CN103488327B - 触摸传感器集成式显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

触摸传感器集成式显示设备及其制造方法。一种显示设备，包括：在第一方向上平行设置在基板上的多个第一电极；在不与所述多个第一电极接触的情况下在所述第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上平行设置的多个第二电极；多条第一连接电线，每条第一连接电线与所述多个第一电极中的至少一个连接；多条第二连接电线，每条第二连接电线在所述第二方向上将所述第二电极彼此连接；其中触摸驱动电压提供到所述多条第一连接电线，公共电压提供到所述多条第二连接电线，使得在所述多个第一电极与所述多个第二电极之间生成互电容。

Description

触摸传感器集成式显示设备及其制造方法
技术领域
本公开涉及能够感知显示设备的触摸的触摸传感器集成式显示设备及其制造方法。
背景技术
近年来，已使用诸如键盘、鼠标、操纵杆、数字转换器的各种输入设备在用户和家用电器或电信设备之间进行接口。然而，当用户利用输入设备时，因为要求用户知道如何使用输入设备并且因为输入设备占据空间，所以用户的不满可能增加。相比之下，触摸传感器能通过利用用户的手指或笔来直接接触屏幕而输入信息。
触摸传感器具有能够最小化错误操作的简单构造。而且，用户能在不使用单独的输入设备的情况下执行输入动作，并能通过屏幕上显示的内容快速容易地操纵设备。相应地，触摸传感器已应用于各种显示设备。
显示设备中使用的触摸传感器可分为附加式(add-on type)触摸传感器和外嵌式(on-cell type)触摸传感器。附加式触摸传感器配置为使得显示设备和附加式触摸传感器分别和/或单独制造，然后将附加式触摸传感器附加到显示设备的上基板或一部分。外嵌式触摸传感器配置为使得构成外嵌式触摸传感器的组件直接形成在显示设备上部分(例如，上玻璃基板)的表面上。
附加式触摸传感器导致显示设备的厚度增大，因为附加式触摸传感器具有其中附加式触摸传感器安装在显示设备上的结构。另外，显示设备的可视性因为由于增大的厚度导致的显示设备亮度降低而降低。
另一方面，外嵌式触摸传感器与显示设备共享玻璃基板，因为外嵌式触摸传感器具有其中外嵌式触摸传感器形成在显示设备的玻璃基板表面上的结构。因此，使用外嵌式触摸传感器的显示设备的厚度小于使用附加式触摸传感器的显示设备的厚度。然而，实现外嵌式触摸传感器的显示设备的整体厚度因为触摸驱动电极层、触摸感测电极层、使构成外嵌式触摸传感器的触摸驱动电极层和触摸感测电极层绝缘的绝缘层而增大。另外，在外嵌式触摸传感器中，工艺数量和制造成本非常大。
发明内容
本发明的实施方式提供一种可通过与显示设备的组件共享用于识别触摸操作的触摸感测元件实现的具有降低的厚度和更简单的制造工艺的触摸传感器集成式显示设备及其制造方法。
本发明的实施方式还提供一种能够通过利用增加数量的触摸驱动电极和触摸感测电极增加触摸驱动电极与触摸感测电极之间的互电容而增强触摸灵敏度的触摸传感器集成式显示设备及其制造方法。
一方面，一种触摸传感器集成式显示设备，包括：彼此平行地设置在第一层上的多个第一电极；形成在所述第一层上的第一电极的至少一侧并且与第一电极隔开的多个第一子像素电极；彼此平行地设置在第二层上的多个第二电极，所述第二层布置在所述第一层的上侧或下侧；形成在所述第二层上的第二电极的至少一侧并且与第二电极隔开的多个第二子像素电极，其中所述多个第一电极构成设置在第一方向上的多条第一电极线，所述多个第一电极中的每个形成为与所述多个第二子像素电极中的至少一个交叠；其中所述多个第二电极构成设置在与所述第一方向交叉的第二方向上的多条第一电极线，所述多个第二电极中的每个形成为与所述多个第一子像素电极中的至少一个交叠。
另一方面，一种触摸传感器集成式显示设备，包括：彼此平行地形成在基板上的多条选通线；覆盖所述多条选通线的栅绝缘层；与所述选通线交叉地形成在所述绝缘层上的多条数据线；形成在通过所述选通线和所述数据线的交叉点限定的多个像素区域中的每个中的晶体管；覆盖上面形成有晶体管的栅绝缘的第一钝化层；形成在所述多个像素区域的第一像素区域中的第一钝化层上的第一子像素电极；形成在所述多个像素区域的第二像素区域中的第一钝化层上的第一电极；覆盖上面形成有子像素电极和第一电极的第一钝化层的第二钝化层；形成在所述第一像素区域中的第二钝化层上的第二电极；形成在所述第二像素区域中的第二钝化层上的第二子像素电极，其中所述第一子像素电极经由穿过所述第一钝化层的第一接触孔与所述第一子像素区域中的晶体管连接，所述第二子像素电极经由穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层的第二接触孔与所述第二子像素区域中的晶体管连接，所述第一电极布置为与所述第二子像素电极相对，所述第二电极布置为与所述第一子像素电极相对。
另一方面，一种制造触摸传感器集成式显示设备的方法，包括：在基板上形成第一导电层，并且使用第一掩模工艺形成选通线和栅极；在上面形成有选通线和栅极的基板上形成栅绝缘，在所述栅绝缘上形成半导体层，并且通过使用第二掩模工艺图案化所述半导体层在栅绝缘层的对应于栅极的区域上形成半导体图案；在栅绝缘层上形成数据金属层作为第二导电层，并且通过使用第三掩模工艺图案化所述数据金属层形成包括数据线、从数据线延伸的源极和与源极相对的漏极的第一导电图案组；在栅绝缘层的上面形成有所述第一导电图案组的整个表面上形成第一钝化层，并且通过使用第四掩模工艺蚀刻所述第一钝化层形成露出第一子像素区域和第二子像素区域中的每个漏极的一部分的第一接触孔；在其中形成有第一接触孔和第二接触孔的第一钝化层上形成第一透明导电层作为第三导电层，并且通过使用第五掩模工艺图案化所述第一透明导电层在所述第一像素区域中形成第一子像素电极，在所述第二像素区域中形成第一电极；在上面形成有所述第一子像素电极和所述第一电极的第一钝化层上形成第二钝化层，并且通过使用第六掩模工艺蚀刻所述第二钝化层在第二钝化中形成露出所述第二像素区域中的漏极的一部分的第三接触孔；在其中形成有所述第三接触孔的第二钝化层上形成第二透明导电层作为第四导电层，并且通过使用第七掩模工艺蚀刻所述第二透明导电层在所述第一像素区域中形成第二电极，在所述第二像素区域中形成第二子像素电极，其中所述第一电极布置为与所述第二子像素电极相对，所述第二电极布置为与所述第一子像素电极相对。
在构造中，在显示操作期间，向所述多个第一电极和所述多个第二电极提供公共电压，在触摸操作期间，向所述多个第二电极提供触摸驱动电压。
在显示操作期间，可向所述多个第一电极和所述多个第二电极提供公共电压，在触摸操作期间，可向所述多个第一电极提供触摸驱动电压。
当在触摸操作期间向所述第一电极和所述第二电极中的一个提供触摸驱动电压时，所述第一电极和所述第二电极是能够识别所述显示设备的触摸的触摸单元像素的一部分。
彼此相对的第一电极和第二子像素电极中的一个具有多个狭缝，彼此相对的第二电极和第一子像素电极中的一个具有多个狭缝。
第一子像素电极包括R子像素电极和G子像素电极，第二子像素电极包括B子像素电极，第一电极形成为与R子像素电极和G子像素电极相对，第二电极形成为与B子像素电极相对。
