CN103971590B - 一种防伪商标及其制造方法 - Google Patents
一种防伪商标及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103971590B CN103971590B CN201310041603.1A CN201310041603A CN103971590B CN 103971590 B CN103971590 B CN 103971590B CN 201310041603 A CN201310041603 A CN 201310041603A CN 103971590 B CN103971590 B CN 103971590B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- false
- trademark
- substrate layer
- false proof
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 184
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009422 external insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- -1 penetrate Chemical compound 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提出一种防伪商标及其制造方法，其中该防伪商标包括：基片层，其中，基片层为掺杂的半导体材料；形成在基片层之上的背景层；形成在基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，电性防伪层为势垒金属材料；形成在电性防伪层之上的图案防伪层；以及形成在图案防伪层之上的保护层。本发明的防伪商标及其制造方法，利用了半导体工艺来实现防伪商标的加工，具有图案精细程度高，质量稳定、可规模化生产的优点。
Description
技术领域
本发明属防伪商标加工制造领域，具体涉及一种防伪商标及其制造方法。
背景技术
防伪商标学名（国家标准名称）防伪标识，是能粘贴、印刷、转移在标的物表面，或标的物包装上，或标的物附属物（如商品挂牌、名片以及防伪证卡）上，具有防伪作用的标识。防伪商标的防伪特征以及识别的方法是防伪商标的灵魂。主要种类有全息防伪标识（又名激光防伪商标，或叫镭射防伪商标）、双卡防伪标识、图形输出激光防伪标识、微孔防伪标识、印刷防伪标识、隐形图文回归防伪标识、图文揭露防伪标识、磁码防伪标识、覆盖层防伪标识、标记分布特性防伪标识等。传统的防伪标识一般使用印刷设备进行生产，随着一些进口的高分辨率扫描仪越来越容易为人们所得到，用来扫描一些精细的商标，把扫描的图像进行各种特种印刷，以至出现了各种高仿假冒的商标。扰乱了正常的市场秩序，给企业商家带来了负面影响。另外，对于近年来新出现的微米级防伪标识，防伪方式比较单一，主要为视觉上的防伪特征，无法结合微观图形特性和电学特性进行深度防伪。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的一个目的在于提出一种加工精度高、防伪性能好的防伪商标，本发明的另一个目的在于提出一种加工精度高、适合规模化生产的防伪商标制造方法。
根据本发明实施例的防伪商标，包括：基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；形成在所述基片层之上的背景层；形成在所述基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；形成在所述电性防伪层之上的图案防伪层；以及形成在所述图案防伪层之上的保护层。
可选地，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
可选地，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
可选地，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
可选地，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
可选地，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
可选地，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
根据本发明实施例的防伪商标的制造方法，包括：A.设计商标图案并准备对应的掩膜版；B.提供基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；C.所述在所述基片层上形成背景层；D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；E.在所述电性防伪层之上形成图案防伪层；以及F.在所述图案防伪层之上形成保护层。
可选地，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
可选地，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
可选地，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
可选地，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
可选地，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
可选地，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
本发明的防伪商标及其制造方法，优点至少体现在如下几个方面：
（1）图形防伪性能好。本发明利用了半导体工艺制造，得到的图案精细程度高，其线条或间距最小尺寸可达0.18μm，形成的商标尺寸小，厚度薄，隐蔽性强，肉眼难以识别，难以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
