WO2018116785A1 - Semiconductor device and method for manufacturing same - Google Patents

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真理子 藤枝
和明 馬渡
竜太 生駒
憲也 平沢
晋司 川野
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株式会社デンソー
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    • G01L19/06Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material by electric or magnetic means
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure

Abstract

A semiconductor device comprising: a pad (3) formed on the surface of a substrate (1, 12); a bonding wire (5) that connects the pad (3) to an external circuit; and a resin layer (6) That covers at least the connected parts of the pad (3) and the bonding wire (5) and exposes at least a part of a substrate portion on the outer side of the pad (3).

Description

半導体装置およびその製造方法 Semiconductor device and manufacturing method thereof 関連出願への相互参照 CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS

本出願は、2016年12月20日に出願された日本特許出願番号2016-246981号と、2017年3月27日に出願された日本特許出願番号2017-61559号とに基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。 This application is based on the Japanese Patent Application No. 2016-246981, filed on December 20, 2016, filed on March 27, 2017 and Japanese Patent Application No. 2017-61559, here the disclosure of which is incorporated by reference.

本開示は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、印加された物理量に応じた信号を出力するセンサ素子と、センサ素子の出力信号を読み取るためのパッドと、パッドを外部の回路に接続するボンディングワイヤとを備える物理量センサに適用されて好適である。 The present disclosure relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, particularly, to connect a sensor element for outputting a signal corresponding to the applied physical quantity, and a pad for reading the output signal of the sensor element, the pad outside the circuit bonding it is applied to the physical quantity sensor and a wire is preferred.

従来、例えば特許文献1では、ダイヤフラムに形成された歪みゲージと、ダイヤフラムの外側に形成されたパッドとを備え、ダイヤフラムおよびパッドを含む領域の表面が軟質なゲル状コーティング樹脂で覆われた圧力センサが提案されている。 Conventionally, for example in Patent Document 1, a strain gauge formed on the diaphragm, and a pad formed on the outside of the diaphragm, the pressure sensor surface region including the diaphragm and the pad is covered with a soft gel-like coating resin There has been proposed. この圧力センサでは、ゲル状コーティング樹脂として、フッ素系ゲルが用いられている。 In this pressure sensor, a gelatinous coating resins, fluorine-based gels have been used.

特開2001-116639号公報 JP 2001-116639 JP

フッ素系ゲルは、液体の薬品や水の透過率が低いため、圧力センサをフッ素系ゲルで覆うことにより、液体によるパッドの腐食を抑制することができる。 Fluorochemical gel has a low transmittance of chemicals and liquid water, by covering the pressure sensor with a fluorine-based gel, it is possible to suppress corrosion of the pad by the liquid. しかしながら、ゲル状物質は、気体の薬品や水蒸気の透過率が十分に低くないため、ゲルを透過した気体によりパッドの腐食が発生するおそれがある。 However, gel-like substance, for transmittance of gas chemicals or steam is not sufficiently low, there is a possibility that the corrosion of the pad occurs by the gas passing through the gel.

気体の透過を抑える方法として、このようなゲルの代わりに液体および気体の透過率が低い樹脂材料で圧力センサを覆うことが考えられる。 As a method of suppressing the permeation of gas, it is conceivable to cover the pressure sensor at a lower resin material transmittance of the liquid and gas in place of such a gel. しかし、液体および気体の透過率が低い樹脂材料は一般的に弾性率が高く、弾性率が高い材料をダイヤフラム上に塗布すると、センサ特性が変動してしまう。 However, the liquid and the resin material is low permeability of gas is generally high elastic modulus, when applied to a high elastic modulus material on the diaphragm, the sensor characteristic varies.

また、圧力センサ以外の物理量センサにおいても、パッドの腐食を抑制するために液体および気体の透過率が低い樹脂材料でセンサを覆うと、センサ特性が変動するおそれがある。 Also in the physical quantity sensors other than the pressure sensor, the transmittance of the liquid and gas covers the sensor with a low resin material to inhibit corrosion of the pad, there is a possibility that the sensor characteristics fluctuate.

また、物理量センサ以外の半導体装置においても、パッドの腐食を抑制するために液体および気体の透過率が低い樹脂材料で基板全体を覆うと、パッド以外の部分の特性が変動するおそれがある。 Further, in the semiconductor device other than the physical quantity sensor, when covering the entire substrate with a low resin material transmittance of the liquid and gas in order to suppress corrosion of the pad, the characteristics of the portion other than the pad is likely to vary.

本開示は、パッドの腐食およびセンサ特性の変動を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを第1の目的とする。 The present disclosure is to provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof which can suppress the variation of corrosion and sensor characteristics of the pad to the first object. また、パッドの腐食およびパッド以外の部分の特性の変動を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを第2の目的とする。 Further, to provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof which can suppress variations in characteristics of a portion other than corrosion and pads of the pad and the second object.

本開示の1つの観点によれば、基板の表面に形成されたパッドと、パッドを外部の回路に接続するボンディングワイヤと、を備える半導体装置は、少なくともパッドとボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、基板のうちパッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させる樹脂層を備える。 According to one aspect of the present disclosure, the pads formed on the surface of the substrate, a semiconductor device including a bonding wire, a connecting pad to an external circuit covers the connection portion of at least the pad and the bonding wire comprises a resin layer to expose at least a portion of the outer portion of the pad of the substrate.

これによれば、腐食が発生しやすいパッドとボンディングワイヤとの接続部が、樹脂層に覆われているため、パッドの腐食を抑制することができる。 According to this, the connecting portion between the easy pads and bonding wires corrosion occurs, because it is covered with the resin layer, it is possible to suppress corrosion of the pad. また、樹脂層が、基板のうちパッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させるように形成されているため、樹脂層を液体および気体の透過率が低い材料、すなわち、弾性率の高い材料で構成した場合にも、パッド以外の部分の特性の変動を抑制することができる。 Further, the resin layer is, since it is formed so as to expose at least a portion of the outer portion of the pad of the substrate, a material lower resin layer transmittance of liquid and gas, i.e., a high modulus material when configured also, it is possible to suppress the variation in the characteristics of the portion other than the pads.

また、別の観点によれば、半導体装置は、基板に形成され、印加された物理量に応じた信号を出力するセンサ素子を備え、パッドは、センサ素子の出力信号を読み取るためのものであり、樹脂層は、少なくともパッドとボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、センサ素子の少なくとも一部を露出させる。 According to another aspect, a semiconductor device is formed on a substrate, comprising a sensor element for outputting a signal corresponding to the applied physical quantity, the pad is intended for reading an output signal of the sensor element, resin layer covers the connection portion of at least the pad and the bonding wire, exposing at least a portion of the sensor element.

これによれば、腐食が発生しやすいパッドとボンディングワイヤとの接続部が、樹脂層に覆われているため、パッドの腐食を抑制することができる。 According to this, the connecting portion between the easy pads and bonding wires corrosion occurs, because it is covered with the resin layer, it is possible to suppress corrosion of the pad. また、樹脂層が、センサ素子の少なくとも一部を露出させるように形成されているため、樹脂層を液体および気体の透過率が低い材料、すなわち、弾性率の高い材料で構成した場合にも、センサ素子の特性の変動を抑制することができる。 Further, the resin layer is, since it is formed so as to expose at least a portion of the sensor element, a material lower resin layer transmittance of liquid and gas, i.e., even when having a high elastic modulus material, it is possible to suppress variation in characteristics of the sensor element.

また、別の観点によれば、半導体装置は、樹脂層を第1樹脂層として、少なくともパッドの上部において第1樹脂層の上部に形成された第2樹脂層を備え、第1樹脂層は、第2樹脂層よりも液体および気体の透過量が少ない。 According to another aspect, a semiconductor device, the resin layer as the first resin layer, a second resin layer formed on the first resin layer in the upper portion of at least the pad, the first resin layer, permeation of liquid and gas than the second resin layer is small.

このように、第1樹脂層よりも液体および気体の透過量が多くなるように第2樹脂層を形成することにより、第2樹脂層が第1樹脂層よりも変形しやすくなる。 Thus, by forming the second resin layer as permeation amount of liquid and gas than the first resin layer is increased, the second resin layer easily deformed than the first resin layer. したがって、第2樹脂層をパッドの上部のみに形成した場合、および、第2樹脂層をパッドの上部に加えて、基板のうちパッドの外側の部分にも形成した場合の両方において、例えば第1樹脂層を基板の全体に形成する場合に比べて、パッド以外の部分の特性の変動を抑制することができる。 Therefore, when the second resin layer was formed only on the top of the pad, and the second resin layer in addition to the top of the pad, both in case of also formed on the outer portion of the pad of the substrate, for example, the first the resin layer as compared with the case of forming the entire substrate, it is possible to suppress variations in characteristics of a portion other than the pads. 例えばセンサ素子を備える半導体装置では、第2樹脂層をパッドの上部のみに形成した場合、および、第2樹脂層をパッドの上部に加えて、センサ素子の上部にも形成した場合の両方において、例えば第1樹脂層をセンサ素子の全体に形成する場合に比べて、センサ素子の特性の変動を抑制することができる。 For example, in a semiconductor device including a sensor element, when the second resin layer was formed only on the top of the pad, and the second resin layer in addition to the top of the pad, both in case of also formed on top of the sensor element, for example, the first resin layer as compared with the case of forming the whole of the sensor element, it is possible to suppress variation in characteristics of the sensor element.

第1樹脂層および第2樹脂層の液体および気体の透過量は、各層の厚さおよび材料で変化する。 Permeation of liquid and gas of the first resin layer and second resin layer varies in each layer thickness and material. 例えば、第1樹脂層を、第2樹脂層の材料よりも液体および気体の透過率が低い材料で構成し、各層の厚さを調整することにより、第1樹脂層が第2樹脂層よりも液体および気体の透過量が少ない構成とすることができる。 For example, the first resin layer, the transmittance of the liquid and gas than the material of the second resin layer is composed of a material having low, by adjusting the thickness of each layer, the first resin layer than the second resin layer can be transmitted amount of liquid and gas is less configuration.

