WO2021075101A1

WO2021075101A1 - 測定回路、および、電子機器

Info

Publication number: WO2021075101A1
Application number: PCT/JP2020/027194
Authority: WO
Inventors: 拓朗古坂; 恭一竹中
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2019-10-18
Filing date: 2020-07-13
Publication date: 2021-04-22
Also published as: CN114402585A; US20240085246A1; JP2021067473A

Abstract

オペアンプを用いて温度を測定する回路において、温度の測定精度を向上させる。　オペアンプは、一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力する。抵抗の一端は一対の入力端子の一方に接続される。抵抗側整流素子は、抵抗の他端に接続される。端子側整流素子は、一対の入力端子の他方に接続される。スイッチは、抵抗側整流素子および端子側整流素子の一方に追加整流素子を並列に接続する。電流出力部は、出力電圧に応じた電流を出力する。差分取得部は、追加整流素子が接続されていないときの電流に応じた信号と追加整流素子が接続されているときの電流に応じた信号との差分を温度データとして求める。

Description

測定回路、および、電子機器

　本技術は、測定回路、および、電子機器に関する。詳しくは、温度に応じた信号を生成する温度センサ、および、電子機器に関する。

　従来より、車載機器などにおいては、温度が上昇しても機器の性能が低下しないように制御する目的で、動作中に温度を測定する機能が設けられることが多い。例えば、画像データの撮像中に、温度を測定するＢＧＲ（Band Gap Reference）回路を設けた撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このＢＧＲ回路内には、抵抗、オペアンプやトランジスタが配置され、そのトランジスタからは温度に比例した電流が出力される。その電流から測定された温度は、画素信号の補正に用いられる。画素信号中の暗電流成分は、温度に応じて変動するため、例えば、温度に基づいて暗電流成分が補正される。

特開２０１１－１８８２２４号公報

　上述の従来技術では、測定した温度を用いて画素信号の補正を行うことにより、画質の向上を図っている。しかしながら、上述の回路では、ＢＧＲ回路内のオペアンプの入力オフセット電圧に起因して、温度の測定値に誤差が生じるおそれがある。温度の測定値に誤差が生じると、画素信号を適切に補正することができず、結果として画質が低下してしまう。

　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、オペアンプを用いて温度を測定する回路において、温度の測定精度を向上させることを目的とする。

　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、上記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、上記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、上記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、追加整流素子と、上記抵抗側整流素子および上記端子側整流素子の一方に上記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、上記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、上記追加整流素子が接続されていないときの上記電流に応じた信号と上記追加整流素子が接続されているときの上記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部とを具備する測定回路である。これにより、オペアンプの入力オフセット電圧の成分が除去されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記電流を電圧に変換する電流電圧変換部をさらに具備し、上記差分取得部は、上記電圧の差分を上記温度データとして求めてもよい。これにより、電圧の差分が温度データとして取得されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記電流出力部は、入力ノードからの電流を上記電流電圧変換部に出力するカレントミラー回路と、電源と上記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、上記電源と上記抵抗との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、上記電源と上記入力ノードとの間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタとを備えてもよい。これにより、カレントミラー回路を介して電流が出力されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記電流出力部は、電源と上記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、上記電源と上記抵抗との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタとを備え、上記端子側整流素子と上記抵抗側整流素子とは、所定のコモンノードを介して上記電流電圧変換部に共通に接続されてもよい。これにより、カレントミラー回路が削減されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記電流生成部は、電源と上記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、上記電源と上記抵抗との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、上記電源と上記電流電圧変換部との間に挿入され、ゲートに上記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタとを備えてもよい。これにより、カレントミラー回路が削減されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記抵抗と上記電流出力部との間のノードの電圧を出力する電圧バッファをさらに具備することもできる。これにより、電流電圧変換部が削減されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記追加整流素子は、第１および第２の追加整流素子を含み、上記スイッチは、第１および第２のスイッチを含み、上記第１のスイッチは、上記抵抗側整流素子および上記端子側整流素子の一方に上記第１の追加整流素子を並列に接続し、上記第２のスイッチは、上記抵抗側整流素子および上記端子側整流素子の他方に上記第２の追加整流素子を並列に接続してもよい。これにより、温度に対する係数の微調整が容易になるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記端子側整流素子、上記抵抗側整流素子および上記追加整流素子は、ダイオード接続されたトランジスタであってもよい。これにより、トランジスタの温度特性に基づいて温度データが生成されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、上記端子側整流素子、上記抵抗側整流素子および上記追加整流素子は、ダイオードであってもよい。これにより、ダイオードの温度特性に基づいて温度データが生成されるという作用をもたらす。

　また、この第１の側面において、前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子のそれぞれと所定のコモンノードとの間に配置されたオン状態のダミースイッチをさらに備え、前記スイッチおよび前記ダミースイッチは、極性が同一のトランジスタであってもよい。これにより、整流素子のコモンノード側の電位が揃うという作用をもたらす。

　また、本技術の第２の側面は、一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、上記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、上記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、上記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、追加整流素子と、上記抵抗側整流素子および上記端子側整流素子の一方に上記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、上記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、上記追加整流素子が接続されていないときの上記電流に応じた信号と上記追加整流素子が接続されているときの上記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部と、上記温度データに基づいて画素信号を処理する信号処理部とを具備する電子機器である。これにより、高精度の温度データにより画素信号が処理されるという作用をもたらす。

　また、この第２の側面において、上記信号処理部は、上記温度データと所定の設定温度とに基づいて上記温度データを補正するためのパラメータを演算するパラメータ演算部と上記パラメータを記憶するパラメータ記憶部と、上記記憶されたパラメータを用いて上記温度データを補正する温度特性補正部とを備えてもよい。これにより、温度データの誤差が補正されるという作用をもたらす。

　また、この第２の側面において、上記画素信号を生成する画素と、上記画素信号と上記電流に応じた温度信号とのいずれかを選択して上記差分取得部に出力するセレクタとをさらに具備し、上記差分取得部は、上記温度信号が選択された場合には上記温度信号をデジタル信号に変換するとともに上記差分を取得し、上記画素信号が選択された場合には上記画素信号をデジタル信号に変換してもよい。これにより、画像データの撮像中に温度データが測定されるという作用をもたらす。

本技術の第１の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図である。本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサの一構成例を示すブロック図である。本技術の第１の実施の形態におけるカラムＡＤＣの一構成例を示すブロック図である。本技術の第１の実施の形態におけるコンパレータの一構成例を示す回路図である。本技術の第１の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第１の実施の形態における信号処理部の一構成例を示すブロック図である。本技術の第１の実施の形態における測定回路の一構成例を示すブロック図である。本技術の第１の実施の形態におけるダミースイッチを追加した温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサの動作の一例を示すタイミングチャートである。本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサの画素信号に対するＡＤ（Analog to Digital）変換動作の一例を示すタイミングチャートである。本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサの温度信号に対するＡＤ変換動作の一例を示すタイミングチャートである。本技術の第１の実施の形態と比較例とにおける温度の測定結果の一例を示すグラフである。本技術の第１の実施の形態における撮像装置の動作の一例を示すフローチャートである。本技術の第１の実施の形態におけるパラメータ演算処理の一例を示すフローチャートである。本技術の第１の実施の形態における温度データ生成処理の一例を示すフローチャートである。本技術の第１の実施の形態における温度測定処理の一例を示すフローチャートである。本技術の第２の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第３の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第４の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第５の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。本技術の第６の実施の形態における温度信号出力回路の一構成例を示す回路図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（追加整流素子を並列に接続する例）
　２．第２の実施の形態（追加整流素子を並列に接続し、カレントミラー回路を削減した例）
　３．第３の実施の形態（追加整流素子を並列に接続し、電流電圧変換部を削減した例）
　４．第４の実施の形態（追加整流素子を並列に接続し、カレントミラー回路を削減した例）
　５．第５の実施の形態（追加整流素子を正側と負側とに並列に接続する例）
　６．第６の実施の形態（追加整流素子としてダイオードを並列に接続する例）
　７．移動体への応用例

　＜１．第１の実施の形態＞
　［撮像装置の構成例］
　図１は、本発明の第１の実施の形態における撮像装置１００の一構成例を示すブロック図である。この図に示す撮像装置１００は、撮像により得た画像を、動画または静止画形式のデータとして記憶媒体に記憶させることができる。なお、この図に示す撮像装置１００の構成は、後述する本発明の第２乃至第６の実施の形態においても共通となる。

　この図に示す撮像装置１００は、光学系部１０１と、フィルタ１０２と、イメージセンサ１０３と、信号処理部１０４と、エンコード／デコード部１０５と、メディアドライブ１０６とを備える。さらに、制御部１０８と、ゲイン設定部１０９と、シャッタ駆動部１１０と、絞り駆動部１１１と、照度検出部１１４と、表示部１１２と、操作部１１３とを備える。

　光学系部１０１は、入射された光に対して光学的な処理を行うものである。この光学系部１０１は、レンズ部１２１と、絞り１２２とを有している。レンズ部１２１は、所定枚数の撮像用の固定レンズや、ズームレンズおよびフォーカスレンズなどから成る。ここでは図示していないが、ズームレンズおよびフォーカスレンズは、ズーム制御、フォーカシング制御に応じて、撮像光の光軸方向に沿って移動するようにして駆動される。絞り１２２は、レンズ部１２１からの撮像光の光量を調整するための機構部位であり、絞り駆動部１１１によって絞り値に応じた開口量となるようにして駆動される。

　光学系部１０１に入射された光は、撮像光として、フィルタ１０２を介してイメージセンサ１０３の受光面にて結像される。フィルタ１０２は、例えば撮像には不要な波長の光成分を除去するものである。

　イメージセンサ１０３は、上記光学系部１０１から入射された撮像光を、固体撮像素子により電気信号に変換して画像信号を出力するものである。すなわち、このイメージセンサ１０３は光電変換を行う。このようなイメージセンサとしては、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサ、ＣＭＯＳセンサなどが知られているが、本発明の実施の形態では、ＣＭＯＳセンサを採用しているものとする。ＣＭＯＳセンサとしてのイメージセンサは、内部にＡＤＣ（Analog to Digital Converter）を備えることで、画像信号として、デジタル形式による画像データを出力する構成とすることができる。なお、本発明の実施の形態においては、イメージセンサ１０３から、画像データとともに温度データＤｔも出力される。この温度データは、イメージセンサ１０３としての回路が実装されるＩＣ（Integrated Circuit）チップの温度を示す。このような画像データおよび温度データを出力可能なイメージセンサ１０３の内部構成例については、図２により後述する。

