WO2014002447A1 - 基板端縁の研削方法及び基板端縁の研削装置 - Google Patents

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grindstone
substrate
edge
grinding
bonded
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朗裕 三橋
将一 坂井
秀和 大島
宏明 児島
誠之 佐藤
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シャープ株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
    • B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B9/08—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass
    • B24B9/10—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of glass of plate glass

Definitions

  • the present invention relates to a substrate edge grinding method and a substrate edge grinding apparatus.
  • glass substrates are widely used in flat panel displays (FPD) such as liquid crystal display panels.
  • FPD flat panel displays
  • a large-sized glass substrate base material is cut into a plurality of panel-sized glass substrates, cracks, chipping, or the like may occur at the cut edges. If such chipping occurs at the edge of the glass substrate, the glass substrate is easily damaged. Therefore, it is known to chamfer the edge of the glass substrate.
  • the outer shape of the FPD has been conventionally a square shape, but recently, an FPD used for a so-called tablet, smartphone, notebook PC, or an instrument panel of an automobile has an irregular shape (hexagon, eight It is required to be processed into a square shape or a shape in which the corner portion is an arc shape), and its advanced processing technology is required.
  • Patent Document 1 discloses that after grinding the upper and lower corners of the edge of one glass substrate with a grindstone having a flat grinding surface, the edge is ground into a circular arc shape with a general grindstone. Has been.
  • the total type grindstone is a grindstone in which the grinding surface of the grindstone is formed in the finished shape of the workpiece. Grinding can be easily performed by pressing the ground surface formed in this finished shape against an object to be ground for grinding.
  • Patent Document 2 two glass substrates are bonded to each other, and the first edge of one glass substrate protrudes beyond the second edge of the other glass substrate, thereby providing a stepped edge.
  • the second edge is ground based on the average value of the protrusion width of the first edge with respect to the second edge measured in advance. It is disclosed that a starting position of a grindstone to be determined is determined. As a result, the grinding amount is being stabilized regardless of the bonding accuracy of the glass substrate.
  • the present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to form a step on the edge when grinding the edge of a bonded substrate on which a plurality of substrates are bonded.
  • the object is to extend the life of the total-type grindstone and reduce the replacement frequency of the total-type grindstone as much as possible.
  • the first invention is directed to a method of grinding an edge of a bonded substrate on which a plurality of substrates are bonded. Then, a first step of grinding the edge of the bonded substrate with a flat grindstone, and chamfering both ends in the thickness direction of the bonded substrate at the edge of the bonded substrate ground by the flat grindstone with a total grindstone A second step of processing.
  • the edge of the bonded substrate is first ground with a flat grindstone, and then the edge of the bonded substrate is chamfered with a general grindstone. Even if is formed, the abnormal wear of the overall grindstone can be suppressed. Therefore, the life of the general-purpose grindstone can be extended and the replacement frequency of the general-purpose grindstone can be reduced.
  • the second invention is characterized in that, in the first invention, in the second step, the processing is performed by a general grindstone from one to several times according to a shape and roughness of a target edge.
  • the desired chamfered shape can be efficiently polished.
  • the third invention is characterized in that, in the first or second invention, after the rough machining is performed by the first total-type grindstone, the second total-type grindstone is finely processed.
  • the flat grindstone and the total grindstone are integrally connected in a state where they are overlapped with each other in the rotation axis direction.
  • the second step with the total grindstone can be immediately performed by moving the entire grindstone in the direction of the rotation axis. That is, since it is not necessary to repeat the movement of the flat grindstone and the total grindstone and the alignment with the bonded substrate board in each process, the grinding process can be easily performed as a whole.
  • the total type grindstone is provided with a plurality of groove-shaped grinding surfaces extending around the rotation axis in the rotation axis direction. It is characterized by that.
  • the fifth invention since a plurality of groove-shaped grinding surfaces are provided, grinding can be continued with another grinding surface even when the grinding ability of one grinding surface is reduced. Therefore, since the life of the general-purpose grindstone is extended, the cost required for grinding can be reduced.
  • the sixth invention is directed to an apparatus for grinding an edge of a bonded substrate on which a plurality of substrates are bonded. Then, a posture control unit that holds the bonded substrate and controls the posture, a grindstone unit that grinds an edge of the bonded substrate that is posture-controlled by the posture control unit, rotationally drives the position of the grindstone unit, and controls the position A grindstone control unit, and the grindstone unit is a flat grindstone for grinding an edge of the bonded substrate, and a thickness direction of the bonded substrate at an edge of the bonded substrate ground by the flat grindstone And a general-purpose grindstone that chamfers both ends.
  • the bonded substrate is subjected to posture control by the posture control unit, and its edge is ground by a flat grindstone whose position is controlled by the grindstone control unit. Thereafter, the edge of the bonded substrate is chamfered by a general-purpose grindstone whose position is controlled by the grindstone control unit. Therefore, even if a step is formed at the edge of the bonded substrate, it is possible to suppress abnormal wear of the total-type grindstone. Therefore, the life of the general-purpose grindstone can be extended and the replacement frequency of the general-purpose grindstone can be reduced.
  • the seventh invention is characterized in that, in the sixth invention, the flat grindstone and the total grindstone are integrally connected in a state of being overlapped with each other in the rotation axis direction.
  • the whole grindstone is moved in the direction of the rotation axis, so that grinding with the grindstone can be performed immediately. That is, since it is not necessary to repeat the movement of the flat grindstone and the general grindstone and the alignment with the bonded substrate by the grinding with the flat grindstone and the grinding with the grindstone, the grinding can be easily performed as a whole.
  • An eighth invention is characterized in that, in the sixth or seventh invention, the total type grindstone is provided with a plurality of groove-like grinding surfaces extending around the rotation axis arranged in the rotation axis direction. To do.
  • the eighth invention since a plurality of groove-shaped grinding surfaces are provided, grinding can be continued with another grinding surface even when the grinding ability of one grinding surface is reduced. Therefore, since the life of the general-purpose grindstone is extended, the cost required for grinding can be reduced.
  • the edge of the bonded substrate is ground with the flat grindstone after the edge of the bonded substrate is ground, even if a step is formed on the edge of the bonded substrate, Abnormal wear can be suppressed. Therefore, the life of the general-purpose grindstone can be extended and the replacement frequency of the general-purpose grindstone can be reduced.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a grinding method according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a main part of the grinding apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a longitudinal section of the flat grindstone.
