WO2023163177A1 - ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック基板および配線基板 - Google Patents

ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック基板および配線基板 Download PDF

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WO2023163177A1
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glass
mass
sintered body
filler
ceramic sintered
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早織 高橋
恒 小更
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Tdk株式会社
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    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • H—ELECTRICITY
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    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate

Definitions

  • the present disclosure relates to a glass-ceramic sintered body, a glass-ceramic substrate, and a wiring substrate, which are used, for example, in electronic components compatible with high frequencies.
  • a wiring board using a glass ceramic sintered body has the advantage that a metal material with a low melting point and low resistance such as Cu, Ag or Ag--Pd can be used for wiring in the inner layer.
  • a glass-ceramic sintered body for a band-pass filter that constitutes microwave circuit components used in 5G is required to have a small dielectric loss in a high frequency band of 10 GHz or higher.
  • a glass-ceramic sintered body containing a filler containing an oxide such as silicon oxide as a main component has insufficient characteristics in a high-frequency band, and improvement is desired. ing.
  • the present disclosure has been made in view of such circumstances, and its object is to provide a glass-ceramic sintered body that has a small dielectric loss in a high frequency band and a small change in dielectric loss with respect to frequency.
  • the glass-ceramic sintered body according to the present disclosure is A glass-ceramic sintered body containing glass and a filler,
  • the glass contains at least one of borosilicate glass and aluminoborosilicate glass
  • the filler includes a BN filler composed of boron nitride,
  • the content of the glass is 55% by mass or more and 95% by mass or less,
  • the content of the BN filler is 5% by mass or more and 45% by mass or less.
  • the content of the glass is 55% by mass or more and 90% by mass or less,
  • the content of the BN filler may be 10% by mass or more and 45% by mass or less.
  • the content of the glass is 55% by mass or more and 85% by mass or less
  • the content of the BN filler may be 15% by mass or more and 45% by mass or less.
  • the present inventors have found that the dielectric loss is small, particularly in a high frequency band of 30 GHz or higher, and that the change in dielectric loss with respect to frequency is small by having the above configuration.
  • the headline led to the completion of this disclosure.
  • the change in dielectric loss with respect to frequency is small, so good characteristics can be exhibited even at 30 GHz or less.
  • the glass-ceramic substrate of the present disclosure has any one of the glass-ceramic sintered bodies described above.
  • a wiring board according to the present disclosure includes: having an insulating substrate and a wiring conductor,
  • the insulating substrate has the glass-ceramic sintered body described above.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a glass ceramic wiring board according to an embodiment of the present disclosure.
  • 2(S1) to 2(S3) are schematic cross-sectional views showing an example flow of a method for manufacturing a glass ceramic wiring board according to an embodiment of the present disclosure.
  • 3(S1) to 3(S3) are schematic cross-sectional views showing an example flow of a method for manufacturing a glass ceramic substrate according to another embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a glass ceramic wiring board 101 of this embodiment.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view near the center of one basic structure constituting a circuit arranged at an arbitrary pitch in a substrate.
  • a glass-ceramic wiring board 101 includes an insulating substrate (insulating layers 1a to 1d) made of a glass-ceramic sintered body 1, wiring conductors (via conductors 3, mounting surface terminals 4, inner It has a conductor layer 5 and a surface conductor layer 6).
  • the glass-ceramic wiring board 101 has internal conductor layers 5 provided in a predetermined pattern between insulating layers 1a to 1d which are vertically adjacent in FIG.
  • a surface conductor layer 6 is provided on the outer surface of one insulating layer 1a, which is the outermost layer, and a mounting surface terminal 4 is provided on the outer surface of the other insulating layer 1d, which is the outermost layer.
  • the glass-ceramic wiring board 101 penetrates through the insulating layers 1a to 1d to connect the internal conductor layers 5 existing at different layer positions or between the surface conductor layer 6 (or mounting surface terminals 4) and the internal conductor layer 5. It has via conductors 3 for connection.
  • the via conductors 3 are arranged between the internal conductor layers 5 existing at different layer positions or between the surface conductor layer 6 (or the mounting surface terminals 4) and the internal conductors. Although it connects with layer 5, it is not limited to that.
  • each of the insulating layers 1a to 1d shown in FIG. 1 may be obtained by firing a single green sheet, or may be obtained by firing a laminate of a plurality of green sheets. Also, the number of layers of the insulating layers 1a to 1d is not limited to the illustrated embodiment.
  • the outer shape and dimensions of the glass-ceramic wiring board 101 are not particularly limited, and can be appropriately set according to the application. It is about 200 mm ⁇ thickness 0.2 mm to 2.5 mm.
  • Each of the insulating layers 1a to 1d described above may be composed of the glass-ceramic sintered body 1 according to an embodiment of the present disclosure and may be combined, or may be integrated into a single glass-ceramic sintered body. It may consist of a body 1.
  • the glass-ceramic sintered body 1 according to this embodiment is a glass-ceramic sintered body containing glass and boron nitride (BN) filler.
  • the BN filler is composed of boron nitride, and may contain other elements in a total amount of about 5 atomic % or less.
  • the glass contained in the glass-ceramic sintered body 1 according to the present embodiment is preferably glass having a dielectric constant of 6.5 or less, and is classified into at least one of borosilicate glass and aluminoborosilicate glass in the present embodiment. be done.
  • Borosilicate glass contains, for example, silicon (Si) oxide and boron (B) oxide as main components, and lithium (Li) oxide, sodium (Na) oxide, and magnesium (Mg) oxide as other components. material, potassium (K) oxide, calcium (Ca) oxide, aluminum (Al) oxide, and the like.
  • Aluminoborosilicate glass contains, for example, Si oxide, B oxide, and Al oxide as main components, and other components include Li oxide, Na oxide, Mg oxide, K oxide, Ca oxide, and so on.
  • the glass content in the glass-ceramic sintered body is 55% to 95% by mass, preferably 55% to 90% by mass, or preferably 55% to 85% by mass. %.
