WO2017068148A1 - Optischer sensor - Google Patents

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WO2017068148A1
WO2017068148A1 PCT/EP2016/075429 EP2016075429W WO2017068148A1 WO 2017068148 A1 WO2017068148 A1 WO 2017068148A1 EP 2016075429 W EP2016075429 W EP 2016075429W WO 2017068148 A1 WO2017068148 A1 WO 2017068148A1
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light
wavelength range
nanometers
optical sensor
quantum dots
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PCT/EP2016/075429
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David O'brien
Tim Boescke
Sebastian PIELNHOFER
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to an optical sensor for detecting a heart rate and / or a blood oxygen content.
  • Optical sensors for detecting a heart rate and / or a blood oxygen content can be realized by the light of a light emitting diode is irradiated to the skin. The light is scattered by the tissue below the skin, the intensity of the scattered light can be measured with a photo ⁇ detector. Part of the incident light is absorbed by hemoglobin molecules in the blood. Driven through the heart, the blood is pumped through the veins, whereby the amount of blood in a vein is not constant, pulsating son ⁇ countries with the same frequency as the heart rate. As a result, the amount of blood in the vein varies with the heart rate, as does the amount of hemoglobin available.
  • An object of the invention is to provide an improved optical heart rate sensor which is also capable of optionally determining a blood oxygen content. This object is achieved with the optical sensor of claim 1.
  • An optical sensor for detecting a heart rate and / or a blood oxygen content has a light source which contains at least one light-emitting semiconductor chip. The light source emits electromagnetic radiation in three different wavelength regions, wherein a first wavelength range of green light, a second wavelength range of red light, and a third Wellenhavenbe ⁇ rich infrared radiation comprises.
  • the sensor has three light detectors, each having a filter for electromagnetic radiation.
  • a first filter to a first light detector is transparent to light of the f ⁇ th wavelength range and impermeable to light of the second and third infrared radiation of the wavelength range.
  • a second filter of the second light detector is transmissive to light of the second wavelength range and impermeable to light of the first and infrared radiation of the third wavelength range.
  • a third filter of a drit ⁇ th light detector is transparent to infrared radiation of the third wavelength range and impermeable to light of the first and second wavelength range.
  • the light-emitting semiconductor chip has an emission wavelength smaller
  • the light source has a conversion luminescent substance, wherein the conversion luminescent substance converts the light of the semiconductor chip into electromagnetic radiation having the first wavelength range, the second wavelength range and the third wavelength range.
  • the conversion phosphor has a matrix material with three different narrow-band phosphors, the emission wavelengths of the phosphors being within the three wavelength ranges. Narrow band means that a half width of an emission peak of the phosphor is below 40
  • Nanometers With the green light of the first wavelength range, it is possible to use a heart rate to measure the sensor.
  • the red light of the second wavelength range and the infrared radiation of the third wavelength range are suitable for measuring the blood oxygen content with the optical sensor.
  • three light detectors with three filters which each transmit one of the three wavelength ranges and are impermeable to the other two wavelength regions, three Messun ⁇ gene can be performed in parallel in the three wavelength ranges. It is advantageous to operate the light source pulsed so that less energy than in continuous operation is required ⁇ tigt.
  • the three light detectors with the three filters it is possible to simultaneously measure both the heart rate and the blood oxygen content by means of a pulse of the light source.
  • the conversion phosphor having three narrowband light ⁇ materials in a matrix material is simply put near, ⁇ and allows a simple construction of the optical sensor.
  • the use of narrow-band phosphors makes use of the wavelengths suitable for measuring heart rate and blood oxygen content.
  • the focus is ent ⁇ within the phosphor as little light that is outside of the desired wavelength ranges, so that the required light output of the light emitting semi-conductor chips can be reduced. This leads to a
  • the conversion phosphor has quantum dots.
  • Quantum dots are well suited as conversion luminescent material ⁇ , since they can be easily set up on the one hand, to absorb the light of the semiconductor chip. In addition, they can be arranged to emit light in a narrow wavelength range.
  • Cadmiumselenid- or indium phosphide quantum dots are used with a first size of the quantum dots.
  • the light of the second wavelength range may also be generated with cadmium selenide or indium phosphide quantum dots having a second size of the quantum dots, the second size being larger than the first size.
  • the infrared ⁇ radiation of the third wavelength range can umarsenid- means indi- be generated or lead selenide Kupferindiumphosphid- quantum dots.
  • At least one filter is an interference filter.
  • Interference filters are filters that consist of layers with different refractive indices. By a suitable choice of the refractive indices and the Schichtdi ⁇ CKEN case, a filter can be produced having a very narrow-band transmission curve.
  • Can filter ⁇ interference filter are provided in particular for the light detectors, which almost completely transmit the electromagnetic radiation in a wavelength range and the electromagnetic radiation of the other two Wel ⁇ lenaten Symposiume almost completely suppressed.
  • the green light has a wavelength between 530 and 610 nanometers, the red light a
  • The- The three wavelength ranges are particularly well suited for use in an optical sensor, in particular for determining a heart rate and / or a blood oxygen content.
  • Cadmium selenide quantum dots with a diameter between 3.0 and 3.5 nanometers can be used for the green light of the first wavelength range with a wavelength around 570 nanometers.
  • indium phosphide quantum dots with a diameter between 1.8 and 2.2 nanometers for the green light is possible.
  • Cadmiumselenid- quantum dots can be used with a diameter between 7.5 and 8.5 Na ⁇ pressure gauge.
  • indium phosphide quantum dots with a diameter between 2.8 and 3.2 nanometers for the green light is possible.
  • indium arsenide quantum dots with a diameter between 3.0 and 6.0 nanometers are possible.
  • greater than 800 nanometers lead selenide quantum dots with egg ⁇ nem nanometer diameter can be used for the infrared radiation of the third wavelength region having a wavelength greater than 5.0.
  • Another alternative for the infrared radiation of the drit ⁇ th wavelength region having a wavelength greater than 800 Na ⁇ pressure gauge is the use of Kupferindiumphosphid- quantum dots with a diameter from 2.5 to 5.8 nanometers.
  • the optical sensor has an electronic circuit that is used to evaluate signals the light detectors and the power supply of the light source is set up. This can generate an integrated construction ⁇ some with small size, which requires only connections for a supply voltage and a data interface.
  • the voltage supply of the light source can be operated pulsed.
  • the circuit for evaluating the signals of the light detectors is set up to take the pulses into account.
  • an optical sensor can be generated, which has a lower energy consumption than an optical sensor, in which the light source is operated continuously.
  • the consideration of the pulses can take place, for example, by filtering with the pulse frequency. This improves the signal evaluation.
  • Figure 1 shows an optical sensor with light source and three light ⁇ detectors.
  • FIG. 2 shows an optical sensor with three semiconductor chips, a conversion luminescent material, and three light detectors
  • 3 shows an optical sensor with a semiconductor chip, a conversion luminescent material, and three light detectors; 4 to 6 different arrangement possibilities of the three light detectors; 7 to 9 different embodiments of Lichtquel ⁇ le with conversion phosphor; and
  • the optical sensor 100 has a housing 101.