また、樹脂層を、エポキシ樹脂、または、ポリアクリル樹脂で構成し、半導体装置を、樹脂層の上面に形成されたパラキシリレン系ポリマーで構成される保護膜を備える構成とすることができる。 Further, the resin layer, epoxy resin, or constituted by polyacrylic resin, a semiconductor device can be configured to include a protective film composed of paraxylene based polymer formed on the upper surface of the resin layer. このような構成では、保護膜は樹脂層よりも透過率が低く、弾性率が高いが、保護膜を十分に薄くすることにより、樹脂層が保護膜よりも液体および気体の透過量が少ない構成とすることができる。 In such a configuration, the protective layer has a lower permeability than the resin layer, is high modulus, by sufficiently thin protective film, construction permeation amount of liquid and gas is less than that of the resin layer is a protective film it can be.

また、別の観点によれば、半導体装置は、パッドの表面に形成され、パッドの上面を露出させる開口部が形成された絶縁膜を備え、パッドのうち開口部から露出した部分は、ボンディングワイヤのうちパッドから浮いた部分と重なる部分において、丸みを帯びた形状とされている。 According to another aspect, a semiconductor device is formed on the surface of the pad, comprising an insulating film having an opening formed to expose the upper surface of the pad, the exposed portion from the opening of the pad, a bonding wire in the portion that overlaps the floating portion from the pad of being a rounded shape.

これによれば、パッドのうちボンディングワイヤで隠れる部分に樹脂が流れ込みやすくなるため、パッドが樹脂層から露出することを抑制することができる。 According to this, the resin is likely to flow into the portion hidden by the bonding wire of the pad, it is possible to prevent the pad is exposed from the resin layer.

また、別の観点によれば、パッドの上面は、ボンディングワイヤのうちパッドから浮いた部分と重なる部分において、丸みを帯びた形状とされている。 According to another aspect, the top surface of the pad, in a portion that overlaps the floating portion from the pad of the bonding wire, and is rounded.

これによれば、パッドのうちボンディングワイヤで隠れる部分に樹脂が流れ込みやすくなるため、パッドが樹脂層から露出することを抑制することができる。 According to this, the resin is likely to flow into the portion hidden by the bonding wire of the pad, it is possible to prevent the pad is exposed from the resin layer.

また、別の観点によれば、半導体装置は、基板の表面に形成された撥液膜を備え、樹脂層は、撥液膜の外側に形成されている。 According to another aspect, a semiconductor device is provided with a liquid repellent film formed on the surface of the substrate, the resin layer is formed on the outside of the liquid-repellent film.

これによれば、樹脂層の材料が撥液膜によって弾かれるため、簡便に低コストで所望の形状の樹脂層を形成することができる。 According to this, since the material of the resin layer is repelled by the liquid repellent film, it is possible to form a resin layer of a desired shape in a simple low cost.

また、別の観点によれば、基板に形成されたパッドと、パッドを外部の回路に接続するボンディングワイヤと、を備える半導体装置の製造方法は、基板にパッドを形成することと、パッドにボンディングワイヤを接続することと、少なくともパッドとボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、基板のうちパッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させるように、パッドに樹脂を塗布して樹脂層を形成することと、を備える。 The bonding according to another aspect, the pads formed on the substrate, a method of manufacturing a semiconductor device comprising a bonding wire for connecting the pad to an external circuit, the includes forming a pad on the substrate, the pad and connecting the wires, and covers the connecting section between at least a pad and the bonding wire, so as to expose at least a portion of the outer portion of the pad of the substrate, the resin is applied to form the resin layer on the pad provided that the, the.

これによれば、腐食が発生しやすいパッドとボンディングワイヤとの接続部が、樹脂層に覆われるため、パッドの腐食を抑制することができる。 According to this, the connecting portion between the easy pads and bonding wires corrosion occurs, because they are covered with the resin layer, it is possible to suppress corrosion of the pad. また、樹脂層が、基板のうちパッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させるように形成されるため、樹脂層を液体および気体の透過率が低い材料、すなわち、弾性率の高い材料で構成した場合にも、パッド以外の部分の特性の変動を抑制することができる。 Further, the resin layer is to be formed to expose at least a portion of the outer portion of the pad of the substrate, a material lower resin layer transmittance of liquid and gas, i.e., having a high elastic modulus material even when it is possible to suppress variations in characteristics of a portion other than the pads.

また、別の観点によれば、半導体装置の製造方法は、印加された物理量に応じた信号を出力するセンサ素子を基板に形成することを備え、パッドは、センサ素子の出力信号を読み取るためのものであり、樹脂層を形成することでは、少なくともパッドとボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、センサ素子の少なくとも一部を露出させるように樹脂を塗布する。 According to another aspect, a method of manufacturing a semiconductor device, a sensor element for outputting a signal corresponding to the applied physical quantity comprises forming on the substrate, pad, for reading the output signal of the sensor element is intended, it is by forming the resin layer covers the connection portion of at least the pad and the bonding wire, applying a resin so as to expose at least a portion of the sensor element.

これによれば、腐食が発生しやすいパッドとボンディングワイヤとの接続部が、樹脂層に覆われるため、パッドの腐食を抑制することができる。 According to this, the connecting portion between the easy pads and bonding wires corrosion occurs, because they are covered with the resin layer, it is possible to suppress corrosion of the pad. また、樹脂層が、センサ素子の少なくとも一部を露出させるように形成されるため、樹脂層を液体および気体の透過率が低い材料、すなわち、弾性率の高い材料で構成した場合にも、センサ素子の特性の変動を抑制することができる。 Further, the resin layer is to be formed to expose at least a portion of the sensor element, a material lower resin layer transmittance of liquid and gas, i.e., even when having a high elastic modulus material, sensor it is possible to suppress variation in characteristics of the device.

また、別の観点によれば、樹脂層を形成することでは、パッドのうち、ボンディングワイヤのパッドから浮いた部分と重なる部分を避けて樹脂を塗布する。 According to another aspect, the by forming the resin layer, of the pad, applying a resin to avoid the overlap with the floating portion of the bonding wire pad.

これによれば、ボンディングワイヤのうちパッドから浮いた部分に樹脂層が形成されることを抑制することができる。 According to this, it is possible to prevent the resin layer is formed on a portion of floating from the pad of the bonding wire.

また、別の観点によれば、半導体装置の製造方法は、パッドの表面に絶縁膜を形成することと、絶縁膜にパッドの上面を露出させる開口部を形成することと、を備え、開口部を形成することでは、開口部から露出するパッドの上面が角部を有する形状となるように開口部を形成し、樹脂層を形成することでは、角部に樹脂を塗布する。 According to another aspect, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming an insulating film on the surface of the pad, and forming an opening exposing the upper surface of the pad in the insulating film, the openings by forming the the upper surface of the pad exposed from the opening portion to form an opening so that a shape having a corner portion, is by forming a resin layer, applying a resin to the corner.

これによれば、角部に樹脂が入り込みやすくなり、パッドが樹脂層から露出することを抑制することができる。 According to this, the resin is easily enter the corners, the pad can be prevented from being exposed from the resin layer.

また、別の観点によれば、開口部を形成することでは、開口部から露出するパッドの上面が四角形状となるように開口部を形成し、樹脂層を形成することでは、パッドの2つ、3つ、あるいは、4つの角部に樹脂を塗布する。 According to another aspect, the by forming the opening, the upper surface of the pad exposed from the opening portion to form an opening so that the square shape, the by forming the resin layer, two pads , three, or applying a resin to the four corners.

これによれば、角部に樹脂が入り込みやすくなり、パッドが樹脂層から露出することを抑制することができる。 According to this, the resin is easily enter the corners, the pad can be prevented from being exposed from the resin layer.

また、別の観点によれば、開口部を形成することでは、開口部から露出するパッドの上面が、ボンディングワイヤと重なる部分において丸みを帯びた形状となるように開口部を形成する。 According to another aspect, the by forming the opening, the upper surface of the pad exposed from the opening portion, to form an opening so that a rounded shape in a portion overlapping with the bonding wire.

これによれば、パッドのうちボンディングワイヤで隠れる部分に樹脂が流れ込みやすくなるため、パッドが樹脂層から露出することを抑制することができる。 According to this, the resin is likely to flow into the portion hidden by the bonding wire of the pad, it is possible to prevent the pad is exposed from the resin layer.

第1実施形態にかかる物理量センサの平面図である。 It is a plan view of a physical quantity sensor according to the first embodiment. 図1のII-II断面図である。 It is a sectional view taken along line II-II of Figure 1. 第1実施形態の変形例の平面図である。 It is a plan view of a modification of the first embodiment. 第2実施形態にかかる物理量センサの断面図であって、図2に相当する図である。 A cross-sectional view of a physical quantity sensor according to the second embodiment and is a view corresponding to FIG. 第3実施形態にかかる物理量センサの断面図であって、図2に相当する図である。 A cross-sectional view of a physical quantity sensor according to the third embodiment and is a view corresponding to FIG. 第4実施形態にかかる物理量センサの断面図であって、図2に相当する図である。 A cross-sectional view of a physical quantity sensor according to a fourth embodiment and is a view corresponding to FIG. 第5実施形態にかかる物理量センサの断面図であって、図2に相当する図である。 A cross-sectional view of a physical quantity sensor according to a fifth embodiment and is a view corresponding to FIG. 第6実施形態にかかる物理量センサの断面図であって、図2に相当する図である。 A cross-sectional view of a physical quantity sensor according to a sixth embodiment and is a view corresponding to FIG. 第7実施形態にかかる物理量センサの製造工程を示す平面図である。 Is a plan view showing a manufacturing process of the physical quantity sensor according to a seventh embodiment. 図9Aに続く製造工程を示す平面図である。 It is a plan view showing a manufacturing step following FIG. 9A. 第8実施形態にかかる物理量センサの平面図である。 It is a plan view of a physical quantity sensor according to the eighth embodiment. 第8実施形態の第1変形例の平面図である。 It is a plan view of a first modification of the eighth embodiment. 第8実施形態の第2変形例の平面図である。 It is a plan view of a second modification of the eighth embodiment. 第9実施形態にかかる物理量センサの平面図である。 It is a plan view of a physical quantity sensor according to a ninth embodiment. 図13のXIV-XIV断面図である。 It is a XIV-XIV cross-sectional view of FIG. 13. 第9実施形態の変形例の製造工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a manufacturing process of a modification of the ninth embodiment. 図15Aに続く製造工程を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing a manufacturing step subsequent to FIG. 15A. 図15Bに続く製造工程を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing a manufacturing step subsequent to FIG. 15B.

