WO2014183801A1 - Optoelectronic component and method for the production thereof - Google Patents

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WO2014183801A1
WO2014183801A1 PCT/EP2013/060286 EP2013060286W WO2014183801A1 WO 2014183801 A1 WO2014183801 A1 WO 2014183801A1 EP 2013060286 W EP2013060286 W EP 2013060286W WO 2014183801 A1 WO2014183801 A1 WO 2014183801A1
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cavity
optoelectronic
housing
geometric
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Jürgen Holz
Michael Zitzlsperger
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 13.
  • opto-electronic devices are known in which an optoelectronic semiconductor chip is disposed in an open to a radiation face of the optoelectronic component cavity of a housing of the optoelectronic device ⁇ rule.
  • the optoelectronic semi ⁇ conductor chip and any bonding wires and converter elements are often encapsulated with a clear or colored potting material, which at least partially fills the cavity ⁇ .
  • the potting material can form an optical reflector ⁇ gate and serve a mechanical protection of the chip and the bonding wires and converter elements.
  • One difficulty in introducing the molding material into the cavities of conventional optoelectronic devices is to ensure a reliable coverage of the bonding wires with potting material and simultaneously verhin a conta ⁇ mination a top surface of the optoelectronic semiconductor chip or of the converter element or other radiation-emitting surface with potting material ⁇ countries ,
  • An optoelectronic component comprises a housing with egg ⁇ ner open to a top of the housing cavity.
  • the cavity has at the top of the housing on a ⁇ réellesflä ⁇ surface with a geometric shape.
  • An optoelectronic semiconductor chip arrangement is arranged in the cavity.
  • the semiconductor chip arrangement has an upper side with a first geometric shape.
  • the geometric basic shape can be formed by stretching out of the first geometric shape.
  • the opening surface of the cavity has in addition to the geometric basic shape in addition to a bulge.
  • a bonding wire is arranged between a electrical contact surface of the semiconductor chip assembly and a bonding surface of the housing. The bonding surface is arranged in the bulge.
  • the optoelectronic semiconductor chip ⁇ arrangement is enclosed in this optoelectronic device in the cavity of the housing on all sides with approximately the same distance from the walls of the cavity.
  • the cavity has a basic shape which is similar to the first geometric shape of the semiconductor chip arrangement in the geometric sense. Since the contour of the cavity is thus oriented on the shape of the semiconductor chip arrangement, a small distance between the semiconductor chip arrangement and the walls of the cavity can be maintained on all sides of the semiconductor chip arrangement.
  • the bonding surface is arranged in the region of a bulge of the cavity.
  • the shape of the cavity in the region of the bulge differs from the geometric basic shape, which is similar to the first geometric shape of the semiconductor chip arrangement.
  • the bonding wire connected to the bonding surface extending therethrough in this optoelectronic component at least partly in the range of from ⁇ book processing of the cavity, where it is closely the walls of the Ka delimited.
  • the arrangement of the bonding surface in the region of the recess of the cavity makes it possible to guide the walls of the cavity in the remaining parts of the cavity tightly around the optoelectronic semiconductor chip arrangement.
  • the first geometric shape of the top surface of the semiconductor chip ⁇ arrangement is a square shape.
  • the semiconductor chip arrangement can thereby comprise a conventional semiconductor chip.
  • the opening area of the cavity has a peripheral edge. In this case, a shortest distance between an edge of the upper side of the semiconductor chip arrangement and the edge of the
  • the peripheral edge of the cavity is thus guided around particularly close to the contour of the semiconductor chip arrangement.
  • a depth of the cavity of the housing of the optoelectronic Bauele ⁇ ment is characterized tuned to a height of the semiconductor chip assembly.
  • the semiconductor chip arrangement has an optoelectronic semiconductor chip with an upper side.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the semiconductor chip arrangement of the optoelectronic component is thereby suitable for the emission of magnetic radiation, for example, to emit visible light.
  • the upper side of the optoelectronic semiconductor chip forms a radiation emission surface.
  • electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the semiconductor chip arrangement can then be radiated off at the upper side of the housing of the optoelectronic component.
  • a converter element is arranged on the upper side of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the converter element may be provided for a wavelength of an electromagnetic signal emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic semiconductor chip arrangement
  • the converter element may be designed to absorb electromagnetic radiation having a ERS th wavelength and to emit electromagnetic Strah ⁇ lung with a second, typically larger wavelength.
  • the converter element can have a recessed ⁇ embedded phosphor.
  • the embedded phosphor may be, for example, an organic or an inorganic phosphor.
  • the embedded phosphor may also have quantum dots.
  • a potting material is arranged in an area of the cavity surrounding the semiconductor chip arrangement.
  • Thishafterwei ⁇ se can serve a protective arrangement of the semiconductor chip and the bonding wire from being damaged by external mechanical influences the potting material.
  • the potting material can also serve as a reflector for terchipanowski emitted by the optoelectronic semiconductor electromagnetic radiation which ⁇ NEN.
  • the molding material may also serve to konvertie- a ⁇ wave length of a light emitted by the optoelectronic Halbleiterchipanord ⁇ voltage electromagnetic radiation ren.
  • the molding material may further also be used to dissipate generated by the optoelectronic semiconductor chip assembly of the device optoe ⁇ lektronischen waste heat from the optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip assembly. Since the kavity of the housing of the optoelectronic component a
  • the potting material comprises silicone and / or an epoxide.
  • the potting material can in this case also a hybrid material to exhibit ⁇ comprising silicone and epoxy.
  • the potting material is thereby available at low cost and easy to process.
  • the potting material has a phosphor.
  • the light ⁇ material may be, for example, a wellendorfnkonvert Schlierender phosphor.
  • the Ver ⁇ casting material is thereby to convert a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip assembly of the optoelectronic component electromagnetic radiation.
  • the potting material has scattering particles.
  • the potting material may comprise scattering particles comprising T1O 2 .
  • the potting material thereby has light-scattering properties and can act as a reflector serve for electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip arrangement of the optoelectronic component.
  • the bonding wire is fully embedded in the potting material ⁇ .
  • the bonding wire of the opto-electro ⁇ African component is therefore protected from damage by external mechanical effects.
  • the complete embedding of the bonding wire in the potting material is supported in this optoelectronic component in that the cavity of the housing has a geometric basic shape, which is geometrically similar to the first geometric shape of the top of the optoelectronic semiconductor chip assembly.
  • the contour of the cavity reproduces the shape of the optoelectronic semiconductor chip arrangement, which allows a small distance between the optoelectronic semiconductor chip arrangement and the wall of the cavity on all sides of the optoelectronic semiconductor chip arrangement.
  • the potting material forms the walls of the cavity and of the optoelectronic semiconductor chip arrangement, only small menisci, whereby the height of the disposed between the optoelectronic semiconductor chip assembly and the walls of the cavity the molding material between the optoelectronic semiconductor chip assembly and the walls of the cavity to only a small Dimensions decrease. This reduces the risk that part of the bond ⁇ wire protrudes beyond the potting material.
  • a method of manufacturing an optoelectronic device comprises the steps of providing a housing having an open to a top of the housing cavity, which comprises ⁇ in the cavity at the top of the housing an opening ⁇ surface with a basic geometric shape, wherein the opening area of the cavity opposite the geometric basic shape additionally has a bulge for arranging an optoelectronic semiconductor chip assembly in the cavity, wherein the semiconductor chip assembly has a top with a first geometric shape, wherein the basic geometric shape of the opening surface of the cavity can be formed by stretching from the first geometric shape, and for arranging a bonding wire between an electrical contact surface of the semiconductor chip assembly and a arranged in the bulge bonding surface of the housing.
  • the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by this method has a geometrical basic shape which is similar to the first geometric shape of the optoelectronic semiconductor chip arrangement in the geometrical sense.
  • the contour of the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by the method can narrowly delimit the optoelectronic semiconductor chip arrangement arranged in the cavity. Since the bonding surface is arranged in the available by the process of the optoelectronic component in the recess of the cavity, no room for the bonding pad and the bonding wire must be held before ⁇ in the other sections of the cavity.
  • the bonding wire connected to the bonding surface runs at least partially in the region of the recess of the cavity in the case of the optoelectronic component obtainable by this process, the bonding wire is advantageously delimited narrowly by the walls of the cavity.
  • the method comprises a further step of placing a potting material in egg ⁇ NEN surrounding the optoelectronic semiconductor chip area of the cavity.
  • molding material may serve a protection of optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip assembly and the bonding wire from being damaged by external mechanical effects.
  • the potting material can also serve as a reflector for emitted by the optoelectronic semiconductor chip assembly electromagnetic radiation.
  • the molding material may also serve a wavelength of a light emitted by the optoe ⁇ lectronic semiconductor chip assembly electromagnetic to convert netic radiation.
  • the molding material may further also be used to dissipate generated by the optoelectronic semiconducting ⁇ terchipanssen of the optoelectronic component by waste heat of the optoelectronic semiconductor chip assembly.
  • FIG. 1 shows a plan view of an optoelectronic component
  • Fig. 2 is a sectional view of the optoelectronic compo ⁇ ment.
  • Fig. 1 shows a schematic plan view of an opto-electro ⁇ African device 100.
  • Fig. 2 shows a schematic
  • Sectional view of the optoelectronic component 100 is cut along the direction indicated in Fig. 1 sectional plane AA.
  • the optoelectronic device 100 is visible to emit electromagnetic radiation ⁇ shear, for example for emission
  • the optoelectronic component 100 may be, for example, a light-emitting diode component.
  • the optoelectronic component 100 comprises a housing 200.
  • the housing 200 preferably has a synthetic material and can be produced for example by injection molding or transfer molding or another molding process.
  • a cavity 300 is formed on an upper surface 201 of the housing 200 of the optoelectronic ⁇ rule component 100.
  • the cavity 300 forms a cavity facing the top 201 of the Housing 200 is open.
  • the cavity 300 has an opening surface 310.
  • the cavity 300 may also be considered as a depression formed on the upper side 201 of the housing 200.
  • the opening area 310 of the cavity 300 has a geometric ⁇ specific basic shape 320th
  • the geometric basic shape 320 is a rectangular shape.
  • the opening surface 310 in deviation from the geometric basic shape 320, a bulge 330.
  • the opening area 310 extends beyond the geometric basic shape 320.
  • the Ausbuch ⁇ tion 330 also has a rectangular shape in the example shown in the figures and follows the rectangular geometric shape 320.
  • An outer edge of the bulge 330 sets an outer edge of the geometric
  • the bulge 330 has a significantly smaller area than the geometric basic shape 320.
  • the basic geometric shape 320 may have an area that is ten times as large as the area of the bulge 330th
  • the opening area 310 of the cavity 300 thus has an L-shaped configuration.
  • the cavity 300 may be cylindrical, for example.
  • the cavity 300 has a bottom surface whose shape corresponds to the shape of the opening surface 310 of the cavity 300.
  • the total formed by the material of the housing 200 walls of the cavity 300 then extend perpendicularly between the bottom surface and the opening face 310 of the Kavi ⁇ ty 300.
  • the cavity 300 but may for example also have a truncated cone shape.
  • the cavity 300 extends from the bottom surface to the opening surface 310, or tapered from the bottom surface to the opening area 310.
  • An optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is arranged in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100.
  • the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 has an upper side 410.
