WO2018050776A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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optoelectronic
optoelectronic semiconductor
light
optoelectronic component
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Thomas Kippes
Jason RAJAKUMARAN
Ulrich Frei
Claus Jaeger
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component.
  • optoelectronic components with radiation sources emitting in the near-infrared spectral range are known. It is known that the radiation emitted by such optoelectronic components is perceptible to human observers, in particular when the radiation source is activated in pulse mode. This can be distracting.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. Another object of the present invention is to provide a method for operating an optoelectronic component. These objects are achieved by an optoelectronic component and by a method for operating an optoelectronic component having the features of the independent claims.
  • the dependent claims specify various developments.
  • An optoelectronic component comprises an optoelectronic semiconductor chip ⁇ rule which is adapted to emit animals with a wavelength in the infrared spectral light.
  • the optoelectronic component also has a second optoelectronic semiconductor chip, which is designed to emit light having a wavelength from the visible spectral range.
  • the optoelectronics Ronic component on a reflector body with a top and a bottom.
  • the reflector body has a cavity open to the top. A wall of the cavity forms a reflector.
  • the first optoelectronic semiconductor chip is arranged on a bottom of the cavity.
  • this optoelectronic Bauele ⁇ ment emitted from the second optoelectronic semiconductor chip light having a wavelength in the visible spectral range emitted by the first opto-electronic semiconductor chip light can mask with a wavelength in the infrared spectral region for a human observer, so overlap.
  • light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range is not perceived as disturbing by an observer.
  • the reflector body has at a bottom of the cavity a first opening which extends between the underside of the reflector body and the cavity.
  • the first optoelectronic semiconductor chip is arranged in the first breakdown.
  • the reflector body can thereby be constructed simply and inexpensively. In this case, an electrical contacting of the first optoelectronic semiconductor chip can take place from underneath the reflector body.
  • this has a carrier.
  • the reflector body is arranged on the support, that the underside of Re ⁇ flektor stressess facing the wearer.
  • the first optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip is arranged on the carrier.
  • the carrier allows easy elekt ⁇ generic contacting of the first opto-electronic semi-conductor chips of the optoelectronic component.
  • the optoelectronic component is advantageously simple, inexpensive and with compact outer dimensions producible ⁇ bar.
  • the cavity widens in a funnel shape to the top of the reflector body.
  • the reflector formed by the wall of the cavity can thereby bundle light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component with a wavelength from the infrared spectral range.
  • light emitted by the reflector of the optoelectronic component from the first optoelectronic semiconductor chip can be bundled into a parallel beam.
  • this has an optical lens, which is arranged on the upper side of the reflector body.
  • the optical lens can effect beam shaping of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component with a wavelength from the infrared spectral range.
  • light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip through the optical lens of the optoelectronic component can be focused into a defined spatial region.
  • the lens has a conical lens section which extends into the cavity of the reflector body.
  • the optoelectronic component that has an on from the bottom of the reflector body to the top surface of the reflector body by the reflectors ⁇ gate body extending light conductors.
  • the reflector body is arranged above the second optoelectronic semiconductor chip, that light emitted from the second electro-opto ⁇ African semiconductor chip light at the bottom of the reflector body enters the light guide.
  • the optical waveguide allows the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip to be conducted to the upper side of the reflector body.
  • a deflecting element is arranged above the upper side of the reflector body such that light emerging from the optical waveguide is deflected into the optical lens.
  • the optical lens can in this optoelectronic component is a mixture of light emitted by the first opto-electronic semiconductor chip of the optoelectronic component light having a wavelength in the infrared areas of the spectrum ⁇ rich with the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component light having a wavelength from the visible areas of the spectrum ⁇ rich effect. Good mixing of the light can be achieved by internal reflections in the optical lens of the optoelectronic component.
  • an effective masking of the light having a wavelength from the infrared spectral range can be achieved by a good mixing of the light having a wavelength from the infrared spectral range and the light having a wavelength from the visible spectral range.
  • the optoelectronic component to the deflection element is formed by a ⁇ is disposed on the optical lens reflective layer.
  • the underside of the reflector body is arranged above an upper side of the second optoelectronic semiconductor chip.
  • this prevents light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip having a wavelength from the visible spectral range direct route to a human observer. Otherwise, the second optoelectronic semiconductor chip would be recognizable as a separate light source spaced from the first optoelectronic semiconductor chip, which could be accompanied by incomplete masking of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range.
  • the arrangement of the underside of the reflector body over the upper side of the second optoelectronic semiconductor chip ensures that light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the visible spectral range mixes with light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range, before it reaches an observer.
  • a channel-shaped recess is formed on the underside of the reflector body.
  • the first opening extends to the channel-shaped recess.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is arranged in the channel-shaped recess. This ensures that light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the visible spectral range can pass through the channel-shaped recess to the first aperture and the first optoelectronic semiconductor chip arranged there, where it emits light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip can mix with a wavelength from the infrared spectral range.
  • an effective masking of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip is advantageously achieved by the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is arranged at the bottom of the cavity.
  • a mixture of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip can be mixed. th light and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip thereby light in the cavity of the optoelectronic device.
  • the reflector body has a second opening extending between the underside of the reflector body and the Ka ⁇ tivity.
  • the second opto-electronic semi-conductor chip ⁇ is disposed in the second opening.
  • the optoelectronic component is emitted from the second optoelectronic semiconductor chip light having a wavelength from the visible areas of the spectrum can in the space formed by the wall of the cavity reflector with light emitted by the first opto-electronic semiconductor chip light mix ⁇ rich with a wavelength in the infrared spectral range, to mask this.
  • the cavity has a first section which widens in a funnel shape towards the upper side of the reflector body and a second section which widens in a funnel shape to the upper side of the reflector body.
  • the first Ab ⁇ section and the second section are superposed on each other.
  • the first breakthrough is located at the bottom of the first section of the cavity.
  • the second opening is arranged at the base of the two ⁇ th section of the cavity.
  • the reflector formed by the wall of the cavity in this shaping of the cavity can effect a particularly effective mixing of the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip with the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic component that includes an optical element which is arranged in the cavity so that at least partially passes from the first optoelectronic semiconductor chip emitted light and by the second opto-electro ⁇ African semiconductor chip emitted light in the optical element.
  • the optical element configured to mix light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip and light emitted by the second optoelectronic ⁇ African semiconductor chip.
  • the optical element of this optoelectronic component can see a mixing of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip and thereby a masking of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range cause.
  • the optical element has a light-transmissive body with a top side and a bottom side.
  • a reflective coating is arranged on itself between the top and the bottom extending side surfaces of the light-transmissive body.
  • the upper side of the light-transmissive body has a microstructuring. This microstructuring can advantageously facilitate a coupling out of the light radiated into the light-transmissive body of the optical element at the upper side of the light-transmitting body. As a result, light radiated into the light-transmissive body of the optical element is advantageously radiated substantially at the top of the light-transmissive body.
  • the microstructuring comprises a plurality of microlenses.
  • the microlenses can, for example, in a be arranged two-dimensional matrix arrangement.
  • the microstructuring then causes an off ⁇ coupling of light at the top of the translucent body of the optical element and simultaneously a beam shaping of the extracted at the top of the translucent body light.
  • the underside of the light-transmitting body has a microstructuring on.
  • the microstructure arranged on the underside of the light-transmissive body of the optical element assists mixing of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip in the light-transmissive body of the optical element.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is arranged at the bottom of the cavity.
  • the light-transmissive body is arranged above the first optoelectronic semiconductor chip and above the second optoelectronic semiconductor chip.
  • the underside of the light-transmissive body faces the first optoelectronic semiconductor chip and the second optoelectronic semiconductor chip.
  • the light-transmissive body is arranged above the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the underside of the light-transmissive body faces the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the second optoelectronic semi ⁇ conductor chip is laterally adjacent to the translucent body arranged.
  • this opto-electro ⁇ African component light emitted from the first optoelectronic semiconductor chip light is introduced with a wavelength in the infrared spectral range at the bottom of the translucent body of the optical element in the light-transmitting body.
  • Light having a wavelength from the visible spectral range emitted by the second optoelectronic semiconductor chip is introduced from the side through one of the side surfaces of the light-transmissive body into the light-permeable body of the optical element.
  • the light emitted from the first optoelectronic semiconductor chip and light emitted from the second opto-electronic semiconductor chip ⁇ light are mixed with each other.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is arranged on an upper side of the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the visible spectral range are radiated in this arrangement from very close to each other source locations, whereby a particularly good mixing of the light with a wavelength from the infrared spectral range and the light with a wavelength from the visible Spektralbe ⁇ rich results.
  • Another advantage is that the arrangement of the second optoelectronic semiconductor chip on the upper side of the first optoelectronic semiconductor chip is particularly space-saving, whereby the optoelectronic component can be made compact.
  • an upper side of the second optoelectronic component conductor chips a smaller size than the top of the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the light-emitting top side of the first optoelectronic ⁇ African semiconductor chip is thereby covered only to a small extent by the second optoelectronic semiconductor chip.
  • the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range is not shaded by the second optoelectronic semiconductor chip, or only to a small extent by the second optoelectronic semiconductor chip.
  • the second optoelectronic semiconductor chip it is also possible for the second optoelectronic semiconductor chip to be arranged on a non-light-emitting section of the upper side of the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is at least partially transparent to light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is designed as a volume-emitting semiconductor chip.
  • it is thereby facilitated to mix the light emitted by the second optoelectronic ⁇ African semiconductor chip with a wavelength from the visible spectral range with the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip light having a wavelength from the infrared spectral range.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is designed to emit light having a wavelength from the red spectral range.
  • this causes the second Optoelectronic semiconductor chip thereby emitted a particularly effective optical masking of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range.
  • the optoelectronic component has a third optoelectronic semiconductor chip which is designed to emit light having a wavelength from the visible spectral range.
  • the light having a wavelength from the visible spectral range emitted by the third optoelectronic semiconductor chip also serves to cover the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range in order to prevent a human observer from covering the light from the first optoelectronic semiconductor chip emitted light with a wavelength from the infrared spectral range perceives as disturbing.
  • the first optoelectro ⁇ African semiconductor chip is operated in a pulse mode.
  • the second optoelectronic semiconductor chip is operated in a continu ous ⁇ operation or a counter-cyclical to the pulse operation of the first optoelectronic semiconductor chip pulse operation.
  • the emission of light having a wavelength from the infrared spectral range by the first optoelectronic semiconductor chip in pulses is not considered to be disturbing by the human observer, since the pulsing of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip light is covered ⁇ rich with a wavelength in the infrared spectral range ⁇ in the perception of the observer by the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip light having a wavelength from the visible areas of the spectrum.
  • FIG. 1 shows a schematic perspective illustration of an optoelectronic component according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a perspective view of parts of the opto ⁇ electronic component of the first embodiment
  • 3 shows a further perspective view of parts of the optoelectronic component of the first embodiment
  • 4 shows a sectional side view of the optoelectronic component according to the first embodiment
  • FIG. 5 is a perspective view of parts of an optoelectronic component of a second embodiment
  • FIG. 6 is a perspective view of parts of an optoelectronic component of a third embodiment
  • FIG. 7 is a rear view of parts of the optoelectronic device of the third embodiment.
  • Figure 8 is a partially transparent view of the optoelekt ⁇ tronic device of the third embodiment.
  • FIG. 9 is a perspective view of parts of an optoelectronic component according to a fourth embodiment
  • Figure 10 is a schematic sectional side view of Tei ⁇ len of an optoelectronic device according to a fifth embodiment
  • 11 is a perspective view of parts of the opto ⁇ electronic component of the fifth embodiment.
  • FIG. 12 is a sectional side view of a optoelektroni ⁇ rule device according to a sixth embodiment.
  • the optoelectronic component 10 is designed to emit light having a wavelength from the infrared spectral range.
  • the optoelectronic Bauele ⁇ element 10 may for example be configured to radiate the infra ⁇ red light in pulsed operation, for example in the pulsed mode with a frequency of a few pulses per second.
  • the optoelectronic component 10 has a Reflektorkör ⁇ per 200, a carrier 300 and an optical lens 400th
  • the reflector body 200 is arranged on an upper side 301 of the carrier 300 such that a lower side 202 of the reflector body 200 faces the upper side 301 of the carrier 300.
  • the optical lens 400 is arranged over an underside 202 opposite top 201 of the reflector body 200 ⁇ .
  • FIG. 2 shows a schematic perspective view of the optoelectronic component 10, in which the reflector body 200 is not shown.
  • FIG. 3 shows a schematic perspective view of the optoelectronic component 10, in which the optical lens 400 is not shown.
