DE10140726A1 - Electronic component used as a semiconductor wafer comprises a semiconductor chip having contact surfaces of an integrated circuit on its active surface, and a bimetallic strip arranged on the contact surfaces - Google Patents

Electronic component used as a semiconductor wafer comprises a semiconductor chip having contact surfaces of an integrated circuit on its active surface, and a bimetallic strip arranged on the contact surfaces

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DE10140726A1 DE2001140726 DE10140726A DE10140726A1 DE 10140726 A1 DE10140726 A1 DE 10140726A1 DE 2001140726 DE2001140726 DE 2001140726 DE 10140726 A DE10140726 A DE 10140726A DE 10140726 A1 DE10140726 A1 DE 10140726A1
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Abstract

Electronic component comprises: a semiconductor chip (2) having contact surfaces (4) of an integrated circuit on its active surface (3); and a bimetallic strip (5) arranged on the contact surfaces and having a fixed end (6) connected to the contact surface and a flexible free end (7) protruding from the active surface of the chip. Preferred Features: An angled bimetallic strip is arranged on the contact surfaces. The free end of the bimetallic strip has a coating made from gold or a gold alloy, or silver alloy. The bimetallic strip is made from a copper alloy and an aluminum alloy.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und einen Halbleiterwafer mit Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung gemäß der Gattung der unabhängigen Ansprüche.The invention relates to an electronic component and a Semiconductor wafers with semiconductor chips and method for their Manufactured according to the class of the independent claims.

Die Größe der Halbleiterchips für elektronische Bauteile nimmt ständig zu, und damit wachsen auch die Abmessungen der Halbleiterchips auf einem entsprechenden Halbleiterwafer. Mit der zunehmenden Größe der Halbleiterchips, sowie des Halblei­ terwafers und der zunehmenden Anzahl von Kontaktflächen auf aktiven Oberseiten der Halbleiterchips bzw. der aktiven Ober­ seite des Halbleiterwafers nehmen die Probleme der Kontak­ tierbarkeit dieser Kontaktflächen zu Testzwecken und bei der Herstellung von Außenkontaktstrukturen ebenfalls ständig zu. Dabei kommt es zunehmend zu Fehlinterpretationen der Funkti­ onsfähigkeit von Halbleiterchips beim Testen der Halbleiter­ chips eines Halbleiterwafers wegen schlechter oder unterbro­ chener Kontaktgabe zwischen Kontaktanschlussflächen eines Prüfkopfes und Kontaktflächen des Halbleiterwafers. Diese Fehlinterpretationen führen dann zu erhöhtem ungerechtfertig­ tem Ausschuss, weil funktionsfähige Halbleiterchips als un­ brauchbar bei dem Wafertest gekennzeichnet werden. Ein weite­ rer Nachteil der zunehmenden Größe von Halbleiterstrukturen ist die Verwölbung der großflächigen Halbleiterchips und die mögliche Verwölbung von Leiterplatten, auf denen die Halblei­ terchips zu positionieren sind, so dass bei der Endmontage von Halbleiterchips auf Leiterplatten ebenfalls der Ausschuss mit zunehmender Chipgröße steigt.The size of the semiconductor chips for electronic components is constantly increasing and with it the dimensions of the Semiconductor chips on a corresponding semiconductor wafer. With the increasing size of the semiconductor chips, as well as the half lead terwafers and the increasing number of contact surfaces active tops of the semiconductor chips or the active top side of the semiconductor wafer address the problems of contact animalability of these contact surfaces for test purposes and at Manufacture of external contact structures is also constantly increasing. This leads to misinterpretations of the functions Ability of semiconductor chips when testing the semiconductor chips of a semiconductor wafer because of bad or undervoltage contact between contact pads of a Test head and contact surfaces of the semiconductor wafer. This Misinterpretations then lead to increased unjustifiably committee because functional semiconductor chips as un usable in the wafer test. A wide one disadvantage of the increasing size of semiconductor structures is the warping of the large-area semiconductor chips and the possible warping of printed circuit boards on which the half lead terchips are to be positioned so that during final assembly the rejection of semiconductor chips on printed circuit boards increases with increasing chip size.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Zuverlässigkeit der Funkti­ onstests von Halbleiterchips auf einem Halbleiterwafer zu er­ höhen und die Kontaktgabe von Außenkontakten des Halbleiter­ chips zu verbessern. The object of the invention is the reliability of the functi on tests of semiconductor chips on a semiconductor wafer heights and the contacting of external contacts of the semiconductor to improve chips.  

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen An­ sprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.This task is the subject of the independent An sayings solved. Advantageous developments of the invention result from the subclaims.

Erfindungsgemäß weist ein elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf seiner aktiven Oberseite Kontaktflächen einer integrierten Schaltung auf. Auf diesen Kontaktflächen sind erfindungsgemäß Bimetallstreifen angeordnet, die ein fi­ xiertes Ende, das mit der Kontaktfläche verbunden ist, und ein freies flexibles Ende aufweisen, das von der aktiven Oberseite des Halbleiterchips absteht.According to the invention, an electronic component has a Semiconductor chip on its active top contact surfaces an integrated circuit. On these contact areas bimetallic strips are arranged according to the invention, the fi xed end, which is connected to the contact surface, and have a free flexible end that is different from the active Top of the semiconductor chip protrudes.

Ein derartiger Bimetallstreifen hat den Vorteil, dass die mi­ kroskopisch kleine Kontaktfläche auf dem Halbleiterchip, de­ ren Größe nur unter einem Lichtmikroskop messbar ist, belie­ big durch einen erfindungsgemäßen Bimetallstreifen vergrößert werden kann. Darüber hinaus hat der Bimetallstreifen, der mit seinem freien flexiblen Ende von der aktiven Oberseite des Halbleiterchips absteht, den Vorteil, dass er sowohl als Testkontakt des Halbleiterchips auf einem Halbleiterwafer als auch als Außenkontakt des elektronischen Bauteils eingesetzt werden kann. Somit ermöglicht der Bimetallstreifen auf dem elektronischen Bauteil, dass ein Außen- und Testkontakt zr Verfügung steht, der in seiner Höhe flexibel ist, da der Bi­ metallstreifen bei Druckausübung auf sein freies Ende ela­ stisch nachgeben kann.Such a bimetal strip has the advantage that the mi microscopic contact area on the semiconductor chip, de size can only be measured under a light microscope big enlarged by a bimetal strip according to the invention can be. In addition, the bimetal strip that comes with its free flexible end from the active top of the Semiconductor chips stands out, the advantage that it is both Test contact of the semiconductor chip on a semiconductor wafer as also used as external contact of the electronic component can be. The bimetallic strip on the electronic component that an external and test contact zr Is available, which is flexible in its height, since the Bi metal strip when pressure is exerted on its free end ela can give way.

Ein elektronisches Bauteil, das mit derartigen Bimetallstrei­ fen als Außenkontakten ausgestattet ist, kann Oberflächenwöl­ bungen sowohl einer Leiterplatte, auf der das elektronische Bauteil zu montieren ist, als auch Oberflächenverwölbungen des Halbleiterchips selbst und Verschiebungen zwischen elek­ tronischem Bauteil und Leiterplatte mit Hilfe des freien fle­ xiblen Endes des Bimetallstreifens kompensieren. Da Außenkon­ takte in Form von Bimetallstreifen bereits auf Waferlevel herstellbar sind, erleichtern und verbessern derartige Außen­ kontakte in Form von Bimetallstreifen auf der aktiven Wafer­ oberfläche die Zuverlässigkeit der Funktionsprüfung vor dem Trennen eines Halbleiterwafers zu Halbleiterchips oder zu elektronischen Bauteilen. Ein entsprechender Prüfkopf mit Kontaktanschlussflächen, beispielsweise auf einer Leiterplat­ te oder einem Keramiksubstrat, kann nun mit flächigen Kontak­ tanschlussflächen ausgestattet sein und kann beim Funktion­ stest unter geringem Druck und genauer Justage auf die Außen­ kontakte in Form von Bimetallstreifen aufgesetzt werden.An electronic component with such bimetallic streaks fen as external contacts, surface can exercises both a circuit board on which the electronic Component to be assembled, as well as surface warpage of the semiconductor chip itself and shifts between elec tronic component and circuit board with the help of the free fle Compensate the xiblen end of the bimetallic strip. Because outside con cycle in the form of bimetallic strips already at wafer level can be produced, facilitate and improve such exterior  contacts in the form of bimetal strips on the active wafer the reliability of the functional test before the Separating a semiconductor wafer into semiconductor chips or electronic components. A corresponding test head with Contact pads, for example on a circuit board te or a ceramic substrate, can now with flat contact t connection surfaces and can function test under low pressure and precise adjustment to the outside contacts in the form of bimetallic strips.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind auf den Kontaktflächen abgewinkelte Bimetallstreifen angeordnet. Diese Abwinklung kann als Oberflächenmuster für den Bime­ tallstreifen vorgegeben werden. Dabei ist ein Ende des abge­ winkelten Bimetallstreifens auf der Kontaktfläche fixiert, während das andere Ende des abgewinkelten Bimetallstreifens frei und flexibel ist und einen Abstand zur Oberseite des Halbleiterchips aufweist. Ein derartig abgewinkelter Bime­ tallstreifen als Außenkontakt eines elektronischen Bauteils hat den Vorteil, dass das freie flexible Ende des Bime­ tallstreifens nicht nur in der Höhe bzw. in z-Richtung flexi­ bel ist und elastisch nachgeben kann, sondern auch auf Grund der Abwinklung eine begrenzte Elastizität parallel zu der Oberfläche des Halbleiterchips bzw. des Halbleiterwafers und damit auch des elektronischen Bauteils in X- und Y-Richtung möglich wird.In a preferred embodiment of the invention are based on angled bimetal strips are arranged on the contact surfaces. This bend can be used as a surface pattern for the bime tall strips be specified. Here is an end of the abge angled bimetal strip fixed on the contact surface, while the other end of the angled bimetal strip is free and flexible and a distance from the top of the Has semiconductor chips. Such an angled bime tall strips as external contact of an electronic component has the advantage that the free flexible end of the bime tall stripes not only in height or in the z-direction flexi is flexible and can give way elastically, but also on the ground the bending has a limited elasticity parallel to the Surface of the semiconductor chip or the semiconductor wafer and thus also the electronic component in the X and Y directions becomes possible.

In einer Ausführungsform der Erfindung weist der Bime­ tallstreifen zwei Materialkomponenten auf. Im Querschnitt liegen diese Materialkomponenten übereinander oder gehen in­ einander über in orthogonaler Richtung zu der Oberseite des Bimetallstreifens. Dabei überwiegt auf der Unterseite des Bi­ metallstreifens eine erste Metallkomponente und auf der Ober­ seite des Bimetallstreifens eine zweite Materialkomponente.In one embodiment of the invention, the bime tall strips on two material components. In cross section do these material components lie on top of each other or go into over each other in an orthogonal direction to the top of the Bimetallic strip. It predominates on the underside of the bi metal strip a first metal component and on the top side of the bimetal strip a second material component.

Diese Materialkomponenten unterscheiden sich in einer weite­ ren Ausführungsform der Erfindung in ihrem thermischen Aus­ dehnungsverhalten in der Weise, dass die erste Materialkompo­ nente einen höheren thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf­ weist als die zweite Materialkomponente. Bei dieser Ausfüh­ rungsform wird vorausgesetzt, dass der Bimetallstreifen bei niedrigen Temperaturen unterhalb der Betriebstemperatur des elektronischen Bauteils hergestellt wird, so dass sich der Bimetallstreifen bei erhöhter Temperatur sowohl im Betrieb als auch bei erhöhter Temperatur durch Herstellungsschritte von der Oberseite des Halbleiterchips bzw. Oberseite des elektronischen Bauteils oder der Oberseite des Halbleiterwa­ fers abhebt.These material components differ in a wide range ren embodiment of the invention in its thermal Aus  elongation behavior in such a way that the first material comp had a higher coefficient of thermal expansion points as the second material component. With this execution form is assumed that the bimetallic strip at low temperatures below the operating temperature of the electronic component is manufactured, so that the Bimetal strips at elevated temperature both in operation as well as at elevated temperature through manufacturing steps from the top of the semiconductor chip or top of the electronic component or the top of the semiconductor wa fers takes off.