以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。 Hereinafter will be described with reference to FIG embodiments of the present disclosure. なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Note that in the following embodiments, portions identical or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

(第1実施形態) (First Embodiment)
第1実施形態について説明する。 A first embodiment will be described. 本実施形態の物理量センサは、測定媒体の圧力を検出する圧力センサであり、例えば自動車の吸気圧センサとして用いられる。 A physical quantity sensor of the present embodiment is a pressure sensor for detecting the pressure of the measurement medium, used for example as an intake pressure sensor for an automobile. 本実施形態の物理量センサは、図1、図2に示すように、基板1と、センサ素子2と、パッド3と、絶縁膜4と、ボンディングワイヤ5と、樹脂層6とを備えている。 A physical quantity sensor of the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a substrate 1, a sensor element 2, the pad 3, and the insulating film 4, a bonding wire 5, and a resin layer 6. なお、図1では、絶縁膜4の図示を省略しており、ボンディングワイヤ5については、後述するボンディングボール51のみを図示している。 In FIG. 1, it has been omitted in the insulating film 4, the bonding wire 5 shows only bonding balls 51 to be described later.

図2に示すように、基板1は、板状のガラス台座11と、ガラス台座11の上面に貼り付けられたシリコン基板12とで構成されている。 As shown in FIG. 2, the substrate 1 is a plate-like glass base 11, and a silicon substrate 12 which is affixed to the upper surface of the glass pedestal 11. シリコン基板12には、六角錐台形状の凹部13が形成されており、シリコン基板12のうち凹部13が形成された部分は、他の部分よりも薄いダイヤフラム14とされている。 The silicon substrate 12 is the recess 13 of the truncated hexagonal pyramid shape is formed, and a portion recesses 13 are formed in the silicon substrate 12 is a thin diaphragm 14 than other portions.

凹部13はガラス台座11によって開口部を覆われており、凹部13の内部は、真空圧とされている。 Recess 13 is covered with the opening by the glass pedestal 11, the inside of the recess 13, there is a vacuum pressure. 基板1は、シリコン基板12の上面に測定媒体の圧力が加わり、これによってダイヤフラム14が変形するように配置される。 Substrate 1, pressure is applied in the measuring medium on the upper surface of the silicon substrate 12, thereby being arranged so as diaphragm 14 is deformed.

センサ素子2は、印加された物理量に応じて信号を出力するものであり、本実施形態では、測定媒体の圧力に応じて信号を出力する。 The sensor element 2, and outputs a signal in response to the applied physical quantity, in this embodiment, and outputs a signal in response to the pressure of the measurement medium. センサ素子2は、ダイヤフラム14と、ダイヤフラム14に形成された歪みゲージ21とで構成されており、測定媒体の圧力によってダイヤフラム14が変形すると、歪みゲージ21の抵抗値が変化する。 The sensor element 2, the diaphragm 14 is constituted by a strain gauge 21 formed in the diaphragm 14, the diaphragm 14 is deformed by the pressure of the measurement medium, the resistance value of the strain gauge 21 is changed.

図1、図2に示すように、センサ素子2は歪みゲージ21を複数備えている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the sensor element 2 is provided with a plurality of strain gauges 21. 具体的には、センサ素子2は歪みゲージ21を4つ備えており、4つの歪みゲージ21、および、図示しない配線によって、ホイートストンブリッジ回路が形成されている。 Specifically, the sensor element 2 is provided with four strain gauges 21, four strain gauges 21, and, by wiring (not shown), the Wheatstone bridge circuit is formed. また、各歪みゲージ21は図示しない配線によってパッド3に接続されている。 Moreover, the strain gauges 21 are connected to the pad 3 by a not-shown wiring. このような構成では、例えば上記のブリッジ回路に定電流を流したときのブリッジ回路の中点電圧に基づいて、測定媒体の圧力を検出することができる。 In such a configuration, for example, on the basis of the midpoint voltage of the bridge circuit when a current of a constant current to the bridge circuit, it is possible to detect the pressure of the measurement medium.

各歪みゲージ21、ホイートストンブリッジ回路を構成する配線、および、各歪みゲージ21をパッド3に接続する配線は、シリコン基板12の表層部にP型の不純物を拡散させた拡散層等で構成されている。 Each strain gauge 21, wiring constituting the Wheatstone bridge circuit, and wiring connecting the strain gauges 21 to the pad 3 is formed of a diffusion layer by diffusing the P-type impurity into the surface layer of the silicon substrate 12 or the like there.

パッド3は、センサ素子2を図示しない電源に接続し、また、センサ素子2の出力信号を読み取るためのものであり、シリコン基板12のうちダイヤフラム14の外側の部分の上面に形成されている。 Pad 3 is connected to a power supply (not shown) of the sensor element 2, also provided for reading the output signal of the sensor element 2 is formed on the upper surface of the outer portion of the diaphragm 14 of the silicon substrate 12. パッド3は、例えばアルミニウム等で構成される。 Pad 3 is made of, for example, aluminum or the like.

絶縁膜4は、パッド3の表面、および、シリコン基板12のうちダイヤフラム14の外側の部分の上面を覆うように形成されており、例えばシリコン窒化物で構成される。 Insulating film 4, the surface of the pad 3, and are formed so as to cover the upper surface of the outer portion of the diaphragm 14 of the silicon substrate 12, formed of, for example, silicon nitride. 図2に示すように、絶縁膜4には、パッド3の上面を露出させる開口部41が形成されており、本実施形態では、開口部41は四角形状とされている。 As shown in FIG. 2, the insulating film 4, an opening portion 41 for exposing the top surface of the pad 3 is formed, in this embodiment, the opening 41 is a rectangular shape.

パッド3の上面のうち、開口部41によって露出した部分には、パッド3を外部の回路に接続するためのボンディングワイヤ5が接続されている。 Of the upper surface of the pad 3, the exposed portion by the opening 41, the bonding wires 5 for connecting the pad 3 to the outside of the circuit is connected. ボンディングワイヤ5のパッド3側の端部は、パッド3に接続される際の加熱等によって溶けて変形しており、これにより、図2に示すようにボンディングボール51が形成されている。 End of the pad 3 side of the bonding wires 5 are deformed melted by heating or the like at the time of being connected to the pads 3, Thus, the bonding balls 51 are formed as shown in FIG. ボンディングワイヤ5は、ボンディングボール51においてパッド3に接続されている。 Bonding wire 5 is connected to the pad 3 at the bonding balls 51. パッド3は、ボンディングワイヤ5および図示しない回路基板を介して、図示しない電源等に接続されている。 Pad 3 via the bonding wires 5 and not shown circuit board is connected to a power source (not shown) or the like.

また、パッド3の上面には、樹脂層6が形成されている。 On the upper surface of the pad 3, the resin layer 6 is formed. 樹脂層6は、液体や気体の薬品や水による物理量センサの腐食、特にパッド3とボンディングワイヤ5との接続部の腐食を抑制するためのものであり、例えば、エポキシ樹脂、ポリアクリル樹脂等で構成されている。 Resin layer 6, the corrosion of the physical quantity sensor with chemicals or liquid water or gas, is intended to particularly suppress corrosion of the connecting portion between the pad 3 and the bonding wires 5, for example, epoxy resins, polyacrylic resins, etc. It is configured.

樹脂層6は、少なくともパッド3とボンディングワイヤ5との接続部を覆い、かつ、センサ素子2の少なくとも一部を露出させるように形成されている。 Resin layer 6 covers the connection portion of at least the pad 3 and the bonding wires 5, and is formed so as to expose at least a portion of the sensor element 2. 本実施形態では、図2に示すように、樹脂層6は、パッド3のうち、ボンディングボール51との接続部と、ボンディングボール51および絶縁膜4から露出した部分を覆うように形成されている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the resin layer 6, of the pad 3 is formed so as to cover the connecting portion of the bonding ball 51, the portion exposed from the bonding balls 51 and the insulating film 4 . また、図1に示すように、樹脂層6は、センサ素子2の外側にのみ、具体的には、ダイヤフラム14の外側にのみ形成されている。 Further, as shown in FIG. 1, the resin layer 6, only the outside of the sensor element 2, specifically, it is formed only on the outer side of the diaphragm 14.

図1、図2に示すように、本実施形態の物理量センサはパッド3を複数備えており、各パッド3に対して開口部41が形成され、ボンディングワイヤ5が配置されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the physical quantity sensor of the present embodiment is provided with a plurality of pads 3, the opening 41 is formed for each pad 3, the bonding wires 5 is arranged. そして、樹脂層6は、複数のパッド3を含む連続した1つの領域に形成されている。 Then, the resin layer 6 is formed on one region of continuous comprising a plurality of pads 3.

このような物理量センサを製造するには、まず、ウェハ状のシリコン基板12の表層部にP型不純物を拡散させて歪みゲージ21および図示しない配線を形成し、スパッタリングによってパッド3、絶縁膜4を形成する。 To produce such a physical quantity sensor, first, to form a wiring that does not strain gauges 21 and illustrated by diffusing P-type impurities in the surface layer of the wafer-shaped silicon substrate 12, the pad 3 by sputtering, the insulating film 4 Form. つぎに、エッチングによって凹部13を形成し、シリコン基板12をガラス台座11に貼り付けた後、ダイシングカットによりシリコン基板12をチップ単位に分割し、ボンディングワイヤ5をパッド3に接続する。 Next, a recess 13 by etching, the silicon substrate 12 was adhered to the glass pedestal 11, the silicon substrate 12 is divided into chips by dicing, connecting the bonding wires 5 to the pads 3. そして、少なくともパッド3とボンディングワイヤ5との接続部を覆うとともに、センサ素子2の少なくとも一部を露出させるように樹脂を塗布して樹脂層6を形成する。 Then, to form at least the pad 3 and the bonding wires covers the connection portion between the 5, the resin layer 6 resin is applied so as to expose at least a portion of the sensor element 2. 具体的には、ダイヤフラム14および歪みゲージ21を露出させるように、樹脂層6の材料をシリコン基板12、パッド3、絶縁膜4の表面に塗布する。 Specifically, so as to expose the diaphragm 14 and strain gauge 21 is coated with a material of the resin layer 6 silicon substrate 12, pad 3, the surface of the insulating film 4.

