DE10000663C2 - Process for coating a substrate - Google Patents

Process for coating a substrate

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Schicht auf einem Substrat in einem Reaktor mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1.The invention relates to a method for forming a layer on a Substrate in a reactor with the features of the preamble of Claim 1.

Ein derartiges Verfahren ist aus der DE 197 40 792 A1 bekannt. Dort wird mit einer niedrigen Prozesstemperatur unter 200°C gearbeitet. Eine harte Aluminiumoxidschicht auf einem Substrat, insbesondere einer Glaskeramikplatte, lässt sich damit nicht herstellen.Such a method is known from DE 197 40 792 A1. There is used with a low process temperature below 200 ° C. A hard aluminum oxide layer on a substrate, especially one Glass ceramic plate cannot be made with it.

Ein Beschichtungsverfahren ist im Fachbuch Hans Bach, Dieter Krause (Herausgeber), Thin Films on Glass, Springer-Verlag, 1997, beschrieben. Speziell ist ein solches Plasma-CVD (Chemical Vapour Deposition)- Verfahren auf den Seiten 64 bis 66 an Hand von Fig. 3.7 erläutert. Es ist dort ein CVD-Verfahren vorgeschlagen, bei dem das zu beschichten­ de Substrat in einem durch Mikrowellenenergie erzeugten Beschich­ tungsplasma liegt. Das Substrat ist auf einer Elektrode gelagert, an der eine Vorspannung mit Radiofrequenz, beispielsweise 13,5 MHz, anliegt. Die Radiofrequenz ist ungepulst. A coating process is described in the specialist book Hans Bach, Dieter Krause (editor), Thin Films on Glass, Springer-Verlag, 1997. Such a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method is explained on pages 64 to 66 with reference to FIG. 3.7. A CVD method is proposed there, in which the substrate to be coated lies in a coating plasma generated by microwave energy. The substrate is mounted on an electrode, to which a bias with radio frequency, for example 13.5 MHz, is applied. The radio frequency is not pulsed.

Ein PICVD-Verfahren (Plasma Impulse Chemical Vapour Deposition) ergibt sich aus den Seiten 244 bis 260.A PICVD process (Plasma Impulse Chemical Vapor Deposition) results from pages 244 to 260.

Beim PICVD-Verfahren ist die Mikrowellenenergie gepulst. Als Schicht­ bildungsmaterial ist SiCl4 vorgesehen, das mit Sauerstoff eine SiO2- Schicht bildet.In the PICVD process, the microwave energy is pulsed. SiCl 4 is provided as the layer forming material and forms an SiO 2 layer with oxygen.

Versuche haben gezeigt, dass es mit den bekannten Verfahren allein kaum möglich ist, harte und dichte sowie kratzfeste Schichten, insbeson­ dere aus Al2O3 zu erzeugen und eine hohe Temperaturwechselbeständig­ keit auch bei unterschiedlichen Wärmedehnungskoeffizienten der Schicht und des Substrats zu gewährleisten.Experiments have shown that it is hardly possible with the known methods alone to produce hard, dense and scratch-resistant layers, in particular from Al 2 O 3 , and to ensure high thermal shock resistance even with different coefficients of thermal expansion of the layer and the substrate.

In der EP 0 700 879 B1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer kratz­ festen Beschichtung aus Aluminiumoxid auf einem Glas-Substrat beschrieben. Die Beschichtung wird in einem an sich bekannten Sol-Gel- Verfahren aufgebracht. Dieses Verfahren weicht von einem CVD-Ver­ fahren und einem PICVD-Verfahren grundsätzlich ab. Da bei der EP 0 700 879 B1 das Substrat eine Windschutzscheibe eines Kraftfahr­ zeugs sein soll, ist nicht mit hohen Temperaturwechselbeanspruchungen zu rechnen, wie sie beispielsweise bei Glaskeramikartikeln, wie Küchen­ geschirr und Kochflächen oder Sichtflächen bei Kochherden, auftreten.EP 0 700 879 B1 describes a method for producing a scratch solid coating of aluminum oxide on a glass substrate described. The coating is applied in a sol-gel Process applied. This method differs from a CVD Ver drive and a PICVD procedure in principle. Since at the EP 0 700 879 B1 the substrate of a windshield of a motor vehicle Stuff is not with high temperature cycling to be expected, as is the case with glass ceramic articles such as kitchens crockery and cooking surfaces or visible surfaces in cooking stoves.

