WO2025190016A1 - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置

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WO2025190016A1
WO2025190016A1 PCT/CN2025/076967 CN2025076967W WO2025190016A1 WO 2025190016 A1 WO2025190016 A1 WO 2025190016A1 CN 2025076967 W CN2025076967 W CN 2025076967W WO 2025190016 A1 WO2025190016 A1 WO 2025190016A1
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WO
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substrate
temperature
heating
heating element
liquid
Prior art date
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PCT/CN2025/076967
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English (en)
French (fr)
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刘鼎新
何西登
王晖
吕丕钊
樊昌昊
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ACM Research Shanghai Inc
Original Assignee
ACM Research Shanghai Inc
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Filing date
Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0408—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
    • H10P72/0602—Temperature monitoring

Definitions

  • the present application relates to the field of semiconductor manufacturing technology, and in particular to a substrate processing device.
  • Integrated circuit manufacturing involves processes such as photolithography, etching, deposition, chemical mechanical polishing (CMP), and cleaning.
  • Cleaning designed to remove various contaminants generated during substrate processing, is the most frequently used process in IC manufacturing, operating throughout the entire IC manufacturing process.
  • Contaminants are any substances introduced during IC manufacturing that can compromise chip yield and electrical performance. These contaminants include particles, organic matter, metals, and native oxide layers.
  • Semiconductor cleaning technologies are primarily categorized into wet cleaning and dry cleaning processes.
  • the substrate is typically mounted on a rotatable substrate fixture. Chemical solutions and deionized water are then applied to the rotating substrate surface. After the wet etching or cleaning process is complete, the substrate is dried.
  • IPA isopropyl alcohol
  • the present invention proposes a substrate processing device.
  • a substrate processing device comprising:
  • a clamping mechanism configured to clamp the substrate during a process
  • a nozzle mechanism includes a liquid nozzle and a swing arm, wherein the liquid nozzle is configured to distribute liquid to a surface of a substrate placed on a clamping mechanism; the swing arm is configured to supply liquid to the liquid nozzle, and the swing arm can drive the liquid nozzle to reciprocate between the center and the edge of the substrate in a radial direction of the substrate;
  • a rotation drive mechanism configured to drive the clamping mechanism to rotate
  • a heating mechanism configured to heat the substrate clamped by the clamping mechanism
  • the temperature monitoring mechanism includes a first temperature monitoring unit, which is configured to: during the process of the liquid nozzle moving from the center of the substrate to the edge of the substrate along the radial direction of the substrate and continuously spraying liquid onto the surface of the substrate, when the liquid nozzle moves to a certain area above the substrate, monitor the temperature of the liquid film formed in the substrate surface area corresponding to the certain area, and send the temperature to the control mechanism; the control mechanism is configured to receive the temperature and, based on the temperature, regulate the heating temperature of the substrate surface area corresponding to the certain area by the heating mechanism.
  • the temperature monitoring mechanism further includes a second temperature monitoring unit
  • the second temperature monitoring unit is configured to monitor the temperature of the substrate surface area corresponding to the area N and store the monitored temperature.
  • the second temperature monitoring unit is arranged on the swing arm.
  • the temperature monitoring mechanism further includes a third temperature monitoring unit, which is configured to monitor the real-time temperature of various locations on the back of the heating mechanism and transmit the real-time temperature to the control mechanism.
  • control mechanism is configured as follows:
  • the heating mechanism includes a mounting plate and a plurality of heating elements, and the plurality of heating elements are arranged on the mounting plate.
  • the heating element includes an LED lamp bead
  • the LED lamp beads are arranged on the circumference of a plurality of concentric circles with the center of the mounting plate as the center.
  • the plurality of heating elements are divided into a plurality of heating element groups; and the heating power of each heating element group can be independently controlled.
  • the edge heating element is tilted at an angle of 0.1°-60°.
  • the wavelength range of the light emitted by the LED lamp bead is: [200, 380] nm or (650, 2500] nm.
  • control mechanism is configured as follows:
  • the working status of the heating element group can be determined in real time. Once the status is abnormal, an alarm message will be sent to notify the staff to carry out timely maintenance.
  • FIG1 is a schematic diagram showing a three-dimensional structure of a substrate processing device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG2 a shows a schematic top view of a heating mechanism according to an embodiment of the present invention
  • FIG2 b shows a bottom view of the heating mechanism according to an embodiment of the present invention
  • FIG3 shows a schematic structural diagram of a heating mechanism according to Example 2 of the present invention
  • FIG4 is a schematic diagram showing the three-dimensional structure of a substrate processing device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG5 shows a simplified schematic diagram of a substrate processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG6 shows a simplified schematic diagram of a substrate processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG7 shows a schematic structural diagram of a cooling unit according to Example 5 of the present invention.
  • FIG8 is a schematic structural diagram showing a sealing ring provided between the cooling portion and the mounting plate according to embodiment 5 of the present invention.
  • FIG9 shows a schematic structural diagram of a cooling unit according to another embodiment of the present invention.
  • FIG10 shows a schematic structural diagram of a heating mechanism according to Example 6 of the present invention.
  • the present invention provides a substrate processing device, which includes a clamping mechanism 200 , a rotation driving mechanism 300 , a heating mechanism 400 , a nozzle mechanism 500 , a temperature monitoring mechanism, and a control mechanism 800 .
  • the clamping mechanism 200 is used to clamp the substrate 100 and maintain it in a horizontal position during the process.
  • the clamping mechanism 200 also includes a support portion 202 and multiple positioning pins 201, which are arranged on the edge of the support portion 202. During the process, when the clamping mechanism 200 clamps the substrate 100, the multiple positioning pins 201 clamp and secure the substrate 100, thereby maintaining the substrate 100 in a horizontal position.
  • the rotation drive mechanism 300 is used to drive the support portion 202 to rotate.
  • the rotation drive mechanism 300 includes a transmission mechanism 301 and a drive mechanism 302.