（2）电学防伪性能好。本发明除常规图形防伪之外，通过设定基片掺杂浓度或者基片与金属形成具有特定电性参数的二极管方式实现防伪，该防伪方式很难被仿制，其在外观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具识别该商标的真伪。
（3）商标的质量稳定、保存时间长，可规模化生产，边际成本较低。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明实施例的防伪商标的结构示意图；
图2是本发明实施例的防伪商标的制造方法流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
本发明主要公开一种防伪商标以及其制作方法，其精细、分辨率高、尺寸小，厚度薄、隐蔽性强，可嵌套，难仿制，保存时间长且易于检测。在微观条件下有良好的分辨率，其最小线条可以精确至0.18um，一般防伪商标很难达到该效果，并且适宜批量生产。
如图1所示，根据本发明实施例的防伪商标，包括：基片层1，其中，基片层1为掺杂的半导体材料；形成在基片层1之上的背景层2；形成在基片层1之上、背景层2之中的商标图形化的电性防伪层3，其中，电性防伪层3为势垒金属材料；形成在电性防伪层3之上的图案防伪层4；以及形成在图案防伪层4之上的保护层5。其中，基片层1与电性防伪层3在界面形成肖特基二极管结构。
其中，基片层1材料为掺杂的硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅等可用于半导体制造的基片材料中的一种或多种的组合，其主要功能为实现深度防伪提供不同掺杂浓度的界面，以及提供防伪商标的衬底和底座。
其中，电性防伪层3为势垒金属与基片形成的势垒层，势垒金属主要包括通过溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、铂、银、钛、镍、铬、铝等金属以及金属合金，该势垒层为势垒金属通过高温合金的方式与基片掺杂界面形成肖特基二极管结构，其合金温度范围：250℃~1200℃。形成电性防伪层3有以下条件：当基片层1为N型掺杂时，电性防伪层3的功函数大于基片层1的功函数；当基片层1为P型掺杂时，电性防伪层3的功函数小于基片层1的功函数。势垒金属功函数由选择的金属种类决定，基片材料功函数由防伪基片材料和界面掺杂浓度决定。
需要说明的是，由于基片层1与电性防伪层3在界面形成肖特基二极管结构的电学性能参数（特别是二极管整流曲线里的阈值电压参数）具有特定性，故可以用于电学防伪。本发明的防伪商标原本被保护层覆盖对外绝缘，但在后期通常会被切割划片，在边缘露出二极管部分，可供检测人员可以方便地进行测试；或者在某些不被切割划片的整个防伪商标中，预留若干个通孔供测试使用。
其中，背景层2主要为热氧化或淀积形成的氧化层，其厚度范围为0.005um~10um，为防伪商标提供背景颜色和商标基础结构，其背景颜色可以为赤色、橙色、黄色、绿色、青色、蓝色、紫色以及其组合颜色。
其中，图案防伪层4所用金属为溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、银、铝、铂、铜、钛、钯等不易氧化金属及合金，其主要功能为形成防伪商标主体结构、形状和层次并实现视觉防伪。通过对图案防伪层4金属的选择和对背景层2氧化层厚度的控制，可以实现任意形状和颜色的组合。并可通过不同点阵组合，实现图案防伪层的多种灰度，使其具有丰富的层次。
其中，保护层5为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃、氧化层等透明护层，其主要功能对防伪商标进行保护，防止氧化和划伤，保存周期更长。
本发明的防伪商标的优点至少体现在如下几个方面：
（1）图形防伪性能好。本发明利用了半导体工艺制造，得到的图案精细程度高，其线条或间距最小尺寸可达0.18μm，形成的商标尺寸小，厚度薄，隐蔽性强，肉眼难以识别，难以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
（2）电学防伪性能好。本发明除常规图形防伪之外，通过设定基片掺杂浓度或者基片与金属形成具有特定电性参数的二极管方式实现防伪，该防伪方式很难被仿制，其在外观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具可以方便地检测该肖特基二极管的整流曲线，识别该商标的真伪。
（3）商标的质量稳定、保存时间长，可规模化生产，边际成本较低。
如图2所示，根据本发明实施例的防伪商标的制造方法，包括：
步骤S101.设计商标图案并准备对应的掩膜版。
具体地，将防伪商标设计图案的电脑文件，经过编辑和格式转换，输出到激光光绘机，从而在铬版上光绘出图形，形成半导体工艺中需要的掩膜版。
步骤S102.提供基片层1，其中，基片层1为掺杂的半导体材料。
具体地，基片层1的材料为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅等可以用于半导体制造的基片材料中的一种或多种的组合，其主要功能为任意结构和形状的防伪商标提供衬托和底座。
步骤S103.在基片层1上形成背景层2。
具体地，在基片层1上通过热氧化或者淀积形成背景层2。常见地，背景层2的厚度为0.005-10μm。背景层2用于形成该防伪商标的底色，例如赤色、橙色、黄色、绿色、青色、蓝色、紫色以及其组合颜色，底色色彩可以通过调节该背景层2的材料和/或厚度来实现。
步骤S104.利用掩膜版，光刻、腐蚀背景层2以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层3，其中，电性防伪层3为势垒金属材料。
具体地，通过光刻、腐蚀的方法在氧化层上刻蚀出所设计防伪商标基础结构、形状，以及电性防伪层3的区域。随后通过溅射、蒸镀或电镀等方法形成势垒金属，并通过高温合金的方式（其合金温度范围：250℃~1200℃）使金属与基片接触区域形成势垒层，该势垒层即为肖特基二极管结构。通过腐蚀的方法去除未形成势垒层的金属，该势垒层所形成的肖特基二极管即为电性防伪层3。其中，电性防伪层3为势垒金属与基片形成的势垒层，势垒金属主要包括通过溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、铂、银、钛、镍、铬、铝等金属以及金属合金，该势垒层为势垒金属通过高温合金的方式与基片掺杂界面形成肖特基二极管结构，形成电性防伪层3有以下条件：当基片层1为N型掺杂时，电性防伪层3的功函数大于基片层1的功函数；当基片层1为P型掺杂时，电性防伪层3的功函数小于基片层1的功函数。势垒金属功函数由选择的金属种类决定，基片材料功函数由防伪基片材料和界面掺杂浓度决定。
