WO2015000671A1 - Optoelectronic component device, method for producing an optoelectronic component device, and method for operating an optoelectronic component device - Google Patents

Optoelectronic component device, method for producing an optoelectronic component device, and method for operating an optoelectronic component device Download PDF

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WO2015000671A1
WO2015000671A1 PCT/EP2014/062279 EP2014062279W WO2015000671A1 WO 2015000671 A1 WO2015000671 A1 WO 2015000671A1 EP 2014062279 W EP2014062279 W EP 2014062279W WO 2015000671 A1 WO2015000671 A1 WO 2015000671A1
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electro
optical component
optically active
active region
electromagnetic radiation
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PCT/EP2014/062279
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Michael Popp
Arndt Jaeger
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Osram Oled Gmbh
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Definitions

  • Optoelectronic component device a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided.
  • a conventional organic optoelectronic component for example an organic light emitting diode (OLED), may comprise an anode and a
  • Layer system may include one or more emitter shafts in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structure of two or more each
  • Charge carrier pair generation layers ⁇ charge generating couple (CGL) and one or more electron block layers, also referred to as
  • Hole transport layer (s) (hole transport layer-HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) ("ectron transport layer” - ETL), for directing the flow of current.
  • organic light emitting diode find increasingly widespread application in general lighting
  • OLED area light sources have hitherto been either transparent, semitransparent, diffuse or specular. Colloquially, an OLED is described as transparent or not transparent. The appearance of an OLED can, as far as known, not yet changed in the switched-on state and in the off state.
  • Optoelectronic component device a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided, with which it is possible to change the appearance and the beam direction of OLED area light sources in the off state and / or in the on state.
  • a method for producing an optoelectronic component device a method for operating an optoelectronic component device provided, with which it is possible to change the appearance and the beam direction of OLED area light sources in the off state and / or in the on state.
  • the optoelectronic component device on eisend: a Strahlradeque1le with a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is arranged to emit a first electromagnetic radiation and the second optically active region for emitting a second electromagnetic radiation is set up; and a first electro-optical component and at least one second electro-optical component; wherein the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component are arranged in the beam path of the radiation source to each other such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second electromagnetic radiation, so that the first
  • the radiation source can be designed as a light-emitting component, for example a light-emitting diode, an organic light-emitting diode, an (organic) light-emitting diode laterally coupled into an optical waveguide, also referred to as
  • the optoelectronic component device can be designed as a mechanically flexible component, for example as a bendable OLED,
  • the radiation source may be configured as a surface light source, wherein the
  • first optically active region has a different orientation than the surface normal of the second optically active region.
  • orientation of a surface normal for example, the normal vector of the surface can be understood.
  • a different orientation can already be given if the normal vectors of a first surface and a second surface have different signs.
  • the first optically active region may be formed parallel to the second optically active region, for example approximately plane-parallel.
  • the first optically active region can also be opposite to the second optically active region in a form without being plane-parallel, for example tapering or diverging.
  • the surface light source can be configured as an organic light-emitting diode.
  • the organic light-emitting diode may be transparent or translucent.
  • the second electro-optical is the second electro-optical
  • Range and / or the second optically active region may be formed.
  • Component be formed between the first electro-optical device and the first optically active region.
  • the first electro-optical component and / or the second electro-optical component can / can be formed on the first optically active region and / or the second optically active region.
  • the first electro-optical component and / or the second electro-optical component can be integrated in the radiation source, for example
  • the first electro-optical is a layer cross-section of the radiation source.
  • the first electro-optical is a first electro-optical
  • Component and the second electro-optical component be designed such that the first electro-optical component at least a first electrically einsteilbare optical
  • Electro-optical device has at least a second electrically adjustable optical property.
  • the first electro-optical component and the second electro-optical component are identical to one embodiment.
  • electro-optical components have at least one of the following electro-optical components or be configured as such: a mirror with electrically tunable reflectivity; a filter with electrically tunable absorption; and / or a diaphragm with electrically tunable transmission.
  • the first electro-optical component and the second electro-optical component can have the same electro-optical component, that is to say an electro-optical component of the same type.
  • the first electro-optical component and the second electro-optical component may have a different electro-optical component.
  • Component device may be the opto-electronic
  • Component device further comprises a control device
  • Radiation source with the control device are electrically connected / is.
  • control device may be designed such that the optoelectronic properties, for example optical properties, of the first
  • Electro-optic device, the at least one second electro-optical component and the radiation source are independently variable. optical
  • Properties can be, for example, the transmission
  • Be wavelength range Another optical property, for example, the intensity distribution in a
  • control device may have a pulse modulator which is used to drive the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component electro-optical component and / or the radiation source is set up.
  • the pulse modulator as a
  • Pulse amplitude modulator, a pulse frequency modulator and / or a pulse width modulator be set up.
  • the optoelectronic component can be designed such that the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation are approximately equal in at least one of the following properties: color tone; Saturation; or brightness.
  • the radiation source can be configured such that the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation are different in at least one of the following properties:
  • the first electro-optical is Hue; Saturation; or brightness.
  • the first electro-optical is Hue; Saturation; or brightness.
  • Component and the at least one second electro-optical device may be arranged such that the first optically active region and the second optically active region differ in at least one of the following properties: eflektsammlung; Absorption; or transmissivity.
  • the radiation source can be configured such that the first electromagnetic radiation has approximately the same color location as the second
  • the first electro-optical is the first electro-optical
  • Component and the at least one second electro-optical component be structured, for example, surface, for example, for information reproduction, for example in the form of a pictogram, a symbol, an ideogram and / or a lettering.
  • Component device as a one-sided light-emitting
  • a method for. Producing an optoelectronic component device comprising: forming a radiation source having a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is arranged to emit a first electromagnetic radiation and the second optically active region to emit a second electromagnetic radiation is set up; and forming a first electro-electric device and forming at least one second electro-optic device; wherein the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component in the beam path of
  • Radiation source are formed to each other such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second electromagnetic radiation, so that the first electromagnetic radiation in
  • electromagnetic radiation is different.
  • Radiation source can be formed as a surface light source, wherein the surface normal of the first optically active region may have a different orientation than the surface normal of the second optically active region.
  • the first optically active region can be parallel to the second optically active region
  • Be formed area for example approximately
  • the organic light-emitting diode can be made transparent or translucent.
  • electro-optical component can be formed in the beam path of the first optically active region.
  • electro-optical component and the first optically active region are formed.
  • the first electro-optical component and / or the second one can / may be used
  • the first electro-optical component and / or the second one can / may be used
  • electro-optical component can be formed integrated in the radiation source, for example monolithic.
  • the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component may be formed such that the first electro-optical component has at least one first electrically adjustable optical property and the at least one second electro-optical component at least has a second electrically adjustable optical property.
  • An electrically adjustable optical property can be, for example, the absorption, reflectivity, the
  • the first electro-optical component and the second electro-optical component may have at least one of the following electro-optical components or be formed as such: a mirror with electrically tunable reflectivity; a filter with electrically tunable absorption, - and / or a diaphragm with electrically tunable
  • Electromagnetic radiation are limited or interrupted, for example, for information reproduction.
  • the reproduced information can be formed on the screen, for example as a pictogram, an ideogram and / or a logo, which is represented for example by means of colored particles.
  • the information can be displayed by means of the restricted or interrupted beam path.
  • an electrically switchable diaphragm has a phosphor, wherein the phosphor can be introduced into the beam path by means of electrical switching or can be removed therefrom. The phosphor can become a
  • Wavelength conversion and the color appearance i. the wavelength spectrum
  • electromagnetic radiation are removed. This can For example, the color appearance can be changed.
  • Filtering the electromagnetic radiation can one
  • Electro-optical component and the second electro-optical component will be designed as identical electro-optical components.
  • the first electro-optical component and the second electro-optical component may be designed as a different electro-optical component
  • Component be formed, for example as
  • the method may further comprise forming or providing a
  • Control device may be formed or be such that the optoelectronic properties of the first
  • Electro-optic device, the at least one second electro-optical component and the radiation source are changed independently.
  • Control device have a pulse modulator or be formed.
  • the pulse modulator is / is for driving the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component and the
  • the pulse modulator can be designed as a pulse amplitude modulator, a pulse frequency modulator and / or a pulse width modulator. In one embodiment of the method, the
  • optoelectronic component be formed such that the first electromagnetic radiation and the second
  • optoelectronic component be formed such that the first electromagnetic radiation and the second
  • the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component can be arranged such that the first optically active region and the second optically active region differ in at least one of the following properties: reflectivity; Absorption; or
  • Optoelectronic component are formed such that the first electromagnetic radiation has approximately the same color locus as the second electromagnetic radiation.
  • electro-optical component and the at least one second electro-optical component are formed structured, for example, to reproduce information
  • Optoelectronic component device can be formed as a one-sided light-emitting mirror or one-sided light-emitting window.
  • a method of operating an optoelectronic component device comprising: driving an optoelectronic component device according to any of the above-described embodiments; the first one
  • Electro-optical component and the at least one second electro-optical component are driven differently such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second e1ektromagnetician radiation, so that the first electromagnetic
  • Distinguish radiation in at least one property of the second electromagnetic radiation Distinguish radiation in at least one property of the second electromagnetic radiation.
  • Electro-optical device are driven such that the first optically active region at least partially emits a first electromagnetic radiation.
  • Electro-optic device are driven such that the first optically active region is at least partially reflective, for example in terms
  • Electro-optical device are driven such that the first optically active region at least partially for example, in terms of absorbing
  • the first optically active region electromagnetic radiation incident on the first optically active region.
  • the first optically active region electromagnetic radiation incident on the first optically active region.
  • Electro-optical device are driven such that the first optically active region is at least partially optically inactive, for example, in which a diaphragm is formed in front of the first optically active region.
  • the second electro-optical component can be controlled such that the second optically active region at least partially emits a second electromagnetic radiation.
  • the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially reflective, for example as regards
  • the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially absorbent, for example as regards
  • the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially optically inactive, for example by forming a diaphragm in front of the second optically active region.
  • the driving of the radiation source with the driving of the first electro-optical component and / or the second
  • Electro-optical component and the radiation source are driven such that the first optically active region is at least partially transparent or translucent.
  • Electro-optical component and the radiation source are driven such that the second optically active region is at least partially transparent or translucent.
  • Component and the radiation source are driven such that the first electro-optical component is at least partially reflective and the second electro-optical component and the second optically active region are at least partially transmissive or translucent.
  • Electro-optical device and the second electro-optical device are driven such that the first optically active region -at least partially a first
  • the emitted electromagnetic radiation and the second electro-optical component and the second optically active region are at least partially transmissive or translucent.
  • control signal of the optoelectronic component can be used as an input signal for the control of the first electro-optical component and / or of the at least one second electro-optical component
  • Optoelectronic component device as one-sided operated light-emitting mirror or one-sided light-emitting window
  • the pulse modulator can be a phase dimmer on iron or as such
  • phase dimming a provided voltage or a provided stream is set up.
  • the phase dimmer can be used for a phase angle control or a
  • Optoelectronic component device according to various embodiments
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments
  • Figure 3 is a schematic representation of a
  • FIGS. 4a, b are schematic representations of a method for operating an optoelectronic
  • Figures 5a-d are schematic diagrams of a method for operating an optoelectronic
  • Figures 6a-c are schematic representations of a method for operating an optoelectronic
  • Figure 7 is a diagram of a method of operation
  • Figure 8 is a conventional optoelectronic
  • a radiation source may be a device emitting electromagnetic radiation.
  • electromagnetic radiation As electromagnetic
  • Radiation is X-rays, UV radiation, light,
  • a radiation source for example, a laser beam
  • electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light emitting diode light emitting diode
  • organic light emitting diode organic light emitting diode
  • the light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of
  • a radiation source which is embodied as an optoelectronic component, can in various configurations, as an organic light emitting diode (OLED), an organic photovoltaic system, for example an organic solar cell, an organic sensor, an organic field effect transistor (OFET) and / or organic electronics
  • OLED organic light emitting diode
  • OFET organic field effect transistor
  • the organic field effect transistor may be an all-OFET in which all
  • Component may have an organic functional layer structure, which is synonymously also referred to as organically functional layer structure.
  • the organically functional layer structure may comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture, which may be used, for example, to provide a
  • an optically active region of an optoelectronic component can be understood as the region of an optoelectronic component which absorbs electromagnetic radiation and from this a photocurrent or an electrical voltage
  • An optoelectronic component may, for example, two or more optically active regions
  • optically active regions for example, optically active sides of a flat optoelectronic device may be, for example, two themselves
  • an optoelectronic component having two or more optically active regions may also be referred to as a so-called stacked organic light emitting diode having two or more
  • a first OLED unit can be used as a first optically active one
  • Range and a second OLED unit may be formed as a second optically active region.
  • An optoelectronic Component which has two flat, optically active sides can be transparent, for example, as a transparent organic light-emitting diode.
  • the optically active region can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive
  • an organic light-emitting diode which is set up as a top emitter or bottom emitter.
  • the optoelectronic component device can be controlled by means of the phase angle, for example, be dimmed, for example by means of a phase control and / or a
  • phase angle may be understood to mean the angular interval in one half cycle of the input voltage of the radiation source and / or electro-optical components, while no voltage is applied to the connected components by means of the dimmer.
  • the phase angle may be an amount in a range of
  • phase angle of about 0 ° can be understood as undimmed.
  • Phase angle of about 180 ° can be understood as being maximally dimmed.
  • Maximum dimming may be understood as being similar to an open switch electrically connected in series with the group of dimmed components.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light-emitting component for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Amount of light also from the structure (for example layer) is decoupled, whereby a part of the light can be scattered here
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • FIG. 1a-d show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
  • Device device 100 with a first electro-optical component 110, a second electro-optical component 120 and an optoelectronic component 130.
  • the illustrated embodiment of the optoelectronic component 130 has a first electrode 104 on or above a carrier 102. On or above the first electrode 104, an organic functional layer structure 106 is formed. Over or on the organically functional
  • Layer structure 106 is a second electrode 108
  • the second electrode 108 is electrically insulated from the first electrode 104 by means of electrical insulation 112.
  • a barrier thin film 118 is disposed such that the second electrode 108, the electrical insulation 112, and the organic functional layer structure 106 are surrounded by the barrier film 118, that is, in FIG.
  • barrier thin layer 118 can hermetically seal the trapped layers
  • an adhesive layer 122 is disposed such that the adhesive layer 122 supports the adhesive layer 122
  • Barrier thin-film 118 surface and hermetically seals against harmful environmental influences.
  • a cover 124 is arranged on or above the adhesive layer 122.
  • the cover 124 is, for example, adhered to the barrier thin film 118 with an adhesive 122, for example, laminated.
  • the optoelectronic component 130 in the form of a
  • a light-emitting device for example in the form of an organic light-emitting diode 130, may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the carrier 102 may be glass, quartz, and / or a semiconductor material on or formed of iron.
  • the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may contain one or more polyolefins
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • the carrier 102 may be one or more of the above
  • the carrier 102 may
  • the carrier 102 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, chromium, molybdenum, for example one
  • a carrier 102 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent. In a carrier 102, a metal
  • the metal may be considered a thin one
  • Layer be transparent or translucent layer formed and / or the metal to be part of a mirror structure.
  • the carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way.
  • a carrier 102 having a mechanically rigid region and a mechanically flexible region may be patterned, for example by having the rigid region and the flexible region of different thickness.
  • a mechanically flexible carrier 102 or the mechanically flexible region may, for example, be a foil
  • the carrier 102 may be referred to as
  • optoelectronic component 130 for example, be transparent or translucent with respect to the provided electromagnetic radiation of the optoelectronic component 130th
  • the carrier 102 may be in different
  • the organic functional layer structure 106 may be arranged (not shown), for example, on the side of the organic functional layer structure 106 and / or on the side of the organically functional
  • Layer structure 106 faces away. On or about your carrier 102 can in different
  • the barrier layer may comprise or be formed from one or more of the following materials:
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
  • the barrier layer can be supported by means of an atomic layer deposition (ALD) method, a molecular layer deposition method (MLD) and / or a chemical vapor deposition (CVD) method, for example a plasma
  • ALD atomic layer deposition
  • MLD molecular layer deposition method
  • CVD chemical vapor deposition
  • Gas phase deposition process (plasma enhanced chemical vapor deposition - PE-CVD) are formed.
  • the barrier layer may have two or more identical and / or different layers or layers, for example next to one another and / or one above the other, for example as a barrier layer structure or a barrier stack, for example. Furthermore, the barrier layer in different
  • Embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about hr 1000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example one
  • a cover (not shown) may be provided on or over the barrier layer and / or the barrier layer as a cover be formed, for example as a
  • Barrier layer be optional, for example by the
  • Carrier 102 is already hermetically sealed.
  • Barrier layer is not present, on or above the carrier 102), an electrically active region of the
  • the electrically active area may be considered the area of the
  • light emitting device 130 in which an electric current for operation of the optoelectronic component, such as the light-emitting
  • Component 130 flows.
  • the electrically active region may include a first electrode 104, a second electrode
  • Layer structure 106 have.
  • the first electrode 104 (eg, in the form of a first electrode layer 110) may be deposited on or over the barrier layer (or, if the barrier layer is not present (shown) on or above the carrier 102).
  • the first electrode 104 (hereinafter also referred to as lower
  • Electrode 104) may be made of an electric
  • conductive material can be made or how
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium-innate oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 , or In 2 O 3
  • ternary metal oxygenates such as AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgO 2 O 4 , GalnO 3 , Zn 2 In 2O 5 are also included or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 104 have a metal, for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these materials.
  • Electrode 104 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 104 provide one or more of the following materials, as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, such as Ag, Ag / Mg networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • the first electrode 104 may be electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically
  • the first layer having conductive transparent oxides.
  • the first layer having conductive transparent oxides.
  • Electrode 104 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 104 may have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example one
  • Layer thickness of less than or equal to about 18 nm.
  • the first electrode 104 may have a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm, for example, a layer thickness greater than or equal to about 15 nm.
  • the first electrode 104 may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 104 may have a layer thickness, for example
  • a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example one
  • the first electrode 104 is made of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, that may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes that may be combined with conductive polymers, or Graphene layers and composites is formed, the first electrode 104, for example, a
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode 104 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the first electrode 104 may be a first electrical
  • a first electrical potential (provided by a power source (not shown), for example, a power source or a voltage source) can be applied.
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102, and may then be indirectly supplied to the first electrode 104 or may be.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 106 may include a plurality of organic functional layer structures.
  • the organic electroluminescent layer structure 106 may also have more than two organically functional layer structures,
  • the other organic functional layer structures (not limited to, the other organic functional layer structures).
  • organically functional layered structures 106 may be formed. Several organic functionalities
  • Layer structures can be the same or different be formed, for example, an equal or
  • the organic functional layer structure 106 may be disposed on or above the first electrode 104.
  • a second organically functional layer structure may be arranged above the first organically functional layer structure, wherein between the first organically functional layer structure
  • Layer structures may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
  • organic functional layer structure 106 each have one or more emitter layers, for example, with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more Lochtechnischstiken ⁇ not shown in Fig.l) (also referred to as Lochtransportschient (s)).
  • one or more electron conductive layers may be used.
  • emitter layer (s) examples include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2, 5-substituted poly-p-). phenylenevinylene) and metal complexes, for example
  • Iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic
  • Dicyanomethylene -2-methyl-6-glolidolidyl-9-enyl-4H-pyran
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example.
  • polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).
  • the emitter materials may be suitably embedded in one or more matrix material (s).
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light-emitting device 130 may be selected such that light-emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) can / can
  • the emitter layer (s) may also be composed of several sub-layers, such as a blue-fluorescent emitter layer or blue-phosphorescent emitter layer, a green-phosphorescent emitter layer and a red-phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided in the beam path through this
  • Layers generated primary emission to arrange a converter material that at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
  • the emitter materials of various organic functional layer structures can also be chosen such that the individual emitter materials emit light of different colors (for example blue, green or red or any other color combinations, for example any other complementary color combinations), but that, for example, the total light, the a total of all organic functional layer structures is emitted and emitted from the OLED to the outside, a light of predetermined color, such as white light, is.
  • colors for example blue, green or red or any other color combinations, for example any other complementary color combinations
  • An organic functional layer structure 106 may
  • the one or more electroluminescent layers generally one or more electroluminescent layers on iron.
  • the one or more electroluminescent pixels generally one or more electroluminescent pixels on iron.
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials
  • organic electroluminescent layer structure 106 comprises one or more electroluminescent layers embodied as a hole transport layer such that, for example, in the case of an OLED, an effective one
  • the organically functional layered structure 106 may include one or more functional layers referred to as
  • Electron transport layer is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective Elektroneninj tion is made possible in an electroluminescent layer or an electroluminescent region.
  • As a material for the hole transport layer can be any material for the hole transport layer.
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • electroluminescent layer On or over the organic electroluminescent
  • Layer structure 106 or optionally on or over the one or more other organic compound
  • Electrode 108 may be formed according to one of the embodiments of the first electrode 104, wherein the first electrode 104 and the second electrode 108 may be configured the same or different in one embodiment. In various embodiments, metals are particularly suitable. In various embodiments, the second
  • Electrode 108 (for example in the case of a metallic second electrode 108), for example have a layer thickness of less than or equal to about 2000 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 1000 nm for example, have a layer thickness of less than or equal to about 500 nm
  • a layer thickness of less than or equal to about 50 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 45 nm » for example, a layer thickness of less than or equal to about 40 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm,
  • Embodiments of one or more of the materials and be formed with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode 104.
  • Electrode 104 and the second electrode 108 are both formed translucent or transparent.
  • the light-emitting device 130 shown in Fig.la can be described as a top and bottom emitter (in other words, as transparent
  • the second electrode 108 can be used as anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode so as an electron injecting electrode.
  • the second electrode 108 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V.
  • a contact pad 114, 116 may be electrically and / or physically connected to an electrode 104, 108. However, a contact pad 114, 116 may also be configured as a portion of an electrode 104, 108, or a connecting slide.
  • the first electrode 104 may be electrically connected to a first electrical contact pad 116, to which a first electrical potential can be applied - provided by a power source (not shown), for example a current source or a voltage source.
  • the first contact pad 116 may be formed on or above the carrier 102 in the geometric edge region of the optically active region of the light-emitting component 130, for example laterally next to the first electrode 10.
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 104.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • Electrode 108 to be physically and electrically connected to a second contact pad 114, to which the second electrical potential can be applied - provided by a
  • Contact pad 114 may be formed in the geometric edge region of the optically active region of light-emitting component 130 on or above carrier 102, for example laterally next to first electrode 104.
  • the contact pads 114, 116 are by means of electrical
  • Isolations 112 are electrically isolated from the counter-pole electrodes 104, 108. In other words: the electrical
  • Isolations 112 may be configured such that a current flow between two electrically conductive regions, for example, between the first electrode 104 and the second electrode 108 or, for example, between the first Electrode 104 and the second contact pad 114 is prevented.
  • the substance or the substance mixture of the electrical insulation can be, for example, a coating or a coating agent, for example a polymer and / or a lacquer.
  • the lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 112 can be applied or formed, for example, lithographically or by means of a printing process, for example, structured.
  • Printing process for example, an inkjet printing ⁇ Inkj et-Printing), a screen printing and / or a pad printing (pad-printing) have.
  • electrical isolation 112 may be optional, for example, in forming the
  • the contact pads 114, 116 may be a substance or a substance mixture similar to the first substance or mixture of substances
  • Electrode 104 and / or the second electrode 108 or be formed therefrom for example as a
  • Metal layer structure comprising at least one chromium layer and at least one aluminum layer, for example chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr); or molybdenum-aluminum-molybdenum (Mo-Al-Mo), silver-magnesium (Ag-Mg), aluminum.
  • Cr-Al-Cr chromium-aluminum-chromium
  • Mo-Al-Mo molybdenum-aluminum-molybdenum
  • Ag-Mg silver-magnesium
  • the contact pads 114, 116 may, for example, a
  • a Verka beeting for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 118 may be formed or be.
  • a "barrier thin film” or a “barrier thin film” 118 can be understood, for example, as a layer or layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and Oxygen, form.
  • the barrier film 118 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • the barrier film 118 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin film 118 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • the barrier thin film 118 may comprise a plurality of sublayers formed on each other.
  • Barrier thin film 118 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 118 or one or more sublayers of the barrier film 118 may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition method according to an embodiment, e.g. a Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or a plasmaless
  • Chemical Vapor Deposition e.g. one
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 118 having multiple sublayers, all sublayers formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • a barrier film 118 comprising a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the barrier film 118 by means of a different deposition than one method
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 118 may, according to one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin layer 118 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin layer 118 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin layer 118 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another embodiment in which the barrier thin layer 118 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
  • Barrier thin layer 118 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness on iron than one or more other of the partial layers.
  • the barrier thin-film layer 118 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 118 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 118 (or the individual sublayers of the barrier film 118) may be made of a translucent or transparent material (or combination of materials that is translucent or transparent).
  • the barrier thin layer 118 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier film 118 comprising or being formed from one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, haf ium oxide, tantalum oxide,
  • Layer stack having a plurality of sublayers one or more of the sublayers of the barrier film 118 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2. It should also be noted that in various aspects of the sublayers of the barrier film 118 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2. It should also be noted that in various combinations of the sublayers of the barrier film 118 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2. It should also be noted that in various combinations of the sublayers of the barrier film 118 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2. It should also be noted that in various combinations of the sublayers of the barrier
  • Embodiments can be completely dispensed with a barrier thin film 118.
