DD264094A1

DD264094A1 - ARRANGEMENT FOR THE PROTECTION OF THE INPUT DEVICES OF A LOW VOLTAGE CONTROL FOR HIGH VOLTAGE CIRCUIT BREAKERS

Info

Publication number: DD264094A1
Application number: DD30617787A
Authority: DD
Inventors: Manfred Ulrich; Lutz Winkler
Original assignee: Liebknecht Transformat
Priority date: 1987-08-20
Filing date: 1987-08-20
Publication date: 1989-01-18

Abstract

Die Erfindung bezweckt die Bereitstellung einer Anordnung zum Schutz der Eingangsbauelemente einer Niederspannungssteuerung fuer Hochspannungsleistungsschalter, bei der eine Ansteuerung der den Schaltvorgang ausloesenden elektronischen Halbleiterbauelemente bei elektromagnetischen Stoerimpulsen wirksam unterbunden ist. Als Loesung hierzu ist nunmehr vorgesehen, dass das Grobschutzmittel aus einer Widerstandskombination, in welcher ein Widerstand 3, ein Varistor 4 und ein weiterer Widerstand 5 in Reihe geschaltet sind, und das Feinschutzmittel zum einen fuer Stoerimpulszeiten groesser als die Ansprechzeit des Varistors 4 aus einem Tiefpass, der aus einer zum Varistor 4 parallel geschalteten Reihenschaltung von einem Widerstand 6 und einem Kondensator 7 gebildet ist, und zum anderen fuer Stoerimpulszeiten kleiner als die Ansprechzeit des Varistors 4 aus einer in der Widerstandskombination der Widerstaende 3, 5, 6 einbezogenen zwischen den beiden letzteren Widerstaenden 5, 6 in Reihe sowie zum Kondensator 7 parallel geschalteten Z-Diode 9 und einem zum Kondensator 7 parallel geschalteten HF-Kondensator 8 bestehen und in diese Parallelschaltung von Z-Diode 9, HF-Kondensator 8 und Kondensator 7 wiederum als Parallelschaltung hierzu die Steuerelektrode bzw. Steuerelektroden des elektronischen Halbleiterbauelementes 1 bzw. der elektronischen Halbleiterbauelemente 1 integriert sind. Fig. 1The invention aims to provide an arrangement for protecting the input components of a low-voltage control for high-voltage circuit breakers, in which a control of the switching process ausloesenden electronic semiconductor devices is effectively prevented in electromagnetic interference pulses. As a solution to this, it is now provided that the coarse protective agent of a resistor combination, in which a resistor 3, a varistor 4 and another resistor 5 are connected in series, and the fine protective means for a pulse duration greater than the response time of the varistor 4 from a low pass which is formed of a varistor 4 connected in parallel series connection of a resistor 6 and a capacitor 7, and secondly for pulse pulse times smaller than the response time of the varistor 4 from a in the resistor combination of the resistors 3, 5, 6 included between the two latter Resistors 5, 6 in series and the capacitor 7 in parallel Zener diode 9 and a condenser 7 parallel-connected RF capacitor 8 and in this parallel connection of Zener diode 9, RF capacitor 8 and capacitor 7 turn as a parallel circuit to this Control electrode or control electrodes of the electronic semiconductor construction element 1 and the electronic semiconductor devices 1 are integrated. Fig. 1

Description

Hierzu 2 Seiten ZeichnungenFor this 2 pages drawings

Field of application of the invention

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Schutz der Eingangsbauelemente einer Steuerung für Hochspannungsleistungsschalter unter Verwendung von spannungsbegrenzenden sowie frequenzselektiven Verzögerungsgliedern, wobei die Funktion im normalen Betriebsfall durch diese Bauelemente nicht beeinflußt wird.The invention relates to an arrangement for protecting the input components of a controller for high-voltage circuit breaker using voltage-limiting and frequency-selective delay elements, wherein the function is not affected by these components in normal operation.