步骤S105.在电性防伪层3之上形成图案防伪层。
具体地，通过溅射、蒸镀或电镀等方法在电性防伪层3上形成金属，并通过光刻、腐蚀方法在金属上刻蚀出所设计防伪商标结构、形状，该层即为图形防伪层4。图案防伪层4所用金属为溅射、蒸镀或电镀等方法形成的金、银、铝、铂、铜、钛、钯等不易氧化金属及合金，其主要功能为形成防伪商标主体结构、形状和层次并实现视觉防伪。通过对图案防伪层4金属的选择和对背景层2氧化层厚度的控制，可以实现任意形状和颜色的组合。并可通过不同点阵组合，实现图案防伪层4的多种灰度，使其具有丰富的层次。
步骤S106.在图案防伪层4之上形成保护层5。
具体地，通过淀积方式在所设计防伪商标正面形成聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃、二氧化硅等透明护层，目的是为在防伪商标正面主体结构形成保护层5，避免被氧化和沾污，也利于日常清洁，使其长久如新。
本发明的防伪商标的其制造方法的优点至少体现在如下几个方面：
（1）图形防伪性能好。本发明利用了半导体工艺制造，得到的图案精细程度高，其线条或间距最小尺寸可达0.18μm，形成的商标尺寸小，厚度薄，隐蔽性强，肉眼难以识别，难以被其他竞争者仿冒。此外，通过在商标图案里面嵌套超小尺寸商标的方式实现防伪，肉眼无法识别出图案里面嵌套的超小尺寸商标，需要使用显微镜等专用工具才能发现。
（2）电学防伪性能好。本发明除常规图形防伪之外，通过设定基片掺杂浓度或者基片与金属形成具有特定电性参数的二极管方式实现防伪，该防伪方式很难被仿制，其在外观上无法发现其中的区别，而检测人员能够通过测试工具识别该商标的真伪。
（3）商标的质量稳定、保存时间长，可规模化生产，边际成本较低。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (16)
1.一种防伪商标，其特征在于，包括：
基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；
形成在所述基片层之上的背景层；
形成在所述基片层之上、背景层之中的商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；
形成在所述电性防伪层之上、背景层之中的图案防伪层；以及
形成在所述图案防伪层之上、背景层之外的保护层。
2.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
3.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
4.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
5.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
6.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
7.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
8.如权利要求1所述的防伪商标，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
9.一种防伪商标的制造方法，其特征在于，包括：
A.设计商标图案并准备对应的掩膜版；
B.提供基片层，其中，所述基片层为掺杂的半导体材料；
C.在所述基片层上形成背景层；
D.利用所述掩膜版，光刻、腐蚀所述背景层以形成商标图形，随后通过溅射、蒸镀或电镀方式形成商标图形化的电性防伪层，其中，所述电性防伪层为势垒金属材料；
E.在所述电性防伪层之上、背景层之中形成图案防伪层；以及
F.在所述图案防伪层之上、背景层之外形成保护层。
10.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层与所述电性防伪层在界面形成肖特基二极管结构。
11.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，当所述基片层为N型掺杂时，所述电性防伪层的功函数大于所述基片层的功函数；当所述基片层为P型掺杂时，所述电性防伪层的功函数小于所述基片层的功函数。
12.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述基片层为硅、砷化镓、氮化镓或碳化硅中的一种或多种的组合。
13.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述电性防伪层为金、铂、银、钛、镍、铬、铝中的一种或多种的合金。
14.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述背景层通过热氧化或沉积方式得到，所述背景层的厚度为0.005-10μm。
15.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述图案防伪层的材料为金、银、铝、铂、铜、钛或钯中的一种或多种的合金。
16.如权利要求9所述的防伪商标的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺、氮化硅、磷硅玻璃或二氧化硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310041603.1A CN103971590B (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种防伪商标及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310041603.1A CN103971590B (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种防伪商标及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103971590A CN103971590A (zh) | 2014-08-06 |