  • the optoelectronic component device can, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a barrier thin layer 118 can become optional, for example a cover, for example a cavity glass encapsulation or metallic encapsulation.
  • an adhesive 122 and / or on or above the barrier thin film 118 may be used
  • Protective varnish 122 may be provided, by means of which, for example, a cover 124 (for example a glass cover 12, a metal foil cover 124, a sealed plastic film cover 124 ⁇ is secured to the barrier film 118, for example glued.
  • a cover 124 for example a glass cover 12, a metal foil cover 124, a sealed plastic film cover 124 ⁇ is secured to the barrier film 118, for example glued.
  • Protective varnish 122 has a layer thickness of greater than 1 ⁇
  • the adhesive may include or be a lamination adhesive.
  • light-scattering particles for example dielectric
  • metal oxides such as silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 x ), alumina, or provided titanium oxide.
  • Other particles may be suitable, provided that they have a
  • Metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or
  • an electrically insulating layer (not shown) may be applied or be, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ ,
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 122, for example in embodiments in which the cover 124, for example made of glass, are applied to the barrier thin film 118 by means of, for example, plasma spraying.
  • the electrically active region may optionally be arranged a getter layer (not shown) such that the Gette layer is the electrically active
  • the getter layer can be structured, for example in an op isch inactive edge region of the optoelectronic component.
  • the getter layer may be translucent, transparent or opaque and have a layer thickness of greater than about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of several ⁇ .
  • Getter layer have a lamination adhesive.
  • the light-emitting device 130 (for example, combined with the barrier thin film 118) may be provided in the light-emitting device 130.
  • the / may
  • Cover 124 and / or the adhesive 122 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nra) of 1.55.
  • the cover 124 for example of glass, for example by means of a frit bonding ⁇ glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 100 with the barrier film 108 become.
  • a frit bonding ⁇ glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 100 with the barrier film 108 become.
  • Electro-optical component 110, 120 may be formed as a colored, matte, silver and / or diffuse electrically switchable structure. In various embodiments, a
  • Electro-optical device 110, 120 as an electrically switchable mirror with tunable Ref lectivity
  • the immense reflectivity can be carried out by electrochromic, gasochromic or thermochromic.
  • An electrically switchable mirror layer with tunable Ref lectivity can be designed as they for example, described in DE10031294A1;
  • Transmission or an electrically switchable filter with tuneable absorption can be designed as described, for example, in: J. Jacobsen et al. , IBM System Journal 36 (1997) 457-463; B. Comiskey et al.
  • Electro-optical component 110, 120 may be formed as a film and glued on or over the optoelectronic device 130, for example with an adhesive according to one of the embodiments shown above. In one
  • the adhesive which is used for adhering an electro-optical component 110, 120 also be arranged as Auskoppeltik, as will be described in more detail below.
  • the electro-optical component 110, 120 may be such as
  • Control signal to the electro-optical device 110, 120, the optical properties of the electro-optical device 110, 120 are changed, for example, the transmission, absorption and / or reflection of electromagnetic radiation by / in / from the electro-optical device 110, 120.
  • a control signal for example the change of a voltage applied to the electro-optical component 110, 120
  • electro-optical component 110, 120 (see Fig.5 and
  • the optical characteristics can be changed in a range of 0% (no change) to 100% (full change).
  • electro-optical device 110, 120 may be formed such that the optical properties of the electro-optical device abruptly, i. instantaneous, unsteady; change with the application of a control signal to the electro-optical component.
  • Electro-optical device 110, 120 may be formed so that the optical properties of the electro-optical device continuously, i. fluent, steady; with the
  • the optoelectronic device is operated in a DC mode.
  • the transmissivity and reflectivity of the optoelectronic component 130 are given discreetly, i. there are
  • a static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating one can be any suitable static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating one.
  • An outcoupling layer 126, 128 may be formed, for example, as an external outcoupling foil 126, 128 on or above the carrier 102 or as an internal auxucial splint (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 130.
  • the decoupling layer 126, 128 may comprise a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the
  • Layer cross-section - average refractive index (average Refractive index) of the outcoupling layer 126, 128 is smaller or larger than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided.
  • the decoupling layer 126, 128 and / or the scattering centers can, for example, according to one of the embodiments of
  • Adhesive layer 122 may be configured.
  • a self-regulating decoupling layer 126, 128 can be a matrix or scattering centers of a substance or a Stoffgeraisch
  • Scattering centers to the matrix at a first operating temperature of the optoelectronic component device is less than 0.05 and at a second operating temperature of
  • Refractive index difference is greater than 0.05.
  • the scattering centers and / or the matrix may comprise or from a thermotropic substance
  • Such a device may, for example, a film with scattering particles or a
  • the film can for example be applied to the substrate outside. Further possibilities may be a direct structuring of the substrate outside or the introduction of scattering particles into the substrate, for example into a glass substrate.
  • Decoupling layer 126, 128 may be provided in the beam path of the light emitted by the optoelectronic component on one of the electro-optical components 110, 120 (Fig.lb). In various embodiments, a static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating
  • Optoelectronic component emitted light between one of the electro-optical components 110, 120 and the optoelectronic component 130 may be provided (Fig. Lc).
  • one or more static decoupling layer (s) 126, 128 and / or one or more self-regulating decoupling layer (s) 126, 128 may be arranged in the beam path of the light emitted by the optoelectronic component, in accordance with FIGS
  • FIG. 1 Exemplary embodiment of a multiplicity of possible combinations of a plurality of outcoupling layers 126, 128 with regard to a first electro-optical component 110 and a second electro-optical component 120 is shown in FIG.
  • Optoelectronic component generally be a light-emitting component, such as a light emitting diode, an organic light emitting diode, a laterally into the carrier 102 light einkoppelnde (organic) light emitting diode, also referred to as page-coupled LED / OLED, a fluorescent tube, a Glühf denlampe, a compact fluorescent lamp.
  • a light-emitting component such as a light emitting diode, an organic light emitting diode, a laterally into the carrier 102 light einkoppelnde (organic) light emitting diode, also referred to as page-coupled LED / OLED, a fluorescent tube, a Glühf denlampe, a compact fluorescent lamp.
  • Optoelectronic component device as a mechanical be formed flexible component, for example as a bendable OLED.
  • FIGS. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various embodiments according to one of the embodiments of FIGS.
  • the control unit 202 can be electrically connected to the first electro-optical component 110 by means of electrical connections 206 and drive it.
  • the control unit 202 can be electrically connected to the second electro-optical component 120 by means of electrical connections 208 and drive it.
  • the control unit 202 can be connected to the optoelectronic by means of electrical connections 204 and the ontaktpads 114, 116
  • Component 130 to be electrically connected and this
  • the controller 202 may include a pulse modulator (not limited to, but not limited to, a pulse modulator (not shown).
  • the control unit 202 may be configured such that the power supply connected to the control unit 102
  • Components 110, 120, 130 controlled independently of each other, that is energized, can be.
  • the driving of the electro-optical components 110, 120 can take place by means of a voltage applied to the electro-optical components 110, 120 or an applied current.
  • the optical properties of the electro-optical components 110, 120 can by means of a change in the pulse width or the pulse frequency of the voltage pulses, for example by means of a Pulse width modulation (PWM), a pulse frequency modulation (PFM); and / or by means of a change of the control voltage, for example by means of a pulse amplitude modulation (PAM) or a DC modulation (DCM) (direct current
  • PWM and PFM Ans euerung can be used, for example, if the electro-optical components 110, 120 are formed such that can be switched only between two states,
  • a PAM and DC drive can be used, for example, if the electro-optical components 110, 120 are designed such that the optical properties by means of the magnitude and / or the current direction of
  • applied voltage can be adjusted.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
  • electro-optical device 120 (according to one embodiment of the description of Fig. 1); for a third
  • optoelectronic component device 306 with only a second electro-optical component 120; and for a fourth (conventional) optoelectronic component device without electro-optical components.
  • device 130 is configured as a transparent organic light-emitting diode 130 that can emit light up and down.
  • the optically active surface which emits light upwards may, for example, be referred to as the first optically active region and the surface which emits light downwards may be referred to as the second optically active region.
  • Electro-optical device be optically inactivating and prevent emission from an optically active region (shown by means of the arrow 322), for example, in which the electro-optical device light, which is emitted from an optically active region, reflects, reflects, filters and / or absorbed.
  • An electro-optical device is optically transparent if it does not change the light emitted by an optically active region - represented by the arrow 324. For the case consideration, the appearance of the optoelectronic
  • optoelectronic component device is not provided.
  • the first is electro-optical
  • Component 110 optically inactivating and the second
  • electro-optical component 120 is switched to be transmissive.
  • the emission of light upward is inhibited, so that light is emitted downwardly only from the second optically active region.
  • Optoelectronic device device 306 and fourth optoelectronic device device 308 emit light up and down.
  • the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are connected in a transmissive manner.
  • the second case 320 In the second case 320
  • Construction device 302, 304, 306, 308 light up and down.
  • a third case 330 the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are optically inactivated.
  • the first optoelectronic component device 302 emits light only down, the second optoelectronic
  • Component device 304 no light
  • Optoelectronic component device 306 light only up and the fourth optoelectronic component device 308 light up and down.
  • the first is electro-optic
  • Component 110 transmissive and the second electro-optical component 120 optically inactivating switched.
  • the emission of light downward is inhibited, so that light is emitted upward only from the first optically active region.
  • the first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 emit light up and down. From the case consideration 310, 320, 330, 340 it can be seen that it is with the second optoelectronic
  • Component device 304 is possible, a
  • Optoelectronic device device to switch optically inactive, although the optoelectronic device is optically active.
  • electro-optical device 120 as an electrical
  • a transparent optoelectronic component 130 may, for example, have a transparency of approximately 50% due to transparent electrical contacts and the organically functional layer structure (see FIG. 1 a).
  • a transparency of approximately 50% due to transparent electrical contacts and the organically functional layer structure (see FIG. 1 a).
  • the appearance of the optoelectronic device can be changed, for example, whether an optically inactivating switched optoelectronic device 110, 120 should appear as a mirror or a glossy or matte colored surface.
  • Optoelectronic device may have a different appearance on the inside than the outside of the
  • scattering layers and / or coupling-out layers in the beam path of the observer for example in the optoelectronic component.
  • electro-optical component 120 (Fig.4b) shown.
  • the outside of the first electro-optical component 110 is visible at a glance 410 in the direction of the first electro-optical component 110 (FIG. 4 a) in the case of the first optoelectronic component device 302 and the lateral optoelectronic component device 304.
  • the third optoelectronic component device 306 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
  • the inside of the first electro-optical component 110 is visible in the case of the first optoelectronic component device 302 and the second optoelectronic component device 304 in the direction of the second electro-optical component 120 (FIG.
  • the third optoelectronic component device 306 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
  • the optoelectronic component devices 302, 30, 306, 308 transparent.
  • the outside of the first electro-optical component 110 is visible at a glance 410 in the direction of the first electro-optical component 110 (FIG. A) in the first optoelectronic component device 302 and the second optoelectronic component device 304.
  • the inside of the second electro-optical device 120 is visible and the fourth Optoelectronic device device 308 appears transparent.
  • the outside of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the second electro-optical component 120 (FIG. At the first optoelectronic
  • the inside of the first electro-optic device 120 is visible and the fourth optoelectronic device device 308 appears transparent.
  • the interior of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the first electro-optical component 120 (FIG.
  • the first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
  • the outer side of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the second electro-optical component 110 ⁇ FIG.
  • the first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
  • Optoelectronic component device 304 is possible that the optoelectronic component device in
  • FIG. 5 a - c show schematic representations of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
  • FIG. 5 a shows an optoelectronic component device 100 according to one embodiment of the descriptions of FIGS. 1 and 2. While the optoelectronic component 130 emits light, the first electro-optical component can / can 110 and / or the second electro-optical component 120 are driven pulsed (see Figure 2). The pulsed
  • Control can, for example, as a pulse width modulation (PWM), a pulse frequency modulation (PFM) a
  • PWM pulse width modulation
  • PFM pulse frequency modulation
  • Pulse amplitude modulation PAM
  • PAM Pulse amplitude modulation
  • PCM Pulse code modulation Due to the inertia of the human eye, mixed scenarios of the case considerations 310, 320, 330, 340 of the second optoelectronic can be used by means of the pulsed activation
  • Component device the following properties: The first electromagnetic radiation 500 and the second
  • electromagnetic radiation 510 have identical
  • the optoelectronic component 130 is arranged between the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120.
  • the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are considered to be electrically tunable
  • the first electro-optical component 110 may therefore also be referred to below as the first electro-optical mirror 110 and the second electro-optical component 120 subsequently also as the second electro-optical mirror 120.
  • electro-optical mirror reflects the electromagnetic radiation 100% in the opposite direction -
  • the light emitted to the top (500) is redirected 100% down (510), so that instead of originally 50% of the total
  • Radiation can be adjusted by means of the control of the electro-optical components 110, 120 independently of the control of the optoelectronic component 130.
  • Fig.5b-d show different controls of a
  • electro-optical device 110, 120 Shown is the transmission 502 as a function of the time 504 of a
  • the duty cycle (Mux) can be understood as the inverse ratio of the transmission time 512, within which an electro-optical mirror 110, 120 is transmissive or a high one
  • Transmission coefficient 502 with respect to the time of a period 506 of the drive.
  • the switching of the electro-optical device between the high-transmission state and the low-transmission state can be realized, for example, by turning on or off the electro-optical device. For this it is assumed that the electro-optical component
  • Fig.5b and Fig.5c are two different controls, with which a duty cycle of 2 realized becomes.
  • a controlled electro-optical component 110, 120 is as long as reflective as well as transmissive on average over time, ie is 50% transparent or translucent and 50% reflective. If only the first electro-optical component 110 is driven in such a way while the second electro-optical component 120 is transmitting ⁇ first case 310 - see FIG.
  • Optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is thus 1/3.
  • Mirror 110, 120 can on average over time
  • the period 506, 508 can be changed, for example, by means of pulse frequency modulation.
  • the duty cycle can, for example, by means of a
  • Pulse width modulation can be set (shown in
  • Such a controlled electro-optical component 110, 120 has a reflected portion of electromagnetic radiation of, for example, 75%. This will be a
  • Tasting ratio of 4 allows.
  • the radiation ratio of the optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is thus 1/8.
  • the electromagnetic radiation of the optoelectronic component device is emitted in such a way as it is emitted by the optoelectronic component, that is to say 50% upwards and 50% downwards in the above-described assumption.
  • a transmission of the first electro-optical mirror 110 on a time average of 0% upwards 0% of the total electromagnetic radiation is emitted and downwards 100%.
  • the emission ratio of the optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is 0 (first case 310 in FIG. 3).
  • the range of the possible emission directions depends on the fundamental radiation of the optoelectronic component 130, for example in a range between 0% and 70%.
  • Component the radiation for electromagnetic radiation in both directions 500, 510 are varied in a range of 0% to 100%.
  • 6a-c show schematic representations of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
  • the optoelectronic properties of this electro-optical component 110, 120 can be adjusted, for example the reflectivity, the transmission and / or the absorption of electromagnetic radiation at this electro-optical component 110, 120.
  • An electro-optic device 110, 120 can in
  • the (normalized) reflectivity 604 is a function of a (normalized) voltage 602 applied to the electro-optical component 110, 120-illustrated in FIG. 6 a.
  • the Electro-optical device 110, 120 may be formed such that the reflection of electromagnetic radiation to the electro-optical device 110, 120 linearly with a
  • applied voltage increases, for example at a
  • applied voltage can, for example, for a
  • Pulse amplitude modulation can be used (not
  • An electro-optical component 110, 120 can be used in
  • Component 110, 120 can be adjusted by means of a pulse width modulation - shown in Figure 6b. Shown are a first pulse width 608 and a second pulse width 610. By means of different duty cycles 608, 610 (Mux) on the electro-optical components 110, 120 can in
  • temporal means different reflectivities in the electro-optical components 110, 120 are realized, for example, a reflectivity of 40% by means of the first pulse width 608 and a reflectivity of 60% by means of the second pulse width 610th
  • An electro-optical component 110, 120 can in
  • Device 110, 120 can be adjusted by means of a pulse frequency modulation - shown in Fig.6c. Shown are a first pulse rate 612 and a second pulse width 614, whereby on average over time
  • Reflections could be realized.
  • the control of the electro-optical component 110, 120 may have a mixed form of the abovementioned modulations, for example in the form of pulse code modulation.
  • the electro-optical components 110, 120 can be designed and controlled in such a way that the transmission, reflection and absorption of electromagnetic radiation by / on / in the electro-optical components 110, 120 of an optoelectronic component device 100 according to one of the illustrated functional relationships of the embodiments of the description of FIG . 5a-d and 6a-c.
  • the ratio of the proportions of electromagnetic radiation emitted by the first optically active region and the second optically active region can be determined by means of
  • the optoelectronic component can have optical properties which are dependent on the viewing direction, for example a direction-dependent transmission or reflection.
  • Such directional optical properties may be referred to as an asymmetric emission ratio.
  • An asymmetric emission ratio may, for example, have an emission of 60% of the total electromagnetic radiation from the second optically active region and 40% from the first optically active region.
  • FIG. 7 shows a diagram of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
  • the functional relationship of the radiation ratio 702 of the optoelectronic component device 100 is characterized in the selected representation by a discontinuity of the derivative for a mirror pulse ratio 704 of FIG. In the diagram shown is only ever one
  • Electro-optical component driven pulsed see Figure 5 and Figure 6
  • the other electro-optical device is transparent. It can be seen that in an optoelectronic
  • Emission ratio 702 the transparency of the optoelectronic component to be changed, which corresponds approximately to a change of the fundamental radiation 706.
  • Abstrahlness of the optoelectronic component 130 with respect to the second optically active region 1.00 / 1.
  • the emission ratio of the optoelectronic component 130 with respect to the second optically active region is 1.50 / 1.
  • Optoelectronic device device 100 of 0.4286 results.
  • the first electro-optical device is transparent and the first electro-optical device is 40% transparent, results in a mirror pulse ratio of 2.5. As a result, 84% of the total electromagnetic radiation is emitted downwardly and emitted 16% upwards, resulting in an emission ratio of the optoelectronic component device 100 of 5.2500.
  • electro-optical device 110 is 100% transparent and the first electro-optical device is 20% transparent, resulting in a mirror pulse ratio of 5. Thus, 90% of the total electromagnetic radiation emitted upwards and 10% down, bringing a Emission ratio of the optoelectronic
  • Device device 100 of 9,0000 results.
  • electro-optical device 110 is 0% transparent and the second electro-optical device is 60% transparent, resulting in a mirror pulse ratio of infinity. As a result, 0% of the total electromagnetic radiation is emitted upwards and 100% down, bringing a
  • control signal of the optoelectronic component as an input signal the first electro-optical component and / or the
  • At least one second electro-optical component to be set up as an input signal of the optoelectronic component.
  • Fig. 8 shows a conventional optoelectronic device.
  • a conventional optoelectronic component 800 has a first electrode 804 on a carrier 802. On the first electrode 804 is an organically functional
  • a second electrode 808 is formed.
  • the second electrode 808 is electrically isolated from the first electrode 804 by means of electrical insulation 812.
  • a barrier thin film 816 is arranged such that the second electrode 808, the electrical insulations 812, and the organic functional layer structure 806 of the
  • Barrier thin film 816 is intended to hermetically seal the enclosed layers with respect to harmful environmental influences.
  • An adhesive layer 818 is disposed on the barrier film 816 such that the adhesive layer 818 seals the barrier film 816 flat and hermetic to harmful environmental influences.
  • Adhesive layer 818 a cover 820 is arranged.
  • the cover 820 is adhered to the barrier film 816 with an adhesive 820.
  • a cover 820 is adhered to the barrier film 816 with an adhesive 820.
  • Front side and / or back of a transparent OLED area light source depending on the transparency of the OLED area light source continuously or discreetly to change.
  • Area light sources can be changed in transmittance in a range of 0% to 100%. Furthermore, the appearance of the optically active times of the OLED area light sources in the off state, that is, in the optically inactive state of the OLED can be changed.
  • the property of the appearance of an optically inactive side in the off state may include, for example, the transmissivity or reflectivity. Regardless of operating parameters of the OLED, the brightness of the OLED area light sources
  • electrically switchable mirror structure for example, an electrically switchable mirror film or an electrically switchable mirror glass, is glued to the OLED.
  • the electrically switchable mirror structure can act as an encapsulation for the OLED.
  • the electrically switchable mirror structure for example in the form of an electrically switchable mirror foil or an electrically switchable mirror glass, allows a modular structure of an OLED area light source with a plurality of mirror structures.

Abstract

The invention relates to an optoelectronic component device in various embodiments, which optoelectronic component device comprises: a radiation source (130) having a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is designed to emit first electromagnetic radiation (500) and the second optically active region is designed to emit second electromagnetic radiation (510); and a first electro-optical component (110) and at least one second electro-optical component (120); wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) are arranged in relation to each other in the beam path of the radiation source (130) in such a way that the first electromagnetic radiation (500) is changed differently from the second electromagnetic radiation (510), such that the first electromagnetic radiation (500) differs from the second electromagnetic radiation (510) in at least one property.

Description

Beschreibung description
Optoelektronische Bauelementevorrichtung, Verfahren zum Optoelectronic component device, method for
Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Producing an optoelectronic component device and method for operating an optoelectronic
Bauelementevorrichtung  components device
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine In various embodiments, a
optoelektronische Bauelementevorrichtung , ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt . Optoelectronic component device, a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided.
Ein herkömmliches organisches optoelektronisches Bauelement (Fig.8) , beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , kann eine Anode und eine A conventional organic optoelectronic component (FIG. 8), for example an organic light emitting diode (OLED), may comprise an anode and a
Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Have cathode with an organic functional layer system in between. The organic functional
Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschient/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Layer system may include one or more emitter shafts in which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structure of two or more each
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichten ·;„Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet alsCharge carrier pair generation layers · charge generating couple (CGL) and one or more electron block layers, also referred to as
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschi ch (en) („eiectron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten . Hole transport layer (s) (hole transport layer-HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) ("ectron transport layer" - ETL), for directing the flow of current.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis , Organic-based optoelectronic components,
beispielsweise organische Leuchtdiode , finden zunehmend verbreitete Anwendung in der Allgemeinbeleuchtung, For example, organic light emitting diode, find increasingly widespread application in general lighting,
beispielsweise als großflächige Leuchtflächen For example, as a large area lighting areas
(Flächenlichtquelle) . OLED- Flächenlichtquellen sind bisher entweder transparent, semitransparent , diffus oder spiegelnd. Umgangssprachlich wird eine OLED als durchsichtig oder nicht durchsichtig beschrieben . Das Erscheinungsbild einer OLED kann, soweit bekannt , bisher nicht im eingeschalteten Zustand und im ausgeschalteten Zustand verändert werden. (Area light source). OLED area light sources have hitherto been either transparent, semitransparent, diffuse or specular. Colloquially, an OLED is described as transparent or not transparent. The appearance of an OLED can, as far as known, not yet changed in the switched-on state and in the off state.
Weiterhin bekannt sind elektrisch schaltbare Also known are electrically switchable
Spiegelschichten: DE10031294A1 , DE102007022090A1 ; und Mirror layers: DE10031294A1, DE102007022090A1; and
elektrisch schaltbare Blenden/Filter : J. Jacobsen et al . , IBM System Journal 36 (1997) 457-463 ; B . Comiskey et al . Nature 394 (1998} 253-255; W0199803896A1 ; W0199841899A1 ; electrically switchable diaphragms / filters: J. Jacobsen et al. , IBM System Journal 36 (1997) 457-463; B. Comiskey et al. Nature 394 (1998) 253-255; W0199803896A1; W0199841899A1;
WO2010064165A1; WO2009053890A2 und EP1601030A2. WO2010064165A1; WO2009053890A2 and EP1601030A2.
