WO2025004780A1 - 半導体装置、半導体モジュールおよび車両 - Google Patents

半導体装置、半導体モジュールおよび車両 Download PDF

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protrusion
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sealing resin
semiconductor
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匡司 林口
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Rohm Co Ltd
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    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/10—Arrangements for heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • This disclosure relates to a semiconductor device, a semiconductor module including the semiconductor device, and a vehicle equipped with the semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a semiconductor device including a first conductive plate and a second conductive plate to which two switching elements are individually conductively joined, a first input terminal connected to the first conductive plate, an output terminal connected to the second conductive plate, a second input terminal, a first conductive member, and a second conductive member.
  • the first conductive member is conductively joined to the switching element conductively joined to the first conductive plate and to the second conductive plate.
  • the second conductive member is conductively joined to the switching element conductively joined to the second conductive plate and to the second input terminal. In this way, a half-bridge circuit including two switching elements is formed in the semiconductor device. Therefore, power can be converted by using the semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in Patent Document 1 When using the semiconductor device disclosed in Patent Document 1, it is attached to a heat dissipation member in order to efficiently dissipate heat generated from each of the two switching elements to the outside.
  • the semiconductor device further includes a sealing resin that covers at least a portion of each of the first and second conductive plates and the two switching elements.
  • the attachment is performed, for example, by fixing the sealing resin to the heat dissipation member using a metal spring.
  • this attachment method increases the number of parts and requires a considerable amount of time for attachment.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is improved over conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can be more easily attached to a heat dissipation member.
  • the semiconductor device provided by the first aspect of the present disclosure comprises a substrate at least a portion of which is a conductor, a semiconductor element bonded to one side of the substrate in a first direction, a sealing resin covering at least a portion of the substrate and the semiconductor element, and a protrusion protruding from the sealing resin in the first direction.
  • the protrusion is located on the opposite side of the substrate to the semiconductor element in the first direction.
  • the semiconductor module provided by the second aspect of the present disclosure includes a heat dissipation member and a semiconductor device.
  • the configuration of the convex body provided by the semiconductor device provided by the first aspect of the present disclosure is limited.
  • the sealing resin provided by the semiconductor device has a first surface facing a first direction.
  • the base material provided by the semiconductor device has a second surface exposed from the first surface.
  • the convex body has a third surface facing the same side as the first surface in the first direction.
  • the convex body has a first portion protruding from the first surface and a second portion including the third surface and located on the opposite side of the sealing resin with respect to the first portion in the first direction.
  • the heat dissipation member When viewed in the first direction, the second portion is located inward from the periphery of the first portion.
  • the heat dissipation member has a main surface facing the sealing resin.
  • the heat dissipation member is provided with an engagement portion recessed from the main surface.
  • the convex body is fitted into the engagement portion.
  • the vehicle provided by the third aspect of the present disclosure includes a drive system, a storage battery that supplies power to the drive system, an on-board charger that supplies power to the storage battery, and a semiconductor device.
  • the semiconductor device is included in a circuit that constitutes the on-board charger.
  • the semiconductor device further includes a power terminal and a signal terminal in comparison with the semiconductor device provided by the first aspect of the present disclosure.
  • the semiconductor element included in the semiconductor device is conductively joined to a substrate included in the semiconductor device.
  • the power terminal is connected to the substrate.
  • the signal terminal is conductive to the semiconductor element.
  • the sealing resin included in the semiconductor device has a first side surface that faces in a direction perpendicular to a first direction. Each of the power terminal and the signal terminal protrudes from the first side surface.
  • FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view corresponding to FIG. 2, seen through the sealing resin.
  • FIG. 4 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a front view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 6 is a right side view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG. 7, showing the second semiconductor element and its vicinity.
  • FIG. 12 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 13 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 14 is a partially enlarged view of FIG. 7, showing the protrusion and its vicinity.
  • FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor device according to a first modified example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor device according to a second modified example of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a schematic diagram of a vehicle on which the semiconductor device shown in FIG. 1 is mounted.
  • FIG. 17 is a schematic diagram of a vehicle on which the semiconductor device shown in FIG. 1 is mounted.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the semiconductor module according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a bottom view of the semiconductor device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 20 is a partially enlarged view of FIG. 19, showing the first convex body and its vicinity.
  • FIG. 21 is a partially enlarged view of FIG. 19, showing the second convex body and its vicinity.
  • FIG. 22 is a partial enlarged plan view of a semiconductor device according to a first modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a partially enlarged cross-sectional view of a semiconductor device according to a second modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 24 is a bottom view of a semiconductor device according to a third modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 25 is a bottom view of the semiconductor device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 26 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 27 is a bottom view of the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view of a semiconductor module according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 30 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 31 is a plan view of the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present disclosure, seen through the sealing resin.
  • 32 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG. 31.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view taken along line XXXIII-XXXIII in FIG. 31.
  • a semiconductor device A10 according to a first embodiment of the present disclosure will be described with reference to Figures 1 to 14.
  • the semiconductor device A10 includes two substrates 10, a first power terminal 11, a second power terminal 12, a third power terminal 13, two first signal terminals 14, two second signal terminals 15, a plurality of semiconductor elements 21, a first conductive member 31, a second conductive member 32, a sealing resin 50, and a plurality of protrusions 60.
  • the semiconductor device A10 further includes two first wires 41, two second wires 42, two first relay wires 43, and two second relay wires 44.
  • Figure 3 shows the sealing resin 50 through which the sealing resin 50 is seen.
  • the sealing resin 50 through which the sealing resin 50 is seen is indicated by an imaginary line (two-dot chain line).
  • first direction z An example of a direction perpendicular to the first direction z will be referred to as the "second direction x.”
  • second direction x A direction perpendicular to the first direction z and the second direction x will be referred to as the "third direction y.”
  • the semiconductor device A10 converts the DC power supply voltage applied to the second power terminal 12 and the third power terminal 13 into AC power using multiple semiconductor elements 21.
  • the converted AC power is input from the first power terminal 11 to a power supply target such as a motor.
  • the semiconductor device A10 is used in a power conversion circuit such as an inverter.
  • the two substrates 10 include a first substrate 10A and a second substrate 10B, as shown in Figures 3, 7, and 8.
  • the first substrate 10A and the second substrate 10B are separated from each other in the second direction x. At least a portion of each of the two substrates is a conductor.
  • each of the two substrates is entirely made of metal.
  • the two substrates 10 are obtained from the same lead frame together with the first power terminal 11, the second power terminal 12, the third power terminal 13, the two first signal terminals 14, and the two second signal terminals 15.
  • the lead frame contains copper (Cu) or a copper alloy.
  • each of the two substrates 10, the first power terminal 11, the second power terminal 12, the two first signal terminals 14, and the two second signal terminals 15 contains copper.
  • Each of the two substrates 10 has a mounting surface 101 and a second surface 102. The mounting surface 101 and the second surface 102 face in opposite directions in the first direction z. The second surface 102 of each of the two base materials 10 is exposed from the sealing resin 50.
  • the first base material 10A is provided with a first seat portion 103.
  • the first seat portion 103 is recessed from the mounting surface 101 of the first base material 10A. As a result, a step is formed between the mounting surface 101 and the first seat portion 103 on the first base material 10A.
  • the sealing resin 50 covers the semiconductor elements 21, the first conductive member 31, and the second conductive member 32. Furthermore, the sealing resin 50 covers a portion of each of the two substrates 10, the third power terminal 13, the first power terminal 11, the second power terminal 12, the two first signal terminals 14, and the two second signal terminals 15. As shown in Fig. 2, the dimension of the sealing resin 50 in the second direction x is greater than the dimension of the sealing resin 50 in the third direction y.
  • the sealing resin 50 has electrical insulation properties.
  • the sealing resin 50 is made of a material that includes, for example, a black epoxy resin.
  • the sealing resin 50 has a top surface 51, a first surface 52, a third side surface 55, a second side surface 54, two first side surfaces 53, a plurality of recesses 56, and a groove portion 57.
  • the top surface 51 faces the same side as the mounting surface 101 of each of the two substrates 10 in the first direction z.
  • the first surface 52 faces the opposite side to the top surface 51 in the first direction z.
  • the second surface 102 of each of the two substrates 10 is exposed from the first surface 52.
  • the first side 53 and the second side 54 are separated from each other in the third direction y.
  • the first side 53 and the second side 54 face opposite each other in the third direction y and extend in the second direction x.
  • the second side 54 and the first side 53 are each connected to the top surface 51 and the first surface 52.
  • the third power terminal 13, the first power terminal 11, the second power terminal 12, the two first signal terminals 14, and the two second signal terminals 15 each protrude from the first side 53.
  • the two third side surfaces 55 are spaced apart from each other in the second direction x.
  • Each of the two third side surfaces 55 faces the second direction x and extends in the third direction y.
  • Each of the two third side surfaces 55 is connected to the top surface 51 and the first surface 52.
  • the recesses 56 are recessed from the first side surface 53 in the third direction y and penetrate the sealing resin 50 in the first direction z.
  • the recesses 56 are individually provided between the second power terminal 12 and a second detection terminal 15B described later, between the third power terminal 13 and the second power terminal 12, between the third power terminal 13 and the first power terminal 11, and between the first power terminal 11 and a first detection terminal 15A described later.
  • the groove portion 57 is recessed from the first surface 52 in the first direction z and extends in the third direction y. Both sides of the groove portion 57 in the third direction y are connected to the second side surface 54 and the first side surface 53. When viewed in the first direction z, the groove portion 57 defines the second surface 102 of each of the two substrates 10.
  • the multiple semiconductor elements 21 are bonded to each of the two substrates 10, as shown in FIG. 3 and FIG. 7 to FIG. 9.
  • the multiple semiconductor elements 21 include two first semiconductor elements 21A and two second semiconductor elements 21B.
  • the two first semiconductor elements 21A are bonded to the mounting surface 101 of the first substrate 10A.
  • the two second semiconductor elements 21B are bonded to the mounting surface 101 of the second substrate 10B.
  • the multiple semiconductor elements 21 are, for example, MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors).
  • the multiple semiconductor elements 21 may be switching elements such as IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) or diodes.
  • the multiple semiconductor elements 21 are n-channel MOSFETs with a vertical structure.
  • the multiple semiconductor elements 21 include a compound semiconductor substrate.
  • the composition of the compound semiconductor substrate includes silicon carbide (SiC).
  • SiC silicon carbide
  • each of the multiple semiconductor elements 21 has a first electrode 211, a second electrode 212, a third electrode 213, and two fourth electrodes 214.
  • the first electrode 211 is located on the opposite side of the mounting surface 101 of one of the two substrates 10 in the first direction z. A current corresponding to the power converted by the semiconductor element 21 flows through the first electrode 211. In other words, the first electrode 211 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 21.
  • the second electrode 212 faces the mounting surface 101 of one of the two substrates 10. A current corresponding to the power before being converted by the semiconductor element 21 flows through the second electrode 212. In other words, the second electrode 212 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 21.
  • the third electrode 213 is located on the same side as the first electrode 211 in the first direction z.
  • a gate voltage for driving the semiconductor element 21 is applied to the third electrode 213.
  • the area of the third electrode 213 is smaller than the area of the first electrode 211.
  • the two fourth electrodes 214 are located on the same side as the first electrode 211 in the first direction z.
  • the two fourth electrodes 214 are located on opposite sides of each other in the third direction y with respect to the third electrode 213.
  • a voltage that is equipotential with the voltage applied to the first electrode 211 is applied to each of the two fourth electrodes 214.
  • the first bonding layer 29 is located between the mounting surface 101 of the first substrate 10A and the two first semiconductor elements 21A, and between the mounting surface 101 of the second substrate 10B and the two second semiconductor elements 21B.
  • the first bonding layer 29 is, for example, solder.
  • the first bonding layer 29 may be sintered metal.
  • the first bonding layer 29 conductively bonds the mounting surface 101 of the first substrate 10A and the second electrodes 212 of the two first semiconductor elements 21A.
  • the second electrodes 212 of the two first semiconductor elements 21A are electrically connected to the first substrate 10A.
  • the first bonding layer 29 conductively bonds the mounting surface 101 of the second substrate 10B and the second electrodes 212 of the two second semiconductor elements 21B.
  • the second electrodes 212 of each of the two second semiconductor elements 21B are electrically connected to the second substrate 10B.
  • the first power terminal 11 is connected to the first substrate 10A. Therefore, the first power terminal 11 is electrically connected to the second electrodes 212 of the two first semiconductor elements 21A via the first substrate 10A. AC power converted by the multiple semiconductor elements 21 is output from the first power terminal 11.
  • the first power terminal 11 is located on the opposite side of the second power terminal 12 with respect to the third power terminal 13, and is located next to the third power terminal 13.
  • the first power terminal 11 has a mounting portion 111 and a covering portion 112.
  • the mounting portion 111 protrudes from the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the mounting portion 111 extends in the third direction y.
  • the covering portion 122 connects the mounting portion 111 and the first substrate 10A.
  • the covering portion 112 is covered by the sealing resin 50.
  • the covering portion 112 is bent in the first direction z toward the side closer to the mounting surface 101 of the first substrate 10A.
  • the second power terminal 12 is connected to the second substrate 10B. Therefore, the second power terminal 12 is electrically connected to the second electrode 212 of each of the two second semiconductor elements 21B via the second substrate 10B.
  • the second power terminal 12 is a P terminal (positive electrode) to which a DC power supply voltage to be the subject of power conversion is applied.
  • the second power terminal 12 is located on the opposite side of the first power terminal 11 with respect to the third power terminal 13, and is located next to the third power terminal 13.
  • the second power terminal 12 has a mounting portion 121 and a covering portion 122.
  • the mounting portion 121 protrudes from the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the mounting portion 121 extends in the third direction y.
  • the covering portion 122 connects the mounting portion 121 and the second substrate 10B.
  • the covering portion 122 is covered by the sealing resin 50.
  • the covering portion 122 is bent in the first direction z toward the side closer to the mounting surface 101 of the second substrate 10B.
  • the third power terminal 13 is located on the opposite side of the second side surface 54 of the sealing resin 50 with respect to the two substrates 10 in the third direction y.
  • the third power terminal 13 is spaced apart from the two substrates 10.
  • the third power terminal 13 is electrically connected to the first electrodes 211 of each of the two first semiconductor elements 21A.