第一子像素电极包括R子像素电极，第二子像素电极包括G子像素电极和B子像素电极，第一电极形成为与R子像素电极相对，第二电极形成为与G子像素电极和B子像素电极相对。
第一子像素电极包括B子像素电极和R子像素电极，第二子像素电极包括G子像素电极，第一电极形成为与B子像素电极和R子像素电极相对，第二电极形成为与G子像素电极相对。
第一子像素电极包括G子像素电极，第二子像素电极包括B子像素电极和R子像素电极，第一电极形成为与G子像素电极相对，第二电极形成为与B子像素电极和R子像素电极相对。
第一导电层和第二导电层选自Cu、CuOx、Al、AlNd、Mo、MoTi、Cr，第一透明导电层和第二透明导电层选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)。
附图说明
通过考虑下面结合附图的详细描述，能容易地理解实施方式的教示。
图1是示意性地例示根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的框图；
图2是示意性地示出图1所示的显示设备的局部放大立体图；
图3是例示图2所示的薄膜晶体管阵列的一个像素区域的截面图；
图4是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的触摸驱动电极和触摸感测电极的关系的俯视图；
图5是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的由形成在第一钝化层上的第一透明电极制成的R、G子像素电极和触摸感测电极(第二公共电极)的俯视图；
图6是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的由形成在第二钝化层上的第二透明电极制成的B子像素电极和触摸感测电极(第一公共电极)的俯视图；
图7A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第一掩模工艺的俯视图；
图7B是沿图7A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图8A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第二掩模工艺的俯视图；
图8B是沿图8A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图9A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第三掩模工艺的俯视图；
图9B是沿图9A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图10A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第四掩模工艺的俯视图；
图10B是沿图10A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图11A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第五掩模工艺的俯视图；
图11B是沿图11A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图12A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第六掩模工艺的俯视图；
图12B是沿图12A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图；
图13A是例示制造根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第七掩模工艺的俯视图；
图13B是沿图13A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
具体实施方式
下文中将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式，其中在整个说明书和附图中可以用相同的附图标记表示相同或基本上相同的元素。
参照图1-3详细描述根据本发明的示例实施方式的触摸传感器集成式显示设备。图1是示意性地例示根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的框图，图2是示意性地示出图1所示的显示设备的局部放大立体图，图3是例示图2所示的薄膜晶体管阵列的一个像素区域的截面图。
在下面的描述中，触摸传感器集成式液晶显示(LCD)设备用作触摸传感器集成式显示设备的示例。然而，在本公开的范围内，设想任意数量或类型的显示设备。
参照图1和2，根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式LCD设备包括液晶显示面板LCP、主机控制器10、时序控制器11、数据驱动器12、选通驱动器13、电源单元15、触摸识别处理器17。
液晶显示面板LCP包括滤色器阵列CFA和薄膜晶体管(TFT)阵列TFTA，二者之间插入有液晶层(未示出)。
在图1所示的示例中，TFT阵列TFTA包括在第一方向(例如，x轴)上彼此平行地形成在第一基板SUBS1上的多条选通线G1、G2，在第二方向(例如，y轴)上彼此平行地形成为与多条选通线G1、G2交叉的多条数据线D1-D9，分别形成在选通线G1、G2和数据线D1-D9的交叉点处的多个TFT，在液晶单元中充入数据电压的多个子像素电极PX11、PX12、PX13、…PX19、PX21、PX22、PX23、…PX29，定位为与多个像素电极PX11、PX12、PX13、…PX19、PX21、PX22、PX23、…PX29相对的第一公共电极COM1和第二公共电极COM2。
像素电极可包括三种类型的子像素电极，例如R(红色)子像素电极、G(绿色)子像素电极、B(蓝色)子像素电极。在本发明以下实施方式的描述中，将像素电极中的两种类型的子像素电极(例如，像素电极的R、G子像素电极)描述为与第一公共电极COM1相对或对应。将像素电极中的其余类型的子像素电极(例如，B子像素电极)描述为与第二公共电极COM2相对或对应。然而，设想了任意数量的变型。像素电极的一种或多种特定子像素电极可与第一公共电极COM1相对或对应，像素电极的一种或多种其他子像素电极可与第二公共电极COM2相对或对应。还应该理解，像素电极可包括三种类型以上的子像素电极，子像素电极与第一、第二公共电极的关系或对应关系可按照任意方式改变或修改。
在图2中，滤色器阵列CFA包括形成在第二基板SUBS2上的黑底和滤色器(未示出)。偏振板POL1和POL2分别附加到液晶显示面板LCP的第一基板SUBS1和第二基板SUBS2的外表面。用于设置液晶的预倾角的取向层(未示出)分别形成在第一基板SUBS1和第二基板SUBS2的接触液晶的内表面上。柱状间隔物(未示出)可形成在第一基板SUBS1与第二基板SUBS2之间，以维持液晶单元的单元间隙。