  • the BN filler content in the glass-ceramic sintered body is 5% to 45% by mass, preferably 10% to 45% by mass, or preferably 15% to 45% by mass. If the BN filler content is too high, the sinterability may deteriorate. Moreover, if the content of the BN filler is too small, the performance is not sufficiently improved in the high frequency band.
  • the content of glass and the content of BN filler contained in the glass-ceramic sintered body 1 are obtained, for example, as follows. First, for example, an SEM photograph of the cross section of the ceramic sintered body is taken, and the glass and the filler are distinguished from the imaged screen.
  • the composition analysis of the glass is performed using an energy dispersive X-ray spectrometer (EDS or EDX) mounted on the SEM, borosilicate glass, aluminoborosilicate glass , or other glass.
  • EDS energy dispersive X-ray spectrometer
  • the portion determined to be a filler it is possible to determine whether the filler is a BN filler or another filler by performing a composition analysis using SEM-EDX.
  • the mass% of each is obtained by calculation, thereby sintering the glass ceramic.
  • the glass content and the BN filler content in the body 1 can be specified.
  • silicate glass containing 3% by mass or more of B oxide can be determined as borosilicate glass
  • silicate glass containing 3% by mass or more of B oxide and Al oxide can be determined as aluminoborosilicate glass.
  • the shape of the filler is not particularly limited, and it may be contained in the sintered body in the form of scales, grains, flat plates, needles, or the like.
  • the size of the filler is not particularly limited, and as long as it is in the form of particles, the equivalent circle diameter of the cross-sectional imaging screen is preferably about 1 to 10 ⁇ m.
  • the glass-ceramic sintered body 1 according to the present embodiment may contain other components such as ceramic fillers other than BN fillers or non-oxides, in addition to glass and BN fillers. Other components are preferably 40% by mass or less with respect to the glass-ceramic sintered body 1 .
  • Ceramic fillers other than BN fillers include fillers of at least one material selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 , aluminum nitride, silicon nitride, titanium nitride and silicon carbide.
  • non-oxides include nitrides, carbides, and fluoride composite non-oxides).
  • ICP-MS inductively coupled plasma mass spectrometer
  • ICP-AES high frequency coupled plasma emission spectrometer
  • FIG. 2(S1) to 2(S3) are schematic cross-sectional views for explaining the flow of the method for manufacturing a glass ceramic wiring board.
  • FIG. 2(S1) is a schematic cross-sectional view of a green sheet for a glass ceramic wiring board on which various patterns are formed before firing the substrate.
  • FIG. 2(S2) is a schematic cross-sectional view of a laminated body for a glass ceramic wiring board before firing in which the green sheets for a glass ceramic wiring board prepared in FIG. 2(S1) are laminated.
  • FIG. 2(S3) is a schematic cross-sectional view of the glass ceramic wiring board obtained by firing the FIG. 2(S2).
  • Green sheets 11a to 11d for glass-ceramic wiring substrates are produced.
  • the green sheet 10 is produced and various conductor patterns 13, 14, 15 and 16 are formed by the following method.
  • At least borosilicate glass powder or aluminoborosilicate glass powder and BN filler are prepared as raw materials for components constituting the glass-ceramic sintered body.
  • the borosilicate glass powder or the aluminoborosilicate glass powder may be used singly or in combination of multiple types. can be done.
  • As the BN filler a commercially available one or a produced one can be used.
  • the particle size of the glass powder is not particularly limited, it is preferably 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the shape of the BN filler is not particularly limited, and a plate-like, spherical, irregular shape, or the like can be used.
  • the average particle size of the BN filler is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m to 10 ⁇ m, more preferably 2 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the glass powder and BN filler are weighed according to the composition ratio of the glass-ceramic sintered body to be manufactured.
  • the method of mixing is not particularly limited, but for example, water, an organic solvent, a binder, a plasticizer, a dispersant, etc. are added as necessary, and a ball mill or the like is used to perform wet mixing. be able to. In this way, the mixture of raw materials (raw material powder) is made into a paint to prepare a green sheet paste.
  • the green sheet paste may be an organic paint obtained by kneading the raw material powder and an organic vehicle, or may be a water-based paint.
  • the amount of the solvent and additives to be added is not particularly limited, and may be a normal amount, and can be appropriately selected according to the mixing apparatus to be used, the film thickness of the sheet to be formed in the post-process, and the like.
  • the content of the organic vehicle in the green sheet paste is about 5 to 15% by weight of the binder and 50 to 150% by weight of the solvent with respect to 100% by weight of the raw material powder. %.
  • Additives such as various dispersants and plasticizers, which are added as necessary, are preferably contained in a total content of 10% by weight or less.
  • binders include polyvinyl butyral resins and methacrylic acid resins.
  • Plasticizers include, for example, dibutyl phthalate.
  • solvents include toluene and methyl ethyl ketone.
  • the obtained green sheet paste is formed into a film on a support such as a polyethylene terephthalate (PET) sheet to form a green sheet 10 on the support.
  • a film forming method a molding method such as a doctor blade method or a calender roll method can be used.
  • a green sheet 10 produced by the above method is prepared, various conductor patterns (internal conductor pattern 15, surface conductor pattern 16, surface terminal pattern 14 for mounting, via conductor pattern 13, etc.) are formed, and glass ceramic wiring is formed. Substrate green sheets 11a to 11d are produced.
  • a through hole (via hole) is formed at a predetermined position in the prepared green sheet 10, and the via conductor pattern 13 is formed by filling the via hole with a conductive paste.
  • a conductor paste is printed in a predetermined pattern on the surface of the green sheet 10 as an inner layer to form an inner conductor pattern 15 .
  • surface conductor patterns 16 and surface terminal patterns 14 for mounting are formed on the green sheet 10 as necessary.
  • Electronic elements such as inductors and capacitors may be formed on the green sheet 10 as necessary.
  • the conductive paste used for forming the conductive pattern can be prepared by kneading a conductive material made of various conductive metals or alloys such as Ag, Ag--Pd alloy, Cu, and Ni with an organic vehicle.
  • the organic vehicle used for the conductive paste contains a binder and a solvent as main components.
  • Additives selected from various dispersants and plasticizers may be added to the conductive paste as necessary.
