WO2026014337A1

WO2026014337A1 - 方法、調整方法、及び露光装置

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Publication number: WO2026014337A1
Application number: PCT/JP2025/023889
Authority: WO
Inventors: 加藤正紀; 川戸聡
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2024-07-08
Filing date: 2025-07-02
Publication date: 2026-01-15
Anticipated expiration: 2027-01-08

Abstract

方法は、第１状態の複数の傾斜可能なミラーが配置された空間光変調器に計測光を入射させることと、前記空間光変調器からの光を受光することと、前記受光した光と、基準位置との関係に基づいて、前記第１状態を評価することと、を含む。

Description

方法、調整方法、及び露光装置

　方法、調整方法、及び露光装置に関する。

　液晶や有機ＥＬによる表示パネル、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが使用されている。この種の露光装置は、ガラス基板、半導体ウェハ、プリント配線基板、樹脂フィルム等の被露光基板（以下、単に基板とも呼ぶ）の表面に塗布された感光層に電子デバイス用のマスクパターンを投影露光している。

　そのマスクパターンを固定的に形成するマスク基板の作製には時間と経費を要する為、マスク基板の代わりに、微少変位するマイクロミラーの多数を規則的に配列したデジタル・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の空間光変調器（可変マスクパターン生成器）を使用した露光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示された露光装置では、例えば、波長３７５ｎｍのレーザダイオード（ＬＤ）からの光と波長４０５ｎｍのＬＤからの光とをマルチモードのファイバーバンドルで混合した照明光を、デジタル・ミラー・デバイス（ＤＭＤ）に照射し、傾斜制御された多数のマイクロミラーの各々からの反射光を結像光学系、マイクロレンズアレイを介して基板に投影露光している。

特開２０１９－２３７４８号公報

　ＤＭＤを使用した露光装置ではＤＭＤが備えるマイクロミラーを傾斜させることによってパターンを生成し、照明光にパターンを与えるため、マイクロミラーの正確な傾斜角度を把握することが望まれている。

　開示の第１の態様によれば、方法は、第１状態の複数の傾斜可能なミラーが配置された空間光変調器に計測光を入射させることと、前記空間光変調器からの光を受光することと、前記受光した光と、基準位置との関係に基づいて、前記第１状態を評価することと、を含む。

　開示の第２の態様によれば、調整方法は、空間光変調器を含む光学装置の調整方法であって、上記記載の方法によって評価した前記第１状態に基づいて、前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットまたは前記空間光変調器からの光を投影する投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の設置状態、及び前記空間光変調器の複数の傾斜可能なミラーのオン状態の傾斜角度の少なくとも１つを調整すること、を含む。

　開示の第３の態様によれば、方法は、第１状態の複数の傾斜可能なミラーが配置された空間光変調器に計測光を入射させることと、前記空間光変調器からの光を受光することと、前記受光した光と、基準位置との関係に基づいて、前記第１状態を評価することと、を含み、前記光は、回折光であり、前記第１状態を評価することは、前記回折光の強度分布と、前記基準位置とに基づいて、前記第１状態を評価することを含み、前記第１状態の前記複数の傾斜可能なミラーは、第１角度に傾斜した複数の傾斜可能なミラーであり、前記第１状態を評価することは、前記第１角度を算出することを含む。

　開示の第４の態様によれば、調整方法は、空間光変調器を含む光学装置の調整方法であって、上記方法によって算出した前記第１角度に基づいて、前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットまたは前記空間光変調器からの光を投影する投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の設置状態、及び前記空間光変調器の複数の傾斜可能なミラーのオン状態の傾斜角度のすくなくとも１つを調整すること、を含む。

　開示の第５の態様によれば、露光装置は、２次元配列された複数の傾斜可能なミラーを含む空間光変調器と、前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットと、前記空間光変調器からの光を露光対象に照射する投影ユニットと、前記空間光変調器からの前記光の強度分布を取得する取得装置と、制御装置と、を含み、前記制御装置は、前記強度分布に基づいて、前記照明ユニットまたは前記投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の位置または角度、及び前記複数の傾斜可能なミラーのオン状態の傾斜角度の少なくとも１つの調整を行う。

　なお、後述の実施形態の構成を適宜改良しても良く、また、少なくとも一部を他の構成物に代替させても良い。更に、その配置について特に限定のない構成要件は、実施形態で開示した配置に限らず、その機能を達成できる位置に配置することができる。

図１は、第１実施形態に係る露光装置の外観構成の概要を示す斜視図である。図２は、複数の露光モジュールの各々の投影ユニットによって基板上に投射されるＤＭＤの投影領域の配置例を示す図である。図３は、図２において、特定の４つの投影領域の各々による継ぎ露光の状態を説明する図である。図４は、Ｘ軸方向（走査露光方向）に並ぶ２つの露光モジュールの具体的な構成をＸＺ面内で見た光学配置図である。図５（Ａ）は、ＤＭＤが備えるマイクロミラーの配置を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、電源がＯＦＦの場合のＤＭＤを示す図であり、図５（Ｃ）は、オン状態のマイクロミラーについて説明するための図であり、図５（Ｄ）は、オフ状態のマイクロミラーについて説明するための図である。図６は、投影ユニットによるＤＭＤのマイクロミラーの結像状態を詳細に説明する図である。図７は、ＤＭＤにおける光路差について説明するための図である。図８（Ａ）は、第１実施形態に係る計測装置の概略構成を示す図であり、図８（Ｂ）は、計測装置の別の概略構成を示す図である。図９は、マイクロミラーの傾斜角度を計測するときにＤＭＤに生成させるパターンの一例を示す図である。図１０は、マイクロミラーの傾斜角度が規格値である場合において、図９に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１１は、基準位置を設定するときにＤＭＤに生成させるパターンの一例を示す図である。図１２は、図１１に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１３は、オン状態のマイクロミラーのθｙ’角度が規格値から＋０．５°ずれている場合において、図９に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１４は、オン状態のマイクロミラーのθｙ’角度が規格値から－０．５°ずれている場合において、図９に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１５は、オン状態のマイクロミラーのθｚ角度が規格値から＋２°ずれている場合において、図９に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１６は、オン状態のマイクロミラーのθｚ角度が規格値から－２°ずれている場合において、図９に示すパターンが生成された領域に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１７は、ＤＭＤが生成したパターンによる回折光の瞳における強度分布の画像の一例を示す図である。図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、オン状態のマイクロミラーの傾斜角度を計測するときにＤＭＤに生成させるパターンの別例を示す図である。図１９は、図１８（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図２０は、図１８（Ｂ）に示すパターンにより生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図２１は、露光装置において、オン状態のマイクロミラーの傾斜角度を計測する構成を概略的に示す図である。図２２は、図１に示した露光装置の基板ホルダ上の端部に付設された較正用基準部に設けられる光学計測部の概略構成を示す図である。図２３（Ａ）は、第２実施形態においてパターン制御部がＤＭＤに生成させるパターンの一例を示す図であり、図２３（Ｂ）～図２３（Ｄ）は、図２３（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図２４（Ａ）～図２４（Ｃ）は、第２実施形態において算出部が実行する回折光の強度分布の中心位置の算出方法について説明するための図である。図２５（Ａ）～図２５（Ｃ）は、第２実施形態において算出部が実行する回折光の強度分布の中心位置の算出方法について説明するための図である。図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）は、第２実施形態においてパターン制御部がＤＭＤに生成させるパターンの別例を示す図である。図２７（Ａ）～図２７（Ｃ）は、図２６（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図２８（Ａ）～図２８（Ｃ）は、図２６（Ｂ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図２９は、強度分布の非対称性の度合いを示すグラフである。図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）は、露光装置において、マイクロミラーの傾斜角度を計測する構成の別例を示す図である。図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）は、マイクロミラーの傾斜角度を計測するときにＤＭＤに生成させるパターンの別例を示す図である。図３２（Ａ）及び図３２（Ｂ）は、ＤＭＤの構成の別例を示す図である。

《第１実施形態》
　第１実施形態に係るパターン露光装置（以下、単に露光装置と記載する）について、図面を参照して説明する。

〔露光装置の全体構成〕
　図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの外観構成の概要を示す斜視図である。露光装置ＥＸは、空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）によって、空間内での強度分布が動的に変調される露光光を被露光基板に結像投影する装置である。空間光変調器の例としては、液晶素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ：Digital Micromirror Device）、磁気光学空間光変調器（ＭＯＳＬＭ：Magneto Optic Spatial Light Modulator）等が挙げられる。本実施形態に係る露光装置ＥＸは、空間光変調器としてＤＭＤ１０を含むＤＭＤチップを備える。

　特定の実施形態において、露光装置ＥＸは、表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（スキャナ）である。そのガラス基板は、少なくとも一辺の長さ、または対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが１ｍｍ以下のフラットパネルディスプレイ用の基板Ｐとする。露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面に一定の厚みで形成された感光層（フォトレジスト）にＤＭＤで作られるパターンの投影像を露光する。露光後に露光装置ＥＸから搬出される基板Ｐは、現像工程の後に所定のプロセス工程（成膜工程、エッチング工程、メッキ工程等）に送られる。

　露光装置ＥＸは、アクティブ防振ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ（１ｄは不図示）上に載置されたペデスタル２と、ペデスタル２上に載置された定盤３と、定盤３上で２次元に移動可能なＸＹステージ４Ａと、ＸＹステージ４Ａ上で基板Ｐを平面上に吸着保持する基板ホルダ４Ｂと、基板ホルダ４Ｂ（基板Ｐ）の２次元の移動位置を計測するレーザ測長干渉計（以下、単に干渉計とも呼ぶ）ＩＦＸ、ＩＦＹ１～ＩＦＹ４とで構成されるステージ装置を備える。このようなステージ装置は、例えば、米国特許公開第２０１０／００１８９５０号明細書、米国特許公開第２０１２／００５７１４０号明細書に開示されている。

　図１において、直交座標系ＸＹＺのＸＹ面はステージ装置の定盤３の平坦な表面と平行に設定され、ＸＹステージ４ＡはＸＹ面内で並進移動可能に設定される。また、本実施形態では、座標系ＸＹＺのＸ軸と平行な方向がスキャン露光時の基板Ｐ（ＸＹステージ４Ａ）の走査移動方向に設定される。基板ＰのＸ軸方向の移動位置は干渉計ＩＦＸで逐次計測され、Ｙ軸方向の移動位置は、４つの干渉計ＩＦＹ１～ＩＦＹ４の内の少なくとも１つ（好ましくは２つ）以上によって逐次計測される。基板ホルダ４Ｂは、ＸＹステージ４Ａに対して、ＸＹ面と垂直なＺ軸の方向に微少移動可能、且つＸＹ面に対して任意の方向に微少傾斜可能に構成され、基板Ｐの表面と投影されたパターンの結像面とのフォーカス調整とレベリング（平行度）調整とがアクティブに行われる。更に基板ホルダ４Ｂは、ＸＹ面内での基板Ｐの傾きをアクティブに調整する為に、Ｚ軸と平行な軸線の回りに微少回転（θｚ回転）可能に構成されている。