　イメージセンサ１０３から出力される画素データＤｖは、信号処理部１０４に対して入力される。信号処理部１０４では、画素ごとの画素データＤｖについて所要の信号処理を施すことで、動画形式または静止画形式の画像データを生成する。

　信号処理部１０４により生成した画像データを記憶媒体１０７に記録させる場合には、その画像データをエンコード／デコード部１０５に対して出力する。エンコード／デコード部１０５は、信号処理部１０４から出力される画像データについて、所定の圧縮符号化方式により圧縮符号化を実行したうえで、例えば制御部１０８の制御に応じてヘッダなどを付加して、所定形式に圧縮された画像データ形式に変換する。そして、このようにして生成した画像データをメディアドライブ１０６に転送する。メディアドライブ１０６は、転送されてくる画像データを記憶媒体１０７に対して書き込んで記憶させる。なお、記憶媒体１０７は、例えばリムーバブル形式を想定して、メディアドライブ１０６に対して装脱可能な形態としてもよく、また、例えばＨＤＤ（Hard Disc Drive）などのようにして予め撮像装置１００内に内蔵される形態としてもよい。

　また、この撮像装置１００は、信号処理部１０４にて生成した画像データを利用して、スルー画像といわれる現在撮影中の画像を表示部１１２に表示させることができる。このためには、例えば信号処理部１０４にて生成した動画像形式の画像データを、制御部１０８の制御に従って、表示部１１２での表示に対応した解像度に変換したうえで、表示部１１２に転送して表示させる。このようにして表示される画像をユーザが見れば、そのときに撮像している画像が表示部１１２にて動画的に表示されることになる。このようにしてスルー画像の表示が行われる。なお、信号処理部１０４の処理の一部または全てをイメージセンサ１０３内で実行する構成としてもよい。

　また、撮像装置１００は、記憶媒体１０７に記録されている画像データを再生して、その画像を表示部１１２に対して表示させることもできる。

　このためには、例えば操作部１１３に対して行われた画像の再生操作に応じて、制御部１０８が画像データを指定して、メディアドライブ１０６に対して記憶媒体１０７からのデータの読み出しを命令する。この命令に応答して、メディアドライブ１０６は、記憶媒体１０７から指定された画像データの読み出しを実行し、読み出したデータを、エンコード／デコード部１０５に対して転送する。

　エンコード／デコード部１０５は、例えば制御部１０８の制御に従って、メディアドライブ１０６から転送されてきた画像データについて、圧縮符号化に対する復号処理を実行し、この場合には、信号処理部１０４に転送する。信号処理部１０４は、転送されてきた画像データを、例えば表示部１１２での表示に適合した解像度に変換するなどして表示部１１２に対して転送する。これにより、表示部１１２においては、記憶媒体１０７に記憶されている画像データの画像が、動画または静止画として再生表示される。

　制御部１０８は、例えば実際においてはＣＰＵ（Central Processing Unit）を備えて成る。そして、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などとともにマイクロコンピュータとして形成される。そして、撮像装置１００における各種の制御、処理を実行する。

　シャッタ駆動部１１０は、制御部１０８の制御に応じて、イメージセンサ１０３からの画素データの読み出し動作を制御することで電子シャッタを実現する。例えば、このシャッタ駆動部１１０の制御によって、電子シャッタのシャッタ速度が変更される。

　絞り駆動部１１１は、制御部１０８の制御に応じて、絞り１２２の開口量を変化させる。例えば、制御部１０８は、自動露出制御（AE : Automatic Exposure）を実行可能である。この自動露出制御に際しては、判定した適正露出に対応したシャッタ速度、絞り１２２の開口量（絞り値）、およびゲインが得られるように、シャッタ駆動部１１０、絞り駆動部１１１、およびゲイン設定部１０９を制御する。

　照度検出部１１４は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスタを備えて形成され、照度を検出する。

　操作部１１３は、撮像装置１００に備えられる各種操作子と、これらの操作子に対して行われた操作に応じた操作信号を生成して制御部１０８に出力する信号出力部位とを一括して示している。制御部１０８は、操作部１１３から入力される操作信号に応じて所定の処理を実行する。これによりユーザ操作に応じた撮像装置１００の動作が得られる。

　なお、撮像装置１００は、特許請求の範囲に記載の電子機器の一例である。

　［イメージセンサの構成例］
　図２は、イメージセンサ１０３の一構成例を示すブロック図である。先にも述べたように、本実施形態のイメージセンサ１０３には、ＣＭＯＳセンサを採用している。

　図２に示すように、イメージセンサ１０３は、画素アレイ２１０、行走査回路２２０、カラムＡＤＣ２３０およびＤＡＣ（Digital to Analog Converter）２５０を備える。また、イメージセンサ１０３は、温度信号出力回路３００、列走査回路２６０、バッファアンプ２８０およびタイミング制御回路２９０をさらに備える。画素アレイ２１０は、例えば１つのチップ（半導体基板）上に形成されるが、図２において示される画素アレイ２１０以外の上記各部位、回路等も、画素アレイ２１０と同じチップ上に集積されるようにして形成される。

　画素アレイ２１０においては、多数の画素２１１がＮ行×Ｍ列によるマトリクス状（行列状）に配列される。ここで、ＮおよびＭは、整数である。画素２１１としての部分の構成についての図示はここでは省略するが、例えば、次のような素子を備えて形成される。すなわち、例えばフォトダイオードなどの光電変換素子、光電変換素子で光電変換して得られる電荷をＦＤ（Floating Diffusion）部に転送する転送トランジスタを備える。さらに、ＦＤ部の電位を制御するリセットトランジスタ、ＦＤ部の電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタを備える。このような構成は、３つのトランジスタを有することから３トランジスタ構成などともいわれる。また、３トランジスタ構成に対して、さらに画素選択を行うための選択トランジスタを設けた、４トランジスタ構成も採用できる。

　画素アレイ２１０における列（垂直）方向の画素２１１の配列において、第１列に配列される画素２１１の各々に対しては、列信号線２１３－１が接続される。同様に、残る第２列～第ｍ列においても、各列に配列される画素２１１のそれぞれに対して、列信号線２１３－２乃至２１３－Ｍが接続される。

　カラムＡＤＣ２３０は、列信号線２１３－１乃至２１３－Ｍから出力される画素信号をデジタル信号に変換して画像データとして出力するものである。また、カラムＡＤＣ２３０は、温度信号出力回路３００からのアナログの温度信号Ｖｔｅｍｐに基づいて、温度データＤｔを生成する。

　ＤＡＣ２５０は、ＤＡ（Digital to Analog）変換により、所定の参照信号を生成するものである。参照信号として、例えば、のこぎり刃状のランプ信号が生成される。このＤＡＣ２５０は、ランプ信号をカラムＡＤＣ２３０に供給する。

　列走査回路２６０は、例えば行走査回路２２０と同様にシフトレジスタまたはデコーダなどにより形成される。この列走査回路２６０は、タイミング制御回路２９０から出力される、列走査タイミング信号に応じたタイミングで列制御信号を出力し、列走査を行う。この走査が行われるタイミングに応じて、画素データＤｖや温度データＤｔがバッファアンプ２８０へ出力される。そして、これらの画素データＤｖおよび温度データＤｔは、バッファアンプ２８０を介して信号処理部１０４へ出力される。

　タイミング制御回路２９０は、入力されるマスタークロックに基づいて、所要のクロックやタイミング信号等を生成して、しかるべき部位に出力する。

　また、タイミング制御回路２９０には、モード信号ＭＯＤＥが入力される。このモード信号ＭＯＤＥは、撮像装置１００の動作モードを示す信号であり、例えば、制御部１０８により生成される。撮像装置１００のモードは、キャリブレーションモードと、撮像モードとを含む。

　ここで、キャリブレーションモードは、温度データＤｔを補正するためのパラメータを演算するモードである。一方、撮像モードは、画像データを撮像するモードである。この撮像モードにおいては、温度データＤｔも同時に生成され、パラメータにより補正される。

　また、タイミング制御回路２９０は、キャリブレーションモードおよび撮像モードにおいて、温度信号出力回路３００に制御信号ＳＷｐｄを供給し、温度信号Ｖｔｅｍｐを出力させる。

　温度信号出力回路３００は、制御信号ＳＷｐｄに従って、温度信号ＶｔｅｍｐをカラムＡＤＣ２３０に出力するものである。

　［カラムＡＤＣの構成例］
　図３は、本技術の第１の実施の形態におけるカラムＡＤＣ２３０の一構成例を示すブロック図である。このカラムＡＤＣ２３０には、複数のセレクタ２３１と、複数のＡＤＣ２３２とが配列される。セレクタ２３１およびＡＤＣ２３２のそれぞれは、画素アレイ２１０内の列ごとに設けられる。列数をＭとすると、セレクタ２３１およびＡＤＣ２３２は、それぞれＭ個ずつ設けられる。

　セレクタ２３１は、対応する列からの画素信号Ｖｘと、温度信号Ｖｔｅｍｐとのいずれかを選択するものである。ｍ（ｍは、１乃至Ｍの整数）個目のセレクタ２３１には、タイミング制御回路２９０からの選択信号ＳＥＬｍが入力される。ｍ個目のセレクタ２３１は、その選択信号ＳＥＬｍに従って、画素信号Ｖｘおよび温度信号Ｖｔｅｍｐのいずれかを選択し、対応するＡＤＣ２３２へ出力する。

　タイミング制御回路２９０は、選択信号ＳＥＬｍにより、Ｍ個のセレクタ２３１のいずれかのみに温度信号Ｖｔｅｍｐを選択させ、残りのセレクタ２３１に画素信号Ｖｘを選択させる。

　ＡＤＣ２３２は、セレクタ２３１からの信号をＡＤ変換するものである。Ｍ個のセレクタ２３１のいずれかのみが温度信号Ｖｔｅｍｐを選択するため、Ｍ個のＡＤＣ２３２のいずれかは、温度信号ＶｔｅｍｐをＡＤ変換し、残りは、画素信号ＶｘをＡＤ変換する。