Entsteht bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung der Bimetallstreifen bei hohen Temperaturen, beispielsweise durch Hochtemperatur-Sinterprozesse, so ist es von Vorteil, die Ma­ terialkomponente auf der Unterseite des Bimetallstreifens mit einem niedrigeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten gegen­ über der Materialkomponente auf der Oberseite des Bime­ tallstreifens auszuwählen, so dass nach dem Hochtemperatur- Sinterprozess die Oberseite des bei hoher Temperatur gesin­ terten Bimetallstreifens stärker schrumpfen kann als die Un­ terseite, womit ebenfalls der Vorteil des Abhebens des freien flexiblen Endes des Außenkontaktes in Form eines Bime­ tallstreifens bei Raumtemperatur und Betriebstemperatur auf­ tritt.Arises in a further embodiment of the invention Bimetal strips at high temperatures, for example through High temperature sintering processes, so it is an advantage to Ma material component on the underside of the bimetal strip against a lower coefficient of thermal expansion over the material component on top of the bime strip, so that after the high temperature Sintering process is the top of the gesin at high temperature bimetal strip can shrink more than the Un side, which also has the advantage of lifting off the free flexible end of the external contact in the form of a bime strip at room temperature and operating temperature occurs.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann der Übergang von der ersten Materialkomponente auf der Unterseite des Bimetallstreifens zur Materialkomponente auf der Obersei­ te des Bimetallstreifens graduell erfolgen, wodurch die Zä­ higkeit und Elastizität des Bimetallstreifens erhöht wird, und eine Trennung, wie es bei schroffen Übergängen von der ersten zur zweiten Materialkomponente auftreten könnte, ver­ mieden wird.In a further embodiment of the invention, the Transition from the first material component on the bottom of the bimetal strip to the material component on the top egg te of the bimetal strip take place gradually, whereby the Zä ability and elasticity of the bimetal strip is increased, and a separation, as is the case with rugged transitions from the could occur first to the second material component, ver is avoided.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgese­ hen, dass das freie Ende des Bimetallstreifens auf seiner Oberseite eine oxidationsfeste Beschichtung aufweist. Auch diese oxidationsfeste Beschichtung kann auf Halbleiterwafer­ niveau für sämtliche Kontaktflächen eines Halbleiterchips ausgeführt werden, so dass für sämtliche Halbleiterchips ein verbessertes Kontaktmaterial auf dem freien flexiblen Ende der Bimetallstreifen und damit der Außenkontakte des elektro­ nischen Bauteils zur Verfügung steht.In a further embodiment of the invention, it is provided hen that the free end of the bimetal strip on its  Has an oxidation-resistant coating on the top. Also this oxidation-resistant coating can be applied to semiconductor wafers level for all contact surfaces of a semiconductor chip be executed so that for all semiconductor chips improved contact material on the free flexible end the bimetal strip and thus the external contacts of the electro African component is available.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass das freie Ende des Bimetallstreifens auf seiner Oberseite ei­ ne Beschichtung aus Gold oder eine Goldlegierung aufweist. Derartige Legierungen haben den Vorteil, dass sie äußerst oxidationsfest sind und einen niedrigen Kontaktwiderstand so­ wie eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Eine der­ artige Gold- oder Goldlegierungsbeschichtung auf dem freien Ende des Bimetallstreifens ist deshalb insbesondere für die Bereitstellung von Prüfelektroden beim Funktionstest von Halbleiterchips auf dem Halbleiterwaferlevel von Vorteil.Another embodiment of the invention provides that the free end of the bimetal strip on its top ne coating of gold or a gold alloy. Such alloys have the advantage of being extremely are resistant to oxidation and low contact resistance have a high electrical conductivity. One of the like gold or gold alloy coating on the free The end of the bimetallic strip is therefore especially for the Provision of test electrodes for the functional test of Semiconductor chips at the semiconductor wafer level are an advantage.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist das freie Ende des Bimetallstreifens eine Beschichtung aus einer lötbaren Legierung auf. Bei dieser Ausführungsform der Erfin­ dung sollen die Bimetallstreifen nicht nur zum Testen einge­ setzt werden, sondern auch gleichzeitig als Außenkontakte des elektronischen Bauteils fungieren. Für eine derartige Verwen­ dung der Bimetallstreifen ist es von besonderem Vorteil, wenn sie an ihrem freien Ende eine lötbare Legierung als Beschich­ tung aufweisen, so dass die Verbindung zu beispielsweise ei­ nem Keramiksubstrat oder einer Leiterplatte erleichtert wird.In a further embodiment of the invention, this free end of the bimetal strip a coating from a solderable alloy. In this embodiment, the inven The bimetal strips should not only be used for testing be set, but also as external contacts of the electronic component act. For such a use of the bimetal strips, it is particularly advantageous if they have a solderable alloy as a coating at their free end tion, so that the connection to, for example, egg Nem ceramic substrate or a circuit board is facilitated.

Neben dem Vorteil der Lötfähigkeit des Bimetallstreifens an seinem freien Ende kommt die ausgleichende Wirkung des ela­ stischen Bimetallstreifens hinzu, der mit seinem freien Ende von der Oberseite des Halbleiterchips bzw. des elektronischen Bauteils absteht, so dass Verwölbungen sowohl des elektroni­ schen Bauteils als auch Verwölbungen der Leiterplatte bzw. des Keramiksubstrats ausgeglichen werden können. Ferner sorgt eine derartig elastische flexible Verbindung dafür, dass Aus­ dehnungsunterschiede während des Betriebs des elektronischen Bauteils zwischen Keramiksubstrat bzw. Leiterplatte und elek­ tronischem Bauteil nur stark verminderte Auswirkungen in Form von Verspannungen zwischen den zu verbindenden Komponenten verursacht. Damit werden Ausfälle unter Prüfbedingungen, die bei Temperaturwechselbelastungen von über 200°C, nämlich von 50° bis 150°C, arbeiten, unwahrscheinlich, und somit die Zuverlässigkeit derartiger Funktionstests elektronischer Bau­ teile verbessert.In addition to the advantage of the solderability of the bimetal strip at its free end comes the balancing effect of the ela bimetallic strip with the free end from the top of the semiconductor chip or the electronic Component protrudes so that warping of both the electronic component and warping of the circuit board or of the ceramic substrate can be compensated. Furthermore, cares  such an elastic flexible connection that Aus expansion differences during operation of the electronic Component between ceramic substrate or circuit board and elek tronic component only greatly reduced effects in form of tension between the components to be connected caused. This eliminates failures under test conditions that at temperature changes of over 200 ° C, namely from 50 ° to 150 ° C, work, unlikely, and thus the Reliability of such functional tests of electronic construction parts improved.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vor­ gesehen, dass das freie Ende des Bimetallstreifens eine Be­ schichtung aus einer Silberlotlegierung aufweist. Derartige Silberlotlegierungen haben sich als äußerst zuverlässig in der Halbleitertechnologie bewährt, so dass ein Veredeln der freien Enden des Bimetallstreifens durch eine Silberlotlegie­ rungsbeschichtung einen Vorteil derartiger elektronischer Bauteile liefert.In a further embodiment of the invention, it is proposed seen that the free end of the bimetal strip a Be has a layer of a silver solder alloy. such Silver solder alloys have proven to be extremely reliable in proven in semiconductor technology, so that a refinement of the free ends of the bimetal strip by a silver solder alloy coating an advantage of such electronic Supplies components.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Bimetallstreifen als erste Materialkomponente eine Kupferle­ gierung und als zweite Materialkomponente eine Aluminiumle­ gierung auf. Durch Legierungszugaben wie Wolfram oder Nickel lassen sich erhebliche Unterschiede in den thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten zwischen Kupferlegierung und Aluminium­ legierungen einstellen. Weiter haben diese Legierungen den Vorteil, dass sie aus galvanischen Bädern abgeschieden werden können, so dass zunächst im unteren Bereich des Querschnitts die Materialkomponente mit dem größeren thermischen Ausdeh­ nungskoeffizienten abgeschieden wird und darauf die Material­ komponente mit dem geringeren thermischen Ausdehnungskoeffi­ zienten aufgebracht wird. Eine derartige galvanische Abschei­ dung kann auch bei tiefen Temperaturen durchgeführt werden, so dass bereits bei Raumtemperatur die freien flexiblen Enden der Bimetallstreifen von der Oberseite des Halbleiterchips abheben. In a further embodiment of the invention, the Bimetal strips as the first material component, a copper alloy and an aluminum alloy as the second material component greed on. By adding alloys such as tungsten or nickel there can be significant differences in thermal out expansion coefficient between copper alloy and aluminum adjust alloys. These alloys also have the Advantage that they are separated from galvanic baths can, so initially in the lower section of the cross section the material component with the greater thermal expansion is deposited and then the material component with the lower coefficient of thermal expansion is applied. Such galvanic separation can also be carried out at low temperatures, so that the free flexible ends are already at room temperature the bimetal strip from the top of the semiconductor chip take off.  

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der Bimetallstreifen eine Kupferlegierung aufweist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkom­ ponente unterschiedliche Legierungskomponenten und/oder un­ terschiedliche Konzentrationen von Legierungskomponenten auf­ weist. Ein derartiger Bimetallstreifen hat den Vorteil, dass das Basismetall Kupfer ist und durch graduellen Übergang von einer Legierungskomponente für die Kupferlegierung zu einer anderen Legierungskomponente ein sehr stabiler und flexibler Bimetallstreifen hergestellt werden kann. Außerdem hat ein derartiger Bimetallstreifen den Vorteil, dass zusätzlich die Konzentrationen der Legierungskomponenten von dem Bereich der ersten Materialkomponente zum Bereich der zweiten Material­ komponente innerhalb des Querschnitts des Bimetallstreifens allmählich und graduell geändert sein können, so dass auch hier ein Bimetallstreifen entsteht, der eine hohe Lebensdauer verspricht, da kein abrupter Übergang von der ersten zur zweiten Materialkomponente realisiert wird.Another embodiment of the invention provides that the bimetal strip has a copper alloy which is suitable for the first material component and for the second material com component different alloy components and / or un different concentrations of alloy components has. Such a bimetal strip has the advantage that the base metal is copper and by gradual transition from an alloy component for the copper alloy to one other alloy component a very stable and flexible Bimetal strips can be made. Also has one such bimetal strips have the advantage that in addition the Concentrations of the alloy components from the range of first material component to the area of the second material component within the cross-section of the bimetal strip can be changed gradually and gradually, so too a bimetal strip is created here that has a long service life promises since there is no abrupt transition from the first to the second material component is realized.

Besonders bei Aluminiumlegierungen lassen sich Kombinationen realisieren, bei denen die unterschiedlichen Legierungskompo­ nenten zu großen Unterschieden im thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten führen. Somit ist es für eine weiter Ausfüh­ rungsform der Erfindung vorgesehen, dass der Bimetallstreifen eine Aluminiumlegierung aufweist, die für die erste Material­ komponente und für die zweite Materialkomponente unterschied­ liche Legierungskomponenten aufweist.Combinations can be made especially with aluminum alloys realize in which the different alloy compo to large differences in thermal expansion lead coefficient. So it is for further execution Form of the invention provided that the bimetallic strip has an aluminum alloy for the first material component and for the second material component difference Liche alloy components.

Mit dem Basismetall-Aluminium lassen sich auch Aluminiumle­ gierungen angeben, die allein durch unterschiedliche Konzen­ trationen einer Legierungskomponente Bimetalleffekte zeigen. Je nachdem ob die Legierungskomponente den thermischen Aus­ dehnungskoeffizienten vergrößert oder verkleinert, wird die Konzentration für die Aufgaben in den unterschiedlichen Be­ reichen dem Querschnitt der Bimetallstreifen angepasst. The base metal aluminum can also be used in aluminum Specify alloys that are made up of different concentrations trations of an alloy component show bimetal effects. Depending on whether the alloy component has thermal off expansion coefficient is increased or decreased, the Concentration for the tasks in the different areas range adapted to the cross-section of the bimetal strips.  

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Bi­ metallstreifen als Legierungskomponenten Zink, Zinn, Silici­ um, Wolfram oder Nickel auf. Diese Legierungskomponenten ha­ ben sich als geeignet zur Herstellung von Bimetallstreifen für Basismetalle aus Aluminium und/oder Kupfer erwiesen.In a further embodiment of the invention, the bi metal strips as alloy components zinc, tin, silicon um, tungsten or nickel. These alloy components ha are suitable for the production of bimetallic strips proven for base metals made of aluminum and / or copper.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass die Bimetallwirkung nicht durch reine Metallstreifen unter­ schiedlicher Ausdehnungskoeffizienten erreicht wird, sondern dass ein Basismetall mit nichtmetallischen Partikeln ver­ setzt wird. Soweit die nichtmetallischen Partikel aus Kera­ mikmaterial bestehen, vermindert der Zusatz von Partikeln aus Keramikmaterial den Ausdehnungskoeffizienten, und soweit die . Partikel aus Kunststoff bestehen, wird der Ausdehnungskoeffi­ zient des Verbundwerkstoffs aus Basismetall und Kunststoff heraufgesetzt.Another embodiment of the invention provides that the bimetallic effect is not caused by pure metal strips different coefficients of expansion is reached, but that a base metal ver with non-metallic particles is set. So much for the non-metallic particles from Kera mic material exist, the addition of particles reduces Ceramic material the coefficient of expansion, and as far as the. Particles are made of plastic, the coefficient of expansion the composite material made of base metal and plastic increased.

Während Bimetallstreifen mit eingebetteten Kunststoffparti­ keln im wesentlichen durch Vertropfen des Kunststoffs bei gleichzeitigem Aufdampfen oder Aufsputtern des Basismetalls entstehen, ist ein Verbundwerkstoff aus Basismetall und Kera­ mik durch entsprechende Sinterprozesse möglich. Zwar würde eine Kombination beider Verbundwerkstoffe den größten Effekt erzielen, da ein mit Kunststoffpartikeln versetztes Basisme­ tall gegenüber einem mit Keramik versetzten Basismetall einen großen Unterschied in der thermischen Ausdehnung hervorrufen würde, aber eine derartige Kombination ist schwierig herzu­ stellen. Wesentlich günstiger ist es, einen Konzentrations­ gradienten für die Partikel über den Querschnitt des Bime­ tallstreifens zu realisieren, indem zunächst ein geringer An­ teil an Keramikpartikeln in das Basismetall des Bime­ tallstreifens eingebaut wird und danach ein zunehmend hoher Anteil an Keramikpartikeln mit dem Basismetall abgeschieden wird. Bei dem Einbetten von Kunststoff in einem Basismetall zur Erzeugung von Bimetallstreifen würde der genau umgekehr­ ten Folge vorgegangen, d. h., zunächst ein hoher Anteil an Kunststoffpartikeln im Basismetall und mit zunehmendem Quer­ schnitt ein stark verminderter Anteil an Kunststoffpartikeln im Basismetall.While bimetal strips with embedded plastic parts cure essentially by dripping the plastic simultaneous evaporation or sputtering of the base metal arise, is a composite material made of base metal and Kera mic possible through appropriate sintering processes. It would a combination of both composites has the greatest effect achieve, because a base meter mixed with plastic particles tall compared to a base metal mixed with ceramic cause a big difference in thermal expansion would, but such a combination is difficult to obtain put. It is much cheaper to have a concentration gradients for the particles across the cross-section of the bime to realize tallstreifens by first a small An part of ceramic particles in the base metal of the bime tall stripe is installed and then an increasingly high Portion of ceramic particles deposited with the base metal becomes. When embedding plastic in a base metal the reverse would be the case for the production of bimetal strips followed the sequence d. that is, a high proportion at first Plastic particles in the base metal and with increasing cross  cut a greatly reduced proportion of plastic particles in the base metal.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass der Bimetallstreifen ein Basismetall mit eingelagertem Binde­ mittel aus Kunststoff aufweist, wobei der Anteil des Binde­ mittels zur Oberseite des Bimetallstreifens hin abnimmt. Der­ artige Kunststoffbindemittel werden beim Sintern von Metallen zugegeben, wobei die Konzentration und Verteilung des Binde­ mittels durch die Sinterprozessparameter gesteuert werden können.Another embodiment of the invention provides that the bimetallic strip is a base metal with an incorporated bandage has medium made of plastic, the proportion of the bandage decreases towards the top of the bimetal strip. the Like plastic binders are used in the sintering of metals added, the concentration and distribution of the bandage are controlled by means of the sintering process parameters can.

