WO2025150503A1 - マスク装置及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents

マスク装置及び有機デバイスの製造方法

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Publication number
WO2025150503A1
WO2025150503A1 PCT/JP2025/000300 JP2025000300W WO2025150503A1 WO 2025150503 A1 WO2025150503 A1 WO 2025150503A1 JP 2025000300 W JP2025000300 W JP 2025000300W WO 2025150503 A1 WO2025150503 A1 WO 2025150503A1
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WO
WIPO (PCT)
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mask
layer
less
frame
resist
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/000300
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
崇 網江
勝也 小幡
久実子 穂刈
伸哉 木浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication of WO2025150503A1 publication Critical patent/WO2025150503A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a mask apparatus and a method for manufacturing an organic device.
  • the vapor deposition method is known as a method for forming precise patterns.
  • a mask with openings is first combined with a substrate.
  • a vapor deposition material is applied to the substrate through the openings in the mask.
  • a vapor deposition layer containing the vapor deposition material is formed on the substrate in a pattern corresponding to the pattern of the openings in the mask.
  • the vapor deposition method is used, for example, as a method for forming pixels for organic electroluminescence display devices.
  • Patent Document 1 discloses a mask used in the vapor deposition method.
  • openings are formed close to the outer edge of the mask, the outer edge becomes more susceptible to damage, making the mask difficult to handle. Furthermore, when openings are formed close to the outer edge, the outer edge of the mask is narrow. As a result, when the mask is grasped, there is a risk that not only the outer edge but also the area inside the outer edge, i.e., the area of the mask where the openings are formed, will be grasped. In this case, there is a risk that the area of the mask where the openings are formed will be contaminated. On the other hand, there is a demand for forming openings close to the outer edge of the mask, making it possible to form a deposition layer over a wider area of the substrate using a single mask.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • 5A to 5C are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a mask device according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 6 and showing a modified example of the mask device.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 6 and showing a modified example of the mask device.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of an apparatus including an organic device.
  • the state in which the face of element A is "facing" the face of element B includes not only the case in which the face of element A is in contact with the face of element B, but also the case in which element C is located between the faces of element A and element B.
  • the term "facing” is a term that describes the orientation of the two faces.
  • the first layer may comprise silicon or a silicon compound;
  • the frame may comprise glass or metal.
  • a cushioning material may be provided between the mask and the frame.
  • the mask and the frame may be arranged in this order in a direction from a head portion of the screw toward a foot portion of the screw, A top surface of the head of the screw may be flush with the fourth surface of the second layer, or may be located between the fourth surface and the first surface of the first layer.
  • the mask may be fixed to the frame by a pair or pairs of screws, each of which is arranged on either side of the second openings in a plan view.
  • the frame may be formed with a step portion that receives at least a portion of the mask.
  • the mask may be removably fixed to the frame.
  • the screw may be made of the same material as the frame.
  • Figure 1 is a cross-sectional view showing an example of an organic device 100.
  • the organic device 100 may have an insulating layer 160 located between two adjacent first electrodes 120 in a planar view.
  • the insulating layer 160 contains, for example, polyimide.
  • the insulating layer 160 may overlap an end of the first electrode 120.
  • Planar view means viewing an object along the normal direction of the surface of a plate-like member such as the substrate 110.
  • the substrate 110 may be an insulating member.
  • the material of the substrate 110 may be, for example, a rigid material with no flexibility, such as silicon, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, or a synthetic quartz plate, or a flexible material with flexibility, such as a resin film, an optical resin plate, or thin glass.
  • the substrate 110 may have a planar shape similar to that of a silicon wafer used in semiconductor manufacturing.
  • the substrate 110 can be processed using an apparatus that performs a semiconductor manufacturing process.
  • the first electrode 120, the insulating layer 160, and the like can be formed on the substrate 110 using an apparatus that performs a semiconductor manufacturing process.
  • the first electrode 120 includes a material having electrical conductivity.
  • the first electrode 120 includes a metal, a metal oxide having electrical conductivity, or other inorganic material having electrical conductivity.
  • the first electrode 120 may include a metal oxide having transparency and electrical conductivity, such as indium tin oxide.
  • the organic layer 130 includes an organic material. When a current is passed through the organic layer 130, the organic layer 130 can perform some function. Passing a current means that a voltage is applied to the organic layer 130 or that a current flows through the organic layer 130.
  • the organic layer 130 may be a light-emitting layer that emits light when a current is passed through it, or a layer whose light transmittance or refractive index changes when a current is passed through it.
  • the organic layer 130 may include an organic semiconductor material.
  • the organic layer 130 may include a first organic layer 130A and a second organic layer 130B.
  • the first organic layer 130A is included in the first element 115A.
  • the second organic layer 130B is included in the second element 115B.
  • the organic layer 130 may include a third organic layer included in a third element.
  • the first organic layer 130A, the second organic layer 130B, and the third organic layer are, for example, a red light-emitting layer, a blue light-emitting layer, and a green light-emitting layer.
  • the organic layer 130 located between them is driven. If the organic layer 130 is an emitting layer, light is emitted from the organic layer 130 and extracted to the outside from the second electrode 140 side or the first electrode 120 side.
  • the second layer 40 may be divided into a peripheral region 43 and an effective region 44.
  • the peripheral region 43 is an area that overlaps with the first layer 30 in a planar view.
  • the effective region 44 is an area in which a group of a plurality of regularly-arranged second openings 41 is distributed.
  • the peripheral region 43 may be further divided into an outer region 45 and an inner region 46.
  • the outer region 45 is an area that overlaps with the outer region 35 of the first layer 30 in a planar view.
  • the inner region 46 is an area that overlaps with the inner region 36 of the first layer 30 in a planar view.
  • FIG. 5C is a cross-sectional view showing an example of the effective area 44.
  • the second layer 40 includes a second wall surface 42 facing the second opening 41.
  • the second wall surface 42 may include a tapered surface 42a that widens away from the center of the second opening 41 as it approaches the third surface 401. By including the tapered surface 42a in the second wall surface 42, it is possible to suppress the occurrence of a shadow near the second wall surface 42.
  • the range of the angle ⁇ 1 may be determined by a combination of any two of the values included in the first group described above.
  • the range of the angle ⁇ 1 may be determined by a combination of any two of the values included in the second group described above.
  • the angle ⁇ 1 may be, for example, 50° or more and less than 90°, 50° or more and less than 85°, 50° or more and less than 80°, 50° or more and less than 60°, 50° or more and less than 55°, 55° or more and less than 90°, 55° or more and less than 85°, 55° or more and less than 80°, 55° or more and less than 60°, 60° or more and less than 90°, 60° or more and less than 85°, 60° or more and less than 80°, 80° or more and less than 90°, 80° or more and less than 85°, or 85° or more and less than 90°.
  • the second layer 40 may contain a metal material.
  • the mask 20 can be attached to the substrate 110 by using a magnet 5.
  • the mask 20 can be attracted to the magnet 5 by magnetic force, improving the adhesion between the mask 20 and the substrate 110. Therefore, the definition of the organic layers 130A, 130B, and 130C of the organic device 100 can be improved.
  • a nickel alloy containing cobalt may be used as the material constituting the second layer 40.
  • a nickel alloy containing cobalt When a nickel alloy containing cobalt is used, a nickel alloy containing 8% by mass or more and 10% by mass or less of cobalt may be used as the material for the second layer 40.
  • nickel or nickel alloy it is possible to suppress the decomposition of the plating solution used in the second layer formation process described below, and the stability of the plating solution can be improved.
  • the thickness of the second layer 40 is smaller than the thickness T1 of the first layer 30.
  • the thickness of the second layer 40 may be, for example, 0.5 ⁇ m or more, 1.0 ⁇ m or more, or 2.0 ⁇ m or more.
  • the thickness of the second layer 40 may be, for example, 5 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, or 25 ⁇ m or less.
  • the thickness range of the second layer 40 may be determined by a first group consisting of 0.5 ⁇ m, 1.0 ⁇ m, and 2.0 ⁇ m, and/or a second group consisting of 5 ⁇ m, 10 ⁇ m, and 25 ⁇ m.
  • the thickness range of the second layer 40 may be determined by a combination of any one of the values included in the first group described above and any one of the values included in the second group described above.
  • the thickness range of the second layer 40 may be determined by a combination of any two of the values included in the first group described above.
  • the thickness range of the second layer 40 may be determined by a combination of any two of the values included in the second group described above.
  • the thickness of the second layer 40 may be, for example, 0.5 ⁇ m to 25 ⁇ m, 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m, 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m, 0.5 ⁇ m to 2.0 ⁇ m, 0.5 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, 1.0 ⁇ m to 25 ⁇ m, 1.0 ⁇ m to 10 ⁇ m, 1.0 ⁇ m to 5 ⁇ m, 1.0 ⁇ m to 2.0 ⁇ m, 2.0 ⁇ m to 25 ⁇ m, 2.0 ⁇ m to 10 ⁇ m, 2.0 ⁇ m to 5 ⁇ m, 5 ⁇ m to 25 ⁇ m, 5 ⁇ m to 10 ⁇ m, or 10 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the thickness of the second layer 40 being 25 ⁇ m or less can suppress the occurrence of shadows.
  • the dimension S4 of the second opening 41 in plan view may be, for example, 1 ⁇ m or more, 2 ⁇ m or more, or 3 ⁇ m or more.
  • the dimension S4 may be, for example, 5 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, or 25 ⁇ m or less.
  • the range of the dimension S4 may be determined by a first group consisting of 1 ⁇ m, 2 ⁇ m, and 3 ⁇ m, and/or a second group consisting of 5 ⁇ m, 10 ⁇ m, and 25 ⁇ m.
  • the range of the dimension S4 may be determined by a combination of any one of the values included in the first group described above and any one of the values included in the second group described above.
  • the thickness of the intermediate layer 50 may be, for example, 5 nm to 100 ⁇ m, 5 nm to 10 ⁇ m, 5 nm to 1 ⁇ m, 5 nm to 75 nm, 5 nm to 50 nm, 50 nm to 100 ⁇ m, 50 nm to 10 ⁇ m, 50 nm to 1 ⁇ m, 50 nm to 75 nm, 75 nm to 100 ⁇ m, 75 nm to 10 ⁇ m, 75 nm to 1 ⁇ m, 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, 1 ⁇ m to 10 ⁇ m, or 10 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the intermediate layer 50 is positioned so as not to overlap the second opening 41 in a plan view. As a result, the occurrence of a shadow caused by the intermediate layer 50 can be suppressed.