背光单元(未示出)布置在TFT阵列TFTA下方。背光单元包括将光均匀地照射到TFT阵列TFTA和滤色器阵列CFA上的多个光源。背光单元可实现为边缘型背光单元和直下型背光单元中的一种。背光单元的光源可包括热阴极荧光灯(HCFL)、冷阴极荧光灯(CCFL)、外部电极荧光灯(EEFL)、发光二级管(LED)中的一种或多种。
在一些实现中，第一公共电极COM1和第二公共电极COM2可形成在第二基板SUBS2上，以例如根据扭曲向列(TN)模式和/或垂直取向(VA)模式驱动垂直电场。在其他实现中，第一公共电极COM1和第二公共电极COM2可与像素电极P一起形成在第一基板SUBS1上，以例如根据平面转换(IPS)模式和/或边缘场转换(FFS)模式驱动水平电场。在图1和2中，第一公共电极COM1和第二公共电极COM2利用像素电极P驱动水平电场。
图3是例示图2所示的薄膜晶体管阵列的一个像素区域的截面图。图3示出包括R子像素区域、G子像素区域、B子像素区域的一个像素区域中的第一公共电极COM1和第二公共电极COM2、子像素电极PX11、PX12、PX13、触摸驱动电极TX11和触摸感测电极RX1之间的关系。
参照图1和3，根据本发明一个实施方式的第一公共电极COM1与R子像素电极PX11、G子像素电极PX12相对或对应，二者之间具有第二钝化层PAS2。第二公共电极COM2与B子像素电极PX13相对或对应，二者之间具有第二钝化层PAS2。第一公共电极COM1形成在R、G子像素区域中的第二钝化层PAS2的上表面上。第二公共电极COM2形成在B子像素区域中的第二钝化层PAS2的下表面上。
在图1和3的示例中，第一公共电极COM1用作(例如，至少部分操作为)触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23，第二公共电极COM2用作(例如，至少部分操作为)触摸感测电极RX1、RX2、RX3。另选地，第一公共电极COM1可操作为触摸感测电极RX1、RX2、RX3，第二公共电极COM2可操作为触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23。
将参照图1-3详细描述根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备。触摸传感器集成式显示设备包括在第一基板SUBS1上彼此交叉的选通线G1、G2和数据线D1-D9。多个TFT分别布置在选通线G1、G2和数据线D1-D9的交叉点处，多个子像素电极PX11、PX12、PX13、…PX19、PX21、PX22、PX23、…PX29布置在由选通线G1、G2和数据线D1-D9的交叉点限定的区域中。第一公共电极COM1和第二公共电极COM2定位为与与多个像素电极PX11、PX12、PX13、…PX19、PX21、PX22、PX23、…PX29相对。在以下示例性描述中，第一公共电极COM1用作触摸驱动电极，第二公共电极COM2用作触摸感测电极。相应地，第一公共电极COM1也可称为触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23，第二公共电极COM2也可称为触摸感测电极RX1、RX2、RX3。
在以下描述中，触摸驱动电极可特定地称为TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23，以指定特定位置或特定触摸驱动电极，但是也称为TX以概括地指示触摸驱动电极。类似地，触摸感测电极可特定地称为RX1、RX2、RX3，以指定特定位置或特定触摸驱动电极，但是也称为RX以概括地指示触摸感测电极。
薄膜晶体管TFT可包括从选通线G1延伸的栅极G、形成在覆盖选通线G1和栅极G的栅绝缘层GI上以与栅极G的一部分交叠的有源层A、从形成在覆盖有源层A的第一钝化层PAS1上的数据线D1延伸的源极S、与源极S相对的漏极。
形成在第一钝化层PAS1上的子像素电极和公共电极的位置可根据R、G、B子像素区域而不同。参照图3，R子像素电极PX11形成在R子像素区域内的第一钝化层PAS1上，G子像素电极PX12形成在G子像素区域内的第一钝化层PAS1上。然而，第二公共电极COM2形成在B子像素区域内的第一钝化层PAS1上。第二公共电极COM2用作触摸感测电极RX1。
第一公共电极COM1形成在R子像素区域内的第二钝化层PAS2上并与R子像素电极PX11交叠(例如，在其之上或相对)。第一公共电极COM1也形成在G子像素区域内的第二钝化层PAS2上并与G子像素电极PX12交叠或相对。第二公共电极COM2形成在B子像素区域内的第一钝化层PAS1上并与B子像素电极PX13交叠(例如，在其之下或相对)。B子像素电极PX13形成在第二钝化层PAS2上。第一公共电极COM1用作触摸驱动电极TX11，第二公共电极用作触摸感测电极RX1，第二钝化层PAS2覆盖R子像素电极PX11、G子像素电极PX12和第二公共电极COM2。
在R子像素区域中，R子像素电极PX11经由穿过第一钝化层PAS1的第一接触孔CH1与薄膜晶体管TFT的漏极D连接。在G子像素区域中，G子像素电极PX12经由穿过第一钝化层PAS1的第二接触孔CH2与薄膜晶体管TFT的漏极D连接。在B子像素区域中，B子像素电极PX13经由穿过第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2的第三接触孔CH3与薄膜晶体管TFT的漏极D连接。
形成在第一钝化层PAS1上的R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、第二电极COM2可不具有狭缝，例如如图5所示，电极不具有狭缝或开口。即，R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、第二电极COM2可在不具有任何开口的情况下形成。形成在第二钝化层PAS2上的第一公共电极COM1和B子像素电极PX13可具有多个狭缝，例如如图6所示，电极具有狭缝。然而，本发明不限于此。例如，在一些实现中，当R子像素电极PX11或G子像素电极PX12(与第一公共电极COM1相对)具有狭缝时，第一公共电极COM1可不具有狭缝，反之亦然。类似地，当B子像素电极PX13(与公共电极COM2相对)不具有狭缝时，第二公共电极COM2可具有狭缝，反之亦然。
如图3所示，第一公共电极COM1和第二公共电极COM2形成在不同层上。类似地，R子像素电极PX11、G子像素电极PX12也形成在与形成有B子像素电极PX13的层不同的层上。
将参照图4-6详细描述根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的触摸驱动电极与触摸感测电极之间的关系。
图4是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的触摸驱动电极TX和触摸感测电极RX的关系的俯视图。在图4中，省略子像素电极以避免图的复杂性。图5是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的由形成在第一钝化层上的第一透明电极制成的R、G子像素电极和触摸感测电极(第二公共电极)的俯视图。而且，图6是例示根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的由形成在第二钝化层上的第二透明电极制成的B子像素电极和触摸感测电极(第一公共电极)的俯视图。