  • the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 has a first geometric shape 420 that is similar in the geometric ⁇ 's sense of geometric basic form 320 of the opening area 310 of the cavity 300th This means that the geometric basic shape 320 by extension from the first geometric
  • Form 420 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 may be formed.
  • the top surface 410 of the optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip assembly 400 a rectangular shape which is smaller than the rectangular basic geometric shape 320 of the opening area 310 of the cavity 300th
  • the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is oriented parallel to the opening surface 310 of the cavity 300.
  • the optoelectronic semiconductor ⁇ chip array is preferably 400 disposed in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100 such that the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 is approximately centered in the region of the opening surface 310 of the cavity 300th
  • an edge 411 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 in the top 201 of the housing 200 parallel direction almost anywhere along the edge 411 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 at approximately the kon ⁇ of a circumferential edge 311 of the opening area 310 of the cavity 300 spaced constant 340 distance.
  • the distance between the circumferential edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 and the edge 411 of the top side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 deviate.
  • the distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface of the 310 of the cavity 300 is preferably below 600 pm, more preferably un ⁇ tergur 300 pm.
  • the distance can be 340 ⁇ interim rule 100 pm and 300 pm.
  • the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300 has a width 350.
  • the width 350 of the bulge 330 preferably corresponds approximately to the distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300
  • Corner region of the basic geometric shape 320 of the opening area is formed adjacent 310, 330, 310 increases the bulge of the opening surface of the cavity 300 in this case
  • Ab ⁇ stand 340 between the edge 411 of the top 410 of the optical electronic semiconductor chip array 400 and the peripheral edge 311 of the opening area 310 of the cavity 300 in parallel to the upper ⁇ side 201 of the housing 200 and the edge 411 of the 0- berseite 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 vertical direction not.
  • the depth of the cavity 300 and the height of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 are preferably matched in the alseinan ⁇ a perpendicular to the top surface 201 of the housing 200 towards the 110th
  • Top 201 of the housing or the peripheral edge 310 of the opening surface 310 of the cavity 300 has a height difference of less than 60 pm.
  • the height of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 in the direction 110 perpendicular to the upper side 201 of the housing 200 is preferably slightly less than the depth of the cavity 300, so that the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is arranged just below the opening surface 310 of the cavity 300.
  • the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is provided for the emission of electromagnetic radiation, for example for the emission of visible light.
  • the electromagnetic radiation is in the process of optoelectronic construction element 100 at the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 delivered.
  • the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 comprises an optoelectronic semiconductor chip 440.
  • the optoelectronic semiconductor chip 440 may, for example, be a light-emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 440 has an upper side 441.
  • the optoelectronic semiconductor chip 440 is designed to emissi ⁇ on electromagnetic radiation at the top 441.
  • the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 thus forms a radiation emission surface.
  • the optoelectronic semiconductor chip 440 may be a cultivatedemittie ⁇ render semiconductor chip or a volumenemittierender semiconductor chip. In this case, the opto-electronic semi-conductor chip is formed ⁇ 440 to emit electromagnetic radiation by other external surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 440th
  • the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 may form the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400.
  • the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 includes a convergence terelement 450, which is disposed on the top 441 of the optoelectronic semiconductor chip ⁇ rule 440th
  • An upper surface 451 of the converter element 450 forms the top 410 of the optoe ⁇ lektronischen semiconductor chip array 400.
  • the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 also has a clear ceramic, a glass, a silicone casting or other elements umfas ⁇ sen , In this case, an upper surface 400 may make this further Ele ⁇ ments of the optoelectronic semiconductor chip assembly, the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400th
  • the converter element 450 is provided to a Wellenlän ⁇ ge emit by the optoelectronic semiconductor chip 440 converted electromagnetic radiation.
  • the converter element 450 can absorb electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 440 and emit electromagnetic radiation having another, typically larger, wavelength.
  • the light emitted by the converter element 450, electromagnetic radiation is then applied to the top side 451 of the converter element 450 from ⁇ .
  • the converter element 450 may include an embedded phosphor.
  • the converter element 450 may comprise an organic or an inorganic phosphor.
  • the embedded phosphor can ⁇ example, also include quantum dots.
  • the converter element 450 is formed as a plate which substantially completely covers the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440. In a corner region, however, the converter element 450 has a recess 460. In the region of the recess 460, a corner region of the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 remains uncovered by the converter element 450.
  • an electrical contact area 430 of the optoelectronic semiconductor chip 440 is disposed.
  • Another electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 440 is mounted on a top surface 441 opposite the underside of the optoelectronic semiconductor chip arranged ⁇ 440th.
  • the semiconductor chip 440 can be applied an electrical voltage to the op ⁇ toelektronischen semiconductor chip 440 to cause the optoelectronic semiconductor chip 440 to emit electromagnetic radiation.
  • the housing 200 of the optoelectronic component 100 has an embedded first lead frame portion 500 and ei ⁇ NEN embedded second lead frame portion 600 on.
  • First lead frame portion 500 and the second lead frame ⁇ section 600 each have an electrically conductive Materi ⁇ al, for example, a metal.
  • the first Porterrahmenab ⁇ section 500 and the second leadframe portion 600 are physically separated from each other, but can be made of a common lead frame.
  • the first lead frame portion 500 and the second lead frame portion 600 are spaced from each other embedded in the material of the housing 200 and electrically insulated from each other.
  • the first conductor frame portion 500 has a chip receiving area ⁇ 510 and a chip receiving surface 510 psychologylie ⁇ narrowing first solder pad 520 on.
  • the secondêtrah ⁇ menabêt 600 includes a bonding surface 610 and the bonding pad 610 opposite second solder pad 620 on.
  • the chip receiving surface 510 of the first leadframe portion 500 and the bonding surface 610 of the second leadframe portion 600 are at least partially not covered by the material of the Ge ⁇ housing 200.
  • the chip receiving surface 510 and the bonding area 610 are on the bottom surface of the cavity 300 of the Geotrou ⁇ ses 200 accessible and form parts of the bottom surface of the cavity 300 of the housing 200.
  • the first solder pad 520 of the first lead frame portion 500 and the second solder contact ⁇ surface 620 of the Second leadframe portion 600 are also at least partially not covered by the material of the housin ⁇ ses 200.
  • the first solder pad 520 and the two ⁇ te solder pad 620 are accessible at the top of a 201 ge ⁇ genübericide rear of the housing 200th
  • the die receiving surface 510 of the first lead frame portion 500 is at ⁇ arranged in an area of the bottom surface of the cavity 300, which having the to the top 201 of the housing 200 perpendicular ⁇ right direction 110 below the geometric basic shape of 320 part of the opening surface is disposed 310 of the cavity 300
  • the bonding surface 610 of the second lead frame ⁇ section 600 is disposed in a part of the bottom surface of the cavity 300 of the housing 200, in the vertical direction 110 is arranged below the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300.
  • the arrangement of the bonding surface 610 of the second conductor frame section 600 in the part of the bottom surface of the cavity 300 arranged in the vertical direction 110 underneath the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300 allows the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 in all remaining sections the opening area 310 closely follow the contour of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 predetermined by the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400. This makes it possible to ensure the small distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 on all sides of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400.
  • the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is thus in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic
  • the optoe ⁇ lectronic semiconductor chip 440 may be connected, for example by means of a solder or a conductive adhesive to the chip receiving surface 510 of the first lead frame portion 500th
  • the bonding wire 210 is preferably completely in the cavity 300 of the housing 200 arranged.
  • the bonding wire 210 300 disposed portion of the cavity 300 extends through the underneath of the basic geometric shape 320 of the opening area 310 disposed portion of the cavity 300 to the un ⁇ terrenz the bulge 330, the aperture area 310 of the cavity.
  • the first solder contact surface 520 of the first Porterrahmenab ⁇ section 500 and the second LötWallet composition 620 of the second lead frame section 600 form electrical Anschlußflä- surfaces of the optoelectronic device 100.
  • solder contact surface 520 and the second solder pad 620 an electrical voltage to the optoelectronic semiconductor chip 440 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 of the optoelectronic device 100 can be applied.
  • the optoelectronic component 100 can be provided, for example, for an electrical contacting according to a method for surface mounting.
  • the optoelectronic Bauele ⁇ ment 100 then forms a SMD component. For example, Kings ⁇ NEN the ments 100 forming solder pads 520, 620 by reflow soldering (reflow soldering) are electrically contacted by the pads of the optoelectronic Bauele-.
  • a potting material 220 is arranged in a region of the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100 surrounding the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400.
  • the molding material 220 may comprise, for example, Sili ⁇ kon or an epoxy, or a hybrid material with silicone and epoxy.
  • the molding material 220 may be optically ⁇ trans parent, in particular transparent cast for lectronic by the opto- semiconductor chip assembly 400 ⁇ electro magnetic radiation.
  • the molding material 220 may also include embedded, optically scattering particles in ⁇ play scattering particles having T1O. 2
  • the Vergussma ⁇ TERIAL 220 may also include embedded converter particles aufwei- sen formed to convert a wavelength of electromagnetic radiation ⁇ shear.
  • the potting material 220 serves to protect the optoelectronic rule ⁇ semiconductor chip assembly 400 and the bonding wire 210 from being damaged by external mechanical effects.
  • the bonding wire 210 is preferably completely embedded in the potting material 220.
  • the direction perpendicular to the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 are preferably as completely as possible covered by the cast material Ver ⁇ 220th
  • the molding material 220 may also serve as an optical reflector for light emitted by the optoelectronic half ⁇ die arrangement 400 electromagnetic Strah ⁇ lung.
  • the molding material 220 may also for Konvertie ⁇ tion of a wavelength emitted by the optoelectronic half ⁇ die arrangement 400 electromagnetic
  • the potting material 220 is preferably introduced in a flowable form into the region of the cavity 300 surrounding the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and subsequently hardened.
  • menisci 220 are formed on a surface of the potting material 220 facing the opening surface 310 of the cavity 300, in the region of which the potting material 220 slightly sags counter to the vertical direction 110.
  • the shape of the menisci is determined essentially by the surface tension of the potting material 220.
  • the resulting in the loading of the menisci ⁇ rich sag of the potting material 220 is the greater, the further the optoelectronic semiconducting ⁇ terchipan angel 400 and the wall of the cavity 300 are spaced apart.
  • the potting material 220 can substantially completely cover the walls of the cavity 300 and the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 that are perpendicular to the top side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400. As a result, the cavity 300 is substantially completely filled by the potting material 220.
  • the complete coverage of the walls of the cavity 300 and the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 is also supported by a force acting on the potting material 220 into the cavity 300 during the filling of the potting ⁇ materials 220 capillary effect, which for the sake of ge ⁇ rings distance 340 between optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the walls of the cavity 300 and the small width 350 of the bulge 330 sets.

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Abstract

The invention concerns an optoelectronic component (100) which comprises a housing (200) with a cavity (300) which is open towards an upper side (201) of the housing (200). At the upper side (201) of the housing (200) the cavity (300) has an opening area (310) having a geometric basic shape (320). An optoelectronic semiconductor chip arrangement (400) is disposed in the cavity (300). The optoelectronic semiconductor chip arrangement (400) has an upper side (401) having a first geometric shape (420). The geometric basic shape (320) can be formed by extension from the first geometric shape (420). In addition, the opening area (310) of the cavity (300) has a bulge (330) with respect to the geometric basic shape (320). A bonding wire (210) is disposed between an electrical contact surface (430) of the optoelectronic semiconductor chip arrangement (400) and a bonding surface (610) of the housing (200). The bonding surface (610) is disposed in the bulge (330).