  • the outer region 35 is narrow.
  • the narrow outer region 35 is easily damaged.
  • the outer region 35 is particularly susceptible to damage when the first layer 30 contains silicon or a silicon compound.
  • the shape and dimensions of the outer edge 603 of the frame 60 are not particularly limited.
  • the shape and dimensions S10 of the outer edge 603 of the frame 60 may be determined based on the dimensions and shapes of the hands of the operator or robot hand handling the mask device 15, and the dimensions and shapes of the mask holder 9 of the deposition device 10.
  • the outer edge 603 of the frame 60 may be rectangular or other polygonal.
  • the dimensions S10 of the outer edge 603 of the frame 60 may be, for example, 100 mm or more, 150 mm or more, or 200 mm or more.
  • the dimensions S10 may be, for example, 300 mm or less, 400 mm or less, or 500 mm or less.
  • the range of the distance S11 may be determined by a combination of any one of the values included in the first group described above and any one of the values included in the second group described above.
  • the range of the distance S11 may be determined by a combination of any two of the values included in the first group described above.
  • the range of the distance S11 may be determined by a combination of any two of the values included in the second group described above.
  • the width S12 may be, for example, 1 mm or more and 30 mm or less, 1 mm or more and 25 mm or less, 1 mm or more and 20 mm or less, 1 mm or more and 10 mm or less, 1 mm or more and 5 mm or less, 5 mm or more and 30 mm or less, 5 mm or more and 25 mm or less, 5 mm or more and 20 mm or less, 5 mm or more and 10 mm or less, 10 mm or more and 30 mm or less, 10 mm or more and 25 mm or less, 10 mm or more and 20 mm or less, 20 mm or more and 30 mm or less, 20 mm or more and 25 mm or less, or 25 mm or more and 30 mm or less.
  • the thickness T2 of the frame 60 is not particularly limited.
  • the thickness T2 may also be determined based on the dimensions and shape of the hand of the worker or the robot hand handling the mask device 15, and the dimensions and shape of the mask holder 9 of the deposition device 10.
  • the thickness T2 may be, for example, 500 ⁇ m or more, 2 mm or more, or 5 mm or more.
  • the thickness T2 may be, for example, 10 mm or less, 20 mm or less, or 30 mm or less.
  • the range of the thickness T2 may be determined by a first group consisting of 500 ⁇ m, 2 mm, and 5 mm, and/or a second group consisting of 10 mm, 20 mm, and 30 mm.
  • the range of the thickness T2 may be determined by a combination of any one of the values included in the first group described above and any one of the values included in the second group described above.
  • the range of the thickness T2 may be determined by a combination of any two of the values included in the first group described above.
  • the range of the thickness T2 may be determined by a combination of any two of the values included in the second group described above.
  • the thickness T2 may be, for example, 500 ⁇ m or more and 30 mm or less, 500 ⁇ m or more and 20 mm or less, 500 ⁇ m or more and 10 mm or less, 500 ⁇ m or more and 5 mm or less, 500 ⁇ m or more and 2 mm or less, 2 mm or more and 30 mm or less, 2 mm or more and 20 mm or less, 2 mm or more and 10 mm or less, 2 mm or more and 5 mm or less, 5 mm or more and 30 mm or less, 5 mm or more and 20 mm or less, 5 mm or more and 10 mm or less, 10 mm or more and 30 mm or less, 10 mm or more and 20 mm or less, or 20 mm or more and 30 mm or less.
  • the shape and dimensions of the mask device 15 can be made suitable for existing robot hands and existing deposition devices 10. In other words, there is no need to make the shape and dimensions of the mask 20 suitable for existing robot hands and existing deposition devices 10, improving the freedom of design of the mask 20.
  • the screws 70 are disposed in the connection region 27 of the mask 20 and the connection region 67 of the frame 60.
  • the screw holes 20H are formed in the connection region 27 of the mask 20.
  • the screw holes 20H penetrate the mask 20 from the exit surface 202 to the entrance surface 201.
  • the screw holes 60H are formed in the connection region 67 of the frame 60.
  • the screw holes 60H are formed as bottomed holes that are open on the fifth surface 601 of the frame 60.
  • the screw holes 60H may penetrate the frame 60 from the fifth surface 601 to the sixth surface 602.
  • the top surface 71a of the head 71 of the screw 70 is flush with the exit surface 202 of the mask 20. Therefore, the top surface 71a of the head 71 of the screw 70 is flush with the fourth surface 402 of the second layer 40.
  • the exit surface 202 of the mask 20 can be brought into contact with the substrate 110 or a component on the substrate 110.
  • the top surface 71a of the head 71 of the screw 70 may be located between the fourth surface 402 of the second layer 40 and the first surface 301 of the first layer 30. In this case, too, the exit surface 202 of the mask 20 can be brought into contact with the substrate 110 or a component on the substrate 110.
  • “Flush" means that the two surfaces are located on the same horizontal plane.
  • the screw 70 may include high-speed steel, hardened steel, stainless steel, titanium alloy, aluminum alloy, nickel alloy, molybdenum alloy, tungsten alloy, ceramics such as alumina and zirconia, hard plastic, graphite, carbon fiber, and glass.
  • the nickel alloy may be an Invar material.
  • the stainless steel may be SUS430, SUS304, or the like.
  • the glass may be quartz glass, borosilicate glass, alkali-free glass, soda glass, or the like.
  • the screw 70 may be made of the same material as the frame 60. For example, when the frame 60 is made of glass, the screw 70 may also be made of glass. For example, when the frame 60 is made of metal, the screw 70 may also be made of metal. When the screw 70 is made of the same material as the frame 60, the screw 70 and the frame 60 are well fastened to each other, and the mask 20 can be firmly fixed to the frame 60.
  • the buffer material 75 has cushioning properties. By disposing the buffer material 75 having cushioning properties between the mask 20 and the frame 60, the buffer material 75 can absorb the stress applied to the mask 20 from the frame 60. As a result, the risk of the mask 20 being damaged can be reduced. In addition, in the connection areas 27, 67 of the mask 20 and the frame 60, if there are irregularities on the entrance surface 201 and/or the fifth surface 601, the buffer material 75 deforms to fill the irregularities. Therefore, even if there are irregularities on the connection areas 27, 67 of the mask 20 and the frame 60, the mask 20 can be connected to the frame 60 so that the exit surface 202 of the mask 20 is flat.
  • the buffer material 75 may include a resin-based or silicone-based elastic material.
  • the buffer material 75 may also include porous ceramic.
  • a resist formation process is carried out to partially form a resist layer 37A on the second surface 302 of the first layer 30.
  • a resist opening 371A is formed in the resist layer 37A.
  • the resist opening 371A is formed opposite the screw hole 30H.
  • the screw hole 30H is the portion of the screw hole 20H that extends into the first layer 30.
  • the etching process for forming the second portion 30Hb may be deep reactive ion etching.
  • an etching gas in the form of plasma is used.
  • the etching gas is, for example, SF6 gas.
  • the resist layer 37A is removed after the screw holes 30H are formed in the first layer 30.
  • a resist processing liquid is supplied to the second surface 302.
  • the resist processing liquid contains, for example, N-methyl-2-pyrrolidone.
  • the resist layer 37A may be removed by irradiating the resist layer 37A with oxygen plasma.
  • the resist processing solution contains, for example, hydrofluoric acid.
  • the resist layer 37A may be removed by dry etching using CF4 gas or the like.
  • a resist layer 37B is formed partially on the intermediate layer 50.
  • a resist opening 371B is formed in the resist layer 37B.
  • the resist opening 371B is formed opposite the screw hole 30H.
  • the intermediate layer 50 is etched from the resist layer 37B side. As a result, a screw hole 50H is formed in the intermediate layer 50, and the intermediate layer 50 inside the screw hole 30H is removed.
  • the screw hole 50H is the portion of the screw hole 20H that extends inside the intermediate layer 50.
  • the etching for removing the intermediate layer 50 may be dry etching using an etching gas.
  • the resist layer forming process is a process of forming a resist layer on the intermediate layer 50.
  • the resist layer forming process includes, for example, a process of applying a liquid resist to the intermediate layer 50.
  • the resist layer forming process may also include a process of heating the liquid resist on the intermediate layer 50.
  • the resist layer is formed by drying the liquid resist.
  • the resist layer is developed to obtain a plurality of resist protrusions 371C, 372C on the intermediate layer 50.
  • the developer contains, for example, TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
  • the plating process may be an electrolytic plating process.
  • a plating power source is connected to the intermediate layer 50, and the laminate including the first layer 30, the intermediate layer 50, and the resist convex portions 371C, 372C is immersed in a plating bath containing a plating solution.
  • metal is deposited in the gaps between the multiple resist convex portions 371C, 372C on the intermediate layer 50, forming the second layer 40.
  • a mixed solution of a solution containing a nickel compound and a solution containing an iron compound can be used as the plating solution.
  • a mixed solution of a solution containing nickel sulfamate or nickel bromide and a solution containing ferrous sulfamate can be used.
  • the resist convex portions 371C and 372C are removed.
  • the resist convex portions 371C and 372C may be removed by exposing and developing the resist convex portions 371C and 372C.
  • the developing solution may contain, for example, TMAH (tetramethylammonium hydroxide).
  • the resist convex portions 371C and 372C may be removed by contacting the resist convex portions 371C and 372C with a resist processing solution.
  • the resist processing solution may contain, for example, N-methyl-2-pyrrolidone.
  • a resist layer 38 is partially formed on the first surface 301 of the first layer 30.
  • a resist opening 381 facing the first opening 31 is formed in the resist layer 38.
  • the resist layer 38 may be a silicon oxide film partially formed on the first surface 301.
  • the silicon oxide film is formed, for example, by partially performing a thermal oxidation process on the first surface 301.
  • the silicon oxide film may be formed on the first layer 30 before the intermediate layer 50 and the second layer 40 are laminated on the first layer 30.
  • a first layer processing step is performed in which the first layer 30 is etched from the first surface 301 side to form a first opening 31 in the first layer 30.
  • the etching in the first layer processing step may be dry etching using an etching gas.
  • the etching gas is an example of the etchant described above. Since the intermediate layer 50 is resistant to the etchant, as shown in FIG. 17, the etching can be prevented from progressing to the second layer 40.
  • the etching step in which the first opening 31 is formed may be deep reactive ion etching.
  • a substrate 110 on which a first electrode 120 is formed is prepared.