Im Prinzip kann lediglich ein elektronisches Bauteil mit der­ artigen Bimetallstreifen als Außenkontakt ausgestattet wer­ den. Es ist jedoch von Vorteil, Bimetallstreifen auf einem Halbleiterwafer mit Kontaktflächen mehrerer integrierter Schaltungen auf seiner aktiven Oberseite auszustatten. Dabei weisen die Bimetallstreifen fixierte Enden auf, die mit je­ weils einer Kontaktfläche verbunden sind, und freie flexible Enden, die an der aktiven Oberseite des Halbleiterwafers ab­ stehen. Diese Ausführungsform der Erfindung hat den Vorteil, dass die einzelnen Verfahrensschritte zur Erzeugung von Bime­ tallstreifen einheitlich und gleichzeitig für mehrere Halb­ leiterchips auf einem Halbleiterwafer realisiert werden kön­ nen und damit die Vorteile der Siliciumplanartechnologie voll zur Geltung kommen können, falls als Halbleiterwafer ein Si­ liciumwafer ausgewählt wird.In principle, only one electronic component can be used with the like bimetal strips equipped as external contact the. However, it is beneficial to have bimetal strips on one Semiconductor wafers with contact areas of several integrated Equip circuits on its active top. there the bimetallic strips have fixed ends, each with because of a contact surface, and free flexible Ends that start at the active top of the semiconductor wafer stand. This embodiment of the invention has the advantage that the individual process steps for producing bime tall stripes uniformly and simultaneously for several halves conductor chips can be realized on a semiconductor wafer and with it the full benefits of silicon planar technology can come into their own if an Si liciumwafer is selected.

Die Formgebung der Bimetallstreifen auf den Kontaktflächen entspricht der Formgebung, wie sie bereits bei der Erörterung des elektronischen Bauteils oben vorgestellt wird, so dass auf dem Halbleiterwafer auch abgewinkelte Bimetallstreifen angeordnet sein können, die insbesondere in X- und Y-Richtung eine größere elastische Nachgiebigkeit aufweisen als nur ein­ seitige und nicht abgewinkelte Bimetallstreifen auf der Ober­ fläche des Halbleiterwafers. Die Struktur und die Anordnung von zwei Materialkomponenten verteilt auf den Querschnitt der Bimetallstreifen entspricht für den Halbleiterwafer den An­ ordnungen, wie sie bereits für den Halbleiterchip bzw. das elektronische Bauteil vorgesehen sind.The shape of the bimetal strips on the contact surfaces corresponds to the shape, as already discussed of the electronic component is presented above, so that angled bimetal strips on the semiconductor wafer can be arranged, in particular in the X and Y directions have greater resilience than just one sided and non-angled bimetal strips on the upper area of the semiconductor wafer. The structure and arrangement of two material components distributed over the cross section of the  Bimetal strips correspond to the An for the semiconductor wafer orders, as already for the semiconductor chip or that electronic component are provided.

Eine Beschichtung des freien flexiblen Endes des Bime­ tallstreifens mit kontaktverbessernder Gold- oder Goldlegie­ rungsschicht oder lötverbesserender lötbarer Schicht, wie ei­ nem Silberlot, sind auf Halbleiterwaferlevel durchführbar und somit gleichzeitig für mehrere Halbleiterchips herstellbar. Eine graduelle Variation der Art der Legierungskomponenten bzw. der Konzentrationen der Legierungskomponenten über dem Querschnitt des Bimetallstreifens können in gleicher Weise durchgeführt werden, wie es bereits oben für das elektroni­ sche Bauteil beschrieben wird.A coating on the bime's free flexible end stripe with contact-improving gold or gold alloy layer or solder-improving solderable layer such as egg nem silver solder, are feasible at semiconductor wafer level and can thus be produced simultaneously for several semiconductor chips. A gradual variation in the nature of the alloy components or the concentrations of the alloy components above the Cross section of the bimetal strip can be done in the same way be carried out as described above for the electronics cal component is described.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers mit Kon­ taktflächen mehrerer integrierter Schaltungen auf seiner ak­ tiven Oberseite weist nachfolgende Verfahrensschritte auf. Die Kontaktflächen werden bei diesem Verfahren mit Bime­ tallstreifen versehen, die ein fixiertes Ende aufweisen, das mit einer Kontaktfläche verbunden ist und die ein freies fle­ xibles Ende aufweisen, das von der aktiven Oberseite des Halbleiterwafers absteht. Derartige Bimetallstreifen können in großer Zahl auf einem Halbleiterwafer realisiert werden und haben damit den Vorteil, dass die Höhentoleranz sowohl für Testzwecke als auch für das endgültige elektronische Bau­ teil ausgeglichen werden. Im Einzelnen werden dazu auf dem Halbleiterwafer folgende Verfahrensschritte durchgeführt:
A method for producing a semiconductor wafer with contact areas of several integrated circuits on its active top side has the following method steps. In this method, the contact areas are provided with bimetallic strips which have a fixed end which is connected to a contact area and which have a free flexible end which projects from the active top side of the semiconductor wafer. Such bimetallic strips can be implemented in large numbers on a semiconductor wafer and thus have the advantage that the height tolerance can be partially compensated for both test purposes and for the final electronic construction. The following process steps are carried out on the semiconductor wafer:

  • - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer Passivie­ rungsschicht und mittels einer mit Fotolackmaske freige­ legten Kontaktfläche mehrerer integrierter Schaltungen auf seiner aktiven Oberseite,- Providing a semiconductor wafer with a passive layer and using a mask with a photoresist mask placed contact area of several integrated circuits on its active top,
  • - selektives Aufbringen von Bimetallstreifen, deren erstes Ende auf jeder Kontaktfläche fixiert ist und deren zwei­ tes freies Ende auf der Fotolackmaske angeordnet ist, - selective application of bimetal strips, the first of which End is fixed on each contact surface and its two the free end is arranged on the photoresist mask,  
  • - Entfernen der Fotolackmaske von der aktiven Oberseite des Halbleiterwafers unter Freilegen des freien Endes des Bimetallstreifens.- Remove the photoresist mask from the active top of the semiconductor wafer exposing the free end of the bimetal strip.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass die für das Freilegen der Kontaktflächen erforderliche Fotolackschicht gleichzeitig verwendet werden kann, um als Pufferschicht beim Abscheiden der Bimetallstreifen zu dienen. Wenn nach erfolgter selekti­ ver Abscheidung der Bimetallstreifen die Fotolackschicht ab­ gelöst wird, kann sich das freie Ende des Bimetallstreifens voll entfalten und sich von der aktiven Oberseite des Halb­ leiterwafers abheben.This procedure has the advantage of being uncovered the photoresist layer required at the same time can be used as a buffer layer when depositing to serve the bimetal strip. If after successful selection the photoresist layer from the bimetal strips is released, the free end of the bimetallic strip unfold fully and from the active top of the half take off the conductor wafer.

Bei einem Durchführungsbeispiel des Verfahrens wird vor dem selektiven Aufbringen von Bimetallstreifen auf Kontaktflächen des Halbleiterwafers die Fotolackmaske auf der aktiven Ober­ seite des Halbleiterwafers entfernt. Anschließend wird eine Polymerschicht unter Freilassung der Kontaktflächen aufge­ bracht, und erst danach werden die Bimetallstreifen auf der neuen Polymerschicht erzeugt. Nach dem Anbringen der Bime­ tallstreifen wird die Polymerschicht unter den freien Enden der Bimetallstreifen entfernt. Diese Variante des Verfahrens hat den Vorteil, dass die Eigenschaften der Polymerschicht den Erfordernissen des Herstellens der Bimetallstreifen ange­ passt werden kann. Auch kann eine von der ursprünglichen Fo­ tolackmaske unterschiedliche Dicke und damit ein anderer Ab­ stand des freien Endes von der Oberseite des Halbleiterwafers für die Bimetallstreifen verwirklicht werden.In an implementation example of the method is before selective application of bimetal strips on contact surfaces of the semiconductor wafer, the photoresist mask on the active surface side of the semiconductor wafer removed. Then one Polymer layer exposed while leaving the contact areas free brings, and only then the bimetal strips on the new polymer layer. After attaching the bime The polymer layer beneath the free ends will be streaked the bimetal strip is removed. This variant of the procedure has the advantage that the properties of the polymer layer the requirements of producing the bimetallic strips can be fitted. One of the original Fo tolack mask different thickness and therefore a different Ab stood the free end from the top of the semiconductor wafer for the bimetal strips.

Das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen auf dem Halb­ leiterwafer kann bei einem Durchführungsbeispiel des Verfah­ rens durch eine Druckmaske hindurch erfolgen. Diese Druckmas­ ke deckt an Stellen, an denen kein Bimetallmaterial auf der Oberfläche des Halbleiterwafers anzubringen ist, diese Flä­ chen ab und lässt lediglich den Bereich frei, der für die An­ bringung eines Bimetallstreifens in Form eines geraden oder abgewinkelten Bimetallstreifens erforderlich ist. The selective application of the bimetal strips on the half Conductor wafer can be used in an implementation example of the process rens through a print mask. This printing mas ke covers in places where there is no bimetallic material on the Surface of the semiconductor wafer is to be attached, this area and only leaves the area free for the users Bringing a bimetal strip in the form of a straight or angled bimetal strip is required.  

Ein weiteres Durchführungsbeispiel sieht vor, dass das selek­ tive Aufbringen der Bimetallstreifen auf der Halbleiterwafer­ oberfläche durch eine Siebdruckmaske hindurch erfolgt. Derar­ tige Siebdruckmasken lassen sich bereits mit höchster Präzi­ sion auf wenige µm genau herstellen und sie haben den Vor­ teil, dass die vorgesehene Dicke eines Bimetallstreifens ein­ gehalten werden kann. Zur Erreichung einer Bimetalleigen­ schaft können im Siebdruckverfahren zwei Metall- Legierungsschichten hintereinander und übereinander aufge­ bracht werden. Dabei wird mit dem ersten Siebdruckmuster die erste Materialkomponente aufgebracht und danach mit dem glei­ chen Siebdruckmuster die zweite Materialkomponente auf der ersten Materialkomponente positioniert. Bei diesem Verfahren stellt sich von vorne herein in der Grenzschicht eine neutra­ le Zone ein, bei der sich die Materialkomponente oberhalb der neutralen Zone weniger ausdehnt als das Material unterhalb der neutralen Zone des Bimetallstreifens.Another implementation example provides that the selek tive application of the bimetallic strips on the semiconductor wafer through a screen printing mask. Derar Screen printing masks can already be made with the highest precision Manufacture sion to within a few microns and you have the advantage part that the intended thickness of a bimetallic strip can be held. To achieve a bimetallic formation shaft can be screen printed using two metal Alloy layers layered one behind the other and one above the other be brought. The first screen printing pattern is used first material component applied and then with the same Chen screen printing pattern the second material component on the positioned first material component. With this procedure a neutra arises from the beginning in the boundary layer le zone in which the material component is above the neutral zone extends less than the material below the neutral zone of the bimetal strip.

Eine weitere Möglichkeit für ein Durchführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor, dass das selektive Aufbringen der Bime­ tallstreifen durch eine Schablone hindurch als Druckmaske er­ folgt. Schablonendruckmasken unterscheiden sich von Sieb­ druckmasken dadurch, daß keine Siebstruktur in den Öffnungen der Maske zum Aufbringen eines Bimetallstreifens vorgesehen ist, so dass die Geometrie des Bimetallstreifens als Schablo­ nenöffnung in der Schablone angeordnet ist.Another possibility for an implementation example of the The procedure provides for the selective application of the bime tall stripes through a stencil as a print mask follows. Stencil printing masks differ from sieve printing masks in that there is no screen structure in the openings the mask for applying a bimetallic strip is, so the geometry of the bimetal strip as a template opening is arranged in the template.

Bei einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens er­ folgt das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen mittels Sputtertechnik oder Aufdampftechnik durch eine Schattenmaske hindurch. Die Schattenmaske deckt dabei den Partikelstrahl der Sputtertechnik bzw. der Aufdampftechnik ab, so dass le­ diglich in den Öffnungen der Schattenmaske das Bimetallstrei­ fenmaterial aufgebracht werden kann. Der Vorteil dieses Ver­ fahrens ist es, dass während des Aufdampfens oder Aufsput­ terns der Bimetallstreifen die Konzentration einer Legie­ rungskomponente oder die Zusammensetzung des Bimetallstrei­ fens gesteuert durchgeführt werden kann, so dass ein graduel­ ler Übergang von einem hohen Ausdehnungskoeffizienten zu ei­ nem geringeren Ausdehnungskoeffizienten und umgekehrt durch­ führbar wird. Dabei wird erfindungsgemäß darauf geachtet, ob der Bimetallstreifen bei einer hohen Temperatur entsteht, so dass bei der anschließenden Abkühlung das freie Ende des Bi­ metallstreifens einen Abstand zu der Oberfläche des Halblei­ terwafers bilden kann oder ob der Bimetallstreifen bei einer niedrigen Temperatur aufgebracht wird, so dass sich erst durch die höhere Gebrauchstemperatur oder Betriebstemperatur das freie Ende des Bimetallstreifens von der Oberseite des Halbleiterwafers abhebt.In another implementation example of the method he follows the selective application of the bimetallic strip by means of Sputtering or vapor deposition through a shadow mask therethrough. The shadow mask covers the particle beam the sputtering technique or the vapor deposition technique, so that le only in the openings of the shadow mask the bimetallic streak fenmaterial can be applied. The advantage of this ver driving is that during the vapor deposition or spotting terns the bimetallic strip the concentration of an alloy  tion component or the composition of the bimetallic streak fens can be controlled so that a graduel transition from a high coefficient of expansion to egg low coefficient of expansion and vice versa becomes feasible. According to the invention, attention is paid to whether the bimetal strip is formed at a high temperature, so that the free end of the Bi metal strip a distance from the surface of the semi-lead terwafers or whether the bimetallic strip at one low temperature is applied, so that only due to the higher operating temperature or operating temperature the free end of the bimetal strip from the top of the Semiconductor wafers stand out.