　露光装置ＥＸは、更に、複数の露光（描画）モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）を保持する光学定盤５と、光学定盤５をペデスタル２から支持するメインコラム６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ（６ｄは不図示）とを備える。複数の露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、光学定盤５の＋Ｚ方向側に取り付けられている。なお、複数の露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）は、それぞれ個別に光学定盤５に取り付けられても良いし、２つ以上の露光モジュール同士の連結により剛性を上げた状態で、光学定盤５に取り付けられても良い。複数の露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、光学定盤５の＋Ｚ方向側に取り付けられて、光ファイバーユニットＦＢＵからの照明光を入射する照明ユニットＩＬＵと、光学定盤５の－Ｚ方向側に取り付けられてＺ軸と平行な光軸を有する投影ユニットＰＬＵとを有する。更に露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、照明ユニットＩＬＵからの照明光を－Ｚ方向に向けて反射させて、投影ユニットＰＬＵに入射させる変調部としてのＤＭＤ１０を備える。照明ユニットＩＬＵ、ＤＭＤ１０、投影ユニットＰＬＵによる露光モジュールの詳細な構成は後述する。

　露光装置ＥＸの光学定盤５の－Ｚ方向側には、基板Ｐ上の所定の複数位置に形成されたアライメントマークを検出する複数のアライメント系（顕微鏡）ＡＬＧが取り付けられている。また、基板ホルダ４Ｂ上の－Ｘ方向の端部には、キャリブレーション用の較正用基準部ＣＵが設けられている。キャリブレーションは、アライメント系ＡＬＧの各々の検出視野のＸＹ面内での相対的な位置関係の確認（較正）、露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々の投影ユニットＰＬＵから投射されるパターン像の各投影位置とアライメント系ＡＬＧの各々の検出視野の位置とのベースライン誤差の確認（較正）、及び投影ユニットＰＬＵから投射されるパターン像の位置や像質の確認の少なくとも１つを含む。なお、図１では一部を不図示としたが、露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々は、本実施形態では、一例として９つのモジュールがＹ軸方向に一定間隔で並べられるが、そのモジュール数は９つよりも少なくてもよいし、多くてもよい。また、図１では、Ｘ軸方向に露光モジュールを３列配置しているが、Ｘ軸方向に配置する露光モジュールの列の数は、２列以下でもよいし、４列以上であってもよい。

　図２は、露光モジュールＭＵ（Ａ）、ＭＵ（Ｂ）、ＭＵ（Ｃ）の各々の投影ユニットＰＬＵによって基板Ｐ上に投射されるＤＭＤ１０の投影領域ＩＡｎの配置例を示す図であり、直交座標系ＸＹＺは図１と同じに設定される。投影領域ＩＡｎは、ＤＭＤ１０が有する複数のマイクロミラーＭｓで反射され、投影ユニットＰＬＵによって基板Ｐ上に導かれる照明光の照射範囲（光照射領域群）であるといえる。本実施形態では、Ｘ軸方向に離間して配置される１列目の露光モジュールＭＵ（Ａ）、２列目の露光モジュールＭＵ（Ｂ）、３列目の露光モジュールＭＵ（Ｃ）の各々は、Ｙ軸方向に並べられた９つのモジュールで構成される。露光モジュールＭＵ（Ａ）は、＋Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１～ＭＵ９で構成され、露光モジュールＭＵ（Ｂ）は、－Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１０～ＭＵ１８で構成され、露光モジュールＭＵ（Ｃ）は、＋Ｙ方向に配置された９つのモジュールＭＵ１９～ＭＵ２７で構成される。モジュールＭＵ１～ＭＵ２７は全て同じ構成であり、露光モジュールＭＵ（Ａ）と露光モジュールＭＵ（Ｂ）とをＸ軸方向に関して向かい合わせの関係としたとき、露光モジュールＭＵ（Ｂ）と露光モジュールＭＵ（Ｃ）とはＸ軸方向に関して背中合わせの関係になっている。

　図２において、モジュールＭＵ１～ＭＵ２７の各々による投影領域ＩＡ１、ＩＡ２、ＩＡ３、・・・、ＩＡ２７（ｎを１～２７として、ＩＡｎと表すこともある）の形状は、一例として、ほぼ１：２の縦横比を持ってＹ軸方向に延びた長方形になっている。本実施形態では、基板Ｐの＋Ｘ方向の走査移動に伴って、１列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ９の各々の－Ｙ方向の端部と、２列目の投影領域ＩＡ１０～ＩＡ１８の各々の＋Ｙ方向の端部とで継ぎ露光が行われる。そして、１列目と２列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ１８の各々で露光されなかった基板Ｐ上の領域は、３列目の投影領域ＩＡ１９～ＩＡ２７の各々によって継ぎ露光される。１列目の投影領域ＩＡ１～ＩＡ９の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ１上に位置し、２列目の投影領域ＩＡ１０～ＩＡ１８の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ２上に位置し、３列目の投影領域ＩＡ１９～ＩＡ２７の各々の中心点はＹ軸と平行な線ｋ３上に位置する。線ｋ１と線ｋ２のＸ軸方向の間隔は距離ＸＬ１に設定され、線ｋ２と線ｋ３のＸ軸方向の間隔は距離ＸＬ２に設定される。

　ここで、投影領域ＩＡ９の－Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ１０の＋Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬａ、投影領域ＩＡ１０の－Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ２７の＋Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬｂ、そして投影領域ＩＡ８の＋Ｙ方向の端部と投影領域ＩＡ２７の－Ｙ方向の端部との継ぎ部をＯＬｃとしたとき、その継ぎ露光の状態を図３にて説明する。図３において、直交座標系ＸＹＺは図１、図２と同一に設定され、投影領域ＩＡ８、ＩＡ９、ＩＡ１０、ＩＡ２７（及び、他の全ての投影領域ＩＡｎ）内の座標系Ｘ’Ｙ’は、直交座標系ＸＹＺのＸ軸、Ｙ軸（線ｋ１～ｋ３）に対して、角度θｋ（０°＜θｋ＜９０°）だけ傾くように設定される。すなわち、ＤＭＤ１０の多数のマイクロミラーで反射した照明光が投影される基板Ｐ上の領域（光照射領域）は、Ｘ’軸及びＹ’軸に沿って２次元配列されている。

　図３中の投影領域ＩＡ８、ＩＡ９、ＩＡ１０、ＩＡ２７（及び、他の全ての投影領域ＩＡｎも同じ）の各々を包含する円形の領域は、投影ユニットＰＬＵの円形イメージフィールドＰＬｆ’を表す。継ぎ部ＯＬａでは、投影領域ＩＡ９の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）と、投影領域ＩＡ１０の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）とがオーバーラップするように設定される。また、継ぎ部ＯＬｂでは、投影領域ＩＡ１０の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）と、投影領域ＩＡ２７の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）とがオーバーラップするように設定される。同様に、継ぎ部ＯＬｃでは、投影領域ＩＡ８の＋Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）と、投影領域ＩＡ２７の－Ｙ’方向の端部の斜め（角度θｋ）に並ぶマイクロミラーの投影像（光照射領域）とがオーバーラップするように設定される。

〔照明ユニットの構成〕
　図４は、図１、図２に示した露光モジュールＭＵ（Ｂ）中のモジュールＭＵ１８と、露光モジュールＭＵ（Ｃ）中のモジュールＭＵ１９との具体的な構成をＸＺ面内で見た光学配置図である。図４の直交座標系ＸＹＺは図１～図３の直交座標系ＸＹＺと同じに設定される。また、図２に示した各モジュールのＸＹ面内での配置から明らかなように、モジュールＭＵ１８はモジュールＭＵ１９に対して＋Ｙ方向に一定間隔だけずらされると共に、互いに背中合わせの関係で設置されている。モジュールＭＵ１８内の各光学部材とモジュールＭＵ１９内の各光学部材は、それぞれ同じ材料で同じに構成されるので、ここでは主にモジュールＭＵ１８の光学構成について詳細に説明する。なお、図１に示した光ファイバーユニットＦＢＵは、図２に示した２７個のモジュールＭＵ１～ＭＵ２７の各々に対応して、２７本の光ファイバー束ＦＢ１～ＦＢ２７で構成される。

　モジュールＭＵ１８の照明ユニットＩＬＵは、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端から－Ｚ方向に進む照明光ＩＬｍを反射するミラー１００、ミラー１００からの照明光ＩＬｍを－Ｚ方向に反射するミラー１０２、コリメータレンズとして作用するインプットレンズ系１０４、照度調整フィルター１０６、マイクロ・フライ・アイ（ＭＦＥ）レンズやフィールドレンズ等を含むオプティカルインテグレータ１０８、コンデンサーレンズ系１１０、及びコンデンサーレンズ系１１０からの照明光ＩＬｍをＤＭＤ１０に向けて反射する傾斜ミラー１１２を備える。ミラー１０２、インプットレンズ系１０４、オプティカルインテグレータ１０８、コンデンサーレンズ系１１０、並びに傾斜ミラー１１２は、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｃに沿って配置される。

　光ファイバー束ＦＢ１８は、１本の光ファイバー線、又は複数本の光ファイバー線を束ねて構成される。光ファイバー束ＦＢ１８（光ファイバー線の各々）の出射端から照射される照明光ＩＬｍは、後段のインプットレンズ系１０４でけられること無く入射するような開口数（ＮＡ、広がり角とも呼ぶ）に設定されている。ここで、照明光ＩＬｍは、１０ｎｍ以上かつ４１０ｎｍ以内の波長レンジ内にピーク波長をもつ光であり、ピーク波長は、例えば、１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３６５ｎｍ（ｉ線）、４０５ｎｍ（ｈ線）、及び４３６ｎｍ（ｇ線）のいずれかである。

　インプットレンズ系１０４の前側焦点の位置は、設計上では光ファイバー束ＦＢ１８の出射端の位置と同じになるように設定される。さらに、インプットレンズ系１０４の後側焦点の位置は、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端に形成される単一又は複数の点光源からの照明光ＩＬｍをオプティカルインテグレータ１０８のＭＦＥレンズ１０８Ａの入射面側で重畳させるように設定されている。従って、ＭＦＥレンズ１０８Ａの入射面は光ファイバー束ＦＢ１８の出射端からの照明光ＩＬｍによってケーラー照明される。なお、初期状態では、光ファイバー束ＦＢ１８の出射端のＸＹ面内での幾何学的な中心点が光軸ＡＸｃ上に位置し、光ファイバー線の出射端の点光源からの照明光ＩＬｍの主光線（中心線）は光軸ＡＸｃと平行（又は同軸）になっているものとする。

　インプットレンズ系１０４からの照明光ＩＬｍは、照度調整フィルター１０６で０％～９０％の範囲の任意の値で照度を減衰された後、オプティカルインテグレータ１０８（ＭＦＥレンズ１０８Ａ、可変開口絞り１０８Ｂ、フィールドレンズ等）を通って、コンデンサーレンズ系１１０に入射する。ＭＦＥレンズ１０８Ａは、数十μｍ角の矩形のマイクロレンズを２次元に多数配列したものであり、その全体の形状はＸＹ面内で、ＤＭＤ１０のミラー面全体の形状（縦横比が約１：２）とほぼ相似になるように設定される。また、コンデンサーレンズ系１１０の前側焦点の位置は、ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面の位置とほぼ同じになるように設定される。ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面側には、可変開口絞り（σ値の調整絞り）１０８Ｂが設けられている。その為、ＭＦＥレンズ１０８Ａの多数のマイクロレンズの各射出側に形成される点光源からの照明光のうち可変開口絞り１０８Ｂの円形開口を通過した照明光が、コンデンサーレンズ系１１０によってほぼ平行な光束に変換され、傾斜ミラー１１２で反射された後、ＤＭＤ１０上で重畳されて均一な照度分布となる。ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面には、多数の点光源（集光点）が２次元的に密に配列した面光源が生成されることから、面光源化部材として機能する。また、可変開口絞り１０８Ｂは、出射面に形成される面光源の形状を規定する機能を有する。