  • the substrate 110 may be a silicon wafer.
  • the first electrode 120 may be formed, for example, by forming a conductive layer constituting the first electrode 120 on the substrate 110 by a vacuum deposition method or the like, and then patterning the conductive layer by a photolithography method or the like. The patterning of the conductive layer may be performed using an apparatus that performs a semiconductor manufacturing process.
  • An insulating layer 160 located between two adjacent first electrodes 120 may be formed on the substrate 110.
  • the mask 20 includes a second layer 40 that includes a plurality of second openings 41.
  • the thickness of the second layer 40 can be reduced, thereby suppressing the occurrence of shadows during the deposition process.
  • the spacing S6 between the first wall surface 32 and the second openings 41 in a plan view the thickness of the first layer 30 can be appropriately ensured while suppressing shadows.
  • the mask 20 may not include an intermediate layer 50 between the first layer 30 and the second layer 40.
  • the second surface 302 of the first layer 30 and the third surface 401 of the second layer 40 may be directly connected.
  • a step portion 65 may be provided on the inner periphery of the frame 60.
  • the step portion 65 is recessed in a direction from the fifth surface 601 toward the sixth surface 602.
  • the step portion 65 is formed by a surface 651 that spreads from the inner edge 604 of the frame 60 toward the outer edge 603, and a surface 652 that connects the surface 651 and the fifth surface 601.
  • the surface 651 constitutes a part of the fifth surface 601.
  • the surface 652 connects the remaining part of the fifth surface 601 to the surface 651.
  • the surface 652 constitutes a part of the inner surface of the frame 60.
  • at least a part of the mask 20 may be received in the step portion 65, more specifically, in the space defined by the surfaces 651 and 652.
  • the outer edge of the mask 20 is surrounded by the frame 60.
  • the exit surface 202 of the mask 20 be flush with the fifth surface 601 of the frame 60 or protrude from the fifth surface 601.
  • the exit surface 202 of the mask 20 can be brought into contact with the substrate 110 or a component on the substrate 110.
  • FIG. 24 is a diagram showing an example of an apparatus 200 including an organic device 100.
  • the apparatus 200 includes a substrate 110 and an organic layer 130.
  • the organic layer 130 is a layer formed by a deposition method using a mask 20.
  • the apparatus 200 is, for example, a smartphone.
  • the apparatus 200 may also be a tablet terminal, a wearable terminal, or the like.
  • the wearable terminal is, for example, a smart glass, a head-mounted display, or the like.
  • the mask device 15 includes a mask 20 and a frame 60 connected to the mask 20.
  • the mask 20 includes a first layer 30 and a second layer 40.
  • the first layer 30 includes a first surface 301, a second surface 302 located on the opposite side of the first surface 301, at least one first opening 31 penetrating from the first surface 301 to the second surface 302, an outer edge 303, and an outer region 35 located between the outer edge 303 and the first opening 31 in a planar view.
  • the second layer 40 includes a third surface 401 facing the second surface 302, a fourth surface 402 located on the opposite side of the third surface 401, and a plurality of second openings 41 penetrating from the third surface 401 to the fourth surface 402 and overlapping the first opening 31 in a planar view.
  • the frame 60 faces the first surface 301 of the outer region 35 of the first layer 30. In a plan view, at least a portion of the frame 60 extends to the outside of the outer edge 303 of the first layer 30.
  • the mask 20 is fixed to the frame 60 by screws 70. In this case, the frame 60 can be grasped when handling the mask 20, so the risk of damage to the mask 20 is suppressed. As a result, the mask 20 is easy to handle. In addition, the mask 20 can be easily fixed to the frame 60, and the mask device 15 can be easily manufactured.

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Abstract

マスク装置は、マスクと、マスクに接続されたフレームと、を含む。マスクは、第１層と第２層とを含む。第１層は、第１面と、第２面と、少なくとも１つの第１開口とを含む。第２層は、第２面に対向する第３面と、第４面と、第１開口に重なる複数の第２開口とを含む。フレームは、第１層の外側領域の第１面に対向する。平面視において、フレームの少なくとも一部は、第１層の外縁の外側まで広がっている。マスクは、ネジによってフレームに固定されている。

Description

マスク装置及び有機デバイスの製造方法
　本開示の実施形態は、マスク装置及び有機デバイスの製造方法に関する。
　精密なパターンを形成するための方法として、蒸着法が知られている。蒸着法においては、まず、開口が形成されたマスクを基板に組み合わせる。続いて、マスクの開口を介して蒸着材料を基板に付着される。この結果、マスクの開口のパターンに対応したパターンで、蒸着材料を含む蒸着層が基板上に形成される。蒸着法は、例えば、有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として用いられている。特許文献１には、蒸着法に用いられるマスクが開示されている。
特開２００９－０６２５６５号公報
　マスクの外縁近傍まで開口を形成すると、外縁部が破損しやすくなり、マスクの取り扱いが困難になる。また、外縁近傍まで開口が形成される場合、マスクの外縁部が狭い。この結果、マスクを把持する際に、外縁部だけでなく外縁部よりも内側の領域、すなわち、マスクの開口が形成された領域が把持される虞がある。この場合、マスクの開口が形成された領域が汚染される虞がある。一方で、マスクの外縁近傍まで開口を形成することで、一枚のマスクで基板のより広い範囲に蒸着層を形成可能とすることが求められている。
　本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決することを目的とする。
　本開示の一実施形態によるマスク装置は、マスクと、前記マスクに接続されたフレームと、を備え、前記マスクは、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、外縁と、平面視において前記外縁と前記第１開口との間に位置する外側領域と、を含む第１層と、前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、を含んでもよく、前記フレームは、前記第１層の前記外側領域の前記第１面に対向してもよく、平面視において、前記フレームの少なくとも一部は、前記第１層の前記外縁の外側まで広がっていてもよく、前記フレームは、ネジによって前記マスクに固定されていてもよい。
　本開示の実施形態によれば、マスクの取り扱いが容易になる。
有機デバイスの一例を示す平面図である。 マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。 入射面の側から見た場合のマスク装置の一例を示す平面図である。 出射面の側から見た場合のマスク装置の一例を示す平面図である。 図３のマスク装置のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。 図５Ａに示す断面の二点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す図である。 有効領域の一例を示す断面図である。 図５Ｂに示す断面の二点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す図である。 図６に対応する図であって、マスク装置の一変形例を示す図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 一実施の形態によるマスク装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図６に対応する図であって、マスク装置の一変形例を示す断面図である。 図６に対応する図であって、マスク装置の一変形例を示す断面図である。 有機デバイスを備える装置の一例を示す図である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、要素Ａの面が要素Ｂの面に「対向する」という状態は、要素Ａの面が要素Ｂの面に接している場合だけでなく、要素Ａの面と要素Ｂの面の間に要素Ｃが位置している場合も含む。すなわち、「対向する」という用語は、２つの面の向きを表す用語である。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の例と組み合わせられ得る。また、その他の例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
　本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して２つ以上のステップ又はプロセスを開示する場合に、開示されているステップ又はプロセスの間に、開示されていないその他のステップ又はプロセスが実施されてもよい。また、開示されているステップ又はプロセスの順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
　本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機層又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。
　本開示の第１の態様は、
　マスクと、
　前記マスクに接続されたフレームと、
を備え、
　前記マスクは、
