CN115020950A - 具有多个平行腔的波导交叉耦合滤波器 - Google Patents
具有多个平行腔的波导交叉耦合滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115020950A CN115020950A CN202210203711.3A CN202210203711A CN115020950A CN 115020950 A CN115020950 A CN 115020950A CN 202210203711 A CN202210203711 A CN 202210203711A CN 115020950 A CN115020950 A CN 115020950A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- spatial dimension
- cavities
- bandpass filter
- corner region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
- H01P1/2138—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies using hollow waveguide filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/002—Manufacturing hollow waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本申请涉及一种具有多个平行腔的波导交叉耦合滤波器。所公开的射频(RF)带通滤波器可以包括RF传输介质，RF传输介质限定了：(1)沿着主轴彼此平行对齐的多个腔，其中(a)每个腔包括平坦表面，该平坦表面限定了(i)与主轴对齐的第一空间尺寸和(ii)被对齐成垂直于主轴且彼此垂直的第二空间尺寸和第三空间尺寸，其中第一空间尺寸比第二空间尺寸和第三空间尺寸短，并且(b)每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合；(2)将接收的RF信号耦合到在多个腔的第一端处的第一腔的RF入口；以及(3)将来自在多个腔的第二端处的第二腔的经滤波的RF信号向滤波器的外部耦合的RF出口。还公开了各种其他滤波器及其制造方法。
Description
附图简述
附图示出了多个示例性实施例，并且是说明书的一部分。与以下描述一起，这些附图展示并解释了本公开的各种原理。
图1是示例性远程无线电单元(RRU)的框图，其中可以采用下面讨论的示例性波导滤波器的实施例。
图2、图3和图4分别是用作带通滤波器的示例性波导滤波器构造(configuration)的透视图、侧视图和端视图。
图5是描绘图2-4的示例性波导滤波器构造的下行链路版本(downlink version)的模拟的频率响应的曲线图。
图6是描绘图2-4的示例性波导滤波器构造的上行链路版本(uplink version)的模拟的频率响应的曲线图。
图7是由限定多个气腔(air cavity)的整体金属结构制成的示例性波导滤波器的透视截面图。
图8是由金属板组件产生的另一个示例性波导滤波器的侧截面图。
图9是图8的波导滤波器的分解透视图。
图10和图11分别是由电介质材料制造并采用多个波导滤波器的示例性双工器的侧视图和端视图。
图12是由介电材料的多个模块化部件制造的示例性波导滤波器的侧视图。
在所有附图中，相同的附图标记和描述表示相似但不一定相同的元件。虽然本文公开的示例性实施例容许各种修改和可替代的形式，但具体实施例已在附图中通过示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而，本文描述的示例性实施例并不旨在限于所公开的特定形式。相反，本公开覆盖落入所附权利要求的范围内的所有修改、等同物和替代物。
示例性实施例的详细描述
许多远程无线电单元(RRU)，例如那些用作蜂窝通信(例如4G和/或5G LTE(长期演进)通信)的宏蜂窝基站或微蜂窝基站的远程无线电单元，包括用于传递特定波段的信号以从RRU(例如，通过下行链路信道)进行发射或由RRU(例如，通过上行链路信道)进行接收的一个或更多个射频(RF)带通滤波器(BPF)。在一些情况下，这种滤波器可以被配置成提供低的带内插入损耗(in-band insertion loss)，提供显著的带外抑制(out-of-bandrejection)，并且支持非常高的发射功率。由于这些特性，这些RF带通滤波器通常体积大且重(例如，以便散热和提供期望的信号传递特性)。
在一些实现方式中，RF带通滤波器可以由多个交叉耦合的圆柱形谐振腔来实现，以产生多个滤波器“极(pole)”来产生高水平的带外抑制。这种特定类型的带通滤波器通常(例如，由于部件的组装和焊接)需要大量的时间来制造。由于这种制造过程通常会在谐振腔的尺寸和/或形状方面引入显著水平的变化，这会对滤波器的传递特性产生不利影响，因此带通滤波器通常包括多个调谐螺钉，以便于根据需要调节这些特性。对于RRU中采用的每个滤波器，这种调谐过程通常耗费训练有素的现场技术人员大量的时间(例如，半小时或更长)。
本公开总体上涉及一种基于RF波导的带通滤波器，其限定了一系列并行、并排堆叠的交叉耦合腔。如将在下面更详细解释的，这种滤波器可以提供极好的带外抑制和低的带内插入损耗和回波损耗，而不使用螺钉或其他调谐机构，因此提高了滤波器的可制造性，同时减少了通常与RF带通滤波器相关联的部署时间。
根据本文描述的一般原理，本文描述的任何实施例的特征可以彼此结合使用。在结合附图和权利要求书阅读以下详细描述后，将更全面地理解这些和其他实施例、特征和优点。
参考图1-12，下面将提供示例性波导滤波器构造、相关联的波导带通滤波器以及制造这种滤波器的相关方法的详细描述。参考图1讨论了一个示例性远程无线电单元，其中可以采用本文公开的示例性波导滤波器的实施例。结合图2-4的各个视图描述了用作带通滤波器的示例性波导滤波器构造，并且结合图5和图6讨论了该构造的单独上行链路版本和下行链路版本的预期频率响应。参照图7，描述了由整体金属结构创建的示例性波导滤波器，以及结合图8和图9探讨了另一个由金属板的组件创建的示例性波导滤波器。结合图10和图11描述了采用多个波导滤波器并且由电介质材料制造的示例性双工器。结合图12，描述了由介电材料的多个模块化部件制造的示例性波导滤波器。