　図４に示すモジュールＭＵ１８内において、コンデンサーレンズ系１１０を通るＺ軸と平行な光軸ＡＸｃは、傾斜ミラー１１２で折り曲げられてＤＭＤ１０に至るが、傾斜ミラー１１２とＤＭＤ１０の間の光軸を光軸ＡＸｂとする。本実施形態において、ＤＭＤ１０の多数のマイクロミラーの各々の中心点を含む中立面は、ＸＹ面と平行に設定されているものとする。従って、その中立面の法線（Ｚ軸と平行）と光軸ＡＸｂとの成す角度が、ＤＭＤ１０に対する照明光ＩＬｍの入射角θαとなる。

　ＤＭＤ１０は、照明ユニットＩＬＵの支持コラムに固設されたマウント部１０Ｍに設けられた微動ステージ１０Ｓに取り付けられる。微動ステージ１０Ｓとしては、例えば、国際公開特許２００６／１２０９２７号に開示されているようなパラレルリンク機構と伸縮可能なピエゾ素子を組み合わせた微動ステージを用いることができる。これにより、ＤＭＤ１０の位置や姿勢（角度）を微調整することができる。

［ＤＭＤの構成］
　次に、ＤＭＤ１０の構成について図５（Ａ）～図５（Ｄ）を参照して説明する。図５（Ａ）は、本実施形態に係るＤＭＤ１０における複数のマイクロミラーＭｓの配置を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、電源がＯＦＦの場合のＤＭＤ１０を示す図であり、図５（Ｃ）は、オン状態のマイクロミラーについて説明するための図であり、図５（Ｄ）は、オフ状態のマイクロミラーについて説明するための図である。なお、図５（Ｃ）において、オン状態にあるマイクロミラーをハッチングで示している。

　図５（Ａ）に示すように、ＤＭＤ１０は、傾斜角度を変更可能なマイクロミラーＭｓを複数有する。本実施形態において、ＤＭＤ１０は、オン状態とオフ状態とをマイクロミラーＭｓのロール方向傾斜とピッチ方向傾斜とで切り換えるロール＆ピッチ駆動方式のものとする。

　本実施形態に係るＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓは、略正方形の外形を有し、対角線と平行な軸周り（Ｘ’軸周り及びＹ’軸周り）に回転して傾斜可能である。また、マイクロミラーＭｓは、マイクロミラーＭｓが配列された面に垂直な軸（Ｚ軸）周りに所定角度（例えば、４５°）回転して配置されている。

　以下の説明では、Ｙ’軸周りに回転したマイクロミラーＭｓの反射面がマイクロミラーＭｓが配列された面（Ｘ’Ｙ’平面）となす角度を、マイクロミラーＭｓのＹ’軸周りの傾斜角度とし、θｙ’角度と記載する。また、マイクロミラーＭｓの辺とＸ’軸とがなす角度をＺ軸周りの回転角度として、θｚ角度と記載する。図５（Ａ）の例では、θｚ角度は４５°である。θｙ’角度とθｚ角度とをまとめてマイクロミラーＭｓの角度と記載する場合がある。

　図５（Ｂ）に示すように、電源がＯＦＦのとき（マイクロミラーＭｓはニュートラルな状態）、各マイクロミラーＭｓの反射面は、Ｘ’Ｙ’面と平行に設定される。各マイクロミラーＭｓのＸ’軸方向の配列ピッチをＰｄｘ（μｍ）、Ｙ’軸方向の配列ピッチをＰｄｙ（μｍ）とするが、実用上はＰｄｘ＝Ｐｄｙに設定される。

　各マイクロミラーＭｓは、Ｙ’軸周りに傾斜することでオン状態となる。図５（Ｃ）では、中央のマイクロミラーＭｓのみをオン状態とし、他のマイクロミラーＭｓはニュートラルな状態（ＯＮでもＯＦＦでもない状態）とした場合を示している。また、各マイクロミラーＭｓは、Ｘ’軸周りに傾斜することでオフ状態となる。図５（Ｄ）では、中央のマイクロミラーＭｓのみをオフ状態とし、他のマイクロミラーＭｓはニュートラルな状態とした場合を示している。なお、簡略化のため図示していないが、オン状態のマイクロミラーＭｓは、オン状態のマイクロミラーＭｓに照射された照明光がＸＺ平面のＸ軸方向に反射されるよう、Ｘ’Ｙ’平面から所定の角度傾くように駆動される。また、オフ状態のマイクロミラーＭｓは、オフ状態のマイクロミラーＭｓに照射された照明光がＹＺ面内のＹ軸方向に反射されるよう、Ｘ’Ｙ’平面から所定の角度傾くように駆動される。オフ状態のマイクロミラーによって反射された照明光は、不図示の光吸収体により吸収される。

　ＤＭＤ１０は、各マイクロミラーＭｓのオン状態及びオフ状態を切り替えることで、露光パターンを生成する。

　図４に戻り、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓのうちのオン状態のマイクロミラーＭｓに照射された照明光ＩＬｍは、投影ユニットＰＬＵに向かうようにＸＺ面内のＸ軸方向に反射される。一方、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓのうちのオフ状態のマイクロミラーＭｓに照射された照明光ＩＬｍは、投影ユニットＰＬＵに向かわないようにＹＺ面内のＹ軸方向に反射される。

　図４に示すように、ＤＭＤ１０から投影ユニットＰＬＵの間の光路中には、非露光期間中にＤＭＤ１０からの反射光を遮蔽する為の可動シャッター１１４が挿脱可能に設けられている。可動シャッター１１４は、モジュールＭＵ１９側で図示したように、露光期間中は光路から退避する角度位置に回動され、非露光期間中はモジュールＭＵ１８側に図示したように、光路中に斜めに挿入される角度位置に回動される。可動シャッター１１４のＤＭＤ１０側には反射面が形成され、そこで反射されたＤＭＤ１０からの光は光吸収体１１５に照射される。光吸収体１１５は、紫外波長域（４００ｎｍ以下の波長）の光エネルギーを再反射させることなく吸収して熱エネルギーに変換する。その為、光吸収体１１５には放熱機構（放熱フィンや冷却機構）も設けられる。なお、図４では不図示ではあるが、露光期間中にオフ状態となるＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓからの反射光は、上述したように、ＤＭＤ１０と投影ユニットＰＬＵの間の光路に対してＹ軸方向（図４の紙面と直交した方向）に設置された同様の光吸収体（図４では不図示）によって吸収される。

〔投影ユニットの構成〕
　光学定盤５の下側に取り付けられた投影ユニットＰＬＵは、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸａに沿って配置される第１レンズ系１１６と第２レンズ系１１８とで構成される両側テレセントリックな結像投影レンズ系として構成される。第１レンズ系１１６と第２レンズ系１１８は、それぞれ光学定盤５の下側に固設される支持コラムに対して、Ｚ軸（光軸ＡＸａ）に沿った方向に微動アクチュエータで並進移動するように構成される。第１レンズ系１１６と第２レンズ系１１８による結像投影レンズ系の投影倍率Ｍｐは、ＤＭＤ１０上のマイクロミラーの配列ピッチＰｄｘ、Ｐｄｙと、基板Ｐ上の投影領域ＩＡｎ（ｎ＝１～２７）内に投影されるパターンの最小線幅（最小画素寸法）Ｐｇとの関係で決められる。

　一例として、必要とされる最小線幅（最小画素寸法）Ｐｇが１μｍで、マイクロミラーの配列ピッチＰｄｘ、Ｐｄｙがそれぞれ５．４μｍの場合、先の図３で説明した投影領域ＩＡｎ（ＤＭＤ１０）のＸＹ面内での傾き角θｋも考慮して、投影倍率Ｍｐは約１／６に設定される。レンズ系１１６、１１８による結像投影レンズ系は、ＤＭＤ１０のミラー面全体の縮小像を倒立／反転させて基板Ｐ上の投影領域ＩＡ１８（ＩＡｎ）に結像する。

　投影ユニットＰＬＵの第１レンズ系１１６は、投影倍率Ｍｐを微調整（±数十ｐｐｍ程度）する為にアクチュエータによって光軸ＡＸａ方向に微動可能とされ、第２レンズ系１１８はフォーカスの高速調整の為にアクチュエータによって光軸ＡＸａ方向に微動可能とされる。さらに、基板Ｐの表面のＺ軸方向の位置変化をサブミクロン以下の精度で計測する為に、光学定盤５の下側には、斜入射光式のフォーカスセンサー１２０が複数設けられている。複数のフォーカスセンサー１２０は、基板Ｐの全体的なＺ軸方向の位置変化、投影領域ＩＡｎ（ｎ＝１～２７）の各々に対応した基板Ｐ上の部分領域のＺ軸方向の位置変化、或いは基板Ｐの部分的な傾斜変化等を計測する。

　以上のような照明ユニットＩＬＵと投影ユニットＰＬＵとは、先の図３で説明したように、ＸＹ面内で投影領域ＩＡｎが角度θｋだけ傾ける必要があるので、図４中のＤＭＤ１０と照明ユニットＩＬＵ（少なくとも光軸ＡＸｃに沿ったミラー１０２～ミラー１１２の光路部分）とが、全体的にＸＹ面内で角度θｋだけ傾くように配置されている。

〔ＤＭＤによる結像光路〕
　次に、図６を参照して、投影ユニットＰＬＵ（結像投影レンズ系）によるＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓの結像状態を詳細に説明する。図６の直交座標系Ｘ’Ｙ’Ｚは、先の図３に示した座標系Ｘ’Ｙ’Ｚと同じであり、図６では照明ユニットＩＬＵのコンデンサーレンズ系１１０から基板Ｐまでの光路を図示する。コンデンサーレンズ系１１０からの照明光ＩＬｍは、光軸ＡＸｃに沿って進み、傾斜ミラー１１２で全反射されて光軸ＡＸｂに沿ってＤＭＤ１０のミラー面に達する。ここで、ＤＭＤ１０の中心に位置するマイクロミラーＭｓをＭｓｃ、周辺に位置するマイクロミラーＭｓをＭｓａとし、それらのマイクロミラーＭｓｃ、Ｍｓａがオン状態であるとする。

　マイクロミラーＭｓのオン状態のときの傾斜角度は、Ｘ’Ｙ’面（ＸＹ面）に対して、例えば規格値として１７．５°とすると、マイクロミラーＭｓｃ、Ｍｓａの各々からの反射光Ｓｃ、Ｓａの各主光線を投影ユニットＰＬＵの光軸ＡＸａと平行にする為に、ＤＭＤ１０に照射される照明光ＩＬｍの入射角（光軸ＡＸｂの光軸ＡＸａからの角度）θαは、３５．０°に設定される。従って、この場合、傾斜ミラー１１２の反射面もＸ’Ｙ’面（ＸＹ面）に対して１７．５°（＝θα／２）だけ傾斜して配置される。マイクロミラーＭｓｃからの反射光Ｓｃの主光線Ｌｃは光軸ＡＸａと同軸になり、マイクロミラーＭｓａからの反射光Ｓａの主光線Ｌａは光軸ＡＸａと平行になり、反射光Ｓｃ、Ｓａは所定の開口数（ＮＡ）を伴って投影ユニットＰＬＵに入射する。