　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、外縁と、平面視において前記外縁と前記第１開口との間に位置する外側領域と、を含む第１層と、
　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、
を含み、
　前記フレームは、前記第１層の前記外側領域の前記第１面に対向し、
　平面視において、前記フレームの少なくとも一部は、前記第１層の前記外縁の外側まで広がっており、
　前記マスクは、ネジによって前記フレームに固定されている、
マスク装置である。
　上述した第１の態様に従う第２の態様によるマスク装置において、
　前記第１層は、シリコン又はシリコン化合物を含んでもよく、
　前記フレームは、ガラスまたは金属を含んでもよい。
　上述した第１の態様又は上述した第２の態様に従う第３の態様によるマスク装置において、前記マスクと前記フレームとの間に緩衝材を備えてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第３の態様のいずれかに従う第４の態様によるマスク装置において、
　前記マスク及び前記フレームは、前記ネジの頭部から脚部に向かう方向にこの順で配置されていてもよく、
　前記ネジの前記脚部の先端と前記フレームとの間に緩衝材を備えていてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第４の態様のいずれかに従う第５の態様によるマスク装置において、
　前記マスク及び前記フレームは、前記ネジの頭部から脚部に向かう方向にこの順で配置されていてもよく、
　前記ネジの前記頭部の頂面は、前記第２層の前記第４面と面一であってもよい、又は、前記第４面と前記第１層の前記第１面との間に位置していてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第５の態様のいずれかに従う第６の態様によるマスク装置において、前記マスクは２以上のネジによって前記フレームに固定されていてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第６の態様のいずれかに従う第７の態様によるマスク装置において、前記マスクは、平面視において各々が前記複数の第２開口を挟んで配置された一対または複数対のネジによって前記フレームに固定されていてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第７の態様のいずれかに従う第８の態様によるマスク装置において、前記フレームに前記マスクの少なくとも一部を受容する段差部が形成されていてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第８の態様のいずれかに従う第９の態様によるマスク装置において、前記マスクは、前記フレームに着脱可能に固定されていてもよい。
　上述した第１の態様から上述した第９の態様のいずれかに従う第１０の態様によるマスク装置において、前記ネジは、前記フレームと同じ材料で構成されていてもよい。
　本開示の第１１の態様は、上述した第１の態様から上述した第１０の態様のいずれかの態様によるマスク装置を用いる蒸着法によって基板上に有機層を形成する工程を備える、有機デバイスの製造方法である。
　図１乃至図２１を参照して、一実施の形態について説明する。まず、マスクを用いることにより形成される有機層を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。
　有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。基板１１０は、第１面１１１及び第１面１１１の反対側に位置する第２面１１２を含む。素子１１５は、第１面１１１に位置している。素子１１５は、例えば画素である。基板１１０は、２以上の種類の素子１１５を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂを含んでいてもよい。図示はしないが、基板１１０は、第３素子を含んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子は、例えば、赤色画素、青色画素及び緑色画素である。
　素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。
　有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。「平面視」とは、基板１１０などの板状の部材の面の法線方向に沿って対象を見ることを意味する。
　基板１１０は、絶縁性を有する部材であってもよい。基板１１０の材料としては、例えば、シリコン、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。基板１１０は、半導体製造で用いられるシリコンウエハと同様の平面形状を有していてもよい。この場合、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０を処理できる。例えば、半導体製造工程を実施する装置を用いて基板１１０に第１電極１２０、絶縁層１６０などを形成できる。
　素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。
　第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。
　有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０が通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。
　図１に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａは、第１素子１１５Ａに含まれる。第２有機層１３０Ｂは、第２素子１１５Ｂに含まれる。図示はしないが、有機層１３０は、第３素子に含まれる第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。
　第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。
　有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
　第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含んでいてもよい。第２電極１４０の材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を用いることができる。図１に示すように、第２電極１４０は、平面視において隣り合う２つの有機層１３０に跨るように広がっていてもよい。
　次に、有機層１３０を蒸着法によって基板１１０に形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。
　図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びフレーム付きマスク１５を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。
　フレーム付きマスク１５は、マスク２０と、マスク２０に取り付けられたフレーム６０と、を含む。フレーム付きマスク１５は、マスク装置１５とも称される。マスク２０は、入射面２０１、出射面２０２及び第２開口４１を含む。出射面２０２は、入射面２０１の反対側に位置する。マスク装置１５は、マスクホルダ９に支持されている。マスク装置１５は、入射面２０１が蒸着源６と対向し、出射面２０２が基板１１０の第１面１１１と対向するように、配置されている。出射面２０２からマスク２０に入った蒸着材料７の一部は、第２開口４１を通過して出射面２０２から出る。出射面２０２から出た蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク２０の出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１に接していてもよい。
　図２に示すように、蒸着装置１０は、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。マスク２０が金属材料を含む場合、磁石５は、磁力によってマスク２０を基板１１０に向けて引き寄せることができる。この結果、マスク２０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。したがって、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。本願において、シャドウとは、第２開口４１の壁面の近傍に形成される有機層１３０の厚みが、第２開口４１の中心に形成される有機層１３０の厚みよりも小さくなる現象である。シャドウは、蒸着材料７がマスク２０の壁面に付着すること、蒸着材料７がマスク２０と基板１１０との間の隙間に入り込むこと、などに起因して生じる。
　次に、マスク装置１５について、詳述する。図３は、入射面２０１の側から見た場合のマスク装置１５の一例を示す平面図である。図４は、出射面２０２の側から見た場合のマスク装置１５の一例を示す平面図である。図５Ａは、図３のマスク装置１５のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。図５Ｂは、図５Ａの断面の二点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す図である。
　まず、マスク２０について詳細に説明する。図５Ａに示すように、マスク２０は、入射面２０１から出射面２０２に向かって順に並ぶ第１層３０及び第２層４０を備える。第１層３０は、例えば、シリコン、シリコン化合物、ガラス、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含む。シリコン化合物は、例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）である。第２層４０は、例えば、樹脂材料を含む。図５Ａに示すように、マスク２０は、さらに中間層５０を備えていてもよい。中間層５０は、第１層３０と第２層４０との間に配置されている。以下、各層について説明する。
　図５Ｂによく示されているように、第１層３０は、第１面３０１、第２面３０２、第１開口３１及び第１壁面３２を含む。第１面３０１は、入射面２０１を構成していてもよい。第２面３０２は、第１面３０１の反対側に位置している。
　第１開口３１は、第１層３０を、第１面３０１から第２面３０２へ貫通している。図３に示すように、第１層３０は、複数の第１開口３１を含んでいてもよい。複数の第１開口３１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交していてもよい。
　第１開口３１は、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応していてもよい。図３に示すマスク２０は、複数の画面に対応する有機層のパターンを同時に基板１１０に形成できる。図３に示すように、第１開口３１は、平面視において矩形の輪郭を有していてもよい。
　第１壁面３２は、第１開口３１に面する第１層３０の面である。図３に示す例において、第１壁面３２は、第１面３０１の法線方向に沿って広がっている。
　図３に示すように、第１開口３１が形成されていない第１層３０の領域は、外側領域３５及び内側領域３６に区画されてもよい。内側領域３６は、平面視において隣り合う２つの第１開口３１の間に位置する領域である。外側領域３５は、平面視において、第１層３０の外縁３０３と第１開口３１との間に位置する領域である。図３に示すように、内側領域３６は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に延びていてもよい。
　第１層３０がシリコン又はシリコン化合物を含む場合、第１層３０は、例えば、シリコンウエハを加工することによって作製されてよい。図３に示すように、第１層３０の外縁３０３は、直線状の部分を含んでいてもよい。直線状の部分は、オリエンテーションフラットとも称される。図示はしないが、外縁３０３には切り欠きが形成されていてもよい。切り欠きは、ノッチとも称される。第１層３０がシリコンウエハを加工することによって作製される場合、オリエンテーションフラット及びノッチは、シリコンウエハの結晶方位を表す。
　平面視における第１層３０の最大の寸法Ｓ１は、例えば、１００ｍｍ以上でもよく、１５０ｍｍ以上でもよく、２００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｓ１は、例えば、３００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以下でもよく、５００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｓ１の範囲は、１００ｍｍ、１５０ｍｍ及び２００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３００ｍｍ、４００ｍｍ及び５００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１は、例えば、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよい。
　第１開口３１が並ぶ方向における第１開口３１の寸法Ｓ２は、例えば、３ｍｍ以上でもよく、１０ｍｍ以上でもよく、２０ｍｍ以上でもよい。寸法Ｓ２は、例えば、３０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｓ２の範囲は、３ｍｍ、１０ｍｍ及び２０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３０ｍｍ、５０ｍｍ及び１００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ２は、例えば、３ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でもよく、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよい。
