WO2024252845A1 - 半導体装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置、および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2024252845A1
WO2024252845A1 PCT/JP2024/017398 JP2024017398W WO2024252845A1 WO 2024252845 A1 WO2024252845 A1 WO 2024252845A1 JP 2024017398 W JP2024017398 W JP 2024017398W WO 2024252845 A1 WO2024252845 A1 WO 2024252845A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
thickness direction
back surface
conductive member
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2024/017398
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健生 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2025526000A priority Critical patent/JPWO2024252845A1/ja
Publication of WO2024252845A1 publication Critical patent/WO2024252845A1/ja
Priority to US19/404,938 priority patent/US20260101798A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/417—Bonding materials between chips and die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/076—Connecting or disconnecting of strap connectors
    • H10W72/07631—Techniques
    • H10W72/07636—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
    • H10W72/621—Structures or relative sizes of strap connectors
    • H10W72/627—Multiple strap connectors having different structures or shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
    • H10W72/631—Shapes of strap connectors
    • H10W72/634—Cross-sectional shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
    • H10W72/631—Shapes of strap connectors
    • H10W72/637—Multiple strap connectors having different shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/886—Die-attach connectors and strap connectors

Definitions

  • This disclosure relates to a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in this document includes multiple leads and a semiconductor element.
  • a source electrode (first electrode) and a gate electrode (second electrode) are formed on the main surface of the semiconductor element. Pad portions of the leads are bonded to the source electrode and the gate electrode via bonding material, respectively.
  • the area of the gate electrode is smaller than the area of the source electrode, and the bonding area of the lead bonded to the gate electrode is smaller than the bonding area of the lead bonded to the source electrode.
  • the distance between each electrode and the bonding surface of the lead bonded to it may have a dimensional error. If the distance between the gate electrode, which has a relatively small area, and the bonding surface of the lead bonded to the gate electrode becomes larger than the set dimension, there is a concern that defects such as poor bonding may occur at the bonding portion between the gate electrode and the lead.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is an improvement over conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is suitable for improving the bonding reliability between an electrode on a semiconductor element and a conductive member bonded to the electrode.
  • the semiconductor device provided by the first aspect of the present disclosure includes a semiconductor element having a first electrode and a second electrode arranged on one side in the thickness direction, a first conductive member located on one side in the thickness direction with respect to the first electrode and having a first back surface facing the other side in the thickness direction, a second conductive member located on one side in the thickness direction with respect to the second electrode and having a second back surface facing the other side in the thickness direction, a first conductive bonding material interposed between the first electrode and the first back surface and bonded to the first electrode and the first conductive member, and a second conductive bonding material interposed between the second electrode and the second back surface and bonded to the second electrode and the second conductive member.
  • the area of the second back surface is smaller than the area of the first back surface.
  • a second distance between the second electrode and the second back surface in the thickness direction is smaller than a first distance between the first electrode and the first back surface in the thickness direction.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of: arranging a first bonding layer and a second bonding layer on a first electrode and a second electrode of a semiconductor element having a first electrode and a second electrode arranged on one side in a thickness direction; arranging a metal clip member having a first conductive portion and a second conductive portion connected to each other on one side in the thickness direction of the semiconductor element; and heating, melting, and solidifying the first bonding layer and the second bonding layer while pressing the metal clip member against the other side in the thickness direction against the semiconductor element.
  • the first conductive portion has a first back surface that overlaps the first bonding layer when viewed in the thickness direction and faces the other side in the thickness direction.
  • the second conductive portion has a second back surface that overlaps the second bonding layer when viewed in the thickness direction and faces the other side in the thickness direction.
  • the second back surface is located on the other side in the thickness direction than the first back surface.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a perspective view of a main part of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a plan view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a plan view showing a main part of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a bottom view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a bottom view of a main portion showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7 is a side view showing the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 12 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 13 is a plan view showing a process in the manufacture of the semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a plan view showing a step subsequent to that shown in FIG.
  • FIG. 15 is a partially enlarged side view of the step shown in FIG.
  • FIG. 16 is a partially enlarged side view showing a step subsequent to that shown in FIG.
  • FIG. 17 is a plan view of a main portion showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in FIG.
  • FIG. 19 is a partially enlarged view of FIG.
  • FIG. 20 is a plan view of a main portion showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • an object A is formed on an object B" and “an object A is formed on an object B” include “an object A is formed directly on an object B” and “an object A is formed on an object B with another object interposed between the object A and the object B” unless otherwise specified.
  • an object A is disposed on an object B” and “an object A is disposed on an object B” include “an object A is disposed directly on an object B” and “an object A is disposed on an object B with another object interposed between the object A and the object B" unless otherwise specified.
  • an object A is located on an object B includes “an object A is located on an object B in contact with an object B” and “an object A is located on an object B with another object interposed between the object A and the object B” unless otherwise specified.
  • an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction includes “an object A overlaps the entire object B” and “an object A overlaps a part of an object B.”
  • a surface A faces in direction B is not limited to the case where the angle of surface A with respect to direction B is 90 degrees, but also includes the case where surface A is tilted with respect to direction B.
  • First embodiment: 1 to 12 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the semiconductor device A1 of this embodiment includes a semiconductor element 1, a first conductive member 2, a second conductive member 3, a third conductive member 4, and a sealing resin 5.
  • the semiconductor device A1 further includes a conductive bonding material 19, a first conductive bonding material 29, and a second conductive bonding material 39.
  • the application of the semiconductor device A1 is not limited in any way, and it is used in electronic devices including a power conversion circuit, such as a DC-DC converter.
  • FIG. 1 is a perspective view of the semiconductor device A1.
  • FIG. 2 is a perspective view of the main part of the semiconductor device A1, omitting the sealing resin 5.
  • FIG. 3 is a plan view of the semiconductor device A1.
  • FIG. 4 is a plan view of the main part of the semiconductor device A1, seen through the sealing resin 5.
  • FIG. 5 is a bottom view of the semiconductor device A1.
  • FIG. 6 is a bottom view of the main part of the semiconductor device A1, seen through the sealing resin 5.
  • FIG. 7 is a side view of the semiconductor device A1.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 4.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. 4.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line X-X in FIG. 4.
  • FIG. 11 is a partial enlarged view of FIG. 8.
  • FIG. 12 is a partial enlarged view of FIG. 9.
  • FIG. 4 is a partial enlarged view. Note that in FIG. 4 and FIG. 6, the sealing resin 5 seen through is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • an example of the thickness direction is the "thickness direction z".
  • the direction perpendicular to the thickness direction z (the up-down direction in Figures 3 and 4) is an example of the first direction and is called the "first direction x".
  • the direction perpendicular to the thickness direction z and the first direction x (the left-right direction in Figures 3 and 4) is an example of the second direction and is called the "second direction y”.
  • the lower side in the figure is an example of "one side of the first direction” and is called the "x1 side of the first direction x”
  • the upper side in the figure is an example of "the other side of the first direction” and is called the "x2 side of the first direction x".
  • the semiconductor element 1 is an element that exerts the electrical function of the semiconductor device A1.
  • the semiconductor element 1 is a three-terminal element having three electrodes, for example a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
  • the semiconductor element 1 may be a switching element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a diode.
  • the semiconductor element 1 is an n-channel type MOSFET with a vertical structure.
  • the semiconductor element 1 is rectangular when viewed in the thickness direction z.
  • the semiconductor element 1 has a first element surface 101, a second element surface 102, a first electrode 11, a second electrode 12, and a third electrode 13.
  • the first element surface 101 and the second element surface 102 are spaced apart in the thickness direction z and face opposite each other.
  • the first element surface 101 faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the second element surface 102 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the first electrode 11 is disposed on the first surface 101 of the element. A current corresponding to the power converted by the semiconductor element 1 flows through the first electrode 11. In other words, the first electrode 11 corresponds to the source electrode of the semiconductor element 1.
  • the second electrode 12 is disposed on the first surface 101 of the element.
  • a gate voltage for driving the semiconductor element 1 is applied to the second electrode 12.
  • the second electrode 12 corresponds to the gate electrode of the semiconductor element 1.
  • the area of the second electrode 12 is smaller than the area of the first electrode 11.
  • the third electrode 13 is disposed on the first surface 101 of the element. A current corresponding to the power before being converted by the semiconductor element 1 flows through the third electrode 13. In other words, the third electrode 13 corresponds to the drain electrode of the semiconductor element 1.
  • the first conductive member 2 includes a portion that is disposed on the z1 side of the semiconductor element 1 in the thickness direction z.
  • the first conductive member 2 includes a conductive material such as metal, and is made of, for example, a metal plate material.
  • the constituent material of the first conductive member 2 includes, for example, Cu (copper).
  • the first conductive member 2 is a metal plate material that is appropriately bent. As shown in Figures 1 to 6 and 8 to 10, the first conductive member 2 has a pad portion 21 and multiple terminal portions 22.
  • the pad portion 21 is a portion that is conductively joined to the first electrode 11 of the semiconductor element 1. There are no limitations on the shape or size of the pad portion 21, and in the illustrated example, the pad portion 21 is shaped to overlap most of the first electrode 11 when viewed in the thickness direction z, and also to expose the second electrode 12.
  • the pad portion 21 has a first main surface 211 and a first back surface 212.
  • the first main surface 211 is a surface facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the first back surface 212 is a surface facing the z2 side in the thickness direction z.
  • the first back surface 212 of the pad portion 21 is bonded to the first electrode 11 of the semiconductor element 1 via the first conductive bonding material 29.
  • the pad portion 21 and the first electrode 11 are conductively bonded to each other via the first conductive bonding material 29.
  • the material of the first conductive bonding material 29 is not particularly limited, and may be, for example, solder (a metal containing tin and silver).
  • the first conductive bonding material 29 may also be made of a metal paste containing a metal such as silver (Ag).
  • the distance between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z (first distance d1) is, for example, 5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • a plating layer made of, for example, silver (Ag) may be formed on the area of the pad portion 21 that is bonded to the semiconductor element 1 (first electrode 11).
  • the multiple terminals 22 are connected to the pad 21 on the x1 side in the first direction x.
  • the terminals 22 each extend in the first direction x when viewed in the thickness direction z, and are arranged at intervals in the second direction y.
  • the number of the multiple terminals 22 is not limited, and may be three as in the illustrated example, or may be two, four or more. Also, a configuration may be provided with only one terminal 22.
  • the terminal 22 has a portion connected to the pad 21 and covered with the sealing resin 5, a portion protruding from the sealing resin 5 to the x1 side in the first direction x, a portion folded back to the z2 side in the thickness direction z, and a portion located on the z2 side in the thickness direction z.
  • the multiple terminals 22 are used as terminals when mounting the semiconductor device A1.
  • the multiple terminals 22 are electrically connected to the first electrode 11 of the semiconductor element 1.
  • the multiple terminals 22 are source terminals of the semiconductor device A1.
  • a plating layer made of an alloy mainly composed of tin (Sn), for example, may be formed on the portion of the first conductive member 2 (multiple terminal portions 22) exposed from the sealing resin 5.
  • the second conductive member 3 includes a portion that is disposed on the z1 side of the semiconductor element 1 in the thickness direction z.
  • the second conductive member 3 includes a conductive material such as metal, and is made of, for example, a metal plate material.
  • the material that makes up the second conductive member 3 includes, for example, Cu (copper).
  • the second conductive member 3 is a metal plate material that is appropriately bent. As shown in Figures 1 to 7, 9, and 12, the second conductive member 3 has a first pad portion 31, a terminal portion 32, a first bent portion 33, and a second bent portion 34.
