DE10133127C2

DE10133127C2 - Process for producing an exposure mask and process for optimizing a simulation process

Info

Publication number: DE10133127C2
Application number: DE10133127A
Authority: DE
Inventors: Joerg Thiele; Ines Anke; Henning Haffner; Armin Semmler; Werner Fischer
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2001-07-07
Filing date: 2001-07-07
Publication date: 2003-06-26
Anticipated expiration: 2021-07-08
Also published as: DE10133127A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, ein Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 2 und ein Verfahren zum Optimieren eines Simulationsverfahrens zur Berechnung einer Belichtungsmaske gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 14.The invention relates to a method for producing a Exposure mask according to the preamble of claim 1, a method for producing an exposure mask according to the preamble of claim 2 and a method for Optimizing a simulation method to calculate a Exposure mask according to the preamble of the claim 14th

Integrierte Schaltungen wie z. B. DRAMs werden mit einer Viel zahl von technologischen Verfahrensschritten hergestellt. Aufgrund der Vielzahl der Verfahrensschritte und der hohen Anforderung an die Qualität der Verfahrensschritte ist es er forderlich, ein Prozessfenster für die Parameter festzulegen, die bei der Durchführung der Verfahrensschritte eine wesent liche Rolle spielen. Dabei ist es vorteilhaft, wenn das Prozessfenster für jeden Parameter so breit wie möglich fest gelegt werden kann.Integrated circuits such as B. DRAMs come with a lot number of technological process steps. Due to the large number of process steps and the high It is a requirement for the quality of the process steps required to define a process window for the parameters, which are essential in carrying out the procedural steps play a role. It is advantageous if that Process window for each parameter as wide as possible can be placed.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, eine Abschätzung der Wertebereiche der Parameter durchzuführen. Dabei wird beispielsweise zur Festlegung der Struktur einer Belichtungs maske, mit der eine Ätzmaske erstellt wird, mit einem optischen Korrekturverfahren (Optical Proximity Correction) festgelegt, in welchem Wertebereich die einzelnen Parameter liegen dürfen. Bei dem Korrekturverfahren werden systema tische Fehler, die am optischen System liegen, eliminiert. Bei der Durchführung des Korrekturverfahrens werden zur Berechnung der Wertebereiche optimale Verfahrensbedingungen vorausgesetzt. Die Berechnung der Wertebereiche der Parameter beruht auf der Theorie, dass die als optimal angenommenen Parameter symmetrische Abweichungen um einen nominalen Wert aufweisen. An estimate is known from the prior art the value ranges of the parameters. Doing so for example to define the structure of an exposure mask with which an etching mask is created with a optical correction method (Optical Proximity Correction) defines the value range in which the individual parameters may lie. In the correction procedure, systema table errors due to the optical system are eliminated. When the correction procedure is carried out, Calculation of the value ranges optimal process conditions provided. The calculation of the value ranges of the parameters is based on the theory that those assumed to be optimal Parameters symmetrical deviations around a nominal value exhibit.

Bei der Berechnung der Wertebereiche der Parameter wird bei spielsweise das Simulationsprogramm "Optissimo" der Firma PDF-Solutions/AISS verwendet. Bei dem bekannten Simulations programm wird ein Testmuster einer Ätzmaske bzw. einer Ätz struktur vorgegeben und aus dem Testmuster eine Belichtungs maske hergestellt oder berechnet. Aus der Belichtungsntäske wird die Ätzmaske oder die Ätzmaske und die Ätzstruktur her gestellt. Die hergestellte oder berechnete Ätzmaske und/oder Ätzstruktur wird in Bezug auf ihre Struktur oder kritische Bereiche der Struktur überprüft. Unter einem kritischen Bereich wird beispielsweise bei der Herstellung von Leiter bahnen eine zu schmale Leiterbahn oder eine zu breite Leiter bahn verstanden. Eine zu lange Leiterbahn kann beispielsweise zu einem ungewünschten elektrischen Kontakt zu einer weiteren Leiterbahn führen oder eine langsamere Funktionsweise oder einen veränderten elektrischen Widerstand oder eine verän derte elektrische Kapazität. Bei einer zu schmalen Leiterbahn besteht beispielsweise die Gefahr, dass die Leiterbahn auf bricht und damit eine elektrische Unterbrechung in der Lei terbahn entsteht.When calculating the value ranges of the parameters, at for example the simulation program "Optissimo" from the company PDF-Solutions / AISS used. In the well-known simulation program is a test pattern of an etching mask or an etching structure and an exposure from the test pattern mask made or calculated. From the exposure mask the etching mask or the etching mask and the etching structure is produced posed. The etching mask produced or calculated and / or Etching structure is critical in terms of its structure Areas of structure checked. Under a critical Area is used, for example, in the manufacture of conductors form a conductor track that is too narrow or a conductor that is too wide understood. A conductor track that is too long can, for example to an undesired electrical contact to another Conduct track or a slower functioning or a changed electrical resistance or a change electrical capacity. If the conductor track is too narrow there is a risk, for example, that the conductor track is open breaks and thus an electrical interruption in the lei terbahn is created.

Die Struktur und/oder die kritischen Daten der berechneten oder simulierten Ätzmaske und/oder Ätzstruktur werden von dem Simulationsprogramm mit der Teststruktur verglichen. Gleich zeitig werden optische Parameter und Eigenschaften der Maske wie z. B. die Wellenlänge, ein Fokus der Belichtungsquelle, die Amplitude, die Phase, die Ätzrate der Ätzmaske und/oder Ätzstruktur berücksichtigt. Das Simulationsprogramm ermittelt aus dem Vergleich der Struktur und/oder der kritischen Daten der Ätzmaske und/oder Ätzstruktur mit Teststruktur eine optimale Form der Belichtungsmaske. Zur Optimierung der Belichtungsmaske können die optischen Parameter und die Maskenparameter individuell angepasst werden. Aufgrund der vorgegebenen Daten berechnet das Simulationsprogramm unter Berücksichtigung der verwendeten optischen Daten und der physikalischen und chemischen Eigenschaften der Belichtungsmaske und/oder einer Ätzmaske eine verbesserte Struktur der Belichtungsmaske. Dabei wird von einer symmetrischen Abweichung in Bezug auf die als optimal angegebenen optischen Parameter und Maskenparameter ausgegan gen.The structure and / or the critical data of the calculated or simulated etching mask and / or etching structure are made by the Simulation program compared to the test structure. equal The optical parameters and properties of the mask are timely such as B. the wavelength, a focus of the exposure source, the amplitude, the phase, the etching rate of the etching mask and / or Etching structure considered. The simulation program determined by comparing the structure and / or the critical data the etching mask and / or etching structure with a test structure optimal shape of the exposure mask. To optimize the Exposure mask can change the optical parameters and the Mask parameters can be adjusted individually. Due to the The simulation program calculates the specified data under Consideration of the optical data used and the physical and chemical properties of the Exposure mask and / or an etching mask an improved Structure of the exposure mask. It is from one symmetrical deviation in terms of being optimal specified optical parameters and mask parameters gene.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske und ein Verfahren zur Optimierung eines Simulationsprogramms bereitzustellen, mit denen eine verbesserte Struktur einer Belichtungsmaske erhalten wird.The object of the invention is to provide a method for Production of an exposure mask and a method for To provide optimization of a simulation program with which an improved structure of an exposure mask is obtained.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Merkmale des An spruchs 1 und durch die Merk male des Anspruchs 15 gelöst.The object of the invention is characterized by the features of the Proverb 1 and by the Merk male of claim 15 solved.