　第１開口３１が並ぶ方向における２つの第１開口３１の間の間隔Ｓ３は、例えば、０．１ｍｍ以上でもよく、０．５ｍｍ以上でもよく、１．０ｍｍ以上でもよい。間隔Ｓ３は、例えば、１０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以下でもよい。間隔Ｓ３の範囲は、０．１ｍｍ、０．５ｍｍ及び１．０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０ｍｍ、１５ｍｍ及び２０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｓ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ３は、例えば、０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、０．１ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下でもよく、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下でもよく、０．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、０．５ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよい。
　第１層３０の厚みは、外側領域３５の最大の厚みＴ１として定義される。厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、２００μｍ以上でもよい。厚みＴ１は、例えば、６００μｍ以下でもよく、８００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以下でもよい。厚みＴ１の範囲は、５０μｍ、１００μｍ及び２００μｍからなる第１グループ、及び／又は、６００μｍ、８００μｍ及び１０００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上８００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上６００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上８００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上６００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上８００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上６００μｍ以下でもよく、６００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、６００μｍ以上８００μｍ以下でもよく、８００μｍ以上１０００μｍ以下でもよい。
　次に、第２層４０について説明する。第２層４０は、第３面４０１、第４面４０２、及び複数の第２開口４１を含む。第３面４０１は、第１層３０の第２面３０２に対向している。第４面４０２は、第３面４０１の反対側に位置している。
　第２開口４１は、第２層４０を、第３面４０１から第４面４０２へ貫通している。１つの第２開口４１が、１つの有機層１３０に対応している。規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、有機ＥＬ表示装置の１つの画面に対応している。図３及び図４に示すように、規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が、平面視において１つの第１開口３１に重なっていてもよい。第２開口４１の複数の群が、シリコンウエハなどの１枚の部材を加工することによって形成された第１層３０によって支持されている。
　第２層４０は、周縁領域４３及び有効領域４４に区画されてもよい。周縁領域４３は、平面視において第１層３０に重なる領域である。有効領域４４は、規則的に並ぶ複数の第２開口４１の一群が分布している領域である。周縁領域４３は、さらに外側領域４５及び内側領域４６に区画されてもよい。外側領域４５は、平面視において、第１層３０の外側領域３５と重なる領域である。内側領域４６は、平面視において、第１層３０の内側領域３６と重なる領域である。
　図５Ｃは、有効領域４４の一例を示す断面図である。第２層４０は、第２開口４１に面する第２壁面４２を含む。図５Ｃに示すように、第２壁面４２は、第３面４０１に向かうにつれて第２開口４１の中心から離れるように広がるテーパ面４２ａを含んでいてもよい。第２壁面４２がテーパ面４２ａを含むことにより、第２壁面４２の近傍においてシャドウが生じることを抑制できる。
　図５Ｃにおいて、符号Ｓ８は、第２開口４１が並ぶ方向におけるテーパ面４２ａの幅を表す。幅Ｓ８は、例えば、０．１μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよい。幅Ｓ８は、例えば、１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよい。幅Ｓ８の範囲は、０．１μｍ、０．５μｍ及び１．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０μｍ、２０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｓ８の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ８の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ８の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ８は、例えば、０．１μｍ以上２５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上２０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよい。
　図５Ｃにおいて、符号θ１は、第２壁面４２と第４面４０２とが成す角度を表す。角度θ１は、例えば、５０°以上でもよく、５５°以上でもよく、６０°以上でもよい。角度θ１は、例えば、８０°以下でもよく、８５°以下でもよく、９０°未満でもよい。角度θ１の範囲は、５０°、５５°及び６０°からなる第１グループ、及び／又は、８０°、８５°及び９０°からなる第２グループによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θ１は、例えば、５０°以上９０°未満でもよく、５０°以上８５°以下でもよく、５０°以上８０°以下でもよく、５０°以上６０°以下でもよく、５０°以上５５°以下でもよく、５５°以上９０°未満でもよく、５５°以上８５°以下でもよく、５５°以上８０°以下でもよく、５５°以上６０°以下でもよく、６０°以上９０°未満でもよく、６０°以上８５°以下でもよく、６０°以上８０°以下でもよく、８０°以上９０°未満でもよく、８０°以上８５°以下でもよく、８５°以上９０°未満でもよい。
　第２層４０は、金属材料を含んでいてよい。第２層４０が金属材料を含んでいる場合、磁石５を用いることにより、マスク２０を基板１１０に密着させることができる。この場合、磁力によってマスク２０を磁石５の側に引き寄せることができ、マスク２０と基板１１０との密着性を向上できる。したがって、有機デバイス１００の有機層１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃの精細度を向上できる。
　第２層４０に含まれる金属材料は、磁性金属材料であってもよい。磁性金属材料は、例えば、ニッケル、鉄、コバルト及びこれらの合金であってもよい。例えば、第２層４０を構成する材料としては、ニッケルを含む鉄合金を用いてもよい。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、第２層４０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いてもよい。ニッケルを含む鉄合金には、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いてもよい。ニッケル及びコバルトを含む鉄合金には、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などを用いてもよい。このような鉄合金を用いることによって、第２層４０の熱膨張係数を低くできる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、第２層４０の熱膨張係数を、ガラス基板と等しい値か近い値に調整できる。したがって、精度低下を抑制できる。
　第２層４０を構成する材料として、コバルトを含むニッケル合金を用いてもよい。コバルトを含むニッケル合金を用いる場合には、第２層４０の材料として、コバルトの含有量が、８質量％以上且つ１０質量％以下であるニッケル合金を用いてもよい。このようなニッケル又はニッケル合金を用いた場合には、後述する第２層形成工程において用いられるめっき液が、成分分解することを抑制でき、めっき液の安定性を向上できる。
　第２層４０は、単一の金属層によって構成されていてもよく、複数の金属層を含んでいてもよい。マスク２０が中間層５０を含む場合、第２層４０は、中間層５０をエッチングするエッチャントに対する耐性を有する材料で構成される。
　第２層４０の厚みは、第１層３０の厚みＴ１よりも小さい。第２層４０の厚みは、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、２．０μｍ以上でもよい。第２層４０の厚みは、例えば、５μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよい。第２層４０の厚みの範囲は、０．５μｍ、１．０μｍ及び２．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、５μｍ、１０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２層４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２層４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２層４０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２層４０の厚みは、例えば、０．５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよい。第２層４０の厚みが２５μｍ以下であることにより、シャドウの発生を抑制できる。第２層４０の厚みが０．５μｍ以上であることにより、ピンホール等の欠陥や変形等が第２層４０に生じることを抑制できる。
　平面視における第２開口４１の寸法Ｓ４は、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよい。寸法Ｓ４は、例えば、５μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよい。寸法Ｓ４の範囲は、１μｍ、２μｍ及び３μｍからなる第１グループ、及び／又は、５μｍ、１０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｓ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ４の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ４の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ４は、例えば、１μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、１μｍ以上２μｍ以下でもよく、２μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２μｍ以上５μｍ以下でもよく、２μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上２５μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよい。
　第２開口４１が並ぶ方向における２つの第２開口４１の間の間隔Ｓ５は、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよい。間隔Ｓ５は、例えば、５μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよい。間隔Ｓ５の範囲は、１μｍ、２μｍ及び３μｍからなる第１グループ、及び／又は、５μｍ、１０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｓ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｓ５は、例えば、１μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、１μｍ以上２μｍ以下でもよく、２μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２μｍ以上５μｍ以下でもよく、２μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上２５μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよい。
　平面視における第１壁面３２と第２開口４１との間の間隔Ｓ６は、間隔Ｓ５よりも大きくてもよい。この結果、第１壁面３２に近接する第２開口４１においてシャドウが生じることを抑制できる。
　次に、中間層５０について説明する。中間層５０は、第１層３０又は第２層４０に対する何らかの機能を果たす層を含む。例えば中間層５０は、エッチングによって第１層３０を加工する工程において、エッチングをストップさせるストッパ層として機能してもよい。中間層５０がストッパ層である場合、中間層５０は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン又はチタン合金を含んでいてもよい。中間層５０がストッパ層である場合、中間層５０は、酸化シリコンなどの無機化合物を含んでいてもよい。あるいは、中間層５０は、第１層３０と第２層４０とを接合する機能を果たしてもよい。例えば中間層５０は、接着剤を含む接合層であってもよい。