  • the third power terminal 13 is an N-terminal (negative electrode) to which a DC power supply voltage to be the subject of power conversion is applied.
  • the third power terminal 13 has a mounting portion 131 and a covering portion 132.
  • the mounting portion 131 protrudes from the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the mounting portion 131 extends in the third direction y.
  • the covering portion 132 is connected to the mounting portion 131.
  • the covering portion 132 is covered by the sealing resin 50.
  • the covering portion 132 of the third power terminal 13 is provided with a second seat portion 133.
  • the second seat portion 133 is recessed in the first direction z from the side where the first intermediate portion 313 of the first conductive member 31 described later is located in the first direction z.
  • the two first signal terminals 14 are located on the opposite side of the sealing resin 50 from the second side surface 54 with respect to the two substrates 10 in the third direction y. As shown in Figure 3, the two first signal terminals 14 extend in the third direction y. The two first signal terminals 14 sandwich the first power terminal 11, the second power terminal 12, the third power terminal 13, and the two second signal terminals 15 between them in the second direction x.
  • the two first signal terminals 14 include a first gate terminal 14A and a second gate terminal 14B.
  • each of the two first signal terminals 14 has a mounting portion 141 and a covering portion 142.
  • the mounting portion 141 protrudes from the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the mounting portion 141 extends in the third direction y.
  • the covering portion 142 is connected to the mounting portion 141.
  • the covering portion 142 is covered by the sealing resin 50.
  • the first gate terminal 14A is located closer to the first substrate 10A than to the second substrate 10B.
  • the first gate terminal 14A is electrically connected to the third electrodes 213 of the two first semiconductor elements 21A.
  • a gate voltage for driving the two first semiconductor elements 21A is applied to the first gate terminal 14A.
  • the second gate terminal 14B is located closer to the second substrate 10B than to the first substrate 10A.
  • the second gate terminal 14B is electrically connected to the third electrodes 213 of the two second semiconductor elements 21B.
  • a gate voltage for driving the two second semiconductor elements 21B is applied to the second gate terminal 14B.
  • the two second signal terminals 15 are located on the opposite side of the second side 54 of the sealing resin 50 in the third direction y with respect to the two substrates 10. As shown in Figure 3, the two second signal terminals 15 extend in the third direction y. The two second signal terminals 15 sandwich the first power terminal 11, the second power terminal 12, and the third power terminal 13 between them in the second direction x.
  • the two second signal terminals 15 include a first detection terminal 15A and a second detection terminal 15B.
  • each of the two second signal terminals 15 has a mounting portion 151 and a covering portion 152.
  • the mounting portion 151 protrudes from the first side surface 53 of the sealing resin 50.
  • the mounting portion 151 extends in the third direction y.
  • the covering portion 152 is connected to the mounting portion 151.
  • the covering portion 152 is covered by the sealing resin 50.
  • the first detection terminal 15A is located between the first power terminal 11 and the first gate terminal 14A, as shown in Figs. 2 and 3.
  • the first detection terminal 15A is electrically connected to the two fourth electrodes 214 of each of the two first semiconductor elements 21A.
  • a voltage that is equipotential with the voltage applied to each of the first electrodes 211 of the two first semiconductor elements 21A is applied to the first detection terminal 15A.
  • the second detection terminal 15B is located between the second power terminal 12 and the second gate terminal 14B, as shown in Figs. 2 and 3.
  • the second detection terminal 15B is electrically connected to the two fourth electrodes 214 of each of the two second semiconductor elements 21B.
  • a voltage having the same potential as the voltage applied to the first electrodes 211 of each of the two second semiconductor elements 21B is applied to the second detection terminal 15B.
  • the heights h of the mounting portion 111 of the third power terminal 13, the mounting portion 121 of the first power terminal 11, and the mounting portion 131 of the second power terminal 12 are all equal.
  • the mounting portion 141 of either of the two first signal terminals 14 overlaps with the mounting portion 111 of the third power terminal 13, the mounting portion 121 of the first power terminal 11, and the mounting portion 131 of the second power terminal 12.
  • the first conductive member 31 is conductively joined to the first electrodes 211 of the two first semiconductor elements 21A and the second seat portion 133 of the third power terminal 13. As a result, the third power terminal 13 is electrically connected to the first electrodes 211 of the two first semiconductor elements 21A.
  • the first conductive member 31 contains copper or a copper alloy.
  • the first conductive member 31 is a metal clip.
  • the first conductive member 31 has two first joints 311, a second joint 312, and a first intermediate portion 313.
  • the two first joints 311 are individually conductively joined to the first electrodes 211 of the two first semiconductor elements 21A.
  • Each of the two first joints 311 is bifurcated and spaced apart from each other in the third direction y.
  • the two first joints 311 are spaced apart from each other in the third direction y.
  • the second joint 312 is conductively joined to the second seat 133 of the third power terminal 13.
  • the second joint 312 extends in the second direction x. At least a portion of the second joint 312 is housed in the second seat 133.
  • the first intermediate portion 313 is bent in a hook shape when viewed in the first direction z. When viewed in the first direction z, the first intermediate portion 313 overlaps the mounting surface 101 of the first substrate 10A. The first intermediate portion 313 connects the two first joint portions 311 and the second joint portion 312.
  • the semiconductor device A10 further includes a second bonding layer 33.
  • the second bonding layer 33 conductively bonds the first electrodes 211 of the two first semiconductor elements 21A to the two first bonding portions 311.
  • the second bonding layer 33 is, for example, solder.
  • the second bonding layer 33 may be a sintered metal.
  • the semiconductor device A10 further includes a third bonding layer 34.
  • the third bonding layer 34 conductively bonds the second seat portion 133 of the third power terminal 13 to the second bonding portion 312.
  • the third bonding layer 34 is, for example, solder.
  • the third bonding layer 34 may be a sintered metal.
  • the second conductive member 32 is conductively joined to the first electrodes 211 of the two second semiconductor elements 21B and the first seat portion 103 of the first substrate 10A.
  • the first electrodes 211 of each of the two second semiconductor elements 21B are electrically connected to the first substrate 10A and the second electrodes 212 of each of the two first semiconductor elements 21A.
  • the second conductive member 32 contains copper or a copper alloy.
  • the second conductive member 32 is a metal clip.
  • the second conductive member 32 has two third joints 321, a fourth joint 322, and a second intermediate portion 323.
  • the two third joints 321 are individually conductively joined to the first electrodes 211 of the two second semiconductor elements 21B.
  • Each of the two third joints 321 is bifurcated and spaced apart from each other in the third direction y.
  • the two third joints 321 are spaced apart from each other in the third direction y.
  • the fourth joint 322 is conductively joined to the first seat 103 of the first substrate 10A.
  • the fourth joint 322 extends in the third direction y. At least a portion of the fourth joint 322 is housed in the first seat 103.
  • the second intermediate portion 323 connects the two third joint portions 321 and the fourth joint portion 322.
  • the second intermediate portion 323 spans between the first substrate 10A and the second substrate 10B.
  • the semiconductor device A10 further includes a fourth bonding layer 35.
  • the fourth bonding layer 35 conductively bonds the first electrodes 211 of the two second semiconductor elements 21B to the two third bonding portions 321.
  • the fourth bonding layer 35 is, for example, solder.
  • the fourth bonding layer 35 may be a sintered metal.
  • the semiconductor device A10 further includes a fifth bonding layer 36.
  • the fifth bonding layer 36 conductively bonds the first seat portion 103 of the first base material 10A to the fourth bonding portion 322.
  • the fifth bonding layer 36 is, for example, solder.
  • the fifth bonding layer 36 may be a sintered metal.
  • one of the two first wires 41 is conductively joined to the third electrode 213 of the first semiconductor element 21A that is located closest to the first gate terminal 14A, and to the covering portion 142 of the first gate terminal 14A.
  • the other of the two first wires 41 is conductively joined to the third electrode 213 of the second semiconductor element 21B that is located closest to the second gate terminal 14B, and to the covering portion 142 of the second gate terminal 14B.
  • one of the two first relay wires 43 is conductively joined to the third electrode 213 of one first semiconductor element 21A and the third electrode 213 of the other first semiconductor element 21A.
  • the other of the two first relay wires 43 is conductively joined to the third electrode 213 of one second semiconductor element 21B and the third electrode 213 of the other second semiconductor element 21B.
  • the first gate terminal 14A is electrically connected to the third electrodes 213 of the two first semiconductor elements 21A.
  • the second gate terminal 14B is electrically connected to the third electrodes 213 of the two second semiconductor elements 21B.
  • one of the two second wires 42 is conductively joined to one of the two fourth electrodes 214 of the first semiconductor element 21A that is located closest to the first detection terminal 15A, and to the covering portion 152 of the first detection terminal 15A.
  • the other of the two second wires 42 is conductively joined to one of the two fourth electrodes 214 of the second semiconductor element 21B that is located closest to the second detection terminal 15B, and to the covering portion 152 of the second detection terminal 15B.
  • one of the two second relay wires 44 is conductively connected to one of the two fourth electrodes 214 of the first semiconductor element 21A and one of the two fourth electrodes 214 of the other first semiconductor element 21A.
  • one of the two second relay wires 44 is conductively connected to one of the two fourth electrodes 214 of the second semiconductor element 21B and one of the two fourth electrodes 214 of the other second semiconductor element 21B.
  • the first detection terminal 15A is electrically connected to the two fourth electrodes 214 of each of the two first semiconductor elements 21A.
  • the second detection terminal 15B is electrically connected to the two fourth electrodes 214 of each of the two second semiconductor elements 21B.
  • the multiple protrusions 60 protrude from the first surface 52 of the sealing resin 50 in the first direction z.
  • the multiple protrusions 60 are located on the opposite side of the multiple semiconductor elements 21 in the first direction z with the two base materials 10 as references.
  • the multiple protrusions 60 form two groups each arranged in the third direction y.
  • the two groups are located on the opposite side of the two base materials 10 in the second direction x.
  • Each of the multiple protrusions 60 is integral with the sealing resin 50.
  • the multiple protrusions 60 are made of the same material as the sealing resin 50. Therefore, the composition of the multiple protrusions 60 is the same as the composition of the sealing resin 50.
  • each of the multiple protrusions 60 has a third surface 621 and a peripheral surface 622.
  • the third surface 621 faces the same side as the first surface 52 of the sealing resin 50 in the first direction z. In the first direction z, the third surface 621 is located farther from the first surface 52 than the second surfaces 102 of the two base materials 10 are.
  • the peripheral surface 622 surrounds the third surface 621 when viewed in the first direction z. In the semiconductor device A10, the in-plane direction of the peripheral surface 622 includes the first direction z.
  • each of the multiple protrusions 60 has a first portion 61 and a second portion 62.
  • the first portion 61 protrudes from the first surface 52 of the sealing resin 50.
  • the first portions 61 of two adjacent protrusions 60 in the third direction y among the multiple protrusions 60 are connected to each other.
  • the first portions 61 of two adjacent protrusions 60 in the third direction y may be separated from each other.
  • the first portion 61 includes a fourth surface 611 that faces the same side as the first surface 52 in the first direction z. In the first direction z, the second surface 102 of each of the two substrates 10 is located closer to the first surface 52 than the fourth surface 611.
  • the second part 62 is located on the opposite side of the sealing resin 50 with respect to the first part 61 in the first direction z.
  • the second part 62 protrudes from the fourth surface 611 of the first part 61.
  • the second part 62 includes a third surface 621 and a peripheral surface 622.
  • the second part 62 is located inward from the peripheral edge 612 of the first part 61 when viewed in the first direction z.
  • the dimension L2 of the second part 62 in the first direction z is greater than the dimension L1 of the first part 61 in the first direction z.
  • FIG. 15 corresponds to the cross-sectional position in FIG. 14.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 is different from that of semiconductor device A10.
  • the peripheral surface 622 of each of the multiple protrusions 60 is inclined with respect to the first direction z.
  • the size of the cross section of each of the multiple protrusions 60 perpendicular to the first direction z decreases from the first surface 52 of the sealing resin 50 to the third surface 621 of one of the corresponding multiple protrusions 60.
  • FIG. 16 corresponds to the cross-sectional position in FIG. 14.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 is different from that of semiconductor device A10.
  • the third surface 621 of each of the multiple protrusions 60 is convex in the first direction z toward the side toward which the top surface 51 of the sealing resin 50 faces.
  • at least a portion of the third surface 621 is a curved surface.
  • the vehicle C is, for example, an electric vehicle (EV).
  • EV electric vehicle
  • vehicle C is equipped with an on-board charger 91, a storage battery 92, and a drive system 93.
  • Power is supplied to the on-board charger 91 wirelessly from a power supply facility (not shown) installed outdoors. Alternatively, power may be supplied from the power supply facility to the on-board charger 91 via a wired connection.
  • a step-up DC-DC converter is configured in the on-board charger 91.
  • Semiconductor device A10 is included in the converter circuit. The voltage of the power supplied to the on-board charger 91 is stepped up by the converter and then supplied to the storage battery 92. The stepped-up voltage is, for example, 600V.
  • the drive system 93 drives the vehicle C.
  • the drive system 93 has an inverter 931 and a drive source 932.
  • the power stored in the storage battery 92 is supplied to the inverter 931.
  • the power supplied from the storage battery 92 to the inverter 931 is DC power.
  • a step-up DC-DC converter may be further provided between the storage battery 92 and the inverter 931.
  • the inverter 931 converts DC power into AC power.
  • the inverter 931 is conductive to the drive source 932.
  • the drive source 932 has an AC motor and a transmission. When the AC power converted by the inverter 931 is supplied to the drive source 932, the AC motor rotates and the rotation is transmitted to the transmission. The transmission appropriately reduces the rotation speed transmitted from the AC motor and then rotates the drive shaft of the vehicle C. This drives the vehicle C.
  • the semiconductor module B10 includes a semiconductor device A10, a heat dissipation member 70, and an insulating material 80.
  • the cross-sectional position in FIG. 18 corresponds to the cross-sectional position in FIG. 7.
  • the heat dissipation member 70 is used to cool the semiconductor device A10.
  • the heat dissipation member 70 is made of a material containing, for example, aluminum (Al). As shown in FIG. 18, the heat dissipation member 70 has a main surface 71.
  • the main surface 71 faces the sealing resin 50.
  • the main surface 71 is in contact with the fourth surface 611 of the first portion 61 of each of the multiple protrusions 60.