In der DE 39 36 654 C1 ist ein mit Keramikfarbe dekorierter Glaskera­ mikartikel, insbesondere Glaskeramikscheibe, beschrieben, wobei zwi­ schen der Keramikfarbe und dem Glaskeramikartikel eine SiO2-Schicht angeordnet ist, die in einem CVD-Verfahren oder in einem Sol-Gel-Ver­ fahren aufgebracht werden kann. Auf eine Kratzfestigkeit der SiO2- Schicht kommt es nicht an, da diese nicht die beanspruchte Oberfläche bildet.DE 39 36 654 C1 describes a ceramic article decorated with ceramic paint, in particular a glass ceramic disk, wherein an SiO 2 layer is arranged between the ceramic paint and the glass ceramic article, which is in a CVD process or in a sol-gel Ver driving can be applied. The scratch resistance of the SiO 2 layer is not important, since it does not form the stressed surface.

Beschichtungsvorrichtungen mit einem Mikrowellengenerator, einem Hochfrequenz-(Radiofrequenz- oder Niederfrequenz-)Generator sowie eine Steuereinrichtung für beide Generatoren sind aus EP 0 472 465 B1, EP 0 395 415 B1, JP 03-130370 A, JP 05-39578 A bekannt.Coating devices with a microwave generator, one High frequency (radio frequency or low frequency) generator as well a control device for both generators are known from EP 0 472 465 B1, EP 0 395 415 B1, JP 03-130370 A, JP 05-39578 A are known.

Ein RF(NF)-Generator ist ein Frequenzerzeuger, der Radiofrequenzen (300 kHz bis 1 GHz) oder Niederfrequenzen (30 kHz bis 300 kHz) erzeugt. Ein Stubtuner ist ein Impedanz-Anpassungselement der Hohl­ leitertechnik und mit dem deutschsprachigen Begriff "Schrauben-Trans­ formator" beschrieben.An RF (NF) generator is a frequency generator that uses radio frequencies (300 kHz to 1 GHz) or low frequencies (30 kHz to 300 kHz) generated. A stub tuner is an impedance matching element of the hollow ladder technology and with the German term "screw trans formator ".

Ein Adatom ist ein bewegliches, auf einer Oberfläche adsorbiertes, chemisch ungebundenes Atom.An adatom is a mobile, adsorbed onto a surface, chemically unbound atom.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren der eingangs genannten Art vorzuschlagen, durch das eine Aluminiumoxidschicht hart, dicht und kratzfest wird und mit dem Substrat bei Temperaturwechselbeanspru­ chung auch dann verbunden bleibt, wenn die Schicht und das Substrat stark differierende Wärmedehnungskoeffizienten haben.The object of the invention is a method of the type mentioned propose through which an aluminum oxide layer hard, dense and becomes scratch-resistant and with the substrate under temperature change stress Chung remains connected even if the layer and the substrate have very different coefficients of thermal expansion.

Erfindungsgemäß ist obige Aufgabe bei einem Verfahren der eingangs genannten Art durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.According to the invention, the above object is in a method of the beginning mentioned type solved by the features of claim 1.

Dadurch, dass die beiden Frequenzen gepulst werden, ergibt sich in der Impulspause ein im wesentlichen elektrisch neutraler Zustand. Dieser vermeidet, dass für die Beschichtung unerwünschte Reaktionsprodukte beim nächsten Impuls in die Schicht eingebaut werden könnten. Während der Impulspausen werden die Reaktionsprodukte aus dem Reaktor weitestgehend abgeführt, wobei dieser Vorgang nicht durch elektrische Wirkung der beiden eingekoppelten elektrischen Energien behindert wird.The fact that the two frequencies are pulsed results in the Impulse pause is an essentially electrically neutral state. This  avoids that unwanted reaction products for the coating could be built into the layer at the next pulse. During the pulse breaks, the reaction products from the Most of the reactor is removed, this process not by electrical effect of the two coupled electrical energies is hindered.