　反射光Ｓｃによって、基板Ｐ上には投影ユニットＰＬＵの投影倍率Ｍｐで縮小されたマイクロミラーＭｓｃの縮小像ｉｃが光軸ＡＸａの位置にテレセントリックな状態で結像される。同様に、反射光Ｓａによって、基板Ｐ上には投影ユニットＰＬＵの投影倍率Ｍｐで縮小されたマイクロミラーＭｓａの縮小像ｉａが縮小像ｉｃから＋Ｘ’方向に離れた位置にテレセントリックな状態で結像される。一例として、投影ユニットＰＬＵの第１レンズ系１１６は２つのレンズ群Ｇ１、Ｇ２で構成され、第２レンズ系１１８は、３つのレンズ群Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５で構成される。第２レンズ系１１８のレンズ群Ｇ３とレンズ群Ｇ４との間には射出瞳（単に瞳とも呼ぶ）Ｅｐが設定される。その瞳Ｅｐの位置には、照明光ＩＬｍの光源像（ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出面側に形成される多数の点光源の集合）が形成され、ケーラー照明の構成となっている。瞳Ｅｐは、投影ユニットＰＬＵの開口とも呼ばれ、その開口の大きさ（直径）が投影ユニットＰＬＵの解像力を規定する１つの要因になっている。本実施形態では、瞳Ｅｐは、図６の左下に示すように、ＤＭＤ１０からの光を通過させる開口部１１９ａと、ＤＭＤ１０からの光を遮光可能な遮光部１１９ｂとを含む可変開口絞り１１９により形成されている。

　ＤＭＤ１０のオン状態のマイクロミラーＭｓからの正反射光は、瞳Ｅｐの最大口径（直径）で遮られることなく通過するように設定されており、瞳Ｅｐの最大口径と投影ユニットＰＬＵ（結像投影レンズ系としてのレンズ群Ｇ１～Ｇ５）の後側（像側）焦点の距離によって、解像度Ｒを表す式、Ｒ＝ｋ１・（λ／ＮＡｉ）における像側（基板Ｐ側）の開口数ＮＡｉが決まる。また、投影ユニットＰＬＵ（レンズ群Ｇ１～Ｇ５）の物面（ＤＭＤ１０）側の開口数ＮＡｏは、投影倍率Ｍｐと開口数ＮＡｉの積で表され、投影倍率Ｍｐが１／６の場合、ＮＡｏ＝ＮＡｉ／６となる。

　以上の図４及び図６に示した照明ユニットＩＬＵと投影ユニットＰＬＵの構成において、各モジュールＭＵｎ（ｎ＝１～２７）に接続される光ファイバー束ＦＢｎ（ｎ＝１～２７）の射出端は、インプットレンズ系１０４によってオプティカルインテグレータ１０８のＭＦＥレンズ１０８Ａの射出端側と光学的に共役な関係に設定され、ＭＦＥレンズ１０８Ａの入射端側は、コンデンサーレンズ系１１０によってＤＭＤ１０のミラー面（中立面）の中央と光学的に共役な関係に設定される。それによって、ＤＭＤ１０のミラー面全体に照射される照明光ＩＬｍは、オプティカルインテグレータ１０８の作用によって均一な照度分布（例えば、±１％以内の強度ムラ）になる。また、ＭＦＥレンズ１０８Ａの射出端側と投影ユニットＰＬＵの瞳Ｅｐの面とは、コンデンサーレンズ系１１０と投影ユニットＰＬＵのレンズ群Ｇ１～Ｇ３とによって光学的に共役な関係に設定される。

　ＤＭＤ１０を用いた投影露光では、多数のマイクロミラーＭｓの各々を、パターンデータ（描画データ）に基づいてオン状態の傾斜とオフ状態の傾斜とに高速に切り換えつつ、その切り換え速度に対応した速度で基板ＰをＸ方向に走査移動させてパターン露光を行う。

［マイクロミラーの傾斜角度と光路差］
　ここで、ＤＭＤ１０は、個体差でマイクロミラーＭｓの角度がばらつくため、マイクロミラーＭｓの角度が規格値からずれている場合がある。マイクロミラーＭｓの角度が規格値からずれていると、各マイクロミラーＭｓに入射する光同士の光路差が変わってしまい、ＤＭＤ１０が生成したパターンの像の基板Ｐにおける結像性能に影響が出てしまう。

　図７は、ＤＭＤ１０における光路差について説明するための図である。図７では、Ｘ’軸方向において隣り合うマイクロミラーＭｓ１～Ｍｓ３をオン状態としている。オン状態のマイクロミラーのピッチをＰｄｘとすると、マイクロミラーＭｓ１への入射光とマイクロミラーＭｓ２への入射光との間の光路差ＯＰＤ１は、マイクロミラーＭｓ１～Ｍｓ３のＹ’軸周りの傾斜角度をφとすると、ＯＰＤ１＝２Ｐｄｘ×ｓｉｎφｃｏｓφで表される。

　したがって、φが変化すると、ＯＰＤ１も変化する。このようにマイクロミラーＭｓの角度によって、光路差が変わってしまうため、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度（オン状態のマイクロミラーＭｓの状態）を正確に把握することが重要である。そこで、第１実施形態では、後述する計測装置５００を用いてオン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測（算出）する。

［計測装置］
　ＤＭＤ１０が備えるマイクロミラーＭｓの角度を計測する計測装置５００について説明する。図８（Ａ）は、第１実施形態に係る計測装置５００の概略構成を示す図である。計測装置５００は、オン状態のマイクロミラーＭｓが配置されたＤＭＤ１０に計測光を入射させて、ＤＭＤ１０からの光（回折光）と、後述する基準位置との関係に基づいて、オン状態を評価する。より具体的には、計測装置５００は、オン状態のマイクロミラーの傾斜角度（θｙ’角度）と回転角度（θｚ角度）とを算出する。

　図８（Ａ）に示すように、計測装置５００は、取付部５０１と、パターン制御部５０２と、光源５０３と、撮像部５０４と、算出部５０５と、レンズ５０６と、を備える。なお、光源５０３のσが小さく、撮像部５０４のカバーガラスの影響が小さければ、図８（Ｂ）に示すように、レンズ５０６を省略してもよい。

　取付部５０１には、ＤＭＤ１０を含むチップＣＨＰが取り付けられる。パターン制御部５０２は、ＤＭＤ１０が備える各マイクロミラーＭｓのオン状態とオフ状態とを制御して、ＤＭＤ１０にパターンを生成させる。光源５０３は、ＤＭＤ１０に計測光を照射する。光源５０３は、例えば、レーザポインタである。

　撮像部５０４は、ＤＭＤ１０からの光（回折光）を受光する。具体的には、撮像部５０４は、ＤＭＤ１０に計測光が照射されたときに、ＤＭＤ１０で生成されたパターンによる回折光の強度分布を撮像する。撮像部５０４の例としては、ＣＭＯＳイメージセンサ及びＣＣＤイメージセンサがあげられる。撮像部５０４は、瞳位置に設けられる。したがって、撮像部５０４は、ＤＭＤ１０で生成されたパターンによる回折光の瞳における強度分布を撮像する。

　算出部５０５は、撮像部５０４が撮像した回折光の強度分布の画像に基づいて、ＤＭＤ１０が備えるマイクロミラーＭｓの角度を算出する。ここで、算出部５０５によるマイクロミラーＭｓの角度の算出原理について説明する。

　図９は、マイクロミラーＭｓの角度を計測するときにＤＭＤ１０に生成させるパターンの一例を示す図である。図９において、領域Ｒ１は、ＤＭＤ１０においてマイクロミラーＭｓが配置された領域を示し、領域Ｒ１１は、光源５０３からの計測光が照射される領域を示す。なお、光源５０３からの光は、領域Ｒ１全体に照射されてもよい。マイクロミラーＭｓの角度を計測する場合、パターン制御部５０２は、少なくとも領域Ｒ１１に含まれるマイクロミラーＭｓの一部をオン状態にして、ＤＭＤ１０にパターンを生成させる。図９において、オン状態のマイクロミラーＭｓをハッチングで示している。

　図９では、Ｘ’軸方向において一定の間隔（Ｐｏｎ１ｘ）でマイクロミラーＭｓをオン状態にし、かつ、Ｙ’軸方向において一定の間隔（Ｐｏｎ１ｙ）でマイクロミラーＭｓをオン状態にしている。Ｘ’軸方向においてオン状態のマイクロミラーＭｓ同士の間において、オフ状態のマイクロミラーＭｓが２つ以上連続している。また、Ｙ’軸方向においてオン状態のマイクロミラーＭｓ同士の間において、オフ状態のマイクロミラーＭｓが２つ以上連続している。図９に示すパターンは、オン状態のマイクロミラーＭｓがピッチＰｏｎ１で並び、オフ状態のマイクロミラーＭｓがピッチＰｏｎ１より小さいピッチＰｏｆｆ１で並ぶパターンであるともいえる。図９に示すパターンでは、１つのマイクロミラーＭｓを１画素と呼ぶ場合に、Ｘ’軸方向及びＹ’軸方向それぞれにおいて５画素間隔でマイクロミラーＭｓをオン状態にしているが、これに限られるものではない。オン状態にするマイクロミラーＭｓの間隔は、４画素以下でもよいし、６画素以上でもよい。なお、領域Ｒ１１ではなく、領域Ｒ１に含まれるマイクロミラーＭｓの一部をオン状態にして、領域Ｒ１全体にわたって図９に示すパターンを生成してもよい。

　光源５０３は、領域Ｒ１１に計測光を照射する。領域Ｒ１１に計測光が照射されると、領域Ｒ１１に形成されたパターンによって回折光が生じる。瞳において回折光が生じる位置は、オン状態のマイクロミラーＭｓ間の距離と、光源５０３が出射する光の波長と、に依存する。

　図１０は、マイクロミラーＭｓの傾斜角度が規格値（例えば、１７．５°）である場合において、図９に示すパターンが形成された領域Ｒ１１に照明光を照射したときに瞳において得られる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示す図である。図１０において、小円は瞳において回折光が生じている位置を示し、当該回折光が生じる位置での光強度をハッチングの密度で示している。ハッチングの密度が高いほど、光強度が高いことを示す。また、図１０において、点ＲＰは、基準位置を示し、点ＣＰは、強度分布の中心位置（頂点）を示す。強度分布の中心位置ＣＰは、強度分布のピーク位置である。また、２本の破線は、基準位置ＲＰを通り、Ｘ’軸方向及びＹ’軸方向にそれぞれ平行な線である。他の図においても同様である。

　基準位置ＲＰは、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出（計測）するときに基準として使用される。ここで、基準位置ＲＰの設定方法について説明する。

　図１１は、基準位置ＲＰを設定するときに、パターン制御部５０２がＤＭＤ１０に生成させるパターンの一例を示す図である。基準位置ＲＰを設定する場合、パターン制御部５０２は、例えば、少なくとも領域Ｒ１１に含まれるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させる。図１１に示すパターンは、オン状態のマイクロミラーＭｓが、図９に示すオン状態のマイクロミラーＭｓのピッチＰｏｎ１よりも小さいピッチＰｏｎ２で並ぶパターンであるともいえる。なお、パターン制御部５０２は、領域Ｒ１に含まれるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させてもよい。