Description

Beschreibung description
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung The optoelectronic component and process for Her ¬ position
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patent¬ anspruch 13. The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 13.
Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente bekannt, bei denen ein optoelektronischer Halbleiterchip in einer zu einer Abstrahlseite des optoelektronischen Bauelements geöffneten Kavität eines Gehäuses des optoelektroni¬ schen Bauelements angeordnet ist. Der optoelektronische Halb¬ leiterchip und eventuelle Bonddrähte und Konverterelemente sind dabei häufig mit einem klaren oder eingefärbten Vergussmaterial vergossen, das die Kavität zumindest teilweise aus¬ füllt. Das Vergussmaterial kann dabei einen optischen Reflek¬ tor bilden und einem mechanischen Schutz des Chips und der Bonddrähte und Konverterelemente dienen. From the prior art, opto-electronic devices are known in which an optoelectronic semiconductor chip is disposed in an open to a radiation face of the optoelectronic component cavity of a housing of the optoelectronic device ¬ rule. The optoelectronic semi ¬ conductor chip and any bonding wires and converter elements are often encapsulated with a clear or colored potting material, which at least partially fills the cavity ¬ . The potting material can form an optical reflector ¬ gate and serve a mechanical protection of the chip and the bonding wires and converter elements.
Eine Schwierigkeit beim Einbringen des Vergussmaterials in die Kavitäten herkömmlicher optoelektronischer Bauelemente besteht darin, eine zuverlässige Bedeckung der Bonddrähte mit Vergussmaterial sicherzustellen und gleichzeitig eine Konta¬ mination einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips oder des Konverterelements oder einer anderen strah- lungsemittierenden Oberfläche mit Vergussmaterial zu verhin¬ dern . One difficulty in introducing the molding material into the cavities of conventional optoelectronic devices is to ensure a reliable coverage of the bonding wires with potting material and simultaneously verhin a conta ¬ mination a top surface of the optoelectronic semiconductor chip or of the converter element or other radiation-emitting surface with potting material ¬ countries ,
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie¬ genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei¬ terbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the Merkma ¬ len of claim 1. Another object of the vorlie ¬ constricting invention is to provide a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 13 solved. In the dependent claims various developments of Wei ¬ are indicated.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse mit ei¬ ner zu einer Oberseite des Gehäuses geöffneten Kavität. Die Kavität weist an der Oberseite des Gehäuses eine Öffnungsflä¬ che mit einer geometrischen Grundform auf. In der Kavität ist eine optoelektronische Halbleiterchipanordnung angeordnet. Die Halbleiterchipanordnung weist eine Oberseite mit einer ersten geometrischen Form auf. Die geometrische Grundform kann durch Streckung aus der ersten geometrischen Form gebildet werden. Die Öffnungsfläche der Kavität weist gegenüber der geometrischen Grundform zusätzlich eine Ausbuchtung auf. Zwischen einer elektrischen Kontaktfläche der Halbleiterchipanordnung und einer Bondfläche des Gehäuses ist ein Bonddraht angeordnet. Die Bondfläche ist in der Ausbuchtung angeordnet. An optoelectronic component comprises a housing with egg ¬ ner open to a top of the housing cavity. The cavity has at the top of the housing on a Öffnungsflä ¬ surface with a geometric shape. An optoelectronic semiconductor chip arrangement is arranged in the cavity. The semiconductor chip arrangement has an upper side with a first geometric shape. The geometric basic shape can be formed by stretching out of the first geometric shape. The opening surface of the cavity has in addition to the geometric basic shape in addition to a bulge. Between a electrical contact surface of the semiconductor chip assembly and a bonding surface of the housing, a bonding wire is arranged. The bonding surface is arranged in the bulge.
Vorteilhafterweise wird die optoelektronische Halbleiterchip¬ anordnung bei diesem optoelektronischen Bauelement in der Kavität des Gehäuses auf allen Seiten mit ungefähr gleichem Abstand von den Wänden der Kavität umschlossen. Dies wird dadurch erreicht, dass die Kavität eine Grundform aufweist, die der ersten geometrischen Form der Halbleiterchipanordnung im geometrischen Sinne ähnlich ist. Da sich die Kontur der Kavität somit an der Form der Halbleiterchipanordnung orientiert, kann auf allen Seiten der Halbleiterchipanordnung ein kleiner Abstand zwischen der Halbleiterchipanordnung und den Wänden der Kavität eingehalten werden. Advantageously, the optoelectronic semiconductor chip ¬ arrangement is enclosed in this optoelectronic device in the cavity of the housing on all sides with approximately the same distance from the walls of the cavity. This is achieved in that the cavity has a basic shape which is similar to the first geometric shape of the semiconductor chip arrangement in the geometric sense. Since the contour of the cavity is thus oriented on the shape of the semiconductor chip arrangement, a small distance between the semiconductor chip arrangement and the walls of the cavity can be maintained on all sides of the semiconductor chip arrangement.
Ein weiterer Vorteil des optoelektronischen Bauelements besteht darin, dass die Bondfläche im Bereich einer Ausbuchtung der Kavität angeordnet ist. Dabei unterscheidet sich die Form der Kavität im Bereich der Ausbuchtung von der geometrischen Grundform, die der ersten geometrischen Form der Halbleiterchipanordnung ähnlich ist. Der mit der Bondfläche verbundene Bonddraht erstreckt sich dadurch bei diesem optoelektronischen Bauelement zumindest teilweise in den Bereich der Aus¬ buchtung der Kavität und wird dort eng von den Wänden der Ka- vität umgrenzt. Die Anordnung der Bondfläche im Bereich der Ausbuchtung der Kavität ermöglicht es, die Wände der Kavität in den übrigen Teilen der Kavität eng um die optoelektronische Halbleiterchipanordnung herumzuführen. Another advantage of the optoelectronic component is that the bonding surface is arranged in the region of a bulge of the cavity. In this case, the shape of the cavity in the region of the bulge differs from the geometric basic shape, which is similar to the first geometric shape of the semiconductor chip arrangement. The bonding wire connected to the bonding surface extending therethrough in this optoelectronic component at least partly in the range of from ¬ book processing of the cavity, where it is closely the walls of the Ka delimited. The arrangement of the bonding surface in the region of the recess of the cavity makes it possible to guide the walls of the cavity in the remaining parts of the cavity tightly around the optoelectronic semiconductor chip arrangement.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die erste geometrische Form der Oberseite der Halbleiter¬ chipanordnung eine Rechteckform. Vorteilhafterweise kann die Halbleiterchipanordnung dadurch einen herkömmlichen Halblei- terchip umfassen. In one embodiment of the optoelectronic component, the first geometric shape of the top surface of the semiconductor chip ¬ arrangement is a square shape. Advantageously, the semiconductor chip arrangement can thereby comprise a conventional semiconductor chip.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Öffnungsfläche der Kavität einen umlaufenden Rand auf. Dabei beträgt ein kürzester Abstand zwischen einem Rand der Oberseite der Halbleiterchipanordnung und dem Rand derIn one embodiment of the optoelectronic component, the opening area of the cavity has a peripheral edge. In this case, a shortest distance between an edge of the upper side of the semiconductor chip arrangement and the edge of the
Öffnungsfläche der Kavität an allen Punkten des Rands der 0- berseite der Halbleiterchipanordnung zwischen 30 pm und Opening area of the cavity at all points of the edge of the O-side of the semiconductor chip assembly between 30 pm and
600 pm, bevorzugt zwischen 100 pm und 300 pm. Vorteilhafterweise wird der umlaufende Rand der Kavität dadurch besonders nahe um die Kontur der Halbleiterchipanordnung herumgeführt. 600 pm, preferably between 100 pm and 300 pm. Advantageously, the peripheral edge of the cavity is thus guided around particularly close to the contour of the semiconductor chip arrangement.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements besteht zwischen der Oberseite der Halbleiterchipanordnung und einem umlaufenden Rand der Öffnungsfläche der Kavität in Richtung senkrecht zur Oberseite des Gehäuses ein Höhenunter¬ schied von weniger als 60 pm. Vorteilhafterweise ist eine Tiefe der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauele¬ ments dadurch auf eine Höhe der Halbleiterchipanordnung abgestimmt. Hierdurch schließen die Oberseite der Halbleiterchip- anordnung und die Oberseite des Gehäuses des optoelektroni¬ schen Bauelements etwa bündig miteinander ab. In one embodiment of the optoelectronic component exists between the top of the semiconductor chip assembly and a peripheral edge of the opening surface of the cavity in the direction perpendicular to the top of the housing a height ¬ difference of less than 60 pm. Advantageously, a depth of the cavity of the housing of the optoelectronic Bauele ¬ ment is characterized tuned to a height of the semiconductor chip assembly. Thereby close the upper side of the semiconductor chip assembly and the top of the housing of the optoelectronic device ¬ rule approximately flush with one another.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Halbleiterchipanordnung einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Oberseite auf. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Die Halbleiterchipanordnung des optoelektronischen Bauelements eignet sich dadurch zur Emission elektro- magnetischer Strahlung, beispielsweise zur Emission sichtbaren Lichts. In one embodiment of the optoelectronic component, the semiconductor chip arrangement has an optoelectronic semiconductor chip with an upper side. The optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). The semiconductor chip arrangement of the optoelectronic component is thereby suitable for the emission of magnetic radiation, for example, to emit visible light.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bildet die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips eine Strahlungsemissionsfläche. Vorteilhafterweise kann durch den optoelektronischen Halbleiterchip der Halbleiterchipanordnung emittierte elektromagnetische Strahlung dann an der Oberseite des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements ab- gestrahlt werden. In one embodiment of the optoelectronic component, the upper side of the optoelectronic semiconductor chip forms a radiation emission surface. Advantageously, electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the semiconductor chip arrangement can then be radiated off at the upper side of the housing of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auf der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ein Konverterelement angeordnet. Das Konverterelement kann dabei dazu vorgesehen sein, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung emittierten elektromagnetischen In one embodiment of the optoelectronic component, a converter element is arranged on the upper side of the optoelectronic semiconductor chip. In this case, the converter element may be provided for a wavelength of an electromagnetic signal emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic semiconductor chip arrangement
Strahlung zu konvertieren. Hierzu kann das Konverterelement ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mit einer ers- ten Wellenlänge zu absorbieren und elektromagnetische Strah¬ lung mit einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emittieren. Das Konverterelement kann dabei einen einge¬ betteten Leuchtstoff aufweisen. Der eingebettete Leuchtstoff kann beispielsweise ein organischer oder ein anorganischer Leuchtstoff sein. Der eingebettete Leuchtstoff kann auch Quantenpunkte aufweisen. To convert radiation. For this purpose, the converter element may be designed to absorb electromagnetic radiation having a ERS th wavelength and to emit electromagnetic Strah ¬ lung with a second, typically larger wavelength. The converter element can have a recessed ¬ embedded phosphor. The embedded phosphor may be, for example, an organic or an inorganic phosphor. The embedded phosphor may also have quantum dots.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in einem die Halbleiterchipanordnung umgebenden Bereich der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Vorteilhafterwei¬ se kann das Vergussmaterial einen Schutz der Halbleiterchipanordnung und des Bonddrahts vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einflüsse dienen. Das Vergussmaterial kann auch als Reflektor für durch die optoelektronische Halblei- terchipanordnung emittierte elektromagnetische Strahlung die¬ nen. Das Vergussmaterial kann auch dazu dienen, eine Wellen¬ länge einer durch die optoelektronische Halbleiterchipanord¬ nung emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertie- ren. Das Vergussmaterial kann ferner auch dazu dienen, durch die optoelektronische Halbleiterchipanordnung des optoe¬ lektronischen Bauelements erzeugte Abwärme von der optoe¬ lektronischen Halbleiterchipanordnung abzuführen. Da die Ka- vität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements eineIn one embodiment of the optoelectronic component, a potting material is arranged in an area of the cavity surrounding the semiconductor chip arrangement. Vorteilhafterwei ¬ se can serve a protective arrangement of the semiconductor chip and the bonding wire from being damaged by external mechanical influences the potting material. The potting material can also serve as a reflector for terchipanordnung emitted by the optoelectronic semiconductor electromagnetic radiation which ¬ NEN. The molding material may also serve to konvertie- a ¬ wave length of a light emitted by the optoelectronic Halbleiterchipanord ¬ voltage electromagnetic radiation ren. The molding material may further also be used to dissipate generated by the optoelectronic semiconductor chip assembly of the device optoe ¬ lektronischen waste heat from the optoe ¬ lektronischen semiconductor chip assembly. Since the kavity of the housing of the optoelectronic component a