  • the heat dissipation member 70 has a plurality of engagement portions 72 recessed from the main surface 71.
  • the second portion 62 of each of the plurality of protrusions 60 is individually fitted into the plurality of engagement portions 72.
  • the third surface 621 and the peripheral surface 622 of each of the second portions 62 are in contact with the heat dissipation member 70.
  • the insulating material 80 is located between the main surface 71 of the heat dissipation member 70 and the second surface 102 of each of the two base materials 10.
  • the insulating material 80 is made of an insulating material containing at least one of resin and ceramics, for example.
  • the insulating material preferably has a relatively high thermal conductivity.
  • the semiconductor device A10 includes a substrate 10, a semiconductor element 21, a sealing resin 50, and a protrusion 60. At least a portion of the substrate 10 is a conductor. The semiconductor element 21 is bonded to one side of the substrate 10 in the first direction z. The protrusion 60 protrudes from the sealing resin 50 in the first direction z. The protrusion 60 is located on the opposite side of the substrate 10 from the semiconductor element 21 in the first direction z. With this configuration, as shown in FIG. 18, when attaching the semiconductor device A10 to the heat dissipation member 70, the attachment is completed by fitting the protrusion 60 into the engagement portion 72 provided on the heat dissipation member 70. Therefore, with this configuration, the semiconductor device A10 can be attached to the heat dissipation member 70 more easily.
  • the second surface 102 of the substrate 10 is exposed from the first surface 52 of the sealing resin 50. This configuration can further improve the heat dissipation properties of the semiconductor device A10.
  • the protrusion 60 has a third surface 621 that faces the same side as the first surface 52 of the sealing resin 50 in the first direction z. In the first direction z, the third surface 621 is located farther from the first surface 52 than the second surface 102 of the substrate 10. With this configuration, the protrusion 60 can be securely fitted into the engagement portion 72 of the heat dissipation member 70 even in a configuration in which the second surface 102 is exposed from the first surface 52.
  • the protrusion 60 is integrated with the sealing resin 50. This configuration reduces the number of parts required to manufacture the semiconductor device A10.
  • the protrusion 60 includes a first portion 61 protruding from the first surface 52 of the sealing resin 50, a third surface 621, and a second portion 62 located on the opposite side of the sealing resin 50 with respect to the first portion 61 in the first direction z. As viewed in the first direction z, the second portion 62 is located inward from the periphery 612 of the first portion 61.
  • the first substrate 10A is provided with a first seat 103 recessed from the mounting surface 101.
  • a portion of the second conductive member 32 is housed in the first seat 103.
  • the third power terminal 13 is provided with a second seat 133 that is recessed in the first direction z from the side where the first intermediate portion 313 of the first conductive member 31 is located in the first direction z. A portion of the second joint portion 312 of the first conductive member 31 is accommodated in the second seat 133.
  • the first power terminal 11 is connected to the first substrate 10A.
  • the second power terminal 12 is connected to the second substrate 10B. This configuration makes it possible to prevent the semiconductor device A10 from increasing in size while utilizing the two substrates 10 as conductive paths for the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 50 has multiple recesses 56 recessed from the first side surface 53 in the third direction y. This configuration ensures a longer creepage distance of the sealing resin 50 between two adjacent leads of the third power terminal 13, the first power terminal 11, and the second power terminal 12. This improves the dielectric strength of the semiconductor device A10.
  • the sealing resin 50 is recessed from the first surface 52 and has a groove portion 57 that divides the second surfaces 102 of the two substrates 10 when viewed in the first direction z. This configuration ensures a longer creepage distance of the sealing resin 50 between the two substrates 10. This allows the dielectric strength of the semiconductor device A10 to be further improved. Furthermore, the thermal strain of the sealing resin 50 in the second direction x is dispersed. This allows excessive thermal expansion of the sealing resin 50 in the second direction x to be suppressed.
  • a semiconductor device A20 according to a second embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 19 to Fig. 21.
  • elements that are the same as or similar to those of the semiconductor device A10 described above are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.
  • semiconductor device A20 the configuration of the multiple protrusions 60 differs from that of semiconductor device A10.
  • each of the multiple protrusions 60 has a base 63 and a first protrusion 64.
  • the base 63 includes a third surface 621 and a peripheral surface 622.
  • the first protrusion 64 protrudes in the second direction x from a region of the peripheral surface 622 located on one side of the base 63 in the second direction x.
  • the base 63 and the first protrusion 64 are included in the elements of the second portion 62 of each of the multiple protrusions 60.
  • the dimension of the first protrusion 64 in the third direction y is less than or equal to the dimension of the first boundary 631 between the base 63 and the first protrusion 64.
  • the first protrusion 64 includes two first edges 641 that are spaced apart from each other in the third direction y. Each of the two first edges 641 is inclined with respect to the second direction x. Each of the two first edges 641 is inclined in a direction that approaches each other as it moves away from the first boundary 631 in the second direction x.
  • the multiple convex bodies 60 include a first convex body 60A, a second convex body 60B, a third convex body 60C, and a fourth convex body 60D.
  • the first convex body 60A and the second convex body 60B are spaced apart from each other in the third direction y.
  • the third convex body 60C and the fourth convex body 60D are spaced apart from each other in the third direction y.
  • the third convex body 60C is located on the opposite side of the first convex body 60A with respect to the two substrates 10 in the second direction x.
  • the fourth convex body 60D is located on the opposite side of the second convex body 60B with respect to the two substrates 10 in the second direction x.
  • the first convex body 60A has a first base 63A corresponding to the base 63 and a first convex portion 64A corresponding to the first protrusion 64.
  • the first convex portion 64A is located on the side facing the two substrates 10 with the first base 63A as a reference in the second direction x.
  • the second convex body 60B has a second base 63B corresponding to the base 63 and a second convex portion 64B corresponding to the first protrusion 64.
  • the second convex portion 64B is located on the opposite side to the side facing the two substrates 10 with the second base 63B as a reference in the second direction x.
  • the position of the first convex portion 64A with the first base 63A as a reference in the second direction x and the position of the second convex portion 64B with the second base 63B as a reference in the second direction x are mutually opposite.
  • the third convex body 60C has a third base 63C corresponding to the base 63 and a third convex portion 64C corresponding to the first protrusion 64.
  • the third convex portion 64C is located on the opposite side to the side facing the two substrates 10 with respect to the third base 63C in the second direction x.
  • the fourth convex body 60D has a fourth base 63D corresponding to the base 63 and a fourth convex portion 64D corresponding to the first protrusion 64.
  • the fourth convex portion 64D is located on the side facing the two substrates 10 with respect to the fourth base 63D in the second direction x. Therefore, the position of the third convex portion 64C with respect to the third base 63C in the second direction x and the position of the fourth convex portion 64D with respect to the fourth base 63D in the second direction x are opposite to each other.
  • the position of the first convex portion 64A in the second direction x relative to the first base portion 63A is equal to the position of the third convex portion 64C in the second direction x relative to the third base portion 63C.
  • the position of the second convex portion 64B in the second direction x relative to the second base portion 63B is equal to the position of the fourth convex portion 64D in the second direction x relative to the fourth base portion 63D.
  • FIG. 22 corresponds to FIG. 20.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 is different from that of semiconductor device A20. As shown in FIG. 22, when viewed in the first direction z, the two first edges 641 of the first protrusions 64 of each of the multiple protrusions 60 are convex arcs.
  • FIG. 23 corresponds to the cross-sectional position in FIG. 14 showing the semiconductor device A10.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 differs from that of semiconductor device A20.
  • the peripheral surface 622 of the base 63 of each of the multiple protrusions 60 is inclined with respect to the first direction z.
  • the size of the cross section of the base 63 perpendicular to the first direction z decreases from the fourth surface 611 to the third surface 621 of the first portion 61 of any of the corresponding multiple protrusions 60.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 differs from that of semiconductor device A20.
  • the first protrusion 64A is located on the side facing the two substrates 10 in the second direction x with the first base 63A as the reference.
  • the third protrusion 64C is located on the side facing the two substrates 10 in the second direction x with the third base 63C as the reference. Therefore, the position of the first protrusion 64A in the second direction x with the first base 63A as the reference and the position of the third protrusion 64C in the second direction x with the third base 63C as the reference are mutually opposite.
  • the second convex portion 64B is located on the opposite side of the side facing the two substrates 10 in the second direction x with the second base portion 63B as the reference.
  • the fourth convex portion 64D is located on the opposite side of the side facing the two substrates 10 in the second direction x with the fourth base portion 63D as the reference. Therefore, the position of the second convex portion 64B with the second base portion 63B as the reference in the second direction x and the position of the fourth convex portion 64D with the fourth base portion 63D as the reference in the second direction x are mutually opposite.
  • the semiconductor device A20 comprises a substrate 10, a semiconductor element 21, a sealing resin 50, and a protrusion 60. At least a portion of the substrate 10 is a conductor. The semiconductor element 21 is bonded to one side of the substrate 10 in the first direction z. The protrusion 60 protrudes from the sealing resin 50 in the first direction z. The protrusion 60 is located on the opposite side of the substrate 10 to the semiconductor element 21 in the first direction z. Therefore, with this configuration, it is possible to make the semiconductor device A20 easier to attach to the heat dissipation member 70. Furthermore, by having a configuration in common with the semiconductor device A10, the semiconductor device A20 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • the convex body 60 has a base 63 and a first protrusion 64.
  • the first protrusion 64 protrudes in the second direction x from one side of the base 63 in the second direction x.
  • the dimension of the first protrusion 64 in the third direction y is equal to or smaller than the dimension of the first boundary 631 between the base 63 and the first protrusion 64.
  • the dimension of the sealing resin 50 in the second direction x is larger than the dimension of the sealing resin 50 in the third direction y. Therefore, the thermal expansion and thermal contraction of the sealing resin 50 caused by the heat generated from the semiconductor element 21 is more significant in the second direction x than in the third direction y.
  • the convex body 60 includes a first convex body 60A and a second convex body 60B that are separated from each other in the third direction y.
  • the first convex body 60A has a first base 63A and a first convex portion 64A.
  • the second convex body 60B has a second base 63B and a second convex portion 64B.
  • the position of the first convex portion 64A based on the first base portion 63A in the second direction x is opposite to the position of the second convex portion 64B based on the second base portion 63B in the second direction x.
  • a semiconductor device A30 according to a third embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 25 and Fig. 26.
  • elements that are the same as or similar to the semiconductor device A10 and the semiconductor device A20 described above are denoted by the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.
  • the configuration of the multiple protrusions 60 is different from that of semiconductor device A20.
  • each of the multiple protrusions 60 has a base 63, a first protrusion 64, and a second protrusion 65.
  • the second protrusion 65 protrudes in the second direction x from the peripheral surface 622 of the base 63.
  • the second protrusion 65 is located on the opposite side of the first protrusion 64 in the second direction x with the base 63 as a reference.
  • the second protrusion 65 is included as an element of the second portion 62 of each of the multiple protrusions 60.
  • the dimension of the second protrusion 65 in the third direction y is less than or equal to the dimension of the second boundary 632 between the base 63 and the second protrusion 65.
  • the second protrusion 65 includes two second edges 651 that are spaced apart from each other in the third direction y. Each of the two second edges 651 is inclined with respect to the second direction x. Each of the two second edges 651 is inclined in a direction that approaches each other as it moves away from the second boundary 632 in the second direction x.
  • the semiconductor device A30 comprises a substrate 10, a semiconductor element 21, a sealing resin 50, and a protrusion 60. At least a portion of the substrate 10 is a conductor. The semiconductor element 21 is bonded to one side of the substrate 10 in the first direction z. The protrusion 60 protrudes from the sealing resin 50 in the first direction z. The protrusion 60 is located on the opposite side of the substrate 10 to the semiconductor element 21 in the first direction z. Therefore, with this configuration, it is possible to make the semiconductor device A30 easier to attach to the heat dissipation member 70. Furthermore, by having a configuration in common with the semiconductor device A10, the semiconductor device A30 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • the convex body 60 has a base 63, a first protrusion 64, and a second protrusion 65.
  • the second protrusion 65 protrudes from the base 63 in the second direction x.
  • the second protrusion 65 is located on the opposite side of the first protrusion 64 with respect to the base 63 in the second direction x.
  • the dimension of the second protrusion 65 in the third direction y is equal to or smaller than the dimension of the second boundary 632 between the base 63 and the second protrusion 65.
  • the stress in the second direction x acting on the interface between either the first protrusion 64 or the second protrusion 65 and the region of the heat dissipation member 70 that defines the engagement portion 72 increases due to both the thermal expansion and thermal contraction of the sealing resin 50. This makes it possible to more effectively prevent the convex body 60 from slipping out of the heat dissipation member 70.
  • FIG. 27 A semiconductor device A40 according to a fourth embodiment of the present disclosure will be described with reference to Fig. 27 and Fig. 28.
  • elements that are the same as or similar to the semiconductor device A10 and semiconductor module B10 described above are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.
  • the cross-sectional position in Fig. 28 corresponds to the cross-sectional position in Fig. 7 showing the semiconductor device A10.
  • semiconductor device A40 the configuration of the multiple protrusions 60 differs from that of semiconductor device A10.
  • the second portion 62 of each of the multiple protrusions 60 has a recess 66 recessed from the third surface 621.
  • the semiconductor module B20 includes a semiconductor device A10, a heat dissipation member 70, and an insulating material 80.
  • the cross-sectional position in Figure 29 corresponds to the cross-sectional position in Figure 28.
  • the heat dissipation member 70 has a bottom surface 721 that defines one of a plurality of engagement portions 72 and faces the same side as the main surface 71 in the first direction z.
  • the heat dissipation member 70 is provided with a protrusion 73 that protrudes from the bottom surface 721.
  • the protrusion 73 is housed in one of the plurality of engagement portions 72.
  • the protrusion 73 is fitted into one of the recesses 66 of a plurality of protrusions 60 that are fitted into one of the plurality of engagement portions 72.
  • the semiconductor device A40 comprises a substrate 10, a semiconductor element 21, a sealing resin 50, and a protrusion 60. At least a portion of the substrate 10 is a conductor. The semiconductor element 21 is bonded to one side of the substrate 10 in the first direction z. The protrusion 60 protrudes from the sealing resin 50 in the first direction z. The protrusion 60 is located on the opposite side of the substrate 10 to the semiconductor element 21 in the first direction z. Therefore, with this configuration, it is possible to make the semiconductor device A40 easier to attach to the heat dissipation member 70. Furthermore, by having a configuration in common with the semiconductor device A10, the semiconductor device A40 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • the protrusion 60 is provided with a recess 66 recessed from the third surface 621.