图1是示例性RRU 100的框图，其中可以实现如下面更详细描述的示例性RF带通滤波器的实施例。如图所示，RRU 100可以包括天线102、双工器104、RF放大器模块106、RF调制器/解调器(调制解调器)模块108和数字模块110。在一些示例中，RRU 100可以经由数字模块110与基带单元(BBU)交换上行链路数据120(例如，由RRU 100从移动设备(诸如智能手机)无线接收的数据)和/或下行链路数据122(例如，要从RRU100无线传输到移动设备的数据)，基带单元可以通信地耦合到回程网络，回程网络耦合到其他BBU和/或其他通信系统。更具体地，在一些实施例中，对于下行链路数据122，数字模块110可以使用数字编码器、数据串行器和/或其他电路来将下行链路数据122转换成RF调制解调器模块108可用的形式。此外，数字模块110可以包括数字解码器、数据解串器和/或其他电路，用于转换从RF调制解调器模块108接收的数字数据，以产生上行链路数据120，该上行链路数据120可以在BBU处被接收和进一步处理。
在一些实施例中，RF调制解调器模块108可以包括数模转换器(DAC)，数模转换器将来自数字模块110的从下行链路数据122导出的数字数据转换成模拟信号，然后可以根据无线传输协议对该模拟信号进行调制，以产生携带下行链路数据122的RF信号(例如，4G或5G LTE DCS(数字通信系统)“B3”下行链路波段中的RF信号)。经调制的模拟RF信号然后可以被提供给RF放大器模块106，该RF放大器模块106可以在将下行链路数据122的RF信号转发给双工器104之前放大该信号。此外，RF放大器模块106可以放大从双工器104接收的携带上行链路数据120的RF信号(例如，4G或5G LTE DCS“B3”上行链路波段中的RF信号)，并且可以将该放大的信号转发给RF调制解调器模块108。此外，RF调制解调器模块108可以包括解调器，该解调器解调RF信号，以及然后(例如，使用模数转换器(ADC))转换所得的模拟信号以产生去往数字模块110的表示上行链路数据120的相对应的数字数据。
在一些实施例中，双工器104可以包括用于上行链路数据120的RF带通滤波器112和用于下行链路数据122的单独的RF带通滤波器114。例如，RF带通滤波器112可以过滤经由天线102接收的上行链路波段(例如，LTE DCS“B3”上行链路波段)之外的RF信号，而RF带通滤波器114可以过滤从RF放大器模块106接收的下行链路波段(例如，LTE DCS“B3”下行链路波段)之外的RF信号。此外，双工器104可以作为三端口设备操作，其经由第一端口接收携带下行链路数据122的RF信号，并且经由第二端口将该RF信号的经滤波版本转发到天线102，同时在第二端口从天线102接收携带上行链路数据的RF信号，并且在RF带通滤波器112处对该RF信号进行滤波，以便经由第三端口输出到RF放大器模块106。因此，双工器104可以通过促进在单独但相关联的波段上进行RF信号的发射和接收，来允许使用单个天线102进行全双工通信。
虽然上面结合RRU 100讨论了单个全双工通信信道的发射和接收波段，但是RRU100的其他实施例可以服务多个这样的信道。因此，在一些示例中，RRU 100可以包括多个天线102、双工器104和上述其他模块，以提供多信道通信能力。
图2-4提供了示例性波导滤波器构造(特别是带通滤波器(BPF)构造200)的多个视图，该示例波导滤波器构造相对于更传统的滤波器(例如通常用作RRU 100中的BPF 112和BPF 114的滤波器)可以导致更容易制造和部署的RF信号滤波器。更具体地，图2是BPF构造200的透视图，图3是BPF构造200的侧视图，以及图4是BPF构造200的端视图。如图所示，BPF构造200可以包括一系列RF“腔”，当RF信号被滤波时，该RF信号在这些腔内传播。在一些示例中，如下所述，这些腔可以是限定在一个或更多个金属结构内的充气空隙。在其他实施例中，腔可以是介电材料(例如，介电常数大于约为1的空气的介电常数的介电材料)，其可以被或者可以不被包围在周围结构中，或者可以由或者可以不由周围结构支撑。
如图2-4所示，BPF构造200可以包括多个RF腔206，这些腔沿着主轴(例如，图2的y轴)平行地串联对齐，其中每对相邻的腔206通过相对应的腔间狭槽(inter-cavity slot)210耦合，RF信号可以通过该狭槽从一个腔206传递到另一个腔。此外，每个RF腔206通常可包括多个平坦表面，这些平坦表面限定了与主轴(例如，图2的y轴)对齐的第一空间尺寸(dimension)以及(例如，沿着图2的x轴对齐的)第二空间尺寸和(例如，沿着图2的z轴对齐的)第三空间尺寸，使得第二空间尺寸和第三空间尺寸被对齐成垂直于主轴且彼此垂直。此外，在一些实施例中，例如图2-4中所示，每个腔206的第一空间尺寸比第二空间尺寸和第三空间尺寸短。此外，在一些实施例中，如图3和图4所示，每个腔206的第一空间尺寸可以大约是待被BPF构造200传递的RF信号的波长λ的十二分之一(例如，λ/12)，并且第二空间尺寸和第三空间尺寸可以大约等于波长λ。因此，每个腔206可以被表征为近似狭窄的矩形长方体(cuboid)。此外，基于与BPF构造200要传递的带宽相关的波长λ的不同值(例如，与腔206相关联的谐振频率)，每两个或更多个腔206可以具有稍微不同的第一空间尺寸、第二空间尺寸和第三空间尺寸。如图3所示，例如，在BPF构造200的相对端处的腔206可以比被定位于其间的腔206沿着第二空间尺寸和第三空间尺寸稍大。在图2-4的例子中，BPF构造200可以包括四个腔206，导致四极式滤波器结构。然而，在其他示例中可以使用其他数量的腔206(例如，8个腔206、16个腔206等)。
在一些实施例中，每个腔206可以包括至少一个调谐“凹口(notch)”208，该凹口基本上占据、填充或隔开腔206的拐角(corner)。在图2的例子中，每个腔206可以包括两个调谐凹口208，表示位于腔206的对角相对拐角区域的长方体。在一些示例中，在由腔206的第二空间尺寸和第三空间尺寸限定的平面中(例如，在图2的x-z平面中)，每个调谐凹口208大体可以描述为正方形。此外，在一些实施例中，沿着主轴的每个连续腔206可以在每个腔206的交替相对的拐角处包括调谐凹口208。例如，第一腔206可以在第一拐角区域和相对的第二拐角区域中的每一个处包括调谐凹口208，而邻近第一腔206的另一腔206可以在第三拐角区域和相对的第四拐角区域中的每一个处包括调谐凹口208，第三拐角区域和相对的第四拐角区域与第一腔206的第一拐角区域和第二拐角区域没有沿着主轴对齐。在一些示例中，每个腔206的调谐凹口208的拐角位置沿着BPF构造200以这种方式交替。在一些实施例中，调谐凹口208可以沿着相对应的腔206的第二空间尺寸和第三空间尺寸来确定尺寸，以调节与腔206相关联的RF信号带宽。