In verschiedenen Ausführungsformen werden eine In various embodiments, a
optoelektronische Bauelementevorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, mit denen es möglich ist , das Erscheinungsbild und die Strahlrichtung von OLED- Flächenlichtquellen im ausgeschalteten Zustand und/oder im eingeschalteten Zustand zu verändern . In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Optoelectronic component device, a method for producing an optoelectronic component device and a method for operating an optoelectronic component device provided, with which it is possible to change the appearance and the beam direction of OLED area light sources in the off state and / or in the on state. In various embodiments, a
optoelektronische Bauelementevorrichtung bereitgestellt , die optoelektronische Bauelementevorrichtung auf eisend: eine Strahlungsque1le mit einem ersten optisch aktiven Bereich und einem zweiten optisch aktiven Bereich, wobei der erste optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und der zweite optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist ; und ein erstes elektrooptisches Bauelement und wenigstens ein zweites elektrooptisches Bauelement ; wobei das erste elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement im Strahlengang der Strahlungsquelle derart zueinander angeordnet sind, dass die erste elektromagnetische Strahlung in einer anderen Weise geändert wird als die zweite elektromagnetische Strahlung, so dass sich die erste Optoelectronic component device provided, the optoelectronic component device on eisend: a Strahlradeque1le with a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is arranged to emit a first electromagnetic radiation and the second optically active region for emitting a second electromagnetic radiation is set up; and a first electro-optical component and at least one second electro-optical component; wherein the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component are arranged in the beam path of the radiation source to each other such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second electromagnetic radiation, so that the first
elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten elektromagnetischen Strahlung unterscheidet . In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Strahlungsquelle als ein lichtemittierendes Bauelement ausgebildet sein, beispielsweise eine Leuchtdiode, eine organische Leuchtdiode, eine seitlich in einen Lichtwellenleiter Licht einkoppelnde (organische) Leuchtdiode, auch bezeichnet als differs electromagnetic radiation in at least one property of the second electromagnetic radiation. In various embodiments, the radiation source can be designed as a light-emitting component, for example a light-emitting diode, an organic light-emitting diode, an (organic) light-emitting diode laterally coupled into an optical waveguide, also referred to as
sei eneingekoppelte LED oder selteneingekoppelte OLED, eine Leuchtstoffröhre, eine Glühfadenlampe oder eine be incoupled LED or rarely coupled OLED, a fluorescent tube, a filament lamp or a
Kompaktleuchtstofflampe , In verschiedenen Ausgestaltungen kann die optoelektronische BauelementeVorrichtung als ein mechanisch flexibles Bauteil ausgebildet sein, beispielsweise als eine biegbare OLED, Compact fluorescent lamp, in various embodiments, the optoelectronic component device can be designed as a mechanically flexible component, for example as a bendable OLED,
In einer Ausgestaltung kann die Strahlungsquelle als eine Flächenlichtquelle eingerichtet sein, wobei die In one embodiment, the radiation source may be configured as a surface light source, wherein the
Flächennormale des ersten optisch aktiven Bereiches eine andere Ausrichtung aufweist als die Flächennormale des zweiten optisch aktiven Bereiches. Als eine Ausrichtung einer Flächennormale kann beispielsweise der .Normalenvektor der Fläche verstanden werden. Eine unterschiedliche Ausrichtung kann bereits gegeben sein, wenn die Normalvektoren einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche unterschiedliche Vorzeichen aufweisen. In einer Ausgestaltung kann der erste optisch aktive Bereich parallel zu dem zweiten optisch aktiven Bereich ausgebildet sein, beispielsweise ungefähr planparallel. Der erste optisch aktive Bereich kann dem zweiten optisch aktiven Bereich jedoch auch in einer Form gegenüberliegen ohne planparallel zu sein, beispielsweise zulaufend oder auseinanderlaufend.  Surface normal of the first optically active region has a different orientation than the surface normal of the second optically active region. As an orientation of a surface normal, for example, the normal vector of the surface can be understood. A different orientation can already be given if the normal vectors of a first surface and a second surface have different signs. In one embodiment, the first optically active region may be formed parallel to the second optically active region, for example approximately plane-parallel. However, the first optically active region can also be opposite to the second optically active region in a form without being plane-parallel, for example tapering or diverging.
In einer Ausgestaltung kann die Flächenlichtquelle als eine organische Leuchtdiode eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung kann die organische Leuchtdiode transparent oder transluzent ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das erste elektrooptische In one embodiment, the surface light source can be configured as an organic light-emitting diode. In one embodiment, the organic light-emitting diode may be transparent or translucent. In one embodiment, the first electro-optical
Bauelement im Strahlengang des ersten optisch aktiven  Component in the beam path of the first optically active
Bereiches ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung kann das zweite elektrooptische Be formed area. In one embodiment, the second electro-optical
Bauelement im Strahlengang des ersten optisch aktiven Component in the beam path of the first optically active
Bereiches und/oder des zweiten optisch aktiven Bereiches ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung kann das zweite elektrooptische Range and / or the second optically active region may be formed. In one embodiment, the second electro-optical
Bauelement zwischen dem ersten elektrooptisehen Bauelement und dem ersten optisch aktiven Bereich ausgebildet sein.  Component be formed between the first electro-optical device and the first optically active region.
In einer Ausgestaltung können/kann das erste elektrooptische Bauelement und/oder das zweite elektrooptische Bauelement auf dem ersten optisch aktiven Bereich und/oder dem zweiten optisch aktiven Bereich ausgebildet sein . In one embodiment, the first electro-optical component and / or the second electro-optical component can / can be formed on the first optically active region and / or the second optically active region.
In einer Ausgestaltung können/kann das erste elektrooptische Bauelement und/oder das zweite elektrooptische Bauelement in der Strahlungsquelle integriert sein, beispielsweise In one embodiment, the first electro-optical component and / or the second electro-optical component can be integrated in the radiation source, for example
monolithisch, beispielsweise als eine Struktur im monolithic, for example as a structure in the
Schichtquerschnitt der Strahlungsquelle . In einer Ausgestaltung können das erste elektrooptischeLayer cross-section of the radiation source. In one embodiment, the first electro-optical
Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement derart ausgebildet sein, dass das erste elektrooptische Bauelement wenigstens eine erste elektrisch einsteilbare optische Component and the second electro-optical component be designed such that the first electro-optical component at least a first electrically einsteilbare optical
Eigenschaft aufweist und das wenigstens eine zweite Has property and the at least one second
elektrooptische Bauelement wenigstens eine zweite elektrisch einstellbare optische Eigenschaft aufweist . Electro-optical device has at least a second electrically adjustable optical property.
In einer Ausgestaltung können das erste elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement In one embodiment, the first electro-optical component and the second electro-optical component
wenigstens eines der folgenden elektrooptisehen Bauelemente aufweisen oder als solche eingerichtet sein: ein Spiegel mit elektrisch durchstimmbarer Reflektivität ; ein Filter mit elektrisch durchstimmbarer Absorption; und/oder eine Blende mit elektrisch durchstimmbarer Transmission. have at least one of the following electro-optical components or be configured as such: a mirror with electrically tunable reflectivity; a filter with electrically tunable absorption; and / or a diaphragm with electrically tunable transmission.
In einer Ausgestaltung können das erste elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement ein gleiches elektrooptisches Bauelement aufweisen, das heißt ein elektrooptisches Bauelement der gleichen Bauart. In one embodiment, the first electro-optical component and the second electro-optical component can have the same electro-optical component, that is to say an electro-optical component of the same type.
In einer Ausgestaltung können das erste elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement ein unterschiedliches elektrooptisches Bauelement aufweisen. In one embodiment, the first electro-optical component and the second electro-optical component may have a different electro-optical component.
In einer Ausgestaltung der optoelektronischen In one embodiment of the optoelectronic
Bauelementevorrichtung kann die optoelektronische Component device may be the opto-electronic
Bauelementevorrichtung ferner eine Steuervorrichtung Component device further comprises a control device
aufweisen, wobei das erste elektrooptische Bauelement, das zweite elektrooptische Bauelement und/oder die wherein the first electro-optical component, the second electro-optical component and / or the
Strahlungsquelle mit der Steuervorrichtung elektrisch verbunden sind/ist. Radiation source with the control device are electrically connected / is.
In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung derart ausgebildet sein, dass die optoelektronischen Eigenschaften, beispielsweise optischen Eigenschaften, des ersten In one embodiment, the control device may be designed such that the optoelectronic properties, for example optical properties, of the first
elektrooptisehen Bauelements, des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und der Strahlungsquelle unabhängig voneinander veränderbar sind. Optische Electro-optic device, the at least one second electro-optical component and the radiation source are independently variable. optical
Eigenschaften können beispielsweise die Transmission, Properties can be, for example, the transmission,
Absorption und/oder Reflexion von elektromagnetischer Absorption and / or reflection of electromagnetic
Strahlung in Abhängigkeit einer Wellenlänge oder eines Radiation as a function of a wavelength or a
Wellenlängenbereichs sein. Eine weitere optische Eigenschaft kann beispielsweise die Intensitätsverteilung in einem Be wavelength range. Another optical property, for example, the intensity distribution in a
Wellenlängenspektrum einer emittierten oder absorbierten elektromagnetischen Strahlung sein. In einer Ausgestaltung kann die Steuervorrichtung einen Pulsmodulator aufweisen, der zum Ansteuern des ersten elektrooptischen Bauelements, des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und/oder der Strahlungsquelle eingerichtet ist. Wavelength spectrum of an emitted or absorbed electromagnetic radiation. In one embodiment, the control device may have a pulse modulator which is used to drive the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component electro-optical component and / or the radiation source is set up.
In einer Ausgestaltung kann der Pulsmodulator als ein In one embodiment, the pulse modulator as a
Pulsamplitudenmodulator, ein Pulsfrequenzmodulator und/oder ein Pulsweitenmodulator eingerichtet sein. Pulse amplitude modulator, a pulse frequency modulator and / or a pulse width modulator be set up.
In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften ungefähr gleich sind: Farbton; Sättigung; oder Helligkeit . In one embodiment, the optoelectronic component can be designed such that the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation are approximately equal in at least one of the following properties: color tone; Saturation; or brightness.
In einer Ausgestaltung kann die Strahlungsquelle derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften unterschiedlich sind : In one embodiment, the radiation source can be configured such that the first electromagnetic radiation and the second electromagnetic radiation are different in at least one of the following properties:
Farbton; Sättigung; oder Helligkeit . In einer Ausgestaltung kann das erste elektrooptische Hue; Saturation; or brightness. In one embodiment, the first electro-optical
Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement derart angeordnet sein, dass der erste optisch aktive Bereich und der zweite optisch aktive Bereich sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften unterscheiden : eflektivität ; Absorption; oder Transmittivität .  Component and the at least one second electro-optical device may be arranged such that the first optically active region and the second optically active region differ in at least one of the following properties: eflektivität; Absorption; or transmissivity.
In einer Ausgestaltung kann die Strahlungsquelle derart ausgebildet sein, dass die erste elektromagnetische Strahlung ungefähr den gleichen Farbort aufweist wie die zweite In one embodiment, the radiation source can be configured such that the first electromagnetic radiation has approximately the same color location as the second
elektromagnetische Strahlung . electromagnetic radiation .
In einer Ausgestaltung kann das erste elektrooptische In one embodiment, the first electro-optical
Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement strukturiert sein, beispielsweise flächig, beispielsweise zur Informationswiedergabe , beispielsweise in Form eines Piktogramms , eines Symbols , eines Ideogramms und/oder eines Schriftzuges . In einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Component and the at least one second electro-optical component be structured, for example, surface, for example, for information reproduction, for example in the form of a pictogram, a symbol, an ideogram and / or a lettering. In one embodiment, the optoelectronic
Bauelementevorrichtung als einseitig lichtemittierender Component device as a one-sided light-emitting
Spiegel oder einseitig lichtemittierendes Fenster ausgebildet sein. Mirror or unilaterally light-emitting window to be formed.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum. Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ausbilden einer Strahlungsquelle mit einem ersten optisch aktiven Bereich und einem zweiten optisch aktiven Bereich, wobei der erste optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist und der zweite optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist; und Ausbilden eines ersten elektroo tischen Bauelementes und Ausbilden wenigstens eines zweiten elektrooptisehen Bauelementes; wobei das erste elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement im Strahlengang der In various embodiments, a method for. Producing an optoelectronic component device, the method comprising: forming a radiation source having a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is arranged to emit a first electromagnetic radiation and the second optically active region to emit a second electromagnetic radiation is set up; and forming a first electro-electric device and forming at least one second electro-optic device; wherein the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component in the beam path of
Strahlungsquelle derart zueinander ausgebildet werden, dass die erste elektromagnetische Strahlung in einer anderen Weise geändert wird als die zweite elektromagnetische Strahlung, so dass sich die erste elektromagnetische Strahlung in Radiation source are formed to each other such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second electromagnetic radiation, so that the first electromagnetic radiation in
wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten at least one property of the second
elektromagnetischen Strahlung unterscheidet. electromagnetic radiation is different.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In one embodiment of the method, the
Strahlungsquelle als eine Flächenlichtquelle ausgebildet werden, wobei die Flächennormale des ersten optisch aktiven Bereiches eine andere Ausrichtung aufweisen kann als die Flächennormale des zweiten optisch aktiven Bereiches. Radiation source can be formed as a surface light source, wherein the surface normal of the first optically active region may have a different orientation than the surface normal of the second optically active region.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der erste optisch aktive Bereich parallel zu dem zweiten optisch aktiven In one embodiment of the method, the first optically active region can be parallel to the second optically active region
Bereich ausgebildet werden, beispielsweise ungefähr Be formed area, for example approximately
planparallel. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die plane-parallel. In one embodiment of the method, the
Flächenlichtquelle als eine organische Leuchtdiode Area light source as an organic light emitting diode
ausgebildet werden, In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die organische Leuchtdiode transparent oder transluzent ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the organic light-emitting diode can be made transparent or translucent.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement im Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches ausgebildet werden. electro-optical component can be formed in the beam path of the first optically active region.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite In one embodiment of the method, the second
elektrooptische Bauelement im Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches und/oder des zweiten optisch aktiven Electro-optical component in the beam path of the first optically active region and / or the second optically active
Bereiches ausgebildet werden. Be trained area.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite In one embodiment of the method, the second
elektrooptische Bauelement zwischen dem ersten electro-optical device between the first
elektrooptischen Bauelement und dem ersten optisch aktiven Bereich ausgebildet werden. electro-optical component and the first optically active region are formed.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann das erste elektrooptische Bauelement und/oder das zweite In one embodiment of the method, the first electro-optical component and / or the second one can / may be used
elektrooptische Bauelement auf dem ersten optisch aktiven Bereich und/oder dem zweiten optisch aktiven Bereich electro-optical component on the first optically active region and / or the second optically active region
ausgebildet werden. be formed.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann das erste elektrooptische Bauelement und/oder das zweite In one embodiment of the method, the first electro-optical component and / or the second one can / may be used
elektrooptische Bauelement in der Strahlungsquelle integriert ausgebildet werden, beispielsweise monolithisch. electro-optical component can be formed integrated in the radiation source, for example monolithic.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können das erste elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement derart ausgebildet werden, dass das erste elektrooptische Bauelement wenigstens eine erste elektrisch einstellbare optische Eigenschaft aufweist und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement wenigstens eine zweite elektrisch einstellbare optische Eigenschaft aufweist. Eine elektrisch einstellbare optische Eigenschaft kann beispielsweise die Absorption, Reflektivität , die In one configuration of the method, the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component may be formed such that the first electro-optical component has at least one first electrically adjustable optical property and the at least one second electro-optical component at least has a second electrically adjustable optical property. An electrically adjustable optical property can be, for example, the absorption, reflectivity, the
Transmission und/oder die farbliche Erscheinung betreffen. Transmission and / or affect the color appearance.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können das erste elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement wenigstens eines der folgenden elektrooptisehen Bauelemente aufweisen oder als solche ausgebildet werden: einen Spiegel mit elektrisch durchstimmbarer Reflektivität ; einen Filter mit elektrisch durchstimmbarer Absorption,- und/oder eine Blende mit elektrisch durchstimmbarer In one configuration of the method, the first electro-optical component and the second electro-optical component may have at least one of the following electro-optical components or be formed as such: a mirror with electrically tunable reflectivity; a filter with electrically tunable absorption, - and / or a diaphragm with electrically tunable
Transmission. Mittels einer elektrisch schaltbaren Blende kann die Transmission. By means of an electrically switchable aperture, the
Strahlausbreitung eines Strahlengangs einer Beam propagation of a beam path of a
elektromagnetischen Strahlung eingeschränkt oder unterbrochen werden, beispielsweise zur Informationswiedergabe. Die wiedergegebene Information kann auf der Blende ausgebildet sein, beispielsweise als ein Piktogramm, ein Ideogramm und/oder ein Schriftzug, der beispielsweise mittels gefärbter Partikel dargestellt wird. Außerdem oder anstatt kann die Information mittels des eingeschränkten oder unterbrochenen Strahlenganges dargestellt werden. Alternativ oder zusätzlich weist eine elektrisch schaltbare Blende einen Leuchtstoff auf, wobei der Leuchtstoff mittels des elektrischen Schaltens in den Strahlengang eingebracht werden kann oder aus diesem, entfernt werden kann. Der Leuchtstoff kann zu einer Electromagnetic radiation are limited or interrupted, for example, for information reproduction. The reproduced information can be formed on the screen, for example as a pictogram, an ideogram and / or a logo, which is represented for example by means of colored particles. In addition or instead, the information can be displayed by means of the restricted or interrupted beam path. Alternatively or additionally, an electrically switchable diaphragm has a phosphor, wherein the phosphor can be introduced into the beam path by means of electrical switching or can be removed therefrom. The phosphor can become a
Wellenlängenkonversion eingerichtet sein und das farbliche Erscheinungsbild, d.h. das Wellenlängenspektrum, Wavelength conversion and the color appearance, i. the wavelength spectrum,
transmittierter oder reflektierter elektromagnetischer transmitted or reflected electromagnetic
Strahlung verändern. Change radiation.
Mittels eines elektrisch schaltbaren Filters kann By means of an electrically switchable filter can
beispielsweise ein elleniängenbereich und/oder eine For example, a elleniangsbereich and / or a
Polarisation aus dem Spektrum bereitgestellter Polarization provided by the spectrum
elektromagnetischer Strahlung entfernt werden. Dadurch kann beispielsweise das farbliche Erscheinungsbild verändert werden . electromagnetic radiation are removed. This can For example, the color appearance can be changed.
Mittels der Änderung des farblichen Erscheinungsbildes, beispielsweise mittels Wellenlängenkonversion oder eines By means of the change in the color appearance, for example by means of wavelength conversion or a
Filterns der elektromagnetischen Strahlung, kann eine Filtering the electromagnetic radiation, can one
Information dargestellt werden oder eine andere Information will be presented or another
physiologische Stimmung transportiert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens können das erste physiological mood to be transported. In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement als baugleiche elektrooptische Bauelemente ausgebildet werde . In einer Ausgestaltung des Verfahrens können das erste elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement als ein unterschiedliches elektrooptisches Electro-optical component and the second electro-optical component will be designed as identical electro-optical components. In one embodiment of the method, the first electro-optical component and the second electro-optical component may be designed as a different electro-optical component
Bauelement ausgebildet werden, Beispielsweise als Component be formed, for example as
unterschiedliche Bauart bei gleicher optischer Wirkung oder unterschiedliche Bauart . different design with the same optical effect or different design.
In einer Ausgestaltung des Verf hrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden oder Bereitstellen einer In one embodiment of the method, the method may further comprise forming or providing a
Steuervorrichtung aufweisen, wobei das erste elektrooptische Bauelement , das zweite elektrooptische Bauelement und/oder die Strahlungsquelle mit der Steuervorrichtung elektrisch verbunden werden/wird. Have control device, wherein the first electro-optical component, the second electro-optical component and / or the radiation source is electrically connected to the control device / is.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In one embodiment of the method, the
Steuervorrichtung derart ausgebildet werden oder sein, dass die optoelektronischen Eigenschaften des ersten Control device may be formed or be such that the optoelectronic properties of the first
elektrooptisehen Bauelements , des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und der Strahlungsquelle unabhängig voneinander verändert werden . Electro-optic device, the at least one second electro-optical component and the radiation source are changed independently.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In one embodiment of the method, the
Steuervorrichtung einen Pulsmodulator aufweisen oder derart ausgebildet werden. Der Pulsmodulator ist/wird zum Ansteuern des ersten elektroo tischen Bauelements, des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und des Control device have a pulse modulator or be formed. The pulse modulator is / is for driving the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component and the
optoelektronischen Bauelements ausgebildet. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Pulsmodulator als ein Pulsamplitudenmodulator, ein Pulsfrequenzmodulator und/oder ein Pulsweitenmodulator ausgebildet sein oder werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das formed optoelectronic component. In one embodiment of the method, the pulse modulator can be designed as a pulse amplitude modulator, a pulse frequency modulator and / or a pulse width modulator. In one embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelement derart ausgebildet werden, dass die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite optoelectronic component be formed such that the first electromagnetic radiation and the second
elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer der electromagnetic radiation in at least one of
folgenden Eigenschaften ungefähr gleich sind: Farbton; following properties are approximately equal: hue;
Sättigung; oder Helligkeit. Saturation; or brightness.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das In one embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelement derart ausgebildet werden, dass die erste elektromagnetische Strahlung und die zweite optoelectronic component be formed such that the first electromagnetic radiation and the second
elektromagnetische Strahlung in wenigstens einer der electromagnetic radiation in at least one of
folgenden Eigenschaften unterschiedlich sind: Farbton; following characteristics are different: color;
Sättigung; oder Helligkeit, Saturation; or brightness,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können das erste elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement derart angeordnet werden, dass der erste optisch aktive Bereich und der zweite optisch aktive Bereich sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften unterscheiden: Reflektivität ; Absorption; oder In one embodiment of the method, the first electro-optical component and the at least one second electro-optical component can be arranged such that the first optically active region and the second optically active region differ in at least one of the following properties: reflectivity; Absorption; or
Transmittivität . Transmittivity.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das In one embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelement derart ausgebildet werden, dass die erste elektromagnetische Strahlung ungefähr den gleichen Farbort aufweist wie die zweite elektromagnetische Strahlung. Optoelectronic component are formed such that the first electromagnetic radiation has approximately the same color locus as the second electromagnetic radiation.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement strukturiert ausgebildet werden, beispielsweise zur Wiedergabe einer Information, electro-optical component and the at least one second electro-optical component are formed structured, for example, to reproduce information,
beispielsweise in Form eines Piktogramms , eines Ideogramms und/oder eines Schriftzuges . For example, in the form of a pictogram, an ideogram and / or a lettering.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In one embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelementevorrichtung als einseitig lichtemittierender Spiegel oder einseitig lichtemittierendes Fenster ausgebildet werden . Optoelectronic component device can be formed as a one-sided light-emitting mirror or one-sided light-emitting window.
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Ansteuern einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß einer der oben beschriebenen Ausgestaltungen; wobei das erste In various embodiments, there is provided a method of operating an optoelectronic component device, the method comprising: driving an optoelectronic component device according to any of the above-described embodiments; the first one
elektrooptische Bauelement und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement unterschiedlich angesteuert werden derart, dass die erste elektromagnetische Strahlung in einer anderen Weise geändert wird als die zweite e1ektromagnetische Strahlung, so dass sich die erste elektromagnetische Electro-optical component and the at least one second electro-optical component are driven differently such that the first electromagnetic radiation is changed in a different manner than the second e1ektromagnetische radiation, so that the first electromagnetic
Strahlung in wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten elektromagnetischen Strahlung unterscheiden.  Distinguish radiation in at least one property of the second electromagnetic radiation.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise eine erste elektromagnetische Strahlung emittiert . Electro-optical device are driven such that the first optically active region at least partially emits a first electromagnetic radiation.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise reflektierend ist, beispielsweise hinsichtlich Electro-optic device are driven such that the first optically active region is at least partially reflective, for example in terms
elektromagnetischer Strahlung, die auf den ersten optisch aktiven Bereich einfällt . electromagnetic radiation incident on the first optically active region.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise absorbierend ist» beispielsweise hinsichtlich Electro-optical device are driven such that the first optically active region at least partially for example, in terms of absorbing
elektromagnetischer Strahlung, die auf den ersten optisch aktiven Bereich einfällt. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste electromagnetic radiation incident on the first optically active region. In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise optisch inaktiv ist , beispielsweise in dem eine Blende vor dem ersten optisch aktiven Bereich ausgebildet wird. Electro-optical device are driven such that the first optically active region is at least partially optically inactive, for example, in which a diaphragm is formed in front of the first optically active region.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise eine zweite elektromagnetische Strahlung emittiert . In one embodiment of the method, the second electro-optical component can be controlled such that the second optically active region at least partially emits a second electromagnetic radiation.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden , dass der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise reflektierend ist, beispielsweise hinsichtlich In one embodiment of the method, the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially reflective, for example as regards
elektromagnetischer Strahlung, die auf den zwei en optisch aktiven Bereich einfällt . electromagnetic radiation incident on the two optically active regions.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise absorbierend is , beispielsweise hinsichtlich In one embodiment of the method, the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially absorbent, for example as regards
elektromagnetischer Strahlung, die auf den zweiten optisch aktiven Bereich einfällt . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise optisch inaktiv ist , beispielsweise in dem eine Blende vor dem zweiten optisch aktiven Bereich ausgebildet wird. electromagnetic radiation incident on the second optically active region. In one embodiment of the method, the second electro-optical component can be controlled in such a way that the second optically active region is at least partially optically inactive, for example by forming a diaphragm in front of the second optically active region.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ansteuern der Strahlungsquelle mit dem Ansteuern des ersten elektrooptischen Bauelementes und/oder des zweiten In one embodiment of the method, the driving of the radiation source with the driving of the first electro-optical component and / or the second
elektrooptischen Bauelementes gekoppelt sein. be coupled electro-optical component.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement und die Strahlungsquelle derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise transparent oder transluzent ist. Electro-optical component and the radiation source are driven such that the first optically active region is at least partially transparent or translucent.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das zweite In one embodiment of the method, the second
elektrooptische Bauelement und die Strahlungsquelle derart angesteuert werden, dass der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise transparent oder transluzent ist. Electro-optical component and the radiation source are driven such that the second optically active region is at least partially transparent or translucent.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement, das zweite elektrooptische electro-optical device, the second electro-optical
Bauelement und die Strahlungsquelle derart angesteuert werden, dass das erste elektrooptische Bauelement wenigstens teilweise reflektierend ist und das zweite elektrooptische Bauelement und der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise transmittierend oder transluzent sind. Component and the radiation source are driven such that the first electro-optical component is at least partially reflective and the second electro-optical component and the second optically active region are at least partially transmissive or translucent.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das erste In one embodiment of the method, the first
elektrooptische Bauelement und das zweite elektrooptische Bauelement derart angesteuert werden, dass der erste optisch aktive Bereich -wenigstens teilweise eine erste Electro-optical device and the second electro-optical device are driven such that the first optically active region -at least partially a first
elektromagnetische Strahlung emittiert und das zweite elektrooptische Bauelement und der zweite optisch aktive Bereich wenigstens teilweise transmittierend oder transluzent sind. emitted electromagnetic radiation and the second electro-optical component and the second optically active region are at least partially transmissive or translucent.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Steuersignal des optoelektronischen Bauelementes als ein EingangsSignal für die Steuerung des ersten elektrooptischen Bauelementes und/oder des wenigstens einen zweiten elektrooptischen In one configuration of the method, the control signal of the optoelectronic component can be used as an input signal for the control of the first electro-optical component and / or of the at least one second electro-optical component
Bauelementes eingerichtet sein. Be set up device.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die In one embodiment of the method, the
optoelektronische Bauelementevorrichtung als einseitig lichtemittierender Spiegel oder einseitig lichtemittierendes Fenster betrieben werden, Optoelectronic component device as one-sided operated light-emitting mirror or one-sided light-emitting window,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Pulsmodulator einen Phasendimmer auf eisen oder als ein solcher In one embodiment of the method, the pulse modulator can be a phase dimmer on iron or as such
eingerichtet sein, wobei ein Phasen-Dimmer zu einem be furnished, with a phase dimmer to one
Phasendimmen einer bereitgestellten Spannung oder eines bereitgestellten Stromes eingerichtet ist . Der Phasen-Dimmer kann zu einem Phasenanschnittsteuern oder einem Phase dimming a provided voltage or a provided stream is set up. The phase dimmer can be used for a phase angle control or a
Phasenabschnittsteuern eingerichtet sein. Be set up phase control.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Es zeigen Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below. Show it
Figuren la-d schematische Querschnittsansichten einer Figures la-d schematic cross-sectional views of a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;  Optoelectronic component device according to various embodiments;
Figur 2 eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figur 3 eine schematische Darstellung zu einem FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments; Figure 3 is a schematic representation of a
Verfahren zum Betreiben einer  Method for operating a
optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 4a, b schematische Darstellungen zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen  Optoelectronic component device according to various embodiments; FIGS. 4a, b are schematic representations of a method for operating an optoelectronic
BauelementeVorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 5a-d schematische Darstellungen zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen  Component device according to various embodiments; Figures 5a-d are schematic diagrams of a method for operating an optoelectronic
Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 6a-c schematische Darstellungen zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Component device according to various embodiments; Figures 6a-c are schematic representations of a method for operating an optoelectronic
Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen  Component device according to various
Ausführungsbeispielen; und  Embodiments; and
Figur 7 ein Diagramm zu inem Verfahren zum Betreiben Figure 7 is a diagram of a method of operation
einer optoelektronischen  an optoelectronic
Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; und  Component device according to various embodiments; and
Figur 8 ein herkömmliches optoelektronisches Figure 8 is a conventional optoelectronic
Bauelement , In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische  Component In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part hereof, and in which is shown by way of illustration
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann . In dieser Hinsicht wird Embodiments are shown in which the invention can be practiced. In this regard will
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten" , „vorne", „hinten" , „vorderes" , „hinteres", usw. mit Bezug auf die Directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. with reference to the
Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da Orientation of the described figure (s) used. There
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl Components of embodiments in number
verschiedener Orientierungen positioniert we den können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend . Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaf en Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Being positioned in different orientations, the directional terminology is illustrative and not restrictive in any way. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be construed in a limiting sense, and the
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert . Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe Scope of the present invention is defined by the appended claims. In the context of this description, the terms
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. "connected", "connected" and "coupled" used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.