  • the protrusion 73 provided on the heat dissipation member 70 shown in FIG. 30 fits into the recess 66. This effectively prevents the protrusion 60 from slipping out of the heat dissipation member 70.
  • FIG. 31 shows the sealing resin 50 through the transparent state for ease of understanding.
  • the transparent sealing resin 50 is shown by imaginary lines.
  • semiconductor device A50 the configuration of the substrate 10 is different from that of semiconductor device A10.
  • the base material 10 has an insulating layer 104, two conductive layers 105, and a heat dissipation layer 106.
  • the two conductive layers 105 correspond to the first base material 10A and the second base material 10B, respectively.
  • the insulating layer 104 is located between the two conductive layers 105 and the heat dissipation layer 106 in the first direction z.
  • the insulating layer 104 and each of the two conductive layers 105 are covered with a sealing resin 50.
  • the insulating layer 104 is made of a material having a relatively high thermal conductivity.
  • the insulating layer 104 is made of ceramics containing, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ) or aluminum nitride (AlN). Alternatively, the insulating layer 104 may be made of a material containing a resin.
  • the two conductive layers 105 contain copper.
  • the heat dissipation layer 106 includes the second surface 102.
  • the heat dissipation layer 106 includes copper.
  • the heat dissipation layer 106 is located inward from the periphery 104A of the insulating layer 104.
  • each of the multiple protrusions 60 overlaps the insulating layer 104.
  • the sealing resin 50 does not have a groove portion 57.
  • the semiconductor device A50 comprises a substrate 10, a semiconductor element 21, a sealing resin 50, and a protrusion 60. At least a portion of the substrate 10 is a conductor. The semiconductor element 21 is bonded to one side of the substrate 10 in the first direction z. The protrusion 60 protrudes from the sealing resin 50 in the first direction z. The protrusion 60 is located on the opposite side of the substrate 10 to the semiconductor element 21 in the first direction z. Therefore, with this configuration, the semiconductor device A50 can also be more easily attached to the heat dissipation member 70. Furthermore, by being equipped with a configuration in common with the semiconductor device A10, the semiconductor device A50 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • Appendix 1 A substrate at least a portion of which is a conductor; A semiconductor element bonded to one side of the base material in a first direction; a sealing resin that covers at least a portion of the base material and the semiconductor element; a protrusion protruding from the sealing resin in the first direction, The semiconductor device, wherein the protrusion is located on the opposite side of the base material from the semiconductor element in the first direction.
  • Appendix 2. the sealing resin has a first surface facing the first direction, The protrusion protrudes from the first surface, 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the base material is exposed from the first surface.
  • the base material has a second surface exposed from the first surface
  • the protrusion has a third surface facing the same side as the first surface in the first direction, 3.
  • the semiconductor device according to claim 2 wherein in the first direction, the third surface is located farther from the first surface than the second surface.
  • Appendix 4. 4.
  • the protrusion is integral with the sealing resin.
  • Appendix 5. the protrusion has a first portion protruding from the first surface, and a second portion including the third surface and positioned on an opposite side to the sealing resin with respect to the first portion in the first direction, 5.
  • the semiconductor device according to claim 4 wherein, when viewed in the first direction, the second portion is located inward from a periphery of the first portion. Appendix 6.
  • the first portion includes a fourth surface facing the same side as the first surface in the first direction, 6.
  • Appendix 7. 7.
  • the protrusion has a base including the third surface, and a first protrusion protruding in a second direction from one side of the base in a second direction perpendicular to the first direction,
  • the semiconductor device described in Appendix 4 wherein, when viewed in the first direction, a dimension of the first protrusion in a third direction perpendicular to each of the first direction and the second direction is less than or equal to a dimension of a first boundary between the base and the first protrusion.
  • Appendix 9. When viewed in the first direction, the first protrusion includes two edges spaced apart from each other in the third direction, 9. The semiconductor device according to claim 8, wherein each of the two edges is inclined with respect to the second direction. Appendix 10. 10.
  • the two edges are inclined in the second direction such that the edges approach each other as they move away from the first boundary.
  • the protrusions include a first protrusion and a second protrusion spaced apart from each other in the third direction
  • the first convex body has a first base portion corresponding to the base portion and a first convex portion corresponding to the first projection
  • the second convex body has a second base portion corresponding to the base portion and a second convex portion corresponding to the first projection
  • a position of the first convex portion in the second direction relative to the first base portion and a position of the second convex portion in the second direction relative to the second base portion are opposite to each other.
  • the convex body has a second projection protruding from the base in the second direction, the second protrusion is located on an opposite side to the first protrusion with respect to the base in the second direction, 11.
  • a dimension of the second protrusion in the third direction is equal to or smaller than a dimension of a second boundary between the base and the second protrusion.
  • the protrusion has a peripheral surface surrounding the third surface as viewed in the first direction, 5.
  • a signal terminal electrically connected to the semiconductor element is further provided. 17. The semiconductor device according to claim 16, wherein the signal terminal protrudes from the first side surface.
  • Appendix 19. further comprising an insulating material located between the main surface and the second surface; 19. The semiconductor module of claim 18, wherein the insulating material is adjacent to the first portion in a direction perpendicular to the first direction.
  • the drive system and A storage battery that supplies power to the drive system; an on-board charger that supplies power to the storage battery; and the semiconductor device according to claim 17, The semiconductor device is included in a circuit that constitutes the vehicle-mounted charger. Appendix 21. 5.
  • a composition of the convex body is the same as a composition of the sealing resin.
  • Appendix 22. 13 The semiconductor device according to claim 8, wherein a dimension of the sealing resin in the second direction is larger than a dimension of the sealing resin in the third direction.
  • Appendix 23. 23. The semiconductor device of claim 22, wherein the substrate includes a first substrate and a second substrate spaced apart from each other in the second direction.
  • the semiconductor element includes a first semiconductor element conductively bonded to the first base material and a second semiconductor element conductively bonded to the second base material. Appendix 25.
  • the base material has two conductive layers respectively corresponding to the first base material and the second base material, an insulating layer located on the opposite side of the two conductive layers to the first semiconductor element and the second semiconductor element, and a heat dissipation layer located on the opposite side of the insulating layer to the two conductive layers, 25.
  • the heat dissipation layer is located inward from a periphery of the insulating layer.
  • Appendix 28. 28. The semiconductor device according to claim 27, wherein, when viewed in the first direction, the protrusion overlaps the insulating layer.
  • Appendix 29. the protrusion has a base including the third surface, and a first protrusion protruding in a second direction from one side of the base in a second direction perpendicular to the first direction, the base and the first projection are included in the second part element; 8.
  • the semiconductor device wherein, when viewed in the first direction, a dimension of the first protrusion in a third direction perpendicular to each of the first direction and the second direction is less than or equal to a dimension of a first boundary between the base and the first protrusion.