在以下关于图4和5的描述中，省略连接到R、G、B子像素电极的电线，以避免图的复杂性。尽管图4和5中没有例示连接到R、G子像素电极的电线，但是应该理解，R子像素电极PX11和PX21、PX14和PX24、PX17和PX27分别经由薄膜晶体管TFT的漏极D连接到数据线D1、D4、D7，G子像素电极PX12和PX22、PX15和PX25、PX18和PX28分别经由薄膜晶体管TFT的漏极D连接到数据线D2、D5、D8，B子像素电极PX13和PX23、PX16和PX26、PX19和PX29分别经由薄膜晶体管TFT的漏极D连接到数据线D3、D6、D9，如从图1和3所知的。相应地，数据电压可经由数据线D1-D9施加于R、G、B子像素电极。
参照图4，触摸驱动电极TX11和TX21、TX12和TX22、TX13和TX23、触摸感测电极RX1、RX2、RX3以交替方式沿第一方向(例如，沿x轴或在水平方向上)平行设置。
第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13通过连接部分沿第一方向串行连接。第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23类似地通过连接部分沿第一方向串行连接。第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13可与第二行驱动电极TX21、TX22、TX23分离，使得第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13不与第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23接触(例如，电接触)。在触摸驱动操作中，通过电源单元15向第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13和第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23提供触摸驱动电压Vtsp。在显示驱动操作中，通过电源单元15向第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13和第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23提供公共电压Vcom。相应地，第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13和第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23在被提供或施加触摸驱动电压Vtsp时用作触摸驱动电极，在被提供或施加公共电压Vcom时用作公共电极。电源单元15或显示设备的任何其他逻辑、部分或电路因此可根据公共电极COM1作为触摸驱动电极操作还是作为公共电极操作而提供Vtsp或Vcom。
第一列触摸感测电极RX1、第二列触摸感测电极RX2、第三列触摸感测电极RX3沿第二方向(例如，沿y轴或在垂直方向上)平行设置。第一列触摸感测电极RX1、第二列触摸感测电极RX2、第三列触摸感测电极RX3与连接第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13或第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23的连接部分交叠，但是可不与触摸驱动电极TX11、TX12、TX13或TX21、TX22、TX23交叠。
第一列触摸感测电极RX1、第二列触摸感测电极RX2、第三列触摸感测电极RX3连接到触摸识别处理器17，通过测量在第一、第二行触摸驱动电极和第一、第二、第三列触摸感测电极之间生成的互电容在触摸活动前后的变化来检测触摸位置。
在触摸传感器集成式显示设备中，第一行触摸驱动电极TX11、TX12、TX13构成或形成第一触摸驱动电极线，第二行触摸驱动电极TX21、TX22、TX23构成或形成第二触摸驱动电极线。第一列触摸感测电极RX1、第二列触摸感测电极RX2、第三列触摸感测电极RX3均构成或形成触摸感测电极线。在一个实施方式中，每个触摸驱动电极与两种类型的子像素电极(例如，R、G)相对，每个触摸感测电极与一种类型的子像素电极(例如，B)相对。相应地，能够利用包括三个子像素电极的一个像素电极获得触摸单元像素(例如，能够识别触摸活动的基本单位)。
参照图5，G子像素电极PX12、PX22和R子像素电极PX14、PX24分别设置在第一触摸感测电极列RX1的一侧。G子像素电极PX12、PX22与R子像素电极PX11、PX22相邻设置。G子像素电极PX15、PX25和R子像素电极PX17、PX27分别设置在第二触摸感测电极列RX2的一侧，G子像素电极PX18、PX28设置在第三触摸感测电极列RX3的一侧。
参照图6，B子像素电极PX13布置在第一行触摸驱动电极的触摸驱动电极TX11与TX12之间，B子像素电极PX16布置在触摸驱动电极TX12与TX13之间，B子像素电极PX19布置在第一行的触摸驱动电极TX13的一侧。参照第二行触摸驱动电极，B子像素电极PX23布置在触摸驱动电极TX21与TX22之间，B子像素电极PX26布置在触摸驱动电极TX22与TX23之间，B子像素电极PX29布置在触摸驱动电极TX23的一侧。
再次参照图1，当处于显示模式时，选通驱动器13在时序控制器11的控制下顺序输出选通脉冲(或扫描脉冲)。选通驱动器13将选通脉冲的摆动电压移位为选通高电压VGH和选通低电压VGL。从选通驱动器13输出的选通脉冲与从数据驱动器12输出的数据电压同步，并且顺序提供到选通线G1、G2。选通高电压VGH等于或大于TFT的阈值电压，选通低电压VGL小于TFT的阈值电压。选通驱动器13的多个选通驱动集成电路(IC)例如可通过卷带自动结合(TAB)工艺连接到形成在TFT阵列TFTA的第一基板SUBS1上的选通线G1、G2。另选地，选通驱动器13的选通驱动IC可通过板内选通(GIP)工艺与像素一起直接形成在TFT阵列TFTA的第一基板SUBS1上。
数据驱动器12在时序控制器11的控制下对数字视频数据RGB进行采样和锁存。数据驱动器12将数字视频数据RGB转换为正负伽马补偿电压GMA1-GMAn，并且可使数据电压的极性反转。从数据驱动器12输出的正负数据电压与从选通驱动器13输出的选通脉冲同步。数据驱动器12的多个源驱动IC可通过玻璃上芯片(COG)工艺或TAB工艺连接到形成在TFT阵列TFTA的第一基板SUBS1上的数据线D1-Dn。源驱动IC可集成在时序控制器11内部，因此可与时序控制器11一起实现为单个芯片IC。
时序控制器11使用从外部主机控制器10接收并且用于驱动触摸传感器集成式液晶显示器的时序信号Vsync、Hsync、DE、MCLK生成用于控制选通驱动器13和数据驱动器12的操作时序的时序控制信号。时序控制信号包括用于控制选通驱动器13的操作时序的选通时序控制信号，用于控制数据驱动器12的操作时序和数据电压的极性的数据时序控制信号。