Ein wesentlicher Kern der Erfindung besteht darin, dass ein größerer Wertebereich für die Parameter bei der Herstellung einer Belichtungsmaske erhalten wird, wenn eine asymmetrische Verteilung wenigstens eines Parameters um einen Nominalwert zugelassen wird, wobei der Nominalwert einem Wert für ein relativ gutes Ergebnis darstellt. Die asymmetrische Ver teilung des Parameters wird in Richtung des Wertebereiches zugelassen, der eine geringere Fehlerwahrscheinlichkeit auf weist.An essential essence of the invention is that a wider range of values for the parameters during production an exposure mask is obtained if an asymmetrical Distribution of at least one parameter by a nominal value is permitted, the nominal value being a value for a represents a relatively good result. The asymmetrical ver The parameter is divided in the direction of the value range admitted, which has a lower probability of error has.

Es hat sich gezeigt, dass es vorteilhaft ist, je nach Para meter eine größere Abweichung des Parameters in einer ersten Richtung, die eine unkritische Richtung darstellt, zuzulassen als in einer zweiten Richtung, die eine kritische Richtung darstellt. Bei der Verwendung der asymmetrischen Verteilung eines Parameters kommt man insgesamt zu einem größeren zuläs sigen Wertebereich bei der Einstellung der Parameter.It has been shown to be beneficial depending on the para meter a larger deviation of the parameter in a first Allow direction that is an uncritical direction than in a second direction, which is a critical direction represents. When using the asymmetrical distribution one parameter leads to a larger overall value range when setting the parameters.

Besonders vorteilhaft ist es, bei der Herstellung einer Be lichtungsmaske eine Testmaske für die Belichtungsmaske vorzu sehen und aufgrund der Testmaske in einem Testverfahren eine Ätzmaske oder eine Ätzstruktur herzustellen oder zu berech nen. Die Ätzmaske bzw. die Ätzstruktur wird mit einer ge wünschten Ätzmaske bzw. einer gewünschten Ätzstruktur ver glichen. Aus dem Vergleichsergebnis wird in einem Korrektur verfahren die Testmaske geändert, so dass die mit der Test maske herstellbare Ätzmaske bzw. Ätzstruktur besser der ge wünschten Ätzmaske bzw. Ätzstruktur entspricht. Wesentlich ist dabei, dass bei der Durchführung des Testverfahrens ein Testwert für einen ausgewählten Parameter verwendet wird, der von dem Nominalwert des ausgewählten Parameters abweicht, der bei der Durchführung des Korrekturverfahrens berücksichtigt wird. Auf diese Weise wird eine asymmetrische Verteilung des Parameters um den Nominalwert erhalten. Somit wird eine asym metrische Verschiebung um einen Nominalwert für den Parameter vorgenommen. Die Verschiebung erfolgt ausgehend von dem Nomi nalwert in eine weniger kritische Richtung. Bei der Durch führung des Korrekturverfahrens wird davon ausgegangen, dass eine symmetrische Verteilung um den Nominalwert vorteilhaft ist. Damit weist das beschriebene Verfahren den Vorteil auf, dass ohne eine Änderung des Korrekturverfahrens eine asym metrische Verschiebung des Nominalwertes erreicht wird. Somit ist es nicht erforderlich, dass Korrekturverfahren selbst zu ändern, sondern es können bekannte Verfahren bzw. bekannte Simulationsmodelle verwendet werden. Die asymmetrische Ver schiebung erfolgt durch die Vorgabe des Testwertes.It is particularly advantageous when producing a Be clearing mask a test mask for the exposure mask see and based on the test mask in a test procedure To produce an etching mask or an etching structure or to calculate NEN. The etching mask or the etching structure is coated with a ge desired etching mask or a desired etching structure equalized. The comparison result becomes a correction procedure the test mask changed so that the with the test Etch mask or etch structure that can be produced better the ge corresponds to the desired etching mask or etching structure. Essential is doing that when performing the test procedure Test value is used for a selected parameter that deviates from the nominal value of the selected parameter, which taken into account when carrying out the correction procedure becomes. In this way, an asymmetrical distribution of the Get parameters around the nominal value. Thus an asym metric shift by a nominal value for the parameter performed. The shift is based on the Nomi value in a less critical direction. When through management of the correction procedure it is assumed that a symmetrical distribution around the nominal value is advantageous is. The method described thus has the advantage that without changing the correction procedure, an asym metric shift of the nominal value is reached. Consequently it is not necessary for corrective procedures themselves to change, but it can known methods or known Simulation models are used. The asymmetrical ver shift occurs by specifying the test value.

Vorzugsweise werden bei dem erfindungsgemäßen Verfahren bei der Belichtung der Testmaske während des Testverfahrens eine Defokussierung durchgeführt, bei der die Ebene der zu belich tenden Struktur gegenüber der optimalen Fokusebene verschoben ist. Bei der Durchführung des Korrekturverfahrens wird von einer fokussierten Belichtung ausgegangen. Als Folge der Defokussierung wird bei dem Korrekturverfahren bei Vorgabe der kritischen Strukturen in Form von dünnen Linienstrukturen und in Form eines kleinen Abstandes zweier Linienstrukturen eine Verbreiterung der Linienstrukturen und eine Verbrei terung des kleinen Abstandes zwischen zwei Linienstrukturen durchgeführt. Somit werden beide kritischen Werte in Richtung weniger kritische Werte korrigiert.Preferably, in the method according to the invention exposure of the test mask during the test procedure Defocusing performed at the level of the illuminate tending structure compared to the optimal focus level is. When carrying out the correction procedure, focused exposure. As a result of Defocusing is the default correction procedure the critical structures in the form of thin line structures and in the form of a small distance between two line structures a broadening of line structures and a widening the small distance between two line structures carried out. Thus both critical values are heading in the direction corrected less critical values.

Als weiterer Parameter, der vorzugsweise gegenüber einem optimalen Nominalwert verschoben wird, wird die Leistung der Belichtungsquelle verwendet.As a further parameter, which is preferably compared to a optimal nominal value is shifted, the performance of the Exposure source used.

Weiterhin bietet sich als ausgewählter Parameter das Ätzver halten des Materials an, mit dem die Ätzmaske erstellt wird. Weiterhin ist es vorteilhaft, die Wellenlänge der Belichtungsquelle als ausgewählten Parameter zu verwenden.Etching is also a selected parameter stop the material used to create the etching mask. It is also advantageous to adjust the wavelength of the Use the exposure source as the selected parameter.

Weiterhin wird in vorteilhafter Weise die Apertur der Belich tungsanordnung als ausgewählter Parameter verwendet.Furthermore, the aperture of the Belich is advantageously arrangement used as a selected parameter.

Weiterhin ergeben sich vorteilhafte Wertebereiche für die Parameter, wenn als ausgewählter Parameter die Kohärenz des Lichtes der Belichtungsanordnung verwendet wird.There are also advantageous value ranges for the Parameter if the coherence of the Light of the exposure arrangement is used.

Zudem können Parameter der Maske variiert werden. Als Parameter kann beispielsweise die Durchlässigkeit, die Änderung der Amplitude und der Phase der Strahlung beim Durchtritt durch die Maske verwendet werden.In addition, parameters of the mask can be varied. As For example, parameters can be the permeability Change in the amplitude and phase of the radiation at Passing through the mask can be used.