　図１２は、図１１に示すパターンが生成された領域Ｒ１１に計測光を照射したときに生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示している。図１２に示すように回折光ＤＬ１～ＤＬ５が観察できる。図１１に示すパターンでは、オン状態のマイクロミラーＭｓ同士の間隔が、図９に示すパターンよりも小さいため、発生する回折光の数が、図９に示すパターンにより発生する回折光の数よりも少なくなる。すなわち、図１１に示すパターンにより発生する回折光は、図９に示すパターンにより発生する回折光が分布する間隔ＤＳＴ１（図１０参照）より大きい間隔ＤＳＴ２で分布する。

　本実施形態では、算出部５０５は、図１１に示すパターンによって生じた回折光のうち最も強度が高い回折光ＤＬ１の位置（ピーク位置）を基準位置ＲＰとして設定する。図１１に示すパターンにより生じる回折光に基づいて基準位置ＲＰを設定するのは、ＤＭＤ１０を含むチップＣＨＰの取付部５０１への組み付け状態等による影響を排除するためである。

　本実施形態において、算出部６０２は、基準位置ＲＰと、回折光の強度分布の中心位置ＣＰとの位置関係に基づいて、計測光が照射された領域Ｒ１１におけるオン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出する（オン状態のマイクロミラーＭｓの状態を評価する）。ここで、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度が規格値からずれている（駆動誤差が生じている）場合に得られる回折光の強度分布について説明する。

　図１３は、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度（Ｙ’軸周りの傾斜角度）が規格値から＋０．５°ずれている場合において、図９に示すパターンが形成された領域Ｒ１１に計測光を照射したときに得られる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示している。なお、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度（Ｚ軸周りの回転角度）は規格値であるものとする。上述したように、瞳において回折光が生じる位置は、オン状態のマイクロミラーＭｓのピッチＰｏｎ１と、光源５０３が出射する光の波長と、に依存するので、図１３に示す回折光の位置は、図１０に示す回折光の位置と同一である。しかしながら、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値から＋０．５°ずれているため、その強度分布が図１０に示す強度分布から矢印で示す方向にシフトしている。

　図１４は、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値から－０．５°ずれている場合において、図９に示すパターンが形成された領域Ｒ１１に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示している。なお、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度は規格値であるものとする。上述したように、瞳において回折光が生じる位置は、オン状態のマイクロミラーＭｓのピッチＰｏｎ１と、光源５０３が出射する計測光の波長と、に依存するので、図１４に示す回折光の位置は、図１０に示す回折光の位置と同一である。しかしながら、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値から－０．５°ずれているため、その強度分布が図１０に示す強度分布から矢印で示す方向にシフトしている。

　図１５は、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値から＋２°ずれている場合において、図９に示すパターンが形成された領域Ｒ１１に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示している。なお、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度は規格値であるものとする。上述したように、瞳において回折光が生じる位置は、オン状態のマイクロミラーＭｓのピッチＰｏｎ１と、光源５０３が出射する計測光の波長と、に依存するので、図１５に示す回折光の位置は、図１０に示す回折光の位置と同一である。しかしながら、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値から＋２°ずれているため、その強度分布が図１０に示す強度分布から矢印で示す方向にシフトしている。

　図１６は、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値から－２°ずれている場合において、図９に示すパターンが形成された領域Ｒ１１に計測光を照射したときに得られる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示している。なお、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度は規格値であるものとする。上述したように、瞳において回折光が生じる位置は、オン状態のマイクロミラーＭｓのピッチＰｏｎ１と、光源５０３が出射する計測光の波長と、に依存するので、図１６に示す回折光の位置は、図１０に示す回折光の位置と同一である。しかしながら、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値から－２°ずれているため、その強度分布が図１０に示す強度分布から矢印で示す方向にシフトしている。

　このように、θｙ’角度及びθｚ角度が規格値からずれることによって、瞳における回折光の強度分布の中心位置ＣＰが変化する。すなわち、θｙ’角度の規格値からのずれ（駆動誤差Δθｙ’とする）及びθｚ角度の規格値からのずれ（駆動誤差Δθｚとする）によって強度分布の中心位置ＣＰと基準位置ＲＰとの位置関係が変化する。

　そこで、算出部５０５は、具体的には、算出部５０５は、オン状態のマイクロミラーＭｓがピッチＰｏｎ１で並ぶＤＭＤ１０からの回折光の強度分布の画像と、オン状態のマイクロミラーがピッチＰｏｎ１よりも小さいピッチＰｏｎ２で並ぶＤＭＤ１０からの回折光の画像と、を使用して、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度（θｙ’角度、θｚ角度）を算出する。

　より詳細には、算出部５０５は、オン状態のマイクロミラーＭｓがピッチＰｏｎ１で並ぶＤＭＤ１０からの回折光の強度分布の画像から強度分布の中心位置ＣＰを取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓがピッチＰｏｎ１より小さいピッチＰｏｎ２で並ぶＤＭＤ１０からの回折光のピーク位置から基準位置ＲＰを取得し、強度分布の中心位置ＣＰと、基準位置ＲＰとの関係を取得する。

　そして、算出部５０５は、例えば、シミュレーション等によって予め作成しておいた、駆動誤差Δθｙ’及び駆動誤差Δθｚの組み合わせに対して基準位置ＲＰと強度分布の中心位置との関係を示すマップに、取得した基準位置ＲＰと強度分布の中心位置ＣＰとの関係を当てはめることにより、マイクロミラーＭｓの角度（θｙ’角度、θｚ角度）を算出する。なお、算出部５０５は、シミュレーション等によって導かれた駆動誤差Δθｙ’、駆動誤差Δθｚ、及び基準位置ＲＰと強度分布の中心位置ＣＰとの関係を示す式を利用してマイクロミラーＭｓの角度（θｙ’角度、θｚ角度）を算出してもよい。

　このように算出されたマイクロミラーＭｓの角度（θｙ’角度、θｚ角度）に基づいて、露光装置ＥＸ（光学装置）において、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（３）ＤＭＤ１０の設置状態の調整、（４）オン状態のマイクロミラーのＭｓの傾斜角度（θｙ’角度）の調整の少なくとも１つを行う。マイクロミラーのＭｓの傾斜角度（θｙ’角度）の調整は、マイクロミラーＭｓに印加する電圧を調整することにより行うことができる。例えば、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値からずれている場合、マイクロミラーＭｓに印加する電圧を調整することで、マイクロミラーＭｓの実際のθｙ’角を調整することができる。また、マイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値からずれている場合、照明ユニットＩＬＵの例えば傾斜ミラー１１２の傾斜角度を調整して照明光のＤＭＤ１０への入射角度を調整することで、駆動誤差Δθｚを補正することができる。これにより、露光装置ＥＸにおいて、ＤＭＤ１０により生成されたパターンによる像の結像性能を向上させることができる。

　以上、詳細に説明したように、第１実施形態によれば、計測装置５００は、オン状態の複数の傾斜可能なマイクロミラーＭｓが配置されたＤＭＤ１０に計測光を入射させ、ＤＭＤ１０からの回折光を撮像部５０４により受光し、受光した回折光と、基準位置ＲＰとの関係に基づいて、マイクロミラーＭｓのオン状態を評価する。具体的には、計測装置５００は、回折光の強度分布と、基準位置ＲＰとに基づいて、マイクロミラーＭｓのオン状態を評価する。回折光の強度分布と、基準位置ＲＰとを使用することで、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度とθｚ角度とを把握することができるので、オン状態のマイクロミラーＭｓの状態を高精度に把握することができる。

　また、第１実施形態によれば、計測装置５００は、ＤＭＤ１０が備える複数のマイクロミラーＭｓが配置された領域Ｒ１１のうち少なくとも領域Ｒ１１に含まれるマイクロミラーＭｓの一部をオン状態にしてパターンを生成することと、領域Ｒ１１に計測光を照射することと、領域Ｒ１１に計測光を照射したときの上記パターンによる回折光の瞳における強度分布を取得することと、強度分布に基づいて、オン状態のミラーの角度を算出することと、を実行する。これにより、オン状態のミラーのθｙ’角度とθｚ角度とを高精度に算出することができる。

（変形例１）
　上記第１実施形態では、例えば領域Ｒ１１に含まれるマイクロミラーＭｓを全てオン状態にしたときに生じる回折光のピーク位置を基準位置ＲＰとして決定したが、これに限られるものではない。図１７は、ＤＭＤ１０が生成したパターンによる回折光の瞳における強度分布の画像の一例を示す図である。

　図１７に示す画像では、オン状態のマイクロミラーＭｓによって生じる回折光ＤＬｏｎの強度分布とともに、オフ状態のマイクロミラーＭｓによって生じる回折光ＤＬｏｆｆ１～ＤＬｏｆｆ７も撮像されている。すなわち、回折光ＤＬｏｆｆ１～ＤＬｏｆｆ７は、オン状態のマイクロミラーＭｓの傾斜角度とは異なる角度で傾斜したマイクロミラーＭｓ（オフ状態のマイクロミラー）を含む領域Ｒ１１からの回折光である。

　このような画像が取得できる場合、回折光ＤＬｏｆｆ１～ＤＬｏｆｆ７を基準位置とし、これらの基準位置と強度分布の中心位置ＣＰとの関係に基づいて、マイクロミラーＭｓの角度を算出してもよい。この場合、領域Ｒ１１に含まれるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にしたパターンを生成して基準位置ＲＰを求めなくてもよいので、マイクロミラーＭｓの傾斜角度の算出にかかる時間を短縮できる。

（変形例２）
　上記第１実施形態では、瞳における回折光の強度分布を得るために、ＤＭＤ１０の少なくとも領域Ｒ１１において、Ｘ’軸方向において所定の間隔でマイクロミラーＭｓをオン状態にし、かつ、Ｙ’軸方向において所定の間隔でマイクロミラーＭｓをオン状態にしたパターンを生成したが、これに限られるものではない。

　図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）は、オン状態のマイクロミラーＭｓの傾斜角度を計測するときに、ＤＭＤ１０に生成させるパターンの別例を示す図である。変形例２では、ＤＭＤ１０に２つのパターンを生成させ、それぞれのパターンによる回折光の強度分布から、強度分布の中心を求める。

　まず、パターン制御部５０２は、図１８（Ａ）に示すように、少なくとも領域Ｒ１１において、Ｘ’軸方向に所定ピッチで、Ｙ’軸方向において隣り合うマイクロミラーＭｓをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させる。また、パターン制御部５０２は、図１８（Ｂ）に示すように、少なくとも領域Ｒ１１において、Ｙ’軸方向に所定ピッチで、Ｘ’軸方向において隣り合うマイクロミラーＭｓをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させる。

　図１９及び図２０はそれぞれ、図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示すパターンにより生じる回折光ＤＬｏｎの瞳における強度分布のシミュレーション結果を示している。