选通时序控制信号包括选通起始脉冲GSP、选通移位时钟GSC、选通输出使能GOE等。选通起始脉冲GSP在每个帧时段施加到选通驱动器13的第一选通驱动IC以输出第一选通脉冲，并且控制第一选通驱动IC的移位起始时序。选通移位时钟GSC共同地输入到选通驱动器13的选通驱动IC，还使选通起始脉冲GSP移位。选通输出使能GOE控制选通驱动器13的选通驱动IC的输出时序。
数据时序控制信号包括源起始脉冲SSP、源采样时钟SSC、极性控制信号POL、源输出使能SOE等。源起始脉冲SSP施加到数据驱动器12的第一源驱动IC以首先对数据进行采样，并控制数据采样起始时序。源采样时钟SSC基于其上升或下降沿控制源驱动IC内部的数据的采样时序。极性控制信号POL控制从源驱动IC输出的数据电压的极性。源输出使能SOE控制源驱动IC的输出时序。如果数字视频数据RGB通过迷你低电压差分信令(LVDS)接口输入到数据驱动器102，可省略源起始脉冲SSP和源采样时钟SSC。
电源单元15可实现为包括脉冲宽度调制(PWM)电路、升压斩波电路、调节器、电荷泵、分压器、运算放大器等的DC-DC转换器。电源单元15调节来自主机控制器10的电压输入，并且生成驱动液晶显示面板LCP、数据驱动器12、选通驱动器13、时序控制器11、背光单元(未示出)的电压。
电源单元15生成的电压包括高电势电源电压VDD、选通高电压VGH、选通低电压VGL、公共电压Vcom、正负伽马基准电压GMA1-GMAn、触摸驱动电压Vtsp等。在显示驱动操作期间，电源单元15(或显示设备的其他逻辑、电路或部分)在主机控制器10的控制下向第一公共电极COM1和第二公共电极COM2提供公共电压Vcom。另选地，在显示驱动操作期间，电源单元15(或显示设备的其他逻辑、电路或部分)在时序控制器11的控制下向第一公共电极COM1和第二公共电极COM2提供公共电压Vcom。在触摸驱动操作期间，电源单元15(或显示设备的其他逻辑、电路或部分)在主机控制器10的控制下向触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23提供触摸驱动电压Vtsp。另选地，在触摸驱动操作期间，电源单元15(或显示设备的其他逻辑、电路或部分)可在时序控制器11的控制下向触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23提供触摸驱动电压Vtsp。
在图1所示的实施方式中，触摸驱动电压Vtsp通过电源单元15提供到触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23，但是本发明不限于此。例如，触摸识别处理器17可例如在主机控制器10或时序控制器11的控制下向触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23提供触摸驱动电压Vtsp。
主机控制器10通过诸如LVDS接口和转换最小差分信号(TMDS)接口的接口向时序控制器11传送输入图像的数字视频数据RGB和驱动触摸传感器集成式液晶显示器所需的时序信号Vsync、Hsync、DE、MCLK。当驱动触摸传感器集成式液晶显示器在其屏幕上显示图像时(例如，在显示模式下操作)，主机控制器100提供用于控制电源单元15的控制信号Vin，使得能向第一公共电极COM1和第二公共电极COM2提供公共电压Vcom。当驱动触摸传感器集成式液晶显示器用于触摸识别时(例如，在触摸识别模式下操作)，主机控制器10提供用于控制电源单元15的控制信号Vin，使得能向触摸驱动电极TX11、TX12、TX13、TX21、TX22、TX23提供触摸驱动电压Vtsp。
触摸识别处理器17差分放大触摸活动之前通过触摸感测电极RX1、RX2、RX3中的每个测量的初始电容的电压与触摸活动之后通过触摸感测电极RX1、RX2、RX3中的每个测量的触摸电容的电压之间的差电压。然后触摸识别处理器17将差分放大结果转换为数字数据。触摸识别处理器17可使用触摸识别算法基于初始电容与触摸电容之差确定触摸位置，并且可向主机控制器10输出指示触摸位置的触摸坐标数据。
如上所述，根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备具有如下结构：诸如TX11、TX12、TX13以及TX21、TX22、TX23的触摸驱动电极行与诸如RX1、RX2、RX3的触摸感测电极列交叉。即，触摸驱动电极在第一方向(例如，x轴方向)上彼此连接，以形成触摸驱动电极线(例如，行)，触摸感测电极在第二方向(例如，y轴方向)上设置，以形成触摸感测电极线(例如，列)。相应地，如果在触摸传感器集成式显示设备上执行触摸，则能够通过检测在触摸驱动电极线与触摸感测电极线之间生成的互电容的差检测执行触摸的位置。
因此，这里描述的显示设备可通过包括三种类型的子像素电极(例如，R、G、B子像素电极)的一个像素电极实现触摸单元像素(例如，能够识别触摸活动的基本单位)。在上述实施方式中，每个触摸驱动电极对应于两种不同类型的子像素电极(例如，R、G子像素电极)，每个触摸感测电极对应于一种类型的子像素电极(例如，B子像素电极)。相应地，随着显示设备中的触摸驱动电极和触摸感测电极的数量增加，能够增加触摸驱动电极与触摸感测电极之间的互电容，从而提高触摸传感器集成式显示设备的触摸灵敏度。
在下文，将参照图7A-13B描述制造根据本发明的示例性实施方式的触摸传感器集成式显示设备的方法。以下描述参照包括触摸驱动电极TX11和R子像素电极PX11或G子像素电极PX12的第一子像素区域(TX11-PX11区域或TX11-PX12区域)，还参照包括触摸感测电极RX1和B子像素电极PX13的第二子像素区域(RX1-PX13区域)。在图7A-13B中，上图例示第一子像素区域(TX11-PX11区域或TX11-PX12区域)，下图例示第二子像素区域(RX1-PX13区域)。而且，尽管通过彼此相邻的一对选通线和彼此相邻的一对数据线限定一个子像素区域，但为了方便，图中示出仅一条选通线和一条数据线(而不是各对)。
图7A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第一掩模工艺的俯视图，图7B是沿图7A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图7A和7B，栅金属层通过诸如溅射工艺的沉积工艺沉积在第一基板SUB1上作为第一导电层。然后，选通线GL和从选通线GL延伸的栅极G使用第一掩模工艺形成在基板SUB1上。
更具体地，栅金属层可通过诸如溅射工艺的沉积工艺形成在基板SUB1的表面上作为第一导电层。例如，在向上面沉积有第一导电层的基板SUB1完全施加光致抗蚀剂之后，使用第一掩模通过光刻工艺形成露出第一导电层的一部分的第一光致抗蚀剂图案(未示出)。通过湿蚀刻去除经由第一光致抗蚀剂图案露出的第一导电层。然后通过灰化工艺去除第一光致抗蚀剂图案，从而在基板SUB1上形成选通线GL和栅极G。第一导电层可选自诸如Al、AlNd、Mo、MoTi、Cu、Cr的金属材料。