　ＡＤＣ２３２のそれぞれは、コンパレータ２４０およびカウンタ２３３を備える。コンパレータ２４０は、セレクタ２３１からの信号と、ＤＡＣ２５０からの参照信号ＲＭＰとを比較するものである。このコンパレータ２４０は、比較結果を表す出力信号Ｖｃをカウンタ２３３に供給する。また、コンパレータ２４０には、タイミング制御回路２９０からのタイミング信号ＴＭ４が入力される。このタイミング信号ＴＭ４は、コンパレータ２４０を初期化するタイミングを示す信号である。

　カウンタ２３３は、出力信号Ｖｃが反転するまでの期間に亘って、クロック信号ＣＫに同期してカウンタ値を計数するものである。また、カウンタ２３３には、タイミング制御回路２９０からのクロック信号ＣＫ、タイミング信号ＴＭ１およびＴＭ２が入力される。タイミング信号ＴＭ１は、ダウンカウントの開始タイミングを示す信号である。一方、タイミング信号ＴＭ２は、アップカウントの開始タイミングを示す信号である。

　タイミング制御回路２９０は、行が走査されるたびに、ＡＤＣ２３２のそれぞれにＡＤ変換を行わせる。行ごとのＡＤ変換において、タイミング制御回路２９０は、タイミング信号ＴＭ１によりコンパレータ２４０を初期化し、タイミング信号ＴＭ１およびＴＭ２を順に供給してダウンカウントおよびアップカウントを順に実行させる。

　ここで、画素信号Ｖｘは、Ｐ相レベルおよびＤ相レベルを含む。Ｐ相レベルは、画素のＦＤ部を初期化したときの画素信号Ｖｘのレベルであり、Ｄ相レベルは、画素内の光電変換素子からＦＤ部へ電荷が転送されたときの画素信号Ｖｘのレベルである。

　タイミング制御回路２９０は、Ｐ相レベルが出力された期間内にカウンタ２３３にダウンカウントを実行させ、Ｄ相レベルが出力された期間内にカウンタ２３３にアップカウントを実行させる。これにより、画素信号ＶｘのＰ相レベルとＤ相レベルとの差分がＡＤＣ２３２により演算される。このように、画素信号を複数回に亘ってサンプリングする処理は、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理と呼ばれる。

　なお、ＡＤＣ２３２は、ダウンカウントおよびアップカウントを順に実行しているが、ダウンカウントおよびアップカウントの一方のみを行ってもよい。この場合には、ＡＤＣ２３２の後段に、カウンタ値の差分を演算するＣＤＳ回路を追加すればよい。

　また、列ごとにセレクタ２３１を配置しているが、この構成に限定されない。例えば、セレクタ２３１をいずれかの列のみに配置し、他の列の画素を、その列のＡＤＣ２３２に直接接続することもできる。また、全ての列にセレクタ２３１を配置せず、温度信号出力回路３００を、いずれかの列のＡＤＣ２３２に接続し、他の列の画素を、その列のＡＤＣ２３２に接続することもできる。あるいは、温度データを生成するための専用のＡＤＣを追加することもできる。この場合には、Ｍ列に対して、Ｍ＋１個のＡＤＣを配置し、いずれかのＡＤＣを温度信号出力回路３００に接続すればよい。

　［コンパレータの構成例］
　図４は、本技術の第１の実施の形態におけるコンパレータ２４０の一構成例を示す回路図である。このコンパレータ２４０は、ｐＭＯＳ（p-channel Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ２４１乃至２４４と、ｎＭＯＳ（n-channel MOS）トランジスタ２４５乃至２４７とを備える。さらにコンパレータ２４０は、コンデンサ２４８および２４９を備える。

　ｎＭＯＳトランジスタ２４５および２４６は、互いのソースが共通に接続され、この接続点は、ｎＭＯＳトランジスタ２４７のドレイン、ソースを介して接地される。コンパレータ２４０に対する入力信号のうち、参照信号ＲＭＰは、コンデンサ２４８を介してｎＭＯＳトランジスタ２４５のゲートに入力される。一方、セレクタ２３１からの信号（画素信号Ｖｘまたは温度信号Ｖｔｅｍｐ）は、コンデンサ２４９を介してｎＭＯＳトランジスタ２４６のゲートに入力される。

　また、ｎＭＯＳトランジスタ２４５のドレインは、ｐＭＯＳトランジスタ２４１を介して電源電圧ＶＤＤと接続される。ｐＭＯＳトランジスタ２４１のソースは電源電圧ＶＤＤ側と接続され、ｐＭＯＳトランジスタ２４１のドレインはｎＭＯＳトランジスタ２４５のソースと接続される。また、ｐＭＯＳトランジスタ２４１のドレインおよびゲートは短絡される。

　また、ｎＭＯＳトランジスタ２４６のドレインは、ｐＭＯＳトランジスタ２４２を介して電源電圧ＶＤＤと接続される。ｐＭＯＳトランジスタ２４２のソースは電源電圧ＶＤＤ側と接続され、ｐＭＯＳトランジスタ２４２のドレインはｎＭＯＳトランジスタ２４６のソースと接続される。ｐＭＯＳトランジスタ２４２およびｎＭＯＳトランジスタ２４６の接続ノードからは、出力信号Ｖｃが出力される。

　また、ｐＭＯＳトランジスタ２４３および２４４の各ゲートにはタイミング信号ＴＭ４が分岐して入力される。また、ｐＭＯＳトランジスタ２４３のドレイン、ソースは、それぞれ、ｎＭＯＳトランジスタ２４５のドレイン、ゲートと接続される。同様に、ｐＭＯＳトランジスタ２４４のドレイン、ソースは、それぞれ、ｎＭＯＳトランジスタ２４６のドレイン、ゲートと接続される。

　上述した接続構成により、コンパレータ２４０内の回路は、差動増幅回路を構成する。この差動増幅回路を形成するｎＭＯＳトランジスタ２４５および２４６の各ゲート電位は、例えば、画素信号Ｖｘと参照信号ＲＭＰのそれぞれが含むＤＣ（Direct Current）オフセット成分を含んでいる。また、例えばｎＭＯＳトランジスタ２４５および２４６自体の閾値（Ｖｔｈ）ばらつきなどを要因とするオフセット電位を含んでいる。しかし、ローレベルのタイミング信号ＴＭ４が入力されると、ｎＭＯＳトランジスタ２４５および２４６の動作点がドレイン電位にリセットされて、上記のオフセット電位はほぼキャンセルされる。これによって、コンパレータ２４０における２つの入力端子の電位をほぼ同じとすることになる。なお、以降においては、このようにコンパレータ２４０の入力端子が同電位となるようにリセットする動作を「入力端子電位リセット」ともいう。この入力端子電位リセットが行われることで、例えば実際の動作においては、画素信号Ｖｘと参照信号ＲＭＰとを比較するのに要する時間を短くすることが可能になる。

　［温度信号出力回路の構成例］
　図５は、本技術の第１の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この温度信号出力回路３００は、電流生成部３１０、電流電圧変換部３５０および電圧バッファ３６０を備える。

　電流生成部３１０は、温度を測定するための電流Ｉ_ＰＴＡＴを生成するものである。この電流生成部３１０は、オペアンプ３１１と、バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５と、抵抗３１３と、スイッチ３１６と、電流出力部３３０とを備える。バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５として、例えば、ｎｐｎ型のトランジスタが用いられる。

　オペアンプ３１１は、反転入力端子（－）および非反転入力端子（＋）のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するものである。

　ここで、一般に、理想的なオペアンプでは、入力端子間の電圧差がゼロである場合、出力電圧はゼロとなる。しかし、実際には、オペアンプ内のトランジスタの特性のばらつきなどに起因して、入力端子間の電圧差がゼロであっても、出力電圧がゼロとならないことが多い。入力端子間の電圧差がゼロのときに生じるオフセットの出力電圧は、出力電圧をゼロにするために必要な入力端子間の電圧差に換算することができ、その値は入力オフセット電圧と呼ばれる。同図においては、負側にプラスの入力オフセット電圧Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}が生じたものとして、その電圧を点線の図記号により表している。

　バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５のそれぞれは、ベースおよびコレクタが短絡（いわゆる、ダイオード接続）されている。バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５のそれぞれの個数は任意である。ただし、バイポーラトランジスタ３１２よりもバイポーラトランジスタ３１４や３１５の個数が多い方が好ましい。以下、例えば、バイポーラトランジスタ３１２を１つとし、バイポーラトランジスタ３１４の個数をＫ（Ｋは、整数）とし、バイポーラトランジスタ３１５の個数をＬ（Ｌは、整数）とする。なお、バイポーラトランジスタ３１２の個数を２つ以上とすることもできる。バイポーラトランジスタ３１２を２つ以上とする場合、それらは並列に接続される。バイポーラトランジスタ３１４および３１５についても同様に、２つ以上の場合は並列に接続される。

　また、スイッチ３１６は、タイミング制御回路２９０からの制御信号ＳＷｐｄに従って、バイポーラトランジスタ３１４にバイポーラトランジスタ３１５を並列に接続するものである。スイッチ３１６は、バイポーラトランジスタ３１５ごとに配置される。

　また、バイポーラトランジスタ３１２のコレクタは、オペアンプ３１１の非反転入力端子（－）に接続されている。このコレクタのノードをノードＮ１とする。

　抵抗３１３の一端は、オペアンプ３１１の非反転入力端子（＋）に接続されている。その抵抗３１３の他端は、バイポーラトランジスタ３１４および３１５のコレクタに共通に接続されている。このコレクタのノードをノードＮ２とする。また、バイポーラトランジスタ３１２および３１４のエミッタは、接地電位ＶＳＳのコモンノードＮ_ｃｏｍに共通に接続されている。バイポーラトランジスタ３１５のエミッタは、スイッチ３１６を介してコモンノードＮ_ｃｏｍに接続される。

　また、電流出力部３３０は、オペアンプ３１１の出力電圧に応じた電流Ｉ_ＰＴＡＴを出力するものである。この電流出力部３３０は、ｐＭＯＳトランジスタ３３１乃至３３３と、ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５とを備える。