Bevorzugt wird bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens das Ätzverhalten des Materials berücksichtigt, aus dem die Ätzstruktur herausgeätzt wird.Preference is given to the implementation of the invention Process takes into account the etching behavior of the material from which the etching structure is etched out.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher er läutert. Es zeigenThe invention is explained in more detail below with reference to the figures purifies. Show it

Fig. 1 einen schematischen Verfahrensablauf zur Herstellung einer Belichtungsmaske, Fig. 1 is a schematic process flow for forming an exposure mask,

Fig. 2 ein schematisches Verfahren zum Berechnen eines Werte bereiches eines Parameters bei der Herstellung einer integrierten Schaltung und Fig. 2 shows a schematic method for calculating a range of values of a parameter in the manufacture of an integrated circuit and

Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Berechnung einer optimalen Belichtungsmaske. Fig. 3 is a schematic representation of a method for calculating an optimal exposure mask.

Die Erfindung wird am Beispiel der Herstellung einer Belich tungsmaske beschrieben, ist jedoch auf jede Art von Herstel lungsverfahren bei der Herstellung einer integrierten Schal tung anwendbar.The invention is based on the example of the production of a Belich tion mask described, but is on any type of manufac Development process in the manufacture of an integrated scarf tion applicable.

Fig. 1 zeigt schematisch einen Programmablauf für ein Ver fahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske. Eine Belich tungsmaske wird bei der Herstellung von integrierten Schal tungen dazu verwendet, um mit der Belichtungsmaske beispiels weise eine strahlungssensitive Resist-Schicht zu bestrahlen und die bestrahlten oder die unbestrahlten Bereiche der Resist-Schicht mit einem geeigneten Entwickler aufzulösen und zu entfernen. Auf diese Weise wird in die Resist-Schicht ein Muster eingebracht, das zur Strukturierung bei einem folgen den Ätzvorgang oder einer Ionenimplantation verwendet wird. Nach der Durchführung der Ätzung oder der Ionenimplantation wird die Resist-Maske wieder abgelöst. In Fig. 1A ist ein Siliciumsubstrat 1 dargestellt, auf dem eine zu struk turierende Schicht 2 aufgebracht ist. Die Schicht 2 ist in diesem Ausführungsbeispiel in Form einer Siliciumdioxid schicht ausgebildet. Auf der Schicht 2 ist eine Resist- Schicht 3 aufgebracht, die als Ätzmaske verwendet wird. In Fig. 1B ist über der Resist-Schicht 3 eine Belichtungsmaske 4 aufgebracht. Die Belichtungsmaske 4 dient dazu, um Strahlung 5 nur in vorgegebenen Flächenbereichen auf die Resist-Schicht 3 auftreffen zu lassen. Durch die Strahlung 5 wird die Resist-Schicht 3 in den bestrahlten Bereichen physikalisch und/oder chemisch verändert. Dies ist schematisch in Fig. 1B dargestellt. Fig. 1 shows schematically a program flow for a process for producing an exposure mask. An exposure mask is used in the manufacture of integrated circuits to irradiate, for example, a radiation-sensitive resist layer with the exposure mask and to dissolve and remove the irradiated or the unexposed areas of the resist layer with a suitable developer. In this way, a pattern is introduced into the resist layer, which is used for structuring during a subsequent etching process or an ion implantation. After the etching or ion implantation has been carried out, the resist mask is removed again. In Fig. 1A, a silicon substrate 1 is shown, on which a layer 2 to be structured is applied. The layer 2 is formed in this embodiment in the form of a silicon dioxide layer. On the layer 2 , a resist layer 3 is applied, which is used as an etching mask. In FIG. 1B, an exposure mask 4 is applied over the resist layer 3 . The exposure mask 4 serves to allow radiation 5 to strike the resist layer 3 only in predetermined surface areas. The radiation layer 5 physically and / or chemically changes the resist layer 3 in the irradiated areas. This is shown schematically in Fig. 1B.

Anschließend wird die belichtete Resist-Struktur 3 mit einer geeigneten Entwicklerflüssigkeit benetzt, die die bestrahlten Bereiche auflöst und aus der Resist-Struktur 3 herauslöst. Auf diese Weise wird eine Resist-Maske 6 erhalten, die in Fig. 1C dargestellt ist. Anschließend wird in diesem Aus führungsbeispiel die Resist-Maske 6 dazu verwendet, um über einen Ätzvorgang die Siliciumoxidschicht 2 zu strukturieren. Dies ist in Fig. 1D dargestellt. Anschließend wird die Resist-Maske 6 von der Siliciumoxidschicht 2 entfernt. Die Resist-Maske 6 wird dann zum Ätzen einer Struktur in das Siliciumsubstrat 1 verwendet (Fig. 1E).Subsequently, the exposed resist structure 3 is wetted with a suitable developer liquid, which dissolves the irradiated areas and releases it from the resist structure 3 . In this way, a resist mask 6 is obtained, which is shown in FIG. 1C. Then, in this exemplary embodiment, the resist mask 6 is used to structure the silicon oxide layer 2 via an etching process. This is shown in Fig. 1D. The resist mask 6 is then removed from the silicon oxide layer 2 . The resist mask 6 is then used to etch a structure in the silicon substrate 1 ( FIG. 1E).

In entsprechender Art und Weise wird die Resist-Maske 6 auch zur Implantation von Ionen in vorgegebene Bereiche eines Halbleitermaterials verwendet. Dabei wird das Verfahren ent sprechend dem Verfahrensablauf der Fig. 1 durchgeführt, wobei jedoch keine Siliciumdioxidschicht 2 vorgesehen ist und an stelle eines Ätzvorganges eine Ionenimplantation in das Siliciumsubstrat 1 durchgeführt wird, wobei die Resist-Maske 6 als Abdeckmaske verwendet wird. Dabei wird das Silicium substrat 1 nur in den Bereichen mit Ionen implantiert, auf denen keine Resist-Maske 6 aufgebracht ist.In a corresponding manner, the resist mask 6 is also used for the implantation of ions in predetermined areas of a semiconductor material. Thereby, the method 1 is accordingly the process flow of Fig. Carried out, but no silicon dioxide layer 2 is provided and instead of an etching process, an ion implantation is performed in the silicon substrate 1, wherein the resist mask 6 is used as mask. In this case, the silicon substrate 1 is implanted with ions only in those areas on which no resist mask 6 is applied.

Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske. Bei Programmpunkt 10 werden die Para meter erfasst, die bei einer Herstellung der Belichtungsmaske berücksichtigt werden. Dabei wird beispielsweise bei der Herstellung einer Leiterbahnstruktur der mittlere Abstand zwischen zwei Leiterbahnen LA und die mittlere Breite einer Leiterbahn LB festgelegt. Weiterhin wird beispielsweise bei der Ausbildung eines Transistors eine mittlere Transistor länge TL festgelegt. Fig. 2 shows an inventive method for fabricating a mask. At program point 10 , the parameters are recorded, which are taken into account when producing the exposure mask. The average distance between two interconnects LA and the average width of an interconnect LB are determined, for example, when producing a conductor track structure. Furthermore, an average transistor length TL is set, for example, in the formation of a transistor.