  • the first pad portion 31 is a portion that is conductively joined to the second electrode 12 of the semiconductor element 1. There are no limitations on the shape or size of the first pad portion 31, and in the illustrated example, it is shaped to overlap a portion of the second electrode 12 when viewed in the thickness direction z, and also to expose the second electrode 12.
  • the first pad portion 31 has a second main surface 311 and a second back surface 312.
  • the second main surface 311 is a surface facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the second back surface 312 is a surface facing the z2 side in the thickness direction z.
  • the area of the second back surface 312 is smaller than the area of the first back surface 212 of the pad portion 21 in the first conductive member 2.
  • the first bent portion 33 is connected to the x1 side of the first direction x with respect to the first pad portion 31.
  • the first bent portion 33 is inclined so as to be located on the z1 side of the thickness direction z as it approaches the x1 side of the first direction x.
  • the second bent portion 34 is connected to the x2 side of the first direction x with respect to the first pad portion 31.
  • the second bent portion 34 is inclined so as to be located on the z1 side of the thickness direction z as it approaches the x2 side of the first direction x.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the first bent portion 33 with respect to the first direction x and the inclination angle ⁇ 2 of the second bent portion 34 with respect to the first direction x are the same.
  • the inclination angle ⁇ 1 and the inclination angle ⁇ 2 are the same” means that the inclination angle ⁇ 1 and the inclination angle ⁇ 2 are the same in design, and includes cases where the inclination angle ⁇ 1 and the inclination angle ⁇ 2 are different due to manufacturing errors, etc.
  • the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 are not particularly limited, but in the illustrated example, the inclination angles ⁇ 1 and ⁇ 2 are approximately 45°.
  • the first pad portion 31, the first bent portion 33, and the second bent portion 34 are bonded to the second electrode 12 of the semiconductor element 1 via the second conductive bonding material 39.
  • the first pad portion 31, the first bent portion 33, and the second bent portion 34 are conductively bonded to the second electrode 12 via the second conductive bonding material 39.
  • the second conductive bonding material 39 includes a thin portion 391, a first portion 392, and a second portion 393.
  • the thin portion 391 is interposed between the second electrode 12 and the second back surface 312 in the thickness direction z, and is a portion that contacts the second electrode 12 and the second back surface 312.
  • the first portion 392 is located on the x1 side of the thin portion 391 in the first direction x, and is a portion that contacts the second electrode 12 and the first bent portion 33.
  • the second portion 393 is located on the x2 side of the thin portion 391 in the first direction x, and is in contact with the second electrode 12 and the second bent portion 34.
  • the distance (second distance d2) between the second electrode 12 and the second back surface 312 in the thickness direction z is smaller than the distance (first distance d1) between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z.
  • the second distance d2 between the second electrode 12 and the second back surface 312 in the thickness direction z is, for example, 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the second electrode 12 and the second back surface 312 may be in partial contact.
  • the ratio of the first distance d1 between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z to the dimension t1 in the thickness direction z from the second back surface 312 to the second main surface 311 is, for example, 0.5% or more and 10% or less.
  • the dimension t1 is, for example, about 0.1 mm or more and 1 mm or less.
  • the constituent material of the second conductive bonding material 39 is not particularly limited, and may be, for example, solder (a metal containing tin and silver).
  • the second conductive bonding material 39 may also be made of a metal paste containing a metal such as silver (Ag). Note that a plating layer made of, for example, silver (Ag) may be formed on the areas of the first pad portion 31, the first bent portion 33, and the second bent portion 34 that are bonded to the semiconductor element 1 (second electrode 12).
  • the terminal portion 32 is connected to the first bent portion 33 on the x1 side in the first direction x.
  • the terminal portion 32 extends in the first direction x when viewed in the thickness direction z.
  • the terminal portion 32 has a portion connected to the first bent portion 33 and covered with the sealing resin 5, a portion protruding from the sealing resin 5 to the x1 side in the first direction x, a portion folded back to the z2 side in the thickness direction z, and a portion located on the z2 side in the thickness direction z.
  • the terminal portion 32 When viewed in the second direction y, the terminal portion 32 has a shape and size that roughly overlaps with the terminal portion 22.
  • the terminal portion 32 is used as a terminal when mounting the semiconductor device A1.
  • the terminal portion 32 is electrically connected to the second electrode 12 of the semiconductor element 1.
  • the terminal portion 32 is a gate terminal of the semiconductor device A1.
  • a plating layer made of an alloy mainly composed of tin (Sn), for example, may be formed on the portion of the second conductive member 3 (terminal portion 32) exposed from the sealing resin 5.
  • the third conductive member 4 is disposed on the z2 side of the semiconductor element 1 in the thickness direction z.
  • the third conductive member 4 includes a conductive material such as a metal, for example, copper (Cu).
  • the third conductive member 4 has a main surface 401 and a back surface 402.
  • the main surface 401 faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the back surface 402 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the semiconductor element 1 is mounted on the main surface 401.
  • the back surface 402 is exposed from the sealing resin 5.
  • the third conductive member 4 has an island portion 41, a terminal portion 42, and a through hole 43.
  • the island portion 41 is a portion on which the entire or part of the semiconductor element 1 is mounted.
  • the island portion 41 includes a part of the main surface 401 and a part of the back surface 402. There are no limitations on the shape or size of the island portion 41, and in the illustrated example, it is substantially rectangular when viewed in the thickness direction z.
  • the island portion 41 has a first edge portion 411, a second edge portion 412, a third edge portion 413, and a groove 414.
  • the first edge portion 411 is located on the y1 side of the second direction y and extends in the first direction x.
  • the second edge portion 412 is located on the y2 side of the second direction y and extends in the first direction x.
  • the third edge portion 413 is located on the x1 side of the first direction x and extends in the second direction y.
  • the groove 414 is recessed from the main surface 401 to the z2 side of the thickness direction z, and has a generally V-shaped cross section.
  • the groove 414 surrounds the semiconductor element 1 when viewed in the thickness direction z.
  • Each of the first edge portion 411, the second edge portion 412, the third edge portion 413, and the groove 414 is covered with the sealing resin 5.
  • the island portion 41 may be configured without the recessed groove 414.
  • the first edge portion 411 has a first step portion 411a, as shown in Figures 4 and 6.
  • the first step portion 411a is formed on the x2 side of the first direction x relative to the semiconductor element 1 in the first direction x.
  • the first step portion 411a is shaped so that the x2 side of the first direction x is recessed toward the y2 side of the second direction y relative to the x1 side of the first direction x.
  • the first step portion 411a is inclined with respect to the first direction x and the second direction y so that it is positioned on the y2 side of the second direction y as it approaches the x2 side of the first direction x in the first direction x.
  • the second edge portion 412 has a second step portion 412a.
  • the second step portion 412a is formed on the x2 side of the first direction x relative to the semiconductor element 1 in the first direction x.
  • the second step portion 412a is shaped so that the x2 side of the first direction x is recessed toward the y1 side of the second direction y relative to the x1 side of the first direction x.
  • the second step portion 412a is inclined with respect to the first direction x and the second direction y so that it is positioned on the y1 side of the second direction y as it approaches the x2 side of the first direction x in the first direction x.
  • the island portion 41 includes a main portion 41A, a first thin portion 41B, and a second thin portion 41C, as shown in Figures 4, 6, and 10.
  • the main portion 41A has a portion of the main surface 401 and a portion of the back surface 402.
  • the first thin portion 41B is a portion that is connected to the y1 side of the main portion 41A in the second direction y.
  • the first thin portion 41B has a part of the main surface 401 and a first intermediate surface 403.
  • the first thin portion 41B is a portion that does not have a back surface 402.
  • the first intermediate surface 403 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the first intermediate surface 403 is located between the main surface 401 and the back surface 402 in the thickness direction z.
  • the first thin portion 41B has a shape that is recessed on the z2 side in the thickness direction z with respect to the main portion 41A.
  • the first thin portion 41B includes the entire first edge portion 411.
  • the first step portion 411a is formed in the first thin portion 41B.
  • the second thin portion 41C is a portion that is connected to the y2 side of the main portion 41A in the second direction y.
  • the second thin portion 41C has a part of the main surface 401 and a second intermediate surface 404.
  • the second thin portion 41C is a portion that does not have a back surface 402.
  • the second intermediate surface 404 faces the z2 side of the thickness direction z.
  • the second intermediate surface 404 is located between the main surface 401 and the back surface 402 in the thickness direction z.
  • the second thin portion 41C has a shape that is recessed on the z2 side of the thickness direction z with respect to the main portion 41A.
  • the second thin portion 41C includes the entire second edge portion 412.
  • the second step portion 412a is formed in the second thin portion 41C.
  • the semiconductor element 1 overlaps the main portion 41A and the first thin portion 41B when viewed in the thickness direction z. Also, the semiconductor element 1 overlaps the main portion 41A and the second thin portion 41C when viewed in the thickness direction z.
  • the semiconductor element 1 is bonded to the main surface 401 of the island portion 41 via a conductive bonding material 19.
  • the second element surface 102 of the semiconductor element 1 faces the main surface 401.
  • the third electrode 13 on the second element surface 102 and the main surface 401 are conductively bonded via the conductive bonding material 19.
  • the material of the conductive bonding material 19 is not particularly limited, and may be, for example, solder (a metal containing tin and silver).
  • the conductive bonding material 19 may also be made of a metal paste containing a metal such as silver (Ag).
  • a plating layer made of, for example, silver (Ag) may be formed on the area of the main surface 401 of the island portion 41 where the semiconductor element 1 is bonded.
  • the terminal portion 42 is a portion that is connected to the x2 side of the island portion 41 in the first direction x.
  • the terminal portion 42 includes a portion of the main surface 401 and a portion of the back surface 402.
  • the terminal portion 42 may be used as a terminal when mounting the semiconductor device A1.
  • the terminal portion 42 is electrically connected to the third electrode 13 of the semiconductor element 1.
  • the terminal portion 42 is a drain terminal of the semiconductor device A1.
  • the through hole 43 penetrates the third conductive member 4 in the thickness direction z.
  • the through hole 43 is filled with a portion of the sealing resin 5.
  • the size of the cross section of the through hole 43 perpendicular to the thickness direction z is larger on the z2 side of the thickness direction z than on the z1 side of the thickness direction z. This has the effect of, for example, preventing the third conductive member 4 from falling off the sealing resin 5.
  • a plating layer made of an alloy mainly composed of tin (Sn), for example, may be formed on the portion of the third conductive member 4 exposed from the sealing resin 5.
  • the sealing resin 5 covers the semiconductor element 1 and a portion of each of the first conductive member 2, the second conductive member 3, and the third conductive member 4.
  • the sealing resin 5 has electrical insulation properties.
  • the sealing resin 5 includes, for example, a black epoxy resin containing a filler.
  • the shape of the sealing resin 5 is not limited in any way.
  • the sealing resin 5 of this embodiment has a first resin surface 51, a second resin surface 52, a third resin surface 53, a fourth resin surface 54, a fifth resin surface 55, and a sixth resin surface 56, as shown in Figures 1 and 3 to 10.
  • the first resin surface 51 faces the z1 side in the thickness direction z.
  • the second resin surface 52 faces the z2 side in the thickness direction z.
  • the back surface 402 of the third conductive member 4 is exposed from the second resin surface 52.
  • the first resin surface 51 and the second resin surface 52 are flat surfaces, but are not limited to this and may be curved or bent surfaces, for example.
  • the second resin surface 52 and the back surface 402 are flush with each other.
  • the third resin surface 53 is a surface facing the x1 side in the first direction x.
