors 12 durch einfache Konstruktionsmaßnahmen die Temperatur der in das Innere des Reaktorgehäuses 10 strömenden Reaktionsfluide geregelt werden. Hierzu ist die Fluideinlassvorrichtung 18 mit geeigneten Temperaturregelvorrichtungen (nicht dargestellt) zum Kühlen oder Erwärmen der zugeführten Reaktionsfluide gekoppelt. Aternativ oder zusätzlich können die Reaktionsfluide der Fluideinlassvorrichtung 18 auch bereits geeignet temperiert zugeführt werden, wodurch ein frühzeitiges Zersetzen der Reaktionsfluide bereits innerhalb der Fluideinlassvorrichtung 18 verhindert werden kann. In addition, in the inventive design of the fluid inlet device 18 on the circumference of the susceptor 12, the temperature of the reaction fluids flowing into the interior of the reactor housing 10 can be regulated by simple construction measures. For this purpose, the fluid inlet device 18 is coupled to suitable temperature control devices (not shown) for cooling or heating the supplied reaction fluids. Alternatively or additionally, the reaction fluids can also be supplied to the fluid inlet device 18 at an appropriately tempered temperature, as a result of which premature decomposition of the reaction fluids can already be prevented within the fluid inlet device 18 .

Die Fluidauslassvorrichtung 20a, 20b ist im Ausführungsbeispiel mittig über und unter dem Suszeptor 12 vorgesehen. Sie besteht beispielsweise aus einem von der Mitte des Suszeptors 12 aus nach oben und/oder nach unten geführten Fluidkanal 20a bzw. 20b, die aus dem Reaktorgehäuse 10 herausgeführt sind. Die Fluidkanäle 20a, 20b weisen Fluideintrittsöffnungen (nicht dargestellt) auf, die in einem geringen Abstand oberhalb der Oberseite bzw. unterhalb der Unterseite des Suszeptors 12 angeordnet sind. Durch diese Fluideintrittsöffnungen werden die durch die Fluideinlassvorrichtung 18 in das Reaktorgehäuse 10 eingeleiteten Reaktionsfluide angesaugt und aus dem Reaktorgehäuse 10 entfernt. In the exemplary embodiment, the fluid outlet device 20 a, 20 b is provided centrally above and below the susceptor 12 . It consists, for example, of a fluid channel 20 a or 20 b, which is led upwards and / or downwards from the center of the susceptor 12 and is led out of the reactor housing 10 . The fluid channels 20 a, 20 b have fluid inlet openings (not shown) which are arranged at a short distance above the top or below the bottom of the susceptor 12 . The reaction fluids introduced into the reactor housing 10 through the fluid inlet device 18 are sucked in through these fluid inlet openings and removed from the reactor housing 10 .

Da sowohl die Luftaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung 18 als auch die Lufteintrittsöffnungen der Fluidauslassvorrichtung 20 etwa in der Höhe des Suszeptors 12 bzw. nur in einem geringen Abstand oberhalb der Oberseite bzw. unterhalb der Unterseite des Suszeptors 12 angeordnet sind, strömen die Reaktionsfluide radial nahezu horizontal von außen nach innen über den gesamten Suszeptor 12 und somit über die gesamten zu beschichtenden Oberflächen der Wafer 14 auf dem Suszeptor 12. Die Oberflächen der Wafer 14 sind somit etwa parallel zu dem Strömungsweg der Reaktionsfluide ausgerichtet. Since both the air outlet openings of the fluid inlet device 18 and the air inlet openings of the fluid outlet device 20 are arranged approximately at the height of the susceptor 12 or only a short distance above the top or below the bottom of the susceptor 12 , the reaction fluids flow radially almost horizontally from the outside inwards over the entire susceptor 12 and thus over the entire surfaces of the wafers 14 to be coated on the susceptor 12 . The surfaces of the wafers 14 are thus aligned approximately parallel to the flow path of the reaction fluids.

Durch die zentrale Anordnung der Fluidauslassvorrichtung 20 wird eine annähernd punktförmige Fluidentnahme aus dem Reaktorgehäuse 10 bewirkt. Der Sogeffekt durch eine derartige punktförmige Fluidentnahme wirkt sich nur in unmittelbarer Nähe der Fluidauslassvorrichtung 20 aus, so dass der gleichmäßige Strömungsweg der Reaktionsfluide nicht beeinträchtigt wird. The central arrangement of the fluid outlet device 20 results in an approximately punctiform removal of fluid from the reactor housing 10 . The suction effect from such a punctiform fluid extraction only has an effect in the immediate vicinity of the fluid outlet device 20 , so that the uniform flow path of the reaction fluids is not impaired.