  • Appendix 30 5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the third surface is convex toward the side toward which the first surface faces in the first direction.
  • Appendix 31 The semiconductor device according to claim 6 or 7, wherein the protrusion has a recess recessed from the third surface.
  • the semiconductor module of claim 32 wherein the insulating material is in contact with each of the main surface and the second surface.
  • Appendix 34 A heat dissipation member; A semiconductor device according to claim 31, the heat dissipation member has a main surface facing the sealing resin, the heat dissipation member is provided with an engagement portion recessed from the main surface and a protrusion protruding from a bottom surface defining the engagement portion, The protrusion is fitted into the engagement portion, The protrusion is fitted into the recess.

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体装置は、少なくとも一部が導体である基材と、前記基材の第１方向の一方側に接合された半導体素子と、前記基材の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から前記第１方向に突出する凸体とを備える。前記凸体は、前記第１方向において前記基材を基準として前記半導体素子とは反対側に位置する。

Description

半導体装置、半導体モジュールおよび車両
　本開示は、半導体装置と、当該半導体装置を具備する半導体モジュールと、当該半導体装置が搭載された車両とに関する。
　特許文献１には、２つのスイッチング素子が個別に導電接合された第１導電板および第２導電板と、第１導電板につながる第１入力端子と、第２導電板につながる出力端子と、第２入力端子と、第１導電部材および第２導電部材を備える半導体装置の一例が開示されている。第１導電部材は、第１導電板に導電接合されたスイッチング素子と、第２導電板とに導電接合されている。第２導電部材は、第２導電板に導電接合されたスイッチング素子と、第２入力端子とに導電接合されている。これにより、当該半導体装置においては、２つのスイッチング素子を含むハーフブリッジ回路が構成されている。したがって、当該半導体装置を用いることによって、電力を変換することができる。
　特許文献１に開示されている半導体装置の使用にあたっては、２つのスイッチング素子の各々から発生する熱を外部に効率よく放出するため、放熱部材に取り付けられる。ここで、当該半導体装置は、第１導電板および第２導電板の各々の少なくとも一部と、２つのスイッチング素子とを覆う封止樹脂をさらに備える。当該半導体装置を放熱部材に取り付ける際は、たとえば、金属バネを用いて封止樹脂を放熱部材に固定することにより取り付けが行われる。しかし、このような取付け方法では、部品点数の増加を招くとともに、取り付けに相当の時間を要する。
国際公開第２０２２／０３０２４４号
　［概要］
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記事情に鑑み、放熱部材への取り付けをより容易とすることが可能な半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、少なくとも一部が導体である基材と、前記基材の第１方向の一方側に接合された半導体素子と、前記基材の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂から前記第１方向に突出する凸体とを備える。前記凸体は、前記第１方向において前記基材を基準として前記半導体素子とは反対側に位置する。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体モジュールは、放熱部材および半導体装置を備える。前記半導体装置においては、本開示の第１の側面によって提供される半導体装置が具備する凸体の構成が限定される。前記半導体装置が具備する封止樹脂は、第１方向を向く第１面を有する。前記半導体装置が具備する基材は、前記第１面から露出する第２面を有する。前記凸体は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第３面を有する。前記凸体は、前記第１面から突出する第１部と、前記第３面を含むとともに、前記第１方向において前記第１部を基準として前記封止樹脂とは反対側に位置する第２部とを有する。前記第１方向に視て、前記第２部は、前記第１部の周縁よりも内方に位置する。前記放熱部材は、前記封止樹脂に対向する主面を有する。前記放熱部材には、前記主面から凹む係合部が設けられている。前記凸体は、前記係合部に嵌め込まれている。
　本開示の第３の側面によって提供される車両は、駆動系統と、前記駆動系統に給電する蓄電池と、前記蓄電池に給電する車載充電器と、半導体装置とを備える。前記半導体装置は、前記車載充電器を構成する回路に含まれる。前記半導体装置は、本開示の第１の側面によって提供される半導体装置に対して、電力端子および信号端子をさらに備える。前記半導体装置が具備する半導体素子は、前記半導体装置が具備する基材に導電接合されている。前記電力端子は、前記基材につながっている。前記信号端子は、前記半導体素子に導通している。前記半導体装置が具備する封止樹脂は、第１方向に対して直交する方向を向く第１側面を有する。前記電力端子および前記信号端子の各々は、前記第１側面から突出している。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。 図２は、図１に示す半導体装置の平面図である。 図３は、図２に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図６は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図７の部分拡大図であり、第１半導体素子およびその近傍を示している。 図１１は、図７の部分拡大図であり、第２半導体素子およびその近傍を示している。 図１２は、図８の部分拡大図である。 図１３は、図９の部分拡大図である。 図１４は、図７の部分拡大図であり、凸体およびその近傍を示している。 図１５は、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。 図１６は、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。 図１７は、図１に示す半導体装置が搭載された車両の概要図である。 図１８は、本開示の第１実施形態にかかる半導体モジュールの断面図である。 図１９は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の底面図である。 図２０は、図１９の部分拡大図であり、第１凸体およびその近傍を示している。 図２１は、図１９の部分拡大図であり、第２凸体およびその近傍を示している。 図２２は、本開示の第２実施形態の第１変形例にかかる半導体装置の部分拡大平面図である。 図２３は、本開示の第２実施形態の第２変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。 図２４は、本開示の第２実施形態の第３変形例にかかる半導体装置の底面図である。 図２５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の底面図である。 図２６は、図２５の部分拡大図である。 図２７は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の底面図である。 図２８は、図２７に示す半導体装置の断面図である。 図２９は、本開示の第２実施形態にかかる半導体モジュールの断面図である。 図３０は、図２９の部分拡大図である。 図３１は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。 図３２は、図３１に示す半導体装置の底面図である。 図３３は、図３１のＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
　［詳細な説明］
　本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
　第１実施形態：
　図１～図１４に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、２つの基材１０、第１電力端子１１、第２電力端子１２、第３電力端子１３、２つの第１信号端子１４、２つの第２信号端子１５、複数の半導体素子２１、第１導通部材３１、第２導通部材３２、封止樹脂５０、および複数の凸体６０を備える。さらに半導体装置Ａ１０は、２つの第１ワイヤ４１、２つの第２ワイヤ４２、２つの第１中継ワイヤ４３、および２つの第２中継ワイヤ４４を備える。ここで、図３は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３では、透過した封止樹脂５０を想像線（二点鎖線）で示している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、例えば、後述する２つの基材１０の各々の搭載面１０１の法線方向を「第１方向ｚ」と呼ぶ。第１方向ｚに対して直交する方向の一例を「第２方向ｘ」と呼ぶ。第１方向ｚおよび第２方向ｘに対して直交する方向を「第３方向ｙ」と呼ぶ。
　半導体装置Ａ１０は、第２電力端子１２および第３電力端子１３に印加された直流の電源電圧を、複数の半導体素子２１により交流電力に変換する。変換された交流電力は、第１電力端子１１からモータなどの電力供給対象に入力される。半導体装置Ａ１０は、たとえばインバータといった電力変換回路に使用される。
　２つの基材１０は、図３、図７および図８に示すように、第１基材１０Ａおよび第２基材１０Ｂを含む。第１基材１０Ａおよび第２基材１０Ｂは、第２方向ｘにおいて互いに離れている。２つの基材の各々は、少なくとも一部が導体である。半導体装置Ａ１０においては、２つの各々の全体は、金属からなる。この場合において、２つの基材１０は、第１電力端子１１、第２電力端子１２、第３電力端子１３、２つの第１信号端子１４、および２つの第２信号端子１５とともに、同一のリードフレームから得られる。当該リードフレームは、銅（Ｃｕ）または銅合金を含有する。したがって、２つの基材１０、第１電力端子１１、第２電力端子１２、２つの第１信号端子１４、および２つの第２信号端子１５の各々は、銅を含有する。２つの基材１０の各々は、搭載面１０１および第２面１０２を有する。搭載面１０１および第２面１０２は、第１方向ｚにおいて互いに反対側を向く。２つの基材１０の各々の第２面１０２は、封止樹脂５０から露出している。
　図３および図１２に示すように、第１基材１０Ａには、第１座部１０３が設けられている。第１座部１０３は、第１基材１０Ａの搭載面１０１から凹んでいる。これにより、第１基材１０Ａにおいては、搭載面１０１と第１座部１０３とにおいて段差をなしている。
　封止樹脂５０は、図７～図９に示すように、複数の半導体素子２１、第１導通部材３１および第２導通部材３２を覆っている。さらに封止樹脂５０は、２つの基材１０、第３電力端子１３、第１電力端子１１、第２電力端子１２、２つの第１信号端子１４、および２つの第２信号端子１５の各々の一部と覆っている。図２に示すように、封止樹脂５０の第２方向ｘの寸法は、封止樹脂５０の第３方向ｙの寸法よりも大きい。封止樹脂５０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。封止樹脂５０は、頂面５１、第１面５２、第３側面５５、第２側面５４、２つの第１側面５３、複数の陥入部５６、および溝部５７を有する。
　図７および図８に示すように、頂面５１は、第１方向ｚにおいて２つの基材１０の各々の搭載面１０１と同じ側を向く。図７～図９に示すように、第１面５２は、第１方向ｚにおいて頂面５１とは反対側を向く。図４に示すように、第１面５２から２つの基材１０の各々の第２面１０２が露出している。
　図２、図４および図６に示すように、第１側面５３および第２側面５４は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。第１側面５３および第２側面５４の各々は、第３方向ｙにおいて互いに反対側を向き、かつ第２方向ｘに延びている。第２側面５４および第１側面５３の各々は、頂面５１および第１面５２につながっている。図５に示すように、第１側面５３から第３電力端子１３、第１電力端子１１、第２電力端子１２、２つの第１信号端子１４、および２つの第２信号端子１５の各々が突出している。
　図２、図４および図５に示すように、２つの第３側面５５は、第２方向ｘにおいて互いに離れている。２つの第３側面５５の各々は、第２方向ｘを向き、かつ第３方向ｙに延びている。２つの第３側面５５の各々は、頂面５１および第１面５２につながっている。
　図１、図２および図４に示すように、複数の陥入部５６は、第１側面５３から第３方向ｙに凹むとともに、第１方向ｚにおいて封止樹脂５０を貫通している。第２方向ｘにおいて、複数の陥入部５６は、第２電力端子１２と後述する第２検出端子１５Ｂとの間、第３電力端子１３と第２電力端子１２との間、第３電力端子１３と第１電力端子１１との間、および第１電力端子１１と後述する第１検出端子１５Ａとの間において個別に設けられている。
　図４および図５に示すように、溝部５７は、第１面５２から第１方向ｚに凹むとともに、第３方向ｙに延びている。溝部５７の第３方向ｙの両側は、第２側面５４および第１側面５３につながっている。第１方向ｚに視て、溝部５７は、２つの基材１０の各々の第２面１０２を区画している。
　複数の半導体素子２１は、図３、および図７～図９に示すように、２つの基材１０の各々に接合されている。半導体装置Ａ１０においては、複数の半導体素子２１は、２つの第１半導体素子２１Ａと、２つの第２半導体素子２１Ｂとを含む。２つの第１半導体素子２１Ａは、第１基材１０Ａの搭載面１０１に接合されている。２つの第２半導体素子２１Ｂは、第２基材１０Ｂの搭載面１０１に接合されている。複数の半導体素子２１は、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、複数の半導体素子２１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子や、ダイオードでもよい。半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の半導体素子２１は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。複数の半導体素子２１は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の組成は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含む。図３、図１０および図１１に示すように、複数の半導体素子２１の各々は、第１電極２１１、第２電極２１２、第３電極２１３、および２つの第４電極２１４を有する。
　図１０および図１１に示すように、第１電極２１１は、第１方向ｚにおいて２つの基材１０のいずれかの搭載面１０１と対向する側とは反対側に位置する。第１電極２１１には、半導体素子２１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極２１１は、半導体素子２１のソース電極に相当する。
　図１０および図１１に示すように、第２電極２１２は、２つの基材１０のいずれかの搭載面１０１に対向している。第２電極２１２には、半導体素子２１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極２１２は、半導体素子２１のドレイン電極に相当する。
　図１０および図１１に示すように、第３電極２１３は、第１方向ｚにおいて第１電極２１１と同じ側に位置する。第３電極２１３には、半導体素子２１を駆動するためのゲート電圧が印加される。第１方向ｚに視て、第３電極２１３の面積は、第１電極２１１の面積より小さい。
　図３に示すように、２つの第４電極２１４は、第１方向ｚにおいて第１電極２１１と同じ側に位置する。２つの第４電極２１４は、第３方向ｙにおいて第３電極２１３を基準として互いに反対側に位置する。２つの第４電極２１４の各々には、第１電極２１１に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。
　第１接合層２９は、図１０および図１１に示すように、第１基材１０Ａの搭載面１０１と２つの第１半導体素子２１Ａとの間、および第２基材１０Ｂの搭載面１０１と２つの第２半導体素子２１Ｂとの間とにそれぞれ位置する。第１接合層２９は、たとえばハンダである。この他、第１接合層２９は、焼結金属でもよい。第１接合層２９は、第１基材１０Ａの搭載面１０１と、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第２電極２１２とを導電接合する。これにより、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第２電極２１２は、第１基材１０Ａに導通している。さらに第１接合層２９は、第２基材１０Ｂの搭載面１０１と、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第２電極２１２とを導電接合する。これにより、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第２電極２１２は、第２基材１０Ｂに導通している。
　第１電力端子１１は、図３に示すように、第１基材１０Ａにつながっている。したがって、第１電力端子１１は、第１基材１０Ａを介して２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第２電極２１２に導通している。第１電力端子１１から、複数の半導体素子２１により変換された交流電力が出力される。第１電力端子１１は、第３電力端子１３を基準として第２電力端子１２とは反対側に位置するとともに、第３電力端子１３の隣に位置する。第１電力端子１１は、実装部１１１および被覆部１１２を有する。実装部１１１は、封止樹脂５０の第１側面５３から突出している。実装部１１１は、第３方向ｙに延びている。被覆部１２２は、実装部１１１と第１基材１０Ａとを連結している。被覆部１１２は、封止樹脂５０に覆われている。被覆部１１２は、第１方向ｚにおいて第１基材１０Ａの搭載面１０１に近づく側に向けて屈曲している。