  • the housing 101 may be, for example, an injection molded part made of plastic. It is also possible that the housing 101 is made of a different material.
  • the housing 101 has ei ⁇ ne first recess 102 and a second recess 103. Between the two recesses 102, 103 is a web 104 of the material of the housing 101. By the web 104, the two recesses 102, 103 so separated from each other.
  • a semiconductor chip 110 is attached in the first recess 102 and the adjacent parts of the housing 101 form a light source 105.
  • the light source 105 is arranged to emit electromagnetic radiation having three different wavelength ranges.
  • the semiconductor chip 110 is arranged to emit the electromagnetic radiation having the three different wavelength ranges.
  • a first wavelength range includes green light
  • a second wavelength range includes red light
  • a third wavelength range includes infrared radiation.
  • three light detectors 131, 132, 133 are mounted, each light detector having a filter 141, 142, 143.
  • the first filter 141 is mounted on the first light detector 131 and configured to transmit light of the first wavelength range and not to transmit light of the second and third wavelength ranges.
  • the second filter 142 is mounted on the second light detector 132 and arranged to transmit electromagnetic radiation of the second wavelength range, and electromag netic radiation ⁇ the first and third Wellendorfnbe ⁇ Reich not pass.
  • the third filter 143 is on the third light detector 133 mounted and arranged elekt ⁇ romagnetician radiation of the third wavelength range pass and not pass electromagnetic radiation of the first and second wavelength range.
  • Transmitting means that at least 85%, preferably Minim ⁇ least 90%, more preferably at least 95% and insbeson ⁇ particular preferably at least 98% of the light of the considered wavelength range by the corresponding filter back passes. Does not pass, that a maximum of 10%, be ⁇ vorzugt maximum 5%, particularly preferably at most 2% and to pass into ⁇ particular preferably a maximum of 1% of the light of the considered wavelength ranges by the corresponding filter.
  • the optical sensor 100 is arranged to be set to ⁇ on a body part or on a surface of a human body part.
  • Light source 105 is reflected or scattered within a tissue of the body part.
  • the scattered light can be detected by the three light detectors 131, 132, 133.
  • the signal in the three light detectors 131, 132, 133 changes by a heart rate, and / or a blood oxygen content within the body part.
  • Fig. 2 shows a cross section through a further optical sensor 100.
  • the optical sensor 100 includes a housing 101, a first recess 102, second recess 103 and ei ⁇ NEN web 104 between the two recesses 102, 103 on.
  • the second recess 103 in turn, three light detectors 131, 132, 133 are arranged with associated filters 141, 142, 143, similar to FIG. 1.
  • three semiconductor chips 111, 112, 113 are arranged in the first recess 102.
  • the first semiconductor chip 111 emits light with a wavelength of less than 570 nanometers.
  • a second semiconductor chip 112 emits red light, a third semiconductor chip 113 emit ⁇ advantage infrared radiation.
  • the first recess 102 is connected to a filled with conversion luminescent substance 120.
  • This Konversi ⁇ onsleuchtstoff converts the light of the first semiconductor chip into green light of the first wavelength range around and is transparent to the light of the second semiconductor chip 112 and the infrared radiation of the third semiconductor chip 113.
  • the conversion phosphor 120 may be made of phosphor Parti ⁇ angles in a matrix material. But there are also other conversion phosphors conceivable.
  • the three semiconductor chips ⁇ 111, 112, 113, the conversion phosphor 120 and the adjacent parts of the housing 101 form the light source 105th
  • FIG. 3 shows a further cross section through an optical sensor 100, which essentially corresponds to the optical sensor of FIG. 1.
  • the first recess 102 of the housing 101 is filled in this case with a conversion luminescent 120.
  • This conversion phosphor 120 converts the light of the half ⁇ semiconductor chip 110 having an emission wavelength less than 570 nanometers in order into green light of the first wavelength range, red light of the second wavelength range and infrared radiation of the third wavelength range.
  • the conversion phosphor 120 is thus adapted to absorb the light of the semiconductor chip 110, and to emit electromagnetic radiation in three ⁇ specific wavelength ranges.
  • the conversion phosphor 120 comprises a matrix material with three different, narrow-band phosphors, the emission wavelengths of the phosphors being within the three wavelength ranges.
  • the phosphors may, for example, each have a phosphor whose converted light is narrow band.
  • the optical sensors 100 of FIGS. 1 to 3 therefore differ in each case in the region of the light source 105.
  • the second recess 103 and the light detectors and filters located therein are identical for all three optical sensors of FIGS. 1 to 3.
  • 4 shows an optical sensor 100 in plan view.
  • a housing 101 has a first recess 102 and a second recess 103.
  • the two recesses 102, 103 are separated by a web 104.
  • a semiconductor chip 110 is arranged in the first recess 102.
  • the first recess 102 to the semiconductor chip 110 and the adjacent portions of the housing 101 forms the light ⁇ source 105.
  • the light source 105 may be designed analogously to one of the light sources 105 of FIGS.
  • a first light detector 131 has the smallest distance to the light source 105
  • a second light detector 132 has a greater distance from the light source 105 than the first light detector 131
  • a third light detector 133 the greatest distance from the light source 105th having.
  • a first filter 141 is disposed on the first light detector 131.
  • a second filter 142 is arranged on the second light detector 132.
  • a third filter 143 is arranged.
  • the first filter 141 is transparent to the green light of a first Wellenhavenbe ⁇ kingdom.
  • the second filter 142 is transmissive to red light of a second wavelength range and the third filter 143 is transparent to infrared radiation of a third wavelength range.
  • the filters 141, 142, 143 are opaque to the other wavelength ranges. The detection of the infrared radiation thus takes place farthest from the light source, the detection of the green light is carried out closest to the light source.
  • Fig. 5 shows a top view of a furtherdistinsbei ⁇ play an optical sensor 100.
  • a housing 101 also has a first recess 102 and a second Ausneh ⁇ mung 103. Within the first recess 102, in turn, one of the light sources 105 of FIGS. 1 to 3 can be arranged.
  • three light detectors 131, 132, 133 are arranged with three associated filters 141, 142, 143, wherein light detectors 131, 132, 133 and Filters 141, 142, 143 have the same properties as in Fig. 4.
  • the light detectors 131, 132, 133 and filters 141, 142, 143 have an elongated shape and are arranged in the second recess 103, that they from the light source 105 respectively are equally far away.
  • the light detectors 131, 132, 133 and filters 141, 142, 143 are arranged rotated by 90 degrees.
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of an optical sensor 100 in plan view.
  • a housing 101 in turn has a first recess 102 and a second recess 103.
  • a light source 105 analogous to one of the light sources 105 of Figures 1 to 3, is arranged.
  • three light detectors 131, 132, 133 with associated filter 141, 142, 143 are arranged in the second recess 103.
  • the first light detector 131 with the ers ⁇ th filter 141 is supplied to the 105 ⁇ facing side of the second recess 103 is disposed the light source.
  • the second light detector 132 and the third light detector 133 with the associated filters 142, 143 is rotated 90 degrees relative to the first light detector 131, so that the distance of the second light detector 132 and the third light ⁇ detector 133 of the light source is the same size, but RESIZE ⁇ SSER than the distance of the first light detector 131 from the light source 105.