Ein weiteres Durchführungsbeispiel des Verfahrens betrifft ein Verfahren, das bei niedrigen oder auch niedrigsten Tempe­ raturen zu einer Abscheidung von Bimetallstreifen auf einem Halbleiterwafer führen kann. Ein derartiges Verfahren wird auf der Grundlage der Galvanotechnik durchgeführt. Dazu wird zunächst eine geschlossene elektrisch leitende Kontaktier­ schicht auf dem Halbleiterwafer abgeschieden. Die dünne Kon­ taktierschicht kann aufgedampft oder aufgesputtert werden und trägt nicht unmittelbar zur Bimetallwirkung bei. Sie dient lediglich dazu, einen großflächigen Kontakt für die Abschei­ dung in der Galvanotechnik zu schaffen. Anschließend wird auf der Kontaktierungsschicht eine Keimschicht für die Galvanik selektiv aufgebracht. Dieses selektive Aufbringen der Keim­ schicht kann durch Zerstäuben bzw. Sputtern oder durch Auf­ dampftechnik durch eine Schattenmaske erfolgen. Nachdem somit die Geometrie der künftigen Bimetallstreifen durch die Keim­ schicht vorgegeben ist, kann nun in einem Galvanikbad auf dieser Keimschicht selektiv der Bimetallstreifen vervollstän­ digt werden. Nach Aufbringen sowohl der ersten als auch der zweiten Materialkomponente für den Bimetallstreifen bzw. nach dem ein allmählicher Übergang von der ersten Materialkompo­ nente zu der zweiten Materialkomponente des Bimetallstreifens geschaffen ist, kann die geschlossene großflächige elektrisch leitende Kontaktierungsschicht beispielsweise durch einen Nassätzschritt entfernt werden. Dabei ist es von Vorteil, dass diese Kontaktierungsschicht äußerst dünn mit wenigen Nanometern Dicke aufgetragen wurde.Another implementation example of the method concerns a process that at low or even lowest temp for separating bimetallic strips on one Semiconductor wafers can lead. Such a procedure will performed on the basis of electroplating technology. This will first a closed electrically conductive contact layer deposited on the semiconductor wafer. The thin con tacting layer can be evaporated or sputtered on and does not directly contribute to the bimetal effect. she serves just to have a large contact for the parting creating in electroplating technology. Then it turns on the contacting layer is a seed layer for electroplating selectively applied. This selective application of the germ layer can be by sputtering or sputtering or by Auf steam technology through a shadow mask. After thus the geometry of the future bimetal strips through the germ layer is specified, can now be in an electroplating bath selectively complete the bimetal strip of this germ layer be damaged. After applying both the first and the second material component for the bimetal strip or after a gradual transition from the first material compo nente to the second material component of the bimetal strip is created, the closed large-area electrical  conductive contacting layer, for example by a Wet etching step can be removed. It is an advantage that this contact layer is extremely thin with few Nanometer thickness was applied.

Sobald die unter der Kontaktierungsschicht liegende Polymer­ schicht oder Fotolackschicht entfernt ist, kann sich das freie Ende des Bimetallstreifens verformen und dabei von der Oberfläche des Halbleiterwafers abheben.Once the polymer is under the contacting layer layer or photoresist layer is removed, it can Deform the free end of the bimetallic strip and thereby from the Lift off the surface of the semiconductor wafer.

Als elektrische Kontaktierungsschicht kann in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens eine Beschichtung aus Titan, Tantal, Wolfram, Aluminium oder Kombinationen dersel­ ben auf die aktive Oberseite des Halbleiterwafers aufgebracht werden. Als Keimschicht eignen sich Beschichtungen aus Nic­ kel, Kupfer, Gold oder Legierungen derselben, die selektiv auf die Kontaktierungsschicht aufgebracht werden.The electrical contacting layer can be used in another Execution example of the method a coating Titanium, tantalum, tungsten, aluminum or combinations of these ben applied to the active top of the semiconductor wafer become. Nic coatings are suitable as the seed layer kel, copper, gold or alloys of the same, which are selective are applied to the contacting layer.

Ein Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen mit jeweils einem Halbleiterchip, der auf seiner aktiven Oberseite Kontaktflächen einer integrierten Schaltung auf­ weist, wird mit folgenden Verfahrensschritten hergestellt. Zunächst wird ein Halbleiterwafer hergestellt, der mehrere Halbleiterchips aufweist, wobei auf den Kontaktflächen der aktiven Oberseite des Halbleiterchips Bimetallstreifen ange­ ordnet sind. Die Bimetallstreifen sind auf den Kontaktflächen mit einem fixierten Ende aufgebracht und weisen ein freies flexibles Ende auf, das von der aktiven Oberseite des Halb­ leiterchips absteht. Auf die abstehenden freien Enden der Bi­ metallstreifen wird ein Prüfkopf aus einer Testleiterplatte unter Kontaktierung der Bimetallstreifen mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen der Testleiterplatte aufgebracht. An­ schließend wird mit Hilfe der Testleiterplatte unter Kontak­ tierung der Bimetallstreifen geprüft, welche der Halbleiter­ chips auf dem Halbleiterwafer funktionsfähige integrierte Schaltungen aufweisen. Die nicht funktionsfähigen Halbleiter­ chips werden markiert und anschließend wird der Halbleiterwa­ fer in funktionsfähige Halbleiterchips getrennt. Diese funk­ tionsfähigen Halbleiterchips können dann zu elektronischen Bauteilen unter Verwendung der Bimetallstreifen als Außenkon­ takte des elektronischen Bauteils verpackt werden.A process for the production of electronic components each with a semiconductor chip that is on its active Contact surfaces of an integrated circuit points, is produced with the following process steps. First, a semiconductor wafer is produced, the several Has semiconductor chips, wherein on the contact surfaces active top of the semiconductor chip bimetallic strips are arranged. The bimetal strips are on the contact surfaces applied with a fixed end and have a free flexible end on that of the active top of the half protrudes chips. On the protruding free ends of the bi A test head made of a test circuit board becomes a metal strip contacting the bimetallic strips with the corresponding ones Contact pads of the test circuit board applied. to closing with the help of the test circuit board under contact of the bimetallic strips, which of the semiconductors chips on the semiconductor wafer functional integrated Have circuits. The non-functional semiconductors chips are marked and then the semiconductor wa  fer separated into functional semiconductor chips. This funk tionable semiconductor chips can then become electronic Components using the bimetal strips as an outer con cycles of the electronic component are packaged.

Das Verpacken kann in einem weiteren Durchführungsbeispiel des Verfahrens dadurch verwirklicht werden, dass auf der Rückseite des Halbleiterwafers noch vor dem Trennen in ein­ zelne funktionsfähige Halbleiterchips oder elektronische Bau­ teile eine Schutzschicht als Gehäuse für elektronische Bau­ teile aufgebracht wird. Somit wird mit dem anschließenden Trennschritt nicht nur ein Halbleiterchip mit funktionsfähi­ gen Außenkontakten in Form von Bimetallstreifen erzeugt, son­ dern bereits vollständige elektronische Bauteil.The packaging can be carried out in a further exemplary embodiment of the procedure can be realized in that on the Back of the semiconductor wafer before it is cut into one individual functional semiconductor chips or electronic construction share a protective layer as a housing for electronic construction parts is applied. Thus, with the subsequent one Separation step not only a semiconductor chip with functional generated external contacts in the form of bimetal strips, son already complete electronic component.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass Prozesse zur Halblei­ terchipmontage zunehmend auf Halbleiterwaferebene durchge­ führt werden (WSA, Wafer Level Assembly). Dabei ergibt sich das Problem, dass das Testen der Halbleiterchips ebenfalls auf dem Halbleiterwafer erfolgen soll. Zu diesem Zweck wird eine elektrische und reversible Kontaktierung des Chips auf dem Wafer benötigt. Nach dem Testen der Chips werden funkti­ onsfähige Chips vereinzelt und montiert. Dazu ist eine dann neue und permanente Kontaktierung erforderlich. Somit wird zwischen Testkontaktierung und permanenter Kontaktierung un­ terschieden. Bei den erfindungsgemäßen elektronischen Bautei­ len entfällt diese Unterscheidung, da die Bimetallstreifen sowohl als Testkontaktierung als auch als permanente Kontak­ tierung des elektronischen Bauteils und damit als Außenkon­ takte dienen können. Somit ist das erfindungsgemäße elektro­ nische Bauteil den bisher bekannten Techniken überlegen.In summary, it can be said that processes for semi-work Terchip assembly increasingly on semiconductor wafer level be carried out (WSA, wafer level assembly). It follows the problem that testing the semiconductor chips as well to be done on the semiconductor wafer. For this purpose electrical and reversible contacting of the chip the wafer. After testing the chips, functi ons capable chips isolated and assembled. Then there is one new and permanent contact required. Thus between test contact and permanent contact un terschieden. In the electronic component according to the invention This distinction is not necessary because the bimetallic strips both as test contact and as permanent contact tion of the electronic component and thus as an external con clocks can serve. Thus, the electro according to the invention African component superior to the previously known techniques.

Zur Herstellung der Bimetallstreifen als Außenkontakte und als Testkontakte können Verfahren eingesetzt werden, die sich in der Halbleitertechnologie bewährt haben. Allerdings kann auf eine teure lithographische Strukturierung zur Darstellung der Bimetallstreifen verzichtet werden, was das erfindungsge­ mäße Verfahren wirtschaftlicher erscheinen lässt. Lediglich bis zur Realisierung des Wafers mittels Siliciumplanartechno­ logie werden lithographische Verfahren eingesetzt. Liegt je­ doch der Wafer nach der Prozessierung vor, so weist er eine passivierte Oberfläche auf, auf welcher geöffnete Kontaktflä­ chen in der Passivierungsschicht angeordnet sind.For the production of the bimetal strips as external contacts and Methods that can be used as test contacts have proven themselves in semiconductor technology. However, it can on an expensive lithographic structuring for display the bimetallic strips are dispensed with, which is the fiction  moderate procedures appear more economical. Only until the implementation of the wafer using silicon planar technology lithography processes are used. Lies ever but after the wafer is processed, it shows one passivated surface on which open contact surface Chen are arranged in the passivation layer.

Im Bereich von Kontaktöffnungen, die auch Pad-Öffnungen ge­ nannt werden, werden mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Me­ tallstreifen aufgebracht, welche auf einem Ende die Pads bzw. Kontaktflächen kontaktieren und mit dem anderen Ende oberhalb der Passivierungsschicht isoliert zur Metallisierung des Halbleiterchips verlaufen. Diese Metallstreifen sind so be­ schaffen, dass sie auf Grund der verfahrensmäßig eingebauten mechanischen Spannungen von der Waferoberfläche weggebogen sind, und so als elastische Kontaktzungen zur reversiblen elektrischen Kontaktierung des Wafers dienen können. Nach dem Test und nach dem Vereinzeln der funktionsfähigen getesteten Halbleiterchips werden diese Kontaktzungen oder Bime­ tallstreifen unmittelbar als Außenkontakte eines elektroni­ schen Bauteils eingesetzt und können auf einer Leiterplatte oder mit einem weiteren Halbleiterchip elektrisch verbunden werden. Dabei übernehmen die Kontaktzungen oder Bime­ tallstreifen die Funktion beispielsweise eines Interposers, d. h., sie gleichen durch ihre elastische Verformung die ther­ misch bedingten lateralen Bewegungen zwischen dem Halbleiter­ chip und der Leiterplatte aus.In the area of contact openings, which also ge pad openings are called, with the inventive method Me tall strips applied, which the pads or on one end Contact contact areas and with the other end above the passivation layer insulated for metallization of the Semiconductor chips run. These metal strips are so create that due to the procedural built-in mechanical stresses bent away from the wafer surface are, and so as elastic contact tongues for reversible electrical contacting of the wafer can serve. After this Test and after separating the functional tested Semiconductor chips become these contact tongues or bime tall stripes directly as external contacts of an electronic used component and can on a circuit board or electrically connected to another semiconductor chip become. The contact tongues or bime take over the function of an interposer, for example, d. that is, they resemble the ther through their elastic deformation mixed lateral movements between the semiconductor chip and the circuit board.

Die Bimetallstreifen bzw. Metallzungen können mit Hilfe eines Druckverfahrens, wie z. B. einem Sieb- oder Schablonendruck selektiv aufgebracht werden. Für den Sieb- oder Schablonen­ druck werden geeignete Metallpasten eingesetzt. Dabei handelt es sich um Pasten, die z. B. verzinkte Kupferkörner enthalten, die sich nach dem Drucken bei einer Temperatur von z. B. 52°C zu einem zäh-elastischen und schaumartigen metallischen Mate­ rial verbinden. The bimetallic strips or metal tongues can with the help of a Printing process such. B. a screen or stencil printing be applied selectively. For the sieve or stencil Suitable metal pastes are used for printing. It acts pastes, e.g. B. contain galvanized copper grains, which after printing at a temperature of e.g. B. 52 ° C to a tough-elastic and foam-like metallic mate rial connect.  