图8A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第二掩模工艺的俯视图，图8B是沿图8A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图8A和8B，栅绝缘层GI形成在基板SUB1的上面形成有选通线GL和栅极G的表面上。然后，在栅绝缘层GI上形成半导体层。在半导体层上形成光致抗蚀剂，使用第二掩模通过光刻工艺形成露出半导体层的不包括沟道区域的区域的第二光致抗蚀剂图案(未示出)。通过蚀刻工艺去除经由第二光致抗蚀剂图案露出的半导体层。然后通过灰化工艺去除第二光致抗蚀剂图案，从而形成半导体图案A作为有源层。
图9A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第三掩模工艺的俯视图，图9B是沿图9A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图9A和9B，数据金属层形成在上面形成有半导体图案A的栅绝缘层GI上作为第二导电层。然后，使用第三掩模工艺在栅绝缘层GI上形成包括数据线DL、源极S、漏极D的第一导电图案组。
更具体地，数据金属层形成在上面形成有半导体图案A的栅绝缘层GI上作为第二导电层，光致抗蚀剂沉积在第二导电层上，第三光致抗蚀剂图案(未示出)使用第三掩模通过光刻工艺形成。第三光致抗蚀剂图案露出第二导电层的不包括上面要形成数据线、源极和漏极的区域的区域。通过蚀刻经由第三光致抗蚀剂图案露出的第二导电层并去除余留在第二导电层上的第三光致抗蚀剂图案形成数据线DL、源极S、漏极D。数据线DL与选通线GL交叉，栅绝缘层GI位于二者之间。源极S从数据线120延伸，漏极D与源极S相对。
图10A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第四掩模工艺的俯视图，图10B是沿图10A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图10A和10B，第一钝化层PAS1形成在上面形成有数据线DL、源极S、漏极D的栅绝缘层GI上。然后，在R、G、B子像素区域中，第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3形成在第一钝化层PAS1中，以露出漏极的一部分。可使用第四掩模工艺通过蚀刻第一钝化层PAS1形成接触孔CH1、CH2、CH3。
更具体地，第一钝化层PAS1形成在上面形成有数据线DL、源极S、漏极D的栅绝缘层GI上。在第一钝化层PAS1上形成光致抗蚀剂，使用第四掩模通过光刻工艺形成露出R子像素区域、G子像素区域、B子像素区域中每个漏极D的一部分的第四光致抗蚀剂图案(未示出)。然后通过蚀刻经由第四光致抗蚀剂图案露出的第一钝化层PAS1并且去除第四光致抗蚀剂图案形成分别露出R、G、B子像素区域中的漏极D的部分的第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3。第一钝化层PAS1可由诸如聚阴离子纤维素(PAC)的低介电有机材料制成。
图11A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第五掩模工艺的俯视图，图11B是沿图11A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图11A和11B，通过沉积工艺在形成有第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3的第一钝化层PAS1上形成第一透明导电层作为第三导电层。然后，使用第五掩模工艺通过蚀刻第一透明导电层形成R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、第二公共电极COM2。如上所述，第二公共电极COM2也可用作触摸感测电极RX1。
更具体地，通过沉积工艺，例如通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)在形成有第一接触孔CH1、第二接触孔CH2的第一钝化层125上形成第一透明导电层作为第三导电层。在第一透明导电层上形成光致抗蚀剂，使用第五掩模通过光刻工艺形成第五光致抗蚀剂图案(未示出)。第五光致抗蚀剂图案露出第一透明导电层的不包括(例如，除去)要形成R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、触摸感测电极RX1的区域的区域。通过蚀刻经由第五光致抗蚀剂图案露出的第一透明导电层并且去除余留在第一透明导电层上的第五光致抗蚀剂图案形成R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、触摸感测电极RX1(第二公共电极COM2)。R子像素电极PX11与通过形成在第一钝化层PAS1中的第一接触孔CH1露出的漏极D连接，G子像素电极PX12与通过形成在第一钝化层PAS1中的第二接触孔CH2露出的漏极D连接。然而，触摸感测电极RX1(第二公共电极COM2)不与通过形成在第一钝化层PAS1中的第三接触孔CH3露出的漏极D连接。第一透明导电层可选自诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)的透明导电材料。
图12A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第六掩模工艺的俯视图，图12B是沿图12A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图12A和12B，第二钝化层PAS2形成在上面形成有R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、触摸感测电极RX1(第二公共电极COM2)的第一钝化层PAS1上。然后使用第六掩模工艺通过蚀刻第二钝化层PAS2在第二钝化层PAS2中形成露出B子像素区域中的漏极的一部分的第四接触孔CH4。
更具体地，第二钝化层PAS2形成在上面形成有R子像素电极PX11、G子像素电极PX12、触摸感测电极RX1(第二公共电极COM2)的第一钝化层PAS1上。在第一钝化层PAS2上完全形成光致抗蚀剂，使用第六掩模通过光刻工艺形成露出B子像素区域中的漏极D的一部分的第六光致抗蚀剂图案(未示出)。然后通过蚀刻经由第六光致抗蚀剂图案露出的第二钝化层PAS2并且去除第六光致抗蚀剂图案在第二钝化层PAS2中形成露出B子像素区域中的漏极D的一部分的第四接触孔CH4。第二钝化层PAS2可由诸如聚阴离子纤维素(PAC)的低介电有机材料制成。
第四接触孔CH4形成为与在第四掩模工艺期间形成的第三接触孔CH3交叠。然而，第三接触孔CH3和第四接触孔CH4可通过利用第六掩模工艺去除第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2的部分(例如在第四掩模工艺期间不形成第三接触孔CH3的情况下)交替地一次形成。