　中間層５０の厚みは、上述した機能を発揮できる限り特には限定されない。例えば、中間層５０の厚みは、第２層４０の厚みよりも小さくてもよく、第２層４０の厚み以上でもよい。中間層５０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、７５ｎｍ以上でもよい。中間層５０の厚みは、例えば、１μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。中間層５０の厚みの範囲は、５ｎｍ、５０ｎｍ及び７５ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、１μｍ、１０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。中間層５０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。中間層５０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。中間層５０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。中間層５０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上７５ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１０μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上７５ｎｍ以下でもよく、７５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、７５ｎｍ以上１０μｍ以下でもよく、７５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
　好ましくは、中間層５０は、平面視において第２開口４１に重ならないよう位置している。この結果、中間層５０に起因するシャドウが生じることを抑制できる。
　上述したマスク２０において、第１開口３１が形成された領域、第２開口４１が形成された領域（有効領域４４）及び内側領域３６，４６を含む領域を、以下ではマスク２０の内側領域２６とも称する。また、外側領域３５，４５を含む領域を、マスク２０の外側領域２５とも称する。外側領域２５は内側領域２６を取り囲む。外側領域２５は、フレーム６０が接続される接続領域２７を含む。接続領域２７は、外側領域２５の外縁領域である。
　次に、フレーム６０について詳細に説明する。フレーム６０は、マスク２０を取り扱う際、例えばマスク２０を移動させる際、把持されることを目的として、マスク２０に取り付けられる。図３等に示すように、マスク２０には、その外縁近傍まで第２開口４１が、したがって第１開口３１が形成されている。マスク２０を取り扱う際、例えばマスク２０を移動させる際、第２層４０の第２開口４１の変形等を防止するため、あるいは第２層４０の汚染を防止するため、第１層３０の外側領域３５を把持することが望まれるが、第１層３０の外縁３０３の近傍まで第１開口３１が形成されているため、外側領域３５の広さは、外側領域３５を把持するには不十分である。また、第１層３０の外縁３０３の近傍まで第１開口３１が形成されているため、外側領域３５は狭い。幅の狭い外側領域３５は、破損しやすい。外側領域３５は、第１層３０がシリコン又はシリコン化合物を含む場合、特に破損しやすい。このようなマスク２０の外側領域２５にフレーム６０が取り付けられていることで、マスク２０を取り扱う際、フレーム６０を把持でき、第１層３０が破損する虞も低減される。この結果、マスク２０の取り扱いが容易になる。
　図３乃至図５Ｂから理解されるように、フレーム６０は、第５面６０１および第６面６０２を含む。第５面６０１は、第４面４０２と同じ側を向く。第６面６０２は、第５面６０１の反対側に位置している。図示された例では、第５面６０１と第１面３０１とが対向している。
　図５Ａ及び図５Ｂに示されているように、フレーム６０には、ネジ７０によってマスク２０が固定されている。フレーム６０は、第１層３０の外側領域３５の第１面３０１に対向している。図示された例では、外側領域３５の第１面３０１とフレーム６０の第５面６０１との間に緩衝材７５が配置されている。フレーム６０は、緩衝材７５を介して第１層３０と対向している。平面視において、フレーム６０は第１開口３１と重なっていない。また、平面視において、フレーム６０の少なくとも一部は、第１層３０の外縁３０３の外側まで広がっている。したがって、フレーム６０によって、マスク２０を取り扱う際に把持するための領域が拡張される。
　フレーム６０は、ガラス材料または金属材料を含む。ガラス材料は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等である。また、金属材料は、インバー材やＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４等のステンレスである。フレーム６０がこれらの材料を含むことにより、フレーム６０の剛性を第1層３０よりも高くできる。フレーム６０の材料は、マスク装置１５を取り扱う作業者やロボットハンドの把持力を考慮して、フレーム６０が必要な剛性を有するように決定されてよい。
　また、フレーム６０の線熱膨張係数は、第１層３０の線熱膨張係数と同程度であることが好ましい。この結果、マスク装置１５が加熱された際の、フレーム６０及び第１層３０の伸び率を同程度にすることができる。この結果、第１層３０が破損する虞が抑制される。具体的には、フレーム６０の線熱膨張係数と第１層３０の線熱膨張係数の差の絶対値が、１５ｐｐｍ／℃以下であり、１０ｐｐｍ／℃以下であってもよく、５．０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。
　図示された例では、フレーム６０は、環状に形成されている。フレーム６０は、平面視において第１層３０の外縁３０３の外側を周状に延びる領域を有する。したがって、マスク２０を取り扱う際に第１層３０の外側領域３５が破損する虞が、効果的に抑制される。より具体的には、フレーム６０の中央には、第５面６０１から第６面６０２へ貫通する第３開口６１が形成されている。図示された例では、第３開口６１は、第１層３０の外縁３０３と相似形である。第３開口６１の最大寸法Ｓ９は、第１層３０の外縁３０３の最大寸法Ｓ１よりも小さい。平面視において、第３開口６１は、マスク２０の内側領域２６に重なる。
　フレーム６０の外縁６０３の形状及び寸法は特に限定されない。フレーム６０の外縁６０３の形状及び寸法Ｓ１０は、マスク装置１５を取り扱う作業者の手やロボットハンドの寸法や形状、蒸着装置１０のマスクホルダ９の寸法や形状に基づいて決定されてよい。フレーム６０の外縁６０３は、四角形状であってもよいし、他の多角形状であってもよい。フレーム６０の外縁６０３の寸法Ｓ１０は、例えば、１００ｍｍ以上でもよく、１５０ｍｍ以上でもよく、２００ｍｍ以上でもよい。寸法Ｓ１０は、例えば、３００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以下でもよく、５００ｍｍ以下でもよい。寸法Ｓ１０の範囲は、１００ｍｍ、１５０ｍｍ及び２００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３００ｍｍ、４００ｍｍ及び５００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｓ１０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｓ１０は、例えば、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上２００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上４００ｍｍ以下でもよく、４００ｍｍ以上５００ｍｍ以下でもよい。
　フレーム６０の外縁６０３と第１層３０の外縁３０３との距離Ｓ１１も、マスク装置１５を取り扱う作業者の手やロボットハンドの寸法や形状、蒸着装置１０のマスクホルダ９の寸法や形状に基づいて決定されてよい。距離Ｓ１１は、例えば、５ｍｍ以上でもよく、１０ｍｍ以上でもよく、１５ｍｍ以上でもよい。距離Ｓ１１は、例えば、３０ｍｍ以下でもよく、６０ｍｍ以下でもよく、１００ｍｍ以下でもよい。距離Ｓ１１の範囲は、５ｍｍ、１０ｍｍ及び１５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、３０ｍｍ、６０ｍｍ及び１００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。距離Ｓ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｓ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｓ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｓ１１は、例えば、５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以上６０ｍｍ以下でもよく、６０ｍｍ以上１００ｍｍ以下でもよい。
　図５Ｂに示すように、フレーム６０は、第３開口６１の周囲に、マスク２０が接続する接続領域６７を含む。接続領域６７は、平面視において、マスク２０の接続領域２７と重なる。接続領域２７，６７の幅Ｓ１２は、例えば、１ｍｍ以上でもよく、５ｍｍ以上でもよく、１０ｍｍ以上でもよい。幅Ｓ１２は、例えば、２０ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以下でもよい。幅Ｓ１２の範囲は、１ｍｍ、５ｍｍ及び１０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、２０ｍｍ、２５ｍｍ及び３０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｓ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ１２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｓ１２は、例えば、１ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上２５ｍｍ以下でもよく、２５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよい。
　フレーム６０の厚みＴ２も特に限定されない。厚みＴ２も、マスク装置１５を取り扱う作業者の手やロボットハンドの寸法や形状、蒸着装置１０のマスクホルダ９の寸法や形状に基づいて決定されてよい。厚みＴ２は、例えば、５００μｍ以上でもよく、２ｍｍ以上でもよく、５ｍｍ以上でもよい。厚みＴ２は、例えば、１０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以下でもよく、３０ｍｍ以下でもよい。厚みＴ２の範囲は、５００μｍ、２ｍｍ及び５ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０ｍｍ、２０ｍｍ及び３０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ２は、例えば、５００μｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、５００μｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、５００μｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、５００μｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５００μｍ以上２ｍｍ以下でもよく、２ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、２ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、２ｍｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよく、１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下でもよく、２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下でもよい。
　フレーム６０の外縁６０３の形状及び寸法並びにフレーム６０の厚みＴ２を、マスク装置１５を取り扱うロボットハンドの寸法や形状、蒸着装置１０のマスクホルダ９の寸法や形状に基づいて決定することにより、マスク装置１５の形状及び寸法を、既存のロボットハンドや既存の蒸着装置１０に適した形状及び寸法にできる。言い換えると、マスク２０の形状及び寸法を既存のロボットハンドや既存の蒸着装置１０に適した形状及び寸法にする必要がなく、マスク２０の設計の自由度が向上する。
　図示された例では、マスク２０は、フレーム６０の第５面６０１から突出している。また、後述するように、ネジ７０はマスク２０の出射面２０２から突出していない。したがって、基板１１０又は基板１１０上の構成要素にマスク２０を通じて蒸着層を形成する際に、マスク２０の出射面２０２を基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触させることができる。
　次に、ネジ７０について詳細に説明する。ネジ７０は、マスク２０をフレーム６０に固定する。ネジ７０を用いてマスク２０をフレーム６０に固定することで、マスク２０をフレーム６０に容易に接続できる。また、マスク２０をフレーム６０に着脱可能に接続することも容易である。マスク２０がフレーム６０に着脱可能に接続されている場合、マスク装置１５を蒸着処理で使用した後、マスク２０をフレーム６０から取り外して、当該フレーム６０を新たなマスク装置１５の作製に利用することができる。なお、蒸着処理に利用されたマスク装置１５は、超音波洗浄機等を用いて洗浄されて、再び蒸着処理に利用される。何度も洗浄を行うと、マスク２０が変形したり破断したりして、第２開口４１の位置ずれや変形が生じる。このようなマスク２０を使用して蒸着処理を行うと、基板１１０上に形成される有機層１３０、第２電極１４０などの蒸着層の位置、形状などの精度が低下する。したがって、何度か使用されたマスク装置１５は、そのマスク２０を交換する必要がある。
　図５Ｂに示すように、ネジ７０は、頭部７１と脚部７２とを有する。マスク２０及びフレーム６０は、ネジ７０の頭部７１から脚部７２に向かう方向にこの順で積層されている。ネジ７０は、マスク２０及びフレーム６０に形成されたネジ孔２０Ｈ，６０Ｈに挿通されている。ネジ７０及びネジ孔２０Ｈ，６０Ｈは、マスク２０及びフレーム６０の積層方向に延びている。ネジ孔２０Ｈ，６０Ｈは、マスク２０及びフレーム６０の積層方向に重なっている。
　ネジ７０は、マスク２０の接続領域２７及びフレーム６０の接続領域６７内に配置されている。ネジ７０の配置に対応して、ネジ孔２０Ｈは、マスク２０の接続領域２７に形成されている。ネジ孔２０Ｈは、マスク２０を、出射面２０２から入射面２０１へ貫通している。また、ネジ孔６０Ｈは、フレーム６０の接続領域６７に形成されている。図示された例では、ネジ孔６０Ｈは、フレーム６０の第５面６０１において開放した有底穴として形成されている。しかしながら、ネジ孔６０Ｈは、フレーム６０を、第５面６０１から第６面６０２へ貫通していてもよい。