　算出部５０５は、図１９に示す強度分布の画像と、図２０に示す強度分布の画像とを組み合わせることにより、強度分布の中心位置を取得する。具体的には、図１９に示す強度分布から強度分布のＸ’軸方向の中心位置を取得し、図２０に示す強度分布から強度分布のＹ’軸方向の中心位置を取得する。これにより、算出部５０５は、基準位置ＲＰと、強度分布の中心位置との位置関係から、オン状態のマイクロミラーＭｓの傾斜角度（θｙ’角度、θｚ角度）を算出することができる。

　なお、上記第１実施形態及びその変形例において、ＤＭＤ１０を照明する計測光の照明ＮＡの条件を変えて、各条件において回折光の強度分布を取得し、マイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。すなわち、照明ＮＡが異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。これにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。

　また、上記第１実施形態及びその変形例において、ＤＭＤ１０を照明する計測光の波長の条件を変えて、各条件において回折光の強度分布を取得し、マイクロミラーＭｓの傾斜角度を算出することが好ましい。すなわち、ＤＭＤ１０を照明する計測光の波長が異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。この場合、光源５０３がＤＭＤ１０に計測光として波長が互いに異なる複数の計測光を入射させてもよいし、計測装置５００は、ＤＭＤ１０に計測光として波長が互いに異なる複数の計測光をそれぞれ入射させる複数の光源５０３を備えていてもよい。これにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。

　また、上記第１実施形態及びその変形例において、ＤＭＤ１０に複数のパターンを生成させ、各パターンによる回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。すなわち、ＤＭＤ１０が生成するパターンが異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。これにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。例えば、第１実施形態で説明したパターンによる回折光の強度分布と、変形例２で説明したパターンによる回折光の強度分布とに基づいて、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することで、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。

《第２実施形態》
　上記第１実施形態では、計測装置５００を用いてＤＭＤ１０が備えるマイクロミラーＭｓの傾斜角度（θｙ’角度、θｚ角度）を計測していたが、露光装置ＥＸにおいてオン状態のマイクロミラーＭｓの角度（θｙ’角度、θｚ角度）を計測してもよい。

　図２１は、露光装置ＥＸにおいて、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測する構成を概略的に示す図である。

　露光装置ＥＸでは、上述した照明ユニットＩＬＵによってＤＭＤ１０に光を照射する。第２実施形態では、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するためにＤＭＤ１０に照射する光を計測光とし、ＤＭＤ１０が生成したパターンを露光により基板Ｐに形成するためにＤＭＤ１０に照射する光を照明光と呼ぶものとする。

　ＤＭＤ１０が生成したパターンにより生じる回折光の強度分布の画像は、露光装置ＥＸの基板ホルダ４Ｂ上の端部に付設された較正用基準部ＣＵに設けられる光学計測部ＯＭＵ（取得装置）によって取得される。

　図２２は、図１に示した露光装置ＥＸの基板ホルダ４Ｂ上の端部に付設された較正用基準部ＣＵに設けられる光学計測部ＯＭＵの概略構成を示す図である。図２２では、ＤＭＤ１０からの反射光Ｓａが投影ユニットＰＬＵの像面側のレンズ群Ｇ４、Ｇ５を通して、ベストフォーカス面（最良結像面）ＩＰｏに結像され、反射光Ｓａの主光線Ｌａは光軸ＡＸａと平行になっているものとする。

　光学計測部ＯＭＵは、較正用基準部ＣＵの上面に取り付けられたピンホール板３４０と、投影ユニットＰＬＵから投影されたＤＭＤ１０からの反射光（回折光）Ｓａを、ピンホール板３４０を介して入射して、投影ユニットＰＬＵの瞳Ｅｐの像（瞳Ｅｐ内での回折光の強度分布）を形成する対物レンズ３４２と、瞳Ｅｐの像を撮像するＣＣＤＤ又はＣＭＯＳによる撮像素子３４４とを備える。すなわち、光学計測部ＯＭＵの撮像素子３４４の撮像面は、投影ユニットＰＬＵの瞳Ｅｐの位置と共役な関係になっている。

　図２１に示すように、露光装置ＥＸは、露光装置ＥＸの各構成を制御する制御装置ＣＮＴを有している。制御装置ＣＮＴは、パターン制御部６０１、算出部６０２、及び駆動制御部６０３等を備える。

　パターン制御部６０１は、ＤＭＤ１０が備えるマイクロミラーＭｓのオン状態とオフ状態とを制御して、ＤＭＤ１０にパターンデータ（描画データ）に基づくパターンを生成させる。算出部６０２は、光学計測部ＯＭＵが備える撮像素子３４４が撮像した回折光の強度分布の画像に基づいて、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出する。

　駆動制御部６０３は、算出部６０２が算出したマイクロミラーＭｓの角度又は撮像素子３４４が撮像した回折光の強度分布に基づいて、露光装置ＥＸの各部を制御する。具体的には、駆動制御部６０３は、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（３）ＤＭＤ１０の位置または角度の調整、及び（４）マイクロミラーＭｓのオン状態の傾斜角度（θｙ’角度）の調整、の少なくとも１つを行う。

　また、駆動制御部６０３は、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するときに、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、及び（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整の少なくとも一方を行う。具体的には、照明ユニットＩＬＵが備える可変開口絞り１０８Ｂを調整することにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するときの面光源の大きさを、基板Ｐに露光によりパターンを形成するときの面光源の大きさよりも小さくする。

　図２３（Ａ）は、第２実施形態において、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するときにパターン制御部６０１がＤＭＤ１０に生成させるパターンの一例を示す図である。図２３（Ａ）に示すようにパターン制御部６０１は、マイクロミラーＭｓが配置された領域のうち、少なくとも、照明ユニットＩＬＵからの計測光が照射される領域に含まれるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にする。パターン制御部６０１は、ＤＭＤ１０が備えるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にしてもよい。

　図２３（Ｂ）～図２３（Ｄ）は、図２３（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示している。図２３（Ｂ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度を１１．６°とし、照明ユニットＩＬＵからＤＭＤ１０への照明光の入射角度を２３．２°としたときのシミュレーション結果であり、図２３（Ｃ）は、θｙ’角度を１２°とし、照明光の入射角度を２４°としたときのシミュレーション結果であり、図２３（Ｄ）は、θｙ’角度を１２。４°とし、照明光の入射角度を２４．８°としたときのシミュレーション結果である。

　本実施形態において、照明ユニットＩＬＵから出射される計測光の照明ＮＡは、第１実施形態において使用した計測光の照明ＮＡよりも大きな値に設定されているため、第１実施形態と異なり、回折光が分離しない。また、オン状態のマイクロミラーＭｓ同士の間のピッチが短いため、回折光の周期が粗くなる。これにより、図２３（Ｂ）～図２３（Ｄ）に示すように、例えば、４つの回折光ＤＬ１～ＤＬ４が瞳Ｅｐの位置に生じる。

　次に、図２４（Ａ）～図２５（Ｃ）を用いて、第２実施形態において、算出部６０２が実行する回折光の強度分布の中心位置の算出方法について説明する。

　図２４（Ａ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度を１１．６°とし、照明ユニットＩＬＵからＤＭＤ１０への照明光の入射角度を２３．２°としたときに、図２３（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示している。実際には、瞳Ｅｐを定義する可変開口絞り１１９の遮光部１１９ｂによって、回折光ＤＬ１～ＤＬ４の一部は遮光されるため、撮像素子３４４では、図２４（Ｂ）に示すような強度分布の画像が得られる。したがって、実際の画像では、照明ＮＡの形状が見えるだけである。照明ＮＡの形状が回折されて４つの円（回折光）となっているため、算出部６０２は、照明ＮＡの形状に基づいて、回折光ＤＬ１～ＤＬ４それぞれの光束の外縁をフィッティングする。

　次に、算出部６０２は、回折光ＤＬ１～ＤＬ４それぞれのフィッティング結果から、瞳Ｅｐの位置における回折光の中心位置ＤＰ１～ＤＰ４を決定する（図２４（Ａ）参照）。

　図２４（Ｃ）は、駆動誤差Δθｙ’が無い場合に、Ｘ’軸方向について孤立した１列（又は単体）のマイクロミラーＭｓからの反射光Ｓａによる瞳Ｅｐにおける光束（ここでは０次回折光）Ｉｓの理論上の点像強度分布Ｉｅａを模式的に表したグラフである。図２４（Ｃ）のグラフにおいて、横軸は０次回折光の光軸の位置を原点としたＸ’（又はＹ’）方向の座標位置を表し、縦軸は光強度Ｉｅを表す。図２４（Ｃ）において、Ｉｏは光強度Ｉｅのピーク値を表し、孤立した１列（又は単体）のマイクロミラーＭｓａからの反射光Ｓａによるピーク値Ｉｏの位置は、Ｘ’（又はＹ’）方向の原点０、即ち０次回折光の光軸の位置と一致している。

　ここで、マイクロミラーＭｓの傾斜角度が駆動誤差Δθｙ’を有する場合、図２５（Ａ）に示すように、点像強度分布Ｉｅａの中心位置は０次回折光の光軸の位置からＸ’軸方向にΔＤｘだけシフトしたものとなる。シフト量ΔＤｘは、オン状態のマイクロミラーＭｓの駆動誤差Δθｙ’の大きさに対応したものになる。

　そこで、算出部６０２は、上述した性質を利用してマイクロミラーＭｓの角度を算出する。まず、算出部６０２は、回折光の中心位置ＤＰ１～ＤＰ４における光強度を、強度分布の画像から取得する。例えば、図２５（Ｂ）に示すように、算出部６０２は、中心位置ＤＰ１における光強度Ｉ＿ＤＰ１と、中心位置ＤＰ３における光強度Ｉ＿ＤＰ３とを取得する。

　ここで、例えば、回折光の中心位置ＤＰ１と中心位置ＤＰ３との距離は、回折光ＤＬ１の回折角と回折光ＤＬ３の回折角との角度差に対応する。すなわち、図２５（Ａ）のＸ’座標は、回折光の角度に対応する。

　算出部６０２は、回折光ＤＬ１の回折角と回折光ＤＬ３の回折角との角度差と、回折光ＤＬ１の光強度Ｉ＿ＤＰ１と、回折光ＤＬ３の光強度Ｉ＿ＤＰ３とに基づいて、図２５（Ｃ）において点線で示すように、回折光の点像強度分布を示す式を図２５（Ｂ）に当てはめて、点像強度分布においてピーク値Ｉｏが存在する位置を取得する。言い換えると、算出部６０２は、図２３（Ａ）に示すパターンにより生じる少なくとも２つの回折光の回折角から算出される角度差と、少なくとも２つの回折光の光強度と、に応じて、図２３（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布の頂点を算出する。なお、少なくとも２つの回折光の回折角から算出される角度差は、照明ＮＡの形状が回折された回折光の外縁（形状）をフィッティングし、当該フィッティング結果から回折光の中心を決定することにより求まるので、ＤＭＤ１０を照明する照明ＮＡの形状により算出されるとも言える。なお、図２５（Ｃ）の例では、回折光ＤＬ１は０次回折光であり、回折光ＤＬ３は＋１次回折光であるが、回折光ＤＬ１及び回折光ＤＬ３の次数は、これに限られるものではない。

　次に、算出部６０２は、点像強度分布においてピーク値Ｉｏが存在する位置と、中心位置ＤＰ１（０次回折光の位置）とのずれ量ΔＤｘを算出する。また、同様にして、Ｙ’軸方向においてもピーク値が存在する位置と、０次回折光の位置とのずれ量ΔＤｙを算出する。ΔＤｘ及びΔＤｙは、マイクロミラーＭｓの傾斜角度の駆動誤差Δθｙ’及びΔθｚに応じた値となっているため、算出部６０２は、ずれ量ΔＤｘから、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することができる。