本実施形態の効果について説明する。 The effect of this embodiment is described. 例えば自動車の再排気循環システムに設けられた吸気圧センサとして物理量センサを用いた場合、物理量センサは、排気ガスに含まれるSO 、NO に起因した硫酸、硝酸や、オイル、気化した燃料などの腐食環境に晒される。 For example, when using the physical quantity sensor as an intake pressure sensor provided in an automobile re exhaust circulation system, the physical quantity sensor, SO x contained in the exhaust gas, sulfuric acid due to NO x, and nitric acid, oil, vaporized fuel, etc. exposed to the corrosive environment. そして、特にパッド3のうち、ボンディングワイヤ5との接続部において腐食が発生しやすい。 And in particular of the pad 3, the corrosion is likely to occur at the connection portion between the bonding wire 5.

これに対して、本実施形態のように、少なくともパッド3とボンディングワイヤ5との接続部を覆うように樹脂層6を形成することにより、パッド3のうちボンディングワイヤ5との接続部における腐食の発生を抑制することができる。 In contrast, as in this embodiment, by forming the resin layer 6 so as to cover the connection portion of at least the pad 3 and the bonding wires 5, the corrosion at the connection between the bonding wires 5 of the pad 3 it is possible to suppress the occurrence.

また、パッド3のうち、絶縁膜4およびボンディングボール51から露出した部分においても腐食が発生しやすい。 Further, of the pad 3, the corrosion is likely to occur even in the exposed portion from the insulating film 4 and the bonding balls 51. これに対して、本実施形態では、樹脂層6が、パッド3のうちボンディングボール51および絶縁膜4から露出した部分を覆っているため、パッド3の腐食をさらに抑制することができる。 In contrast, in the present embodiment, the resin layer 6 is, for covering the portion exposed from the bonding balls 51 and the insulating film 4 of the pad 3, it is possible to further suppress the corrosion of the pad 3.

また、本実施形態のように、センサ素子2の少なくとも一部を露出させるように、樹脂層6を局所的に形成することにより、ダイヤフラム14の変形が妨げられることを抑制することができる。 Moreover, as in this embodiment, so as to expose at least a portion of the sensor element 2, by locally forming the resin layer 6, it is possible to suppress the deformation of the diaphragm 14 is prevented. したがって、物理量センサの感度の低下等を抑制し、センサ特性の変動を抑制することができる。 Therefore, suppressing the decrease or the like of the sensitivity of the physical quantity sensor, it is possible to suppress variations in sensor characteristics. また、本実施形態では、樹脂層6がセンサ素子2の外側にのみ形成されているため、センサ特性の変動をさらに抑制することができる。 Further, in the present embodiment, the resin layer 6 is formed only on the outer side of the sensor element 2, it is possible to further suppress variations in sensor characteristics.

以上説明したように、本実施形態では、樹脂層6を局所的に形成することにより、パッドの腐食およびセンサ特性の変動を抑制することができる。 As described above, in the present embodiment, by locally forming the resin layer 6, it is possible to suppress variation in corrosion and sensor characteristics of the pad.

なお、本実施形態では、樹脂層6が、複数のパッド3を含む連続した1つの領域に形成されているが、図3に示すように、樹脂層6が、互いに離された複数の領域に形成され、各領域においてパッド3を覆っていてもよい。 In the present embodiment, the resin layer 6, are formed on one region of continuous comprising a plurality of pads 3, as shown in FIG. 3, the resin layer 6, a plurality of regions separated from each other is formed, it may cover the pad 3 in each region.

また、複数のパッド3のうち一部のみにボンディングワイヤ5が接続されている場合、例えば、複数のパッド3にボンディングワイヤ5が接続されない検査用のパッドが含まれる場合には、検査終了後に検査用のパッド3に樹脂を塗布し、開口部41を塞いでもよい。 Also, if the bonding wire 5 only some of the plurality of pads 3 are connected, for example, when a bonding wire 5 to a plurality of pads 3 includes pads for inspection are not connected, the inspection after the inspection the resin is applied to the pads 3 of use, may block the openings 41. このように、ボンディングワイヤ5が形成されたパッド3に加え、ボンディングワイヤ5から離されたパッド3も覆うように樹脂層6を形成することで、ボンディングワイヤ5から離されたパッド3の腐食が抑制される。 Thus, in addition to the pad 3 to which the bonding wires 5 are formed, by forming the resin layer 6 as the pad 3 is also covered that are separated from the bonding wire 5, the corrosion of the pad 3, which is released from the bonding wire 5 It is suppressed.

(第2実施形態) (Second Embodiment)
第2実施形態について説明する。 A second embodiment will be described. 本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂層6とは別の樹脂層を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment, the resin layer 6 to the first embodiment is obtained by adding another resin layer, since other elements are the same as the first embodiment, portions different from the first embodiment only explain.

図4に示すように、本実施形態の物理量センサは、樹脂層7を備えている。 As shown in FIG. 4, the physical quantity sensor of the present embodiment has a resin layer 7. 樹脂層7は、樹脂層6と同様に物理量センサの腐食を抑制するためのものであるが、物理量センサの特性への影響を軽減するために、樹脂層6よりも変形しやすい構成とされている。 The resin layer 7 is of the order to suppress corrosion of the physical quantity sensor as in Resin Layer 6, in order to reduce the influence of the characteristics of the physical quantity sensor, it is a deformable structure than that of the resin layer 6 there.

物理量センサに圧力が印加されたときの樹脂層7の変形量は、樹脂層7の厚さや材料の弾性率によって調整することができる。 Deformation of the resin layer 7 when pressure is applied to the physical quantity sensor can be adjusted by the elastic modulus in the thickness and material of the resin layer 7. 本実施形態では、樹脂層7は、樹脂層6の材料よりも弾性率が低い材料、例えばシリコンゲル等で構成されている。 In the present embodiment, the resin layer 7 has an elastic modulus than the material of the resin layer 6 is made of a material having low, for example, silicone gel or the like.

樹脂層6は、樹脂層7よりも液体および気体の透過量が少なくされている。 Resin layer 6, the transmission amount of liquid and gas than the resin layer 7 is reduced. 樹脂層6、樹脂層7の液体と気体の透過量は、各層の厚さや材料によって調整することができる。 Resin layer 6, the transmission amount of the liquid and gas of the resin layer 7 can be adjusted by the thickness and material of each layer. 本実施形態では、樹脂層6は、樹脂層7の材料よりも液体および気体の透過率が低い材料で構成されている。 In the present embodiment, the resin layer 6, the transmittance of the liquid and gas is formed at a lower material than the material of the resin layer 7. 樹脂層6、樹脂層7は、それぞれ、第1樹脂層、第2樹脂層に相当する。 Resin layer 6, the resin layer 7, respectively, the first resin layer, which corresponds to the second resin layer.

樹脂層7は、少なくともパッド3の上部において樹脂層6の上部に形成されている。 The resin layer 7 is formed on top of the resin layer 6 at the top of at least the pad 3. 本実施形態では、樹脂層7は、絶縁膜4、樹脂層6、ボンディングワイヤ5を覆うように形成されており、ボンディングワイヤ5は樹脂層7によって保護されている。 In the present embodiment, the resin layer 7, the insulating film 4, the resin layer 6 is formed so as to cover the bonding wire 5, the bonding wire 5 is protected by a resin layer 7.

また、本実施形態では、樹脂層7は、パッド3の上部に加えて、センサ素子2の上部にも形成されており、センサ素子2、絶縁膜4、樹脂層6、ボンディングワイヤ5が樹脂層7に覆われている。 Further, in the present embodiment, the resin layer 7, in addition to the top of the pad 3, are also formed on the top of the sensor element 2, the sensor element 2, the insulating film 4, the resin layer 6, a bonding wire 5 resin layer It is covered in 7. このような構成では、樹脂層7を介してダイヤフラム14に測定媒体の圧力が加わる。 In such a configuration, the pressure of the measuring medium to the diaphragm 14 through the resin layer 7 is applied.

また、樹脂層7は、基板1の上部に加えて、基板1の側面、および、図示しない回路基板を覆うように形成されており、図4では、樹脂層7のうち基板1の上部に形成された部分のみを図示している。 Further, the resin layer 7 is formed in addition to the top of the substrate 1, the side surface of the substrate 1, and are formed so as to cover the circuit board, not shown, in FIG. 4, the upper portion of the substrate 1 of the resin layer 7 It is shown only the portions.

樹脂層7を形成することにより、パッド3の腐食をさらに抑制することができる。 By forming the resin layer 7, it is possible to further suppress the corrosion of the pad 3. また、樹脂層7は樹脂層6よりも変形しやすい構成とされているため、樹脂層7が形成されてもダイヤフラム14の変形は大きくは妨げられない。 Further, the resin layer 7 because it is an easily deformable structure than the resin layer 6, deformation of the diaphragm 14 be a resin layer 7 is formed largely unimpeded. したがって、本実施形態においても、パッド3の腐食およびセンサ特性の変動を抑制することができる。 Therefore, in this embodiment, it is possible to suppress the variation of corrosion and sensor characteristics of the pad 3.

(第3実施形態) (Third Embodiment)
第3実施形態について説明する。 Third embodiment will be described. 本実施形態は、第2実施形態に対して樹脂層7の構成を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the structure of the resin layer 7 to the second embodiment, since other elements are the same as the second embodiment, description will be given only of a portion different from the second embodiment.