Grundform aufweist, die der ersten geometrischen Form der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung geometrisch ähnlich ist, und die Wände der Kavität die Kontur der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung dadurch eng umschließen, kann das in dem die optoelektronische Halbleiterchipanordnung umgebenden Bereich der Kavität angeordnete Vergussmaterial Me¬ nisken aufweisen, die zwischen den Wänden der Kavität und der Halbleiterchipanordnung nur in geringem Maße durchhängen. Dadurch wird vorteilhafterweise eine im Wesentlichen vollstän- dige Umhüllung der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung durch das Vergussmaterial unterstützt. Having basic shape, which is geometrically similar to the first geometric shape of the optoelectronic semiconductor chip assembly and the walls of the cavity thereby fully enclose the optoelectronic semiconductor chip assembly tight, which can in the region surrounding the optoelectronic semiconductor chip mounting region of the cavity disposed potting Me ¬ nisken comprise, between the Walls of the cavity and the semiconductor chip assembly sag only to a small extent. As a result, an essentially complete enclosure of the optoelectronic semiconductor chip arrangement is advantageously supported by the potting material.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial Silikon und/oder ein Epoxid auf. Das Vergussmaterial kann dabei auch ein Hybridmaterial auf¬ weisen, das Silikon und Epoxid umfasst. Vorteilhafterweise ist das Vergussmaterial dadurch kostengünstig erhältlich und einfach zu verarbeiten. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial einen Leuchtstoff auf. Der Leucht¬ stoff kann dabei beispielsweise ein wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff sein. Vorteilhafterweise eignet sich das Ver¬ gussmaterial dadurch dazu, eine Wellenlänge einer durch die optoelektronische Halbleiterchipanordnung des optoelektronischen Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. In one embodiment of the optoelectronic component, the potting material comprises silicone and / or an epoxide. The potting material can in this case also a hybrid material to exhibit ¬ comprising silicone and epoxy. Advantageously, the potting material is thereby available at low cost and easy to process. In one embodiment of the optoelectronic component, the potting material has a phosphor. The light ¬ material may be, for example, a wellenlängenkonvertierender phosphor. Advantageously, the Ver ¬ casting material is thereby to convert a wavelength of a light emitted by the optoelectronic semiconductor chip assembly of the optoelectronic component electromagnetic radiation.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Vergussmaterial Streupartikel auf. Beispielsweise kann das Vergussmaterial Streupartikel aufweisen, die T1O2 umfassen. Vorteilhafterweise weist das Vergussmaterial da¬ durch lichtstreuende Eigenschaften auf und kann als Reflektor für durch die optoelektronische Halbleiterchipanordnung des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. In one embodiment of the optoelectronic component, the potting material has scattering particles. For example, the potting material may comprise scattering particles comprising T1O 2 . Advantageously, the potting material thereby has light-scattering properties and can act as a reflector serve for electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip arrangement of the optoelectronic component.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Bonddraht vollständig in das Vergussmaterial einge¬ bettet. Vorteilhafterweise ist der Bonddraht des optoelektro¬ nischen Bauelements dadurch vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen geschützt. Die vollständige Einbettung des Bonddrahts in das Vergussmaterial wird bei diesem optoelektronischen Bauelement dadurch unterstützt, dass die Kavität des Gehäuses eine geometrische Grundform aufweist, die der ersten geometrischen Form der Oberseite der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung geometrisch ähnlich ist. Hierdurch bildet die Kontur der Kavität die Form der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung nach, was einen geringen Abstand zwischen der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung und der Wandung der Kavität auf allen Seiten der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung ermöglicht. Dadurch bildet das Vergussmaterial an seiner Oberfläche zwi¬ schen den Wänden der Kavität und der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung lediglich kleine Menisken aus, wodurch die Höhe des zwischen der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung und den Wänden der Kavität angeordneten Vergussmaterials zwischen der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung und den Wänden der Kavität nur in geringem Maße absinkt. Dadurch wird die Gefahr reduziert, dass ein Teil des Bond¬ drahts über das Vergussmaterial hinausragt. In one embodiment of the optoelectronic component, the bonding wire is fully embedded in the potting material ¬. Advantageously, the bonding wire of the opto-electro ¬ African component is therefore protected from damage by external mechanical effects. The complete embedding of the bonding wire in the potting material is supported in this optoelectronic component in that the cavity of the housing has a geometric basic shape, which is geometrically similar to the first geometric shape of the top of the optoelectronic semiconductor chip assembly. As a result, the contour of the cavity reproduces the shape of the optoelectronic semiconductor chip arrangement, which allows a small distance between the optoelectronic semiconductor chip arrangement and the wall of the cavity on all sides of the optoelectronic semiconductor chip arrangement. Characterized on its surface Zvi ¬ rule the potting material forms the walls of the cavity and of the optoelectronic semiconductor chip arrangement, only small menisci, whereby the height of the disposed between the optoelectronic semiconductor chip assembly and the walls of the cavity the molding material between the optoelectronic semiconductor chip assembly and the walls of the cavity to only a small Dimensions decrease. This reduces the risk that part of the bond ¬ wire protrudes beyond the potting material.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Gehäuses mit einer zu einer Oberseite des Gehäuses geöffneten Kavität, wo¬ bei die Kavität an der Oberseite des Gehäuses eine Öffnungs¬ fläche mit einer geometrischen Grundform aufweist, wobei die Öffnungsfläche der Kavität gegenüber der geometrischen Grundform zusätzlich eine Ausbuchtung aufweist, zum Anordnen einer optoelektronischen Halbleiterchipanordnung in der Kavität, wobei die Halbleiterchipanordnung eine Oberseite mit einer ersten geometrische Form aufweist, wobei die geometrische Grundform der Öffnungsfläche der Kavität durch Streckung aus der ersten geometrische Form gebildet werden kann, und zum Anordnen eines Bonddrahts zwischen einer elektrischen Kontaktfläche der Halbleiterchipanordnung und einer in der Ausbuchtung angeordneten Bondfläche des Gehäuses. A method of manufacturing an optoelectronic device comprises the steps of providing a housing having an open to a top of the housing cavity, which comprises ¬ in the cavity at the top of the housing an opening ¬ surface with a basic geometric shape, wherein the opening area of the cavity opposite the geometric basic shape additionally has a bulge for arranging an optoelectronic semiconductor chip assembly in the cavity, wherein the semiconductor chip assembly has a top with a first geometric shape, wherein the basic geometric shape of the opening surface of the cavity can be formed by stretching from the first geometric shape, and for arranging a bonding wire between an electrical contact surface of the semiconductor chip assembly and a arranged in the bulge bonding surface of the housing.
Vorteilhafterweise weist die Kavität des Gehäuses des durch dieses Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements eine geometrische Grundform auf, die der ersten geometrischen Form der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung im geometrischen Sinne ähnlich ist. Dadurch kann die Kontur der Kavität des Gehäuses des durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements die in der Kavität angeordnete optoelektronische Halbleiterchipanordnung eng umgrenzen. Da die Bondfläche bei dem durch das Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelements im Bereich der Aussparung der Kavität angeordnet ist, muss in den übrigen Abschnitten der Kavität kein Raum für die Bondfläche und den Bonddraht vor¬ gehalten werden. Dadurch, dass der mit der Bondfläche verbundene Bonddraht bei dem nach diesem Verfahren erhältlichen optoelektronischen Bauelement zumindest teilweise im Bereich der Aussparung der Kavität verläuft, wird der Bonddraht durch die Wände der Kavität vorteilhafterweise eng umgrenzt. Advantageously, the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by this method has a geometrical basic shape which is similar to the first geometric shape of the optoelectronic semiconductor chip arrangement in the geometrical sense. As a result, the contour of the cavity of the housing of the optoelectronic component obtainable by the method can narrowly delimit the optoelectronic semiconductor chip arrangement arranged in the cavity. Since the bonding surface is arranged in the available by the process of the optoelectronic component in the recess of the cavity, no room for the bonding pad and the bonding wire must be held before ¬ in the other sections of the cavity. Due to the fact that the bonding wire connected to the bonding surface runs at least partially in the region of the recess of the cavity in the case of the optoelectronic component obtainable by this process, the bonding wire is advantageously delimited narrowly by the walls of the cavity.
In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Einbringen eines Vergussmaterials in ei¬ nen den optoelektronischen Halbleiterchip umgebenden Bereich der Kavität. Vorteilhafterweise kann das in den die optoe¬ lektronische Halbleiterchipanordnung umgebenden Bereich der Kavität eingebrachte Vergussmaterial einem Schutz der optoe¬ lektronischen Halbleiterchipanordnung und des Bonddrahts vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen dienen. Das Vergussmaterial kann auch als Reflektor für durch die optoelektronische Halbleiterchipanordnung emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. Das Vergussmaterial kann auch dazu dienen, eine Wellenlänge einer durch die optoe¬ lektronische Halbleiterchipanordnung emittierten elektromag- netischen Strahlung zu konvertieren. Das Vergussmaterial kann ferner auch dazu dienen, durch die optoelektronische Halblei¬ terchipanordnung des optoelektronischen Bauelements erzeugte Abwärme von der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung abzuführen. In one embodiment of the method it comprises a further step of placing a potting material in egg ¬ NEN surrounding the optoelectronic semiconductor chip area of the cavity. Advantageously, in the area surrounding the optoe ¬ lectronic semiconductor chip mounting region of the cavity introduced molding material may serve a protection of optoe ¬ lektronischen semiconductor chip assembly and the bonding wire from being damaged by external mechanical effects. The potting material can also serve as a reflector for emitted by the optoelectronic semiconductor chip assembly electromagnetic radiation. The molding material may also serve a wavelength of a light emitted by the optoe ¬ lectronic semiconductor chip assembly electromagnetic to convert netic radiation. The molding material may further also be used to dissipate generated by the optoelectronic semiconducting ¬ terchipanordnung of the optoelectronic component by waste heat of the optoelectronic semiconductor chip assembly.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung Fig. 1 eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement; und The above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the exemplary embodiments, which will be explained in more detail in conjunction with the drawings. 1 shows a plan view of an optoelectronic component; and
Fig. 2 eine Schnittansicht des optoelektronischen Bauele¬ ments . Fig. 2 is a sectional view of the optoelectronic compo ¬ ment.