　ｐＭＯＳトランジスタ３３１は、電源電圧ＶＤＤとバイポーラトランジスタ３１２のコレクタとの間に挿入され、ゲートはオペアンプ３１１の出力端子に接続される。このｐＭＯＳトランジスタ３３１は、電流Ｉ_ＰＴＡＴをバイポーラトランジスタ３１２に帰還させる。

　ｐＭＯＳトランジスタ３３２は、電源電圧ＶＤＤと抵抗３１３との間に挿入され、ゲートはオペアンプ３１１の出力端子に接続される。このｐＭＯＳトランジスタ３３２は、電流Ｉ_ＰＴＡＴを抵抗３１３を介してバイポーラトランジスタ３１４および３１５に帰還させる。

　ｐＭＯＳトランジスタ３３３は、電源電圧ＶＤＤとｎＭＯＳトランジスタ３３４のドレインとの間に挿入され、ゲートはオペアンプ３１１の出力端子に接続される。このｐＭＯＳトランジスタ３３３は、後述するカレントミラー回路の入力ノードへ電流Ｉ_ＰＴＡＴを出力する。

　なお、ｐＭＯＳトランジスタ３３１は、特許請求の範囲に記載の第１のＰ型トランジスタの一例であり、ｐＭＯＳトランジスタ３３２は、特許請求の範囲に記載の第２のＰ型トランジスタの一例である。ｐＭＯＳトランジスタ３３３は、特許請求の範囲に記載の第３のＰ型トランジスタの一例である。

　また、ｎＭＯＳトランジスタ３３４のドレインおよびゲートは短絡される。ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５のそれぞれのゲートは接続され、それぞれのソースは、接地電位ＶＳＳに接続される。ｎＭＯＳトランジスタ３３５のドレインは、電流電圧変換部３５０に接続される。このような接続により、ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５は、ｎＭＯＳトランジスタ３３４のドレインに入力された電流を電流電圧変換部３５０に出力するカレントミラー回路として機能する。ｎＭＯＳトランジスタ３３４のドレインは、カレントミラー回路の入力ノードに該当する。

　電流電圧変換部３５０は、電流Ｉ_ＰＴＡＴを電圧Ｖ_ＰＴＡＴに変換するものである。電流電圧変換部３５０内には、例えば、抵抗３５１が配置される。抵抗３５１は、電源電圧ＶＤＤとｎＭＯＳトランジスタ３３５のドレインとの間に挿入される。

　電圧バッファ３６０は、抵抗３５１およびｎＭＯＳトランジスタ３３５の接続ノードの電圧Ｖ_ＰＴＡＴの信号を温度信号Ｖｔｅｍｐとして、カラムＡＤＣ２３０に出力するものである。

　ここで、タイミング制御回路２９０は、Ｐ相レベルを変換する期間においてスイッチ３１６を開状態にし、Ｄ相レベルを変換する期間においてスイッチ３１６を閉状態にする。以下、スイッチ３１６が開状態のときの電流Ｉ_ＰＴＡＴをＩ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}とし、閉状態のときの電流Ｉ_ＰＴＡＴを電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}とする。

　スイッチ３１６が開状態の場合、負側のノードＮ１の電圧Ｖ１は、次の式により表される。
　　Ｖ１＝（ｋＴ／ｑ）（Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}／Ｉｓ）　　　　　　　　・・・式１
上式において、ｋは、ボルツマン定数であり、単位は、ジュール毎ケルビン（Ｊ／Ｋ）である。Ｔは、絶対温度であり、単位は、例えば、ケルビン（Ｋ）である。ｑは、電子電荷であり、単位は、例えば、クーロン（ｃ）である。Ｉｓは、バイポーラトランジスタの飽和電流であり、単位は、例えば、アンペア（Ａ）である。

　また、スイッチ３１６が開状態の場合、正側のノードＮ２の電圧Ｖ２は、次の式により表される。
　　Ｖ２＝（ｋＴ／ｑ）｛Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}／（Ｋ・Ｉｓ）｝　　　　・・・式２

　また、入力オフセット電圧Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}を考慮すると、オペアンプ３１１の反転入力端子（－）の電圧Ｖ_ｉｎ－は、式１に基づいて次の式により表される。
　　Ｖ_ｉｎ－＝Ｖ１＋Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}
　　　　　＝（ｋＴ／ｑ）（Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}／Ｉｓ）＋Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}　　・・・式３

　一方、オペアンプ３１１の非反転入力端子（＋）の電圧Ｖ_ｉｎ＋は、式２に基づいて次の式により表される。
　　Ｖ_ｉｎ＋＝Ｖ２＋Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}
　　　　　＝（ｋＴ／ｑ）｛Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}／（Ｋ・Ｉｓ）｝
　　　　　　＋Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿Ｐ}　　　　　　　　　　　　　　　・・・式４
上式において、Ｒは、抵抗３１３の抵抗値である。

　ここで、オペアンプ３１１と電流出力部３３０とを含む負帰還の回路により、電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿Ｐ}は、オペアンプ３１１の入力端子間の電圧差が略ゼロとなるように調整される。このため、次の式が成立する。
　　Ｖ_ｉｎ－＝Ｖ_ｉｎ＋　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・式５

　式５に式３および式４を代入して変形すると、次の式が得られる。
　　Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}＝(1/R)｛Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}＋（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｋ）｝…式６
上式において、「ｌｎ（）」は、括弧内の値の対数を返す関数である。

　抵抗３５１の抵抗値も抵抗３１３と同様にＲとし、スイッチ３１６が開状態のときの電圧Ｖ_ＰＴＡＴをＶ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}とすると、式６より次の式が得られる。なお、抵抗３５１の抵抗値は、抵抗３１３と異なる値であってもよい。
　　Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}＝Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}
　　　　　　　＝Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}＋（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｋ）　　　　・・・式７

　次に、スイッチ３１６が閉状態の場合、Ｌ個のバイポーラトランジスタ３１５がバイポーラトランジスタ３１４に並列に接続される。このときの正側のノードＮ２の電圧Ｖ２は、次の式により表される。
　　Ｖ２＝（ｋＴ／ｑ）｛Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}／（Ｋ・Ｉｓ＋Ｌ・Ｉｓ）｝　　…式８

　式８に基づいて電圧Ｖ_ｉｎ＋は、次の式により表される。
　　Ｖ_ｉｎ＋＝Ｖ２＋Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}
　　　　　＝（ｋＴ／ｑ）｛Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}／（Ｋ・Ｉｓ＋Ｌ・Ｉｓ）｝
　　　　　　＋Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}　　　　　　　　　　　　　　・・・式９

　式５に式３および式９を代入して変形すると、次の式が得られる。
　　Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}＝（１／Ｒ）
　　　　　　　　・｛Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}＋（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｋ＋Ｌ）｝…式１０

　スイッチ３１６が閉状態のときの電圧Ｖ_ＰＴＡＴをＶ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}とすると、式１０より次の式が得られる。
　　Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}＝Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}
　　　　　　　＝Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}＋（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ（Ｋ＋Ｌ）　　　…式１１

　後段のＡＤＣ２３２は、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}と電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}との差分をＡＤ変換することにより温度データＤｔを生成する。この温度データＤｔの値は、式７および式１１に基づいて、次の式により表される。
　　Ｄｔ＝Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}－Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}
　　　　＝（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ｛（Ｋ＋Ｌ）／Ｋ｝　　　　　・・・式１２

　ＫおよびＬは、固定値であるため、式１２より、温度データＤｔは、絶対温度Ｔに対して線形な値となる。また、差分をとることにより、入力オフセット電圧の成分が除去される。

　なお、ダイオード接続のバイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧は、温度に依存して変動するため、バイポーラトランジスタのみでも温度センサとして用いることができる。ただし、そのベースエミッタ間電圧は、温度に対して非線形な特性を持つため、バイポーラトランジスタのみでは、十分な測定精度が得られない。

　オペアンプ３１１を用いれば、式７より、温度に対して線形な電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}が得られる。しかしながら、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}には、式７の右辺に例示するように、入力オフセット電圧の成分が存在する。このため、仮に、バイポーラトランジスタ３１５およびスイッチ３１６を設けずに、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}をそのまま温度データＤｔに変換すると、入力オフセット電圧による測定誤差が生じてしまう。

　そこで、イメージセンサ１０３では、バイポーラトランジスタ３１５およびスイッチ３１６を設け、正側の並列接続数を切り替えて、切り替え前後の電圧Ｖ_ＰＴＡＴの差分を求めている。差分を求めることにより、式１２に例示したように、温度データＤｔから、入力オフセット電圧の成分を除去することができる。これにより、温度の測定精度を向上させることができる。

　なお、スイッチ３１６をバイポーラトランジスタ３１５のエミッタとコモンノードＮ_ｃｏｍとの間に配置しているが、この構成に限定されない。例えば、スイッチ３１６をバイポーラトランジスタ３１５のコレクタと抵抗３１３との間に配置することもできる。また、バイポーラトランジスタ３１５のエミッタ側と、コレクタ側との両方にスイッチを配置することもできる。

　また、ダイオード接続のバイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５を配置しているが、整流素子であれば、後述するようにトランジスタの代わりにダイオードを配置することもできる。

　また、オペアンプ３１１の反転入力端子（－）にバイポーラトランジスタ３１２を接続し、反転入力端子（＋）に抵抗３１３を接続しているが、この構成に限定されない。反転入力端子（－）に抵抗３１３を接続し、反転入力端子（＋）にバイポーラトランジスタ３１２を接続することもできる。

　さらに、スイッチ３１６は、バイポーラトランジスタ３１４にバイポーラトランジスタ３１５を並列に接続しているが、この構成に限定されない。バイポーラトランジスタ３１５およびスイッチ３１６を負側に配置し、スイッチ３１６がバイポーラトランジスタ３１２にバイポーラトランジスタ３１５を並列に接続することもできる。

　〔信号処理部の構成例〕
　図６は、本技術の第１の実施の形態における信号処理部１０４の一構成例を示すブロック図である。この信号処理部１０４は、画像処理部４１０、パラメータ演算部４２０、パラメータ記憶部４３０および温度特性補正部４４０を備える。画像処理部４１０、パラメータ演算部４２０および温度特性補正部４４０のそれぞれには、モード信号ＭＯＤＥが入力される。