　駆動制御部６０３は、例えば、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値からずれている場合、マイクロミラーＭｓに印加する電圧を調整することで、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度を調整し、駆動誤差Δθｙ’を補正することができる。また、駆動制御部６０３は、マイクロミラーＭｓのθｚ角度が規格値からずれている場合、照明ユニットＩＬＵの例えば傾斜ミラー１１２の傾斜角度を調整して照明光のＤＭＤ１０への入射角度を調整することで、駆動誤差Δθｚを補正することができる。

　以上、詳細に説明したように、第２実施形態によれば、露光装置ＥＸは、２次元配列された複数の傾斜可能なマイクロミラーＭｓを含むＤＭＤ１０と、ＤＭＤ１０に照明光を照射する照明ユニットＩＬＵと、ＤＭＤ１０からの光を基板に照射する投影ユニットＰＬＵと、ＤＭＤ１０からの回折光の強度分布を取得する光学計測部ＯＭＵと、制御装置ＣＮＴとを含む。制御装置ＣＮＴ（駆動制御部６０３）は、回折光の強度分布に基づいて、照明ユニットＩＬＵまたは投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、ＤＭＤ１０の位置または角度の調整、及びマイクロミラーＭｓのオン状態の傾斜角度の調整の少なくとも１つを行う。これにより、基板ＰにＤＭＤ１０により生成されたパターンを露光により形成する場合に、ＤＭＤ１０に生成されたパターンによる像の基板Ｐへの結像性能を向上させることができる。

　なお、上記第２実施形態において、ＤＭＤ１０を照明する計測光の照明ＮＡの条件を変えて、各条件において回折光の強度分布を取得し、マイクロミラーＭｓの傾斜角度を算出することが好ましい。すなわち、照明ＮＡが異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。これにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。後述する変形例でも同様である。

　また、上記第２実施形態において、ＤＭＤ１０を照明する計測光の波長の条件を変えて、各条件において回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。すなわち、計測光の波長が異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。これにより、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出精度を向上することができる。後述する変形例でも同様である。

　なお、上記第２実施形態において、照明ユニットＩＬＵが備える可変開口絞り１０８Ｂによって計測光の照明ＮＡを小さくすることにより、第１実施形態及びその変形例で説明した方法によってオン状態のマイクロミラーＭｓの傾斜角を算出するようにしてもよい。この場合、瞳Ｅｐの外縁を基準位置とすることができる。瞳Ｅｐの外縁とは、瞳Ｅｐを規定する可変開口絞り１１９の開口部１１９ａと遮光部１１９ｂとの境界位置である。なお、例えば、瞳Ｅｐの中心を基準位置としてもよい。基準位置は、第１実施形態及びその変形例で用いた、回折光のピーク位置でもよい（図１２参照）。このとき、駆動制御部６０３は、強度分布の中心位置が瞳Ｅｐの中心又は回折光のピーク位置に近づくように、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（３）ＤＭＤ１０の位置及び角度の調整、（４）オン状態のマイクロミラーのＭｓの傾斜角度（θｙ’角度）の調整の少なくとも１つを行ってもよい。

　また、上記第２実施形態において、駆動制御部６０３は、算出部６０２が算出したマイクロミラーＭｓの角度に代えて、点像強度分布においてピーク値Ｉｏが存在する位置に基づいて、照明ユニットＩＬＵまたは投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、ＤＭＤ１０の位置または角度の調整、及びマイクロミラーＭｓのオン状態の傾斜角度の調整の少なくとも１つを行ってもよい。例えば、駆動制御部６０３は、点像強度分布においてピーク値Ｉｏが存在する位置と、０次回折光の位置とが一致するように、上述の調整のうち少なくとも１つを行ってもよい。

（変形例１）
　上記第２実施形態では、照明ユニットＩＬＵからの計測光が照射される領域に含まれるマイクロミラーＭｓの全てをオン状態にしたパターンを生成したが、これに限られるものではない。図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）は、パターン制御部６０１がＤＭＤ１０に生成させるパターンの別例を示す図である。パターン制御部６０１は、図２６（Ａ）に示すように、Ｘ’軸方向に所定間隔で、Ｙ’軸方向において隣り合うマイクロミラーＭｓをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させる。また、パターン制御部６０１は、図２６（Ｂ）に示すように、Ｙ’軸方向に所定間隔で、Ｘ’軸方向において隣り合うマイクロミラーＭｓをオン状態にしたパターンをＤＭＤ１０に生成させる。

　図２７（Ａ）～図２７（Ｃ）は、図２６（Ａ）に示すパターンにより生じる回折光の瞳における強度分布のシミュレーション結果を示す。図２７（Ａ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値よりも－０．４°ずれていた場合のシミュレーション結果であり、図２７（Ｂ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値である場合のシミュレーション結果であり、図２７（Ｃ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値から＋０．４°ずれていた場合のシミュレーション結果を示している。なお、マイクロミラーＭｓのθｚ角度は規格値である。計測光の照明ＮＡは、第１実施形態における計測光の照明ＮＡよりも大きく設定されている。

　図２７（Ｂ）に示すように、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値である場合、回折光の強度分布は瞳ＥｐのＸ’軸方向における中心について対称となっている。すなわち、図２７（Ｂ）において、瞳Ｅｐ内の左側の強度分布と右側の強度分布とがほぼ等しくなっている。

　一方、図２７（Ａ）及び図２７（Ｃ）に示すように、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値からずれている場合、Ｘ’軸方向における回折光の強度分布が非対称となり、規格値からのずれ量に応じて、非対称性の度合い（傾向）が変化していることがわかる。

　また、図２８（Ａ）～図２８（Ｃ）は、図２６（Ｂ）に示すパターンにより生じる回折光の強度分布のシミュレーション結果を示す。図２８（Ａ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値よりも－０．４°ずれていた場合のシミュレーション結果であり、図２８（Ｂ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値である場合のシミュレーション結果であり、図２８（Ｃ）は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値から＋０．４°ずれていた場合のシミュレーション結果を示している。なお、マイクロミラーＭｓのθｚ角度は規格値である。計測光の照明ＮＡは、第１実施形態における計測光の照明ＮＡよりも大きく設定されている。

　図２８（Ｂ）に示すように、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値である場合、回折光の強度分布は、瞳ＥｐのＹ’軸方向における中心について対称となっている。すなわち、図２８（Ｂ）において、瞳Ｅｐ内において上側の強度分布と下側の強度分布とがほぼ等しくなっている。

　一方、図２８（Ａ）及び図２８（Ｃ）に示すように、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値からずれている場合、Ｙ’軸方向における回折光の強度分布が非対称となり、規格値からのずれ量に応じて、非対称性の度合い（傾向）が変化していることがわかる。

　図２９は、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が、規格値－０．６°、規格値、規格値＋０．６°だった場合の、瞳Ｅｐ内のＸ’軸方向における強度比（瞳Ｅｐ内の右側の強度／瞳Ｅｐ内の左側の強度）と、瞳Ｅｐ内のＹ’軸方向における強度比（瞳Ｅｐ内の上側の強度／瞳Ｅｐ内の下側の強度）と、を示すグラフである。図２９に示すように、マイクロミラーＭｓのθｙ’角度が規格値の場合、強度比は約１となるが、規格値からのずれ量及びずれの方向に応じて、強度比が変化していることがわかる。θｚ角度が規格値からずれた場合にも、強度分布に非対称性が現れる。

　したがって、算出部６０２は、非対称性の度合い（傾向）、すなわち、回折光の強度比に基づいて、仮想的な光強度分布の頂点を算出することができる。そして、算出部６０２は、例えば瞳Ｅｐの中心を基準位置として、仮想的な光強度分布の頂点の位置と基準位置との位置関係から、マイクロミラーＭｓの角度を算出することができる。

　なお、変形例１において、駆動制御部６０３は、算出されたマイクロミラーＭｓの角度に基づいてではなく、Ｘ’軸方向における回折光の強度分布及びＹ’軸方向における回折光の強度分布がそれぞれ対称となるように、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、及び（３）オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の調整の少なくとも１つを行ってもよい。または、駆動制御部６０３は、算出された仮想的な光強度分布の頂点が例えば瞳Ｅｐの中心と一致するように、（１）照明ユニットＩＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、（２）投影ユニットＰＬＵ内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度の調整、及び（３）オン状態のマイクロミラーＭｓの角度の調整の少なくとも１つを行ってもよい。

　また、上記第２実施形態及びその変形例では、照明ユニットＩＬＵが出射した計測光をＤＭＤ１０に照射して、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測していたが、照明ユニットＩＬＵとは別に計測光を出射する光源を設けてもよい。

　図３０（Ａ）及び図３０（Ｂ）は、露光装置ＥＸにおいて、ＯＮ状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測する構成の別例を示す図である。

　図３０（Ａ）に示すように、照明ユニットＩＬＵとは別の光源ＬＳ１を設けて、光源ＬＳ１が出射した計測光をＤＭＤ１０に照射することで、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測してもよい。また、図３０（Ａ）では、照明ユニットＩＬＵと同じ方向から計測光をＤＭＤ１０に照射していたが、図３０（Ｂ）に示すように、照明ユニットＩＬＵと異なる方向から計測光をＤＭＤ１０に照射してもよい。

　図３０（Ｂ）では、例えば、オフ状態のマイクロミラーＭｓによる回折光の強度分布が得られるように光源ＬＳ１を設置してもよい。この場合、オフ状態のマイクロミラーＭｓの角度の駆動誤差を計測することができる。

　このように別の光源ＬＳ１を設けた場合にも、第１実施形態及びその変形例並びに第２実施形態その変形例で説明した方法のいずれかによって、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することができる。このとき、光源ＬＳ１は、第１実施形態で説明したように、互いに波長が異なる複数の計測光をＤＭＤ１０に入射させ、算出部６０２は、ＤＭＤ１０を照明する計測光の波長が異なる２つ以上の条件の各々について回折光の強度分布を取得し、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することが好ましい。

　また、上記第２実施形態およびその変形例では、較正用基準部ＣＵに設けられる光学計測部ＯＭＵが備える撮像素子３４４を用いて回折光の強度分布を取得していたが、較正用基準部ＣＵとは別に撮像装置を配置して、回折光の強度分布を取得するようにしてもよい。

　また、上記第２実施形態及びその変形例では、投影ユニットＰＬＵを介した回折光の強度分布を取得していたが、ＤＭＤ１０の近傍に撮像素子（取得装置）を設けて、投影ユニットＰＬＵを介さずに、回折光の強度分布の画像を取得するようにしてもよい。その場合、ＤＭＤ１０と撮像素子との間に図８（Ａ）に示すようにレンズを設けてもよいし、図８（Ｂ）に示すようにレンズを設けなくてもよい。

　なお、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するときにＤＭＤ１０に生成させるパターンは、上記第１及び第２実施形態並びにその変形例で示したパターンに限られるものではない。オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を計測するときに、ＤＭＤ１０に生成させるパターンは、回折光の強度分布が得られるものであればよく、例えば、図３１（Ａ）に示す市松パターンや、図３１（Ｂ）に示すような斜め方向にマイクロミラーＭｓをオン状態にするパターンであってもよい。