Wenn dieser Druckvorgang noch vor dem Entfernen des für die Kontaktöffnung verwendeten Fotolacks erfolgt, dann können nach Entfernen des Fotolacks freistehende Metallfedern oder Bimetallstreifen erzeugt werden. Auch kann durch zweimaliges Übereinanderdrucken von zwei unterschiedlichen Material­ schichten mit deutlich unterschiedlichem thermischem Ausdeh­ nungskoeffizienten oder entsprechend inneren Spannungen ein Bimetall erzeugt werden. Ein weiterer Vorteil ist, dass die so entstandenen Metallzungen oder Bimetallstreifen mit einer nicht oxidierenden Oberfläche beschichtet werden können, in­ dem die Oberfläche vergoldet wird.If this happens before you remove the Contact opening used photoresist takes place, then you can free-standing metal springs or after removing the photoresist Bimetal strips are generated. Also can be done twice Printing two different materials on top of each other layers with significantly different thermal expansion coefficient or corresponding internal stresses Bimetal can be generated. Another advantage is that the metal tongues or bimetallic strips with a non-oxidizing surface can be coated in to which the surface is gilded.

Mit Hilfe dieser Bimetallstreifen oder Metallfedern können die Halbleiterchips zum Burn-In und zum Test reversibel kon­ taktiert werden. Nach dem jeweiligen Test werden die Halblei­ terchips vereinzelt und derart auf eine Leiterplatte gesetzt, dass die Bimetallstreifen oder Metallfedern mit korrespondie­ renden Kontaktflächen auf der Board-Metallisierung bzw. Lei­ terplattenmetallisierung in Kontakt kommen. Ein Lot kann ent­ weder auf den Kontaktanschlussflächen der Leiterplattenmetal­ lisierung oder als ein Waferprozess vor dem Sägen auf die Bi­ metallstreifen oder Metallzungen aufgebracht werden.With the help of these bimetal strips or metal springs the semiconductor chips for burn-in and test reversible con be clocked. After the respective test, the semi-lead terchips isolated and placed on a circuit board like this, that the bimetal strips or metal springs correspond with contact surfaces on the board metallization or Lei plate metallization come into contact. A solder can ent neither on the contact pads of the PCB metal lization or as a wafer process before sawing on the bi metal strips or metal tongues are applied.

Das Aufbringen der Metallschichten für die Bimetallstreifen oder Kontaktzungen kann mittels thermischer Verdampfung oder mittels Zerstäubertechnik, wie es das Sputtern darstellt, durch eine Schattenmaske hindurch erfolgen. Dabei kommen hauptsächlich zwei Materialien mit deutlich unterschiedlichen mechanischen Daten wie Kupfer oder Aluminium in Kombination mit Wolfram oder Nickel zur Anwendung.The application of the metal layers for the bimetallic strips or contact tongues can be by means of thermal evaporation or by means of atomizing technology, such as sputtering, through a shadow mask. Come here mainly two materials with clearly different ones mechanical data such as copper or aluminum in combination with tungsten or nickel.

Ein weiteres geeignetes galvanisches Verfahren, wie es be­ reits oben erwähnt ist, erlaubt während der Abscheidung einer metallischen Schicht durch Einbau von Körnern eines anderen Materials einen senkrecht zur Oberfläche kontinuierlichen Verlauf der mechanischen Eigenschaften zu erzeugen. Hierzu wird zunächst ganzflächig auf dem Wafer eine Metallschicht aufgesputtert, die zur elektrischen Kontaktierung dient. Auf der so aufgetragenen Kontaktierungsschicht darf während des späteren Galvanikvorgangs jedoch kein Metall für die Bime­ tallstreifen aufwachsen. Mittels einer Schattenmaske werden dann im Bereich der Kontaktflächenöffnungen bzw. Pad- Öffnungen Flächen aus einem anderen Metall erzeugt. Dieses andere Metall bildet eine Keimschicht für die anschließende Galvanik.Another suitable galvanic process, as be already mentioned above, one is allowed during the deposition metallic layer by incorporating another's grains Material is continuous perpendicular to the surface Generate course of mechanical properties. For this a metal layer is first of all over the wafer  sputtered, which is used for electrical contacting. On the contacting layer applied in this way may during the later electroplating process no metal for the bime tall stripes growing up. Using a shadow mask then in the area of the contact surface openings or pad Openings created surfaces from another metal. This other metal forms a seed layer for the subsequent one Electroplating.

Für die elektrische Kontaktierung bieten sich als Metall Ti­ tan, Tantal, Wolfram und Aluminium oder Kombinationen davon an. Für die Keimschicht können Nickel, Kupfer oder Gold ver­ wendet werden. Lediglich im Bereich dieser Keimschicht wach­ sen durch die Galvanik die gewünschten Bimetallstreifen bzw. Metallzungen auf, wobei die Fremdkörner mit nach oben sinken­ dem Volumenanteil eingebaut werden, wenn die Fremdkörner ei­ nen höheren Ausdehnungskoeffizienten als das Basismetall auf­ weisen. Der Volumenanteil der Fremdkörner oder Partikel nimmt nach oben hin zu, wenn die Fremdkörner einen geringeren ther­ mischen Ausdehnungskoeffizienten als das Basismetall aufwei­ sen. Nach der Galvanik wird neben den Metallfedern oder Bime­ tallstreifen die ursprüngliche geschlossene Kontaktierungs­ schicht durch einen Nassätzschritt entfernt, um den Kurz­ schluss der nun entstandenen Test- und Außenkontakte zu ver­ meiden.For electrical contacting, Ti is the metal tan, tantalum, tungsten and aluminum or combinations thereof on. Nickel, copper or gold can be used for the seed layer be applied. Only awake in the area of this germ layer the desired bimetallic strips or Metal tongues, whereby the foreign particles sink upwards the volume fraction are installed when the foreign particles expansion coefficients higher than the base metal point. The volume fraction of foreign particles or particles increases towards the top when the foreign grains have a lower ther mix expansion coefficients than the base metal sen. After electroplating is next to the metal springs or bime the original closed contact layer by a wet etch step to remove the short conclusion of the test and external contacts that have now arisen avoid.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die beiliegenden Figuren näher erläutert.The invention will now be described with reference to embodiments explained in more detail on the accompanying figures.

Fig. 1 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils in perspektivischer, teilweise quer­ geschnittener Ansicht einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 1 shows schematically a section of an electronic component's perspective in a partially cross-sectional view of a first embodiment of the invention.

Fig. 2 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils in perspektivischer, teilweise quer­ geschnittener Ansicht der ersten Ausführungsform der Erfindung nach Abheben des freien Endes des Bi­ metallstreifens der Fig. 1., Fig. 2 shows schematically a section of an electronic component's perspective, partially cross-sectional view of the first embodiment of the invention after lifting the free end of the bi-metal strip of Fig. 1,

Fig. 3 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils in perspektivischer, teilweise quer­ geschnittener Ansicht einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 3 shows schematically a section of an electronic component's rule in a perspective, partially cross-sectional view of a second embodiment of the invention.

Fig. 4 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils in perspektivischer, teilweise quer­ geschnittener Ansicht einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Fig. 4 shows schematically a section of an electronic component's perspective in a partially cross-sectional view of a third embodiment of the invention.

Fig. 5 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen als Außenkontakte eines elektronischen Bauteils oder eines Halbleiterwafers mit anliegenden freien Enden der Bimetallstreifen. Fig. 5 schematically shows a line of bi-metal strip as external contacts of an electronic component or a semiconductor wafer, with adjacent free ends of the bimetallic strip.

Fig. 6 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen als Außenkontakte eines elektronischen Bauteils oder eines Halbleiterwafers mit von der aktiven Oberseite abstehenden freien Enden der Bime­ tallstreifen. Fig. 6 shows schematically a row of bimetallic strips as external contacts of an electronic component or a semiconductor wafer with free ends of the bimetallic strips protruding from the active top side.

Fig. 7 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen als Testkontakte eines elektronischen Bauteils oder eines Halbleiterwafers mit aufgesetztem Prüfkopf aus einer Leiterplatte oder einem Keramiksubstrat. FIG. 7 schematically shows a row of bimetal strips as test contacts of an electronic component or a semiconductor wafer with a test head made of a printed circuit board or a ceramic substrate.

Fig. 1 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils 1 in perspektivischer, teilweise quergeschnit­ tener Ansicht einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 1 kennzeichnet das Bezugszeichen 2 einen Halbleiter­ chip, das Bezugszeichen 3 die aktive Oberseite des Halblei­ terchips 2 und das Bezugszeichen 4 eine Kontaktfläche der ak­ tiven Oberfläche 3 des Halbleiterchips 2. Das Bezugszeichen 5 kennzeichnet einen Bimetallstreifen, der mit einem fixierten Ende 6 auf der Kontaktfläche 4 befestigt ist und mit seinem zweiten Ende 7 auf einer Zwischenschicht 22 aufliegt. Fig. 1 shows schematically a section of an electronic component's 1 in perspective, partially cross-section view of a first embodiment of the invention. In Fig. 1, reference numeral 2 denotes a semiconductor chip, numeral 3 the active top side of the semiconductor chips 2, and numeral 4 a contact surface of ak tive surface 3 of the semiconductor chips 2. The reference numeral 5 denotes a bimetallic strip which is fastened with a fixed end 6 on the contact surface 4 and with its second end 7 rests on an intermediate layer 22 .

Der Bimetallstreifen 5 ist in dieser Ausführungsform der Er­ findung abgewinkelt ausgebildet und weist eine Oberseite 10 und eine Unterseite 11 auf. Die Zwischenschicht 22 kann eine Fotolackschicht 18 sein, die zum Öffnen der Kontaktflächen 4 auf einem Halbleiterwafer 16 als letztes aufgebracht ist. Die Zwischenschicht 22 kann aber auch eine andere, dem Herstel­ lungsverfahren für dieses elektronische Bauteil angepasste Schicht aus einem Polymer sein. Diese Zwischenschicht 22 lässt die Kontaktflächen frei, so dass der Bimetallstreifen 5 unmittelbar mit seinem fixierten Ende 6 auf der Kontaktfläche aufgebracht werden kann.The bimetallic strip 5 is angled in this embodiment of the invention and has an upper side 10 and an underside 11 . The intermediate layer 22 can be a photoresist layer 18 , which is applied last to open the contact areas 4 on a semiconductor wafer 16 . The intermediate layer 22 can, however, also be another layer of a polymer adapted to the production method for this electronic component. This intermediate layer 22 leaves the contact areas free, so that the bimetallic strip 5 can be applied directly to the contact area with its fixed end 6 .

Die Bezugsziffer 17 kennzeichnet eine Isolationsschicht, die unmittelbar auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips 2 bzw. des Halbleiterwafers 16 aufgebracht ist. Leiterbahnen 24, die zu den Kontaktflächen 4 von der Struktur einer nicht gezeigten integrierten Schaltung führen, sind von der aktiven Oberseite des Halbleiterchips 2 bzw. des Halbleiterwafers 16 durch eine Isolierschicht 17 isoliert. Die Leiterbahnen 24 und die Isolierschicht 17 sind von einer Passivierungsschicht 25 abgedeckt, welche nur noch die Außenkontaktflächen 4 offen lässt.The reference number 17 denotes an insulation layer which is applied directly to the active upper side of the semiconductor chip 2 or the semiconductor wafer 16 . Conductor tracks 24 , which lead to the contact areas 4 from the structure of an integrated circuit, not shown, are insulated from the active top side of the semiconductor chip 2 or the semiconductor wafer 16 by an insulating layer 17 . The conductor tracks 24 and the insulating layer 17 are covered by a passivation layer 25 , which only leaves the external contact areas 4 open.

Der Bimetallstreifen 5, der mit einem Ende 6 auf der Kontakt­ fläche 4 fixiert ist, und mit dem anderen Ende 7 in Fig. 1 auf der Zwischenschicht 22 aufliegt, weist im Querschnitt zwei Materialkomponenten auf, wobei die erste Materialkompo­ nente 26 im Bereich der Unterseite des Bimetallstreifens 5 überwiegt, und die zweite Materialkomponente 27 im Bereich der Oberseite 10 des Bimetallstreifens überwiegt. Die beiden Materialkomponenten 26 und 27 unterscheiden sich in ihrem thermischen Ausdehnungsverhalten in der Weise, dass der ther­ mische Ausdehnungskoeffizient der Materialkomponente 26 grö­ ßer ist als der Ausdehnungskoeffizient der zweiten Material­ komponente 27, wenn von einer Herstellungstemperatur ausge­ gangen wird, die geringer ist als die Betriebstemperatur. Im Falle einer Herstellungstemperatur für den Bimetallstreifen, die höher ist als die Betriebstemperatur, ist die zweite Ma­ terialkomponente 27 im Bereich der Oberseite 10 des Bime­ tallstreifens 5 mit einem größeren thermischen Ausdehnungs­ koeffizienten auszustatten als die erste Materialkomponente 26 auf der Unterseite 11 des Bimetallstreifens 5, so dass die Oberseite 10 des Bimetallstreifens 5 nach der Herstellung stärker schrumpft als die Unterseite 11 des Bimetallstreifens 5, und damit der Bimetallstreifen 5 mit seinem freien Ende 7 von der Unterlage bzw. der Zwischenschicht 22 abhebt. Die Zwischenschicht 22, die entweder die letzte Fotolackschicht der Halbleiterherstellungsprozesse ist oder eine an die Her­ stellung der Bimetallstreifen 5 angepasste Polymerschicht ist, kann nach dem Herstellen der Bimetallstreifen 5 von der Oberfläche der Passivierungsschicht 25 entfernt werden.The bimetallic strip 5 , which is fixed with one end 6 on the contact surface 4 , and with the other end 7 in Fig. 1 on the intermediate layer 22 , has two material components in cross section, the first material component 26 in the region of the underside of the bimetal strip 5 predominates, and the second material component 27 predominates in the area of the top 10 of the bimetal strip. The two material components 26 and 27 differ in their thermal expansion behavior in such a way that the thermal expansion coefficient of the material component 26 is greater than the expansion coefficient of the second material component 27 , if it is assumed that the manufacturing temperature is lower than the operating temperature , In the case of a manufacturing temperature for the bimetallic strip which is higher than the operating temperature, the second material component 27 in the area of the upper side 10 of the bimetallic strip 5 is to be equipped with a greater coefficient of thermal expansion than the first material component 26 on the underside 11 of the bimetallic strip 5 , so that the top 10 of the bimetallic strip 5 after production shrinks more than the bottom 11 of the bimetallic strip 5, and thus the bimetallic strip 5 with its free end 7 of the support or the intermediate layer 22 lifts off. The intermediate layer 22, either the last photoresist layer of the semiconductor manufacturing processes is or is connected to the bimetallic strip Her of the position 5 adapted polymer layer, the bimetallic strip 5 can be removed from the surface of the passivation layer 25 after forming.