　マスク２０をフレーム６０に固定するネジ７０の数は、特に限られない。ネジ７０の数は、１以上であればよく、２以上であってよく、４以上であってよく、８以上であってよい。ネジ７０の数が多いほど、マスク装置１５におけるマスク２０の平坦度が向上する。また、図４に示す例では、マスク２０は、平面視において各々が複数の第２開口４１を挟んで配置された一対または複数対のネジ７０ａ，７０ａ；７０ｂ，７０ｂ；７０ｃ，７０ｃ；７０ｄ，７０ｄによってフレーム６０に固定されている。この場合も、マスク装置１５におけるマスク２０の平坦度が向上する。マスク装置１５におけるマスク２０の平坦度が向上すると、基板１１０上の有機層１３０、第２電極１４０などの蒸着層の位置、形状などの精度が向上する。
　図６に示す例では、ネジ７０の頭部７１の頂面７１ａは、マスク２０の出射面２０２と面一である。したがって、ネジ７０の頭部７１の頂面７１ａは、第２層４０の第４面４０２と面一である。この場合、基板１１０又は基板１１０上の構成要素にマスク２０を通じて蒸着層を形成する際に、マスク２０の出射面２０２を基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触させることができる。もちろん、図７に示すように、ネジ７０の頭部７１の頂面７１ａは、第２層４０の第４面４０２と第１層３０の第１面３０１との間に位置していてもよい。この場合も、マスク２０の出射面２０２を基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触させることができる。「面一」とは、２つの面が同一の水平面上に位置することを意味する。
　ネジ７０は、高速度鋼や、焼き入れ鋼、ステンレス鋼、チタン合金、アルミニウム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、タングステン合金、アルミナやジルコニア等のセラミックス、硬質プラスチック、グラファイト、カーボンファイバー、ガラスを含んでよい。ニッケル合金はインバー材であってよい。ステンレス鋼は、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４等であってよい。ガラスは、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等であってよい。ネジ７０は、フレーム６０と同じ材料で構成されてよい。例えば、フレーム６０がガラスで構成されている場合に、ネジ７０もガラスで構成されていてもよい。例えば、フレーム６０が金属で構成されている場合に、ネジ７０も金属で構成されていてもよい。ネジ７０がフレーム６０と同じ材料で構成されている場合、ネジ７０とフレーム６０との締結が良好となり、マスク２０をフレーム６０にしっかりと固定することができる。
　ネジ７０の脚部７２のうち、フレーム６０内を延びる部分の長さＬ７２と脚部７２の直径Ｒ７２との比Ｌ７２／Ｒ７２は、例えば、１．５以上でもよく、２以上でもよい。
　次に、緩衝材７５について説明する。緩衝材７５は、クッション性を有する。クッション性を有する緩衝材７５がマスク２０とフレーム６０との間に配置されることで、フレーム６０からマスク２０に加わる応力を、緩衝材７５で吸収できる。この結果、マスク２０が破損する虞を低減できる。また、マスク２０及びフレーム６０の接続領域２７，６７において、入射面２０１及び／または第５面６０１に凹凸が存在する場合、緩衝材７５が変形して当該凹凸を埋める。したがって、マスク２０及びフレーム６０の接続領域２７，６７に凹凸が存在しても、マスク２０の出射面２０２が平坦になるようにマスク２０をフレーム６０に接続できる。緩衝材７５は、樹脂系やシリコン系の弾性材料を含んでよい。また、緩衝材７５は、多孔質セラミックを含んでもよい。
　図４に示すように、マスク装置１５は、アライメントマーク１６を含んでいてよい。アライメントマーク１６は、例えばマスク２０の出射面２０２に形成されている。アライメントマーク１６は、基板１１０に対するマスク装置１５の相対的な位置を調整するために（したがって、基板１１０に対するマスク２０の相対的な位置を調整するために）利用される。基板１１０が可視光を透過させる性質を有する場合、基板１１０を透過してアライメントマーク１６を視認できる。アライメントマーク１６は、第２層４０に形成されていてもよいし、第２層４０以外の層に形成されていてもよい。アライメントマーク１６は、マスク２０の外側領域２５に位置していてもよく、内側領域２６に位置していてもよい。
　図４に示すように、アライメントマーク１６は、平面視において円形の輪郭を有していてもよい。図示はしないが、アライメントマーク１６は、矩形や十字形など、円形以外の輪郭を有していてもよい。
　各層の厚み、各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク２０の断面の画像を観察することによって測定できる。
　（マスク装置の製造方法）
　次に、本実施の形態によるマスク装置の製造方法について、図８乃至図２１を参照して説明する。最初に、マスク２０の製造方法について説明する。まず、第１層３０を準備する。第１層３０として、シリコンウエハを用いてもよい。第１層３０の第１面３０１及び第２面３０２は、鏡面状に研磨されていてもよい。第１面３０１及び第２面３０２の算術平均粗さＲａは、１．５ｎｍ以下であってもよく、１．０ｎｍ以下であってもよい。第１面３０１及び第２面３０２の面方位は、（１００）、（１１０）などであってもよい。
　続いて、図８に示すように、第１層３０の第２面３０２上に部分的にレジスト層３７Ａを形成するレジスト形成工程を実施する。レジスト層３７Ａには、レジスト開口３７１Ａが形成されている。レジスト開口３７１Ａは、ネジ孔３０Ｈに対向して形成される。ネジ孔３０Ｈは、ネジ孔２０Ｈのうち、第１層３０内を延びる部分である。
　レジスト層３７Ａは、フォトレジストであってもよい。この場合、まず、第２面３０２上に液状のレジスト材をコーティングすることによって、第２面３０２上にレジスト層３７Ａを形成する。コーティングの後、レジスト層３７Ａを加熱する工程を実施してもよい。続いて、レジスト層３７Ａを露光及び現像するフォトリソグラフィ処理を実施する。この結果、レジスト層３７Ａにレジスト開口３７１Ａを形成できる。
　図示はしないが、レジスト層３７Ａは、第２面３０２に部分的に形成されたシリコン酸化膜であってもよい。シリコン酸化膜は、例えば、第２面３０２に部分的に熱酸化処理などを実施することによって形成される。
　続いて、図９に示すように、第２面３０２側から第１層３０をエッチングすることによって、第１層３０にネジ孔３０Ｈを形成するネジ孔形成工程を実施する。ネジ孔形成工程におけるエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。
　ネジ孔３０Ｈは、ネジ７０の頭部７１を受容する第１部分３０Ｈａと、ネジ７０の脚部７２が挿通される第２部分３０Ｈｂとを含む。第２部分３０Ｈｂの直径は、第１層３０の厚み方向において概ね均一である一方、第１部分３０Ｈａの直径は、第１面３０１から第２面３０２に向かう方向に拡大する。このようなネジ孔３０Ｈの形成方法は特に限定されないが、例えば次のような方法を採用可能である。まず、図１９に示すように、第１層３０を、等方性エッチングによってエッチングする。この結果、第１層３０に、第１部分３０Ｈａが形成される。第１部分３０Ｈａが等方性エッチングにより形成されることで、第１部分３０Ｈａの直径は、第１面３０１から第２面３０２に向かう方向に拡大する。その後、図２０に示すように、第１部分３０Ｈａの底部を、異方性エッチングによってエッチングして第２部分３０Ｈｂを形成する。第２部分３０Ｈｂが異方性エッチングにより形成されることで、第２部分３０Ｈｂの直径を、第１層３０の厚み方向において概ね均一にできる。これらの工程により、第１部分３０Ｈａと第２部分３０Ｈｂとを含むネジ孔３０Ｈを形成できる。
　第２部分３０Ｈｂを形成するエッチング工程は、深掘り反応性イオンエッチングであってよい。この場合、プラズマ化されたエッチングガスが用いられる。エッチングガスは、例えばＳＦ６ガスである。
　第１層３０にネジ孔３０Ｈを形成した後、レジスト層３７Ａを除去する。例えば、レジスト処理液を第２面３０２に供給する。
　レジスト層３７Ａがフォトレジストである場合、レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。酸素プラズマをレジスト層３７Ａに照射することによってレジスト層３７Ａを除去してもよい。
　レジスト層３７Ａがシリコン酸化膜である場合、レジスト処理液は、例えばフッ酸を含む。ＣＦ４ガスなどを用いるドライエッチングによってレジスト層３７Ａを除去してもよい。
　続いて、図１０に示すように、第１層３０の第２面３０２上に中間層５０を形成する。中間層５０は、第２面３０２の全体に形成されてもよい。中間層５０は、ネジ孔３０Ｈ内にも形成されてよい。中間層５０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法によって形成されてもよい。
　続いて、図１１に示すように、中間層５０上に部分的にレジスト層３７Ｂを形成する。レジスト層３７Ｂには、レジスト開口３７１Ｂが形成されている。レジスト開口３７１Ｂは、ネジ孔３０Ｈに対向して形成される。
　レジスト層３７Ｂは、フォトレジストであってもよい。この場合、まず、中間層５０上に液状のレジスト材をコーティングすることによって、中間層５０上にレジスト層３７Ｂを形成する。コーティングの後、レジスト層３７Ｂを加熱する工程を実施してもよい。続いて、レジスト層３７Ｂを露光及び現像するフォトリソグラフィ処理を実施する。この結果、レジスト層３７Ｂにレジスト開口３７１Ｂを形成できる。
　続いて、図１２に示すように、レジスト層３７Ｂ側から中間層５０をエッチングする。この結果、中間層５０にネジ孔５０Ｈが形成されるとともに、ネジ孔３０Ｈ内の中間層５０が除去される。ネジ孔５０Ｈは、ネジ孔２０Ｈのうち、中間層５０内を延びる部分である。中間層５０を除去するためのエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。
　続いて、レジスト層３７Ｂを除去する。例えば、レジスト処理液を中間層５０に供給する。
　レジスト層３７Ｂがフォトレジストである場合、レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。酸素プラズマをレジスト層３７Ｂに照射することによってレジスト層３７Ｂを除去してもよい。
　続いて、図１３に示すように、中間層５０上に複数のレジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを形成するレジストパターン形成工程を実施する。レジスト凸部３７１Ｃは、第２開口４１に対応したパターンで形成される。レジスト凸部３７１Ｃは、平面視において、中間層５０上の第２開口４１と重なる位置に形成される。レジスト凸部３７２Ｃは、ネジ孔５０Ｈ，３０Ｈと重なる位置に形成される。レジスト凸部３７２Ｃは、ネジ孔５０Ｈ，３０Ｈを埋め、ネジ孔５０Ｈ，３０Ｈから突出する。
　レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃは、フォトレジストであってもよい。この場合、フォトレジストは、ポジ型レジストであってよい。ポジ型レジストは、例えば東京応化工業株式会社製のｉＰ５７００、ＰＭＥＲ－Ｐ－ＬＡ９００ＰＭ、ＰＭＥＲ－Ｐ７１００、ナガセケムテックス製のＮＰＲ９７００などである。
　レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃの高さＴ３は、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃの頂部と中間層５０の表面との距離として定義される。高さＴ３は、第２層４０の厚みより大きい。高さＴ３は、例えば、２．０μｍ以上でもよく、３．０μｍ以上でもよく、４．０μｍ以上でもよい。第２層４０の厚みは、例えば、７μｍ以下でもよく、１２μｍ以下でもよく、２７μｍ以下でもよい。
　レジスト凸部３７１Ｃの側壁面は、中間層５０から離れるにつれて内側に狭まるテーパ面３７１Ｃａを有する。具体的には、レジスト凸部３７１Ｃの形状は、全体として、角錐台形あるいは円錐台形であってよい。テーパ面３７１Ｃａと中間層５０の表面との間の角度θ２は、第２開口４１のテーパ面４２ａと第３面４０１との間の角度θ１と同じであってよい。
　レジストパターン形成工程は、例えば、レジスト層形成工程、露光工程、現像工程を含む。
　レジスト層形成工程は、中間層５０上に、レジスト層を形成する工程である。レジスト層形成工程は、例えば、液状レジストを中間層５０に塗布する工程を含む。レジスト層形成工程は、中間層５０上の液状レジストを加熱する工程を含んでいてもよい。液状レジストが乾燥することにより、レジスト層が形成される。
　露光工程は、後の現像工程においてレジスト層のうち第２開口４１及びネジ孔２０Ｈに対応する部分にレジスト層が残るとともに中間層５０上のその他の部分のレジスト層が除去されるよう、レジスト層に光を照射する。具体的には、レジスト層がポジ型レジストであるため、中間層５０上の上記その他の部分のレジスト層に光を照射する。光は、例えばi線である。i線とは、３６５ｎｍの波長を有する水銀のスペクトル線である。
　露光工程の後、レジスト層を現像することにより、中間層５０上に、複数のレジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃが得られる。現像液は、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を含む。
　続いて、第２層形成工程を実施する。具体的には、図１４に示すように、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃが形成された中間層５０上にめっき処理を施す。この結果、第２層４０が形成される。第２層４０には、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃに対応して、第２開口４１及びネジ孔４０Ｈが形成される。ネジ孔４０Ｈは、ネジ孔２０Ｈのうち、第２層４０内を延びる部分である。
　めっき処理は、電解めっき処理であってもよい。具体的には、中間層５０にめっき電源を接続し、めっき液を収容しためっき浴槽の中に、第１層３０、中間層５０及びレジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを含む積層体を浸す。この結果、中間層５０上の複数のレジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃの隙間に金属が析出され、第２層４０が形成される。例えば、めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。