  • the fourth resin surface 54 is a surface facing the x2 side in the first direction x.
  • the third resin surface 53 and the fourth resin surface 54 are slightly curved surfaces, but are not limited to this and may be curved surfaces or flat surfaces, for example.
  • a plurality of terminal portions 22 and terminal portion 32 protrude from the third resin surface 53, and terminal portion 42 protrudes from the fourth resin surface 54.
  • the fifth resin surface 55 is a surface facing the y1 side in the second direction y.
  • the sixth resin surface 56 is a surface facing the y2 side in the second direction y.
  • the fifth resin surface 55 and the sixth resin surface 56 are slightly curved surfaces, but are not limited to this and may be, for example, curved surfaces or flat surfaces.
  • Figures 13 and 14 are plan views showing a step in the manufacture of the semiconductor device A1.
  • Figure 15 is a partially enlarged side view of the step shown in Figure 14.
  • Figure 16 is a partially enlarged side view showing the step following Figure 15.
  • FIGS. 14 and 15 show a state in which the first bonding layer 929 and the second bonding layer 939 are disposed on the semiconductor element 1 mounted on the third conductive member 4.
  • the first bonding layer 929 and the first bonding layer 929 will later become the first conductive bonding material 29 and the second conductive bonding material 39, and are, for example, solder paste applied by a dispenser.
  • a metal clip member 90 is disposed on the z1 side of the thickness direction z of the semiconductor element 1.
  • the metal clip member 90 has a first conductive portion 92 and a second conductive portion 93 that are connected to each other.
  • the first conductive portion 92 and the second conductive portion 93 are portions that will later become the first conductive member 2 and the second conductive member 3, and have a configuration in which adjacent terminal portions 22 are connected to each other and adjacent terminal portions 22 and terminal portions 32 are connected to each other by connecting portions 94.
  • the first back surface 212 of the first conductive portion 92 (pad portion 21) overlaps the first bonding layer 929 when viewed in the thickness direction z.
  • the second back surface 312 of the second conductive portion 93 (first pad portion 31) overlaps the second bonding layer 939 when viewed in the thickness direction z. Also, as shown in FIG.
  • the first back surface 212 of the first conductive portion 92 (pad portion 21) is located on the z2 side in the thickness direction z from the second back surface 312 of the second conductive portion 93 (first pad portion 31).
  • the distance between the first back surface 212 and the second back surface 312 in the thickness direction z is, for example, about 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. Note that in FIG. 15 and FIG. 16 described later, the second bonding layer 939 is hatched for understanding.
  • the metal clip member 90 is pressed against the semiconductor element 1 toward the z2 side in the thickness direction z (see arrow N1), while the first bonding layer 929 and the second bonding layer 939 are heated, melted, and solidified.
  • the metal clip member 90 is pressed against the z2 side in the thickness direction z until the second back surface 312 receives a reaction force from the second electrode 12 (see arrow N2).
  • the second bonding layer 939 interposed between the second electrode 12 and the second back surface 312 is pushed out to the periphery, and a thin portion 9391, a first portion 9392, and a second portion 9393 are formed.
  • the distance between the second electrode 12 and the second back surface 312 is smaller than the distance between the first electrode 11 and the first back surface 212.
  • the sealing resin 5 is formed, and the connecting portion 94 and the like are appropriately cut to separate the multiple terminal portions 22 and the terminal portions 32 from each other.
  • the multiple terminal portions 22 and the terminal portions 32 are subjected to bending processing. In this way, the first conductive member 2 and the second conductive member 3 are formed.
  • the semiconductor device A1 includes a first conductive adhesive 29 and a second conductive adhesive 39.
  • the first conductive adhesive 29 is interposed between the first electrode 11 and the first back surface 212 of the first conductive member 2, and is bonded to the first electrode 11 and the first conductive member 2.
  • the second conductive adhesive 39 is interposed between the second electrode 12 and the second back surface 312 of the second conductive member 3, and is bonded to the second electrode 12 and the second conductive member 3.
  • the area of the second back surface 312 is smaller than the area of the first back surface 212.
  • the distance (second distance d2) between the second electrode 12 and the second back surface 312 in the thickness direction z is smaller than the distance (first distance d1) between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z.
  • the second conductive member 3 includes a first pad portion 31 having a second back surface 312, a first bent portion 33, and a second bent portion 34.
  • the first bent portion 33 is connected to the x1 side of the first direction x with respect to the first pad portion 31, and is located on the z1 side of the thickness direction z as it moves toward the x1 side of the first direction x.
  • the second bent portion 34 is connected to the x2 side of the first direction x with respect to the first pad portion 31, and is located on the z1 side of the thickness direction z as it moves toward the x2 side of the first direction x.
  • the second conductive bonding material 39 includes a first portion 392 that contacts the second electrode 12 and the first bent portion 33, and a second portion 393 that contacts the second electrode 12 and the second bent portion 34.
  • the bonding state between the second electrode 12 and the second conductive member 3 (the first pad portion 31, the first bent portion 33, and the second bent portion 34) is more stable with reduced bias, which is more suitable for improving bonding reliability.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the first bent portion 33 with respect to the first direction x and the inclination angle ⁇ 2 of the second bent portion 34 with respect to the first direction x are the same. This allows the first portion 392 in contact with the first bent portion 33 and the second portion 393 in contact with the second bent portion 34 to be formed more evenly in the first direction x. This is preferable in terms of improving the bonding reliability of the semiconductor device A1.
  • FIGS. 17 to 20 show other embodiments of the present disclosure.
  • elements that are the same as or similar to those in the above embodiment are given the same reference numerals as in the above embodiment, and duplicated explanations will be omitted.
  • the configurations of the parts in each embodiment can be combined with each other as appropriate to the extent that no technical contradictions arise.
  • FIG. 17 is a plan view of a main part of a semiconductor device A2 according to this embodiment, seen through the sealing resin 5.
  • Fig. 18 is a cross-sectional view taken along line XVIII-XVIII in Fig. 17.
  • Fig. 19 is a partially enlarged view of Fig. 18.
  • the see-through sealing resin 5 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the semiconductor device A2 further includes a fourth conductive member 6 and a third conductive bonding material 69, and accordingly has been modified as appropriate compared to the semiconductor device A1.
  • the pad portion 21 of the first conductive member 2 exposes a portion of the first electrode 11 (the corner portion on the x1 side in the first direction x and the y1 side in the second direction y).
  • the first conductive member 2 includes two terminal portions 22.
  • the fourth conductive member 6 is disposed apart from the second conductive member 3 in the second direction y. In this embodiment, the fourth conductive member 6 is disposed between the first conductive member 2 (terminal portion 22) and the second conductive member 3 in the second direction y.
  • the fourth conductive member 6 includes a portion disposed on the z1 side of the semiconductor element 1 in the thickness direction z.
  • the fourth conductive member 6 includes a conductive material such as metal, and is formed, for example, of a metal plate material.
  • the constituent material of the fourth conductive member 6 includes, for example, Cu (copper).
  • the fourth conductive member 6 is a metal plate material that is appropriately bent.
  • the fourth conductive member 6 has a second pad portion 61, a terminal portion 62, a third bend portion 63, and a third bend portion 63.
  • the second pad portion 61 is a portion that is conductively joined to the first electrode 11 of the semiconductor element 1. There are no limitations on the shape or size of the second pad portion 61, and in the illustrated example, it is shaped to overlap a portion of the first electrode 11 when viewed in the thickness direction z, and to expose the first electrode 11.
  • the second pad portion 61 has a third main surface 611 and a third back surface 612.
  • the third main surface 611 is a surface facing the z1 side in the thickness direction z.
  • the third back surface 612 is a surface facing the z2 side in the thickness direction z.
  • the area of the third back surface 612 is smaller than the area of the first back surface 212 of the pad portion 21 in the first conductive member 2.
  • the third bend 63 is connected to the x1 side of the first direction x with respect to the second pad portion 61.
  • the third bend 63 is inclined to be located on the z1 side of the thickness direction z as it approaches the x1 side of the first direction x.
  • the fourth bend 64 is connected to the x2 side of the first direction x with respect to the second pad portion 61.
  • the fourth bend 64 is inclined to be located on the z1 side of the thickness direction z as it approaches the x2 side of the first direction x.
  • the inclination angle ⁇ 3 of the third bend 63 with respect to the first direction x and the inclination angle ⁇ 4 of the fourth bend 64 with respect to the first direction x are the same.
  • the inclination angle ⁇ 3 and the inclination angle ⁇ 4 are the same.
  • the inclination angle ⁇ 3 and the inclination angle ⁇ 4 are the same in design, and includes cases where the inclination angle ⁇ 3 and the inclination angle ⁇ 4 are different due to manufacturing errors, etc.
  • the inclination angles ⁇ 3 and ⁇ 4 are not particularly limited, but in the illustrated example, the inclination angles ⁇ 3 and ⁇ 4 are approximately 45°.
  • the second pad portion 61, the third bend portion 63, and the fourth bend portion 64 are bonded to the first electrode 11 of the semiconductor element 1 via a third conductive bonding material 69.
  • the second pad portion 61, the third bend portion 63, and the fourth bend portion 64 are conductively bonded to the first electrode 11 via the third conductive bonding material 69.
  • the third conductive bonding material 69 includes a thin portion 691, a third portion 692, and a fourth portion 693.
  • the thin portion 691 is interposed between the first electrode 11 and the third back surface 612 in the thickness direction z, and is a portion that contacts the first electrode 11 and the third back surface 612.
  • the third portion 692 is located on the x1 side of the thin portion 691 in the first direction x, and is a portion that contacts the first electrode 11 and the third bend portion 63.
  • the fourth portion 693 is located on the x2 side of the thin portion 691 in the first direction x, and is in contact with the first electrode 11 and the fourth bent portion 64.
  • the distance (third distance d3) between the first electrode 11 and the third back surface 612 in the thickness direction z is smaller than the distance (first distance d1) between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z (see FIG. 11).
  • the third distance d3 between the first electrode 11 and the third back surface 612 in the thickness direction z is, for example, 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the first electrode 11 and the third back surface 612 may be in partial contact.
  • the constituent material of the third conductive bonding material 69 is not particularly limited, and may be, for example, solder (a metal containing tin and silver).
  • the third conductive bonding material 69 may also be made of a metal paste containing a metal such as silver (Ag).
  • a plating layer made of, for example, silver (Ag) may be formed on the areas of the second pad portion 61, the third bend portion 63, and the fourth bend portion 64 that are bonded to the semiconductor element 1 (first electrode 11).
  • the terminal portion 62 is connected to the third bent portion 63 on the x1 side in the first direction x.
  • the terminal portion 62 extends in the first direction x when viewed in the thickness direction z.
  • the terminal portion 62 has a portion connected to the third bent portion 63 and covered by the sealing resin 5, a portion protruding from the sealing resin 5 to the x1 side in the first direction x, a portion folded back to the z2 side in the thickness direction z, and a portion located on the z2 side in the thickness direction z.
  • the terminal portion 62 When viewed in the second direction y, the terminal portion 62 has a shape and size that generally overlaps with the terminal portion 22 and the terminal portion 32.
  • the terminal portion 62 is used as a terminal when mounting the semiconductor device A1.
  • the terminal portion 62 is electrically connected to the first electrode 11 of the semiconductor element 1.
  • the terminal portion 62 is a source sense terminal of the semiconductor device A1.
  • the semiconductor device A2 of this embodiment can be manufactured in the same manner as described above with reference to Figures 13 to 16 with respect to the manufacturing direction of the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • the semiconductor device A2 has the same effect as the semiconductor device A1 described above.