Wahlweise kann die Fluidentnahme durch die Fluidkanäle 20a, 20b auch durch den Suszeptor 12 selbst erfolgen, der in diesem Fall mit entsprechenden Fluiddurchgängen ausgebildet ist. Bei dieser speziellen Ausführungsform wird eine weitere Zwangsführung der Reaktionsfluide erreicht. Optionally, the fluid removal through the fluid channels 20 a, 20 b can also take place through the susceptor 12 itself, which in this case is designed with corresponding fluid passages. In this particular embodiment, the reaction fluids are further forced to flow.

Erfolgt des Absaugen der Reaktionsfluide durch die Fluidkanäle 20a, 20b mit einer ausreichend hohen Fluidgeschwindigkeit, so können sich in den Fluidkanälen kaum Fluidpartikel absetzen. If the suction of the reaction fluids through the fluid channels 20 a, 20 b takes place with a sufficiently high fluid velocity, then hardly any fluid particles can settle in the fluid channels.

In der Figur ist ein Suszeptor 12 angedeutet, der auf seiner Oberseite mehrere Wafer 14 trägt, deren Oberseiten zur Beschichtung den Reaktionsfluiden dargeboten werden. Alternativ kann der Suszeptor 12 auch in der Art einer Schablone so aufgebaut sein, dass auch die Unterseiten der Wafer 14 den Reaktionsfluiden dargeboten werden, so dass beide Hauptflächen der Wafer beschichtet werden können. In the figure, a susceptor 12 is indicated, which carries a plurality of wafers 14 on its upper side, the upper sides of which are presented to the reaction fluids for coating. Alternatively, the susceptor 12 can also be constructed in the manner of a template such that the undersides of the wafers 14 are also presented to the reaction fluids, so that both main surfaces of the wafers can be coated.

Als weitere Alternative ist es auch denkbar, den Suszeptor 12 derart zu gestalten, dass er an seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Wafern 14 und an seiner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehreren Wafern 14 aufnimmt, wobei jeweils eine Hauptfläche der Wafer 14 zur Beschichtung freiliegt. Hierdurch besteht die Möglichkeit, eine größere Anzahl an Wafern 14 gleichzeitig in dem Reaktorgehäuse 10 zu beschichten. As a further alternative, it is also conceivable to design the susceptor 12 in such a way that it accommodates a first group of one or more wafers 14 on its upper side and a second group of one or more wafers 14 on its underside, in each case a main surface of the wafers 14 exposed for coating. This makes it possible to coat a larger number of wafers 14 simultaneously in the reactor housing 10 .

Für die beiden alternativen Ausführungsformen ist es erforderlich, dass die Reaktionsfluide den Suszeptor sowohl an dessen Oberseite als auch an dessen Unterseite umströmen. Dies ist im Gegensatz zu herkömmlichen Systemen mit der erfindungsgemäßen Anordnung der Fluideinlassvorrichtung und der Fluidauslassvorrichtung aber ohne weiteres möglich. Der Fluidauslasskanal 20 kann beispielsweise so modifiziert werden, dass er erste Fluideintrittsöffnungen knapp oberhalb der Suszeptoroberseite und zweite Fluideintrittsöffnungen knapp unterhalb der Suszeptorunterseite aufweist, durch die die Reaktionsfluide abgesaugt werden. Wahlweise können auch zwei separate Fluidauslasskanäle 20a und 20b ausgebildet sein, durch die einerseits (20a) die Reaktionsfluide über die Oberseite des Suszeptors 12 und andererseits (20b) die Reaktionsfluide über die Unterseite des Suszeptors 12 abgesaugt werden. For the two alternative embodiments, it is necessary for the reaction fluids to flow around the susceptor both on its upper side and on its lower side. In contrast to conventional systems, this is readily possible with the arrangement of the fluid inlet device and the fluid outlet device according to the invention. The fluid outlet channel 20 can, for example, be modified such that it has first fluid inlet openings just above the top of the susceptor and second fluid inlet openings just below the underside of the susceptor, through which the reaction fluids are sucked off. Optionally, two separate fluid outlet channels 20 a and 20 b can also be formed, through which ( 20 a) the reaction fluids are sucked off via the top of the susceptor 12 and, on the other hand ( 20 b), the reaction fluids are sucked off via the bottom of the susceptor 12 .

