CN102978621A - 一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法 - Google Patents
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Abstract
一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，属于声表面波器件的光刻技术。本发明当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。增加烘烤工序可以使得在湿法刻蚀的溶液温度较高时光刻胶不易熔化，使其既满足了铝膜厚且占空比大的设计要求，又增强了光刻胶的性能，从而保证了铝膜的线条宽度。
Description
技术领域
本发明涉及一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，属于声表面波器件的光刻技术。
背景技术
湿法腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法，其是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步腐蚀溶掉。现有声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法如图1所示，依次进行涂光刻胶、曝光、显影、湿法刻蚀以及去胶的操作。目前对于铝膜厚且占空比大的设计要求来看，由于铝膜的湿法腐蚀存在测向腐蚀问题，故当铝膜湿法腐蚀过程中湿法刻蚀的溶液温度较高时，所涂的光刻胶就容易熔化，会出现过腐蚀现象而损坏光刻胶下面的其他材料。
发明内容
本发明提供了一种湿法腐蚀的方法，以解决当铝膜湿法腐蚀过程中湿法刻蚀的溶液温度较高时，所涂的光刻胶就容易熔化，会出现过腐蚀现象而损坏光刻胶下面的其他材料的问题，为此本发明采用如下的技术方案：
一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。
本发明实施方式提供的技术方案中增加烘烤工序可以使得在湿法刻蚀的溶液温度较高时光刻胶不易熔化，使其既满足了铝膜厚且占空比大的设计要求，又增强了光刻胶的性能，从而保证了铝膜的线条宽度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明所述的现有声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法流程中晶片的效果示意图；
图2是本发明所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法流程中晶片的效果示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施方式提供的一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法中，当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。
其中，预烘烤的温度可以在100摄氏度至130摄氏度之间，烘焙时间在25分钟到35分钟之间。预烘焙的温度选择在120摄氏度，烘焙时间选择在30分钟时，效果最佳。
其中，提高温度的第二次烘烤的温度在150摄氏度至170摄氏度之间，烘焙时间在25分钟到35分钟之间。第二次烘烤的温度选择在160摄氏度，烘焙时间选择在30分钟时，效果最佳。
具体地，在预烘烤后要立即进行提高温度的第二次烘烤。通过这样的预烘烤和二次烘烤改变了光刻胶的性能，使其在湿法刻蚀的溶液温度较高时也不易熔化。
本发明实施方式提供的技术方案解决了当铝膜湿法腐蚀过程中湿法刻蚀的溶液温度较高时，所涂的光刻胶就容易熔化的问题，其采用先用稍高温度预烘烤然后立即提高烘烤温服进行第二次烘烤的方式，既满足了铝膜厚且占空比大的设计要求，又增强了光刻胶的性能，从而保证了铝膜的线条宽度。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述预烘烤的温度在100摄氏度至130摄氏度之间，烘焙时间在25分钟到35分钟之间。
3.根据权利要求1所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述提高温度的第二次烘烤的温度在150摄氏度至170摄氏度之间，烘焙时间在25分钟到35分钟之间。
4.根据权利要求2所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述预烘烤的温度为120摄氏度，烘焙时间为30分钟。
5.根据权利要求3所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述提高温度的第二次烘烤的温度为160摄氏度，烘焙时间为30分钟。
6.根据权利要求1-5任一项所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述预烘烤后立即进行提高温度的第二次烘烤。
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- 2012-11-28 CN CN2012104954522A patent/CN102978621A/zh active Pending
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