  • the semiconductor device A2 further includes a fourth conductive member 6 and a third conductive bonding material 69.
  • the third conductive bonding material 69 is interposed between the first electrode 11 and the third back surface 612 of the fourth conductive member 6, and is bonded to the first electrode 11 and the fourth conductive member 6.
  • the area of the third back surface 612 is smaller than the area of the first back surface 212.
  • the distance (third distance d3) between the first electrode 11 and the third back surface 612 in the thickness direction z is smaller than the distance (first distance d1) between the first electrode 11 and the first back surface 212 in the thickness direction z.
  • the fourth conductive member 6 includes a second pad portion 61 having a third back surface 612, a third bent portion 63, and a fourth bent portion 64.
  • the third bent portion 63 is connected to the x1 side of the first direction x with respect to the second pad portion 61, and is located on the z1 side of the thickness direction z as it moves toward the x1 side of the first direction x.
  • the fourth bent portion 64 is connected to the x2 side of the first direction x with respect to the second pad portion 61, and is located on the z1 side of the thickness direction z as it moves toward the x2 side of the first direction x.
  • the third conductive bonding material 69 includes a third portion 692 that contacts the first electrode 11 and the third bent portion 63, and a fourth portion 693 that contacts the first electrode 11 and the fourth bent portion 64.
  • the bonding state between the first electrode 11 and the fourth conductive member 6 (the second pad portion 61, the third bent portion 63, and the fourth bent portion 64) is more stable with reduced bias, which is more suitable for improving bonding reliability.
  • the inclination angle ⁇ 3 of the third bent portion 63 with respect to the first direction x is the same as the inclination angle ⁇ 4 of the fourth bent portion 64 with respect to the first direction x. This allows the third portion 692 in contact with the third bent portion 63 and the fourth portion 693 in contact with the fourth bent portion 64 to be formed more evenly in the first direction x. This is preferable in terms of improving the bonding reliability of the semiconductor device A2.
  • Fig. 20 shows a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 20 is a plan view of a main part of a semiconductor device A3 according to the present embodiment, seen through the sealing resin 5.
  • the seen-through sealing resin 5 is shown by an imaginary line (two-dot chain line).
  • the semiconductor device A3 of this embodiment includes a fourth conductive member 6 and a third conductive bonding material 69, similar to the semiconductor device A2 described above.
  • the semiconductor device A3 differs from the semiconductor device A2 in the arrangement of the fourth conductive member 6.
  • the fourth conductive member 6 is arranged on the y2 side of the second direction y, and is located on the opposite side of the first conductive member 2 from the second conductive member 3 in the second direction y.
  • the specific configuration of the fourth conductive member 6 and the third conductive bonding material 69 is similar to that of the semiconductor device A2 described above.
  • the semiconductor device A3 of this embodiment can be manufactured in the same manner as described above with reference to Figures 13 to 16 regarding the manufacturing direction of the semiconductor device A1 of the above embodiment.
  • the semiconductor device A3 has the same effects as the semiconductor device A1 and the semiconductor device A2 described above.
  • the semiconductor device according to the present disclosure is not limited to the above-mentioned embodiment.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure can be freely designed in various ways.
  • Appendix 1 a semiconductor element having a first electrode and a second electrode disposed on one side in a thickness direction; a first conductive member located on one side of the first electrode in the thickness direction and having a first back surface facing the other side in the thickness direction; a second conductive member located on one side of the second electrode in the thickness direction and having a second back surface facing the other side in the thickness direction; a first conductive bonding material interposed between the first electrode and the first back surface and bonded to the first electrode and the first conductive member; a second conductive bonding material interposed between the second electrode and the second back surface and bonded to the second electrode and the second conductive member;
  • the area of the second back surface is smaller than the area of the first back surface, a second distance between the second electrode and the second back surface in the thickness direction is smaller than a first distance between the first electrode and the first back surface in the thickness direction.
  • the second conductive member includes a first pad portion having the second back surface, a first bent portion connected to one side of the first pad portion in a first direction perpendicular to the thickness direction and positioned toward one side of the thickness direction as it approaches the one side of the first direction, and a second bent portion connected to the other side of the first pad portion in the first direction and positioned toward the other side of the thickness direction as it approaches the other side of the first direction,
  • the semiconductor device described in Appendix 1 wherein the second conductive bonding material includes a first portion in contact with the second electrode and the first bent portion, and a second portion in contact with the second electrode and the second bent portion.
  • an inclination angle of the first bent portion with respect to the first direction is equal to an inclination angle of the second bent portion with respect to the first direction.
  • Appendix 4. 4. The semiconductor device according to claim 1, wherein a constituent material of the first conductive bonding material and a constituent material of the second conductive bonding material include solder.
  • Appendix 5. the first conductive member and the second conductive member are made of a metal plate, the second conductive member has a second main surface that overlaps the second back surface when viewed in the thickness direction and faces one side in the thickness direction, 5.
  • a ratio of the first distance to a dimension in the thickness direction from the second back surface to the second main surface is 0.5% or more and 10% or less.
  • Appendix 6 The semiconductor device according to claim 5, wherein a constituent material of the first conductive member and a constituent material of the second conductive member include copper. Appendix 7. 7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first distance is greater than or equal to 5 ⁇ m and less than or equal to 30 ⁇ m. Appendix 8. 8. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a sealing resin that covers the semiconductor element and at least a portion of each of the first conductive member and the second conductive member. Appendix 9. Further comprising a third conductive member; the semiconductor element has a third electrode disposed on the other side in the thickness direction, 9.
  • the semiconductor device is a switching element having a drain electrode, a source electrode, and a gate electrode; 10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the first electrode is the source electrode, the second electrode is the gate electrode, and the third electrode is the drain electrode. Appendix 11.
  • a fourth conductive member having a third back surface located on one side of the first electrode in the thickness direction and facing the other side in the thickness direction; a third conductive bonding material interposed between the first electrode and the third back surface and bonded to the first electrode and the fourth conductive member, an area of the third back surface is smaller than an area of the first back surface; 11.