図5に示すように、本実施形態では、樹脂層7がセンサ素子2の少なくとも一部を露出させるように形成されている。 As shown in FIG. 5, in the present embodiment, the resin layer 7 is formed so as to expose at least a portion of the sensor element 2. 具体的には、樹脂層7はダイヤフラム14の一部を露出させるように形成されている。 Specifically, the resin layer 7 is formed to expose a portion of the diaphragm 14.

センサ素子2の少なくとも一部を露出させるように樹脂層7を形成することにより、ダイヤフラム14の変形が妨げられることがさらに抑制される。 By forming the resin layer 7 so as to expose at least a portion of the sensor element 2, it is further suppressed that deformation of the diaphragm 14 is prevented. したがって、本実施形態では、センサ特性の変動をさらに抑制することができる。 Therefore, in the present embodiment, it is possible to further suppress variations in sensor characteristics.

(第4実施形態) (Fourth Embodiment)
第4実施形態について説明する。 Fourth embodiment will be described. 本実施形態は、第2実施形態に対して樹脂層7の構成を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the structure of the resin layer 7 to the second embodiment, since other elements are the same as the second embodiment, description will be given only of a portion different from the second embodiment.

図6に示すように、本実施形態では、樹脂層7は、樹脂層6の上部に形成された第1層71と、第1層の上部に形成された第2層72とを備えており、パッド3の上部に樹脂層6、第1層71、第2層72の3層が積層されている。 As shown in FIG. 6, in the present embodiment, the resin layer 7 includes a first layer 71 formed on top of the resin layer 6, and a second layer 72 formed on top of the first layer , the resin layer 6 on top of the pad 3, the first layer 71, three layers of the second layer 72 are laminated.

このような構成では、液体や気体が第2層72を透過し、第1層71と第2層72との界面に到達した場合に、その液体や気体が、第1層71と第2層72との界面で広がる。 In such a configuration, the liquid or gas is transmitted through the second layer 72, when it reaches the interface between the first layer 71 and second layer 72, the liquid or gas, the first layer 71 second layer spread at the interface between the 72. そのため、液体や気体が第1層71を透過して絶縁膜4、樹脂層6等に到達することが抑制される。 Therefore, liquid or gas passes through the first layer 71 insulating film 4, to reach the resin layer 6 or the like is suppressed. したがって、液体や気体が樹脂層7を透過することを抑制し、パッド3の腐食をさらに抑制することができる。 Therefore, it is possible to liquid or gas is prevented from passing through the resin layer 7, further inhibit corrosion of the pad 3.

(第5実施形態) (Fifth Embodiment)
第5実施形態について説明する。 Fifth embodiment will be described. 本実施形態は、第2実施形態に対して樹脂層6の構成を変更したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the structure of the resin layer 6 to the second embodiment, since other elements are the same as the second embodiment, description will be given only of a portion different from the second embodiment.

図7に示すように、本実施形態では、樹脂層6は、パッド3のうち、ボンディングボール51との接続部のみを覆っており、絶縁膜4、ボンディングボール51、樹脂層6から露出したパッド3の表面は、樹脂層7で覆われている。 As shown in FIG. 7, in the present embodiment, the resin layer 6, of the pad 3 covers only the connection portion of the bonding ball 51, the insulating film 4 and exposed bonding balls 51, a resin layer 6 pad 3 of the surface is covered with a resin layer 7.

このように、樹脂層6がパッド3のうちボンディングワイヤ5との接続部のみを覆う構成においても、この接続部におけるパッド3の腐食を抑制することができる。 Thus, even in a configuration in which the resin layer 6 covers only the connection portion between the bonding wire 5 of the pad 3, it is possible to suppress corrosion of the pad 3 in the connecting portion.

(第6実施形態) (Sixth Embodiment)
第6実施形態について説明する。 Sixth embodiment will be described. 本実施形態は、第2実施形態に対して保護膜を追加したものであり、その他については第2実施形態と同様であるため、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is obtained by adding a protective layer to the second embodiment, since other elements are the same as the second embodiment, description will be given only of a portion different from the second embodiment.

図8に示すように、本実施形態では、樹脂層6の上面に、パラキシリレン系ポリマーであるパリレン(登録商標)で構成される保護膜8が形成されている。 As shown in FIG. 8, in this embodiment, the upper surface of the resin layer 6, a protective film 8 is formed consisting of parylene (registered trademark) is a para-xylylene polymer. 具体的には、保護膜8は、シリコン基板12、絶縁膜4、樹脂層6を覆うように形成されており、保護膜8の上面に樹脂層7が形成されている。 Specifically, the protective film 8, the silicon substrate 12, an insulating film 4 is formed so as to cover the resin layer 6, the resin layer 7 is formed on the upper surface of the protective film 8.

パリレンで構成される保護膜8は、液体および気体の透過率が樹脂層6および樹脂層7よりも低く、弾性率が高いが、保護膜8を十分に薄く形成することにより、保護膜8は樹脂層6よりも液体および気体の透過量が多くなり、変形しやすくなる。 Protective film 8 consisting of parylene, the transmittance of the liquid and gas is lower than the resin layer 6 and the resin layer 7, is high modulus, by forming sufficiently thin protective film 8, the protective film 8 becomes large transmission amount of liquid and gas than the resin layer 6, easily deformed. すなわち、樹脂層6が、保護膜8よりも液体および気体の透過量が少ない構成となる。 That is, the resin layer 6, the transmission amount of liquid and gas is less structure than the protective film 8.

保護膜8が形成された本実施形態では、液体や気体が樹脂層7を透過し、樹脂層7と保護膜8との界面に到達した場合に、その液体や気体が、樹脂層7と保護膜8との界面で広がる。 In this embodiment the protective film 8 is formed, the liquid or gas is transmitted through the resin layer 7, when it reaches the interface between the resin layer 7 and the protective film 8, the liquid or gas, the protective resin layer 7 spread at the interface between the film 8. したがって、液体や気体が絶縁膜4、樹脂層6等に到達することを抑制し、パッド3の腐食をさらに抑制することができる。 Therefore, it is possible to liquid or gas dielectric film 4, and prevented from reaching the resin layer 6 or the like, to suppress the corrosion of the pad 3.

(第7実施形態) (Seventh Embodiment)
第7実施形態について説明する。 Seventh embodiment will be described. 本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂層6の形成方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the method of forming the resin layer 6 to the first embodiment, since the other elements are the same as the first embodiment, description will be given only of a portion different from the first embodiment.

パッド3の腐食を十分に抑制するためには、パッド3のうち絶縁膜4およびボンディングボール51から露出した部分を樹脂層6で覆うことが好ましい。 To sufficiently suppress the corrosion of the pad 3 preferably covers the portion exposed from the insulating film 4 and the bonding balls 51 of the pad 3 in the resin layer 6. しかしながら、樹脂層6の材料をボンディングワイヤ5の上から塗布すると、ボンディングワイヤ5で隠れる部分に樹脂層6が形成されないおそれがある。 However, when applying a material of the resin layer 6 over the bonding wires 5, there is a possibility that the resin layer 6 is not formed in a portion hidden by bonding wires 5.

また、樹脂層6の材料をボンディングワイヤ5の上から塗布すると、ボンディングワイヤ5のうちボンディングボール51にのみ樹脂層6を接触させたい場合に、ボンディングワイヤ5のうちボンディングボール51以外の部分に樹脂層6が接触するおそれがある。 Further, when applying a material of the resin layer 6 on the bonding wire 5, when it is desired to contact with the resin layer 6 only to the bonding balls 51 out of the bonding wire 5, the resin in the portion other than the bonding balls 51 out of the bonding wire 5 there is a risk that the layer 6 is in contact.

これに対して、塗布の精度を高くすることにより、パッド3全体を樹脂層6で覆いつつ、ボンディングワイヤ5のうちボンディングボール51にのみ樹脂層6を接触させることができる。 In contrast, by increasing the accuracy of the application, the entire pad 3 while covering resin layer 6, it can be brought into contact with the resin layer 6 only to the bonding balls 51 out of the bonding wires 5. しかしながら、塗布の精度の向上により、加工コストが増加することがある。 However, the accuracy of the coating, which may processing cost increases.

そこで本実施形態では、樹脂層6の材料をボンディングワイヤ5から離れた複数の箇所に塗布する。 In this embodiment, it applied to a plurality of locations spaced apart the material of the resin layer 6 bonding wires 5. 具体的には、開口部41から露出したパッド3の上面が角部を有する形状となるように絶縁膜4を形成する。 Specifically, the upper surface of the pad 3 exposed from the opening 41 to form an insulating film 4 such that the shape having the corner portion. ここでは、開口部41を第1実施形態と同様に四角形状とする。 Here, the square-shaped opening 41 as in the first embodiment. そして、図9Aに示すように、四角形状とされた開口部41から露出したパッド3の上面の4つの角部のうち、ボンディングワイヤ5から離れた3つの角部に樹脂を塗布する。 Then, as shown in FIG. 9A, one of the four corners of the upper surface of the pad 3 exposed from the opening 41 which is a rectangular shape, applying a resin to the three corner portions away from the bonding wires 5.

すると、図9Bに示すように、塗布された樹脂がボンディングワイヤ5の下に回り込み、ボンディングワイヤ5で隠れた部分にも樹脂層6が形成され、パッド3が樹脂層6で覆われる。 Then, as shown in FIG. 9B, the applied resin wraparound under the bonding wire 5, the resin layer 6 is formed in a hidden part by a bonding wire 5, the pad 3 is covered with the resin layer 6. また、ボンディングボール51が開口部41から露出したパッド3の中央部に配置された場合には、パッド3の角部に樹脂を塗布することで、ボンディングワイヤ5のうちボンディングボール51以外の部分に樹脂層6が接触することを抑制することができる。 Further, when the bonding ball 51 is disposed in a central portion of the pad 3 exposed from the opening 41, by applying a resin to the corners of the pad 3, the portions other than the bonding balls 51 out of the bonding wire 5 it is possible to prevent the resin layer 6 is in contact.