Characteristic of the known state of the art

Nach der DD-PS 100840, H02 h, 9/04 ist ein Überspannungsschutz von Thyristoren bekannt, der beim Auftreten von Überspannungen die Thyristoren zündet, indem spannungsabhängige Widerstände zu ihrer Anoden-Steuerelektrodenstrecke parallel geschaltet sind. Für den Einsatz in Niederspannungssteuerungen ist diese Lösung jedoch nicht geeignet, da jedes Zünden eines Thyristors ein ungewolltes Schalten des Hochspannungsleistungsschalters bewirkt, was jedoch unbedingt auszuschließen ist.According to DD-PS 100840, H02 h, 9/04 overvoltage protection of thyristors is known, which ignites the thyristors in the occurrence of overvoltages by voltage-dependent resistors are connected in parallel to their anode control electrode path. However, this solution is not suitable for use in low-voltage control systems, since any firing of a thyristor causes unintentional switching of the high-voltage circuit breaker, which, however, must be ruled out.

Bei der Schutzschaltung nach der DE-OS 3109883 (H02 h, 7/20) werden die bei atmosphärischen Störungen, insbesondere bei Gewittern, an Aderpaaren auftretenden Strom- oder Spannungsstöße auf für elektrische Verbraucher ungefährliche Werte begrenzt, indem zwischen zwei Adern eines Kabels ein Varistor geschaltet ist und beide Adern über je einen weiteren Varistor an Masse bzw. Erde gelegt sind.In the protective circuit according to DE-OS 3109883 (H02 h, 7/20) occurring in atmospheric disturbances, especially in thunderstorms on wire pairs, current or voltage surges are limited to safe values for electrical loads by a varistor between two wires of a cable is switched and both cores are placed over each another varistor ground or ground.

Diese Schaltung weist vor allem den Nachteil auf, daß die Varistoren eine sehr große Strombelastung von mindestens 4OkA aufweisen müssen.This circuit has the particular disadvantage that the varistors must have a very high current load of at least 4OkA.

Extrem schnelle Einkopplungen, die schneller als die Ansprechzeit der Varistoren sind, können hierbei nicht erfaßt werden. Außerdem erfolgt — bedingt durch die sich plötzlich einstellende Niederohmigkeit der Varistoren — ein Spannungsabfall über die gesamte Leitung in Form einer Wanderwelle, die z. B. die Spannungsquelle bzw. die der Schutzeinrichtung vorgelagerte elektrische Einrichtung des zu schützenden Gerätes zerstören kann.Extremely fast couplings, which are faster than the response time of the varistors, can not be detected here. In addition - due to the suddenly occurring low resistance of the varistors - a voltage drop across the entire line takes place in the form of a traveling wave, the z. B. the voltage source or the protective device upstream electrical device of the device to be protected can destroy.

Bei einer anderen Schutzschaltung DE-OS 2912415 (H02 h, 9/04), die zur Zwischenschaltung zwischen dem Wechselstromnetz und einem Verbraucher gedacht ist und jeweils zwei Eingangsklemmen und zwei Ausgangsklemmen aufweist, wird die Überspannung durch die Überbrückung der speisespannungsseitigen Anschlüsse durch einen Selen-Überspannungsbegrenzer und einer Funkenstrecke sowie der verbraucherseitigen Anschlüsse durch einen Metalloxidvaristor, wobei zwischen beiden Klemmen in Reihe eine Induktivität liegt, für den Verbraucher auf einen ungefährlichen Wert abgebaut. Dieser Schaltung haften vor allem die Nachteile an, daß die Reihenschaltung der Induktivität bei einem Gleichspannungssprung auf den Verbraucher eine Verzögerung der Ausgangsspannung bewirkt, und daß der Rest der abgebauten Überspannung wiederum über die den Eingangsklemmen vorgelagerte Leitung bzw. der elektrischen Einrichtung in Form einer Wanderwelle abfällt. Nachteilig ist hierbei weiterhin der relativ hohe Bedarf an Bauelementen und die relativ große Verlustleistung des aus einer Vielzahl von U-Dioden bestehenden Selen-Überspannungsbegrenzers. Eine weitere Lösung zum Schutz eines elektronischen Gerätes gegen Zerstörung durch starke elektromagnetische Impulse (DE-OS 3135515, H02 H, 7/20), insbesondere solcher nuklearen Ursprungs, ist dadurch gekennzeichnet, daß die eintreffende, über einen weiten Frequenzbereich verteilte Impulsenergie einerseits frequenzmäßig aufgeteilt wird und Energieanteile, welche frequenzmäßig im Arbeitsbereich des zu schützenden Gerätes oder in einem bestimmten Teilbereich desselben liegen, zeitlich verzögert und andererseits Energieanteile außerhalb dieser Frequenzbereiche reflektiert werden. Dieses wird dadurch realisiert, daß eine aus dem Außenraum zum zu schützendenIn another protective circuit DE-OS 2912415 (H02 h, 9/04), which is intended for the interposition between the AC mains and a consumer and each having two input terminals and two output terminals, the overvoltage is bridged by bridging the supply voltage side terminals by a selenium Overvoltage limiter and a spark gap and the consumer-side connections by a Metalloxidvaristor, with an inductance between the two terminals in series, reduced for the consumer to a safe level. This circuit is especially liable to the disadvantages that the series connection of the inductance causes a delay of the output voltage in a DC jump on the consumer, and that the rest of the degraded overvoltage again falls over the upstream of the input terminals line or the electrical device in the form of a traveling wave , The disadvantage here is still the relatively high demand for components and the relatively large power loss of the existing of a variety of U-diodes Selenium overvoltage limiter. Another solution for protecting an electronic device against destruction by strong electromagnetic pulses (DE-OS 3135515, H02 H, 7/20), especially of such nuclear origin, is characterized in that the incoming, distributed over a wide frequency range pulse energy on the one hand divided in terms of frequency and energy components which are in frequency in the working area of the device to be protected or in a certain subregion thereof, are delayed in time and, on the other hand, energy components outside these frequency ranges are reflected. This is realized in that one from the outside to be protected