  • 4 shows a schematic sectional side view of the optoelectronic component 10.
  • the reflector body 200 of the optoelectronic component 10 has a cuboid basic shape.
  • the reflector body 200 can be oriented ⁇ form for example of a plastic material.
  • the reflector body 200 has a top surface 201 to the opened cavity ge ⁇ 210th
  • the cavity 210 is visible in the lungs depicting ⁇ of Figures 3 and 4.
  • the cavity 210 widens toward the upper side 201 of the reflector body 200, for example in a funnel-shaped or cone-shaped manner.
  • a wall 225 of the cavity 210 forms a reflector 220.
  • the wall 225 of the cavity 210 of the reflector body 200 may have a reflec ⁇ Rende coating, for example a metallic coating.
  • the reflector body 200 has a first one
  • the first opening 231 extends between the underside 202 of the reflector body 200 and the cavity 210.
  • the optoelectronic component 10 has a first opto ⁇ electronic semiconductor chip 100.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 is designed to emit light having a wavelength from the infrared spectral range.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 can for example be adapted to emit light with a wave ⁇ length from the near infrared spectral range, for example light having a wavelength of 810 nm or light having a wavelength of 850 nm.
  • the first optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 100 may, for example, a Leuchtdi ⁇ odenchip (LED chip) be.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 has an upper side 101 and one opposite the upper side 101
  • the upper side 101 of the first optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 100 forms a radiation emission side of the first optoelectronic semiconductor chip 100th Of The light generated by the first optoelectronic semiconductor chip 100 is emitted at least in part at the top side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 of the optoelekt ⁇ tronic device 10 is disposed in the first opening 231 of the reflector body 200th In this case, the upper side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 is oriented in the direction of the upper side 201 of the reflector body 200. This can be seen in FIGS. 3 and 4.
  • the carrier 300 of the optoelectronic component 10 may be formed, for example, as a printed circuit board.
  • electrical contact surfaces and electrical conductor tracks for electrical contacting of the first optoelectronic semiconductor chip 100 can be arranged.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged on the upper side 301 of the carrier 300 such that its underside 102 faces the upper side 301 of the carrier 300.
  • the first optoelectronic half ⁇ conductor chip 100 is electrically connected to electrical contact surfaces on the upper side 301 of the carrier 300.
  • the reflector body 200 is also arranged on the upper side 301 of the carrier 300.
  • the bottom 202 of the Re ⁇ flektor stresses 200 of the top 301 of the carrier 300 is supplied ⁇ Wandt.
  • the reflector body 200 and the first optoelectronic semiconductor chip 100 are arranged on the upper side 301 of the carrier 300 such that the first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged in the first opening 231 of the reflector body 200.
  • optical lens 400 of the optoelectronic component 10 is seen to before ⁇ , 100 emitted from the first optoelectronic semiconductor chip and forming light emerging at the top 201 of the reflector body 200 from the cavity 210 where ⁇ play, in to focus a spatial area in the vicinity of the optoelectronic component 10.
  • the optical lens 400 includes a plate portion 430 and a conical lens portion 410.
  • the plate portion 430 of the optical lens 400 is formed substantially parallelepiped and disposed on the upper surface 201 of the reflector body 200.
  • the conical lens section 410 is arranged centrally on a surface of the plate section 430 of the optical lens 400 facing the upper side 201 of the reflector body 200 and extends into the cavity 210 of the reflector body 200.
  • first optoelectronic semiconductor chip 100 of the optoelectronic component 10 Light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 of the optoelectronic component 10 with a wavelength from the infrared spectral range can be perceived as a faintly visible red glow for a human observer. If the first optoelectronic semi ⁇ conductor chip 100 of the optoelectronic component 10 is driven in pulsed mode, the first optoelectronic semi ⁇ conductor chip 100 are alternately turned on and off, the flashing of this red smolder can be bothersome.
  • the optoelectronic component 10 to mask the light emitted by the first opto-electronic semiconductor chip 100 having a wavelength in the spectral range inf ⁇ raroten by light having a wavelength from the visible spectrum, so as to cover.
  • the optoelectronic component 10 has a second optoelectronic semiconductor chip 110 for this purpose.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is to be ⁇ forms to emit light having a wavelength from the visible Spekt ⁇ ral Scheme.
  • the second Optoelectronic semiconductor chip 110 may be configured to emit light having a wavelength from the red spectral range.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the second optoelectronic semiconductor chip has a top ⁇ side 111 and a top 111 of the opposing sub ⁇ page 112.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 may be configured to emit light only at the top 111.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 can also be designed as a volume-emitting semiconductor chip. In this case, light is radiated by the second optoelectronic semiconductor chip 110 not only on the upper side 110, but also on side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 110 extending between the upper side 111 and the lower side 112.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 of the opto ⁇ electronic component 10 is disposed on the upper side 301 of the carrier 300 under the reflector body 200.
  • the underside 112 of the second optoelectronic semiconductor chip 110 faces the upper side 301 of the carrier 300.
  • the reflector body 200 may have on its underside 202 a recess 250 in which the second optoelectronic semiconductor chip 110 is arranged. This can be seen in FIG. 4.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is electrically contacted via electrical contact surfaces and conductor tracks arranged on the upper side 301 of the carrier 300.
  • the optoelectronic component 10 has a first light ⁇ conductor 510, which extends through the reflector body 200.
  • the first optical waveguide 510 extends from the recess 250 on the lower side 202 of the reflector body 200 to the upper side 201 of the reflector body 200.
  • the first optical waveguide 510 is thus arranged such that light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 is at the underside 202 of the reflector body 200 passes into the Lichtlei ⁇ ter 510 and through the light guide 510 to the top 201 of the reflector body 200 is passed.
  • the light emitted by the second opto ⁇ electronic semiconductor chip 110 can exit from the first light guide 510.
  • the optical lens 400 of the optoelectronic component 10 has a deflection element 420.
  • the deflector 420 is formed by a reflective layer 425 disposed on a tapered corner of the plate portion 430 of the optical lens 400.
  • the deflecting element 420 of the optical ⁇ rule lens 400 is arranged such that the light emitted from the second optoelectronic semiconductor chip 110 light reflectors ⁇ advantage and with a wavelength in the visible spectral range at the reflective layer 425 of the deflector 420 thus deflected in the optical lens 400 is ,
  • the deflected in the optical lens 400 light having a Wel ⁇ lendorf from the visible spectral range can be reflected 400 or more times within the optical lens, examples of play is totally reflected, and finally at the side remote from the reflector body 200 upper surface of the optical lens 400 of the exit optical lens.
  • the light having a wavelength from the visible spectral range emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 passes through the optical lens 400, it is at least partially mixed with the light having a wavelength from the infrared spectral range emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the optoelectronic component 10 of the radiated light is thus emitted from the first optoelectronic semiconductor chip 100 light having a wavelength from the infraro ⁇ spectral range and from the second opto-electronic Semiconductor chip 110 emitted light superimposed with a wavelength from the visible spectral range.
  • the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with a wavelength from the infrared spectral range is not or hardly visible to a human observer.
  • FIG. 5 shows a schematic perspective view of a part of an optoelectronic component 20 according to a second embodiment.
  • the optoelectronic component 20 of the second embodiment has great similarities with the optoelectronic component 10 of the first embodiment.
  • Corresponding components are provided in FIGS. 1 to 4 and in FIG. 5 with the same reference numerals. Below, only the differences will be ⁇ wrote. Incidentally, the above description of the optoelectronic component 10 of the first embodiment also applies to the optoelectronic component 20 of the second embodiment shown in FIG. 5.
  • the reflector body 200 of the optoelectronic component 20 is not shown in the schematic representation of FIG. 5 for the sake of clarity.
  • the optoelectronic component 20 has, in addition to the second optoelectronic semiconductor chip 110, a third optoelectronic semiconductor chip 120.
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 is disposed to alsobil ⁇ det to emit light having a wavelength in the visible spectral range.
  • the third optoelectronic half ⁇ conductor chip 120 may be formed, for example, to emit light having the same wavelength as the second optoelectronic semiconductor chip 110.
  • the third optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 120 may be formed as the second optoelectronic semiconductor chip 110th
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 has an upper side 121 and an upper side 121 opposite one another Bottom 122 on.
  • the third semiconductor optoelectronic ⁇ chip 120 is disposed on the top 301 of the carrier 300 so that the bottom 122 of the third optoelectronic semiconductor chips 120 of the top 301 of the carrier 300 is conces- Wandt.
  • the third semiconductor optoelectronic ⁇ chip 120 is electrically contacted on at the top 301 of the carrier 300 is arrange ⁇ te electrical contact areas and conductor tracks.
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 is arranged under the reflector body 200, for example in a further recess arranged on the underside 202 of the reflector body 200.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged centrally between the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120.
  • the optoelectronic component 20 has a second optical waveguide 520 in addition to the first optical waveguide 510.
  • the second light guide 520 is formed as the first light ⁇ conductor 510.
  • the second light guide 520 is arranged so that emitted from the third optoelectronic semiconductor chip 120 emitted light having a wavelength from the visible spectral range at the bottom 202 of the reflector body 200 in the light guide 520 and can emerge from the second optical waveguide 520 on the upper side 201 of the reflector body 200.
  • the optoelectronic component 20 has another deflection member 420 adjacent to the provided for Ab ⁇ steering the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 light into the optical lens 400 deflection element 420, which for deflection of the light emitted by the third optoelectronic semiconductor chip 120 light in the optical lens 400 serves.
  • the deflection elements 420 can be dispensed with.
  • Fig. 6 shows a schematic perspective view of part of an optoelectronic device 30 according ei ⁇ ner third embodiment.
  • 7 shows a schematic representation of a rear view of a part of the opto-electronic component 30 of the third embodiment.
  • FIG. 8 shows a schematic representation of a partially transparent plan view of the optoelectronic component 30 of the third embodiment.
  • the optoelectronic component 30 of the third embodiment has great similarities with the optoelectronic component 10 of the first embodiment and with the optoelectronic component 20 of the second embodiment. Corresponding components are provided in all figures with the same reference numerals.
  • the optical lens 400 of the optoelectronic component 30 is not shown.
  • the carrier 300 is missing.
  • both the carrier 300 and the optical lens 400 are missing.
  • the optoelectronic component 30 has, in addition to the first optoelectronic semiconductor chip 100 for emission of light with a wavelength from the infrared spectral range, the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120, which are each configured to emit light having a wavelength from the visible one To emit spectral range. It would also be possible to dispense with the third optoelectronic semiconductor chip 120.
  • no light guides 510, 520 and no deflection elements 420 are provided in the optoelectronic component 30.
  • the reflector body 200 has a channel-shaped recess 240 on the underside 202 of the optoelectronic component 30 of the third embodiment.
  • the channel-shaped recess 240 forms an elongated depression on the underside 202 of the reflector body 200.
  • the channel-shaped recess 240 extends on both sides of the first opening 231 and beyond the first opening 231, so that the first opening 231 forms the channel-shaped recess 240 extends.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the drit ⁇ th optoelectronic semiconductor chip 120 are arranged at the opto ⁇ electronic component 30 of the third embodiment on the upper side 301 of the support 300 under the reflector body 200 so that the bottom 202 of the Reflektorkör- pers 200 over the tops 111 , 121 of the second optoelectronic semiconductor chip 110 and of the third optoelectronic semiconductor chip 120.
  • the second opto ⁇ electronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 120 are each arranged in the channel-shaped recess 240 of the reflector body 200. Since ⁇ in the second optoelectronic semiconductor chip 110 is disposed since ⁇ Lich on one side adjacent to the first optoelectronic semiconductor chip 100 and the third optoelectronic see semiconductor chip 120 disposed laterally on the other side next to the first optoelectronic semiconductor chip 100 so that the first optoelectronic semiconductor chip 100 is disposed Zvi ⁇ rule the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120th
  • the optoelectronic component 30 from the second optoelectronic semiconductor chip 110 and of the third optoelectronic semiconductor chip 120 emitted light having a wavelength in the visible spectral range through the channel-shaped recess 240 and over the first opening 231 gelan ⁇ gene into the cavity 210 of the reflector body 200 and can There they mix with the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with a wavelength from the infrared spectral range. It is expedient if the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 are formed as a volume ⁇ emitting semiconductor chips.
  • FIG. 9 shows a schematic perspective illustration of an optoelectronic component 40 according to a fourth embodiment.