  • the light detectors 131, 132, 133 and the filters 141, 142, 143 correspond to the light detectors and filters of figures 1 to. 5
  • FIG. 7 shows a cross section through a further light source 105, which is suitable for being part of the optical sensor 100.
  • the light source of Fig. 7 corresponds to the Wesent ⁇ union of the light source of Fig. 3.
  • a housing 101 has a first recess 102 in which a semiconductor chip 110 is disposed with an emission wavelength less than 570 nanometers.
  • the first recess 102 is filled with a conversion phosphor 120, the conversion luminescent substance 120 corresponding to the conversion luminescent material of FIG. 3.
  • a protective layer 121 is arranged, which seals the first recess 102 and the conversion luminescent substance 120, so that environmental influences can not act on the conversion luminescent substance 120.
  • Fig. 8 shows another example of a light source 105 for an optical sensor.
  • a semiconductor chip 110 In a first recess 102 of a housing 101, a semiconductor chip 110 is arranged, which has an emission wavelength of less than 570 nanometers.
  • a conversion phosphor 120 is arranged directly on the semiconductor chip 110 in the form of a chip. Semiconductor chip 110 and conversion phosphor 120 are encapsulated with a protective layer 121. The conversion phosphor 120 corresponds re ⁇ around the conversion phosphor of Fig. 7.
  • FIG. 9 shows a further example of a light source 105.
  • a semiconductor chip 110 is arranged in a first recess 102 of a housing 101, wherein the semiconductor chip 110 has an emission wavelength of less than 570 nanometers.
  • the first recess 102 is covered with a glass plate 122.
  • Above the glass plate 122 is a spacer ⁇ holder 123 which is placed on the glass plate 122.
  • Above the spacer 123 is another glass plate 122.
  • the spacer 123 and the two glass plates 122 form a cavity into which the conversion luminescent substance 120 is introduced.
  • the conversion phosphor 120 is thereby closed by the two glass plates 122 and the spacer 123 from the environment, that is, it is arranged within the space defined by the two glass plates 122 and the spacers 123.
  • the three light sources 105 of FIGS. 7 to 9 can each be combined with the three arrangements of the filters 131, 132, 133 of FIGS. 4 to 6.
  • the conversion phosphor 120 has quantum dots. Quantum dots as conversion light Fabric are particularly suitable because they have a narrow-band emission characteristics. Narrow-band means in this case that the half-width of the emission peak is 30 to 40 nanometers.
  • the green light of the first wavelength range has the maximum intensity at a wavelength of 570 nanometers.
  • the red light of the second wavelength range has a maximum intensity at 660 Na ⁇ pressure gauge and the infrared radiation has a peak wavelength greater than 800 nanometers. Due to the quantum dots and the resulting conversion phosphor with a small half-value width, it is possible that the green light, the red light and the infrared radiation have three separate peaks ⁇ and do not overlap.
  • a filter 141, 142, 143 terferenzfilter in ⁇ Interference filters consist of different layers with different refractive indices. By suitable choice of the layer thicknesses and refractive indices of the layers, a filter can be produced which has a steep flank at a specific wavelength. That is, a filter that is more than 90% transmissive at a first wavelength is opaque to the second wavelength light at a second wavelength that differs only a few, more preferably less than 10, nanometers from the first wavelength is.
  • the green light to a Wel ⁇ lenate 530-610 nanometers, wherein the maxi ⁇ male intensity may be at 670 nanometers.
  • the red light has a wavelength between 620 and 700 nanometers, with the maximum intensity being 660 nanometers.
  • the infrared radiation has a wavelength greater than 800 Nanometer up.
  • An optical sensor with the above-mentioned wavelength ranges for the green, the red light and the infra-red radiation ⁇ is possible with quantum dots as conversion luminescent material ⁇ 120 and with interference filters as filters 141, 142, 143rd
  • FIGS. 1 to 9 show no connections of the semiconductor chips 110, 111, 112, 113 or the light detectors 131, 132, 133. These can be provided within the housing 101 by the person skilled in the art.
  • Fig. 10 shows a cross section through a further exporting ⁇ approximately example of an optical sensor 100, the optical sensor 100 is substantially the optical sensor 100 of FIG. 3 corresponds.
  • an electronic ⁇ specific circuit 150 is arranged below the housing 101.
  • the electronic circuit 150 is set up to supply the semiconductor chip 110 with voltage and to take over the evaluation of the signals of the three light detectors 131, 132, 133.
  • the electronic circuit 150 has a control for a semiconductor chip
  • the electronic circuit 150 also has a connection for a power supply
  • the electronic circuit 150 has a Ausenseelekt ⁇ ronik 156, which is connected by means of electrical lines 155 to the three light detectors 131, 132, 133.
  • the evaluation electronics 156 is connected to a data line 157 with a data interface 158. Also shown in Fig. 10, but optional, is a data line between the controller
  • the optical sensor 100 comprises as ports to drau ⁇ SEN a power supply 153 and a data interface 158, and is otherwise controlled by the electronic circuit 150th
  • the controller 154 is configured to pulsingly drive the semiconductor chip 110.
  • the evaluation electronics 156 is set up to receive information about the pulses via the data line 159 and to take them into account in the evaluation of the signals of the light detectors 131, 132, 133.

Abstract

Optischer Sensor, insbesondere zur Erfassung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehalts, mit einer Licht- quelle, die mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip aufweist und eine elektromagnetische Strahlung mit drei verschiedenen Wellenlängenbereichen emittiert. Ein erster Wellenlängenbereich umfasst dabei grünes Licht, ein zweiter Wellenlängenbereich umfasst dabei rotes Licht und ein dritter Wellenlängenbereich umfasst dabei Infrarotstrahlung. Der Sensorweist drei Lichtdetektoren auf, wobei die drei Lichtdetektoren jeweils einen Filter für elektromagnetische Strahlung aufweisen und wobei ein erster Filter durchlässig für Licht des ersten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des zweiten und Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs ist, ein zweiter Filter durchlässig für Licht des zweiten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des ersten und Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs ist und ein dritter Filter durchlässig für Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des ersten und zweiten Wellenlängenbereichs ist.

Description

OPTISCHER SENSOR
BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft einen optischen Sensor zur Erfassung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehaltes .
Die Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 117 940.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Optische Sensoren zur Erfassung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehaltes können realisiert werden, indem das Licht einer Leuchtdiode auf die Haut eingestrahlt wird. Dabei wird das Licht vom Gewebe unterhalb der Haut gestreut, die Intensität des gestreuten Lichtes kann mit einem Fotode¬ tektor gemessen werden. Ein Teil des eingestrahlten Lichts wird durch Hämoglobinmoleküle im Blut absorbiert. Angetrieben durch das Herz wird das Blut durch die Adern gepumpt, wobei die Menge des Blutes in einer Ader nicht konstant ist, son¬ dern mit derselben Frequenz wie die Herzfrequenz pulsiert. Dadurch schwankt die Menge des Blutes in der Ader mit der Herzfrequenz, ebenso schwankt die Menge des zur Verfügung stehenden Hämoglobins. Je nachdem, ob viel oder wenig Hämo- globin in der Ader ist, wird mehr oder weniger des Lichts der Leuchtdiode vom Hämoglobin absorbiert. Die Intensität des ge¬ streuten Lichts ändert sich dadurch ebenfalls mit der Herzfrequenz. Diese sich ändernde Intensität kann mit dem Fotode¬ tektor detektiert werden. Aus der Änderung des Fotostroms des Fotodetektors kann dadurch auf die Herzfrequenz zurückge¬ schlossen werden. Ein solcher optischer Herzfrequenzsensor ist aus der DE 10 2008 022 920 B4 bekannt.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen verbesserten optischen Sensor zur Bestimmung der Herzfrequenz bereitzustellen, der darüber hinaus auch geeignet ist, optional einen Blutsauerstoffgehalt zu bestimmen. Diese Aufgabe wird mit dem optischen Sensor des Anspruchs 1 gelöst . Ein optischer Sensor zur Erfassung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehaltes weist eine Lichtquelle auf, die mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip enthält. Die Lichtquelle emittiert eine elektromagnetische Strahlung mit drei verschiedenen Wellenlängenbereichen, wobei ein erster Wellenlängenbereich grünes Licht, ein zweiter Wellenlängenbereich rotes Licht und ein dritter Wellenlängenbe¬ reich Infrarotstrahlung umfasst. Darüber hinaus weist der Sensor drei Lichtdetektoren auf, die jeweils einen Filter für elektromagnetische Strahlung aufweisen. Ein erster Filter auf einem ersten Lichtdetektor ist durchlässig für Licht des ers¬ ten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des zweiten und Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs. Ein zweiter Filter des zweiten Lichtdetektors ist durchlässig für Licht des zweiten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des ersten und Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs. Ein dritter Filter eines drit¬ ten Lichtdetektors ist durchlässig für Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des ersten und zweiten Wellenlängenbereichs. Der lichtemittieren- de Halbleiterchip weist eine Emissionswellenlänge kleiner
570 Nanometer auf. Die Lichtquelle weist einen Konversions¬ leuchtstoff auf, wobei der Konversionsleuchtstoff das Licht des Halbleiterchips in elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Wellenlängenbereich, dem zweiten Wellenlängenbereich und dem dritten Wellenlängenbereich umwandelt. Dabei weist der Konversionsleuchtstoff ein Matrixmaterial mit drei ver¬ schiedenen schmalbandigen Leuchtstoffen auf, wobei die Emissionswellenlängen der Leuchtstoffe innerhalb der drei Wellenlängenbereiche liegen. Schmalbandig bedeutet, dass eine Halb- wertsbreite eines Emmissionspeaks des Leuchtstoffs unter 40
Nanometer beträgt. Mit dem grünen Licht des ersten Wellenlängenbereichs ist es möglich, eine Herzfrequenz mittels des op- tischen Sensors zu messen. Das rote Licht des zweiten Wellenlängenbereichs und die Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs sind geeignet, um mit dem optischen Sensor den Blutsauerstoffgehalt zu messen. Durch die Verwendung von drei Lichtdetektoren mit drei Filtern, die jeweils einen der drei Wellenlängenbereiche durchlassen und für die anderen beiden Wellenlängenbereiche undurchlässig sind, können drei Messun¬ gen in den drei Wellenlängenbereichen parallel ausgeführt werden. Dabei ist es vorteilhaft, die Lichtquelle gepulst zu betreiben, sodass weniger Energie als im Dauerbetrieb benö¬ tigt wird. Durch die Verwendung der drei Lichtdetektoren mit den drei Filtern ist es möglich, mittels eines Pulses der Lichtquelle eine Messung sowohl der Herzfrequenz als auch des Blutsauerstoffgehaltes gleichzeitig durchzuführen.
Der Konversionsleuchtstoff, der drei schmalbandige Leucht¬ stoffe in einem Matrixmaterial aufweist, ist einfach herzu¬ stellen und ermöglicht einen einfachen Aufbau des optischen Sensors. Durch die Verwendung von schmalbandigen Leuchtstof- fen werden die zur Messung der Herzfrequenz und des Blutsauerstoffgehalts geeigneten Wellenlängen genutzt. Dabei ent¬ steht innerhalb des Leuchtstoffs möglichst wenig Licht, dass außerhalb der gewünschten Wellenlängenbereiche liegt, so dass die benötigte Lichtleistung des lichtemittierenden Halb- leiterchips reduziert werden kann. Dies führt zu einer
Stromeinsparung. Darüber hinaus wird nur ein geringer Anteil nicht für die Messung der Herzfrequenz beziehungsweise des Blutsauerstoffgehalts geeignetes Licht erzeugt, und so der Anteil an Streulicht reduziert. Ferner wird weniger Licht auf die Haut eingestrahlt, wodurch weniger nicht nutzbare Energie vom optischen Sensor auf die Haut übertragen wird, wodurch der optische Sensor Hautverträglicher wird.
In einer Ausführungsform weist der Konversionsleuchtstoff Quantenpunkte auf. Quantenpunkte sind als Konversionsleucht¬ stoff gut geeignet, da sie einerseits einfach eingerichtet werden können, das Licht des Halbleiterchips zu absorbieren. Darüber hinaus können sie eingerichtet werden, Licht in einem schmalen Wellenlängenbereich zu emittieren. Insbesondere ist es möglich, durch die Wahl von Quantenpunkten als Konversionsleuchtstoff eine Lichtquelle zu erzeugen, die eine schmal- bandige Emission des Lichts des ersten und zweiten Wellenlängenbereichs und der Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs aufweist. Insbesondere ist es möglich, die Licht¬ quelle so einzurichten, dass sich die drei Wellenlängenberei¬ che nicht überlappen.
Zur Erzeugung des Lichts des ersten Wellenlängenbereichs kön¬ nen dabei Cadmiumselenid- oder Indiumphosphid-Quantenpunkte mit einer ersten Größe der Quantenpunkte verwendet werden. Das Licht des zweiten Wellenlängenbereichs kann ebenfalls mit Cadmiumselenid- oder Indiumphosphid-Quantenpunkten mit einer zweiten Größe der Quantenpunkte erzeugt werden, wobei die zweite Größe größer als die erste Größe ist. Die Infrarot¬ strahlung des dritten Wellenlängenbereichs kann mittels Indi- umarsenid-, Bleiselenid- oder Kupferindiumphosphid- Quantenpunkten erzeugt werden.
In einer Ausführungsform ist mindestens ein Filter ein Interferenzfilter. Interferenzfilter sind Filter, die aus Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes bestehen. Durch eine geeignete Wahl der Brechungsindizes und der Schichtdi¬ cken kann dabei ein Filter erzeugt werden, der eine sehr schmalbandige Transmissionskurve aufweist. Mit Interferenz¬ filtern können insbesondere Filter für die Lichtdetektoren bereitgestellt werden, die die elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich nahezu vollständig durchlassen und die elektromagnetische Strahlung der beiden anderen Wel¬ lenlängenbereiche nahezu vollständig unterdrücken.