  • a third distance between the first electrode and the third back surface in the thickness direction is smaller than the first distance.
  • the fourth conductive member includes a second pad portion having the third back surface, a third bent portion connected to one side of the second pad portion in the first direction and positioned on one side in the thickness direction as it approaches the one side in the first direction, and a fourth bent portion connected to the other side of the second pad portion in the first direction and positioned on the other side in the thickness direction as it approaches the other side in the first direction, 12.
  • the third conductive bonding material includes a third portion in contact with the first electrode and the third bent portion, and a fourth portion in contact with the first electrode and the fourth bent portion. Appendix 13. 13.
  • the first conductive portion has a first back surface that overlaps the first bonding layer when viewed in the thickness direction and faces the other side in the thickness direction;
  • the second conductive portion has a second back surface that overlaps the second bonding layer when viewed in the thickness direction and faces the other side in the thickness direction, the second back surface is located on the other side in the thickness direction than the first back surface,
  • A1, A2, A3, A4, A5 semiconductor device 1: semiconductor element 101: element first surface 102: element second surface 11: first electrode 12: second electrode 13: third electrode 19: conductive bonding material 2: first conductive member 21: pad portion 211: first main surface 212: first back surface 22: terminal portion 29: first conductive bonding material 3: second conductive member 31: first pad portion 311: second main surface 312: second back surface 32: terminal portion 33: first bent portion 34: second bent portion 39: second conductive bonding material 391: thin portion 392: first portion 393: second portion 4: third conductive member 401: main surface 402: back surface 403: first intermediate surface 404: second intermediate surface 41: island portion 41A: Main portion 41B: First thin portion 41C: Second thin portion 411: First edge portion 411a: First step portion 412: Second edge portion 412a: Second step portion 413: Third edge portion 414: Groove 42: Terminal portion 43: Through hole 5: Sealing resin 51: First resin surface 52: Second resin surface 53: Third resin

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

半導体装置は、第１電極及び第２電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対して厚さ方向の一方側に位置し、前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有する第１導通部材と、前記第２電極に対して前記厚さ方向の前記一方側に位置し、前記厚さ方向の前記他方側を向く第２裏面を有する第２導通部材と、前記第１電極と前記第１裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第１導通部材に接合された第１導電性接合材と、前記第２電極と前記第２裏面との間に介在し、前記第２電極および前記第２導通部材に接合された第２導電性接合材と、を備え、前記第２裏面の面積は前記第１裏面の面積よりも小であり、前記厚さ方向における前記第２電極と前記第２裏面との距離は、前記厚さ方向における前記第１電極と前記第１裏面との距離よりも小である。

Description

半導体装置、および半導体装置の製造方法
　本開示は、半導体装置、および半導体装置の製造方法に関する。
　半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、複数のリード、および半導体素子を備えている。半導体素子の素子主面には、ソース電極（第１電極）およびゲート電極（第２電極）が形成されている。ソース電極およびゲート電極には、それぞれ接合材を介してリードのパッド部が接合されている。
　特許文献１に記載の半導体装置の半導体素子においては、ゲート電極の面積はソース電極の面積よりも小さく、ゲート電極に接合されたリードの接合面積は、ソース電極に接合されたリードの接合面積よりも小さい。各電極とこれに接合されるリードの接合面との距離は、寸法誤差が生じ得る。相対的に面積が小さいゲート電極と、当該ゲート電極に接合されるリードの接合面との距離が設定寸法よりも大きくなると、ゲート電極とリードとの接合部に接合不良などの不具合が生じることが懸念される。
特開２０１９－１９２７５１号公報
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、半導体素子上の電極と、当該電極に接合された導通部材との接合信頼性を向上させるのに適した半導体装置を提供することをその一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子と、前記第１電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有する第１導通部材と、前記第２電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有する第２導通部材と、前記第１電極と前記第１裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第１導通部材に接合された第１導電性接合材と、前記第２電極と前記第２裏面との間に介在し、前記第２電極および前記第２導通部材に接合された第２導電性接合材と、を備える。前記第２裏面の面積は、前記第１裏面の面積よりも小である。前記厚さ方向における前記第２電極と前記第２裏面との第２距離は、前記厚さ方向における前記第１電極と前記第１裏面との第１距離よりも小である。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子に対し、前記第１電極上および前記第２電極上に第１接合層および第２接合層を配置する工程と、前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に、互いにつながる第１導通部および第２導通部を有する金属クリップ部材を配置する工程と、前記金属クリップ部材を半導体素子に対して厚さ方向の他方側に押し付けながら前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程と、を備える。前記第１導通部は、前記厚さ方向に見て前記第１接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有する。前記第２導通部は、前記厚さ方向に見て前記第２接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有する。前記第２裏面は、前記第１裏面よりも前記厚さ方向の他方側に位置する。前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程では、前記第２裏面が前記第２電極側から反力を受けるまで前記金属クリップ部材を前記厚さ方向の他方側に押し付ける。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。 図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。 図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す要部底面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。 図８は、図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図４のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図８の部分拡大図である。 図１２は、図９の部分拡大図である。 図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造時の一工程を示す平面図である。 図１４は、図１３に続く工程を示す平面図である。 図１５は、図１４に示す工程の部分拡大側面図である。 図１６は、図１５に続く工程を示す部分拡大側面図である。 図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。 図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１９は、図１８の部分拡大図である。 図２０は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
　第１実施形態：
　図１～図１２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示している。本実施形態の半導体装置Ａ１は、半導体素子１、第１導通部材２、第２導通部材３、第３導通部材４および封止樹脂５を備える。半導体装置Ａ１は、導電性接合材１９、第１導電性接合材２９および第２導電性接合材３９をさらに備える。半導体装置Ａ１の用途は何ら限定されず、たとえばＤＣ－ＤＣコンバータといった、電力変換回路を備える電子機器などに使用される。
　図１は、半導体装置Ａ１の斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１の要部斜視図であり、封止樹脂５を省略している。図３は、半導体装置Ａ１の平面図である。図４は、半導体装置Ａ１の要部平面図であり、封止樹脂５を透過している。図５は、半導体装置Ａ１の底面図である。図６は、半導体装置Ａ１の要部底面図であり、封止樹脂５を透過している。図７は、半導体装置Ａ１の側面図である。図８は、図４のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図４のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図４のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図８の部分拡大図である。図１２は、図９の部分拡大図である。図４の部分拡大図である。なお、図４および図６においては、透過した封止樹脂５を想像線（二点鎖線）で示している。
　これらの図において、例えば、厚さ方向の一例を「厚さ方向ｚ」とする。厚さ方向ｚに対して直交する方向（図３、図４における上下方向）は、第１方向の一例であり、「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに対して直交する方向（図３、図４における左右方向）は、第２方向の一例であり、「第２方向ｙ」と呼ぶ。図３、図４において図中下側は「第１方向の一方側」の一例であり、「第１方向ｘのｘ１側」と呼び、図中上側は「第１方向の他方側」の一例であり、「第１方向ｘのｘ２側」と呼ぶ。図３、図４において図中右側を「第２方向ｙのｙ１側」と呼び、図中左側を「第２方向ｙのｙ２側」と呼ぶ。また、図８～図１０において図中上側は「厚さ方向の一方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ１側」と呼び、図中下側は「厚さ方向の他方側」の一例であり、「厚さ方向ｚのｚ２側」と呼ぶ。
　半導体素子１は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。本実施形態においては、半導体素子１は、３つの電極を有する３端子素子であり、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。この他、半導体素子１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのスイッチング素子や、ダイオードでもよい。半導体装置Ａ１の説明においては、半導体素子１は、ｎチャネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴを対象とする。半導体素子１は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。
　半導体素子１は、図２、図４および図８～図１０に示すように、素子第１面１０１、素子第２面１０２、第１電極１１、第２電極１２および第３電極１３を有する。素子第１面１０１および素子第２面１０２は、厚さ方向ｚにおいて離隔しており、互いに反対側を向く、素子第１面１０１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く。素子第２面１０２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。
　第１電極１１は、素子第１面１０１に配置されている。第１電極１１には、半導体素子１により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極１１は、半導体素子１のソース電極に相当する。
　第２電極１２は、素子第１面１０１に配置されている。第２電極１２には、半導体素子１を駆動するためのゲート電圧が印加される。すなわち、第２電極１２は、半導体素子１のゲート電極に相当する。厚さ方向ｚに見て、第２電極１２の面積は、第１電極１１の面積よりも小さい。
　第３電極１３は、素子第１面１０１に配置されている。第３電極１３には、半導体素子１により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第３電極１３は、半導体素子１のドレイン電極に相当する。
　第１導通部材２は、半導体素子１に対して厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている部分を含む。第１導通部材２は、金属等の導電性材料を含み、たとえば金属製の板材により構成される。第１導通部材２の構成材料は、たとえばＣｕ（銅）を含む。第１導通部材２は、適宜折り曲げられた金属製の板材である。第１導通部材２は、図１～図６、図８～図１０に示すように、パッド部２１および複数の端子部２２を有する。
　パッド部２１は、半導体素子１の第１電極１１に導通接合される部位である。パッド部２１の形状や大きさは、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て第１電極１１の大部分と重なる形状であり、また、第２電極１２を露出させる形状である。