Durch das beschriebene Verfahren lässt sich eine dichte und kratzfeste harte Schicht auf dem Substrat aufbringen, die eine hohe optische Trans­ parenz aufweist und am Substrat dauerhaft haftet. Als Substrat eignen sich beispielsweise Fensterscheiben, Kunststoffscheiben oder Spezial­ glasscheiben, wie beispielsweise Glaskeramikscheiben. Es hat sich gezeigt, dass trotz stark unterschiedlicher Wärmedehnungskoeffizienten der Schicht und des Substrats sich auch bei hoher Temperaturwechselbe­ anspruchung die Schicht nicht vom Substrat löst.The procedure described allows a dense and scratch-resistant apply hard layer on the substrate, which has a high optical trans parenz and adheres permanently to the substrate. Suitable as a substrate for example window panes, plastic panes or special glass panes, such as glass ceramic panes. It has shown that despite very different coefficients of thermal expansion the layer and the substrate change even with high temperature changes stress does not separate the layer from the substrate.

Vorzugsweise werden die beiden Frequenzen synchron gepulst und die Impulspause ist wesentlich länger als die Impulsdauer. Diese Maßnah­ men unterstützen das Abführen von Reaktionsprodukten, die nicht in die Schicht eingebaut werden sollen. The two frequencies are preferably pulsed synchronously and the Pulse pause is much longer than the pulse duration. This measure men support the removal of reaction products that are not in the layer should be installed.  

In Ausgestaltung der Erfindung wird das Substrat im Reaktor je nach Material auf 300°C bis 600°C aufgeheizt. Durch diese Temperaturerhöhung wird die Mobilität abgeschiedener Adatome erhöht, die für den Einbau in die Schicht unerwünscht sind. Im Endeffekt wird dadurch der dichte Aufbau der Schicht verbessert.In one embodiment of the invention, the substrate is Depending on the material, the reactor is heated to 300 ° C to 600 ° C. This increase in temperature makes mobility deposited adatoms increased for installation in the Layer are undesirable. In the end it will be the improved layer structure.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens ergeben sich aus der folgenden Beschreibung.Further advantageous refinements of the method result from the following description.

Wesentliche Merkmale einer Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens sind in den weiteren Ansprüchen genannt.Essential features of a facility for implementation of the method are mentioned in the further claims.

Die Figur zeigt ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels einer Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens.The figure shows a block diagram of a Embodiment of a device for implementation of the procedure.

Die Beschichtungseinrichtung weist einen Reaktor 1 auf. In diesem ist ein metallischer Substrathalter 2 zur Festlegung eines zu beschichtenden, vorzugsweise transparenten Substrats 3 vorgesehen. Das Substrat 3 kann eine Fensterscheibe, Kunststoffscheibe oder Spezialglasscheibe, beispielsweise Glaskeramik-Kochfläche, sein.The coating device has a reactor 1 . In this, a metallic substrate holder 2 is provided for fixing a preferably transparent substrate 3 to be coated. The substrate 3 can be a window pane, plastic pane or special glass pane, for example a glass ceramic cooktop.

Der Substrathalter 2 umgreift das Substrat 3 und ist als Gasverteiler ausgebildet. Hierzu ist er über eine Gaszuleitung 4 an einen Gaserzeuger 5 angeschlossen und weist in der Umgebung des Substrats 3 mehrere Austrittsöffnungen für das zugeleitete Gas auf. Zur Erhöhung der Temperatur des Substrats 3 kann der Substrathalter 2 beheizbar sein. Der Temperaturbereich liegt zwischen Raumtemperatur und 600°C, wobei die Temperatur so gewählt wird, dass das jeweilige Substrat 3 nicht geschädigt wird.The substrate holder 2 encompasses the substrate 3 and is designed as a gas distributor. For this purpose, it is connected to a gas generator 5 via a gas feed line 4 and has a plurality of outlet openings for the supplied gas in the vicinity of the substrate 3 . In order to increase the temperature of the substrate 3 , the substrate holder 2 can be heated. The temperature range is between room temperature and 600 ° C., the temperature being chosen so that the respective substrate 3 is not damaged.