Anschließend werden bei Programmpunkt 20 die zulässigen Ab weichungen für den mittleren Abstand der Leiterbahn LA fest gelegt. Betrachten wir beispielsweise eine Transistorlänge, die von der Weite einer polykristallinen Siliciumlinie ab hängt, so variiert mit der Länge des Transistors direkt die Geschwindigkeit des Transistors. Betrachtet man aber das elektrische Verhalten des Transistors, so wird zwar die Geschwindigkeit des Transistors mit zunehmender Länge redu ziert, aber eine kürzere Länge des Transistors birgt die weitaus größere Gefahr eines Durchbruchs und damit eines kompletten Ausfalls des Transistors. An diesem Beispiel zeigt sich, dass es weniger kritisch ist, eine zu große Länge des Transistors als eine zu kleine Länge des Transistors vorzusehen.Subsequently, the permissible deviations for the average distance of the conductor track LA are set at program item 20 . For example, if we consider a transistor length that depends on the width of a polycrystalline silicon line, the speed of the transistor varies directly with the length of the transistor. However, if one looks at the electrical behavior of the transistor, the speed of the transistor is reduced with increasing length, but a shorter length of the transistor bears the far greater risk of breakdown and thus a complete failure of the transistor. This example shows that it is less critical to provide a transistor that is too long than a transistor that is too small.

Betrachtet man die Ausbildung von Leiterbahnen auf einer in tegrierten Schaltung, so kommt man zu dem Ergebnis, dass eine etwas breitere Leiterbahn weniger kritisch ist als eine zu schmale Leiterbahn, bei der die Gefahr eines Aufbrechens und damit die Gefahr einer Unterbrechung besteht.If you consider the formation of conductor tracks on an in tegrated circuit, one comes to the conclusion that a slightly wider trace is less critical than one too narrow conductor track, with the risk of breaking open and so that there is a risk of an interruption.

Bei der Ausbildung von kleinen Abständen zwischen Leiter bahnen hingegen ist ein größerer Abstand als der gewünschte Abstand weniger kritisch als ein zu kleiner Abstand. Ein zu großer Abstand zweier Leiterbahnen hat den Nachteil, dass zu viel Fläche verbraucht wird. Ein zu kleiner Abstand zweier Leiterbahnen kann zu einem Kurzschluss der zwei Leiterbahnen oder zu einem Übersprechen eines Signals führen und somit die Funktionsfähigkeit der integrierten Schaltung beeinträch tigen.When forming small distances between conductors lanes, on the other hand, is a larger distance than the desired one Distance less critical than too small a distance. One too The large distance between two conductor tracks has the disadvantage that too a lot of space is used. The distance between two is too small Conductor tracks can short-circuit the two conductor tracks or lead to crosstalk of a signal and thus the Functionality of the integrated circuit impaired term.

In dem ausgewählten Ausführungsbeispiel wird für den mitt leren Abstand der Leiterbahn LA eine Abweichung von +10% in Richtung eines größeren Abstandes und eine Abweichung von -5% in Richtung eines kleineren Abstandes festgelegt. Ebenso wird als Abweichung für die mittlere Breite einer Leiterbahn LB eine Abweichung von +10% in Richtung einer größeren Breite und eine Abweichung von -5% in Richtung einer kleineren Breite der Leiterbahn festgelegt. Somit werden in Bezug auf den mittleren Abstand der Leiterbahn und die mittlere Breite der Leiterbahn, die Nominalwerte darstellen, unsymmetrische zulässige Bereiche um den Nominalwert festgelegt.In the selected embodiment, for the mitt distance of the conductor track LA a deviation of + 10% in Direction of a larger distance and a deviation of -5% set in the direction of a smaller distance. Likewise, as a deviation for the average width of a conductor track LB a deviation of + 10% towards a larger width and a deviation of -5% towards a smaller one Width of the trace set. Thus, in terms of the average distance of the conductor track and the average width the conductor track, which represent nominal values, asymmetrical permissible ranges around the nominal value.

Bei der Herstellung eines Transistors wird in Bezug auf die Transistorlänge TL eine Abweichung von +15% in Bezug auf eine größere Transistorlänge und eine Abweichung von -5% in Bezug auf eine kleinere Transistorlänge im Vergleich zur festgeleg ten Transistorlänge TL festgelegt. Somit wird auch in Bezug auf die Transistorlänge ein in Bezug auf den Nominalwert der Transistorlänge TL unsymmetrischer Wertebereich festgelegt.When making a transistor, reference is made to the Transistor length TL a deviation of + 15% with respect to a longer transistor length and a deviation of -5% in relation to a smaller transistor length compared to the specified th transistor length TL set. Thus, also in relation to the transistor length in relation to the nominal value of the Transistor length TL asymmetrical range of values defined.

Anschließend wird bei Programmpunkt 30 die Form einer ge wünschten Strukturmaske und/oder die Form einer gewünschten Struktur vorgegeben oder festgelegt. In dem beschriebenen Beispiel stellen das Layout der Leiterbahnstruktur bzw. das Layout der Transistorstruktur die Struktur dar. Die Struktur maske wird durch die Ätzmaske und/oder die Implantationsmaske dargestellt, die zur Herstellung der Struktur benötigt wird.The shape of a desired structure mask and / or the shape of a desired structure is then specified or defined at program point 30 . In the example described, the layout of the conductor track structure or the layout of the transistor structure represent the structure. The structure mask is represented by the etching mask and / or the implantation mask, which is required for producing the structure.

Bei einem anschließenden Programmpunkt 40 wird ausgehend von dem gewünschten Layout eine Belichtungsmaske berechnet. Bei der Berechnung der Belichtungsmaske werden die physikalischen Eigenschaften bei der optischen Abbildung der durch die Belichtungsmaske festgelegten Belichtungsstruktur auf die Ätzmaske berücksichtigt. Weiterhin werden vorzugsweise bei der Berechnung der Belichtungsmaske auch die physikalischen /chemischen Eigenschaften der Resist-Schicht 3 berück sichtigt, aus der durch die Belichtung der Belichtungsmaske eine Ätzmaske oder Implantationsmaske herausgeätzt wird.At a subsequent program point 40 , an exposure mask is calculated based on the desired layout. When calculating the exposure mask, the physical properties are taken into account in the optical imaging of the exposure structure defined by the exposure mask onto the etching mask. Furthermore, the physical / chemical properties of the resist layer 3 , from which an etching mask or implantation mask is etched out by the exposure of the exposure mask, are also preferably taken into account when calculating the exposure mask.

Vorzugsweise wird bei der Berechnung der Belichtungsmaske auch das Ätzverhalten des Siliciumsubstrates 1 berücksich tigt. Bei einem folgenden Programmpunkt 45 wird aus der berechneten Belichtungsmaske die daraus resultierende Struk turmaske 6 und/oder die durch die Strukturmaske herstellbare Struktur im Siliciumsubstrat 1 berechnet.Preferably, the etching behavior of the silicon substrate 1 is also taken into account when calculating the exposure mask. In a subsequent program item 45 , the resulting structure mask 6 and / or the structure in the silicon substrate 1 that can be produced by the structure mask is calculated from the calculated exposure mask.