Fig. 2 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils 1 in perspektivischer, teilweise quergeschnit­ tener Ansicht der ersten Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 1 nach Abheben des freien Endes 7 des Bimetallstreifens 5 von der aktiven Oberseite 3 des Halbleiterchips 2 des Halb­ leiterwafers 16. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in Fig. 1 erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekenn­ zeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 2 shows schematically a section of an electronic component's 1 in perspective, partially cross-sectioned view of the first embodiment of the invention according to FIG. 1 after lifting the free end 7 of the bimetallic strip 5 from the active top 3 of the semiconductor chip 2 of the semiconductor wafer 16th Components that perform the same functions as in Fig. 1 are marked with the same reference numerals and not explained in detail.

In Fig. 2 ist die Zwischenschicht 22, die in Fig. 1 zu se­ hen ist, zwischenzeitlich entfernt, so dass der Aufbau des Halbleiterchips 2 des Halbleiterwafers 16 auf seiner Oberflä­ che eine Isolationsschicht 17 aufweist, in der die Kontakt­ flächen 4 angeordnet sind, und auf der die Leiterbahnen 24 verlaufen, welche die Kontaktflächen des Halbleiterwafers mit Elektroden der elektronischen Komponenten einer integrierten Schaltung verbinden. Den Abschluss bildet eine Passivierungs­ schicht 25 aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid zum Schutz sowohl der Leiterbahnen als auch der Isolationsschicht 17, die lediglich die metallischen Kontaktflächen 4 auf der akti­ ven Oberseite des Halbleiterchips 2 bzw. des Halbleiterwafers 16 frei lässt. Auf Grund der thermischen Verhältnisse sowie auf Grund des Entfernens der Zwischenschicht 22 ist das freie Ende 7 des Bimetallstreifens 5 von der Oberseite der Passi­ vierungsschicht 25 abgehoben und ragt als elastische Kontakt­ zunge bzw. als Bimetallstreifen 5 über die Oberfläche des Halbleiterchips 2 bzw. des Halbleiterwafers 16 hinaus.In FIG. 2, the intermediate layer 22, which is in Fig. 1 to se hen, temporarily removed, so that the structure of the semiconductor chip 2 of the semiconductor wafer 16 on its Oberflä surface, an insulating layer 17 is having, in which the contact surfaces 4 are arranged, and on which the conductor tracks 24 run, which connect the contact surfaces of the semiconductor wafer to electrodes of the electronic components of an integrated circuit. The conclusion is a passivation layer 25 made of silicon dioxide or silicon nitride to protect both the conductor tracks and the insulation layer 17 , which only leaves the metallic contact surfaces 4 on the active top side of the semiconductor chip 2 or the semiconductor wafer 16 free. Due to the thermal conditions and due to the removal of the intermediate layer 22 , the free end 7 of the bimetallic strip 5 is lifted from the top of the passivation layer 25 and projects as an elastic contact tongue or as a bimetallic strip 5 over the surface of the semiconductor chip 2 or the semiconductor wafer 16 beyond.

Mit einer gestrichelten Linie in dem Querschnitt 9 des Bime­ tallstreifens 5 ist eine neutrale Phase 28 markiert, in der sich die Unterschiede in dem thermischen Verhalten der ersten Materialkomponente und der zweiten Materialkomponente aufhe­ ben. Oberhalb der neutralen Phase 28 dehnt sich das Material geringer aus als unterhalb der neutralen Phase 28. Dieser Un­ terschied in dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten kann durch unterschiedliche Konzentration von Legierungskomponen­ ten oder durch Einsatz unterschiedlicher Basismetalle ober­ halb und unterhalb der neutralen Phase erreicht werden. Auch ein Übergang von einer Legierungskomponente eines Basisme­ talls zu einer zweiten Legierungskomponente eines Basisme­ talls können Unterschiede im Ausdehnungskoeffizienten hervor rufen, so dass ein Abstehen des freien Endes 7 des Bime­ tallstreifens 5 erreicht werden kann.With a dashed line in the cross section 9 of the bimetal strip 5 , a neutral phase 28 is marked, in which the differences in the thermal behavior of the first material component and the second material component are eliminated. Above the neutral phase 28 , the material expands less than below the neutral phase 28 . This difference in the coefficient of thermal expansion can be achieved by varying the concentration of alloy components or by using different base metals above and below the neutral phase. A transition from an alloy component of a base metal to a second alloy component of a base metal can cause differences in the expansion coefficient, so that a protrusion of the free end 7 of the bimetallic strip 5 can be achieved.

Eine weitere Möglichkeit der Beeinflussung des thermischen Ausdehnungsverhaltens des Bimetallstreifens 5 kann durch un­ terschiedliche Zugabe von Fremdmaterialpartikeln erreicht werden, wie es nachfolgend in Fig. 4 gezeigt wird.A further possibility of influencing the thermal expansion behavior of the bimetal strip 5 can be achieved by adding different foreign material particles, as is shown below in FIG. 4.

Mit der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform wird vorteilhaft erreicht, dass das freie Ende 7 sich deutlich von der Ober­ fläche der Passivierungsschicht 25 abhebt und somit als ela­ stischer Testkontakt sowie auch als elastischer Außenkontakt eines elektronischen Bauteils dienen kann. Mit mehreren die­ ser Bimetallstreifen auf einem Halbleiterwafer 16 oder einem elektronischen Bauteil 1 können diese Bimetallstreifen die Funktion eines Interposers aufnehmen, der die Aufgabe hat, laterale Verschiebungen in x- und y-Richtung auf Grund von thermischer Beeinflussung zwischen einem elektronischen Bau­ teil 1 mit einem Halbleiterchip 2 und einer elektronischen Schaltung auf einem Keramiksubstrat oder einer Leiterplatte auszugleichen. Für diesen Ausgleich ist es gleichzeitig von Vorteil, dass das in Fig. 1 und Fig. 2 gezeigte Ausfüh­ rungsbeispiel eines Bimetallstreifens 5 eine abgewinkelte Form aufweist, welche die Verschiebefreiheitsgrade wesentlich erhöht, so dass sowohl in X- als auch in Y-Richtung Relativ­ bewegungen der zu verbindenden Komponenten ausgeglichen wer­ den können.With the embodiment shown in FIG. 2 it is advantageously achieved that the free end 7 stands out clearly from the upper surface of the passivation layer 25 and can thus serve as an elastic test contact and also as an elastic external contact of an electronic component. With several of these bimetallic strips on a semiconductor wafer 16 or an electronic component 1 , these bimetallic strips can take on the function of an interposer, which has the task of making lateral displacements in the x- and y-direction due to thermal influence between an electronic component 1 and one Compensate semiconductor chip 2 and an electronic circuit on a ceramic substrate or a circuit board. For this balance it is also advantageous that the exporting shown in Fig. 1 and Fig. 2 approximately, for example a bimetallic strip 5 has a bent shape that the displacement degrees of freedom significantly increased movements, so that both the X and Y directions relative of the components to be connected who can compensate.

Fig. 3 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils in perspektivischer, teilweise quergeschnitte­ ner Ansicht einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Kom­ ponenten, die gleiche Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekenn­ zeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 3 shows schematically a section of an electronic component's perspective, partially cross-sectional view of a second embodiment of the invention. Components that perform the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and are not explained in detail.

Ein wesentlicher Unterschied zur Ausführungsform der Fig. 1 besteht bei der Ausführungsform nach Fig. 3 darin, dass das freie Ende 7 eine Beschichtung 12 aufweist. Diese Beschich­ tung 12 kann der Verbesserung des Testkontaktes dienen oder auch zur Verbesserung der Löteigenschaften beitragen. Zur Verbesserung des Testkontaktes besteht die Beschichtung 12 aus einem Edelmetall wie Gold, das weder sulfidiert noch oxi­ diert. Für eine Verbesserung der Löteigenschaften des freien Endes 7 des Bimetallstreifens 5 kann die Beschichtung auch aus einem lötbaren Material, wie einem Silberlot, bestehen.An essential difference from the embodiment in FIG. 1 in the embodiment in FIG. 3 is that the free end 7 has a coating 12 . This coating 12 can serve to improve the test contact or also to improve the soldering properties. To improve the test contact, the coating 12 consists of a noble metal such as gold, which neither sulfides nor oxides. To improve the soldering properties of the free end 7 of the bimetallic strip 5 , the coating can also consist of a solderable material, such as a silver solder.

Die Beschichtung 12 wird noch auf dem Waferlevel für mehrere Halbleiterchips 2 auf den Halbleiterwafer 16 gleichzeitig aufgebracht. Nach dem Entfernen der Zwischenschicht 22, die aus einer Fotolackschicht 18 oder aus einer Polymerschicht besteht, kann sich je nach den thermischen Eigenschaften der verwendeten Materialkomponente in dem Bimetallstreifen das freie Ende 7 mit seiner Beschichtung 12 von der Oberfläche 25 der Passivierungsschicht abheben und eine elastische Kontakt­ zunge bilden, die als Außenkontakt des elektronischen Bau­ teils sowie als Testkontakt des Halbleiterwafers 16 dienen kann. The coating 12 is simultaneously applied to the semiconductor wafer 16 at the wafer level for a plurality of semiconductor chips 2 . After removal of the intermediate layer 22 , which consists of a photoresist layer 18 or a polymer layer, depending on the thermal properties of the material component used in the bimetallic strip, the free end 7 with its coating 12 can stand out from the surface 25 of the passivation layer and an elastic contact form tongue, which can serve as an external contact of the electronic construction part and as a test contact of the semiconductor wafer 16 .

Fig. 4 zeigt schematisch einen Ausschnitt eines elektroni­ schen Bauteils 1 in perspektivischer, teilweise quergeschnit­ tener Ansicht einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekenn­ zeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 4 shows schematically a section of an electronic component's 1 in perspective, partially cross-section view of a third embodiment of the invention. Components that perform the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and are not explained in detail.

In dieser dritten Ausführungsform der Erfindung wurden in das Basismetall 14 des Bimetallstreifens 5 Partikel 13 eingebaut. Diese Partikel 13 sind in der dritten Ausführungsform der Er­ findung, wie sie in Fig. 4 gezeigt wird, im unteren Bereich des Bimetallstreifens 5 mit geringer Konzentration vorgesehen und mit zunehmender Konzentration in dem Bereich der Obersei­ te 10 des Bimetallstreifens 5 eingebaut. Dabei ist der Aus­ dehnungskoeffizient des Partikelmaterials geringer als der Ausdehnungskoeffizient des Basismetalls. In diesem Fall wur­ den Keramikpartikel 15 in den Bimetallstreifen 5 eingebaut. Beim Einbau von Partikeln 13 mit höherem Ausdehnungskoeffizi­ enten als das Basismetall 14 wird die Konzentration der ein­ gebauten Partikel 13 zur Unterseite 11 des Bimetallstreifens 5 hin zunehmen. Partikel 13 mit höherem Ausdehnungskoeffizi­ enten als das Basismetall 14 können beispielsweise Kunst­ stoffpartikel sein.In this third embodiment of the invention, 5 particles 13 were built into the base metal 14 of the bimetal strip 5 . These particles 13 are provided in the third embodiment of the invention, as shown in FIG. 4, in the lower region of the bimetal strip 5 with a low concentration and with increasing concentration in the region of the upper surface 10 of the bimetal strip 5 . The coefficient of expansion of the particle material is less than the coefficient of expansion of the base metal. In this case, the ceramic particles 15 were installed in the bimetallic strip 5 . When installing particles 13 with a higher coefficient of expansion than the base metal 14 , the concentration of the built-in particles 13 will increase towards the underside 11 of the bimetallic strip 5 . Particles 13 with a higher coefficient of expansion than the base metal 14 can be plastic particles, for example.

Fig. 5 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen 5 als Außenkontakte 23 eines elektronischen Bauteils 1 oder ei­ nes Halbleiterwafers 16. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit glei­ chen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 5 schematically shows a row of bimetallic strip 5 as external contacts 23 of an electronic component 1 or egg nes semiconductor wafer 16. Components that perform the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and are not explained in detail.

Eine derartige Zeile aus Außenkontakten 23 eines elektroni­ schen Bauteils 1 kann anstelle eines Bondkanals für ein elek­ tronisches Bauteil vorgesehen werden. Der Vorteil dieser Zei­ le ist, dass das frei liegende Ende 7 jedes Bimetallstreifens 5 unmittelbar als Testkontakt oder als Außenkontakt dienen kann. Somit können derartige Zeilen auch für mehrere Halblei­ terchips 2 auf einem Halbleiterwafer 16 für Testzwecke einge­ setzt werden. Wenn der Funktionstest ergibt, dass ein funkti­ onsfähiger Halbleiterchip vorliegt, können diese Bime­ tallstreifen 5 gleichzeitig Außenkontakte 23 eines funktions­ fähigen elektronischen Bauteils 1 darstellen. Während in Fig. 5 noch die Zwischenschicht 22 auf dem Halbleiterwafer bzw. auf dem Halbleiterchip 2 vorhanden ist, ist diese Schicht in Fig. 6 entfernt.Such a row of external contacts 23 of an electronic component 1 can be provided instead of a bond channel for an electronic component. The advantage of this line is that the exposed end 7 of each bimetallic strip 5 can serve directly as a test contact or as an external contact. Thus, lines of this type can also be used for a plurality of semiconductor chips 2 on a semiconductor wafer 16 for test purposes. If the function test shows that a functional semiconductor chip is present, these bimetal strips 5 can simultaneously represent external contacts 23 of a functional electronic component 1 . While the intermediate layer 22 is still present on the semiconductor wafer or on the semiconductor chip 2 in FIG. 5, this layer is removed in FIG. 6.