Gerat fuhrende Leitung an mindestens ein Grobschutzmittel angeschlossen und über mindestens ein frequenzselektives Verzögerungsglied an mindestens ein Feinschutzmittel gefuhrt ist, wobei das frequenzselektive Verzögerungsglied das technologisch bedingte schnellere Ansprechen des Feinschutzes gegenüber dem Grobschutz verhindert Nachteilig bei dieser Losung ist jedoch, daß ein großer Aufwand an entsprechend dimensionierten Bauelementen notwendig ist, wobei bei verschiedenen Arbeitsbereichen der zu schutzenden Gerate jeweils verschiedene Dimensionierungen erforderlich sind Ein besonderer Nachteil der Losung nach der DE-OS 3135515 ist dann begründet, daßderStonmpuls in dem Arbeitsbereich ae& zu schutzenden Gerätes selektiert wird, wodurch das zur Ansteuerung des Hochspannungsleistungsschalters verwendete schnelle elektronische Bauelement gezündet wird und damit einen ungewollten Schaltvorgang des Schalters bewirkt.Device leading line is connected to at least one coarse protective agent and guided over at least one frequency-selective delay element to at least one fine protective agent, the frequency-selective delay element prevents the technologically induced faster response of fine protection against coarse protection However, this solution has a great expense of appropriately dimensioned A particular disadvantage of the solution according to DE-OS 3135515 is then based on the fact that the sound pulse is selected in the working area ae & device to be protected, as a result of which it is used to drive the high-voltage circuit breaker fast electronic component is ignited and thus causes an unwanted switching operation of the switch.

Object of the invention

Ziel der Erfindung ist die Bereitstellung einer wirtschaftlich einsetzbaren und hohe Gebrauchswerteigenschaften aufweisenden Anordnung zum Schutz der Eingangsbauelemente einer Niederspannungssteuerung fur HochspannungsleistungsschalterThe object of the invention is to provide an economical and high utility value arrangement for protecting the input components of a low voltage control for high voltage circuit breakers

Explanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zum Schutz der Eingangsbauelemente einer Niederspannungssteuerung fur Hochspannungsleistungsschalter zu schaffen, bei der die zur Ansteuerung der Leistungsschalter dienenden elektronischen Halbleiterbauelemente, insbesondere Thyristoroptrone, vor elektromagnetischen Storimpulsen, die durch Überschlage in SF₆-gefullten Schaltanlagen bzw durch Wanderwellen infolge von Blitzemschlagen oder Abschalten großer Kurzschlußstrome entstehen, derart geschützt sind, daß eine Ansteuerung der Leistungsschalter wirksam unterbunden ist sowie eine Zerstörung der Thyristoroptrone angeschlossen istThe invention has for its object to provide an arrangement for protecting the input components of a low-voltage control for high-voltage circuit breakers, in which serving to control the circuit breaker electronic semiconductor devices, in particular Thyristoroptrone, against electromagnetic Storimpulsen by the rollovers in SF ₆ -filled switchgear or by traveling waves arise as a result of lightning striking or switching off large short-circuit currents are protected so that a control of the circuit breaker is effectively prevented and destruction of the thyristor is connected