　第２電力端子１２は、図３に示すように、第２基材１０Ｂにつながっている。したがって、第２電力端子１２は、第２基材１０Ｂを介して２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第２電極２１２に導通している。第２電力端子１２は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＰ端子（正極）である。第２電力端子１２は、第３電力端子１３を基準として第１電力端子１１とは反対側に位置するとともに、第３電力端子１３の隣に位置する。第２電力端子１２は、実装部１２１および被覆部１２２を有する。実装部１２１は、封止樹脂５０の第１側面５３から突出している。実装部１２１は、第３方向ｙに延びている。被覆部１２２は、実装部１２１と第２基材１０Ｂとを連結している。被覆部１２２は、封止樹脂５０に覆われている。被覆部１２２は、第１方向ｚにおいて第２基材１０Ｂの搭載面１０１に近づく側に向けて屈曲している。
　第３電力端子１３は、図２および図３に示すように、第３方向ｙにおいて２つの基材１０を基準として封止樹脂５０の第２側面５４とは反対側に位置する。第３電力端子１３は、２つの基材１０から離れている。第３電力端子１３は、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第１電極２１１に導通している。第３電力端子１３は、電力変換対象となる直流の電源電圧が印加されるＮ端子（負極）である。
　図３および図９に示すように、第３電力端子１３は、実装部１３１および被覆部１３２を有する。実装部１３１は、封止樹脂５０の第１側面５３から突出している。実装部１３１は、第３方向ｙに延びている。被覆部１３２は、実装部１３１につながっている。被覆部１３２は、封止樹脂５０に覆われている。
　図３および図１３に示すように、第３電力端子１３の被覆部１３２には、第２座部１３３が設けられている。第２座部１３３は、第１方向ｚにおいて後述する第１導通部材３１の第１中間部３１３が位置する側から第１方向ｚに凹んでいる。
　２つの第１信号端子１４は、図２および図３に示すように、第３方向ｙにおいて２つの基材１０を基準として封止樹脂５０の第２側面５４とは反対側に位置する。図３に示すように、２つの第１信号端子１４は、第３方向ｙに延びている。２つの第１信号端子１４は、第２方向ｘにおいて第１電力端子１１、第２電力端子１２、第３電力端子１３、および２つの第２信号端子１５を間に挟んでいる。２つの第１信号端子１４は、第１ゲート端子１４Ａおよび第２ゲート端子１４Ｂを含む。
　図３に示すように、２つの第１信号端子１４の各々は、実装部１４１および被覆部１４２を有する。実装部１４１は、封止樹脂５０の第１側面５３から突出している。実装部１４１は、第３方向ｙに延びている。被覆部１４２は、実装部１４１につながっている。被覆部１４２は、封止樹脂５０に覆われている。
　第１ゲート端子１４Ａは、図３に示すように、第２基材１０Ｂよりも第１基材１０Ａの近くに位置する。第１ゲート端子１４Ａは、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第３電極２１３に導通している。第１ゲート端子１４Ａには、２つの第１半導体素子２１Ａが駆動するためのゲート電圧が印加される。
　第２ゲート端子１４Ｂは、図３に示すように、第１基材１０Ａよりも第２基材１０Ｂの近くに位置する。第２ゲート端子１４Ｂは、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第３電極２１３に導通している。第２ゲート端子１４Ｂには、２つの第２半導体素子２１Ｂが駆動するためのゲート電圧が印加される。
　２つの第２信号端子１５は、図２および図３に示すように、第３方向ｙにおいて２つの基材１０を基準として封止樹脂５０の第２側面５４とは反対側に位置する。図３に示すように、２つの第２信号端子１５は、第３方向ｙに延びている。２つの第２信号端子１５は、第２方向ｘにおいて第１電力端子１１、第２電力端子１２および第３電力端子１３を間に挟んでいる。２つの第２信号端子１５は、第１検出端子１５Ａおよび第２検出端子１５Ｂを含む。
　図３に示すように、２つの第２信号端子１５の各々は、実装部１５１および被覆部１５２を有する。実装部１５１は、封止樹脂５０の第１側面５３から突出している。実装部１５１は、第３方向ｙに延びている。被覆部１５２は、実装部１５１につながっている。被覆部１５２は、封止樹脂５０に覆われている。
　第１検出端子１５Ａは、図２および図３に示すように、第１電力端子１１と第１ゲート端子１４Ａとの間に位置する。第１検出端子１５Ａは、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の２つの第４電極２１４に導通している。第１検出端子１５Ａには、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第１電極２１１に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。
　第２検出端子１５Ｂは、図２および図３に示すように、第２電力端子１２と第２ゲート端子１４Ｂとの間に位置する。第２検出端子１５Ｂは、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の２つの第４電極２１４に導通している。第２検出端子１５Ｂには、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第１電極２１１に印加される電圧と等電位の電圧が印加される。
　図５に示すように、第３電力端子１３の実装部１１１、第１電力端子１１の実装部１２１、および第２電力端子１２の実装部１３１の各々の高さｈは、いずれも等しい。図６に示すように、第２方向ｘに視て、２つの第１信号端子１４のいずれかの実装部１４１は、第３電力端子１３の実装部１１１、第１電力端子１１の実装部１２１、および第２電力端子１２の実装部１３１の各々に重なる。
　第１導通部材３１は、図３および図９に示すように、２つの第１半導体素子２１Ａの第１電極２１１と、第３電力端子１３の第２座部１３３とに導電接合されている。これにより、第３電力端子１３は、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第１電極２１１に導通している。第１導通部材３１は、銅または銅合金を含有する。第１導通部材３１は、金属クリップである。第１導通部材３１は、２つの第１接合部３１１、第２接合部３１２および第１中間部３１３を有する。
　図３および図１０に示すように、２つの第１接合部３１１は、２つの第１半導体素子２１Ａの第１電極２１１に個別に導電接合されている。２つの第１接合部３１１の各々は、第３方向ｙにおいて互いに離れた二股である。図３に示すように、２つの第１接合部３１１は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。
　図３および図１３に示すように、第２接合部３１２は、第３電力端子１３の第２座部１３３に導電接合されている。第２接合部３１２は、第２方向ｘに延びている。第２接合部３１２の少なくとも一部が、第２座部１３３に収容されている。
　図３に示すように、第１中間部３１３は、第１方向ｚに視て鉤状に屈曲している。第１方向ｚに視て、第１中間部３１３は、第１基材１０Ａの搭載面１０１に重なっている。第１中間部３１３は、２つの第１接合部３１１と、第２接合部３１２とを連結している。
　半導体装置Ａ１０は、図７～図１０に示すように、第２接合層３３をさらに備える。第２接合層３３は、２つの第１半導体素子２１Ａの第１電極２１１と、２つの第１接合部３１１とを導電接合する。第２接合層３３は、たとえばハンダである。この他、第２接合層３３は、焼結金属でもよい。
　半導体装置Ａ１０は、図９および図１３に示すように、第３接合層３４をさらに備える。第３接合層３４は、第３電力端子１３の第２座部１３３と、第２接合部３１２とを導電接合する。第３接合層３４は、たとえばハンダである。この他、第３接合層３４は、焼結金属でもよい。
　第２導通部材３２は、図３および図８に示すように、２つの第２半導体素子２１Ｂの第１電極２１１と、第１基材１０Ａの第１座部１０３とに導電接合されている。これにより、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第１電極２１１は、第１基材１０Ａと、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第２電極２１２とに導通している。第２導通部材３２は、銅または銅合金を含有する。第２導通部材３２は、金属クリップである。第２導通部材３２は、２つの第３接合部３２１、第４接合部３２２および第２中間部３２３を有する。
　図３および図１１に示すように、２つの第３接合部３２１は、２つの第２半導体素子２１Ｂの第１電極２１１に個別に導電接合されている。２つの第３接合部３２１の各々は、第３方向ｙにおいて互いに離れた二股である。図３に示すように、２つの第３接合部３２１は、第３方向ｙにおいて互いに離れている。
　図３および図１２に示すように、第４接合部３２２は、第１基材１０Ａの第１座部１０３に導電接合されている。第４接合部３２２は、第３方向ｙに延びている。第４接合部３２２の少なくとも一部が、第１座部１０３に収容されている。
　図３に示すように、第２中間部３２３は、２つの第３接合部３２１と、第４接合部３２２とを連結している。第２中間部３２３は、第１基材１０Ａと第２基材１０Ｂとの間を跨いでいる。
　半導体装置Ａ１０は、図７、図８および図１１に示すように、第４接合層３５をさらに備える。第４接合層３５は、２つの第２半導体素子２１Ｂの第１電極２１１と、２つの第３接合部３２１とを導電接合する。第４接合層３５は、たとえばハンダである。この他、第４接合層３５は、焼結金属でもよい。
　半導体装置Ａ１０は、図８および図１２に示すように、第５接合層３６をさらに備える。第５接合層３６は、第１基材１０Ａの第１座部１０３と、第４接合部３２２とを導電接合する。第５接合層３６は、たとえばハンダである。この他、第５接合層３６は、焼結金属でもよい。
　２つの第１ワイヤ４１のうち一方の第１ワイヤ４１は、図３に示すように、２つの第１半導体素子２１Ａのうち第１ゲート端子１４Ａから最も近くに位置する第１半導体素子２１Ａの第３電極２１３と、第１ゲート端子１４Ａの被覆部１４２とに導電接合されている。２つの第１ワイヤ４１のうち他方の第１ワイヤ４１は、図３に示すように、２つの第２半導体素子２１Ｂのうち第２ゲート端子１４Ｂから最も近くに位置する第２半導体素子２１Ｂの第３電極２１３と、第２ゲート端子１４Ｂの被覆部１４２とに導電接合されている。
　２つの第１中継ワイヤ４３のうち一方の第１中継ワイヤ４３は、図３に示すように、一方の第１半導体素子２１Ａの第３電極２１３と、他方の第１半導体素子２１Ａの第３電極２１３とに導電接合されている。２つの第１中継ワイヤ４３のうち他方の第１中継ワイヤ４３は、図３に示すように、一方の第２半導体素子２１Ｂの第３電極２１３と、他方の第２半導体素子２１Ｂの第３電極２１３とに導電接合されている。２つの第１ワイヤ４１、および２つの第１中継ワイヤ４３により、第１ゲート端子１４Ａは、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の第３電極２１３に導通している。あわせて第２ゲート端子１４Ｂは、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の第３電極２１３に導通している。
　２つの第２ワイヤ４２のうち一方の第２ワイヤ４２は、図３に示すように、２つの第１半導体素子２１Ａのうち第１検出端子１５Ａから最も近くに位置する第１半導体素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかと、第１検出端子１５Ａの被覆部１５２とに導電接合されている。２つの第２ワイヤ４２のうち他方の第２ワイヤ４２は、図３に示すように、２つの第２半導体素子２１Ｂのうち第２検出端子１５Ｂから最も近くに位置する第２半導体素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかと、第２検出端子１５Ｂの被覆部１５２とに導電接合されている。
　２つの第２中継ワイヤ４４のうち一方の第２中継ワイヤ４４は、図３に示すように、一方の第１半導体素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかと、他方の第１半導体素子２１Ａの２つの第４電極２１４のいずれかとに導電接合されている。２つの第２中継ワイヤ４４のうち一方の第２中継ワイヤ４４は、図３に示すように、一方の第２半導体素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかと、他方の第２半導体素子２１Ｂの２つの第４電極２１４のいずれかとに導電接合されている。２つの第２ワイヤ４２、および２つの第２中継ワイヤ４４により、第１検出端子１５Ａは、２つの第１半導体素子２１Ａの各々の２つの第４電極２１４に導通している。あわせて第２検出端子１５Ｂは、２つの第２半導体素子２１Ｂの各々の２つの第４電極２１４に導通している。
　複数の凸体６０は、図７～図９に示すように、封止樹脂５０の第１面５２から第１方向ｚに突出している。複数の凸体６０は、第１方向ｚにおいて２つの基材１０を基準として複数の半導体素子２１とは反対側に位置する。半導体装置Ａ１０においては、複数の凸体６０は、各々が第３方向ｙに配列された２つの群を構成する。当該２つの群は、第２方向ｘにおいて２つの基材１０を基準として互いに反対側に位置する。複数の凸体６０の各々は、封止樹脂５０と一体である。複数の凸体６０は、封止樹脂５０と同一の材料からなる。したがって、複数の凸体６０の組成は、封止樹脂５０の組成と同一である。
　図７～図９に示すように、複数の凸体６０の各々は、第３面６２１および周面６２２を有する。第３面６２１は、第１方向ｚにおいて封止樹脂５０の第１面５２と同じ側を向く。第１方向ｚにおいて、第３面６２１は、第１面５２に対して２つの基材１０の各々の第２面１０２よりも遠くに位置する。図４に示すように、周面６２２は、第１方向ｚに視て第３面６２１を囲んでいる。半導体装置Ａ１０においては、周面６２２の面内方向は、第１方向ｚを含む。
　図４、図７および図８に示すように、複数の凸体６０の各々は、第１部６１および第２部６２を有する。第１部６１は、封止樹脂５０の第１面５２から突出している。半導体装置Ａ１０においては、複数の凸体６０のうち第３方向ｙにおいて隣り合う２つの凸体６０の各々の第１部６１は、互いにつながっている。この他、第３方向ｙにおいて隣り合う２つの凸体６０の各々の第１部６１は、互いに離れていてもよい。第１部６１は、第１方向ｚにおいて第１面５２と同じ側を向く第４面６１１を含む。第１方向ｚにおいて、２つの基材１０の各々の第２面１０２は、第４面６１１よりも第１面５２の近くに位置する。
　図７および図８に示すように、第２部６２は、第１方向ｚにおいて第１部６１を基準として封止樹脂５０とは反対側に位置する。第２部６２は、第１部６１の第４面６１１から突出している。第２部６２は、第３面６２１および周面６２２を含む。図４に示すように、第１方向ｚに視て、第２部６２は、第１部６１の周縁６１２よりも内方に位置する。図１４に示すように、第２部６２の第１方向ｚの寸法Ｌ２は、第１部６１の第１方向ｚの寸法Ｌ１よりも大きい。
　次に、図１５に基づき、本開示の第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１について説明する。ここで、図１５の断面位置は、図１４の断面位置に対応している。
　半導体装置Ａ１１においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。図１５に示すように、複数の凸体６０の各々の周面６２２は、第１方向ｚに対して傾斜している。複数の凸体６０の各々の第１方向ｚに対して直交する断面の大きさは、封止樹脂５０の第１面５２から対応する複数の凸体６０のいずれかの第３面６２１にかけて縮小している。
　次に、図１６に基づき、本開示の第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２について説明する。ここで、図１６の断面位置は、図１４の断面位置に対応している。
　半導体装置Ａ１２においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。図１６に示すように、複数の凸体６０の各々の第３面６２１は、第１方向ｚにおいて封止樹脂５０の頂面５１が向く側に凸状である。これにより、第３面６２１の少なくとも一部の領域は、曲面である。
　次に、図１７に基づき、半導体装置Ａ１０が搭載された車両Ｃについて説明する。車両Ｃは、たとえば電気自動車（ＥＶ）である。
　図１７に示すように、車両Ｃは、車載充電器９１、蓄電池９２および駆動系統９３を備える。車載充電器９１には、屋外に設置された給電施設（図示略）から無線により電力が供給される。この他、給電施設から車載充電器９１への電力の供給手段は、有線でもよい。車載充電器９１には、昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータが構成されている。半導体装置Ａ１０は、当該コンバータの回路に含まれる。車載充電器９１に供給された電力の電圧は、当該コンバータにより昇圧された後、蓄電池９２に給電される。昇圧された電圧は、たとえば６００Ｖである。
　駆動系統９３は、車両Ｃを駆動する。駆動系統９３は、インバータ９３１および駆動源９３２を有する。蓄電池９２に蓄えられた電力は、インバータ９３１に給電される。蓄電池９２からインバータ９３１に給電される電力は、直流電力である。この他、図１７に示す電力系統とは異なり、蓄電池９２とインバータ９３１との間に昇圧型のＤＣ－ＤＣコンバータをさらに設けてもよい。インバータ９３１は、直流電力を交流電力に変換する。インバータ９３１は、駆動源９３２に導通している。駆動源９３２は、交流モータおよび変速機を有する。インバータ９３１によって変換された交流電力が駆動源９３２に供給されると、交流モータが回転するとともに、その回転が変速機に伝達される。変速機は、交流モータから伝達された回転数を適宜減じた上で、車両Ｃの駆動軸を回転させる。これにより、車両Ｃが駆動する。
　次に、図１８に基づき、半導体装置Ａ１０を具備する半導体モジュールＢ１０について説明する。半導体モジュールＢ１０は、半導体装置Ａ１０、放熱部材７０および絶縁材８０を備える。ここで、図１８の断面位置は、図７の断面位置に対応している。
　放熱部材７０は、半導体装置Ａ１０の冷却に供される。放熱部材７０は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）を含む材料からなる。図１８に示すように、放熱部材７０は、主面７１を有する。主面７１は、封止樹脂５０に対向している。主面７１は、複数の凸体６０の各々の第１部６１の第４面６１１に接している。
　図１８に示すように、放熱部材７０には、主面７１から凹む複数の係合部７２が設けられている。複数の凸体６０の各々の第２部６２は、複数の係合部７２に個別に嵌め込まれている。第２部６２の第３面６２１および周面６２２の各々は、放熱部材７０に接している。
　絶縁材８０は、図１８に示すように、放熱部材７０の主面７１と、２つの基材１０の各々の第２面１０２との間に位置する。絶縁材８０は、たとえば、樹脂およびセラミックスの少なくともいずれかを含む絶縁体材料からなる。当該絶縁材料は、熱伝導率が比較的高いことが好ましい。半導体モジュールＢ１０が絶縁材８０を具備することにより、放熱部材７０と、２つの基材１０の各々とが互いに電気絶縁されている。第１方向ｚに対して直交する方向において、絶縁材８０は、複数の凸体６０の各々の第１部６１に隣接している。絶縁材８０は、主面７１と、２つの基材１０の各々の第２面１０２とに接している。
　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ１０は、基材１０、半導体素子２１、封止樹脂５０および凸体６０を備える。基材１０の少なくとも一部は、導体である。半導体素子２１は、基材１０の第１方向ｚの一方側に接合されている。凸体６０は、封止樹脂５０から第１方向ｚに突出している。凸体６０は、第１方向ｚにおいて基材１０を基準として半導体素子２１とは反対側に位置する。本構成をとることにより、図１８に示すように、半導体装置Ａ１０を放熱部材７０に取り付ける際、放熱部材７０に設けられた係合部７２に凸体６０を嵌め込むことにより取り付けが完了する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ１０においては、放熱部材７０への取り付けをより容易とすることが可能となる。