　図８～図１１に示すように、パッド部２１は、第１主面２１１および第１裏面２１２を有する。第１主面２１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。第１裏面２１２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。
　図８～図１１に示すように、半導体素子１の第１電極１１には、第１導電性接合材２９を介してパッド部２１の第１裏面２１２が接合されている。パッド部２１と第１電極１１とが、第１導電性接合材２９を介して導通接合されている。第１導電性接合材２９の構成材料は特に限定されず、たとえばはんだ（錫および銀を含む金属）である。また、第１導電性接合材２９は、たとえば銀（Ａｇ）などの金属を含む金属ペーストにより構成してもよい。図１１に示すように、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との距離（第１距離ｄ１）は、たとえば５μｍ以上３０μｍ以下である。なお、パッド部２１のうち半導体素子１（第１電極１１）に接合される領域には、たとえば銀（Ａｇ）からなるめっき層が形成されてもよい。
　複数の端子部２２は、パッド部２１対して第１方向ｘのｘ１側につながっている。端子部２２は、各々が厚さ方向ｚに見て第１方向ｘに延びており、第２方向ｙにおいて間隔をおいて配列されている。複数の端子部２２の個数は何ら限定されず、図示された例のように３つでもよいし、２つでも、４つ以上であってもよい。また、１つのみの端子部２２を備える構成であってもよい。図１、図２および図８に示すように、端子部２２は、パッド部２１につながり封止樹脂５によって覆われた部分、封止樹脂５から第１方向ｘのｘ１側に突出する部分、厚さ方向ｚのｚ２側に折り返された部分、および厚さ方向ｚのｚ２側に位置する部分を有する。複数の端子部２２は、半導体装置Ａ１を実装する際の端子として用いられる。複数の端子部２２は、半導体素子１の第１電極１１に導通している。複数の端子部２２は、半導体装置Ａ１のソース端子である。
　第１導通部材２（複数の端子部２２）のうち封止樹脂５から露出した部分には、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とする合金からなるめっき層が形成されてもよい。
　第２導通部材３は、半導体素子１に対して厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている部分を含む。第２導通部材３は、金属等の導電性材料を含み、たとえば金属製の板材により構成される。第２導通部材３の構成材料は、たとえばＣｕ（銅）を含む。第２導通部材３は、適宜折り曲げられた金属製の板材である。第２導通部材３は、図１～図７、図９、図１２に示すように、第１パッド部３１、端子部３２、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４を有する。
　第１パッド部３１は、半導体素子１の第２電極１２に導通接合される部位である。第１パッド部３１の形状や大きさは、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て第２電極１２の一部と重なる形状であり、また、第２電極１２を露出させる形状である。
　図９および図１２に示すように、第１パッド部３１は、第２主面３１１および第２裏面３１２を有する。第２主面３１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。第２裏面３１２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。第２裏面３１２の面積は、第１導通部材２におけるパッド部２１の第１裏面２１２の面積よりも小さい。
　第１屈曲部３３は、第１パッド部３１に対して第１方向ｘのｘ１側につながっている。第１屈曲部３３は、第１方向ｘのｘ１側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置するように傾斜している。第２屈曲部３４は、第１パッド部３１に対して第１方向ｘのｘ２側につながっている。第２屈曲部３４は、第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置するように傾斜している。図１２に示すように、第１方向ｘに対する第１屈曲部３３の傾斜角度α１と、第１方向ｘに対する第２屈曲部３４の傾斜角度α２とは、同一である。ここで、「傾斜角度α１と傾斜角度α２とが同一」とは、傾斜角度α１と傾斜角度α２とが設計上同一とされることを意味しており、製造上の誤差等により傾斜角度α１と傾斜角度α２とが異なる場合を含む。傾斜角度α１および傾斜角度α２は特に限定されないが、図示した例では、傾斜角度α１，α２は、４５°程度である。
　図９、図１２に示すように、半導体素子１の第２電極１２には、第２導電性接合材３９を介して第１パッド部３１、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４が接合されている。第１パッド部３１、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４と、第２電極１２とが、第２導電性接合材３９を介して導通接合されている。本実施形態では、第２導電性接合材３９は、薄状部３９１、第１部３９２および第２部３９３を含む。薄状部３９１は、厚さ方向ｚにおいて第２電極１２と第２裏面３１２との間に介在し、第２電極１２および第２裏面３１２に接する部分である。第１部３９２は、薄状部３９１に対して第１方向ｘのｘ１側に位置しており、第２電極１２および第１屈曲部３３に接する部分である。第２部３９３は、薄状部３９１に対して第１方向ｘのｘ２側に位置しており、第２電極１２および第２屈曲部３４に接する部分である。
　図１１、図１２に示すように、厚さ方向ｚにおける第２電極１２と第２裏面３１２との距離（第２距離ｄ２）は、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との距離（第１距離ｄ１）よりも小である。厚さ方向ｚにおける第２電極１２と第２裏面３１２との第２距離ｄ２は、たとえば１μｍ以上２０μｍ以下である。なお、第２電極１２と第２裏面３１２とは、部分的に接触していてもよい。また、第２裏面３１２から第２主面３１１までの厚さ方向ｚの寸法ｔ１に対する、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との第１距離ｄ１の割合は、たとえば０．５％以上１０％以下である。上記のように第１距離ｄ１が５μｍ以上３０μｍ以下である場合、上記寸法ｔ１は、たとえば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下程度である。
　第２導電性接合材３９の構成材料は特に限定されず、たとえばはんだ（錫および銀を含む金属）である。また、第２導電性接合材３９は、たとえば銀（Ａｇ）などの金属を含む金属ペーストにより構成してもよい。なお、第１パッド部３１、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４のうち半導体素子１（第２電極１２）に接合される領域には、たとえば銀（Ａｇ）からなるめっき層が形成されてもよい。
　端子部３２は、第１屈曲部３３に対して第１方向ｘのｘ１側につながっている。端子部３２は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘに延びている。図１、図２、図７および図９に示すように、端子部３２は、第１屈曲部３３につながり封止樹脂５によって覆われた部分、封止樹脂５から第１方向ｘのｘ１側に突出する部分、厚さ方向ｚのｚ２側に折り返された部分、および厚さ方向ｚのｚ２側に位置する部分を有する。第２方向ｙに見て、端子部３２は、端子部２２と概ね重なる形状および大きさである。端子部３２は、半導体装置Ａ１を実装する際の端子として用いられる。端子部３２は、半導体素子１の第２電極１２に導通している。端子部３２は、半導体装置Ａ１のゲート端子である。
　第２導通部材３（端子部３２）のうち封止樹脂５から露出した部分には、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とする合金からなるめっき層が形成されてもよい。
　第３導通部材４は、半導体素子１に対して厚さ方向ｚのｚ２側に配置されている。第３導通部材４は、金属等の導電性材料を含み、たとえば銅（Ｃｕ）を含む。
　第３導通部材４は、図１～図１０に示すように、主面４０１および裏面４０２を有する。主面４０１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。裏面４０２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。主面４０１には、半導体素子１が搭載されている。図５および図６に示すように、裏面４０２は、封止樹脂５から露出している。
　第３導通部材４は、図１～図１０に示すように、アイランド部４１、端子部４２および貫通孔４３を有する。
　アイランド部４１は、半導体素子１の全体または一部が搭載される部位である。アイランド部４１は、主面４０１の一部および裏面４０２の一部を含んでいる。アイランド部４１の形状や大きさは、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て略矩形状である。
　アイランド部４１は、図２、図４、図６、図８～図１０に示すように、第１縁部４１１、第２縁部４１２、第３縁部４１３および凹溝４１４を有する。第１縁部４１１は、第２方向ｙのｙ１側に位置し、第１方向ｘに延びている。第２縁部４１２は、第２方向ｙのｙ２側に位置し、第１方向ｘに延びている。第３縁部４１３は、第１方向ｘのｘ１側位置し、第２方向ｙに延びている。凹溝４１４は、主面４０１から厚さ方向ｚのｚ２側に凹んでおり、断面略Ｖ字状である。凹溝４１４は、厚さ方向ｚに見て半導体素子１を囲んでいる。第１縁部４１１、第２縁部４１２、第３縁部４１３および凹溝４１４の各々は、封止樹脂５に覆われている。なお、図示した例と異なり、アイランド部４１は、凹溝４１４を有さない構成であってもよい。
　第１縁部４１１は、図４、図６に示すように、第１段差部４１１ａを有する。第１段差部４１１ａは、第１方向ｘにおいて半導体素子１よりも第１方向ｘのｘ２側に形成されている。第１段差部４１１ａは、第１方向ｘのｘ１側よりも第１方向ｘのｘ２側が第２方向ｙのｙ２側に凹む形状とされている。本実施形態において、第１段差部４１１ａは、第１方向ｘにおいて第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて第２方向ｙのｙ２側に位置するように、第１方向ｘおよび第２方向ｙに対して傾斜している。
　第２縁部４１２は、第２段差部４１２ａを有する。第２段差部４１２ａは、第１方向ｘにおいて半導体素子１よりも第１方向ｘのｘ２側に形成されている。第２段差部４１２ａは、第１方向ｘのｘ１側よりも第１方向ｘのｘ２側が第２方向ｙのｙ１側に凹む形状とされている。本実施形態において、第２段差部４１２ａは、第１方向ｘにおいて第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて第２方向ｙのｙ１側に位置するように、第１方向ｘおよび第２方向ｙに対して傾斜している。
　本実施形態において、アイランド部４１は、図４、図６、図１０に示すように、主部４１Ａ、第１薄肉部４１Ｂおよび第２薄肉部４１Ｃを含む。主部４１Ａは、主面４０１の一部および裏面４０２の一部を有する。
　第１薄肉部４１Ｂは、主部４１Ａに対して第２方向ｙのｙ１側につながる部位である。第１薄肉部４１Ｂは、主面４０１の一部、および第１中間面４０３を有する。第１薄肉部４１Ｂは、裏面４０２を有さない部位である。第１中間面４０３は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。第１中間面４０３は、厚さ方向ｚにおいて主面４０１および裏面４０２の間に位置する。これにより、第１薄肉部４１Ｂは、主部４１Ａに対して厚さ方向ｚのｚ２側が凹んだ形状である。図示した例では、第１薄肉部４１Ｂは、第１縁部４１１の全てを含む。第１段差部４１１ａは、第１薄肉部４１Ｂに形成されている。
　第２薄肉部４１Ｃは、主部４１Ａに対して第２方向ｙのｙ２側につながる部位である。第２薄肉部４１Ｃは、主面４０１の一部、および第２中間面４０４を有する。第２薄肉部４１Ｃは、裏面４０２を有さない部位である。第２中間面４０４は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く。第２中間面４０４は、厚さ方向ｚにおいて主面４０１および裏面４０２の間に位置する。これにより、第２薄肉部４１Ｃは、主部４１Ａに対して厚さ方向ｚのｚ２側が凹んだ形状である。図示した例では、第２薄肉部４１Ｃは、第２縁部４１２の全てを含む。第２段差部４１２ａは、第２薄肉部４１Ｃに形成されている。
　図４、図１０等に示すように、半導体素子１は、厚さ方向ｚに見て主部４１Ａおよび第１薄肉部４１Ｂに重なる。また、半導体素子１は、厚さ方向ｚに見て主部４１Ａおよび第２薄肉部４１Ｃに重なる。
　図８～図１０に示すように、アイランド部４１の主面４０１には、導電性接合材１９を介して半導体素子１が接合されている。半導体素子１の素子第２面１０２は、主面４０１に対向している。素子第２面１０２上の第３電極１３と、主面４０１とが、導電性接合材１９を介して導通接合されている。導電性接合材１９の構成材料は特に限定されず、たとえばはんだ（錫および銀を含む金属）である。また、導電性接合材１９は、たとえば銀（Ａｇ）などの金属を含む金属ペーストにより構成してもよい。なお、アイランド部４１の主面４０１のうち半導体素子１が接合される領域には、たとえば銀（Ａｇ）からなるめっき層が形成されてもよい。
　端子部４２は、アイランド部４１に対して第１方向ｘのｘ２側につながる部位である。端子部４２は、主面４０１の一部および裏面４０２の一部を含んでいる。端子部４２は、半導体装置Ａ１を実装する際の端子として用いられてもよい。端子部４２は、半導体素子１の第３電極１３に導通している。端子部４２は、半導体装置Ａ１のドレイン端子である。
　貫通孔４３は、第３導通部材４を厚さ方向ｚに貫通している。本実施形態においては、貫通孔４３には、封止樹脂５の一部が充填されている。また、貫通孔４３の厚さ方向ｚと直交する断面の大きさは、厚さ方向ｚのｚ１側よりも厚さ方向ｚのｚ２側の方が大きい。これは、たとえば、第３導通部材４が封止樹脂５から脱落することを抑制する効果を奏する。
　第３導通部材４のうち封止樹脂５から露出した部分には、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とする合金からなるめっき層が形成されてもよい。
　封止樹脂５は、半導体素子１と第１導通部材２、第２導通部材３および第３導通部材４各々の一部とを覆っている。封止樹脂５は、電気絶縁性を有する。封止樹脂５は、たとえばフィラーを含有する黒色のエポキシ樹脂を含む。封止樹脂５の形状は何ら限定されない。本実施形態の封止樹脂５は、図１、図３～図１０に示すように、第１樹脂面５１、第２樹脂面５２、第３樹脂面５３、第４樹脂面５４、第５樹脂面５５および第６樹脂面５６を有する。
　第１樹脂面５１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。第２樹脂面５２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。第２樹脂面５２からは、第３導通部材４の裏面４０２が露出している。図示された例においては、第１樹脂面５１および第２樹脂面５２は、平坦な面であるが、これに限定されずたとえば曲面や屈曲した面等であってもよい。図示された例においては、第２樹脂面５２と裏面４０２は、互いに面一である。
　第３樹脂面５３は、第１方向ｘのｘ１側を向く面である。第４樹脂面５４は、第１方向ｘのｘ２側を向く面である。図示された例においては、第３樹脂面５３および第４樹脂面５４は、僅かに屈曲した面であるが、これに限定されず、たとえば曲面や平坦面等であってもよい。本実施形態においては、第３樹脂面５３から複数の端子部２２、および端子部３２が突出しており、第４樹脂面５４から端子部４２が突出している。
　第５樹脂面５５は、第２方向ｙのｙ１側を向く面である。第６樹脂面５６は、第２方向ｙのｙ２側を向く面である。図示された例においては、第５樹脂面５５および第６樹脂面５６は、僅かに屈曲した面であるが、これに限定されず、たとえば曲面や平坦面等であってもよい。
　次に、半導体装置Ａ１の製造方法の一例について、図１３～図１６を参照しつつ、以下に説明する。図１３および図１４は、半導体装置Ａ１の製造時の一工程を示す平面図である。図１５は、図１４に示す工程の部分拡大側面図である。図１６は、図１５に続く工程を示す部分拡大側面図である。
　図１３は、第３導通部材４上に搭載された半導体素子１に、第１接合層９２９および第２接合層９３９が配置された状態を示している。第１接合層９２９および第１接合層９２９は、後に第１導電性接合材２９および第２導電性接合材３９となるものであり、たとえばディスペンサにより塗布されたはんだペーストである。次に、図１４および図１５に示すように、半導体素子１の厚さ方向ｚのｚ１側に金属クリップ部材９０を配置する。金属クリップ部材９０は、互いにつながる第１導通部９２および第２導通部９３を有する。第１導通部９２および第２導通部９３は、後に第１導通部材２および第２導通部材３となる部分であり、連結部９４によって隣接する端子部２２どうし、および隣接する端子部２２と端子部３２とがつながった構成を有する。ここで、第１導通部９２（パッド部２１）の第１裏面２１２は、厚さ方向ｚに見て第１接合層９２９に重なる。第２導通部９３（第１パッド部３１）の第２裏面３１２は、厚さ方向ｚに見て第２接合層９３９に重なる。また、図１５に示すように、第１導通部９２（パッド部２１）の第１裏面２１２は、第２導通部９３（第１パッド部３１）の第２裏面３１２よりも厚さ方向ｚのｚ２側に位置する。厚さ方向ｚにおける第１裏面２１２と第２裏面３１２との距離は、たとえば１μｍ以上２０μｍ以下程度である。なお、図１５および後述の図１６においては、理解のために第２接合層９３９にハッチングを付している。