　画像処理部４１０は、撮像モードにおいて、画素データＤｖを配列した画像データに対して、所定の画像処理を実行するものである。例えば、ホワイトバランス補正処理や、デモザイク処理などの各種の処理が実行される。画像処理部４１０は、処理後の画像データをエンコード／デコード部１０５や制御部１０８に出力する。また、画像処理部４１０は、必要に応じて、温度データＤｔを利用して各種の補正を行うことができる。

　例えば、イメージセンサにおいては、画素にて保持している信号電荷が暗電流として信号線側に漏れ出すというリーク現象が問題になる。この暗電流成分は、画像劣化の要因となる。そこで、暗電流成分を低減する処理が行われる。この場合において、暗電流量は温度に応じて変動する特性であることがわかっている。そこで、画像処理部４１０は、温度データＤｔが示す温度に応じて検出された暗電流量を補正したうえで、暗電流の低減処理を行うように構成することができる。

　また、欠陥画素に対応した補正処理にあっては、例えば画素信号Ｖｘのレベルに基づいて欠陥画素であるか否かの判定を行うことができるが、このときの画素信号Ｖｘのレベルも温度に応じた変動特性を持つ。そこで、画像処理部４１０は、欠陥画素の補正を行う際に、温度データＤｔが示す温度に応じて信号レベルを補正したうえで、欠陥画素の判定を行うことができる。

　また、温度データＤｔは、先にも述べたように、画像データの撮像中に生成されることから、リアルタイム性を有している。このために、例えば、暗電流の低減処理、画素欠陥補正処理などの信号処理において、温度データＤｔを用いることにより、そのときの実際の温度変化に追随するように信号処理を行うことができる。これにより、例えば高い暗電流低減効果、欠陥画素の補正効果が得られる。

　なお、イメージセンサ１０３は、温度データＤｔを外部に出力することもできる。外部出力された温度データＤｔは、例えば、温度が上昇した際に、画像データの撮像を停止するなど、高温時の撮像装置１００の動作を安定させるために利用される。

　パラメータ演算部４２０は、キャリブレーションモードにおいて、温度データＤｔを補正するためのパラメータを温度演算パラメータとして演算するものである。キャリブレーションモードにおいて、実際の温度がテスト温度として設定される。そして、パラメータ演算部４２０は、温度データＤｔを取得し、そのデータの示す温度とテスト温度との差分を測定誤差として取得する。パラメータ演算部４２０は、テスト温度を変更して、複数回に亘って測定誤差を取得し、温度と測定誤差との間の関係を示す関数を求める。パラメータ演算部４２０は、その関数の係数を温度演算パラメータとして、パラメータ記憶部４３０に記憶させる。

　温度特性補正部４４０は、撮像モードにおいて、温度データＤｔを補正するものである。この温度特性補正部４４０は、パラメータ記憶部４３０から温度演算パラメータを読み出し、そのパラメータを用いて温度データＤｔを補正する。温度演算パラメータを用いることにより、入力オフセット電圧以外の要因による測定誤差が補正される。補正後の温度データＤｔは、画像処理部４１０などに供給される。

　図７は、本技術の第１の実施の形態における測定回路の一構成例を示すブロック図である。温度信号出力回路３００内の電流生成部３１０および電流電圧変換部３５０と、ＡＤＣ２３２と、信号処理部１０４内のパラメータ記憶部４３０および温度特性補正部４４０とを含む回路は、温度を測定する測定回路５００として機能する。

　また、電流生成部３１０は、前述したように、オペアンプ３１１と、バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５と、抵抗３１３と、スイッチ３１６と、電流出力部３３０とを備える。

　オペアンプ３１１は、一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力する。それらの入力端子の一方に抵抗３１３の一端が接続され、他端にバイポーラトランジスタ３１２が接続される。抵抗３１３の他端には、バイポーラトランジスタ３１４が接続される。なお、バイポーラトランジスタ３１２は、特許請求の範囲に記載の端子側整流素子の一例であり、バイポーラトランジスタ３１４は、特許請求の範囲に記載の抵抗側整流素子の一例である。

　また、スイッチ３１６は、バイポーラトランジスタ３１２および３１４の一方（例えば、バイポーラトランジスタ３１４）にバイポーラトランジスタ３１５を並列に接続する。そして、電流出力部３３０は、オペアンプ３１１の出力電圧に応じた電流を抵抗３１３などに帰還させる。なお、バイポーラトランジスタ３１５は、特許請求の範囲に記載の追加整流素子の一例である。

　電流電圧変換部３５０は、電流Ｉ_ＰＴＡＴを電圧に変換する。そして、ＡＤＣ２３２は、バイポーラトランジスタ３１５が接続されていないときの電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}に応じた電圧と、バイポーラトランジスタ３１５が接続されているときの電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}に応じた電圧との差分を温度データＤｔとして求める。

　ＡＤＣ２３２が差分を求めることにより、式１２に例示したように、温度データＤｔから、入力オフセット電圧の成分を除去することができる。これにより、温度の測定精度を向上させることができる。なお、ＡＤＣ２３２は、特許請求の範囲に記載の差分取得部の一例である。

　なお、ＡＤＣ２３２は、電圧をＡＤ変換しているが、電流をＡＤ変換することもできる。この場合には、電流電圧変換部３５０が不要となる。また、同図の測定回路５００を撮像装置１００内に設けているが、撮像装置１００以外の回路や電子機器に配置することもできる。

　また、バイポーラトランジスタ３１２および３１４とコモンノードＮｃｏｍとの間には、素子を配置していないが、図８に例示するようにダミースイッチ３１７および３１８を配置することもできる。ダミースイッチ３１７および３１８とスイッチ３１６として、同一の極性のトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタなど）が配置される。ダミースイッチ３１７および３１８のゲートには、バイアス電圧Ｖｂが入力され、オン状態に固定される。このように、ダミースイッチ３１８および３１８を配置することにより、バイポーラトランジスタのエミッタの電位を揃うため、測定精度を向上させることができる。

　〔イメージセンサの動作例〕
　図９は、本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサ１０３の動作の一例を示すタイミングチャートである。タイミング制御回路２９０は、選択信号ＳＥＬ１により、例えば、１列目のセレクタ２３１に、温度信号をＡＤ変換対象として選択させる。また、タイミング制御回路２９０は、選択信号ＳＥＬ２などにより、例えば、２列目以降のセレクタ２３１に、画素信号をＡＤ変換対象として選択させる。なお、温度信号を選択させる列は、一定期間ごとに変更することができる。

　タイミングＴ０乃至Ｔ３においてキャリブレーションモードが設定されたものとする。このキャリブレーションモードにおいて、タイミング制御回路２９０は、タイミングＴ０乃至Ｔ１のＰ相期間内に、例えば、ローレベルの制御信号ＳＷｐｄを供給し、スイッチ３１６を開状態にする。また、タイミング制御回路２９０は、タイミングＴ１乃至Ｔ２のＤ相期間内に、例えば、ハイレベルの制御信号ＳＷｐｄを供給し、スイッチ３１６を閉状態にする。タイミングＴ２以降は、制御信号ＳＷｐｄがハイレベル、ローレベルに交互に制御される。

　また、１列目のＡＤＣ２３２は、Ｐ相期間内にダウンカウントを行い、Ｄ相期間内にアップカウントを行って温度データＤｔを生成する。一方、２列目以降のＡＤＣ２３２は、キャリブレーションモード中は、カウント動作を停止している。

　そして、タイミングＴ３以降において撮像モードが設定されたものとする。この撮像モードにおいて、タイミング制御回路２９０は、タイミングＴ３乃至Ｔ４のＰ相期間内にローレベルの制御信号ＳＷｐｄを供給し、タイミングＴ４乃至Ｔ５のＤ相期間内に、ハイレベルの制御信号ＳＷｐｄを供給する。タイミングＴ５以降は、制御信号ＳＷｐｄがハイレベル、ローレベルに交互に制御される。

　また、１列目のＡＤＣ２３２は、行が選択されるたびに、ダウンカウントおよびアップカウントを行って温度データＤｔを生成する。一方、２列目以降のＡＤＣ２３２は、行が選択されるたびにダウンカウントおよびアップカウントを行って画素データＤｖを生成する。

　図１０は、本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサ１０３の画素信号Ｖｘに対するＡＤ変換動作の一例を示すタイミングチャートである。

　同図において、例えば露光期間が完了したとされる時刻ｔ０からＡＤ変換期間が開始される。このＡＤ変換期間開始時においては、まず、ＤＡＣ２５０は、参照信号ＲＭＰとしてクランプ電圧ＶＳ１を出力させている。

　次に、例えば時刻ｔ１にてＡＤ変換期間が開始されてから、列信号線２１３に得られる電位と、参照信号ＲＭＰの信号線の電位が安定したとみてよい時刻ｔ１に至ったとする。すると、タイミング制御回路２９０は、タイミング信号ＴＭ４としてＬレベルのパルスを出力させてＬｏｗアクティブとする。これに応じて入力端子電位リセットによりコンパレータ２４０における２つの入力端子がほぼ同電位の状態となる。

　ただし、実際には、上記のコンパレータ２４０における入力端子電位リセットの期間が短かったり、あるいは、入力電位のオフセットが完全にキャンセルされてほぼ完全な同電位となったようなときには、かえって次のような誤動作を生じる可能性がある。すなわち、コンパレータ２４０の出力が反転すべきであるのに反転しなかったり、逆に、反転すべきではないのに反転してしまうようなことがある。そこで、本発明の実施の形態においては、次のような構成を採ることとしてもよい。すなわち、例えば時刻ｔ１の入力電位リセットの実行タイミングからある程度の時間を経過した時刻ｔ２において、参照信号ＲＭＰの電圧レベルをクランプ電圧ＶＳ１から初期電圧ＶＳ２に変更するというものである。これにより、上記したようなコンパレータ２４０の誤動作を避けることができる。

　ここで、読み出し対象となっている画素２１１は、時刻ｔ６以前においてはリセット動作の状態にあるとされ、列信号線２１３にはＦＤ部に得られているリセット成分としての電位が現れている。従って、時刻ｔ６以前においては、コンパレータ２４０は、リセット成分の画素信号Ｖｘと、参照信号ＲＭＰとの各電圧値を比較して出力信号Ｖｃを出力していることになる。

　参照信号ＲＭＰとしての初期電圧値ＶＳ２は、画素信号Ｖｘとして得られているリセット成分の電圧値よりも高い。これに応じて、時刻ｔ３以前においては、コンパレータ２４０の出力信号Ｖｃは、Ｈレベルを出力している状態にある。