Es ist selbstverständlich, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das oben beschriebene Ausführungsbeispiel der Figur beschränkt, sondern der Schutzumfang allein durch die Ansprüche definiert ist. Insbesondere ist die vorliegende Erfindung nicht auf spezielle Temperaturregelvorrichtungen für die Fluideinlassvorrichtung und für den Suszeptor eingeschränkt. It goes without saying that the present invention not on the embodiment of the figure described above limited, but the scope of protection solely by the Claims is defined. In particular, the present invention not on special temperature control devices for that Fluid inlet device and restricted for the susceptor.

Claims (15)

1. Vorrichtung zum Aufwachsen von Schichten auf ein Substrat, mit einem Reaktorgehäuse (10), einem in dem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (12) zur Aufnahme von mindestens einem Substrat (14), eine Fluideinlassvorrichtung (18) zum Einlassen von mindestens einem Reaktionsfluid in das Reaktorgehäuse und eine Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) zum Ableiten von Reaktionsfluid aus dem Reaktorgehäuse, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) Fluidaustrittsöffnungen aufweist, die entlang des Umfangs des Suszeptors (12) angeordnet sind, und die Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) wenigstens eine Fluideintrittsöffnung aufweist, die in der Nähe des Suszeptors derart angeordnet ist, dass das durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung eingeleitete Reaktionsfluid auf dessen Weg zur Fluideintrittsöffnung über eine zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömt und durch die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung abgesaugt wird. 1. Device for growing layers on a substrate, with a reactor housing ( 10 ), a susceptor ( 12 ) arranged in the reactor housing for receiving at least one substrate ( 14 ), a fluid inlet device ( 18 ) for admitting at least one reaction fluid into the Reactor housing and a fluid outlet device ( 20 a, 20 b) for discharging reaction fluid from the reactor housing, characterized in that the fluid inlet device ( 18 ) has fluid outlet openings which are arranged along the circumference of the susceptor ( 12 ), and the fluid outlet device ( 20 a, 20 b) has at least one fluid inlet opening which is arranged in the vicinity of the susceptor such that the reaction fluid introduced through the fluid outlet openings of the fluid inlet device flows on its way to the fluid inlet opening over a surface of the substrate ( 14 ) to be coated and through the fluid inlet opening of the fluid outlet is suctioned off. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) mittig zum Suszeptors (12) angeordnet ist. 2. Device according to claim 1, characterized in that the fluid inlet opening of the fluid outlet device ( 20 a, 20 b) is arranged centrally to the susceptor ( 12 ). 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (12) um eine senkrecht zu einer für die Aufnahme der Substrate vorgesehenen Substrataufnahmeebene stehende Achse drehbar ist. 3. Device according to claim 1 or 2, characterized in that the susceptor ( 12 ) is rotatable about an axis perpendicular to a substrate receiving plane provided for receiving the substrates. 4. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (14) in dem Suszeptor (12) drehbar aufgenommen ist. 4. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate ( 14 ) in the susceptor ( 12 ) is rotatably received. 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) eine ringförmige Kanalanordnung mit zum Ringinneren hin gerichteten Fluidaustrittsöffnungen aufweist, die mit einer oder mehreren Fluidzuleitungen verbunden ist. 5. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the fluid inlet device ( 18 ) has an annular channel arrangement with fluid outlet openings directed towards the inside of the ring, which is connected to one or more fluid supply lines. 6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) mit mehreren Fluidzuleitungen zum Zuleiten verschiedenartiger Reaktionsfluide verbunden ist. 6. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the fluid inlet device ( 18 ) is connected to a plurality of fluid supply lines for supplying different reaction fluids. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluideinlassvorrichtung (18) mit einer Temperaturregelvorrichtung zum Regeln der Temperatur der durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung in das Reaktorgehäuse (10) eingeleiteten Reaktionsfluide gekoppelt ist. 7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the fluid inlet device ( 18 ) is coupled to a temperature control device for controlling the temperature of the reaction fluids introduced into the reactor housing ( 10 ) through the fluid outlet openings of the fluid inlet device. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (12) mit einer Temperaturregelvorrichtung zum Regeln der Temperatur des Suszeptors und des aufgenommenen Substrats (14) gekoppelt ist. 8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the susceptor ( 12 ) is coupled to a temperature control device for controlling the temperature of the susceptor and the substrate ( 14 ) received. 9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (12) derart ausgebildet ist, dass die Oberseite und die Unterseite des aufgenommenen Substrats (14) den Reaktionsfluiden dargeboten werden. 9. Device according to one of claims 1 to 8, characterized in that the susceptor ( 12 ) is designed such that the top and the bottom of the received substrate ( 14 ) are presented to the reaction fluids. 10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Suszeptor (12) mit einer Oberseite und einer Unterseite derart ausgebildet ist, dass auf seiner Oberseite eine erste Gruppe von einem oder mehreren Substraten (14) und auf seiner Unterseite eine zweite Gruppe von einem oder mehreren Substraten aufnehmbar sind, deren Oberflächen den Reaktionsfluiden dargeboten werden. 10. Device according to one of claims 1 to 8, characterized in that the susceptor ( 12 ) is formed with an upper side and a lower side in such a way that on its upper side a first group of one or more substrates ( 14 ) and on its underside one second group of one or more substrates, the surfaces of which are presented to the reaction fluids. 11. Verfahren zum Aufwachsen von Schichten auf mindestens einem Substrat (14), das in einem Reaktorgehäuse (10) auf einem Suszeptor (12) aufgenommen ist, wobei mindestens ein Reaktionsfluid über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) geleitet wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Reaktionsfluid vom Umfang des Suszeptors (12) her radial nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömt. 11. A method for growing layers on at least one substrate ( 14 ) which is accommodated in a reactor housing ( 10 ) on a susceptor ( 12 ), at least one reaction fluid being passed over the surface of the substrate ( 14 ) to be coated, characterized in that that the reaction fluid flows radially inward from the circumference of the susceptor ( 12 ) over the surface of the substrate ( 14 ) to be coated. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Suszeptor (12) mit dem aufgenommenen Substrat (14) um eine senkrecht zu einer Substrataufnahmeebene, auf der sich das Substrat (14) befindet, stehende Achse dreht. 12. The method according to claim 11, characterized in that the susceptor ( 12 ) with the received substrate ( 14 ) rotates about an axis perpendicular to a substrate receiving plane on which the substrate ( 14 ) is located. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass sich das Substrat (14) relativ zum Suszeptor (12) dreht. 13. The method according to claim 11 or 12, characterized in that the substrate ( 14 ) rotates relative to the susceptor ( 12 ). 14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere verschiedenartige Reaktionsfluide vom Umfang des Suszeptors (12) her radial nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des Substrats (14) strömen. 14. The method according to at least one of claims 11 to 13, characterized in that a plurality of different reaction fluids flow radially inward from the circumference of the susceptor ( 12 ) over the surface of the substrate ( 14 ) to be coated. 15. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das (die) über das Substrat (14) geleitete(n) Reaktionsfluid(e) über eine mittig zum Suszeptor (12) angeordnete Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) abgeleitet wird (werden). 15. The method according to at least one of claims 11 to 14, characterized in that the reaction fluid (s) conducted via the substrate ( 14 ) via a fluid outlet device ( 20 a, 20 b) arranged centrally to the susceptor ( 12 ) ) is derived.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008057909B4 (en) 2007-12-26 2021-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015030818A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Supply authentication via timing challenge response

