DD295906B5 - Optical two-step method for evaluating the quality of solids - Google Patents
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Hierzu 1 Seite ZeichnungenFor this 1 page drawings
Die Erfindung betrifft die Anwendung von Licht unterschiedlicher Wellenlänge zur zerstörungsfreien und berührungslosen Qualitätsbewertung von Festkörperoberflächen, insbesondere für Materialien der Mikro- und Optoelektronik.The invention relates to the use of light of different wavelengths for the non-destructive and non-contact quality assessment of solid surfaces, in particular for materials of microelectronics and optoelectronics.
Verfahren zur Bewertung von Oberflächen, insbesondere von Halbleiteroberflächen, mit Hilfe der Reflexionsmessung zur Detektierung kreistallografischer Inhomogenitäten sind hinreichend bekannt.Methods for the evaluation of surfaces, in particular of semiconductor surfaces, by means of the reflection measurement for detecting circularlographic inhomogeneities are well known.
Eine Reihe von Verfahren befassen sich mit der Rauhigkeitsmessung von Festkörperoberflächen, die auf der Grundlage der Messung und Auswertung der Intensität der von der Probenoberfläche reflektierten Strahlung beruhen.A number of methods are concerned with the roughness measurement of solid surfaces based on the measurement and evaluation of the intensity of the radiation reflected from the sample surface.
Harbeke (US-PS4511800) und Schmidt (DD-PS210487) beschreiben Verfahren zur Rauhigkeitsmessung, die als Ergebnis einen zur statistischen Rauhigkeit der Probenoberfläche korrelierenden Wert liefern. Eine lokale Zuordnung von Meßwerten auf der Probenoberfläche wird stark erschwert, wenn nicht sogar unmöglich.Harbeke (US-PS4511800) and Schmidt (DD-PS210487) describe roughness measurement methods which, as a result, provide a value correlating to the statistical roughness of the sample surface. A local assignment of measured values on the sample surface is greatly complicated, if not impossible.
Andere eventuell modifizierte Lichtschnittmethoden sind durch das optische Auflösungsvermögen begrenzt (DE-OS2256736).Other possibly modified light-section methods are limited by the optical resolution (DE-OS2256736).
Eine Reihe von Schutzrechten nutzen das Laserscanning-Prinzipzur Probenabrasterung, wobei ein Hauptnachteil in der mit Hilfe der Strahlungsdetektoren erzielten Oberflächenbewertung zu sehen ist. So können zum Beispiel die Oberflächeninspektionsgeräte der „Surfscan-"Reihe (US-PS4601576) nur makroskopische Defekte, Oberflächenbelegungen u.a. erkennen.A number of proprietary rights use the laser scanning principle for sample scanning, a major disadvantage being the surface evaluation achieved with the aid of the radiation detectors. For example, the "Surfscan" series of surface inspection equipment (U.S. Patent No. 4,605,576) can only detect macroscopic defects, surface defects, and the like.
Hochauflösende Scanning-Mikroskope sind in der industriellen Warenproduktion, wenn sie ausschließlich zur Oberflächendefekterkennung eingesetzt werden, unwirtschaftlich.High-resolution scanning microscopes are uneconomical in industrial commodity production when used exclusively for surface defect detection.
Ferner sind Verfahren bekannt, welche die Photolumineszenz oder die Raman-Strahlung zur Charakterisierung der Oberfläche ausnutzen (DE-OS3037983). Bei diesen Verfahren dient die Wellenlängenselektion der Lichtquelle ausschließlich zur Anregung der Probenoberfläche. Dadurch ist das Untersuchungsgebiet bezüglich detektierbarer Oberflächenfehler stark eingeschränkt.Furthermore, methods are known which utilize the photoluminescence or the Raman radiation for characterizing the surface (DE-OS3037983). In these methods, the wavelength selection of the light source is used exclusively for exciting the sample surface. As a result, the investigation area with respect to detectable surface defects is severely limited.
Ziel der ErfindungObject of the invention
Ziel der Erfindung ist es, ein zerstörungsfreies berührungsloses Verfahren auf optischer Grundlage anzugeben, daß die Bewertung der Qualität von Festkörperoberflächen durchgeführt werden kann.The aim of the invention is to provide a nondestructive non-contact method on an optical basis that the evaluation of the quality of solid surfaces can be performed.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem eine zerstörungsfreie und berührungslose Beurteilung der Qualität von Festkörperoberflächen durchgeführt werden kann.The invention has for its object to provide a method by which a non-destructive and non-contact assessment of the quality of solid surfaces can be performed.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, indem das Ausgangspunkt eine optische Analyse mittels Reflexionsmessungen erfolgt. Diese werden mit monochromatischem Licht durchgeführt, wobei die Größe des Lichtfleckes die bestrahlte Probenfläche bestimmt. Nach dem Rasterverfahren werden ausgewählte Oberflächenbereiche untersucht. An jedemAccording to the invention the object is achieved in that the starting point is an optical analysis by means of reflection measurements. These are performed with monochromatic light, the size of the light spot determining the irradiated sample area. After the screening process selected surface areas are examined. At each
deshalb Hinweise auf dessen Oberflächenstruktur, beispielsweise kristallografische Defekte mit ihren vielfältigen Auswirkungen.Therefore, evidence of its surface structure, such as crystallographic defects with their multiple effects.
um eine ganzflächige Bestrahlung der zu untersuchenden Festkörperoberfläche, beispielsweise Halbleiterscheibe, zu realisieren.to realize a whole-surface irradiation of the solid surface to be examined, for example, semiconductor wafer.
sichtbaren Lichtes bis in den infraroten Spektralbereich vorgenommen wird.visible light is made to the infrared spectral range.
die Qualität des Prüflings abläuft.the quality of the test object expires.
variierbaren Winkel. Das von ihr reflektierte Licht wird von einem Empfänger 4 aufgenommen. Die Steuerung des Sondenkopfes,der Lichtquelle und der X-Y-Positioniereinheit 5 übernimmt die durch einen Mikrorechner realisierte Steuereinheit 6, dieebenfalls die Daten des Empfängers auswertet.variable angle. The light reflected by it is received by a receiver 4. The control of the probe head, the light source and the X-Y positioning unit 5 assumes the realized by a microcomputer control unit 6, which also evaluates the data of the receiver.
gekoppelt. Diese LED wird durch eine IR-Emitterdiode, weißes Licht oder eine bezüglich der Wellenlänge durchstimmbarecoupled. This LED is controlled by an IR emitter diode, white light, or wavelength tunable
automatischer Vielfachsondentester AVT und die Steuerung ein Mikrorechner.automatic multi-probe AVT and the control a microcomputer.
bestimmt werden.be determined.
ermittelten Parametern ganzflächig bestrahlt.irradiated parameters over the entire surface.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD31986488A DD295906B5 (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Optical two-step method for evaluating the quality of solids |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DD31986488A DD295906B5 (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Optical two-step method for evaluating the quality of solids |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD295906A5 DD295906A5 (en) | 1991-11-14 |
DD295906B5 true DD295906B5 (en) | 1996-02-08 |
Family
ID=5602480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD31986488A DD295906B5 (en) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | Optical two-step method for evaluating the quality of solids |
Country Status (1)
Country | Link |
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DD (1) | DD295906B5 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616245C2 (en) * | 1996-04-15 | 1998-06-18 | Zam Zentrum Fuer Angewandte Mi | Method and arrangement for non-destructive, non-contact testing and / or evaluation of solids, liquids, gases and biomaterials |
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1988
- 1988-09-16 DD DD31986488A patent/DD295906B5/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
DD295906A5 (en) | 1991-11-14 |
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