  • the glass ceramic wiring board green sheets 11a, 11b, 11c and 11d are laminated in this order to form the glass ceramic wiring board laminate 21.
  • the glass ceramic wiring board green sheets 11a, 11b, 11c and 11d are laminated in this order to form the glass ceramic wiring board laminate 21.
  • the laminated body 21 for the glass ceramic wiring board is heated to remove components such as the organic vehicle in the laminated body 21 in the atmosphere. After that, the laminate 21 is fired in an air atmosphere or a low-oxygen atmosphere at 800° C. to 1000° C. to obtain a glass ceramic wiring board 101 as shown in FIG. 2 (S3).
  • the low-oxygen atmosphere means an atmosphere having an oxygen partial pressure lower than that of the atmosphere, and examples include an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon, an atmosphere in which an inert gas such as nitrogen is mixed with the air, or a mixture of nitrogen and hydrogen. Mixed gas atmosphere, vacuum atmosphere, etc. are mentioned.
  • the inert gas is preferably nitrogen.
  • the surface conductor pattern may be plated.
  • a plated layer containing at least one metal selected from Ni, Sn, Pd, Au, Pt, etc. may be used.
  • the dielectric constant is preferably 5 or less, 4.1 or less, or less than 4 in a high frequency band.
  • the dielectric loss at high frequencies is preferably 3.0 ⁇ 10 ⁇ 3 (3.0E-03) or less, 2.2 ⁇ 10 ⁇ 3 or less, or 2.1 ⁇ 10 ⁇ 3 or less. It is as small as ⁇ 10 -3 , and the rate of change in dielectric loss with respect to frequency is preferably as small as 1 or less, 0.74 or less, 0.50 or less, 0.35 or less, 0 or less, or minus.
  • the glass-ceramic sintered body according to the present embodiment is preferably used for applications such as various modules using microwaves and millimeter waves and packages on which semiconductor elements and the like are mounted.
  • the glass-ceramic sintered body according to the present embodiment can be suitably used for applications such as wiring substrates, reflective substrates, other substrates, antennas, and filters.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a glass ceramic substrate according to the second embodiment.
  • FIG. 3 (S1) is a schematic cross-sectional view of a green sheet for a glass ceramic substrate before firing.
  • FIG. 3(S2) is a schematic cross-sectional view of a laminated body for a glass ceramic substrate before firing in which the green sheets for a glass ceramic substrate prepared in FIG. 3(S1) are laminated.
  • FIG. 3(S3) is a schematic cross-sectional view of a glass ceramic substrate obtained by firing the substrate of FIG. 3(S2).
  • a green sheet 10 is prepared as shown in FIG. 3 (S1).
  • the method may be the same as the method for producing the green sheet described above.
  • the glass-ceramic substrate green sheets 12a, 12b, 12c and 12d are laminated in this order to obtain a glass-ceramic substrate laminate 22.
  • the glass-ceramic substrate laminate 22 is pressed, the glass-ceramic substrate laminate 22 is heated, and components such as the organic vehicle in the laminate 22 are removed in the atmosphere. Thereafter, the laminate 22 is fired to obtain the glass ceramic substrate 102 as shown in FIG. 3 (S3).
  • the present disclosure is not limited to the above embodiments.
  • the number of insulating substrates (insulating layers) provided on the wiring board, and the structure and material of the wiring conductors (inner layer conductor layer, surface conductor layer, via conductor, etc.) are not particularly limited.
  • green sheets are laminated to form a glass-ceramic laminate to produce a glass-ceramic substrate.
  • it is not always necessary to laminate green sheets. It may be fired in a plate to form a glass-ceramic substrate.
  • Borosilicate glass powder and BN filler were prepared, and each material was weighed so that the composition ratio of the sample would be the value shown in Table 1.
  • the weighed glass powder and BN filler were blended with the prepared organic vehicle and mixed for 24 hours using a ball mill to prepare a paint for forming a substrate green sheet.
  • a substrate green sheet was formed by forming a film of the substrate green sheet coating composition on a polyethylene terephthalate film by a doctor blade method. The thickness of the green sheet was adjusted to 50 ⁇ m after firing. Next, after stacking 10 sheets of these, after pressing at 74 MPa, they were fired at 900° C. for 30 minutes to produce a glass ceramic sintered body.
  • composition evaluation The compositions of the glass and BN filler in the resulting glass-ceramic sintered body were analyzed. Composition analysis was performed by an analysis method using an X-ray fluorescence spectrometer (XRF). As a result, it was confirmed that the composition of the sintered body was the same as the charged composition.
  • XRF X-ray fluorescence spectrometer
  • Example 1 A glass-ceramic sintered body was produced in the same manner as in Example 1 except that a SiO 2 filler composed of SiO 2 was used instead of the BN filler, and similar measurements were performed. Table 1 shows the results.
  • Example 2 A glass-ceramic sintered body was produced in the same manner as in Example 1, except that an Al 2 O 3 filler composed of Al 2 O 3 was used instead of the BN filler, and aluminoborosilicate glass was used instead of the borosilicate glass. and measured in the same manner. Table 1 shows the results.
  • Example 3 A glass-ceramic sintered body was produced in the same manner as in Example 1, except that each material was weighed so that the composition ratio of the sample was the value shown in Table 1, and the same measurement was performed. Table 1 shows the results.
  • Comparative Example 4 An attempt was made to produce a glass-ceramic sintered body in the same manner as in Example 1, except that each material was weighed so that the composition ratio of the sample would be the value shown in Table 1. However, in Comparative Example 4, sintering was insufficient and a glass-ceramic sintered body could not be obtained.
  • each of the examples listed in Table 1 has a low relative permittivity of less than 5 and does not change regardless of the frequency in the high frequency bands of 30 GHz or higher and 60 GHz or higher, and tan ⁇ is 3.5. It was confirmed that the value was as small as 0 ⁇ 10 ⁇ 3 or less. That is, it was confirmed that the glass-ceramic sintered bodies of each example shown in Table 1 are particularly preferable for use in electronic components for high frequencies of 30 GHz or higher and 60 GHz or higher. In addition, the calculated value of tan ⁇ at 1 GHz in each example shows a sufficiently small value of 3.0 ⁇ 10 -3 or less. was confirmed.