  • the optoelectronic component 40 of the fourth embodiment has correspondences with the optoelectronic components 10, 20, 30 of the embodiments described above. Corresponding components are provided in FIG. 9 with the same reference numerals as in FIGS. 1 to 8. Only the differing features of the optoelectronic component 40 will be described below. Incidentally, the above description of the optoelectronic components 10, 20, 30 also applies to the optoelectronic component 40 of the fourth embodiment.
  • the optical lens 400 of the optoelectronic component 40 is not shown for clarity hal ⁇ over in the illustration of Fig. 9.
  • the optoelectronic component 40 also has the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120, each of which is used to emit light having a wavelength from the visible spectral range are.
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 could be dispensed with.
  • neither optical fibers 510, 520 nor a channel-shaped recess 240 are provided on the lower side 202 of the reflector body 200.
  • deflecting elements 420 are not provided in the optoelectronic component 40.
  • the cavity 210 of the reflector body 200 in the optoelectronic component 40 has a first section 211, a second section 212 and a third section 213.
  • first portion 211, the second portion 212 and the third portion 213 of the cavity 210 are partially superimposed on each other such that the combined volume of the first portion 211, the second portion 212 and the third portion 213 together the contiguous volume of Ka ⁇ vity 210 form.
  • the first section 211 is arranged between the second section 212 and the third section 213.
  • the reflector body 200 has, in addition to the first opening 231, a second opening 232 and a third opening 233.
  • the first opening 231 is arranged on the base 230, ie in the bottom area, of the first section 211 of the cavity 210.
  • the second opening 232 is arranged on the base 230 of the second section 212 of the cavity 210.
  • the third opening 232 is arranged on the base 230 of the third section 213 of the cavity 210.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100, the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third opto ⁇ electronic semiconductor chip 120 are respectively disposed on the upper ⁇ page 310 of the carrier 300 that the undersides 102, 112, 122 of the optoelectronic semiconductor chips 100, 110, 120 of the Top side 301 of the carrier 300 facing.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged in the first opening 231 of the reflector body 200.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is arranged in the second opening 232 of the reflector body 200.
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 is arranged in the third opening 232 of the reflector body 200.
  • the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with a wavelength from the infrared spectral range in the optoelectronic component 40 in the cavity 210 can be optoelectronic with the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third Semiconductor chip 120 emitted light with a wavelength from the visible spectral range mix. It is convenient when the second opto-electronic semi-conductor chip ⁇ 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 are formed as ⁇ volumenemittierende semiconductor chips. Fig.
  • FIGS. 10 and 11 show a schematic sectional side view of a portion of an optoelectronic device 50 according ei ⁇ ner fifth embodiment.
  • Fig. 11 shows a schematic perspective view of part of optoelectronic device ⁇ rule 50 of the fifth embodiment.
  • the opto-electronic component 50 of the fifth embodiment has correspondences with the optoelectronic components 10, 20, 30, 40 described above. Matching components are shown in FIGS. 10 and 11 with the same reference numerals. In the following, only the deviations of the optoelectronic component 50 of the fifth embodiment from the optoelectronic components 10, 20, 30, 40 of the embodiments described above are explained. Incidentally, the above Be ⁇ scription also applies to the optoelectronic component 50th
  • the reflector body 200 and the optical lens 400 are not shown. Also in FIG. 11, the optical lens 400 is not shown for the sake of clarity.
  • the optoelectronic component 50 no light conductors 510, 520 and no deflection elements 420 are provided.
  • the reflector body 200 has neither a recess 250 nor a channel-shaped recess 240.
  • the cavity 210 is not divided into a plurality of sections 211, 212, 213. Only the first breakthrough 231 is provided.
  • the optoelectronic component 50 is an optical
  • the optical element 600 effects a mixture of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with the visible one
  • the optical element 600 includes a light-transmissive Kör ⁇ per 610 having a top surface 611, a top 611 of the ge ⁇ genüberkeep bottom 612 and a plurality of between top 611 and bottom 612 extending side surfaces 613 on.
  • the mixture of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with a wavelength from the infrared spectral range and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 with a wavelength from the visible spectral range takes place within the light-transmissive body 610 of FIG optical element 600 by single or multiple internal reflection on the outer surfaces of the translucent body 610.
  • the translucent body 610 may comprise, for example, a glass or a transparent plastic.
  • both the first optoelectronic semiconductor chip 100 and the two ⁇ te optoelectronic semiconductor chip 110 and the third opto ⁇ electronic semiconductor chip 120 on the top 301 of the carrier 300 in the first opening 231 of the reflector body 200 are arranged.
  • the first opto-electronic semi-conductor chip ⁇ 100 is disposed between the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120th
  • the transparent body 610 of the op ⁇ tables element 600 is arranged above the first opto electro ⁇ African semiconductor chip 100, the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120, that the bottom side 612 of the light ⁇ permeable body 610 the tops 101, 111, 121 of the optoelectronic semiconductor chips 100, 110, 120 faces.
  • Light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100, the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 can pass through the underside 612 of the light-transmissive body 610 into the light-transmissive body 610 of the optical element 600.
  • the light having a wavelength from the infrared spectral range emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 is inserted into the light-transmissive body in a center region of the light-transmitting body 610. irradiated by 610.
  • the light having a wavelength from the visible spectral range emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 is radiated into the light-permeable body 610 in edge regions of the light-transmissive body 610.
  • the side surfaces 613 of the light-permeable body 610 are bevelled such that light radiated into the light-transmissive body 610 by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 is inside on the side surfaces 613 of the light-transmissive body Body 610 is reflected and deflected toward the center of the light-transmissive body 610.
  • the side surfaces 613 may additionally comprise, at least in sections, a reflective coating 620, for example a coating comprising silver, aluminum or gold.
  • a reflective coating 620 for example a coating comprising silver, aluminum or gold.
  • top microstructure 630 may include a plurality of microlenses 635.
  • the microlenses 635 may, for example, be formed in a regular, two-dimensional matrix arrangement on the upper side 611 of the light-transmissive body 610.
  • Each microlens 635 may, for example, have a size of 15 ⁇ m x 15 ⁇ m in the plane of the upper side 611.
  • the underside 612 of the light-transmissive body 610 can have a lower microstructure 640 which, as a scattering structure, intermixes the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 and the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 the translucent body 610 of the optical element 600 is supported.
  • the light-transmissive body 610 of the optical element 600 is arranged only above the first optoelectronic semiconductor chip 100, the bottom 612 of the light-transmissive body facing the top side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third opto ⁇ electronic semiconductor chip 120 are arranged laterally beside the light transmitting body 610 that radiative emission sides of the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 side surfaces 613 of the light transmitting body 610 facing, from The light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 with a wavelength from the visible spectral range can thus pass through side surfaces 613 of the light-transmissive body 610 into the light-transmissive body 610.
  • the light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 is mixed with the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the mixed-in light can in turn emerge on the upper side 611 of the light- transmissive body 610.
  • the third optoelectronic semiconductor chip 120 may be dispensed with in simplified variants.
  • FIG. 12 shows a schematic sectional side view of an optoelectronic component 60 according to a sixth embodiment.
  • the optoelectronic component 60 of the Sixth embodiment has correspondences with the above-described optoelectronic components 10, 20, 30, 40, 50.
  • Corresponding components are designated in Figure 12 with the ⁇ same reference numerals as in Figures 1 to 11. demand the following is only described in which aspects and features, the optoelectronic component 60 of the vorste ⁇ proceeding described optoelectronic devices 10, 20, 30, 40 , 50 deviates.
  • the above Be ⁇ scription of the optoelectronic devices 10, 20, 30, 40, 50 for the example shown in Figure 12 optoelectronic ⁇ construction element 60 of the sixth embodiment applies.
  • the optical lens 400 of the optoelectronic component 60 is not shown in the illustration of FIG. 12 for the sake of clarity. However, the optical lens 400 may be included in the optoelectronic device 60 as well. However, the optical lens 400 can also be dispensed with in the optoelectronic component 60.
  • the lower side 102 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 faces the upper side 301 of the carrier 300.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is arranged on the upper side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the bottom 112 of the second optoelectronic semiconductor chips 110 of the top 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 is supplied ⁇ Wandt.
  • the top surface 101 of the first optoelectronic semiconductor ⁇ semiconductor chip 100 and the top surface 111 of the second optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip 110 thus point in the same direction in space as the top surface 301 of the carrier 300th
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 and the second optoelectronic semiconductor chip 110 are electrically contacted in a manner not shown in detail in FIG.
  • the first optoelectronic semiconductor chip ⁇ 100 and the second optoelectronic semiconductor chip 110 by means of bonding wires or solder contacts electrically conductively arranged on the upper side 301 of the carrier 300
  • the second opto-electronic semi-conductor chip 110 ⁇ for light emitted by the first opto-electronic semiconductor chip 100 light having a wavelength in the infrared spectral range is at least partially transpa rent ⁇ .
  • light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip with a wavelength from the infrared spectral range is not shaded or only partially shaded by the second optoelectronic semiconductor chip 110.
  • the second opto-electronic semi-conductor chip ⁇ must be formed of materials 110, or at least not completely reflect the light emitted by the first opto-electronic semiconductor chip 100 light absorbie ⁇ ren.
  • the optoelectronic component 60 of the sixth embodiment 110 has on the top side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 is ⁇ disposed second optoelectronic semiconductor chip has an overall ringere size than the first semiconductor optoelectronic ⁇ chip 100.
  • the top 111 and the Un ⁇ underside 112 of the second optoelectronic semiconductor chips 110 each having a smaller area than the top 101 and bottom 102 of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the bottom 112 covers the second optoelectronic semiconductor chip 110, the upper surface 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 only partially.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 does not partially shadow light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100, even if the second optoelectronic semiconductor chip 110 is on a light emitting section of the top side 101 of the first optoelectronic Semiconductor chips 100 is arranged. It is also possible that the second optoelectronic semiconductor chip 110 only ei ⁇ NEN non-light emitting portion of the upper surface 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 is covered.
  • the on the top surface 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100 is ⁇ disposed second optoelectronic semiconductor chip 110 as large as the first optoelectronic semiconductor chip 100 or even greater than the first optoelectronic semiconductor chip
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is at least partially transparent to light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 may be also arranged a for emitting light having a wavelength from the visible spectral trained third optoelectronic semiconductor chip on the upper surface 101 of the first optoelectronic ⁇ rule semiconductor chips 100 of the optoelectronic component 60th
  • the light having a wavelength from the visible spectral range is second optoelectronic semiconductor chip 110 emitting on the upper side
  • first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged.
  • first optoelectronic semiconductor chip see 100 inversely emitting on the upper surface 111 of the light having a wavelength from the view ⁇ cash spectral second optoelectronic semiconductor chip 110 are arranged.
  • this execution form ⁇ it is expedient that the first optoelectronic semiconductor chip 100 has a smaller size than the second optoelectronic semiconductor chip 110.
  • the first opto-electronic ⁇ semiconductor chip 100 is at least partially transpa rent ⁇ for light emitted by the second optoelectronic semiconductor chip 110 light having a wavelength from the sichtba- ren spectral range.
  • the optoelectronic component in a further embodiment, this is formed like the optoelectronic component 40 of the fourth embodiment described with reference to FIG.
  • the optoelectronic Bauele ⁇ ment in this embodiment no carrier 300th
  • the reflector body 200 has no openings 231, 232, 233 at the base 230 of the cavity 210. Instead, the cavity 210 of the reflector body 200 is closed at the base 230.
  • the optoelectronic semiconductor chips 100, 110, 120 are of the reflector body arranged ⁇ respectively on the base 230 of the cavity 210,200 and electrically contacted there.
  • the reflector body 200 can be produced in this optoelectronic component, for example by the method of MID technology.
  • this is formed like the optoelectronic component 50 described with reference to FIGS. 10 and 11.
  • no carrier 300 is present in this optoelectronic component.
  • the reflector body 200 has in this optoelectronic component on no first breakthrough 231 so that the cavity 210 of the reflector body is closed on ih ⁇ rem basic 230,200.
  • the optoelectronic semiconductor chips 100, 110, 120 are arranged on the base 230 of the cavity 210 of the reflector body 200 and are electrically contacted there.
  • the ⁇ ser embodiment of the optoelectronic device of the reflector body 200 may be prepared for example by the method of MID technology.
  • the optoelectronic component this is designed like that with reference to FIG. 12 described optoelectronic device 60.
  • no carrier 300 is present in this optoelectronic component, so that the cavity 210 of the reflector body 200 is closed at its base 230.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 is arranged on the base 230 of the cavity 210 of the reflector body 200 in this optoelectronic component.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 is arranged on the upper side 101 of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the first optoelectronic semiconductor chip 100 and the second optoelectronic semiconductor chip 110 are electrically contacted at the base 230 of the cavity 210 in the case of this optoelectronic component.