　そして時刻ｔ３から時刻ｔ５までの期間がＰ相期間として設定される。Ｐ相期間は予め所定時間長が規定されている。このＰ相期間において、タイミング制御回路２９０は、参照信号ＲＭＰとして、一定による所定の傾きにより時間経過に応じて減衰するランプ波形を生成して出力する。また、Ｐ相期間の開始タイミングである時刻ｔ３では、タイミング信号ＴＭ１として例えばＨレベルのパルス（Ｐ相カウント開始パルス）が出力される。このＰ相カウント開始パルスに応じて、カウンタ２３３はダウンカウントを開始する。すなわち同図に示すようにカウンタ２３３は、時刻ｔ３から、例えばクロック信号ＣＫに同期したカウントタイミングにより、カウント値０からのダウンカウント動作を開始する。なお、ここでは図示していないが、カウンタ２３３のカウント値は、時刻ｔ３以前の所定タイミングにおいて０にリセットされるようになっている。

　この図では、時刻ｔ４においてコンパレータ２４０が入力する画素信号Ｖｘとランプ波形の参照信号ＲＭＰについて、参照信号ＲＭＰの電圧値のほうが低くなるように変化したものとする。これに応じて、コンパレータ２４０の出力信号Ｖｃは、時刻ｔ４に対応して、ＨレベルからＬレベルに反転する。また、カウンタ２３３は、入力される出力信号Ｖｃが反転したタイミングに応じてカウント動作を停止するようにされている。このため、カウンタ２３３は、時刻ｔ３から開始したダウンカウントを時刻ｔ４にて停止させる。従って、この場合には、時刻ｔ３から時刻ｔ４の期間が、実際にＰ相期間においてダウンカウントを実行したＰ相カウント期間となる。また、カウンタ２３３は、ラッチ機能を有しており、ダウンカウントを停止したことに応じて、ダウンカウントにより最後に得られたカウント値を時刻ｔ４以降も保持する。

　時刻ｔ４の後、時刻ｔ５に至ってＰ相カウント期間が完了すると、ＤＡＣ２５０は、これまでランプ波形により減衰させていた参照信号ＲＭＰを例えば初期電圧値ＶＳ２にまで戻す。これに応じて、時刻ｔ５より後のあるタイミングで、参照信号ＲＭＰの電圧値のほうが画素信号Ｖｘの電圧値よりも高くなるため、コンパレータ２４０の出力信号Ｖｃは反転してＨレベルに変化する。

　また、Ｐ相カウント期間が終了してある所定時間を経過した時刻ｔ６のタイミングで、画素２１１側では、これまでのリセット動作から転送動作に移行する。これにより、列信号線２１３には、受光量に応じてフォトダイオードに蓄積された電荷に応じた受光信号成分の電圧値が現れる。

　そして、時刻ｔ７に至ると、時刻ｔ９までの所定期間にわたってＤ相期間が設定される。Ｄ相期間においては、ＤＡＣ２５０は、再度、ランプ波形による参照信号ＲＭＰの出力を開始する。また、時刻ｔ７においては、タイミング信号ＴＭ２として、例えばＨレベルのパルス（Ｄ相カウント開始パルス）が出力される。これに応じて、カウンタ２３３は、アップカウントを開始する。このアップカウントは、先のＰ相カウント期間（ｔ３乃至ｔ４）でのダウンカウントにより保持していたカウント値から開始する。

　Ｄ相カウント期間の開始時点である時刻ｔ７では、参照信号ＲＭＰの電圧値のほうが画素信号Ｖｘの電圧値よりも高いため、コンパレータ２４０の出力信号ＶｃはＨレベルを維持している。しかし、参照信号ＲＭＰがランプ波形であるため、この場合には、時刻ｔ７からある時刻を経過した時刻ｔ８に至って参照信号ＲＭＰの電圧値のほうが画素信号Ｖｘの電圧値より低くなったとする。これにより、時刻ｔ８に応じたタイミングで、コンパレータ２４０の出力信号Ｖｃは、Ｌレベルに反転する。

　時刻ｔ８においてコンパレータ２４０の出力信号Ｖｃが反転したことに応じて、カウンタ２３３はこれまでのアップカウントを停止し、時刻ｔ８以降、この停止時点において得られていたカウント値を保持する。

　ここでＰ相カウント期間（ｔ３乃至ｔ４）において得られた負のカウント値の絶対値は、リセット成分ΔＶとしてのレベル（電圧値）を示している。また、Ｄ相カウント期間（ｔ７乃至ｔ８）のアップカウントにより得られた正のカウント値は、受光量に応じた信号成分Ｖｓｉｇに応じたレベル（電圧値）を示している。ただし、Ｄ相カウント期間におけるアップカウントは、Ｐ相カウント期間により得られた、リセット成分ΔＶに応じたカウント値から開始している。

　従って、カウンタ２３３が実行するＰ相カウント期間のダウンカウントとＤ相カウント期間のアップカウントの動作は、
　　（Ｖｓｉｇ＋ΔＶ）－ΔＶ＝Ｖｓｉｇ　　　　　　　・・・式１３
で表される演算を行っているのと等価になる。また、実際には、リセット成分ΔＶと信号成分Ｖｓｉｇには、対応するＡＤＣ２３２のオフセット成分ΔＶｏｆｓが含まれている。従って、式１３は、
　　（Ｖｓｉｇ＋ΔＶ＋ΔＶｏｆｓ）－（ΔＶ＋ΔＶｏｆｓ）
　　＝Ｖｓｉｇ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・式１４
のように変形することができる。例えば、リセット成分ΔＶには画素２１１ごとのばらつきに応じた変動成分が含まれる。従って式１４は、信号Ｖｓｉｇとしては、画素２１１ごとのばらつきによる電圧値の変動成分や、ＡＤＣ２３２のオフセット成分がキャンセルされた、正確な値が得られることを意味している。

　このように、撮像モードにおいてカラムＡＤＣ２３０におけるＡＤＣ２３２は、アナログの画素信号Ｖｘをデジタル信号に変換するにあたって、ＣＤＳ処理を実行する。これによって、より忠実な信号値を得ることができるようになっている。

　図１１は、本技術の第１の実施の形態におけるイメージセンサ１０３の温度信号Ｖｔｅｍｐに対するＡＤ変換動作の一例を示すタイミングチャートである。なお、この図における時刻ｔ３，ｔ４，ｔ５，ｔ６，ｔ７，ｔ９は、それぞれ、図１０の同じ時刻に対応している。

　図１１においては時刻ｔ３からの動作が示される。時刻ｔ３は、Ｐ相期間の開始タイミングであり、参照信号ＲＭＰは、初期電圧値ＶＳ２から一定の傾きで減衰を開始する。

　また、時刻ｔ３においてはタイミング信号ＴＭ１としてＰ相カウントスタートパルスが立ち上がるので、これに応じて、温度信号Ｖｔｅｍｐに対応するカウンタ２３３は、カウント値０からダウンカウントを開始する。なお、ここではカウント０からダウンカウントを行ったことにより得られるカウント値は負の値となることを前提とする。

　ダウンカウントの際にタイミング制御回路２９０は、制御信号ＳＷｐｄによりスイッチ３１６を開状態にする。このときの電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}の電圧値は、式７により表される。

　時刻ｔ３以降、参照信号ＲＭＰの電圧値がランプ波形により低減していくことで、例えば時刻ｔ３からある時間を経過した時刻ｔ４において、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}のほうが参照信号ＲＭＰよりも高くなる状態に変化する。これに応じて、コンパレータ２４０の出力信号Ｖｃは、ＨレベルからＬレベルに反転し、カウンタ２３３はカウント動作を停止し、これまでのダウンカウントにより得られたカウント値を保持する。

　Ｐ相期間は時刻ｔ５において完了する。この時刻ｔ５において、参照信号ＲＭＰは、例えば初期電圧値ＶＳ２に戻される。これに応じてコンパレータ２４０の出力信号ＶｃはＨレベルに反転している。

　次に、Ｄ相期間が開始される時刻ｔ７に対して所定時間前となる時刻ｔ６に至るとタイミング制御回路２９０は、制御信号ＳＷｐｄによりスイッチ３１６を閉状態にする。このときの電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}の電圧値は、式１１により表される。

　そして、時刻ｔ７に至ると、Ｄ相期間が開始される。Ｄ相期間の開始タイミングである時刻ｔ７においては、再度、参照信号ＲＭＰが一定の傾きによる低減を開始する。また、時刻ｔ７においては、タイミング信号ＴＭ２としてＤ相カウントスタートパルスが立ち上がる。これに応じて、温度信号Ｖｔｅｍｐに対応するカウンタ２３３は、アップカウントを開始する。

　そして、この場合においては時刻ｔ８に至って、参照信号ＲＭＰが温度信号Ｖｔｅｍｐ以下のレベルとなって、コンパレータ２４０の出力信号ＶｃがＬレベルに反転したものとされている。これに応じて、カウンタ２３３はこれまでのアップカウントを停止してカウント値を保持する。これによりＤ相カウント期間は完了したことになる。そして、カウンタ２３３は、このＤ相カウント期間において得られたカウント値を、列走査回路２６０から列制御信号が入力されたタイミングに応じて、温度データＤｔとして出力する。

　この後、Ｄ相期間が完了する時刻ｔ９に至ったとされると、例えば、参照信号ＲＭＰは、再度、初期電圧値に戻される。

　このようにして、温度信号Ｖｔｅｍｐが入力されたＡＤＣ２３２は、その温度信号ＶｔｅｍｐをＡＤ変換し、温度データＤｔとして出力する。この温度データＤｔの値は、式１２により表される。

　なお、イメージセンサ１０３は、スイッチ３１６を開状態にしたときの電圧をＡＤ変換した後に、スイッチ３１６を閉状態にしたときの電圧をＡＤ変換しているが、この構成に限定されない。逆に、スイッチ３１６を閉状態にしたときの電圧をＡＤ変換した後に、スイッチ３１６を開状態にしたときの電圧をＡＤ変換することもできる。