　次に、図１６に示すように、金属クリップ部材９０を半導体素子１に対して厚さ方向ｚのｚ２側に押し付けながら（矢印Ｎ１参照）、第１接合層９２９および第２接合層９３９を加熱溶融し、固化する。ここで、第２裏面３１２が第２電極１２から反力を受けるまで（矢印Ｎ２参照）、金属クリップ部材９０を厚さ方向ｚのｚ２側に押し付ける。このとき、第２電極１２と第２裏面３１２との間に介在する第２接合層９３９が周囲に押し出され、薄状部９３９１、第１部９３９２および第２部９３９３が形成される。このときの第２電極１２と第２裏面３１２との距離は、第１電極１１と第１裏面２１２との距離よりも小さい。その後、封止樹脂５を形成し、連結部９４等を適宜切断することで複数の端子部２２、および端子部３２が互いに分離される。その後、複数の端子部２２、および端子部３２に曲げ加工を施す。このようにして、第１導通部材２および第２導通部材３が形成される。
　次に、半導体装置Ａ１の作用について説明する。
　半導体装置Ａ１は、第１導電性接合材２９および第２導電性接合材３９を備える。第１導電性接合材２９は、第１電極１１と第１導通部材２の第１裏面２１２との間に介在し、第１電極１１および第１導通部材２に接合されている。第２導電性接合材３９は、第２電極１２と第２導通部材３の第２裏面３１２との間に介在し、第２電極１２および第２導通部材３に接合されている。第２裏面３１２の面積は、第１裏面２１２の面積よりも小さい。厚さ方向ｚにおける第２電極１２と第２裏面３１２との距離（第２距離ｄ２）は、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との距離（第１距離ｄ１）よりも小さい。このような構成によれば、相対的に面積が小さい第２電極１２と、当該第２電極１２に接合された第２導通部材３との接合状態が安定し、接合信頼性を向上させることができる。
　第２導通部材３は、第２裏面３１２を有する第１パッド部３１と、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４と、を備える。第１屈曲部３３は第１パッド部３１に対して第１方向ｘのｘ１側につながり、第１方向ｘのｘ１側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第２屈曲部３４は、第１パッド部３１に対して第１方向ｘのｘ２側につながり、第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第２導電性接合材３９は、第２電極１２および第１屈曲部３３に接する第１部３９２と、第２電極１２および第２屈曲部３４に接する第２部３９３と、を含む。このような構成によれば、第２電極１２と第２導通部材３（第１パッド部３１、第１屈曲部３３および第２屈曲部３４）との接合状態は偏りが低減されてより安定するので、接合信頼性を向上させるのにより適する。また、第１方向ｘに対する第１屈曲部３３の傾斜角度α１と、第１方向ｘに対する第２屈曲部３４の傾斜角度α２とは、同一である。これにより、第１屈曲部３３に接する第１部３９２と、第２屈曲部３４に接する第２部３９３とが第１方向ｘにおいてより均等に形成される。このことは、半導体装置Ａ１の接合信頼性を向上させる上でより好ましい。
　図１７～図２０は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、重複する説明を省略する。また、各実施形態における各部の構成は、技術的な矛盾を生じない範囲において相互に適宜組み合わせ可能である。
　第２実施形態：
　図１７～図１９は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示している。図１７は、本実施形態の半導体装置Ａ２を示す要部平面図であり、封止樹脂５を透過している。図１８は、図１７のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図１９は、図１８の部分拡大図である。なお、図１７においては、透過した封止樹脂５を想像線（二点鎖線）で示している。
　半導体装置Ａ２は、第４導通部材６および第３導電性接合材６９をさらに備えており、これに伴い半導体装置Ａ１と比べて適宜変更が施されている。本実施形態では、第１導通部材２のパッド部２１は、第１電極１１の一部（第１方向ｘのｘ１側および第２方向ｙのｙ１側の隅部）を露出させている。本実施形態においては、第１導通部材２は、２つの端子部２２を備える。
　第４導通部材６は、第２導通部材３に対して第２方向ｙに離隔して配置されている。本実施形態では、第４導通部材６は、第２方向ｙにおいて、第１導通部材２（端子部２２）と第２導通部材３との間に配置されている。第４導通部材６は、半導体素子１に対して厚さ方向ｚのｚ１側に配置されている部分を含む。第４導通部材６は、金属等の導電性材料を含み、たとえば金属製の板材により構成される。第４導通部材６の構成材料は、たとえばＣｕ（銅）を含む。第４導通部材６は、適宜折り曲げられた金属製の板材である。第４導通部材６は、第２パッド部６１、端子部６２、第３屈曲部６３および第３屈曲部６３を有する。
　第２パッド部６１は、半導体素子１の第１電極１１に導通接合される部位である。第２パッド部６１の形状や大きさは、何ら限定されず、図示された例においては、厚さ方向ｚに見て第１電極１１の一部と重なる形状であり、また、第１電極１１を露出させる形状である。
　図１８および図１９に示すように、第２パッド部６１は、第３主面６１１および第３裏面６１２を有する。第３主面６１１は、厚さ方向ｚのｚ１側を向く面である。第３裏面６１２は、厚さ方向ｚのｚ２側を向く面である。第３裏面６１２の面積は、第１導通部材２におけるパッド部２１の第１裏面２１２の面積よりも小さい。
　第３屈曲部６３は、第２パッド部６１に対して第１方向ｘのｘ１側につながっている。第３屈曲部６３は、第１方向ｘのｘ１側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置するように傾斜している。第４屈曲部６４は、第２パッド部６１に対して第１方向ｘのｘ２側につながっている。第４屈曲部６４は、第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置するように傾斜している。図１９に示すように、第１方向ｘに対する第３屈曲部６３の傾斜角度α３と、第１方向ｘに対する第４屈曲部６４の傾斜角度α４とは、同一である。ここで、「傾斜角度α３と傾斜角度α４とが同一」とは、傾斜角度α３と傾斜角度α４とが設計上同一とされることを意味しており、製造上の誤差等により傾斜角度α３と傾斜角度α４とが異なる場合を含む。傾斜角度α３および傾斜角度α４は特に限定されないが、図示した例では、傾斜角度α３，α４は、４５°程度である。
　図１８、図１９に示すように、半導体素子１の第１電極１１には、第３導電性接合材６９を介して第２パッド部６１、第３屈曲部６３および第４屈曲部６４が接合されている。第２パッド部６１、第３屈曲部６３および第４屈曲部６４と、第１電極１１とが、第３導電性接合材６９を介して導通接合されている。本実施形態では、第３導電性接合材６９は、薄状部６９１、第３部６９２および第４部６９３を含む。薄状部６９１は、厚さ方向ｚにおいて第１電極１１と第３裏面６１２との間に介在し、第１電極１１および第３裏面６１２に接する部分である。第３部６９２は、薄状部６９１に対して第１方向ｘのｘ１側に位置しており、第１電極１１および第３屈曲部６３に接する部分である。第４部６９３は、薄状部６９１に対して第１方向ｘのｘ２側に位置しており、第１電極１１および第４屈曲部６４に接する部分である。
　厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第３裏面６１２との距離（第３距離ｄ３）は（図１９参照）、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との距離（第１距離ｄ１）よりも小である（図１１参照）。厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第３裏面６１２との第３距離ｄ３は、たとえば１μｍ以上２０μｍ以下である。なお、第１電極１１と第３裏面６１２とは、部分的に接触していてもよい。
　第３導電性接合材６９の構成材料は特に限定されず、たとえばはんだ（錫および銀を含む金属）である。また、第３導電性接合材６９は、たとえば銀（Ａｇ）などの金属を含む金属ペーストにより構成してもよい。なお、第２パッド部６１、第３屈曲部６３および第４屈曲部６４のうち半導体素子１（第１電極１１）に接合される領域には、たとえば銀（Ａｇ）からなるめっき層が形成されてもよい。
　端子部６２は、第３屈曲部６３に対して第１方向ｘのｘ１側につながっている。端子部６２は、厚さ方向ｚに見て第１方向ｘに延びている。図１７、図１８に示すように、端子部６２は、第３屈曲部６３につながり封止樹脂５によって覆われた部分、封止樹脂５から第１方向ｘのｘ１側に突出する部分、厚さ方向ｚのｚ２側に折り返された部分、および厚さ方向ｚのｚ２側に位置する部分を有する。第２方向ｙに見て、端子部６２は、端子部２２および端子部３２と概ね重なる形状および大きさである。端子部６２は、半導体装置Ａ１を実装する際の端子として用いられる。端子部６２は、半導体素子１の第１電極１１に導通している。端子部６２は、半導体装置Ａ１のソースセンス端子である。
　本実施形態の半導体装置Ａ２は、上記実施形態の半導体装置Ａ１の製造方向に関して図１３～図１６を参照して上述したのと同様の方法で製造することができる。
　半導体装置Ａ２は、上述の半導体装置Ａ１と同様の作用効果を奏する。半導体装置Ａ２においては、第４導通部材６および第３導電性接合材６９をさらに備える。第３導電性接合材６９は、第１電極１１と第４導通部材６の第３裏面６１２との間に介在し、第１電極１１および第４導通部材６に接合されている。第３裏面６１２の面積は、第１裏面２１２の面積よりも小さい。厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第３裏面６１２との距離（第３距離ｄ３）は、厚さ方向ｚにおける第１電極１１と第１裏面２１２との距離（第１距離ｄ１）よりも小さい。このような構成によれば、相対的に接合面の面積が小さい第３裏面６１２（第４導通部材６）と、当該第４導通部材６と接合された第１電極１１との接合状態が安定し、接合信頼性を向上させることできる。
　第４導通部材６は、第３裏面６１２を有する第２パッド部６１と、第３屈曲部６３および第４屈曲部６４と、を備える。第３屈曲部６３は第２パッド部６１に対して第１方向ｘのｘ１側につながり、第１方向ｘのｘ１側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第４屈曲部６４は、第２パッド部６１に対して第１方向ｘのｘ２側につながり、第１方向ｘのｘ２側に向かうにつれて厚さ方向ｚのｚ１側に位置する。第３導電性接合材６９は、第１電極１１および第３屈曲部６３に接する第３部６９２と、第１電極１１および第４屈曲部６４に接する第４部６９３と、を含む。このような構成によれば、第１電極１１と第４導通部材６（第２パッド部６１、第３屈曲部６３および第４屈曲部６４）との接合状態は偏りが低減されてより安定するので、接合信頼性を向上させるのにより適する。また、第１方向ｘに対する第３屈曲部６３の傾斜角度α３と、第１方向ｘに対する第４屈曲部６４の傾斜角度α４とは、同一である。これにより、第３屈曲部６３に接する第３部６９２と、第４屈曲部６４に接する第４部６９３とが第１方向ｘにおいてより均等に形成される。このことは、半導体装置Ａ２の接合信頼性を向上させる上でより好ましい。
　第３実施形態：
　図２０は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示している。図２０は、本実施形態の半導体装置Ａ３を示す要部平面図であり、封止樹脂５を透過している。図２０において、透過した封止樹脂５を想像線（二点鎖線）で示している。
　本実施形態の半導体装置Ａ３において、上述の半導体装置Ａ２と同様に第４導通部材６および第３導電性接合材６９を備える。半導体装置Ａ３においては、第４導通部材６の配置が上述の半導体装置Ａ２と異なる。半導体装置Ａ３において、第４導通部材６は、第２方向ｙのｙ２側に配置されており、第２方向ｙにおいて第１導通部材２に対して第２導通部材３とは反対側に位置する。詳細な図示は省略するが、第４導通部材６および第３導電性接合材６９の具体的構成は上述の半導体装置Ａ２と同様である。本実施形態の半導体装置Ａ３は、上記実施形態の半導体装置Ａ１の製造方向に関して図１３～図１６を参照して上述したのと同様の方法で製造することができる。半導体装置Ａ３は、上述の半導体装置Ａ１および半導体装置Ａ２と同様の作用効果を奏する。
　本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載した実施形態を含む。
付記１．
　厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子と、
　前記第１電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有する第１導通部材と、
　前記第２電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有する第２導通部材と、
　前記第１電極と前記第１裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第１導通部材に接合された第１導電性接合材と、
　前記第２電極と前記第２裏面との間に介在し、前記第２電極および前記第２導通部材に接合された第２導電性接合材と、を備え、
　前記第２裏面の面積は、前記第１裏面の面積よりも小であり、
　前記厚さ方向における前記第２電極と前記第２裏面との第２距離は、前記厚さ方向における前記第１電極と前記第１裏面との第１距離よりも小である、半導体装置。
付記２．
　前記第２導通部材は、前記第２裏面を有する第１パッド部と、前記第１パッド部に対して前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側につながり、且つ前記第１方向の一方側に向かうにつれて前記厚さ方向の一方側に位置する第１屈曲部と、前記第１パッド部に対して前記第１方向の他方側につながり、且つ前記第１方向の他方側に向かうにつれて前記厚さ方向の他方側に位置する第２屈曲部と、を含み、
　前記第２導電性接合材は、前記第２電極および第１屈曲部に接する第１部と、前記第２電極および前記第２屈曲部に接する第２部と、を含む、付記１に記載の半導体装置。
付記３．
　前記第１方向に対する前記第１屈曲部の傾斜角度と、前記第１方向に対する前記第２屈曲部の傾斜角度とは、同一である、付記２に記載の半導体装置。
付記４．
　前記第１導電性接合材の構成材料および前記第２導電性接合材の構成材料は、はんだを含む、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
付記５．
　前記第１導通部材および前記第２導通部材は、金属製の板材により構成されており、
　前記第２導通部材は、前記厚さ方向に見て前記第２裏面と重なり、且つ前記厚さ方向の一方側を向く第２主面を有し、
　前記第２裏面から前記第２主面までの前記厚さ方向の寸法に対する前記第１距離の割合は、０．５％以上１０％以下である、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
付記６．
　前記第１導通部材の構成材料および前記第２導通部材の構成材料は、銅を含む、付記５に記載の半導体装置。
付記７．
　前記第１距離は、５μｍ以上３０μｍ以下である、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
付記８．
　前記半導体素子と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々の少なくとも一部と、を覆う封止樹脂をさらに備える、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
付記９．
　第３導通部材をさらに備え、
　前記半導体素子は、前記厚さ方向の他方側に配置された第３電極を有し、
　前記第３導通部材は、前記半導体素子に対して前記厚さ方向の他方側に配置され、且つ前記第３電極と導通接合されている、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
付記１０．
　前記半導体素子は、ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を有するスイッチング素子であり、
　前記第１電極は前記ソース電極であり、前記第２電極は前記ゲート電極であり、前記第３電極は前記ドレイン電極である、付記９に記載の半導体装置。
付記１１．
　前記第１電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第３裏面を有する第４導通部材と、
　前記第１電極と前記第３裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第４導通部材に接合された第３導電性接合材と、をさらに備え、
　前記第３裏面の面積は、前記第１裏面の面積よりも小であり、
　前記厚さ方向における前記第１電極と前記第３裏面との第３距離は、前記第１距離よりも小である、付記１０に記載の半導体装置。
付記１２．
　前記第４導通部材は、前記第３裏面を有する第２パッド部と、前記第２パッド部に対して前記第１方向の一方側につながり、且つ前記第１方向の一方側に向かうにつれて前記厚さ方向の一方側に位置する第３屈曲部と、前記第２パッド部に対して前記第１方向の他方側につながり、且つ前記第１方向の他方側に向かうにつれて前記厚さ方向の他方側に位置する第４屈曲部と、を含み、
　前記第３導電性接合材は、前記第１電極および前記第３屈曲部に接する第３部と、前記第１電極および前記第４屈曲部に接する第４部と、を含む、付記１１に記載の半導体装置。
付記１３．
　前記第４導通部材は、前記第２導通部材に対して前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に離隔して配置されている、付記１１または１２に記載の半導体装置。