图13A是例示制造根据本发明一个实施方式的触摸传感器集成式显示设备的第七掩模工艺的俯视图，图13B是沿图13A所示的线I-I’和II-II’截取的截面图。
参照图13A和13B，第二透明导电层形成在形成有第四接触孔CH4的第二钝化层PAS2上作为第四导电层。然后，使用第七掩模工艺通过蚀刻第二透明导电层形成触摸驱动电极TX11和B子像素电极PX13。触摸驱动电极TX11用作第一公共电极COM1。
更具体地，通过沉积工艺，例如等离子增强化学气相沉积(PECVD)，在形成有第四接触孔CH4的第二钝化层PAS2上形成第二透明导电层作为第四导电层。在第二透明导电层上形成光致抗蚀剂，使用第七掩模通过光刻工艺形成第七光致抗蚀剂图案(未示出)。第七光致抗蚀剂图案露出第二透明导电层的不包括要形成R、G子像素区域中的触摸驱动电极TX11(第一公共电极COM1)和B子像素区域中的子像素电极PX13的区域的区域。通过蚀刻经由第七光致抗蚀剂图案露出的第二透明导电层并且去除余留在第二透明导电层上的第七光致抗蚀剂图案形成触摸驱动电极TX11(第一公共电极COM1)和子像素电极PX13。B子像素电极PX13与通过形成在第一钝化层PAS1、第二钝化层PAS2的第三接触孔CH3、第四接触孔CH4露出的漏极D连接。第二透明导电层可选自诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)的透明导电材料。
根据触摸传感器集成式显示设备及其制造方法，可以不必要独立地形成用于触摸驱动操作的触摸感测电极，因为用于驱动显示设备的公共电极能用作触摸感测电极。换句话说，显示设备中的公共电极可作为、操作为和/或用作公共电极和触摸电极(例如，触摸驱动电极或触摸感测电极)。公共电极被提供Vcom时可作为公共电极操作，被提供Vtsp时可作为触摸驱动电极操作。在触摸操作期间，公共电极可作为触摸感测电极操作。相应地，能够去除形成独立触摸感测电极的工艺，从而将显示设备的厚度减少了触摸感测电极的厚度。
因此，在根据本发明的一个或多个实施方式的触摸传感器集成式显示设备中，每个触摸驱动电极形成为对应于两种类型的子像素电极(例如，R、G子像素电极)，每个触摸感测电极形成为对应于一种类型的子像素电极(例如，B子像素电极)。然而，本发明不限于此，设想了另选变型。
例如，在一些实现中，能形成触摸驱动电极和触摸感测电极以对应于多个、若干或少量子像素电极。结果，触摸驱动电极和触摸感测电极形成为对应于合适数量的子像素电极。而且，能通过增加触摸驱动电极和触摸感测电极的数量而增加触摸驱动电极与触摸感测电极之间的互电容，增强触摸灵敏度。
此外，在根据本发明的一个或多个实施方式的触摸传感器集成式显示设备中，可使用将触摸驱动电极和触摸感测电极连接到触摸识别处理器17的布线对触摸驱动电极和触摸感测电极分组。即，可简化对触摸驱动电极和触摸感测电极分组，因为一条布线能将几百条触摸驱动电极或触摸感测电极彼此连接。相应地，调整触摸单元像素的大小是可能的。
尽管已参照有限数量的实施方式描述了本发明，但是受益于以上描述的本领域技术人员将理解，可以设计不脱离这里公开的本发明的范围的其他实施方式。在根据本发明实施方式的触摸传感器集成式显示设备的描述中，尽管描述了触摸单元像素由R、G、B型子像素电极组成，第一公共电极COM1与R、G子像素电极相对并且用作触摸驱动电极，第二公共电极COM2与B子像素电极相对并且用作触摸感测电极，但本发明不限于此
例如，第一公共电极COM1可与R子像素电极相对，第二公共电极COM2可与G、B子像素电极相对。或者另外地，第一公共电极COM1可与G、B子像素电极相对，第二公共电极COM2可与R子像素电极相对。另选地，第一公共电极COM1可与第一R、G、B子像素电极相对，第二公共电极COM2可与邻近第一R、G、B子像素电极的下一R、G、B子像素电极相对。
而且，触摸单元像素可由R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)、W(白色)子像素电极组成。第一公共电极COM1和第二公共电极COM2可布置为以各种方式对应于R、G、B、W子像素电极。相应地，本发明的范围应该仅由所附权利要求限制。
要求优先权
本申请要求2012年6月11日提交的韩国专利申请No.10-2012-0062091和2012年12月7日提交的韩国专利申请No.10-2012-0141748的优先权，其内容在此通过引用整体并入。

Claims (20)

1.一种显示设备，该显示设备包括：
平行地设置在第一层上的多个第一电极，其中所述多个第一电极根据施加到所述多个第一电极的电压作为公共电极或第一触摸电极操作；
布置在所述第一层上的第一电极的至少一侧并且与第一电极隔开的多个第一子像素电极；
平行地设置在第二层上的多个第二电极，其中所述多个第二电极根据施加到所述多个第二电极的电压作为公共电极或第二触摸电极操作；
布置在所述第二层上的第二电极的至少一侧并且与第二电极隔开的多个第二子像素电极；
其中所述多个第一电极形成设置在第一方向上的多条电极线，所述多个第一电极中的每个与所述多个第二子像素电极中的至少一个交叠；
其中所述多个第二电极形成设置在与所述第一方向交叉的第二方向上的多条电极线，所述多个第二电极中的每个与所述多个第一子像素电极中的至少一个交叠。
2.根据权利要求1的显示设备，该显示设备还包括：
电源单元，所述电源单元配置为：
在显示操作期间，向所述多个第一电极和所述多个第二电极提供公共电压；
在触摸操作期间，向所述多个第二电极提供触摸驱动电压。
3.根据权利要求1的显示设备，该显示设备还包括：
电源单元，所述电源单元配置为：
在显示操作期间，向所述多个第一电极和所述多个第二电极提供公共电压；
在触摸操作期间，向所述多个第一电极提供触摸驱动电压。
4.根据权利要求1的显示设备，其中彼此相对的第一电极和第二子像素电极中的一个具有多个狭缝，彼此相对的第二电极和第一子像素电极中的一个具有多个狭缝。
5.根据权利要求1的显示设备，其中所述多个第一子像素电极包括红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极，所述多个第二子像素电极包括蓝色(B)子像素电极，
其中所述多个第一电极中的至少一个布置为与红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极相对，所述多个第二电极中的至少一个布置为与蓝色(B)子像素电极相对。
6.根据权利要求1的显示设备，其中所述多个第一子像素电极包括红色(R)子像素电极，所述多个第二子像素电极包括绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极，
其中所述多个第一电极中的至少一个布置为与红色(R)子像素电极相对，所述多个第二电极中的至少一个布置为与绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极。
7.根据权利要求1的显示设备，其中所述多个第一子像素电极包括蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极，所述多个第二子像素电极包括绿色(G)子像素电极，