  • the reflector body 200 can be in this embodiment of the optoelectronic component Herge ⁇ represents, for example, by the method of MID technology.
  • the first opto-electronic semi-conductor chip ⁇ can each be operated in a pulsed mode 100, that is repeatedly turned on and off. This differential measurements of a Reflexionssig ⁇ Nals may be possible, for example.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 and, if present, the third optoelectronic semiconductor chip 120 For visual masking of the light emitted by the first optoelectronic semiconductor chip 100 with a wavelength from the infrared spectral range, it is expedient, during operation of the optoelectronic components 10, 20, 30, 40, 50, 60, the second optoelectronic semiconductor chip 110 and, if present, the third optoelectronic semiconductor chip 120 to operate in a continuous operation.
  • the second optoelectronic semiconductor chip 110 and, if present, the third optoelectronic semiconductor chip 120 in a countercyclical mode to the pulse mode of the first optoelectronic semiconductor chip 100.
  • the second opto electronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 120 is switched on exactly when the first optoelectronic semiconductor chip 100 is turned off, and then switched off exactly when the first optoelectronic semiconductor chip 100 is turned on. In this mode, therefore, always either the first optoelectronic semiconductor chip 100 or the second optoelectronic half ⁇ semiconductor chip 110.
  • Pulsed operation of the second optoelectronic semiconductor chip 110 and the third optoelectronic semiconductor chip 120 is in a relation to a continuous operation reduced energy consumption.

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen ersten opto- elektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe- reich zu emittieren. Außerdem umfasst das optoelektronische Bauelement einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Das optoelektroni- sche Bauelement weist einen Reflektorkörper mit einer Ober- seite und einer Unterseite auf. Der Reflektorkörper weist ei- ne zu der Oberseite geöffnete Kavität auf. Eine Wandung der Kavität bildet einen Reflektor. Der erste optoelektronische Halbleiterchip ist an einem Grund der Kavität angeordnet.

Description

OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronische Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines opto elektronischen Bauelements.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 117 523.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.
Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente mit im nahinfraroten Spektralbereich emittierenden Strahlungsquellen bekannt. Es ist bekannt, dass die von solchen optoelektronischen Bauelementen emittierte Strahlung für menschliche Beobachter wahrnehmbar ist, insbesondere dann, wenn die Strahlungsquelle im Pulsbetrieb angesteuert wird. Dies kann als störend empfunden werden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfah- ren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement und durch ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschie- dene Weiterbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement weist einen optoelektroni¬ schen Halbleiterchip auf, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu emit- tieren. Das optoelektronische Bauelement weist außerdem einen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip auf, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Außerdem weist das optoelekt- ronische Bauelement einen Reflektorkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. Der Reflektorkörper weist eine zu der Oberseite geöffnete Kavität auf. Eine Wandung der Kavität bildet einen Reflektor. Der erste optoelektronische Halb- leiterchip ist an einem Grund der Kavität angeordnet.
Vorteilhafterweise kann bei diesem optoelektronischen Bauele¬ ment von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spekt- ralbereich von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich für einen menschlichen Beobachter maskieren, also überdecken. Dadurch wird von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich von einem Beobachter nicht als störend empfunden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Reflektorkörper an einem Grund der Kavität einen ersten Durchbruch auf, der sich zwischen der Unterseite des Reflektorkörpers und der Kavität erstreckt. Dabei ist der erste optoelektronische Halbleiterchip in dem ersten Durchbruch angeordnet. Vorteilhafterweise kann der Reflektorkörper dadurch einfach und kostengünstig aufgebaut sein. Dabei kann eine elektrische Kontaktierung des ersten optoelektronischen Halbleiterchips von unterhalb des Reflektorkörpers erfolgen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen Träger auf. Dabei ist der Reflektorkörper derart auf dem Träger angeordnet, dass die Unterseite des Re¬ flektorkörpers dem Träger zugewandt ist. Der erste optoelekt¬ ronische Halbleiterchip ist dabei auf dem Träger angeordnet. Vorteilhafterweise ermöglicht der Träger eine einfache elekt¬ rische Kontaktierung des ersten optoelektronischen Halb- leiterchips des optoelektronischen Bauelements. Dadurch ist das optoelektronische Bauelement vorteilhafterweise einfach, kostengünstig und mit kompakten äußeren Abmessungen herstell¬ bar . In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weitet sich die Kavität zur Oberseite des Reflektorkörpers trichterförmig auf. Vorteilhafterweise kann der durch die Wandung der Kavität gebildete Reflektor dadurch von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich bündeln. Beispielsweise kann durch den Reflektor des optoelektronischen Bauelements von dem ers- ten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht zu einem Parallelstrahl gebündelt werden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses eine optische Linse auf, die an der Oberseite des Reflektorkörpers angeordnet ist. Vorteilhafterweise kann die optische Linse eine Strahlformung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich bewirken. Beispielsweise kann durch die optische Linse des optoelektronischen Bauelements von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht in einen festgelegten Raumbereich fokussiert werden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Linse einen kegelförmigen Linsenabschnitt auf, der sich in die Kavität des Reflektorkörpers erstreckt. Vorteil¬ hafterweise ergibt sich dadurch eine besonders kompakte und unempfindliche Bauform des optoelektronischen Bauelements. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen sich von der Unterseite des Reflektorkörpers zu der Oberseite des Reflektorkörpers durch den Reflek¬ torkörper erstreckenden Lichtleiter auf. Dabei ist der Reflektorkörper derart über dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet, dass von dem zweiten optoelektro¬ nischen Halbleiterchip emittiertes Licht an der Unterseite des Reflektorkörpers in den Lichtleiter gelangt. An der Ober¬ seite des Reflektorkörpers kann Licht aus dem Lichtleiter austreten. Vorteilhafterweise ermöglicht es der Lichtleiter, das dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht zur Oberseite des Reflektorkörpers zu leiten.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist über der Oberseite des Reflektorkörpers ein Ablenkelement so angeordnet, dass aus dem Lichtleiter austretendes Licht in die optische Linse abgelenkt wird. Vorteilhafterweise kann die optische Linse bei diesem optoelektronischen Bauelement eine Mischung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe¬ reich mit dem durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierten Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbe¬ reich bewirken. Eine gute Durchmischung des Lichts kann dabei durch interne Reflexionen in der optischen Linse des optoelektronischen Bauelements erreicht werden. Vorteilhafterweise kann durch eine gute Durchmischung des Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich und des Lichts mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich eine wirksame Maskierung des Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich erzielt werden.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Ablenkelement durch eine an der optischen Linse ange¬ ordnete reflektierende Schicht gebildet. Dadurch weist das optoelektronische Bauelement einen besonders einfachen Aufbau mit einer nur geringen Anzahl an Einzelkomponenten auf, wodurch es vorteilhafterweise einfach, schnell und kosten¬ günstig herstellbar ist.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Unterseite des Reflektorkörpers über einer Oberseite des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Vorteilhafterweise wird dadurch verhindert, dass von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich auf direktem Weg zu einem menschlichen Beobachter gelangt. Andernfalls wäre der zweite optoelektronische Halbleiterchip als separate, von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip beabstandete Lichtquelle erkennbar, was mit einer nur unvollständigen Maskierung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich einhergehen könnte. Durch die Anordnung der Unterseite des Reflektorkörpers über der Oberseite des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips wird erreicht, dass sich von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich mit von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich vermischt, bevor es zu ei- nem Beobachter gelangt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist an der Unterseite des Reflektorkörpers eine kanalförmige Aussparung ausgebildet. Dabei erstreckt sich der erste Durch- bruch zu der kanalförmigen Aussparung. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip ist in der kanalförmigen Aussparung angeordnet. Hierdurch wird erreicht, dass von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich durch die ka- nalförmige Aussparung zu dem ersten Durchbruch und dem dort angeordneten ersten optoelektronischen Halbleiterchip gelangen kann, wo es sich mit von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich vermischen kann. Hierdurch wird vorteilhafterweise eine wirksame Maskierung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts durch das durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht erreicht. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip am Grund der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise kann eine Mischung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittier- ten Lichts und des durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts dadurch in der Kavität des optoelektronischen Bauelements erfolgen. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Reflektorkörper einen zweiten Durchbruch auf, der sich zwischen der Unterseite des Reflektorkörpers und der Ka¬ vität erstreckt. Dabei ist der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip in dem zweiten Durchbruch angeordnet. Bei dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements kann sich von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbe¬ reich in dem durch die Wandung der Kavität gebildeten Reflektor mit von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertem Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich vermischen, um dieses zu maskieren.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Kavität einen ersten, sich trichterförmig zur Ober- seite des Reflektorkörpers aufweitenden Abschnitt und einen zweiten, sich trichterförmig zur Oberseite des Reflektorkörpers aufweitenden Abschnitt auf. Dabei sind der erste Ab¬ schnitt und der zweite Abschnitt einander überlagert. Der erste Durchbruch ist am Grund des ersten Abschnitts der Kavi- tät angeordnet. Der zweite Durchbruch ist am Grund des zwei¬ ten Abschnitts der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise kann der durch die Wandung der Kavität gebildete Reflektor bei dieser Formgebung der Kavität eine besonders wirksame Durchmischung des von dem zweiten optoelektronischen Halb- leiterchip emittierten Lichts mit dem von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Licht bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses ein optisches Element auf, das in der Kavität so angeordnet ist, dass von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht und von dem zweiten optoelektro¬ nischen Halbleiterchip emittiertes Licht zumindest teilweise in das optische Element gelangt. Dabei ist das optische Ele- ment ausgebildet, von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht und von dem zweiten optoelektro¬ nischen Halbleiterchip emittiertes Licht zu mischen. Vorteilhafterweise kann das optische Element dieses optoelektroni- sehen Bauelements eine Durchmischung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts und des durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts und dadurch eine Maskierung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts mit ei- ner Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich bewirken.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das optische Element einen lichtdurchlässigen Körper mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. Dabei ist an sich zwischen der Oberseite und der Unterseite erstreckenden Seitenflächen des lichtdurchlässigen Körpers zumindest abschnittsweise eine reflektierende Beschichtung angeordnet. Bei diesem optoelektronischen Bauelement wird eine Durchmischung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts und des durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts durch ein- oder mehrfache Reflexion des in dem lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements gelangten Lichts an den Seitenflächen des lichtdurchlässigen Körpers erreicht.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Oberseite des lichtdurchlässigen Körpers eine Mik- rostrukturierung auf. Diese Mikrostrukturierung kann vorteilhafterweise eine Auskopplung des in den lichtdurchlässigen Körper des optischen Elementes eingestrahlten Lichts an der Oberseite des lichtdurchlässigen Körpers erleichtern. Dadurch wird in den lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements eingestrahltes Licht vorteilhafterweise im Wesentlichen an der Oberseite des lichtdurchlässigen Körpers abgestrahlt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst die Mikrostrukturierung eine Mehrzahl von Mikrolin sen. Die Mikrolinsen können dabei beispielsweise in einer zweidimensionalen Matrixanordnung angeordnet sein. Vorteilhafterweise bewirkt die Mikrostrukturierung dann eine Aus¬ kopplung von Licht an der Oberseite des lichtdurchlässigen Körpers des optischen Elements und gleichzeitig eine Strahl- formung des an der Oberseite des lichtdurchlässigen Körpers ausgekoppelten Lichts.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers eine Mik- rostrukturierung auf. Vorteilhafterweise unterstützt die an der Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers des optischen Elements angeordnete Mikrostrukturierung eine Durchmischung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts und des von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts in dem lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip am Grund der Kavität angeordnet. Dabei ist der lichtdurchlässige Körper über dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip und über dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip angeordnet. Die Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers ist dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip und dem zweiten optoelekt- ronischen Halbleiterchip zugewandt. Dadurch wird von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip und von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht bei diesem optoelektronischen Bauelement an der Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers in den lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements eingeleitet, wo es eine Durchmischung erfährt .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der lichtdurchlässige Körper über dem ersten optoelektro- nischen Halbleiterchip angeordnet. Dabei ist die Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip zugewandt. Der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip ist seitlich neben dem lichtdurchlässigen Körper angeordnet. Dabei ist eine Strahlungsemissionsseite des zwei¬ ten optoelektronischen Halbleiterchips einer Seitenfläche des lichtdurchlässigen Körpers zugewandt. Bei diesem optoelektro¬ nischen Bauelement wird von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich an der Unterseite des lichtdurchlässigen Körpers des optischen Elements in den lichtdurchlässigen Körper eingeleitet. Von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellen- länge aus dem sichtbaren Spektralbereich wird von der Seite durch eine der Seitenflächen des lichtdurchlässigen Körpers in den lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements eingeleitet. In dem lichtdurchlässigen Körper des optischen Elements werden das von dem ersten optoelektronischen Halb- leiterchip emittierte Licht und das von dem zweiten opto¬ elektronischen Halbleiterchip emittierte Licht miteinander gemischt .