  • FIG. 4 is a sectional view showing a longitudinal section of the first total-type grindstone.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a longitudinal section of the second total-type grindstone.
  • FIG. 6 is a side view schematically showing the bonded substrate.
  • FIG. 7 is a plan view showing a flat grindstone that moves along the outer periphery of the bonded substrate.
  • FIG. 8 is a front view showing a bonded substrate to be polished with a flat grindstone.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a grinding method according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a main part of the grinding apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a section
  • FIG. 9 is an enlarged front view of the substrate edge in FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged front view showing the edge of the substrate ground by the flat grindstone.
  • FIG. 11 is a plan view showing a general-purpose grindstone that moves along the outer periphery of a bonded substrate.
  • FIG. 12 is an enlarged front view showing the substrate edge in FIG.
  • FIG. 13 is an enlarged front view showing the edge of the substrate ground by the general-purpose grindstone.
  • FIG. 14 is an enlarged front view showing the edge of the substrate that has been precisely processed by the second general-purpose grindstone.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing the uneven grinding wheel that is partially worn.
  • FIG. 16 shows the grinding of a comparative example in which the edge of a bonded substrate having a step is directly ground with a general grindstone, and an example in which a grindstone is ground with a flat grindstone and then ground with a general grindstone. It is a graph which shows the relationship between the measured distance and the amount of partial wear of a grinding surface.
  • FIG. 17 is a perspective view showing a grindstone part in the second embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged perspective view showing a part of the grindstone portion in the second embodiment.
  • FIG. 19 is a side view showing a grindstone having another shape.
  • FIG. 20 is a side view showing a grindstone having another shape.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a part of a bonded substrate in which the touch panel and the first and second substrates are bonded together.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a state where the bonded substrate of FIG. 21 has been chamfered.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a part of a bonded substrate in which the cover glass and the first and second substrates are bonded together.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a state in which the bonded substrate of FIG. 23 has been chamfered.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a part of a bonded substrate in which the touch panel, the cover glass, and the first and second substrates are bonded together.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a state where the bonded substrate in FIG. 25 has been chamfered.
  • FIG. 27 is a flowchart showing a grinding method according to another embodiment.
  • FIG. 28 is an explanatory view showing a general-purpose grindstone that has been unevenly worn by a conventional grinding method.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 14 show Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a grinding method according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a main part of the grinding apparatus according to the first embodiment.
  • 3 to 5 are cross-sectional views showing longitudinal sections of the flat grindstone, the first total grindstone, and the second total grindstone, respectively.
  • FIG. 6 is a side view schematically showing the bonded substrate.
  • 7 and 11 are plan views showing a flat grindstone and a total grindstone that move along the outer periphery of the bonded substrate, respectively.
  • FIG. 8 is a front view showing a bonded substrate to be polished with a flat grindstone.
  • FIG. 9 is an enlarged front view of the substrate edge in FIG.
  • FIG. 10 and FIG. 13 are enlarged front views showing the substrate edge ground by the flat grindstone and the total grindstone, respectively.
  • FIG. 12 is an enlarged front view showing the substrate edge in FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged front view showing the edge of the substrate that has been precisely processed by the second general-purpose grindstone.
  • the substrate edge grinding apparatus 1 in this embodiment is an apparatus for grinding an edge 13 of a bonded substrate 10 on which a plurality of substrates 11 and 12 are bonded.
  • the grinding apparatus 1 includes a posture control unit 15 that holds and controls the bonded substrate 10, a grindstone unit 30 that grinds the edge 13 of the bonded substrate 10 that is posture-controlled by the posture control unit 15, and a grindstone unit 30. And a grindstone control unit 20 for rotationally driving and controlling the position.
  • the bonded substrate 10 is a display panel such as a liquid crystal display panel, for example, and is configured by bonding a rectangular first substrate 11 and second substrate 12 together.
  • the first substrate 11 is a TFT substrate on which a plurality of thin film transistors (TFTs) are formed, for example.
  • the edge on one side of the first substrate 11 protrudes relatively larger than the edge of the second substrate 12, while the edge on the other three sides of the first substrate 11 is the edge of the second substrate 12.
  • a step 14 is usually formed on the edge 13 of the bonded substrate 10 due to variations in processing accuracy of the first substrate 11 and the second substrate 12 as shown in FIG.
  • the attitude control unit 15 includes a stage 17 that holds the bonded substrate 10 and a rail unit 18 that slides the stage 17 in the horizontal direction. Further, the stage 17 is supported so as to be rotatable about an axis in the vertical direction with respect to the rail portion 18.
  • the grindstone control unit 20 includes an arm 21 that extends across the rail unit 18 at a position above the posture control unit 15, and a grindstone drive unit 22 that is movably provided along the arm 21.
  • the grindstone drive unit 22 moves the grindstone unit 30 up and down and rotationally drives it around an axis in the vertical direction.
  • the grindstone unit 30 includes a flat grindstone 31 and total grindstones 32 and 33 as shown in FIGS.
  • the flat grindstone 31 and the total grindstones 32 and 33 are formed by mixing, for example, diamond abrasive grains, a metal material such as steel or bronze, and a bond resin.
  • the flat grindstone 31 is formed in a disk shape having a predetermined thickness, and its outer peripheral surface is a grinding surface 31a. Then, as shown in FIGS. 8 and 9, the flat grindstone 31 grinds the edge 13 of the bonded substrate 10, and the bonded substrate 10 is displaced by the displacement of the first and second substrates 11 and 12. The step 14 formed on the edge 13 is reduced.
  • the total grindstones 32 and 33 include a first total grindstone 32 for rough machining and a second total grindstone 33 for fine machining. As shown in FIGS. 11 to 13, the first total-type grindstone 32 and the second total-type grindstone 33 are arranged at both ends in the thickness direction of the bonded substrate 10 at the edge 13 of the bonded substrate 10 with the step 14 reduced. The corner 10a is chamfered.
  • the first total-type grindstone 32 and the second total-type grindstone 33 have a plurality of groove-shaped grinding surfaces 32 a and 33 a extending around the rotation axis thereof arranged in the direction of the rotation axis. Is provided.
  • Each groove-shaped grinding surface 32a, 33a is inclined so that the groove width gradually increases toward the outside in the radial direction (both left and right sides in FIGS. 4 and 5) of the overall grinding wheel 32, 33.