其中所述多个第一电极中的至少一个布置为与蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极相对，所述多个第二电极中的至少一个布置为与绿色(G)子像素电极相对。
8.根据权利要求1的显示设备，其中所述多个第一子像素电极包括绿色(G)子像素电极，所述多个第二子像素电极包括蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极，
其中所述多个第一电极中的至少一个布置为与绿色(G)子像素电极相对，所述多个第二电极中的至少一个布置为与蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极相对。
9.根据权利要求1的显示设备，其中所述多个第一子像素电极包括绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极，所述多个第二子像素电极包括红色(R)子像素电极，
其中所述多个第一电极中的至少一个布置为与绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极相对，所述多个第二电极中的至少一个布置为与红色(R)子像素电极相对。
10.一种显示设备，该显示设备包括：
彼此平行地布置在基板上的多条选通线；
覆盖所述多条选通线的栅绝缘层；
与所述选通线交叉地布置在所述栅绝缘层上的多条数据线；
布置在通过所述选通线和所述数据线的交叉点限定的多个像素区域中的每个中的晶体管；
覆盖上面形成有晶体管的所述栅绝缘层的第一钝化层；
布置在所述多个像素区域的第一像素区域中的第一钝化层上的第一子像素电极；
布置在所述多个像素区域的第二像素区域中的第一钝化层上的第一电极，其中所述第一电极作为公共电极或第一触摸电极操作；
覆盖上面形成有第一子像素电极和第一电极的第一钝化层的第二钝化层；
布置在所述第一像素区域中的第二钝化层上的第二电极，其中所述第二电极作为公共电极或第二触摸电极操作；
布置在所述第二像素区域中的第二钝化层上的第二子像素电极；
其中所述第一子像素电极经由穿过所述第一钝化层的第一接触孔与所述第一子像素区域中的晶体管连接；
所述第二子像素电极经由穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层的第二接触孔与所述第二子像素区域中的晶体管连接；
所述第一电极布置为与所述第二子像素电极相对，所述第二电极布置为与所述第一子像素电极相对。
11.根据权利要求10的显示设备，其中在显示操作期间向所述第一电极和所述第二电极提供公共电压，在触摸操作期间向所述第一电极和所述第二电极中的一个提供触摸驱动电压。
12.根据权利要求11的显示设备，其中当在触摸操作期间向所述第一电极和所述第二电极中的一个提供触摸驱动电压时，所述第一电极和所述第二电极是能够识别所述显示设备的触摸的触摸单元像素的一部分。
13.根据权利要求10的显示设备，其中所述第一电极和所述第二子像素电极中的一个具有多个狭缝，所述第二电极和所述第一子像素电极中的一个具有多个狭缝。
14.根据权利要求10的显示设备，其中所述第一子像素电极包括红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极，所述第二子像素电极包括蓝色(B)子像素电极，
其中所述第一电极布置为与红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极相对，所述第二电极布置为与蓝色(B)子像素电极相对。
15.根据权利要求10的显示设备，其中所述第一子像素电极包括红色(R)子像素电极，所述第二子像素电极包括绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极，
其中所述第一电极布置为与红色(R)子像素电极相对，所述第二电极布置为与绿色(G)子像素电极和蓝色(B)子像素电极相对。
16.根据权利要求10的显示设备，其中所述第一子像素电极包括蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极，所述第二子像素电极包括绿色(G)子像素电极，
其中所述第一电极布置为与蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极相对，所述第二电极布置为与绿色(G)子像素电极相对。
17.根据权利要求10的显示设备，其中所述第一子像素电极包括绿色(G)子像素电极，所述第二子像素电极包括蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极，
其中所述第一电极布置为与绿色(G)子像素电极相对，所述第二电极布置为与蓝色(B)子像素电极和红色(R)子像素电极相对。
18.一种制造显示设备的方法，该方法包括：
在基板上形成第一导电层，并且使用第一掩模工艺形成选通线和栅极；
在上面形成有选通线和栅极的基板上形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成半导体层，并且通过使用第二掩模工艺图案化所述半导体层在所述栅绝缘层的对应于栅极的区域上形成半导体图案；
在栅绝缘层上形成数据金属层作为第二导电层，并且通过使用第三掩模工艺图案化所述数据金属层形成包括数据线、从数据线延伸的源极和与源极相对的漏极的第一导电图案组；
在栅绝缘层的上面形成有所述第一导电图案组的表面上形成第一钝化层，并且通过使用第四掩模工艺蚀刻所述第一钝化层形成露出第一子像素区域和第二子像素区域中的每个漏极的一部分的第一接触孔；
在其中形成有第一接触孔和第二接触孔的第一钝化层上形成第一透明导电层作为第三导电层，并且通过使用第五掩模工艺图案化所述第一透明导电层在所述第一子像素区域中形成第一子像素电极，在所述第二子像素区域中形成第一电极；
在上面形成有所述第一子像素电极和所述第一电极的第一钝化层上形成第二钝化层，并且通过使用第六掩模工艺蚀刻所述第二钝化层在第二钝化中形成露出所述第二子像素区域中的漏极的一部分的第三接触孔；
在其中形成有所述第三接触孔的第二钝化层上形成第二透明导电层作为第四导电层，并且通过使用第七掩模工艺蚀刻所述第二透明导电层在所述第一子像素区域中形成第二电极，在所述第二子像素区域中形成第二子像素电极，
其中所述第一电极形成为与所述第二子像素电极相对，所述第二电极形成为与所述第一子像素电极相对。
19.根据权利要求18的方法，其中所述第一子像素电极包括红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极，所述第二子像素电极包括蓝色(B)子像素电极，
其中所述第一电极形成为与红色(R)子像素电极和绿色(G)子像素电极相对，所述第二电极形成为与蓝色(B)子像素电极相对。
20.根据权利要求18的方法，其中所述第一导电层和所述第二导电层选自Cu、CuOx、Al、AlNd、Mo、MoTi、Cr，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)。
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