如图4中最突出地示出的，被定位于相邻腔206之间的腔间狭槽210的尺寸、形状和位置可以相对于彼此设置，以在每对相邻腔206之间形成零过渡。如下文更详细讨论的，每个零过渡可以与限定要由BPF构造200传递的信号的总带宽的特定频率相关联。在一些实施例中，如图4所示，当沿着主轴观察时，每个腔间狭槽210可以成形为矩形。此外，在一些示例中，每个腔间狭槽210可以具有BPF构造200要传递的波长的三分之一的长度(例如，λ/3)和波长的十分之一的宽度(例如，λ/10)。此外，当从BPF构造200的一端前进到另一端时，在连续的腔206之间遇到的每个腔间狭槽210可以相对于紧邻的前一个和/或后一个腔间狭槽210成90度定向。
此外，在一些实施例中，如图4所示，当沿着主轴观察时，每个腔间狭槽210可以与紧邻的前一个和/或后一个腔间狭槽210的一部分重叠，每个重叠产生相关联的零过渡。在图2-4的特定示例中，限定了三个腔间狭槽210，其中被定位于第一腔间狭槽210和第三腔间狭槽210之间的第二腔间狭槽210的相对端与第一腔间狭槽210和第三腔间狭槽210的一部分重叠(例如，延伸到第一腔间狭槽210和第三腔间狭槽210的宽度的一半)。然而，在其他实施例中，可以使用连续腔间狭槽210的其他重叠构造(例如，连续腔间狭槽210的重叠拐角)。在一些示例中，每个这样的重叠可以被构造成调谐与对应于该重叠的零过渡相关联的谐振频率。
为了将RF信号导入BPF构造200的一端中并从BPF构造200产生得到的经滤波的RF信号，可以提供RF入口202以通过入口狭槽212将输入的RF信号引导到第一腔206。此外，经滤波的RF信号可以通过出口狭槽214从最后一个腔206被引导到RF出口204。在图2-4的特定示例中，当沿着主轴观察时，入口狭槽212和/或出口狭槽214本质上可以是矩形，其空间尺寸为与BPF构造200要传递的RF信号的带宽相关联的波长的二分之一(例如，λ/2)乘以波长的二十分之一(例如，λ/20)。此外，入口狭槽212和/或出口狭槽214可定向成正交于BPF构造200的最近的腔间狭槽210。此外，如图4所示，入口狭槽212和/或出口狭槽214可以沿着对应的RF入口202和/或RF出口204的一侧居中定位。在一些实施例中，RF入口202和/或RF出口204可以被成形为矩形长方体，和/或可以被构造为便于与用于接收和提供RF信号的另一个波导部件(例如，RF连接器，诸如SMA(超小型A型(Sub-Miniature version A))连接器、SMP(超小型推进式)连接器、N型连接器、DIN连接器等)耦合。
在操作中，采用BPF构造200的BPF可以经由RF入口202和入口狭槽212接收待滤波的RF信号，RF信号通过入口狭槽212传播到邻近RF入口202的第一RF腔206中。在至少一些示例中，由于腔206的尺寸和定向，RF信号可以作为横向电磁模式(TEM)信号在腔206内传播。当RF信号通过入口狭槽212、腔间狭槽210(例如，在BPF构造200中为三个)和出口狭槽214穿过每个腔206时(其中每个狭槽被定向成垂直于紧邻的前一个和后一个狭槽)，BPF构造200的与狭槽相关的零过渡可以对RF信号施加期望的高带外抑制。
图5和图6是描绘根据BPF构造200确定空间尺寸和布置的关于两个不同频带的两个独立BPF的模拟的频率响应的曲线图。更具体而言，图5是下行链路BPF(诸如1805-1880兆赫(MHz)的LTE B3下行链路波段的下行链路BPF 114)的频率响应的曲线图，并且图6是上行链路BPF(例如，1710-1785MHz的LTE B3上行链路波段的上行链路BPF 112)的模拟的频率响应的曲线图。如图5和图6所示，在BPF构造200之后图案化的相关BPF可以提供仅略大于0.2分贝(dB)的、从RF入口202到RF出口204的S参数增益(例如，在图5和图6中表示为S21，表示BPF 112和BPF 114的插入损耗)，从而基本上传递所需通带内的所有RF能量，同时提供在所需通带外的强抑制。在图5的情况下，如上所述，由腔间狭槽210提供的零过渡可能导致在1720MHz、1780MHz、1896MHz和1926MHz的低S参数增益“谷”(例如，低至大约-100dB)，导致所需通带之外的增益急剧下降(例如，在相对应的上行链路频带中大约70dB的抑制)。类似地，在图6中，在1630MHz、1690MHz、1788MHz、1836MHz和1910MHz处指示低S参数增益水平(例如，在相关联的下行链路频带中导致大约40dB的抑制)。虽然如图2-4所描述的那样，使用四极式滤波器的设计可以达到这样的性能，但是在一些实施例中，通过增加零过渡和相关腔206的数量，例如通过将两个按照BPF构造200布置的BPF端对端耦合，形成两个四极式滤波器级联，可以获得更陡峭的带外抑制。在其他实施例中，可以通过向BPF构造200直接添加四个RF腔206和相关联的腔间狭槽210来产生额外的极，以创建单个八极式滤波器。
虽然本文具体参考了针对LTE B3上行链路和下行链路应用的BPF构造200的实施例，但是BPF构造200可以应用于其他频率和频带。在一些示例中，BPF构造200可以被配置为传递低于8GHz的任何频率，并且可以提供带宽小于要传递的频率的30％的通带。
如上所述，BPF构造200可以以各种方式实现。图7是由限定多个气腔的整体金属结构制成的示例性波导BPF 700的透视截面图。更具体地说，可以加工(例如，机械加工、铸造等)整体铝壳体702(例如，6061型沉淀硬化铝合金(precipitation-hardened aluminumalloy))以形成如上所述的RF腔206、腔间狭槽210、具有入口狭槽212的RF入口202和具有出口狭槽214的RF出口204，来产生BPF 700。此外，铝壳体702的外部可以涂覆有银涂层704(例如，为了屏蔽目的，为BPF 700的外表面提供可焊性，以减小BPF 700的插入损耗等)。在其中BPF 700被构造为LTE B3上行链路BPF 112或下行链路BPF 114的示例中，BPF 700的尺寸可以是大约203×204×130毫米(mm)。虽然在BPF 700中明确指出了银，但是在其他示例中也可以使用其他类型的导体涂层，例如钯、铜等。