Erfindungsgemaß wird die Aufgabe nunmehr dadurch gelost, daß das Grobschutzmittel aus einer Widerstandskombination, in welcher ein Widerstand, ein Varistor und ein weiterer Widerstand in Reihe geschaltet sind, und das Feinschutzmittel zum einen fur Storimpulszeiten großer als die Ansprechzeit des Varistors aus einem Tiefpaß, der aus einer zum Varistor parallel geschalteten Reihenschaltung von einem Widerstand und einem Kondensator gebildet ist, und zum anderen fur Storimpulszeiten kleiner als die Ansprechzeit des Varistors aus einer in der Widerstandskombination der Widerstände einbezogenen zwischen den beiden letzteren Widerstanden in Reihe sowie zum Kondensator parallel geschalteten Z-Diode und einem zum Kondensator parallel geschalteten HF-Kondensator bestehen und in diese Parallelschaltung von Z-Diode, HF-Kondensator und Kondensator wiederum als Parallelschaltung hierzu die Steuerelektrode bzw Steuerelektroden des elektronischen Halbleiterbauelementes bzw der elektronischen Halbleiterbauelemente integriert sind In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist es zweckmäßig, wenn die beiden äußeren Widerstände des Grobschutzmittels gleiche Widerstandswerte aufweisen und hochspannungsfest ausgelegt sindAccording to the invention, the object is now achieved in that the coarse protective agent of a resistor combination in which a resistor, a varistor and another resistor are connected in series, and the fine protective means for a Storimpulszeiten greater than the response time of the varistor from a low-pass filter, the on the other hand, for Storimpulszeiten smaller than the response time of the varistor from a included in the resistor combination of the resistors between the two latter resistors in series and to the capacitor in parallel Z-diode and a capacitor connected in parallel to the RF capacitor consist and in this parallel connection of Zener diode, RF capacitor and capacitor in turn as a parallel circuit to the control electrode or control electrodes of the electronic semiconductor device or the electronic Ha In a further embodiment of the invention, it is expedient for the two outer resistors of the coarse protective agent to have the same resistance values and to be designed to be resistant to high voltages

exemplary

Die Erfindung soll nachstehend an Ausfuhrungsbeispielen naher erläutert werden In der zugehörigen Zeichnung zeigenThe invention will be explained in more detail below by exemplary embodiments in the accompanying drawings

Fig 1 eine Schaltung fur das anzusteuernde elektronische Bauelement, Fig 2 eine weitere Ausfuhrungsform der Schaltung nach Figur 11 shows a circuit for the electronic component to be controlled, FIG. 2 shows a further embodiment of the circuit according to FIG. 1

Wie in Figur 1 dargestellt, erfolgt die Ansteuerung des vorzugsweise als Optothyristors ausgebildeten elektronischen Halbleiterbauelementes 1 im normalen Betriebsfall über einen Kontakt 2 mit der Steuerspannung UB₁ In der Steuerleitung ist dem Kontakt 2 fur das elektronische Halbleiterbauelement 1 eine Schutzschaltung nachgeschaltet, welche in ein Grobschutzmittel und ein Feinschutzmittel aufgeteilt istAs shown in Figure 1, the control of preferably designed as an opto-thyristor electronic semiconductor device 1 is carried out in normal operation via a contact 2 with the control voltage UB ₁ In the control line the contact 2 for the electronic semiconductor device 1 is followed by a protective circuit, which in a coarse protective agent and a fine protective agent is divided