In einer Ausführungsform der Erfindung ist der zweite opto- elektronische Halbleiterchip auf einer Oberseite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Vorteilhafterweise werden das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich und das von dem zweiten optoelekt- ronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich bei dieser Anordnung von sehr nahe beieinander liegenden Quellorten abgestrahlt, wodurch sich eine besonders gute Durchmischung des Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich und des Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbe¬ reich ergibt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Anordnung des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips auf der Oberseite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips besonders platzsparend ist, wodurch das optoelektronische Bauelement kompakt ausgebildet sein kann.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist eine Oberseite des zweiten optoelektronischen Halb- leiterchips eine geringere Größe auf als die Oberseite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips. Vorteilhafterweise wird die lichtemittierende Oberseite des ersten optoelektro¬ nischen Halbleiterchips dadurch nur zu einem geringen Teil durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip bedeckt. Dadurch wird das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich nicht oder nur in geringem Maße durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip abge- schattet. Möglich ist auch, dass der zweite optoelektronische Halbleiterchip auf einem nicht-lichtemittierenden Abschnitt der Oberseite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet ist.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip zumindest teilweise transparent für durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht. Vorteilhafterweise kommt es dann zu keiner oder nur zu einer geringen Abschattung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe¬ reich durch den auf der Oberseite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips angeordneten zweiten optoelektronischen Halbleiterchip .
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip als volumen¬ emittierender Halbleiterchip ausgebildet. Vorteilhafterweise wird es dadurch erleichtert, das von dem zweiten optoelektro¬ nischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich mit dem durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu mischen. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip ausgebildet, Licht mit einer Wellenlänge aus dem roten Spektralbereich zu emittieren. Vorteilhafterweise bewirkt das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht dadurch eine besonders wirksame optische Maskierung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist dieses einen dritten optoelektronischen Halbleiterchip auf, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren. Bei diesem optoelektronischen Bauelement dient auch das von dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich dazu, das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu überdecken, um zu verhindern, dass ein menschlicher Beobachter das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich als störend wahrnimmt. Bei einem Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen
Bauelements der vorgenannten Art wird der erste optoelektro¬ nische Halbleiterchip in einem Pulsbetrieb betrieben. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip wird in einem konti¬ nuierlichen Betrieb oder einem zu dem Pulsbetrieb des ersten optoelektronischen Halbleiterchips antizyklischen Pulsbetrieb betrieben. Vorteilhafterweise wird bei dem nach diesem Verfahren betriebenen optoelektronischen Bauelement die in Pulsen stattfindende Abstrahlung von Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich durch den ersten opto- elektronischen Halbleiterchip durch einen menschlichen Beobachter nicht als störend empfunden, da das Pulsieren des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektral¬ bereich in der Wahrnehmung des Beobachters durch das durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbe¬ reich überdeckt wird. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Fig. 1 eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer ersten Ausführungsform;
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung von Teilen des opto¬ elektronischen Bauelements der ersten Ausführungsform;
Fig. 3 eine weitere perspektivische Darstellung von Teilen des optoelektronischen Bauelements der ersten Ausführungsform; Fig. 4 eine geschnittene Seitenansicht des optoelektronischen Bauelements gemäß der ersten Ausführungsform;
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung von Teilen eines optoelektronischen Bauelements einer zweiten Ausführungsform;
Fig. 6 eine perspektivische Darstellung von Teilen eines optoelektronischen Bauelements einer dritten Ausführungsform;
Fig. 7 eine rückwärtige Ansicht von Teilen des optoelektroni- sehen Bauelements der dritten Ausführungsform;
Fig. 8 eine teilweise transparente Darstellung des optoelekt¬ ronischen Bauelements der dritten Ausführungsform;
Fig. 9 eine perspektivische Darstellung von Teilen eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer vierten Ausführungsform; Fig. 10 eine schematische geschnittene Seitenansicht von Tei¬ len eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer fünften Ausführungsform; Fig. 11 eine perspektivische Darstellung von Teilen des opto¬ elektronischen Bauelements der fünften Ausführungsform; und
Fig. 12 eine geschnittene Seitenansicht eines optoelektroni¬ schen Bauelements gemäß einer sechsten Ausführungsform.
Fig. 1 zeigt eine schematisierte perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 10 gemäß einer ersten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu emittieren. Das optoelektronische Bauele¬ ment 10 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, das infra¬ rote Licht im Pulsbetrieb abzustrahlen, beispielsweise im Pulsbetrieb mit einer Frequenz von einigen Pulsen pro Sekunde .
Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen Reflektorkör¬ per 200, einen Träger 300 und eine optische Linse 400 auf. Der Reflektorkörper 200 ist derart an einer Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet, dass eine Unterseite 202 des Reflek- torkörpers 200 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt ist. Die optische Linse 400 ist über einer der Unterseite 202 gegenüberliegenden Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 an¬ geordnet . Fig. 2 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des optoelektronischen Bauelements 10, bei der der Reflektorkörper 200 nicht dargestellt ist. Fig. 3 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht des optoelektronischen Bauelements 10, bei der die optische Linse 400 nicht dargestellt ist. Fig. 4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht des optoelektronischen Bauelements 10. Der Reflektorkörper 200 des optoelektronischen Bauelements 10 weist eine quaderförmige Grundform auf. Der Reflektorkörper 200 kann beispielsweise aus einem Kunststoffmaterial ausge¬ bildet sein.
Der Reflektorkörper 200 weist eine zu der Oberseite 201 ge¬ öffnete Kavität 210 auf. Die Kavität 210 ist in den Darstel¬ lungen der Figuren 3 und 4 sichtbar. Die Kavität 210 weitet sich zur Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 auf, bei- spielsweise trichterförmig oder kegelförmig. Eine Wandung 225 der Kavität 210 bildet einen Reflektor 220. Die Wandung 225 der Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 kann eine reflektie¬ rende Beschichtung aufweisen, beispielsweise eine metallische BeSchichtung .
An einem Grund 230 der Kavität 210, also im Bodenbereich der Kavität 210, weist der Reflektorkörper 200 einen ersten
Durchbruch 231 auf. Dies ist in Figuren 3 und 4 erkennbar. Der erste Durchbruch 231 erstreckt sich zwischen der Unter- seite 202 des Reflektorkörpers 200 und der Kavität 210.
Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen ersten opto¬ elektronischen Halbleiterchip 100 auf. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 ist dazu ausgebildet, Licht mit ei- ner Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu emittieren. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 kann beispielsweise dazu ausgebildet sein, Licht mit einer Wellen¬ länge aus dem nahinfraroten Spektralbereich zu emittieren, beispielsweise Licht mit einer Wellenlänge von 810 nm oder Licht mit einer Wellenlänge von 850 nm. Der erste optoelekt¬ ronische Halbleiterchip 100 kann beispielsweise ein Leuchtdi¬ odenchip (LED-Chip) sein.
Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende
Unterseite 102 auf. Die Oberseite 101 des ersten optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 100 bildet eine Strahlungsemissions- seite des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100. Von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 erzeugtes Licht wird zumindest zum Teil an der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 abgestrahlt. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 des optoelekt¬ ronischen Bauelements 10 ist in dem ersten Durchbruch 231 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Dabei ist die Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 in Richtung zur Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 orientiert. Dies ist in Figuren 3 und 4 erkennbar. Dadurch kann von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 an seiner Oberseite 101 abgestrahltes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich durch den Reflektor 220 des Reflektorkörpers 200 gesammelt und gebündelt werden und an der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 aus der Kavität 210 austreten.
Der Träger 300 des optoelektronischen Bauelements 10 kann beispielsweise als Leiterplatte ausgebildet sein. An der Oberseite 301 des Trägers 300 können elektrische Kontaktflä- chen und elektrische Leiterbahnen zur elektrischen Kontaktie- rung des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet sein. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 ist derart an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet, dass seine Unterseite 102 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt ist. Dabei ist der erste optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 elektrisch leitend mit elektrischen Kontaktflächen an der Oberseite 301 des Trägers 300 verbunden.
Auch der Reflektorkörper 200 ist an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 202 des Re¬ flektorkörpers 200 der Oberseite 301 des Trägers 300 zuge¬ wandt. Der Reflektorkörper 200 und der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 sind derart an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet, dass der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 in dem ersten Durchbruch 231 des Reflektorkörpers 200 angeordnet ist. Die in Figuren 1 bis 4 nur schematisch dargestellte optische Linse 400 des optoelektronischen Bauelements 10 ist dazu vor¬ gesehen, von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 abgestrahltes und an der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 aus der Kavität 210 austretendes Licht zu formen, bei¬ spielsweise in einen Raumbereich in der Umgebung des optoelektronischen Bauelements 10 zu fokussieren. Im in Figuren 1 bis 4 gezeigten Beispiel umfasst die optische Linse 400 einen Plattenabschnitt 430 und einen kegelförmigen Linsenabschnitt 410. Der Plattenabschnitt 430 der optischen Linse 400 ist im Wesentlichen quaderförmig ausgebildet und an der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Der kegelförmige Linsenabschnitt 410 ist mittig an einer der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 zugewandten Oberfläche des Plattenab- Schnitts 430 der optischen Linse 400 angeordnet und erstreckt sich in die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 hinein.
Von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 des optoelektronischen Bauelements 10 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich kann für einen menschlichen Beobachter als schwach sichtbares rotes Glimmen wahrnehmbar sein. Falls der erste optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 des optoelektronischen Bauelements 10 im Pulsbetrieb angesteuert wird, der erste optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 also abwechselnd ein- und ausgeschaltet wird, kann das Blinken dieses roten Glimmens als störend empfunden werden. Daher ist es bei dem optoelektronischen Bauelement 10 vorgesehen, das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem inf¬ raroten Spektralbereich durch Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu maskieren, also zu überdecken .
Das optoelektronische Bauelement 10 weist zu diesem Zweck ei- nen zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 auf. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ist dazu ausge¬ bildet, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spekt¬ ralbereich zu emittieren. Beispielsweise kann der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ausgebildet sein, Licht mit einer Wellenlänge aus dem roten Spektralbereich zu emittieren. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein.
Der zweite optoelektronische Halbleiterchip weist eine Ober¬ seite 111 und eine der Oberseite 111 gegenüberliegende Unter¬ seite 112 auf. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 kann dazu ausgebildet sein, Licht nur an der Oberseite 111 abzustrahlen. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 kann aber auch als volumenemittierender Halbleiterchip ausgebildet sein. In diesem Fall wird durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 Licht nicht nur an der Oberseite 110, sondern auch an sich zwischen der Oberseite 111 und der Unterseite 112 erstreckenden Seitenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 110 abgestrahlt.
Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 des opto¬ elektronischen Bauelements 10 ist an der Oberseite 301 des Trägers 300 unter dem Reflektorkörper 200 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 112 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt. Der Reflektorkörper 200 kann an seiner Unterseite 202 eine Aussparung 250 aufweisen, in der der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 angeordnet ist. Dies ist in Fig. 4 erkennbar. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ist über an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnete elektrische Kontaktflächen und Leiterbahnen elektrisch kontaktiert. Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen ersten Licht¬ leiter 510 auf, der sich durch den Reflektorkörper 200 erstreckt. Dabei erstreckt sich der erste Lichtleiter 510 von der Aussparung 250 an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200 zu der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200. Der erste Lichtleiter 510 ist damit so angeordnet, dass von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittiertes Licht an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200 in den Lichtlei¬ ter 510 gelangt und durch den Lichtleiter 510 zur Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 geleitet wird. An der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 kann das durch den zweiten opto¬ elektronischen Halbleiterchip 110 emittierte Licht aus dem ersten Lichtleiter 510 austreten.
Die optische Linse 400 des optoelektronischen Bauelements 10 weist ein Ablenkelement 420 auf. Das Ablenkelement 420 ist durch eine reflektierende Schicht 425 gebildet, die an einer abgeschrägten Ecke des Plattenabschnitts 430 der optischen Linse 400 angeordnet ist.