Fig. 1 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein optoelektro¬ nisches Bauelement 100. Fig. 2 zeigt eine schematische Fig. 1 shows a schematic plan view of an opto-electro ¬ African device 100. Fig. 2 shows a schematic
Schnittdarstellung des optoelektronischen Bauelements 100. Dabei ist das optoelektronische Bauelement 100 entlang der in Fig. 1 angedeuteten Schnittebene AA geschnitten. Das optoelektronische Bauelement 100 ist zur Emission elektromagneti¬ scher Strahlung, beispielsweise zur Emission sichtbaren Sectional view of the optoelectronic component 100. In this case, the optoelectronic component 100 is cut along the direction indicated in Fig. 1 sectional plane AA. The optoelectronic device 100 is visible to emit electromagnetic radiation ¬ shear, for example for emission
Lichts, vorgesehen. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein. Light, provided. The optoelectronic component 100 may be, for example, a light-emitting diode component.
Das optoelektronische Bauelement 100 umfasst ein Gehäuse 200. Das Gehäuse 200 weist bevorzugt ein KunstStoffmaterial auf und kann beispielsweise durch Spritzgießen oder Spritzpressen oder einen anderen Moldprozess hergestellt sein. The optoelectronic component 100 comprises a housing 200. The housing 200 preferably has a synthetic material and can be produced for example by injection molding or transfer molding or another molding process.
An einer Oberseite 201 des Gehäuses 200 des optoelektroni¬ schen Bauelements 100 ist eine Kavität 300 ausgebildet. Die Kavität 300 bildet einen Hohlraum, der zur Oberseite 201 des Gehäuses 200 geöffnet ist. An der Oberseite 201 des Gehäuses 200 weist die Kavität 300 eine Öffnungsfläche 310 auf. Die Kavität 300 kann auch als an der Oberseite 201 des Gehäuses 200 ausgebildete Vertiefung betrachtet werden. On an upper surface 201 of the housing 200 of the optoelectronic ¬ rule component 100, a cavity 300 is formed. The cavity 300 forms a cavity facing the top 201 of the Housing 200 is open. On the upper side 201 of the housing 200, the cavity 300 has an opening surface 310. The cavity 300 may also be considered as a depression formed on the upper side 201 of the housing 200.
Die Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 weist eine geometri¬ sche Grundform 320 auf. Im in den Figuren dargestellten Beispiel ist die geometrische Grundform 320 eine Rechteckform. Zusätzlich weist die Öffnungsfläche 310, in Abweichung von der geometrischen Grundform 320, eine Ausbuchtung 330 auf. Im Bereich der Ausbuchtung 330 erstreckt sich die Öffnungsfläche 310 über die geometrische Grundform 320 hinaus. Die Ausbuch¬ tung 330 weist im in den Figuren dargestellten Beispiel ebenfalls eine Rechteckform auf und schließt sich an die recht- eckige geometrische Grundform 320 an. Eine Außenkante der Ausbuchtung 330 setzt eine Außenkante der geometrischen The opening area 310 of the cavity 300 has a geometric ¬ specific basic shape 320th In the example shown in the figures, the geometric basic shape 320 is a rectangular shape. In addition, the opening surface 310, in deviation from the geometric basic shape 320, a bulge 330. In the area of the bulge 330, the opening area 310 extends beyond the geometric basic shape 320. The Ausbuch ¬ tion 330 also has a rectangular shape in the example shown in the figures and follows the rectangular geometric shape 320. An outer edge of the bulge 330 sets an outer edge of the geometric
Grundform 320 fort. Die übrigen Außenkanten der Ausbuchtung 330 verlaufen parallel zu Außenkanten der geometrischen Basic form 320 continues. The remaining outer edges of the bulge 330 are parallel to outer edges of the geometric
Grundform 320. Die Ausbuchtung 330 weist eine wesentlich ge- ringere Fläche als die geometrische Grundform 320 auf. Bei¬ spielsweise kann die geometrische Grundform 320 eine Fläche aufweisen, die zehnmal so groß wie die Fläche der Ausbuchtung 330 ist. Insgesamt weist die Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 damit eine L-förmige Gestalt auf. Basic shape 320. The bulge 330 has a significantly smaller area than the geometric basic shape 320. In ¬ game as the basic geometric shape 320 may have an area that is ten times as large as the area of the bulge 330th Overall, the opening area 310 of the cavity 300 thus has an L-shaped configuration.
Die Kavität 300 kann beispielsweise zylindrisch ausgebildet sein. In diesem Fall weist die Kavität 300 eine Bodenfläche auf, deren Form der Form der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 entspricht. Die durch das Material des Gehäuses 200 ge- bildeten Wände der Kavität 300 erstrecken sich dann senkrecht zwischen der Bodenfläche und der Öffnungsfläche 310 der Kavi¬ tät 300. Die Kavität 300 kann aber beispielsweise auch eine Kegelstumpfform aufweisen. In diesem Fall weitet sich die Kavität 300 von der Bodenfläche zur Öffnungsfläche 310 auf oder verjüngt sich von der Bodenfläche zur Öffnungsfläche 310. Die durch das Material des Gehäuses 200 gebildeten Wände der Ka¬ vität 300 sind dann nicht rechtwinklig zur Oberseite 201 des Gehäuses 200 orientiert. In der Kavität 300 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 ist eine optoelektronische Halbleiterchipan¬ ordnung 400 angeordnet. Die optoelektronische Halbleiterchip- anordnung 400 weist eine Oberseite 410 auf. Die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 weist eine erste geometrische Form 420 auf, die der geometrischen Grund¬ form 320 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 im geometri¬ schen Sinn ähnlich ist. Das bedeutet, dass die geometrische Grundform 320 durch Streckung aus der ersten geometrischenThe cavity 300 may be cylindrical, for example. In this case, the cavity 300 has a bottom surface whose shape corresponds to the shape of the opening surface 310 of the cavity 300. The total formed by the material of the housing 200 walls of the cavity 300 then extend perpendicularly between the bottom surface and the opening face 310 of the Kavi ¬ ty 300. The cavity 300 but may for example also have a truncated cone shape. In this case, the cavity 300 extends from the bottom surface to the opening surface 310, or tapered from the bottom surface to the opening area 310. The walls formed by the material of the housing 200 of the Ka ¬ tivity 300 are then not oriented perpendicular to the top surface 201 of the housing 200 , An optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is arranged in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100. The optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 has an upper side 410. The top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 has a first geometric shape 420 that is similar in the geometric ¬'s sense of geometric basic form 320 of the opening area 310 of the cavity 300th This means that the geometric basic shape 320 by extension from the first geometric
Form 420 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 gebildet werden kann. Im in den Figuren dargestellten Beispiel weist die Oberseite 410 der optoe¬ lektronischen Halbleiterchipanordnung 400 eine Rechteckform auf, die kleiner als die rechteckige geometrische Grundform 320 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 ist. Form 420 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 may be formed. In the illustrated example in the figures, the top surface 410 of the optoe ¬ lektronischen semiconductor chip assembly 400, a rectangular shape which is smaller than the rectangular basic geometric shape 320 of the opening area 310 of the cavity 300th
Die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanord¬ nung 400 ist parallel zur Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 orientiert. Bevorzugt ist die optoelektronische Halbleiter¬ chipanordnung 400 derart in der Kavität 300 des Gehäuses 200 des optoelektronischen Bauelements 100 angeordnet, dass die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 im Bereich der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 etwa zentriert ist. Dadurch ist ein Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 in zur Oberseite 201 des Gehäuses 200 parallele Richtung fast überall entlang des Rands 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 von einem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 um einen etwa kon¬ stanten Abstand 340 beabstandet. Lediglich im Bereich der Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 kann der Abstand zwischen dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 und dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 abweichen. Der Abstand 340 zwischen dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 und dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche der 310 der Kavität 300 liegt bevorzugt unterhalb von 600 pm, besonders bevorzugt un¬ terhalb von 300 pm. Beispielsweise kann der Abstand 340 zwi¬ schen 100 pm und 300 pm liegen. Die Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 weist eine Breite 350 auf. Bevorzugt entspricht die Breite 350 der Ausbuchtung 330 etwa dem Abstand 340 zwischen dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 und dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungs- fläche 310 der Kavität 300. Da die Ausbuchtung 330 an einenThe upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is oriented parallel to the opening surface 310 of the cavity 300. The optoelectronic semiconductor ¬ chip array is preferably 400 disposed in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100 such that the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 is approximately centered in the region of the opening surface 310 of the cavity 300th As a result, an edge 411 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 in the top 201 of the housing 200 parallel direction almost anywhere along the edge 411 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 at approximately the kon ¬ of a circumferential edge 311 of the opening area 310 of the cavity 300 spaced constant 340 distance. Only in the region of the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300 can the distance between the circumferential edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 and the edge 411 of the top side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 deviate. The distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface of the 310 of the cavity 300 is preferably below 600 pm, more preferably un ¬ terhalb 300 pm. For example, the distance can be 340 ¬ interim rule 100 pm and 300 pm. The bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300 has a width 350. The width 350 of the bulge 330 preferably corresponds approximately to the distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300
Eckbereich der geometrischen Grundform 320 der Öffnungsfläche 310 angrenzend ausgebildet ist, erhöht die Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 in diesem Fall den Ab¬ stand 340 zwischen dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoe- lektronischen Halbleiterchipanordnung 400 und dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 in zur Ober¬ seite 201 des Gehäuses 200 parallele und zum Rand 411 der 0- berseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 senkrechte Richtung nicht. Corner region of the basic geometric shape 320 of the opening area is formed adjacent 310, 330, 310 increases the bulge of the opening surface of the cavity 300 in this case Ab ¬ stand 340 between the edge 411 of the top 410 of the optical electronic semiconductor chip array 400 and the peripheral edge 311 of the opening area 310 of the cavity 300 in parallel to the upper ¬ side 201 of the housing 200 and the edge 411 of the 0- berseite 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 vertical direction not.