In den Reaktor 1 ragt eine metallische Flächenelektrode 6, die elektrisch an einen RF(NF)-Generator 7 angeschlossen ist. An der Elektrode 6 liegt das Substrat 3 direkt oder indirekt über dem Substrathalter 2 flächig an. Die Grundfläche der Elektrode 6 ist ebenso groß oder geringfügig größer als die des Substrats 3.A metallic surface electrode 6 , which is electrically connected to an RF (NF) generator 7 , projects into the reactor 1 . The substrate 3 lies flat on the electrode 6 directly or indirectly above the substrate holder 2 . The base area of the electrode 6 is just as large or slightly larger than that of the substrate 3 .

Der RF(NF)-Generator 7 erzeugt eine Frequenz zwischen 50 Hz bis 30 MHz, beispielsweise 13,5 MHz, und hat eine Leistung von etwa 50 W bis 1000 W, insbesondere 100 W bis 200 W.The RF (NF) generator 7 generates a frequency between 50 Hz to 30 MHz, for example 13.5 MHz, and has a power of approximately 50 W to 1000 W, in particular 100 W to 200 W.

In den Reaktor 1 ist an einer Einkoppelstelle 8 über eine von einem Mikrowellen-Generator 9 gespeiste Mikrowellen- Antenne 10 eine Mikrowellen-Frequenz eingekoppelt, die vorzugsweise wenigstens um den Faktor 1000 größer ist als die Frequenz des RF(NF)-Generators 7 und zwischen 0,8 bis 3 GHz, beispielsweise bei 2,45 GHz, liegt. Der Mikrowellen-Generator 9 hat eine elektrische Leistung (Pulsleistung), die größer ist als die des RF(NF)-Generators 7 und beispielsweise bei 4 bis 12 kW liegt. Dem Mikrowellen-Generator 9 ist ein Stubtuner 9' zugeordnet, der der Impedanzabstimmung dient.A microwave frequency is coupled into the reactor 1 at a coupling point 8 via a microwave antenna 10 fed by a microwave generator 9, which microwave frequency is preferably at least 1000 times greater than the frequency of the RF (NF) generator 7 and between 0.8 to 3 GHz, for example at 2.45 GHz. The microwave generator 9 has an electrical power (pulse power) that is greater than that of the RF (NF) generator 7 and is, for example, 4 to 12 kW. A stub tuner 9 'is assigned to the microwave generator 9 and is used for impedance matching.

Die Einkoppelstelle 8 hat einen Abstand d vom Substrat 3, der beispielsweise etwa bei 10 bis 50 mm liegt.The coupling point 8 has a distance d from the substrate 3 , which is, for example, approximately 10 to 50 mm.

An den Reaktor 1 ist eine Vakuumpumpe 11 über eine Gasleitung 12 angeschlossen, in der ein Druckregler 13 liegt. Die Vakuumpumpe 11 erzeugt beispielsweise einen Unterdruck von 0,1 bis 0,5 mbar. Die Vakuumpumpe 11 mündet in einen Gasauslass 14.A vacuum pump 11 is connected to the reactor 1 via a gas line 12 , in which a pressure regulator 13 is located. The vacuum pump 11 generates, for example, a negative pressure of 0.1 to 0.5 mbar. The vacuum pump 11 opens into a gas outlet 14 .