In einer Ausführungsform weist das grüne Licht eine Wellen- länge zwischen 530 und 610 Nanometer, das rote Licht eine
Wellenlänge zwischen 620 und 700 Nanometer und die Infrarot¬ strahlung eine Wellenlänge größer als 800 Nanometer auf. Die- se drei Wellenlängenbereiche eignen sich besonders gut für die Verwendung in einem optischen Sensor, insbesondere zur Bestimmung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoff- gehaltes .
Bei einer Erzeugung von konvertiertem Licht mit den genannten Wellenlängen mittels Quantenpunkten sind z. B. die im Folgenden erläuterten Materialien denkbar. Für das grüne Licht des ersten Wellenlängenbereichs mit einer Wellenlänge um 570 Na- nometer können dabei Cadmiumselenid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 3,0 und 3,5 Nanometer verwendet werden. Alternativ ist die Verwendung von Indiumphosphid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 1,8 und 2,2 Nanometer für das grüne Licht möglich.
Für das rote Licht des zweiten Wellenlängenbereichs mit einer Wellenlänge um 660 Nanometer können dabei Cadmiumselenid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 7,5 und 8,5 Na¬ nometer verwendet werden. Alternativ ist die Verwendung von Indiumphosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 2,8 und 3,2 Nanometer für das grüne Licht möglich.
Für die Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs mit einer Wellenlänge größer 800 Nanometer sind Indiumar- senid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 3,0 und 6,0 Nanometer möglich. Alternativ können für die Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs mit einer Wellenlänge größer 800 Nanometer Bleiselenid-Quantenpunkte mit ei¬ nem Durchmesser größer als 5,0 Nanometer verwendet werden. Eine weitere Alternative für die Infrarotstrahlung des drit¬ ten Wellenlängenbereichs mit einer Wellenlänge größer 800 Na¬ nometer ist die Verwendung von Kupferindiumphosphid- Quantenpunkten mit einem Durchmesser zwischen 2,5 und 5,8 Nanometer .
In einer Ausführungsform weist der optische Sensor eine elektronische Schaltung auf, die zur Auswertung von Signalen der Lichtdetektoren und zur Spannungsversorgung der Lichtquelle eingerichtet ist. Dadurch kann ein integriertes Bau¬ teil mit kleinen Abmessungen erzeugt werden, das nur Anschlüsse für eine Versorgungsspannung und eine Datenschnitt- stelle benötigt.
In einer Ausführungsform kann die Spannungsversorgung der Lichtquelle gepulst betrieben werden. Dabei ist die Schaltung zur Auswertung der Signale der Lichtdetektoren eingerichtet, die Pulse zu berücksichtigen. Durch den gepulsten Betrieb der Lichtquelle kann ein optischer Sensor erzeugt werden, der einen geringeren Energieverbrauch hat als ein optischer Sensor, bei dem die Lichtquelle kontinuierlich betrieben wird. Die Berücksichtigung der Pulse kann beispielsweise dadurch erfol- gen, dass mit der Pulsfrequenz gefiltert wird. Dadurch wird die Signalauswertung verbessert.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Fig. 1 einen optischen Sensor mit Lichtquelle und drei Licht¬ detektoren;
Fig. 2 einen optischen Sensor mit drei Halbleiterchips, einen Konversionsleuchtstoff, und drei Lichtdetektoren;
Fig. 3 einen optischen Sensor mit einem Halbleiterchip, einen Konversionsleuchtstoff, und drei Lichtdetektoren; Fig. 4 bis 6 verschiedene Anordnungsmöglichkeiten der drei Lichtdetektoren; Fig. 7 bis 9 verschiedene Ausführungsbeispiele der Lichtquel¬ le mit Konversionsleuchtstoff; und
Fig. 10 einen optischen Sensor mit einer elektronischen
Schaltung.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch einen optischen Sensor 100. Der optische Sensor 100 weist ein Gehäuse 101 auf. Das Gehäuse 101 kann dabei beispielsweise ein Spritzgussteil aus Kunststoff sein. Ebenso ist es möglich, dass das Gehäuse 101 aus einem anderen Material besteht. Das Gehäuse 101 weist ei¬ ne erste Ausnehmung 102 und eine zweite Ausnehmung 103 auf. Zwischen den beiden Ausnehmungen 102, 103 befindet sich ein Steg 104 aus dem Material des Gehäuses 101. Durch den Steg 104 sind die beiden Ausnehmungen 102, 103 also voneinander getrennt. In der ersten Ausnehmung 102 ist ein Halbleiterchip 110 angebracht. Der Halbleiterchip 110 in der ersten Ausnehmung 102 und die angrenzenden Teile des Gehäuses 101 bilden eine Lichtquelle 105. Die Lichtquelle 105 ist eingerichtet, elektromagnetische Strahlung mit drei verschiedenen Wellenlängenbereichen zu emittieren. Insbesondere ist der Halbleiterchip 110 eingerichtet, die elektromagnetische Strahlung mit den drei verschiedenen Wellenlängenbereichen zu emittieren. Ein erster Wellenlängenbereich umfasst grünes Licht, ein zweiter Wellenlängenbereich umfasst rotes Licht und ein dritter Wellenlängenbereich umfasst Infrarotstrahlung. In der zweiten Ausnehmung 103 sind drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 angebracht, wobei jeder Lichtdetektor einen Filter 141, 142, 143 aufweist. Der erste Filter 141 ist dabei auf dem ersten Lichtdetektor 131 angebracht und eingerichtet, Licht des ersten Wellenlängenbereichs durchzulassen und Licht des zweiten und dritten Wellenlängenbereichs nicht durchzulassen. Der zweite Filter 142 ist auf dem zweiten Lichtdetektor 132 angebracht und eingerichtet, elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches durchzulassen, und elektromag¬ netische Strahlung des ersten und dritten Wellenlängenbe¬ reichs nicht durchzulassen. Der dritte Filter 143 ist auf dem dritten Lichtdetektor 133 angebracht und eingerichtet, elekt¬ romagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereiches durchzulassen und elektromagnetische Strahlung des ersten und zweiten Wellenlängenbereichs nicht durchzulassen.
Durchlassen bedeutet, dass mindestens 85 %, bevorzugt mindes¬ tens 90 %, besonders bevorzugt mindestens 95 % und insbeson¬ dere bevorzugt mindestens 98 % des Lichts des betrachteten Wellenlängenbereichs durch den entsprechenden Filter hin- durchgeht. Nicht durchlassen bedeutet, dass maximal 10 %, be¬ vorzugt maximal 5 %, besonders bevorzugt maximal 2 % und ins¬ besondere bevorzugt maximal 1 % des Lichts der betrachteten Wellenlängenbereiche durch den entsprechenden Filter hindurchgehen .
Der optische Sensor 100 ist eingerichtet, auf ein Körperteil bzw. auf eine Oberfläche eines menschlichen Körperteils auf¬ gesetzt zu werden. Die elektromagnetische Strahlung der
Lichtquelle 105 wird dabei innerhalb eines Gewebes des Kör- perteils reflektiert bzw. gestreut. Das gestreute Licht kann von den drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 detektiert werden. Dabei ändert sich das Signal in den drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 durch eine Herzfrequenz, und/oder einen Blutsauerstoffgehalt innerhalb des Körperteils.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch einen weiteren optischen Sensor 100. Der optische Sensor 100 weist ein Gehäuse 101, eine erste Ausnehmung 102, eine zweite Ausnehmung 103 und ei¬ nen Steg 104 zwischen den beiden Ausnehmungen 102, 103 auf. In der zweiten Ausnehmung 103 sind wiederum drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 mit zugehörigen Filtern 141, 142, 143 angeordnet, ähnlich wie in Fig. 1. In der ersten Ausnehmung 102 sind drei Halbleiterchips 111, 112, 113 angeordnet. Der erste Halbleiterchip 111 emittiert dabei Licht mit einer Wellenlän- ge kleiner als 570 Nanometer. Ein zweiter Halbleiterchip 112 emittiert rotes Licht, ein dritter Halbleiterchip 113 emit¬ tiert Infrarotstrahlung. Die erste Ausnehmung 102 ist mit ei- nem Konversionsleuchtstoff 120 aufgefüllt. Dieser Konversi¬ onsleuchtstoff wandelt das Licht des ersten Halbleiterchips in grünes Licht des ersten Wellenlängenbereichs um und ist transparent für das Licht des zweiten Halbleiterchips 112 und die Infrarotstrahlung des dritten Halbleiterchips 113. Der Konversionsleuchtstoff 120 kann dabei aus LeuchtstoffParti¬ keln in einem Matrixmaterial bestehen. Es sind aber auch andere Konversionsleuchtstoffe denkbar. Die drei Halbleiter¬ chips 111, 112, 113, der Konversionsleuchtstoff 120 und die angrenzenden Teile des Gehäuses 101 bilden die Lichtquelle 105.
Fig. 3 zeigt einen weiteren Querschnitt durch einen optischen Sensor 100, der im Wesentlichen dem optischen Sensor der Fig. 1 entspricht. Die erste Ausnehmung 102 des Gehäuses 101 ist in diesem Fall mit einem Konversionsleuchtstoff 120 gefüllt. Dieser Konversionsleuchtstoff 120 wandelt das Licht des Halb¬ leiterchips 110, der eine Emissionswellenlänge kleiner 570 Nanometer aufweist, in grünes Licht des ersten Wellenlängen- bereichs, rotes Licht des zweiten Wellenlängenbereichs und Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs um. Der Konversionsleuchtstoff 120 ist also eingerichtet, das Licht des Halbleiterchips 110 zu absorbieren, und elektromagneti¬ sche Strahlung in drei Wellenlängenbereiche zu emittieren. Der Konversionsleuchtstoff 120 weist ein Matrixmaterial mit drei verschiedenen, schmalbandigen Leuchtstoffen auf, wobei die Emissionswellenlängen der Leuchtstoffe innerhalb der drei Wellenlängenbereiche liegen. Die Leuchtstoffe können dabei beispielsweise jeweils einen Phosphor aufweisen, dessen konvertiertes Licht schmalbandig ist.
Die optischen Sensoren 100 der Figuren 1 bis 3 unterscheiden sich also jeweils im Bereich der Lichtquelle 105. Die zweite Ausnehmung 103 und die darin befindlichen Lichtdetektoren und Filter sind für alle drei optischen Sensoren der Figuren 1 bis 3 identisch. Fig. 4 zeigt einen optischen Sensor 100 in der Draufsicht. Ein Gehäuse 101 weist eine erste Ausnehmung 102 und eine zweite Ausnehmung 103 auf. Die beiden Ausnehmungen 102, 103 sind durch einen Steg 104 voneinander getrennt. In der ersten Ausnehmung 102 ist ein Halbleiterchip 110 angeordnet. Die erste Ausnehmung 102 mit dem Halbleiterchip 110 und den angrenzenden Teilen des Gehäuses 101 bildet wiederum die Licht¬ quelle 105. Die Lichtquelle 105 kann dabei analog zu einer der Lichtquellen 105 der Figuren 1 bis 3 ausgestaltet sein. In der zweiten Ausnehmung 103 befinden sich drei Lichtdetektoren, wobei ein erster Lichtdetektor 131 den geringsten Abstand zur Lichtquelle 105 aufweist, ein zweiter Lichtdetektor 132 einen größeren Abstand zur Lichtquelle 105 aufweist als der erste Lichtdetektor 131 und ein dritter Lichtdetektor 133 den größten Abstand zur Lichtquelle 105 aufweist. Auf dem ersten Lichtdetektor 131 ist ein erster Filter 141 angeordnet. Auf dem zweiten Lichtdetektor 132 ist ein zweiter Filter 142 angeordnet. Auf dem dritten Lichtdetektor 133 ist ein dritter Filter 143 angeordnet. Der erste Filter 141 ist durchlässig für grünes Licht eines ersten Wellenlängenbe¬ reichs. Der zweite Filter 142 ist durchlässig für rotes Licht eines zweiten Wellenlängenbereichs und der dritte Filter 143 ist durchlässig für Infrarotstrahlung eines dritten Wellenlängenbereichs. Die Filter 141, 142, 143 sind für die jeweils anderen Wellenlängenbereiche undurchlässig. Die Detektion der Infrarotstrahlung erfolgt also am weitesten von der Lichtquelle entfernt, die Detektion des grünen Lichts erfolgt am nächsten an der Lichtquelle. Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbei¬ spiel eines optischen Sensors 100. Ein Gehäuse 101 weist ebenfalls eine erste Ausnehmung 102 und eine zweite Ausneh¬ mung 103 auf. Innerhalb der ersten Ausnehmung 102 kann wiederum eine der Lichtquellen 105 der Figuren 1 bis 3 angeordnet sein. In der zweiten Ausnehmung 103 sind wiederum drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 mit drei zugehörigen Filtern 141, 142, 143 angeordnet, wobei Lichtdetektoren 131, 132, 133 und Filter 141, 142, 143 dieselben Eigenschaften aufweisen wie in Fig. 4. Die Lichtdetektoren 131, 132, 133 und Filter 141, 142, 143 haben eine längliche Form und sind so in der zweiten Ausnehmung 103 angeordnet, dass sie von der Lichtquelle 105 jeweils gleich weit entfernt sind. Im Vergleich zur Fig. 4 sind die Lichtdetektoren 131, 132, 133 und Filter 141, 142, 143 um 90 Grad gedreht angeordnet.
Fig. 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optischen Sensors 100 in der Draufsicht. Ein Gehäuse 101 weist wiederum eine erste Ausnehmung 102 und eine zweite Ausnehmung 103 auf. Innerhalb der ersten Ausnehmung 102 ist eine Lichtquelle 105, analog zu einer der Lichtquellen 105 der Figuren 1 bis 3, angeordnet. In der zweiten Ausnehmung 103 sind wiederum drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 mit zugehörigem Filter 141, 142, 143 angeordnet. Der erste Lichtdetektor 131 mit dem ers¬ ten Filter 141 ist dabei auf der der Lichtquelle 105 zuge¬ wandten Seite der zweiten Ausnehmung 103 angeordnet. Der zweite Lichtdetektor 132 und der dritte Lichtdetektor 133 mit den zugehörigen Filtern 142, 143 ist gegenüber dem ersten Lichtdetektor 131 um 90 Grad gedreht angeordnet, sodass der Abstand des zweiten Lichtdetektors 132 und des dritten Licht¬ detektors 133 von der Lichtquelle gleich groß ist, aber grö¬ ßer als der Abstand des ersten Lichtdetektors 131 von der Lichtquelle 105. Die Lichtdetektoren 131, 132, 133 und die Filter 141, 142, 143 entsprechen dabei den Lichtdetektoren und Filtern der Figuren 1 bis 5.
Fig. 7 zeigt einen Querschnitt durch eine weitere Lichtquelle 105, die geeignet ist, Teil des optischen Sensors 100 zu sein. Die Lichtquelle der Fig. 7 entspricht dabei im Wesent¬ lichen der Lichtquelle der Fig. 3. Ein Gehäuse 101 weist eine erste Ausnehmung 102 auf, in der ein Halbleiterchip 110 mit einer Emissionswellenlänge kleiner 570 Nanometer angeordnet ist. Die erste Ausnehmung 102 ist mit einem Konversions¬ leuchtstoff 120 gefüllt, wobei der Konversionsleuchtstoff 120 dem Konversionsleuchtstoff der Fig. 3 entspricht. Oberhalb des Konversionsleuchtstoffs 120 ist eine Schutzschicht 121 angeordnet, die die erste Ausnehmung 102 und den Konversions¬ leuchtstoff 120 versiegelt, sodass Umwelteinflüsse nicht auf den Konversionsleuchtstoff 120 wirken können.
Fig. 8 zeigt ein weiteres Beispiel einer Lichtquelle 105 für einen optischen Sensor. In einer ersten Ausnehmung 102 eines Gehäuses 101 ist ein Halbleiterchip 110 angeordnet, der eine Emissionswellenlänge kleiner 570 Nanometer aufweist. Ein Kon- versionsleuchtstoff 120 ist in Form eines Plättchens direkt auf dem Halbleiterchip 110 angeordnet. Halbleiterchip 110 und Konversionsleuchtstoff 120 sind mit einer Schutzschicht 121 verkapselt. Der Konversionsleuchtstoff 120 entspricht wiede¬ rum dem Konversionsleuchtstoff der Fig. 7.
Fig. 9 zeigt ein weiteres Beispiel einer Lichtquelle 105. In einer ersten Ausnehmung 102 eines Gehäuses 101 ist ein Halbleiterchip 110 angeordnet, wobei der Halbleiterchip 110 eine Emissionswellenlänge kleiner 570 Nanometer aufweist. Die ers- te Ausnehmung 102 ist mit einem Glasplättchen 122 abgedeckt. Oberhalb des Glasplättchens 122 befindet sich ein Abstands¬ halter 123, der auf das Glasplättchen 122 aufgesetzt ist. Oberhalb des Abstandshalters 123 befindet sich ein weiteres Glasplättchen 122. Der Abstandshalter 123 und die beiden Glasplättchen 122 bilden dabei eine Kavität, in die der Konversionsleuchtstoff 120 eingebracht ist. Der Konversions¬ leuchtstoff 120 wird dabei durch die beiden Glasplättchen 122 und den Abstandshalter 123 von der Umwelt abgeschlossen, ist also innerhalb des durch die beiden Glasplättchen 122 und den Abstandshalter 123 definierten Raums angeordnet.
Die drei Lichtquellen 105 der Figuren 7 bis 9 können jeweils mit den drei Anordnungen der Filter 131, 132, 133 der Figuren 4 bis 6 kombiniert werden.
In einem Ausführungsbeispiel weist der Konversionsleuchtstoff 120 Quantenpunkte auf. Quantenpunkte als Konversionsleucht- stoff sind insbesondere geeignet, da sie eine schmalbandige Emissionscharakteristik aufweisen. Schmalbandig bedeutet in diesem Fall, dass die Halbwertsbreite des Emissionspeaks 30 bis 40 Nanometer beträgt. Das grüne Licht des ersten Wellen- längenbereichs hat dabei die maximale Intensität bei einer Wellenlänge von 570 Nanometer. Das rote Licht des zweiten Wellenlängenbereichs hat eine maximale Intensität bei 660 Na¬ nometer und die Infrarotstrahlung eine maximale Wellenlänge größer als 800 Nanometer. Durch die Quantenpunkte und den dadurch entstehenden Konversionsleuchtstoff mit einer geringen Halbwertsbreite ist es möglich, dass das grüne Licht, das rote Licht und die Infrarotstrahlung drei separate Peaks auf¬ weisen und sich nicht überlappen. In einem Ausführungsbeispiel ist ein Filter 141, 142, 143 In¬ terferenzfilter. Interferenzfilter bestehen aus verschiedenen Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex. Durch geeignete Wahl der Schichtdicken und Brechungsindizes der Schichten kann ein Filter erzeugt werden, der eine steile Flanke bei einer bestimmten Wellenlänge aufweist. Das bedeutet, dass ein Filter, der bei einer ersten Wellenlänge zu mehr als 90% durchlässig ist, bei einer zweiten Wellenlänge, die sich nur um wenige, insbesondere weniger als 10, Nanometer von der ersten Wellenlänge unterscheidet, für das Licht der zweiten Wellenlänge undurchlässig ist.
Die Kombination aus einem Konversionsleuchtstoff 120, beste¬ hend aus Quantenpunkten, und Filtern 141, 142, 143, die als Interferenzfilter ausgestaltet sind, ergibt sich eine beson- ders vorteilhafte Ausführung des optischen Sensors 100.
In einem Ausführungsbeispiel weist das grüne Licht eine Wel¬ lenlänge zwischen 530 und 610 Nanometer auf, wobei die maxi¬ male Intensität bei 670 Nanometer liegen kann. Das rote Licht weist eine Wellenlänge zwischen 620 und 700 Nanometer auf, wobei die maximale Intensität bei 660 Nanometer liegen kann. Die Infrarotstrahlung weist eine Wellenlänge größer als 800 Nanometer auf. Ein optischer Sensor mit den genannten Wellenlängenbereichen für das grüne, das rote Licht, und die Infra¬ rotstrahlung ist mit Quantenpunkten als Konversionsleucht¬ stoff 120 und mit Interferenzfiltern als Filter 141, 142, 143 möglich.
Figuren 1 bis 9 zeigen keine Anschlüsse der Halbleiterchips 110, 111, 112, 113 oder der Lichtdetektoren 131, 132, 133. Diese können vom Fachmann gemäß dem Stand der Technik inner- halb des Gehäuses 101 vorgesehen werden.
Fig. 10 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausfüh¬ rungsbeispiel eines optischen Sensors 100, wobei der optische Sensor 100 im Wesentlichen dem optischen Sensor 100 der Fig. 3 entspricht. Unterhalb des Gehäuses 101 ist eine elektroni¬ sche Schaltung 150 angeordnet. Die elektronische Schaltung 150 ist eingerichtet, den Halbleiterchip 110 mit Spannung zu versorgen und die Auswertung der Signale der drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 zu übernehmen. Dazu weist die elektroni- sehe Schaltung 150 eine Steuerung für einen Halbleiterchip
154 auf, die mittels elektrischen Leitungen 151 mit dem Halbleiterchip 110 verbunden ist. Die elektronische Schaltung 150 weist außerdem einen Anschluss für eine Spannungsversorgung
153 auf, die mit einer elektrischen Leitung 152 mit der Steu- erung für den Halbleiterchip 154 verbunden ist. Darüber hinaus weist die elektronische Schaltung 150 eine Auswerteelekt¬ ronik 156 auf, die mittels elektrischen Leitungen 155 mit den drei Lichtdetektoren 131, 132, 133 verbunden ist. Die Auswerteelektronik 156 ist mit einer Datenleitung 157 mit einer Da- tenschnittstelle 158 verbunden. Ebenfalls in Fig. 10 gezeigt, aber optional, ist eine Datenleitung zwischen der Steuerung
154 für den Halbleiterchip und der Auswerteelektronik 156. Der optische Sensor 100 weist also als Anschlüsse nach drau¬ ßen eine Spannungsversorgung 153 und eine Datenschnittstelle 158 auf, und ist ansonsten von der elektronischen Schaltung 150 gesteuert. In einem Ausführungsbeispiel ist die Steuerung 154 eingerichtet, den Halbleiterchip 110 gepulst zu betreiben. Die Auswerteelektronik 156 ist eingerichtet, über die Datenleitung 159 Informationen über die Pulse zu empfangen und bei der Auswer- tung der Signale der Lichtdetektoren 131, 132, 133 zu berücksichtigen .
Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
100 Optischer Sensor
101 Gehäuse
102 Erste Ausnehmung
103 Zweite Ausnehmung
104 Steg
105 Lichtquelle
110 Halbleiterchip
111 Erster Halbleiterchip
112 Zweiter Halbleiterchip
113 Dritter Halbleiterchip
120 Konversionsleuchtstoff
121 Schutzschicht
122 Glasplättchen
123 Abstandshalter
131 Erster Lichtdetektor
132 Zweiter Lichtdetektor
133 Dritter Lichtdetektor
141 Erster Filter
142 Zweiter Filter
143 Dritter Filter
150 Elektrische Schaltung
151 Elektrische Leitung
152 Elektrische Leitung
153 Anschluss für eine Spannungsversorgung
154 Steuerung für einen Halbleiterchip
155 Elektrische Leitung
156 Auswerteelektronik
157 Datenleitung
158 Datenschnittstelle
159 Datenleitung

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Optischer Sensor (100) zur Erfassung einer Herzfrequenz und/oder eines Blutsauerstoffgehalts , mit einer Licht¬ quelle (105), die mindestens einen lichtemittierenden Halbleiterchip (110) aufweist und eine elektromagneti¬ sche Strahlung mit drei verschiedenen Wellenlängenberei¬ chen emittiert, wobei ein erster Wellenlängenbereich grünes Licht, ein zweiter Wellenlängenbereich rotes Licht und ein dritter Wellenlängenbereich Infrarotstrahlung umfasst, wobei der Sensor (100) drei Lichtdetekto¬ ren (131, 132, 133) aufweist, wobei die drei Lichtdetek¬ toren (131, 132, 133) jeweils einen Filter (141, 142, 143) für elektromagnetische Strahlung aufweisen, wobei ein erster Filter (141) durchlässig für Licht des ersten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des zweiten Wellenlängenbereichs und die Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs ist, ein zweiter Filter
(142) durchlässig für Licht des zweiten Wellenlängenbe¬ reichs und undurchlässig für Licht des ersten Wellenlän¬ genbereichs und die Infrarotstrahlung des dritten Wel¬ lenlängenbereichs ist und ein dritter Filter (143) durchlässig für die Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs und undurchlässig für Licht des ersten und des zweiten Wellenlängenbereichs ist, wobei der lichtemittierende Halbleiterchip (110) eine Emissions¬ wellenlänge kleiner 570 Nanometer aufweist und die
Lichtquelle (105) einen Konversionsleuchtstoff (120) aufweist, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) das Licht des Halbleiterchips (110) in elektromagnetische Strahlung mit dem ersten Wellenlängenbereich, dem zweiten Wellenlängenbereich und dem dritten Wellenlängenbereich umwandelt, und wobei der Konversionsleuchtstoff
(120) ein Matrixmaterial mit drei verschiedenen schmal- bandigen Leuchtstoffen aufweist, wobei die Emissionswel¬ lenlängen der Leuchtstoffe innerhalb der drei Wellenlän¬ genbereiche liegen. Optischer Sensor (100) nach Anspruch 1, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) Quantenpunkte aufweist.
Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) Cadmiumselenid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 3,0 und 3,5 Nanometer oder Indiump- hosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 1,8 und 2,2 Nanometer aufweist, wobei der Konversionsleucht¬ stoff zusätzlich Cadmiumselenid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 7,5 und 8,5 Nanometer oder Indiump- hosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 2,8 und 3,2 Nanometer aufweist, wobei der Konversionsleucht¬ stoff (120) Indiumarsenid-Quantenpunkte mit einem Durch¬ messer zwischen 3,0 und 6,0 Nanometer oder Bleiselenid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser größer als 5,0 Nano¬ meter oder Kupferindiumphosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 2,5 und 5,8 Nanometer aufweist.
Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung des grünen Lichts des ersten Wellenlängenbereichs Cadmiumselenid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 3,0 und 3,5 Nanometer aufweist .
Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung des grünen Lichts des ersten Wellenlängenbereichs Indiumphosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 1,8 und 2,2 Nanometer aufweist .
Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung des roten Lichts des zweiten Wellenlängenbereichs Cadmiumselenid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 7,5 und 8,5 Nanometer aufweist.
7. Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung des grünen Lichts des ersten Wellenlängenbereichs Indiumphosphid-Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 2,8 und 3,2 Nanometer aufweist .
8. Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung der Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs Indiumarsenid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 3,0 und 6,0 Nanometer aufweist.
9. Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung der Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs Bleiselenid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser größer als 5,0 Nano¬ meter aufweist.
10. Optischer Sensor nach Anspruch 2, wobei der Konversionsleuchtstoff (120) zur Erzeugung der Infrarotstrahlung des dritten Wellenlängenbereichs Kupferindiumphosphid- Quantenpunkte mit einem Durchmesser zwischen 2,5 und 5,8 Nanometer aufweist.
11. Optischer Sensor (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens ein Filter (141, 142, 143) ein Interferenzfilter ist.
12. Optischer Sensor (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das grüne Licht eine Wellenlänge zwischen 530 und 610 Nanometer, das rote Licht eine Wellenlänge zwischen 620 und 700 Nanometer und die Infrarotstrahlung eine Wellenlänge größer als 800 Nanometer aufweist.
13. Optischer Sensor (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einer elektronischen Schaltung (150), die zur Auswertung von Signalen der Lichtdetektoren (131, 132, 133) und zur Spannungsversorgung der Lichtquelle (105) eingerichtet ist.
Optischer Sensor (100) nach Anspruch 13, wobei die Spannungsversorgung der Lichtquelle (105) gepulst betrieben werden kann und die Schaltung (150) zur Auswertung der Signale der Lichtdetektoren (131, 132, 133) eingerichtet ist, die Pulse zu berücksichtigen.
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