  • the inclination angle ⁇ ⁇ b> 1 of the grinding surface 32 a of the first total type grindstone 32 is set to be larger than the inclination angle ⁇ ⁇ b> 2 of the grinding surface 33 a of the second total type grindstone 33.
  • step S1 in FIG. 1 a large first substrate base material (illustration amount) including a plurality of regions to be the first substrate 11 is included. And a large second substrate base material (not shown) including a plurality of regions to be the second substrate 12 are bonded together.
  • step S2 a plurality of bonded substrates 10 formed by bonding the first substrate 11 and the second substrate 12 are divided by dividing the large substrate base material bonded to each other with a wheel cutter or the like. Form.
  • the step of dividing the large first substrate base material into the plurality of first substrates 11 and the step of dividing the large second substrate base material into the plurality of second substrates 12 are performed separately.
  • the large second substrate base material is divided. Therefore, it is inevitable that a step 14 is formed at the edge of the bonded substrate 10 due to an error in the dividing position of the first and second substrate base materials.
  • the bonded substrate 10 is held on the stage 17 of the attitude control unit 15 in the grinding apparatus 1.
  • step S3 a first step is performed in which the edge 13 of the bonded substrate 10 is ground by the flat grindstone 31 so as to reduce the step 14 formed on the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • the bonded substrate 10 is slid and rotated along the rail portion 18 by the attitude control unit 15 of the grinding apparatus 1, while the flat grindstone 31 rotated by the grindstone control unit 20 is moved along the arm 21.
  • the flat grindstone 31 is relatively moved in the direction A along the outer periphery of the bonded substrate 10.
  • the outer shape of the bonded substrate 10 is formed into an octagonal shape as shown in FIG.
  • the edge 13 of the bonded substrate 10 is ground by the flat grindstone 31.
  • the step 14 of the edge 13 is reduced and the end surface of the bonded substrate 10 is flattened.
  • corner portions 10 a are formed at both ends in the thickness direction of the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • edge of the first substrate 11 that largely protrudes downward in FIG. 7 from the edge of the second substrate 12 is also ground by the flat grindstone 31 to adjust the size of the bonded substrate 10 as a whole.
  • step S4 the first total-type grindstone 32 is relatively moved in the direction B along the outer edge of the bonded substrate 10 by the attitude control unit 15 and the grindstone control unit 20 of the grinding apparatus 1 as shown in FIG. .
  • step S4 rough chamfering is performed on the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • step S4 a chamfered portion 10 b having a relatively rough surface is formed on the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • step S ⁇ b> 5 the second total grindstone 33 is moved relative to the roughly processed edge 13 of the bonded substrate 10 in the same manner as the first total grindstone 32, thereby Chamfering is performed on one rough side. As a result, a chamfered portion 10 c having a relatively fine surface is formed on the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • the inclination angle ⁇ 2 of the grinding surface 33a of the second total-type grindstone 33 is smaller than the inclination angle ⁇ 1 of the grinding surface 32a of the first total-type grinding stone 32, precise machining can be suitably performed.
  • the edge 13 of the bonded substrate 10 is ground by the flat grindstone 31, and then the edge 13 of the bonded substrate 10 is chamfered by the total grindstones 32 and 33. Therefore, even if the level
  • FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing the general-purpose grindstone 35 with uneven wear.
  • FIG. 16 shows a comparative example in which the edge of the bonded substrate having a step is directly ground by the general grindstone 35, and an embodiment in which the flat grindstone 31 is ground and then ground by the general grindstone 32. Is a graph showing the relationship between the ground distance and the amount of uneven wear on the ground surface.
  • the uneven wear amount t is the amount of depression from the groove bottom in the grinding surface 35d of the total-type grindstone 35, as shown in FIG.
  • the uneven wear amount t slightly increases as the use distance of the total type grindstone increases, but the uneven wear amount t in comparison with the comparative example. It was confirmed that can be significantly reduced.
  • Embodiment 2 of the Invention >> 17 and 18 show Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 17 is a perspective view showing the grindstone 30 in the second embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged perspective view showing a part of the grindstone 30 in the second embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 14 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the grindstone portion 30 has a configuration in which a second total grindstone 33, a first total grindstone 32, and a flat grindstone 31 are coaxially stacked in this order.
  • the first total grindstone 32 is sandwiched between the second total grindstone 33 and the flat grindstone 31.
  • the grindstone 30 is formed in a disk shape as a whole, and a through hole 38 is formed at the center position thereof. In the through hole 38, the drive shaft of the grindstone drive unit 22 in the grinding apparatus 1 is fitted and fixed.
  • the grinding apparatus 1 raises or lowers the grindstone unit 30 by the grindstone driving unit 22, and either the flat grindstone 31, the first total grindstone 32, or the second total grindstone 33 is bonded to the bonded substrate 10.
  • the edge 13 is selected as a grindstone for grinding.
  • the second embodiment since the flat grindstone 31 and the total grindstones 32 and 33 are integrally connected in a state where they are overlapped with each other in the rotation axis direction, the first step by the flat grindstone 31 is performed. Later, by raising and lowering the entire grindstone 30 in the direction of the rotation axis, the second step with the total-type grindstones 32 and 33 can be performed immediately. That is, since it is not necessary to repeat the movement of the flat grindstone 31 and the total grindstones 32 and 33 and the alignment with the bonded substrate 10 in each process, the grinding process can be easily performed as a whole.
  • the shape of the grindstone 30 is not limited to the shape shown in FIG. 17 and may be other shapes.
  • FIG.19 and FIG.20 is a side view which shows the grindstone part 30 of another shape.
  • a second total-type grindstone 33, a first total-type grindstone 32, and a flat-type grindstone 31 that are each formed in a disk shape are coaxially stacked in this order.
  • a columnar device fixing portion 34 extending on the rotation shaft is formed integrally with each of the grindstones 31, 32, 33.
  • the diameters of the grindstones 31, 32, and 33 are set to be substantially the same as the outer shape of the device fixing portion 34. If the grindstone portion 30 has such a shape, suitable grinding can be performed according to the processing shape of the bonded substrate 10 and the configuration of the grinding apparatus 1.
  • the bonded substrate 10 in which the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded to each other has been described as an example.