  • the transmission mechanism 301 is illustratively a drive shaft, and the drive mechanism 302 can be selected based on actual operational requirements.
  • a stepper motor is illustratively selected as the drive mechanism 302.
  • the rotation drive mechanism 300 drives the support portion 202 to rotate the substrate 100 about a vertical line passing through the center of the substrate 100.
  • the heating mechanism 400 is disposed between the support portion 202 and the substrate 100.
  • Figure 2a shows a schematic top view of the heating mechanism according to an embodiment of the present invention
  • Figure 2b shows a schematic bottom view of the heating mechanism according to an embodiment of the present invention.
  • the heating mechanism 400 comprises a mounting plate 401 and a plurality of heating elements 402, which can be divided into a plurality of heating element groups 4021.
  • the mounting plate 401 is configured to support the plurality of heating elements 402.
  • the heating elements 402 are configured to heat the substrate 100 during the process.
  • the plurality of heating elements 402 are first integrated onto a circuit board 4023 and then mounted onto the mounting plate 401.
  • One end of a support shaft 405 is fixedly connected to the bottom of the mounting plate 401.
  • the other end of the support shaft 405 passes through the transmission mechanism 301 and is secured to the outside of the transmission mechanism 301.
  • the clamping mechanism 200 rotates the substrate 100, while the heating mechanism 400 does not rotate.
  • a plate 700 through which light emitted by the heating element can pass, is disposed between the substrate 100 and the heating mechanism 400.
  • the plate 700 is made of sapphire or quartz.
  • the heating element 402 is an LED lamp bead, and a plurality of LED lamp beads are arranged on the circumference of a plurality of concentric circles with the center of the mounting plate 401 as the center, and the plurality of heating elements 402 are grouped into a plurality of heating element groups 4021. Furthermore, the center of the circle enclosed by each heating element group 4021 is aligned with the center of the clamping mechanism 200, and is also aligned with the center of the substrate 100 clamped by the clamping mechanism 200.
  • the heating temperature of each heating element group 4021 in the present invention can be independently controlled, and the purpose of changing the heating temperature and thus regulating the temperature of a local area of the substrate 100 is achieved by independently controlling the heating power of each group of LED lamp beads.
  • the wavelength range of the light emitted by the LED lamp beads is [200, 380] nm or (650, 2500] nm.
  • the nozzle mechanism 500 includes a liquid nozzle 501 and a swing arm 502.
  • the liquid nozzle 501 is mounted on the swing arm 502.
  • the liquid nozzle 501 is configured to dispense liquid onto the surface of the substrate 100 placed on the clamping mechanism 200.
  • the swing arm 502 is equipped with a liquid delivery pipeline that supplies liquid to the liquid nozzle 501.
  • the swing arm 502 can drive the liquid nozzle 501 to move back and forth along the radial direction of the substrate 100, from the center to the edge of the substrate 100.
  • the temperature monitoring mechanism includes a first temperature monitoring unit 601.
  • the first temperature monitoring unit 601 is configured to monitor the temperature of the liquid film formed in the area on the surface of the substrate 100 corresponding to the area when the liquid spray head 501 moves from the center of the substrate 100 to the edge of the substrate 100 along the radial direction of the substrate 100 and continuously sprays liquid onto the surface of the substrate 100, and transmit the temperature to the control mechanism 800.
  • the first temperature monitoring unit 601 is a temperature sensor.
  • the first temperature monitoring unit 601 can be disposed at any location capable of monitoring the temperature of the liquid film formed on the surface of the substrate 100. In this embodiment, the first temperature monitoring unit 601 is disposed on the swing arm 502.
  • the control mechanism 800 is configured to receive the temperature and adjust the heating temperature of the corresponding area of the substrate 100 by the heating mechanism 400 based on the temperature.
  • the heating element group 4021 located on the radius of the mounting plate 401 corresponding to the certain area is controlled to a second power.
  • the heating element group 4021 having reached the second power, heats the corresponding area of the substrate 100 to a second temperature.
  • the second temperature is a preset value, approximately the temperature at which the liquid dispensed by the liquid ejection head 501 onto the substrate 100 reaches its boiling point. In this embodiment, the second temperature is greater than or equal to the boiling point of the liquid. Taking IPA as an example, the preferred second temperature process range is 78-85°C.
  • the first temperature monitoring unit 601 monitors the temperature of the liquid film in real time as the liquid ejection head 501 dispenses the liquid onto an area of the substrate 100 surface, forming a liquid film.
  • the first temperature monitoring unit 601 then feeds the temperature back to the control mechanism 800.
  • the control mechanism 800 determines the received temperature. If the determination indicates that the temperature of the liquid film formed on the substrate 100 surface is lower than a preset second temperature, the control mechanism 800 increases the heating power of the heating element group 4021 corresponding to the area where the liquid film temperature is lower than the second temperature to the second power, thereby rapidly raising the heating temperature of the area to the second temperature.
  • the control mechanism 800 increases the operating power of the LED lamp beads contained in the heating element group 4021 corresponding to the area, thereby almost instantaneously changing the heating temperature of the area to ensure a drying effect.
  • the heating element group 4021 can be heating elements on a certain radius, or all heating elements extending within a certain distance from the center of the mounting plate 401 with a certain radius as the center, or all heating elements extending within a certain distance from the center of the mounting plate 401 and within a certain distance from the center of the mounting plate 401 with a certain radius as the center.
  • the coverage range of each heating element group 4021 can be adaptively adjusted and selected according to actual conditions.
  • the certain radius refers to: in the process of the liquid nozzle 501 moving from the center of the substrate 100 to the edge of the substrate 100 along the radial direction of the substrate 100, the liquid nozzle 501 moves to a certain area above the substrate 100, and the radius of the mounting plate 401 corresponding to the area.
  • the nozzle mechanism 500 also includes a nitrogen nozzle for nitrogen purging.