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2580131A (en) * 1947-02-25 1951-12-25 Chandler & Price Co Method and apparatus for coating a lithographic plate
DE1244733B (en) * 1963-11-05 1967-07-20 Siemens Ag Device for growing monocrystalline semiconductor material layers on monocrystalline base bodies
JPS4930319B1 (en) * 1969-08-29 1974-08-12
US3757733A (en) * 1971-10-27 1973-09-11 Texas Instruments Inc Radial flow reactor
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
US4033286A (en) * 1976-07-12 1977-07-05 California Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
JPS5375857A (en) * 1976-12-17 1978-07-05 Nec Corp Vapor phase growth apparatus
JPS5736827A (en) * 1980-08-15 1982-02-27 Hitachi Ltd Film forming apparatus
US4513021A (en) * 1982-02-01 1985-04-23 Texas Instruments Incorporated Plasma reactor with reduced chamber wall deposition
US4976996A (en) * 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof
JPH08306632A (en) * 1995-04-27 1996-11-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd Vapor epitaxial growth equipment
JPH0982593A (en) * 1995-09-08 1997-03-28 Nippon Steel Corp Semiconductor processing equipment
US6090211A (en) * 1996-03-27 2000-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming semiconductor thin layer
KR100370440B1 (en) * 1998-03-05 2003-02-05 동경 엘렉트론 주식회사 Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100319494B1 (en) * 1999-07-15 2002-01-09 김용일 Apparatus for Deposition of thin films on wafers through atomic layer epitaxial process
JP3654142B2 (en) * 2000-01-20 2005-06-02 住友電気工業株式会社 Gas shower for semiconductor manufacturing equipment
WO2002081771A2 (en) * 2001-04-05 2002-10-17 Angstron Systems, Inc. Atomic layer deposition system and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008057909B4 (en) 2007-12-26 2021-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition

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