WO2015143831A1 - Oled显示器及其制备方法 - Google Patents

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WO2015143831A1
WO2015143831A1 PCT/CN2014/085172 CN2014085172W WO2015143831A1 WO 2015143831 A1 WO2015143831 A1 WO 2015143831A1 CN 2014085172 W CN2014085172 W CN 2014085172W WO 2015143831 A1 WO2015143831 A1 WO 2015143831A1
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light
emitting
layer
emitting unit
unit
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PCT/CN2014/085172
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闫光
孙力
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京东方科技集团股份有限公司
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    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Definitions

  • Embodiments of the present invention generally relate to the field of display technology, and in particular, to an OLED display and a method of fabricating the same. Background technique
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • luminescent materials for independent illumination is currently the most widely used method for realizing OLED full-color display. It mainly uses a precise metal shadow mask and pixel alignment technology to prepare red, green and blue luminescent layers by evaporation method.
  • an OLED display comprising a substrate substrate, and a plurality of light emitting array units disposed on the substrate and periodically arranged, each of the light emitting array units including sequentially arranged a first lighting unit, a second lighting unit, and a third lighting unit, wherein
  • Each of the first light emitting unit, the second light emitting unit, and the third light emitting unit includes an anode, a cathode, and an organic material functional layer between the anode and the cathode, the organic The material functional layer includes a light emitting layer;
  • a first light emitting layer is formed in the first light emitting unit and the second light emitting unit
  • the second light emitting layer is formed in the second light emitting unit and the third light emitting unit
  • the first light emitting layer and the second light emitting layer The luminescent layer emits light of different colors
  • a light emitting unit further includes a light color conversion layer disposed on a light exiting side of the light emitting unit, the light color conversion layer being configured to convert light from the corresponding light emitting layer into a color different from other light emitting units in the light emitting array unit Light.
  • the first luminescent layer and the second luminescent layer may be formed by an evaporation process, and the widths of the first luminescent layer and the second luminescent layer may be substantially equal to being steamed The minimum precision width of the metal shadow mask used in the plating process.
  • the first luminescent layer and the second luminescent layer may be a green luminescent layer and a blue luminescent layer, respectively, and the photochromic conversion layer may be used to convert green or blue light into red light. .
  • the second light emitting layer in the second light emitting unit may be configured to emit light, and the light color conversion layer may be disposed in the second light emitting unit or the third light emitting a light emitting side of the organic material functional layer in the unit; or, the first light emitting layer in the second light emitting unit may be configured to emit light, and the light color conversion layer may be disposed in the a light emitting side of the organic material functional layer in a light emitting unit or the second light emitting unit.
  • the carrier transport characteristics of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer and/or the energy level relationship therebetween may be set such that holes from the anode and electrons from the cathode It can only be combined in one of the first luminescent layer and the second luminescent layer of the second illuminating unit.
  • each of the light emitting array units may further include a barrier layer disposed between the first light emitting layer and the second light emitting layer of the second light emitting unit, the barrier layer being used in the second light emitting unit One of electrons and holes that are injected into one of the light-emitting layers is blocked from being injected into the other light-emitting layer but another one of electrons and holes is allowed to be injected into the one light-emitting layer.
  • the barrier layer may further extend or be formed in one of the first light emitting unit and the third light emitting unit of the same light emitting array unit and arranged to allow both electrons and holes to be injected into it to extend into In the light-emitting layer of the light-emitting unit.
  • the OLED display may further include a thin film transistor corresponding to each of the light emitting units, the drain of the thin film transistor may be electrically connected to the anode of the corresponding light emitting unit, and the thin film transistor may be disposed close to the corresponding light emitting unit The anode.
  • the photochromic conversion layer may be disposed between the anode and the substrate;
  • the material of the cathode is a transparent material, and the material of the anode is impervious
  • the photochromic conversion layer may be disposed on a side of the cathode away from the substrate; or, in a case where the material of the anode and the cathode are both transparent materials, Light color conversion layers are respectively disposed between the anode and the base substrate, and a side of the cathode away from the base substrate.
  • a method of fabricating an OLED display comprising a substrate, and a plurality of light emitting array units disposed on the substrate and periodically arranged, Each of the light emitting array units includes a first light emitting unit, a second light emitting unit, and a third light emitting unit that are sequentially arranged.
  • the preparation method includes the steps of forming the first light emitting unit, the second light emitting unit, and the third light emitting unit of each light emitting array unit, the step comprising:
  • an emission color formed by an evaporation process is different from that emitted by the first light-emitting layer a second light-emitting layer of light of a color of light, such that in the second light-emitting unit, the first light-emitting layer and the second light-emitting layer overlap and are configured such that only one light-emitting layer can emit light;
  • a second electrode is formed by a patterning process at a position corresponding to the first light-emitting unit, the second light-emitting unit, and the third light-emitting unit.
  • a light color conversion layer located on a light exiting side of the light emitting unit is formed by a patterning process, the light color conversion layer being configured to convert light from the corresponding light emitting layer into a color different from Light of other light emitting units in the light emitting array unit.
  • the widths of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer formed by the vapor deposition process may be substantially equal to the minimum precision width of the metal shadow mask used in the evaporation process.
  • the first light emitting layer may be selected as one of a green light emitting layer and a blue light emitting layer
  • the second light emitting layer may be selected as another one of the green light emitting layer and the blue light emitting layer.
  • the light color conversion layer can be used to convert green or blue light into red light.
  • the step of forming a light-color conversion layer may be included in the second light-emitting unit or Forming the light color conversion layer on a light exiting side of the light emitting unit in a region corresponding to the third light emitting unit; or
  • the step of forming a light color conversion layer may be included in the first light emitting unit or the second light emitting The light color conversion layer is formed on a light exiting side of the light emitting unit in a region corresponding to the unit.
  • the step of forming the first light-emitting layer and the second light-emitting layer may include: configuring carrier transport characteristics of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer and/or energy levels therebetween The relationship is such that holes from the anode and electrons from the cathode can only be combined in one of the first luminescent layer and the second luminescent layer of the second illuminating unit.
  • the preparation method may further include the steps of: forming a barrier layer in a region corresponding to the second illuminating unit, the barrier layer For implanting, in the second light emitting unit, one of electrons and holes injected into one of the light emitting layers into another light emitting layer but allowing another one of electrons and holes to be injected into the one light emitting layer In the layer.
  • the step of forming the barrier layer may include: in each of the light-emitting array units, in a region corresponding to the first light-emitting unit and the second light-emitting unit, or in the second light-emitting
  • the barrier layer is formed by an evaporation process in a region corresponding to the unit and the third light emitting unit to allow both electrons and holes to be injected into the light emitting layer of the first light emitting unit or the third light emitting unit.
  • the preparation method may further include the step of forming a thin film transistor, wherein, in a case where the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, a drain of the thin film transistor is The anode is electrically connected.
  • the first electrode in a case where the material of the first electrode is a transparent material, and the material of the second electrode is an opaque material, the first electrode may be before the step of forming the first electrode And forming the light color conversion layer with the substrate; alternatively, in a case where the material of the first electrode is a transparent material, and the material of the second electrode is an opaque material, the formation may be After the step of the second electrode, forming the light color conversion layer on a side of the second electrode remote from the substrate; or, the materials of the first electrode and the second electrode are In the case of a transparent material, the photochromic conversion layer may be formed between the first electrode and the base substrate and on a side of the second electrode remote from the base substrate, respectively.
  • a first light-emitting layer is formed in both the first light-emitting unit and the second light-emitting unit while forming a first light-emitting unit and a third light-emitting unit a second light emitting layer, wherein the first light emitting layer and the second light emitting layer are overlapped in the second light emitting unit, so that the first light emitting layer in the first light emitting unit and the first light emitting layer in the second light emitting unit may be controlled Or the second illuminating layer of the second illuminating layer and the third illuminating unit emits light; on the basis of controlling the position of the photochromic converting layer, the first illuminating unit, the second illuminating unit and the third illuminating unit respectively Light of one of blue, green, and red.
  • the width of the light-emitting layer formed in the two light-emitting units by the evaporation process can be made substantially equal to the minimum precision width of the metal shadow mask used in the evaporation process, so that the light-emitting layer in each of the light-emitting units can be reduced.
  • the width Compared with the prior art, the embodiment of the present invention can avoid the problem that the resolution of the OLED display is not high due to the limitation of the dimensional accuracy of the metal shadow mask when preparing the luminescent layer in each illuminating unit, so that the OLED provided by the embodiment of the present invention The display has a higher resolution.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a portion of an OLED display provided in accordance with an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic structural view illustrating a portion of an OLED display provided in accordance with an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic structural diagram illustrating a portion of an OLED display provided in accordance with an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a schematic structural view illustrating a portion of an OLED display including a barrier layer according to an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram illustrating a portion of an OLED display including a barrier layer according to an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a schematic structural view illustrating a portion of a bottom emission type OLED display including a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 7 is a schematic structural view illustrating a portion of a top emission type OLED display including a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic structural diagram illustrating a portion of a double-sided light emitting type OLED display including a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • 01-OLED display 10-substrate substrate; 20-first light-emitting unit; 30-second light-emitting unit; 40-third light-emitting unit; 50-package layer; 60-thin film transistor; 201-anode; 203-first luminescent layer; 204-second luminescent layer; 205-light color conversion layer; 206-electron transport layer; 207-hole transport layer; 208-barrier layer; 601-gate; 602-gate insulating layer; 603-semiconductor active layer; 604-source; 605-drain. detailed description
  • a plurality of embodiments of the present invention provide an OLED display 01.
  • the OLED display 01 includes: a substrate substrate 10, and is disposed on the substrate substrate and arranged periodically.
  • a plurality of light emitting array units each including a first light emitting unit 20, a second light emitting unit 30, and a third light emitting unit 40, which are sequentially disposed, that is, the second light emitting unit 30 is located at the first light emitting unit 20 and the third
  • the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 each include an anode 201, a cathode 202, and a cathode between the anode 201 and the cathode 202.
  • the first light emitting layer 203 is formed in the first light emitting unit 20 and the second light emitting unit 30, and the second light emitting layer 204 is formed in the second light emitting unit 30 and the third Within the light emitting unit 40, the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 emit light of different colors.
  • the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 overlap, and only one of the second light emitting units 30 emits light.
  • the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 completely overlap.
  • One of the light units further includes a light color conversion layer 205 disposed on a light exiting side of the light emitting unit, the light color conversion layer being configured or configured to convert light from the corresponding light emitting layer into a color different from the light emitting array Light from other lighting units in the unit.
  • the organic material functional layer is used to illuminate each of the light emitting units of the OLED display 01; based on this, the organic material functional layer may further include a cathode 202 and a corresponding light emitting layer in addition to the light emitting layer.
  • the electron transport layer 206, and the hole transport layer 207 disposed between the anode 201 and the corresponding light-emitting layer, as shown in Figures 1-8.
  • the organic material functional layer may further include an electron injection layer (not shown) disposed between the cathode 202 and the corresponding electron transport layer 206. And a hole injection layer (not shown) disposed between the anode 201 and the corresponding hole transport layer 207.
  • the anode 201 and the cathode 202 of the OLED display 01 when an operating voltage is simultaneously applied to the anode 201 and the cathode 202 of the OLED display 01, holes in the anode 201 and electrons in the cathode 202 are injected correspondingly In the luminescent layer; the holes and the electrons meet in the luminescent layer, and the two combine to form an electron-hole pair and release energy; the energy is emitted in the form of light, through the illuminating
  • the different luminescent molecules in the layer are displayed as light of different colors and are uniformly emitted from both sides of the functional layer of the organic material.
  • the above OLED display 01 may include a plurality of pixel units (not shown) arranged in an array, each pixel unit corresponding to the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit.
  • the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 in each of the light emitting array units may respectively correspond to one of a red light emitting unit, a green light emitting unit, and a blue light emitting unit, and the specific correspondence relationship thereof is This is not limited.
  • the second light emitting unit 30 includes a stacked first light emitting layer 203 and a second light emitting layer 204, and in order to realize color display, the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 emits light of different colors. Therefore, in the second light-emitting unit 30, it is necessary to control only one of the light-emitting layers to emit light, that is, only the first light-emitting layer 203 is illuminated or only the second light-emitting layer 204 is illuminated to avoid the second light-emitting layer 204.
  • the two light-emitting layers in the light-emitting unit 30 simultaneously emit light to cause a problem that the emitted color is impure.
  • the first luminescent layer 203 in the second illuminating unit 30 when the first luminescent layer 203 in the second illuminating unit 30 emits light, it emits light of the same color as the first illuminating layer 203 in the first illuminating unit 20, and thus, in the first illuminating unit 20 or the The light-emitting conversion layer 205 on the light-emitting side of the first light-emitting layer 203 is disposed in the second light-emitting unit 30, and converts light emitted by the corresponding light-emitting layer into light of other colors to convert the first light-emitting unit 20 and the first light-emitting unit The light emitted by the two light-emitting units 30 is color-coded. As shown in FIG.
  • the light color conversion layer 205 is disposed in the first light emitting unit 20, and converts light emitted from the corresponding light emitting layer 203 into light having a color different from that of the second light emitting unit 30.
  • the second luminescent layer 204 in the second illuminating unit 30 emits light, it emits light of the same color as the second illuminating layer 204 in the third illuminating unit 40, and thus, in the second illuminating unit 30
  • a light color conversion layer 205 located on the light exiting side of the second light emitting layer 204 is disposed in the third light emitting unit 40 to perform color regions of the light emitted by the second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40. As shown in FIGS.
  • the light color conversion layer 205 is disposed in the third light emitting unit 40 to color-convert the light emitted from its corresponding light emitting layer.
  • the light color conversion layer can also be disposed in the second light emitting unit as needed.
  • the light unit 20 and the second light emitting unit 30 each include a first light emitting layer 203. Therefore, when the first light emitting layer 203 of an organic material is prepared by an evaporation method, it may simultaneously be adjacent to the first light emitting array unit.
  • the first light emitting layer 203 is formed in a region corresponding to the light emitting unit 20 and the second light emitting unit 30, that is, the range of the two adjacent first light emitting units 20 and the second light emitting unit 30 is taken as the first light emitting layer 203. Minimum precision.
  • the range of the adjacent second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40 of the same light emitting array unit may be As the minimum precision for vapor-depositing the second light-emitting layer 204.
  • the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 are laminated to each other, and in a preferred example, may be substantially completely overlapped.
  • the first light-emitting layer 203 and the second light-emitting layer 204 are prepared by vapor deposition using a current precision metal shadow mask, assuming that the minimum precision width of the metal shadow mask is d, the first light-emitting unit 20 and The first light-emitting layer 203 having a width d is prepared in the second light-emitting unit 30, that is, the first light-emitting unit 20 includes a portion of the first light-emitting layer 203 having a width of about d/2, and the second light-emitting unit 30 includes the first portion.
  • the width of the light-emitting layer 203 is about another portion of d/2; then the second light-emitting layer 204 having a width d is prepared in the second light-emitting unit 30 and the third light-emitting unit 40, that is, the second light-emitting unit 30 includes the second portion
  • the width of the light-emitting layer 204 is approximately a portion of d/2, and the third light-emitting unit 40 includes another portion of the second light-emitting layer 204 having a width of approximately d/2.
  • the first light-emitting layer 203 having a width of about d/2 in the second light-emitting unit 30 and the second light-emitting layer 204 having a width of about d/2 may be overlapped, preferably, completely overlapped.
  • the effective width of the light-emitting layer in each of the light-emitting units is usually slightly smaller than d/2 in consideration of process error, layer overlap, cell spacing, and the like.
  • the first light emitting unit 20 can emit light of a corresponding color, such as blue light;
  • the second illuminating can be made by controlling the holes in the anode 201 of the second illuminating unit 30 and the electrons in the cathode 202 to be injected into, for example, the second luminescent layer 204 (or the first luminescent layer 203).
  • the unit 30 emits light of a corresponding color, such as green light; by controlling the holes in the anode 201 of the third light emitting unit 40 and the electrons in the cathode 202 are both injected into the second light emitting layer 204, and by being disposed in the third light emitting unit 40
  • the light-to-light conversion layer 205 on the light-emitting side of the second light-emitting layer 204 converts light from the second light-emitting layer 204 into light of a corresponding color, such as red light.
  • the width of the light color conversion layer 205 is equal to the width of the light emitting layer in the corresponding light emitting unit, for example, about d/2. Since the metal mask has a minimum precision width d, it is not possible to prepare a light-color conversion layer 205 having a width of about d/2 by vapor deposition. Considering that the resolution of the lithography technique in the patterning process can reach twice the resolution of the metal shadow mask, that is, a photochromic conversion layer 205 having a width of about d/2 can be prepared by photolithography, thus, in the present invention In the exemplary embodiment, the photochromic conversion layer 205 is prepared by photolithography.
  • the material of the light-color conversion layer 205 is not limited, but is determined according to the color to be converted. For example, when it is necessary to convert green light into red light and blue light into red light, the corresponding material having the function can be selected.
  • the OLED display 01 may further include an encapsulation layer 50 for encapsulating a functional layer of an organic material; wherein the encapsulation layer 50 may be a thin film package or may be The substrate package is not limited herein.
  • the OLED display can be classified into a single-sided light-emitting OLED display and a double-sided light-emitting OLED display.
  • the OLED display 01 is a single-sided illumination type; when the materials of the anode 201 and the cathode 202 are transparent materials
  • the OLED display 01 is of a double-sided illumination type.
  • a single-sided light-emitting OLED display it can be further classified into a top-emitting type OLED display and a bottom-emitting type OLED display depending on the materials of the anode and the cathode.
  • the cathode 202 when the anode 201 is disposed adjacent to the base substrate 10, the cathode 202 is disposed away from the substrate substrate 10, the material of the anode 201 is a transparent conductive material, and the material of the cathode 202 is opaque.
  • the OLED display 01 may be referred to as a bottom emission type; when the material of the anode 201 is an opaque conductive material, the cathode When the material of 202 is a transparent conductive material, since light is emitted from the cathode 202 and then through the encapsulation layer 50 disposed opposite to the substrate substrate 10, the OLED display 01 may be referred to as a top emission type.
  • the relative positions of the anode 201 and the cathode 202 described above may be exchanged, and will be further described herein.
  • the cathode 202 is disposed away from the substrate substrate 10, or when the anode 201 is disposed away from the substrate substrate 10.
  • the cathode 202 is disposed adjacent to the substrate substrate 10, and the materials of the anode 201 and the cathode 202 are transparent conductive materials, such as ITO (Indium Tin Oxide), and light is from the anode. 201, and then exits through the substrate substrate 10 side, and on the other hand, exits from the cathode 202 and through the encapsulation layer 50 disposed opposite the substrate substrate 10.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • An OLED display by simultaneously forming a first light-emitting layer 203 in adjacent first light-emitting units 20 and second light-emitting units 30 of the same light-emitting array unit, while at the same time in the light-emitting array unit A second illuminating layer 204 is formed in the adjacent second illuminating unit 30 and the third illuminating unit 40, and the first illuminating layer 203 and the second illuminating layer 204 are overlapped in the second illuminating unit 30, so that the first illuminating can be controlled.
  • the first luminescent layer 203 in the unit 20, the first luminescent layer 203 or the second luminescent layer 204 in the second illuminating unit 30, and the second luminescent layer 204 in the third illuminating unit 40 are illuminating;
  • the position of the light color conversion layer 205 allows the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 to emit light of one of blue, green, and red, respectively;
  • the width of the same light-emitting layer formed in the two light-emitting units is substantially equal to the minimum precision width of the metal shadow mask used in the evaporation process, thereby being able to be reduced in each of the light-emitting units The width of the light-emitting layer.
  • the embodiment of the present invention can avoid the problem that the resolution of the OLED display is not high due to the limitation of the graphic size precision of the metal shadow mask when preparing the illuminating layer in each illuminating unit, so that the embodiment of the present invention provides The OLED display has a higher resolution.
  • the A light-emitting layer 203 and the second light-emitting layer 204 are respectively a green light-emitting layer and a blue light-emitting layer, and the light-color conversion layer 205 is used to convert green light or blue light into red light.
  • only one of the second light emitting units 30 can be illuminated in a plurality of ways.
  • the carrier transport characteristics of the first light-emitting layer 203 and the second light-emitting layer 204 and/or the energy level relationship between the two can be controlled such that the holes of the anode 201 and the electrons of the cathode 202 can only be in the second
  • the light-emitting layer of the light-emitting unit 30 is combined, that is, the holes of the anode 201 or the electrons of the cathode 202 cannot reach one of the second light-emitting units 30, such as the first light-emitting layer 203. Thereby the one luminescent layer does not emit light.
  • the carrier characteristics of the first luminescent layer 203 can be controlled to facilitate hole transport, so that holes injected from the anode 201 are not Or rarely staying in the first light-emitting layer 203 of the second light-emitting unit 30 and flowing into the second light-emitting layer 204.
  • holes are combined with electrons to emit light, and holes and electrons are present in the first light-emitting layer 203. There is no combination, so it does not shine.
  • the above effects can also be achieved by the design of the energy level.
  • the HOMO (highest occupied track) energy levels of the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 may be configured to be the same or very close, so that holes injected from the anode 201 are not Or rarely staying in the first luminescent layer 203 and flowing into the second luminescent layer 204, and arranging the LUMO (lowest unoccupied orbital) levels of the first luminescent layer 203 and the second luminescent layer 204 to be substantially different, such that the cathode is The injected electrons of the 202 substantially stay in the second light-emitting layer 204 such that holes and electrons are combined to emit light only in the second light-emitting layer 204.
  • one of the light-emitting layers in the second light-emitting unit 30 can be illuminated by the combination of the above two modes, and the other light-emitting layer does not emit light.
  • changes in carrier characteristics and/or energy level relationships can be achieved by doping, material selection, etc., without limitation.
  • the light-emitting layer 203 is referred to as, for example, a blue light-emitting layer, and if holes and electrons are not combined in the blue light-emitting layer in the second light-emitting unit 30, the blue light-emitting layer also does not emit light.
  • the efficiency of the green light material is much higher than that of the blue light material. Therefore, in one example, only the first light emitting unit 30 may be included.
  • the second light emitting layer 204 emits light, and the second light emitting layer 204 is a green light emitting layer.
  • the light color conversion layer 205 may be disposed in the second light emitting unit 30 or the third light emitting unit 40. , located on the light exit side of the corresponding organic material functional layer.
  • the material of the light color conversion layer 205 may be 4-dicyano-indenyl-2-mercapto-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran (DCM). -1), cyanine dyes such as DCM-2, DCJTB, 4, 4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-boran-3a, 4a-diaza-s- City (s-indacene), Lumagen (Numogen) and Nile Red.
  • DCM 4-dicyano-indenyl-2-mercapto-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran
  • cyanine dyes such as DCM-2, DCJTB, 4, 4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-boran-3a, 4a-diaza-s- Province (s-indacene), Lumagen (Numogen) and Nile Red.
  • the OLED display 01 may further include a first light emitting layer 203 and a second light emitting layer 204 disposed between the second light emitting unit 30.
  • a barrier layer 208 for blocking injection into the second light emitting unit 30 One of electrons and holes in one of the light-emitting layers is injected into the other light-emitting layer but allows another one of electrons and holes to be injected into the one light-emitting layer.
  • the barrier layer 208 may further extend into one of the adjacent first and second light emitting units 20 and 40 of the same light emitting array unit and is configured to allow both electrons and holes to be injected into it to extend into In the lighting unit.
  • the barrier layer 208 is disposed in the second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40, and in FIG. 5, the barrier layer 208 is disposed in the first light emitting unit 20 and the second light emitting unit 30.
  • the barrier layer 208 may block the injection into the second light emitting layer.
  • the electrons in the 204 are re-injected into the first light-emitting layer 203, so that the first light-emitting layer 203 in the second light-emitting unit 30 does not emit light due to no electron injection; and the holes injected into the barrier layer 208 can pass through
  • the barrier layer 208 reaches the second luminescent layer 204 such that holes and electrons combine in the second luminescent layer 204 of the second illuminating unit 30 to emit light.
  • FIG. 1 the barrier layer 208 may block the injection into the second light emitting layer.
  • the barrier layer 208 may extend into the third light emitting unit 40 between the anode 201 and the second light emitting layer 204 (eg, between the hole transport layer 207 and the second light emitting layer 204) and allow Air from the anode 201 reaches the second luminescent layer 204.
  • both the second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40 emit light through the second light emitting layer 204, according to the display principle, the two light emitting units are required to emit light of different colors, and therefore, the second light is required to be emitted.
  • the light-emitting layer 205 is disposed on the light-emitting side of the second light-emitting layer 204 of the unit 30 or the third light-emitting unit 40 (the third light-emitting unit 40 is exemplified in FIG. 4).
  • the light color conversion layer 205 may preferably be disposed on the functional layer of the organic material according to characteristics of the second light emitting layer 204 and the organic material such as the electron transport layer 206 and the hole transport layer 207 located on both sides of the second light emitting layer 204. The light side.
  • the barrier layer 208 can block injection into the first light emitting layer.
  • the holes in 203 are re-injected into the second light-emitting layer 204, so that the second light-emitting layer 204 in the second light-emitting unit 30 does not emit light due to the injection of no holes; and the electrons injected into the barrier layer 208 can pass through
  • the barrier layer 208 reaches the first light-emitting layer 203 such that holes and electrons combine in the first light-emitting layer 203 of the second light-emitting unit 30 to emit light.
  • the barrier layer 208 may extend into the first light emitting unit 20 between the cathode 202 and the first light emitting layer 203 (eg, between the electron transport layer 206 and the first light emitting layer 203) and allow The electrons of the cathode 202 reach the first light-emitting layer 203.
  • the second light-emitting unit 30 or the first light-emitting unit 20 (the first light-emitting unit 20 in FIG. 5 is taken as an example)
  • a light-converting layer 205 is disposed on the light-emitting side of a light-emitting layer 203.
  • the light color conversion layer 205 may be disposed on the functional layer of the organic material according to characteristics of the first light emitting layer 203 and the organic material such as the electron transport layer 206 and the hole transport layer 207 located on both sides of the first light emitting layer 203. Light out side.
  • the OLED display 01 may further include a thin film transistor 60 corresponding to each of the light emitting units.
  • the thin film transistor 60 includes a gate 601, a gate insulating layer 602, a semiconductor active layer 603, a source 604, and a drain 605.
  • the drain 605 of the thin film transistor 60 is electrically coupled to the anode 201 of the corresponding light emitting unit, and the thin film transistor 60 is disposed adjacent to the anode 201 of the corresponding light emitting unit.
  • the OLED display 01 may further include a gate line electrically connected to the gate 601, a gate line lead (not shown), and a data line and a data line lead electrically connected to the source 604 (not shown) Mark out) and so on.
  • the thin film transistor 60 is a semiconductor unit having a switching characteristic, which may be a top gate type or a bottom gate type (as shown in FIG. 6-8), which is not limited herein.
  • the thin film transistor may be disposed on a package substrate, and a drain of the thin film transistor is electrically connected to an anode or a cathode of a corresponding light emitting unit on the substrate.
  • the color conversion layer 205 is disposed between the anode 201 of the third light emitting unit 40 and the base substrate 10.
  • the color conversion layer 205 is disposed on a side of the cathode 202 of the third light emitting unit 40 away from the base substrate 10.
  • the OLED display 01 is of a double-sided illumination type, in the third illumination unit 40.
  • the light color conversion layer 205 is disposed between the base substrate 10 and the anode 201, respectively, and on a side of the cathode 202 away from the base substrate 10.
  • a pixel isolation layer may be disposed between adjacent anodes 201, on the one hand, the isolation of the light-emitting unit, and On the one hand, the layer in which the anode 201 is located is filled in to facilitate the preparation of subsequent layers.
  • the embodiment of the present invention further provides a method for fabricating an OLED display. Referring to FIGS.
  • the OLED display 01 may include: a substrate substrate 10, and is disposed on the substrate substrate and A plurality of light emitting array units periodically arranged, each of the light emitting array units including a first light emitting unit 20, a second light emitting unit 30, and a third light emitting unit 40 that are sequentially disposed.
  • the preparation method includes the steps of forming the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 of each light emitting array unit, and the step may include the following substeps:
  • first The electrode Forming a first electrode by a patterning process at a position on the base substrate 10 corresponding to the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40; wherein, the first The electrode may be the anode 201 described above or the cathode 202;
  • a first light-emitting layer 203 is formed by an evaporation process in a region corresponding to the first light-emitting unit 20 and the second light-emitting unit 30;
  • an emission color formed by an evaporation process in a region corresponding to the second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40 is different from that emitted by the first light emitting layer a second light-emitting layer 204 of light of light color; wherein, in the second light-emitting unit 30, the first light-emitting layer 203 and the second light-emitting layer 204 overlap and are configured such that only one light-emitting layer can emit light, for example As described above, by properly controlling the carrier transport characteristics of the first light-emitting layer 203 and the second light-emitting layer 204 and/or the energy level relationship between the two, only the first light-emitting layer in the second light-emitting unit 30 is allowed. 203 or the second luminescent layer 204 emits light;
  • the second electrode Forming a second electrode by a patterning process at a position corresponding to the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 on a substrate on which the second light emitting layer 204 is formed
  • the first electrode is the anode 201
  • the second electrode is the cathode 202
  • the first electrode is the cathode 202
  • the second electrode is the anode 201;
  • the preparation method further includes forming a light color conversion layer 205 on a light exiting side of the light emitting unit by a patterning process in one of two light emitting units of each array unit having the same light emitting layer for emitting light,
  • the light color conversion layer is configured to convert light from the corresponding light emitting layer into light having a color different from other light emitting units in the array unit.
  • the electron transport layer 206 and the hole transport layer 207 on both sides of the light-emitting layer may be formed; further, in order to increase the electron and hole injection light-emitting layer An efficiency of forming an electron injection layer between the cathode 202 and the electron transport layer 206, and a hole injection layer between the anode 201 and the hole transport layer 207;
  • the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit 40 may respectively correspond to one of a red light emitting unit, a green light emitting unit, and a blue light emitting unit, and the specific correspondence relationship thereof is This is not limited.
  • the second light emitting unit 30 includes the stacked first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204, the first light emitting layer 203 and the second light emitting layer 204 emit light of different colors according to the structure of the present invention, and therefore, in the second In the light-emitting unit 30, it is required to control only one of the light-emitting layers to emit light, that is, only the first light-emitting layer 203 is caused to emit light or only the second light-emitting layer 204 is caused to emit light, so as to avoid simultaneous illumination of the two light-emitting layers in the second light-emitting unit 30.
  • the issue of the color is not pure.
  • the first luminescent layer 203 in the second illuminating unit 30 when the first luminescent layer 203 in the second illuminating unit 30 emits light, it emits light of the same color as the first illuminating layer 203 in the first illuminating unit 20, and therefore, needs to be in the first illuminating unit 20 or the second A light color conversion layer 205 located on the light exiting side of the first light emitting layer 203 is formed in the light emitting unit 30 to color distinguish the light emitted by the first light emitting unit 20 and the second light emitting unit 30; alternatively, when the second light emitting unit 30 When the second illuminating layer 204 emits light, it emits light of the same color as the second illuminating layer 204 of the third illuminating unit 40, and therefore needs to be disposed in the second illuminating unit 30 or the third illuminating unit 40.
  • the light color conversion layer 205 on the light exiting side of the light emitting layer 204 is configured to perform color regions of the light e
  • the patterning process used in the above preparation method may include steps of film formation, gumming, exposure, development, etching, and peeling.
  • the vapor deposition process refers to a process of forming a specific shape directly in a specific region by an evaporation method, and does not require steps such as gluing, exposure, development, etching, and peeling.
  • the first light-emitting layer 203 is formed in a region corresponding to the first light-emitting unit 20 and the second light-emitting unit 30 simultaneously, and at the same time as the second light-emitting unit
  • the second illuminating layer 204 is formed in a region corresponding to the third illuminating unit 40, and the first illuminating layer 203 and the second illuminating layer 204 are overlapped in the second illuminating unit 30, preferably completely overlapping, thereby being controllable
  • the first illuminating layer 203 in the first illuminating unit 20, the first illuminating layer 203 or the second illuminating layer 204 in the second illuminating unit 30, and the second illuminating layer 204 in the third illuminating unit 40 are illuminating;
  • the position of the light color conversion layer 205 to perform the required color conversion, the first light emitting unit 20, the second light emitting unit 30, and the third light emitting unit
  • the width of the same luminescent layer formed in the two illuminating units by the evaporation process can be made substantially equal to the minimum precision width of the metal shadow mask used in the evaporation process, It is possible to reduce the width of the light emitting layer of each light emitting cell. Therefore, compared with the prior art, the embodiment of the present invention can avoid the preparation of the light-emitting layer in each light-emitting unit, The limitation of the dimensional accuracy of the metal shadow mask leads to the problem that the resolution of the OLED display is not high, so that the OLED display 01 provided by the embodiment of the present invention has higher resolution.
  • the second light emitting layer 204 in the second light emitting unit 30 emits light
  • the The second illuminating layer 204 is a green illuminating layer, that is, the first illuminating layer 203 of the first illuminating unit 20 is a blue illuminating layer
  • the second illuminating layer of the second illuminating unit 30 and the third illuminating unit 40 is green illuminating.
  • the first light-emitting layer 203 of the second light-emitting unit 30 does not emit light; in this case, the light-color conversion layer 205 is organically formed in the second light-emitting unit 30 or the third light-emitting unit 40 The light exit side of the material functional layer.
  • the preparation method may further include:
  • a barrier layer 208 is formed in a region corresponding to the second light emitting unit 30 for blocking injecting one of electrons and holes injected into one of the light emitting layers into the second light emitting unit 30 The other luminescent layer but allows another of the electrons and holes to be injected into the one luminescent layer.
  • a barrier layer 208 is formed by an evaporation process, which allows both electrons and holes to be injected into the light-emitting layer in the first light-emitting unit 20 or the third light-emitting unit 30, but in the second light-emitting unit 30 Only electrons and holes are allowed to be injected into one light-emitting layer.
  • the barrier layer 208 by forming the barrier layer 208, only one of the second light-emitting units 30 can be allowed to emit light.
  • the blocking is formed after the first light emitting layer 203 is formed.
  • a layer 208 which can block electrons injected into the second luminescent layer 204 of the second illuminating unit 30 from being re-injected into the first luminescent layer 203, so that the first luminescent layer 203 in the second illuminating unit 30 is injected without electrons Without emitting light, the holes injected into the barrier layer 208 may pass through the barrier layer 208 to the second light emitting layer 204, thereby combining holes and electrons in the second light emitting layer 204 of the second light emitting unit 30. Glowing.
  • both the second light emitting unit 30 and the third light emitting unit 40 emit light through the second light emitting layer 204, according to the display principle, the two light emitting units are required to emit light of different colors, and therefore,
  • a light-color conversion layer 205 is formed to emit the corresponding light-emitting unit. Light is converted into light of other colors.
  • the barrier layer 208 is formed before the second luminescent layer 204, which may block holes injected into the first luminescent layer 203 of the second illuminating unit 30 from being re-injected into the second luminescent layer 204, thereby causing the second illuminating unit 30
  • the second luminescent layer 204 does not emit light due to the injection of no holes; and for the electrons injected into the barrier layer 208, the barrier layer 208 can reach the first luminescent layer 203, thereby making the holes and electrons in the second
  • the first light-emitting layer 203 of the light-emitting unit 30 is combined to emit light.
  • both the first light emitting unit 20 and the second light emitting unit 30 emit light through the first light emitting layer 203, according to the display principle, the two light emitting units are required to emit light of different colors, and therefore, the second light is required to be emitted.
  • the light-emitting layer 205 is disposed on the light-emitting side of the organic material functional layer of the unit 30 or the first light-emitting unit 20 (the first light-emitting unit 20 is taken as an example in FIG. 5) to convert the light emitted by the corresponding light-emitting unit into other light. The light of the color.
  • the preparation method may further include the step of forming a thin film transistor 60 corresponding to each of the light-emitting units before forming the first electrode.
  • the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode
  • a drain of the thin film transistor 60 is electrically connected to the anode 201.
  • the thin film transistor 60 includes a gate 601, a gate insulating layer 602, a semiconductor active layer 603, a source 604 and a drain 605, a gate line electrically connected to the gate 601, and a gate line lead (not shown in the figure) ), a data line electrically connected to the source 604, a data line lead (not shown), and the like.
  • the thin film transistor 60 may be of a top gate type or a bottom gate type, which is not limited herein.
  • the color conversion layer 205 Formed between the anode 201 and the base substrate 10.
  • the material of the cathode 202 is a transparent material, and the material of the anode 201 is an opaque material, that is, the OLED display 01 is a top emission type, the light color conversion layer 205 A side of the cathode 202 away from the base substrate 10 is formed.
  • the photochromic conversion layer 205 is formed separately. Between the base substrate 10 and the anode 201, and on a side of the cathode 202 away from the base substrate 10.
  • a pixel isolation layer may be formed between adjacent anodes 201, and on the one hand, the light-emitting unit is Isolation, on the other hand, fills the layer in which the anode 201 is located to facilitate the preparation of subsequent layers.

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Abstract

一种OLED显示器及其制备方法，可提高OLED显示器的分辨率。OLED显示器包括衬底基板、和设置在衬底基板上并呈周期性排布的多个发光阵列单元，每个发光阵列单元包括顺序地布置的第一、第二和第三发光单元。每个发光单元包括阳极、阴极以及其间的包括发光层的有机材料功能层。在每个发光阵列单元中，第一发光层形成在第一和第二发光单元内，第二发光层形成在第二和第三发光单元内，且第一和第二发光层发射不同颜色的光；在第二发光单元中，第一和第二发光层重叠，且被配置成只有一个发光层能够发光。在每个发光阵列单元中，具有用于发光的相同发光层的两个发光单元中的一个发光单元还包括设置在该发光单元的出光侧的光色转换层，该光色转换层被配置成将来自对应的发光层的光转换成颜色不同于该发光阵列单元中的其它发光单元的光。

Description

OLED显示器及其制备方法 技术领域
本发明的实施例一般地涉及显示技术领域， 并且具体地， 涉及一种 OLED 显示器及其制备方法。 背景技术
有机发光二极管 (Organic Light Emitting Diode , 简称 OLED)显示器是一种 有机薄膜电致发光显示器， 其具有制备工艺简单、 成本低、 易形成柔性结构、 视角宽等优点。 因此， 利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示 技术。
其中，利用发光材料独立发光是目前釆用最多的实现 OLED的全彩色显示 的方式，其主要是利用精密的金属荫罩与像素对位技术，通过蒸镀方法制备红、 绿、 蓝发光层。
然而，受限于金属荫罩的图形尺寸的精度 ,使得通过上述方式制备的 OLED 显示器的分辨率受到限制。 发明内容
本发明的实施例的一个目的是提供一种 OLED显示器及其制备方法，以提 高 OLED显示器的分辨率。
根据本发明的一个方面， 提供了一种 OLED显示器， 包括衬底基板， 以及 设置在所述衬底基板上并呈周期性排布的多个发光阵列单元，每个发光阵列单 元包括顺序地布置的第一发光单元、 第二发光单元和第三发光单元， 其中
所述第一发光单元、 所述第二发光单元、 和所述第三发光单元中的每一个 均包括阳极、 阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层， 所述 有机材料功能层包括发光层；
在每个发光阵列单元中， 第一发光层形成在第一发光单元和第二发光单元 内， 第二发光层形成在第二发光单元和第三发光单元内， 并且第一发光层和第 二发光层发射不同颜色的光；
在所述第二发光单元中， 所述第一发光层和所述第二发光层重叠， 且被配 置成只有一个发光层能够发光； 并且 一个发光单元还包括设置在该发光单元的出光侧的光色转换层，该光色转换层 被配置成将来自对应的发光层的光转换成颜色不同于该发光阵列单元中的其 它发光单元的光。
在上述 OLED显示器中，所述第一发光层和所述第二发光层可以是通过蒸 镀工艺形成的， 并且所述第一发光层和所述第二发光层的宽度可以基本上等于 在蒸镀工艺中使用的金属荫罩的最小精度宽度。
在上述 OLED显示器中，所述第一发光层和所述第二发光层可以分别为绿 色发光层和蓝色发光层， 并且所述光色转换层可以用于将绿光或蓝光转换为红 光。
在上述 OLED显示器中，所述第二发光单元中的所述第二发光层可以被配 置成用于发光， 并且所述光色转换层可以设置在所述第二发光单元或所述第三 发光单元中的所述有机材料功能层的出光侧； 或者， 所述第二发光单元中的所 述第一发光层可以被配置成用于发光， 并且所述光色转换层可以设置在所述第 一发光单元或所述第二发光单元中的所述有机材料功能层的出光侧。
在上述 OLED显示器中，所述第一发光层和所述第二发光层的载流子传输 特性和 /二者之间的能级关系可以被设置成使得来自阳极的空穴和来自阴极的 电子只能在第二发光单元的第一发光层和第二发光层中的一个内结合。
在上述 OLED显示器中 ,每个发光阵列单元还可以包括设置在所述第二发 光单元的第一发光层和第二发光层之间的阻挡层， 所述阻挡层用于在第二发光 单元中， 阻挡注入到其中一个发光层中的电子和空穴中的一种注入到另一个发 光层中但允许电子和空穴中的另一种注入到所述一个发光层中。
在上述 OLED显示器中，所述阻挡层还可以延伸到或形成在同一发光阵列 单元的第一发光单元和第三发光单元中的一个中并设置成允许电子和空穴二 者注入到它延伸进入的该发光单元的发光层中。
上述 OLED显示器中还可以包括与每个发光单元对应的薄膜晶体管，所述 薄膜晶体管的漏极可以与对应的发光单元的所述阳极电连接， 且所述薄膜晶体 管可以设置成靠近对应的发光单元的阳极。
在上述 OLED显示器中， 在所述阳极的材料为透明材料， 且所述阴极的材 料为不透明材料的情况下， 所述光色转化层可以设置在所述阳极和所述衬底基 板之间； 可替换地， 在所述阴极的材料为透明材料， 且所述阳极的材料为不透 明材料的情况下， 所述光色转化层可以设置在所述阴极远离所述衬底基板的一 侧； 或者， 在所述阳极和所述阴极的材料均为透明材料的情况下， 所述光色转 化层分别设置在所述阳极和所述衬底基板之间、 以及所述阴极远离所述衬底基 板的一侧。
在本发明的第二方面中，提供了一种 OLED显示器的制备方法，所述 OLED 显示器包括衬底基板， 以及设置在所述衬底基板上并呈周期性排布的多个发光 阵列单元， 每个发光阵列单元包括顺序地布置的第一发光单元、 第二发光单元 和第三发光单元。该制备方法包括形成每个发光阵列单元的所述第一发光单元、 所述第二发光单元和所述第三发光单元的步骤， 该步骤包括：
在所述衬底基板上与所述第一发光单元、所述第二发光单元和所述第三发 光单元对应的位置处通过构图工艺形成第一电极；
在形成有所述第一电极的衬底基板上， 在与所述第一发光单元和所述第二 发光单元对应的区域内通过蒸镀工艺形成第一发光层；
在形成有所述第一发光层的衬底基板上，在与所述第二发光单元和所述第 三发光单元对应的区域内，通过蒸镀工艺形成发射颜色不同于第一发光层发射 的光的颜色的光的第二发光层， 使得在所述第二发光单元中， 所述第一发光层 和所述第二发光层重叠且被配置成只有一个发光层能够发光； 以及
在形成有所述第二发光层的衬底基板上， 在与所述第一发光单元、 所述第 二发光单元和所述第三发光单元对应的位置处通过构图工艺形成第二电极。 的两个发光单元中的一个发光单元中， 通过构图工艺形成位于该发光单元的出 光侧的光色转换层， 该光色转换层被配置成将来自对应的发光层的光转换成颜 色不同于该发光阵列单元中的其它发光单元的光。
在上述制备方法中，通过蒸镀工艺形成的所述第一发光层和所述第二发光 层的宽度可以基本上等于在蒸镀工艺中使用的金属荫罩的最小精度宽度。
在上述制备方法中， 所述第一发光层可以被选择为绿色发光层和蓝色发光 层中的一种， 所述第二发光层可以被选择为绿色发光层和蓝色发光层中的另一 种， 并且所述光色转换层可以用于将绿光或蓝光转换为红光。
在上述制备方法中，在所述第二发光单元中的所述第二发光层被配置成用 于发光的情况下， 形成光色转换层的步骤可以包括在与所述第二发光单元或所 述第三发光单元对应的区域内在该发光单元的出光侧形成所述光色转换层； 或 者， 在所述第二发光单元中的所述第一发光层被配置成用于发光的情况下， 形 成光色转换层的步骤可以包括在与所述第一发光单元或所述第二发光单元对 应的区域内在该发光单元的出光侧形成所述光色转换层。
在上述制备方法中， 形成第一发光层和第二发光层的步骤可以包括： 配置 所述第一发光层和所述第二发光层的载流子传输特性和 /二者之间的能级关系 , 使得来自阳极的空穴和来自阴极的电子只能在第二发光单元的第一发光层和 第二发光层中的一个内结合。
在形成所述第一发光层之后且形成所述第二发光层之前， 所述制备方法还 可以包括下述步骤： 在与所述第二发光单元对应的区域内形成阻挡层， 所述阻 挡层用于在第二发光单元中， 阻挡注入到其中一个发光层中的电子和空穴中的 一种注入到另一个发光层中但允许电子和空穴中的另一种注入到所述一个发 光层中。
在上述制备方法中，形成阻挡层的步骤可以包括：在每个发光阵列单元内， 在与所述第一发光单元和所述第二发光单元对应的区域内、或在与所述第二发 光单元和所述第三发光单元对应的区域内， 通过蒸镀工艺形成所述阻挡层， 以 便允许电子和空穴二者注入到第一发光单元或第三发光单元的发光层中。
在形成所述第一电极之前， 所述制备方法还可以包括形成薄膜晶体管的步 骤， 其中， 在所述第一电极为阳极、 第二电极为阴极的情况下， 所述薄膜晶体 管的漏极与所述阳极电连接。
在上述制备方法中， 在所述第一电极的材料为透明材料， 且所述第二电极 的材料为不透明材料的情况下， 可以在形成所述第一电极的步骤之前在所述第 一电极和所述衬底基板之间形成所述光色转化层； 可替换地， 在所述第一电极 的材料为透明材料， 且所述第二电极的材料为不透明材料的情况下， 可以在形 成所述第二电极的步骤之后在所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧形成 所述光色转化层； 或者， 在所述第一电极和所述第二电极的材料均为透明材料 的情况下， 可以分别在所述第一电极和所述衬底基板之间、 以及在所述第二电 极的远离所述衬底基板的一侧形成所述光色转化层。
在根据本发明的实施例提供的 OLED显示器及其制备方法中，通过同时在 第一发光单元和第二发光单元中形成第一发光层， 同时在第二发光单元和第三 发光单元中形成第二发光层， 在第二发光单元中使第一发光层和第二发光层重 叠， 便可以控制第一发光单元中的第一发光层、 第二发光单元中的第一发光层 或第二发光层、 第三发光单元中的第二发光层进行发光； 在此基础上通过控制 光色转换层的位置， 便可使第一发光单元、 第二发光单元和第三发光单元分别 发蓝、 绿、 红中的其中一种颜色的光。 这样， 可以使通过蒸镀工艺在两个发光 单元中形成的发光层的宽度基本上等于在蒸镀工艺中使用的金属荫罩的最小 精度宽度， 从而能够减小每个发光单元中的发光层的宽度。 相对于现有技术， 本发明实施例可以避免制备各发光单元中发光层时， 由于金属荫罩的图形尺寸 精度的限制而导致 OLED显示器分辨率不高的问题，使得本发明实施例提供的 OLED显示器具有更高的分辨率。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案， 下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述 中的附图仅仅是本发明的一些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付 出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。
图 1为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的 OLED显示器的一部分 的结构示意图；
图 2为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的 OLED显示器的一部分 的结构示意图；
图 3为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的 OLED显示器的一部分 的结构示意图；
图 4为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的包括阻挡层的 OLED显 示器的一部分的结构示意图；
图 5为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的包括阻挡层的 OLED显 示器的一部分的结构示意图；
图 6为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的包括薄膜晶体管的底发 光型 OLED显示器的一部分的结构示意图；
图 7为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的包括薄膜晶体管的顶发 光型 OLED显示器的一部分的结构示意图； 以及
图 8为图示根据本发明的一个示例性实施例提供的包括薄膜晶体管的双面 发光型 OLED显示器的一部分的结构示意图。 附图标记：
01-OLED显示器； 10-衬底基板； 20-第一发光单元； 30-第二发光单元； 40- 第三发光单元； 50-封装层； 60-薄膜晶体管； 201-阳极； 202-阴极； 203-第一发 光层； 204-第二发光层； 205-光色转换层； 206-电子传输层； 207-空穴传输层； 208-阻挡层； 601-栅极； 602-栅绝缘层； 603-半导体有源层； 604-源极； 605- 漏极。 具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是 全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
另外， 在下面的详细描述中， 为便于解释， 阐述了许多具体的细节以提供 对本公开内容的实施例的全面理解。 然而明显地， 一个或多个实施例在没有这 些具体细节的情况下也可以被实施。 在其他情况下， 公知的结构和装置以图示 的方式体现以简化附图。
本发明的多个实施例提供了一种 OLED显示器 01 , 如图 1至图 3所示， 该 OLED显示器 01包括： 衬底基板 10 , 以及设置在所述衬底基板上并呈周期 性排布的多个发光阵列单元，每个发光阵列单元包括顺序地布置的第一发光单 元 20、 第二发光单元 30和第三发光单元 40, 即第二发光单元 30位于第一发 光单元 20和第三发光单元 40之间； 所述第一发光单元 20、所述第二发光单元 30、所述第三发光单元 40均包括阳极 201、 阴极 202和位于所述阳极 201和所 述阴极 202之间的有机材料功能层， 所述有机材料功能层包括发光层， 如下文 将描述的第一和第二发光层。
具体地， 在 OLED显示器 01的每个发光阵列单元中， 第一发光层 203形 成在第一发光单元 20和第二发光单元 30内， 第二发光层 204形成在第二发光 单元 30和第三发光单元 40内， 第一发光层 203和第二发光层 204发射不同颜 色的光。 而且， 在所述第二发光单元 30中， 所述第一发光层 203和所述第二 发光层 204重叠， 且所述第二发光单元 30中只有一个发光层发光。 优选地， 在第二发光单元 30中， 第一发光层 203和第二发光层 204完全重叠。
进一步， 在每个发光阵列单元中， 在具有用于发光的相同发光层的两个发 光单元中的一个发光单元还包括设置在该发光单元的出光侧的光色转换层 205 , 该光色转换层被配置或构造成将来自对应的发光层的光转换成颜色不同于该 发光阵列单元中的其它发光单元的光。
所述有机材料功能层用于使所述 OLED显示器 01的每个发光单元发光； 基于此， 所述有机材料功能层除包括发光层外， 还可以包括设置在阴极 202与 对应的发光层之间的电子传输层 206, 和设置在阳极 201和对应的发光层之间 的空穴传输层 207 , 如图 1-8所示。 进一步地， 为了能够提高电子和空穴注入 发光层中的效率， 所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极 202与对应 的电子传输层 206之间的电子注入层 (未示出）， 以及设置在所述阳极 201与对 应的空穴传输层 207之间的空穴注入层 (未示出）。
根据本发明的实施例， 当向所述 OLED显示器 01的所述阳极 201和所述 阴极 202同时施加工作电压时， 所述阳极 201中的空穴和所述阴极 202中的电 子均注入到对应的发光层中； 所述空穴和所述电子在所述发光层中相遇， 二者 复合在一起形成电子-空穴对、 并释放出能量； 该能量以光的形式发出， 经过 所述发光层中的不同发光分子而显示为不同颜色的光， 并从所述有机材料功能 层的两侧均匀的射出。
根据本发明的实施例提供的上述 OLED显示器 01可以包括阵列排布的多 个像素单元 (未示出）， 每个像素单元对应于包括第一发光单元 20、 第二发光单 元 30和第三发光单元 40的一个发光阵列单元。每个发光阵列单元中的第一发 光单元 20、第二发光单元 30、第三发光单元 40可以分别对应于红色发光单元、 绿色发光单元、 蓝色发光单元中的一种， 其具体对应关系在此不做限定。
在根据本发明的实施例提供的上述 OLED显示器 01中， 第二发光单元 30 包括层叠的第一发光层 203和第二发光层 204, 为了实现彩色显示， 第一发光 层 203和第二发光层 204发不同颜色的光， 因此， 在第二发光单元 30中需控 制只让其中一个发光层发光， 即只让第一发光层 203 发光或只让第二发光层 204发光，以避免在第二发光单元 30中两个发光层同时发光而使得发出的颜色 不纯的问题。
作为一个示例， 当第二发光单元 30中的第一发光层 203发光时， 其与第 一发光单元 20中的第一发光层 203发相同颜色的光， 因此， 在第一发光单元 20或第二发光单元 30中设置位于第一发光层 203的出光侧的光色转换层 205 , 其将对应的发光层发出的光转换成其它颜色的光， 以将第一发光单元 20和第 二发光单元 30发出的光进行颜色区分。 如图 5所示， 光色转换层 205设置在 第一发光单元 20内， 将其对应的发光层 203发出的光转换成颜色不同于第二 发光单元 30的光。 在另一个示例中， 当第二发光单元 30中的第二发光层 204 发光时， 其与第三发光单元 40中的第二发光层 204发相同颜色的光， 因此， 在第二发光单元 30或第三发光单元 40中设置位于第二发光层 204出光侧的光 色转换层 205 ,以将第二发光单元 30和第三发光单元 40发出的光进行颜色区。 如图 1_4和 6-8所示，光色转换层 205设置在第三发光单元 40内以对它对应的 发光层发出的光进行颜色转换。 虽然在附图中未被示出， 但明显地， 光色转换 层也可以根据需要设置在第二发光单元内。 光单元 20和第二发光单元 30均包括第一发光层 203 , 因此， 在用蒸镀法制备 有机材料的所述第一发光层 203时， 可以同时在同一发光阵列单元的相邻的第 一发光单元 20和第二发光单元 30对应的区域内形成该第一发光层 203 , 即， 将两个相邻第一发光单元 20和第二发光单元 30 的范围作为蒸镀第一发光层 203的最小精度。
同理，由于所述第二发光单元 30和第三发光单元 40均包括第二发光层 204 , 因此， 可以将同一发光阵列单元的相邻的第二发光单元 30和第三发光单元 40 的范围作为蒸镀第二发光层 204的最小精度。
其中， 在第二发光单元 30中， 第一发光层 203和第二发光层 204是相互 层叠的， 在一个优选示例中， 可以是基本上完全重叠的。
示例性地，在利用目前精密的金属荫罩蒸镀制备第一发光层 203和第二发 光层 204时， 假设金属荫罩的最小精度的宽度为 d , 则可以先在第一发光单元 20和第二发光单元 30中制备宽度为 d的第一发光层 203 , 即， 第一发光单元 20中包括第一发光层 203的宽度约为 d/2的一部分， 第二发光单元 30中包括 第一发光层 203的宽度约为 d/2的另一部分；然后在第二发光单元 30和第三发 光单元 40中制备宽度为 d的第二发光层 204, 即， 第二发光单元 30中包括第 二发光层 204的宽度约为 d/2的一部分， 第三发光单元 40中包括第二发光层 204的宽度约为 d/2的另一部分。 在一个示例性实施例中， 可以使第二发光单 元 30中宽度约为 d/2的第一发光层 203和宽度约为 d/2的第二发光层 204重叠， 优选地， 完全重叠。 考虑到工艺误差、 层交叠、 单元间隔等因素， 每个发光单 元内的发光层的有效宽度通常稍小于 d/2。 这样， 通过控制第一发光单元 20的阳极 201中的空穴和阴极 202中的电 子均注入到第一发光层 203 , 便可以使所述第一发光单元 20发相应颜色的光， 例如蓝光； 通过控制第二发光单元 30的阳极 201中的空穴和阴极 202中的电 子均注入到例如第二发光层 204 (或者， 也可以是第一发光层 203 ) , 便可以 使所述第二发光单元 30发相应颜色的光， 例如绿光； 通过控制第三发光单元 40的阳极 201中的空穴和阴极 202中的电子均注入到第二发光层 204, 并通过 设置在第三发光单元 40的第二发光层 204的出光侧的光色转换层 205将来自 该第二发光层 204的光转换为相应颜色的光， 例如红光。
为了实现充分的颜色转换， 需保证光色转换层 205的宽度与其对应的发光 单元内的发光层的宽度相等，例如约为 d/2。由于金属荫罩的最小精度宽度为 d, 因而不能釆用蒸镀法制备宽度约为 d/2的光色转化层 205。 考虑到构图工艺中 的光刻技术分辨率可以达到金属荫罩分辨率的 2倍， 即通过光刻技术能制备得 到宽度约为 d/2的光色转化层 205 , 因而， 在本发明的一个示例性实施例中釆 用光刻技术制备所述光色转化层 205。
在本发明的实施例中， 不对所述光色转换层 205的材料进行限定， 而是根 据需要转换的颜色而定。 例如在需要将绿光转换为红光、 蓝光转换为红光时， 选择相应具有该功能的材料即可。
如图 1-8所示，在本发明的示例性实施例中， OLED显示器 01还可以包括 用于封装有机材料功能层的封装层 50; 其中， 所述封装层 50可以是薄膜封装 也可以是基板封装， 在此不做限定。
根据阳极和阴极的材料的不同， OLED显示器可以分为单面发光型 OLED 显示器和双面发光型 OLED显示器。 例如， 当所述阳极 201和所述阴极 202中 的一个电极的材料为不透明材料时， 所述 OLED显示器 01为单面发光型； 当 所述阳极 201和所述阴极 202的材料均为透明材料时， 所述 OLED显示器 01 为双面发光型。
对于单面发光型 OLED显示器，根据阳极和阴极的材料的不同， 又可以分 为顶发光型 OLED显示器和底发光型 OLED显示器。 作为示例， 当所述阳极 201靠近所述衬底基板 10设置， 所述阴极 202远离所述衬底基底 10设置， 所 述阳极 201的材料为透明导电材料， 且所述阴极 202的材料为不透明导电材料 时， 由于光从阳极 201、 再经衬底基底 10—侧出射， 因此， 该 OLED显示器 01 可以称为底发光型； 当所述阳极 201 的材料为不透明导电材料， 所述阴极 202的材料为透明导电材料时， 由于光从阴极 202、 再经与衬底基底 10相对设 置的封装层 50出射， 因此， 该 OLED显示器 01可以称为顶发光型。 当然， 也 可以将上述阳极 201和阴极 202的相对位置进行交换， 在此再赘述。
对于双面发光型 OLED显示器 01 , 当所述阳极 201靠近所述衬底基底 10 设置， 所述阴极 202远离所述衬底基底 10设置， 或当所述阳极 201远离所述 衬底基底 10设置， 所述阴极 202靠近所述衬底基底 10设置， 且所述阳极 201 和所述阴极 202的材料均为透明导电材料， 例如 ITO ( Indium Tin Oxide, 氧化 铟锡）时， 光一方面从阳极 201、 再经衬底基底 10—侧出射， 另一方面从阴极 202、 再经与衬底基底 10相对设置的封装层 50出射。
根据本发明的示例性实施例提供的 OLED显示器，通过同时在同一发光阵 列单元的相邻的第一发光单元 20和第二发光单元 30中形成第一发光层 203 , 同时在该发光阵列单元的相邻的第二发光单元 30和第三发光单元 40中形成第 二发光层 204 , 并在第二发光单元 30 中使第一发光层 203和第二发光层 204 重叠， 便可以控制第一发光单元 20中的第一发光层 203、 第二发光单元 30中 的第一发光层 203或第二发光层 204、 第三发光单元 40 中的第二发光层 204 进行发光； 在此基础上通过布置光色转换层 205的位置， 便可使第一发光单元 20、第二发光单元 30和第三发光单元 40分别发蓝、绿、红中的一种颜色的光； 这样， 可以使通过蒸镀工艺在两个发光单元中形成的同一发光层的宽度基本上 等于在蒸镀工艺中使用的金属荫罩的最小精度宽度，从而能够减小每个发光单 元中的发光层的宽度。 相对于现有技术， 本发明实施例可以避免在制备各发光 单元中的发光层时，由于金属荫罩的图形尺寸精度的限制而导致 OLED显示器 分辨率不高的问题，使得本发明实施例提供的 OLED显示器具有更高的分辨率。
考虑到绿光和蓝光的能量高于红光的能量，将高能量的绿光或蓝光转换为 低能量的红光更为容易， 因此， 在本发明的一个示例性实施例中， 所述第一发 光层 203和所述第二发光层 204分别绿色发光层和蓝色发光层， 所述光色转换 层 205用于将绿光或蓝光转换为红光。
根据本发明的实施例， 可以通过多种方式实现第二发光单元 30 中只有一 个发光层发光。 例如， 可以通过控制第一发光层 203和第二发光层 204的载流 子传输特性和 /或二者之间的能级关系，使得阳极 201的空穴和阴极 202的电子 只能在第二发光单元 30中的一个发光层中结合， 即， 阳极 201的空穴或阴极 202的电子不能到达第二发光单元 30中的一个发光层， 例如第一发光层 203 , 从而使该一个发光层不发光。
作为一个示例， 若不让第二发光单元 30中的第一发光层 203发光， 则可 以控制第一发光层 203的载流子特性有利于空穴传输， 这样从阳极 201注入的 空穴不会或极少在第二发光单元 30的第一发光层 203停留而流入第二发光层 204, 在第二发光层 204中空穴与电子结合而发光， 在第一发光层 203中由于 空穴与电子没有结合， 因此不会发光。
此外，也可以通过能级的设计实现上述效果。具体地，在第二发光单元中， 可以将第一发光层 203和第二发光层 204的 HOMO (最高已占轨道）能级配置 成相同或十分接近， 使得从阳极 201注入的空穴不会或极少在第一发光层 203 停留而流入第二发光层 204 , 并将第一发光层 203和第二发光层 204的 LUMO (最低未占轨道）能级配置成相差很大， 使得从阴极 202注入的电子基本停留 第二发光层 204中， 这样空穴和电子仅在能在第二发光层 204内结合而发光。
当然也可以通过上述两种方式的搭配来实现第二发光单元 30 中一个发光 层发光， 另一个发光层不发光。 如本领域技术人员知晓的那样， 载流子特性和 /或能级关系的改变可以通过掺杂、 材料的选择等实现， 在此不做限制。
需要说明的是， 只有在阳极 201和阴极 202同时工作， 且阳极 201的空穴 和阴极 202的电子均能注入发光层的情况下， 各颜色发光层才能正常地发光， 否则即使这里将第一发光层 203称为例如蓝色发光层，如果在第二发光单元 30 中空穴和电子在该蓝色发光层中没有结合， 那么该蓝色发光层也是不会发光的。
进一步地，考虑目前现有用于制备 OLED显示器的发光材料，通常情况下， 绿光材料的效率远高于蓝光材料， 因此， 在一个示例中， 所述第二发光单元 30 中可以只有所述第二发光层 204发光， 且所述第二发光层 204为绿色发光层； 在此情况下， 所述光色转换层 205可以设置在所述第二发光单元 30或所述第 三发光单元 40中， 位于对应的有机材料功能层的出光侧。
示例性地，所述光色转换层 205的材料可以为 4-二氰基亚曱基 -2-曱基 -6-(p- 二甲基氛基苯乙烯基 )-4H-吡喃 (DCM-1)、 DCM-2、 DCJTB之类的花青染料、 4 , 4-二氟 -1 , 3 , 5 , 7-四苯基 -4-硼杂 -3a, 4a-二氮杂 -s-引达省（s-indacene)、 路玛 近 (Lumogen)红和尼罗红等。
根据本发明的一个示例性实施例， 如图 4和 5所示， 所述 OLED显示器 01还可以包括设置在所述第二发光单元 30的第一发光层 203和第二发光层之 间 204的阻挡层 208 ,所述阻挡层 208用于在第二发光单元 30中， 阻挡注入到 其中一个发光层中的电子和空穴中的一种注入到另一个发光层中但允许电子 和空穴中的另一种注入到所述一个发光层中。 进一步地， 所述阻挡层 208还可 以延伸到同一发光阵列单元的相邻的第一发光单元 20和第三发光单元 40中的 一个中并设置成允许电子和空穴二者注入到它延伸进入的该发光单元中。如图 4所示， 阻挡层 208布置在第二发光单元 30和第三发光单元 40中， 而在图 5 中， 阻挡层 208布置在第一发光单元 20和第二发光单元 30中。
在如图 4所示的示例中， 当阳极 201靠近衬底基板 10、 阴极 202远离衬底 基板 10时， 在第二发光单元 30中， 可以由所述阻挡层 208阻挡注入到第二发 光层 204中的电子再注入第一发光层 203中， 从而使第二发光单元 30中的第 一发光层 203由于没有电子的注入而不发光；而对于注入到阻挡层 208的空穴， 可以通过所述阻挡层 208到达第二发光层 204, 从而使空穴和电子在第二发光 单元 30的第二发光层 204中结合而发光。 如图 4所示， 阻挡层 208可以延伸 到第三发光单元 40中， 位于阳极 201和第二发光层 204之间（如， 空穴传输层 207和第二发光层 204之间）， 并允许来自阳极 201的空气到达第二发光层 204 中。
在此情况下， 由于第二发光单元 30和第三发光单元 40均通过第二发光层 204发光， 而根据显示原理， 需要该两个发光单元发不同颜色的光， 因此， 需 在第二发光单元 30或第三发光单元 40 (图 4中以第三发光单元 40为例）的第 二发光层 204的出光侧， 设置光色转换层 205。 其中， 根据第二发光层 204、 以及位于第二发光层 204两侧的电子传输层 206、 空穴传输层 207等有机材料 的特性， 所述光色转换层 205优选可以设置在有机材料功能层的出光侧。
同理， 在如图 5所示的示例中， 当阳极 201 靠近衬底基板 10、 阴极 202 远离衬底基板 10时， 在第二发光单元 30中， 阻挡层 208可以阻挡注入到第一 发光层 203中的空穴再注入第二发光层 204中， 从而使第二发光单元 30中的 第二发光层 204由于没有空穴的注入而不发光； 而对于注入到阻挡层 208的电 子， 可以通过所述阻挡层 208到达第一发光层 203 , 从而使空穴和电子在第二 发光单元 30的第一发光层 203中结合而发光。 如图 5所示， 阻挡层 208可以 延伸到第一发光单元 20中， 位于阴极 202和第一发光层 203之间（如， 电子传 输层 206和第一发光层 203之间）， 并允许来自阴极 202的电子到达第一发光 层 203中。
在此情况下， 由于第一发光单元 20和第二发光单元 30均通过第一发光层 203发光， 而根据显示原理， 需要该两个发光单元发不同颜色的光， 因此， 需 在第二发光单元 30或第一发光单元 20 (图 5中以第一发光单元 20为例）的第 一发光层 203的出光侧， 设置光色转换层 205。 其中， 根据第一发光层 203、 以及位于第一发光层 203两侧的电子传输层 206、 空穴传输层 207等有机材料 的特性， 所述光色转换层 205可以设置在有机材料功能层的出光侧。
在如图 6-8所示的实施例中， 所述 OLED显示器 01还可以包括与每个发 光单元对应的薄膜晶体管 60。 其中， 所述薄膜晶体管 60包括栅极 601、 栅绝 缘层 602、 半导体有源层 603、 源极 604和漏极 605。 在图示的示例中， 所述薄 膜晶体管 60的漏极 605与对应的发光单元的阳极 201电连接， 且所述薄膜晶 体管 60设置成靠近对应的发光单元的阳极 201。 所述 OLED显示器 01还可以 包括与所述栅极 601电连接的栅线、 栅线引线（图中未标识出 ) , 与所述源极 604电连接的数据线、 数据线引线 （图中未标识出）等。
需要说明的是， 所述薄膜晶体管 60是一种具有开关特性的半导体单元， 其可以是顶栅型， 也可以是底栅型 (如图 6-8所示）， 在此不作限定。
除了图 6-8所示的结构， 薄膜晶体管还可以设置在封装基板上， 所述薄膜 晶体管的漏极与衬底基板上的对应的发光单元的阳极或阴极电连接。
在如图 6所示的布置中， 在所述阳极 201的材料为透明材料， 且所述阴极 202的材料为不透明材料的情况下， 即， 所述 OLED显示器 01为底发光型， 所述光色转化层 205设置在第三发光单元 40的所述阳极 201和所述衬底基板 10之间。
在如图 7所示的布置中， 在所述阴极 202的材料为透明材料， 且所述阳极 201的材料为不透明材料的情况下， 即， 所述 OLED显示器 01为顶发光型， 所述光色转化层 205设置在第三发光单元 40的所述阴极 202远离所述衬底基 板 10的一侧。
在如图 8所示的布置中，在所述阳极 201和所述阴极 202的材料均为透明 材料的情况下， 即， 所述 OLED显示器 01为双面发光型， 在第三发光单元 40 中， 所述光色转化层 205分别设置在所述衬底基板 10和所述阳极 201之间、 以及在所述阴极 202远离所述衬底基板 10的一侧。
需要说明的是，由于阳极 201是不连续的或分立的并与发光单元——对应， 在一个示例中， 可以在相邻阳极 201之间设置像素隔离层， 一方面进行发光单 元的隔离， 另一方面将阳极 201所在的层填平， 以方便后续各层的制备。 本发明的多个实施例还提供了一种 OLED显示器的制备方法，参考图 1至 3所示， 所述 OLED显示器 01可以包括： 衬底基板 10, 以及设置在所述衬底 基板上并呈周期性排布的多个发光阵列单元，每个发光阵列单元包括顺序地布 置的第一发光单元 20、 第二发光单元 30和第三发光单元 40。 该制备方法包括 形成每个发光阵列单元的所述第一发光单元 20、 第二发光单元 30和第三发光 单元 40的步骤， 该步骤可以包括下述子步骤：
在所述衬底基板 10上与所述第一发光单元 20、所述第二发光单元 30和所 述第三发光单元 40对应的位置处通过构图工艺形成第一电极； 其中， 所述第 一电极可以为上文所述的阳极 201 , 也可以是阴极 202；
在形成有所述第一电极的基板上， 在与所述第一发光单元 20和所述第二 发光单元 30对应的区域内通过蒸镀工艺形成第一发光层 203；
在形成有所述第一发光层 203的基板上， 在与所述第二发光单元 30和所 述第三发光单元 40对应的区域内通过蒸镀工艺形成发射颜色不同于第一发光 层发射的光的颜色的光的第二发光层 204; 其中， 在第二发光单元 30中， 所述 第一发光层 203和所述第二发光层 204重叠且被配置成只有一个发光层能够发 光， 例如， 如前所述， 通过合理控制第一发光层 203和第二发光层 204的载流 子传输特性和 /或二者之间的能级关系 ,只让第二发光单元 30中第一发光层 203 或所述第二发光层 204发光；
在形成有所述第二发光层 204的基板上，在与所述第一发光单元 20、所述 第二发光单元 30和所述第三发光单元 40对应的位置处通过构图工艺形成第二 电极； 其中， 在所述第一电极为阳极 201的情况下， 第二电极为阴极 202 , 在 所述第一电极为阴极 202的情况下， 第二电极为阳极 201 ;
所述制备方法还包括在在每个阵列单元的具有用于发光的相同发光层的 两个发光单元中一个发光单元中，通过构图工艺形成位于该发光单元的出光侧 的光色转换层 205 , 该光色转换层被配置成将来自对应的发光层的光转换成颜 色不同于该阵列单元中的其它发光单元的光。
需要说明的是， 在每个发光单元中除形成发光层外， 还可以形成位于发光 层两侧的电子传输层 206和空穴传输层 207; 进一步地， 为了能够提高电子和 空穴注入发光层的效率，还可以形成位于阴极 202与所述电子传输层 206之间 的电子注入层， 以及位于阳极 201与所述空穴传输层 207之间的空穴注入层； 如前所述， 所述第一发光单元 20、 第二发光单元 30、 第三发光单元 40可 以分别对应于红色发光单元、 绿色发光单元、 蓝色发光单元中的一种， 其具体 对应关系在此不做限定。
由于第二发光单元 30包括层叠的第一发光层 203和第二发光层 204 ,而基 于本发明的结构， 第一发光层 203和第二发光层 204发不同颜色的光， 因此， 在第二发光单元 30中需控制只让其中一个发光层发光，即只让第一发光层 203 发光或只让第二发光层 204发光， 以避免在第二发光单元 30中两个发光层同 时发光而使得发出的颜色不纯的问题。
例如， 当第二发光单元 30中的第一发光层 203发光时， 其与第一发光单 元 20中的第一发光层 203发相同颜色的光， 因此， 需在第一发光单元 20或第 二发光单元 30中形成位于第一发光层 203出光侧的光色转换层 205 ,以将第一 发光单元 20和第二发光单元 30发出的光进行颜色区分； 可替换地， 当第二发 光单元 30中的第二发光层 204发光时， 其与第三发光单元 40中的第二发光层 204发相同颜色的光， 因此， 需在第二发光单元 30或第三发光单元 40中设置 位于第二发光层 204出光侧的光色转换层 205 ,以将第二发光单元 30和第三发 光单元 40发出的光进行颜色区。
上述制备方法中釆用的构图工艺可以包括成膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀、 剥离等步骤。 蒸镀工艺是指通过蒸镀方法直接在特定区域形成特定形状的图案, 并不需要涂胶、 曝光、 显影、 刻蚀、 剥离等步骤。
在根据本发明实施例提供的 OLED显示器的制备方法中，通过同时在与第 一发光单元 20和第二发光单元 30对应的区域内形成第一发光层 203 , 同时在 与所述第二发光单元 30和所述第三发光单元 40对应的区域内形成第二发光层 204 ,在第二发光单元 30中使第一发光层 203和第二发光层 204重叠，优选地， 完全重叠， 便可以控制第一发光单元 20 中的第一发光层 203、 第二发光单元 30中的第一发光层 203或第二发光层 204、 第三发光单元 40中的第二发光层 204进行发光； 在此基础上通过设置光色转换层 205的位置以进行需要的颜色 转换，便可使第一发光单元 20、第二发光单元 30和第三发光单元 40分别发蓝、 绿、 红中的其中一种颜色的光； 在这种制备方法中， 可以使通过蒸镀工艺在两 个发光单元中形成的同一发光层的宽度基本上等于在蒸镀工艺中使用的金属 荫罩的最小精度宽度， 从而能够减小每个发光单元中的发光层的宽度。 因此， 相对于现有技术， 本发明实施例可以避免制备各发光单元中的发光层时， 由于 金属荫罩尺寸精度的限制而导致 OLED显示器分辨率不高的问题，使得本发明 实施例提供的 OLED显示器 01具有更高的分辨率。
考虑到绿光材料的效率远高于蓝光材料， 在一个示例性实施例中， 参考图 1至 3所示，所述第二发光单元 30中的所述第二发光层 204发光，且所述第二 发光层 204为绿色发光层， 即： 第一发光单元 20中的第一发光层 203为蓝色 发光层， 第二发光单元 30和第三发光单元 40中的第二发光层为绿色发光层， 且第二发光单元 30中的第一发光层 203不发光； 在此情况下， 所述光色转换 层 205形成在所述第二发光单元 30或所述第三发光单元 40中的有机材料功能 层的出光侧。
参考图 4和图 5所示， 在形成所述第一发光层 203之后， 形成所述第二发 光层 204之前， 所述制备方法还可以包括：
在与第二发光单元 30对应的区域内形成阻挡层 208,所述阻挡层 208用于 在第二发光单元 30 中， 阻挡注入到其中一个发光层中的电子和空穴中的一种 注入到另一个发光层中但允许电子和空穴中的另一种注入到所述一个发光层 中。
在一个示例性实施例中， 可以在与所述第一发光单元 20和所述第二发光 单元 30对应的区域内、 或在与所述第二发光单元 30和所述第三发光单元 40 对应的区域内， 通过蒸镀工艺形成阻挡层 208, 该阻挡层 208允许电子和空穴 二者注入到第一发光单元 20或第三发光单元 30中的发光层中，但在第二发光 单元 30中， 只允许电子和空穴二者注入到一个发光层中。
这样， 通过形成所述阻挡层 208便可以只允许第二发光单元 30中的一个 发光层发光。
参考图 4所示， 当阳极 201靠近衬底基板 10、 阴极 202远离衬底基板 10 时， 在第二发光单元 30和第三发光单元 40中， 在形成第一发光层 203之后形 成所述阻挡层 208,其可以阻挡注入到第二发光单元 30的第二发光层 204中的 电子再注入第一发光层 203中，从而使得第二发光单元 30中的第一发光层 203 由于没有电子的注入而不发光； 而对于注入到阻挡层 208的空穴， 可以通过所 述阻挡层 208到达第二发光层 204,从而使空穴和电子在第二发光单元 30的第 二发光层 204中结合而发光。
在此情况下， 由于第二发光单元 30和第三发光单元 40均通过第二发光层 204发光， 而根据显示原理， 需要该两个发光单元发不同颜色的光， 因此， 需 在第二发光单元 30或第三发光单元 40 (图 4中以第三发光单元 40为例）的有 机材料功能层的出光侧， 形成光色转换层 205 , 以将其对应的发光单元发出的 光转换成其它颜色的光。
同理， 参考图 5所示， 当阳极 201靠近衬底基板 10、 阴极 202远离衬底基 板 10时， 在第二发光单元 30和第三发光单元 40中， 在形成第一发光层 203 之后和第二发光层 204之前形成所述阻挡层 208, 其可以阻挡注入到第二发光 单元 30的第一发光层 203中的空穴再注入到第二发光层 204中， 从而使得第 二发光单元 30中的第二发光层 204由于没有空穴的注入而不发光； 而对于注 入到阻挡层 208的电子， 可以通过所述阻挡层 208到达第一发光层 203 , 从而 使空穴和电子在第二发光单元 30的第一发光层 203中结合而发光。
在此情况下， 由于第一发光单元 20和第二发光单元 30均通过第一发光层 203发光， 而根据显示原理， 需要该两个发光单元发不同颜色的光， 因此， 需 在第二发光单元 30或第一发光单元 20 (图 5中以第一发光单元 20为例）的有 机材料功能层的出光侧， 设置光色转换层 205 , 以将其对应的发光单元发出的 光转换成其它颜色的光。
参考图 6至 8所示， 在形成所述第一电极之前， 所述制备方法还可以包括 形成与每个发光单元对应的薄膜晶体管 60的步骤。 在所述第一电极为阳极、 第二电极为阴极的情况下，所述薄膜晶体管 60的漏极与所述阳极 201电连接。
所述薄膜晶体管 60包括栅极 601、 栅绝缘层 602、 半导体有源层 603、 源 极 604和漏极 605、与所述栅极 601电连接的栅线、栅线引线（图中未标识出）， 与所述源极 604电连接的数据线、 数据线引线（图中未标识出）等。
需要说明的是， 所述薄膜晶体管 60可以是顶栅型， 也可以是底栅型， 在 此不作限定。
参考图 6所示， 在所述阳极 201的材料为透明材料， 且所述阴极 202的材 料为不透明材料的情况下， 即， 所述 OLED显示器 01为底发光型， 所述光色 转化层 205形成在所述阳极 201和所述衬底基板 10之间。
如图 7所示， 在所述阴极 202的材料为透明材料， 且所述阳极 201的材料 为不透明材料的情况下， 即， 所述 OLED显示器 01为顶发光型， 所述光色转 化层 205形成在所述阴极 202远离所述衬底基板 10的一侧。
如图 8所示，在所述阳极 201和所述阴极 202的材料均为透明材料的情况 下， 即， 所述 OLED显示器 01为双面发光型， 所述光色转化层 205分别形成 在所述衬底基板 10和所述阳极 201之间、 以及形成在所述阴极 202远离所述 衬底基板 10的一侧。
需要说明的是， 由于阳极 201是不连续的或分立的并与每个发光单元—— 对应， 在一个实施例中， 可以在相邻阳极 201之间形成像素隔离层， 一方面进 行发光单元的隔离， 另一方面将阳极 201所在的层填平， 以方便后续各层的制 备。
以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限于 此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内， 可轻易想到 变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围应 以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

权 利 要 求 书
1、 一种 0LED显示器， 包括衬底基板、 以及设置在所述衬底基板上并 呈周期性排布的多个发光阵列单元， 每个发光阵列单元包括顺序地布置的第 一发光单元、 第二发光单元和第三发光单元， 其中
所述第一发光单元、 所述第二发光单元、 和所述第三发光单元中的每一 个均包括阳极、 阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层， 所述有机材料功能层包括发光层；
在每个发光阵列单元中， 第一发光层形成在第一发光单元和第二发光单 元内， 第二发光层形成在第二发光单元和第三发光单元内， 并且第一发光层 和第二发光层发射不同颜色的光；
在所述第二发光单元中， 所述第一发光层和所述第二发光层重叠， 且被 配置成只有一个发光层能够发光； 并且
在每个发光阵列单元中， 具有用于发光的相同发光层的两个发光单元中 的一个发光单元还包括设置在该发光单元的出光侧的光色转换层， 该光色转 换层被配置成将来自对应的发光层的光转换成颜色不同于该发光阵列单元中 的其它发光单元的光。
2、 根据权利要求 1所述的 OLED显示器， 其中， 所述第一发光层和所 述第二发光层是通过蒸镀工艺形成的， 并且所述第一发光层和所述第二发光 层的宽度基本上等于在蒸镀工艺中使用的金属荫罩的最小精度宽度。
3、 根据权利要求 1所述的 OLED显示器， 其中，
所述第一发光层和所述第二发光层分别为绿色发光层和蓝色发光层； 并 且
所述光色转换层用于将绿光或蓝光转换为红光。
4、 根据权利要求 1所述的 OLED显示器， 其中，
所述第二发光单元中的所述第二发光层被配置成用于发光， 并且所述光 色转换层设置在所述第二发光单元或所述第三发光单元中的所述有机材料功 能层的出光侧；
或者， 所述第二发光单元中的所述第一发光层被配置成用于发光， 并且 所述光色转换层设置在所述第一发光单元或所述第二发光单元中的所述有机 材料功能层的出光侧。
5、 根据权利要求 1所述的 OLED显示器， 其中， 所述第一发光层和所 述第二发光层的载流子传输特性和 /二者之间的能级关系被设置成使得来自 阳极的空穴和来自阴极的电子只能在第二发光单元的第一发光层和第二发光 层中的一个内结合。
6、 根据权利要求 1所述的 OLED显示器， 其中， 每个发光阵列单元还 包括设置在所述第二发光单元的第一发光层和第二发光层之间的阻挡层， 所 述阻挡层用于在第二发光单元中， 阻挡注入到其中一个发光层中的电子和空 穴中的一种注入到另一个发光层中但允许电子和空穴中的另一种注入到所述 一个发光层中。
7、 根据权利要求 6所述的 OLED显示器， 其中， 所述阻挡层延伸到同 一发光阵列单元的第一发光单元和第三发光单元中的一个中并设置成允许电 子和空穴二者注入到它延伸进入的该发光单元的发光层中。
8、 根据权利要求 1至 7任一项所述的 OLED显示器， 其中，
所述 OLED显示器还包括与每个发光单元对应的薄膜晶体管， 所述薄膜 晶体管的漏极与对应的发光单元的所述阳极电连接， 且所述薄膜晶体管设置 成靠近对应的发光单元的阳极。
9、 根据权利要求 8所述的 OLED显示器， 其中， 在所述阳极的材料为 透明材料， 且所述阴极的材料为不透明材料的情况下， 所述光色转化层设置 在所述阳极和所述衬底基板之间。
10、 根据权利要求 8所述的 OLED显示器， 其中， 在所述阴极的材料为 透明材料， 且所述阳极的材料为不透明材料的情况下， 所述光色转化层设置 在所述阴极远离所述衬底基板的一侧。
11、 根据权利要求 8所述的 OLED显示器， 其特征在于， 在所述阳极和 所述阴极的材料均为透明材料的情况下， 所述光色转化层分别设置在所述阳 极和所述衬底基板之间、 以及所述阴极远离所述衬底基板的一侧。
12、 一种 OLED显示器的制备方法， 所述 OLED显示器包括衬底基板、 以及设置在所述衬底基板上并呈周期性排布的多个发光阵列单元， 每个发光 阵列单元包括顺序地布置的第一发光单元、 第二发光单元和第三发光单元； 该制备方法包括形成每个发光阵列单元的所述第一发光单元、 所述第二发光 单元和所述第三发光单元的步骤， 该步骤包括：
在所述衬底基板上与所述第一发光单元、 所述第二发光单元和所述第三 发光单元对应的位置处通过构图工艺形成第一电极；
在形成有所述第一电极的衬底基板上， 在与所述第一发光单元和所述第 二发光单元对应的区域内通过蒸镀工艺形成第一发光层；
在形成有所述第一发光层的衬底基板上， 在与所述第二发光单元和所述 第三发光单元对应的区域内， 通过蒸镀工艺形成发射颜色不同于第一发光层 发射的光的颜色的光的第二发光层， 使得在所述第二发光单元中， 所述第一 发光层和所述第二发光层重叠且被配置成只有一个发光层能够发光； 以及
在形成有所述第二发光层的衬底基板上， 在与所述第一发光单元、 所述 第二发光单元和所述第三发光单元对应的位置处通过构图工艺形成第二电极; 所述制备方法还包括在每个发光阵列单元的具有用于发光的相同发光层 的两个发光单元中的一个发光单元中， 通过构图工艺形成位于该发光单元的 出光侧的光色转换层， 该光色转换层被配置成将来自对应的发光层的光转换 成颜色不同于该发光阵列单元中的其它发光单元的光。
13、根据权利要求 12所述的制备方法， 其中， 通过蒸镀工艺形成的所述 第一发光层和所述第二发光层的宽度基本上等于在蒸镀工艺中使用的金属荫 罩的最小精度宽度。
14、 根据权利要求 12所述的制备方法， 其中
所述第一发光层被选择为绿色发光层和蓝色发光层中的一种， 所述第二 发光层被选择为绿色发光层和蓝色发光层中的另一种， 并且
所述光色转换层用于将绿光或蓝光转换为红光。
15、 根据权利要求 12所述的制备方法， 其中，
在所述第二发光单元中的所述第二发光层被配置成用于发光的情况下， 形成光色转换层的步骤包括在与所述第二发光单元或所述第三发光单元对应 的区域内在该发光单元的出光侧形成所述光色转换层； 或者
在所述第二发光单元中的所述第一发光层被配置成用于发光的情况下， 形成光色转换层的步骤包括在与所述第一发光单元或所述第二发光单元对应 的区域内在该发光单元的出光侧形成所述光色转换层。
16、根据权利要求 12所述的制备方法，形成第一发光层和第二发光层的 步骤包括：
配置所述第一发光层和所述第二发光层的载流子传输特性和 /二者之间 的能级关系， 使得来自阳极的空穴和来自阴极的电子只能在第二发光单元的 第一发光层和第二发光层中的一个内结合。
17、根据权利要求 12所述的制备方法， 其中， 在形成所述第一发光层之 后且形成所述第二发光层之前， 所述制备方法还包括下述步骤：
在与所述第二发光单元对应的区域内形成阻挡层， 所述阻挡层用于在第 二发光单元中， 阻挡注入到其中一个发光层中的电子和空穴中的一种注入到 另一个发光层中但允许电子和空穴中的另一种注入到所述一个发光层中。
18、 根据权利要求 17所述的制备方法， 其中形成阻挡层的步骤包括： 在每个发光阵列单元内， 在与所述第一发光单元和所述第二发光单元对 应的区域内、 或在与所述第二发光单元和所述第三发光单元对应的区域内， 通过蒸镀工艺形成所述阻挡层， 以便允许电子和空穴二者注入到第一发光单 元或第三发光单元的发光层中。
19、 根据权利要求 12至 18任一项所述的制备方法， 其中， 在形成所述 第一电极之前， 所述制备方法还包括形成薄膜晶体管的步骤；
其中， 在所述第一电极为阳极、 第二电极为阴极的情况下， 所述薄膜晶 体管的漏极与所述阳极电连接。
20、 根据权利要求 12至 18任一项所述的制备方法， 其中，
在所述第一电极的材料为透明材料， 且所述第二电极的材料为不透明材 料的情况下， 在形成所述第一电极的步骤之前在所述第一电极和所述衬底基 板之间形成所述光色转化层；
在所述第一电极的材料为透明材料， 且所述第二电极的材料为不透明材 料的情况下， 在形成所述第二电极的步骤之后在所述第二电极的远离所述衬 底基板的一侧形成所述光色转化层； 以及
在所述第一电极和所述第二电极的材料均为透明材料的情况下， 分别在 所述第一电极和所述衬底基板之间、 以及在所述第二电极的远离所述衬底基 板的一侧形成所述光色转化层。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943658B (zh) * 2014-03-27 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器及其制备方法
CN105737860B (zh) * 2014-12-08 2018-05-25 微动公司 变送器及其组装方法
CN104617231B (zh) 2015-02-06 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104659037A (zh) * 2015-02-12 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105226076B (zh) * 2015-09-07 2018-03-27 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
CN106252383B (zh) 2016-09-30 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 双面显示面板及其制作方法、显示装置
CN109845404B (zh) * 2016-10-13 2020-11-20 夏普株式会社 显示装置及其制造方法
CN106876432B (zh) * 2017-02-24 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示器件及oled显示器
CN106910836A (zh) * 2017-02-24 2017-06-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种oled显示器件及oled显示器
KR20220080923A (ko) * 2020-12-08 2022-06-15 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
TWI762142B (zh) * 2021-01-05 2022-04-21 國立陽明交通大學 單色有機發光二極體血氧脈搏偵測裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1003221A2 (en) * 1998-11-18 2000-05-24 Eastman Kodak Company Organic light-emitting color display
CN1649455A (zh) * 2004-01-19 2005-08-03 统宝光电股份有限公司 近紫外光色转换的全彩主动式有机发光显示器结构
CN103050630A (zh) * 2011-12-05 2013-04-17 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的画素结构
CN103325952A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制造方法、显示装置
CN103943658A (zh) * 2014-03-27 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器及其制备方法
CN203746914U (zh) * 2014-03-27 2014-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6242075B1 (en) 1998-11-20 2001-06-05 Hewlett-Packard Company Planar multilayer ceramic structures with near surface channels
JP5167723B2 (ja) * 2007-08-21 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP2010165510A (ja) * 2009-01-14 2010-07-29 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
TWI532822B (zh) * 2011-04-29 2016-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
TW201324758A (zh) * 2011-12-05 2013-06-16 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構
KR101895616B1 (ko) * 2012-02-14 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103000639B (zh) * 2012-12-12 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
TWI496281B (zh) * 2013-02-05 2015-08-11 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板之畫素結構

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1003221A2 (en) * 1998-11-18 2000-05-24 Eastman Kodak Company Organic light-emitting color display
CN1649455A (zh) * 2004-01-19 2005-08-03 统宝光电股份有限公司 近紫外光色转换的全彩主动式有机发光显示器结构
CN103050630A (zh) * 2011-12-05 2013-04-17 友达光电股份有限公司 电激发光显示面板的画素结构
CN103325952A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制造方法、显示装置
CN103943658A (zh) * 2014-03-27 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器及其制备方法
CN203746914U (zh) * 2014-03-27 2014-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3128556A4 *

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