  • the control mechanism 800 controls the overall heating power of the heating element 402 to be the first power, and the heating element 402 that reaches the first power heats the substrate 100 to the first temperature.
  • the first temperature is the preheating temperature, and its function is to uniformly heat the substrate 100 as a whole. Taking IPA as an example, the optimal first temperature process range is 60-70°C.
  • the first power refers to the working power of the LED lamp beads required to heat the substrate 100 to the first temperature.
  • the substrate 100 can be preheated so that the substrate 100 can have the first temperature before the liquid is distributed.
  • the heating element 402 needs to adjust the heating temperature of the local area, it can reach the second temperature faster, making the drying efficiency higher.
  • the first temperature is lower than the second temperature.
  • a spray nozzle mechanism delivers an etching chemical solution or formulated solution to a rotating substrate, partially etching or completely removing the thin film on the substrate surface. Because temperature is a key parameter affecting etching rate and uniformity, the device and processing method described herein enable precise, dynamic, and zoned temperature control of the substrate and the liquid on its surface, resulting in superior etching rate and uniformity control, improving the precision and stability of integrated circuit wet etching processes.
  • the liquid nozzle 501 After the substrate 100 is uniformly heated to the first temperature, the liquid nozzle 501 begins to move from the center of the substrate 100 to the edge of the substrate 100 along the radial direction of the substrate 100, and distributes dry liquid IPA to the substrate 100.
  • the control mechanism 800 controls the working power of the heating element group 4021 located on the radius of the mounting plate 401 corresponding to the certain area to increase from the first power to the second power.
  • the heating element group 4021 that reaches the second power quickly heats the area of the substrate 100 corresponding to the certain area to the second temperature.
  • the second temperature is 80°C.
  • This embodiment provides a substrate processing device, the structure of which is basically the same as that of the substrate processing device in Example 1. The difference is that, as shown in Figure 3, the edge heating element 4022 located in the edge area of the mounting plate 401 is arranged at an angle, and the inclined heating element is used to ensure that the edge area of the mounting plate is covered in the heating area of the inclined heating element.
  • the edge heating element 4022 located at the edge of the mounting plate 401 was tilted. In one embodiment, the tilt angle of the edge heating element 4022 ranged from 0.1° to 60°. Furthermore, the tilt angle of the edge heating element 4022 was set to 5° to 40°.
  • This embodiment provides a substrate processing device, the structure of which is substantially the same as that of the substrate processing device in Example 1, except that, referring to FIG4 , the temperature monitoring mechanism of this device further includes a second temperature monitoring unit 602.
  • the second temperature monitoring unit 602 can be positioned at any location capable of monitoring the temperature of various areas on the surface of the substrate 100. It should be understood that the second temperature monitoring unit 602 and the first temperature monitoring unit 601 can be combined into a single component or separately.
  • the second temperature monitoring unit 602 is positioned on the swing arm 502 and is separately positioned from the first temperature monitoring unit 601.
  • the control mechanism 800 determines that the heating element group is in an abnormal operating state and requires prompt maintenance. The control mechanism 800 then issues an alarm to notify personnel to perform the maintenance.
  • This embodiment provides a substrate processing device, the structure of which is basically the same as that of the substrate processing device in Example 1, except that, as shown in FIG7 , the substrate processing device further includes a cooling mechanism, which includes a cooling portion provided on a mounting plate 401, the cooling portion being located below a heating element 402, and the cooling portion being configured to reduce the temperature of the heating element 402 during the process.
  • a cooling mechanism which includes a cooling portion provided on a mounting plate 401, the cooling portion being located below a heating element 402, and the cooling portion being configured to reduce the temperature of the heating element 402 during the process.
  • Actual options for the cooling portion include, but are not limited to, a cooling tank. The specific type can be selected based on actual process requirements.
  • the cooling portion is configured to reduce the temperature of the heating element 402, thereby avoiding damage to the heating element 402 due to excessively high temperature during the process.
  • the cooling portion is a cooling tank 404
  • the cooling tank 404 is opened on the upper end surface of the mounting plate 401.
  • the circuit board 4023 carrying the multiple heating elements 402 is fixed to the mounting plate 401 to form a sealed space.
  • the bottom of the mounting plate 401 is provided with a liquid inlet 9 and a liquid outlet 4042.
  • the external coolant enters the cooling tank through the liquid inlet 4041, filling the entire cooling tank 404 so that the liquid surface of the coolant directly contacts the heating element 402, thereby cooling the heating element 402.
  • the coolant is continuously discharged from the liquid outlet 4042, forming a dynamic equilibrium process.
  • the cooling tank 404 is always kept full of coolant to continuously cool the heating element 402.
  • the fluid delivery unit 4022 is provided with a heater 4023 for heating the fluid within the fluid delivery unit.
  • the control mechanism 800 controls the thermal energy of the fluid in the cavity located on the radius corresponding to the area, thereby increasing the local temperature of the substrate 100 below the liquid ejection head 501.