D^s Grobschutzmittel besteht aus einer dem Kontakt 2 nachgeschalteten Widerstandskombination, in welcher ein Widerstand 3 ein Varistor 4 und ein weiterer Widerstand 5 in Reihe geschaltet sind Parallel zum Varistor 4 ist das Feinschutzmittel und die Steuerelektrode des elektronischen Halbleiterbauelementes 1 geschaltet Der über die Steuerspannung UBi eingekoppelte Stonmpuls kann somit über den Widerstand 3 und dem Varistor 4 zum Widerstand 5 gelangen Dadurch, daß der Varistor 4 eine spannungsabhangige Kennlinie und eine kurze Schaltzeitvon etwa 50 ns besitzt, wird der Varistor 4 bei steigender Spannung ab einem bestimmten Grenzwert niederohmig Der resultierende Strom erzeugt über die Widerstände 3,5 einen Spannungsabfall j von der Große der Überspannung minus der Große, die über den Varistor 4 abfallt, wodurch die Widerstände 3 und 5 als Schutz des Varistors 4 vor Überlastung dienen und deshalb hochspannungsfest ausgelegt sind Darüber hinaus entsteht am Varistor 4 ein Restspannungsabfall entsprechend seiner U-I-Kennhnie, der als Spannungsquelle fur das Feinschutzmittel wirkt Das Feinschutzmittel gliedert sich in zwei Teilbereiche Der erste Teilbereich wirkt fur eine Stonmpulszeit, welche großer als die Ansprechzeit des Varistors 4 ist und aus einem Tiefpaß besteht, der aus einer zum Varistor 4 parallel geschalteten Reihenschaltung von einem Widerstand 6 und einem Kondensator 7 gebildet ist, wobei der Tiefpaß so dimensioniert ist, daß die Ladezeitkonstante des Kondensators 7 um ein Vielfaches großer ist als der transiente Vorgang, so daß der Spannungsabfall über dem zu schutzenden Schaltelement unter dem seiner Auslosespannung liegt Der zweite Teilbereich wirkt fur eine Stonmpulszeit, welche kleiner als die Ansprechzeit des Varistors 4 ist, wie ζ B bei einem nuklear elektromagnetischen Impuls, so daß der Varistor 4 praktisch unwirksam ist Der gesamte Storimpuls wirkt auf die aus den Widerstanden 3,6 und 5 gebildete Widerstandskombination, sowie einem HF Kondensator 8 und einer Z-Diode 9, die wiederum zum Kondensator 7 parallel geschaltet sind, so daß über das zu schutzende elektronische Halbleiterbauelement 1 maximal die Z Spannung der Z Diode 9 abfallen kann, welche jedoch so klein ist, daß das zu schutzende elektronische Halbleiterbauelement 1 nicht zerstört werden kannThe coarse protective agent consists of a contact combination 2 downstream resistor combination, in which a resistor 3, a varistor 4 and a further resistor 5 are connected in series parallel to the varistor 4, the fine protective means and the control electrode of the electronic semiconductor device 1 is connected via the control voltage UBi Thus, the varistor 4 has a voltage-dependent characteristic and a short switching time of about 50 ns, the varistor 4 is low impedance with increasing voltage above a certain limit value via the resistors 3.5, a voltage drop j of the size of the overvoltage minus the Great, which drops across the varistor 4, whereby the resistors 3 and 5 serve as protection of the varistor 4 against overload and are therefore designed high voltage resistant Moreover, arises at the varistor. 4 a rest sp The fine shielding agent is divided into two subregions. The first subregion acts for a pulse duration which is greater than the response time of the varistor 4 and consists of a low-pass filter which is connected to the varistor 4 in series series connection of a resistor 6 and a capacitor 7 is formed, wherein the low-pass filter is dimensioned so that the charging time constant of the capacitor 7 is many times greater than the transient process, so that the voltage drop across the switching element to be protected below its release voltage The second subregion acts for a pulse duration less than the response time of the varistor 4, such as ζ B for a nuclear electromagnetic pulse, so that the varistor 4 is practically ineffective. The entire field pulse acts on the resistors 3, 6 and 5 formed resistor combination, as well as egg nem RF capacitor 8 and a Zener diode 9, which in turn are connected in parallel to the capacitor 7, so that over the electronic semiconductor device to be protected 1 maximum Z voltage of the Z diode 9 may drop, which, however, is so small that the protected electronic semiconductor device 1 can not be destroyed

Der Rest der transienten Spannung fällt über die durch die Widerstände 3,6,5 gebildete Widerstandskombination ab, wobei zuvor über diese Widerstände 3,6, 5 der HF-Kondensator 8 maximal bis auf die Z-Spannung der Z-Diode 9 aufgeladen wird. Die erfindungsgemäße Anordnung arbeitet wie folgt:The remainder of the transient voltage drops across the resistor combination formed by the resistors 3, 6, 5, whereby the RF capacitor 8 is charged up to a maximum of the Z voltage of the Zener diode 9 via these resistors 3, 6, 5. The arrangement according to the invention works as follows:

Ist die Störimpulszeit größer als die Ansprechzeit des Varistors 4, d. h. zum Beispiel größer als 50ns, fallen bei einem angenommenen Störimpuls von etwa 1OkV im Grobschutz über die Widerstandes und 5 zusammen etwa 9500V und über den Varistor 4 etwa 500 V ab. Im Feinschutz, dem Tiefpaß, bestehend aus dem Widerstand 6 und dem Kondensator 7, wird der Kondensator 7 durch den Spannungsabfall über dem Varistor 4 (etwa 500 V) aufgeladen, wobei die Aufladung des Kondensators 7 aber so langsam erfolgt, daß seine Ladespannung für die Zeit des einkoppelnden Störimpulses immer kleiner als die Ansprechspannung der Sendediode des elektronischen Halbleiterbauelementes 1 ist.If the interference pulse time is greater than the response time of the varistor 4, d. H. For example, greater than 50 ns, fall with an assumed glitch of about 1OkV in coarse protection over the resistor and 5 together about 9500V and about the varistor 4 about 500 V from. In fine protection, the low-pass filter, consisting of the resistor 6 and the capacitor 7, the capacitor 7 is charged by the voltage drop across the varistor 4 (about 500 V), the charging of the capacitor 7 but so slow that its charging voltage for the Time of the coupling interference pulse is always smaller than the operating voltage of the transmitting diode of the electronic semiconductor device 1.

Bei einer Störimpulszeit kleiner als die Ansprechzeit des Varistors 4, d. h. kleiner als 50 ns, ist der Grobschutz unwirksam. Die durch den Störimpuls eingeleitete Spannung wird über die Widerstände 3, 5 und 6 aufgeteilt. Dabei wird der HF-Kondensator 8 bis maximal zur Z-Spannung der Z-Diode 9 aufgeladen, wobei die Z-Spannung der Z-Diode 9 (etwa 5,1 V) so klein ist, daß das elektronische Halbleiterbauelement 1 nicht zerstört werden kann. Das elektronische Halbleiterbauelement 1 kann nicht schalten, da seine Schaltzeit (etwa 50ps) ein Vielfaches größer ist als die Störimpulszeit.At a glitch pulse time less than the response time of the varistor 4, d. H. less than 50 ns, the coarse protection is ineffective. The voltage introduced by the interference pulse is divided by the resistors 3, 5 and 6. In this case, the RF capacitor 8 is charged to a maximum of the Z voltage of the Zener diode 9, wherein the Z voltage of the Zener diode 9 (about 5.1 V) is so small that the electronic semiconductor device 1 can not be destroyed , The electronic semiconductor device 1 can not switch because its switching time (about 50ps) is many times greater than the glitch time.

In dem Fall, daß der Hochspannungsleistungsschalter zweipolig angesteuert werden soll, sind wie in Figur 2 dargestellt, zwei in Reihe geschaltete, den Schaltvorgang auslösende elektronische Halbleiterbauelemente 1 vorgesehen, deren Leistungsdioden den Leistungskreis pluspotential- bzw. minuspotentialseitig zuschalten.In the event that the high-voltage circuit breaker is to be controlled in two poles, as shown in Figure 2, two connected in series, the switching process triggering electronic semiconductor devices 1 are provided, the power diodes connect the power circuit pluspotential- or minuspotentialseitig.

Claims

1. An arrangement for protecting the input components of a low-voltage control for high-voltage circuit breakers, being provided in the control line of the switching operation triggering electronic semiconductor components coarse protection and fine protection means using overvoltage protection elements and frequency-selective delay elements, characterized in that the coarse protection agent from a resistor combination, in which a resistor (3), a varistor (4) and a further resistor (5) are connected in series, and the fine protection means for a glitch times greater than the response time of the varistor (4) from a low-pass filter which from a varistor (4 ) connected in parallel series circuit of a resistor (6) and a capacitor (7) is formed, and on the other for glitches times smaller than the response time of the varistor (4) from one included in the resistor combination of the resistors (3,5,6) between d in the latter two resistors (5, 6) in series and to the capacitor (7) connected in parallel Zener diode (9) and a capacitor (7) connected in parallel RF capacitor (8) and in this parallel circuit | όπ Z diode (9), RF capacitor (7) in turn as a parallel circuit to the control electrode or control electrodes of the electronic semiconductor device (1) or the electronic semiconductor components) are integrated.

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the two outer resistors (3, 5) of the coarse protective agent have the same resistance values and are designed high voltage resistant.