　また、上記第１及び第２実施形態並びにその変形例では、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓが配置された領域Ｒ１のうち一部の領域Ｒ１１についてマイクロミラーＭｓの傾斜角度を計測していたが、これに限られるものではない。例えば、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓが配置された領域Ｒ１のうち複数の領域（例えば、領域Ｒ１を４分割した領域）において、マイクロミラーＭｓの傾斜角度をそれぞれ計測してもよい。この場合において、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を領域ごとに変更可能である場合には、各領域におけるオン状態のマイクロミラーＭｓの角度の算出結果に基づいて、オン状態にするマイクロミラーＭｓに印加する電圧を領域ごとに変更して、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を領域ごとに制御するようにしてもよい。また、照明光の入射角度を領域ごとに変更するようにしてもよい。また、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓが配置された領域Ｒ１全体について、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出してもよい。

　また、上記第１及び第２実施形態並びにその変形例では、オン状態のマイクロミラーＭｓのθｙ’角度とθｚ角度とを算出していたが、θｙ’角度とθｚ角度とのうちいずれか一方のみを算出してもよい。

　また、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を定期的に計測し、規格値からのずれ量とその履歴とから、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓの固着や故障予測を行うようにしてもよい。

　また、上記第１及び第２実施形態並びにその変形例において、ＤＭＤ１０のマイクロミラーＭｓは、対角線と平行な軸周りに回転することによってオン状態またはオフ状態に遷移していたが、これに限られるものではない。マイクロミラーＭｓは、辺と平行な軸周りに回転することで、オン状態又はオフ状態に遷移してもよい。マイクロミラーＭｓの回転軸が上記第１及び第２実施形態並びにその変形例と異なる場合でも、上述した方法により、オン状態のマイクロミラーＭｓの角度を算出することができる。

　また、上記第１及び第２実施形態並びにその変形例において、ＤＭＤ１０の複数のマイクロミラーＭｓは、例えば、図５（Ａ）に示すように千鳥配置されていたが、図３２（Ａ）に示すように、正方配置されていてもよい。この場合でも、図３２（Ｂ）に示すように、マイクロミラーは、対角線と平行な軸ＲＡＸ周りに回転することによってオン状態またはオフ状態に遷移することができる。

　上述した実施形態及び変形例は本発明の好適な実施の例である。但し、これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施可能である。また、実施形態及び変形例は、適宜、互いに組み合わせることができる。

　　４Ｂ　基板ホルダ
　　１０　ＤＭＤ
　　１０８　オプティカルインテグレータ
　　１０８Ｂ　可変開口絞り
　　１１９　可変開口絞り
　　１１９ａ　開口部
　　１１９ｂ　遮光部
　　５００　計測装置
　　５０３　光源
　　６０３　駆動制御部
　　ＣＨＰ　チップ
　　ＣＮＴ　制御装置
　　ＥＸ　露光装置
　　ＩＬｍ　照明光
　　ＩＬＵ　照明ユニット
　　ＬＳ１　光源
　　Ｍｓ　マイクロミラー
　　ＯＭＵ　光学計測部
　　Ｐ　基板
　　ＰＬＵ　投影ユニット

Claims

　第１状態の複数の傾斜可能なミラーが配置された空間光変調器に計測光を入射させることと、
　前記空間光変調器からの光を受光することと、
　前記受光した光と、基準位置との関係に基づいて、前記第１状態を評価することと、
を含む方法。
　前記光は、回折光であり、
　前記第１状態を評価することは、前記回折光の強度分布と、前記基準位置とに基づいて、前記第１状態を評価することを含む、
請求項１に記載の方法。
　前記第１状態の前記複数の傾斜可能なミラーは、第１角度に傾斜した複数の傾斜可能なミラーであり、
　前記第１状態を評価することは、前記第１角度を算出することを含む、
請求項２に記載の方法。
　前記第１状態の前記複数の傾斜可能なミラーは、第１角度に傾斜し、かつ、前記空間光変調器に含まれる複数の傾斜可能なミラーが配列された面に垂直な軸に対して第１回転角度回転した複数の傾斜可能なミラーであり、
　前記第１状態を評価することは、前記第１角度および前記第１回転角度を算出することを含む、
請求項２に記載の方法。
　前記基準位置は、前記空間光変調器からの回折光のピーク位置を含む、
請求項３または請求項４に記載の方法。
　前記回折光の前記強度分布は、第１間隔で分布する回折光の強度分布であり、
　前記基準位置とする前記回折光は、前記第１間隔より大きい第２間隔で分布する回折光である、
請求項５に記載の方法。
　前記基準位置とする前記回折光は、前記複数の傾斜可能なミラーが配置された第１領域のうち、前記第１角度とは異なる第２角度に傾斜した傾斜可能なミラーを含む第２領域からの回折光である、
請求項６に記載の方法。
　前記回折光の前記強度分布および前記基準位置とする前記回折光は、オン状態の傾斜可能なミラーが第１ピッチで並び、オフ状態の傾斜可能なミラーが前記第１ピッチより小さい第２ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光により得られる、
請求項７に記載の方法。
　前記基準位置とする前記回折光は、オン状態の傾斜可能なミラーからの回折光である、
請求項６に記載の方法。
　前記回折光の前記強度分布は、前記オン状態の傾斜可能なミラーが第１ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光により得られ、
　前記基準位置とする前記回折光は、前記オン状態の傾斜可能なミラーが前記第１ピッチより小さい第２ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光により得られる、
請求項９に記載の方法。
　前記基準位置とする前記回折光の前記ピーク位置は、前記空間光変調器からの複数の回折光のピーク位置を含む、
請求項５から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
　空間光変調器を含む光学装置の調整方法であって、
　請求項１または請求項２に記載の方法によって評価した前記第１状態に基づいて、前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットまたは前記空間光変調器からの光を投影する投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の設置状態、及び前記空間光変調器の複数の傾斜可能なミラーのオン状態の傾斜角度の少なくとも１つを調整すること、
を含む調整方法。
　空間光変調器を含む光学装置の調整方法であって、
　請求項３から請求項１１のいずれか一項に記載の方法によって算出した前記第１角度に基づいて、前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットまたは前記空間光変調器からの光を投影する投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の設置状態、及び前記空間光変調器の複数の傾斜可能なミラーのオン状態の傾斜角度の少なくとも１つを調整すること、
を含む調整方法。
　前記光学装置は、前記照明ユニットと、前記投影ユニットと、前記空間光変調器とを含む露光装置である、
請求項１２または請求項１３に記載の調整方法。
　前記光学装置は、
　　前記空間光変調器に前記計測光を入射させる、前記照明ユニットとは異なる光源と、
　　レンズを介さずに前記光を受光する取得装置と、
を含む、請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の調整方法。
　前記光学装置は、
　　前記空間光変調器に前記計測光を入射させる、前記照明ユニットとは異なる光源と、
　　レンズを介して前記光を受光する取得装置と、
を含む、請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の調整方法。
　前記光学装置は、前記空間光変調器に前記計測光として波長が互いに異なる複数の計測光を入射させる、前記照明ユニットとは異なる光源を含む、
請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の調整方法。
　２次元配列された複数の傾斜可能なミラーを含む空間光変調器と、
　前記空間光変調器に照明光を照射する照明ユニットと、
　前記空間光変調器からの光を露光対象に照射する投影ユニットと、
　前記空間光変調器からの前記光の強度分布を取得する取得装置と、
　制御装置と、
を含み、
　前記複数の傾斜可能なミラーのうちのオン状態のミラーに照射された前記照明光は、前記投影ユニットに入射し、
　前記制御装置は、前記強度分布に基づいて、前記照明ユニットまたは前記投影ユニット内の少なくとも１つの光学部材の位置または角度、前記空間光変調器の位置または角度、及び前記複数の傾斜可能なミラーのうちのオン状態のミラーの傾斜角度の少なくとも１つの調整を行う、
露光装置。
　前記制御装置は、前記強度分布のピーク位置と、基準位置との位置関係に基づいて、前記調整を行う、
請求項１８に記載の露光装置。
　前記基準位置は、前記空間光変調器からの前記光のピーク位置である、
請求項１９に記載の露光装置。
　前記光の前記強度分布は、前記投影ユニットの瞳に第１間隔で分布する光の強度分布であり、
　前記基準位置とする前記光は、前記瞳に前記第１間隔より大きい第２間隔で分布する光である、
請求項２０に記載の露光装置。
　前記基準位置とする前記光は、オフ状態の前記複数の傾斜可能なミラーからの光である、
請求項２１に記載の露光装置。
　前記取得装置は、前記強度分布をもつ前記光と、前記オフ状態の前記複数の傾斜可能なミラーからの前記光とを含む画像を撮像する、
請求項２２に記載の露光装置。
　前記画像は、前記オン状態の傾斜可能なミラーが第１ピッチで並び、前記オフ状態の傾斜可能なミラーが前記第１ピッチより小さい第２ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光の前記瞳における画像である、
請求項２３に記載の露光装置。
　前記基準位置とする前記光は、前記オン状態の前記複数の傾斜可能なミラーからの光である、
請求項２１に記載の露光装置。
　前記取得装置は、前記強度分布をもつ前記光を含む第１画像と、前記オン状態の前記複数の傾斜可能なミラーからの前記光を含む、前記第１画像とは異なる第２画像を撮像する、
請求項２４に記載の露光装置。
　前記第１画像は、前記オン状態の傾斜可能なミラーが第１ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光の前記瞳における画像であり、
　前記第２画像は、前記オン状態の傾斜可能なミラーが前記第１ピッチより小さい第２ピッチで並ぶ前記空間光変調器からの光の前記瞳における画像である、
請求項２６に記載の露光装置。
　前記取得装置は、撮像面が前記瞳と共役な位置に位置する、
請求項２１から請求項２７のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記投影ユニットは、前記投影ユニットの瞳の位置に位置する絞りを含み、
　前記絞りは、前記空間光変調器からの光を通過させる開口部と、前記光を遮光可能な遮光部とを含み、
　前記基準位置は、前記開口部と前記遮光部との境界位置である、
請求項１９から請求項２８のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記空間光変調器に光を照射する前記照明ユニットと異なる光源を含み、
　前記強度分布をもつ前記光は、前記空間光変調器を介した前記光源からの光である、
請求項１８から請求項２９のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記照明ユニットは、
　　フライアイレンズと、
　　前記フライアイレンズの出射面側に位置し、前記出射面に形成される面光源の形状を規定する絞りと、
を含み、
　前記制御装置は、前記絞りを調整することにより、前記強度分布を取得する際の前記面光源の大きさを、前記露光対象に光を照射する際の前記面光源の大きさよりも小さくする、
請求項１８から請求項３０のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記調整において、前記照明ユニット内の前記少なくとも１つの光学部材の位置または角度を調整することにより、前記空間光変調器への前記照明光の入射角を調整する、
請求項１８から請求項３１のいずれか一項に記載の露光装置。
　前記調整において、前記強度分布の前記ピーク位置が、前記光の前記ピーク位置に近づくように調整する、
請求項２０または請求項２１に記載の露光装置。
　請求項１８～３３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の上に位置する感光層を露光することと、
　露光された前記感光層を現像することと、
を含む電子デバイスの製造方法。