なお、本実施形態では、パッド3の3つの角部に樹脂を塗布したが、パッド3の4つの角部のうち、ボンディングワイヤ5から離れた2つの角部に樹脂を塗布してもよい。 In the present embodiment, although the resin is applied to three corners of the pad 3, the four corners of the pad 3 may be coated with resin to the two corners away from the bonding wires 5. また、ボンディングワイヤ5がどの角部とも重なっていない場合には、パッド3の4つの角部に樹脂を塗布してもよい。 Further, in the case does not overlap with any corners bonding wire 5, the resin may be applied to the four corners of the pad 3.

また、本実施形態では3つの角部に一度ずつ樹脂を塗布したが、3つの角部に一度ずつ樹脂を塗布し、樹脂が硬化した後、3つの角部のうちボンディングワイヤ5で隠れた部分に近い2つの角部に再度樹脂を塗布してもよい。 The portion was coated with the resin once for three corner portions in the present embodiment, the resin is applied once for three corner portions, after the resin has cured, hidden by bonding wires 5 of the three corners two corners again the resin may be applied close to. このように樹脂を塗布すると、一度目に塗布された樹脂とパッド3との段差によって、2度目に塗布された樹脂がボンディングワイヤ5の下に流れ込みやすくなり、パッド3が樹脂層6から露出することをさらに抑制することができる。 With this coating the resin, the difference in level between the resin and the pad 3, which is applied to the first time, was applied a second time the resin tends to flow into the bottom of the bonding wire 5, the pad 3 is exposed from the resin layer 6 it can be further suppressed.

(第8実施形態) (Eighth Embodiment)
第8実施形態について説明する。 Eighth embodiment will be described. 本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂層6の形成方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the method of forming the resin layer 6 to the first embodiment, since the other elements are the same as the first embodiment, description will be given only of a portion different from the first embodiment.

本実施形態では、開口部41は、ボンディングワイヤ5と重なる部分が丸みを帯びた形状とされている。 In the present embodiment, the opening 41, the portion overlapping with the bonding wires 5 is a rounded shape. そして、これにより、図10に示すように、パッド3のうち開口部41から露出する部分の上面が、ボンディングワイヤ5と重なる部分において丸みを帯びた形状とされている。 And, thereby, as shown in FIG. 10, the upper surface of the portion exposed from the opening 41 of the pad 3, has a shape rounded at the portion overlapping the bonding wires 5. 具体的には、パッド3の上面は基板1の外側に向かって凸形状とされた半円形状とされており、湾曲した部分がボンディングワイヤ5のうちパッド3から浮いた部分と重なっている。 Specifically, the upper surface of the pad 3 is a convex shape and is semicircular toward the outside of the substrate 1, the curved portion overlaps the floating portion from the pad 3 of the bonding wires 5.

パッド3のうち、ボンディングワイヤ5のパッド3から浮いた部分と重なる部分を避けて樹脂を塗布する場合、ディスペンスノズルをボンディングワイヤ5とは反対側に配置して樹脂の塗布を行うことになる。 Among the pad 3, when avoiding the portion overlapping the floating portion from the pad 3 of the bonding wire 5 to apply the resin, thereby performing the placement to the resin coated on the side opposite to the bonding wires 5 a dispensing nozzle. このとき、開口部41がボンディングワイヤ5と重なる部分において角部を有する形状とされていると、塗布する樹脂の量が少ない場合に、角部に樹脂が流れ込まず、パッド3が樹脂層6から露出するおそれがある。 At this time, the opening 41 has a shape having a corner portion in a portion overlapping with the bonding wire 5, when small amount of resin to be applied is, the resin does not flow into the corners, the pad 3 is a resin layer 6 risk of exposure there is.

これに対して、本実施形態では、開口部41から露出したパッド3の上面が、ボンディングワイヤ5と重なる部分において丸みを帯びた形状とされているため、開口部41の隅に樹脂が流れ込みやすくなる。 In contrast, in the present embodiment, the upper surface of the pad 3 exposed from the opening 41, because it is a rounded shape in a portion overlapping with the bonding wire 5, easy resin flow into the corners of the openings 41 Become. したがって、パッド3が樹脂層6から露出することを抑制することができる。 Therefore, it is possible to prevent the pad 3 is exposed from the resin layer 6.

なお、開口部41の曲率半径があまりに小さいと、開口部41の隅に樹脂が流れ込まないおそれがある。 Incidentally, the radius of curvature of the opening 41 is too small, there is a possibility that the resin does not flow in the corner of the opening 41. 開口部41の曲率半径は、樹脂を滴下したときに表面張力によって形成される樹脂層の形状の曲率半径に対応して定めればよい。 The curvature radius of the aperture 41 may be determined in accordance with the radius of curvature of the shape of the resin layer formed by surface tension when the dropped resin. 例えば、曲率半径を0.03mmより大きくすることにより、開口部41の隅に樹脂が流れ込みやすくなり、パッド3が樹脂層6から露出することをさらに抑制することができる。 For example, by increasing from 0.03mm radius of curvature, it tends resin flows into the corner of the opening 41, the pad 3 can be further prevented from being exposed from the resin layer 6.

なお、本実施形態では開口部41から露出したパッド3の上面を半円形状としたが、パッド3の上面を、ボンディングワイヤ5と重なる部分が丸みを帯びた他の形状としてもよい。 Incidentally, the upper surface of the pad 3 exposed from the opening 41 in the embodiment has been a semicircular shape, the upper surface of the pad 3 may be other shapes tinged part overlapping with the bonding wire 5 is rounded. 例えば、図11に示すように、パッド3の上面を円形状としてもよく、図12に示すように、4つの角部が丸みを帯びた四角形状としてもよい。 For example, as shown in FIG. 11, the upper surface of the pad 3 may be a circular shape, as shown in FIG. 12, may have a rectangular shape in which four corners are rounded.

(第9実施形態) (Ninth Embodiment)
第9実施形態について説明する。 Ninth embodiment will be described. 本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂層6の形成方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。 This embodiment is a modification of the method of forming the resin layer 6 to the first embodiment, since the other elements are the same as the first embodiment, description will be given only of a portion different from the first embodiment.

図13、図14に示すように、本実施形態では、シリコン基板12の表面に撥液膜9が形成されており、センサ素子2のダイヤフラム14が撥液膜9で覆われている。 13, as shown in FIG. 14, in this embodiment, the liquid-repellent film 9 on the surface of the silicon substrate 12 is formed, the diaphragm 14 of the sensor element 2 is covered with a liquid repellent film 9. そして、樹脂層6は、撥液膜9の外側に形成されている。 Then, the resin layer 6 is formed on the outside of the liquid-repellent film 9. 撥液膜9は、撥液性を有する薄膜であり、撥液膜9によって樹脂層6の材料の濡れ性が制御される。 Liquid repellent film 9 is a thin film having liquid repellency, wettability of the material of the resin layer 6 is controlled by the liquid-repellent film 9.

撥液膜9としては、水に対する接触角が90度以上のシリコーン系、フッ素系コーティング剤等を用いることができる。 The liquid repellent film 9, the contact angle to water can be used 90 degrees or more silicone-based, fluorine-based coating agent or the like. 耐環境性の観点からはFAS(フルオロアルキルシラン)等のフッ素系コーティング剤で撥液膜9を構成することが好ましい。 From the viewpoint of environmental resistance is preferably configured repellent film 9 with a fluorine-based coating agent such as FAS (fluoroalkyl silanes).

また、センサ素子2の特性の変動を抑制するために、撥液膜9を弾性率の低い材料で構成し、膜厚を十分に小さくすることが好ましい。 Further, in order to suppress variations in characteristics of the sensor element 2, constitutes a liquid repellent film 9 with a low modulus of elasticity material, it is preferable to sufficiently reduce the thickness.

樹脂層6を形成する前にこのような撥液膜9を形成しておくことで、樹脂層6の材料が撥液膜9によって弾かれるため、センサ素子2に樹脂層6の材料が塗布されることを抑制することができる。 By forming such a liquid-repellent film 9 before forming the resin layer 6, since the material of the resin layer 6 is repelled by the liquid repellent film 9, the material of the resin layer 6 is applied to the sensor element 2 it is possible to suppress the Rukoto. したがって、簡便に低コストで所望の形状の樹脂層6を形成することができる。 Therefore, it is possible to easily form the resin layer 6 having a desired shape at low cost.

なお、本実施形態ではダイヤフラム14上に撥液膜9を形成したが、図15Aに示すように、ダイヤフラム14に加え、パッド3の上面に撥液膜9を形成してもよい。 In the present exemplary embodiment to form a liquid repellent film 9 on the diaphragm 14, as shown in FIG. 15A, in addition to the diaphragm 14, the upper surface of the pad 3 may be formed liquid-repelling film 9. 撥液膜9を十分に薄く形成すれば、図15Bに示すように、パッド3の上面に形成された撥液膜9がワイヤボンディングの際の圧力等によって破れるため、パッド3とボンディングワイヤ5とを電気的に接続することができる。 If sufficiently thin liquid-repelling film 9, as shown in FIG. 15B, since the liquid repellent film 9 formed on the upper surface of the pad 3 is broken by the pressure or the like during wire bonding, a pad 3 and the bonding wires 5 it can be electrically connected to. この場合、図15Cに示すように、撥液膜9が破れてパッド3が露出した部分にのみ樹脂層6を形成してもよい。 In this case, as shown in FIG. 15C, a resin layer may be formed 6 only in a portion where the liquid-repellent film 9 is exposed pad 3 broken.

このようにパッド3の上面に撥液膜9を形成する場合、撥液膜9を弾性率の低い材料で構成し、膜厚を十分に小さくすることによって、撥液膜9がワイヤボンディングに与える影響を小さくすることができる。 When such to form a liquid repellent film 9 on the upper surface of the pad 3, constitute the liquid-repellent film 9 with low elasticity modulus material, by a sufficient reduction in thickness, the liquid-repellent film 9 has on the wire bonding impact can be reduced.