Eine elektronische Steuereinrichtung 15 dient der Steuerung des Mikrowellen-Generators 9, des RF(NF)-Generators 7 und des Gaserzeugers 5 sowie der Vakuumpumpe 11 (an/aus) und/oder des Druckreglers 13 und/oder der Heizung des Substrathalters 2 bzw. zugehöriger Ventile, Massenflussregler und Temperaturen. An electronic control device 15 serves to control the microwave generator 9 , the RF (NF) generator 7 and the gas generator 5 as well as the vacuum pump 11 (on / off) and / or the pressure regulator 13 and / or the heating of the substrate holder 2 or associated valves, mass flow controllers and temperatures.

Sie steuert den Mikrowellen-Generator 9 und den RF(NF)-Generator 7 in der Weise, dass die beiden Frequenzen synchron gepulst werden, wobei die Impulsdauer wesentlich kürzer ist als die Impulspause. Die Impulsdauer beträgt beispielsweise 1 bis 3 ms. Die Impulspause beträgt beispielsweise 10 bis 300 ms.It controls the microwave generator 9 and the RF (NF) generator 7 in such a way that the two frequencies are pulsed synchronously, the pulse duration being significantly shorter than the pulse pause. The pulse duration is, for example, 1 to 3 ms. The pulse pause is, for example, 10 to 300 ms.

Im Gaserzeuger 5 wird aus Aluminiumchlorid (AlCl3) als schichtbildendes Material unter Beimischung von O2 und/oder CO2 und/oder H2 und/oder H2O ein Gas mit einer Temperatur von etwa 130°C erzeugt, das der Schichtbildung auf dem Substrat 3 dient. Der Anteil von AlCl3 im Gasfluss liegt etwa bei 10% bis 57%. Entsprechend liegt der Anteil der Summe aus O2 + CO2 + H2 + H2O im Gasfluss bei ca. 43% bis 90%. Dabei kann die Zusammensetzung dieser Anteile unterschiedlich sein. Einer der Bestandteile kann auch Null sein.In the gas generator 5 , a gas is generated from aluminum chloride (AlCl 3 ) as a layer-forming material with admixture of O 2 and / or CO 2 and / or H 2 and / or H 2 O at a temperature of approximately 130 ° C., which causes the layer to form serves the substrate 3 . The proportion of AlCl 3 in the gas flow is approximately 10% to 57%. Accordingly, the proportion of the sum of O 2 + CO 2 + H 2 + H 2 O in the gas flow is approximately 43% to 90%. The composition of these parts can vary. One of the components can also be zero.

Das mit der beschriebenen Vorrichtung durchführbare Verfahren ist etwa folgendes:
Unter der Wirkung der Vakuumpumpe 11 tritt das im Gaserzeuger 5 erzeugte Gas durch den Substrathalter 2 in den Reaktor 1 verteilt ein. Im Abstandsraum d bildet sich infolge des eingestrahlten Mikrowellen-Impulses ein Plasma P, das unter der Wirkung des am Substrat 3 anliegenden Impulses des RF(NF)-Generators 7 zu einem Niederschlag von Aluminiumoxid (Al2O3) auf dem - gegebenenfalls beheizten - Substrat 3 führt. Der Impuls des RF(NF)-Generators 7 unterstützt die Verdichtung des Schichtgefüges, so dass schon bei relativ niedrigen Temperaturen (Raumtemperatur bis 600°C) sich die Korund-Phase des Al2O3 ausbildet. Bei jedem Impuls wiederholt sich dieser Vorgang.The method which can be carried out with the described device is approximately as follows:
Under the action of the vacuum pump 11 , the gas generated in the gas generator 5 enters the reactor 1 distributed through the substrate holder 2 . As a result of the irradiated microwave pulse, a plasma P forms in the space d, which, under the action of the pulse of the RF (NF) generator 7 applied to the substrate 3 , forms a precipitate of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) on the - optionally heated - Substrate 3 leads. The pulse of the RF (NF) generator 7 supports the compaction of the layer structure, so that the corundum phase of the Al 2 O 3 is formed even at relatively low temperatures (room temperature to 600 ° C.). This process is repeated with each pulse.