Eine Strahlungsquelle kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement sein. Als elektromagnetische A radiation source may be a device emitting electromagnetic radiation. As electromagnetic
Strahlung ist Röntgenstrahlung, UV-Strahlung, Licht, Radiation is X-rays, UV radiation, light,
Mikrowellen und elektromagnetische Strahlung höherer Microwaves and electromagnetic radiation higher
Wellenlänge zu verstehen. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Strahlungsquelle beispielsweise ein To understand wavelength. In various embodiments, a radiation source, for example, a
elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische be electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or as an electromagnetic
Strahlung emittierende Diode, als eine organische Radiation emitting diode, as an organic
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung electromagnetic radiation emitting diode, as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das be formed emitting transistor. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement electromagnetic radiation emitting device
beispielsweise als lichtemittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als lichtemittierender For example, as a light emitting diode (light emitting diode, LED) as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED), as light emitting
Transistor oder als organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Transistor or formed as an organic light-emitting transistor. The light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of
lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, Be provided light emitting devices,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Eine Strahlungsquelle, die als optoelektronisches Bauelement ausgeführt ist, kann in verschiedenen Ausgestaltungen, als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , eine organische Photovoltaikanlage , beispielsweise eine organische Solarzelle, ein organischer Sensor, ein organischer Feldeffekttransistor {organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik For example, housed in a common housing. A radiation source, which is embodied as an optoelectronic component, can in various configurations, as an organic light emitting diode (OLED), an organic photovoltaic system, for example an organic solar cell, an organic sensor, an organic field effect transistor (OFET) and / or organic electronics
ausgebildet sein. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen all-OFET handeln, bei dem alle be educated. The organic field effect transistor may be an all-OFET in which all
Schichten organisch sind. Ein organisches, elektronisches  Layers are organic. An organic, electronic
Bauelement kann eine organisch funktionelle Schichtenstruktur aufweisen, welches synonym auch als organisch funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird . Die organisch funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer Component may have an organic functional layer structure, which is synonymously also referred to as organically functional layer structure. The organically functional layer structure may comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture, which may be used, for example, to provide a
elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer bereitgestellten elektromagnetischen electromagnetic radiation from a supplied electric current or for providing an electric current from a provided electromagnetic
Strahlung eingerichtet ist . Radiation is set up.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes der Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom oder eine elektrische Spannung In the context of this description, an optically active region of an optoelectronic component can be understood as the region of an optoelectronic component which absorbs electromagnetic radiation and from this a photocurrent or an electrical voltage
ausbilden kann, oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich eine elektromagnetische Strahlung emittieren kann. Ein optoelektronisches Bauelement kann beispielsweise zwei oder mehr optisch aktive Bereiche can form, or can emit electromagnetic radiation by means of an applied voltage to the optically active region. An optoelectronic component may, for example, two or more optically active regions
aufweisen, wobei die optisch aktiven Bereiche beispielsweise optisch aktive Seiten eines flächigen optoelektronischen Bauelementes sein könne , beispielsweise zwei sich have, wherein the optically active regions, for example, optically active sides of a flat optoelectronic device may be, for example, two themselves
gegenüberliegende optisch aktive Fläche . Ein opposite optically active surface. One
optoelektronisches Bauelement mit zwei oder mehr optisch aktiven Bereichen kann jedoch auch als eine sogenannte gestackte organische Leuchtdiode mit zwei oder mehr However, an optoelectronic component having two or more optically active regions may also be referred to as a so-called stacked organic light emitting diode having two or more
übereinander gestapelten OLED-Einheiten ausgebildet sein. Bei einer gestackten organischen Leuchtdiode kann beispielswiese eine erste OLED- Einheit als ein erster optisch aktiver be formed stacked OLED units. In the case of a stacked organic light-emitting diode, for example, a first OLED unit can be used as a first optically active one
Bereich und eine zweite OLED- Einheit als ein zweiter optisch aktiver Bereich ausgebildet sein. Ein optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente organische Leuchtdiode . Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige , optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiveRange and a second OLED unit may be formed as a second optically active region. An optoelectronic Component which has two flat, optically active sides, for example, can be transparent, for example, as a transparent organic light-emitting diode. However, the optically active region can also have a planar, optically active side and a flat, optically inactive
Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode , die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist . Side, for example, an organic light-emitting diode, which is set up as a top emitter or bottom emitter.
In verschiedenen Ausges altungen kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung mittels des Phasenwinkels gesteuert werden, beispielsweise gedimmt werden, beispielsweise mittels einer Phasenanschnittsteuerung und/oder einer In various Ausges arrangements, the optoelectronic component device can be controlled by means of the phase angle, for example, be dimmed, for example by means of a phase control and / or a
PhasenabschnittSteuerung . Unter dem Phasenwinkels kann das Winkelintervall in einem Halbzyklus der Eingangsspannung der Strahlungsquelle und/oder elektrooptischen Bauelemente verstanden werden, während mittels des Dimmers keine Spannung an die verbundenen Bauelemente angelegt ist . Der Phasenwinkel kann beispielsweise einen Betrag in einem Bereich von Phase sequence control. The phase angle may be understood to mean the angular interval in one half cycle of the input voltage of the radiation source and / or electro-optical components, while no voltage is applied to the connected components by means of the dimmer. For example, the phase angle may be an amount in a range of
ungefähr 0° bis ungefähr 180° aufweisen. Ein Phasenwinkel von ungef hr 0° kann als ungedimmt verstanden werden . Ein about 0 ° to about 180 °. A phase angle of about 0 ° can be understood as undimmed. One
Phasenwinkel von ungefähr 180° kann als maximal gedimmt verstanden werden . Eine maximale Dimmung kann verstanden werden als ähnlich einem offenen Schalter der elektrisch in Serie zu der Gruppe der gedimmten Bauelemente geschaltet ist .  Phase angle of about 180 ° can be understood as being maximally dimmed. Maximum dimming may be understood as being similar to an open switch electrically connected in series with the group of dimmed components.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, The term "translucent" or "translucent layer" can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light,
beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer for example, for the light generated by the light-emitting component, for example one or more
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem  Wavelength ranges, for example, for light in one
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Wavelength range of the visible light (for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm). For example, the term "translucent layer" in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppe1te Structure (for example, a layer) eingekoppe1te
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann Amount of light also from the structure (for example layer) is decoupled, whereby a part of the light can be scattered here
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist The term "transparent" or "transparent layer" can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des (For example, at least in a portion of the
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
Fig. la-d zeigen schematische Querschnittsansichten einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 1a-d show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
Dargestellt ist eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer optoelektronischen Shown is a schematic cross-sectional view of an embodiment of an optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 mit einem ersten elektrooptischen Bauelement 110 , einem zweiten elektrooptischen Bauelement 120 und einem optoelektronischen Bauelement 130. Device device 100 with a first electro-optical component 110, a second electro-optical component 120 and an optoelectronic component 130.
Das dargestellte Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelementes 130 weist eine erste Elektrode 104 auf oder über einem Träger 102 auf. Auf oder über der ersten Elektrode 104 ist eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 ausgebildet . Über oder auf der organisch funktionellen The illustrated embodiment of the optoelectronic component 130 has a first electrode 104 on or above a carrier 102. On or above the first electrode 104, an organic functional layer structure 106 is formed. Over or on the organically functional
Schichtenstruktur 106 ist eine zweite Elektrode 108 Layer structure 106 is a second electrode 108
ausgebildet . Die zweite Elektrode 108 ist mittels einer elektrischen Isolierung 112 von der ersten Elektrode 104 elektrisch isolier . Auf oder über der zweiten Elektrode 108 ist eine Barrierendünnschicht 118 angeordnet derart , dass die zweite Elektrode 108 , die elektrischen Isolierungen 112 und die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 von der Barrierendünnschicht 118 umgeben sind, das heißt in educated . The second electrode 108 is electrically insulated from the first electrode 104 by means of electrical insulation 112. On or above the second electrode 108, a barrier thin film 118 is disposed such that the second electrode 108, the electrical insulation 112, and the organic functional layer structure 106 are surrounded by the barrier film 118, that is, in FIG
Verbindung von Barrierendünnschicht 118 mit dem Träger 102 eingeschlossen sind . Die Barrierendünnschicht 118 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse , beispielsweise Sauerstoff , Wasser, Connection of barrier thin layer 118 with the carrier 102 are included. The barrier film 118 can hermetically seal the trapped layers Environmental influences, such as oxygen, water,
beispielsweise Feuchtigkeit abdichten . Auf oder über der Barrierendünnschicht 118 ist eine KlebstoffSchicht 122 angeordnet derart, dass die KlebstoffSchicht 122 die for example, to seal moisture. On or above the barrier thin film 118, an adhesive layer 122 is disposed such that the adhesive layer 122 supports the adhesive layer 122
Barrierendünnschicht 118 flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet . Auf oder über der Klebstoffschicht 122 ist eine Abdeckung 124 angeordnet . Die Abdeckung 124 ist beispielsweise auf die Barrierendünnschicht 118 mit einem Klebstoff 122 aufgeklebt, beispielsweise auflaminiert . Nachfolgend werden die genannten Strukturen näher beschrieben. Barrier thin-film 118 surface and hermetically seals against harmful environmental influences. On or above the adhesive layer 122, a cover 124 is arranged. The cover 124 is, for example, adhered to the barrier thin film 118 with an adhesive 122, for example, laminated. The structures mentioned are described in more detail below.
Das optoelektronische Bauelement 130 in Form eines The optoelectronic component 130 in the form of a
1ichtemi11ierenden Bauelements , beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 130 , kann ein Träger 102 aufweisen . Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise  A light-emitting device, for example in the form of an organic light-emitting diode 130, may have a carrier 102. The carrier 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
lichtemittierende Elemente , dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas , Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial auf eisen oder daraus gebildet, sein. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine light-emitting elements, serve. For example, the carrier 102 may be glass, quartz, and / or a semiconductor material on or formed of iron. Furthermore, the carrier may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The plastic may contain one or more polyolefins
(beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,  (For example, high density polyethylene or low density polyethylene or polypropylene (PP)) or be formed therefrom. Furthermore, the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein . Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben Polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN) or be formed therefrom. The carrier 102 may be one or more of the above
genannten Materialien aufweisen. Der Träger 102 kann have mentioned materials. The carrier 102 may
transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. be translucent or even transparent.
Der Träger 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, Aluminium, Chrom, Molybdän beispielsweise eine The carrier 102 may comprise or be formed of a metal, for example copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, chromium, molybdenum, for example one
Metallverbindung, beispielsweise Stahl . Ein Träger 102 aufweisend ein Metall oder eine Metal compound, for example steel. A carrier 102 comprising a metal or a
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. Bei einem Träger 102 , der ein Metall Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil. The carrier 102 may be translucent or even transparent. In a carrier 102, a metal
aufweist , kann das Metall beispielsweise als eine dünne For example, the metal may be considered a thin one
Schicht transparente oder transluzente Schicht ausgebildet sein und/oder das Metall ein Teil einer Spiegelstruktur sein. Layer be transparent or translucent layer formed and / or the metal to be part of a mirror structure.
Der Träger 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein. Ein Träger 102 , der einen mechanisch rigiden Bereich und einen mechanisch flexiblen Bereich, kann beispielsweise strukturiert sein, beispielsweise indem der rigide Bereich und der flexible Bereich eine unterschiedliche Dicke aufweisen. The carrier 102 may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible region or be formed in such a way. For example, a carrier 102 having a mechanically rigid region and a mechanically flexible region may be patterned, for example by having the rigid region and the flexible region of different thickness.
Ein mechanisch flexibler Träger 102 oder der mechanisch flexible Bereich kann beispielsweise als eine Folie A mechanically flexible carrier 102 or the mechanically flexible region may, for example, be a foil
ausgebildet sein, beispielsweise eine Kunststofffolie , be formed, for example, a plastic film,
Metallfolie oder ein dünnes Glas. Metal foil or a thin glass.
In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger 102 als In one embodiment, the carrier 102 may be referred to as
Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung des Waveguide for electromagnetic radiation of the
optoelektronischen Bauelementes 130 ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes 130. be formed optoelectronic component 130, for example, be transparent or translucent with respect to the provided electromagnetic radiation of the optoelectronic component 130th
Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen On or above the carrier 102 may be in different
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht Embodiments optionally a barrier layer
angeordnet sein (nicht dargestellt) , beispielsweise auf der Seite der organisch funktionellen Schichtenstruktur 106 und/oder auf der Seite , die der organisch funktionellen be arranged (not shown), for example, on the side of the organic functional layer structure 106 and / or on the side of the organically functional
Schichtenstruktur 106 abgewandt ist . Auf oder über dein Träger 102 kann in verschiedenen Layer structure 106 faces away. On or about your carrier 102 can in different
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht Embodiments optionally a barrier layer
angeordnet sein (nicht dargestellt) . Die Barriereschicht kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: be arranged (not shown). The barrier layer may comprise or be formed from one or more of the following materials:
Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p- phenylenterephthalamid) , Nylon 66 , sowie Mischungen und Indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and
Legierungen derselben. Alloys thereof.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Barriereschicht mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (atomic layer deposition - ALD) , einem Moleküllagenabscheideverfahrens (molecular layer deposition -MLD) und/oder einem chemischen Gasphasenabscheideverfahren (chemical vapor deposition - CVD) , beispielsweise einem Plasma-unterstützen In various embodiments, the barrier layer can be supported by means of an atomic layer deposition (ALD) method, a molecular layer deposition method (MLD) and / or a chemical vapor deposition (CVD) method, for example a plasma
Gasphasenabscheideverfahren (plasma enhanced chemical vapor deposition - PE-CVD) , ausgebildet werden. Gas phase deposition process (plasma enhanced chemical vapor deposition - PE-CVD) are formed.
In verschiedenen Ausgestaltungen kann die BarriereSchicht zwei oder mehr gleiche und/oder unterschiedliche Schichten, oder Lagen aufweisen, beispielsweise nebeneinander und/oder übereinander , beispielsweise als eine Barriereschichtstruktur oder ein Barrierestapel , beispielsweise strukturiert . Ferner kann die Barriereschicht in verschiedenen In various embodiments, the barrier layer may have two or more identical and / or different layers or layers, for example next to one another and / or one above the other, for example as a barrier layer structure or a barrier stack, for example. Furthermore, the barrier layer in different
Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungef hr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine  Embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about hr 1000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example one
Schichtdicke von ungefähr 40 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht eine Abdeckung (nicht dargestellt) vorgesehen sein und/oder die Barriereschicht als eine Abdeckung ausgebildet sein, beispielsweise als eine Layer thickness of about 40 nm. In various embodiments, a cover (not shown) may be provided on or over the barrier layer and / or the barrier layer as a cover be formed, for example as a
Kavitätsglasverkapselung . Cavity glass encapsulation.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
Barriereschicht optional sein, beispielsweise indem der Barrier layer be optional, for example by the
Träger 102 bereits hermetisch dicht ausgebildet ist. Carrier 102 is already hermetically sealed.
Auf oder über der Barriereschicht (oder, wenn die On or above the barrier layer (or, if the
Barriereschicht nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) kann ein elektrisch aktiver Bereich des Barrier layer is not present, on or above the carrier 102), an electrically active region of the
Iichtemittierenden Bauelements 130 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich kann als der Bereich des  Be arranged light emitting device 130. The electrically active area may be considered the area of the
lichtemittierenden Bauelements 130 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des lichtemittierenden be understood light emitting device 130, in which an electric current for operation of the optoelectronic component, such as the light-emitting
Bauelements 130 fließt. Component 130 flows.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich eine erste Elektrode 104, eine zweite In various embodiments, the electrically active region may include a first electrode 104, a second electrode
Elektrode 108 und eine organisch funktionelle Electrode 108 and an organically functional
Schichtenstruktur 106 aufweisen. Layer structure 106 have.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht (oder, wenn die Barriereschicht nicht vorhanden ist (dargestellt) , auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 104 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. In various embodiments, the first electrode 104 (eg, in the form of a first electrode layer 110) may be deposited on or over the barrier layer (or, if the barrier layer is not present (shown) on or above the carrier 102).
Die erste Elektrode 104 (im Folgenden auch als untere The first electrode 104 (hereinafter also referred to as lower
Elektrode 104 bezeichnet) kann aus einem elektrisch Electrode 104) may be made of an electric
leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie conductive material can be made or how
beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise for example, from a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a layer stack of several layers of the same metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs. Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- inn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallSauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder ln203 gehören auch ternäre Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder Metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium-innate oxide (ITO). In addition to binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 , or In 2 O 3 , ternary metal oxygenates such as AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgO 2 O 4 , GalnO 3 , Zn 2 In 2O 5 are also included or
In4S 3012 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. In 4 S 3 0 12 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs and can be used in various embodiments.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to one
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Elektrode 104 ein Metall aufweisen,- beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. Electrode 104 have a metal, for example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, and compounds, combinations or alloys of these materials.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste In various embodiments, the first
Elektrode 104 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine Electrode 104 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is one
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist {Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer {Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. In various embodiments, the first
Elektrode 104 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag, Ag/Mg Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten .  Electrode 104 provide one or more of the following materials, as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, such as Ag, Ag / Mg networks of carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
Ferner kann die erste Elektrode 104 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch Furthermore, the first electrode 104 may be electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically
leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste having conductive transparent oxides. In various embodiments, the first
Elektrode 104 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 104 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Electrode 104 and the carrier 102 may be translucent or transparent. For example, in the case that the first electrode 104 is formed of a metal, the first electrode 104 may have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example one
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Layer thickness of less than or equal to about 18 nm.
Weiterhin kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm . Further, for example, the first electrode 104 may have a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm, for example, a layer thickness greater than or equal to about 15 nm. In various embodiments, the first electrode 104 may have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall , dass die erste Elektrode 104 aus einem leitfähigen transparenten Oxid {TCO} gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke Further, in the case where the first electrode 104 is formed of a conductive transparent oxide {TCO}, the first electrode 104 may have a layer thickness, for example
aufweisen in einem Bereich von ungef hr 50 nm bis ungef hr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungef hr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 75 nm to about 250 nm, for example one
Schichtdicke in einem Bereich vo ungefähr 100 nm bis Layer thickness in a range of about 100 nm to
ungefähr 150 nm. about 150 nm.
Ferner kann für den Fall , dass die erste Elektrode 104 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitf higen Polymeren kombiniert sein könne , einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitf higen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen-Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Further, in the case where the first electrode 104 is made of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, that may be combined with conductive polymers, a network of carbon nanotubes that may be combined with conductive polymers, or Graphene layers and composites is formed, the first electrode 104, for example, a
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungef hr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm, For example, a layer thickness in a range of
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. about 40 nm to about 250 nm.
Die erste Elektrode 104 kann als Anode, also als The first electrode 104 can be used as the anode, ie as
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als hole-injecting electrode may be formed or as
Kathode» also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Cathode » as an electron-injecting electrode.
Die erste Elektrode 104 kann einen ersten elektrischen The first electrode 104 may be a first electrical
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 104 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. Have terminal to which a first electrical potential (provided by a power source (not shown), for example, a power source or a voltage source) can be applied. Alternatively, the first electrical potential may be applied to the carrier 102, and may then be indirectly supplied to the first electrode 104 or may be. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich des Furthermore, the electrically active region of the
lichtemittierenden Bauelements 130 ein organisches light emitting device 130 an organic
funktionelle Schichtenstruktur 106, auch bezeichnet als eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106, functional layer structure 106, also referred to as an organic electroluminescent layer structure 106,
aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 104 that on or above the first electrode 104
aufgebracht ist oder wird. is or is applied.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann mehrere organisch funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 auch mehr als zwei organisch funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, The organic functional layer structure 106 may include a plurality of organic functional layer structures. In various exemplary embodiments, the organic electroluminescent layer structure 106 may also have more than two organically functional layer structures,
beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr. for example 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die weiteren organisch funktionellen Schichtenstrukturen (nicht In various embodiments, the other organic functional layer structures (not
dargestellt) wie eine der Ausgestaltungen der ersten shown) as one of the embodiments of the first
organisch funktionellen Schichtenstrukturen 106 ausgebildet sein oder werden. Mehrere organisch funktionelle organically functional layered structures 106 may be formed. Several organic functional
Schichtenstrukturen können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder Layer structures can be the same or different be formed, for example, an equal or
unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. have different emitter material.
Die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 kann auf oder über der ersten Elektrode 104 angeordnet sein. Bei mehreren organisch funktionellen Schichtenstrukturen kann eine zweite organisch funktionelle Schichtenstruktur über der ersten organisch funktionellen Schichtenstruktur angeordnet sein, wobei zwischen der ersten organisch funktionellen The organic functional layer structure 106 may be disposed on or above the first electrode 104. In the case of a plurality of organically functional layer structures, a second organically functional layer structure may be arranged above the first organically functional layer structure, wherein between the first organically functional layer structure
Schichtenstruktur und der zweiten organisch funktionellen Schichtenstruktur eine Ladungsträgerpaar- Erzeugungs- Schichtenstruktur (engl. : Charge Generation Layer, CGL) Layer Structure and the Second Organic Functional Layer Structure: A Charge Pair Generation Layer Structure (CGL)
angeordnet ist . In Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organisch funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen jeweils zwei organisch funktionellen is arranged. In embodiments in which more than two organic functional layer structures are provided, between each two organic functional
Schichtenstrukturen eine jeweilige Ladungsträgerpaar- Erzeugungs-Schichtenstruktur vorgesehen sein. Layer structures may be provided a respective charge carrier pair generation layer structure.
Wie im Folgenden noch näher erläutert wird kann eine As will be explained in more detail below, a
organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten {in Fig.l nicht dargestellt) (auch bezeichnet als Lochtransportschient (en) ) . organic functional layer structure 106 each have one or more emitter layers, for example, with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more Lochleitungsschichten {not shown in Fig.l) (also referred to as Lochtransportschient (s)).