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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本发明提出一种基板处理装置，包括控制机构；夹持机构；喷头机构；旋转驱动机构；加热机构；以及温度监测机构，包括第一温度监测单元，第一温度监测单元被配置为：在液体喷头沿基板的径向方向由基板中心向基板边缘移动并向基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头移动至基板上方的某一区域，监测某一区域对应的基板表面区域内形成液膜的温度，并将温度发送至控制机构；控制机构接收温度，并基于温度调控加热机构对某一区域所对应的基板表面区域的加热温度。本发明通过设置温度监测单元，进行温度检测，防止基板上的特征图案结构在干燥过程中被损坏，提高干燥工艺过程中对基板表面的异丙醇或其它干燥配方药液的表面张力和蒸发速率的精确控制，保证干燥效果。

Description

基板处理装置 技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及基板处理装置。
背景技术
集成电路制造包括光刻、刻蚀、沉积、化学机械抛光(CMP)、清洗等工艺。其中清洗工艺是为了去除基板加工过程中产生的各种沾污杂质，是集成电路制造中使用次数最多的工艺，几乎贯穿整个集成电路制造流程。沾污杂质是指集成电路制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质，具体的沾污包括颗粒、有机物、金属和自然氧化层等。
半导体清洗技术主要分为湿法清洗工艺和干法清洗工艺。湿法清洗工艺一般将基板固定于可旋转的基板夹具上，工艺过程中使用化学药液和去离子水对旋转的基板表面进行工艺处理，在湿法刻蚀或清洗工艺结束后，再对基板进行干燥处理。
传统的干燥工艺大多采用氮气吹扫或者异丙醇(IPA)配合基板高速旋转的方式进行干燥。然而，随着集成电路先进工艺技术的发展，特征尺寸不断微缩，在干燥过程中，基板上各处特征图案结构的尺寸、深宽比、密度不同，距离旋转轴的位置不同，附着在基板上的图案结构中的液体流动和蒸发速率也不相同。在液体表面张力的作用下，可能会造成相邻图案结构受力不均匀，最终导致基板上的特征图案结构倒塌、粘连、变形等损伤问题，进而造成器件失效，影响芯片良率，造成产品报废。
为了避免基板上的特征图案结构在干燥过程中被损坏，干燥工艺过程中对基板表面的异丙醇(IPA)或其它干燥配方药液的表面张力和蒸发速率的精确控制尤为重要。
发明内容
为了避免基板上的特征图案结构在干燥过程中被损坏，提高干燥工艺过程中对基板表面的异丙醇或其它干燥配方药液的表面张力和蒸发速率的精确控制，本发明提出了基板处理装置。
一种基板处理装置，包括：
控制机构；
夹持机构，被配置为工艺过程中夹持基板；
喷头机构，包括液体喷头和摆臂，所述液体喷头被配置为将液体分配至置于夹持机构上的基板表面；所述摆臂被配置为向液体喷头供液，且所述摆臂可以带动所述液体喷头沿所述基板的径向方向在基板中心和基板边缘之间往复移动；
旋转驱动机构，被配置为驱动所述夹持机构旋转；
加热机构，所述加热机构被配置为加热所述夹持机构夹持的基板；
温度监测机构，包括第一温度监测单元，所述第一温度监测单元被配置为：在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头移动至所述基板上方的某一区域时，监测所述某一区域所对应的基板表面区域内所形成液膜的温度，并将所述温度发送至所述控制机构；所述控制机构被配置为接收所述温度，并基于所述温度调控所述加热机构对所述某一区域所对应的基板表面区域的加热温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述温度监测机构还包括第二温度监测单元；
在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头离开基板上方的一区域N，向远离所述基板中心的方向上的下一区域N+1移动时，所述第二温度监测单元被配置为监测该一区域N对应的基板表面区域的温度，并储存所监测的温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第二温度监测单元设置于所述摆臂上。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述温度监测机构还包括第三温度监测单元，所述第三温度监测单元被配置为监测所述加热机构背面各处的实时温度，并将所述实时温度传输至所述控制机构。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述控制机构被配置为：
实时接收所述第三温度监测单元所监测的实时温度，当所述实时温度的数值大于预设值时，所述控制机构发出警报信息。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述加热机构包括安装板和多个加热元件，所述多个加热元件设置在所述安装板上。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述加热元件包括LED灯珠；
所述LED灯珠设置在以所述安装板的中心为圆心的多个同心圆的圆周上。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，多个所述加热元件被划分为若干加热元件组；且每个所述加热元件组的加热功率能够被独立控制。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述加热元件包括位于所述安装板边缘区域的边缘加热元件，所述边缘加热元件呈倾斜设置，所述倾斜设置的加热元件用于使所述安装板边缘区域被覆盖在所述倾斜设置的加热元件的加热区域中。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述安装板边缘区域为安装板边缘向安装板中心指定距离的圆周与安装板边缘之间的区域。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述边缘加热元件的倾斜设置的角度为0.1°-60°。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述LED灯珠所发出的光的波长范围为：[200，380)nm或(650，2500]nm。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述控制机构被配置为：
在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当所述液体喷头移动至所述基板上方的某一区域时，控制位于所述某一区域对应所述安装板的半径上的所述加热元件至第二功率，达到第二功率的所述加热元件对所述某一区域所对应的基板表面区域进行加热至第二温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述控制机构还被配置为：