　図１２は、本技術の第１の実施の形態と比較例とにおける温度の測定結果の一例を示すグラフである。同図におけるａは、本技術の第１の実施の形態における温度の測定結果の一例を示すグラフである。同図におけるｂは、バイポーラトランジスタ３１５およびスイッチ３１６を設けない比較例における温度の測定結果の一例を示すグラフである。また、同図における縦軸は、ＬＳＢ（Least Significant Bit）を単位とする温度データを示し、横軸は、温度を示す。また、同図におけるｂの実線は、実測された温度特性を示し、点線は、誤差のない理想的な温度特性を示す。

　同図におけるａに例示するように、差分により求めた温度データは、温度に比例した値となる。また、同図におけるｂに例示するように、差分を求めない比較例の温度データには、入力オフセット電圧に起因する測定誤差が生じる。この測定誤差は、所定温度において最小となるが、その温度から温度が上昇または降下するほど、測定誤差が拡大する。

　バイポーラトランジスタ３１５およびスイッチ３１６を設け、差分を求めることにより、式１２に例示したように入力オフセット電圧の成分を除去することができる。これにより、同図におけるａに例示するように、入力オフセット電圧に起因する測定誤差を抑制することができる。

　〔撮像装置の動作例〕
　図１３は、本技術の第１の実施の形態における撮像装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、撮像装置１００に電源が投入されたときに開始される。

　撮像装置１００は、キャリブレーションモードが設定されたか否かを判断する（ステップＳ９０１）。キャリブレーションモードが設定された場合に（ステップＳ９０１：Ｙｅｓ）、撮像装置１００は、温度演算パラメータを演算するためのパラメータ演算処理を実行する（ステップＳ９１０）。

　キャリブレーションモードが設定されていない場合（ステップＳ９０１：Ｎｏ）、または、ステップＳ９１０の後に撮像装置１００は、撮像モードが設定されたか否かを判断する（ステップＳ９０２）。撮像モードが設定された場合に（ステップＳ９０２：Ｙｅｓ）、撮像装置１００は、行ごとに画素信号をＡＤ変換しつつ、温度を測定するための温度測定処理を実行する（ステップＳ９５０）。

　撮像モードが設定されていない場合（ステップＳ９０２：Ｎｏ）、または、ステップＳ９５０の後に撮像装置１００は、全行のＡＤ変換が終了したか否かを判断する（ステップＳ９０３）。全行のＡＤ変換が終了していない場合に（ステップＳ９０３：Ｎｏ）、イメージセンサ１０３は、ステップＳ９５０以降を繰り返す。一方、全行のＡＤ変換が終了した場合に（ステップＳ９０３：Ｙｅｓ）、撮像装置１００は、ステップＳ９０１以降を繰り返し実行する。

　図１４は、本技術の第１の実施の形態におけるパラメータ演算処理の一例を示すフローチャートである。撮像装置１００内の信号処理部１０４は、測定回数を示す変数ｊ（ｊは、整数）を「０」に初期化し（ステップＳ９１１）、変数ｊをインクリメントする（ステップＳ９１２）。

　信号処理部１０４はｊ回目のテスト温度Ｔｊを設定し（ステップＳ９１３）、撮像装置１００内のイメージセンサ１０３は温度データＤｔを生成するための温度データ生成処理を実行する（ステップＳ９２０）。そして、信号処理部１０４は、変数ｊ（すなわち、測定回数）が、所定回数Ｃａｌに達したか否かを判断する（ステップＳ９１４）。測定回数がＣａｌ未満である場合（ステップＳ９１４：Ｎｏ）、信号処理部１０４は、ステップＳ９１２以降を繰り返す。

　一方、測定回数がＣａｌに達した場合（ステップＳ９１４：Ｙｅｓ）、信号処理部１０４は、測定値に基づいて、温度演算パラメータを演算し（ステップＳ９１５）、パラメータ記憶部４３０に格納する（ステップＳ９１６）。ステップＳ９１６の後に撮像装置１００は、パラメータ演算処理を終了する。

　図１５は、本技術の第１の実施の形態における温度データ生成処理の一例を示すフローチャートである。イメージセンサ１０３内の温度信号出力回路３００は、スイッチ３１６が開状態のときの電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}を生成し（ステップＳ９２１）、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}に変換する（ステップＳ９２２）。そして、温度信号出力回路３００は、スイッチ３１６が閉状態のときの電流Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}を生成し（ステップＳ９２３）、電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}に変換する（ステップＳ９２４）。ＡＤＣ２３２は、それらの電圧の差分をＡＤ変換し（ステップＳ９２５）、そのＡＤ変換結果を温度データＤｔとしてメモリなどに格納する（ステップＳ９２６）。ステップＳ９２６の後にイメージセンサ１０３は、温度データ生成処理を終了する。

　図１６は、本技術の第１の実施の形態における温度測定処理の一例を示すフローチャートである。イメージセンサ１０３は、前述の温度データ生成処理を実行し（ステップＳ９２０）、信号処理部１０４は、温度演算パラメータをパラメータ記憶部４３０から読み出す（ステップＳ９５１）。そして、信号処理部１０４は、温度補正パラメータを用いて温度データを補正し、その結果を出力する（ステップＳ９５２）。ステップＳ９５２の後に撮像装置１００は、温度測定処理を終了する。

　このように、本技術の第１の実施の形態によれば、バイポーラトランジスタ３１５の接続前の電圧と接続後の電圧との差分を温度データとして求めるため、オペアンプ３１１の入力オフセット電圧の成分を除去することができる。これにより、差分を求めない場合と比較して、温度の測定精度を向上させることができる。

　＜２．第２の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、温度信号出力回路３００は、電流Ｉ_ＰＴＡＴをカレントミラー回路（ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５）を介して出力していたが、カレントミラー回路の分、イメージセンサ１０３の回路規模が増大する。この第２の実施の形態の温度信号出力回路３００は、カレントミラー回路を削減した点において第１の実施の形態と異なる。

　図１７は、本技術の第２の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この第２の実施の形態の温度信号出力回路３００は、電流出力部３３０内に、ｐＭＯＳトランジスタ３３３と、ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５とが配置されない点において第１の実施の形態と異なる。また、電流電圧変換部３５０は、コモンノードＮ_ｃｏｍと接地電位ＶＳＳとの間に挿入される。同図に例示したようにコモンノードＮ_ｃｏｍと接地電位ＶＳＳとの間に電流電圧変換部３５０を配置したことにより、カレントミラー回路が不要となる。また、正側と負側とのそれぞれの電流Ｉ_ＰＴＡＴがコモンノードＮ_ｃｏｍで合流するため、出力される電圧の値は、第１の実施の形態と比べて２倍となる。

　このように、本技術の第２の実施の形態によれば、コモンノードＮ_ｃｏｍと接地電位ＶＳＳとの間に電流電圧変換部３５０を配置したため、カレントミラー回路を削減することができる。

　＜３．第３の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、電流電圧変換部３５０が電流を電圧に変換していたが、電流電圧変換部３５０の分、イメージセンサ１０３の回路規模が増大する。この第２の実施の形態の温度信号出力回路３００は、電流電圧変換部を削減した点において第１の実施の形態と異なる。

　図１８は、本技術の第３の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この第３の実施の形態の温度信号出力回路３００は、電流出力部３３０内に、ｐＭＯＳトランジスタ３３３と、ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５とが配置されない点において第１の実施の形態と異なる。ｐＭＯＳトランジスタ３３２と、抵抗３１３との間のノードが電圧バッファ３６０に接続される。この接続構成によって、抵抗３１３により、電流Ｉ_ＰＴＡＴが電圧Ｖ_ＰＴＡＴに変換され、その電圧の信号が電圧バッファ３６０により出力される。抵抗３１３が電流を電圧に変換するため、電流電圧変換部３５０が不要となる。

　このように、本技術の第３の実施の形態によれば、抵抗３１３が電流を電圧に変換するため、電流電圧変換部３５０を削減することができる。

　＜４．第４の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、温度信号出力回路３００は、電流Ｉ_ＰＴＡＴをカレントミラー回路（ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５）を介して出力していたが、カレントミラー回路の分、イメージセンサ１０３の回路規模が増大する。この第４の実施の形態の温度信号出力回路３００は、カレントミラー回路を削減した点において第１の実施の形態と異なる。

　図１９は、本技術の第４の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この第４の実施の形態の温度信号出力回路３００は、ｎＭＯＳトランジスタ３３４および３３５が配置されない点において第１の実施の形態と異なる。また、電流電圧変換部３５０は、ｐＭＯＳトランジスタ３３３と接地電位ＶＳＳとの間に配置される。同図に例示したように、接地電位ＶＳＳ側に電流電圧変換部３５０を配置したため、カレントミラー回路が不要となる。

　本技術の第４の実施の形態によれば、ｐＭＯＳトランジスタ３３３と接地電位ＶＳＳとの間に電流電圧変換部３５０を配置したため、カレントミラー回路を削減することができる。

　＜５．第５の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、正側にバイポーラトランジスタ３１５を並列に接続していたが、負側にバイポーラトランジスタをさらに並列接続することもできる。この第５の実施の形態の温度信号出力回路３００は、負側にバイポーラトランジスタを並列接続する点において第１の実施の形態と異なる。

　図２０は、本技術の第５の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この第５の実施の形態の温度信号出力回路３００は、バイポーラトランジスタ３１９およびスイッチ３２０をさらに設けた点において第１の実施の形態と異なる。

　スイッチ３２０は、制御信号ＳＷｐｄに従って、負側のバイポーラトランジスタ３１２にバイポーラトランジスタ３１９を並列に接続するものである。バイポーラトランジスタ３１９の個数は、任意であり、その個数をＪ（Ｊは整数）個とする。なお、バイポーラトランジスタ３１２および３１９は、特許請求の範囲に記載の第１および第２の追加整流素子の一例であり、スイッチ３１６および３２０は、特許請求の範囲に記載の第１および第２のスイッチの一例である。

　スイッチ３１６および３２０が開状態のときの電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｐ}は、第１の実施の形態と同様である。一方、スイッチ３１６および３２０が閉状態のときの電圧Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}は、次の式により表される。
　　Ｖ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}＝Ｒ・Ｉ_{ＰＴＡＴ＿ｄ}
　　　　　　＝Ｖ_{ｏｆｆｓｅｔ}＋（ｋＴ／ｑ）・ｌｎ｛（Ｋ＋Ｌ）／Ｊ｝…式１５