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als ElektronentransportSchicht (en) ) In various embodiments, alternatively or additionally, one or more electron conductive layers (also referred to as electron transport layer (s)) may be used.
vorgesehen sein. be provided.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem Examples of emitter materials used in the
lichtemittierenden Bauelement 130 gemäß verschiedenen  light-emitting device 130 according to various
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p- phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe , beispielsweise Examples of embodiments of the emitter layer (s) include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2, 5-substituted poly-p-). phenylenevinylene) and metal complexes, for example
Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic Iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic
(Bis (3, 5-difluoro-2- ( 2 -pyridyl ) phenyl - ( 2 -carboxypyridyl) - iridium III), grün phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2- phenylpyridin) iridium III) , rot phosphoreszierendes Ru (dtb- bpy) 3*2 (PF6) (Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2' } - bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA (9, 10-Bis [Ν,Ν-di- (p-tolyl) - amino] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-(Bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl - (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescing Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III), red phosphorescent Ru ( DTB bpy) 3 * 2 (PF 6) (tris [4, 4 '-di-tert-butyl- (2,2'} - bipyridine] ruthenium (III) complex), and blue fluorescent DPAVBi (4, 4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9, 10-bis [Ν, Ν-di- (p-tolyl) -amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4-
Dicyanomethylen) -2-methyl-6- julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar . Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens , wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind . Dicyanomethylene) -2-methyl-6-glolidolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Such non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, it is possible to use polymer emitters which can be deposited in particular by means of a wet-chemical method, for example a spin-coating method (also referred to as spin coating).
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem oder mehreren Matrixmaterial ( ien) eingebettet sein. The emitter materials may be suitably embedded in one or more matrix material (s).
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete It should be noted that other suitable
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind. Emitter materials are also provided in other embodiments.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) des The emitter materials of the emitter layer (s) of the
lichtemittierenden Bauelements 130 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert . Die Emitterschicht (en) kann/können For example, light-emitting device 130 may be selected such that light-emitting device 100 emits white light. The emitter layer (s) can / can
mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien several different colors (for example, blue and yellow or blue, green and red) emitting emitter materials
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht , einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht . Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Alternatively, the emitter layer (s) may also be composed of several sub-layers, such as a blue-fluorescent emitter layer or blue-phosphorescent emitter layer, a green-phosphorescent emitter layer and a red-phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided in the beam path through this
Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die PrimärStrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Layers generated primary emission to arrange a converter material that at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt . Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktioneller Schichtenstrukturen so gewählt sein oder werden, dass zwar die einzelnen Emittermateriaiien Licht unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär- Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht , das insgesamt von allen organisch funktionellen Schichtenstrukturen emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe, beispielsweise Weißlicht, ist . Primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation gives a white color impression. The emitter materials of various organic functional layer structures can also be chosen such that the individual emitter materials emit light of different colors (for example blue, green or red or any other color combinations, for example any other complementary color combinations), but that, for example, the total light, the a total of all organic functional layer structures is emitted and emitted from the OLED to the outside, a light of predetermined color, such as white light, is.
Eine organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 kann An organic functional layer structure 106 may
allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten auf eisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten generally one or more electroluminescent layers on iron. The one or more electroluminescent
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere , organische Monomere, organische kleine , nicht - polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules"), or a combination of these materials
organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufv/eisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise i dem Fall einer OLED eine effektive organic electroluminescent layer structure 106 comprises one or more electroluminescent layers embodied as a hole transport layer such that, for example, in the case of an OLED, an effective one
Löcherinj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird . Locherinj tion in an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organisch funktionelle Schichtenstruktur 106 , eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Alternatively, in various embodiments, the organically functional layered structure 106 may include one or more functional layers referred to as
ElektronentransportSchicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninj ektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht können Electron transport layer is executed or are, so that, for example, in an OLED an effective Elektroneninj tion is made possible in an electroluminescent layer or an electroluminescent region. As a material for the hole transport layer can
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate , leitendes Polyanilin oder Polethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Äusführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als For example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or Polethylendioxythiophen be used. In various embodiments, the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. Auf oder über der organischen elektrolumineszenten be carried out electroluminescent layer. On or over the organic electroluminescent
Schichtenstruktur 106 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen  Layer structure 106 or optionally on or over the one or more other organic
Funktionsschichten kann die zweite Elektrode 108 Functional layers, the second electrode 108th
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 108) aufgebracht sein» wie oben beschrieben worden ist.  (for example in the form of a second electrode layer 108) »has been described above.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite In various embodiments, the second
Elektrode 108 gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 104 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 104 und die zweite Elektrode 108 in einem Ausführungsbeispiel gleich oder unterschiedlich ausgestaltet sein können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind Metalle besonders geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Electrode 108 may be formed according to one of the embodiments of the first electrode 104, wherein the first electrode 104 and the second electrode 108 may be configured the same or different in one embodiment. In various embodiments, metals are particularly suitable. In various embodiments, the second
Elektrode 108 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 108) , beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 2000 nm,  Electrode 108 (for example in the case of a metallic second electrode 108), for example have a layer thickness of less than or equal to about 2000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 500 nm, For example, have a layer thickness of less than or equal to about 1000 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 500 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 100 nm For example, have a layer thickness of less than or equal to about 200 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 100 nm
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm» beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beis ielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich unge ähr 20 nm, For example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 45 nm » for example, a layer thickness of less than or equal to about 40 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. Die zweite Elektrode 108 kann in verschiedenen For example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm
Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 104 beschrieben.  Embodiments of one or more of the materials and be formed with the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode 104.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste In various embodiments, the first
Elektrode 104 und die zweite Elektrode 108 beide transluzent oder transparent ausgebildet . Somit kann das in Fig.la dargestellte lichtemittierende Bauelement 130 als Top- und Bottom- Emitter (anders ausgedrückt als transparentes Electrode 104 and the second electrode 108 are both formed translucent or transparent. Thus, the light-emitting device 130 shown in Fig.la can be described as a top and bottom emitter (in other words, as transparent
lichtemittierendes Bauelement 130) eingerichtet sein. light emitting device 130).
Die zweite Elektrode 108 kann als Anode , also als The second electrode 108 can be used as anode, ie as
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als hole-injecting electrode may be formed or as
Kathode , also als eine elektroneninj izierende Elektrode . Cathode, so as an electron injecting electrode.
Die zweite Elektrode 108 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches The second electrode 108 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten Potential (which is different from the first one)
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der electric potential) provided by the
Energiequelle , anlegbar ist . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1 , 5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Ein Kontaktpad 114, 116 kann elektrisc und/oder körperlich verbunden sein mit einer Elektrode 104, 108. Ein Kontaktpad 114, 116 kann jedoch auch als ein Bereich einer Elektrode 104, 108 oder einer Verbindungsschiebt eingerichtet sein. Energy source, can be applied. For example, the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 3V to about 12V. A contact pad 114, 116 may be electrically and / or physically connected to an electrode 104, 108. However, a contact pad 114, 116 may also be configured as a portion of an electrode 104, 108, or a connecting slide.
Die erste Elektrode 104 kann mit einem ersten elektrischen Kontaktpad 116 elektrisch verbunden sein, an das ein erstes elektrisches Potential anlegbar ist - bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelie . Das erste Kontaktpad 116 kann im geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des lichtemittierenden Bauelementes 130 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 10 . Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 104 angelegt werden oder sein, Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. The first electrode 104 may be electrically connected to a first electrical contact pad 116, to which a first electrical potential can be applied - provided by a power source (not shown), for example a current source or a voltage source. The first contact pad 116 may be formed on or above the carrier 102 in the geometric edge region of the optically active region of the light-emitting component 130, for example laterally next to the first electrode 10. Alternatively, the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 104. The first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite In various embodiments, the second
Elektrode 108 mit einem zweiten Kontaktpad 114 körperlich und elektrisch verbunden sein, an das das zweite elektrische Potential anlegbar ist - bereitgestellt von einer Electrode 108 to be physically and electrically connected to a second contact pad 114, to which the second electrical potential can be applied - provided by a
Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Energy source (not shown), for example one
Stromquelle oder einer Spannungsquelle. Das zweite Power source or a voltage source. The second
Kontaktpad 114 kann im geometrischen Randbereich des optisch aktiven Bereiches des lichtemittierenden Bauelementes 130 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 104. Contact pad 114 may be formed in the geometric edge region of the optically active region of light-emitting component 130 on or above carrier 102, for example laterally next to first electrode 104.
Die Kontaktpads 114, 116 sind mittels elektrischer The contact pads 114, 116 are by means of electrical
Isolierungen 112 elektrisch von den gegengepolten Elektroden 104, 108 isoliert. Mit anderen Worten: Die elektrische  Isolations 112 are electrically isolated from the counter-pole electrodes 104, 108. In other words: the electrical
Isolierungen 112 können derart eingerichtet sein, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 104 und der zweiten Elektrode 108 oder beispielsweise zwischen der ersten Elektrode 104 und dem zweiten Kontaktpad 114 verhindert wird. Der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung kann beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel , beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren Beschichtungsstoff aufweisen, Isolations 112 may be configured such that a current flow between two electrically conductive regions, for example, between the first electrode 104 and the second electrode 108 or, for example, between the first Electrode 104 and the second contact pad 114 is prevented. The substance or the substance mixture of the electrical insulation can be, for example, a coating or a coating agent, for example a polymer and / or a lacquer. The lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
beispielsweise ein Polyamid aufweisen oder daraus gebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 112 können beispielsweise lithografisch oder mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise strukturiert. DasFor example, have or be formed from a polyamide. The electrical insulation 112 can be applied or formed, for example, lithographically or by means of a printing process, for example, structured. The
Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl-Druck {Inkj et-Printing) , einen Siebdruck und/oder ein Tampondruck (Pad-Printing) aufweisen. In einem Ausführungsbeispiel kann eine elektrische Isolation 112 optional sein, beispielsweis beim Ausbilden des Printing process, for example, an inkjet printing {Inkj et-Printing), a screen printing and / or a pad printing (pad-printing) have. In one embodiment, electrical isolation 112 may be optional, for example, in forming the
optoelektronischen Bauelementes 130 mit einem geeigneten Maskenprozess . Die Kontaktpads 114, 116 können als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der ersten optoelectronic component 130 with a suitable mask process. The contact pads 114, 116 may be a substance or a substance mixture similar to the first substance or mixture of substances
Elektrode 104 und/oder der zweiten Elektrode 108 aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise als eine Electrode 104 and / or the second electrode 108 or be formed therefrom, for example as a
Metallschichtenstruktur mit wenigstens einer Chrom-Schicht und wenigstens einer Aluminium-Schicht, beispielsweise Chrom- Aluminium-Chrom (Cr-Al-Cr) ; oder Molybdän-Aluminium-Molybdän (Mo-Äl-Mo) , Silber-Magnesium (Ag-Mg) , Aluminium . Metal layer structure comprising at least one chromium layer and at least one aluminum layer, for example chromium-aluminum-chromium (Cr-Al-Cr); or molybdenum-aluminum-molybdenum (Mo-Al-Mo), silver-magnesium (Ag-Mg), aluminum.
Die Kontaktpads 114 , 116 können beispielsweise eine The contact pads 114, 116 may, for example, a
Kontaktfläche , ein Pin, eine flexible Leiterplatine , eine Klemme, eine Klammer oder ein anderes elektrisches Contact surface, a pin, a flexible printed circuit board, a clamp, a clamp or other electrical
Verbindungsmittel aufweisen oder derart ausgebildet sein . Have connecting means or be formed.
Auf oder über der zweiten Elektrode 108 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional noch eine Verka seiung, beispielsweise in Form einer On or above the second electrode 108 and thus on or above the electrically active region can optionally still a Verka beeting, for example in the form of a
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 118 gebildet werden oder sein. Unter einer „Barrierendünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 118 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit ) und Sauerstoff , zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 118 derart ausgebilde , dass sie von OLED- schädigenden Stoffen wie Barrier thin film / thin film encapsulation 118 may be formed or be. In the context of this application, a "barrier thin film" or a "barrier thin film" 118 can be understood, for example, as a layer or layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and Oxygen, form. In other words, the barrier film 118 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann, Water, oxygen or solvents can not be penetrated or at most at very low levels,
-6 . 2 ,  -6. 2,
beispielsweise weniger als 10 g/m /d. for example, less than 10 g / m / d.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 118 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als In accordance with one embodiment, the barrier film 118 may be formed as a single layer (in other words, as
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 118 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die  Single layer) may be formed. According to an alternative embodiment, the barrier thin film 118 may comprise a plurality of sublayers formed on each other. In other words, according to one embodiment, the
Barrierendünnschicht 118 als Schichtstapel (Stack) Barrier thin film 118 as a stack of layers (stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 118 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 118 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines be educated. The barrier film 118 or one or more sublayers of the barrier film 118 may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by means of a
AtomlagenabscheideVerfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstü zten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ( PEALD) ) oder eines plasmalosen Atomic Layer Deposition (ALD) method according to an embodiment, e.g. a Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or a plasmaless
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma- less Atomic Layer Atomic deposition method (Plasmaless Atomic Layer
Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Deposition (PLALD)), or by means of a chemical
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung , z.B. eines  Chemical Vapor Deposition (CVD) according to another embodiment, e.g. one
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or plasmaless vapor deposition (plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren . Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), or alternatively by other suitable deposition methods. By using an atomic layer deposition process (ALD) very thin layers can be deposited. In particular, layers can be deposited whose layer thicknesses are in the atomic layer region.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer According to one embodiment, in a
Barrierendünnschicht 118 , die mehrere Teilschichten aufweist , alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge , die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.  Barrier thin film 118 having multiple sublayers, all sublayers formed by an atomic layer deposition process. A layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer According to an alternative embodiment, in a
Barrierendünnschicht 118 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 118 mittels eines anderen Abscheide erfahrens als einem A barrier film 118 comprising a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the barrier film 118 by means of a different deposition than one method
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, Atomic layer deposition processes are deposited,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht 118 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0 , 1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungef hr 10 nm bis ungef hr 100 nm gemäß einer for example by means of a gas phase separation process. The barrier film 118 may, according to one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Embodiment, for example, about 40 nm according to an embodiment.
Gemä einer Ausgestaltung , bei der die Barrierendünnschicht 118 mehrere Teilschichten aufweist , können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen According to an embodiment in which the barrier thin layer 118 has a plurality of partial layers, all partial layers may have the same layer thickness. According to another
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Design, the individual sub-layers of
Barrierendünnschicht 118 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der  Barrier thin layer 118 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
Teilschichten eine andere Schichtdicke auf eisen als eine oder mehrere andere der Tei1schichten . Partial layers have a different layer thickness on iron than one or more other of the partial layers.
Die Barrierendünnschicht 118 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 118 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 118 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 118 ) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehe . The barrier thin-film layer 118 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 118 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer. In other words, the barrier film 118 (or the individual sublayers of the barrier film 118) may be made of a translucent or transparent material (or combination of materials that is translucent or transparent).
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 118 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der According to one embodiment, the barrier thin layer 118 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
Barrierendünnschicht 118 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Haf iumoxid, Tantaloxid, Barrier film 118 comprising or being formed from one of the following materials: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, haf ium oxide, tantalum oxide,
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride,
Siliziumoxinitrid, SiCxNy, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Silicon oxynitride, SiC x Ny, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, and mixtures and
Legierungen derselben . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 118 oder (im Falle eines  Alloys thereof. In various embodiments, the barrier film layer 118 or (in the case of a
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 118 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2 . Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film 118 comprise one or more high refractive index materials, in other words one or more high refractive index materials, for example, having a refractive index of at least 2. It should also be noted that in various
Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine Barrierendünnschicht 118 verzichtet werden kann. In solch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine Barrierendünnschicht 118 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung, beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung .  Embodiments can be completely dispensed with a barrier thin film 118. In such an embodiment, the optoelectronic component device can, for example, have a further encapsulation structure, as a result of which a barrier thin layer 118 can become optional, for example a cover, for example a cavity glass encapsulation or metallic encapsulation.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 118 ein Klebstoff 122 und/oder einIn various embodiments, an adhesive 122 and / or on or above the barrier thin film 118 may be used
Schutzlack 122 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 124 (beispielsweise eine Glasabdeckung 12 , eine Metallfoiienabdeckung 124, eine abgedichtete Kunststofffolie -.Abdeckung 124} auf der Barrierendünnschicht 118 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In Protective varnish 122 may be provided, by means of which, for example, a cover 124 (for example a glass cover 12, a metal foil cover 124, a sealed plastic film cover 124} is secured to the barrier film 118, for example glued. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch various embodiments, the optically
transluzente Schicht aus Klebstoff 122 und/oder translucent layer of adhesive 122 and / or
Schutzlack 122 eine Schichtdicke von größer als 1 μπι  Protective varnish 122 has a layer thickness of greater than 1 μπι
aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μν . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations -Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. have, for example, a layer thickness of several μν. In various embodiments, the adhesive may include or be a lamination adhesive.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als In the layer of the adhesive (also referred to as
Klebstoffschiebt) können in verschiedenen Klebstoffschiebt) can in different
Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel Embodiments still light scattering particles
eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des FarbwinkelVerzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als be embedded, which can lead to a further improvement of the color angle distortion and the Auskoppeleffizienz. In various embodiments, as
lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische light-scattering particles, for example dielectric
Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02) , Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02) , Indium- Zinn-Oxid (ITO) oder Indium- Zink-Oxid (IZO) , Galliumoxid (Ga20x) , Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Such as metal oxides such as silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 x ), alumina, or provided titanium oxide. Other particles may be suitable, provided that they have a
Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat , oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Have refractive index, which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example, air bubbles, acrylate, or glass bubbles. Furthermore, for example, metallic nanoparticles,
Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder Metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or
dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. In verschiedene Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 108 und der Schicht aus Klebstoff 122 und/oder Schutzlack 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μτη, may be provided as light-scattering particles. In various embodiments, between the second electrode 108 and the layer of adhesive 122 and / or resist 122, an electrically insulating layer (not shown) may be applied or be, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 μτη,
beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μιπ, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 μιπ to electrically unstable Protect materials, for example during a
nasschemischen Prozesses, wet-chemical process,
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist , der kleiner ist als der Brechungsindex der In various embodiments, the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
Abdeckung 124. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Cover 124. Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
Acrylat , der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 auf eist . In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise Acrylate having a refractive index of about 1.3. In one embodiment, for example, an adhesive may be a high refractive index adhesive
hochbrechende , nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex auf eist , der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht , beispielsweise in einem Bereich von ungef hr 1 , 7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Klebstoffschichtenfolge bilden. Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen having refractive index non-diffusing particles and having an average refractive index approximately equal to the average refractive index of the organically functional layered structure, for example in a range of about 1.7 to about 2.0. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence. It should also be noted that in various
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 122 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 124 , beispielsweise aus Glas , mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 118 aufgebracht werden.  Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 122, for example in embodiments in which the cover 124, for example made of glass, are applied to the barrier thin film 118 by means of, for example, plasma spraying.
Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich kann optional eine Getter-Schicht angeordnet sein (nicht dargestellt) derart, dass die Gette -Schicht den elektrisch aktiven On or above the electrically active region may optionally be arranged a getter layer (not shown) such that the Gette layer is the electrically active
Bereich hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet , beispielsweise die Diffusionsrate von Wasser und/oder Sauerstof zu der Barrierendünnschicht 118 und/oder dem elektrisch aktiven Bereich hin reduziert . Die Getter- Schicht kann strukturiert ausgebildet sein, beispielsweise in einem op isch inaktiven Randbereich des optoelektronischen Bauelementes . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter- Schicht transluzent , transparent oder opak ausgebildet sein und eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μτ aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μπι . In Hermetically sealed with respect to harmful environmental influences, for example, reduces the diffusion rate of water and / or oxygen to the barrier thin film 118 and / or the electrically active area down. The getter layer can be structured, for example in an op isch inactive edge region of the optoelectronic component. In various embodiments, the getter layer may be translucent, transparent or opaque and have a layer thickness of greater than about 1 μτ, for example, a layer thickness of several μπι. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Matrix der According to various embodiments, the matrix of
Getter- Schicht einen Laminations -Klebstoff aufweisen. Getter layer have a lamination adhesive.
Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen Furthermore, in various embodiments
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten additionally one or more antireflection coatings
(beispielsweise kombiniert mit der Barrierendünnschicht 118) in dem lichtemittierenden Bauelement 130 vorgesehen sein.  (for example, combined with the barrier thin film 118) may be provided in the light-emitting device 130.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die In various embodiments, the / may
Abdeckung 124 und/oder der Klebstoff 122 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nra) von 1,55 aufweisen. Cover 124 and / or the adhesive 122 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nra) of 1.55.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 124, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung {engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein In one embodiment, the cover 124, for example of glass, for example by means of a frit bonding {glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions of the organic optoelectronic device 100 with the barrier film 108 become. In various embodiments, a
elektrooptisches Bauelement 110, 120 als eine farbige, matte, silberne und/oder diffuse elektrisch schaltbare Struktur ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Electro-optical component 110, 120 may be formed as a colored, matte, silver and / or diffuse electrically switchable structure. In various embodiments, a
elektrooptisches Bauelement 110, 120 als ein elektrisch schaltbarer Spiegel mit durchstimmbarer Ref lektivität Electro-optical device 110, 120 as an electrically switchable mirror with tunable Ref lectivity
eingerichtet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Durchs immen der Reflektivität elektrochrom- elektrisch, gasochrom oder thermochrom erfolgen. be furnished. In various embodiments, the immense reflectivity can be carried out by electrochromic, gasochromic or thermochromic.
Eine elektrisch schaltbare Spiegelschicht mit durchstimmbarer Ref lektivität kann derart ausgebildet sein, wie sie beispielsweise beschrieben ist in DE10031294A1 ; An electrically switchable mirror layer with tunable Ref lectivity can be designed as they for example, described in DE10031294A1;
DE102007Q22090A1. DE102007Q22090A1.
Eine elektrisch schaltbare Blende mit durchstimmbarer An electrically switchable aperture with tunable
Transmission oder ein elektrisch schaltbarer Filter mit durchstimmbarer Absorption kann derart ausgebildet sein, wie sie beispielsweise beschrieben sind in: J . Jacobsen et al . , IBM System Journal 36 (1997) 457-463; B. Comiskey et al . Transmission or an electrically switchable filter with tuneable absorption can be designed as described, for example, in: J. Jacobsen et al. , IBM System Journal 36 (1997) 457-463; B. Comiskey et al.
Nature 394 (1998) 253-255; WO199803896A1 ; W0199841899A1 ; Nature 394 (1998) 253-255; WO199803896A1; W0199841899A1;
WO2010064165A1; WO2009053890A2 ; EP1601030A2. WO2010064165A1; WO2009053890A2; EP1601030A2.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ei In various embodiments, ei
elektrooptisches Bauelement 110 , 120 als Folie ausgebildet sein und auf oder über das optoelektronische Bauelement 130 aufgeklebt werden, beispielsweise mit einem Klebstoff gemäß einer der oben dargestellten Ausgestaltungen. In einem Electro-optical component 110, 120 may be formed as a film and glued on or over the optoelectronic device 130, for example with an adhesive according to one of the embodiments shown above. In one
Ausführungsbeispiel kann der Klebstoff , der zum Aufkleben eines elektrooptischen Bauelementes 110 , 120 verwendet wird, außerdem als Auskoppelschicht eingerichtet sein, wie sie unten noch näher beschrieben wird . Embodiment, the adhesive which is used for adhering an electro-optical component 110, 120, also be arranged as Auskoppelschicht, as will be described in more detail below.
Das elektrooptische Bauelement 110 , 120 kann derart The electro-optical component 110, 120 may be such
ausgebildet sein, dass mittels eines Anlegens eines be formed that by means of an application of a
Steuersignals an das elektrooptische Bauelement 110 , 120 die optischen Eigenschaften des elektrooptischen Bauelements 110 , 120 verändert werden, beispielsweise die Transmission, die Absorption und/oder die Reflexion von elektromagnetischer Strahlung durch/ in/von dem elektrooptischen Bauelement 110 , 120. Ein Steuersignal kann beispielsweise die Änderung einer an das elektrooptische Bauelement 110 , 120 angelegten Control signal to the electro-optical device 110, 120, the optical properties of the electro-optical device 110, 120 are changed, for example, the transmission, absorption and / or reflection of electromagnetic radiation by / in / from the electro-optical device 110, 120. A control signal, for example the change of a voltage applied to the electro-optical component 110, 120
Spannung oder eine Änderung der Stromstärke durch das Voltage or a change in current through the
elektrooptische Bauelement 110 , 120 sein (siehe Fig.5 und be electro-optical component 110, 120 (see Fig.5 and
Fig.6) . Die optischen Eigenschaften können beispielsweise in einem Bereich von 0 % (keine Änderung) bis 100 % (vollständige Änderung) verändert werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein Fig.6). For example, the optical characteristics can be changed in a range of 0% (no change) to 100% (full change). In various embodiments, a
elektrooptisches Bauelement 110, 120 derart ausgebildet sein, dass sich die optischen Eigenschaften des elektrooptisehen Bauelement abrupt, d.h. instantan, unstetig; mit dem Anlegen eines Steuersignals an das elektrooptxsche Bauelement ändern. electro-optical device 110, 120 may be formed such that the optical properties of the electro-optical device abruptly, i. instantaneous, unsteady; change with the application of a control signal to the electro-optical component.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann ein In various embodiments, a
elektrooptisches Bauelement 110, 120 derart ausgebildet sein, dass sich die optischen Eigenschaften des elektrooptisehen Bauelement kontinuierlich, d.h. fließend, stetig; mit demElectro-optical device 110, 120 may be formed so that the optical properties of the electro-optical device continuously, i. fluent, steady; with the
Anlegen eines Steuersignals an das elektrooptxsche Bauelement ändern. Applying a control signal to the electro-optical component change.