  • the change rate of tan ⁇ with respect to the frequency (1 GHz) was as small as 1% or less.
  • the rate of change in dielectric loss with respect to frequency (1 GHz) is negative, and at high frequencies of 60 GHz or higher, tan ⁇ is expected to further decrease. be. It is predicted that the larger the negative value of this rate of change, the lower the tan ⁇ at higher frequencies.
  • Example 11 A glass-ceramic sintered body was produced in the same manner as in Example 1 except that aluminoborosilicate glass was used instead of borosilicate glass, and similar measurements were performed. Table 1 shows the results.
  • Example 21 In addition to borosilicate glass powder and BN filler, an Al 2 O 3 filler was further prepared, and each material was weighed so that the composition ratio of the sample was the value shown in Table 2. A glass-ceramic sintered body was produced, and the same measurements as in Example 1 were performed. Table 2 shows the results.
  • Example 21 As shown in Table 2, even when a ceramic filler other than the BN filler was contained in addition to the glass and the BN filler, it was found that the same effects as those of the examples shown in Table 1 were exhibited. That is, it was confirmed that the glass-ceramic sintered body of Example 21 can be suitably used for electronic components for high frequencies of 30 GHz or higher and 60 GHz or higher.

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Abstract

【課題】高周波帯域において、誘電損失が小さく、しかも周波数に対する誘電損失の変化が小さいガラスセラミック焼結体を提供すること。 【解決手段】ガラスとフィラーとを含有するガラスセラミック焼結体である。ガラスは、ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスの少なくともいずれかを含有し、フィラーは、ホウ素窒化物で構成してあるＢＮフィラーを含み、ガラスの含有量は、５５質量％以上９５質量％以下であり、ＢＮフィラーの含有量は、５質量％以上４５質量％以下である。

Description

ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック基板および配線基板
　本開示は、たとえば高周波対応の電子部品などに用いられるガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック基板および配線基板に関する。
　たとえば５Ｇにおいて用いられるマイクロ波用回路部品を構成するバンドパスフィルタとして、ガラスセラミック焼結体を用いた低温焼成基板などを用いることが検討されている。ガラスセラミック焼結体を用いた配線基板は、Ｃｕ、ＡｇやＡｇ－Ｐｄ等の低融点で低抵抗の金属材料を内層の配線に利用できるという利点を有する。
　５Ｇにおいて用いられるマイクロ波用回路部品を構成するバンドパスフィルタ用のガラスセラミック焼結体は、１０ＧＨｚ以上の高周波数帯域において誘電損失が小さいことが要求される。
　しかしながら、たとえば特許文献１に示すように、ケイ素酸化物などの酸化物を主成分とするフィラーを含有するガラスセラミック焼結体では、さらに高周波帯域での特性が不十分であり、改善が望まれている。
特許第４２８８６５６号公報
　本開示は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、高周波帯域において、誘電損失が小さく、しかも周波数に対する誘電損失の変化が小さいガラスセラミック焼結体を提供することである。
　上記目的を達成するために、本開示に係るガラスセラミック焼結体は、
ガラスとフィラーとを含有するガラスセラミック焼結体であり、
前記ガラスは、ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスの少なくともいずれかを含有し、
前記フィラーは、ホウ素窒化物で構成してあるＢＮフィラーを含み、
前記ガラスの含有量は、５５質量％以上９５質量％以下であり、
前記ＢＮフィラーの含有量は、５質量％以上４５質量％以下である。
　上記ガラスセラミック焼結体において、
前記ガラスの含有量は、５５質量％以上９０質量％以下であり、
前記ＢＮフィラーの含有量は、１０質量％以上４５質量％以下であってもよい。
　また、上記ガラスセラミック焼結体において、
前記ガラスの含有量は、５５質量％以上８５質量％以下であり、
前記ＢＮフィラーの含有量は、１５質量％以上４５質量％以下であってもよい。
　本開示者等は、ガラスセラミック焼結体について鋭意検討した結果、上記の構成を有することで、特に３０ＧＨｚ以上の高周波帯域において、誘電損失が小さく、しかも周波数に対する誘電損失の変化が小さくなることを見出し、本開示を完成させるに至った。加えて上記の構成を有すれば周波数に対する誘電損失の変化が小さいために３０ＧＨｚ以下でも良好な特性を発揮することができる。