　式１１の代わりに式１５の値を式１２に代入することにより、温度データＤｔが演算される。Ｊ個のバイポーラトランジスタ３１９の接続により、ＫおよびＬに加えて、Ｊの値も設定することができるため、温度の係数を微調整しやすくなる。

　なお、第５の実施の形態に第２乃至第４の実施の形態を適用することもできる。

　このように、本技術の第５の実施の形態によれば、スイッチ３２０がバイポーラトランジスタ３１２にバイポーラトランジスタ３１９を並列に接続するため、係数の微調整を容易にすることができる。

　＜６．第６の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では、温度信号出力回路３００内に整流素子として、ダイオード接続のバイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５を配置していたが、トランジスタの代わりにダイオードを配置することもできる。この第６の実施の形態の温度信号出力回路３００は、整流素子としてダイオードを用いる点において第１の実施の形態と異なる。

　図２１は、本技術の第６の実施の形態における温度信号出力回路３００の一構成例を示す回路図である。この第６の実施の形態の温度信号出力回路３００は、バイポーラトランジスタ３１２、３１４および３１５の代わりにダイオード３２１、３２２および３２３が配置される点において第１の実施の形態と異なる。これらのダイオードの温度特性を利用して、第１の実施の形態と同様に温度データＤｔが生成される。

　なお、第６の実施の形態に第２乃至第５の実施の形態を適用することもできる。

　このように、本技術の第６の実施の形態によれば、整流素子としてダイオード３２１、３２２および３２３を配置したため、ダイオードの温度特性を利用して温度データＤｔを生成することができる。

　＜７．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　図２２は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２２に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ(interface)１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２２の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図２３は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図２３では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

　なお、図２３には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、○○（本願が適用されるブロック。例えば、撮像部１２０３１等）に適用され得る。例えば、図２のイメージセンサ１０３は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、高精度の温度による補正によって、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。

　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。

　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、
　前記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、
　前記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、
　前記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、
　追加整流素子と、
　前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、
　前記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、
　前記追加整流素子が接続されていないときの前記電流に応じた信号と前記追加整流素子が接続されているときの前記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部と
を具備する測定回路。
（２）前記電流を電圧に変換する電流電圧変換部をさらに具備し、
　前記差分取得部は、前記電圧の差分を前記温度データとして求める
前記（１）記載の測定回路。
（３）前記電流出力部は、
　入力ノードからの電流を前記電流電圧変換部に出力するカレントミラー回路と、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記入力ノードとの間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタと
を備える前記（２）記載の測定回路。
（４）前記電流出力部は、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと
を備え、
　前記端子側整流素子と前記抵抗側整流素子とは、所定のコモンノードを介して前記電流電圧変換部に共通に接続される
前記（２）記載の測定回路。
（５）前記電流生成部は、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記電流電圧変換部との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタと
を備える前記（２）記載の測定回路。
（６）前記抵抗と前記電流出力部との間のノードの電圧を出力する電圧バッファをさらに具備する
前記（１）記載の測定回路。
（７）前記追加整流素子は、第１および第２の追加整流素子を含み、
　前記スイッチは、第１および第２のスイッチを含み、
　前記第１のスイッチは、前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記第１の追加整流素子を並列に接続し、
　前記第２のスイッチは、前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の他方に前記第２の追加整流素子を並列に接続する
前記（１）から（６）のいずれかに記載の測定回路。
（８）前記端子側整流素子、前記抵抗側整流素子および前記追加整流素子は、ダイオード接続されたトランジスタである
前記（１）から（７）のいずれかに記載の測定回路。
（９）前記端子側整流素子、前記抵抗側整流素子および前記追加整流素子は、ダイオードである
前記（１）から（７）のいずれかに記載の測定回路。
（１０）前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子のそれぞれと所定のコモンノードとの間に配置されたオン状態のダミースイッチをさらに備え、
　前記スイッチおよび前記ダミースイッチは、極性が同一のトランジスタである
前記（１）から（９）のいずれかに記載の測定回路。
（１１）一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、
　前記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、
　前記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、
　前記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、
　追加整流素子と、
　前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、
　前記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、
　前記追加整流素子が接続されていないときの前記電流に応じた信号と前記追加整流素子が接続されているときの前記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部と、
　前記温度データに基づいて画素信号を処理する信号処理部と
を具備する電子機器。
（１２）前記信号処理部は、
　前記温度データと所定の設定温度とに基づいて前記温度データを補正するためのパラメータを演算するパラメータ演算部と
　前記パラメータを記憶するパラメータ記憶部と、
　前記記憶されたパラメータを用いて前記温度データを補正する温度特性補正部と
を備える前記（１１）記載の電子機器。
（１３）前記画素信号を生成する画素と、
　前記画素信号と前記電流に応じた温度信号とのいずれかを選択して前記差分取得部に出力するセレクタと
をさらに具備し、
　前記差分取得部は、前記温度信号が選択された場合には前記温度信号をデジタル信号に変換するとともに前記差分を取得し、前記画素信号が選択された場合には前記画素信号をデジタル信号に変換する
前記（１１）または（１２）に記載の電子機器。

　１００　撮像装置
　１０１　光学系部
　１０２　フィルタ
　１０３　イメージセンサ
　１０４　信号処理部
　１０５　エンコード／デコード部
　１０６　メディアドライブ
　１０７　記録媒体
　１０８　制御部
　１０９　ゲイン設定部
　１１０　シャッタ駆動部
　１１１　絞り駆動部
　１１２　表示部
　１１３　操作部
　１１４　照度検出部
　１２１　レンズ部
　１２２　絞り
　２１０　画素アレイ
　２１１　画素
　２２０　行捜査回路
　２３０　カラムＡＤＣ
　２３１　セレクタ
　２３２　ＡＤＣ
　２３３　カウンタ
　２４０　コンパレータ
　２４１～２４４、３３１～３３３　ｐＭＯＳトランジスタ
　２４５～２５７、３３４、３３５　ｎＭＯＳトランジスタ
　２４８、２４９　コンデンサ
　２５０　ＤＡＣ
　２６０　列走査回路
　２８０　バッファアンプ
　２９０　タイミング制御回路
　３００　温度信号出力回路
　３１０　電流生成部
　３１１　オペアンプ
　３１２、３１４、３１５、３１９　バイポーラトランジスタ
　３１３、３５１　抵抗
　３１６、３２０　スイッチ
　３１７、３１８　ダミースイッチ
　３２１、３２２、３２３　ダイオード
　３３０　電流出力部
　３５０　電流電圧変換部
　３６０　電圧バッファ
　４１０　画像処理部
　４２０　パラメータ演算部
　４３０　パラメータ記憶部
　４４０　温度特性補正部
　５００　測定回路
　１２０３１　撮像部

Claims

　一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、
　前記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、
　前記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、
　前記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、
　追加整流素子と、
　前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、
　前記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、
　前記追加整流素子が接続されていないときの前記電流に応じた信号と前記追加整流素子が接続されているときの前記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部と
を具備する測定回路。
　前記電流を電圧に変換する電流電圧変換部をさらに具備し、
　前記差分取得部は、前記電圧の差分を前記温度データとして求める
請求項１記載の測定回路。
　前記電流出力部は、
　入力ノードからの電流を前記電流電圧変換部に出力するカレントミラー回路と、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記入力ノードとの間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタと
を備える請求項２記載の測定回路。
　前記電流出力部は、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと
を備え、
　前記端子側整流素子と前記抵抗側整流素子とは、所定のコモンノードを介して前記電流電圧変換部に共通に接続される
請求項２記載の測定回路。
　前記電流生成部は、
　電源と前記端子側整流素子との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第１のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記抵抗との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第２のＰ型トランジスタと、
　前記電源と前記電流電圧変換部との間に挿入され、ゲートに前記出力電圧が入力される第３のＰ型トランジスタと
を備える請求項２記載の測定回路。
　前記抵抗と前記電流出力部との間のノードの電圧を出力する電圧バッファをさらに具備する
請求項１記載の測定回路。
　前記追加整流素子は、第１および第２の追加整流素子を含み、
　前記スイッチは、第１および第２のスイッチを含み、
　前記第１のスイッチは、前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記第１の追加整流素子を並列に接続し、
　前記第２のスイッチは、前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の他方に前記第２の追加整流素子を並列に接続する
請求項１記載の測定回路。
　前記端子側整流素子、前記抵抗側整流素子および前記追加整流素子は、ダイオード接続されたトランジスタである
請求項１記載の測定回路。
　前記端子側整流素子、前記抵抗側整流素子および前記追加整流素子は、ダイオードである
請求項１記載の測定回路。
　前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子のそれぞれと所定のコモンノードとの間に配置されたオン状態のダミースイッチをさらに備え、
　前記スイッチおよび前記ダミースイッチは、極性が同一のトランジスタである
請求項１記載の測定回路。
　一対の入力端子のそれぞれの端子電圧の差に応じた出力電圧を出力するオペアンプと、
　前記一対の入力端子の一方に一端が接続された抵抗と、
　前記抵抗の他端に接続された抵抗側整流素子と、
　前記一対の入力端子の他方に接続された端子側整流素子と、
　追加整流素子と、
　前記抵抗側整流素子および前記端子側整流素子の一方に前記追加整流素子を並列に接続するスイッチと、
　前記出力電圧に応じた電流を出力する電流出力部と、
　前記追加整流素子が接続されていないときの前記電流に応じた信号と前記追加整流素子が接続されているときの前記電流に応じた信号との差分を温度データとして求める差分取得部と、
　前記温度データに基づいて画素信号を処理する信号処理部と
を具備する電子機器。
前記信号処理部は、
　前記温度データと所定の設定温度とに基づいて前記温度データを補正するためのパラメータを演算するパラメータ演算部と
　前記パラメータを記憶するパラメータ記憶部と、
　前記記憶されたパラメータを用いて前記温度データを補正する温度特性補正部と
を備える請求項１１記載の電子機器。
　前記画素信号を生成する画素と、
　前記画素信号と前記電流に応じた温度信号とのいずれかを選択して前記差分取得部に出力するセレクタと
をさらに具備し、
　前記差分取得部は、前記温度信号が選択された場合には前記温度信号をデジタル信号に変換するとともに前記差分を取得し、前記画素信号が選択された場合には前記画素信号をデジタル信号に変換する
請求項１１記載の電子機器。