また、撥液膜9は塗布により形成することができるが、塗布以外の方法、例えば、蒸着法、ディッピング法等で撥液層9を形成してもよい。 Further, the liquid-repellent film 9 can be formed by coating, a method other than coating, for example, evaporation method, may be formed liquid-repellent layer 9 by a dipping method or the like. 蒸着法、ディッピング法等で撥液層9を形成することで、より簡便に低コストで物理量センサを製造することが可能になる。 Deposition, by forming a liquid-repellent layer 9 by a dipping method or the like, it is possible to manufacture the physical quantity sensor in a more convenient cost.

また、撥液膜9を、シリコン基板12をチップ単位に分割するダイシングカットの前に形成してもよいし、ダイシングカットの後に形成してもよい。 Further, the liquid repellent film 9, to the silicon substrate 12 may be formed before the dicing for dividing into chips may be formed after the dicing.

(他の実施形態) (Other embodiments)
なお、本開示は上記した実施形態に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。 The present disclosure is not intended to be limited to the embodiments described above, and can be modified as appropriate. また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。 Further, the above embodiments are not irrelevant to each other, combination unless obviously impossible, can be appropriately combined. また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。 In each of the above embodiments, the elements constituting the embodiments, unless such case considered if explicitly and in principle clearly essential to be essential, it is not necessarily indispensable needless to say There. また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。 Also, limited in the above embodiments, the number of components of the embodiments, values, amount, when numerical ranges, etc. are mentioned, when the explicit and theoretically the number of clearly identified as particularly essential It is greater than or less than is, but is not limited to that particular number. また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。 In each of the above embodiments, the shape of the components, when referring to a positional relationship or the like, except in particular clearly the case and principle specific shape, etc. If to be limited to the positional relationship or the like, the shape, It is not limited to positional relationships.

例えば、センサ特性の変動を抑制するためには、上記第1実施形態のように、樹脂層6をセンサ素子2の外側にのみ形成することが好ましい。 For example, in order to suppress variations in sensor characteristics, as in the first embodiment, it is preferable to form the resin layer 6 only on the outer side of the sensor element 2. しかしながら、センサ素子2の少なくとも一部が樹脂層6から露出すればよく、樹脂層6の一部がセンサ素子2の上部に形成されていてもよい。 However, at least a portion of the sensor element 2 may be exposed from the resin layer 6, a part of the resin layer 6 may be formed on top of the sensor element 2.

また、樹脂層6が絶縁膜4およびボンディングボール51から露出したパッド3の表面を覆う構成において、樹脂層6が絶縁膜4の上面に形成されず、開口部41の内部にのみ形成されていてもよい。 In the configuration in which the resin layer 6 covers the surface of the pad 3 exposed from the insulating film 4 and the bonding balls 51, the resin layer 6 is not formed on the upper surface of the insulating film 4, formed only inside the opening 41 it may be.

また、樹脂層6、樹脂層7、保護膜8における液体および気体の透過量を、膜厚で調整してもよく、膜厚および材料の両方で調整してもよい。 Further, the resin layer 6, the resin layer 7, the transmission amount of liquid and gas in the protective film 8 may be adjusted in thickness, may be adjusted in both the thickness and material. 同様に、樹脂層6、樹脂層7、保護膜8の変形量を、膜厚で調整してもよく、膜厚および材料の両方で調整してもよい。 Similarly, the resin layer 6, the resin layer 7, the deformation amount of the protective film 8 may be adjusted in thickness, may be adjusted in both the thickness and material.

また、樹脂層7がパッド3、絶縁膜4、シリコン基板12の表面に形成されず、ボンディングワイヤ5および樹脂層6の表面のみに形成されていてもよい。 Further, the resin layer 7 is the pad 3, the insulating film 4 is not formed on the surface of the silicon substrate 12, or may be formed only on the surface of the bonding wire 5, and the resin layer 6.

また、上記第5、第6実施形態において、物理量センサが樹脂層7を備えていなくてもよい。 Further, the fifth, the sixth embodiment, the physical quantity sensor may not be provided with a resin layer 7. また、上記第4~第6実施形態において、樹脂層7が上記第3実施形態と同様にセンサ素子2の少なくとも一部を露出させるように形成されていてもよい。 Further, in the fourth to sixth embodiments, the resin layer 7 may be formed so as to expose at least a portion of the sensor element 2 as in the third embodiment. また、上記第5、第6実施形態において、樹脂層7が第1層71および第2層72を備えていてもよい。 Further, the fifth, the sixth embodiment, the resin layer 7 may be provided with a first layer 71 and second layer 72.

また、上記第6実施形態において、樹脂層6が、パッド3のうち、ボンディングボール51との接続部のみを覆うように形成され、保護膜8が、シリコン基板12、絶縁膜4、樹脂層6に加えて、パッド3を覆うように形成されていてもよい。 Further, in the sixth embodiment, the resin layer 6 is, of the pad 3 is formed so as to cover only the connection portion of the bonding ball 51, the protective film 8, the silicon substrate 12, an insulating film 4, the resin layer 6 in addition to, or may be formed so as to cover the pad 3.

また、上記第8実施形態では、開口部41の形状によって、パッド3のうち開口部41から露出する部分の上面を、ボンディングワイヤ5と重なる部分が丸みを帯びた形状とした。 Further, in the eighth embodiment, the shape of the opening 41, the upper surface of the portion exposed from the opening 41 of the pad 3, and a shape that a portion overlapping with the bonding wire 5 is rounded. しかしながら、ボンディングワイヤ5と重なる部分の上面が丸みを帯びた形状となるようにパッド3を形成し、パッド3のうち丸みを帯びた部分が露出するように開口部41を形成してもよい。 However, to form the pad 3 so that the shape of the upper surface of the portion overlapping with the bonding wire 5 is rounded and may form a opening 41 as part of the rounded of the pad 3 is exposed.

また、上記第8、第9実施形態において、第7実施形態のように樹脂を塗布してもよい。 Further, the eighth, the ninth embodiment, the resin may be applied as in the seventh embodiment. また、上記第7、第8実施形態において、第9実施形態のように撥液膜9を用いてもよい。 Further, the seventh, the eighth embodiment may be used liquid-repellent film 9 as in the ninth embodiment. また、樹脂層6が、ボンディングワイヤ5のうちパッド3との接続部に加え、パッド3から浮いた部分も覆うように形成されていてもよい。 Further, the resin layer 6, in addition to the connection between the pad 3 of the bonding wires 5, may be formed so as to cover floated portions from the pad 3.

また、本開示を圧力センサ以外の物理量センサに適用してもよい。 Further, the present disclosure may be applied to physical quantity sensors other than the pressure sensor. また、本開示を物理量センサ以外の半導体装置に適用し、少なくともパッド3とボンディングワイヤ5との接続部を覆うとともに、シリコン基板12のうちパッド3の外側の部分の少なくとも一部を露出させるように、樹脂層6を形成してもよい。 Further, the present disclosure is applied to a semiconductor device other than the physical quantity sensor, it covers the connection portion of at least the pad 3 and the bonding wires 5, so as to expose at least a portion of the outer portion of the pad 3 of the silicon substrate 12 it may form a resin layer 6. また、物理量センサ以外の半導体装置において、シリコン基板12のうち樹脂層6から露出した部分に樹脂層7を形成してもよい。 In the semiconductor device other than the physical quantity sensor, the resin layer 7 may be formed on the exposed portion of the resin layer 6 of the silicon substrate 12.

Claims (28)

  1. 基板(1、12)の表面に形成されたパッド(3)と、前記パッドを外部の回路に接続するボンディングワイヤ(5)と、を備える半導体装置であって、 A substrate (1, 12) the pad (3) formed on the surface of the bonding wire (5) for connecting said pad to an external circuit, a semiconductor device including a,
    少なくとも前記パッドと前記ボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、前記基板のうち前記パッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させる樹脂層(6)を備える半導体装置。 Semiconductor device provided with covering the connection portion of at least the pad and the bonding wire, a resin layer to expose at least a portion of the outer portion of the pad of the substrate (6).
  2. 前記樹脂層は、前記パッドのうち前記ボンディングワイヤから露出した部分を覆うように形成されている請求項1に記載の半導体装置。 The resin layer, the semiconductor device according to claim 1 which is formed so as to cover the exposed portion of the bonding wire of the pad.
  3. 前記樹脂層は、エポキシ樹脂、または、ポリアクリル樹脂で構成される請求項1または2に記載の半導体装置。 The resin layer is an epoxy resin or a semiconductor device according to claim 1 or 2, constituted by polyacrylic resin.
  4. 前記樹脂層の上面に形成されたパラキシリレン系ポリマーで構成される保護膜(8)を備え、 Comprising a formed protective layer (8) in paraxylene based polymer formed on the upper surface of the resin layer,
    前記樹脂層は、前記保護膜よりも液体および気体の透過量が少ない請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer, the semiconductor device according to any one of 3 to the claims 1 small permeation amount of liquid and gas than the protective film.
  5. 前記樹脂層は、前記ボンディングワイヤのうち前記パッドとの接続部のみを覆っている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer, the semiconductor device according to to any one of the four preceding claims 1 covers only connection between the pads of the bonding wire.
  6. 前記樹脂層は、前記ボンディングワイヤのうち前記パッドとの接続部に加え、前記パッドから浮いた部分も覆っている請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer, the addition to the connection portion between the pad of the bonding wire, semiconductor device according to any one of claims 1 to 5 also covers floating portion from the pad.
  7. 前記パッドを複数備え、 A plurality of the pads,
    前記ボンディングワイヤは、複数の前記パッドのうち一部のみに接続されており、 The bonding wire is connected only to some of the plurality of the pads,
    前記樹脂層は、複数の前記パッドのうち、前記ボンディングワイヤが接続されたパッドに加え、前記ボンディングワイヤから離されたパッドも覆っている請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer, among the plurality of the pads, the bonding wire is added to the connected pads, the semiconductor device according to any one of the claims 1 also covers pad is released from the bonding wire 6 .
  8. 前記パッドの表面に形成され、前記パッドの上面を露出させる開口部(41)が形成された絶縁膜(4)を備え、 Wherein formed on the surface of the pad, comprising an insulating film opening (41) is formed to expose the top surface of the pad (4),
    前記パッドのうち前記開口部から露出した部分は、前記ボンディングワイヤのうち前記パッドから浮いた部分と重なる部分において、丸みを帯びた形状とされている請求項1ないし7のいずれか1つに記載の半導体装置。 Portion exposed from the opening of the pad, according to the portion overlapping the floating portion from the pad of the bonding wire, any one of claims 1 and is a rounded shape 7 semiconductor device.
  9. 前記パッドの上面は、前記ボンディングワイヤのうち前記パッドから浮いた部分と重なる部分において、丸みを帯びた形状とされている請求項1ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置。 An upper surface of the pad, in a portion that overlaps the floating portion from the pad of the bonding wire, semiconductor device according to any one of claims 1 and is a rounded shape 8.
  10. 前記基板の表面に形成された撥液膜(9)を備え、 Comprising a liquid-repellent film formed on the surface of the substrate (9),
    前記樹脂層は、前記撥液膜の外側に形成されている請求項1ないし9のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer, the semiconductor device according to any one of claims 1 are formed on the outside of the liquid-repellent film 9.
  11. 前記樹脂層を第1樹脂層として、 The resin layer as the first resin layer,
    少なくとも前記パッドの上部において前記第1樹脂層の上部に形成された第2樹脂層(7)を備え、 A second resin layer formed on the first resin layer at least the upper portion of the pad (7),
    前記第1樹脂層は、前記第2樹脂層よりも液体および気体の透過量が少ない請求項1ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置。 Wherein the first resin layer, a semiconductor device according to any one of the second to the claims 1 small permeation amount of liquid and gas than the resin layer 10.
  12. 前記基板に形成され、印加された物理量に応じた信号を出力するセンサ素子(2)を備え、 Wherein formed on the substrate, a sensor element for outputting a signal corresponding to the applied physical quantity (2),
    前記パッドは、前記センサ素子の出力信号を読み取るためのものであり、 The pad is for reading the output signal of the sensor element,
    前記樹脂層は、少なくとも前記パッドと前記ボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、前記センサ素子の少なくとも一部を露出させる請求項1ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置。 The resin layer covers the connection portion and at least the pad the bonding wire, semiconductor device according to any one of claims 1 to 10 to expose at least a portion of said sensor element.
  13. 前記樹脂層は、前記センサ素子の外側にのみ形成されている請求項12に記載の半導体装置。 The resin layer, the semiconductor device according to claim 12 only are formed on the outside of the sensor element.
  14. 前記センサ素子は、測定媒体の圧力によって変形するダイヤフラム(14)を備え、前記ダイヤフラムの変形に応じた信号を出力し、 The sensor element comprises a diaphragm (14) which is deformed by the pressure of the measurement medium, and outputs a signal corresponding to the deformation of the diaphragm,
    前記パッドは、前記ダイヤフラムが形成された前記基板のうち前記ダイヤフラムの外側の部分に配置されており、 The pad is disposed outside the portion of the diaphragm of the substrate on which the diaphragm is formed,
    前記センサ素子が出力する信号に基づいて前記測定媒体の圧力を検出する請求項12または13に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 12 or 13 for detecting the pressure of the measuring medium on the basis of a signal which the sensor element output.
  15. 前記樹脂層を第1樹脂層として、 The resin layer as the first resin layer,
    少なくとも前記パッドの上部において前記第1樹脂層の上部に形成された第2樹脂層(7)を備え、 A second resin layer formed on the first resin layer at least the upper portion of the pad (7),
    前記第1樹脂層は、前記第2樹脂層よりも液体および気体の透過量が少ない請求項12ないし14のいずれか1つに記載の半導体装置。 Wherein the first resin layer, the semiconductor device according to any one of the second to less claims 12 permeation amount of liquid and gas than the resin layer 14.
  16. 前記第2樹脂層は、前記パッドの上部に加えて、前記センサ素子の上部にも形成されている請求項15に記載の半導体装置。 The second resin layer, in addition to the top of the pad, the semiconductor device according to claim 15 is also formed in an upper portion of the sensor element.
  17. 前記第2樹脂層は、少なくとも前記センサ素子の一部を露出させるように形成されている請求項15または16に記載の半導体装置。 The second resin layer, a semiconductor device according to claim 15 or 16 is formed so as to expose a portion of at least the sensor element.
  18. 前記第1樹脂層は、前記第2樹脂層の材料よりも液体および気体の透過率が低い材料で構成されている請求項11ないし17のいずれか1つに記載の半導体装置。 Wherein the first resin layer, a semiconductor device according to any one of claims 11 to 17 transmittance of the liquid and gas is formed at a lower material than the material of the second resin layer.
  19. 前記第2樹脂層は、前記第1樹脂層の材料よりも弾性率が低い材料で構成されている請求項11または18のいずれか1つに記載の半導体装置。 The second resin layer, a semiconductor device according to any one of claims 11 or 18, the elastic modulus is composed of a lower material than the material of the first resin layer.
  20. 前記第2樹脂層は、前記パッドのうち前記ボンディングワイヤおよび前記第1樹脂層から露出した部分を覆うように形成されている請求項11ないし19のいずれか1つに記載の半導体装置。 The second resin layer, a semiconductor device according to any one of the bonding wire and the first billing is formed so as to cover exposed portions of the resin layer to claim 11 to 19 of the pad.
  21. 前記第2樹脂層は、前記ボンディングワイヤを覆うように形成されている請求項11ないし20のいずれか1つに記載の半導体装置。 The second resin layer, a semiconductor device according to any one of the the preceding claims 11 is formed so as to cover the bonding wire 20.
  22. 前記第2樹脂層は、前記第1樹脂層の上部に形成された第1層(71)と、前記第1層の上部に配置された第2層(72)とを備える請求項11ないし21のいずれか1つに記載の半導体装置。 The second resin layer, the first layer formed on the first resin layer (71), the preceding claims 11 and a second layer arranged on top of the first layer (72) 21 the semiconductor device according to any one of.
  23. 基板(1、12)に形成されたパッド(3)と、前記パッドを外部の回路に接続するボンディングワイヤ(5)と、を備える半導体装置の製造方法であって、 A substrate (1, 12) which is formed in the pad (3), the bonding wire (5) for connecting said pad to an external circuit, a method of manufacturing a semiconductor device comprising,
    前記基板に前記パッドを形成することと、 And forming the pad on the substrate,
    前記パッドに前記ボンディングワイヤを接続することと、 And connecting the bonding wire to the pad,
    少なくとも前記パッドと前記ボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、前記基板のうち前記パッドの外側の部分の少なくとも一部を露出させるように、前記パッドに樹脂を塗布して樹脂層(6)を形成することと、を備える半導体装置の製造方法。 Forming covers the connection portion of at least the pad and the bonding wire, at least a portion so as to expose the resin layer by applying a resin to the pad of the outer portion of the pad of the substrate (6) the method of manufacturing a semiconductor device comprising a, to.
  24. 印加された物理量に応じた信号を出力するセンサ素子(2)を前記基板に形成することを備え、 Sensor element for outputting a signal corresponding to the applied physical quantity (2) comprises forming on said substrate,
    前記パッドは、前記センサ素子の出力信号を読み取るためのものであり、 The pad is for reading the output signal of the sensor element,
    前記樹脂層を形成することでは、少なくとも前記パッドと前記ボンディングワイヤとの接続部を覆うとともに、前記センサ素子の少なくとも一部を露出させるように樹脂を塗布する請求項23に記載の半導体装置の製造方法。 Said By forming the resin layer covers the connection portion and at least the pad the bonding wire, the semiconductor device according to claim 23 for applying the resin so as to expose at least a portion of the sensor element produced Method.
  25. 前記樹脂層を形成することでは、前記パッドのうち、前記ボンディングワイヤの前記パッドから浮いた部分と重なる部分を避けて樹脂を塗布する請求項23または24に記載の半導体装置の製造方法。 Said By forming the resin layer, of the pad, manufacturing method of a semiconductor device according to claim 23 or 24 to avoid the overlap with the floating portion of the pad of the bonding wire applying a resin.
  26. 前記パッドの表面に絶縁膜(4)を形成することと、 And forming an insulating film (4) on the surface of the pad,
    前記絶縁膜に前記パッドの上面を露出させる開口部(41)を形成することと、を備え、 And a forming the opening for exposing the top surface of the pad in the insulating film (41),
    前記開口部を形成することでは、前記開口部から露出する前記パッドの上面が角部を有する形状となるように前記開口部を形成し、 Said By forming the opening, an upper surface of the pad exposed from the opening to form the opening so that a shape having corners,
    前記樹脂層を形成することでは、前記角部に樹脂を塗布する請求項25に記載の半導体装置の製造方法。 Said By forming the resin layer, a method of manufacturing a semiconductor device according to claim 25 for applying resin to the corner.
  27. 前記開口部を形成することでは、前記開口部から露出する前記パッドの上面が四角形状となるように前記開口部を形成し、 Said By forming the opening, an upper surface of the pad exposed from the opening to form the opening so that the square shape,
    前記樹脂層を形成することでは、前記パッドの2つ、3つ、あるいは、4つの角部に樹脂を塗布する請求項26に記載の半導体装置の製造方法。 Said By forming the resin layer, two of the pads, three, or method of manufacturing a semiconductor device according to claim 26 for applying a resin to the four corners.
  28. 前記開口部を形成することでは、前記開口部から露出する前記パッドの上面が、前記ボンディングワイヤと重なる部分において丸みを帯びた形状となるように前記開口部を形成する請求項25に記載の半導体装置の製造方法。 Said By forming the opening, an upper surface of the pad exposed from the opening, the semiconductor of claim 25 forming the opening as a rounded shape in a portion overlapping with the bonding wire manufacturing method of the device.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0347732B2 (en) * 1980-04-25 1991-07-22 Hitachi Ltd
JP4552783B2 (en) * 2005-07-06 2010-09-29 株式会社デンソー Semiconductor sensor

Patent Citations (2)

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