　本開示のガラスセラミック基板は、上記いずれかに記載のガラスセラミック焼結体を有する。
　本開示に係る配線基板は、
絶縁基体と、配線導体とを有し、
前記絶縁基体が、上記に記載のガラスセラミック焼結体を有する。
図１は、本開示の実施形態に係るガラスセラミック配線基板の模式断面図である。 図２（Ｓ１）～図２（Ｓ３）は、本開示の一実施形態に係るガラスセラミック配線基板の製造方法のフローの一例を示す概略断面図である。 図３（Ｓ１）～図３（Ｓ３）は、本開示の他の実施形態に係るガラスセラミック基板の製造方法のフローの一例を示す概略断面図である。
　以下、本開示を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
　第１実施形態
  以下、本開示の一実施形態に係るガラスセラミック焼結体を用いたガラスセラミック配線基板と、その製造方法について説明する。
　（ガラスセラミック配線基板）
  図１は、本実施形態のガラスセラミック配線基板１０１の模式断面図である。図１においては、基板内に任意のピッチで配置された回路を構成する基本構造体の一つについて、中央付近の断面図を示してある。
　図１に示すように、ガラスセラミック配線基板１０１は、ガラスセラミック焼結体１で構成してある絶縁基体（絶縁層１ａ～１ｄ）と、配線導体（ビア導体３、実装用表面端子４、内部導体層５および表面導体層６）とを有する。詳しくは、ガラスセラミック配線基板１０１は、図１中で上下に隣り合う絶縁層１ａ～１ｄの間に所定パターンで設けられた内部導体層５を有する。
　一方の最外層である絶縁層１ａの外表面には、表面導体層６が設けられ、他方の最外層である絶縁層１ｄの外表面には、実装用表面端子４が設けられている。ガラスセラミック配線基板１０１は、絶縁層１ａ～１ｄを貫通して、異なる層位置に存在する内部導体層５の相互間あるいは表面導体層６（または実装用表面端子４）と内部導体層５とを接続するビア導体３を有する。なお、図１に示す実施形態のガラスセラミック配線基板１０１では、ビア導体３は、異なる層位置に存在する内部導体層５の相互間あるいは表面導体層６（または実装用表面端子４）と内部導体層５とを接続しているが、それに限定されない。
　また、図１に示す各絶縁層１ａ～１ｄは、単一のグリーンシートを焼成して得られるものでもよく、あるいは複数のグリーンシートの積層体を焼成して得られるものでもよい。また、絶縁層１ａ～１ｄの積層数は、図示する実施形態に限定されない。
　また、ガラスセラミック配線基板１０１の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は通常、縦５０ｍｍ～２００ｍｍ×横５０ｍｍ～２００ｍｍ×厚み０．２ｍｍ～２．５ｍｍ程度である。
　（ガラスセラミック焼結体）
  上述の絶縁層１ａ～１ｄは、それぞれが本開示の一実施形態に係るガラスセラミック焼結体１で構成されていて複合化されていてもよいし、一体化されて単一のガラスセラミック焼結体１で構成されていてもよい。
　本実施形態に係るガラスセラミック焼結体１は、ガラスおよび窒化ホウ素（ＢＮ）フィラーを含有するガラスセラミック焼結体である。ＢＮフィラーは、ホウ素窒化物で構成してあり、他の元素を合計で５原子％以下程度に含んでもよい。
　本実施形態に係るガラスセラミック焼結体１に含まれるガラスは、比誘電率が６．５以下であるガラスが好ましく、本実施形態では、ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスの少なくともいずれかに分類される。ホウケイ酸ガラスは、たとえばケイ素（Ｓｉ）酸化物とホウ素（Ｂ）酸化物とを主成分として含み、その他の成分として、リチウム（Ｌｉ）酸化物、ナトリウム（Ｎａ）酸化物、マグネシウム（Ｍｇ）酸化物、カリウム（Ｋ）酸化物、カルシウム（Ｃａ）酸化物、アルミ（Ａｌ）酸化物などを含んでもよい。アルミノホウケイ酸ガラスは、たとえばＳｉ酸化物とＢ酸化物とＡｌ酸化物とを主成分として含み、その他の成分として、Ｌｉ酸化物、Ｎａ酸化物、Ｍｇ酸化物、Ｋ酸化物、Ｃａ酸化物、などを含んでもよい。
　本実施形態では、ガラスセラミック焼結体に含まれるガラスの含有量は、５５質量％～９５質量％であり、好ましくは５５質量％～９０質量％であり、あるいは好ましくは５５質量％～８５質量％である。また、ガラスセラミック焼結体に含まれるＢＮフィラーの含有量は、５質量％～４５質量％であり、好ましくは１０質量％～４５質量％であり、あるいは好ましくは１５～４５質量％である。ＢＮフィラーの含有量が多すぎると、焼結性が悪くなるおそれがある。また、ＢＮフィラーの含有量が少なすぎると、高周波帯域において十分に性能が改善されない。
　ガラスセラミック焼結体１に含まれるガラスの含有量とＢＮフィラーの含有量は、たとえば以下のようにして求められる。まず、たとえばセラミック焼結体の断面のＳＥＭ写真の撮像を行い、その撮像画面から、ガラスとフィラーとを区別する。
　次に、ガラスと判断された部分について、ＳＥＭに搭載されているエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳまたはＥＤＸ）を用いて、ガラスの組成分析を行うことで、ホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、あるいはその他のガラスであるかの判定を行うことができる。
　また、フィラーと判断された部分に関しても、ＳＥＭ―ＥＤＸを用いて、その組成分析を行うことで、そのフィラーが、ＢＮフィラー、あるいはその他のフィラーかの判定を行うことができる。
　次に、たとえばセラミック焼結体の断面のＳＥＭ写真の所定観察範囲内でのガラスが占める面積割合と、ＢＮフィラーが占める面積割合から、それぞれの質量％を計算により求めることで、ガラスセラミック焼結体１に含まれるガラスの含有量とＢＮフィラーの含有量とを特定することができる。
　なお、ガラスの分析において、ガラスが、ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスに該当するか、あるいは、その他のガラスに該当するかは、主として、Ｓｉ酸化物、Ｂ酸化物およびＡｌ酸化物の含有量で判断することができる。測定の結果、Ｂ酸化物が３質量％以上含まれるケイ酸ガラスをホウケイ酸ガラス、Ｂ酸化物およびＡｌ酸化物がそれぞれ ３質量％以上含まれるケイ酸ガラスをアルミノホウケイ酸ガラスと判断することができる。
　本実施形態では、フィラーの形状には特に制限されず、鱗片状、粒形状、平板形状、針状などの形態で焼結体中に含まれていてもよい。フィラーの大きさは、特に限定されず、粒形状であれば、断面の撮像画面において、円相当径が、好ましくは１～１０μｍ程度である。