当所述第一温度监测单元监测到所述基板表面区域所形成的液膜温度低于所述第二温度，所述控制机构控制所述加热机构提高加热功率，以提高该基板表面区域的加热温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，在所述液体喷头向所述基板表面分配液体之前，所述控制机构被配置为：
控制所述加热元件的加热功率为第一加热功率，达到第一加热功率的所述加热元件将所述基板加热至第一温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一温度监测单元设置于所述摆臂上。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述加热机构包括加热盘和流体输送单元；
所述加热盘沿径向方向开设至少两个空腔，每个空腔分布在不同半径上，空腔底部开设有流体进孔，空腔顶部开设有流体出孔，流体进孔与流体输送管连接；
所述流体输送单元与所述流体输送管连接，所述流体输送单元被配置为向加热盘输送流体，所述流体输送单元上设置有加热器，加热器用于对流体输送单元内的流体进行加热。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，冷却机构，所述冷却机构包括冷却部，所述冷却部设置于所述安装板上，且位于所述加热元件的下方，所述冷却部被配置为降低所述加热元件的温度。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括：板，所述加热元件发射的光能穿透所述板，所述板设置在所述加热机构和所述基板之间，所述板与所述夹持机构固定连接，当所述旋转驱动机构驱动所述夹持机构旋转时，所述板与所述夹持机构一起旋转。
本发明通过设置第一温度监测单元可以随着液体喷头的移动，实时监测液体喷头向基板表面分配的液膜的温度并进行反馈，能够更加精准的监测液体喷头所喷出的液体的温度；同时通过第一温度监测单元监测的结果，控制机构进行实时控制调整基板表面液膜温度低于第二温度的区域所对应的加热元件组的加热功率，以便于快速、精确的调控第一温度监测单元实时监测到的区域的加热温度，使干燥过程以及干燥结果更具有可控性。
利用第二温度监测单元实时监测基板干燥完成的即时温度并进行统计，能够辅助监控基板处理装置的工艺安全。当基板在基板处理装置上完成对应工艺之后，从基板处理装置中取出基板进行工艺结果的检查，一旦发现基板某一区域的图案结构倒塌，此时可以根据第二温度监测单元所记录的数据进行复盘检查，在进行检修中目标便较为明确，能够提高机台检修的工作效率，同时保障基板加工良率。
通过设置第三温度监测单元监测加热机构的加热元件组背面各处的实时温度，并将实时温度传输至控制机构，进而实时判定加热元件组的工作状态，一旦状态异常，将发送警报信息，通知工作人员及时进行检修。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图概述
本申请的特征、性能由以下的实施例及其附图进一步描述。为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了根据本发明实施例1的基板处理装置的立体结构示意图；
图2a示出了根据本发明实施例的加热机构俯视结构示意图；
图2b示出了根据本发明实施例的加热机构仰视结构示意图；
图3示出了根据本发明实施例2的加热机构结构示意图；
图4示出了根据本发明实施例3的基板处理装置的立体结构示意图；
图5示出了根据本发明实施例3的基板处理装置的简化示意图；
图6示出了根据本发明实施例4的基板处理装置的简化示意图；
图7示出了根据本发明实施例5的冷却部的结构示意图；
图8示出了根据本发明实施例5的冷却部与安装板之间设置密封圈的结构示意图；
图9示出了根据本发明另一实施例的冷却部的结构示意图；以及
图10示出了根据本发明实施例6的加热机构的结构示意图。
本申请的较佳实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参考图1，本发明提出了一种基板处理装置。基板处理装置包括：夹持机构200、旋转驱动机构300、加热机构400、喷头机构500、温度监测机构及控制机构800。
夹持机构200用于在工艺过程中夹持基板100并将基板100保持为水平状态。夹持机构200还包括支撑部202和多个定位销201，多个定位销201设置于支撑部202边缘上。在工艺过程中，夹持机构200夹持基板100时，通过多个定位销201对基板100实现夹持固定，进而将基板100保持在水平状态。
旋转驱动机构300用于驱动支撑部202旋转，旋转驱动机构300包括传动机构301和驱动机构302。示例性的，本实施例中，传动机构301为传动轴，驱动机构302在实际使用的过程中可以根据实际作业要求选择。示例性的，本实施例选择步进电机作为驱动机构302。工艺过程中，旋转驱动机构300通过驱动支撑部202使基板100以穿过基板100中心的铅垂线为轴进行旋转。
加热机构400设置于支撑部202与基板100之间。请结合图1及参照图2a和图2b，图2a示出了根据本发明实施例的加热机构俯视结构示意图；图2b示出了根据本发明实施例的加热机构仰视结构示意图。加热机构400包括一安装板401和多个加热元件402，多个加热元件402可以分成数个加热元件组4021。安装板401被配置为承载多个加热元件402。加热元件402被配置为在工艺过程中加热基板100。值得注意的是，为了提高效率、便于安装，在实际安装过程中，多个加热元件402首先集成于一电路板4023上，然后安装于安装板401上。安装板401的底部固定连接有支撑轴405的一端，支撑轴405的另一端穿过传动机构301到达传动机构301外部并进行固定。在工艺过程中，夹持机构200带动基板100旋转，而加热机构400不做旋转运动。更进一步地，基板100与加热机构400之间设置一个加热元件发射的光能穿透的板700，示例性的，板700由蓝宝石或石英制成。当板700定位在夹持机构200上时，在工艺过程中，板700被配置成与夹持机构200一起旋转。
示例性的，本发明实施例中，加热元件402为LED灯珠，多个LED灯珠设置在以安装板401的中心为圆心的多个同心圆的圆周上，对多个加热元件402进行分组，分成多个加热元件组4021。更进一步地，每个加热元件组4021围成的圆的圆心与夹持机构200的中心对齐，也与夹持机构200夹持的基板100的中心对齐。为了能够达到基板100局部区域温度独立调控的目的，本发明中每个加热元件组4021的加热温度能够被独立控制，通过独立控制每组LED灯珠的加热功率达到改变加热温度进而调控基板100局部区域温度的目的。本发明实施例中，LED灯珠所发出的光的波长范围为[200，380)nm或(650，2500]nm。