　基材１０の第２面１０２は、封止樹脂５０の第１面５２から露出している。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の放熱性を、より向上させることができる。
　凸体６０は、第１方向ｚにおいて封止樹脂５０の第１面５２と同じ側を向く第３面６２１を有する。第１方向ｚにおいて、第３面６２１は、第１面５２に対して基材１０の第２面１０２よりも遠くに位置する。本構成をとることにより、第２面１０２が第１面５２から露出する構成であっても、凸体６０を放熱部材７０の係合部７２に確実に嵌め込むことができる。
　凸体６０は、封止樹脂５０と一体である。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の製造にかかる部品点数を削減できる。
　凸体６０は、封止樹脂５０の第１面５２から突出する第１部６１と、第３面６２１を含むとともに、第１方向ｚにおいて第１部６１を基準として封止樹脂５０とは反対側に位置する第２部６２を有する。第１方向ｚに視て、第２部６２は、第１部６１の周縁６１２よりも内方に位置する。本構成をとることにより、図１８に示すように半導体装置Ａ１０を放熱部材７０に取り付ける際、放熱部材７０の主面７１と基材１０の第２面１０２との間に絶縁材８０を配置する空間を設けることができる。さらに、絶縁材８０が第１方向ｚに対して直交する方向に絶縁材８０がずれようとする場合、第１部６１は、絶縁材８０のずれの規制手段となる。
　第１基材１０Ａには、搭載面１０１から凹む第１座部１０３が設けられている。第２導通部材３２の一部は、第１座部１０３に収容されている。本構成をとることにより、第２半導体素子２１Ｂおよび第１基材１０Ａに第２導通部材３２を導電接合する際、第２導通部材３２の第１方向ｚの回りの回転が第１座部１０３により規制される。これにより、第２半導体素子２１Ｂに対する第２導通部材３２の位置ずれを抑制できる。
　第３電力端子１３には、第１方向ｚにおいて第１導通部材３１の第１中間部３１３が位置する側から第１方向ｚに凹む第２座部１３３が設けられている。第１導通部材３１の第２接合部３１２の一部は、第２座部１３３に収容されている。本構成をとることにより、第１半導体素子２１Ａおよび第３電力端子１３に第１導通部材３１を導電接合する際、第１導通部材３１の第１方向ｚの回りの回転が第２座部１３３により規制される。これにより、第１半導体素子２１Ａに対する第１導通部材３１の位置ずれを抑制できる。
　第１電力端子１１は、第１基材１０Ａにつながっている。第２電力端子１２は、第２基材１０Ｂにつながっている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０の寸法拡大を抑 えつつ、２つの基材１０を半導体装置Ａ１０の導電経路として活用できる。
　封止樹脂５０は、第１側面５３から第３方向ｙに凹む複数の陥入部５６を有する。本構成をとることにより、第３電力端子１３、第１電力端子１１および第２電力端子１２のうち隣り合う２つのリードの間における封止樹脂５０の沿面距離がより長く確保される。これにより、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
　封止樹脂５０は、第１面５２から凹むとともに、第１方向ｚに視て２つの基材１０の各々の第２面１０２を分断する溝部５７を有する。本構成をとることにより、２つの基材１０の間における封止樹脂５０の沿面距離がより長く確保される。これにより、半導体装置Ａ１０の絶縁耐圧のさらなる向上を図ることができる。さらに、封止樹脂５０の第２方向ｘの熱ひずみが分散される。これにより、封止樹脂５０の第２方向ｘにおける過度な熱膨張を抑制できる。
　第２実施形態：
　図１９～図２１に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。本図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　半導体装置Ａ２０においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図１９に示すように、複数の凸体６０の各々は、基部６３および第１突起６４を有する。基部６３は、第３面６２１および周面６２２を含む。第１突起６４は、基部６３の第２方向ｘの一方側に位置する周面６２２の領域から第２方向ｘに突出している。基部６３および第１突起６４は、複数の凸体６０の各々の第２部６２の要素に含まれる。
　図２０および図２１に示すように、第１方向ｚに視て、第３方向ｙにおける第１突起６４の寸法は、基部６３と第１突起６４との第１境界６３１の寸法以下である。第１方向ｚに視て、第１突起６４は、第３方向ｙにおいて互いに離れた２つの第１端縁６４１を含む。２つの第１端縁６４１の各々は、第２方向ｘに対して傾斜している。２つの第１端縁６４１の各々は、第２方向ｘにおいて第１境界６３１から離れるほど、互いに近づく向きに傾斜している。
　図１９に示すように、複数の凸体６０は、第１凸体６０Ａ、第２凸体６０Ｂ、第３凸体６０Ｃおよび第４凸体６０Ｄを含む。第１凸体６０Ａおよび第２凸体６０Ｂは、第３方向ｙにおいて互いに離れている。第３凸体６０Ｃおよび第４凸体６０Ｄは、第３方向ｙにおいて互いに離れている。第３凸体６０Ｃは、第２方向ｘにおいて２つの基材１０を基準として第１凸体６０Ａとは反対側に位置する。第４凸体６０Ｄは、第２方向ｘにおいて２つの基材１０を基準として第２凸体６０Ｂとは反対側に位置する。
　図１９および図２０に示すように、第１凸体６０Ａは、基部６３に対応する第１基部６３Ａと、第１突起６４に対応する第１凸部６４Ａとを有する。第１凸部６４Ａは、第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準として２つの基材１０に対向する側に位置する。図１９および図２１に示すように、第２凸体６０Ｂは、基部６３に対応する第２基部６３Ｂと、第１突起６４に対応する第２凸部６４Ｂとを有する。第２凸部６４Ｂは、第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準として２つの基材１０に対向する側とは反対側に位置する。したがって、第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準とした第１凸部６４Ａの位置と、第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準とした第２凸部６４Ｂの位置とは、互いに逆である。
　図１９に示すように、第３凸体６０Ｃは、基部６３に対応する第３基部６３Ｃと、第１突起６４に対応する第３凸部６４Ｃとを有する。第３凸部６４Ｃは、第２方向ｘにおいて第３基部６３Ｃを基準として２つの基材１０に対向する側とは反対側に位置する。図１９に示すように、第４凸体６０Ｄは、基部６３に対応する第４基部６３Ｄと、第１突起６４に対応する第４凸部６４Ｄとを有する。第４凸部６４Ｄは、第２方向ｘにおいて第４基部６３Ｄを基準として２つの基材１０に対向する側に位置する。したがって、第２方向ｘにおいて第３基部６３Ｃを基準とした第３凸部６４Ｃの位置と、第２方向ｘにおいて第４基部６３Ｄを基準とした第４凸部６４Ｄの位置とは、互いに逆である。
　半導体装置Ａ２０においては、図１９に示すように、第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準とした第１凸部６４Ａの位置と、第２方向ｘにおいて第３基部６３Ｃを基準とした第３凸部６４Ｃの位置とは、互いに等しい。第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準とした第２凸部６４Ｂの位置と、第２方向ｘにおいて第４基部６３Ｄを基準とした第４凸部６４Ｄの位置とは、互いに等しい。
　次に、図２２に基づき、本開示の第２実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ２１について説明する。ここで、図２２は、図２０に対応している。
　半導体装置Ａ２１においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。図２２に示すように、第１方向ｚに視て、複数の凸体６０の各々の第１突起６４の２つの第１端縁６４１は、凸状の円弧である。
　次に、図２３に基づき、本開示の第２実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ２２について説明する。ここで、図２３の断面位置は、半導体装置Ａ１０を示す図１４の断面位置に対応している。
　半導体装置Ａ２２においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。図２３に示すように、複数の凸体６０の各々の基部６３の周面６２２は、第１方向ｚに対して傾斜している。基部６３の第１方向ｚに対して直交する断面の大きさは、対応する複数の凸体６０のいずれかの第１部６１の第４面６１１から第３面６２１にかけて縮小している。
　次に、図２４に基づき、本開示の第２実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ２３について説明する。
　半導体装置Ａ２３においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。図２４に示すように、第１凸部６４Ａは、第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準として２つの基材１０に対向する側に位置する。第３凸部６４Ｃは、第２方向ｘにおいて第３基部６３Ｃを基準として２つの基材１０に対向する側に位置する。したがって、第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準とした第１凸部６４Ａの位置と、第２方向ｘにおいて第３基部６３Ｃを基準とした第３凸部６４Ｃの位置とは、互いに逆である。
　図２４に示すように、第２凸部６４Ｂは、第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準として２つの基材１０に対向する側とは反対側に位置する。第４凸部６４Ｄは、第２方向ｘにおいて第４基部６３Ｄを基準として２つの基材１０に対向する側とは反対側に位置する。したがって、第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準とした第２凸部６４Ｂの位置と、第２方向ｘにおいて第４基部６３Ｄを基準とした第４凸部６４Ｄの位置とは、互いに逆である。
　次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ２０は、基材１０、半導体素子２１、封止樹脂５０および凸体６０を備える。基材１０の少なくとも一部は、導体である。半導体素子２１は、基材１０の第１方向ｚの一方側に接合されている。凸体６０は、封止樹脂５０から第１方向ｚに突出している。凸体６０は、第１方向ｚにおいて基材１０を基準として半導体素子２１とは反対側に位置する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ２０においても、放熱部材７０への取り付けをより容易とすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ２０においては、凸体６０は、基部６３および第１突起６４を有する。第１突起６４は、基部６３の第２方向ｘの一方側から第２方向ｘに突出している。第１方向ｚに視て、第３方向ｙにおける第１突起６４の寸法は、基部６３と第１突起６４との第１境界６３１の寸法以下である。ここで、半導体装置Ａ２０においては、封止樹脂５０の第２方向ｘの寸法は、封止樹脂５０の第３方向ｙの寸法よりも大きい。このため、半導体素子２１から発した熱に起因した封止樹脂５０の熱膨張・熱収縮は、第３方向ｙよりも第２方向ｘの方がより顕著となる。したがって、本構成をとることにより、半導体装置Ａ２０を放熱部材７０に取り付けた際（図１８参照）、封止樹脂５０の熱膨張および熱収縮のいずれかに伴って、第１突起６４と、係合部７２を規定する放熱部材７０の領域との界面に作用する第２方向ｘの応力がより増加する。これにより、凸体６０が放熱部材７０から抜け出すことを効果的に防止できる。
　凸体６０は、第３方向ｙにおいて互いに離れた第１凸体６０Ａおよび第２凸体６０Ｂを含む。第１凸体６０Ａは、第１基部６３Ａおよび第１凸部６４Ａを有する。第２凸体６０Ｂは、第２基部６３Ｂおよび第２凸部６４Ｂを有する。第２方向ｘにおいて第１基部６３Ａを基準とした第１凸部６４Ａの位置と、第２方向ｘにおいて第２基部６３Ｂを基準とした第２凸部６４Ｂの位置とは、互いに逆である。本構成をとることにより、半導体装置Ａ２０を放熱部材７０に取り付けた際、封止樹脂５０の熱膨張および熱収縮の双方に伴って、第１凸部６４Ａおよび第２凸部６４Ｂのいずれかと、係合部７２を規定する放熱部材７０の領域との界面に作用する第２方向ｘの応力がより増加する。これにより、凸体６０が放熱部材７０から抜け出すことを、より効果的に防止できる。
　第３実施形態：
　図２５および図２６に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。本図において、先述した半導体装置Ａ１０および半導体装置Ａ２０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　半導体装置Ａ３０においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ２０の当該構成と異なる。
　図２５に示すように、複数の凸体６０の各々は、基部６３、第１突起６４および第２突起６５を有する。第２突起６５は、基部６３の周面６２２から第２方向ｘに突出している。第２突起６５は、第２方向ｘにおいて基部６３を基準として第１突起６４とは反対側に位置する。第２突起６５は、複数の凸体６０の各々の第２部６２の要素に含まれる。
　図２６に示すように、第１方向ｚに視て、第３方向ｙにおける第２突起６５の寸法は、基部６３と第２突起６５との第２境界６３２の寸法以下である。第１方向ｚに視て、第２突起６５は、第３方向ｙにおいて互いに離れた２つの第２端縁６５１を含む。２つの第２端縁６５１の各々は、第２方向ｘに対して傾斜している。２つの第２端縁６５１の各々は、第２方向ｘにおいて第２境界６３２から離れるほど、互いに近づく向きに傾斜している。
　次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ３０は、基材１０、半導体素子２１、封止樹脂５０および凸体６０を備える。基材１０の少なくとも一部は、導体である。半導体素子２１は、基材１０の第１方向ｚの一方側に接合されている。凸体６０は、封止樹脂５０から第１方向ｚに突出している。凸体６０は、第１方向ｚにおいて基材１０を基準として半導体素子２１とは反対側に位置する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ３０においても、放熱部材７０への取り付けをより容易とすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ３０においては、凸体６０は、基部６３、第１突起６４および第２突起６５を有する。第２突起６５は、基部６３から第２方向ｘに突出している。第２突起６５は、第２方向ｘにおいて基部６３を基準として第１突起６４とは反対側に位置する。第１方向ｚに視て、第３方向ｙにおける第２突起６５の寸法は、基部６３と第２突起６５との第２境界６３２の寸法以下である。本構成をとることにより、半導体装置Ａ３０を放熱部材７０に取り付けた際（図１８参照）、封止樹脂５０の熱膨張および熱収縮の双方に伴って、第１突起６４および第２突起６５のいずれかと、係合部７２を規定する放熱部材７０の領域との界面に作用する第２方向ｘの応力がより増加する。これにより、凸体６０が放熱部材７０から抜け出すことを、より効果的に防止できる。
　第４実施形態：
　図２７および図２８に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。本図において、先述した半導体装置Ａ１０および半導体モジュールＢ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２８の断面位置は、半導体装置Ａ１０を示す図７の断面位置に対応している。
　半導体装置Ａ４０においては、複数の凸体６０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図２７および図２８に示すように、複数の凸体６０の各々の第２部６２には、第３面６２１から凹む凹部６６が設けられている。
　次に、図２９および図３０に基づき、半導体装置Ａ４０を具備する半導体モジュールＢ２０について説明する。半導体モジュールＢ２０は、半導体装置Ａ１０、放熱部材７０および絶縁材８０を備える。ここで、図２９の断面位置は、図２８の断面位置に対応している。
　図３０に示すように、放熱部材７０は、複数の係合部７２のいずれかを規定するとともに、第１方向ｚにおいて主面７１と同じ側を向く底面７２１を有する。放熱部材７０には、底面７２１から突出する凸部７３が設けられている。凸部７３は、複数の係合部７２のいずれかに収容されている。凸部７３は、複数の係合部７２のいずれかに嵌め込まれた複数の凸体６０のいずれかの凹部６６に嵌め込まれている。
　次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ４０は、基材１０、半導体素子２１、封止樹脂５０および凸体６０を備える。基材１０の少なくとも一部は、導体である。半導体素子２１は、基材１０の第１方向ｚの一方側に接合されている。凸体６０は、封止樹脂５０から第１方向ｚに突出している。凸体６０は、第１方向ｚにおいて基材１０を基準として半導体素子２１とは反対側に位置する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ４０においても、放熱部材７０への取り付けをより容易とすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　半導体装置Ａ４０においては、凸体６０には、第３面６２１から凹む凹部６６が設けられている。本構成をとることにより、半導体装置Ａ４０を放熱部材７０に取り付けた際（図２９参照）、図３０に示す放熱部材７０に設けられた凸部７３が凹部６６に嵌め込まれる。これにより、凸体６０が放熱部材７０から抜け出すことを効果的に防止できる。
　第５実施形態：
　図３１～図３３に基づき、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０について説明する。本図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３１は、理解の便宜上、封止樹脂５０を透過している。図３１では、透過した封止樹脂５０を想像線で示している。
　半導体装置Ａ５０においては、基材１０の構成が半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
　図３１～図３３に示すように、基材１０は、絶縁層１０４、２つの導電層１０５、放熱層１０６を有する。２つの導電層１０５は、第１基材１０Ａおよび第２基材１０Ｂに個別に対応している。絶縁層１０４は、第１方向ｚにおいて２つの導電層１０５と、放熱層１０６との間に位置する。絶縁層１０４、および２つの導電層１０５の各々は、封止樹脂５０に覆われている。絶縁層１０４は、熱伝導率が比較的高い材料からなる。絶縁層１０４は、たとえば、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のいずれかを含むセラミックスからなる。この他、絶縁層１０４は、樹脂を含む材料からなる場合でもよい。２つの導電層１０５は、銅を含む。
　図３２および図３３に示すように、放熱層１０６は、第２面１０２を含む。放熱層１０６は、銅を含む。第１方向ｚに視て、放熱層１０６は、絶縁層１０４の周縁１０４Ａよりも内方に位置する。第１方向ｚに視て、複数の凸体６０の各々は、絶縁層１０４に重なっている。半導体装置Ａ５０においては、封止樹脂５０には、溝部５７が設けられていない。