　本実施形態に係るガラスセラミック焼結体１には、ガラスおよびＢＮフィラー以外に、ＢＮフィラー以外のセラミックフィラー、または非酸化物、などのその他の成分が含まれていてもよい。その他の成分は、ガラスセラミック焼結体１に対して、４０質量％以下であることが好ましい。
　ＢＮフィラー以外のセラミックフィラーとしては、たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、窒化アルミ、窒化ケイ素、窒化チタンおよび炭化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１つ以上の材料のフィラーが挙げられる。
　また、非酸化物としては、たとえば窒化物、炭化物、フッ化物複合非酸化物でもよい）などが挙げられる。
　なお、本実施形態に係るガラスセラミック焼結体中に含まれる各種成分の測定法は、従来から一般的に知られている方法を用いることができるが、たとえば、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）により分析する手法、試料を溶融して高周波結合プラズマ発光分析装置（ＩＣＰ－ＡＥＳ）、もしくは、高周波誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ－ＭＳ）により分析する手法などにより測定される。
　（製造方法）
  次に、ガラスセラミック配線基板の製造方法の好適な実施形態を、図面を参照して説明する。図２（Ｓ１）～図２（Ｓ３）は、ガラスセラミック配線基板の製造方法のフローを説明するための概略断面図である。図２（Ｓ１）は、基板焼成前の各種パターンが形成されたガラスセラミック配線基板用グリーンシートの模式断面図である。また、図２（Ｓ２）は、図２（Ｓ１）で準備されたガラスセラミック配線基板用グリーンシートを積層した焼成前のガラスセラミック配線基板用積層体の模式断面図である。さらに、図２（Ｓ３）は、図２（Ｓ２）を焼成することにより得られたガラスセラミック配線基板の模式断面図である。
　本実施形態に係るガラスセラミック配線基板の製造方法では、まず、図２（Ｓ１）に示すように、ビア導体パターン１３、実装用の表面端子パターン１４、内部導体パターン１５および表面導体パターン１６の少なくとも一つが形成されたガラスセラミック配線基板用グリーンシート１１ａ～１１ｄを作製する。
　具体的には、以下のような方法により、グリーンシート１０を作製し、各種導体パターン１３、１４、１５および１６を形成する。
　まず、ガラスセラミック焼結体を構成する成分の原材料として、少なくともホウケイ酸ガラス粉末またはアルミノホウケイ酸ガラス粉末と、ＢＮフィラーとを準備する。
　なお、ホウケイ酸ガラス粉末またはアルミノホウケイ酸ガラス粉末は、１種類を単独で用いてもよいし、複数種類を組み合わせて用いてもよく、いずれの場合も、市販のものや生成したものを用いることができる。ＢＮフィラーは、市販のものや生成したものを用いることができる。
　ガラス粉末の粒径は、特に限定されないが、好ましくは０．５μｍ～３μｍである。ＢＮフィラーの形状は、特に限定されず、板状や球状、不定形状のものなどを用いることができる。また、ＢＮフィラーの平均粒径についても、特に限定されないが、好ましくは１μｍ～１０μｍであり、より好ましくは２μｍ～５μｍである。
　次に、製造するガラスセラミック焼結体の組成比率に応じて、ガラス粉末およびＢＮフィラーを秤量する。本実施形態において、混合を行う方法は、特に限定されないが、たとえば、水や有機溶媒、必要に応じて結合剤や可塑剤、分散剤などを添加し、ボールミルなどを使用し、湿式混合により行うことができる。このようにして上記原材料の混合物（原材料粉末）を塗料化して、グリーンシート用ペーストを調整する。
　グリーンシート用ペーストは、上記原材料粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。溶媒や添加剤の添加量は、特に制限はなく、通常の添加量とすればよく、用いる混合装置や、後工程において形成するシートの膜厚などに応じて、適宜選択することができる。
　たとえば、有機ビヒクルを用いる場合には、上記グリーンシート用ペースト中の有機ビヒクルの含有量は、原材料粉体１００重量％に対して、結合剤は５～１５重量％程度、溶剤は５０～１５０重量％程度とすればよい。また、必要に応じて添加される各種分散剤や可塑剤などの添加物は、これらの総含有量で１０重量％以下とすることが好ましい。
　なお、結合剤としては、たとえば、ポリビニルブチラール樹脂およびメタアクリル酸樹脂などが挙げられる。可塑剤としては、たとえば、フタル酸ジブチルなどが挙げられる。溶剤としては、たとえば、トルエン、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
　次に、得られたグリーンシート用ペーストを、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シートなどの支持体上に成膜し、支持体上にグリーンシート１０を形成する。成膜方法としては、ドクターブレード法、カレンダーロールなどの成型方法が使用できる。
　上述の方法により作製されたグリーンシート１０を準備し、各種導体パターン（内部導体パターン１５、表面導体パターン１６、実装用の表面端子パターン１４や、ビア導体パターン１３など）を形成し、ガラスセラミック配線基板用グリーンシート１１ａ～１１ｄを作製する。
　具体的には、まず、図２（Ｓ１）に示すように、準備したグリーンシート１０の所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成し、ここに導体ペーストを充填することによりビア導体パターン１３を形成する。また、内層となるグリーンシート１０の表面に所定のパターンで導体ペーストを印刷し、内部導体パターン１５を形成する。さらに、最も外側に配置されるグリーンシート１０には、表面導体パターン１６および実装用の表面端子パターン１４を形成する。なお、グリーンシート１０には、必要に応じて電子素子（インダクタやキャパシタなど）を形成してもよい。
　導体パターンの形成に用いる導電ペーストは、たとえば、Ａｇ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉなどの各種導電性金属や合金からなる導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調製することができる。導電ペーストに用いられる有機ビヒクルは、バインダと溶剤とを主たる成分として含有する。バインダ、溶剤および導電材料の配合比に特に制限はなく、たとえば、導電材料に対して、バインダを１質量％～１５質量％、溶剤を１０質量％～５０質量％配合することができる。導電ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤などから選択される添加物を添加してもよい。