  • the present invention is not limited thereto, and a plurality of substrates are bonded to each other. The same applies to the bonded substrate 10.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a part of the bonded substrate 10 in which the touch panel 41 and the first and second substrates 11 and 12 are bonded.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a state in which the bonded substrate 10 of FIG. 21 has been chamfered.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a part of the bonded substrate 10 in which the cover glass 42 and the first and second substrates 11 and 12 are bonded.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a state in which the bonded substrate of FIG. 23 has been chamfered.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing a part of the bonded substrate board 10 in which the touch panel 41, the cover glass 42, and the first and second substrates 11 and 12 are bonded together.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a state where the bonded substrate 10 of FIG. 25 has been chamfered.
  • the bonded substrate 10 is composed of the touch panel 41 and the first and second substrates 11 and 12, even if a step 14 is generated at the edge 13, the same as in the first and second embodiments. Further, by grinding with the first grindstone 31 and then grinding with the first and second total grindstones 32 and 33, the chamfered portion 10c can be formed on the touch panel 41 and the first substrate 11, as shown in FIG.
  • the bonded substrate 10 is composed of the cover glass 42 and the first and second substrates 11, 12, the first and second total grindstones 32 are ground after being ground with the flat grindstone 31. , 33, the chamfered portion 10c can be formed on the cover glass 42 and the first substrate 11 as shown in FIG.
  • the bonded substrate 10 is composed of the cover glass 42, the touch panel 41, and the first and second substrates 11 and 12, the first and second totals are ground after being ground with the flat grindstone 31.
  • the chamfered portion 10c can be formed on the cover glass 42 and the first substrate 11 as shown in FIG.
  • step S1 a large first substrate base material (not shown) and a large second substrate base material (not shown) And a plurality of substrates on which the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded are formed in step S2.
  • step S6 the touch panel 41 and the cover glass 42 are bonded to the first substrate 11 or the second substrate 12 to form the bonded substrate 10.
  • the touch panel 41 or the cover glass 42 is displaced with respect to the first substrate 11 or the second substrate 12, so that a step 14 is formed on the edge 13 of the bonded substrate 10.
  • the edge 13 of the bonded substrate 10 is ground by the flat grindstone 31 in step S3. Thereby, the end surface of the bonded substrate 10 is formed flat.
  • the edge 13 of the bonded substrate 10 is subjected to rough processing in step S4 and then subjected to fine processing in step S5.
  • the edge 13 of the bonded substrate 10 to which the touch panel 41 and the cover glass 42 are bonded is ground.
  • the present invention is useful for a substrate edge grinding method and a substrate edge grinding apparatus.

Abstract

基板端縁の研削方法には、複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を平型砥石により研削する第１工程Ｓ１と、平型砥石により研削された貼り合わせ基板の端縁における当該貼り合わせ基板の厚み方向両端を総型砥石により面取り加工する第２工程Ｓ２，Ｓ３とが含まれる。

Description

基板端縁の研削方法及び基板端縁の研削装置
　本発明は、基板端縁の研削方法及び基板端縁の研削装置に関するものである。