Infolge des Mikrowellen-Impulses entstehen außer dem gewünschten Niederschlag auch Reaktionsprodukte und gegebenenfalls am Substrat 3 abgeschiedene Adatome, die zur Verbesserung der Schicht nicht in diese eingebaut werden sollten. Die Mikrowellen-Impulse und die Impulse des RF(NF)-Generators 7 treten synchron, d. h. gleichzeitig auf. Gleiches gilt für die Impulspausen.As a result of the microwave pulse, reaction products and optionally adatoms deposited on the substrate 3 are formed in addition to the desired precipitation, which should not be incorporated into the layer in order to improve it. The microwave pulses and the pulses of the RF (NF) generator 7 occur synchronously, ie at the same time. The same applies to the pulse pauses.

In der auf jeden Impuls folgenden Impulspause werden die Reaktionsprodukte und gegebenenfalls die Adatome, deren Mobilität durch die Beheizung des Substrats 3 erhöht ist, mittels der Vakuumpumpe 11 aus dem Reaktor 1 aufgesaugt. Da in der Impulspause keine Spannung an der Elektrode 6 anliegt, kann diese nicht Reaktionsprodukte oder Adatome zurückhalten. Mit dem Absaugen der Reaktionsprodukte und gegebenenfalls der Adatome tritt in der Impulspause frisches Gas aus dem Gaserzeuger 5 in den Reaktor 1 ein.In the pulse pause following each pulse, the reaction products and optionally the adatoms, the mobility of which is increased by heating the substrate 3 , are sucked out of the reactor 1 by means of the vacuum pump 11 . Since there is no voltage at the electrode 6 during the pulse pause, this cannot hold back reaction products or adatoms. When the reaction products and, if appropriate, the adatoms are suctioned off, fresh gas from the gas generator 5 enters the reactor 1 during the pulse pause.

Die Dicke der Schicht lässt sich durch die Verfahrensdauer und den Gesamtgasfluss steuern.The thickness of the layer can be determined by the Control process duration and total gas flow.

Versuche haben gezeigt, dass sich durch das beschriebene Verfahren infolge der erreichbaren Korund-Phase eine sehr dichte und harte, gegen Kratzer unempfindliche Al2O3-Schicht ergibt, die eine sehr hohe Abriebbeständigkeit im Vergleich zu mit anderen Verfahren hergestellten Al2O3-Schichten hat. Die Al2O3-Schicht zeigt eine hohe optische Transparenz mit einer Brechzahl im Bereich von 1,69 bis 1,76.Experiments have shown that the process described results in a very dense and hard Al 2 O 3 layer, which is insensitive to scratches, as a result of the corundum phase which can be achieved, and which has a very high abrasion resistance in comparison to Al 2 O 3 produced with other processes. Has layers. The Al 2 O 3 layer shows high optical transparency with a refractive index in the range from 1.69 to 1.76.

Trotz stark unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten des Substrats 3 und der Al2O3-Schicht (Glaskeramik: 0,15.10-6/K, Al2O3: 8,4 × 10-6/K) bleibt bei Temperaturwechselbeanspruchungen die Haftung der Schicht am Substrat 3 dauerhaft erhalten.Despite strongly different coefficients of thermal expansion of the substrate 3 and the Al 2 O 3 layer (glass ceramic: 0.15.10 -6 / K, Al 2 O 3 : 8.4 × 10 -6 / K), the layer remains adherent to the substrate in the event of thermal cycling 3 received permanently.

Insbesondere bei Kunststoffscheiben und anderen thermolabilen Substraten ist günstig, dass eine die genannten Eigenschaften aufweisende Al2O3-Schicht aufgebracht werden kann, ohne dass das thermolabile Substrat bei der Beschichtung auf Temperaturen gebracht werden muss, die über ihrer Temperaturbelastbarkeit liegen.In the case of plastic panes and other thermolabile substrates in particular, it is favorable that an Al 2 O 3 layer having the properties mentioned can be applied without the thermolabile substrate having to be brought to temperatures in the coating which are above its temperature resistance.