请继续参照图1，喷头机构500包括液体喷头501和摆臂502，液体喷头501设置在摆臂502上。工艺过程中，液体喷头501被配置为将液体分配至置于夹持机构200上的基板100表面；摆臂502上配置有向液体喷头501供液的液体输送管路，且摆臂502可以带动液体喷头501沿基板100的径向方向在基板100中心至基板100边缘之间往复移动。
温度监测机构包括第一温度监测单元601，第一温度监测单元601被配置为在液体喷头501沿基板100的径向方向由基板100中心向基板100边缘移动并向基板100表面连续喷液的过程中，当液体喷头501移动至基板100上方的某一区域时，监测该某一区域所对应的基板100表面区域内所形成液膜的温度，并将温度发送至控制机构800。示例性的，第一温度监测单元601为温度传感器。第一温度监测单元601可以被设置在任何能够监测到基板100表面所形成液膜温度的位置，在本实施例中，选择将第一温度监测单元601设置于摆臂502上。
控制机构800被配置为接收温度，并基于温度调控加热机构400对基板100对应区域的加热温度。
具体地，在液体喷头501沿基板100的径向方向由基板100中心向基板100边缘移动并向基板100表面连续喷液的过程中，当液体喷头501移动至基板100上方的某一区域时，控制位于该某一区域对应安装板401半径上的加热元件组4021至第二功率，达到第二功率的加热元件组4021对基板100对应区域进行加热至第二温度。第二温度为预设值，第二温度约为使液体喷头501向基板100分配的液体达到沸点的温度，在本实施例中，第二温度大于或等于液体沸点的温度，以IPA为例，较佳的第二温度工艺范围为78-85℃。
随着液体喷头501沿基板100的径向方向移动并连续向基板100表面分配液体，液体喷头501将液体分配到基板100表面一区域内并形成液膜时，第一温度监测单元601实时监测液膜的温度，并将温度反馈至控制机构800，控制机构800对所接收到的温度进行判断，当判断结果为：基板100表面上形成的液膜温度低于预设的第二温度，控制机构800控制基板100表面液膜温度低于第二温度的区域所对应的加热元件组4021的加热功率变大达到第二功率，以迅速提高该区域的加热温度，使加热温度快速达到第二温度。因为LED灯珠的工作功率可以瞬时改变，因此能够非常快速的对局部温度做出调整，一旦检测到某区域的液膜温度低于第二温度，控制机构800控制该某区域所对应的加热元件组4021所包含的LED灯珠的工作功率变大，几乎能够瞬时改变该区域的加热温度，以保证干燥效果。
值得注意的是，本发明中，加热元件组4021可以为某一半径上的加热元件，也可以为以某一半径为中心向远离安装板401中心延伸一定距离范围内的所有加热元件，也可以为以某一半径为中心分别向远离安装板401中心和靠近安装板401中心一定距离范围内的所有加热元件。具体地，每个加热元件组4021的覆盖范围选择可以根据实际情况进行适应性的调整及选择。应当理解的，本处的某一半径是指：液体喷头501在沿基板100的径向方向由基板100的中心向基板100的边缘移动的过程中，液体喷头501移动至基板100上方的某一区域，该区域所对应的安装板401的半径。
更进一步地，喷头机构500还包括一个氮气喷头，用于氮气吹扫。
更进一步地，在液体喷头501向基板100表面分配液体之前，控制机构800控制加热元件402整体的加热功率为第一功率，达到第一功率的加热元件402将基板100加热至第一温度。第一温度为预加热的温度，其作用为将基板100整体均匀加热。以IPA为例，较佳的第一温度工艺范围为60-70℃。第一功率是指能够将基板100加热至第一温度所需的LED灯珠的工作功率。通过预先将加热元件402的整体加热功率调整至第一功率，能够对基板100进行预加热，使基板100在被分配液体之前就能具有第一温度，当加热元件402需要调整局部区域的加热温度时，能够更快地达到第二温度，使干燥效率更高。第一温度小于第二温度。
本发明实施例通过设置第一温度监测单元601可以随着液体喷头501的移动，实时监测液体喷头501向基板100表面分配的液膜的温度并进行反馈，能够更加精准的监测液体喷头501所喷出的液体的温度；同时通过第一温度监测单元601监测的结果，控制机构800进行实时控制调整基板100表面液膜温度低于第二温度的区域所对应的加热元件组4021的加热功率，以便于快速、精确的调控第一温度监测单元601实时监测到的区域的加热温度，使干燥过程以及干燥结果更具有可控性。
值得注意的是，本发明的装置不仅适用于基板100于清洗工艺结束后对基板100进行的干燥处理，在刻蚀工艺中也可以使用。当本装置在湿法刻蚀工艺中使用时，通过喷头机构将蚀刻化学液或配方药液输送到旋转的基板表面，对基板表面薄膜进行部分腐蚀或完全去除。
湿法刻蚀工艺，一般通过喷头机构将蚀刻化学液或配方药液输送到旋转的基板表面，对基板表面薄膜进行部分腐蚀或完全去除。因为温度是影响腐蚀速率和均匀性的重要参数之一，通过本申请的装置以及上述的处理方法可以实现分区动态精确控制基板和其表面液体的温度，进而获得良好的蚀刻速率和均匀性控制，提高集成电路湿法刻蚀工艺加工精度和稳定性。
本发明的实施例还提供了一种基板处理方法，包括：将基板夹持在夹持机构上；驱动夹持机构带动基板旋转；加热机构对基板进行加热；通过喷头机构的液体喷头向基板表面分配液体，在液体喷头沿基板的径向方向由基板中心向基板边缘移动并向基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头移动至基板上方的某一区域时，温度监测机构监测该某一区域所对应的基板表面区域内所形成液膜的温度，并基于温度调控加热机构对某一区域所对应的基板表面区域的加热温度。
示例性的，工艺过程中，夹持机构200夹持基板100，保持基板100水平设置，喷头机构500位于基板100的上方。在本实施例中，喷头机构500的液体喷头501向基板100分配的液体为干燥液体IPA。在液体喷头501移动到基板100中心的正上方，向基板100表面分配液体之前，控制机构800控制加热机构400的加热元件402整体的工作功率为第一功率，处于第一功率的加热元件402对基板100整体进行加热至第一温度，示例性地，第一温度为70℃。
当基板100被均匀加热至第一温度之后，液体喷头501开始沿基板100的径向方向由基板100的中心向基板100的边缘移动，并向基板100分配干燥液体IPA，在该过程中，当液体喷头501移动至基板100上方的某一区域时，控制机构800控制位于该某一区域对应安装板401的半径上的加热元件组4021的工作功率由第一功率升至第二功率，达到第二功率的加热元件组4021对该某一区域所对应的基板100区域迅速加热至第二温度，示例性地，第二温度为80℃。
应当理解的，本装置同样适配基板的背面清洗工艺。当本装置应用于背面清洗工艺时，背面清洗喷嘴要求穿过加热机构400及板700的中心到达基板100的下方，以便于清洗液能够喷向基板100的下表面实施背面清洗工艺。
实施例2
本实施例提供了一种基板处理装置，该装置的结构与实施例1中的基板处理装置的结构基本相同，不同的是，如图3所示，位于安装板401边缘区域的边缘加热元件4022呈倾斜设置，倾斜设置的加热元件用于使安装板边缘区域被覆盖在倾斜设置的加热元件的加热区域中。