　例えば液晶表示パネル等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）には、ガラス基板が広く用いられている。しかし、大判のガラス基板母材から複数のパネルサイズのガラス基板に切断する際に、その切断された端縁にクラックやチッピング等の欠けが生じる場合がある。このような欠けがガラス基板の端縁に生じていると、ガラス基板は容易に破損してしまう。そこで、ガラス基板の端縁に面取りを施すことが知られている。
　また、ＦＰＤの外形形状は、従来より四角形であることが主流であったが、近年、所謂タブレットやスマートフォン、ノートＰＣ、又は自動車のインパネなどに用いられるＦＰＤには、異型形状（六角形、八角形、又は角部が円弧状とされた形状）に加工することが要求されており、その高度な加工技術が必要となっている。
　特許文献１には、平面状の研削面を有する砥石によって１枚のガラス基板の端縁における上下の角部を研削した後に、その端縁を総型砥石により断面円弧状に研削することが開示されている。
　ここで、総型砥石とは、砥石の研削面が被研削物の仕上がり形状に形成された砥石である。この仕上がり形状に形成された研削面を被研削物に押し当てて研削することによって研削加工を容易に行うことができる。
　特許文献２には、２枚のガラス基板が互いに貼り合わされると共に、一方のガラス基板の第１端縁が他方のガラス基板の第２端縁よりも突出していることによって段差状の端縁が構成された表示パネルについて、第１端縁及び第２端縁を同時に面取り加工するに際し、予め測定した第２端縁に対する第１端縁の突出幅の平均値に基づいて第２端縁を研削する砥石のスタート位置を決めることが開示されている。そのことによって、ガラス基板の貼り合わせ精度に拘わらず、その研削量を安定化しようとしている。
特開平７－１８６０２２号公報 特開２００３－２３１０４６号公報
　ところが、２つの基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁に段差が形成されている場合、その貼り合わせ基板の厚み方向両端を溝状の研削面を有する総型砥石によって連続的に研削すると、砥石の拡大図である図２８に示すように、総型砥石１０１の研削面１０２が異常摩耗する問題がある。
　すなわち、上述の貼り合わせ基板１０３の厚み方向中央部分に段差が形成されているため、総型砥石１０１の研削面１０２には基板の段差に当接する位置で応力が集中する。その結果、研削面１０２の中央に溝状の摩耗部１０４が形成される。よって、総型砥石１０１の寿命が短くなるために、総型砥石１０１の交換頻度を低下させることが難しい。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を研削する場合において、その端縁に段差が形成されていても、総型砥石を長寿命化してその総型砥石の交換頻度を可及的に低下させることにある。
　上記の目的を達成するために、第１の発明は、複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を研削する方法を対象としている。そして、上記貼り合わせ基板の端縁を平型砥石により研削する第１工程と、上記平型砥石により研削された貼り合わせ基板の端縁における当該貼り合わせ基板の厚み方向両端を総型砥石により面取り加工する第２工程とを有する。
　第１の発明によると、まず平型砥石によって貼り合わせ基板の端縁を研削した後に、総型砥石によって貼り合わせ基板の端縁を面取り加工するようにしたので、貼り合わせ基板の端縁に段差が形成されていても、総型砥石の異常摩耗を抑制できる。よって、総型砥石を長寿命化してその総型砥石の交換頻度を低下させることができる。
　第２の発明は、上記第１の発明において、上記第２工程では、目的の端縁の形状や粗さに応じて１回から複数回、総型砥石により加工することを特徴とする。
　第２の発明によると、所望の面取り形状に効率良く研磨することができる。
　第３の発明は、上記第１又は第２の発明において、第１の総型砥石により粗加工した後に、第２の総型砥石により精加工することを特徴とする。
　第３の発明によっても、所望の面取り形状に効率良く研磨することができる。
　第４の発明は、上記第１乃至第３の何れか１つの発明において、上記平型砥石及び上記総型砥石は、回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されていることを特徴とする。
　第４の発明によると、平型砥石による第１工程を行った後に砥石全体を回転軸方向に移動させることにより、総型砥石による第２工程を即座に行うことができる。すなわち、平型砥石及び総型砥石の移動や貼り合わせ基板との位置合わせを各工程で繰り返す必要がないので、全体として研削工程を容易に行うことができる。
　第５の発明は、上記第１乃至第４の何れか１つの発明において、上記総型砥石は、回転軸周りに延びる溝状の研削面が、上記回転軸方向に複数並んで設けられていることを特徴とする。
　第５の発明によると、溝状の研削面が複数設けられているので、ある１つの研削面における研削能力が低下した場合でも、他の研削面によって研削を続行できる。よって、総型砥石が長寿命化されるので、研削加工に要するコストを低下させることができる。
　第６の発明は、複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を研削する装置を対象としている。そして、上記貼り合わせ基板を保持して姿勢制御する姿勢制御部と、上記姿勢制御部に姿勢制御される貼り合わせ基板の端縁を研削する砥石部と、上記砥石部を回転駆動すると共に位置制御する砥石制御部とを備え、上記砥石部は、上記貼り合わせ基板の端縁を研削する平型砥石と、上記平型砥石により研削された貼り合わせ基板の端縁における当該貼り合わせ基板の厚み方向両端を面取り加工する総型砥石とを有する。
　第６の発明によると、まず、貼り合わせ基板は姿勢制御部により姿勢制御され、その端縁が、砥石制御部により位置制御された平型砥石により研削される。その後、砥石制御部により位置制御された総型砥石によって、上記貼り合わせ基板の端縁が面取り加工される。そのため、貼り合わせ基板の端縁に段差が形成されていても、総型砥石の異常摩耗を抑制できる。よって、総型砥石を長寿命化してその総型砥石の交換頻度を低下させることができる。
　第７の発明は、上記第６の発明において、上記平型砥石及び上記総型砥石は、回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されていることを特徴とする。
　第７の発明によると、平型砥石による研削を行った後に砥石全体を回転軸方向に移動させることにより、総型砥石による研削を即座に行うことができる。すなわち、平型砥石及び総型砥石の移動や貼り合わせ基板との位置合わせを平型砥石による研削と総型砥石による研削とで繰り返す必要がないので、全体として容易に研削を行うことができる。
　第８の発明は、上記第６又は第７の発明において、上記総型砥石は、回転軸周りに延びる溝状の研削面が、上記回転軸方向に複数並んで設けられていることを特徴とする。
　第８の発明によると、溝状の研削面が複数設けられているので、ある１つの研削面における研削能力が低下した場合でも、他の研削面によって研削を続行できる。よって、総型砥石が長寿命化されるので、研削加工に要するコストを低下させることができる。
　本発明によれば、貼り合わせ基板の端縁を平型砥石により研削した後に総型砥石により研削するようにしたので、貼り合わせ基板の端縁に段差が形成されていても、総型砥石の異常摩耗を抑制できる。よって、総型砥石を長寿命化してその総型砥石の交換頻度を低下させることができる。