Die Tiefe der Kavität 300 und die Höhe der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 sind in eine zur Oberseite 201 des Gehäuses 200 senkrechte Richtung 110 bevorzugt aufeinan¬ der abgestimmt. Bevorzugt besteht zwischen der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 und derThe depth of the cavity 300 and the height of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 are preferably matched in the aufeinan ¬ a perpendicular to the top surface 201 of the housing 200 towards the 110th Preferably, there is between the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the
Oberseite 201 des Gehäuses bzw. dem umlaufenden Rand 310 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 ein Höhenunterschied von weniger als 60 pm. Dabei ist die Höhe der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 in die zur Oberseite 201 des Ge- häuses 200 senkrechte Richtung 110 bevorzugt etwas geringer als die Tiefe der Kavität 300, sodass die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 knapp unterhalb der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 angeordnet ist. Die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 ist zur E- mission elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise zur E- mission sichtbaren Lichts, vorgesehen. Die elektromagnetische Strahlung wird dabei im Betrieb des optoelektronischen Bau- elements 100 an der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 abgegeben. Die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 440. Der optoelektronische Halbleiterchip 440 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 440 weist eine Oberseite 441 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 440 ist zur Emissi¬ on elektromagnetischer Strahlung an der Oberseite 441 ausgebildet. Die Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiter- chips 440 bildet damit eine Strahlungsemissionsfläche. Der optoelektronische Halbleiterchip 440 kann ein flächenemittie¬ render Halbleiterchip oder ein volumenemittierender Halbleiterchip sein. In diesem Fall ist der optoelektronische Halb¬ leiterchip 440 zur Emission elektromagnetischer Strahlung auch durch andere Außenflächen des optoelektronischen Halbleiterchips 440 ausgebildet. Top 201 of the housing or the peripheral edge 310 of the opening surface 310 of the cavity 300 has a height difference of less than 60 pm. In this case, the height of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 in the direction 110 perpendicular to the upper side 201 of the housing 200 is preferably slightly less than the depth of the cavity 300, so that the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is arranged just below the opening surface 310 of the cavity 300. The optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is provided for the emission of electromagnetic radiation, for example for the emission of visible light. The electromagnetic radiation is in the process of optoelectronic construction element 100 at the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 delivered. The optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 comprises an optoelectronic semiconductor chip 440. The optoelectronic semiconductor chip 440 may, for example, be a light-emitting diode chip (LED chip). The optoelectronic semiconductor chip 440 has an upper side 441. The optoelectronic semiconductor chip 440 is designed to emissi ¬ on electromagnetic radiation at the top 441. The upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 thus forms a radiation emission surface. The optoelectronic semiconductor chip 440 may be a flächenemittie ¬ render semiconductor chip or a volumenemittierender semiconductor chip. In this case, the opto-electronic semi-conductor chip is formed ¬ 440 to emit electromagnetic radiation by other external surfaces of the optoelectronic semiconductor chip 440th
Die Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiterchips 440 kann die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchip- anordnung 400 bilden. Auf der Oberseite 441 des optoelektro¬ nischen Halbleiterchips 440 können aber auch weitere Elemente der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 angeordnet sein. Im in Figuren 1 und 2 dargestellten Beispiel umfasst die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 ein Konver- terelement 450, das an der Oberseite 441 des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips 440 angeordnet ist. Eine Oberseite 451 des Konverterelements 450 bildet die Oberseite 410 der optoe¬ lektronischen Halbleiterchipanordnung 400. Anstelle oder zusätzlich zu dem Konverterelement 450 könnte die optoelektro- nische Halbleiterchipanordnung 400 auch eine Klar-Keramik, ein Glas, einen Silikon-Verguss oder andere Elemente umfas¬ sen. In diesem Fall kann eine Oberseite dieses weiteren Ele¬ ments der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 die Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 bilden. The upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 may form the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400. On the upper surface 441 of the opto-electro ¬ African semiconductor chip 440 but also further elements of the optoelectronic semiconductor chip assembly may be arranged 400th In the illustrated in Figures 1 and 2, the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 includes a convergence terelement 450, which is disposed on the top 441 of the optoelectronic semiconductor chip ¬ rule 440th An upper surface 451 of the converter element 450 forms the top 410 of the optoe ¬ lektronischen semiconductor chip array 400. Instead of or in addition to the converter element 450 could be the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 also has a clear ceramic, a glass, a silicone casting or other elements umfas ¬ sen , In this case, an upper surface 400 may make this further Ele ¬ ments of the optoelectronic semiconductor chip assembly, the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400th
Das Konverterelement 450 ist dazu vorgesehen, eine Wellenlän¬ ge der durch den optoelektronischen Halbleiterchip 440 emit- tierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Hierzu kann das Konverterelement 450 durch den optoelektronischen Halbleiterchip 440 emittierte elektromagnetische Strahlung absorbieren und elektromagnetische Strahlung mit anderer, ty- pischerweise größerer, Wellenlänge emittieren. Die durch das Konverterelement 450 emittierte elektromagnetische Strahlung wird dann an der Oberseite 451 des Konverterelements 450 ab¬ gegeben. Das Konverterelement 450 kann einen eingebetteten Leuchtstoff aufweisen. Beispielsweise kann das Konverterele- ment 450 einen organischen oder einen anorganischen Leuchtstoff aufweisen. Der eingebettete Leuchtstoff kann beispiels¬ weise auch Quantenpunkte umfassen. The converter element 450 is provided to a Wellenlän ¬ ge emit by the optoelectronic semiconductor chip 440 converted electromagnetic radiation. For this purpose, the converter element 450 can absorb electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip 440 and emit electromagnetic radiation having another, typically larger, wavelength. The light emitted by the converter element 450, electromagnetic radiation is then applied to the top side 451 of the converter element 450 from ¬. The converter element 450 may include an embedded phosphor. For example, the converter element 450 may comprise an organic or an inorganic phosphor. The embedded phosphor can ¬ example, also include quantum dots.
Das Konverterelement 450 ist als Plättchen ausgebildet, die die Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiterchips 440 im Wesentlichen vollständig bedeckt. In einem Eckbereich weist das Konverterelement 450 allerdings eine Aussparung 460 auf. Im Bereich der Aussparung 460 verbleibt ein Eckbereich der Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiterchips 440 unbedeckt durch das Konverterelement 450. The converter element 450 is formed as a plate which substantially completely covers the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440. In a corner region, however, the converter element 450 has a recess 460. In the region of the recess 460, a corner region of the upper side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 remains uncovered by the converter element 450.
In dem durch das Konverterelement 450 nicht bedeckten Eckbe¬ reich der Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiterchips 440 ist eine elektrische Kontaktfläche 430 des optoe- lektronischen Halbleiterchips 440 angeordnet. Eine weitere elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 440 ist an einer der Oberseite 441 gegenüberliegenden Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 440 ange¬ ordnet. Zwischen der elektrischen Kontaktfläche 430 und der weiteren elektrischen Kontaktfläche des optoelektronischenIn the regions not covered by the converter element 450 Eckbe ¬ reaching the upper surface 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 an electrical contact area 430 of the optoelectronic semiconductor chip 440 is disposed. Another electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 440 is mounted on a top surface 441 opposite the underside of the optoelectronic semiconductor chip arranged ¬ 440th Between the electrical contact surface 430 and the further electrical contact surface of the optoelectronic
Halbleiterchips 440 kann eine elektrische Spannung an den op¬ toelektronischen Halbleiterchip 440 angelegt werden, um den optoelektronischen Halbleiterchip 440 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen. The semiconductor chip 440 can be applied an electrical voltage to the op ¬ toelektronischen semiconductor chip 440 to cause the optoelectronic semiconductor chip 440 to emit electromagnetic radiation.
Das Gehäuse 200 des optoelektronischen Bauelements 100 weist einen eingebetteten ersten Leiterrahmenabschnitt 500 und ei¬ nen eingebetteten zweiten Leiterrahmenabschnitt 600 auf. Der erste Leiterrahmenabschnitt 500 und der zweite Leiterrahmen¬ abschnitt 600 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Materi¬ al auf, beispielsweise ein Metall. Der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 500 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 600 sind körperlich voneinander getrennt, können aber aus einem gemeinsamen Leiterrahmen hergestellt sein. Der erste Leiterrahmenabschnitt 500 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 600 sind voneinander beabstandet in das Material des Gehäuses 200 eingebettet und elektrisch gegeneinander isoliert. The housing 200 of the optoelectronic component 100 has an embedded first lead frame portion 500 and ei ¬ NEN embedded second lead frame portion 600 on. Of the First lead frame portion 500 and the second lead frame ¬ section 600 each have an electrically conductive Materi ¬ al, for example, a metal. The first Leiterrahmenab ¬ section 500 and the second leadframe portion 600 are physically separated from each other, but can be made of a common lead frame. The first lead frame portion 500 and the second lead frame portion 600 are spaced from each other embedded in the material of the housing 200 and electrically insulated from each other.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 500 weist eine Chipaufnahme¬ fläche 510 und eine der Chipaufnahmefläche 510 gegenüberlie¬ gende erste Lötkontaktfläche 520 auf. Der zweite Leiterrah¬ menabschnitt 600 weist eine Bondfläche 610 und eine der Bond- fläche 610 gegenüberliegende zweite Lötkontaktfläche 620 auf. Die Chipaufnahmefläche 510 des ersten Leiterrahmenabschnitts 500 und die Bondfläche 610 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 600 sind zumindest teilweise nicht durch das Material des Ge¬ häuses 200 bedeckt. Die Chipaufnahmefläche 510 und die Bond- fläche 610 sind an der Bodenfläche der Kavität 300 des Gehäu¬ ses 200 zugänglich und bilden Teile der Bodenfläche der Kavität 300 des Gehäuses 200. Die erste Lötkontaktfläche 520 des ersten Leiterrahmenabschnitts 500 und die zweite Lötkontakt¬ fläche 620 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 600 sind eben- falls zumindest teilweise nicht durch das Material des Gehäu¬ ses 200 bedeckt. Die erste Lötkontaktfläche 520 und die zwei¬ te Lötkontaktfläche 620 sind an einer der Oberseite 201 ge¬ genüberliegenden Rückseite des Gehäuses 200 zugänglich. Die Chipaufnahmefläche 510 des ersten Leiterrahmenabschnitts 500 ist in einem Bereich der Bodenfläche der Kavität 300 an¬ geordnet, der in die zur Oberseite 201 des Gehäuses 200 senk¬ rechte Richtung 110 unterhalb des die geometrische Grundform 320 aufweisenden Teils der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 angeordnet ist. Die Bondfläche 610 des zweiten Leiterrahmen¬ abschnitts 600 ist in einem Teil der Bodenfläche der Kavität 300 des Gehäuses 200 angeordnet, der in senkrechte Richtung 110 unterhalb der Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 angeordnet ist. The first conductor frame portion 500 has a chip receiving area ¬ 510 and a chip receiving surface 510 gegenüberlie ¬ narrowing first solder pad 520 on. The second Leiterrah ¬ menabschnitt 600 includes a bonding surface 610 and the bonding pad 610 opposite second solder pad 620 on. The chip receiving surface 510 of the first leadframe portion 500 and the bonding surface 610 of the second leadframe portion 600 are at least partially not covered by the material of the Ge ¬ housing 200. The chip receiving surface 510 and the bonding area 610 are on the bottom surface of the cavity 300 of the Gehäu ¬ ses 200 accessible and form parts of the bottom surface of the cavity 300 of the housing 200. The first solder pad 520 of the first lead frame portion 500 and the second solder contact ¬ surface 620 of the Second leadframe portion 600 are also at least partially not covered by the material of the housin ¬ ses 200. The first solder pad 520 and the two ¬ te solder pad 620 are accessible at the top of a 201 ge ¬ genüberliegenden rear of the housing 200th The die receiving surface 510 of the first lead frame portion 500 is at ¬ arranged in an area of the bottom surface of the cavity 300, which having the to the top 201 of the housing 200 perpendicular ¬ right direction 110 below the geometric basic shape of 320 part of the opening surface is disposed 310 of the cavity 300 , The bonding surface 610 of the second lead frame ¬ section 600 is disposed in a part of the bottom surface of the cavity 300 of the housing 200, in the vertical direction 110 is arranged below the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300.