在实际工艺过程中，发明人发现在基板100边缘区域经常出现图案结构倒塌的现象，经分析发现，原因在于位于安装板401边缘区域的边缘加热元件4022所发出的光不能覆盖到基板100的边缘区域，导致在对基板100进行加热干燥的过程中，基板100边缘温度达不到目标温度，影响工艺效果，导致位于基板100边缘区域的图案结构倒塌，出现废片。为此，将位于安装板401边缘区域的边缘加热元件4022呈倾斜设置，在一个实施例中，边缘加热元件4022的倾斜角度为0.1°-60°。更进一步地，边缘加热元件4022的倾斜角度设置为5°-40°。倾斜一定角度设置的边缘加热元件4022能够确保边缘加热元件4022的目标区域对准基板100的边缘区域，以保证在加热干燥的过程中，基板100的边缘能够正常加热，进而防止基板100边缘区域的图案结构倒塌，确保干燥效果。
应当理解的，安装板401的边缘区域为安装板401边缘向安装板401中心指定距离的圆周与安装板401边缘之间的区域。示例性的，指定距离为0-1.5mm。在指定距离内可以设置一组边缘加热元件4022，也可以设置超过一组边缘加热元件4022，具体的设置情况可以根据实际工艺要求进行设置。
本实施例的其余结构与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供了一种基板处理装置，该装置的结构与实施例1中的基板处理装置的结构基本相同，不同的是，请参照图4，该装置的温度监测机构还包括第二温度监测单元602。在实际安装过程中，第二温度监测单元602可以被设置在任何能够监测到基板100表面各区域的温度的位置，应当理解的，第二温度监测单元602与第一温度监测单元601可以选择组合设置在单个元件中，也可以选择将他们分开设置。在本实施例中，如图5所示，选择将第二温度监测单元602设置于摆臂502上，且与第一温度监测单元601分开设置。
请参考图5，在液体喷头501沿基板100的径向方向由基板100中心向基板100边缘移动并向基板100表面连续喷液的过程中，当液体喷头501离开基板上方的一区域N，向远离所述基板中心的方向上的下一区域N+1移动时，第二温度监测单元602被配置为监测该一区域N对应的基板表面区域的温度，并储存所监测的温度结果。利用第二温度监测单元602实时监测基板干燥完成的即时温度并进行统计，能够辅助监控基板处理装置的工艺安全。当基板在基板处理装置上完成对应工艺之后，从基板处理装置中取出基板进行工艺结果的检查，一旦发现基板某一区域的图案结构倒塌，此时可以根据第二温度监测单元602所记录的数据进行复盘检查。理想状态下，相邻半径上的加热元件在对基板进行加热时，目标加热温度是相同的，在基板表面的液膜被干燥完成时的基板表面温度也应该是几乎一致的，从第二温度监测单元602所监测的结果来看，数据应该是几乎相等的，如果在第二温度监测单元602所记录的数据内发现基板表面相邻区域的温度数据偏差较大，则表明该区域的加热元件产生了问题，在进行检修中目标便较为明确，能够提高机台检修的工作效率，同时保障基板加工良率。
本实施例的其余结构与实施例1相同。
实施例4
本实施例提供了一种基板处理装置，该装置的结构与实施例1中的基板处理装置的结构基本相同，不同的是，该装置的温度监测机构还包括第三温度监测单元。第三温度监测单元被配置为监测加热机构背面各处的实时温度，并将实时温度传输至控制机构800。
具体地，请参照图6，第三温度监测单元603包括多组温度传感器6031，多组温度传感器6031分别设置于加热元件402下方，且每组温度传感器6031与每个加热元件组4021对应设置。此时，第三温度监测单元603被配置为监测不同加热元件组4021的实时温度，并将实时温度传输至控制机构800，与此同时，控制机构800实时接收第三温度监测单元603的实时温度，当实时温度的数值大于预设值时，控制机构800发出警报信息。其中，预设值为加热元件正常工艺的温度，示例性的，预设值为80℃，当第三温度监测单元603监测到某加热元件组的工作温度大于80℃时，此时控制机构800接收到第三温度监测单元603监测到的温度之后，判定该加热元件组处于非正常的工作状态，需要及时检修，将发送警报信息，通知工作人员及时进行检修。
本实施例的其余结构与实施例1相同。
实施例5
本实施例提供了一种基板处理装置，该装置的结构与实施例1中的基板处理装置的结构基本相同，不同的是，如图7所示，基板处理装置还包括冷却机构，冷却机构包括设置于安装板401上的冷却部，冷却部位于加热元件402的下方，在工艺过程中，冷却部被配置为降低加热元件402的温度。冷却部的实际选择包括但不限于：冷却槽。具体的种类可以根据实际的工艺需求进行选择。冷却部被配置为降低加热元件402的温度，从而避免当工艺过程中加热元件402的温度过高导致加热元件402的损坏。
具体地，请继续参照图7，冷却部为冷却槽404时，冷却槽404开设于安装板401的上端面。安装板401与加热元件402进行安装时，承载多个加热元件402的电路板4023与安装板401卡合固定，形成密封空间，安装板401底部开设有进液口9和出液口4042。当对加热元件402进行冷却时，外部冷却液经过进液口4041进入冷却槽，灌满整个冷却槽404使冷却液的液面直接与加热元件402相接触，以对加热元件402进行降温，同时，冷却液从出液口4042不断排出，形成动态平衡的过程，在动态平衡的过程中，冷却槽404内始终保持充满冷却液的状态，以持续对加热元件402进行降温处理。
请参照图8，为了更进一步地保障密封效果，安装板401与电路板4023固定处设置一密封圈403以进行密封，使密封效果更佳。
在另一个实施例中，为了进一步保障冷却的均匀性，冷却部的冷却槽404数量为若干个，请参照图9，每个冷却槽404都大致为圆环形，每一个冷却槽404均设置一个进液口4041和一个出液口4042。更进一步的，每个加热元件组4021下方对应设置一个冷却槽404，以达到精准降温、均匀降温的目的。
实施例6
本实施例提供了一种基板处理装置，该装置的结构与实施例1中的基板处理装置的结构基本相同，不同的是，请参照图10，本实施例中的加热机构400包括加热盘和流体输送单元，加热盘设置在夹持机构200所夹持的基板100下方，加热盘沿径向方向开设至少两个空腔4011，每个空腔4011分布在不同半径上，空腔4011底部开设有流体进孔4012，空腔4011顶部开设有流体出孔4013，流体进孔4012与流体输送管4014连接。流体输送单元4022与流体输送管4014连通，流体输送单元4022向加热盘输送加热流体，流体输送单元4022上设置有加热器4023，加热器用于对流体输送单元内的流体进行加热。在液体喷头501沿基板100的径向方向由基板100中心向基板100边缘移动的过程中，当液体喷头501移动至基板100上方的某一区域时，控制机构800控制位于该区域对应半径上的空腔内的流体的热能，进而提高液体喷头501下方基板100的局部温度。具体控制过程和具体实施方式是由盛美半导体设备(上海)股份有限公司在2021年09月24日提交的专利PCT/CN2021/120372中被描述，其内容通过引入并入本文。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (19)