图8和图9描绘了采用16极设计的BPF 800，其中可以端对端地采用四个BPF构造200，其中省略了中间RF入口202和RF出口204。更具体地，图8是BPF 800的侧面截面图，以及图9是BPF 800的分解透视图。代替上面结合图7所讨论的采用整体金属结构，如图8和图9所示，BPF 800可以由单独的金属板并排耦合(例如，螺栓连接)的组件创建。每个板可以是机加工的、铸造的等。在一些实施例中，BPF 800可包括四个基本相同的滤波器模块801，每个滤波器模块801包括限定第一RF腔206和相关联的腔间狭槽210的第一腔板810、限定第二RF腔206和相关联的腔间狭槽210的第二腔板812、限定第三RF腔206和相关联的腔间狭槽210的第三腔板814、以及限定第四RF腔206和出口狭槽214的第四腔板816，其中每个滤波器模块801可以被构造为BPF构造200的一个实例。此外，限定RF入口202和相对应的入口狭槽212的入口板802可以附接到第一个滤波器模块801，并且限定RF出口204的出口板804可以附接到最后一个滤波器模块801。这种设计可有助于BPF 800的简单、成本有效且可重复的制造和组装过程。此外，在一些示例中，将BPF 800用于LTE B3频带滤波器之一(例如，上行链路BPF 112或下行链路BPF 114)可导致BPF 800的整体空间尺寸为203×204×330mm。
如上所述，除了空气之外的其他波导介质可以用作BPF构造200的RF入口202、入口狭槽212、腔206、腔间狭槽210、出口狭槽214和RF出口204。例如，虽然空气的介电常数(或相对介电常数εr)约为1，但使用另一种介电常数明显大于1的材料(如陶瓷)会导致具有相同频率的RF信号的物理波长减小(例如，介电常数平方根的倒数)，这可能会导致包含该材料的所得BPF在所有三个空间尺寸上相对应的尺寸减小。这种减小不仅可以促使在通信系统中安装单独的上行链路BPF 112和下行链路BPF114，而且还可能促使将上行链路BPF 112和下行链路BPF 114结合起来的紧凑型双工器。
图10和图11分别是示例性双工器1000的侧视图和端视图，双工器1000可以由介电材料(例如，陶瓷)制成，并且可以采用多个波导滤波器。如图所示，双工器1000可以包括上行链路BPF 1012和下行链路BPF 1014，上行链路BPF 1012和下行链路BPF 1014二者都可以通过波导1002耦合到天线(图10和图11中未示出)。在操作中，RF下行链路信号(例如，来自RF放大器模块106的信号)可以(例如，经由波导、电缆或其他RF信号传输介质)提供给下行链路BPF 1014，以便在经由波导1002将RF信号提供给天线进行发射之前进行滤波。同时，天线可以接收RF上行链路信号，并经由波导1002将该信号引导到上行链路BPF 1012，以便在(例如，经由RF放大器模块106)放大之前进行滤波。
此外，为了在上行链路BPF 1012和下行链路BPF 1014中施加高水平的带外抑制，每个BPF可以采用双(并且可能是相同的)滤波器模块，每个滤波器模块可以根据BPF构造200被配置到其特定的通带：两个滤波器模块1022用于上行链路BPF 1012，以及两个滤波器模块1024用于下行链路BPF 1014。因此，假设双工器1000将被部署用于LTE B3上行链路和下行链路频带，对所有四个滤波器模块1022和1024以及波导1002使用填充空气的腔可以导致非常大的双工器1000(例如，比图7的BPF 700大几倍)。然而，在一个示例中，通过将介电常数约为34的陶瓷用于各种腔来构造双工器1000，双工器1000的整体尺寸可被限制为约76×90×38mm。
在一些实施例中，如图10和图11所示，构成双工器1000的腔的陶瓷材料可以随后用银(例如，如上文关于图7的BPF 700所述)或另一种金属涂覆，以为陶瓷材料提供RF边界，以及提供环境屏障和/或可焊接表面。此外，在一些示例中，双工器1000的部分可以结合一个或多个附加的机械特征(例如，凸缘、孔等)以用于双工器1000的制造和组装。
虽然在一些实施例中，双工器1000可以由单个整体陶瓷结构加工而成，但是双工器1000可以包括耦合在一起以形成根据BPF构造200的BPF的多个陶瓷部分。例如，图12是由介电材料(例如，陶瓷)的多个模块化部件或部分制造的示例性BPF 1200的侧视图。在一些示例中，BPF 1200可以包括四种不同形状或部分的陶瓷材料：第一陶瓷滤波器部分1202、第二陶瓷滤波器部分1204、第三陶瓷滤波器部分1206和第四陶瓷滤波器部分1208。
如在图12的实施例中组织的，如其中的虚线所示，第一陶瓷滤波器部分1202可以包括入口/出口和相关联的狭槽(例如，水平的入口/出口狭槽)，它可以作为结合入口狭槽212的RF入口202，或可以作为结合出口狭槽214的RF出口204。第二陶瓷滤波器部分1204可以成形为与相关联的腔间狭槽210(例如，垂直腔间狭槽210)结合的第一RF腔206。第三陶瓷滤波器部分1206可以包括第二RF腔206(例如，可以通过垂直腔间狭槽210耦合到前一个腔206的RF腔206)。第四陶瓷滤波器部分1208可以是另一个腔间狭槽210(例如，水平腔间狭槽210)。在一些实施例中，一个或更多个部分可以使用填充有陶瓷材料的金属盘(例如，铜、铝等的盘)来创建狭槽。
如图12所示，BPF 1200是四极式滤波器，如BPF构造200中所提供的，其包括两个第一陶瓷滤波器部分1202、两个第二陶瓷滤波器部分1204、两个第三陶瓷滤波器部分1206和单个第四陶瓷滤波器部分1208。此外，第四陶瓷滤波器部分1208的中点可以与BPF 1200的镜像平面1210对齐，并且两个第一陶瓷滤波器部分1202、两个第二陶瓷滤波器部分1204和两个第三陶瓷滤波器部分1206中的每一个可以在镜像平面1210的两侧对齐。此外，在至少一些示例中，第二陶瓷滤波器部分1204可以围绕BPF 1200的主轴相对于彼此旋转180度，第三陶瓷滤波器部分1206也可以如此。虽然BPF 1200代表一个四极式滤波器，但是其他的BPF可以通过使用不同数量的相同部件或部分来提供更多数量的极。
在一些实施例中，第一陶瓷滤波器部分1202、第二陶瓷滤波器部分1204、第三陶瓷滤波器部分1206和第四陶瓷滤波器部分1208中的每一个都可以(例如，使用可以允许RF波以最小的信号损失传播通过的粘合剂(诸如环氧树脂))结合(bonded)在一起。此外，在一些示例中，导电涂层(例如，银涂层)可以被施加到BPF 1200的任何或所有外表面(例如，在将各种部件结合在一起之后施加)。在一些实施例中，壳体(在图12中未示出)可在结合过程中将BPF 1200的大部分或全部部件保留在彼此之间的理想物理关系中，并且在一些情况下，该壳体或另一个壳体可在BPF1200的安装和操作过程中被使用(例如，为BPF 1200提供结构完整性)。
如上面结合图1-12所解释的，本文描述的示例性BPF构造可以导致产生更小、更轻、更可靠和性能更好的BPF，该BPF可以更容易和更快速地在现场部署。此外，针对这种BPF的相关联的制造方法可以有助于更便宜和更可重复的制造过程。此外，这些益处可以以积极的方式极大地影响结合了这种BPF的相关联的双工器和无线通信系统(例如，4G和5G无线蜂窝通信系统)的成本、性能和可维护性。