Durch die Anordnung der Bondfläche 610 des zweiten Leiterrah- menabschnitts 600 in dem in senkrechte Richtung 110 unterhalb der Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 angeordneten Teil der Bodenfläche der Kavität 300 kann der umlaufende Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 in allen übrigen Abschnitten der Öffnungsfläche 310 eng der durch den Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 vorgegebenen Kontur der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 folgen. Dies ermöglicht es, den geringen Abstand 340 zwischen dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 und dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 auf allen Seiten der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 zu gewährleisten. The arrangement of the bonding surface 610 of the second conductor frame section 600 in the part of the bottom surface of the cavity 300 arranged in the vertical direction 110 underneath the bulge 330 of the opening surface 310 of the cavity 300 allows the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 in all remaining sections the opening area 310 closely follow the contour of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 predetermined by the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400. This makes it possible to ensure the small distance 340 between the edge 411 of the upper side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the peripheral edge 311 of the opening surface 310 of the cavity 300 on all sides of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400.
Die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 ist derart in der Kavität 300 des Gehäuses 200 des optoelektronischenThe optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 is thus in the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic
Bauelements 100 angeordnet, dass die der Oberseite 441 gege¬ nüberliegende Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips 440 der Chipaufnahmefläche 510 des ersten Leiterrahmen¬ abschnitts 500 zugewandt und die an der Unterseite des optoe- lektronischen Halbleiterchips 440 angeordnete weitere elekt¬ rische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 440 elektrisch leitend mit der Chipaufnahmefläche 510 des ersten Leiterrahmenabschnitts 500 verbunden ist. Der optoe¬ lektronische Halbleiterchip 440 kann beispielsweise mittels eines Lots oder eines Leitklebers mit der Chipaufnahmefläche 510 des ersten Leiterrahmenabschnitts 500 verbunden sein. Device 100 arranged such that the the top face 441 gege ¬ nüberliegende underside of the optoelectronic semiconductor chip 440, the die receiving surface 510 of the first lead frame ¬ section 500 and arranged on the underside of the optoelectronic semiconductor chip 440 further elekt ¬ generic contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 440 electrically conductive is connected to the chip receiving surface 510 of the first lead frame portion 500. The optoe ¬ lectronic semiconductor chip 440 may be connected, for example by means of a solder or a conductive adhesive to the chip receiving surface 510 of the first lead frame portion 500th
Die an der Oberseite 441 des optoelektronischen Halbleiterchips 440 angeordnete elektrische Kontaktfläche 430 des op- toelektronischen Halbleiterchips 440 ist mittels eines Bond¬ drahts 210 elektrisch leitend mit der Bondfläche 610 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 600 verbunden. Der Bonddraht 210 ist bevorzugt vollständig in der Kavität 300 des Gehäuses 200 angeordnet. Dabei erstreckt sich der Bonddraht 210 durch den unterhalb der geometrischen Grundform 320 der Öffnungsfläche 310 angeordneten Teil der Kavität 300 bis in den un¬ terhalb der Ausbuchtung 330 der Öffnungsfläche 310 der Kavi- tät 300 angeordneten Teil der Kavität 300. Which is arranged on the top side 441 of the optoelectronic semiconductor chip 440 electrical contact area 430 of the optoelectronic semiconductor chip 440 is electrically connected by a bonding wire 210 ¬ with the bonding surface 610 of the second lead frame portion 600th The bonding wire 210 is preferably completely in the cavity 300 of the housing 200 arranged. In this case, the bonding wire 210 300 disposed portion of the cavity 300 extends through the underneath of the basic geometric shape 320 of the opening area 310 disposed portion of the cavity 300 to the un ¬ terhalb the bulge 330, the aperture area 310 of the cavity.
Die erste Lötkontaktfläche 520 des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts 500 und die zweite Lötkontaktfläche 620 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 600 bilden elektrische Anschlussflä- chen des optoelektronischen Bauelements 100. Über die ersteThe first solder contact surface 520 of the first Leiterrahmenab ¬ section 500 and the second Lötkontaktfläche 620 of the second lead frame section 600 form electrical Anschlußflä- surfaces of the optoelectronic device 100. About the first
Lötkontaktfläche 520 und die zweite Lötkontaktfläche 620 kann eine elektrische Spannung an den optoelektronischen Halbleiterchip 440 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 des optoelektronischen Bauelements 100 angelegt werden. Das optoelektronische Bauelement 100 kann beispielsweise für eine elektrische Kontaktierung nach einem Verfahren zur Oberflächenmontage vorgesehen sein. Das optoelektronische Bauele¬ ment 100 bildet dann ein SMD-Bauelement . Beispielsweise kön¬ nen die die Anschlussflächen des optoelektronischen Bauele- ments 100 bildenden Lötkontaktflächen 520, 620 durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) elektrisch kontaktiert werden. Solder contact surface 520 and the second solder pad 620, an electrical voltage to the optoelectronic semiconductor chip 440 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 of the optoelectronic device 100 can be applied. The optoelectronic component 100 can be provided, for example, for an electrical contacting according to a method for surface mounting. The optoelectronic Bauele ¬ ment 100 then forms a SMD component. For example, Kings ¬ NEN the ments 100 forming solder pads 520, 620 by reflow soldering (reflow soldering) are electrically contacted by the pads of the optoelectronic Bauele-.
In einem die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 umgebenden Bereich der Kavität 300 des Gehäuses 200 des op- toelektronischen Bauelements 100 ist ein Vergussmaterial 220 angeordnet. Das Vergussmaterial 220 kann beispielsweise Sili¬ kon oder ein Epoxid oder ein Hybridmaterial mit Silikon und Epoxid aufweisen. Das Vergussmaterial 220 kann optisch trans¬ parent sein, insbesondere transparent für durch die optoe- lektronische Halbleiterchipanordnung 400 abgegebene elektro¬ magnetische Strahlung. Das Vergussmaterial 220 kann aber auch eingebettete, optisch streuende Partikel aufweisen, bei¬ spielsweise Streupartikel, die T1O2 aufweisen. Das Vergussma¬ terial 220 kann auch eingebettete Konverterpartikel aufwei- sen, die ausgebildet sind, eine Wellenlänge elektromagneti¬ scher Strahlung zu konvertieren. Das Vergussmaterial 220 dient dem Schutz der optoelektroni¬ schen Halbleiterchipanordnung 400 und des Bonddrahts 210 vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen. Hierzu ist der Bonddraht 210 bevorzugt vollständig in das Vergussmaterial 220 eingebettet. Auch die zur Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 senkrechten Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 sind bevorzugt möglichst vollständig durch das Ver¬ gussmaterial 220 bedeckt. Das Vergussmaterial 220 kann auch als optischer Reflektor für durch die optoelektronische Halb¬ leiterchipanordnung 400 emittierte elektromagnetische Strah¬ lung dienen. Das Vergussmaterial 220 kann auch zur Konvertie¬ rung einer Wellenlänge der durch die optoelektronische Halb¬ leiterchipanordnung 400 abgegebenen elektromagnetischen In a region of the cavity 300 of the housing 200 of the optoelectronic component 100 surrounding the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400, a potting material 220 is arranged. The molding material 220 may comprise, for example, Sili ¬ kon or an epoxy, or a hybrid material with silicone and epoxy. The molding material 220 may be optically ¬ trans parent, in particular transparent cast for lectronic by the opto- semiconductor chip assembly 400 ¬ electro magnetic radiation. But the molding material 220 may also include embedded, optically scattering particles in ¬ play scattering particles having T1O. 2 The Vergussma ¬ TERIAL 220 may also include embedded converter particles aufwei- sen formed to convert a wavelength of electromagnetic radiation ¬ shear. The potting material 220 serves to protect the optoelectronic rule ¬ semiconductor chip assembly 400 and the bonding wire 210 from being damaged by external mechanical effects. For this purpose, the bonding wire 210 is preferably completely embedded in the potting material 220. Also, the direction perpendicular to the top surface 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 are preferably as completely as possible covered by the cast material Ver ¬ 220th The molding material 220 may also serve as an optical reflector for light emitted by the optoelectronic half ¬ die arrangement 400 electromagnetic Strah ¬ lung. The molding material 220 may also for Konvertie ¬ tion of a wavelength emitted by the optoelectronic half ¬ die arrangement 400 electromagnetic
Strahlung dienen. Serve radiation.
Das Vergussmaterial 220 wird bevorzugt in fließfähiger Form in den die optoelektronische Halbleiterchipanordnung 400 umgebenden Bereich der Kavität 300 eingebracht und erhärtet an- schließend. Dabei bilden sich an einer der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 zugewandten Oberfläche des Vergussmaterials 220 Menisken aus, in deren Bereich das Vergussmaterial 220 entgegen der senkrechten Richtung 110 leicht durchhängt. Die Form der Menisken wird im Wesentlichen durch die Oberflächen- Spannung des Vergussmaterials 220 bestimmt. Der sich im Be¬ reich der Menisken ergebende Durchhang des Vergussmaterials 220 ist umso größer, je weiter die optoelektronische Halblei¬ terchipanordnung 400 und die Wand der Kavität 300 voneinander beabstandet sind. The potting material 220 is preferably introduced in a flowable form into the region of the cavity 300 surrounding the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and subsequently hardened. In this case, menisci 220 are formed on a surface of the potting material 220 facing the opening surface 310 of the cavity 300, in the region of which the potting material 220 slightly sags counter to the vertical direction 110. The shape of the menisci is determined essentially by the surface tension of the potting material 220. The resulting in the loading of the menisci ¬ rich sag of the potting material 220 is the greater, the further the optoelectronic semiconducting ¬ terchipanordnung 400 and the wall of the cavity 300 are spaced apart.
Da zwischen dem Rand 411 der Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 des optoelektronischen Bauelements 100 und dem umlaufenden Rand 311 der Öffnungsfläche 310 der Kavität 300 nur der geringe Abstand 340 besteht, weist das Vergussmaterial 220 auf allen Seiten um die optoe¬ lektronische Halbleiterchipanordnung 400 herum nur kleine Menisken auf, sodass das Vergussmaterial 220 nur in geringem Maße durchhängt. Auch im Bereich der Ausbuchtung 330 bildet sich wegen der geringen Breite 350 der Ausbuchtung 330 nur ein kleiner Meniskus mit geringem Durchhang des Vergussmaterials 220 aus. Da die Höhe der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 im Wesentlichen der Tiefe der Kavität 300 entspricht, kann das Vergussmaterial 220 die Wandungen der Kavität 300 und die zur Oberseite 410 der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 senkrechten Seitenflächen der optoelektro- nischen Halbleiterchipanordnung 400 im Wesentlichen vollständig bedecken. Dadurch ist die Kavität 300 im Wesentlichen vollständig durch das Vergussmaterial 220 gefüllt. Since between the edge 411 of the top 410 of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 of the optoelectronic component 100 and the peripheral edge 311 of the opening area 310 of the cavity 300 is only the short distance 340, the molding material 220 on all sides around the optoe ¬ lectronic semiconductor chip assembly 400 around only small menisci, so that the potting material 220 sags only slightly. Also in the area of the bulge 330 forms Because of the small width 350 of the bulge 330 only a small meniscus with low sag of the potting material 220 from. Since the height of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 essentially corresponds to the depth of the cavity 300, the potting material 220 can substantially completely cover the walls of the cavity 300 and the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 that are perpendicular to the top side 410 of the optoelectronic semiconductor chip arrangement 400. As a result, the cavity 300 is substantially completely filled by the potting material 220.