図１は、本実施形態１における研削方法を示すフローチャートである。 図２は、本実施形態１における研削装置の要部を模式的に示す斜視図である。 図３は、平型砥石の縦断面を示す断面図である。 図４は、第１の総型砥石の縦断面を示す断面図である。 図５は、第２の総型砥石の縦断面を示す断面図である。 図６は、貼り合わせ基板を概略的に示す側面図である。 図７は、貼り合わせ基板の外周に沿って移動する平型砥石を示す平面図である。 図８は、平型砥石により研磨される貼り合わせ基板を示す正面図である。 図９は、図８における基板端縁を拡大して示す正面図である。 図１０は、平型砥石により研削された基板端縁を拡大して示す正面図である。 図１１は、貼り合わせ基板の外周に沿って移動する総型砥石を示す平面図である。 図１２は、図１１における基板端縁を拡大して示す正面図である。 図１３は、総型砥石により研削された基板端縁を拡大して示す正面図である。 図１４は、第２の総型砥石により精加工された基板端縁を拡大して示す正面図である。 図１５は、偏摩耗した総型砥石を模式的に示す断面図である。 図１６は、段差を有する貼り合わせ基板の端縁に対して直接に総型砥石により研削加工した比較例と、平型砥石により研削加工の後に総型砥石により研削加工した実施例とについて、研削した距離と研削面の偏摩耗量との関係を示すグラフである。 図１７は、本実施形態２における砥石部を示す斜視図である。 図１８は、本実施形態２における砥石部の一部を拡大して示す斜視図である。 図１９は、他の形状の砥石部を示す側面図である。 図２０は、他の形状の砥石部を示す側面図である。 図２１は、タッチパネルと第１及び第２基板とが貼り合わされた貼り合わせ基板の一部を示す断面図である。 図２２は、図２１の貼り合わせ基板が面取り加工された状態を示す断面図である。 図２３は、カバーガラスと第１及び第２基板とが貼り合わされた貼り合わせ基板の一部を示す断面図である。 図２４は、図２３の貼り合わせ基板が面取り加工された状態を示す断面図である。 図２５は、タッチパネルとカバーガラスと第１及び第２基板とが貼り合わされた貼り合わせ基板の一部を示す断面図である。 図２６は、図２５の貼り合わせ基板が面取り加工された状態を示す断面図である。 図２７は、その他の実施形態における研削方法を示すフローチャートである。 図２８は、従来の研削方法により偏摩耗した総型砥石を示す説明図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図１４は、本発明の実施形態１を示している。
　図１は、本実施形態１における研削方法を示すフローチャートである。図２は、本実施形態１における研削装置の要部を模式的に示す斜視図である。図３～図５は、それぞれ平型砥石、第１の総型砥石、及び第２の総型砥石の縦断面を示す断面図である。
　図６は、貼り合わせ基板を概略的に示す側面図である。図７及び図１１は、それぞれ貼り合わせ基板の外周に沿って移動する平型砥石及び総型砥石を示す平面図である。図８は、平型砥石により研磨される貼り合わせ基板を示す正面図である。図９は、図８における基板端縁を拡大して示す正面図である。
　図１０及び図１３は、それぞれ平型砥石及び総型砥石により研削された基板端縁を拡大して示す正面図である。図１２は、図１１における基板端縁を拡大して示す正面図である。図１４は、第２の総型砥石により精加工された基板端縁を拡大して示す正面図である。
　図２に示すように、本実施形態における基板端縁の研削装置１は、複数の基板１１，１２が貼り合わされた貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する装置である。研削装置１は、貼り合わせ基板１０を保持して姿勢制御する姿勢制御部１５と、姿勢制御部１５に姿勢制御される貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する砥石部３０と、砥石部３０を回転駆動すると共に位置制御する砥石制御部２０とを備えている。
　貼り合わせ基板１０は、例えば液晶表示パネル等の表示パネルであって、矩形状の第１基板１１及び第２基板１２が互いに貼り合わされて構成されている。第１基板１１は例えば複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板である。
　そして、第１基板１１の一辺における端縁は、第２基板１２の端縁よりも比較的大きく突出する一方、第１基板１１の他の三辺における端縁は、第２基板１２の端縁と略重なるように配置されている。
　第１基板１１の三辺は、第２基板１２の三辺に対して高精度に重なっていることが望ましい。しかしながら、通常、貼り合わせ基板１０の端縁１３には、第１基板１１及び第２基板１２の加工精度のばらつきによって、図６に示すように、段差１４が形成されている。
　姿勢制御部１５は、貼り合わせ基板１０を保持するステージ１７と、ステージ１７を水平方向にスライド移動させるレール部１８とを有している。また、ステージ１７は、レール部１８に対し、鉛直方向の軸周りに回転可能に支持されている。
　砥石制御部２０は、姿勢制御部１５の上方位置でレール部１８に交差して延びるアーム２１と、アーム２１に沿って移動可能に設けられた砥石駆動部２２とを有している。砥石駆動部２２は、砥石部３０を昇降させると共に鉛直方向の軸周りに回転駆動するようになっている。
　そして、砥石部３０は、図３～図５に示すように、平型砥石３１と総型砥石３２，３３とを有している。平型砥石３１及び総型砥石３２，３３は、例えばダイヤモンド砥粒と、スチール又はブロンズ等のメタル材料と、ボンド樹脂とを混合して成形されている。
　平型砥石３１は、所定の厚みを有する円板状に形成され、その外周面が研削面３１ａとなっている。そうして、図８及び図９に示すように、平型砥石３１は、貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削して、第１及び第２基板１１，１２の位置ずれによって貼り合わせ基板１０の端縁１３に形成されている段差１４を低減させる。
　総型砥石３２，３３は、粗加工用の第１総型砥石３２と、精加工用の第２総型砥石３３とを有している。第１総型砥石３２及び第２総型砥石３３は、図１１～図１３に示すように、段差１４が低減された貼り合わせ基板１０の端縁１３における当該貼り合わせ基板１０の厚み方向両端側の角部１０ａを面取り加工するものである。
　図４及び図５に示すように、第１総型砥石３２及び第２総型砥石３３には、その回転軸周りに延びる溝状の研削面３２ａ，３３ａが、当該回転軸方向に複数並んで設けられている。各溝状の研削面３２ａ，３３ａは、総型砥石３２，３３の半径方向外側（図４及び図５で左右両側）へ向かって溝幅が徐々に広くなるように傾斜している。そして、図１４に示すように、第１総型砥石３２における研削面３２ａの傾斜角度θ１は、第２総型砥石３３における研削面３３ａの傾斜角度θ２よりも大きく設定されている。
　　－研削方法－
　上記研削装置１によって貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する場合には、まず、図１におけるステップＳ１において、第１基板１１となる領域が複数含まれる大判の第１基板母材（図示量略）と、第２基板１２となる領域が複数含まれる大判の第２基板母材（図示省略）とを互いに貼り合わせる。
　その後、ステップＳ２において、上述の互いに貼り合わされた大判の基板母材をホイールカッター等を用いて分断することにより、第１基板１１と第２基板１２とが貼り合わされてなる貼り合わせ基板１０を複数形成する。
　このとき、大判の第１基板母材を複数の第１基板１１に分断する工程と、大判の第２基板母材を複数の第２基板１２に分断する工程とを、別々に行う。例えば、大判の第１基板母材を分断した後に、大判の第２基板母材を分断する。したがって、貼り合わせ基板１０の端縁には、上記第１及び第２基板母材の分断位置の誤差により、段差１４が形成されることが避けられない。
　その後、貼り合わせ基板１０を研削装置１における姿勢制御部１５のステージ１７に保持させる。
　次に、ステップＳ３において、貼り合わせ基板１０の端縁１３に形成されている段差１４を低減させるように、貼り合わせ基板１０の端縁１３を平型砥石３１により研削する第１工程を行う。
　すなわち、研削装置１の姿勢制御部１５により貼り合わせ基板１０をレール部１８に沿ってスライド移動させると共に回転させる一方、砥石制御部２０により回転する平型砥石３１をアーム２１に沿って移動させることによって、図７に示すように、平型砥石３１を貼り合わせ基板１０の外周に沿った方向Ａに相対移動させる。また、平型砥石３１によって貼り合わせ基板１０の角部分を研削することにより、図７に示すように、貼り合わせ基板１０の外形を八角形状に成形する。