  1. 一种基板处理装置，其特征在于，包括：
    控制机构；
    夹持机构，被配置为工艺过程中夹持基板；
    喷头机构，包括液体喷头和摆臂，所述液体喷头被配置为将液体分配至置于夹持机构上的基板表面；所述摆臂被配置为向液体喷头供液，且所述摆臂可以带动所述液体喷头沿所述基板的径向方向在基板中心和基板边缘之间往复移动；
    旋转驱动机构，被配置为驱动所述夹持机构旋转；
    加热机构，所述加热机构被配置为加热所述夹持机构夹持的基板；
    温度监测机构，包括第一温度监测单元，所述第一温度监测单元被配置为：在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头移动至所述基板上方的某一区域时，监测所述某一区域所对应的基板表面区域内所形成液膜的温度，并将所述温度发送至所述控制机构；所述控制机构被配置为接收所述温度，并基于所述温度调控所述加热机构对所述某一区域所对应的基板表面区域的加热温度。
  2. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述温度监测机构还包括第二温度监测单元；
    在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当液体喷头离开基板上方的一区域N，向远离所述基板中心的方向上的下一区域N+1移动时，所述第二温度监测单元被配置为监测该一区域N对应的基板表面区域的温度，并储存所监测的温度。
  3. 根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述第二温度监测单元设置于所述摆臂上。
  4. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述温度监测机构还包括第三温度监测单元，所述第三温度监测单元被配置为监测所述加热机构背面各处的实时温度，并将所述实时温度传输至所述控制机构。
  5. 根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述控制机构被配置为：
    实时接收所述第三温度监测单元所监测的实时温度，当所述实时温度的数值大于预设值时，所述控制机构发出警报信息。
  6. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述加热机构包括安装板和多个加热元件，所述多个加热元件设置在所述安装板上。
  7. 根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述加热元件包括LED灯珠；
    所述LED灯珠设置在以所述安装板的中心为圆心的多个同心圆的圆周上。
  8. 根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
    多个所述加热元件被划分为若干加热元件组；且每个所述加热元件组的加热功率能够被独立控制。
  9. 根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述加热元件包括位于所述安装板边缘区域的边缘加热元件，所述边缘加热元件呈倾斜设置，所述倾斜设置的加热元件用于使所述安装板边缘区域被覆盖在所述倾斜设置的加热元件的加热区域中。
  10. 根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述安装板边缘区域为安装板边缘向安装板中心指定距离的圆周与安装板边缘之间的区域。
  11. 根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述边缘加热元件的倾斜设置的角度为0.1°-60°。
  12. 根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述LED灯珠所发出的光的波长范围为：[200，380)nm或(650，2500]nm。
  13. 根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述控制机构被配置为：
    在所述液体喷头沿所述基板的径向方向由所述基板中心向所述基板边缘移动并向所述基板表面连续喷液的过程中，当所述液体喷头移动至所述基板上方的某一区域时，控制位于所述某一区域对应所述安装板的半径上的所述加热元件至第二功率，达到第二功率的所述加热元件对所述某一区域所对应的基板表面区域进行加热至第二温度。
  14. 根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述控制机构还被配置为：
    当所述第一温度监测单元监测到所述基板表面区域所形成的液膜温度低于所述第二温度，所述控制机构控制所述加热机构提高加热功率，以提高该基板表面区域的加热温度。
  15. 根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
    在所述液体喷头向所述基板表面分配液体之前，所述控制机构被配置为：
    控制所述加热元件的加热功率为第一加热功率，达到第一加热功率的所述加热元件将所述基板加热至第一温度。
  16. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述第一温度监测单元设置于所述摆臂上。
  17. 根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
    所述加热机构包括加热盘和流体输送单元；
    所述加热盘沿径向方向开设至少两个空腔，每个空腔分布在不同半径上，空腔底部开设有流体进孔，空腔顶部开设有流体出孔，流体进孔与流体输送管连接；
    所述流体输送单元与所述流体输送管连接，所述流体输送单元被配置为向加热盘输送流体，所述流体输送单元上设置有加热器，加热器用于对流体输送单元内的流体进行加热。
  18. 根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
    冷却机构，所述冷却机构包括冷却部，所述冷却部设置于所述安装板上，且位于所述加热元件的下方，所述冷却部被配置为降低所述加热元件的温度。
  19. 根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：板，所述加热元件发射的光能穿透所述板，所述板设置在所述加热机构和所述基板之间，所述板与所述夹持机构固定连接，当所述旋转驱动机构驱动所述夹持机构旋转时，所述板与所述夹持机构一起旋转。
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