Die vollständige Bedeckung der Wände der Kavität 300 und der Seitenflächen der optoelektronischen Halbleiterchipanordnung 400 wird auch durch einen während des Einfüllens des Verguss¬ materials 220 in die Kavität 300 auf das Vergussmaterial 220 wirkenden Kapillareffekt unterstützt, der sich wegen des ge¬ ringen Abstands 340 zwischen der optoelektronischen Halblei- terchipanordnung 400 und den Wänden der Kavität 300 und der geringen Breite 350 der Ausbuchtung 330 einstellt. The complete coverage of the walls of the cavity 300 and the side surfaces of the optoelectronic semiconductor chip assembly 400 is also supported by a force acting on the potting material 220 into the cavity 300 during the filling of the potting ¬ materials 220 capillary effect, which for the sake of ge ¬ rings distance 340 between optoelectronic semiconductor chip arrangement 400 and the walls of the cavity 300 and the small width 350 of the bulge 330 sets.
Durch die im Wesentlichen vollständige Füllung der Kavität 300 mit dem Vergussmaterial 220 und den geringen Durchhang des Vergussmaterials 220 ist eine vollständige Bedeckung des Bonddrahts 210 durch das Vergussmaterial 220 sichergestellt. Due to the substantially complete filling of the cavity 300 with the potting material 220 and the low sag of the potting material 220, a complete covering of the bonding wire 210 by the potting material 220 is ensured.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt.The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred Ausführungsbei ¬ games. Nevertheless, the invention is not limited to the disclosed examples.
Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention. Reference sign list
100 optoelektronisches Bauelement 100 optoelectronic component
110 senkrechte Richtung  110 vertical direction
200 Gehäuse 200 housings
201 Oberseite  201 top
210 Bonddraht  210 bonding wire
220 Vergussmaterial  220 potting material
300 Kavität 300 cavity
310 Öffnungsfläche  310 opening area
311 umlaufenden Rand  311 circumferential edge
320 geometrische Grundform  320 geometric basic form
330 Ausbuchtung  330 bulge
340 Abstand (Rand-Chip)  340 distance (edge chip)
350 Breite (Ausbuchtung)  350 width (bulge)
400 optoelektronische Halbleiterchipanordnung400 optoelectronic semiconductor chip arrangement
410 Oberseite 410 top
411 Rand  411 edge
420 erste geometrische Form  420 first geometric form
430 elektrische Kontaktfläche  430 electrical contact surface
440 optoelektronischer Halbleiterchip  440 optoelectronic semiconductor chip
441 Oberseite  441 top
450 Konverterelement  450 converter element
451 Oberseite  451 top
460 Aussparung  460 recess
500 erster Leiterrahmenabschnitt 500 first ladder frame section
510 Chipaufnahmefläche  510 chip receiving surface
520 erste Lötkontaktfläche  520 first solder contact surface
600 zweiter Leiterrahmenabschnitt 600 second ladder frame section
610 Bondfläche  610 bond area
620 zweite Lötkontaktfläche  620 second solder contact surface

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Bauelement (100) 1. Optoelectronic component (100)
mit einem Gehäuse (200) mit einer zu einer Oberseite (201) des Gehäuses (200) geöffneten Kavität (300), wobei die Kavität (300) an der Oberseite (201) des Gehäu¬ ses (200) eine Öffnungsfläche (310) mit einer geometri¬ schen Grundform (320) aufweist, having a housing (200) having a to an upper surface (201) of the housing (200) open cavity (300), wherein the cavity (300) on the top (201) of the Gehäu ¬ ses (200) an opening surface (310) with having a geometric ¬ rule base form (320)
wobei in der Kavität (300) eine optoelektronische Halb- leiterchipanordnung (400) angeordnet ist,  wherein an optoelectronic semiconductor chip arrangement (400) is arranged in the cavity (300),
wobei die Halbleiterchipanordnung (400) eine Oberseite (410) mit einer ersten geometrische Form (420) aufweist, wobei die geometrische Grundform (320) durch Streckung aus der ersten geometrische Form (420) gebildet werden kann,  wherein the semiconductor chip arrangement (400) has an upper side (410) with a first geometric shape (420), wherein the basic geometric shape (320) can be formed by stretching out of the first geometric shape (420),
wobei die Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) gegen¬ über der geometrischen Grundform (320) zusätzlich eine Ausbuchtung (330) aufweist, wherein the opening surface (310) of the cavity (300) additionally has a bulge (330) in relation to the geometric basic shape (320),
wobei ein Bonddraht (210) zwischen einer elektrischen Kontaktfläche (430) der Halbleiterchipanordnung (400) und einer Bondfläche (610) des Gehäuses (200) angeordnet ist, wobei die Bondfläche (610) in der Ausbuchtung (330) ange¬ ordnet ist. 2. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, wobei die erste geometrische Form (420) der Oberseite (410) der Halbleiterchipanordnung (400) eine Rechteckform ist . 3. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, wherein a bonding wire (210) between an electrical contact surface (430) of the semiconductor chip assembly (400) and a bonding surface (610) of the housing (200) is arranged, wherein the bonding surface (610) in the bulge (330) is integrally ¬ arranged. The optoelectronic component (100) of claim 1, wherein the first geometric shape (420) of the top surface (410) of the semiconductor die array (400) is a rectangular shape. 3. The optoelectronic device (100) according to one of the reciprocating before ¬ claims,
wobei die Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) einen umlaufenden Rand (311) aufweist,  wherein the opening surface (310) of the cavity (300) has a peripheral edge (311),
wobei ein kürzester Abstand (340) zwischen einem Rand (411) der Oberseite (410) der Halbleiterchipanordnung wherein a shortest distance (340) between an edge (411) of the top surface (410) of the semiconductor die assembly
(400) und dem Rand (311) der Öffnungsfläche (310) der Ka¬ vität (300) an allen Punkten des Rands (411) der Obersei- te (410) der Halbleiterchipanordnung (400) zwischen 30 pm und 600 pm beträgt, bevorzugt zwischen 100 pm und 300 pm. (400) and the edge (311) of the opening surface (310) of the Ka ¬ quality (300) at all points of the edge (411) of the top te (410) of the semiconductor chip assembly (400) is between 30 pm and 600 pm, preferably between 100 pm and 300 pm.
4. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 4. The optoelectronic device (100) according to one of the reciprocating before ¬ claims,
wobei zwischen der Oberseite (410) der Halbleiterchipanordnung (400) und einem umlaufenden Rand (311) der Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) in Richtung (110) senkrecht zur Oberseite (201) des Gehäuses (200) ein Hö¬ henunterschied von weniger als 60 pm besteht. wherein between the upper side (410) of the semiconductor chip arrangement (400) and a peripheral edge (311) of the opening surface (310) of the cavity (300) in the direction (110) perpendicular to the upper side (201) of the housing (200) a Hö ¬ henunterschied of less than 60 pm.
5. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 5. The optoelectronic device (100) according to one of the reciprocating before ¬ claims,
wobei die Halbleiterchipanordnung (400) einen optoelektronischen Halbleiterchip (440) mit einer Oberseite (441) aufweist.  wherein the semiconductor chip arrangement (400) has an optoelectronic semiconductor chip (440) with an upper side (441).
6. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 5, 6. Optoelectronic component (100) according to claim 5,
wobei die Oberseite (441) des optoelektronischen Halblei¬ terchips (440) eine Strahlungsemissionsfläche bildet. wherein the top surface (441) forms a radiation emission area of the optoelectronic semiconducting ¬ terchips (440).
7. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der An¬ sprüche 5 und 6, 7. Optoelectronic component (100) according to one of the claims ¬ 5 and 6,
wobei auf der Oberseite (441) des optoelektronischen Halbleiterchips (440) ein Konverterelement (450) angeord¬ net ist. wherein on the upper side (441) of the optoelectronic semiconductor chip (440) a converter element (450) is angeord ¬ net.
8. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche, 8. The optoelectronic device (100) according to one of the reciprocating before ¬ claims,
wobei in einem die Halbleiterchipanordnung (400) umgebenden Bereich der Kavität (300) ein Vergussmaterial (220) angeordnet ist.  wherein in a semiconductor chip assembly (400) surrounding region of the cavity (300) a potting material (220) is arranged.
9. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß Anspruch 8, 9. The optoelectronic component (100) according to claim 8,
wobei das Vergussmaterial (220) Silikon und/oder ein Epo- xid aufweist . wherein the potting material (220) comprises silicone and / or an epoxide.
10. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der An¬ sprüche 8 und 9, 10. Optoelectronic component (100) according to one of the claims ¬ 8 and 9,
wobei das Vergussmaterial (220) einen Leuchtstoff auf¬ weist. wherein the potting material (220) has a phosphor on ¬ .
11. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der An¬ sprüche 8 bis 10, 11. Optoelectronic component (100) according to one of the claims ¬ 8 to 10,
wobei das Vergussmaterial (220) Streupartikel aufweist. 12. Optoelektronisches Bauelement (100) gemäß einem der An¬ sprüche 8 bis 11, wherein the potting material (220) has scattering particles. 12. Optoelectronic component (100) according to one of the claims ¬ 8 to 11,
wobei der Bonddraht (210) vollständig in das Vergussmate¬ rial (220) eingebettet ist. wherein the bonding wire (210) is completely embedded in the Vergussmate ¬ material (220).
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) Method for producing an optoelectronic component (100)
mit den folgenden Schritten:  with the following steps:
- Bereitstellen eines Gehäuses mit einer zu einer Oberseite (201) des Gehäuses (200) geöffneten Kavität (300), wobei die Kavität (300) an der Oberseite (201) des Gehäu¬ ses (200) eine Öffnungsfläche (310) mit einer geometri¬ schen Grundform (320) aufweist, wobei die Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) gegenüber der geometrischen - providing a housing with a to a top surface (201) of the housing (200) open cavity (300), wherein the cavity (300) on the top (201) of the Gehäu ¬ ses (200) an opening surface (310) with a geometric ¬ basic shape (320), wherein the opening surface (310) of the cavity (300) relative to the geometric
Grundform (320) zusätzlich eine Ausbuchtung (330) aufweist;  Basic shape (320) additionally has a bulge (330);
- Anordnen einer optoelektronischen Halbleiterchipanordnung (400) in der Kavität (300), wobei die Halbleiter¬ chipanordnung (400) eine Oberseite (410) mit einer ersten geometrische Form (420) aufweist, wobei die geometrische Grundform (320) der Öffnungsfläche (310) der Kavität (300) durch Streckung aus der ersten geometrische Form (420) gebildet werden kann; - disposing an optoelectronic semiconductor chip arrangement (400) in the cavity (300), wherein the semiconductor ¬ chip arrangement (400) having a top surface (410) having a first geometric shape (420), wherein the basic geometrical shape (320) of the opening face (310) the cavity (300) can be formed by stretching out of the first geometric shape (420);
- Anordnen eines Bonddrahts (210) zwischen einer elektrischen Kontaktfläche (430) der Halbleiterchipanordnung (400) und einer in der Ausbuchtung (330) angeordneten Bondfläche (610) des Gehäuses (200). - Arranging a bonding wire (210) between an electrical contact surface (430) of the semiconductor chip assembly (400) and a in the bulge (330) arranged bonding surface (610) of the housing (200).
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, 14. The method according to claim 13,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst :  the method comprising the following further step:
- Einbringen eines Vergussmaterials (220) in einen den optoelektronischen Halbleiterchip (700) umgebenden Bereich der Kavität (300) .  - Introducing a potting material (220) in a region of the cavity (300) surrounding the optoelectronic semiconductor chip (700).
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