| CN103971590B true CN103971590B (zh) | 2017-02-22 |
Family
ID=51241021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310041603.1A Expired - Fee Related CN103971590B (zh) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 一种防伪商标及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103971590B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108130510B (zh) * | 2017-11-23 | 2020-07-31 | 深圳市矩阵多元科技有限公司 | 一种防伪标签的制作方法及防伪标签 |
| CN110288900B (zh) * | 2019-06-27 | 2021-08-31 | 福州大学 | 一种基于钙钛矿纳米片的防伪标签及其制备方法 |
Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1076045A (zh) * | 1993-03-26 | 1993-09-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种混合型防伪方法及其制品 |
| CN2274363Y (zh) * | 1996-07-11 | 1998-02-11 | 南京科化显示器有限公司 | 隐形防伪标识显示膜 |
| CN1219261A (zh) * | 1996-05-20 | 1999-06-09 | 美国3M公司 | 提示扰动的多层片材 |
| CN1349204A (zh) * | 2000-10-12 | 2002-05-15 | 西安秦川三和信息工程发展有限公司 | 一种防伪标贴及方法 |
| US20040164302A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container |
| CN1653485A (zh) * | 2002-05-15 | 2005-08-10 | 琳得科株式会社 | 集成电路标签 |
| CN1677632A (zh) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | 株式会社日立制作所 | 具有rfid标签或者放大电极的rfid芯片 |
| CN1832169A (zh) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备 |
| CN1866321A (zh) * | 2005-05-17 | 2006-11-22 | 优泊公司 | 高亮度的标签、贴有该标签的容器、及其制造方法 |
| CN1867957A (zh) * | 2003-11-14 | 2006-11-22 | 纪和化学工业株式会社 | 安全标贴及其制造方法 |
| US20070063058A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Lintec Corporation | IC tag, reader/writer for the IC tag and system using the IC tag |
| CN101115627A (zh) * | 2005-02-10 | 2008-01-30 | Ovd基尼格拉姆股份公司 | 包括衍射浮雕结构的多层体及其制备方法 |
| WO2009020348A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Youl Chon Chemical Co., Ltd. | Label and method for preparing the same |
| CN101393794A (zh) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 中国印钞造币总公司 | 磁性编码薄膜材料及其制备方法 |
| CN101443832A (zh) * | 2006-05-16 | 2009-05-27 | 凸版印刷株式会社 | 防伪用ic标识 |
| CN101673486A (zh) * | 2007-09-14 | 2010-03-17 | 栗村化学株式会社 | 具有全息图的标签及其制造方法 |
| CN201833664U (zh) * | 2010-06-13 | 2011-05-18 | 武汉华工图像技术开发有限公司 | 具有全反和半反效果的综合防伪烫印膜 |
| CN102395466A (zh) * | 2009-04-20 | 2012-03-28 | 东洋铝株式会社 | 层叠体、包装体、包装用片材、包装材料、标签和容器 |
| CN102479468A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 索尼公司 | 全息图层叠体及全息图层叠体制造方法 |
| CN202422588U (zh) * | 2012-02-14 | 2012-09-05 | 四川大学 | 一种电致变色防伪标签 |
| CN102696062A (zh) * | 2010-05-18 | 2012-09-26 | 韩国科学技术院 | 利用在多种基材上形成的微细颗粒的任意分散图案制备防伪标签及判别真伪的方法 |
| CN102893314A (zh) * | 2011-04-22 | 2013-01-23 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质用读取标签及其信息记录方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03171674A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Nec Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2000113151A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | ラベル状ｉｃカード |