Claims (13)

1. Verfahren zum Bilden einer Schicht auf einem Substrat in einem Reaktor, dem ein Schichtbildungsmaterial zugeführt wird und in den elektromagnetische Strahlungsenergie mit Mikrowellenfrequenz zur Bildung eines Plasmas und elektromagnetische Energie niedrigerer Frequenz eingekoppelt wird, wobei beide Frequenzen gepulst werden und während der Impulspause Reaktionsprodukte, die durch die Impulse entstanden sind, aus dem Reaktor abgeführt werden, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung einer harten Aluminiumoxidschicht auf dem Substrat Aluminiumchlorid (AlCl3) mit O2 und/oder CO2 und/oder H2 und/ oder H2O im gasförmigen Zustand dem Reaktor zugeführt wird.1. A method of forming a layer on a substrate in a reactor, to which a layer-forming material is fed and into which electromagnetic radiation energy with microwave frequency is coupled to form a plasma and electromagnetic energy of lower frequency, both frequencies being pulsed and reaction products during the pulse pause caused by the pulses are discharged from the reactor, characterized in that aluminum chloride (AlCl 3 ) with O 2 and / or CO 2 and / or H 2 and / or H 2 O in gaseous form to form a hard aluminum oxide layer on the substrate State is fed to the reactor. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowellenfrequenz in einem Abstand von der einen Seite des Substrats in den Reaktor eingestrahlt wird und die niedrigere Frequenz an die andere Seite des Substrats angelegt wird. 2. The method according to claim 1, characterized, that the microwave frequency is at a distance from one side of the substrate is irradiated into the reactor and the lower Frequency is applied to the other side of the substrate.   3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Frequenzen synchron gepulst werden.3. The method according to claim 1 or 2, characterized, that the two frequencies are pulsed synchronously. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Impulspause länger ist als die Impulsdauer.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the pulse pause is longer than the pulse duration. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Dauer der Impulspause um den Faktor 3 bis 300 länger wird als die Impulsdauer.5. The method according to claim 4, characterized, that the duration of the pulse pause increases by a factor of 3 to 300 than the pulse duration. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Impulspause zwischen 10 bis 300 ms und die Impulsdauer zwischen 1 bis 3 ms gelegt werden.6. The method according to claim 4 or 5, characterized, that the pulse pause between 10 to 300 ms and the pulse duration between 1 and 3 ms. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowellenfrequenz um wenigstens den Faktor 1000 größer wird als die niedrigere Frequenz.7. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the microwave frequency is at least 1000 times higher than the lower frequency. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowellenfrequenz zwischen 0,8 bis 3 GHz gelegt wird, und die niedrigere Frequenz zwischen 50 Hz und 30 MHz gelegt wird. 8. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the microwave frequency is set between 0.8 to 3 GHz, and the lower frequency between 50 Hz and 30 MHz becomes.   9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Mikrowellenleistung größer wird als die elektrische Leistung der niedrigeren Frequenz.9. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the electrical microwave power becomes larger than that lower frequency electrical power. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrowellenleistung zwischen 4 bis 12 kW und die Leistung der niedrigeren Frequenz zwischen 50 W bis 1000 W gelegt wird.10. The method according to claim 9, characterized, that the microwave power is between 4 to 12 kW and the power the lower frequency is placed between 50 W to 1000 W. 11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat im Reaktor je nach Temperaturbelastbarkeit auf eine Temperatur von höchstens 300 bis 600°C aufgeheizt wird.11. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that the substrate in the reactor depends on the temperature resistance a temperature of at most 300 to 600 ° C is heated. 12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat eine Glaskeramikscheibe verwendet wird.12. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that a glass ceramic disc is used as the substrate. 13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat eine transparente Fensterscheibe, Kunststoffscheibe oder Spezialglasscheibe verwendet wird, die mit einer transparenten Schicht versehen wird.13. The method according to any one of the preceding claims, characterized, that as a substrate a transparent window pane, plastic pane or special glass pane is used with a transparent Layer is provided.
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