Fig. 6 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen 5 eines elektronischen Bauteils 1 oder eines Halbleiterwafers 16 mit von der aktiven Oberseite 4 abstehenden freien Enden 7 des Bimetallstreifens 5. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit glei­ chen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 6 schematically shows a row of bimetallic strip 5 of an electronic component 1 or of a semiconductor wafer 16 with protruding from the active top surface 4 free ends 7 of the bimetallic strip 5. Components that perform the same functions as in the previous figures are identified by the same reference numerals and are not explained in detail.

Diese freien Enden 7 wirken wie Kontaktzungen, die sowohl als Testspitzen oder Testkontakte als auch als Außenkontakte 23 eines Halbleiterwafers 16 bzw. eines elektronischen Bauteils 1 dienen können. Auf Grund der hohen Elastizität des Bime­ tallstreifens 16 kann diese Zeile auch als Interposer dienen, der die Aufgabe hat, thermische Ausdehnungsunterschiede zwi­ schen einem elektronischen Bauteil 1 und einer Leiterplatte für das elektronische Bauteil 1 auszugleichen. Darüber hinaus können Verwölbungen sowohl des elektronischen Bauteils 1 als auch der Leiterplatte durch die elastischen, von der Oberflä­ che abstehenden freien Enden 7 der Bimetallstreifen 5 ausge­ glichen werden.These free ends 7 act like contact tongues, which can serve both as test tips or test contacts and as external contacts 23 of a semiconductor wafer 16 or an electronic component 1 . Due to the high elasticity of the bimetal strip 16 , this line can also serve as an interposer, which has the task of compensating for thermal expansion differences between an electronic component 1 and a printed circuit board for the electronic component 1 . In addition, warping of both the electronic component 1 and the circuit board can be compensated by the elastic, projecting from the surface surface free ends 7 of the bimetallic strips 5 .

Fig. 7 zeigt schematisch eine Zeile von Bimetallstreifen 5 als Testkontakte 31 eines elektronischen Bauteils 1 oder ei­ nes Halbleiterwafers 16 mit aufgesetztem Prüfkopf 29 aus ei­ ner Leiterplatte 30. Komponenten, die gleiche Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren erfüllen, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht näher erläutert. Fig. 7 shows schematically a line of bimetallic strips 5 as test contacts 31 of an electronic component 1 or egg nes semiconductor wafer 16 with a test head 29 from egg ner printed circuit board 30th Components that perform the same functions as in the previous figures are identified by the same reference symbols and are not explained in detail.

Der Prüfkopf 29 kann in Pfeilrichtung A gleichzeitig auf sämtliche Testkontakte 31 eines Halbleiterchips 2 oder eines Halbleiterwafers 16 gesetzt werden und dabei in Berührung mit Kontaktanschlussflächen 32 des Testkopfes 29 gebracht werden. Wenn die freien Enden 7 der elastischen Bimetallstreifen 5 mit einer nicht oxidierenden Beschichtung veredelt worden sind, ist eine gute Kontaktgabe möglich.The test head 29 can be placed in the arrow direction A simultaneously on all test contacts 31 of a semiconductor chip 2 or a semiconductor wafer 16 and can thereby be brought into contact with contact connection surfaces 32 of the test head 29 . If the free ends 7 of the elastic bimetallic strips 5 have been finished with a non-oxidizing coating, good contact is possible.

Der Prüfkopf 29, der im wesentlichen aus einer mehrlagigen Leiterplatte 30 besteht, führt über mehrere Leiterbahnebenen und Durchkontakte 33 einen Funktionstest aus, womit bei­ spielsweise auf dem Halbleiterwaferlevel funktionsfähige und nicht funktionsfähige elektronische Bauteile festgestellt werden können. Erst nach einem derartigen Test mit einem Prüfkopf 29 kann festgelegt werden, welcher der Halbleiter­ chips 2 auf einem Halbleiterwafer 16 für die Weiterverarbei­ tung in Frage kommt. Mit dieser Ausführungsform der Erfindung wird vor allen Dingen eine Fehlinterpretation der Funktions­ fähigkeit von Halbleiterchips 2 auf einem Halbleiterwafer 16 vermieden, so dass eine höhere Ausbeute an funktionsfähigen elektronischen Bauteilen eines Halbleiterwafers 16 zu erwar­ ten ist. The test head 29 , which essentially consists of a multilayer printed circuit board 30 , carries out a function test over several interconnect levels and through contacts 33 , with which functional and non-functional electronic components can be determined, for example, at the semiconductor wafer level. Only after such a test with a test head 29 can it be determined which of the semiconductor chips 2 on a semiconductor wafer 16 is suitable for further processing. With this embodiment of the invention, above all, a misinterpretation of the functionality of semiconductor chips 2 on a semiconductor wafer 16 is avoided, so that a higher yield of functional electronic components of a semiconductor wafer 16 is to be expected.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11

elektrisches Bauteil
electrical component

22

Halbleiterchip
Semiconductor chip

33

aktive Oberseite
active top

44

Kontaktfläche
contact area

55

Bimetallstreifen
bimetallic strip

66

fixiertes Ende
fixed end

77

freies Ende
free end

88th

abgewinkelter Bimetallstreifen
angled bimetal strip

99

Querschnitt des Bimetallstreifens
Cross section of the bimetal strip

1010

Oberseite des Bimetallstreifens
Top of the bimetal strip

1111

Unterseite des Bimetallstreifens
Underside of the bimetal strip

1212

Beschichtung
coating

1313

Partikel
particle

1414

Basismetall
base metal

1515

Keramikpartikel
ceramic particles

1616

Halbleiterwafer
Semiconductor wafer

1717

Isolationsschicht
insulation layer

1818

Fotolackmaske
Photoresist mask

1919

Testleiterplatte
Test board

2020

Kontaktanschlussfläche der Testleiterplatte
Contact pad of the test circuit board

2121

Passive Rückseite
Passive back

2222

Zwischenschicht
interlayer

2323

Außenkontakte
external contacts

2424

Leiterbahn
conductor path

2525

Passivierungsschicht
passivation

2626

erste Materialkomponente
first material component

2727

zweite Materialkomponente
second material component

2828

neutrale Phase
neutral phase

2929

Prüfkopf
probe

3030

Leiterplatte
circuit board

3131

Testkontakt
test Contact

3232

Kontaktanschluss
Contact Termination

3333

Durchkontakte
through contacts

Claims (45)

1. Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip (2), der auf seiner aktiven Oberseite (3) Kontaktflächen (4) ei­ ner integrierten Schaltung aufweist, wobei auf den Kon­ taktflächen (4) Bimetallstreifen (5) angeordnet sind, die ein fixiertes Ende (6), das mit der Kontaktfläche (4) verbunden ist, und ein freies flexibles Ende (7), das von der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) absteht, aufweist.1. Electronic component with a semiconductor chip ( 2 ) having on its active top ( 3 ) contact surfaces ( 4 ) egg ner integrated circuit, on the contact surfaces ( 4 ) bimetallic strips ( 5 ) are arranged, which have a fixed end ( 6 ), which is connected to the contact surface ( 4 ), and has a free flexible end ( 7 ) which protrudes from the active top side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ). 2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein abgewinkelter Bimetallstreifen (8) auf den Kontakt­ flächen (4) angeordnet ist.2. Electronic component according to claim 1, characterized in that an angled bimetallic strip ( 8 ) on the contact surfaces ( 4 ) is arranged. 3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) zwei Materialkomponenten auf­ weist, die im Querschnitt (9) des Bimetallstreifens (5) von der Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) in Rich­ tung auf die Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) ineinander übergehen, in der Weise, dass auf der Unter­ seite (11) des Bimetallstreifens (5) eine erste Materi­ alkomponente überwiegt und auf der Oberseite des Bime­ tallstreifens einer zweite Materialkomponente überwiegt.3. Electronic component according to claim 1 or claim 2, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has two material components, the cross-section ( 9 ) of the bimetallic strip ( 5 ) from the top ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ) in Rich direction on the top ( 10 ) of the bimetallic strip ( 5 ) merge into one another in such a way that a first material component predominates on the underside ( 11 ) of the bimetallic strip ( 5 ) and a second material component predominates on the top of the bimetallic strip. 4. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste und in die zweite Komponente in ihrem thermischen Ausdehnungsverhalten in der Weise unter­ scheiden, dass die erste Materialkomponente einen höhe­ ren thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist als die zweite Materialkomponente.4. Electronic component according to claim 3, characterized in that the first and the second component in their thermal expansion behavior in the manner below divide that the first material component has a height ren has thermal expansion coefficient as the second material component. 5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ spräche, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) auf seiner Oberseite (10) eine oxidationsfeste Beschichtung (12) aufweist.5. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetal strip ( 5 ) on its upper side ( 10 ) has an oxidation-resistant coating ( 12 ). 6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) auf seiner Oberseite (10)eine Beschichtung (12) aus Gold oder einer Goldlegierung aufweist.6. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) on its upper side ( 10 ) has a coating ( 12 ) made of gold or a gold alloy. 7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) eine Be­ schichtung (12) aus einer lötbaren Legierung aufweist.7. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) has a loading coating ( 12 ) made of a solderable alloy. 8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) eine Be­ schichtung (12) aus einer Silberlotlegierung aufweist.8. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) has a loading coating ( 12 ) made of a silver solder alloy. 9. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) als erste Materialkomponente eine Kupferlegierung aufweist und als zweite Material­ komponente eine Aluminiumlegierung aufweist.9. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a copper alloy as the first material component and an aluminum alloy as the second material component. 10. Elektronische Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Kupferlegierung aufweist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Legierungskomponen­ ten und/oder unterschiedliche Konzentrationen von Legie­ rungskomponeten aufweist.10. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a copper alloy which has different alloy components and / or different concentrations of alloy components for the first material component and for the second material component. 11. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Aluminiumlegierung auf­ weist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Legierungs­ komponenten aufweist.11. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has an aluminum alloy which has different alloy components for the first material component and for the second material component. 12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Aluminiumlegierung auf­ weist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Konzentratio­ nen einer Legierungskomponente aufweist.12. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has an aluminum alloy which has different concentrations of an alloy component for the first material component and for the second material component. 13. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) Zink, Zinn, Silicium, Wolfram oder Nickel als Legierungskomponenten aufweist.13. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has zinc, tin, silicon, tungsten or nickel as alloy components. 14. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall mit eingebauten Partikeln aufweist, wobei die Partikel einen größerem Ausdehnungskoeffizienten als das Basismaterial aufweisen und die Konzentration der Partikel von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) abneh­ men.14. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal with built-in particles, the particles having a larger expansion coefficient than the base material and the concentration of the particles from the bottom ( 11 ) to the top Remove ( 10 ) the bimetallic strip ( 5 ). 15. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall mit eingelager­ tem Bindemittel aufweist, das einen höheren Ausdehnungs­ koeffizienten als das Basismetall (14) aufweist, wobei der Anteil des Bindemittels zur Oberseite (10) des Bime­ tallstreifens (5)abnimmt.15. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal with embedded binder, which has a higher expansion coefficient than the base metal ( 14 ), the proportion of the binder to the top ( 10 ) of the bime tall strips ( 5 ) decreases. 16. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall mit eingebauten Partikeln (13) aufweist, wobei die Partikel (13) einen geringeren Ausdehnungskoeffizienten als das Basismetall (14) aufweisen und die Konzentration der Partikel (13) von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bime­ tallstreifens (5) zunehmen.16. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal with built-in particles ( 13 ), the particles ( 13 ) having a lower expansion coefficient than the base metal ( 14 ) and the concentration of Increase particles ( 13 ) from the bottom ( 11 ) to the top ( 10 ) of the bimetal strip ( 5 ). 17. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall (14) mit einge­ bauten Keramikpartikeln (15) aufweist, wobei die Konzen­ tration der Keramikpartikel (15) von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) zunehmen.17. Electronic component according to one of the preceding claims, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal ( 14 ) with built-in ceramic particles ( 15 ), the concentration of the ceramic particles ( 15 ) from the underside ( 11 ) to Increase the top ( 10 ) of the bimetal strip ( 5 ). 18. Halbleiterwafer mit Kontaktflächen (4) mehrerer inte­ grierter Schaltungen auf seiner aktiven Oberseite (3), wobei auf den Kontaktflächen (4) Bimetallstreifen (5) angeordnet sind, die ein fixiertes Ende (6), das mit je­ weils einer Kontaktfläche (4) verbunden ist, und ein freies flexibles Ende (7), das von der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) absteht, aufweist.18. Semiconductor wafer with contact surfaces ( 4 ) of a plurality of integrated circuits on its active upper side ( 3 ), bimetal strips ( 5 ) being arranged on the contact surfaces ( 4 ), which have a fixed end ( 6 ), each with a contact surface ( 4th ) and has a free flexible end ( 7 ) which projects from the active upper side ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ). 19. Halbleiterwafer nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass ein abgewinkelter Bimetallstreifen (8) auf den Kontakt­ flächen (4) angeordnet ist. 19. Semiconductor wafer according to claim 18, characterized in that an angled bimetallic strip ( 8 ) on the contact surfaces ( 4 ) is arranged. 20. Halbleiterwafer nach Anspruch 18 oder Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) zwei Materialkomponenten auf­ weist, die im Querschnitt des Bimetallstreifens (5) von der Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) in Richtung auf die Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) inein­ ander übergehen, in der Weise, dass auf der Unterseite (11) des Bimetallstreifens (5) eine erste Materialkompo­ nente überwiegt und auf der Oberseite (10) des Bime­ tallstreifens (5) eine zweite Materialkomponente über­ wiegt.20. The semiconductor wafer according to claim 18 or claim 19, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has two material components, which in cross section of the bimetallic strip ( 5 ) from the top ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ) towards the top ( 10 ) of the bimetallic strip ( 5 ) merge into one another in such a way that on the underside ( 11 ) of the bimetallic strip ( 5 ) a first material component predominates and on the upper side ( 10 ) of the bimetallic strip ( 5 ) a second material component weighs. 21. Halbleiterwafer nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste und in die zweite Komponente in ihrem thermischen Ausdehnungsverhalten in der Weise unter­ scheiden, dass die erste Materialkomponente einen höhe­ ren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als die zweite Materialkomponente aufweist.21. The semiconductor wafer according to claim 20, characterized in that the first and the second component in their thermal expansion behavior in the manner below divide that the first material component has a height ren thermal expansion coefficient than the second Has material component. 22. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) auf seiner Oberseite (10) eine oxidationsfeste Beschichtung (12) aufweist.22. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 21, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) has an oxidation-resistant coating ( 12 ) on its upper side ( 10 ). 23. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) auf seiner Oberseite (10) eine Beschichtung (12) aus Gold oder ei­ ner Goldlegierung aufweist.23. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 22, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) on its upper side ( 10 ) has a coating ( 12 ) made of gold or a gold alloy. 24. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) eine Be­ schichtung (12) aus einer lötbaren Legierung aufweist. 24. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 23, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) has a coating ( 12 ) made of a solderable alloy. 25. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das freie Ende (7) des Bimetallstreifens (5) eine Be­ schichtung (12) aus einer Silberlotlegierung aufweist.25. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 24, characterized in that the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ) has a coating ( 12 ) made of a silver solder alloy. 26. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Kupferlegierung aufweist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Legierungskomponen­ ten aufweist.26. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 25, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a copper alloy which has different alloy components for the first material component and for the second material component. 27. Halbleiter Wafer nach einem der Ansprüche 18 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Kupferlegierung aufweist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Konzentrationen ei­ ner Legierungskomponente aufweist.27. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 26, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a copper alloy which has different concentrations of an alloy component for the first material component and for the second material component. 28. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Aluminiumlegierung auf­ weist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Legierungs­ komponenten ist aufweist.28. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 27, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has an aluminum alloy which has different alloy components for the first material component and for the second material component. 29. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) eine Aluminiumlegierung auf­ weist, die für die erste Materialkomponente und für die zweite Materialkomponente unterschiedliche Konzentratio­ nen einer Legierungskomponente aufweist.29. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 28, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has an aluminum alloy which has different concentrations of an alloy component for the first material component and for the second material component. 30. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) Zink, Zinn, Silicium, Wolfram oder Nickel als Legierungskomponenten aufweist.30. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 29, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has zinc, tin, silicon, tungsten or nickel as alloy components. 31. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall mit eingebauten Partikeln aufweist, wobei die Partikel einen größerem Ausdehnungskoeffizienten als das Basismaterial aufweisen und die Konzentration der Partikel von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) abneh­ men.31. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 30, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal with built-in particles, the particles having a larger coefficient of expansion than the base material and the concentration of the particles from the bottom ( 11 ) to the top Remove ( 10 ) the bimetallic strip ( 5 ). 32. Halbleiterwafer nach einem Ansprüche 18 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall mit eingelager­ tem Bindemittel aufweist, das einen höheren Ausdehnungs­ koeffizienten als das Basismetall (14)aufweist, wobei der Anteil des Bindemittels zur Oberseite (10) des Bime­ tallstreifens (5) abnimmt.32. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 31, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal with embedded binder, which has a higher expansion coefficient than the base metal ( 14 ), the proportion of the binder to the top ( 10 ) of the bime tall strips ( 5 ) decreases. 33. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifen (5) ein Basismetall (14) mit einge­ bauten Partikeln (13) aufweist, wobei die Partikel (13) einen geringeren Ausdehnungskoeffizienten als das Basis­ material (14) aufweisen und die Konzentration der Parti­ kel (13) von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) zunehmen.33. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 32, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal ( 14 ) with built-in particles ( 13 ), the particles ( 13 ) having a lower expansion coefficient than the base material ( 14 ) have and the concentration of Parti kel ( 13 ) from the bottom ( 11 ) to the top ( 10 ) of the bimetallic strip ( 5 ) increase. 34. Halbleiterwafer nach einem der Ansprüche 18 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass der Bimetallstreifens (5) ein Basismetall (14) mit ein­ gebauten Keramikpartikeln (15) aufweist, wobei die Kon­ zentration der Keramikpartikel (15) von der Unterseite (11) zur Oberseite (10) des Bimetallstreifens (5) zuneh­ men. 34. Semiconductor wafer according to one of claims 18 to 33, characterized in that the bimetallic strip ( 5 ) has a base metal ( 14 ) with a built-in ceramic particles ( 15 ), the concentration of the ceramic particles ( 15 ) from the underside ( 11 ) to Increase the top ( 10 ) of the bimetal strip ( 5 ). 35. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwafers mit Kontaktflächen (4) mehrerer integrierter Schaltungen auf seiner aktiven Oberseite (3), wobei auf den Kontaktflä­ chen (4) Bimetallstreifen (5) angeordnet sind, die ein fixiertes Ende (6), das mit jeweils einer Kontaktfläche (4) verbunden ist, und ein freies flexibles Ende (7), das von der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) absteht, aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:
  • - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (13) mit einer Passivierungsschicht (17) und mittels einer Foto­ lackmaske (18) freigelegten Kontaktflächen (4) meh­ rerer integrierter Schaltungen auf seiner aktiven Oberseite (3),
  • - selektives Aufbringen von Bimetallstreifen (5), de­ ren erstes Ende (6) auf jeder Kontaktfläche (4) fi­ xiert ist und deren zweites Ende auf der Fotolack­ maske (18) angeordnet ist,
  • - Entfernen der Fotolackmaske (18) von der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) unter Frei­ legen des freien Endes (7) des Bimetallstreifens (5).
35. Method for producing a semiconductor wafer with contact surfaces ( 4 ) of a plurality of integrated circuits on its active upper side ( 3 ), with bimetallic strips ( 5 ) being arranged on the contact surfaces ( 4 ), which have a fixed end ( 6 ), each with one Contact surface ( 4 ) is connected, and has a free flexible end ( 7 ) which protrudes from the active top side ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ), the method comprising the following method steps:
  • - Providing a semiconductor wafer ( 13 ) with a passivation layer ( 17 ) and contact surfaces ( 4 ) of several integrated circuits exposed on its active upper side ( 3 ) by means of a photo resist mask ( 18 ),
  • - Selective application of bimetallic strips ( 5 ), whose first end ( 6 ) is fi xed on each contact surface ( 4 ) and the second end of which is arranged on the photoresist mask ( 18 ),
  • - Removing the photoresist mask ( 18 ) from the active top ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ) while exposing the free end ( 7 ) of the bimetallic strip ( 5 ).
36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem selektiven Aufbringen von Bimetallstreifen (5) die Fotolackmaske (18) auf der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterwafers (16) entfernt wird und durch eine Poly­ merschicht unter Freilassung der Kontaktflächen (4) er­ setzt wird, die nach dem Aufbringen der Bimetallstreifen (5) unter den freien Enden (7)der Bimetallstreifen (5) entfernt werden kann.36. The method according to claim 35, characterized in that before the selective application of bimetallic strips ( 5 ), the photoresist mask ( 18 ) on the active upper side ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ) is removed and through a polymer layer, leaving the contact surfaces ( 4 ) it is set, which can be removed after the application of the bimetallic strips ( 5 ) under the free ends ( 7 ) of the bimetallic strips ( 5 ). 37. Verfahren nach Anspruch 35 und Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen (5) durch eine Druckmaske hindurch erfolgt.37. The method according to claim 35 and claim 36, characterized in that the selective application of the bimetallic strips ( 5 ) takes place through a pressure mask. 38. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen (5) durch eine Siebdruckmaske hindurch erfolgt.38. The method according to any one of claims 35 to 37, characterized in that the selective application of the bimetal strips ( 5 ) is carried out through a screen printing mask. 39. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen (5) durch eine Schablonendruckmaske hindurch erfolgt.39. The method according to any one of claims 35 to 37, characterized in that the selective application of the bimetal strips ( 5 ) takes place through a stencil printing mask. 40. Verfahren nach Anspruch 38 oder Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen (5) mit­ tels Sputtertechnik oder Aufdampftechnik durch eine Schattenmaske hindurch erfolgt.40. The method according to claim 38 or claim 39, characterized in that the selective application of the bimetallic strip ( 5 ) by means of sputtering or vapor deposition takes place through a shadow mask. 41. Verfahren nach Anspruch 35 und Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass das selektive Aufbringen der Bimetallstreifen (5) mit­ tels Galvanotechnik erfolgt, wobei zunächst eine ge­ schlossene elektrisch leitende Kontaktierungsschicht auf dem Halbleiterwafer (16) abgeschieden wird, anschließend eine Keimschicht für die Galvanik selektiv abgeschieden wird, nachfolgend die Bimetallstreifen (5) auf der Keim­ schicht galvanisch abgeschieden werden und abschließend die Kontaktierungsschicht durch Nassätzen entfernt wird.41. The method according to claim 35 and claim 36, characterized in that the selective application of the bimetallic strips ( 5 ) is carried out by means of electroplating, wherein first a closed electrically conductive contact layer is deposited on the semiconductor wafer ( 16 ), then a seed layer for the electroplating is selectively deposited, subsequently the bimetallic strips ( 5 ) are electrodeposited on the germ layer and finally the contact layer is removed by wet etching. 42. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrische Kontaktierungsschicht eine Beschichtung aus Titan, Tantal, Wolfram, Aluminium oder Kombinationen derselben auf die aktive Oberseite (3) des Halbleiterwa­ fers (16) aufgebracht wird. 42. The method according to claim 41, characterized in that a coating of titanium, tantalum, tungsten, aluminum or combinations thereof is applied to the active top side ( 3 ) of the semiconductor wafer ( 16 ) as the electrical contacting layer. 43. Verfahren nach Anspruch 41 und Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass als Keimschicht eine Beschichtung aus Nickel, Kupfer, Gold oder Legierungen derselben selektiv auf die Kontak­ tierungsschicht aufgebracht wird.43. The method according to claim 41 and claim 42, characterized in that a coating of nickel, copper, Gold or alloys of the same selectively on the contact tion layer is applied. 44. Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen mit jeweils einem Halbleiterchip (2), der auf seiner ak­ tiven Oberseite (3) Kontaktflächen (4) einer integrier­ ten Schaltung aufweist, wobei auf den Kontaktflächen (4) Bimetallstreifen (5) angeordnet sind, die ein fixiertes Ende (6), das mit der Kontaktfläche (4) verbunden ist, und ein freies flexibles Ende (7), das von der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) absteht, aufwei­ sen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:
  • - Herstellen eines Halbleiterwafers (16) nach einem der Ansprüche 35 bis 43,
  • - Aufbringen des Halbleiterwafers (16) auf eine Testlei­ terplatte (19) unter Kontaktieren der Bimetallstreifen (5) mit Kontaktanschlußflächen (20) der Testleiterplatte (19)
  • - Prüfen des Halbleiterwafers (16) auf funktionsfähige integrierte Schaltungen,
  • - Trennen des Halbleiterwafers (16) in funktionsfähige Halbleiterchips (2) und
  • - Verpacken der funktionsfähigen Halbleiterchips (2) zu elektronischen Bauteilen (1) unter Verwendung der Bime­ tallstreifen (5) als Außenkontakte des elektronischen Bauteils (1).
44. A method for the production of electronic components, each having a semiconductor chip ( 2 ) having on its active top ( 3 ) contact surfaces ( 4 ) of an integrated circuit, with bimetal strips ( 5 ) being arranged on the contact surfaces ( 4 ) a fixed end ( 6 ), which is connected to the contact surface ( 4 ), and a free flexible end ( 7 ), which protrudes from the active top side ( 3 ) of the semiconductor chip ( 2 ), the method comprising the following method steps :
  • Producing a semiconductor wafer ( 16 ) according to one of claims 35 to 43,
  • - Applying the semiconductor wafer ( 16 ) on a Testlei terplatte ( 19 ) by contacting the bimetallic strip ( 5 ) with contact pads ( 20 ) of the test circuit board ( 19 )
  • - checking the semiconductor wafer ( 16 ) for functional integrated circuits,
  • - Separating the semiconductor wafer ( 16 ) into functional semiconductor chips ( 2 ) and
  • - Packing the functional semiconductor chips ( 2 ) to electronic components ( 1 ) using the bime tallstreifen ( 5 ) as external contacts of the electronic component ( 1 ).
45. Verfahren nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Trennen des Halbleiterwafers (16) der Halblei­ terwafer (16) auf seiner passiven Rückseite (21) mit ei­ ner Schutzschicht als Gehäuse versehen wird und an­ schließend der Halbleiterwafer (16) in einzelne elektro­ nische Bauteile (1) getrennt wird, wobei die Bime­ tallstreifen (5) die Außenkontakte (23) des elektroni­ schen Bauteils (1) bilden.45. The method according to claim 44, characterized in that before the semiconductor wafer ( 16 ) is separated, the semiconductor wafer ( 16 ) is provided on its passive rear side ( 21 ) with a protective layer as a housing and then the semiconductor wafer ( 16 ) is separated into individual ones electronic components ( 1 ) is separated, the bimetal strips ( 5 ) forming the external contacts ( 23 ) of the electronic component ( 1 ).
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3842189A (en) * 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
US5665648A (en) * 1995-12-21 1997-09-09 Hughes Electronics Integrated circuit spring contact fabrication methods
US6148065A (en) * 1985-07-10 2000-11-14 Ronald A. Katz Technology Licensing, L.P. Telephonic-interface statistical analysis system

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