Weiterhin werden bei der Berechnung Nominalwerte für Para meter wie z. B. optische Parameter der Belichtungsanordnung und/oder der Maske berücksichtigt. Dabei wird beispielsweise ein Nominalwert für die Wellenlänge der Belichtungsquelle, für den Fokus der Belichtungsanordnung, für die Amplitude und/oder die Phase der Belichtungsquelle, für die Durch lässigkeit der Maske, für die Filterwirkung der Maske in bezug auf eine Reduzierung der Amplitude und/oder eine Ver schiebung der Phase der Belichtungsstrahlung und/oder für eine Hell-/Dunkelwirkung der Maske festgelegt.In addition, nominal values for Para meters such as B. optical parameters of the exposure arrangement and / or the mask is taken into account. For example, a nominal value for the wavelength of the exposure source, for the focus of the exposure arrangement, for the amplitude and / or the phase of the exposure source, for the through casualness of the mask, for the filter effect of the mask in with respect to a reduction in amplitude and / or a ver shift of the phase of the exposure radiation and / or for the mask has a light / dark effect.

Bei der Berechnung der Maske und/oder der Struktur wird eine um den Nominalwert unsymmetrische Abweichung in eine für die herzustellende Maske und/oder Struktur weniger kritische Werterichtung zugelassen.When calculating the mask and / or the structure, a to the nominal value asymmetrical deviation in a for the mask and / or structure to be produced less critical Value direction permitted.

Vorzugsweise wird ein Parameter der Belichtungsanordnung und/oder der Maske ermittelt, für den eine unsymmetrische Abweichung von einem bevorzugten Nominalwert im folgenden Programmpunkt 50 zu einer Verbesserung von wenigstens zwei kritischen Daten der Maske bzw. der Struktur führt. Bei diesem Parameter wird eine unsymmetrische Abweichung vom Nominalwert bei der Berechnung der Maske bzw. der Struktur zugelassen.A parameter of the exposure arrangement and / or the mask is preferably determined for which an asymmetrical deviation from a preferred nominal value in the following program point 50 leads to an improvement of at least two critical data of the mask or the structure. This parameter allows an asymmetrical deviation from the nominal value when calculating the mask or structure.

Anschließend wird bei Programmpunkt 50 die berechnete Struk turmaske und/oder Struktur mit der gewünschten Strukturmaske bzw. der gewünschten Struktur verglichen. Dabei wird insbe sondere überprüft, ob die durch die Nominalwerte des mitt leren Abstandes der Leiterbahn, der mittleren Breite der Lei terbahn und der mittleren Transistorlänge festgelegten Werte bereiche eingehalten werden. Anschließend erfolgt bei Pro grammpunkt 60 die Abfrage, ob die vorgegebenen Wertebereiche eingehalten wurden. Ist dies der Fall, so wird nach Programm punkt 70 verzweigt. Bei Programmpunkt 70 wird die optimale Belichtungsmaske ausgegeben.The calculated structure mask and / or structure is then compared with the desired structure mask or the desired structure at program point 50 . In particular, it is checked whether the value ranges defined by the nominal values of the mean distance of the conductor track, the mean width of the conductor track and the mean transistor length are observed. Subsequently, at program point 60 there is a query as to whether the specified value ranges have been observed. If this is the case, the program branches to point 70 . At program point 70 , the optimal exposure mask is output.

Anstelle der theoretischen Berechnung der Belichtungsmaske bei den Programmpunkten 40, 45 kann auch die Belichtungsmaske tatsächlich aufgrund der vorgegebenen Daten hergestellt wer den, anschließend aufgrund der hergestellten Belichtungsmaske eine Ätzmaske erstellt werden und anschließend aufgrund der Ätzmaske die gewünschte Struktur geätzt und/oder implantiert werden. Instead of the theoretical calculation of the exposure mask at program points 40 , 45 , the exposure mask can actually be produced on the basis of the specified data, an etching mask can then be created on the basis of the exposure mask produced and the desired structure can then be etched and / or implanted based on the etching mask.

Bei den Programmpunkten 50 und 60 wird in diesem Ausführungs beispiel die tatsächlich hergestellte Strukturmaske bzw. Struktur mit der gewünschten Strukturmaske bzw. Struktur ver glichen.At program points 50 and 60 , in this embodiment, for example, the structure mask or structure actually produced is compared with the desired structure mask or structure.

Ergibt der Vergleich bei Programmpunkt 60, dass die vorgege benen Wertebereiche nicht eingehalten wurden, so wird zu Pro grammpunkt 80 verzweigt. Bei Programmpunkt 80 werden nach vorgegebenen Regeln Änderungen im Layout der Belichtungsmaske festgelegt, so dass die vorgegebenen Parameter bei der erneu ten Erstellung einer Strukturmaske bzw. Struktur eingehalten werden sollten. Anschließend wird nach Programmpunkt 40 ver zweigt.If the comparison at program point 60 shows that the specified value ranges were not adhered to, the program branches to program point 80 . At program point 80 , changes are made to the layout of the exposure mask in accordance with predetermined rules, so that the predetermined parameters should be adhered to when a structure mask or structure is created again. Then branched ver after program point 40 .

Die Programmpunkte 40, 45, 50, 60, 80 werden so oft durchlau fen, bis eine Belichtungsmaske erhalten wird, mit der eine Strukturmaske bzw. Struktur herstellbar ist, die die im Pro grammpunkt 10 und 20 festgelegten Wertebereiche einhält.The program items 40 , 45 , 50 , 60 , 80 are run through until an exposure mask is obtained with which a structure mask or structure can be produced which complies with the value ranges specified in program items 10 and 20 .

Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens be steht gegenüber dem bekannten Verfahren darin, dass gegenüber vorgegebenen Nominalwerten wie z. B. dem mittleren Abstand von Leiterbahnen, der mittleren Breite der Leiterbahn oder einer mittleren Transistorlänge kein symmetrischer zulässiger Wer tebereich, sondern ein unsymmetrischer, zulässiger Werte bereich vorgegeben wird. Der Wertebereich ist in vorteilhaf ter Weise in einer weniger kritischen Werterichtung größer als in einer kritischeren Werterichtung.A particular advantage of the method according to the invention is compared to the known method in that predetermined nominal values such as B. the mean distance from Conductor tracks, the average width of the conductor track or one medium transistor length no symmetrical permissible who range, but an asymmetrical, permissible value range is specified. The range of values is advantageous ter larger in a less critical value direction than in a more critical value direction.

Das Verfahren gemäß Fig. 2 kann in einer bevorzugten Aus führungsform in einer ersten Phase nur auf kritische und typische Strukturen oder Bereiche einer integrierten Schal tung angewendet werden. Dabei werden Regeln zum Anpassen der Strukturen ermittelt, die im allgemeinen eine Funktion der Größe der Struktur und der Nachbarschaft der Struktur dar stellen. Beispielsweise wird für typische Kontenformen eine Vorhalteverschiebung als Regel festgelegt.In a preferred embodiment, the method according to FIG. 2 can only be applied in a first phase to critical and typical structures or areas of an integrated circuit. Rules for adapting the structures are determined, which generally represent a function of the size of the structure and the vicinity of the structure. For example, a shift in reserve is set as a rule for typical account types.

In einer zweiten Phase werden die ermittelten Regeln auf alle Bereiche und Strukturen der integrierten Schaltung angewen det. Auf diese Weise wird Rechenzeit eingespart.In a second phase, the determined rules apply to everyone Use areas and structures of the integrated circuit det. This saves computing time.

Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung, bei der ein festgelegtes Simulationsprogramm 7 verwendet wird, das um einen vorgegebenen Nominalwert eines Parameters einen sym metrischen zulässigen Wertebereich festlegt. Damit trotz des gegebenen Simulationsprogramms das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden kann, wird in einem Testverfahren an stelle des festgelegten Nominalwertes ein vom Nominalwert ab weichender Testwert eines Parameters eingestellt. die Ver schiebung des Testwertes gegenüber dem Nominalwert erfolgt dabei in einer Richtung des Wertebereiches des Parameters, die weniger kritisch auf eine Fehlerwahrscheinlichkeit ist als eine andere Richtung. Bei der Auswertung durch das Simu lationsprogramm wird jedoch davon ausgegangen, dass der Nomi nalwert beim Testverfahren vorlag. Auf diese Weise wird eine Art Dejustierung des Simulationsprogramms in eine vorgegebene Werterichtung durchgeführt und damit ein asymmetrischer Wer tebereich eingestellt. Fig. 3 shows an embodiment of the invention, in which a fixed simulation program 7 is used, which defines a symmetrical permissible value range around a predetermined nominal value of a parameter. So that the method according to the invention can be carried out in spite of the given simulation program, a test value of a parameter that deviates from the nominal value is set in a test method instead of the nominal value. the test value is shifted from the nominal value in one direction of the value range of the parameter, which is less critical to a probability of error than another direction. When evaluating by the simulation program, however, it is assumed that the nominal value was available during the test procedure. In this way, a kind of misalignment of the simulation program is carried out in a predetermined value direction and thus an asymmetrical value range is set.

Das Ausführungsbeispiel der Fig. 3 verwendet Funktionsblöcke, um die einzelnen Verfahrensabschnitte darzustellen. Ein erster Funktionsblock 100 zeigt eine gewünschte Struktur, die mit Hilfe einer Belichtungsmaske hergestellt werden soll. Die gewünschte Struktur stellt beispielsweise eine Teststruktur oder eine tatsächliche Struktur dar. Die Teststruktur bzw. die gewünschte Struktur stellt vorzugsweise eine Ätzstruktur wie z. B. eine Leiterbahn oder ein Implantationsgebiet eines Transistors oder eine Strukturmaske zur Herstellung einer Ätzstruktur oder eines Implantationsgebietes für einen Tran sistor dar. The embodiment of FIG. 3 uses function blocks to represent the individual process sections. A first function block 100 shows a desired structure that is to be produced using an exposure mask. The desired structure represents, for example, a test structure or an actual structure. The test structure or the desired structure preferably represents an etching structure such as, for example, B. represents a conductor track or an implantation area of a transistor or a structure mask for producing an etched structure or an implantation area for a transistor.

Ausgehend von den Daten des ersten Funktionsblockes 100 wird in einem Funktionsblock 111 eine Belichtungsmaske berechnet, mit der die Struktur des Strukturblockes 100 hergestellt wer den kann. Bei der Erstellung der Belichtungsmaske werden die physikalischen und/oder chemischen Eigenschaften des Materials zur Herstellung der Belichtungsmaske, die physika lischen Eigenschaften bei der Belichtung einer Resist- Struktur 3 zur Herstellung einer Ätzmaske und/oder die phy sikalischen/chemischen Eigenschaften bei dem Ätzen der Ätz maske aus der Resist-Maske 3 und/oder die physikalischen /chemischen Eigenschaften der zu strukturierenden Schicht 2 in Bezug auf den Ätzvorgang oder den Implantationsvorgang berücksichtigt.Starting from the data of the first function block 100 , an exposure mask is calculated in a function block 111 , with which the structure of the structure block 100 can be produced. When creating the exposure mask, the physical and / or chemical properties of the material for producing the exposure mask, the physical properties when exposing a resist structure 3 for producing an etching mask and / or the physical / chemical properties when etching the etching mask from the resist mask 3 and / or the physical / chemical properties of the layer 2 to be structured in relation to the etching process or the implantation process.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Belichtungsmaske aufgrund der vorgegebenen Struktur des Strukturblockes 100 hergestellt, mit der Belichtungsmaske die Strukturmaske und anschließend die Ätzstruktur herge stellt.In a further preferred embodiment of the invention, the exposure mask is produced on the basis of the predetermined structure of the structure block 100 , and the exposure mask is used to produce the structure mask and then the etching structure.

Die im ersten Funktionsblock 111 berechnete Struktur der Ätz maske und/oder die berechnete Struktur der Ätzstruktur oder die Struktur der hergestellten Ätzmaske und/oder die Struktur der hergestellten Ätzstruktur werden in einem ersten Analyse block 112 analysiert. Im ersten Analyseblock 112 wird die er haltene Ätzmaske und/oder die erhaltene Ätzstruktur in Bezug auf kritische Abstände und/oder Fehler in der Struktur über prüft. Beispielsweise kann bei der Herstellung einer Leiter bahnstruktur der Abstand zwischen zwei Leiterbahnen insbeson dere in kritischen Eckbereichen erfasst werden. Weiterhin wird überprüft, ob besonders schmale Leiterbahnstrukturen vorliegen oder Leitungsunterbrechungen in einer Leiterbahn auftreten. Entsprechend werden bei anderen Ausbildungsformen wie z. B. einem Transistor die entsprechenden kritischen Werte überprüft. Die kritischen Werte werden anschließend an das Simulationsprogramm 107 übergeben. Calculated in the first function block 111 structure the etch mask and / or the calculated structure of the etched structure or the structure of the etching mask produced and / or the structure of the etching pattern are produced in a first block 112 analyzes analysis. In the first analysis block 112 , the etching mask obtained and / or the etching structure obtained are checked with regard to critical distances and / or defects in the structure. For example, in the production of a conductor track structure, the distance between two conductor tracks can be detected in particular in critical corner areas. Furthermore, it is checked whether there are particularly narrow conductor track structures or if there are line interruptions in a conductor track. Accordingly, in other forms of training such. B. a transistor checks the corresponding critical values. The critical values are then transferred to the simulation program 107 .

Dem Simulationsprogramm 107 werden zudem die Strukturdaten des Strukturblockes 100 übergeben. Weiterhin erhält das Simu lationsprogramm 107 Nominalwerte für Parameter wie z. B. optische Parameter der Belichtungsanordnung und/oder Para meter der Maske. Dabei wird beispielsweise die Wellenlänge der Belichtungsquelle, der Fokus der Belichtungsanordnung, die Amplitude und die Phase der Belichtungsquelle, die Durch lässigkeit der Maske, die Filterwirkung der Maske in bezug auf eine Reduzierung der Amplitude und/oder eine Verschiebung der Phase der Belichtungsstrahlung und/oder eine Funktion für eine Hell-/Dunkelwirkung festgelegt. Weiterhin ist ein Nomi nalblock 114 vorgesehen, der Nominalwerte für kritische Daten der herzustellenden Struktur beinhaltet. Beispielsweise wird bei der Herstellung einer Leiterbahnstruktur der mittlere Ab stand zweier Leiterbahnen oder die mittlere Breite einer Lei terbahn festgelegt. Wird eine Transistorstruktur hergestellt, so wird vom Nominalblock 114 beispielsweise die mittlere Transistorlänge festgelegt.The structural data of structure block 100 are also transferred to simulation program 107 . Furthermore, the simulation program receives 107 nominal values for parameters such as. B. optical parameters of the exposure arrangement and / or parameters of the mask. For example, the wavelength of the exposure source, the focus of the exposure arrangement, the amplitude and the phase of the exposure source, the permeability of the mask, the filter effect of the mask with respect to a reduction in the amplitude and / or a shift in the phase of the exposure radiation and / or set a function for a light / dark effect. Furthermore, a nominal block 114 is provided, which contains nominal values for critical data of the structure to be produced. For example, in the manufacture of a conductor track structure, the average distance from two conductor tracks or the average width of a conductor track is determined. If a transistor structure is produced, nominal block 114 determines, for example, the average transistor length.