　このとき、平型砥石３１をその回転軸方向に揺動させながら研削することが好ましい。そのことにより、平型砥石３１における研削面３１ａの偏摩耗を低減することができる。
　こうして、図８及び図９に示すように、貼り合わせ基板１０の端縁１３を平型砥石３１により研削する。その結果、図１０に示すように、端縁１３の段差１４を低減して貼り合わせ基板１０の端面をフラットにする。その結果、貼り合わせ基板１０の端縁１３には、その厚み方向両端に角部１０ａが形成されることとなる。
　なお、第２基板１２の端縁から図７で下側に大きく突出している第１基板１１の端縁についても平型砥石３１により研削して、貼り合わせ基板１０全体の大きさを整える。
　次に、貼り合わせ基板１０の端縁１３における厚み方向両端の角部１０ａを総型砥石３２，３３により面取り加工する第２工程を行う。
　すなわち、ステップＳ４において、研削装置１の姿勢制御部１５及び砥石制御部２０により、図１１に示すように、第１総型砥石３２を貼り合わせ基板１０の外縁に沿った方向Ｂに相対移動させる。そのことにより、図１２～図１４に示すように、貼り合わせ基板１０の端縁１３に対して面取り粗加工を行う。その結果、貼り合わせ基板１０の端縁１３には、比較的粗い表面を有する面取り部１０ｂが形成される。
　続いて、ステップＳ５において、貼り合わせ基板１０における上記粗加工した端縁１３に対し、第１総型砥石３２と同様に第２総型砥石３３を相対移動させることにより、貼り合わせ基板１０の上記粗加工した一辺に対して面取り精加工を行う。その結果、貼り合わせ基板１０の端縁１３には、比較的細かい表面を有する面取り部１０ｃが形成される。このとき、第２総型砥石３３における研削面３３ａの傾斜角θ２が第１総型砥石３２における研削面３２ａの傾斜角θ１よりも小さいため、精加工を好適に行うことができる。
　なお、第２基板１２の端縁から図１１で下側に大きく突出している第１基板１１の端縁については、第１基板１１の厚みに応じた他の総型砥石（不図示）によって研削する。以上のようにして、貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する。
　　－実施形態１の効果－
　したがって、この実施形態１によると、まず平型砥石３１によって貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削した後に、総型砥石３２，３３によって貼り合わせ基板１０の端縁１３を面取り加工するようにしたので、貼り合わせ基板１０の端縁１３に段差１４が形成されていても、総型砥石３２，３３の異常摩耗を抑制できる。よって、総型砥石３２，３３を長寿命化してその総型砥石３２，３３の交換頻度を低下させることができる。
　さらに、第１総型砥石３２により粗加工した後に、第２総型砥石３３により精加工するようにしたので、所望の面取り形状に効率良く研磨することができる。
　さらにまた、第１及び第２総型砥石３２，３３に溝状の研削面３２ａ，３３ａが複数設けるようにしたので、ある１つの研削面３２ａ，３３ａにおける研削能力が低下した場合でも、他の研削面３２ａ，３３ａによって研削を続行できる。よって、総型砥石３２，３３がより長寿命化されるので、研削加工に要するコストを低下させることができる。
　次に、本発明を実施した実施例について説明する。
　図１５は、偏摩耗した総型砥石３５を模式的に示す断面図である。図１６は、段差を有する貼り合わせ基板の端縁に対して直接に総型砥石３５により研削加工した比較例と、平型砥石３１により研削加工の後に総型砥石３２により研削加工した実施例とについて、研削した距離と研削面の偏摩耗量との関係を示すグラフである。
　比較例では、図１６のグラフＦ１に示すように、総型砥石の使用距離が長くなるに連れて偏摩耗量ｔも漸次大きく増加することが確認された。ここで、偏摩耗量ｔは、図１５に示すように、総型砥石３５の研削面３５ｄにおける溝底からの窪み量である。これに対し、図１６のグラフＦ２に示すように、実施例では、総型砥石の使用距離が長くなるに連れて偏摩耗量ｔも僅かに大きくなるものの、比較例に比べて偏摩耗量ｔを顕著に低減できることが確認できた。
　《発明の実施形態２》
　図１７及び図１８は、本発明の実施形態２を示している。
　図１７は、本実施形態２における砥石部３０を示す斜視図である。図１８は、本実施形態２における砥石部３０の一部を拡大して示す斜視図である。尚、以降の実施形態では、図１～図１４と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、平型砥石３１と第１及び第２総型砥石３２，３３とが別個のものである場合について説明したが、本発明はこれに限らず、図１７及び図１８に示すように、平型砥石３１及び総型砥石３２，３３が、その回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されている構成としてもよい。
　すなわち、砥石部３０は、第２総型砥石３３、第１総型砥石３２及び平型砥石３１がこの順に同軸上に積層された構成を有している。言い換えれば、第１総型砥石３２は、第２総型砥石３３と平型砥石３１とにより挟持されている。砥石部３０は、全体として円板状に形成され、その中央位置に貫通孔３８が形成されている。貫通孔３８には、研削装置１における砥石駆動部２２の駆動軸が嵌挿して固定されるようになっている。
　そうして、研削装置１は、砥石部３０を砥石駆動部２２により昇降させることによって、平型砥石３１、第１総型砥石３２又は第２総型砥石３３の何れかを、貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する砥石として選択する。
　　－実施形態２の効果－
　したがって、この実施形態２によると、平型砥石３１及び総型砥石３２，３３が回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されているので、平型砥石３１による第１工程を行った後に砥石部３０全体を回転軸方向に昇降させることにより、総型砥石３２，３３による第２工程を即座に行うことができる。すなわち、平型砥石３１及び総型砥石３２，３３の移動や貼り合わせ基板１０との位置合わせを各工程で繰り返す必要がないので、全体として研削工程を容易に行うことができる。
　尚、砥石部３０の形状は、図１７に示される形状に限らず他の形状であってもよい。ここで、図１９及び図２０は、他の形状の砥石部３０を示す側面図である。例えば、図１９に示される砥石部３０は、それぞれ円板状に形成された第２総型砥石３３、第１総型砥石３２及び平型砥石３１がこの順に同軸上に積層されると共に、その回転軸上に延びる柱状の装置固定部３４が各砥石３１，３２，３３と一体に構成されている。また、図２０に示される砥石部３０は、各砥石３１，３２，３３の直径が装置固定部３４の外形と略同じに設定されている。砥石部３０をこのような形状とすれば、貼り合わせ基板１０の加工形状や研削装置１の構成に応じて、好適な研削を行うことができる。
　《その他の実施形態》
　上記実施形態１及び２では、第１基板１１及び第２基板１２が互いに貼り合わされた貼り合わせ基板１０を例に挙げて説明したが、本発明は限らず、複数の基板が互いに貼り合わされた他の貼り合わせ基板１０についても同様に適用できる。
　ここで、図２１は、タッチパネル４１と第１及び第２基板１１，１２とが貼り合わされた貼り合わせ基板１０の一部を示す断面図である。図２２は、図２１の貼り合わせ基板１０が面取り加工された状態を示す断面図である。
　また、図２３は、カバーガラス４２と第１及び第２基板１１，１２とが貼り合わされた貼り合わせ基板１０の一部を示す断面図である。図２４は、図２３の貼り合わせ基板が面取り加工された状態を示す断面図である。
　図２５は、タッチパネル４１とカバーガラス４２と第１及び第２基板１１，１２とが貼り合わされた貼り合わせ基板１０の一部を示す断面図である。図２６は、図２５の貼り合わせ基板１０が面取り加工された状態を示す断面図である。