In verschiedenen Ausführungsbeis ielen wird das In various embodiments, this will be
optoelektronische Bauelement 130 unabhängig von den optoelectronic device 130 independent of the
elektrooptischen Bauelementen 110, 120 angesteuert, electro-optical components 110, 120 controlled,
beispielsweise wird das optoelektronische Bauelement in einem Gleichstrom-Modus betrieben. Damit ist bei einem bestimmten Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130, die Transmittivität und Reflektxvxtät des optoelektronischen Bauelementes 130 diskret vorgegeben, d.h. es sind For example, the optoelectronic device is operated in a DC mode. Thus, given a given emission ratio of the optoelectronic component 130, the transmissivity and reflectivity of the optoelectronic component 130 are given discreetly, i. there are
verschiedene diskrete Einstellungen möglich. various discrete settings possible.
In verschiedenen Ausführungsbei pielen kann eine statische AuskoppelSchicht 126, 128 und/oder eine selbstregelnde In various embodiments, a static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating one can
Auskoppelschicht 126, 128 in der optoelektronischen Decoupling layer 126, 128 in the optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 vorgesehen sein (dargestellt in Fig.lb-d) . Eine Auskoppelschicht 126, 128 kann beispielsweise als eine externe Auskoppelfolie 126, 128 auf oder über dem Träger 102 oder als eine interne Äuskoppelschient (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes 130 ausgebildet sein. Device device 100 may be provided (shown in Fig.lb-d). An outcoupling layer 126, 128 may be formed, for example, as an external outcoupling foil 126, 128 on or above the carrier 102 or as an internal auxucial splint (not shown) in the layer cross section of the optoelectronic component 130.
Die Auskoppelschicht 126, 128 kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der The decoupling layer 126, 128 may comprise a matrix and scattering centers distributed therein, wherein the
Schichtquerschnitt -gemittelte Brechungsindex (mittlere Brechungsindex) der AuskoppelSchicht 126, 128 kleiner oder größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. Die Auskoppelschicht 126, 128 und/oder die Streuzentren können beispielsweise gemäß einer der Ausgestaltungen der Layer cross-section - average refractive index (average Refractive index) of the outcoupling layer 126, 128 is smaller or larger than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided. The decoupling layer 126, 128 and / or the scattering centers can, for example, according to one of the embodiments of
Klebstoffschicht 122 eingerichtet sein. Adhesive layer 122 may be configured.
Eine selbstregelnde Auskoppelschicht 126, 128 kann als Matrix oder Streuzentren einen Stoff oder ein Stoffgeraisch A self-regulating decoupling layer 126, 128 can be a matrix or scattering centers of a substance or a Stoffgeraisch
aufweisen, dessen Brechungsindex sich mit der Temperatur ändert derart, dass der Brechungsindexunterschied der whose refractive index changes with temperature such that the refractive index difference of the
Streuzentren zur Matrix bei einer ersten Betriebstemperatur der optoelektronischen Bauelementevorrichtung kleiner als 0,05 ist und bei einer zweiten Betriebstemperatur der Scattering centers to the matrix at a first operating temperature of the optoelectronic component device is less than 0.05 and at a second operating temperature of
Brechungsindexunterschied größer 0,05 ist. In einem Refractive index difference is greater than 0.05. In one
Ausführungsbeispiel können die Streuzentren und/oder die Matrix einen thermotropen Stoff aufweisen oder daraus  Embodiment, the scattering centers and / or the matrix may comprise or from a thermotropic substance
gebildet sein. Unter einer externen Auskopplung können Vorrichtungen be formed. Under an external coupling devices can
verstanden werden, bei denen Licht aus dem Substrat in abgestrahltes Licht auskoppelt. Eine solche Vorrichtung kann beispielsweise eine Folie mit Streupartikeln oder einer be understood, in which decouples light from the substrate in radiated light. Such a device may, for example, a film with scattering particles or a
Oberflächenstrukturierung, beispielsweise Mikrolinsen, sein. Die Folie kann beispielsweise auf die Substrataußenseite aufgebracht werden. Weitere Möglichkeiten können eine direkte Strukturierung der Substrataußenseite oder das Einbringen von Streupartikeln in das Substrat sein, beispielsweise in ein Glassubstrat . Surface structuring, for example, microlenses, be. The film can for example be applied to the substrate outside. Further possibilities may be a direct structuring of the substrate outside or the introduction of scattering particles into the substrate, for example into a glass substrate.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine statische Auskoppelschicht 126, 128 und/oder eine selbstregelnde In various embodiments, a static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating
Auskoppelschicht 126, 128 im Strahlengang des von dem optoelektronischen Bauelement emittierten Lichtes auf einer der elektrooptischen Bauelemente 110, 120 vorgesehen sein (Fig.lb) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine statische Auskoppelschicht 126, 128 und/oder eine selbstregelnde Decoupling layer 126, 128 may be provided in the beam path of the light emitted by the optoelectronic component on one of the electro-optical components 110, 120 (Fig.lb). In various embodiments, a static outcoupling layer 126, 128 and / or a self-regulating
AuskoppeIschlcht 126, 128 im Strahlengang des von dem AuskoppeIschlcht 126, 128 in the beam path of the of
optoelektronischen Bauelement emittierten Lichtes zwischen einem der elektrooptischen Bauelemente 110, 120 und dem optoelektronischen Bauelement 130 vorgesehen sein (Fig. lc) . Optoelectronic component emitted light between one of the electro-optical components 110, 120 and the optoelectronic component 130 may be provided (Fig. Lc).
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können eine oder mehrere statische Auskoppelschicht (en) 126, 128 und/oder eine oder mehrere selbstregelnde Auskoppelschicht (en) 126, 128 im Strahlengang des von dem optoelektronischen Bauelement emittierten Lichtes angeordnet sein, gemäß den In various exemplary embodiments, one or more static decoupling layer (s) 126, 128 and / or one or more self-regulating decoupling layer (s) 126, 128 may be arranged in the beam path of the light emitted by the optoelectronic component, in accordance with FIGS
Ausgestaltungen der Fig. lb und Fig. lc . Ein Embodiments of Fig. Lb and Fig. Lc. One
Ausführungsbeispiel einer Vielzahl möglicher Kombinationen mehrerer Auskoppelschichten 126, 128 hinsichtlich eines ersten elektrooptischen Bauelementes 110 und eines zweiten elektrooptischen Bauelementes 120 ist dargestellt in Fig.ld, Exemplary embodiment of a multiplicity of possible combinations of a plurality of outcoupling layers 126, 128 with regard to a first electro-optical component 110 and a second electro-optical component 120 is shown in FIG.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können außerdem oder anstatt der Auskoppelschicht (en) 126, 128 optisch In addition, in various embodiments, or instead of the outcoupling layer (s) 126, 128, optically
funktionelle Schichten vorgesehen sein, beispielsweise be provided functional layers, for example
Streuschichten, Effektfolien, Glitzerfolien, Farbfolien, transparente Folien oder intransparente/opake Folien mit beispielsweise Bildinformationen, beispielsweise einem Litter layers, effect foils, glitter foils, color foils, transparent foils or non-transparent / opaque foils with, for example, image information, for example one
Piktogramm, Ideogramm oder Sch iftzug; elektrochrome Pictogram, ideogram or scrapbook; electrochromic
Schichten, fotochrome Schichten und/oder ein Display. Layers, photochromic layers and / or a display.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das In various embodiments, the
optoelektronische Bauelement allgemein ein lichtemittierendes Bauelement sein, beispielsweise eine Leuchtdiode, eine organische Leuchtdiode, eine seitlich in den Träger 102 Licht einkoppelnde (organische) Leuchtdiode, auch bezeichnet als seiteneingekoppelte LED/OLED, eine Leuchtstoffröhre, eine Glühf denlampe, eine Kompaktleuchtstofflampe. Optoelectronic component generally be a light-emitting component, such as a light emitting diode, an organic light emitting diode, a laterally into the carrier 102 light einkoppelnde (organic) light emitting diode, also referred to as page-coupled LED / OLED, a fluorescent tube, a Glühf denlampe, a compact fluorescent lamp.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die In various embodiments, the
optoelektronische Bauelementevorrichtung als ein mechanisch flexibles Bauteil ausgebildet sein, beispielsweise als eine biegbare OLED. Optoelectronic component device as a mechanical be formed flexible component, for example as a bendable OLED.
Fig.2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen gemäß einer der Ausgestaltung der 2 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component device according to various embodiments according to one of the embodiments of FIGS
Beschreibungen der Fig.la bis Fig.ld und ein Steuergerät 202. Descriptions of Fig.la to Fig.ld and a controller 202nd
Das Steuergerät 202 kann mittels elektrischer Anschlüsse 206 mit dem ersten elektrooptischen Bauelement 110 elektrisch verbunden sein und dieses ansteuern. The control unit 202 can be electrically connected to the first electro-optical component 110 by means of electrical connections 206 and drive it.
Das Steuergerät 202 kann mittels elektrischer Anschlüsse 208 mit dem zweiten elektrooptischen Bauelement 120 elektrisch verbunden sein und dieses ansteuern. The control unit 202 can be electrically connected to the second electro-optical component 120 by means of electrical connections 208 and drive it.
Das Steuergerät 202 kann mittels elektrischer Anschlüsse 204 und der ontaktpads 114 , 116 mit dem optoelektronischen The control unit 202 can be connected to the optoelectronic by means of electrical connections 204 and the ontaktpads 114, 116
Bauelement 130 elektrisch verbunden sein und dieses Component 130 to be electrically connected and this
ansteuern. drive.
Das Steuergerät 202 kann einen Pulsmodulator (nicht The controller 202 may include a pulse modulator (not
dargestellt) aufweisen und verschiedene Spannungsverläufe und/oder Stromverläufe an die mit dem Steuergerät 202 shown) and different voltage waveforms and / or current waveforms to the with the controller 202nd
verbundenen elektrischen Bauelemente 110, 120, 130 connected electrical components 110, 120, 130th
bereitstellen. provide.
Das Steuergerät 202 kann der hat ausgebildet sein, dass die mit dem Steuergerät 102 verbundenen elektrischen The control unit 202 may be configured such that the power supply connected to the control unit 102
Bauelemente 110 , 120 , 130 unabhängig voneinander angesteuert , das heißt bestromt , werden können . Components 110, 120, 130 controlled independently of each other, that is energized, can be.
Das Ansteuern der elektrooptischen Bauelemente 110, 120 kann mittels einer an die elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 angelegten Spannung oder eines angelegten Stromes erfolgen. Die optischen Eigenschaften der elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 kann mittels eines Anderns der Pulsbreite oder der Pulsfrequenz der Spannungspulse , beispielsweise mittels einer Pulsweitenmodulation (PWM) , einer Pulsfrequenzmodulation (PFM) ; und/oder mittels eines Anderns der Steuerspannung, beispielsweise mittels einer Pulsamplitudenmodulation (PAM) oder einer Gleichstrom-Modulation (DCM) (direct current The driving of the electro-optical components 110, 120 can take place by means of a voltage applied to the electro-optical components 110, 120 or an applied current. The optical properties of the electro-optical components 110, 120 can by means of a change in the pulse width or the pulse frequency of the voltage pulses, for example by means of a Pulse width modulation (PWM), a pulse frequency modulation (PFM); and / or by means of a change of the control voltage, for example by means of a pulse amplitude modulation (PAM) or a DC modulation (DCM) (direct current
Modulation) ,· realisiert werden, beispielsweise in Form einer Pulscodemodulation (PCM) . Eine PWM und PFM Ans euerung kann beispielsweise verwendet werden falls die elektrooptischen Bauelemente 110, 120 derart ausgebildet sind, dass nur zwischen zwei Zuständen geschaltet werden kann, Modulation), for example in the form of a pulse code modulation (PCM). A PWM and PFM Ans euerung can be used, for example, if the electro-optical components 110, 120 are formed such that can be switched only between two states,
beispielsweise nur zwischen einem Ein- Zustand und einem Aus- Zustand. Eine PAM- und DC-Ansteuerung kann beispielsweise verwendet werden, falls die elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 derart ausgebildet sind, dass die optischen Eigenschaften mittels des Betrages und/oder der Stromrichtung der for example, only between an on state and an off state. A PAM and DC drive can be used, for example, if the electro-optical components 110, 120 are designed such that the optical properties by means of the magnitude and / or the current direction of
angelegten Spannung eingestellt werden können . applied voltage can be adjusted.
Fig.3 zeigt eine schematische Darstellung zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 3 shows a schematic representation of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
Dargestellt sind Erscheinungsbilder optoelektronischer Shown are appearances optoelectronic
Bauelementevorrichtungen hinsichtlich der Lichtemission bei lichtemittierendem optoelektronischen Bauelement für eine erste optoelektronische Bauelementevorrichtung 302 mit nur einem ersten elektrooptischen Bauelement 110 , für eine zweite optoelektronische Bauelementevorrichtung 304 mit einem optoelektronischen Bauelement 130 zwischen einem ersten elektrooptischen Bauelement 110 und einem zweiten Component devices with regard to the light emission in the case of a light-emitting optoelectronic component for a first optoelectronic component device 302 with only a first electro-optical component 110, for a second optoelectronic component device 304 with an optoelectronic component 130 between a first electro-optical component 110 and a second one
elektrooptischen Bauelement 120 (gemäß einer Ausgestaltung der Beschreibung der Fig .1) ; für eine dritte electro-optical device 120 (according to one embodiment of the description of Fig. 1); for a third
optoelektronische Bauelementevorrichtung 306 mit nur einem zweiten elektrooptischen Bauelement 120 ; und für eine vierte (herkömmliche) optoelektronische Bauelementevorrichtung ohne elektrooptische Bauelemente . optoelectronic component device 306 with only a second electro-optical component 120; and for a fourth (conventional) optoelectronic component device without electro-optical components.
Für die Beschreibung ist eine vereinfachte Darstellung mit einem gleichen optoelektronischen Bauelement 130 für die vier dargestellten optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 302, 304 , 306 , 308 angenommen . Das optoelektronische For the description, a simplified representation is shown with a same optoelectronic component 130 for the four illustrated optoelectronic component devices 302, 304, 306, 308. The optoelectronic
Bauelement 130 ist in diesen dargestellten Fällen als eine transparente organische Leuchtdiode 130 eingerichtet, die Licht nach oben und unten emittieren kann . Die optisch aktive Fläche, die Licht nach oben emittiert , kann beispielsweise als erster optisch aktiver Bereich und die Fläche , die Licht nach unten emittiert, als zweiter optisch aktiver Bereich bezeichnet werden. In this illustrated case, device 130 is configured as a transparent organic light-emitting diode 130 that can emit light up and down. The optically active surface which emits light upwards may, for example, be referred to as the first optically active region and the surface which emits light downwards may be referred to as the second optically active region.
In der nachfolgenden Fallbetrachtung kann ein In the following case consideration, a
elektrooptisches Bauelement optisch inaktivierend sein und eine Emission aus einem optisch aktiven Bereich unterbinden (dargestellt mittels des Pfeils 322) , beispielsweise in dem das elektrooptische Bauelement Licht , das aus einem optisch aktiven Bereich emittiert wird, spiegelt, reflektiert , filtert und/oder absorbiert . Ein elektrooptisches Bauelement ist optisch transparent , wenn es das Licht , das von einem optisch aktiven Bereich emittiert wird, nicht verändert - dargestellt mittels des Pfeils 324. Für die Fallbetrachtung wird das Erscheinungsb ld der optoelektronischen Electro-optical device be optically inactivating and prevent emission from an optically active region (shown by means of the arrow 322), for example, in which the electro-optical device light, which is emitted from an optically active region, reflects, reflects, filters and / or absorbed. An electro-optical device is optically transparent if it does not change the light emitted by an optically active region - represented by the arrow 324. For the case consideration, the appearance of the optoelectronic
Bauelementevorrichtung dargestellt , beispielsweise in Component device shown, for example in
Fallbetrachtungen, in der ein elektrooptisches Bauelement optisch inaktivierend geschaltet ist , dieses bei der Case considerations in which an electro-optical device is optically inactivated, this in the
optoelektronischen Bauelementevorrichtung jedoch nicht vorgesehen ist . However, optoelectronic component device is not provided.
In einem ersten Fall 310 ist das erste elektrooptische In a first case 310, the first is electro-optical
Bauelement 110 optisch inaktivierend und das zweite Component 110 optically inactivating and the second
elektrooptische Bauelements 120 transmittierend geschaltet . In dem ersten Fall 310 wird bei der ersten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 302 und der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 die Emission von Licht nach oben unterbunden, so dass Licht nur aus dem zweiten optisch aktiven Bereich nach unten emittiert wird. Die dritte electro-optical component 120 is switched to be transmissive. In the first case 310, in the first optoelectronic component device 302 and the second optoelectronic component device 304, the emission of light upward is inhibited, so that light is emitted downwardly only from the second optically active region. The third
optoelektronische BauelementeVorrichtung 306 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 emittieren Licht nach oben und unten. In einem zweiten Fall 320 sind das erste elektrooptische Bauelement 110 und das zweite elektrooptische Bauelements 120 transmittierend geschaltet. In dem zweiten Fall 320 Optoelectronic device device 306 and fourth optoelectronic device device 308 emit light up and down. In a second case 320, the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are connected in a transmissive manner. In the second case 320
emittieren alle betrachteten optoelektronischen emit all considered optoelectronic
Baue1ementevorrichtung 302 , 304 , 306 , 308 Licht nach oben und unten . Construction device 302, 304, 306, 308 light up and down.
In einem dritten Fall 330 sind das erste elektrooptische Bauelement 110 und das zweite elektrooptische Bauelements 120 optisch inaktivierend geschaltet . In dem dritten Fall 330 emittiert die erste optoelektronische Bauelementevorrichtung 302 Licht nur nach unten, die zweite optoelektronische In a third case 330, the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are optically inactivated. In the third case 330, the first optoelectronic component device 302 emits light only down, the second optoelectronic
Bauelementevorrichtung 304 kein Licht , die dritte Component device 304 no light, the third
optoelektronische Bauelementevorrichtung 306 Licht nur nach oben und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 Licht nach oben und unten. Optoelectronic component device 306 light only up and the fourth optoelectronic component device 308 light up and down.
In einem vierten Fall 340 ist das erste elektrooptische In a fourth case 340, the first is electro-optic
Bauelement 110 transmittierend und das zweite elektrooptische Bauelement 120 optisch inaktivierend geschaltet . In dem vierten Fall 340 wird bei der dritten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 306 und der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 die Emission von Licht nach unten unterbunden, so dass Licht nur aus dem ersten optisch aktiven Bereich nach oben emittiert wird. Die erste optoelektronische Bauelementevorrichtung 302 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 emittieren Licht nach oben und unten. Aus der Fallbetrachtung 310, 320 , 330 , 340 ist ersichtlich, dass es mit der zweiten optoelektronischen Component 110 transmissive and the second electro-optical component 120 optically inactivating switched. In the fourth case 340, in the third optoelectronic component device 306 and the second optoelectronic component device 304, the emission of light downward is inhibited, so that light is emitted upward only from the first optically active region. The first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 emit light up and down. From the case consideration 310, 320, 330, 340 it can be seen that it is with the second optoelectronic
Bauelementevorrichtung 304 möglich ist, eine Component device 304 is possible, a
optoelektronische Bauelementevorrichtung optisch inaktiv zu schalten, obwohl das optoelektronische Bauelement optisch aktiv ist . Optoelectronic device device to switch optically inactive, although the optoelectronic device is optically active.
Fig.4a, b zeigen schematische Darstellungen 4a, b show schematic representations
optoelektronischer Bauelementevorrichtungen in einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronis optoelectronic component devices in one Method for operating an optoelectronics
Bauelementevorrichtung . Component device.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann das erste elektrooptische Bauelement 110 und/oder das zweite In various exemplary embodiments, the first electro-optical component 110 and / or the second
elektrooptische Bauelement 120 als ein elektrisch electro-optical device 120 as an electrical
durchstimmbarer Spiegel , eine elektrisch durchstimmbare tunable mirror, an electrically tunable
Blende, oder ein elektrisch durchstimmbarer Filter Aperture, or an electrically tunable filter
ausgebildet sein. be educated.
Ein transparentes optoelektronisches Bauelement 130 kann auf Grund von transparenten elektrischen Kontakten und der organisch funktionellen Schichtenstruktur (siehe Fig. la) beispielsweise eine Transparenz von ungefähr 50 % aufweisen. In Abhängigkeit von der Ausgestaltung des elektrooptischenA transparent optoelectronic component 130 may, for example, have a transparency of approximately 50% due to transparent electrical contacts and the organically functional layer structure (see FIG. 1 a). Depending on the design of the electro-optical
Bauelementes kann das Erscheinungsbild des optoelektronischen Bauelementes verändert werden, beispielsweise ob ein optisch inaktivierend geschaltetes optoelektronisches Bauelement 110 , 120 als ein Spiegel oder eine farbig glänzend oder matte Fläche erscheinen solle . Bei einer Betrachtung eines Component, the appearance of the optoelectronic device can be changed, for example, whether an optically inactivating switched optoelectronic device 110, 120 should appear as a mirror or a glossy or matte colored surface. When considering a
elektrooptisehen Bauelementes durch ein transparentes Electro-optic device by a transparent
optoelektronisches Bauelement kann die Innenseite ein anderes Erscheinungsbild aufweisen als die Außenseite des Optoelectronic device may have a different appearance on the inside than the outside of the
elektrooptisehen Bauelementes . Die Außenseite und Innenseite können unterschiedlich erscheinen, selbst bei isotroper electro-optic device. The outside and inside can appear different, even with isotropic
Ausgestaltung des elektrooptischen Bauelementes . Ursächlich dafür können bei einer Betrachtung der Innenseite  Configuration of the electro-optical component. Cause of this can be when looking at the inside
beispielsweise Streuschichten und/oder Auskoppelschichten im Strahlengang des Betrachters sein, beispielsweise in dem optoelektronischen Bauelement . Dadurch kann in Abhängigkeit der Ansteuerung der elektrooptischen Bauelemente und For example, scattering layers and / or coupling-out layers in the beam path of the observer, for example in the optoelectronic component. As a result, depending on the control of the electro-optical components and
Betrachtungsrichtung unterschiedliche Erscheinungsbilder für eine optoelektronische BauelementeVorrichtung realisiert werden . Viewing direction different appearances for an optoelectronic component device can be realized.
Zur Veranschaulichung sind für die FalIbe rachtungen 310 , 320 , 330 , 340 die Erscheinungsbilder der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 302 , 304 , 306 , 308 für eine Blickrichtung auf das erste elektrooptische Bauelement 110 (Fig.4a) und seine Blickrichtung auf das zweite By way of illustration, for the false positives 310, 320, 330, 340, the appearances of the optoelectronic component device 302, 304, 306, 308 for a Viewing the first electro-optical component 110 (FIG. 4a) and looking at the second one
elektrooptische Bauelement 120 (Fig.4b) dargestellt . Im ersten Fall 310 ist bei einem Blick 410 in Richtung auf das erste elektrooptische Bauelement 110 (Fig.4a) bei der ersten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 302 und der z eiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 die Außenseite des ersten elektroopti sehen Bauelementes 110 sichtbar . Die dritte optoelektronische Bauelementevorrichtung 306 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheinen transparent . electro-optical component 120 (Fig.4b) shown. In the first case 310, the outside of the first electro-optical component 110 is visible at a glance 410 in the direction of the first electro-optical component 110 (FIG. 4 a) in the case of the first optoelectronic component device 302 and the lateral optoelectronic component device 304. The third optoelectronic component device 306 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
Im ersten Fall 310 ist bei einem Blick 420 in Richtung auf das zweite elektrooptische Bauelement 120 (Fig.4b) bei der ersten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 302 und der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 die Innenseite des ersten elektrooptisehen Bauelementes 110 sichtbar. Die dritte optoelektronische Bauelementevorrichtung 306 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheinen transparent . In the first case 310, the inside of the first electro-optical component 110 is visible in the case of the first optoelectronic component device 302 and the second optoelectronic component device 304 in the direction of the second electro-optical component 120 (FIG. The third optoelectronic component device 306 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
Im zweiten Fall 320 erscheinen bei einem Blick 410 in In the second case 320, at a glance, 410 in
Richtung auf das erste elektrooptische Bauelement 110 Direction to the first electro-optical device 110th
(Fig.4a) und bei einem Blick 420 in Richtung auf das zweite elektrooptische Bauelement 120 (Fig.4b) die  (Fig.4a) and at a glance 420 in the direction of the second electro-optical component 120 (Fig.4b) the
optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 302 , 30 , 306 , 308 transparent . Im dritten Fall 330 ist bei einem Blick 410 in Richtung auf das erste elektrooptische Bauelement 110 (Fig. a) bei der ersten optoelektronischen Bauelemente orrichtung 302 und der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 die Außenseite des ersten elektrooptischen Bauelementes 110 sichtbar . Bei der dritten optoelektronische optoelectronic component devices 302, 30, 306, 308 transparent. In the third case 330, the outside of the first electro-optical component 110 is visible at a glance 410 in the direction of the first electro-optical component 110 (FIG. A) in the first optoelectronic component device 302 and the second optoelectronic component device 304. At the third optoelectronic
Bauelementevorrichtung 306 ist die Innenseite des zweiten elektrooptischen Bauelementes 120 sichtbar und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheint transparent . Device 306, the inside of the second electro-optical device 120 is visible and the fourth Optoelectronic device device 308 appears transparent.