| JP2002182570A (ja) * | 2000-12-16 | 2002-06-26 | Shin Aoyanagi | 半導体パッケージ基板の識別用ラベル体およびこれを用いた半導体パッケージ基板の識別方法 |
-
2013
- 2013-02-01 CN CN201310041603.1A patent/CN103971590B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1076045A (zh) * | 1993-03-26 | 1993-09-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种混合型防伪方法及其制品 |
| CN1219261A (zh) * | 1996-05-20 | 1999-06-09 | 美国3M公司 | 提示扰动的多层片材 |
| CN2274363Y (zh) * | 1996-07-11 | 1998-02-11 | 南京科化显示器有限公司 | 隐形防伪标识显示膜 |
| CN1349204A (zh) * | 2000-10-12 | 2002-05-15 | 西安秦川三和信息工程发展有限公司 | 一种防伪标贴及方法 |
| CN1653485A (zh) * | 2002-05-15 | 2005-08-10 | 琳得科株式会社 | 集成电路标签 |
| US20040164302A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container |
| CN1867957A (zh) * | 2003-11-14 | 2006-11-22 | 纪和化学工业株式会社 | 安全标贴及其制造方法 |
| CN1677632A (zh) * | 2004-03-31 | 2005-10-05 | 株式会社日立制作所 | 具有rfid标签或者放大电极的rfid芯片 |
| CN101115627A (zh) * | 2005-02-10 | 2008-01-30 | Ovd基尼格拉姆股份公司 | 包括衍射浮雕结构的多层体及其制备方法 |
| CN1832169A (zh) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备 |
| CN1866321A (zh) * | 2005-05-17 | 2006-11-22 | 优泊公司 | 高亮度的标签、贴有该标签的容器、及其制造方法 |
| US20070063058A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Lintec Corporation | IC tag, reader/writer for the IC tag and system using the IC tag |
| CN101443832A (zh) * | 2006-05-16 | 2009-05-27 | 凸版印刷株式会社 | 防伪用ic标识 |
| WO2009020348A1 (en) * | 2007-08-06 | 2009-02-12 | Youl Chon Chemical Co., Ltd. | Label and method for preparing the same |
| CN101673486A (zh) * | 2007-09-14 | 2010-03-17 | 栗村化学株式会社 | 具有全息图的标签及其制造方法 |
| CN101393794A (zh) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 中国印钞造币总公司 | 磁性编码薄膜材料及其制备方法 |
| CN102395466A (zh) * | 2009-04-20 | 2012-03-28 | 东洋铝株式会社 | 层叠体、包装体、包装用片材、包装材料、标签和容器 |
| CN102696062A (zh) * | 2010-05-18 | 2012-09-26 | 韩国科学技术院 | 利用在多种基材上形成的微细颗粒的任意分散图案制备防伪标签及判别真伪的方法 |
| CN201833664U (zh) * | 2010-06-13 | 2011-05-18 | 武汉华工图像技术开发有限公司 | 具有全反和半反效果的综合防伪烫印膜 |
| CN102479468A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 索尼公司 | 全息图层叠体及全息图层叠体制造方法 |
| CN102893314A (zh) * | 2011-04-22 | 2013-01-23 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录介质用读取标签及其信息记录方法 |
| CN202422588U (zh) * | 2012-02-14 | 2012-09-05 | 四川大学 | 一种电致变色防伪标签 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103971590A (zh) | 2014-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107406963B (zh) | 蒸镀用金属掩模基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法 | |
| CN101395724B (zh) | 太阳能电池标记方法和太阳能电池 | |
| CN103971590B (zh) | 一种防伪商标及其制造方法 | |
| Lausch et al. | Identification of pre-breakdown mechanism of silicon solar cells at low reverse voltages | |