Das Simulationsprogramm 107 ermittelt aus der Struktur des Strukturblockes 100, den kritischen Daten des Analyseblockes 112, den Daten des Parameterblockes 113 und den Daten des Datenblockes 114 eine Optimierung der Struktur der Belich tungsmaske. Bei der Durchführung der Optimierung wird von einer symmetrischen Abweichung um die Nominalwerte ausgegan gen, die von dem Parameterblock 113 und/oder dem Datenblock 114 vorgegeben werden. Bei der Optimierung wird nach fest gelegten Regeln vorgegangen, um die zulässigen Wertebereiche für die Parameter und die zulässigen Werte für die kritischen Daten einzuhalten. Als Ergebnis liefert das Simulations programm 107 ein in Bezug auf die gewünschte Struktur des Strukturblockes 100 optimierte Struktur für die Belichtungs maske.The simulation program 107 determines an optimization of the structure of the exposure mask from the structure of the structure block 100 , the critical data of the analysis block 112 , the data of the parameter block 113 and the data of the data block 114 . When performing the optimization, a symmetrical deviation around the nominal values is assumed, which are specified by the parameter block 113 and / or the data block 114 . Optimization is based on defined rules in order to comply with the permissible value ranges for the parameters and the permissible values for the critical data. As a result, the simulation program 107 provides a mask 100 optimized structure for the exposure with respect to the desired structure of the block structure.

Als wesentlicher Unterschied gegenüber dem bekannten Stand der Technik ist die Funktionsweise des ersten Funktions blockes 111 anzusehen, bei der die Belichtungsmaske und/oder die Ätzmaske nicht mit den nominalen Werten der Parameter hergestellt und/oder berechnet wird, die vom Simulations programm 107 vom Parameterblock 113 erhalten werden. Es wird je nach Parameter eine Abweichung vom bevorzugten Nominalwert vorgenommen, so dass eine unsymmetrische Verschiebung der kritischen Daten in einer weniger nachteiligen Richtung er reicht wird. Anschließend führt das Simulationsprogramm 107 eine Optimierung bezüglich der kritischen Daten durch. Die Optimierung erfolgt wiederum in einem symmetrischen Bereich, so dass als Ergebnis des Simulationsprogramms 107 tatsächlich eine asymmetrische Optimierung in Bezug auf mindestens einen Nominalwert eines Parameters erhalten wird.An essential difference compared to the known prior art is the mode of operation of the first function block 111 , in which the exposure mask and / or the etching mask is not produced and / or calculated with the nominal values of the parameters, which is carried out by the simulation program 107 from the parameter block 113 be preserved. Depending on the parameter, there is a deviation from the preferred nominal value, so that an asymmetrical shift of the critical data in a less disadvantageous direction is achieved. The simulation program 107 then optimizes the critical data. The optimization in turn takes place in a symmetrical range, so that the result of the simulation program 107 actually results in an asymmetrical optimization with respect to at least one nominal value of a parameter.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung verwendet die Fokussierung bei der Belichtung der Resist-Struktur 3 als zu verändernden Parameter. Dabei wird bei dem Funktionsblock 111 eine festgelegte Defokussierung eingestellt, so dass die zu belichtende Resist-Struktur 3 etwas außerhalb der optimalen Fokusebene liegt. Aufgrund der Defokussierung ergibt sich eine schmälere Ausbildung der dünnen Linienstruktur und eine schmälere Ausbildung des kleinen Abstandes zwischen zwei Linienstrukturen. Als Folge wird von dem Simulationsprogramm 107 die Form der Testmaske in der Weise geändert, dass sowohl die Linienstrukturen breiter ausgebildet werden, als auch ein größerer Abstand zwischen zwei Linienstrukturen erhalten wird.A preferred embodiment of the invention uses focusing when exposing the resist structure 3 as parameters to be changed. In this case, a defined defocusing is set in the function block 111 , so that the resist structure 3 to be exposed lies somewhat outside the optimal focal plane. The defocusing results in a narrower design of the thin line structure and a narrower design of the small distance between two line structures. As a result, the simulation program 107 changes the shape of the test mask in such a way that both the line structures are made wider and a larger distance between two line structures is obtained.

Folglich wird eine Belichtungsmaske erhalten, mit der bei der Verwendung einer fokussierten Belichtung die Wahrscheinlich keit für die Ausbildung breiterer Linienstrukturen und die Ausbildung eines größeren Abstandes zwischen zwei Linien strukturen größer ist, als die Ausbildung zu dünner Linien strukturen und die Ausbildung zu kleiner Abstände zwischen zwei Linienstrukturen. Somit wird insgesamt bei den zwei kritischen Werten dünne Linienstruktur und kleiner Abstand zweier Linienstrukturen eine asymmetrische Verschiebung in eine weniger kritische Werterichtung erreicht. Die Verwendung der Defokussierung als Parameter bietet den Vorteil, dass so wohl die kritische Struktur dünne Linienstruktur als auch die Struktur Abstand zweier Linienstrukturen durch eine Defokus sierung in Richtung kritische Werte verschoben werden und dadurch bei der folgenden Korrektur in Richtung weniger kritische Werte korrigiert werden. Zudem ist die Defokus sierung einfach einzustellen bzw. die Auswirkungen der Defo kussierung sind einfach zu berechnen.As a result, an exposure mask is obtained with which Probably using a focused exposure for the development of broader line structures and the Form a larger distance between two lines structures is larger than the formation of thin lines structures and the formation of small gaps between two line structures. So in total the two critical values thin line structure and small distance an asymmetrical shift in two line structures achieved a less critical value direction. The usage defocusing as a parameter offers the advantage that so probably the critical structure thin line structure as well Structure Distance between two line structures due to a defocus be shifted towards critical values and thereby in the following correction in the direction of less critical values are corrected. In addition, the defocus easy adjustment or the effects of defo kissing is easy to calculate.

Das in Fig. 3 beschriebene Verfahren bietet gegenüber dem in Fig. 2 beschriebenen Verfahren den Vorteil, dass ein bereits existierendes Simulationsprogramm 107 auch für eine asym metrische Festlegung eines Wertebereiches eines Parameters verwendet werden kann, obwohl das Simulationsprogramm 107 eine symmetrische Festlegung eines Wertebereichs durchführt.The method described in FIG. 3 has the advantage over the method described in FIG. 2 that an already existing simulation program 107 can also be used for an asymmetrical definition of a value range of a parameter, although the simulation program 107 carries out a symmetrical definition of a value range.