Von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittiertes Licht, das durch den ersten Lichtleiter 510 läuft, tritt an der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 aus dem ersten Lichtleiter 510 aus und in den Plattenabschnitt 430 der optischen Linse 400 ein. Das Ablenkelement 420 der opti¬ schen Linse 400 ist so angeordnet, dass das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich an der reflektierenden Schicht 425 des Ablenkelements 420 reflek¬ tiert und dadurch in die optische Linse 400 abgelenkt wird. Das in die optische Linse 400 abgelenkte Licht mit einer Wel¬ lenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich kann innerhalb der optischen Linse 400 noch weitere Male reflektiert, bei- spielsweise totalreflektiert, werden und schließlich an der von dem Reflektorkörper 200 abgewandten Oberseite der optischen Linse 400 aus der optischen Linse austreten.
Während das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich durch die optische Linse 400 läuft, wird es zumindest teilweise mit dem durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich durchmischt. In dem von dem optoelektronischen Bauelement 10 abgestrahlten Licht ist somit von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraro¬ ten Spektralbereich und von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich überlagert. Dadurch ist das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich für einen menschlichen Beobachter nicht oder kaum sichtbar.
Fig. 5 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 20 gemäß ei- ner zweiten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 20 der zweiten Ausführungsform weist große Übereinstimmungen mit dem optoelektronischen Bauelement 10 der ersten Ausführungsform auf. Einander entsprechende Komponenten sind in Figuren 1 bis 4 und in Fig. 5 mit denselben Bezugszeichen ver- sehen. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede be¬ schrieben. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung des optoelektronischen Bauelements 10 der ersten Ausführungsform auch für das in Fig. 5 gezeigte optoelektronische Bauelement 20 der zweiten Ausführungsform.
Der Reflektorkörper 200 des optoelektronischen Bauelements 20 ist in der schematischen Darstellung der Fig. 5 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. Das optoelektronische Bauelement 20 weist zusätzlich zu dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 einen dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 auf. Der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 ist ebenfalls dazu ausgebil¬ det, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektral- bereich zu emittieren. Der dritte optoelektronische Halb¬ leiterchip 120 kann beispielsweise ausgebildet sein, Licht mit der gleichen Wellenlänge zu emittieren wie der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110. Der dritte optoelektro¬ nische Halbleiterchip 120 kann ausgebildet sein wie der zwei- te optoelektronische Halbleiterchip 110.
Der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 weist eine Oberseite 121 und eine der Oberseite 121 gegenüberliegende Unterseite 122 auf. Der dritte optoelektronische Halbleiter¬ chip 120 ist an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordnet, sodass die Unterseite 122 des dritten optoelektronischen Halbleiterchips 120 der Oberseite 301 des Trägers 300 zuge- wandt ist. Dabei ist der dritte optoelektronische Halbleiter¬ chip 120 über an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordne¬ te elektrische Kontaktflächen und Leiterbahnen elektrisch kontaktiert. Der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 ist unter dem Reflektorkörper 200 angeordnet, beispielsweise in einer weiteren an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200 angeordneten Aussparung. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 ist im dargestellten Beispiel mittig zwischen dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 angeordnet.
Das optoelektronische Bauelement 20 weist zusätzlich zu dem ersten Lichtleiter 510 einen zweiten Lichtleiter 520 auf. Der zweite Lichtleiter 520 ist ausgebildet wie der erste Licht¬ leiter 510. Der zweite Lichtleiter 520 ist so angeordnet, dass von dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200 in den Lichtleiter 520 gelangen und an der Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 aus dem zweiten Lichtleiter 520 aus- treten kann.
Das optoelektronische Bauelement 20 weist neben dem zur Ab¬ lenkung des von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten Lichts in die optische Linse 400 vorgesehenen Ablenkelement 420 ein weiteres Ablenkelement 420 auf, das zur Ablenkung des durch den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierten Lichts in die optische Linse 400 dient . Damit wird bei dem optoelektronischen Bauelement 20 das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbe¬ reich sowohl durch das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 als auch durch das von dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich überlagert und maskiert. Selbstverständlich ist es möglich, noch weitere optoelektronische Halbleiterchips vorzusehen, die dazu ausge¬ bildet sind, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren, das zur Überlagerung und Maskierung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Lichts vorgesehen ist.
Sowohl bei dem optoelektronischen Bauelement 10 der ersten Ausführungsform als auch bei dem optoelektronischen Bauelements 20 gemäß der zweiten Ausführungsform können die Ablenkelemente 420 entfallen.
Fig. 6 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 30 gemäß ei¬ ner dritten Ausführungsform. Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung einer rückwärtigen Ansicht eines Teils des opto- elektronischen Bauelements 30 der dritten Ausführungsform. Fig. 8 zeigt in schematischer Darstellung eine teilweise transparente Aufsicht auf das optoelektronische Bauelement 30 der dritten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 30 der dritten Ausführungsform weist große Übereinstimmungen mit dem optoelektronischen Bauelement 10 der ersten Ausführungsform und mit dem optoelektronischen Bauelement 20 der zweiten Ausführungsform auf. Einander entsprechende Komponenten sind in allen Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen dem optoelektronischen Bauelement 30 der dritten Ausführungsform und den optoelektronischen Bauelementen 10, 20 der ersten und zweiten Ausführungsform erläutert. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung auch für das optoelektronische Bauelement 30 der Figuren 6 bis 8.
In Fig. 6 ist die optische Linse 400 des optoelektronischen Bauelements 30 nicht dargestellt. In der Darstellung der Fig. 7 fehlt der Träger 300. In der Darstellung der Fig. 8 fehlen sowohl der Träger 300 als auch die optische Linse 400.
Das optoelektronische Bauelement 30 weist neben dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 zur Emission von Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 auf, die jeweils dazu ausgebildet sind, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sicht- baren Spektralbereich zu emittieren. Möglich wäre aber auch, auf den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 zu verzichten. Bei dem optoelektronischen Bauelement 30 sind keine Lichtleiter 510,520 und keine Ablenkelemente 420 vorgesehen. Der Reflektorkörper 200 weist bei dem optoelektronischen Bauelement 30 der dritten Ausführungsform an seiner Unterseite 202 eine kanalförmige Aussparung 240 auf. Die kanalförmige Aussparung 240 bildet eine längliche Vertiefung an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200. Die kanalförmige Ausspa- rung 240 verläuft dabei zu beiden Seiten des ersten Durchbruchs 231 und über den ersten Durchbruch 231 hinweg, sodass sich der erste Durchbruch 231 zu der kanalförmigen Aussparung 240 erstreckt. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 und der drit¬ ten optoelektronische Halbleiterchip 120 sind bei dem opto¬ elektronischen Bauelement 30 der dritten Ausführungsform an der Oberseite 301 des Trägers 300 unter dem Reflektorkörper 200 angeordnet, sodass die Unterseite 202 des Reflektorkör- pers 200 über den Oberseiten 111, 121 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 und des dritten optoelektronischen Halbleiterchips 120 angeordnet ist. Der zweite opto¬ elektronische Halbleiterchip 110 und der dritte optoelektro¬ nische Halbleiterchip 120 sind dabei jeweils in der kanalför- migen Aussparung 240 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Da¬ bei ist der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 seit¬ lich auf einer Seite neben dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 angeordnet und der dritte optoelektroni- sehe Halbleiterchip 120 seitlich auf der anderen Seite neben dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 angeordnet, sodass der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 zwi¬ schen dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 angeordnet ist .
Bei dem optoelektronischen Bauelement 30 kann von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und von dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich durch die kanalförmige Aussparung 240 und über den ersten Durchbruch 231 in die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 gelan¬ gen und sich dort mit dem von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich mischen. Es ist zweckmäßig, wenn der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 und der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 als volumen¬ emittierende Halbleiterchips ausgebildet sind.
Fig. 9 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines optoelektronischen Bauelements 40 gemäß einer vierten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 40 der vierten Ausführungsform weist Übereinstimmungen mit den opto- elektronischen Bauelementen 10, 20, 30 der oben beschriebenen Ausführungsformen auf. Entsprechende Komponenten sind in Fig. 9 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 bis 8. Nachfolgend werden lediglich die abweichenden Merkmale des optoelektronischen Bauelements 40 beschrieben. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung der optoelektronischen Bauelemente 10, 20, 30 auch für das optoelektronische Bauelement 40 der vierten Ausführungsform.
Die optische Linse 400 des optoelektronischen Bauelements 40 ist in der Darstellung der Fig. 9 der Übersichtlichkeit hal¬ ber nicht gezeigt. Das optoelektronische Bauelement 40 weist neben dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 zur Emission von Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich auch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 auf, die jeweils zur Emission von Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich ausgebildet sind. In einer vereinfachten Ausführungsform könnte der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 entfallen. Bei dem optoelektronischen Bau- element 40 sind weder Lichtleiter 510, 520 noch eine kanal- förmige Aussparung 240 an der Unterseite 202 des Reflektorkörpers 200 vorgesehen. Auch Ablenkelemente 420 sind bei dem optoelektronischen Bauelement 40 nicht vorgesehen. Stattdessen weist die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 bei dem optoelektronischen Bauelement 40 einen ersten Abschnitt 211, einen zweiten Abschnitt 212 und einen dritten Abschnitt 213 auf. Der erste Abschnitt 211, der zweite Ab¬ schnitt 212 und der dritte Abschnitt 213 der Kavität 210 wei- ten sich jeweils zur Oberseite 201 des Reflektorkörpers 200 hin trichterförmig auf.
Dabei sind der erste Abschnitt 211, der zweite Abschnitt 212 und der dritte Abschnitt 213 der Kavität 210 einander derart teilweise überlagert, dass das vereinigte Volumen des ersten Abschnitts 211, des zweiten Abschnitts 212 und des dritten Abschnitts 213 gemeinsam das zusammenhängende Volumen der Ka¬ vität 210 bilden. Der erste Abschnitt 211 ist dabei zwischen dem zweiten Abschnitt 212 und dem dritten Abschnitt 213 ange- ordnet.
Der Reflektorkörper 200 weist zusätzlich zu dem ersten Durchbruch 231 einen zweiten Durchbruch 232 und einen dritten Durchbruch 233 auf. Der erste Durchbruch 231 ist am Grund 230, also im Bodenbereich, des ersten Abschnitts 211 der Kavität 210 angeordnet. Der zweite Durchbruch 232 ist am Grund 230 des zweiten Abschnitts 212 der Kavität 210 angeordnet. Der dritte Durchbruch 232 ist am Grund 230 des dritten Abschnitts 213 der Kavität 210 angeordnet.
Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100, der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 und der dritte opto¬ elektronische Halbleiterchip 120 sind jeweils so an der Ober¬ seite 310 des Trägers 300 angeordnet, dass die Unterseiten 102, 112, 122 der optoelektronischen Halbleiterchips 100, 110, 120 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt sind. Dabei ist der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 im ersten Durchbruch 231 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ist in dem zweiten Durchbruch 232 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 ist in dem dritten Durchbruch 232 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Durch diese Anordnung der optoelektronischen Halbleiterchips 100, 110, 120 kann sich das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich bei dem optoelektronischen Bauelement 40 in der Kavität 210 mit dem durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierten Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich mischen. Es ist zweckmäßig, wenn der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip 110 und der dritte optoelektronische Halbleiter¬ chip 120 als volumenemittierende Halbleiterchips ausgebildet sind . Fig. 10 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils eines optoelektronischen Bauelements 50 gemäß ei¬ ner fünften Ausführungsform. Fig. 11 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines Teils des optoelektroni¬ schen Bauelements 50 der fünften Ausführungsform. Das opto- elektronische Bauelement 50 der fünften Ausführungsform weist Übereinstimmungen mit den vorstehend beschriebenen optoelektronischen Bauelementen 10, 20, 30, 40 auf. Übereinstimmende Komponenten sind in Figuren 10 und 11 mit denselben Bezugs- zeichen versehen wie in Figuren 1 bis 9. Nachfolgend werden lediglich die Abweichungen des optoelektronischen Bauelements 50 der fünften Ausführungsform von den optoelektronischen Bauelementen 10, 20, 30, 40 der vorstehend beschriebenen Aus- führungsformen erläutert. Im Übrigen gilt die vorstehende Be¬ schreibung auch für das optoelektronische Bauelement 50.
In der schematischen Darstellung der Fig. 10 sind der Reflektorkörper 200 und die optische Linse 400 nicht gezeigt. Auch in Fig. 11 ist die optische Linse 400 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt.