　続いて、図１５に示すように、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを除去する。このとき、第２開口４１内のレジスト凸部３７１Ｃ及びネジ孔４０Ｈ内のレジスト凸部３７２Ｃだけでなく、ネジ孔５０Ｈ，３０Ｈ内のレジスト凸部３７２Ｃも除去する。例えば、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを露光及び現像することにより、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを除去してもよい。現像液は、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を含む。あるいは、レジスト処理液をレジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃに接触させることにより、レジスト凸部３７１Ｃ，３７２Ｃを除去してもよい。レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。
　続いて、図１６に示すように、第１層３０の第１面３０１上に部分的にレジスト層３８を形成する。レジスト層３８には、第１開口３１に対向するレジスト開口３８１が形成されている。
　レジスト層３８は、フォトレジストであってもよい。この場合、まず、第１面３０１上に液状のレジスト材をコーティングすることによって、第１面３０１上にレジスト層３８を形成する。コーティングの後、レジスト層３８を加熱する工程を実施してもよい。続いて、レジスト層３８を露光及び現像するフォトリソグラフィ処理を実施する。この結果、レジスト層３８にレジスト開口３８１を形成できる。
　図示はしないが、レジスト層３８は、第１面３０１に部分的に形成されたシリコン酸化膜であってもよい。シリコン酸化膜は、例えば、第１面３０１に部分的に熱酸化処理などを実施することによって形成される。シリコン酸化膜は、中間層５０及び第２層４０を第１層３０に積層する前に第１層３０に形成されていてもよい。
　続いて、図１７に示すように、第１面３０１側から第１層３０をエッチングすることによって、第１層３０に第１開口３１を形成する第１層加工工程を実施する。第１層加工工程におけるエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。エッチングガスは、上述のエッチャントの一例である。中間層５０がエッチャントに対する耐性を有するので、図１７に示すように、エッチングが第２層４０まで進行することを抑制できる。第１開口３１を形成するエッチング工程は、深掘り反応性イオンエッチングであってよい。
　穴が中間層５０に到達した後、レジスト層３８を除去する工程を実施してもよい。例えば、レジスト処理液を第１面３０１に供給する。
　レジスト層３８がフォトレジストである場合、レジスト処理液は、例えばＮ－メチル－２－ピロリドンを含む。酸素プラズマをレジスト層３８に照射することによってレジスト層３８を除去してもよい。
　レジスト層３８がシリコン酸化膜である場合、レジスト処理液は、例えばフッ酸を含む。ＣＦ４ガスなどを用いるドライエッチングによってレジスト層３８を除去してもよい。
　第１層加工工程の後、中間層５０を除去する工程を実施してもよい。例えば、中間層５０用のエッチャントを第１開口３１に供給する。この結果、図１８に示すように、平面視において第１開口３１に重なる中間層５０を除去できる。中間層５０のエッチングは、フッ素系ガスなどを用いるドライエッチングであってもよく、酸性のエッチング液を用いるウェットエッチングであってもよい。
　レジスト層３８を除去する工程及び中間層５０を除去する工程の順序は特には限定されない。これらの工程は同時に実施されてもよい。
　次に、フレーム６０の製造方法について説明する。まず、上述したガラス材料または金属材料を含む板状部材を準備し、板状部材を切削加工して第３開口６１及びネジ孔６０Ｈを有するフレーム６０を作製する。板状部材を切削加工するための切削工具としては、ドリル、バイト、フライス、エンドミルなどを利用できる。
　マスク２０及びフレーム６０を作製した後、フレーム６０をマスク２０に取り付ける取付工程を実施する。具体的には、図２１に示すように、フレーム６０の第５面６０１上に、第３開口６１の縁に沿って緩衝材７５を周状に配置する。緩衝材７５には、ネジ孔６０Ｈに対向する貫通孔７５Ｈが形成されている。次に、緩衝材７５とマスク２０の入射面２０１とを対面させ、緩衝材７５の上にマスク２０を配置する。このとき、フレーム６０のネジ孔６０Ｈ及び／または緩衝材７５の貫通孔７５Ｈとマスク２０のネジ孔２０Ｈとを用いて、フレーム６０に対するマスク２０の位置決めを行う。その後、マスク２０の側からネジ孔２０Ｈ、貫通孔７５Ｈ及びネジ孔６０Ｈにネジ７０を挿通し、図５Ａに示すようにマスク２０をフレーム６０に締結する。これらの工程により、マスク装置１５が作製される。
　次に、マスク装置１５を用いて有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。
　まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。基板１１０は、シリコンウエハであってもよい。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層を真空成膜法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィ法などによって導電層をパターニングすることによって形成されてもよい。導電層のパターニングは、半導体製造工程を実施する装置を用いて実施されてもよい。隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。
　続いて、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂなどを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。例えば、まず、第１のマスク２０を含むマスク装置１５を蒸着装置１０内に設置し、第１のマスク２０を用いる蒸着法によって第１有機層１３０Ａを形成する。第１のマスク２０は、第１有機層１３０Ａに対応する第２開口４１を備える。続いて、第２のマスク２０を含むマスク装置１５を蒸着装置１０内に設置し、第２のマスク２０を用いる蒸着法によって第２有機層１３０Ｂを形成する。第２のマスク２０は、第２有機層１３０Ｂに対応する第２開口４１を備える。続いて、第３のマスク２０を含むマスク装置１５を蒸着装置１０内に設置し、第３のマスク２０を用いる蒸着法によって第３有機層を形成する。第３のマスク２０は、第３有機層に対応する第２開口４１を備える。マスク装置１５を蒸着装置１０内に設置する際及び蒸着装置１０から取り出す際、フレーム６０を把持する。したがって、第１層３０が破損したり第２層４０が変形する虞が抑制される。また、蒸着装置１０内では、フレーム６０がマスクホルダ９によって支持される。したがって、マスクホルダ９が第１層３０の第１開口３１や第２層４０の第２開口４１と干渉する虞が抑制される。言い換えると、マスクホルダ９によって基板１１０への蒸着材料の付着が妨げられる虞が、抑制される。
　続いて、有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。例えば図１に示すように、真空成膜法などによって第１面１１１の全体に第２電極１４０を形成してもよい。若しくは、図示はしないが、有機層１３０と同様に、マスク２０を用いる蒸着法によって第２電極１４０を形成してもよい。その後、図示しない封止層などを第２電極１４０上に形成してもよい。このようにして、有機デバイス１００を得ることができる。
　１つの基板１１０に複数の有機デバイス１００が形成されてもよい。１つの有機デバイス１００は、マスク２０の１つの第１開口３１に対応していてもよい。この場合、基板１１０を裁断する工程を実施してもよい。例えば、マスク２０の内側領域３６に対応する基板１１０の領域に沿って基板１１０を裁断する。この結果、複数の有機デバイス１００を得ることができる。
　マスク２０を用いる蒸着法によって有機層１３０、第２電極１４０などを形成する場合の、マスク２０の効果について説明する。
　マスク２０は、シリコン又はシリコン化合物を含む第１層３０を備える。したがって、基板１１０がシリコンを含む場合、基板１１０に生じる熱膨張とマスク２０に生じる熱膨張との間に差が生じることを抑制できる。したがって、マスク２０の熱膨張に起因して有機層１３０、第２電極１４０などの蒸着層の位置、形状などの精度が低下することを抑制できる。従って、高い素子密度を有する有機デバイス１００を提供できる。
　マスク２０は、複数の第２開口４１を含む第２層４０を備える。第１層３０とは別に第２層４０を設けることによって、第２層４０の厚みを小さくできるので、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。また、平面視における第１壁面３２と第２開口４１との間の間隔Ｓ６を適切に確保することにより、シャドウを抑制しながら第１層３０の厚みを適切に確保できる。
　上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
　例えば、マスク２０は、第１層３０と第２層４０との間に、中間層５０を含んでいなくてもよい。この場合、第１層３０の第２面３０２と第２層４０の第３面４０１とが、直接接続されていてもよい。
　また、図２２に示すように、緩衝材７５は、ネジ７０の脚部７２の先端とフレーム６０との間に配置されていてもよい。この場合、ネジ７０からフレーム６０に加わる応力によってフレーム６０が破損する虞が抑制される。
　また、図２３に示すように、フレーム６０の内周部には、段差部６５が設けられていてよい。段差部６５は、第５面６０１から第６面６０２に向かう方向に窪む。段差部６５は、フレーム６０の内縁６０４から、外縁６０３に向かって広がる面６５１と、面６５１と第５面６０１とを接続する面６５２と、により形成されている。面６５１は、第５面６０１の一部を構成する。面６５２は、第５面６０１の残りの部分と面６５１とを接続する。面６５２は、フレーム６０の内側面の一部を構成する。この場合、段差部６５に、より具体的には面６５１及び面６５２によって画成される空間に、マスク２０の少なくとも一部が受容されてよい。この場合、マスク２０の外縁は、フレーム６０によって囲まれる。この結果、マスク２０の外側領域２５が（とりわけ第１層３０の外側領域３５が）破損する虞が、更に効果的に抑制される。
　マスク２０の少なくとも一部がフレーム６０の段差部６５に受容される場合、マスク２０の出射面２０２は、フレーム６０の第５面６０１と面一であるか、第５面６０１から突出していることが望ましい。この場合、基板１１０又は基板１１０上の構成要素にマスク２０を通じて蒸着層を形成する際に、マスク２０の出射面２０２を基板１１０又は基板１１０上の構成要素に接触させることができる。
　図２４は、有機デバイス１００を備える装置２００の一例を示す図である。装置２００は、基板１１０と、有機層１３０とを含む。有機層１３０は、マスク２０を用いる蒸着法によって形成された層である。装置２００は、例えばスマートフォンである。装置２００は、タブレット端末、ウエアラブル端末などであってもよい。ウエアラブル端末は、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイなどである。
　以上に説明してきた一実施の形態によるマスク装置１５は、マスク２０と、マスク２０に接続されたフレーム６０と、を含む。マスク２０は、第１層３０と、第２層４０とを含む。第１層３０は、第１面３０１と、第１面３０１の反対側に位置する第２面３０２と、第１面３０１から第２面３０２へ貫通する少なくとも１つの第１開口３１と、外縁３０３と、平面視において外縁３０３と第１開口３１との間に位置する外側領域３５と、を含む。第２層４０は、第２面３０２に対向する第３面４０１と、第３面４０１の反対側に位置する第４面４０２と、第３面４０１から第４面４０２へ貫通し、平面視において第１開口３１に重なる複数の第２開口４１と、を含む。フレーム６０は、第１層３０の外側領域３５の第１面３０１に対向する。平面視において、フレーム６０の少なくとも一部は、第１層３０の外縁３０３の外側まで広がっている。マスク２０は、ネジ７０によってフレーム６０に固定されている。この場合、マスク２０を取り扱う際、フレーム６０を把持できるため、マスク２０の破損の虞が抑制される。この結果、マスク２０の取扱いが容易になる。また、マスク２０をフレーム６０に固定することが容易であり、マスク装置１５を容易に製造できる。
　上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims (11)

  1. 　マスクと、
    　前記マスクに接続されたフレームと、
    を備え、
    　前記マスクは、
    　第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面へ貫通する少なくとも１つの第１開口と、外縁と、平面視において前記外縁と前記第１開口との間に位置する外側領域と、を含む第１層と、
    　前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面から前記第４面へ貫通し、平面視において前記第１開口に重なる複数の第２開口と、を含む第２層と、
    を含み、
    　前記フレームは、前記第１層の前記外側領域の前記第１面に対向し、
    　平面視において、前記フレームの少なくとも一部は、前記第１層の前記外縁の外側まで広がっており、
    　前記マスクは、ネジによって前記フレームに固定されている、
    マスク装置。
  2. 　前記第１層は、シリコン又はシリコン化合物を含み、
    　前記フレームは、ガラスまたは金属を含む、請求項１に記載のマスク装置。
  3. 　前記マスクと前記フレームとの間に緩衝材を備える、請求項１に記載のマスク装置。
  4. 　前記マスク及び前記フレームは、前記ネジの頭部から脚部に向かう方向にこの順で配置され、
    　前記ネジの前記脚部の先端と前記フレームとの間に緩衝材を備える、請求項１に記載のマスク装置。
  5. 　前記マスク及び前記フレームは、前記ネジの頭部から脚部に向かう方向にこの順で配置され、
    　前記ネジの前記頭部の頂面は、前記第２層の前記第４面と面一である、又は、前記第４面と前記第１層の前記第１面との間に位置する、請求項１に記載のマスク装置。
  6. 　前記マスクは２以上のネジによって前記フレームに固定されている、請求項１に記載のマスク装置。
  7. 　前記マスクは、平面視において各々が前記複数の第２開口を挟んで配置された一対または複数対のネジによって前記フレームに固定されている、請求項１に記載のマスク装置。
  8. 　前記フレームに前記マスクの少なくとも一部を受容する段差部が形成されている、請求項１に記載のマスク装置。
  9. 　前記マスクは、前記フレームに着脱可能に固定されている、請求項１に記載のマスク装置。
  10. 　前記ネジは、前記フレームと同じ材料で構成されている、請求項１に記載のマスク装置。
  11. 　請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のマスク装置を用いる蒸着法によって基板上に有機層を形成する工程を備える、有機デバイスの製造方法。
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