　図２１に示すように、貼り合わせ基板１０がタッチパネル４１と第１及び第２基板１１，１２とからなる場合、その端縁１３に段差１４が生じていても、上記実施形態１及び２と同様に、平型砥石３１で研削した後に第１及び第２総型砥石３２，３３で研削することによって、図２２に示すように、タッチパネル４１及び第１基板１１に面取り部１０ｃを形成できる。
　また、図２３に示すように、貼り合わせ基板１０がカバーガラス４２と第１及び第２基板１１，１２とからなる場合も、平型砥石３１で研削した後に第１及び第２総型砥石３２，３３で研削することによって、図２４に示すように、カバーガラス４２及び第１基板１１に面取り部１０ｃを形成できる。
　また、図２５に示すように、貼り合わせ基板１０がカバーガラス４２とタッチパネル４１と第１及び第２基板１１，１２とからなる場合も、平型砥石３１で研削した後に第１及び第２総型砥石３２，３３で研削することによって、図２６に示すように、カバーガラス４２及び第１基板１１に面取り部１０ｃを形成できる。
　すなわち、その他の実施形態における研削方法では、図２７のフローチャートにおいて、上記実施形態１で説明したように、ステップＳ１で大判の第１基板母材（図示省略）と大判の第２基板母材（図示省略）とを互いに貼り合わせた後、ステップＳ２で第１基板１１及び第２基板１２が貼り合わされた基板を複数形成する。
　その後、ステップＳ６において、第１基板１１又は第２基板１２にタッチパネル４１やカバーガラス４２を貼り合わせて貼り合わせ基板１０を形成する。このとき、第１基板１１又は第２基板１２に対するタッチパネル４１又はカバーガラス４２の位置ずれが生じるため、貼り合わせ基板１０の端縁１３に段差１４が形成されることとなる。
　その後、ステップＳ３において貼り合わせ基板１０の端縁１３を平型砥石３１により研削する。そのことにより、貼り合わせ基板１０の端面をフラットに形成する。次に、貼り合わせ基板１０の端縁１３に対し、ステップＳ４で粗加工した後にステップＳ５で精加工する。こうして、タッチパネル４１やカバーガラス４２が貼り合わされた貼り合わせ基板１０の端縁１３を研削する。
　以上説明したように、本発明は、基板端縁の研削方法及び基板端縁の研削装置について有用である。
　　　　　　１　　　研削装置 
　　　　　１０　　　貼り合わせ基板 
　　　　　１０ａ　　角部 
　　　　　１１　　　第１基板 
　　　　　１２　　　第２基板 
　　　　　１３　　　端縁 
　　　　　１４　　　段差 
　　　　　１５　　　姿勢制御部 
　　　　　２０　　　砥石制御部 
　　　　　３０　　　砥石部 
　　　　　３１　　　平型砥石 
　　　　　３１ａ　　研削面 
　　　　　３２　　　第１総型砥石 
　　　　　３２ａ　　研削面 
　　　　　３３　　　第２総型砥石 
　　　　　３３ａ　　研削面 　　

Claims (8)

  1. 　複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を研削する方法であって、
    　上記貼り合わせ基板の端縁を平型砥石により研削する第１工程と、
    　上記平型砥石により研削された貼り合わせ基板の端縁における当該貼り合わせ基板の厚み方向両端を総型砥石により面取り加工する第２工程とを有する
    ことを特徴とする基板端縁の研削方法。
  2. 　請求項１に記載された基板端縁の研削方法において、
    　上記第２工程では、目的の端縁の形状や粗さに応じて、１回から複数回、総型砥石により加工する
    ことを特徴とする基板端縁の研削方法。
  3. 　請求項１又は２に記載された基板端縁の研削方法において、
    　上記第２工程では、第１の総型砥石により粗加工した後に、第２の総型砥石により精加工する
    ことを特徴とする基板端縁の研削方法。
  4. 　請求項１乃至３の何れか１つに記載された基板端縁の研削方法において、
    　上記平型砥石及び上記総型砥石は、回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されている
    ことを特徴とする基板端縁の研削方法。
  5. 　請求項１乃至４の何れか１つに記載された基板端縁の研削方法において、
    　上記総型砥石は、回転軸周りに延びる溝状の研削面が、上記回転軸方向に複数並んで設けられている
    ことを特徴とする基板端縁の研削方法。
  6. 　複数の基板が貼り合わされた貼り合わせ基板の端縁を研削する装置であって、
    　上記貼り合わせ基板を保持して姿勢制御する姿勢制御部と、
    　上記姿勢制御部に姿勢制御される貼り合わせ基板の端縁を研削する砥石部と、
    　上記砥石部を回転駆動すると共に位置制御する砥石制御部とを備え、
    　上記砥石部は、上記貼り合わせ基板の端縁を研削する平型砥石と、上記平型砥石により研削された貼り合わせ基板の端縁における当該貼り合わせ基板の厚み方向両端を面取り加工する総型砥石とを有する
    ことを特徴とする基板端縁の研削装置。
  7. 　請求項６に記載された基板端縁の研削装置において、
    　上記平型砥石及び上記総型砥石は、回転軸方向に互いに重ねられた状態で一体に連結されている
    ことを特徴とする基板端縁の研削装置。
  8. 　請求項６又は７に記載された基板端縁の研削装置において、
    　上記総型砥石は、回転軸周りに延びる溝状の研削面が、上記回転軸方向に複数並んで設けられている
    ことを特徴とする基板端縁の研削装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016097455A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 有限会社フェザークラフト 矢用羽根材料の加工装置
JP2017035740A (ja) * 2015-08-06 2017-02-16 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 面取りホイール及びこれを使用した面取り加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06190700A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd ロータリーエンコーダ用符号円板の加工方法及び加工工具
JPH081493A (ja) * 1994-06-17 1996-01-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
WO2012077645A1 (ja) * 2010-12-08 2012-06-14 電気化学工業株式会社 硬質基板積層体の加工方法及び板状製品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06190700A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd ロータリーエンコーダ用符号円板の加工方法及び加工工具
JPH081493A (ja) * 1994-06-17 1996-01-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ面取部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
WO2012077645A1 (ja) * 2010-12-08 2012-06-14 電気化学工業株式会社 硬質基板積層体の加工方法及び板状製品の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016097455A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 有限会社フェザークラフト 矢用羽根材料の加工装置
JP2017035740A (ja) * 2015-08-06 2017-02-16 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 面取りホイール及びこれを使用した面取り加工方法

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