付記１４．
　前記第４導通部材は、前記第２方向において前記第１導通部材に対して前記第２導通部材とは反対側に位置する、付記１３に記載の半導体装置。
付記１５．
　厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子に対し、前記第１電極上および前記第２電極上に第１接合層および第２接合層を配置する工程と、
　前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に、互いにつながる第１導通部および第２導通部を有する金属クリップ部材を配置する工程と、
　前記金属クリップ部材を前記半導体素子に対して前記厚さ方向の他方側に押し付けながら前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程と、を備え、
　前記第１導通部は、前記厚さ方向に見て前記第１接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有し、
　前記第２導通部は、前記厚さ方向に見て前記第２接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有し、
　前記第２裏面は、前記第１裏面よりも前記厚さ方向の他方側に位置し、
　前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程では、前記第２裏面が前記第２電極側から反力を受けるまで前記金属クリップ部材を前記厚さ方向の他方側に押し付ける、半導体装置の製造方法。
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５：半導体装置　　　１：半導体素子
１０１：素子第１面　　　１０２：素子第２面
１１：第１電極　　　１２：第２電極
１３：第３電極　　　１９：導電性接合材
２：第１導通部材　　　２１：パッド部
２１１：第１主面　　　２１２：第１裏面
２２：端子部　　　２９：第１導電性接合材
３：第２導通部材　　　３１：第１パッド部
３１１：第２主面　　　３１２：第２裏面
３２：端子部　　　３３：第１屈曲部
３４：第２屈曲部　　　３９：第２導電性接合材
３９１：薄状部　　　３９２：第１部
３９３：第２部　　　４：第３導通部材
４０１：主面　　　４０２：裏面
４０３：第１中間面　　　４０４：第２中間面
４１：アイランド部　　　４１Ａ：主部
４１Ｂ：第１薄肉部　　　４１Ｃ：第２薄肉部
４１１：第１縁部　　　４１１ａ：第１段差部
４１２：第２縁部　　　４１２ａ：第２段差部
４１３：第３縁部　　　４１４：凹溝
４２：端子部　　　４３：貫通孔
５：封止樹脂　　　５１：第１樹脂面
５２：第２樹脂面　　　５３：第３樹脂面
５４：第４樹脂面　　　５５：第５樹脂面
５６：第６樹脂面　　　６：第４導通部材
６１：第２パッド部　　　６１１：第３主面
６１２：第３裏面　　　６２：端子部
６３：第３屈曲部　　　６４：第４屈曲部
６９：第３導電性接合材　　　６９１：薄状部
６９２：第３部　　　６９３：第４部
９０：金属クリップ部材　　　９２：第１導通部
９２９：第１接合層　　　９３：第２導通部
９３９：第２接合層　　　９３９１：薄状部
９３９２：第１部　　　９３９３：第２部
９４：連結部　　　α１，α２，α３，α４
ｄ１：第１距離　　　ｄ２：第２距離
ｄ３：第３距離　　　ｔ１：寸法

Claims (15)

  1. 　厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子と、
    　前記第１電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有する第１導通部材と、
    　前記第２電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有する第２導通部材と、
    　前記第１電極と前記第１裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第１導通部材に接合された第１導電性接合材と、
    　前記第２電極と前記第２裏面との間に介在し、前記第２電極および前記第２導通部材に接合された第２導電性接合材と、を備え、
    　前記第２裏面の面積は、前記第１裏面の面積よりも小であり、
    　前記厚さ方向における前記第２電極と前記第２裏面との第２距離は、前記厚さ方向における前記第１電極と前記第１裏面との第１距離よりも小である、半導体装置。
  2. 　前記第２導通部材は、前記第２裏面を有する第１パッド部と、前記第１パッド部に対して前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側につながり、且つ前記第１方向の一方側に向かうにつれて前記厚さ方向の一方側に位置する第１屈曲部と、前記第１パッド部に対して前記第１方向の他方側につながり、且つ前記第１方向の他方側に向かうにつれて前記厚さ方向の他方側に位置する第２屈曲部と、を含み、
    　前記第２導電性接合材は、前記第２電極および第１屈曲部に接する第１部と、前記第２電極および前記第２屈曲部に接する第２部と、を含む、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１方向に対する前記第１屈曲部の傾斜角度と、前記第１方向に対する前記第２屈曲部の傾斜角度とは、同一である、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１導電性接合材の構成材料および前記第２導電性接合材の構成材料は、はんだを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記第１導通部材および前記第２導通部材は、金属製の板材により構成されており、
    　前記第２導通部材は、前記厚さ方向に見て前記第２裏面と重なり、且つ前記厚さ方向の一方側を向く第２主面を有し、
    　前記第２裏面から前記第２主面までの前記厚さ方向の寸法に対する前記第１距離の割合は、０．５％以上１０％以下である、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 　前記第１導通部材の構成材料および前記第２導通部材の構成材料は、銅を含む、請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１距離は、５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　前記半導体素子と、前記第１導通部材および前記第２導通部材の各々の少なくとも一部と、を覆う封止樹脂をさらに備える、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 　第３導通部材をさらに備え、
    　前記半導体素子は、前記厚さ方向の他方側に配置された第３電極を有し、
    　前記第３導通部材は、前記半導体素子に対して前記厚さ方向の他方側に配置され、且つ前記第３電極と導通接合されている、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記半導体素子は、ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を有するスイッチング素子であり、
    　前記第１電極は前記ソース電極であり、前記第２電極は前記ゲート電極であり、前記第３電極は前記ドレイン電極である、請求項９に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置し、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第３裏面を有する第４導通部材と、
    　前記第１電極と前記第３裏面との間に介在し、前記第１電極および前記第４導通部材に接合された第３導電性接合材と、をさらに備え、
    　前記第３裏面の面積は、前記第１裏面の面積よりも小であり、
    　前記厚さ方向における前記第１電極と前記第３裏面との第３距離は、前記第１距離よりも小である、請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　前記第４導通部材は、前記第３裏面を有する第２パッド部と、前記第２パッド部に対して前記第１方向の一方側につながり、且つ前記第１方向の一方側に向かうにつれて前記厚さ方向の一方側に位置する第３屈曲部と、前記第２パッド部に対して前記第１方向の他方側につながり、且つ前記第１方向の他方側に向かうにつれて前記厚さ方向の他方側に位置する第４屈曲部と、を含み、
    　前記第３導電性接合材は、前記第１電極および前記第３屈曲部に接する第３部と、前記第１電極および前記第４屈曲部に接する第４部と、を含む、請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 　前記第４導通部材は、前記第２導通部材に対して前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向に離隔して配置されている、請求項１１または１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記第４導通部材は、前記第２方向において前記第１導通部材に対して前記第２導通部材とは反対側に位置する、請求項１３に記載の半導体装置。
  15. 　厚さ方向の一方側に配置された第１電極および第２電極を有する半導体素子に対し、前記第１電極上および前記第２電極上に第１接合層および第２接合層を配置する工程と、
    　前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に、互いにつながる第１導通部および第２導通部を有する金属クリップ部材を配置する工程と、
    　前記金属クリップ部材を前記半導体素子に対して前記厚さ方向の他方側に押し付けながら前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程と、を備え、
    　前記第１導通部は、前記厚さ方向に見て前記第１接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第１裏面を有し、
    　前記第２導通部は、前記厚さ方向に見て前記第２接合層に重なり、且つ前記厚さ方向の他方側を向く第２裏面を有し、
    　前記第２裏面は、前記第１裏面よりも前記厚さ方向の他方側に位置し、
    　前記第１接合層および前記第２接合層を加熱溶融し、固化する工程では、前記第２裏面が前記第２電極側から反力を受けるまで前記金属クリップ部材を前記厚さ方向の他方側に押し付ける、半導体装置の製造方法。
PCT/JP2024/017398 2023-06-08 2024-05-10 半導体装置、および半導体装置の製造方法 Ceased WO2024252845A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025526000A JPWO2024252845A1 (ja) 2023-06-08 2024-05-10
US19/404,938 US20260101798A1 (en) 2023-06-08 2025-12-01 Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023-094659 2023-06-08
JP2023094659 2023-06-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US19/404,938 Continuation US20260101798A1 (en) 2023-06-08 2025-12-01 Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024252845A1 true WO2024252845A1 (ja) 2024-12-12

Family

ID=93795292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2024/017398 Ceased WO2024252845A1 (ja) 2023-06-08 2024-05-10 半導体装置、および半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20260101798A1 (ja)
JP (1) JPWO2024252845A1 (ja)
WO (1) WO2024252845A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080036078A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-14 Ciclon Semiconductor Device Corp. Wirebond-less semiconductor package
US20090212284A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Infineon Technologies Ag Electronic device and manufacturing thereof
US20100072585A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Top exposed clip with window array
WO2019064775A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 日立金属株式会社 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080036078A1 (en) * 2006-08-14 2008-02-14 Ciclon Semiconductor Device Corp. Wirebond-less semiconductor package
US20090212284A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Infineon Technologies Ag Electronic device and manufacturing thereof
US20100072585A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Top exposed clip with window array
WO2019064775A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 日立金属株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2024252845A1 (ja) 2024-12-12
US20260101798A1 (en) 2026-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7800206B2 (en) Semiconductor device
CN1499622A (zh) 引线框及制造方法以及树脂密封型半导体器件及制造方法
JP7649171B2 (ja) 半導体装置
JP7845824B2 (ja) 半導体装置
JP2009038139A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN114551395A (zh) 半导体封装结构及其制造方法
US20220301967A1 (en) Semiconductor device
JP2009164240A (ja) 半導体装置
US20220301966A1 (en) Semiconductor device
JP2008294219A (ja) 半導体装置及びその製造方法
WO2024252845A1 (ja) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
WO2026094683A1 (ja) 半導体装置
US20240047315A1 (en) Semiconductor device
US20240170353A1 (en) Semiconductor device and mounting structure for semiconductor element
WO2025027936A1 (ja) 半導体装置、電力変換装置、及びその製造方法
WO2024176851A1 (ja) 半導体装置
WO2024128062A1 (ja) 半導体装置
WO2025154469A1 (ja) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
WO2024252830A1 (ja) 半導体装置および車両
JP2025145847A (ja) 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
WO2025063004A1 (ja) 電子装置および電子装置の製造方法
WO2024116899A1 (ja) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
WO2025018112A1 (ja) 半導体装置
JP2025166930A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2025017953A1 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 24819082

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2025526000

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2025526000

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE