WO2016021354A1 - 発光装置、照明装置、および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置、照明装置、および発光装置の製造方法 Download PDF

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emitting device
light
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heat
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昌道 原田
一規 安念
吉村　健一
浩史 福永
昌嗣 増田
宏彰 大沼
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シャープ株式会社
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting device that uses wavelength-converted light generated from a translucent member that includes a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from a light-emitting element as illumination light, an illumination device including the light-emitting device, and the light emission
  • the present invention relates to a device manufacturing method.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • As a light emitting device using such an LED there is one in which a plurality of LED bare chips are arranged on a substrate and each LED chip is electrically connected with a bonding wire and mounted on the substrate.
  • a frame member is formed so as to surround a mounting area of a plurality of light emitting elements (LEDs), and the inside of the frame member includes the plurality of light emitting elements. Including, it is sealed with a sealing member (silicone resin). This sealing member has translucency and contains a phosphor.
  • a light emitting device disclosed in Patent Document 2 As shown in FIG. 8B, in this light emitting device, a side wall is formed so as to surround a mounting region of a plurality of LED chips, and the end portion of the lens cover made of inorganic glass is bonded to the side wall by a bonding material. It is joined. A wavelength converting material is mixed in the lens cover.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2011-71242 (published on April 7, 2011)” Japanese Patent Publication “Japanese Patent Laid-Open No. 2007-250817 (published September 27, 2007)”
  • the conventional light emitting device as described above has the following problems.
  • the number of LED chips is increased or a higher output LED chip is used to increase the luminous flux and increase the brightness.
  • the phosphor contained in the sealing member becomes a high temperature due to the heat generated from the LED chip and the heat generated by the phosphor itself due to the wavelength conversion loss, so that the wavelength conversion efficiency is remarkably lowered.
  • the wavelength conversion part phosphor and silicone resin
  • the wavelength conversion part is in the vicinity of the LED chip, so the temperature of the phosphor increases due to the heat generated by the LED chip and the phosphor itself, and the wavelength conversion efficiency of the phosphor decreases. It is believed that there is.
  • the heat generated by the lens cover by causing the heat dissipation member (heat sink) to come into contact with the surface of the substrate opposite to the LED chip mounting side (caused by the phosphor).
  • the path is lens cover ⁇ side wall ⁇ substrate ⁇ heat radiation member.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting device and the like that can improve the heat dissipation efficiency of heat generated by a light transmissive member including a wavelength conversion material. There is.
  • a light-emitting device includes a substrate over which a light-emitting element is mounted, and a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element.
  • a method for manufacturing a light-emitting device includes a substrate on which a light-emitting element is mounted, and a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element.
  • a light emitting device manufacturing method comprising: a translucent member including: a support member that supports the translucent member, wherein the heat dissipation member is brought into contact with a surface of the substrate opposite to the mounting side of the light emitting element. And a step of connecting the support member to the heat radiating member without passing through the substrate.
  • FIG. 1 shows the structure or external appearance of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1 of this invention
  • (a) is a top view when the light-emitting device which concerns on the said Embodiment 1 is seen from the illumination light output side
  • (b ) Is a cross-sectional view taken along line AB of the light emitting device shown in FIG. 1A
  • FIG. 3C is a partially enlarged view of a part of the light emitting device shown in FIG.
  • D is a perspective view which shows the external appearance of the whole light-emitting device which concerns on the said Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a top view when the light-emitting device which concerns on the said Embodiment 1 is seen from the illumination light output side
  • (b ) Is a cross-sectional view taken along line AB of the light emitting device shown in FIG. 1A
  • FIG. 3C is a partially enlarged view of a part of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 1 It is the figure which compared the light-emitting device which concerns on Embodiment 3 of this invention, and the light-emitting device which concerns on the said Embodiment 2, (a) is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on the said Embodiment 3, (B) is a top view when the light emitting device according to Embodiment 3 is viewed from the illumination light output side, and (c) is a view when the light emitting device according to Embodiment 2 is viewed from the illumination light output side.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on Embodiment 4 of this invention.
  • FIGS. 1 to 8 Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8 as follows.
  • components having the same functions as those described in the specific embodiment may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.
  • FIG. 1 is a diagram showing the structure or appearance of a light emitting device 10a according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1A is a top view when the light emitting device 10a is viewed from the illumination light output side (however, in FIG. 1, a heat radiating member 5 described later is omitted).
  • 1B is a cross-sectional view taken along the line AB of the light emitting device 10a shown in FIG. 1A (however, in the same figure, the heat radiating member 5 is included).
  • FIG. 1D is a perspective view showing the appearance of the entire light emitting device 10a.
  • the light emitting device 10a includes a substrate 1, a light emitting element 2, a frame member (support member) 3a, a phosphor-dispersed glass plate (translucent member) 4, and a heat radiating member 5.
  • the substrate 1 (circuit board) is a COB (Chip On Board) substrate having a flat rectangular shape, as shown in FIG.
  • substrate 1 is not limited to such a rectangular shape, Arbitrary closed figure shapes can be employ
  • the constituent material of the substrate 1 is desirably a metal material such as aluminum or an inorganic material such as ceramics.
  • the constituent material of the substrate 1 is aluminum, and an insulating layer is formed on the surface of the aluminum. Since the thermal conductivity of aluminum is 236 W / (m ⁇ K), the thermal conductivity of the substrate 1 excluding the insulating layer is 236 W / (m ⁇ K).
  • a plurality of light emitting elements 2 are mounted on the substrate 1. Further, as shown in FIG. 1A, the substrate 1 is provided with an anode AN at the upper left end of a rectangular shape and a cathode CA at the lower right end, and the light emission is performed through the anode AN and the cathode CA. Electric power is supplied to the element 2. Furthermore, attachment holes h ⁇ b> 1 for attaching the heat radiating member 5 to the substrate 1 are formed at the lower left end and the upper right end of the rectangular shape of the substrate 1. The board
  • substrate 1 is fixed to the heat radiating member 5 with a screw etc. through the attachment hole h1.
  • the light-emitting element 2 (excitation light source) is a semiconductor light-emitting element, and includes, for example, an LED bare chip (hereinafter simply referred to as “LED chip”).
  • LED chip an LED bare chip
  • a plurality of LED chips are mounted on the substrate 1.
  • the mounting of the plurality of LED chips on the substrate 1 may be either face-up (wire bonding) or face-down (flip chip).
  • the frame member 3a has a circular shape that surrounds the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4 described later, as viewed from the illumination light output side of the light emitting device 10a.
  • the peripheral edge of the phosphor-dispersed glass plate 4 is surrounded and supported.
  • the shape of the frame member 3a is not limited to such an annular shape, and an arbitrary annular shape can be adopted as necessary. Further, as shown in FIG.
  • the upper part in the left-right direction with respect to the paper surface of the frame member 3a has an L-shaped cross section, and the side surface and the lower surface at the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4 It abuts and supports the phosphor-dispersed glass plate 4. Further, the lower bottom surface of the frame member 3a is in thermal contact with an upper surface of a heat radiating member 5 described later.
  • the constituent material of the frame member 3a is desirably an inorganic material, and for example, a metal having high thermal conductivity is preferably used.
  • the constituent material of the frame member 3a of this embodiment is aluminum, it is not limited to this. Since the thermal conductivity of aluminum is 236 W / (m ⁇ K), the thermal conductivity of the frame member 3 a is about 236 W / (m ⁇ K).
  • a frame member 3a that is a frame-shaped member that surrounds the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4 will be described as an example. May not be a frame-shaped member, but may be any member that supports the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • the phosphor-dispersed glass plate 4 is an example of a light-transmitting light-transmitting plate (light-transmitting member) in which a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element 2 is dispersed.
  • the main material of the phosphor-dispersed glass plate 4 of the present embodiment is inorganic glass. For this reason, compared with the structure which uses resin materials, such as the conventional silicone resin, as a main material, high temperature tolerance is high, it is hard to produce a crack and modification
  • the material of the light-transmitting plate may not be inorganic glass, but it is preferable not to use a heat-sensitive resin material such as silicone resin.
  • a heat-sensitive resin material such as silicone resin.
  • the wavelength conversion material dispersed in the phosphor-dispersed glass plate 4 for example, it is desirable to use inorganic phosphor particles.
  • an yttrium aluminum garnet phosphor (Y 2 Al 5 O 12 : Ce 3+ ; usually referred to as a YAG phosphor) is used as the wavelength conversion material, but the present invention is not limited to this.
  • the heat radiating member 5 is a heat sink made of a metal material having high thermal conductivity, and has a function of radiating heat to the outside air. As shown in FIG. 1B, the heat radiating member 5 is provided with a saw blade-shaped heat radiating fin on the lower side with respect to the paper surface, thereby further improving the heat radiating effect.
  • the constituent material of the heat radiating member 5 of this embodiment is aluminum, it is not limited to this. Since the thermal conductivity of aluminum is 236 W / (m ⁇ K), the thermal conductivity of the heat radiating member 5 is about 236 W / (m ⁇ K).
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a method of manufacturing the light-emitting device 10a described above.
  • a method for manufacturing the light emitting device 10a will be described.
  • Light emitting devices 10b to 10e described later can also be manufactured through substantially the same manufacturing method.
  • the manufacturing method of the light emitting device 10a is roughly divided into (1) a step of bringing the heat radiating member 5 into contact with the surface of the substrate 1 opposite to the mounting side of the light emitting element 2, and (2) the frame member 3a. And a step of connecting to the heat radiating member 5 without going through.
  • the order of each process of said (1) and (2) is arbitrary.
  • the lower part of the frame member 3a is penetrated (inserted) into a through hole h2 (frame member insertion hole) formed in the substrate 1, so that the frame member 3a is inserted into the heat dissipation member 5 through the through hole h2. Connected to.
  • the heat radiating member 5 for radiating heat is brought into contact with the surface of the substrate 1 opposite to the mounting side of the light emitting element 2, the light emitting device 10a shown in FIG. 1B is obtained. Thereby, the lower part of the frame member 3a is connected to the heat radiating member 5 through the through-hole h2. For this reason, the frame member 3a and the heat radiating member 5 are thermally connected through the through-hole h2.
  • FIG. 1C is a partial enlarged view in which a part of the light emitting device 10a shown in FIG. 1B (a part surrounded by a broken line in FIG. 1) is enlarged.
  • the inner surface of the frame member 3a (particularly, the surface in contact with the end of the phosphor-dispersed glass plate 4 or the surface in contact with the phosphor-dispersed glass plate 4 of the frame member 3a) is a mirror surface. Polished.
  • the inner surface of the frame member 3a has the same function as the reflecting mirror.
  • the outer surface of the frame member 3a (the surface in contact with the outside air or the surface opposite to the surface in contact with the phosphor-dispersed glass plate 4 of the frame member 3a) is subjected to black alumite treatment.
  • black alumite treatment the heat dissipation efficiency by the frame member 3a itself becomes high. That is, as described above, the frame member 3a directly transfers the heat generated by the phosphor-dispersed glass plate 4 to the heat radiating member 5 by the black alumite treatment, and at the same time radiates the heat to the outside air.
  • the mirror polishing and black alumite treatment described above can be similarly applied to the light emitting devices 10b to 10e described later.
  • the frame member 3a is connected to the heat dissipation member 5 without the substrate 1 interposed therebetween. More specifically, in the light emitting device 10a of the present embodiment, the lower part of the frame member 3a is penetrated (inserted) into the through hole h2 formed in the substrate 1, thereby allowing the frame member 3a to pass through the through hole h2. Are connected to the heat dissipation member 5.
  • the heat generated in the phosphor-dispersed glass plate 4 is directly transmitted to the heat radiating member 5 through the frame member 3a.
  • distribution glass plate 4 can be improved.
  • the frame member 3 a surrounds the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4. For this reason, it can suppress that fluorescence leaks from a side with respect to the paper surface of the fluorescent substance dispersion
  • the substrate 1, the frame member 3a, and the phosphor-dispersed glass plate 4 are all made of an inorganic material. For this reason, the heat resistance of the entire light emitting device 10a is improved, and the thermal conductivity is also increased. Further, in the light emitting device 10a, since the distance between the light emitting element 2 and the phosphor-dispersed glass plate 4 is large, the heat generated by the light emitting element 2 and the heat generated by the phosphor dispersed glass plate 4 can be separated. In the light emitting device 10 a, the frame member 3 a and the substrate 1 are separate bodies, and each is in contact with the heat radiating member 5.
  • the heat generation of the light emitting element 2 can be released to the heat radiating member 5 through different paths through the substrate 1 and the heat generated in the phosphor-dispersed glass plate 4 through the frame member 3a. Moreover, since the heat generated by the light emitting element 2 and the heat generated by the phosphor-dispersed glass plate 4 can be separated, it is possible to increase the output by passing a current through the light emitting element 2 more than ever. In addition, the number of chips of the light emitting element 2 can be increased. Thereby, high luminous flux and high brightness of the light emitting device 10a can be realized.
  • T j is the temperature of the PN junction of the LED chip and is called the junction temperature.
  • the limit temperature at which the PN junction is destroyed when the temperature is further increased is called the maximum junction temperature T jmax, and it is necessary to design the heat dissipation so as not to exceed this temperature. This is a very important temperature for heat dissipation design.
  • the specifications and number of the light emitting elements, and the types and concentrations of the phosphors dispersed in the sealing member (the phosphor dispersed glass plate 4 in the light emitting device 10a) were made common.
  • the light flux ratio of the light output from the light emitting device 10a when the light flux of the light output from the light emitting device of the comparative example is 1.0 is about 1.3, which is compared with the light emitting device of the comparative example.
  • the luminous flux increased by about 30%.
  • a large current can flow, so that a large luminous flux can be obtained even with the same T j .
  • FIG. 3 is a diagram comparing the light emitting device 10b according to Embodiment 2 of the present invention and the light emitting device 10a according to Embodiment 1 described above.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting device 10b.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting device 10a.
  • FIG. 4C is a top view when the light emitting device 10b is viewed from the illumination light output side.
  • the frame member 3b has a shape viewed from the illumination light output side of the light emitting device 10b, an annular portion surrounding the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4, and an annular shape. A substantially rectangular portion connected to each of the left and right ends of the paper surface is combined. The annular portion surrounds and supports the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4. Moreover, as shown to (a) of FIG.
  • the inner upper part with respect to the paper surface of the frame member 3b with respect to the left-right direction becomes a cross-sectional L-shape, and the side surface and lower surface in the edge of the fluorescent substance dispersion
  • distribution glass plate 4 It abuts and supports the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • the frame member 3b starts from a portion that contacts the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4, and is connected to the upper surface of the heat radiating member 5 by detouring in an L-shaped cross section so as to cover the upper surface and side surfaces of the end portion of the substrate 1. is doing.
  • the constituent material of the frame member 3b is the same as that of the frame member 3b mentioned above.
  • the light emitting device 10b has the light emission according to the first embodiment described above in that the frame member 3b is detoured so as to cover the end of the substrate 1 and is connected to the heat radiating member 5. Different from the device 10a. That is, in this embodiment, the frame member 3b and the heat radiating member 5 are connected by detouring the frame member 3b so as to cover the end portion of the substrate 1. Thereby, compared with the frame member 3a, the surface area of the frame member 3b in contact with the outside air is increased by the amount detoured so as to cover the end portion of the substrate 1, so that the heat radiation efficiency by the frame member 3b itself can be improved. .
  • T j 150 ° C.
  • the luminous flux of the light output from the light emitting device 10a is 1.0
  • the luminous flux ratio of the light output from the light emitting device 10b is about 1.04
  • the luminous flux is about 1.04 compared to the light emitting device 10a.
  • the frame member 3b is connected to the heat dissipation member 5 without the substrate 1 interposed therebetween. More specifically, in the light emitting device 10b of the present embodiment, the frame member 3b and the heat radiating member 5 are connected by bypassing the frame member 3b so as to cover the end portion of the substrate 1.
  • the heat generated in the phosphor-dispersed glass plate 4 is directly transmitted to the heat dissipation member 5 through the frame member 3b.
  • distribution glass plate 4 can be improved.
  • the frame member 3b surrounds the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4. For this reason, it can suppress that fluorescence leaks from the side of the fluorescent substance dispersion
  • the frame member 3b has a larger surface area in contact with the outside air as much as it detours so as to cover the end of the substrate 1 as compared with the frame member 3a, so that the heat dissipation efficiency by the frame member 3b itself can be improved.
  • the substrate 1, the frame member 3b, and the phosphor-dispersed glass plate 4 are all made of an inorganic material. For this reason, the heat resistance of the entire light emitting device 10b is improved, and the thermal conductivity is increased.
  • the frame member 3 a and the substrate 1 are separate bodies, and each is in contact with the heat radiating member 5. For this reason, the heat generation of the light emitting element 2 can be released to the heat radiating member 5 through different paths through the substrate 1 and the heat generated in the phosphor-dispersed glass plate 4 through the frame member 3b.
  • the heat generated by the light emitting element 2 and the heat generated by the phosphor-dispersed glass plate 4 can be separated, it is possible to increase the output by passing a current through the light emitting element 2 more than ever.
  • the number of chips of the light emitting element 2 can be increased. Thereby, high luminous flux and high brightness of the light emitting device 10b can be realized.
  • FIG. 4 is a diagram comparing the light emitting device 10c according to Embodiment 3 of the present invention and the light emitting device 10b according to Embodiment 2 described above.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting device 10c.
  • FIG. 4B is a top view when the light emitting device 10c is viewed from the illumination light output side.
  • FIG. 4C is a top view when the light emitting device 10b is viewed from the illumination light output side.
  • the frame member 3c has a shape as viewed from the illumination light output side of the light emitting device 10c, and an annular portion surrounding the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4, and an annular shape. It is connected to both the left and right ends with respect to the paper surface, and has a substantially saw-shaped portion having a saw blade-like heat radiation fin, and the annular portion is the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4 Surrounding and supporting. Further, as shown in FIG.
  • the upper part inside the frame member 3c has an L-shaped cross section, and comes into contact with the side surface and the lower surface of the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4, thereby phosphor-dispersed glass.
  • the plate 4 is supported.
  • the frame member 3c starts from a portion that contacts the edge of the phosphor-dispersed glass plate 4, and is connected to the upper surface of the heat radiating member 5 by detouring in an L-shaped cross section so as to cover the upper surface and side surfaces of the end portion of the substrate 1. is doing.
  • the constituent material of the frame member 3c is the same as that of the frame member 3a described above.
  • the light emitting device 10c according to the present embodiment is different from the light emitting device 10b according to the second embodiment described above in that the frame member 3c includes a saw blade-shaped heat radiation fin that radiates heat. .
  • the frame member 3c becomes easy to radiate
  • the features of the present embodiment described above can also be applied to the light emitting device 10d according to Embodiment 4 and the light emitting device 10e according to Embodiment 5 described later.
  • T j 150 ° C.
  • the luminous flux of the light output from the light emitting device 10a is 1.0
  • the luminous flux ratio of the light output from the light emitting device 10c is about 1.08
  • the luminous flux is about 1.08 compared to the light emitting device 10a.
  • the light emitting device 10c has higher heat dissipation efficiency than the light emitting device 10b according to the second embodiment in that the frame member 3c includes the heat radiation fins, but the other effects are the same as those of the light emitting device 10b. It is.
  • FIG. 5 is a diagram showing a structure of a light emitting device 10d according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the light emitting device 10d of the present embodiment has a space sealed with the substrate 1, the frame member 3a, and the phosphor-dispersed glass plate 4, and the inside of the space is filled with an inert gas such as nitrogen or Ar.
  • an inert gas such as nitrogen or Ar.
  • This is different from the light emitting device 10a according to Embodiment 1 described above.
  • corrosion and oxidation of a semiconductor element, a conductive wire, and the like due to moisture or the like can be prevented, and the reliability of the light emitting device 10d is improved.
  • the above-described features of the present embodiment can also be applied to the above-described light-emitting devices 10a to 10c according to Embodiments 1 to 3 and the light-emitting device 10e according to Embodiment 5 described later.
  • FIG. 6 is a diagram comparing the light emitting device 10e according to Embodiment 5 of the present invention and the light emitting device 10a according to Embodiment 1 described above.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting device 10e.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view showing the structure of the light emitting device 10a.
  • the light emitting device 10e of the present embodiment has a light emitting device 10e of the phosphor dispersed glass plate 4 with respect to the surface on the side irradiated with the light emitted from the light emitting element 2, rather than the phosphor dispersed glass plate 4. It differs from the light emitting device 10a according to the first embodiment described above in that a transparent heat dissipation substrate (thermally conductive member) 6 having high thermal conductivity is joined.
  • the thermal conductivity of the transparent heat radiating substrate 6 is higher than the thermal conductivity of the phosphor-dispersed glass plate 4, it is compared with the light emitting device 10a in which the transparent heat-radiating substrate 6 is not joined to the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • the heat dissipation efficiency of the heat generated in the phosphor-dispersed glass plate 4 can be further improved.
  • the features of the present embodiment described above can also be applied to the light emitting devices 10a to 10d according to the above-described first to fourth embodiments.
  • the transparent heat dissipation substrate 6 of the present embodiment is a substrate made of a material having translucency, such as sapphire (Al 2 O 3 ), and having a higher thermal conductivity than quartz glass. It is.
  • the transparent heat dissipation substrate 6 has a flat rectangular shape according to the shape of the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • the shape of the transparent heat dissipation substrate 6 is not limited to such a rectangular shape, and any closed figure shape can be adopted according to the shape of the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • magnesia MgO
  • gallium nitride GaN
  • spinel MgAl 2 O 4
  • a thermal conductivity of 20 W / (m ⁇ K) or more can be realized.
  • magnesia has deliquescence
  • the periphery of the transparent heat dissipation substrate 6 is filled with dry air or the light emitting device 10d according to the fourth embodiment described above.
  • nitrogen or an inert gas it is desirable to fill with nitrogen or an inert gas.
  • T j 150 ° C.
  • the luminous flux of light output from the light emitting device 10a is 1.0
  • the luminous flux ratio of the light output from the light emitting device 10e is approximately 1.05
  • the luminous flux is approximately 1.05 compared to the light emitting device 10a. Increased by 5%.
  • the light emitting device 10e has higher heat dissipation efficiency than the light emitting device 10a according to Embodiment 1 in that the transparent heat dissipation substrate 6 is bonded to the phosphor-dispersed glass plate 4.
  • Other effects are the same as those of the light emitting device 10a according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure of the illumination device 20 according to Embodiment 6 of the present invention.
  • the illuminating device 20 is an illuminating device used for high ceiling lighting, and is, for example, a spotlight or a downlight.
  • the lighting device 20 of this embodiment further includes a transparent plate 7, a housing 8, and a connection.
  • the unit 9 is provided.
  • the transparent plate 7 of this embodiment is a transparent glass plate that covers the opening of the housing 8.
  • the material of the transparent plate 7 may not be inorganic glass, but it is preferable not to use a heat-sensitive resin material.
  • the casing 8 stores therein one of the light emitting devices 10a to 10e according to the first to fifth embodiments.
  • the housing 8 may be formed of a light shielding member that shields illumination light output from any of the light emitting devices 10a to 10e.
  • the material of the housing 8 is ceramics as a noncombustible material. Further, for example, dry air (dry air) is sealed in the housing 8.
  • connection part 9 is for attaching the housing
  • all of the light emitting device, the transparent plate 7, the housing 8, and the connecting portion 9 are made of a noncombustible material such as glass, metal, or ceramics. For this reason, the illuminating device 20 can be suitably applied to an emergency light, explosion-proof illumination, or the like.
  • a light-emitting device includes a substrate (1) on which a light-emitting element is mounted and a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from the light-emitting element (2), and has a light-transmitting property.
  • An optical member phosphor-dispersed glass plate 4
  • a support member for supporting the translucent member
  • a heat dissipation member (abutting on the surface of the substrate opposite to the mounting side of the light emitting element)
  • a heat dissipating member 5 is connected to the heat dissipating member without the substrate interposed therebetween.
  • the supporting member is connected to the heat radiating member not via a board
  • produces in the translucent member containing a wavelength conversion material can be improved.
  • the light emitting device of the present invention it is possible to improve the heat dissipation efficiency of the heat generated by the translucent member including the wavelength conversion material.
  • the light emitting device according to aspect 2 of the present invention is the light emitting device according to aspect 1, wherein a through hole through which the lower part of the support member passes is formed in the substrate, and the lower part of the support member is interposed through the through hole. And may be connected to the heat dissipation member.
  • the lower part of the supporting member is connected to the heat radiating member via the through-hole formed in the board
  • the support member may be detoured so as to cover an end portion of the substrate and connected to the heat dissipation member. According to the above configuration, the surface area of the support member that comes into contact with the outside air is increased by the amount of detour so as to cover the end of the substrate, so that the heat dissipation efficiency of the support member itself can be improved.
  • the light-emitting device may be configured such that the support member includes a radiation fin that radiates heat. According to the said structure, since a support member becomes easy to thermally radiate heat with a radiation fin, the temperature rise of a translucent member can be suppressed more.
  • a light-emitting device has a space sealed with the substrate, the support member, and the light-transmitting member according to any one of the aspects 1 to 4, and the interior of the space May be filled with nitrogen or an inert gas. According to the above configuration, for example, corrosion or oxidation of a semiconductor element or a conductive wire due to moisture or the like can be prevented, and the reliability of the light emitting device is improved.
  • the light-emitting device is the light-transmitting member according to any one of the above-described aspects 1 to 5, with respect to a surface of the light-transmitting member that is irradiated with light emitted from the light-emitting element.
  • a heat conductive member having a higher heat conductivity may be bonded.
  • the surface of the support member that contacts the light transmitting member may be mirror-polished. According to the said structure, fluorescence can be reflected in the surface which contacts the translucent member of a supporting member.
  • the surface of the support member opposite to the surface in contact with the light transmissive member may be black anodized. According to the said structure, compared with the support member which is not black-anodized, the thermal radiation efficiency by the support member itself becomes high.
  • the lighting device according to aspect 9 of the present invention preferably includes any one of the light-emitting devices according to aspects 1 to 8. According to the said structure, the illuminating device which can improve the thermal radiation efficiency of the heat which generate
  • the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on aspect 10 of this invention is a translucent member containing the wavelength conversion material which converts the wavelength of the light which the light-emitting element mounted
  • the light-emitting device which can improve the thermal radiation efficiency of the heat which generate
  • the present invention is suitable for a light-emitting device that uses wavelength-converted light generated from a translucent member that includes a wavelength conversion material that converts the wavelength of light emitted from a light-emitting element as illumination light, an illumination device that includes the light-emitting device, and the like. Can be used.
  • Substrate 2 Light-emitting element 3a to 3c Frame member (support member) 4 Phosphor dispersed glass plate (translucent member) 5 Heat dissipation member 6 Transparent heat dissipation substrate (thermally conductive member) 10a to 10e Light emitting device 20 Illuminating device h2 Through hole

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Abstract

　波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させる。発光素子（２）が実装された基板（１）と、蛍光体分散ガラス板（４）と、蛍光体分散ガラス板（４）を支持する枠部材（３ａ）と、放熱部材（５）と、を備え、枠部材（３ａ）が、基板（１）を介さずに放熱部材（５）に接続されている。

Description

発光装置、照明装置、および発光装置の製造方法
　本発明は、発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含む透光部材から発生する波長変換光を照明光として利用する発光装置、該発光装置を備えた照明装置、および該発光装置の製造方法に関する。
　近年、発光装置の光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）が用いられることが多くなっている。このようなＬＥＤを用いた発光装置として、基板に対して複数のＬＥＤのベアチップを配置し、各ＬＥＤチップをボンディングワイヤで電気的に接続して基板に実装したものがある。
　このような従来の発光装置の一例として、特許文献１に開示された発光装置がある。図８の（ａ）に示すように、この発光装置では、複数の発光素子（ＬＥＤ）の実装領域を囲むように枠部材が形成され、この枠部材の内側が、上記複数の発光素子などを含めて、封止部材（シリコーン樹脂）で封止されている。この封止部材は、透光性を有しており、蛍光体を含んでいる。
　また、上記のような従来の発光装置の別の例として、特許文献２に開示された発光装置がある。図８の（ｂ）に示すように、この発光装置では、複数のＬＥＤチップの実装領域を囲むように側壁が形成され、無機ガラスから成るレンズカバーの端部が、側壁に対して接合材料により接合されている。このレンズカバーには、波長変換材が混入されている。
日本国公開特許公報「特開２０１１－７１２４２号公報（２０１１年４月７日公開）」 日本国公開特許公報「特開２００７－２５０８１７号公報（２００７年９月２７日公開）」
　しかしながら、上述のような従来の発光装置には、以下のような問題点がある。例えば、上記の図８の（ａ）に示す発光装置では、ＬＥＤチップのチップ数を増加させたり、より高出力なＬＥＤチップを使用したりして、高光束化・高輝度化を実現しようとしても、封止部材中に含まれている蛍光体が、ＬＥＤチップからの発熱、および波長変換ロスによる蛍光体自身の発熱によって高温となり、波長変換効率が著しく低下するという問題点がある。これは、波長変換部（蛍光体およびシリコーン樹脂）がＬＥＤチップの近傍にあるため、ＬＥＤチップおよび蛍光体自身の発熱により蛍光体の温度が上昇し、蛍光体の波長変換効率が低下するからであると考えられる。
　次に、図８の（ｂ）に示す発光装置では、基板のＬＥＤチップの実装側と反対側の面に放熱部材（ヒートシンク）を当接させてレンズカバーで発生する熱（蛍光体が原因）を放熱させる場合、その経路は、レンズカバー→側壁→基板→放熱部材となる。このため、レンズカバーは、側壁と放熱部材との間にさらに基板を介在させた状態で熱を放熱させることになるため、レンズカバーの放熱効率が悪いという問題点がある。
　本発明は、以上の問題点に鑑みて為されたものであって、その目的は、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができる発光装置などを提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、発光素子が実装された基板と、上記発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含み、透光性を有する透光部材と、上記透光部材を支持する支持部材と、上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接する放熱部材と、を備え、上記支持部材が、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続されていることを特徴としている。
　また、上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、発光素子が実装された基板と、上記発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含む透光部材と、上記透光部材を支持する支持部材と、を備えた発光装置の製造方法であって、放熱部材を、上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接させる工程と、上記支持部材を、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続する工程と、を含むことを特徴としている。
　本発明の一態様によれば、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができるという効果を奏する。
本発明の実施形態１に係る発光装置の構造または外観を示す図であり、（ａ）は、上記実施形態１に係る発光装置を照明光出力側から見たときの上面図であり、（ｂ）は、図１の（ａ）に示す発光装置のＡ－Ｂ線断面図であり、（ｃ）は、図１の（ｂ）に示す発光装置の一部を拡大した部分拡大図であり、（ｄ）は、上記実施形態１に係る発光装置全体の外観を示す斜視図である。 上記実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明するための図であり、（ａ）は、基板および支持部材の構造を示す図であり、（ｂ）は、図２の（ａ）に示す上記基板に形成された貫通孔に上記支持部材の下部を挿し込んだときの状態を示す図であり、（ｃ）は、図２の（ｂ）に示す構成における支持部材に対して透光部材を嵌め込んだときの状態を示す図である。 本発明の実施形態２に係る発光装置と、上記実施形態１に係る発光装置とを比較した図であり、（ａ）は、上記実施形態２に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、上記実施形態１に係る発光装置の構造を示す断面図である。 本発明の実施形態３に係る発光装置と、上記実施形態２に係る発光装置とを比較した図であり、（ａ）は、上記実施形態３に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、上記実施形態３に係る発光装置を照明光出力側から見たときの上面図であり、（ｃ）は、上記実施形態２に係る発光装置を照明光出力側から見たときの上面図である。 本発明の実施形態４に係る発光装置の構造を示す断面図である。 本発明の実施形態５に係る発光装置と、上記実施形態１に係る発光装置とを比較した図であり、（ａ）は、上記実施形態５に係る発光装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、上記実施形態１に係る発光装置の構造を示す断面図である。 本発明の実施形態６に係る照明装置の構造を示す断面図である。 従来の発光装置の構成例を示す図であり、（ａ）は、従来の発光装置の一例の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、従来の発光装置の別の例の構造を示す断面図である。
　本発明の実施の形態について図１～図８に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
　〔実施形態１〕
　図１は、本発明の実施形態１に係る発光装置１０ａの構造または外観を示す図である。図１の（ａ）は、発光装置１０ａを照明光出力側から見たときの上面図である（但し、同図では、後述する放熱部材５は省略している）。また、図１の（ｂ）は、図１の（ａ）に示す発光装置１０ａのＡ－Ｂ線断面図である（但し、同図では、放熱部材５を含めている）。さらに、図１の（ｄ）は、発光装置１０ａ全体の外観を示す斜視図である。これらの図に示すように、発光装置１０ａは、基板１、発光素子２、枠部材（支持部材）３ａ、蛍光体分散ガラス板（透光部材）４、および放熱部材５を備えている。
　（基板１）
　基板１（回路基板）は、図１の（ａ）に示すように、平板状の矩形形状を為すＣＯＢ（Chip On Board）基板である。基板１の形状は、このような矩形形状に限定されず、必要に応じて任意の閉じた図形形状を採用することができる。基板１の構成材料は、アルミニウムなどの金属材料、またはセラミックスなどの無機材料とすることが望ましい。なお、本実施形態では、基板１の構成材料をアルミニウムとし、このアルミニウムの表面上に絶縁層を形成している。アルミニウムの熱伝導率は、２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるため、絶縁層を除く基板１の熱伝導率は、２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）となる。
　次に、図１の（ｂ）に示すように、基板１上には、複数の発光素子２が実装されている。また、図１の（ａ）に示すように、基板１は、矩形形状の左上端にアノードＡＮを備え、右下端にカソードＣＡを備えており、このアノードＡＮおよびカソードＣＡを介して上記の発光素子２に電力が供給されるようになっている。さらに、基板１の矩形形状の左下端および右上端のそれぞれには、基板１に放熱部材５を取付けるための取付孔ｈ１が形成されている。基板１は、取付孔ｈ１を介してネジなどにより放熱部材５に固定される。
　（発光素子２）
　発光素子２（励起光源）は、半導体発光素子であり、例えば、ＬＥＤのベアチップ（以下、単に「ＬＥＤチップ」という）等で構成される。本実施形態では、複数のＬＥＤチップが基板１上に実装されている。複数のＬＥＤチップの基板１への実装は、フェイスアップ（ワイヤボンディング）およびフェイスダウン（フリップチップ）のいずれであっても良い。
　（枠部材３ａ）
　枠部材３ａは、図１の（ａ）に示すように、発光装置１０ａの照明光出力側から見た形状は、後述する蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲む円環形状を為しており、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲んで支持している。枠部材３ａの形状は、このような円環形状に限定されず、必要に応じて任意の環形状を採用することができる。また、図１の（ｂ）に示すように枠部材３ａの紙面に対して左右方向の内側の上部は、断面Ｌ字状となっており、蛍光体分散ガラス板４の縁における側面および下面と当接して蛍光体分散ガラス板４を支持している。また、枠部材３ａの下部底面は、後述する放熱部材５の上面に当接して熱的に接続されている。枠部材３ａの構成材料は、無機材料であることが望ましく、例えば、熱伝導率が高い金属を用いることが好ましい。なお、本実施形態の枠部材３ａの構成材料は、アルミニウムであるが、これに限定されない。アルミニウムの熱伝導率は、２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるため、枠部材３ａの熱伝導率は、約２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）となる。
　また、本実施形態では、蛍光体分散ガラス板４を支持する支持部材の一例として、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲む枠状の部材である枠部材３ａを例にとって説明するが、支持部材は、枠状の部材でなくてもよく、蛍光体分散ガラス板４を支持する部材であればよい。
　（蛍光体分散ガラス板４）
　蛍光体分散ガラス板４は、発光素子２が発した光の波長を変換する波長変換材が分散された、透光性を有する透光板（透光部材）の一例である。本実施形態の蛍光体分散ガラス板４の主材料は、無機ガラスである。このため、従来のシリコーン樹脂などの樹脂材料を主材料とする構成と比較して、高温耐性が高く、割れや変性が生じにくく、特性や信頼性の低下を抑制することができる。なお、透光板の材料は、無機ガラスでなくても良いが、シリコーン樹脂などの熱に弱い樹脂材料は用いないことが好ましい。蛍光体分散ガラス板４に分散される波長変換材としては、例えば、無機蛍光体粒子を用いることが望ましい。なお、本実施形態では、波長変換材として、イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体（Ｙ２Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋；通常、ＹＡＧ蛍光体と称される）を使用しているが、これに限定されない。
　（放熱部材５）
　放熱部材５は、熱伝導性の高い金属材料で構成されるヒートシンクであり、熱を外気に放熱させる機能を有する。図１の（ｂ）に示すように放熱部材５は、紙面に対して下側に鋸刃状の放熱フィンを備えることで、より放熱効果を向上させている。本実施形態の放熱部材５の構成材料は、アルミニウムであるが、これに限定されない。アルミニウムの熱伝導率は、２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるため、放熱部材５の熱伝導率は、約２３６Ｗ／（ｍ・Ｋ）となる。
　（発光装置の製造方法）
　図２は、上述した発光装置１０ａの製造方法を説明するための図である。ここでは、発光装置１０ａの製造方法について説明するが、後述する発光装置１０ｂ～１０ｅもほぼ同様の製造方法を経て製造することができる。発光装置１０ａの製造方法は、大きく分けて、（１）放熱部材５を基板１の発光素子２の実装側と反対側の面に当接させる工程と、（２）枠部材３ａを、基板１を介さずに放熱部材５に接続する工程とを含む。なお、上記（１）および（２）の各工程の順序は任意である。本実施形態では、基板１に形成された貫通孔ｈ２（枠部材挿入孔）に枠部材３ａの下部を貫通させる（挿し込む）ことで、枠部材３ａを、貫通孔ｈ２を介して放熱部材５に接続している。
　具体的には、図２の（ａ）に示すように基板１の貫通孔ｈ２に枠部材３ａの下部を挿し込んで基板１に枠部材３ａを取り付けると、図２の（ｂ）に示す状態になる。次に、無機系接着剤を使用し、枠部材３ａの内側に蛍光体分散ガラス板４を嵌め込んで枠部材３ａに蛍光体分散ガラス板４を取り付けると、図２の（ｃ）に示す状態になる。
　さらに、熱を放熱するための放熱部材５を、基板１の発光素子２の実装側と反対側の面に当接させると、図１の（ｂ）に示す発光装置１０ａが得られる。これにより、枠部材３ａの下部は、貫通孔ｈ２を介して放熱部材５に接続されることになる。このため、貫通孔ｈ２を通して、枠部材３ａと放熱部材５とが熱的に接続される。
　（鏡面研磨・黒色アルマイト処理）
　次に、図１の（ｃ）は、図１の（ｂ）に示す発光装置１０ａの一部（同図の破線で囲まれた部分）を拡大した部分拡大図である。同図に示すように、枠部材３ａの内側の面（特に、蛍光体分散ガラス板４の端部と当接する面、または枠部材３ａの蛍光体分散ガラス板４に接触する面）は、鏡面研磨されている。これにより、枠部材３ａの内側の面は反射鏡と同様の機能を有する。よって、蛍光体分散ガラス板４の側方から横方向に漏れる蛍光を反射して蛍光体分散ガラス板４の内部に戻し易くすることができる。また、これにより、蛍光体分散ガラス板４の前方（照明光出力側）へ出射される光の割合をより増加させることができる。
　次に、枠部材３ａの外側の面（外気と接触する面、または枠部材３ａの蛍光体分散ガラス板４に接触する面と反対側の面）は、黒色アルマイト処理されている。これにより、黒色アルマイト処理されていない枠部材と比較して、枠部材３ａそのものによる放熱効率が高くなる。すなわち、枠部材３ａは、上述したように、黒色アルマイト処理により、蛍光体分散ガラス板４の発熱を直接放熱部材５へ伝えると同時に、枠部材３ａ自ら熱を外気へ放熱する。なお、上述した鏡面研磨および黒色アルマイト処理は、後述する発光装置１０ｂ～１０ｅにおいても同様に適用することができる。
　（発光装置１０ａの効果）
　上述したように発光装置１０ａでは、枠部材３ａが、基板１を介さずに放熱部材５に接続されている。より具体的には、本実施形態の発光装置１０ａでは、基板１に形成された貫通孔ｈ２に枠部材３ａの下部を貫通させる（挿し込む）ことで、枠部材３ａを、貫通孔ｈ２を介して放熱部材５に接続している。
　このため、蛍光体分散ガラス板４で発生した熱が枠部材３ａを介して直接放熱部材５へ伝達される。これにより、枠部材が、基板を介して放熱部材に接続される発光装置と比較して、蛍光体分散ガラス板４で発生する熱の放熱効率を向上させることができる。また、発光装置１０ａでは、枠部材３ａは、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲んでいる。このため、蛍光体分散ガラス板４の紙面に対して側方から蛍光が横方向に漏れてしまうことを抑制することができる。これにより、蛍光体分散ガラス板４の前方（照明光出力側）へ出射される光の割合を増加させることができる。
　また、発光装置１０ａでは、基板１、枠部材３ａおよび蛍光体分散ガラス板４のすべてが無機材料で構成されている。このため、発光装置１０ａ全体の耐熱性が向上し、また熱伝導率も高くなる。また、発光装置１０ａでは、発光素子２と蛍光体分散ガラス板４との距離が離れているため、発光素子２による発熱と、蛍光体分散ガラス板４での発熱を分離できる。また、発光装置１０ａでは、枠部材３ａと基板１とは別体であり、それぞれが放熱部材５に接している。このため、発光素子２の発熱は基板１を通して、また、蛍光体分散ガラス板４での発熱は枠部材３ａを通して、別々の経路で放熱部材５へ逃がすことができる。また、発光素子２による発熱と蛍光体分散ガラス板４での発熱を分離できるので、今まで以上に発光素子２に電流を流して出力を上げることができる。また、発光素子２のチップ数を増加させることもできる。これにより、発光装置１０ａの高光束化・高輝度化を実現できる。
　ここで、実際に発光装置１０ａを試作し、出力される光の光束を、Ｔｊ＝１５０℃で、図８の（ａ）に示す発光装置（以下、比較例と呼ぶ）と比較した。
　ここで、ＴｊとはＬＥＤチップのＰＮ接合部の温度のことで、ジャンクション温度と呼ばれるものである。また、これ以上に温度を上げるとＰＮ接合が破壊されてしまう限界の温度を最大ジャンクション温度Ｔｊｍａｘといい、この温度を越えないように放熱設計をする必要がある。放熱設計を行うにあたり、非常に重要な温度である。
　この比較の際、発光素子の仕様および数、封止部材（発光装置１０ａでは、蛍光体分散ガラス板４）中に分散された蛍光体の種類および濃度は共通にした。このとき、比較例の発光装置から出力される光の光束を１．０としたときの発光装置１０ａから出力される光の光束比は、約１．３となり、比較例の発光装置と比較して光束が約３０％増加した。以上により、発光装置１０ａによれば、大電流を流すことができるため、同じＴｊでも大光束を得ることができる。
　〔実施形態２〕
　図３は、本発明の実施形態２に係る発光装置１０ｂと、上記実施形態１に係る発光装置１０ａとを比較した図である。図３の（ａ）は、発光装置１０ｂの構造を示す断面図である。一方、図３の（ｂ）は、発光装置１０ａの構造を示す断面図である。また、図４の（ｃ）は、発光装置１０ｂを照明光出力側から見たときの上面図である。
　（枠部材３ｂ）
　枠部材３ｂは、図４の（ｃ）に示すように、発光装置１０ｂの照明光出力側から見た形状は、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲む円環形状の部分と、円環の紙面に対して左右両端のそれぞれに接続する略矩形形状の部分と、が組合された形状を為しており、円環部分が蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲んで支持している。また、図３の（ａ）に示すように枠部材３ｂの紙面に対して左右方向に対する内側の上部は、断面Ｌ字状となっており、蛍光体分散ガラス板４の縁における側面および下面と当接して蛍光体分散ガラス板４を支持している。また、枠部材３ｂは、蛍光体分散ガラス板４の縁に当接する部分から始まり、基板１の端部の上面および側面を覆うように断面Ｌ字状に迂回して放熱部材５の上面に接続している。なお、枠部材３ｂの構成材料は、上述した枠部材３ｂと同様である。
　以上のように、本実施形態の発光装置１０ｂは、枠部材３ｂが、基板１の端部を覆うように迂回して放熱部材５に接続されている点で、上述した実施形態１に係る発光装置１０ａと異なっている。すなわち、本実施形態では、枠部材３ｂを基板１の端部を覆うように迂回させることで、枠部材３ｂと放熱部材５とを接続している。これにより、枠部材３ａと比較して、基板１の端部を覆うように迂回する分だけ外気に接する枠部材３ｂの表面積が大きくなるため、枠部材３ｂそのものによる放熱効率を向上させることができる。また、このため、蛍光体分散ガラス板４での発熱を、枠部材３ｂを介して放熱し易くなる（放熱効率の向上）。なお、上述した本実施形態の特徴は、後述する実施形態４に係る発光装置１０ｄおよび実施形態５に係る発光装置１０ｅにも適用することができる。
　ここで、実際に発光装置１０ａおよび１０ｂのそれぞれを試作し、出力される光の光束を、Ｔｊ＝１５０℃で比較した。このとき、発光装置１０ａから出力される光の光束を１．０としたときの発光装置１０ｂから出力される光の光束比は、約１．０４となり、発光装置１０ａと比較して光束が約４％増加した。
　（発光装置１０ｂの効果）
　上述したように発光装置１０ｂでは、枠部材３ｂが、基板１を介さずに放熱部材５に接続されている。より具体的には、本実施形態の発光装置１０ｂでは、枠部材３ｂを基板１の端部を覆うように迂回させることで、枠部材３ｂと放熱部材５とを接続している。
　このため、蛍光体分散ガラス板４で発生した熱が枠部材３ｂを介して直接放熱部材５へ伝達される。これにより、枠部材が、基板を介して放熱部材に接続される発光装置と比較して、蛍光体分散ガラス板４で発生する熱の放熱効率を向上させることができる。また、発光装置１０ｂでは、枠部材３ｂは、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲んでいる。このため、蛍光体分散ガラス板４の側方から蛍光が横方向に漏れてしまうことを抑制することができる。これにより、蛍光体分散ガラス板４の前方へ出射される光の割合を増加させることができる。
　また、枠部材３ｂは、枠部材３ａと比較して、基板１の端部を覆うように迂回する分だけ外気に接する表面積が大きくなるため、枠部材３ｂそのものによる放熱効率を向上させることができる。さらに、発光装置１０ｂでは、基板１、枠部材３ｂおよび蛍光体分散ガラス板４のすべてが無機材料で構成されている。このため、発光装置１０ｂ全体の耐熱性が向上し、また熱伝導率も高くなる。また、発光装置１０ｂでは、発光素子２と蛍光体分散ガラス板４との距離が離れているため、発光素子２による発熱と、蛍光体分散ガラス板４での発熱を分離できる。また、発光装置１０ｂでは、枠部材３ａと基板１とは別体であり、それぞれが放熱部材５に接している。このため、発光素子２の発熱は基板１を通して、また、蛍光体分散ガラス板４での発熱は枠部材３ｂを通して、別々の経路で放熱部材５へ逃がすことができる。また、発光素子２による発熱と蛍光体分散ガラス板４での発熱を分離できるので、今まで以上に発光素子２に電流を流して出力を上げることができる。また、発光素子２のチップ数を増加させることもできる。これにより、発光装置１０ｂの高光束化・高輝度化を実現できる。
　〔実施形態３〕
　図４は、本発明の実施形態３に係る発光装置１０ｃと、上記実施形態２に係る発光装置１０ｂとを比較した図である。図４の（ａ）は、発光装置１０ｃの構造を示す断面図である。また、図４の（ｂ）は、上記の発光装置１０ｃを照明光出力側から見たときの上面図である。一方、図４の（ｃ）は、上記の発光装置１０ｂを照明光出力側から見たときの上面図である。
　（枠部材３ｃ）
　枠部材３ｃは、図４の（ｂ）に示すように、発光装置１０ｃの照明光出力側から見た形状は、蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲む円環形状の部分と、円環の紙面に対して左右両端のそれぞれに接続し、鋸刃状の放熱フィンを備える略鋸形状の部分と、が組合された形状を為しており、円環部分が蛍光体分散ガラス板４の縁を取り囲んで支持している。また、図４の（ａ）に示すように枠部材３ｃの内側の上部は、断面Ｌ字状となっており、蛍光体分散ガラス板４の縁における側面および下面と当接して蛍光体分散ガラス板４を支持している。また、枠部材３ｃは、蛍光体分散ガラス板４の縁に当接する部分から始まり、基板１の端部の上面および側面を覆うように断面Ｌ字状に迂回して放熱部材５の上面に接続している。なお、枠部材３ｃの構成材料は、上述した枠部材３ａと同様である。
　以上のように、本実施形態の発光装置１０ｃは、枠部材３ｃが、熱を放熱する鋸刃状の放熱フィンを備えている点で、上述した実施形態２に係る発光装置１０ｂと異なっている。これにより、枠部材３ｃは放熱フィンにより熱を放熱し易くなるため、蛍光体分散ガラス板４の温度上昇をより抑制することができる。なお、上述した本実施形態の特徴は、後述する実施形態４に係る発光装置１０ｄおよび実施形態５に係る発光装置１０ｅにも適用することができる。
　ここで、実際に発光装置１０ａおよび１０ｃのそれぞれを試作し、出力される光の光束を、Ｔｊ＝１５０℃で比較した。このとき、発光装置１０ａから出力される光の光束を１．０としたときの発光装置１０ｃから出力される光の光束比は、約１．０８となり、発光装置１０ａと比較して光束が約８％増加した。
　（発光装置１０ｃの効果）
　発光装置１０ｃは、上述したように、枠部材３ｃが放熱フィンを備える点で、実施形態２に係る発光装置１０ｂよりも放熱効率が高くなっているが、その他の効果は、発光装置１０ｂと同様である。
　〔実施形態４〕
　図５は、本発明の実施形態４に係る発光装置１０ｄの構造を示す図である。本実施形態の発光装置１０ｄは、基板１、枠部材３ａおよび蛍光体分散ガラス板４で密閉された空間を有しており、上記空間の内部が、窒素、またはＡｒなどの不活性ガスで満たされている点で、上述した実施形態１に係る発光装置１０ａと異なっている。これにより、水分などが原因による半導体素子や導電性ワイヤなどの腐食や酸化を防ぐことができ、発光装置１０ｄの信頼性が向上する。なお、上述した本実施形態の特徴は、上述した実施形態１～３に係る発光装置１０ａ～１０ｃ、および後述する実施形態５に係る発光装置１０ｅにも適用することができる。
　（発光装置１０ｄの効果）
　発光装置１０ｄは、上述したように、基板１、枠部材３ａおよび蛍光体分散ガラス板４で密閉された空間の内部が、窒素または不活性ガスで満たされていることにより、水分などが原因による半導体素子や導電性ワイヤなどの腐食や酸化を防ぐことができ、発光装置１０ｄの信頼性が向上させることが可能になるという効果を奏するが、その他の効果は、実施形態１に係る発光装置１０aと同様である。
　〔実施形態５〕
　図６は、本発明の実施形態５に係る発光装置１０ｅと、上記実施形態１に係る発光装置１０ａとを比較した図である。図５の（ａ）は、発光装置１０ｅの構造を示す断面図である。一方、図５の（ｂ）は、発光装置１０ａの構造を示す断面図である。
　これらの図に示すように、本実施形態の発光装置１０ｅは、蛍光体分散ガラス板４の発光素子２が発した光が照射される側の面に対して、蛍光体分散ガラス板４よりも高い熱伝導率を有する透明放熱基板（熱伝導性部材）６が接合されている点で、上述した実施形態１に係る発光装置１０ａと異なっている。これにより、蛍光体分散ガラス板４の熱伝導率よりも透明放熱基板６の熱伝導率が高いため、蛍光体分散ガラス板４に透明放熱基板６が接合されていない発光装置１０ａと比較して、蛍光体分散ガラス板４で発生する熱の放熱効率をより向上させることができる。なお、上述した本実施形態の特徴は、上述した実施形態１～４に係る発光装置１０ａ～１０ｄにも適用することができる。
　次に、本実施形態の透明放熱基板６は、例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３）のように、透光性を有し、石英ガラスと比較して高い熱伝導率を有する材料で構成された基板である。透明放熱基板６は、蛍光体分散ガラス板４の形状に合わせて、平板状の矩形形状を為す。なお、透明放熱基板６の形状は、このような矩形形状に限定されず、蛍光体分散ガラス板４の形状に合わせて、任意の閉じた図形形状を採用することができる。
　また、透明放熱基板６の材料としては、上述したサファイア（Ａｌ２Ｏ３）の他、マグネシア（ＭｇＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）が好ましい。これらの材料を用いることにより、熱伝導率２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上を実現できる。但し、マグネシアは、潮解性をもつため、透明放熱基板６の構成材料としてマグネシアを選択する場合は、透明放熱基板６の周囲を乾燥空気で満たすか、上述した実施形態４に係る発光装置１０ｄのように、窒素または不活性ガスで満たすことが望ましい。
　ここで、実際に発光装置１０ａおよび１０ｅのそれぞれを試作し、出力される光の光束を、Ｔｊ＝１５０℃で比較した。このとき、発光装置１０ａから出力される光の光束を１．０としたときの発光装置１０ｅから出力される光の光束比は、約１．０５となり、発光装置１０ａと比較して光束が約５％増加した。
　（発光装置１０ｅの効果）
　発光装置１０ｅは、上述したように、蛍光体分散ガラス板４に対して透明放熱基板６が接合されている点で、実施形態１に係る発光装置１０ａよりも放熱効率が高くなっているが、その他の効果は、実施形態１に係る発光装置１０ａと同様である。
　〔実施形態６〕
　図７は、本発明の実施形態６に係る照明装置２０の構造を示す断面図である。照明装置２０は、高天井照明などに用いられる照明装置であり、例えば、スポットライトやダウンライトなどである。同図に示すように、本実施形態の照明装置２０は、上述した実施形態１～５に係る発光装置１０ａ～１０ｅのうちのいずれかに加えて、さらに透明板７、筐体８、および接続部９を備える。
　（透明板７，筐体８，接続部９）
　本実施形態の透明板７は、筐体８の開口部を覆う透明なガラス板である。なお、透明板７の材料は、無機ガラスでなくても良いが、熱に弱い樹脂材料などは用いないことが好ましい。筐体８は、その内部に、上述した実施形態１～５に係る発光装置１０ａ～１０ｅのうちのいずれかを格納している。筐体８は、発光装置１０ａ～１０ｅのいずれかから出力される照明光を遮光する遮光部材で構成すればよい。本実施形態では、筐体８の材料は、不燃材料としてのセラミックスを用いている。また、筐体８の内部には、例えば、ドライエア（乾燥空気）が封入されている。そして、このドライエアの露点温度は、例えば－３５℃であり、発光素子２、蛍光体分散ガラス板４などの温度上昇を抑制している。次に、接続部９は、筐体８を天井に取り付けるためのものであり、その構成材料は、筐体８と同様、セラミックスまたはアルミニウムなどの金属である。
　本実施形態の照明装置２０では、発光装置、透明板７、筐体８および接続部９のすべてを、ガラス、金属、セラミックスなどの不燃材料で構成している。このため、照明装置２０は、非常灯や防爆用照明などに好適に応用することができる。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る発光装置は、発光素子が実装された基板（１）と、上記発光素子（２）が発した光の波長を変換する波長変換材を含み、透光性を有する透光部材（蛍光体分散ガラス板４）と、上記透光部材を支持する支持部材（枠部材３ａ～３ｃ）と、上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接する放熱部材（放熱部材５）と、を備え、上記支持部材が、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続されている構成である。上記構成によれば、支持部材が、基板を介さずに放熱部材に接続されている。このため、透光部材で発生した熱が支持部材を介して直接放熱部材へ伝達される。これにより、支持部材が、基板を介して放熱部材に接続される発光装置と比較して、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができる。以上により、本発明の発光装置によれば、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができる。
　また、本発明の態様２に係る発光装置は、上記態様１において、上記基板に上記支持部材の下部が貫通される貫通孔が形成されており、上記支持部材の下部は、上記貫通孔を介して上記放熱部材に接続されていても良い。上記構成によれば、支持部材の下部が、基板に形成された貫通孔を介して放熱部材に接続されている。このため、貫通孔を通して、支持部材と放熱部材とを熱的に接続することが可能になる。
　また、本発明の態様３に係る発光装置は、上記態様１において、上記支持部材は、上記基板の端部を覆うように迂回して上記放熱部材に接続されていても良い。上記構成によれば、基板の端部を覆うように迂回する分だけ外気に接する支持部材の表面積が大きくなるため、支持部材そのものによる放熱効率を向上させることができる。
　また、本発明の態様４に係る発光装置は、上記態様１～３のいずれかにおいて、上記支持部材は、熱を放熱する放熱フィンを備えていても良い。上記構成によれば、支持部材は放熱フィンにより熱を放熱し易くなるため、透光部材の温度上昇をより抑制することができる。
　また、本発明の態様５に係る発光装置は、上記態様１～４のいずれかにおいて、上記基板、上記支持部材、および上記透光部材で密閉された空間を有しており、上記空間の内部が、窒素または不活性ガスで満たされていても良い。上記構成によれば、例えば、水分などが原因による半導体素子や導電性ワイヤなどの腐食や酸化を防ぐことができ、発光装置の信頼性が向上する。
　また、本発明の態様６に係る発光装置は、上記態様１～５のいずれかにおいて、上記透光部材の上記発光素子が発した光が照射される側の面に対して、上記透光部材よりも高い熱伝導率を有する熱伝導性部材が接合されていても良い。上記構成によれば、透光部材の熱伝導率よりも熱伝導性部材の熱伝導率が高いため、透光部材に熱伝導性部材が接合されていない発光装置と比較して、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率をより向上させることができる。
　また、本発明の態様７に係る発光装置は、上記態様１～６のいずれかにおいて、上記支持部材の上記透光部材に接触する面が鏡面研磨されていても良い。上記構成によれば、支持部材の透光部材に接触する面で蛍光を反射させることができる。
　また、本発明の態様８に係る発光装置は、上記態様１～７のいずれかにおいて、上記支持部材の上記透光部材に接触する面と反対側の面が黒色アルマイト処理されていても良い。上記構成によれば、黒色アルマイト処理されていない支持部材と比較して、支持部材そのものによる放熱効率が高くなる。
　また、本発明の態様９に係る照明装置は、上記態様１～８のいずれかの発光装置を備えていることが好ましい。上記構成によれば、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができる照明装置を実現することができる。
　また、本発明の態様１０に係る発光装置の製造方法は、発光素子が実装された基板と、上記発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含む透光部材と、上記透光部材の縁を取り囲んで支持する枠部材と、を備えた発光装置の製造方法であって、放熱部材を、上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接させる工程と、上記枠部材を、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続する工程と、を含む方法である。上記方法によれば、波長変換材を含む透光部材で発生する熱の放熱効率を向上させることができる発光装置を製造することができる。
　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含む透光部材から発生する波長変換光を照明光として利用する発光装置や、該発光装置を備えた照明装置などに好適に利用することができる。
　　１　　基板
　　２　　発光素子
　　３ａ～３ｃ　　枠部材（支持部材）
　　４　　蛍光体分散ガラス板（透光部材）
　　５　　放熱部材
　　６　　透明放熱基板（熱伝導性部材）
　　１０ａ～１０ｅ　　発光装置
　２０　　照明装置
　　ｈ２　貫通孔

Claims (10)

  1. 　発光素子が実装された基板と、
    　上記発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含み、透光性を有する透光部材と、
    　上記透光部材を支持する支持部材と、
    　上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接する放熱部材と、を備え、
    　上記支持部材が、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続されていることを特徴とする発光装置。
  2. 　上記基板に上記支持部材の下部が貫通される貫通孔が形成されており、
    　上記支持部材の下部は、上記貫通孔を介して上記放熱部材に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 　上記支持部材は、上記基板の端部を覆うように迂回して上記放熱部材に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  4. 　上記支持部材は、熱を放熱する放熱フィンを備えていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 　上記発光装置は、上記基板、上記支持部材、および上記透光部材で密閉された空間を有しており、上記空間の内部が、窒素または不活性ガスで満たされていることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 　上記透光部材の上記発光素子が発した光が照射される側の面に対して、上記透光部材よりも高い熱伝導率を有する熱伝導性部材が接合されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　上記支持部材の上記透光部材に接触する面が鏡面研磨されていることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 　上記支持部材の上記透光部材に接触する面と反対側の面が黒色アルマイト処理されていることを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光装置を備えていることを特徴とする照明装置。
  10. 　発光素子が実装された基板と、
    　上記発光素子が発した光の波長を変換する波長変換材を含み、透光性を有する透光部材と、
    　上記透光部材を支持する支持部材と、を備えた発光装置の製造方法であって、
    　放熱部材を、上記基板の上記発光素子の実装側と反対側の面に当接させる工程と、
    　上記支持部材を、上記基板を介さずに上記放熱部材に接続する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035951A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
JP2010097982A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2011108889A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Rubber Inc 発光装置
WO2012056669A1 (ja) * 2010-10-26 2012-05-03 パナソニック株式会社 照明装置
JP2013038215A (ja) * 2011-08-08 2013-02-21 Ccs Inc 波長変換部材
JP2013074274A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ccs Inc Ｌｅｄパッケージ
JP2013074273A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ccs Inc Ｌｅｄ発光装置
JP2015050185A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035951A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Kyocera Corp 発光装置
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
JP2010097982A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP2011108889A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Asahi Rubber Inc 発光装置
WO2012056669A1 (ja) * 2010-10-26 2012-05-03 パナソニック株式会社 照明装置
JP2013038215A (ja) * 2011-08-08 2013-02-21 Ccs Inc 波長変換部材
JP2013074274A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ccs Inc Ｌｅｄパッケージ
JP2013074273A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Ccs Inc Ｌｅｄ発光装置
JP2015050185A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置

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