示例实施例
示例1：一种射频(RF)带通滤波器可以包括RF传输介质，RF传输介质限定了：(1)沿着主轴彼此平行对齐的多个腔，其中(a)每个腔包括多个平坦表面，该多个平坦表面限定了(i)与主轴对齐的第一空间尺寸和(ii)被对齐成垂直于主轴且彼此垂直的第二空间尺寸和第三空间尺寸，其中第一空间尺寸比第二空间尺寸和第三空间尺寸短，并且(b)每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合；(2)RF入口，该RF入口将在RF带通滤波器处接收的RF信号耦合到多个腔中的在多个腔的第一端处的第一腔；以及(3)RF出口，该RF出口将来自多个腔中的在多个腔的第二端的第二腔的经滤波的RF信号向RF带通滤波器的外部耦合，该第二端与第一端相对。
示例2：根据示例1所述的RF带通滤波器，其中(1)RF带通滤波器还可以包括导电壳体，以及(2)RF传输介质可以包括空气。
示例3：根据示例2所述的RF带通滤波器，其中导电壳体可以包括铝。
示例4：根据示例2所述的RF带通滤波器，其中滤波器还可以包括覆盖导电壳体的至少一些部分的导电涂层。
示例5：根据示例1所述的RF带通滤波器，其中RF传输介质可以包括介电常数大于1的材料。
示例6：根据示例5所述的RF带通滤波器，其中材料可以包括陶瓷。
示例7：根据示例5所述的RF带通滤波器，其中滤波器还可以包括覆盖RF传输介质的至少一些部分的导电涂层。
示例8：根据示例1-7中任一项所述的RF带通滤波器，其中多个腔可以包括第一腔、第二腔、与第一腔相邻的第三腔以及与第三腔相邻的第四腔。
示例9：根据示例8所述的RF带通滤波器，其中(1)当沿着主轴观察时，每个腔间狭槽可以包括矩形横截面，(2)每个腔间狭槽的矩形横截面可以限定主空间尺寸和小于主空间尺寸的第二空间尺寸，(3)将第一腔耦合到第三腔的第一腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸可以与第二空间尺寸对齐，(4)将第三腔耦合到第四腔的第二腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸可以与第三空间尺寸对齐，以及(5)将第四腔耦合到第二腔的第三腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸可以与第二空间尺寸对齐。
示例10：根据示例9所述的RF带通滤波器，其中，当沿着主轴观察时，(1)第一腔间狭槽的矩形横截面的一部分可以与第二腔间狭槽的矩形横截面的第一端重叠，以及(2)第二腔间狭槽的矩形横截面的第二端可以与第三腔间狭槽的矩形横截面的一部分重叠。
示例11：根据示例8所述的RF带通滤波器，其中多个腔还可以包括与第三腔相邻的第五腔、与第四腔相邻的第六腔、与第五腔相邻的第七腔以及与第六腔相邻的第八腔。
示例12：根据示例1-7中任一项所述的RF带通滤波器，其中多个腔中的每个腔可以近似为矩形长方体。
示例13：根据示例12所述的RF带通滤波器，其中第一腔还可以限定：(1)占据矩形长方体的第一拐角区域的第一凹口，(2)占据矩形长方体的第二拐角区域的第二凹口，该第二拐角区域关于矩形长方体与第一拐角区域对角相对，(3)第一拐角区域和第二拐角区域之间的第三拐角区域，以及(4)关于矩形长方体与第三拐角区域对角相对的第四拐角区域。
示例14：根据示例13所述的RF带通滤波器，其中与第一腔相邻的后续腔还可以限定(1)沿着主轴分别与第一腔的第一拐角区域、第二拐角区域、第三拐角区域和第四拐角区域对齐的第一拐角区域、第二拐角区域、第三拐角区域和第四拐角区域，(2)占据后续腔的第三拐角区域的第一凹口，以及(3)占据后续腔的第四拐角区域的第二凹口。
示例15：根据示例1-7中任一项所述的RF带通滤波器，其中RF入口和RF出口中的至少一个可以被配置为与波导耦合。
示例16：一种RF双工器可以包括：(1)天线端口，(2)发射端口，(3)接收端口，(4)将发射端口耦合到天线端口的第一带通滤波器，以及(5)将接收端口耦合到天线端口的第二带通滤波器，(6)其中第一带通滤波器和第二带通滤波器中的每一个都包括RF传输介质，该RF传输介质限定了沿着主轴彼此平行对齐的多个腔，其中(a)每个腔包括多个平坦表面，该多个平坦表面限定了：(i)与主轴对齐的第一空间尺寸和(ii)被对齐成垂直于主轴且彼此垂直的第二空间尺寸和第三空间尺寸，其中第一空间尺寸比第二空间尺寸和第三空间尺寸短，并且(b)每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合。
示例17：一种制造射频(RF)带通滤波器的方法可以包括：(1)创建一组导电板和(2)沿着主轴并排组装该一组导电板以形成RF带通滤波器，其中RF带通滤波器包括RF传输介质，该RF传输介质限定了沿着主轴彼此平行对齐的多个腔，其中(a)每个腔包括多个平面表面，该多个平面表面限定了(i)与主轴对齐的第一空间尺寸和(ii)被对齐成垂直于主轴且彼此垂直的第二空间尺寸和第三空间尺寸，其中第一空间尺寸比第二空间尺寸和第三空间尺寸短，并且(b)每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合。
示例18：根据示例17所述的方法，其中RF传输介质还可以包括：(1)RF入口，该RF入口将在RF带通滤波器处接收的RF信号耦合到在多个腔的第一端处的第一腔；以及(2)RF出口，该RF出口将来自在多个腔的第二端处的第二腔的经滤波的RF信号向RF带通滤波器的外部耦合，第二端与第一端相对。
示例19：根据示例17或示例18所述的方法，其中该一组导电板可以包括铝。
示例20：根据示例17或示例18所述的方法，其中该方法还可以包括用导电层涂覆该一组导电板的至少一部分。
本文描述和/或示出的工艺参数和步骤顺序仅作为示例给出，并且可以根据需要改变。例如，虽然本文所示出和/或描述的步骤可以以特定的顺序示出或讨论，但是这些步骤不一定需要以所示出或讨论的顺序执行。本文描述和/或示出的各种示例性方法也可以省略本文描述或示出的一个或多个步骤，或者包括除了那些公开的步骤之外的附加步骤。
已经提供了前面的描述，以使本领域的其他技术人员能够最好地利用本文公开的示例性实施例的各个方面。该示例性描述并不旨在穷举或限于所公开的任何精确形式。在不脱离本公开的精神和范围的情况下，许多修改和变化是可能的。本文公开的实施例在所有方面都应该被认为是说明性的而不是限制性的。在确定本公开的范围时，应该参考所附权利要求及其等同物。