　次に、図２（Ｓ２）に示すように、ガラスセラミック配線基板用グリーンシート１１ａ，１１ｂ，１１ｃおよび１１ｄをこの順で積層して、ガラスセラミック配線基板用積層体２１を形成する。
　その後、ガラスセラミック配線基板用積層体２１をプレスした後、ガラスセラミック配線基板用積層体２１を加熱して、積層体２１中の有機ビヒクルなどの成分を大気雰囲気中で除去する。その後に、その積層体２１を、８００℃～１０００℃の大気雰囲気中もしくは低酸素雰囲気中で焼成して、図２（Ｓ３）に示すようなガラスセラミック配線基板１０１を得る。
　なお、低酸素雰囲気とは、大気よりも酸素分圧が低い雰囲気を意味し、例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気、窒素等の不活性ガスを大気に混入した雰囲気、窒素と水素の混合ガス雰囲気、真空雰囲気等が挙げられる。窒化物をフィラーとして使用する場合、不活性ガスは窒素が望ましい。
　なお場合によっては、表面導体パターン上にめっきを施してもよい。めっき層として、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔなどから選ばれる少なくとも１種の金属を含むめっき層を用いてもよい。
　（まとめ）
  本実施形態に係るガラスセラミック焼結体によれば、上記の組成であることにより、高周波帯域において、比誘電率が好ましくは５以下、４．１以下、あるいは４未満と小さい。さらに本実施形態のガラスセラミック焼結体では、高周波での誘電損失が、好ましくは３．０×１０-3（３．０Ｅ－０３）以下、２．２×１０-3以下、あるいは２．１×１０-3程度に小さく、しかも周波数に対する誘電損失の変化率が、好ましくは１以下、０．７４以下、０．５０以下、０．３５以下、０以下、あるいはマイナスと小さい。
　したがって、本実施形態に係るガラスセラミック焼結体は、マイクロ波やミリ波が使用される各種モジュールや半導体素子などが実装されるパッケージなどの用途に好ましく用いられる。具体的には、本実施形態に係るガラスセラミック焼結体は、配線基板、反射基板、その他の基板、アンテナ、フィルターなどの用途に好適に用いられることができる。
　第２実施形態
  次に、本開示の他の実施形態に係るガラスセラミック焼結体を用いたガラスセラミック基板とその製造方法について説明する。なお、以下に示す部分以外は、第１実施形態と同様であり、重複する記載は一部省略する。
　図３は、第２実施形態に係るガラスセラミック基板の製造方法を説明するための断面図である。図３（Ｓ１）は、焼成前のガラスセラミック基板用グリーンシートの模式断面図である。また、図３（Ｓ２）は、図３（Ｓ１）で準備されたガラスセラミック基板用グリーンシートを積層した焼成前のガラスセラミック基板用積層体の模式断面図である。さらに、図３（Ｓ３）は、図３（Ｓ２）を焼成することにより得られたガラスセラミック基板の模式断面図である。
　本実施形態では、まず、図３（Ｓ１）に示すようにグリーンシート１０を用意する。具体的には、上述のグリーンシートの作製方法と同様とすればよい。次に、図３（Ｓ１）に示すように、ガラスセラミック基板用グリーンシート１２ａ，１２ｂ，１２ｃおよび１２ｄの順で積層して、ガラスセラミック基板用積層体２２を得る。その後、ガラスセラミック基板用積層体２２をプレスし、ガラスセラミック基板用積層体２２を加熱し、積層体２２中の有機ビヒクルなどの成分を大気雰囲気中で除去する。その後に、積層体２２を焼成することにより、図３（Ｓ３）に示すようなガラスセラミック基板１０２を得る。
　以上、本開示の好適な実施形態を説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。たとえば配線基板に備えられる絶縁基体（絶縁層）の枚数、および配線導体（内層導体層および表面導体層およびビア導体など）の構造や材質についても特に限定はない。
　また第２実施形態では、グリーンシートを積層し、ガラスセラミック積層体を形成してガラスセラミック基板を作製したが、必ずしもグリーンシートを積層する必要はなく、所定の厚みで形成されたグリーンシートを単板で焼成し、ガラスセラミック基板としてもよい。
　以下、実施例および比較例を参照して、本開示をより詳細に説明するが、本開示は下記の実施例に限定されるものではない。
　（実施例１～８）
  ホウケイ酸ガラス粉末およびＢＮフィラーを準備し、試料の組成比が表１に示す値となるように、それぞれの材料を秤量した。なお、ホウケイ酸ガラス粉末の組成は、ＳｉＯ2 ＝７０～９７質量％、Ｂ2 Ｏ3 ＝３～３０質量％、Ｌｉ2Ｏ＝０～１０質量％、Ｋ2Ｏ＝０～１０質量％、ＭｇＯ＝０～１０質量％、ＣａＯ＝０～２０質量％であった。
　次に、アクリル系樹脂を１５質量部、メチルエチルケトンを２０質量部、エタノールを２質量部、可塑剤（ブチルフタリルグリコール酸ブチル）を１質量部混合して、有機ビヒクルを調製した。
　そして、秤量したガラス粉末およびＢＮフィラーと、調製した有機ビヒクルとを配合し、ボールミルを用いて２４時間混合して、基板用グリーンシートを形成するための塗料を調製した。
　上述の基板用グリーンシート用塗料をポリエチレンテレフタレートフィルム上に、ドクターブレード法により成膜して基板用グリーンシートを形成した。なお、グリーンシートの厚みは、焼成後に５０μｍとなるように調整した。次にこれらを１０枚重ねた後、７４ＭＰａでプレス後、９００℃で３０分焼成し、ガラスセラミック焼結体を作製した。
　次に、得られたガラスセラミック焼結体について、まず、３０ＧＨｚで、誘電損失１（ｔａｎδ１）および比誘電率１（εr１）を測定し、その後に、６０ＧＨｚで、誘電損失２（ｔａｎδ２）および比誘電率２（εr２）を測定した。また、周波数（１ＧＨｚ）に対するｔａｎδの変化率を、変化率（％）＝１００×（ｔａｎδ２－ｔａｎδ１）／（ｔａｎδ１×（６０－３０））の式により求めた。結果を表１に示す。
　［組成評価］
  得られたガラスセラミック焼結体のガラスおよびＢＮフィラーの組成を分析した。組成分析は蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）による分析方法で行った。その結果、焼結体の組成が仕込み組成と等しいことを確認した。
　［比誘電率および誘電損失］