Im dritten Fall 330 ist bei einem Blick 420 in Richtung auf das zweite elektrooptische Bauelement 120 (Fig. b) bei der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 und der dritten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 306 die Außenseite des zweiten elektrooptisehen Bauelementes 120 sichtbar. Bei der ersten optoelektronischen In the third case 330, the outside of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the second electro-optical component 120 (FIG. At the first optoelectronic
Bauelementevorrichtung 302 ist die Innenseite des ersten elektrooptisehen Bauelementes 120 sichtbar und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheint transparent . Im vierten Fall 340 ist bei einem Blick 410 in Richtung auf das erste elektrooptische Bauelement 120 (Fig.4a) bei der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 und der dritten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 306 die Innenseite des zweiten elektrooptisehen Bauelementes 120 sichtbar. Die erste optoelektronische Bauelementevorrichtung 302 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheinen transparent. Device device 302, the inside of the first electro-optic device 120 is visible and the fourth optoelectronic device device 308 appears transparent. In the fourth case 340, the interior of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the first electro-optical component 120 (FIG. The first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
Im vierten Fall 340 ist bei einem Blick 420 in Richtung auf das zweite elektrooptische Bauelement 110 {Fig.4b) bei der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 und der dritten optoelektronischen Bauelementevorrichtung 306 die Außenseite des zweiten elektrooptischen Bauelementes 120 sichtbar. Die erste optoelektronische Bauelementevorrichtung 302 und die vierte optoelektronische Bauelementevorrichtung 308 erscheinen transparent. In the fourth case 340, the outer side of the second electro-optical component 120 is visible in the case of the second optoelectronic component device 304 and the third optoelectronic component device 306 in the direction of the second electro-optical component 110 {FIG. The first optoelectronic component device 302 and the fourth optoelectronic component device 308 appear transparent.
Aus der Fallbetrachtung 310, 320, 330, 340 aus Fig.4a und Fig. b ist ersichtlich, dass es mit der zweiten From the case consideration 310, 320, 330, 340 of Fig. 4a and Fig. B it can be seen that it with the second
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 304 möglich ist, dass die optoelektronische Bauelementevorrichtung in Optoelectronic component device 304 is possible that the optoelectronic component device in
Abhängigkeit von der Blickrichtung und der Ansteuerung der elektrooptischen Bauelemente 110, 120 mehr unterschiedliche Erscheinungsformen aufweisen kann als die anderen optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 302 , 306, 308. Mit dem Ausführungsbeispiel der zweiten optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 100 , 304 kann das Erscheinungsbild einer optoelektronischen Bauelementevorrichtungen fünf verschiedene Erscheinungsformen auf eisen - jeweils in der Form der Ausgestaltung der Innenseite und der Außenseite des ersten elektrooptischen Bauelementes 110 und des zweiten elektrooptischen Bauelementes 120 sowie transparent . Dies kann realisiert werden, da ein elektrooptisches Bauelement gemäß der in Fig.la dargestellten Ausgestaltungen optische Eigenschaften aufweisen kann, die abhängig sind von der Depending on the viewing direction and the control of the electro-optical components 110, 120 more different With the embodiment of the second optoelectronic component devices 100, 304, the appearance of an optoelectronic component devices on five different manifestations on iron - each in the form of the configuration of the inside and the outside of the first electro-optical Component 110 and the second electro-optical component 120 and transparent. This can be realized because an electro-optical device according to the embodiments shown in Fig.la can have optical properties that are dependent on the
Betrachtungsrichtung . Bei einer optoelektronischen Bauelementevorrichtungen 302 , 306 mit nur einem elektrooptischen Bauelement und einem transparenten optoelektronischen Bauelement mit Viewing direction. In an optoelectronic component devices 302, 306 with only one electro-optical component and a transparent optoelectronic component with
asymmetrischer Emission (siehe Fig.7 ) das Einstellen der Transparenz des optoelektronischen Bauelementes nicht asymmetric emission (see Figure 7) does not adjust the transparency of the optoelectronic device
möglich. possible.
Fig .5a-c zeigen schematische Darstellungen zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. 5 a - c show schematic representations of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
Zur Veranschaulichung der Ansteuerung der optoelektronischen Bauelementevorrichtungen wird die Ansteuerung am Beispiel eines optoelektronischen Bauelementes 130 beschrieben, das eine erste elektromagnetische Strahlung (gekennzeichnet mittels des Pfeils 500) und eine zweite elektromagnetische Strahlung (gekennzeichnet mittels des Pfeils 510) nach unterschiedlichen Seiten des optoelektronischen Bauelementes 130 emittiert . Fig .5a zeigt eine optoelektronische Bauelementevorrichtung 100 gemäß einer Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.1 und Fig.2. Während das optoelektronische Bauelement 130 Licht emittiert , können/kann das erste elektrooptische Bauelement 110 und/oder das zweite elektrooptische Bauelement 120 gepulst angesteuert werden (siehe Fig.2) . Die gepulste To illustrate the control of the optoelectronic component devices, the control is described using the example of an optoelectronic component 130 which emits a first electromagnetic radiation (indicated by the arrow 500) and a second electromagnetic radiation (indicated by the arrow 510) to different sides of the optoelectronic component 130 , FIG. 5 a shows an optoelectronic component device 100 according to one embodiment of the descriptions of FIGS. 1 and 2. While the optoelectronic component 130 emits light, the first electro-optical component can / can 110 and / or the second electro-optical component 120 are driven pulsed (see Figure 2). The pulsed
Ansteuerung kann beispielsweis als eine Pulsweitenmodulation ( PWM) , eine Pulsfrequenzmodulation (PFM) eine Control can, for example, as a pulse width modulation (PWM), a pulse frequency modulation (PFM) a
Pulsamplitudenmodulation (PAM) und/oder eine Pulse amplitude modulation (PAM) and / or a
Pulscodemodulation (PCM) eingerichtet sein . Aufgrund der Trägheit des menschlichen Auges können mittels der gepulsten Ansteuerung Mischszenarien der Fallbetrachtungen 310, 320 , 330 , 340 der zweiten optoelektronischen  Pulse code modulation (PCM). Due to the inertia of the human eye, mixed scenarios of the case considerations 310, 320, 330, 340 of the second optoelectronic can be used by means of the pulsed activation
Bauelementevorrichtung 30 , 100 der Beschreibung der Device device 30, 100 of the description of
Fig.4a, b realisiert werden. 4a, b realized.
Zur Veranschau1ichung des Wirkungsprinzips der gepulsten Ansteuerung wird nachfolgend die Wirkung einer gepulsten Ansteuerung des ersten elektrooptischen Bauelementes 110 dargestellt . Lediglich zur Vereinfachung der To illustrate the principle of action of the pulsed drive, the effect of a pulsed drive of the first electro-optical component 110 is shown below. Only for the sake of simplification
Veranschaulichung weist die optoelektronische Illustration shows the optoelectronic
Bauelementevorrichtung nachfolgende Eigenschaften auf : Die erste elektromagnetische Strahlung 500 und die zweite Component device, the following properties: The first electromagnetic radiation 500 and the second
elektromagnetische Strahlung 510 weisen identische electromagnetic radiation 510 have identical
Eigenschaften aufweist, beispielsweise die gleiche Features, for example, the same
Helligkeit , den gleichen Farbton und die gleiche Sättigung . D.h. 50 % der von dem optoelektronischen Bauelement 130 emittierten elektromagnetischen Strahlung wird in Richtung des Pfeils 500 und die anderen 50 % in Richtung des Pfeils 510 emittiert . Das optoelektronische Bauelement 130 ist zwischen dem ersten elektrooptischen Bauelement 110 und dem zweiten elektrooptischen Bauelement 120 angeordnet . Das erste elektrooptische Bauelement 110 und das zweite elektrooptische Bauelement 120 sind als ein elektrisch durchstimmbarer Brightness, the same hue and the same saturation. That 50% of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component 130 is emitted in the direction of the arrow 500 and the other 50% in the direction of the arrow 510. The optoelectronic component 130 is arranged between the first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120. The first electro-optical component 110 and the second electro-optical component 120 are considered to be electrically tunable
Spiegel ausgebildet (siehe Beschreibung Fig. la) und gleich ausgebildet . Das erste elektrooptische Bauelement 110 kann daher nachfolgend auch als erster elektrooptischer Spiegel 110 und das zweite elektrooptische Bauelement 120 nachfolgend auch als zweiter elektrooptischer Spiegel 120 bezeichnet werde . Ein optisch inaktivierend geschalteter  Mirror formed (see description Fig. La) and the same design. The first electro-optical component 110 may therefore also be referred to below as the first electro-optical mirror 110 and the second electro-optical component 120 subsequently also as the second electro-optical mirror 120. An optically inactivating switched
elektrooptischer Spiegel reflektiert die elektromagnetische Strahlung zu 100 % in die entgegengesetzte Richtung - beispielsweise wird im ersten Fall 310 in Fig.3 das nach oben (500) emittierte Licht zu 100 % nach unten (510) umgelenkt , so dass anstelle von ursprünglich 50 % der gesamten electro-optical mirror reflects the electromagnetic radiation 100% in the opposite direction - For example, in the first case 310 in Figure 3, the light emitted to the top (500) is redirected 100% down (510), so that instead of originally 50% of the total
emittierten elektromagnetischen Strahlung (500 + 510 ) nun 100 % nach unten emittiert wird. emitted electromagnetic radiation (500 + 510) is now emitted 100% down.
Der Anteil der von dem optoelektronischen Bauelement 130 nach oben und nach unten emittierten elektromagnetischen The proportion of the electromagnetic upwards and downwards emitted by the optoelectronic component 130
Strahlung, kann mittels der Ansteuerung der elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 unabhängig von der Ansteuerung des optoelektronischen Bauelementes 130 eingestellt werden . Radiation can be adjusted by means of the control of the electro-optical components 110, 120 independently of the control of the optoelectronic component 130.
Fig.5b-d zeigen unterschiedliche Ansteuerungen eines Fig.5b-d show different controls of a
elektrooptischen Bauelementes 110 , 120. Dargestellt ist die Transmission 502 als Funktion der Zeit 504 eines electro-optical device 110, 120. Shown is the transmission 502 as a function of the time 504 of a
elektrooptischen Bauelementes 110 , 120. Als Tastverhältnis (Mux) kann das inverse Verhältnis der Transmissionszeit 512 verstanden werden, innerhalb derer ein elektrooptischer Spiegel 110 , 120 transmittierend ist bzw. einen hohen electro-optical component 110, 120. The duty cycle (Mux) can be understood as the inverse ratio of the transmission time 512, within which an electro-optical mirror 110, 120 is transmissive or a high one
Transmissionskoeffizienten 502 aufweist, hinsichtlich der Zeit einer Periode 506 der Ansteuerung . Das Umschalten des elektrooptischen Bauelementes zwischen dem Zustand mit hoher Transmission zu dem Zustand mit geringer Transmission kann beispielsweise mittels eines Einschaltens oder Ausschalten des elektrooptischen Bauelementes realisiert werden. Dazu wird angenommen, dass das elektrooptische Bauelement Transmission coefficient 502, with respect to the time of a period 506 of the drive. The switching of the electro-optical device between the high-transmission state and the low-transmission state can be realized, for example, by turning on or off the electro-optical device. For this it is assumed that the electro-optical component
instantan den elektrischen Impulsen beim Einschalten oder Ausschalten folgt . Weiterhin wird angenommen, dass das Auge eines Betrachters keine Schaltvorgänge wahrnimmt und auch sonst keine elektrischen oder optischen Verluste auftreten. instantaneously following the electrical pulses at power up or power off. Furthermore, it is assumed that the eye of a viewer perceives no switching operations and otherwise no electrical or optical losses occur.
Für die nachfolgende Betrachtung der Ansteuerung (Fig.5b-d) wird angenommen, dass das zweite elektrooptische Bauelement 120 zu 100% transparent ist und das erste elektrooptische Bauelement 110 gepulst angesteuert wird. For the subsequent consideration of the drive (FIGS. 5 b-d), it is assumed that the second electro-optical component 120 is 100% transparent and the first electro-optical component 110 is pulsed.
Dargestellt in Fig.5b und Fig.5c sind zwei unterschiedliche Ansteuerungen, mit denen ein Tastverhältnis von 2 realisiert wird. Ein derart angesteuertes elektrooptisches Bauelement 110, 120 ist im zeitlichen Mittel genauso lange reflektierend wie transmittierend, d.h. ist zu 50 % transparent oder transluzent und zu 50 % reflektierend. Wird nur das erste elektrooptische Bauelement 110 derart angesteuert, während das zweite elektrooptische Bauelement 120 transmittierend ist {erster Fall 310 - siehe Fig.3), wird von der Shown in Fig.5b and Fig.5c are two different controls, with which a duty cycle of 2 realized becomes. Such a controlled electro-optical component 110, 120 is as long as reflective as well as transmissive on average over time, ie is 50% transparent or translucent and 50% reflective. If only the first electro-optical component 110 is driven in such a way while the second electro-optical component 120 is transmitting {first case 310 - see FIG
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 25 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert und 75 % nach unten. Das Abstrahlverhältnis der optoelectronic component device 100 emitted 25% of the total electromagnetic radiation up and 75% down. The emission ratio of
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 hinsichtlich des ersten optisch aktiven Bereiches ist somit 1/3. Optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is thus 1/3.
Über die Perioden 506 , 508 , 510 eines elektrooptischen Over the periods 506, 508, 510 of an electro-optical
Spiegels 110 , 120 kann im zeitlichen Mittel der Mirror 110, 120 can on average over time
Reflexionsgrad des elektrooptischen Spiegels 110, 120 Reflectance of electro-optical mirror 110, 120
verändert werden. Die Periode 506 , 508 kann beispielsweise mittels einer Pulsf equenzmodulation verändert werden. Das Tastverhältnis kann beispielsweise mittels einer to be changed. The period 506, 508 can be changed, for example, by means of pulse frequency modulation. The duty cycle can, for example, by means of a
Pulsweitenmodulation eingestellt werden (dargestellt in Pulse width modulation can be set (shown in
Fig.5d} . Ein derart angesteuertes elektrooptisches Bauelement 110 , 120 weist einen reflektierten Anteil elektromagnetischer Strahlung von beispielsweise 75 % auf . Dadurch wird ein Fig.5d}. Such a controlled electro-optical component 110, 120 has a reflected portion of electromagnetic radiation of, for example, 75%. This will be a
TastVerhältnis von 4 ermöglicht . Das Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 hinsichtlich des ersten optisch aktiven Bereiches ist somit 1/8. Tasting ratio of 4 allows. The radiation ratio of the optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is thus 1/8.
Bei einer Transmission des ersten elektrooptischen Spiegels 110 im zeitlichen Mittel von 100 % beträgt das In a transmission of the first electro-optical mirror 110 in the time average of 100% that is
Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Emission ratio of the optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 hinsichtlich des ersten optisch aktiven Bereiches 1 (bei einem transparenten zweiten  Device device 100 with respect to the first optically active region 1 (in a transparent second
elektrooptischen Bauelement 120 ; dritter Fall 330 in Fig.3 ) . Mit anderen Worten: die elektromagnetische Strahlung der optoelektronischen Bauelementevorrichtung wird derart emittiert , wie sie von dem optoelektronischen Bauelement emittiert wird, dass heißt in der oben beschriebenen Annahme zu 50 % nach oben und zu 50 % nach unten. Bei einer Transmission des ersten elektrooptisehen Spiegels 110 im zeitlichen Mittel von 0 % werden nach oben 0% der gesamten elektromagnetischen Strahlung emittiert und nach unten 100% . Das AbstrahlVerhäl nis der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 hinsichtlich des ersten optisch aktiven Bereiches beträgt 0 (erster Fall 310 in Fig.3) . electro-optical component 120; third case 330 in Fig.3). In other words, the electromagnetic radiation of the optoelectronic component device is emitted in such a way as it is emitted by the optoelectronic component, that is to say 50% upwards and 50% downwards in the above-described assumption. With a transmission of the first electro-optical mirror 110 on a time average of 0%, upwards 0% of the total electromagnetic radiation is emitted and downwards 100%. The emission ratio of the optoelectronic component device 100 with respect to the first optically active region is 0 (first case 310 in FIG. 3).
Bei einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 302, 306 mit nur einem elektrooptischen Bauelement 110 , 120 richtet sich die Spannweite der möglichen Abstrahlungsrichtungen nach der Grundabstrah1ung des optoelektronischen Bauelementes 130 , beispielsweise in einem Bereich zwischen 0 % und 70 % In the case of an optoelectronic component device 302, 306 with only one electro-optical component 110, 120, the range of the possible emission directions depends on the fundamental radiation of the optoelectronic component 130, for example in a range between 0% and 70%.
hinsichtlich des ersten optisch aktiven Bereiches . Hingegen kann mit einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 , 304 mit zwei oder mehr elektrooptischen Bauelementen 110 , 120 unabhängig von der A Steuerung des optoelektronischen with respect to the first optically active region. On the other hand, with an optoelectronic component device 100, 304 with two or more electro-optical components 110, 120 independent of the A control of the optoelectronic
Bauelementes die Abstrahlung für elektromagnetische Strahlung in beide Richtungen 500 , 510 in einem Bereich von 0 % bis 100 % variiert werden . Component, the radiation for electromagnetic radiation in both directions 500, 510 are varied in a range of 0% to 100%.
Fig.6a-c zeigen schematische Darstellungen zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen . 6a-c show schematic representations of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
Mittels der Ans euerung der elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 können die optoelektronischen Eigenschaften dieses elektrooptischen Bauelementes 110 , 120 eingestellt werden, beispielsweise die Reflektivität , die Transmission und/oder die Absorption von elektromagnetischer Strahlung an diesem elektrooptischen Bauelement 110 , 120. By means of the actuation of the electro-optical components 110, 120, the optoelectronic properties of this electro-optical component 110, 120 can be adjusted, for example the reflectivity, the transmission and / or the absorption of electromagnetic radiation at this electro-optical component 110, 120.
Ein elektrooptisehes Bauelement 110 , 120 kann in An electro-optic device 110, 120 can in
verschiedenen Ausführungsbeispielen derart ausgebildet sein und angesteuert werden, dass die (normierte) Reflektivität 604 eine Funktion einer an das elektrooptische Bauelement 110 , 120 angelegten (normierten) Spannung 602 ist - dargestellt in Fig.6a . In einem Ausführungsbeispiel kann das elektrooptische Bauelement 110, 120 derart ausgebildet sein, dass die Reflexion elektromagnetischer Strahlung an dem elektrooptischen Bauelement 110, 120 linear mit einer According to various exemplary embodiments, the (normalized) reflectivity 604 is a function of a (normalized) voltage 602 applied to the electro-optical component 110, 120-illustrated in FIG. 6 a. In one embodiment, the Electro-optical device 110, 120 may be formed such that the reflection of electromagnetic radiation to the electro-optical device 110, 120 linearly with a
angelegten Spannung ansteigt , beispielsweise bei einer applied voltage increases, for example at a
Ansteuerung des elektrooptischen Bauelementes 110 , 120 mit einem Gleichstrom, d.h. eine Gleichstrom-Modulation aufweisen (direct current Modulation - DCM) . Der dargestellteDriving the electro-optical component 110, 120 with a direct current, i. have a direct current modulation (DCM). The illustrated
unktionale Zusammenhang zwischen Reflektivität und  unctional relationship between reflectivity and
angelegter Spannung kann beispielsweise auch für eine applied voltage can, for example, for a
Pulsamplitudenmodulation verwendet werden (nicht Pulse amplitude modulation can be used (not
dargestellt) . shown).
Ein elektrooptisch.es Bauelement 110, 120 kann in An electro-optical component 110, 120 can be used in
verschiedenen Ausführungsbeispielen derart ausgebildet sein und angesteuert werden, dass die Reflektivität 604 Different embodiments may be designed and controlled such that the reflectivity 604
elektromagnetischer Strahlung an dem elektrooptischen electromagnetic radiation at the electro-optical
Bauelement 110 , 120 mittels einer Pulsweitenmodulation eingestellt werden kann - dargestellt in Fig.6b . Dargestellt sind eine erste Pulsweite 608 und eine zweite Pulsweite 610. Mittels unterschiedlicher Tastverhältnisse 608 , 610 (Mux) an den elektrooptischen Bauelementen 110 , 120 können im Component 110, 120 can be adjusted by means of a pulse width modulation - shown in Figure 6b. Shown are a first pulse width 608 and a second pulse width 610. By means of different duty cycles 608, 610 (Mux) on the electro-optical components 110, 120 can in
zeitlichen Mittel unterschiedliche Reflektivitäten bei den elektrooptischen Bauelementen 110 , 120 realisiert werden, beispielsweise eine Reflektivität von 40 % mittels der ersten Pulsweite 608 und eine Reflektivität von 60 % mittels der zweiten Pulsweite 610. temporal means different reflectivities in the electro-optical components 110, 120 are realized, for example, a reflectivity of 40% by means of the first pulse width 608 and a reflectivity of 60% by means of the second pulse width 610th
Ein elektrooptisches Bauelement 110 , 120 kann in An electro-optical component 110, 120 can in
verschiedenen Ausführungsbeispielen derart ausgebildet sein und angesteuert werden, dass die Reflektivität 604 Different embodiments may be designed and controlled such that the reflectivity 604
elektromagnetischer Strahlung an dem elektrooptischen electromagnetic radiation at the electro-optical
Bauelement 110 , 120 mittels einer Pulsfrequenzmodulation eingestellt werden kann - dargestellt in Fig.6c . Dargestellt sind eine erste Pulsfrequenz 612 und eine zweite Pulsweite 614, wodurch im zeitlichen Mittel unterschiedliche Device 110, 120 can be adjusted by means of a pulse frequency modulation - shown in Fig.6c. Shown are a first pulse rate 612 and a second pulse width 614, whereby on average over time
Reflektivitäten realisiert werden könne . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in Abhängigkeit von der Ausgestaltung des elektrooptischen Bauelementes 110, 120 die Ansteuerung des elektrooptischen Bauelementes 110, 120 eine Mischform der oben genannten Modulationen aufweisen, beispielsweise in Form einer Pulscodemodulation. Reflections could be realized. In various embodiments, depending on the configuration of the electro-optical component 110, 120, the control of the electro-optical component 110, 120 may have a mixed form of the abovementioned modulations, for example in the form of pulse code modulation.
Die elektrooptischen Bauelemente 110 , 120 können derart ausgebildet und angesteuert werden, dass die Transmission, Reflexion und Absorption von elektromagnetischer Strahlung durch/an/ in den elektrooptischen Bauelementen 110 , 120 einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 gemäß einem der dargestellten funktionalen Zusammenhänge der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.5a-d und Fig.6a-c erfolgt . Das Verhältnis der Anteile elektromagne ischer Strahlung die von dem ersten optisch aktiven Bereich und dem zweiten optisch aktiven Bereich emittiert wird kann mittels der The electro-optical components 110, 120 can be designed and controlled in such a way that the transmission, reflection and absorption of electromagnetic radiation by / on / in the electro-optical components 110, 120 of an optoelectronic component device 100 according to one of the illustrated functional relationships of the embodiments of the description of FIG . 5a-d and 6a-c. The ratio of the proportions of electromagnetic radiation emitted by the first optically active region and the second optically active region can be determined by means of
Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes 130 Embodiment of the optoelectronic component 130
eingestellt werden, beispielsweise indem im Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches eine Auskoppelschicht ausgebildet ist und im Strahlengang des zweiten optisch aktiven Bereiches nicht . Dadurch kann das optoelektronische Bauelement optische Eigenschaften au weisen, die abhängig sind von der Betrachtungsrichtung, beispielsweise eine richtungsabhängige Transmission oder Reflexion. Solche richtungsabhängigen optischen Eigenschaften können als ein asymmetrisches Emissionsverhältnis bezeichnet werden. Ein asymmetrisches Emissionsverhältnis kann beispielsweise eine Emission von 60 % der gesamten elektromagnetischen S rahlung aus dem zweiten optisch aktiven Bereich und 40 % aus dem ersten optisch aktiven Bereich aufweisen. be set, for example, by a coupling-out layer is formed in the beam path of the first optically active region and not in the beam path of the second optically active region. As a result, the optoelectronic component can have optical properties which are dependent on the viewing direction, for example a direction-dependent transmission or reflection. Such directional optical properties may be referred to as an asymmetric emission ratio. An asymmetric emission ratio may, for example, have an emission of 60% of the total electromagnetic radiation from the second optically active region and 40% from the first optically active region.
Fig.7 zeigt ein Diagramm zu einem Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen . 7 shows a diagram of a method for operating an optoelectronic component device according to various exemplary embodiments.