除非另有说明，否则说明书和权利要求中使用的术语“连接到”和“耦合到”(及它们的派生词)应被解释为允许直接和间接(即，经由其他元件或组件)连接。此外，说明书和权利要求中使用的术语“一个(a)”或“一个(an)”应理解为“至少一个”。最后，为了便于使用，在说明书和权利要求中使用的术语“包括”和“具有”(以及它们的派生词)可以与单词“包括”互换，并且具有相同的含义。
Claims (20)
1.一种射频(RF)带通滤波器，包括RF传输介质，所述RF传输介质限定了：
多个腔，所述多个腔沿着主轴彼此平行对齐，其中：
每个腔包括多个平坦表面，所述多个平坦表面限定：
与所述主轴对齐的第一空间尺寸，以及
第二空间尺寸和第三空间尺寸，所述第二空间尺寸和第三空间尺寸被对齐成垂直于所述主轴且彼此垂直，其中所述第一空间尺寸比所述第二空间尺寸和所述第三空间尺寸短；并且
每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合；
RF入口，所述RF入口将在RF带通滤波器处接收的RF信号耦合到所述多个腔中的在所述多个腔的第一端处的第一腔；和
RF出口，所述RF出口将来自所述多个腔中的在所述多个腔的第二端处的第二腔的经滤波的RF信号向所述RF带通滤波器的外部耦合，所述第二端与所述第一端相对。
2.根据权利要求1所述的RF带通滤波器，其中：
所述RF带通滤波器还包括导电壳体；和
所述RF传输介质包括空气。
3.根据权利要求2所述的RF带通滤波器，其中，所述导电壳体包括铝。
4.根据权利要求2所述的RF带通滤波器，还包括覆盖所述导电壳体的至少一些部分的导电涂层。
5.根据权利要求1所述的RF带通滤波器，其中，所述RF传输介质包括介电常数大于1的材料。
6.根据权利要求5所述的RF带通滤波器，其中，所述材料包括陶瓷。
7.根据权利要求5所述的RF带通滤波器，还包括覆盖所述RF传输介质的至少一些部分的导电涂层。
8.根据权利要求1所述的RF带通滤波器，其中，所述多个腔包括所述第一腔、所述第二腔、与所述第一腔相邻的第三腔以及与所述第三腔相邻的第四腔。
9.根据权利要求8所述的RF带通滤波器，其中：
当沿着所述主轴观察时，每个腔间狭槽包括矩形横截面；
每个腔间狭槽的矩形横截面限定了主空间尺寸和小于所述主空间尺寸的第二空间尺寸；
将所述第一腔耦合到所述第三腔的第一腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸与所述第二空间尺寸对齐；
将所述第三腔耦合到所述第四腔的第二腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸与所述第三空间尺寸对齐；和
将所述第四腔耦合到所述第二腔的第三腔间狭槽的矩形横截面的主空间尺寸与所述第二空间尺寸对齐。
10.根据权利要求9所述的RF带通滤波器，其中，当沿所述主轴观察时：
所述第一腔间狭槽的矩形横截面的一部分与所述第二腔间狭槽的矩形横截面的第一端重叠；和
所述第二腔间狭槽的矩形截面的第二端与所述第三腔间狭槽的矩形横截面的一部分重叠。
11.根据权利要求8所述的RF带通滤波器，其中，所述多个腔还包括与所述第三腔相邻的第五腔、与所述第四腔相邻的第六腔、与所述第五腔相邻的第七腔以及与所述第六腔相邻的第八腔。
12.根据权利要求1所述的RF带通滤波器，其中，所述多个腔中的每个腔近似为矩形长方体。
13.根据权利要求12所述的RF带通滤波器，其中，所述第一腔还限定了：
第一凹口，所述第一凹口占据所述矩形长方体的第一拐角区域；
第二凹口，所述第二凹口占据所述矩形长方体的第二拐角区域，所述第二拐角区域关于所述矩形长方体与所述第一拐角区域对角相对；
第三拐角区域，所述第三拐角区域在所述第一拐角区域和所述第二拐角区域之间；和
第四拐角区域，所述第四拐角区域关于所述矩形长方体与所述第三拐角区域对角相对。
14.根据权利要求13所述的RF带通滤波器，其中，与所述第一腔相邻的后续腔还限定了：
沿着所述主轴分别与所述第一腔的第一拐角区域、第二拐角区域、第三拐角区域和第四拐角区域对齐的第一拐角区域、第二拐角区域、第三拐角区域和第四拐角区域；
占据所述后续腔的第三拐角区域的第一凹口；和
占据所述后续腔的第四拐角区域的第二凹口。
15.根据权利要求1所述的RF带通滤波器，其中，所述RF入口和所述RF出口中的至少一个被配置为与波导耦合。
16.一种RF双工器，包括：
天线端口；
发射端口；
接收端口；
第一带通滤波器，其将所述发射端口耦合到所述天线端口；和
第二带通滤波器，其将所述接收端口耦合到所述天线端口；
其中，所述第一带通滤波器和所述第二带通滤波器中的每一个都包括RF传输介质，所述RF传输介质限定了沿着主轴彼此平行对齐的多个腔，其中：
每个腔包括多个平坦表面，所述多个平坦表面限定了：
与所述主轴对齐的第一空间尺寸，以及
第二空间尺寸和第三空间尺寸，所述第二空间尺寸和所述第三空间尺寸被对齐成垂直于所述主轴且彼此垂直，其中所述第一空间尺寸比所述第二空间尺寸和所述第三空间尺寸短；并且
每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合。
17.一种制造射频(RF)带通滤波器的方法，所述方法包括：
创建一组导电板；和
沿着主轴并排组装所述一组导电板以形成RF带通滤波器，其中所述RF带通滤波器包括RF传输介质，所述RF传输介质限定了：
多个腔，所述多个腔沿着所述主轴彼此平行对齐，其中：
每个腔包括多个平坦表面，所述多个平坦表面限定了：
与所述主轴对齐的第一空间尺寸，以及
第二空间尺寸和第三空间尺寸，所述第二空间尺寸和所述第三空间尺寸被对齐成垂直于所述主轴且彼此垂直，
其中所述第一空间尺寸比所述第二空间尺寸和所述第三空间尺寸短；并且
每对相邻的腔通过腔间狭槽耦合。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述RF传输介质还包括：
RF入口，所述RF入口将在所述RF带通滤波器处接收的RF信号耦合到在所述多个腔的第一端处的第一腔；和
RF出口，所述RF出口将来自在所述多个腔的第二端处的第二腔的经滤波的RF信号向所述RF带通滤波器的外部耦合，所述第二端与所述第一端相对。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述一组导电板包括铝。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括用导电层涂覆所述一组导电板的至少一部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/190,450 | 2021-03-03 | ||