| CN100428500C (zh) | 基于一维半导体纳米结构的光电传感器及其制作方法 | |
| DE112016001195T5 (de) | Lichtemittierendes halbleiterelement | |
| O’Dwyer et al. | Anodic formation and characterization of nanoporous InP in aqueous KOH electrolytes | |
| US20180088059A1 (en) | Fluorescent dendritic tags | |
| Shanmugam et al. | Analysis of fine-line screen and stencil-printed metal contacts for silicon wafer solar cells | |
| CN106132722A (zh) | 显示体及显示体的观察方法 | |
| CN109923683A (zh) | 微型发光二极管及其制作方法 | |
| Cai et al. | Integrated p–n junction InGaN/GaN multiple-quantum-well devices with diverse functionalities | |
| CN105140307B (zh) | 一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用 | |
| TW201211170A (en) | Method of manufacturing anti-counterfeit ink and anti-counterfeit tag and method of manufacturing the same | |
| CN110429039A (zh) | 一种快速检测perc电池背面叠加膜厚度的方法 | |
| CN102479881A (zh) | 太阳能电池印制识别码的方法及记录其制程参数的方法 | |
| CN103011066B (zh) | 芯片 | |
| KR20170030060A (ko) | 마이크로기계 시계 부품 상에 장식 표면을 형성하는 방법 및 상기 마이크로기계 시계 부품 | |
| CN107731978A (zh) | 一种led的外延结构及其制作方法 | |
| US10903194B2 (en) | Micro light-emitting diode display with 3D orifice plating and light filtering | |
| Glatthaar et al. | Fundamental microscopic studies on the etching behavior of silver pastes on poly-Si/SiOx passivating contacts | |
| TW201110372A (en) | A printing method for making barrier in buried-contact solar cell fabrication and its resultant device | |
| Giannossa et al. | A systematic characterization of fibulae from Italy: from chemical composition to microstructure and corrosion processes | |
| Kunz et al. | Investigating metal-semiconductor contacts in solar cells using magnetic field measurements | |
| JP6089306B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191226 Address after: 518119 1 Yanan Road, Kwai Chung street, Dapeng New District, Shenzhen, Guangdong Patentee after: SHENZHEN BYD MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: BYD 518118 Shenzhen Road, Guangdong province Pingshan New District No. 3009 Patentee before: BYD Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 518119 No.1 Yan'an Road, Kuiyong street, Dapeng New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: BYD Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 518119 No.1 Yan'an Road, Kuiyong street, Dapeng New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN BYD MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Address after: 518119 No.1 Yan'an Road, Kuiyong street, Dapeng New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: BYD Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 518119 No.1 Yan'an Road, Kuiyong street, Dapeng New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: BYD Semiconductor Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170222 |