Das Simulationsprogramm 107 gibt in einem Ergebnisblock 115 eine optimierte Struktur für eine Belichtungsmaske aus. Das Ergebnis des Ergebnisblockes 115 ist gegenüber den Datenwer ten des Datenblockes 114 in den zulässigen Wertebereichen asymmetrisch ausgebildet. Die asymmetrische Ausbildung bie tet, wie bereits ausgeführt, größere zulässige Wertebereiche für die einzustellenden Parameter. Damit wird insgesamt eine vereinfachte Herstellung der Belichtungsmaske und/oder der Ätzmaske und/oder der Ätzstruktur erreicht.The simulation program 107 outputs an optimized structure for an exposure mask in a result block 115 . The result of the result block 115 is asymmetrical in relation to the data values of the data block 114 in the permissible value ranges. As already stated, the asymmetrical design offers larger permissible value ranges for the parameters to be set. Overall, a simplified manufacture of the exposure mask and / or the etching mask and / or the etching structure is thus achieved.

Claims

1. Method for calculating or producing a mask ( 4 ) for producing a structure mask ( 6 ) or structure ( 2 ) of an integrated circuit,
the mask ( 4 ) being calculated or produced on the basis of the structure mask ( 6 ) or structure ( 2 ),
wherein at least one nominal value for at least one parameter is specified for the structure mask ( 6 ) or structure ( 2 ), the mask ( 4 ) being created or calculated in such a way that the structure mask ( 6 ) or the structure ( 2 ) with respect to at least one parameter adheres to a predetermined value range,
whereby the value range is based on the nominal value,
characterized by
that the value range is aligned asymmetrically with respect to the nominal value of the parameter,
that a greater deviation of the value of the parameter from the nominal value in a less critical value direction for the quality or functionality of the structure mask or structure is determined than in a critical value direction.

2. The method according to claim 1,
characterized in that
an exposure mask ( 4 ) is calculated or produced as a mask, with which an etching mask ( 6 ) is created using a photolithographic method,
that a test mask is created according to a structure of a predetermined etching mask,
that an etching mask is produced in a test method with the test mask using the photo-lithographic method or that the shape of an etching mask that can be produced from the test mask is calculated in a simulation method,
that the calculated or produced etching mask is compared in at least one parameter with the predefined etching mask,
that the test mask is changed in a correction process based on the comparison result in such a way that the specified etching mask can be produced with the test mask in better quality,
that when the correction method is carried out, a predetermined value is assumed for at least one selected parameter which influences the production of the etching mask with the test mask,
that the exposure mask is obtained by correcting the test mask,
that the correction is carried out assuming a symmetrical deviation of the parameter from the specified value,
that the test method is carried out with a test value of the selected parameter that deviates from the specified value in a less critical direction of value.

3. The method according to claim 1, characterized in
that an exposure mask is calculated or produced as a mask, with which an etching mask for an etching structure is created using a photolithographic method,
that a test mask is created according to a structure of a desired etching structure,
that the etching mask is produced in a test method using the test mask using the photo-lithographic method and the etching structure is produced using the etching mask, or the shape of the etching structure that can be produced from the test mask is calculated in a simulation method,
that the calculated or produced etching structure is compared in at least one parameter with the predetermined etching structure,
that the test mask is changed in a correction method based on the comparison result in such a way that the specified etching structure can be produced with the test mask in better quality,
that when the correction method is carried out, a predetermined value is assumed for at least one selected parameter which influences the production of the etching structure with the test mask,
that the correction is carried out assuming a symmetrical deviation of the parameter from the specified value,
that the exposure mask is obtained by correcting the test mask,
that the test method is carried out with a test value of the selected parameter that deviates from the specified value in a less critical direction of value.

4. The method according to claim 2 or 3, characterized net that the test value is chosen in such a way that under Using the test value a lower quality of the etch mask or the etching structure when performing the test procedure compared to the specified value becomes.

5. The method according to any one of claims 2 to 4, characterized characterized that a defocus in the test procedure is specified when the test mask is exposed, that in the correction procedure from a focused Be the test mask is assumed.

6. The method according to any one of claims 2 to 5, characterized in that the power of the exposure process is used as the selected parameter,
that the test procedure is carried out with a second service,
that a first performance is assumed in the correction method, which enables better production of the etching mask or the etching structure than the second performance.

7. The method according to any one of claims 2 to 6, characterized in that an etching behavior of the material with which the etching mask is created is used as the selected parameter,
that the test method is carried out with a second etching behavior, and
that a first etching behavior is assumed in the correction method, which enables a better production of the etching mask or the etching structure.

8. The method according to any one of claims 2 to 7, characterized in that a wavelength of an exposure source is used as the selected parameter,
that the test procedure is carried out with a second wavelength, and
that a first wavelength is assumed in the correction process,
that the first wavelength enables a better creation of the etching mask or the etching structure.

9. The method according to any one of claims 2 to 8, characterized in that the aperture of an exposure arrangement is used as the selected parameter,
that the test procedure is carried out with a second value for the aperture, and
that a first value for the aperture is assumed in the correction procedure,
that the first value enables a better creation of the etching mask or the etching structure.

10. The method according to any one of claims 2 to 9, characterized in that the coherence of the light of the exposure arrangement is used as the selected parameter,
that the test procedure is carried out with a second value for coherence, and
that the correction method assumes a first value for coherence,
that the first value enables a better creation of the etching mask or the etching structure.

11. The method according to any one of claims 2 to 10, characterized in that the amplitude and / or the phase of the exposure radiation is used as the selected parameter,
that the test method is carried out with a second value for the amplitude and / or the phase, and
that a first value for the amplitude and / or the phase is assumed in the correction method, and
that the first value enables a better creation of the etching mask or the etching structure.

12. The method according to any one of claims 2 to 11, characterized in that an etching behavior of a material is used as the selected parameter, from which the etching structure is to be etched out with the etching mask,
that the test method is performed with a second value for the etching behavior, and
that the correction method assumes a first value for the etching behavior, with which a better quality of the etching structure is achieved.

13. The method according to any one of claims 2 to 12, characterized in that the test mask is designed in such a way that an etching mask with a desired test pattern can be produced with the test mask,
that the etching mask is produced or calculated with the test mask,
that the test pattern of the produced or calculated etching mask is compared with the desired test pattern,
that the correction method is carried out on the basis of the comparison result and the exposure mask is obtained.

14. The method according to any one of claims 2 to 12, characterized in that
the test mask is designed in such a way that an etching structure with a desired test pattern can be produced with the test mask,
that the etching structure is produced or calculated with the test mask,
that the test pattern of the produced or calculated etching structure is compared with the desired test pattern,
that the correction method is carried out on the basis of the comparison result and the exposure mask is obtained.

15. Method for optimizing a simulation method for calculating an exposure mask ( 4 ) which is used to produce an etching mask ( 6 ),
wherein a test exposure mask is defined according to a desired etching structure,
wherein an etching structure is calculated from the test exposure mask in a test process,
wherein in the calculation of the etching structure, the physical behavior when exposing the etching mask and / or the physical / chemical property of the etching process when etching the etching mask and / or the physical / chemical behavior when etching the etching structure is taken into account in order to use one of the test exposure mask to calculate the etch structure that can be produced by the test exposure mask,
wherein the calculated etching structure is compared with the desired etching structure in at least one parameter,
the exposure mask being calculated in a correction method from the deviation in the parameter as a modified form of the test exposure mask,
so that a better adaptation of the etching structure that can be produced with the exposure mask is obtained,
a nominal value for at least one parameter that influences the production of the etching structure with the exposure mask is taken into account when calculating the exposure mask,
characterized,
that a value for the parameter is used in the calculation of the etching structure in the test method, which is shifted in a less critical value direction compared to the nominal value.