　次に、半導体装置Ａ５０の作用効果について説明する。
　半導体装置Ａ５０は、基材１０、半導体素子２１、封止樹脂５０および凸体６０を備える。基材１０の少なくとも一部は、導体である。半導体素子２１は、基材１０の第１方向ｚの一方側に接合されている。凸体６０は、封止樹脂５０から第１方向ｚに突出している。凸体６０は、第１方向ｚにおいて基材１０を基準として半導体素子２１とは反対側に位置する。したがって、本構成によれば、半導体装置Ａ５０においても、放熱部材７０への取り付けをより容易とすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ５０においては、半導体装置Ａ１０と共通する構成を具備することにより、半導体装置Ａ１０と同等の作用効果を奏する。
　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
　付記１．
　少なくとも一部が導体である基材と、
　前記基材の第１方向の一方側に接合された半導体素子と、
　前記基材の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
　前記封止樹脂から前記第１方向に突出する凸体と、を備え、
　前記凸体は、前記第１方向において前記基材を基準として前記半導体素子とは反対側に位置する、半導体装置。
　付記２．
　前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１面を有し、
　前記凸体は、前記第１面から突出しており、
　前記基材は、前記第１面から露出している、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記基材は、前記第１面から露出する第２面を有し、
　前記凸体は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第３面を有し、
　前記第１方向において、前記第３面は、前記第１面に対して前記第２面よりも遠くに位置する、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記凸体は、前記封止樹脂と一体である、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記凸体は、前記第１面から突出する第１部と、前記第３面を含むとともに、前記第１方向において前記第１部を基準として前記封止樹脂とは反対側に位置する第２部と、を有し、
　前記第１方向に視て、前記第２部は、前記第１部の周縁よりも内方に位置する、付記４に記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第１部は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第４面を含み、
　前記第１方向において、前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面の近くに位置する、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第２部の前記第１方向の寸法は、前記第１部の前記第１方向の寸法よりも大きい、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記凸体は、前記第３面を含む基部と、前記基部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側から前記第２方向に突出する第１突起と、を有し、
　前記第１方向に視て、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１突起の寸法は、前記基部と前記第１突起との第１境界の寸法以下である、付記４に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記第３方向において互いに離れた２つの端縁を含み、
　前記２つの端縁の各々は、前記第２方向に対して傾斜している、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記２つの端縁の各々は、前記第２方向において前記第１境界から離れるほど互いに近づく向きに傾斜している、付記９に記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記凸体は、前記第３方向において互いに離れた第１凸体および第２凸体を含み、
　前記第１凸体は、前記基部に対応する第１基部と、前記第１突起に対応する第１凸部と 、を有し、
　前記第２凸体は、前記基部に対応する第２基部と、前記第１突起に対応する第２凸部と、を有し、
　前記第２方向において前記第１基部を基準とした前記第１凸部の位置と、前記第２方向において前記第２基部を基準とした前記第２凸部の位置と、は互いに逆である、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記凸体は、前記基部から前記第２方向に突出する第２突起を有し、
　前記第２突起は、前記第２方向において前記基部を基準として前記第１突起とは反対側に位置しており、
　前記第１方向に視て、前記第２突起の前記第３方向の寸法は、前記基部と前記第２突起との第２境界の寸法以下である、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記凸体は、前記第１方向に視て前記第３面を囲む周面を有し、
　前記周面は、前記第１方向に対して傾斜している、付記４に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記凸体の前記第１方向に対して直交する断面の大きさは、前記第１面から前記第３面にかけて縮小している、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記基材の全体は、金属からなり、
　前記半導体素子は、前記基材に導電接合されている、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記基材につながる電力端子をさらに備え、
　前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する方向を向く第１側面を有し、
　前記電力端子は、前記第１側面から突出している、付記１５に記載の半導体装置。
　付記１７．
　前記半導体素子に導通する信号端子をさらに備え、
　前記信号端子は、前記第１側面から突出している、付記１６に記載の半導体装置。
　付記１８．
　放熱部材と、
　付記６または７に記載の半導体装置と、を備え、
　前記放熱部材は、前記封止樹脂に対向する主面を有し、
　前記放熱部材には、前記主面から凹む係合部が設けられており、
　前記凸体は、前記係合部に嵌め込まれている、半導体モジュール。
　付記１９．
　前記主面と前記第２面との間に位置する絶縁材をさらに備え、
　前記第１方向に対して直交する方向において、前記絶縁材は、前記第１部に隣接している、付記１８に記載の半導体モジュール。
　付記２０．
　駆動系統と、
　前記駆動系統に給電する蓄電池と、
　前記蓄電池に給電する車載充電器と、
　付記１７に記載の半導体装置と、を備え、
　前記半導体装置は、前記車載充電器を構成する回路に含まれる、車両。
　付記２１．
　前記凸体の組成は、前記封止樹脂の組成と同一である、付記４に記載の半導体装置。
　付記２２．
　前記封止樹脂の第２方向における寸法は、前記封止樹脂の第３方向における寸法よりも大きい、付記８ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
　付記２３．
　前記基材は、前記第２方向において互いに離れた第１基材および第２基材を含む、付記２２に記載の半導体装置。
　付記２４．
　前記半導体素子は、前記第１基材に導電接合された第１半導体素子と、前記第２基材に導電接合された第２半導体素子とを含む、付記２３に記載の半導体装置。
　付記２５．
　第１電力端子、第２電力端子および第３電力端子をさらに備え、
　前記第１電力端子は、前記第１基材につながっており、
　前記第２電力端子は、前記第２基材につながっており、
　前記第３電力端子は、前記第１半導体素子に導通している、付記２４に記載の半導体装置。
　付記２６．
　前記基材は、前記第１基材および前記第２基材に個別に対応する２つの導電層と、前記２つの導電層を基準として前記第１半導体素子および前記第２半導体素子とは反対側に位置する絶縁層と、前記絶縁層を基準として前記２つの導電層とは反対側に位置する放熱層と、を有し、
　前記放熱層は、前記第２面を含む、付記２４に記載の半導体装置。
　付記２７．
　前記第１方向に視て、前記放熱層は、前記絶縁層の周縁よりも内方に位置する、付記２６に記載の半導体装置。
　付記２８．
　前記第１方向に視て、前記凸体は、前記絶縁層に重なる、付記２７に記載の半導体装置。
　付記２９．
　前記凸体は、前記第３面を含む基部と、前記基部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側から前記第２方向に突出する第１突起と、を有し、
　前記基部および前記第１突起は、前記第２部の要素に含まれており、
　前記第１方向に視て、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１突起の寸法は、前記基部と前記第１突起との第１境界の寸法以下である、付記５ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記３０．
　前記第３面は、前記第１方向において前記第１面が向く側に凸状である、付記４に記載の半導体装置。
　付記３１．
　前記凸体には、前記第３面から凹む凹部が設けられている、付記６または７に記載の半導体装置。
　付記３２．
　前記第４面は、前記主面に接している、付記１９に記載の半導体モジュール。
　付記３３．
　前記絶縁材は、前記主面および前記第２面の各々に接している、付記３２に記載の半導体モジュール。
　付記３４．
　放熱部材と、
　付記３１に記載の半導体装置と、を備え、
　前記放熱部材は、前記封止樹脂に対向する主面を有し、
　前記放熱部材には、前記主面から凹む係合部と、前記係合部を規定する底面から突出する凸部と、が設けられており、
　前記凸体は、前記係合部に嵌め込まれおり、
　前記凸部は、前記凹部に嵌め込まれている、半導体モジュール。
Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０：半導体装置
Ｂ１０，Ｂ２０：半導体モジュール　　　Ｃ：車両
１０：基材　　　１０Ａ：第１基材
１０Ｂ：第２基材　　　１０１：主面
１０２：裏面　　　１０３：第１座部
１０４：絶縁層　　　１０４Ａ：周縁
１０５：導電層　　　１０６：放熱層
１１：第１電力端　　　１１１：実装部
１１２：被覆部　　　１２：第２電力端子
１２１：実装部　　　１２２：被覆部
１３：第３電力端子　　　１３１：実装部
１３２：被覆部　　　１３３：第２座部
１４：第１信号端子　　　１４Ａ：第１ゲート端子
１４Ｂ：第２ゲート端子　　　１４１：実装部
１４２：被覆部　　　１５：第２信号端子
１５Ａ：第１検出端子　　　１５Ｂ：第２検出端子
１５１：実装部　　　１５２：被覆部
２１：半導体素子　　　２１Ａ：第１半導体素子
２１Ｂ：第２半導体素子　　　２１１：第１電極
２１２：第２電極　　　２１３：ゲート電極
２１４：検出電極　　　２９：第１接合層
３１：第１導通部材　　　３１１：第１接合部
３１２：第２接合部　　　３１３：第１中間部
３２：第２導通部材　　　３２１：第３接合部
３２２：第４接合部　　　３２３：第２中間部
３３：第２接合層　　　３４：第３接合層
３５：第４接合層　　　３６：第５接合層
４１：第１ワイヤ　　　４２：第２ワイヤ
４３：第１中継ワイヤ　　　４４：第２中継ワイヤ
５０：封止樹脂　　　５１：頂面
５２：第１面　　　５３：第１側面
５４：第２側面　　　５５：第３側面
５６：陥入部　　　５７：溝部
６０：凸体　　　６０Ａ～６０Ｄ：第１凸体～第４凸体
６１：第１部　　　６１１：第４面
６１２：周縁　　　６２：第２部
６２１：第３面　　　６２２：周面
６３：基部　　　６３Ａ～６３Ｄ：第１基部～第４基部
６３１：第１境界　　　６３２：第２境界
６４：第１突起　　　６４Ａ～６４Ｄ：第１凸部～第４凸部
６４１：第１端縁　　　６５：第２突起
６５１：第２端縁　　　６６：凹部
７０：放熱部材　　　７１：主面
７２：係合部　　　７２１：底面
７３：凸部　　　８０：絶縁材
９１：車載充電器　　　９２：蓄電池
９３：駆動系統　　　９３１：インバータ
９３２：駆動源　　　ｚ：第１方向
ｘ：第２方向　　　ｙ：第３方向

Claims (20)

  1. 　少なくとも一部が導体である基材と、
    　前記基材の第１方向の一方側に接合された半導体素子と、
    　前記基材の少なくとも一部、および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
    　前記封止樹脂から前記第１方向に突出する凸体と、を備え、
    　前記凸体は、前記第１方向において前記基材を基準として前記半導体素子とは反対側に位置する、半導体装置。
  2. 　前記封止樹脂は、前記第１方向を向く第１面を有し、
    　前記凸体は、前記第１面から突出しており、
    　前記基材は、前記第１面から露出している、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記基材は、前記第１面から露出する第２面を有し、
    　前記凸体は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第３面を有し、
    　前記第１方向において、前記第３面は、前記第１面に対して前記第２面よりも遠くに位置する、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記凸体は、前記封止樹脂と一体である、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記凸体は、前記第１面から突出する第１部と、前記第３面を含むとともに、前記第１方向において前記第１部を基準として前記封止樹脂とは反対側に位置する第２部と、を有し、
    　前記第１方向に視て、前記第２部は、前記第１部の周縁よりも内方に位置する、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１部は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向く第４面を含み、
    　前記第１方向において、前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面の近くに位置する、請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第２部の前記第１方向の寸法は、前記第１部の前記第１方向の寸法よりも大きい、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記凸体は、前記第３面を含む基部と、前記基部の前記第１方向に対して直交する第２方向の一方側から前記第２方向に突出する第１突起と、を有し、
    　前記第１方向に視て、前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向における前記第１突起の寸法は、前記基部と前記第１突起との第１境界の寸法以下である、請求項４に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１方向に視て、前記第１突起は、前記第３方向において互いに離れた２つの端縁を含み、
    　前記２つの端縁の各々は、前記第２方向に対して傾斜している、請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　前記２つの端縁の各々は、前記第２方向において前記第１境界から離れるほど互いに近づく向きに傾斜している、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記凸体は、前記第３方向において互いに離れた第１凸体および第２凸体を含み、
    　前記第１凸体は、前記基部に対応する第１基部と、前記第１突起に対応する第１凸部と、を有し、
    　前記第２凸体は、前記基部に対応する第２基部と、前記第１突起に対応する第２凸部と、を有し、
    　前記第２方向において前記第１基部を基準とした前記第１凸部の位置と、前記第２方向において前記第２基部を基準とした前記第２凸部の位置と、は互いに逆である、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記凸体は、前記基部から前記第２方向に突出する第２突起を有し、
    　前記第２突起は、前記第２方向において前記基部を基準として前記第１突起とは反対側に位置しており、
    　前記第１方向に視て、前記第２突起の前記第３方向の寸法は、前記基部と前記第２突起との第２境界の寸法以下である、請求項１０に記載の半導体装置。
  13. 　前記凸体は、前記第１方向に視て前記第３面を囲む周面を有し、
    　前記周面は、前記第１方向に対して傾斜している、請求項４に記載の半導体装置。
  14. 　前記凸体の前記第１方向に対して直交する断面の大きさは、前記第１面から前記第３面にかけて縮小している、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　前記基材の全体は、金属からなり、
    　前記半導体素子は、前記基材に導電接合されている、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記基材につながる電力端子をさらに備え、
    　前記封止樹脂は、前記第１方向に対して直交する方向を向く第１側面を有し、
    　前記電力端子は、前記第１側面から突出している、請求項１５に記載の半導体装置。
  17. 　前記半導体素子に導通する信号端子をさらに備え、
    　前記信号端子は、前記第１側面から突出している、請求項１６に記載の半導体装置。
  18. 　放熱部材と、
    　請求項６または７に記載の半導体装置と、を備え、
    　前記放熱部材は、前記封止樹脂に対向する主面を有し、
    　前記放熱部材には、前記主面から凹む係合部が設けられており、
    　前記凸体は、前記係合部に嵌め込まれている、半導体モジュール。
  19. 　前記主面と前記第２面との間に位置する絶縁材をさらに備え、
    　前記第１方向に対して直交する方向において、前記絶縁材は、前記第１部に隣接している、請求項１８に記載の半導体モジュール。
  20. 　駆動系統と、
    　前記駆動系統に給電する蓄電池と、
    　前記蓄電池に給電する車載充電器と、
    　請求項１７に記載の半導体装置と、を備え、
    　前記半導体装置は、前記車載充電器を構成する回路に含まれる、車両。
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WO2017175612A1 (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 三菱電機株式会社 パワーモジュール、パワー半導体装置及びパワーモジュール製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118067A (ja) * 2006-11-08 2008-05-22 Hitachi Ltd パワーモジュール及びモータ一体型コントロール装置
WO2017175612A1 (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 三菱電機株式会社 パワーモジュール、パワー半導体装置及びパワーモジュール製造方法

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