  比誘電率（εr）および誘電損失（ｔａｎδ）については、遮断円筒導波管法（ＪＩＳ　Ｒ１６６０－１）により周波数約３０ＧＨｚおよび６０ＧＨｚにおける特性を評価した。ガラスセラミック焼結体を所定形状に加工して評価を行った。具体的には、１０×１０×０．５ｍｍの板状になるよう焼結基板から切り出し、その切り出された板状サンプルをＴＥ０１１モード遮断円筒共振器に挟み込んで測定を行った。遮断円筒共振器の共振ピークの状態を測定するために、キーサイト・テクノロジー(株)製ネットワーク・アナライザネットワークアナライザＮ５２４７Ａおよび解析のためのコンピューターに接続されており、それら一連のシステムにより、測定した。
　（比較例１）
  ＢＮフィラーの代わりに、ＳｉＯ2から成るＳｉＯ2フィラーを用いた以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミック焼結体を作製し、同様な測定を行った。結果を表１に示す。
　（比較例２）
  ＢＮフィラーの代わりに、Ａｌ2Ｏ3から成るＡｌ2Ｏ3フィラーを用い、ホウケイ酸ガラスの代わりに、アルミノホウケイ酸ガラスを用いた以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミック焼結体を作製し、同様な測定を行った。結果を表１に示す。
　なお、アルミノホウケイ酸ガラスの組成は、ＳｉＯ2＝７０～９７質量％、Ｂ2Ｏ3＝３～３０質量％、Ａｌ2Ｏ3＝３～３０質量％、Ｌｉ2Ｏ＝０～１０質量％、Ｋ2Ｏ＝０～１０質量％、ＭｇＯ＝０～１０質量％、ＣａＯ＝０～２０質量％であった。
（比較例３）
　試料の組成比が表１に示す値となるように、それぞれの材料を秤量したこと以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミック焼結体を作製し、同様な測定を行った。結果を表１に示す。
（比較例４）
　試料の組成比が表１に示す値となるように、それぞれの材料を秤量したこと以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミック焼結体の作製を試みた。しかしながら、比較例４では焼結が不十分となり、ガラスセラミック焼結体を得ることができなかった。
　（評価１）
  各比較例と比較して、表１に記載の各実施例では、３０ＧＨｚ以上および６０ＧＨｚ以上の高周波帯域において、比誘電率が５未満と低く周波数によらずに変化せず、しかもｔａｎδが３．０×１０-3以下と小さいことが確認できた。すなわち、表１に記載の各実施例のガラスセラミック焼結体は、３０ＧＨｚ以上および６０ＧＨｚ以上の高周波用の電子部品に用いて特に好ましいことが確認できた。加えて各実施例において１ＧＨｚにおけるｔａｎδの計算値は３．０×１０-3以下と充分小さい値を示しているため、表１に記載の各実施例は３０ＧＨｚ以下においても良好な特性であることが確認できた。
　さらに、ＢＮフィラーの含有量が４５質量％～５質量％の範囲内である各実施例では、周波数（１ＧＨｚ）に対するｔａｎδの変化率が１％以下と小さいことが確認できた。特にＢＮフィラーの含有量が２０質量％～４５質量％の各実施例では、周波数（１ＧＨｚ）に対する誘電損失の変化率がマイナスであり、６０ＧＨｚ以上の高周波では、さらにｔａｎδが低くなることが予測される。この変化率は、マイナスの値が大きいほど、さらなる高周波において、ｔａｎδがさらに低くなることが予測される。
（実施例１１）
  ホウケイ酸ガラスの代わりに、アルミノホウケイ酸ガラスを用いたこと以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミック焼結体を作製し、同様な測定を行った。結果を表１に示す。
　なお、アルミノホウケイ酸ガラスの組成は、ＳｉＯ2 ＝７０～９７質量％、Ｂ2 Ｏ3 ＝３～３０質量％、Ａｌ2 Ｏ3 ＝３～３０質量％、Ｌｉ2Ｏ＝０～１０質量％、Ｋ2Ｏ＝０～１０質量％、ＭｇＯ＝０～１０質量％、ＣａＯ＝０～２０質量％であった。
（評価２）
　表１から明らかな通り、アルミノホウケイ酸ガラスを用いた場合においても、ＢＮフィラーの組成比を所定の範囲に調節した実施例１１では、３０ＧＨｚ以上および６０ＧＨｚ以上の高周波帯域において、比誘電率が５未満と低く周波数によらずに変化せず、しかもｔａｎδが３．０×１０-3未満と小さいことが確認できた。
（実施例２１）
　ホウケイ酸ガラス粉末、ＢＮフィラーに加えてさらにＡｌ2Ｏ3フィラーを準備し、試料の組成比が表２に示す値となるようにそれぞれの材料を秤量したこと以外は、実施例１と同様にガラスセラミック焼結体を作製し、実施例１と同様な測定を行った。結果を表２に示す。
（評価３）
　表２に示されるように、ガラスおよびＢＮフィラー以外に、ＢＮフィラー以外のセラミックフィラーが含まれる場合であっても、表１に示す実施例と同様の効果を示すことがわかった。すなわち、実施例２１のガラスセラミック焼結体は、３０ＧＨｚ以上および６０ＧＨｚ以上の高周波用の電子部品に用いて好適に利用可能であることが確認できた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　１　ガラスセラミック焼結体
　　１ａ～１ｄ　絶縁層
３　ビア導体
４　実装用の表面端子
５　内部導体層
６　表面導体層
１０　グリーンシート
　１１ａ～１１ｄ　配線基板用グリーンシート
　１２ａ～１２ｄ　基板用グリーンシート
１３　ビア導体パターン
１４　表面端子パターン
１５　内部導体パターン
１６　表面導体パターン
２１　配線基板用積層体
２２　基板用積層体
１０１　配線基板
１０２　基板

Claims (5)

  1. 　ガラスとフィラーとを含有するガラスセラミック焼結体であり、
    前記ガラスは、ホウケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスの少なくともいずれかを含有し、
    前記フィラーは、ホウ素窒化物で構成してあるＢＮフィラーを含み、
    前記ガラスの合計含有量は、５５質量％以上９５質量％以下であり、
    前記ＢＮフィラーの含有量は、５質量％以上４５質量％以下であるガラスセラミック焼結体。
  2. 前記ガラスの合計含有量は、５５質量％以上９０質量％以下であり、
    前記ＢＮフィラーの含有量は、１０質量％以上４５質量％以下である請求項１に記載のガラスセラミック焼結体。
  3. 前記ガラスの合計含有量は、５５質量％以上８５質量％以下であり、
    前記ＢＮフィラーの含有量は、１５質量％以上４５質量％以下である請求項１に記載のガラスセラミック焼結体。
  4. 　請求項１に記載のガラスセラミック焼結体を有するガラスセラミック基板。
  5. 　絶縁基体と、配線導体とを有し、
    前記絶縁基体が、請求項１に記載のガラスセラミック焼結体を有する配線基板。
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