Dargestellt ist das Abstrahlverhältnis 702 als Funktion des SpiegelpulsVerhältnisses 704 für optoelektronische Bauelementevorrichtungen 100 mit optoelektronischen Shown is the emission ratio 702 as a function of the mirror pulse ratio 704 for optoelectronic Device devices 100 with optoelectronic
Bauelementen 130 unterschiedlicher AbstrahlVerhältnisse 706 (asymmetrischer Emission) . Der funktionale Zusammenhang des Abstrahlverhältnisses 702 der optoelektronischen BauelementeVorrichtung 100 zeichnet sich in der gewählten Darstellung durch eine Unstetigkeit der Ableitung für ein Spiegelpulsverhältnis 704 von 1 aus . In dem dargestellten Diagramm ist nur immer ein Devices 130 different AbstrahlVerhältnissen 706 (asymmetric emission). The functional relationship of the radiation ratio 702 of the optoelectronic component device 100 is characterized in the selected representation by a discontinuity of the derivative for a mirror pulse ratio 704 of FIG. In the diagram shown is only ever one
elektrooptisches Bauelement gepulst angesteuert (siehe Fig.5 und Fig.6), während das andere elektrooptische Bauelement transparent ist . Zu erkennen ist , dass bei einer optoelektronischen Electro-optical component driven pulsed (see Figure 5 and Figure 6), while the other electro-optical device is transparent. It can be seen that in an optoelectronic
Bauelementevorrichtung mit zwei elektrooptisehen Bauelementen ein Ändern der Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelementes in einem Bereich von ungefähr 0 % bis ungefähr 100 % möglich is . Weiterhin kann bei einem Ändern des  Device device with two electro-optic components, a change in the radiation characteristic of the optoelectronic component in a range of about 0% to about 100% is possible is. Furthermore, when changing the
Spiegelpulsverhältnisses 704 bei konstantem Mirror pulse ratio 704 at constant
AbstrahlVerhältnis 702 die Transparenz des optoelektronischen Bauelementes verändert werden, was ungefähr einem Ändern der Gr ndabStrahlung 706 entspricht . Nachfolgend sind beispielhaft die Berechnungen einiger der dargesteilten Datenpunkte beschrieben:  Emission ratio 702, the transparency of the optoelectronic component to be changed, which corresponds approximately to a change of the fundamental radiation 706. The following is an example of the calculations of some of the data points shown:
Bei einem optoelektronischen Bauelement 130 , bei dem 50 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert wird und 50 % nach unten (siehe oben) , beträgt das In an optoelectronic component 130, in which 50% of the total electromagnetic radiation is emitted upwards and 50% downwards (see above), this is
Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130 hinsichtlich des zweiten optisch aktiven Bereiches : 1,00/1. Bei einem optoelektronischen Bauelement 130 , bei dem 60 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach unten emittiert wird und 40 % nach oben, beträgt das AbstrahlVerhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130 hinsichtlich des zweiten optisch aktiven Bereiches : 1,50/1. Bei der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Abstrahlverhältnis of the optoelectronic component 130 with respect to the second optically active region: 1.00 / 1. In an optoelectronic component 130 in which 60% of the total electromagnetic radiation is emitted downwards and 40% upwards, the emission ratio of the optoelectronic component 130 with respect to the second optically active region is 1.50 / 1. In the optoelectronic component device 100 with an emission ratio of the optoelectronic
Bauelementes 130 von 1,00/1 und einer Ansteuerung (PWM, PFM, PAM, DCM) der elektrooptisehen Bauelemente 110, 120, bei de das erste elektrooptische Bauelement 110 zu 100 % transparent ist und das zweite elektrooptische Bauelement zu 60 % Device 130 of 1.00 / 1 and a drive (PWM, PFM, PAM, DCM) of the electro-optic devices 110, 120, in which the first electro-optical device 110 is 100% transparent and the second electro-optical device to 60%
transparent ist, ergibt sich ein Spiegelpulsverhältnis von 0,6. Dadurch wird 64 % der gesamten elektromagnetischen is transparent, results in a mirror pulse ratio of 0.6. This will be 64% of the total electromagnetic
Strahlung nach oben emittiert und 36 % nach unten emittiert, womit sich ein Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 von 0,5625 ergibt. Bei der Emitted radiation upwards and emitted 36% down, resulting in a radiation ratio of the optoelectronic component device 100 of 0.5625. In the
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Optoelectronic component device 100 with a
Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130 von 1,00/1 und gleicher Ansteuerung wird 70 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert und 30 % nach unten, womit sich ein Abstrahlverhältnis der Abstrahlverhältnis of the optoelectronic component 130 of 1.00 / 1 and the same control is emitted 70% of the total electromagnetic radiation up and 30% down, bringing a radiation ratio of the
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 von 0,4286 ergibt . Bei der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Optoelectronic device device 100 of 0.4286 results. In the optoelectronic component device 100 with an emission ratio of the optoelectronic
Bauelementes 130 von 1,50/1 und einer Ansteuerung (PWM, PFM, PAM, DCM) der elektrooptisehen Bauelemente 110, 120, bei der das zweite elektrooptische Bauelement 110 zu 100 % Device 130 of 1.50 / 1 and a drive (PWM, PFM, PAM, DCM) of the electro-optic devices 110, 120, in which the second electro-optical device 110 to 100%
transparent ist und das erste elektrooptische Bauelement zu 40 % transparent ist, ergibt sich ein Spiegelpulsverhältnis von 2,5. Dadurch wird 84 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach unten emittiert und 16 % nach oben emittiert, womit sich eine Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 von 5,2500 ergibt. Bei der is transparent and the first electro-optical device is 40% transparent, results in a mirror pulse ratio of 2.5. As a result, 84% of the total electromagnetic radiation is emitted downwardly and emitted 16% upwards, resulting in an emission ratio of the optoelectronic component device 100 of 5.2500. In the
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Optoelectronic component device 100 with a
Abstrahl erhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130 von 1,00/1 und einer Ansteuerung, bei der das zweite Emission of the optoelectronic component 130 of 1.00 / 1 and a drive in which the second
elektrooptische Bauelement 110 zu 100 % transparent ist und das erste elektrooptische Bauelement zu 20 % transparent ist, ergibt sich ein Spiegelpulsverhältnis von 5. Dadurch wird 90 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert und 10 % nach unten, womit sich ein Abstrahlverhältnis der optoelektronischen electro-optical device 110 is 100% transparent and the first electro-optical device is 20% transparent, resulting in a mirror pulse ratio of 5. Thus, 90% of the total electromagnetic radiation emitted upwards and 10% down, bringing a Emission ratio of the optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 von 9,0000 ergibt . Device device 100 of 9,0000 results.
Bei der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Abs rahlverhäitnis des optoelektronischen In the optoelectronic component device 100 with a Abs rahlverhäitnis the optoelectronic
Bauelementes 130 von 1,00/1 und einer Ans euerung (P M, PFM, PAM, DCM) der elektroo tischen Bauelemente 110 , 120 , bei der das erste elektrooptische Bauelement 110 zu 20 % transparent ist und das zweite elektrooptische Bauelement zu 90 %  Device 130 of 1.00 / 1 and a Ans euerung (P M, PFM, PAM, DCM) of the electronic components 110, 120, in which the first electro-optical component 110 is 20% transparent and the second electro-optical component to 90%
transparent ist , wird 90 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach unten emittiert und 10 % nach oben emittiert , womit sich eine Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 von 0 , 1111 ergibt . Bei der optoelektronischen BauelementeVorrichtung 100 mit einem AbstrahlVerhältnis des optoelektronischen is transparent, 90% of the total electromagnetic radiation is emitted downwards and 10% emitted upwards, which results in a radiation ratio of the optoelectronic component device 100 of 0, 1111. In the optoelectronic component device 100 with a radiation ratio of the optoelectronic
Bauelementes 130 von 1,50/1 und einer Ansteuerung (PWM, PFM, PAM, DCM) der elektrooptischen Bauelemente 110 , 120, bei der das erste elektrooptische Bauelement 110 zu 100 % transparent ist und das zweite elektrooptische Bauelement zu 0 % Device 130 of 1.50 / 1 and a drive (PWM, PFM, PAM, DCM) of the electro-optical components 110, 120, in which the first electro-optical component 110 is 100% transparent and the second electro-optical component to 0%
transparent ist , ergibt sich ein Spiegelpuls erhältnis von 0. Dadurch wird 100 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert und 0 % nach oben emittiert, womit sich eine Abstrahlverhältnis der optoelektronischen is transparent, results in a mirror pulse of 0. This results in 100% of the total electromagnetic radiation emitted to the top and 0% emitted to the top, bringing a radiation ratio of optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 von 0 ergibt . Bei der Device device 100 of 0 results. In the
optoelektronischen Bauelementevorrichtung 100 mit einem Optoelectronic component device 100 with a
Abstrahlverhältnis des optoelektronischen Bauelementes 130 von 1 , 00/1 und einer Ansteuerung, bei der das erste Abstrahlverhältnis of the optoelectronic component 130 of 1, 00/1 and a drive, wherein the first
elektrooptische Bauelement 110 zu 0 % transparent ist und das zweite elektrooptische Bauelement zu 60 % transparent ist , ergibt sich ein Spiegelpulsverhältnis von unendlich . Dadurch wird 0 % der gesamten elektromagnetischen Strahlung nach oben emittiert und 100 % nach unten, womit sich ein electro-optical device 110 is 0% transparent and the second electro-optical device is 60% transparent, resulting in a mirror pulse ratio of infinity. As a result, 0% of the total electromagnetic radiation is emitted upwards and 100% down, bringing a
Abstrahlverhältnis der optoelektronischen Emission ratio of the optoelectronic
Bauelementevorrichtung 100 von unendlich ergibt . Device device 100 of infinite results.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Steuersignal des optoelektronischen Bauelementes als ein EingangsSignal des ersten elektrooptisehen Bauelementes und/oder des In various embodiments, the control signal of the optoelectronic component as an input signal the first electro-optical component and / or the
wenigstens einen zweiten elektroo tischen. Bauelementes eingerichtet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann das Steuersignal des ersten elektrooptisehen Bauelementes und/oder des at least a second electroo tables. Be set up device. In various embodiments, the control signal of the first electro-optic component and / or the
wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelementes als ein Eingangssignal des optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein. at least one second electro-optical component to be set up as an input signal of the optoelectronic component.
Fig.8 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement. Fig. 8 shows a conventional optoelectronic device.
Ein herkömmliches optoelektronisches Bauelementes 800 weist eine erste Elektrode 804 auf einem Träger 802 auf. Auf der ersten Elektrode 804 ist eine organisch funktionelle A conventional optoelectronic component 800 has a first electrode 804 on a carrier 802. On the first electrode 804 is an organically functional
Schichtenstruktur 806 ausgebildet. Über der organisch Layer structure 806 formed. About the organic
funktionellen Schichtenstruktur 806 ist eine zweite Elektrode 808 ausgebildet. Die zweite Elektrode 808 ist mittels einer elektrischen Isolierung 812 von der ersten Elektrode 804 elektrisch isoliert. Auf der zweiten Elektrode 808 ist eine Barrierendünnschicht 816 angeordnet derart, dass die zweite Elektrode 808, die elektrischen Isolierungen 812 und die organisch funktioneile Schichtenstruktur 806 von der functional layer structure 806, a second electrode 808 is formed. The second electrode 808 is electrically isolated from the first electrode 804 by means of electrical insulation 812. On the second electrode 808, a barrier thin film 816 is arranged such that the second electrode 808, the electrical insulations 812, and the organic functional layer structure 806 of the
Barrierendünnschicht 816 umgeben sind. Die Barrier thin film 816 are surrounded. The
Barrierendünnschicht 816 soll die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten. Auf der Barrierendünnschicht 816 ist eine Klebstoffschicht 818 angeordnet derart, dass die Klebstoffschicht 818 die Barrierendünnschicht 816 flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet. Auf der Barrier thin film 816 is intended to hermetically seal the enclosed layers with respect to harmful environmental influences. An adhesive layer 818 is disposed on the barrier film 816 such that the adhesive layer 818 seals the barrier film 816 flat and hermetic to harmful environmental influences. On the
Klebstoffschicht 818 ist eine Abdeckung 820 angeordnet. Die Abdeckung 820 ist auf die Barrierendünnschicht 816 mit einem Klebstoff 820 aufgeklebt, In verschiedenen Ausführungsformen werden ein  Adhesive layer 818, a cover 820 is arranged. The cover 820 is adhered to the barrier film 816 with an adhesive 820. In various embodiments, a
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren, zum Optoelectronic component and a method, for
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes Producing an optoelectronic component
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, das Erscheinungsbild und die Strahlrichtung von OLED- Flächenlichtquellen im ausgeschalteten Zustand und/oder im eingeschalteten Zustand zu verändern. Dadurch ist es möglich die Abstrahlcharakteristik der provided with which it is possible that Appearance and the beam direction of OLED area light sources in the off state and / or to change in the on state. This makes it possible the radiation of the
Vorderseite und/oder Rückseite einer transparenten OLED- Flächenlichtquelle in Abhängigkeit von der Transparenz der OLED-Flächenlichtquelle kontinuierlich oder diskret zu verändern. Die Abstrahlcharakteristik einer Seite der  Front side and / or back of a transparent OLED area light source depending on the transparency of the OLED area light source continuously or discreetly to change. The emission characteristics of one side of the
Flächenlichtquellen kann hinsichtlich der Transmittivität in einem Bereich von 0 % bis 100 % verändert werden. Weiterhin kann die Erscheinungsform der optisch aktiven Zeiten der OLED-Flächenlichtquellen im Aus -Zustand, das heißt im optisch inaktiven Zustand der OLED, verändert werden . Die Eigenschaft der Erscheinungsform einer optisch inaktiven Seite im Aus- Zustand kann beispielsweise die Transmittivität oder die Reflektivität aufweisen. Unabhängig von Betriebsparameter der OLED kann die Helligkeit der OLED- Flächenlichtquellen Area light sources can be changed in transmittance in a range of 0% to 100%. Furthermore, the appearance of the optically active times of the OLED area light sources in the off state, that is, in the optically inactive state of the OLED can be changed. The property of the appearance of an optically inactive side in the off state may include, for example, the transmissivity or reflectivity. Regardless of operating parameters of the OLED, the brightness of the OLED area light sources
geregelt werden . Weiterhin ist die Herstellung einer OLED- Flächenlichtquelle gemäß verschiedenen Ausgestaltungen technisch einfach möglich, beispielsweise indem eine be managed . Furthermore, the production of an OLED area light source according to various embodiments is technically easily possible, for example by a
elektrisch schaltbare Spiegelstruktur, beispielsweise eine elektrisch schaltbare Spiegelfolie oder ein elektrisch schaltbares Spiegelglas , auf die OLED aufgeklebt wird. electrically switchable mirror structure, for example, an electrically switchable mirror film or an electrically switchable mirror glass, is glued to the OLED.
Weiterhin kann die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur als eine Verkapseiung für die OLED wirken. Weiterhin ermöglicht die elektrisch schaltbare Spiegelstruktur, beispielsweise in Form einer elektrisch schaltbaren Spiegelfolie oder eines elektrisch schaltbaren Spiegelglases , einen modularen Aufbau einer OLED- Flächenlichtquellen mit mehreren Spiegel- Strukturen . Furthermore, the electrically switchable mirror structure can act as an encapsulation for the OLED. Furthermore, the electrically switchable mirror structure, for example in the form of an electrically switchable mirror foil or an electrically switchable mirror glass, allows a modular structure of an OLED area light source with a plurality of mirror structures.

Claims

Patentansprüche claims
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 302), auf eisend; Optoelectronic component device (100, 302), on iron;
• eine Strahlungsquelle (130) mit einem ersten optisch aktiven Bereich und einem zweiten optisch aktiven Bereich, wobei der erste optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung (500) eingerichtet ist und der zweite optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer zweiten elektromagnetischen Strahlung (510) eingerichtet ist; und  A radiation source having a first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is arranged to emit a first electromagnetic radiation, and the second optically active region is arranged to emit a second electromagnetic radiation (510) is set up; and
• ein erstes elektrooptisches Bauelement (110} und  A first electro-optical component (110) and
wenigstens ein zweites elektrooptisches Bauelement (120) ; wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement (120) im Strahlengang der  at least one second electro-optical component (120); wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) in the beam path of
Strahlungsquelle (130) derart zueinander angeordnet sind, dass die erste elektromagnetische Strahlung (500) in einer anderen Weise geändert wird als die zweite elektromagnetische Strahlung (510) , so dass sich die erste elektromagnetische Strahlung (500) in wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten elektromagnetischen Strahlung (510) unterscheidet ; und  Radiation source (130) are arranged to each other such that the first electromagnetic radiation (500) is changed in a different manner than the second electromagnetic radiation (510), so that the first electromagnetic radiation (500) in at least one property of the second electromagnetic Radiation (510) is different; and
• eine Steuervorrichtung aufweist, wobei das erste elektrooptische Bauelement, das zweite  A control device, wherein the first electro-optical component, the second
elektrooptische Bauelement und/oder die  electro-optical component and / or the
Strahlungsquelle mit der Steuervorrichtung verbunden sind/ist, wobei die Steuervorrichtung einen Pulsmodulator aufweist, der zum Ansteuern des ersten elektrooptischen Bauelements, des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und/oder der Strahlungsquelle eingerichtet ist.  Radiation source are connected to the control device / is, wherein the control device comprises a pulse modulator, which is adapted for driving the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component and / or the radiation source.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 302] gemäß Anspruch 1 , wobei die Strahlungsquelle (130) als eine Optoelectronic component device (100, 302] according to claim 1, wherein the radiation source (130) as a
Flächenlichtquelle (130) eingerichtet ist, vorzugsweise als eine organische Leuchtdiode (130), wobei die  Area light source (130) is arranged, preferably as an organic light-emitting diode (130), wherein the
Flächennormale des ersten optisch aktiven Bereiches eine andere Ausrichtung aufweist als die Flächennormale des zweiten optisch aktiven Bereiches .  Surface normal of the first optically active region has a different orientation than the surface normal of the second optically active region.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 302) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2 , Optoelectronic component device (100, 302) according to one of claims 1 or 2,
• wobei das erste elektrooptische Bauelement ( 110 ) :  Wherein the first electro-optical component (110):
Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches ausgebildet ist ; und/oder  Beam path of the first optically active region is formed; and or
• wobei das zweite elektrooptische Bauelement (120) Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches und/oder des zweiten optisch aktiven Bereiches ausgebildet ist .  • wherein the second electro-optical component (120) is formed beam path of the first optically active region and / or the second optically active region.
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100 , 302) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner aufweisend: eine oder mehrere statische und/oder selbstregelnde AuskoppelSchicht/en (126, 128) . Optoelectronic component device (100, 302) according to one of claims 1 to 3, further comprising: one or more static and / or self-regulating Auskoppelschicht / s (126, 128).
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100 , 302) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 , Optoelectronic component device (100, 302) according to one of claims 1 to 4,
wobei die Steuervo richtung (202 ) derart ausgebildet ist, dass die optoelektronischen Eigenschaften des ersten elektrooptischen Bauelements (110) , des  wherein the Steuervo direction (202) is formed such that the optoelectronic properties of the first electro-optical component (110), the
wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements (120 ) und der Strahlungsquelle (130) unabhängig  at least one second electro-optical component (120) and the radiation source (130) independently
voneinander verändert werden.  be changed from each other.
6. Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100 , 302) 6. Optoelectronic component device (100, 302)
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 ,  according to one of claims 1 to 5,
wobei die Strahlungsquelle (130) derart ausgebildet ist , dass die erste elektromagne ische Strahlung (500) und die zweite elektromagnetische Strahlung (510 ) in  wherein the radiation source (130) is formed such that the first electromagnetic radiation (500) and the second electromagnetic radiation (510) in
wenigstens einer der folgenden Eigenschaften ungefähr gleich bzw. unterschiedlich sind: • Farbton; at least one of the following properties are approximately equal or different: • Hue;
• Sättigung; oder  • saturation; or
• Helligkeit,  • brightness,
Optoelektronische Bauelementevorrichtung (100, 302) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, Optoelectronic component device (100, 302) according to one of claims 1 to 6,
wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement (120) derart angeordnet sind, dass der erste optisch aktive Bereich und der zweite optisch aktive Bereich sich in wenigstens einer de folgenden Eigenschaften wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) are arranged such that the first optically active region and the second optically active region are in at least one of the following properties
unterscheiden : distinguish:
• Reflektivität ;  • reflectivity;
• Absorption; oder  • absorption; or
• Transmittivität .  • Transmittivity.
Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Method for producing an optoelectronic
Bauelementevorrichtung, das Verfahren aufweisend: Device device comprising the method:
• Ausbilden einer Strahlungsquelle (130) mit einem  Forming a radiation source (130) with a
ersten optisch aktiven Bereich und einem zweiten optisch aktiven Bereich, wobei der erste optisch aktive Bereich zu einem Emittieren einer ersten elektromagnetischen Strahlung (500) ausgebildet ist und der zweite optisch aktive Bereich zu einem  first optically active region and a second optically active region, wherein the first optically active region is designed to emit a first electromagnetic radiation (500) and the second optically active region to a second optically active region
Emittieren einer zweiten elektromagnetischen  Emitting a second electromagnetic
Strahlung (510) ausgebildet ist ,- und  Radiation (510) is formed, - and
• Ausbilden eines ersten elektrooptischen Bauelementes ( 110 ) und Ausbilden wenigstens eines zweiten  Forming a first electro-optical component (110) and forming at least one second one
elektrooptischen Bauelementes (120) ; wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement (120) im Strahlengang der Strahlungsquelle (130) derart zueinander ausgebildet werden, dass die erste elektromagnetische Strahlung (500) in einer anderen Weise geändert wird als die zweite  electro-optical component (120); wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) in the beam path of the radiation source (130) are formed to each other such that the first electromagnetic radiation (500) is changed in a different manner than the second
elektromagnetische Strahlung (510) , so dass sich die erste elektromagnetische Strahlung (500) in  electromagnetic radiation (510), so that the first electromagnetic radiation (500) in
wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten elektromagnetischen Strahlung (510) unterscheiden; und at least one property of the second distinguish electromagnetic radiation (510); and
Bereitstellen einer Steuervorrichtung, wobei das erste elektrooptische Bauelement, das zweite elektrooptische Bauelement und/oder die  Providing a control device, wherein the first electro-optical component, the second electro-optical component and / or the
Strahlungsquelle mit der Steuervorrichtung verbunden werden/wird, wobei die Steuervorrichtung einen  Radiation source is connected to the control device /, wherein the control device a
Pulsmodulator aufweist, der zum Ansteuern des ersten elektrooptischen Bauelements, des wenigstens einen zweiten elektrooptischen Bauelements und/oder der Strahlungsquelle eingerichtet ist.  Pulse modulator, which is adapted for driving the first electro-optical component, the at least one second electro-optical component and / or the radiation source.
Verfahren gemäß Anspruch 8 , Method according to claim 8,
wobei die Strahlungsquelle (130) als eine  wherein the radiation source (130) as a
Flächenlichtquelle (130} ausgebildet wird, wobei die Flächennormale des ersten optisch aktiven Bereiches eine andere Ausrichtung aufweist als die Flächennormale des zweiten optisch aktiven Bereiches.  Surface light source (130} is formed, wherein the surface normal of the first optically active region has a different orientation than the surface normal of the second optically active region.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, Method according to one of claims 8 or 9,
wobei die Flächenlichtquelle (130) als eine organische wherein the surface light source (130) as an organic
Leuchtdiode (130) eingerichtet wird. LED (130) is set up.
Verfahren gemäß Anspruch 10, Method according to claim 10,
wobei die organische Leuchtdiode (130) transparent transluzent ausgebildet wird.  wherein the organic light emitting diode (130) is formed transparent translucent.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, Method according to one of claims 8 to 11,
• wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) im Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches ausgebildet wird; und/oder  • wherein the first electro-optical component (110) is formed in the beam path of the first optically active region; and or
• wobei das zweite elektrooptische Bauelement (120) im Strahlengang des ersten optisch aktiven Bereiches und/oder des zweiten optisch aktiven Bereiches ausgebildet wird.  • wherein the second electro-optical component (120) is formed in the beam path of the first optically active region and / or the second optically active region.
13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement (120) derart angeordnet werden, dass der erste optisch aktive Bereich und der zweite optisch aktive Bereich sich in wenigstens einer der folgenden Eigenschaften 13. The method according to any one of claims 9 to 13, wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) are arranged such that the first optically active region and the second optically active region are in at least one of the following properties
unterscheiden :  distinguish:
• Reflektivität ;  • reflectivity;
• Absorption; oder  • absorption; or
• Transmittivität .  • Transmittivity.
14. Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen 14. Method for operating an optoelectronic
Bauelementevorrichtung, das Verfahren aufweisend:  Device device comprising the method:
• Ansteuern einer optoelektronischen  • Control of an optoelectronic
Bauelementevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13;  Component device according to one of claims 1 to 13;
• wobei das erste elektrooptische Bauelement (110) und das wenigstens eine zweite elektrooptische Bauelement (120) unterschiedlich angesteuert werden, so dass die erste elektromagnetische Strahlung (500 ) in einer anderen Weise geändert wird als die zweite elektromagnetische Strahlung (510) , so dass sich die erste elektromagnetische Strahlung (500) in wenigstens einer Eigenschaft von der zweiten elektromagnetischen Strahlung (510) unterscheiden .  Wherein the first electro-optical component (110) and the at least one second electro-optical component (120) are driven differently, so that the first electromagnetic radiation (500) is changed in a different way than the second electromagnetic radiation (510), so that distinguish the first electromagnetic radiation (500) in at least one property from the second electromagnetic radiation (510).
15. Verfahren gemäß Anspruch 14 , 15. The method according to claim 14,
wobei das erste elektrooptische Bauelement derart angesteuert wird, dass der erste optisch aktive Bereich wenigstens teilweise eine erste elektromagnetische Strahlung (500) emittiert .  wherein the first electro-optical component is driven such that the first optically active region at least partially emits a first electromagnetic radiation (500).
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