| US17/190,450 US11646477B2 (en) | 2021-03-03 | 2021-03-03 | Waveguide cross-coupling filter with multiple parallel cavities |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115020950A true CN115020950A (zh) | 2022-09-06 |
Family
ID=80447800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210203711.3A Pending CN115020950A (zh) | 2021-03-03 | 2022-03-03 | 具有多个平行腔的波导交叉耦合滤波器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11646477B2 (zh) |
| EP (1) | EP4053993A1 (zh) |
| CN (1) | CN115020950A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4320367A (en) * | 1979-03-29 | 1982-03-16 | Compagnie Industrielle Des Telecommunications Cit-Alcatel | Hyperfrequency filter |
| FR2512593A1 (fr) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Thomson Csf | Filtre en guide d'onde |
| US4607242A (en) * | 1983-05-02 | 1986-08-19 | Rockwell International Corporation | Microwave filter |
| JP2002100904A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toko Inc | 導波管型誘電体デュプレクサ |
| US20050128031A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Radio Frequency Systems, Inc. | Hybrid triple-mode ceramic/metallic coaxial filter assembly |
| US20090231064A1 (en) * | 2006-08-04 | 2009-09-17 | Dielectric Laboratories, Inc. | Wideband dielectric waveguide filter |
| CN104143675A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 绵阳市耐特电子实业有限责任公司 | 交叉耦合的带通滤波器及其设计方法 |
| US20150280299A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Waveguide band pass filter using short-circuit stub for rejection performance improvement |
| CN107611541A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-19 | 北京理工大学 | 基于体硅mems工艺的太赫兹波导双工器及其制作方法 |
| US20200373644A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Com Dev Ltd. | Waveguide band-pass filter |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9130256B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-09-08 | Cts Corporation | Dielectric waveguide filter with direct coupling and alternative cross-coupling |
-
2021
- 2021-03-03 US US17/190,450 patent/US11646477B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-23 EP EP22158198.6A patent/EP4053993A1/en not_active Withdrawn
- 2022-03-03 CN CN202210203711.3A patent/CN115020950A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4320367A (en) * | 1979-03-29 | 1982-03-16 | Compagnie Industrielle Des Telecommunications Cit-Alcatel | Hyperfrequency filter |
| FR2512593A1 (fr) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Thomson Csf | Filtre en guide d'onde |
| US4607242A (en) * | 1983-05-02 | 1986-08-19 | Rockwell International Corporation | Microwave filter |
| JP2002100904A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Toko Inc | 導波管型誘電体デュプレクサ |
| US20050128031A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-16 | Radio Frequency Systems, Inc. | Hybrid triple-mode ceramic/metallic coaxial filter assembly |
| US20090231064A1 (en) * | 2006-08-04 | 2009-09-17 | Dielectric Laboratories, Inc. | Wideband dielectric waveguide filter |