Bei dem optoelektronischen Bauelement 50 sind keine Lichtlei¬ ter 510, 520 und keine Ablenkelemente 420 vorgesehen. Der Re- flektorkörper 200 weist weder eine Aussparung 250 noch eine kanalförmige Aussparung 240 auf. Die Kavität 210 ist nicht in mehrere Abschnitte 211, 212, 213 unterteilt. Es ist nur der erste Durchbruch 231 vorgesehen. Bei dem optoelektronischen Bauelement 50 ist ein optisches
Element 600 vorgesehen und derart in der Kavität 210 angeord¬ net, dass von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraro¬ ten Spektralbereich und von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zumindest teilweise in das optische Element 600 gelangt. Das optische Element 600 bewirkt dabei eine Mischung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Lichts mit dem sichtbaren
Licht, das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiert wird. Das optische Element 600 weist einen lichtdurchlässigen Kör¬ per 610 mit einer Oberseite 611, einer der Oberseite 611 ge¬ genüberliegenden Unterseite 612 und mehreren sich zwischen Oberseite 611 und Unterseite 612 erstreckenden Seitenflächen 613 auf. Die Mischung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich und des durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und den dritten opto- elektronischen Halbleiterchip 120 emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich erfolgt innerhalb des lichtdurchlässigen Körpers 610 des optischen Elements 600 durch ein- oder mehrfache innere Reflexion an den Außenflächen des lichtdurchlässigen Körpers 610. Der lichtdurchlässige Körper 610 kann beispielsweise ein Glas o- der einen transparenten Kunststoff aufweisen.
Im in Figuren 10 und 11 gezeigten Beispiel sind sowohl der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 als auch der zwei¬ te optoelektronische Halbleiterchip 110 und der dritte opto¬ elektronische Halbleiterchip 120 an der Oberseite 301 des Trägers 300 in dem ersten Durchbruch 231 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Dabei ist der erste optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 zwischen dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 angeordnet. Der lichtdurchlässige Körper 610 des op¬ tischen Elements 600 ist derart über dem ersten optoelektro¬ nischen Halbleiterchip 100, dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 angeordnet, dass die Unterseite 612 des licht¬ durchlässigen Körpers 610 den Oberseiten 101, 111, 121 der optoelektronischen Halbleiterchips 100, 110, 120 zugewandt ist . Von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100, dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiertes Licht kann durch die Unterseite 612 des lichtdurchlässigen Körpers 610 in den lichtdurchlässigen Körper 610 des optischen Elements 600 gelangen. Das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich wird in einem Mittenbereich des lichtdurchlässigen Körpers 610 in den lichtdurchlässigen Kör- per 610 eingestrahlt. Das von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich wird in Randbereichen des licht- durchlässigen Körpers 610 in den lichtdurchlässigen Körper 610 eingestrahlt.
Die Seitenflächen 613 des lichtdurchlässigen Körpers 610 sind in dem in Figuren 10 und 11 gezeigten Beispiel derart abge- schrägt, dass von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und von dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 in den lichtdurchlässigen Körper 610 eingestrahltes Licht innen an den Seitenflächen 613 des lichtdurchlässigen Körpers 610 reflektiert und in Richtung zur Mitte des licht- durchlässigen Körpers 610 abgelenkt wird. Die Seitenflächen 613 können hierzu zusätzlich zumindest abschnittsweise eine reflektierende Beschichtung 620 aufweisen, beispielsweise ei¬ ne Beschichtung, die Silber, Aluminium oder Gold aufweist. An der Oberseite 611 des lichtdurchlässigen Körpers 610 des optischen Elements 600 kann das in den lichtdurchlässigen Körper 610 eingestrahlte Licht ausgekoppelt werden. Zur Un¬ terstützung der Auskopplung kann der lichtdurchlässige Körper 610 an seiner Oberseite 611 eine obere Mikrostrukturierung 630 aufweisen. Die obere Mikrostrukturierung 630 kann beispielsweise eine Mehrzahl von Mikrolinsen 635 umfassen. Die Mikrolinsen 635 können beispielsweise in einer regelmäßigen, zweidimensionalen Matrixanordnung an der Oberseite 611 des lichtdurchlässigen Körpers 610 ausgebildet sein. Jede Mikro- linse 635 kann beispielsweise in der Ebene der Oberseite 611 eine Größe von 15 ym x 15 ym aufweisen.
Die Unterseite 612 des lichtdurchlässigen Körpers 610 kann eine untere Mikrostrukturierung 640 aufweisen, die als Streu- struktur eine Durchmischung des von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Lichts und des von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierten Lichts in dem lichtdurchlässigen Körper 610 des optischen Elements 600 unterstützt .
In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bau- elements ist der lichtdurchlässige Körper 610 des optischen Elements 600 lediglich über dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 angeordnet, wobei die Unterseite 612 des lichtdurchlässigen Körpers der Oberseite 101 des ersten opto¬ elektronischen Halbleiterchips 100 zugewandt ist. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 und der dritte opto¬ elektronische Halbleiterchip 120 sind derart seitlich neben dem lichtdurchlässigen Körper 610 angeordnet, dass Strah- lungsemissionsseiten des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 und des dritten optoelektronischen Halb- leiterchips 120 Seitenflächen 613 des lichtdurchlässigen Körpers 610 zugewandt sind, von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich also durch Seitenflächen 613 des lichtdurchlässigen Körpers 610 in den lichtdurchlässigen Körper 610 gelangen kann. Auch bei dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements 50 erfolgt in dem lichtdurchlässigen Körper 610 des optischen Elements 600 eine Durchmischung des von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und dem dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierten Lichts mit dem durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Licht. Das durchmischte Licht kann wiederum an der Oberseite 611 des lichtdurchlässi¬ gen Körpers 610 austreten.
Auch bei den das optische Element 600 aufweisenden Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements kann der dritte optoelektronische Halbleiterchip 120 in vereinfachten Varianten entfallen.
Figur 12 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines optoelektronischen Bauelements 60 gemäß einer sechsten Ausführungsform. Das optoelektronische Bauelement 60 der sechsten Ausführungsform weist Übereinstimmungen mit den oben beschriebenen optoelektronischen Bauelementen 10, 20, 30, 40, 50 auf. Entsprechende Komponenten sind in Figur 12 mit den¬ selben Bezugszeichen versehen wie in Figuren 1 bis 11. Nach- folgend wird lediglich beschrieben, in welchen Aspekten und Merkmalen das optoelektronische Bauelement 60 von den vorste¬ hend beschriebenen optoelektronischen Bauelementen 10, 20, 30, 40, 50 abweicht. Im Übrigen gilt die vorstehende Be¬ schreibung der optoelektronischen Bauelemente 10, 20, 30, 40, 50 auch für das in Figur 12 gezeigte optoelektronische Bau¬ element 60 der sechsten Ausführungsform.
Die optische Linse 400 des optoelektronischen Bauelements 60 ist in der Darstellung der Figur 12 der Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt. Die optische Linse 400 kann jedoch auch bei dem optoelektronischen Bauelement 60 vorhanden sein. Die optische Linse 400 kann bei dem optoelektronischen Bauelement 60 aber auch entfallen. Bei dem optoelektronischen Bauelement 60 ist der erste opto¬ elektronische Halbleiterchip 100 am Grund 230 der Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 im ersten Durchbruch 231 des Reflek¬ torkörpers 200 an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeord¬ net. Dabei ist die Unterseite 102 des ersten optoelektroni- sehen Halbleiterchips 100 der Oberseite 301 des Trägers 300 zugewandt. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ist auf der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 112 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 zuge¬ wandt. Die Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halb¬ leiterchips 100 und die Oberseite 111 des zweiten optoelekt¬ ronischen Halbleiterchips 110 weisen dadurch in dieselbe Raumrichtung wie die Oberseite 301 des Trägers 300.
Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 und der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 sind auf in Figur 12 nicht detailliert dargestellte Weise elektrisch kontaktiert. Beispielsweise können der erste optoelektronische Halbleiter¬ chip 100 und der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 mittels Bonddrähten oder über Lötkontakte elektrisch leitend mit an der Oberseite 301 des Trägers 300 angeordneten
elektrischen Kontaktflächen verbunden sein.
Es ist zweckmäßig, dass der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip 110 für durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zumindest teilweise transpa¬ rent ist. In diesem Fall wird durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 nicht oder nur teilweise abgeschattet. Hierzu muss der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip 110 aus Materialien ausgebildet sein, die das von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht zumindest nicht vollständig reflektieren oder absorbie¬ ren .
Bei dem in Figur 12 gezeigten optoelektronischen Bauelement 60 der sechsten Ausführungsform weist der auf der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 ange¬ ordnete zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 eine ge- ringere Größe auf als der erste optoelektronische Halbleiter¬ chip 100. Dies bedeutet, dass die Oberseite 111 und die Un¬ terseite 112 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 jeweils eine geringere Fläche aufweisen als die Oberseite 101 und die Unterseite 102 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100. Dadurch bedeckt die Unterseite 112 des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 die Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 nur teilweise. Auch hierdurch wird erreicht, dass der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 von dem ersten opto- elektronischen Halbleiterchip 100 emittiertes Licht nicht o- der nur teilweise abschattet, selbst wenn der zweite opto¬ elektronische Halbleiterchip 110 auf einem lichtemittierenden Abschnitt der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet ist. Möglich ist auch, dass der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 lediglich ei¬ nen nicht-lichtemittierenden Abschnitt der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 bedeckt.
Alternativ ist es auch möglich, dass der auf der Oberseite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 ange¬ ordnete zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 genauso groß wie der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 oder sogar großer als der erste optoelektronische Halbleiterchip
100 ist. In diesem Fall ist es zweckmäßig, dass der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 zumindest teilweise transparent für durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittiertes Licht ist.
Zusätzlich zu dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 könnte auf der Oberseite 101 des ersten optoelektroni¬ schen Halbleiterchips 100 des optoelektronischen Bauelements 60 auch noch ein zur Emission von Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich ausgebildeter dritter optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet sein.
Bei dem in Figur 12 dargestellten optoelektronischen Bauelement 60 der sechsten Ausführungsform ist der Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich emittierende zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 auf der Oberseite
101 des Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spekt¬ ralbereich emittierenden ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich emittierende erste optoelektronische Halbleiterchip 100 umgekehrt auf der Oberseite 111 des Licht mit einer Wellenlänge aus dem sicht¬ baren Spektralbereich emittierenden zweiten optoelektroni- sehen Halbleiterchips 110 angeordnet. Bei dieser Ausführungs¬ form ist es zweckmäßig, dass der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 eine geringere Größe aufweist als der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110. Außerdem ist es bei dieser Ausführungsform zweckmäßig, dass der erste opto¬ elektronische Halbleiterchip 100 zumindest teilweise transpa¬ rent für durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittiertes Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtba- ren Spektralbereich ist.
In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist dieses ausgebildet wie das anhand der Figur 9 beschriebene optoelektronische Bauelement 40 der vierten Aus- führungsform. Allerdings weist das optoelektronische Bauele¬ ment in dieser Ausführungsform keinen Träger 300 auf. Der Reflektorkörper 200 weist am Grund 230 der Kavität 210 keine Durchbrüche 231, 232, 233 auf. Stattdessen ist die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 am Grund 230 geschlossen. Die optoelektronischen Halbleiterchips 100, 110, 120 sind jeweils am Grund 230 der Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 ange¬ ordnet und dort elektrisch kontaktiert. Der Reflektorkörper 200 kann bei diesem optoelektronischen Bauelement beispielsweise durch das Verfahren der MID-Technologie hergestellt sein.
In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist dieses ausgebildet wie das anhand der Figuren 10 und 11 beschriebene optoelektronische Bauelement 50. Aller- dings ist bei diesem optoelektronischen Bauelement kein Träger 300 vorhanden. Der Reflektorkörper 200 weist bei diesem optoelektronischen Bauelement keinen ersten Durchbruch 231 auf, so dass die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 an ih¬ rem Grund 230 geschlossen ist. Die optoelektronischen Halb- leiterchips 100, 110, 120 sind bei diesem optoelektronischen Bauelement am Grund 230 der Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 angeordnet und dort elektrisch kontaktiert. Auch bei die¬ ser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements kann der Reflektorkörper 200 beispielsweise durch das Verfahren der MID-Technologie hergestellt sein.
In einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist dieses ausgebildet wie das anhand der Figur 12 beschriebene optoelektronische Bauelement 60. Allerdings ist bei diesem optoelektronischen Bauelement kein Träger 300 vorhanden. Der Reflektorkörper 200 weist bei diesem optoelektronischen Bauelement keinen ersten Durchbruch 231 auf, so dass die Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 an ihrem Grund 230 geschlossen ist. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 ist bei diesem optoelektronischen Bauelement am Grund 230 der Kavität 210 des Reflektorkörpers 200 angeordnet. Der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 ist auf der Ober- seite 101 des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 angeordnet. Der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 und der zweite optoelektronische Halbleiterchip 110 sind bei diesem optoelektronischen Bauelement am Grund 230 der Kavität 210 elektrisch kontaktiert. Der Reflektorkörper 200 kann bei dieser Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements beispielsweise durch das Verfahren der MID-Technologie herge¬ stellt sein.
Im Betrieb der beschriebenen optoelektronischen Bauelemente 10, 20, 30, 40, 50, 60 kann der erste optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 jeweils in einem Pulsbetrieb betrieben werden, also wiederholt ein- und ausgeschaltet werden. Dadurch können beispielsweise differentielle Messungen eines Reflexionssig¬ nals ermöglicht werden.
Zur visuellen Maskierung des durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten Lichts mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich ist es zweckmäßig, im Betrieb der optoelektronischen Bauelemente 10, 20, 30, 40, 50, 60 den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und, falls vorhanden, den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 in einem kontinuierlichen Betrieb zu betreiben.
Alternativ ist es möglich, den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und, falls vorhanden, den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 in einem zu dem Pulsbetrieb des ersten optoelektronischen Halbleiterchips 100 antizyklischen Pulsbetrieb zu betreiben. Dabei werden der zweite opto- elektronische Halbleiterchip 110 und der dritte optoelektro¬ nische Halbleiterchip 120 genau dann eingeschaltet, wenn der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 abgeschaltet wird, und genau dann abgeschaltet, wenn der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 eingeschaltet wird. Bei dieser Betriebsart leuchtet also stets entweder der erste optoelektronische Halbleiterchip 100 oder der zweite optoelektronische Halb¬ leiterchip 110. Insbesondere falls das durch den zweiten optoelektronischen Halbleiterchip 110 und, falls vorhanden, den dritten optoelektronischen Halbleiterchip 120 emittierte Licht eine ähnliche Helligkeit aufweist wie das wahrnehmbare, durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierte Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spekt¬ ralbereich, wird auch in dieser Betriebsart eine wirksame vi- suelle Maskierung erreicht. Ein Vorteil eines derartigen
Pulsbetriebs des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips 110 und des dritten optoelektronischen Halbleiterchips 120 besteht in einem gegenüber einem kontinuierlichen Betrieb reduzierten Energieverbrauch.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge- leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
10 optoelektronisches Bauelement
20 optoelektronisches Bauelement
30 optoelektronisches Bauelement
40 optoelektronisches Bauelement
50 optoelektronisches Bauelement
60 optoelektronisches Bauelement
100 erster optoelektronischer Halbleiterchip
101 Oberseite
102 Unterseite
110 zweiter optoelektronischer Halbleiterchip 111 Oberseite
112 Unterseite
120 dritter optoelektronischer Halbleiterchip
121 Oberseite
122 Unterseite
200 Reflektorkörper
201 Oberseite
202 Unterseite
210 Kavität
211 erster Abschnitt
212 zweiter Abschnitt
213 dritter Abschnitt
220 Reflektor
225 Wandung
230 Grund
231 erster Durchbruch
232 zweiter Durchbruch
233 dritter Durchbruch
240 kanalförmige Aussparung
250 Aussparung
300 Träger
301 Oberseite 400 optische Linse
410 kegelförmiger Linsenabschnitt
420 Ablenkelement
425 reflektierende Schicht
430 Plattenabschnitt
510 erster Lichtleiter
520 zweiter Lichtleiter
600 optisches Element
610 lichtdurchlässiger Körper
611 Oberseite
612 Unterseite
613 Seitenfläche
620 reflektierende Beschichtung
630 obere Mikrostrukturierung
635 Mikrolinse
640 untere Mikrostrukturierung

Claims

PATENTA S PRUCHE
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) mit einem ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100), der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich zu emittieren,
und mit einem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip
(110), der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wellen¬ länge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittieren, wobei das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) einen Reflektorkörper (200) mit einer Oberseite
(201) und einer Unterseite (202) aufweist,
wobei der Reflektorkörper (200) eine zu der Oberseite
(201) geöffnete Kavität (210) aufweist,
wobei eine Wandung (225) der Kavität (210) einen Reflek¬ tor (220) bildet,
wobei der erste optoelektronische Halbleiterchip (100) an einem Grund (230) der Kavität (210) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß Anspruch 1,
wobei der Reflektorkörper (200) an einem Grund (230) der Kavität (210) einen ersten Durchbruch (231) aufweist, der sich zwischen der Unterseite (202) des Reflektorkörper (200) und der Kavität (210) erstreckt,
wobei der erste optoelektronische Halbleiterchip (100) in dem ersten Durchbruch (231) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß Anspruch 2,
wobei das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) einen Träger (300) aufweist,
wobei der Reflektorkörper (200) derart auf dem Träger (300) angeordnet ist, dass die Unterseite (202) des Re¬ flektorkörpers (200) dem Träger (300) zugewandt ist, wobei der erste optoelektronische Halbleiterchip (100) auf dem Träger (300) angeordnet ist. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei sich die Kavität (210) zur Oberseite (201) des Re¬ flektorkörpers (200) trichterförmig aufweitet.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei das optoelektronische Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) eine optische Linse (400) aufweist, die an der Oberseite (201) des Reflektorkörpers (200) angeordnet ist .
Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß Anspruch 5,
wobei die optische Linse (400) einen kegelförmigen Lin¬ senabschnitt (410) aufweist, der sich in die Kavität (210) des Reflektorkörpers (200) erstreckt.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der Ansprüche 5 und 6,
wobei das optoelektronische Bauelement (10, 20) einen sich von der Unterseite (202) zu der Oberseite (201) durch den Reflektorkörper (200) erstreckenden Lichtleiter (510) aufweist,
wobei der Reflektorkörper (200) derart über dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (110) angeordnet ist, dass von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip
(110) emittiertes Licht an der Unterseite (202) des Re¬ flektorkörpers (200) in den Lichtleiter (510) gelangt, wobei Licht an der Oberseite (201) des Reflektorkörpers
(200) aus dem Lichtleiter (510) austreten kann.
Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 7, wobei über der Oberseite (201) des Reflektorkörpers (200) ein Ablenkelement (420) so angeordnet ist, dass aus dem Lichtleiter (510) austretendes Licht in die optische Lin¬ se (400) abgelenkt wird. 9. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 8, wobei das Ablenkelement (420) durch eine an der optischen Linse (400) angeordnete reflektierende Schicht (425) ge¬ bildet ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (30) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 6,
wobei die Unterseite (202) des Reflektorkörpers (200) über einer Oberseite (111) des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips (110) angeordnet ist.
11. Optoelektronisches Bauelement (30) gemäß Ansprüchen 2 und 10,
wobei an der Unterseite (202) des Reflektorkörpers (200) eine kanalförmige Aussparung (240) ausgebildet ist, wobei sich der erste Durchbruch (231) zu der kanalförmi- gen Aussparung (240) erstreckt,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) in der kanalförmigen Aussparung (240) angeordnet ist.
12. Optoelektronisches Bauelement (40) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 6,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) am Grund (230) der Kavität (210) angeordnet ist.
13. Optoelektronisches Bauelement (40) gemäß Ansprüchen 2 und 12,
wobei der Reflektorkörper (200) einen zweiten Durchbruch (232) aufweist, der sich zwischen der Unterseite (202) des Reflektorkörper (200) und der Kavität (210) er¬ streckt,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) in dem zweiten Durchbruch (232) angeordnet ist. 14. Optoelektronisches Bauelement (40) gemäß Anspruch 13, wobei die Kavität (210) einen ersten, sich trichterförmig zur Oberseite (201) des Reflektorkörpers (200) aufweiten¬ den Abschnitt (211) und einen zweiten, sich trichterför- mig zur Oberseite (201) des Reflektorkörpers (200) auf¬ weitenden Abschnitt (212) aufweist,
wobei der erste Abschnitt (211) und der zweite Abschnitt (212) einander überlagert sind,
wobei der erste Durchbruch (231) am Grund (230) des ers¬ ten Abschnitts (211) der Kavität (210) angeordnet ist und der zweite Durchbruch (232) am Grund (230) des zweiten Abschnitts (212) der Kavität (210) angeordnet ist.
15. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 6,
wobei das optoelektronische Bauelement (50) ein optisches Element (600) aufweist, das in der Kavität (210) so ange¬ ordnet ist, dass von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100) emittiertes Licht und von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittiertes Licht zumindest teilweise in das optische Element (600) ge¬ langt,
wobei das optische Element (600) ausgebildet ist, von dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100) emittiertes Licht und von dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittiertes Licht zu mischen.
16. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß Anspruch 15, wobei das optische Element (600) einen lichtdurchlässigen Körper (610) mit einer Oberseite (611) und einer Unter¬ seite (612) aufweist,
wobei an sich zwischen der Oberseite (611) und der Unterseite (612) erstreckenden Seitenflächen (613) des lichtdurchlässigen Körpers (610) zumindest abschnittsweise ei¬ ne reflektierende Beschichtung (620) angeordnet ist.
17. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß Anspruch 16, wobei die Oberseite (611) des lichtdurchlässigen Körpers (610) eine Mikrostrukturierung (630) aufweist. 18. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß Anspruch 17, wobei die Mikrostrukturierung (630) eine Mehrzahl von Mikrolinsen (635) umfasst.
19. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß einem der An¬ sprüche 16 bis 18,
wobei die Unterseite (612) des lichtdurchlässigen Körpers (610) eine Mikrostrukturierung (640) aufweist.
20. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß einem der An¬ sprüche 16 bis 19,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) am Grund (230) der Kavität (210) angeordnet ist,
wobei der lichtdurchlässige Körper (610) über dem ersten optoelektonischen Halbleiterchip (100) und über dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (110) angeordnet ist,
wobei die Unterseite (612) des lichtdurchlässigen Körpers (610) dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100) und dem zweiten optoelektronischen Halbleiterchip (110) zugewandt ist.
21. Optoelektronisches Bauelement (50) gemäß einem der An¬ sprüche 16 bis 19,
wobei der lichtdurchlässige Körper (610) über dem ersten optoelektonischen Halbleiterchip (100) angeordnet ist, wobei die Unterseite (612) des lichtdurchlässigen Körpers (610) dem ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100) zugewandt ist,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) seitlich neben dem lichtdurchlässigen Körper (610) angeordnet ist,
wobei eine Strahlungsemissionsseite des zweiten opto¬ elektronischen Halbleiterchips (110) einer Seitenfläche (613) des lichtdurchlässigen Körpers (610) zugewandt ist.
22. Optoelektronisches Bauelement (60) gemäß einem der An¬ sprüche 1 bis 6, wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) auf einer Oberseite (101) des ersten optoelektronischen Halbleiterchips (100) angeordnet ist.
23. Optoelektronisches Bauelement (60) gemäß Anspruch 22, wobei eine Oberseite (111) des zweiten optoelektronischen Halbleiterchips (110) eine geringere Größe aufweist als die Oberseite (101) des ersten optoelektronischen Halb¬ leiterchips (100).
24. Optoelektronisches Bauelement (60) gemäß einem der An¬ sprüche 22 und 23,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) zumindest teilweise transparent für durch den ersten optoelektronischen Halbleiterchip (100) emittiertes Licht ist .
25. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) als volumenemittierender Halbleiterchip ausgebildet ist
26. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30, 40, 50, 60) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) ausgebildet ist, Licht mit einer Wellenlänge aus dem ro ten Spektralbereich zu emittieren.
27. Optoelektronisches Bauelement (20, 30, 40, 50, 60) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei das optoelektronische Bauelement (20, 30, 40, 50, 60) einen dritten optoelektronischen Halbleiterchip (120) aufweist, der dazu ausgebildet ist, Licht mit einer Wel¬ lenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu emittie- ren.
.Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauele ments (10, 20, 30, 40, 50, 60), das gemäß einem der vor hergehenden Ansprüche ausgebildet ist,
wobei der erste optoelektronische Halbleiterchip (100) in einem Pulsbetrieb betrieben wird,
wobei der zweite optoelektronische Halbleiterchip (110) in einem kontinuierlichen Betrieb oder einem zu dem Pulsbetrieb des ersten optoelektronischen Halbleiterchips (100) antizyklischen Pulsbetrieb betrieben wird.
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