| CN104143675A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 绵阳市耐特电子实业有限责任公司 | 交叉耦合的带通滤波器及其设计方法 |
| US20150280299A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Waveguide band pass filter using short-circuit stub for rejection performance improvement |
| CN107611541A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-19 | 北京理工大学 | 基于体硅mems工艺的太赫兹波导双工器及其制作方法 |
| US20200373644A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Com Dev Ltd. | Waveguide band-pass filter |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| AHMAD REZA ESKANDARI ET AL.: "Improvement of Passband Flatness for a Compact, Narrowband, and Highly Selective TM Dual-Mode Filter", 《IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES》, vol. 68, no. 4, pages 1591 - 1597, XP011781450, DOI: 10.1109/TMTT.2019.2963662 * |
| SIMONE BASTIOLI ET AL.: "A New Class of Waveguide Dual-Mode Filters Using TM and Nonresonating Modes", 《IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES》, vol. 58, no. 12, pages 3909 - 3917, XP011339619, DOI: 10.1109/TMTT.2010.2086068 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11646477B2 (en) | 2023-05-09 |
| US20220285814A1 (en) | 2022-09-08 |
| EP4053993A1 (en) | 2022-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gómez-García et al. | Avoiding RF isolators: Reflectionless microwave bandpass filtering components for advanced RF front ends | |
| KR101919456B1 (ko) | 일체형 유전체 세라믹 도파관 듀플렉서 | |
| KR100313717B1 (ko) | 대칭적인 감쇄극 특성을 갖는 유전체 공진기형 대역 통과 필터 | |
| CN101699649B (zh) | 平面紧凑型三通带滤波器 | |
| KR20170048753A (ko) | 유전체 도파관 듀플렉서 및 그 설계 방법 | |
| Doumanis et al. | Dual-band bandpass double ground plane coaxial resonators and filters | |
| US6294969B1 (en) | Dielectric filter and RF apparatus employing thereof | |
| KR101431005B1 (ko) | ３차원 적층 유전체 공진기 조립체 | |
| KR100561634B1 (ko) | 유도성 아이리스를 갖는 전계면 결합망 구조의 도파관다이플렉서 | |
| KR101616768B1 (ko) | 너치가 형성된 유전체 도파관 필터 | |
| WO1993006630A1 (en) | Narrow band-pass, wide band-stop filter | |
| US11646477B2 (en) | Waveguide cross-coupling filter with multiple parallel cavities | |
| EP3387705B1 (en) | Antenna arrangement | |
| CN114843729B (zh) | 一种不平衡到平衡的毫米波基片集成波导滤波功分器 | |
| US20240178538A1 (en) | Hybrid type filter solution | |
| KR100541068B1 (ko) | 유전체필터를 갖춘 중계기 | |
| WO2014132657A1 (ja) | 有極型帯域通過フィルタ | |
| CN210430042U (zh) | 一种双模双频同轴腔体滤波器 | |
| Kapusuz et al. | Substrate-Integrated-Waveguide Diplexer Filter for SATCOM-on-the-Move | |
| JP2001085908A (ja) | 多重モード共振器装置、フィルタ、複合フィルタ装置、デュプレクサおよび通信装置 | |
| CN103490127A (zh) | 三通带滤波器 | |
| CN113497317B (zh) | 一种滤波器及通信设备 | |
| CN211238454U (zh) | 一种uir加载的三阶双通带基片集成波导滤波器 | |
| CN102569955A (zh) | 基于非对称支节加载谐振器的双频带通滤波器 | |
| Resnati et al. | Combining 2G and 3G (4G) BTS outputs sharing the same frequency band |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |