WO2010125623A1 - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
WO2010125623A1
WO2010125623A1 PCT/JP2009/007106 JP2009007106W WO2010125623A1 WO 2010125623 A1 WO2010125623 A1 WO 2010125623A1 JP 2009007106 W JP2009007106 W JP 2009007106W WO 2010125623 A1 WO2010125623 A1 WO 2010125623A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
display
organic
layer
thickness
region
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/007106
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
安松拓人
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2009-111300 priority Critical
Priority to JP2009111300 priority
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Publication of WO2010125623A1 publication Critical patent/WO2010125623A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0096Substrates
    • H01L51/0097Substrates flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3276Wiring lines
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
    • H01L51/003Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof using a temporary substrate
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
    • H01L51/56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

An organic EL display device (1) is provided with a plastic substrate (2) having flexibility, and an organic EL display element (11) formed on the plastic substrate (2). The organic EL display device (1) has a display region (21) and a frame region (22) disposed at the periphery of the display region (21). On the display region (21), a deformation preventing member (28) which eliminates deformation of the display region (21) is disposed.

Description

表示装置Display device

 本発明は、有機EL表示装置等の表示装置に関する。 The present invention relates to a display device such as an organic EL display device.

 近年、ディスプレイ分野では、フレキシブル性、耐衝撃性や軽量性の点でガラス基板に比べて大きなメリットのあるプラスチック基板等を用いた表示装置が非常に注目を浴びており、ガラス基板のディスプレイでは不可能であった新たなディスプレイが創出される可能性を秘めている。 In recent years, in the display field, display devices using plastic substrates, etc., which have great advantages over glass substrates in terms of flexibility, impact resistance, and light weight, have received much attention. It has the potential to create new displays that were possible.

 薄型の表示装置のような薄膜デバイスを形成する場合は、別に準備した支持基板上に薄膜デバイスを形成しておき、それを所望の基板上へ転写する技術が提案されている。 In the case of forming a thin film device such as a thin display device, a technique has been proposed in which a thin film device is formed on a separately prepared support substrate and transferred to a desired substrate.

 より具体的には、まず、ガラス基板上に分離層(光吸収層)を形成した後、被転写層である薄膜デバイス層を形成する。この薄膜デバイス層は、ポリシリコン層を備える表示装置用のTFT(薄膜トランジスタ;Thin Film Transistor)素子を有している。次いで、薄膜デバイス層を、接着層を介して合成樹脂からなる転写体(即ち、プラスチック基板)に接合(接着)する。次いで、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射した後、ガラス基板を分離層から剥離する。そして、残存している分離層を除去することにより、薄膜デバイス層を転写体に転写している(例えば、特許文献1参照)。 More specifically, first, a separation layer (light absorption layer) is formed on a glass substrate, and then a thin film device layer which is a transfer layer is formed. This thin film device layer has a TFT (thin film transistor; Thin FilmTransistor) element for a display device including a polysilicon layer. Next, the thin film device layer is bonded (adhered) to a transfer body (that is, a plastic substrate) made of a synthetic resin through an adhesive layer. Subsequently, after irradiating a laser beam from the back surface of a glass substrate, a glass substrate is peeled from a separated layer. Then, the thin film device layer is transferred to the transfer body by removing the remaining separation layer (see, for example, Patent Document 1).

 また、同様に、ガラス基板上に有機EL層を形成した後、有機EL層を、接着剤層を介してプラスチック基板に接着し、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射した後、ガラス基板を剥離することにより、有機EL層をプラスチック基板に転写した表示装置が開示されている(例えば、特許文献2参照)。 Similarly, after an organic EL layer is formed on a glass substrate, the organic EL layer is bonded to a plastic substrate through an adhesive layer, irradiated with laser light from the back surface of the glass substrate, and then peeled off. Thus, a display device in which an organic EL layer is transferred to a plastic substrate is disclosed (for example, see Patent Document 2).

特開平10-125931号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-125931 特開平2004-349152号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-349152

 しかし、一般に、プラスチック基板は、ヤング率が小さいため、特に、熱プロセスを経ると熱膨張差による応力が発生し、プラスチック基板を用いた表示装置の表示領域に反りやうねり等の変形が発生するという問題があった。また、この変形を抑制するために、プラスチック基板の厚みを大きくする必要があるが、プラスチック基板の厚みを大きくすると、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることができないという問題があった。 However, since a plastic substrate generally has a small Young's modulus, stress due to a difference in thermal expansion is generated particularly through a thermal process, and deformation such as warpage and undulation occurs in a display region of a display device using the plastic substrate. There was a problem. Further, in order to suppress this deformation, it is necessary to increase the thickness of the plastic substrate. However, if the thickness of the plastic substrate is increased, there is a problem that the display device cannot be reduced in thickness and weight.

 そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、反りやうねり等の変形の発生を効果的に抑制することができるとともに、小型化、薄型化、及び軽量化を図ることができる表示装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above-described problems, and can effectively suppress the occurrence of deformation such as warping and swell, and can be reduced in size, thickness, and weight. It is an object to provide a display device that can be used.

 上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、可撓性を有するプラスチック基板と、プラスチック基板上に形成された表示素子とを備え、表示領域と、表示領域の周辺に設けられた額縁領域とを有する。そして、表示領域に、表示領域の変形を防止するための変形防止部材が設けられている。 In order to achieve the above object, a display device of the present invention includes a flexible plastic substrate and a display element formed on the plastic substrate, and includes a display area and a frame provided around the display area. And having a region. The display area is provided with a deformation preventing member for preventing the display area from being deformed.

 同構成によれば、表示領域の剛性が向上するため、表示領域に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。 According to this configuration, since the rigidity of the display area is improved, it is possible to effectively prevent the display area from being deformed such as warping or swell.

 また、表示領域の周辺に設けられた額縁領域においては、変形防止部材が設けられておらず、可撓性を有するプラスチック基板が設けられている。従って、表示領域の周辺に設けられた額縁領域を折り曲げることが可能になるため、平面視において、表示領域の周辺の額縁領域をなくすことが可能になる。従って、表示面の額縁が殆どない狭額縁の表示装置を提供することが可能になる。 Further, in the frame area provided around the display area, no deformation preventing member is provided, and a flexible plastic substrate is provided. Accordingly, since the frame area provided around the display area can be bent, the frame area around the display area can be eliminated in plan view. Therefore, it is possible to provide a display device with a narrow frame having almost no frame on the display surface.

 また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。 In addition, unlike the above-described conventional technology, it is not necessary to increase the thickness of the plastic substrate, so that the display device can be made thinner and lighter.

 また、本発明の表示装置は、変形防止部材の厚みが、0.05~0.3mmであっても良い。 In the display device of the present invention, the thickness of the deformation preventing member may be 0.05 to 0.3 mm.

 同構成によれば、表示領域の剛性を十分に確保した状態で、表示装置全体の厚みが大きくなるという不都合を防止して、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。 According to this configuration, it is possible to prevent the inconvenience that the thickness of the entire display device is increased in a state where the rigidity of the display area is sufficiently secured, and to reduce the thickness and weight of the display device.

 また、本発明の表示装置は、変形防止部材が、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる1種により形成されていても良い。 In the display device of the present invention, the deformation preventing member may be formed of one type selected from the group consisting of glass, hard plastic, and metal.

 同構成によれば、安価かつ汎用性のある材料により、変形防止部材を形成することが可能になる。 According to this configuration, the deformation preventing member can be formed from an inexpensive and versatile material.

 また、本発明の表示装置は、表示素子上に接着剤層が設けられるとともに、変形防止部材が、接着剤層を介して設けられていても良い。 In the display device of the present invention, an adhesive layer may be provided on the display element, and a deformation preventing member may be provided via the adhesive layer.

 同構成によれば、簡単な構成で、表示領域に変形防止部材を設けることが可能になる。 According to this configuration, the deformation preventing member can be provided in the display area with a simple configuration.

 また、本発明の表示装置は、変形の発生を効果的に防止することができるとともに、表示装置の小型化、薄型化、及び軽量化を図ることができるという優れた特性を備えている。従って、また、本発明の表示装置は表示素子に、有機EL表示素子を使用した表示装置に好適に使用できる。 In addition, the display device of the present invention has excellent characteristics that it can effectively prevent deformation and can reduce the size, thickness, and weight of the display device. Therefore, the display device of the present invention can be suitably used for a display device using an organic EL display element as a display element.

 本発明によれば、変形の発生を効果的に防止することができるとともに、狭額縁化、薄型化、及び軽量化を図ることができる表示装置を提供することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device that can effectively prevent the occurrence of deformation and can be made narrower, thinner, and lighter.

本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の平面図である。1 is a plan view of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図1のA-A断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図1のB-B断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の額縁領域を折り曲げた状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which bent the frame area | region of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention.

 以下、本発明の実施形態に係る表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態においては、表示装置として、有機EL表示装置を例に挙げて説明する。 Hereinafter, a display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiment. In the present embodiment, an organic EL display device will be described as an example of the display device.

 図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の平面図であり、図2は、図1のA-A断面図である。また、図3は、図1のB-B断面図であり、図4は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の額縁領域を折り曲げた状態を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1, and FIG. 4 is a plan view showing a state in which the frame region of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention is bent.

 図1に示すように、有機EL表示装置1は、例えば、複数の画素等で構成される表示領域21と表示領域21の周辺に設けられた額縁領域22とを備えている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes, for example, a display area 21 including a plurality of pixels and a frame area 22 provided around the display area 21.

 また、図1~図3に示すように、この額縁領域22には、ドライバ部23が設けられた駆動回路領域24と、表示領域21から引き出された配線端子25が設けられた端子領域26が規定されている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the frame area 22 includes a drive circuit area 24 provided with a driver section 23 and a terminal area 26 provided with wiring terminals 25 drawn out from the display area 21. It is prescribed.

 また、図1、図2に示すように、端子領域26には、配線端子25に接続された電子部品である集積回路チップ(または、ICチップ)27が設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, an integrated circuit chip (or IC chip) 27 that is an electronic component connected to the wiring terminal 25 is provided in the terminal region 26.

 また、有機EL表示装置1は、室温で蒸着された無色透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の可撓性(フレキシビリティー)を有するプラスチック基板2を備える。このプラスチック基板2を形成する材料としては、例えば、ポリパラキシレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料を用いることができる。 Further, the organic EL display device 1 includes a plastic substrate 2 having a film-like flexibility (flexibility) made of a colorless and transparent resin film deposited at room temperature. As a material for forming the plastic substrate 2, for example, an organic material such as polyparaxylene resin, acrylic resin, or polyimide resin can be used.

 また、プラスチック基板2の厚みとしては、3~20μmが好ましい。これは、厚みが3μm未満の場合は、十分な機械的強度が得られない場合があり、また、20μmよりも大きい場合は、有機EL表示装置1の柔軟性が低下する場合があるからである。 The thickness of the plastic substrate 2 is preferably 3 to 20 μm. This is because if the thickness is less than 3 μm, sufficient mechanical strength may not be obtained, and if it is greater than 20 μm, the flexibility of the organic EL display device 1 may be reduced. .

 また、プラスチック基板2上には、第1のTFT素子4等を備えた表示素子層が形成されている。この表示素子層は、プラスチック基板2上に形成された第1のTFT素子4と、第1のTFT素子4を覆うように設けられたSiO膜やSiN膜等の層間絶縁膜5と、層間絶縁膜5を貫通して第1のTFT素子4に電気的に接続されたメタル配線6により構成されている。また、メタル配線6は、さらに層間絶縁膜5上に延長されて、有機EL表示素子11の第1電極7と、端子領域26に設けられる配線端子25を構成している。また、層間絶縁膜5上には、各画素(領域)20を区画する絶縁膜(または、バンク)9が形成されている。この絶縁膜9を形成する材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、メタリル系樹脂、またはノボラック系樹脂等の絶縁性の樹脂材料が挙げられる。なお、層間絶縁膜5の厚みは、例えば、0.5~1μmとすることができる。また、絶縁膜9の厚みは、例えば、3~5μmとすることができる。 Further, a display element layer including the first TFT element 4 and the like is formed on the plastic substrate 2. The display element layer includes a first TFT element 4 formed on the plastic substrate 2, an interlayer insulating film 5 such as a SiO 2 film and a SiN film provided so as to cover the first TFT element 4, and an interlayer A metal wiring 6 is formed through the insulating film 5 and electrically connected to the first TFT element 4. Further, the metal wiring 6 is further extended on the interlayer insulating film 5 to constitute a first electrode 7 of the organic EL display element 11 and a wiring terminal 25 provided in the terminal region 26. An insulating film (or bank) 9 that partitions each pixel (region) 20 is formed on the interlayer insulating film 5. Examples of the material for forming the insulating film 9 include insulating resin materials such as photosensitive polyimide resin, acrylic resin, methallyl resin, or novolac resin. The thickness of the interlayer insulating film 5 can be set to 0.5 to 1 μm, for example. The thickness of the insulating film 9 can be set to 3 to 5 μm, for example.

 有機EL表示装置1は、第1電極7側から発光を取り出すボトムエミッション型であるため、発光の取り出し効率を向上する観点から、第1電極7は、例えば、ITOや、SnO等の高い仕事関数を有し、かつ、光透過率の高い材料の薄膜により構成することが好ましい。 Since the organic EL display device 1 is a bottom emission type in which light emission is extracted from the first electrode 7 side, the first electrode 7 has a high work such as ITO or SnO 2 from the viewpoint of improving the light extraction efficiency. It is preferable to use a thin film of a material having a function and high light transmittance.

 また、図2、図3に示すように、第1電極7上には、有機EL層8が形成されている。有機EL層8は、ホール輸送層と発光層とからなる。ホール輸送層は、ホール注入効率が良いものであれば、何ら限定されるものではない。ホール輸送層の材料としては、例えば、トリフェニルアミン誘動体、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)誘動体、ポリフルオレン誘導体などの有機材料等を用いることができる。 Further, as shown in FIGS. 2 and 3, an organic EL layer 8 is formed on the first electrode 7. The organic EL layer 8 includes a hole transport layer and a light emitting layer. The hole transport layer is not limited as long as the hole injection efficiency is good. As the material for the hole transport layer, for example, organic materials such as a triphenylamine inducer, a polyparaphenylene vinylene (PPV) inducer, and a polyfluorene derivative can be used.

 発光層は、特に限定されるものではなく、例えば、8-ヒドロキシキノリロール誘動体、チアゾール誘動体、ベンズオキサゾール誘動体等を用いることができる。また、これらの材料のうち2種以上を組み合わせたり、ドーパント材料などの添加剤を組み合わせてもよい。 The light emitting layer is not particularly limited, and for example, 8-hydroxyquinolol inducer, thiazole inducer, benzoxazole inducer and the like can be used. Moreover, you may combine 2 or more types among these materials, and may combine additives, such as dopant material.

 なお、有機EL層8をホール輸送層と発光層との2層構造としているが、何らこの構成に限定されるものではない。即ち、有機EL層8は、発光層のみからなる単層構造であっても構わない。また、有機EL層8を、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び、電子輸送層のうちの1層または2層以上と、発光層とにより構成してもよい。 Although the organic EL layer 8 has a two-layer structure of a hole transport layer and a light emitting layer, it is not limited to this configuration. That is, the organic EL layer 8 may have a single layer structure composed of only the light emitting layer. In addition, the organic EL layer 8 may be configured by one or more of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, and a light emitting layer.

 また、、有機EL層8及び絶縁膜9上には、第2電極10が形成されている。第2電極10は、有機EL層8に電子を注入する機能を有する。第2電極10は、例えば、Mg、Li、Ca、Ag、Al、In、Ce又はCu等の薄膜により構成することができるが、何らこれに限定されるものではない。 Further, the second electrode 10 is formed on the organic EL layer 8 and the insulating film 9. The second electrode 10 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 8. Although the 2nd electrode 10 can be comprised by thin films, such as Mg, Li, Ca, Ag, Al, In, Ce, or Cu, for example, it is not limited to this at all.

 そして、第1電極7と、第1電極7上に形成されるとともに、発光層を有する有機EL層8と、有機EL層8上に形成された第2電極10とにより有機EL表示素子11が構成されている。 The organic EL display element 11 is formed by the first electrode 7, the organic EL layer 8 having a light emitting layer and the second electrode 10 formed on the organic EL layer 8 while being formed on the first electrode 7. It is configured.

 また、有機EL表示装置1では、第1電極7は有機EL層8にホールを注入する機能を有し、また、第2電極10は有機EL層8に電子を注入する機能を有する。第1電極7と、第2電極10とからそれぞれ注入されたホールと電子とが有機EL層8で再結合することにより、有機EL層8が発光する仕組みとなっている。また、基体層2及び第1電極7は光透過性に、第2電極10は光反射性に構成されており、発光は第1電極7及び基体層2を透過して有機EL層8から取り出される仕組みとなっている(ボトムエミッション方式)。 In the organic EL display device 1, the first electrode 7 has a function of injecting holes into the organic EL layer 8, and the second electrode 10 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 8. The holes and electrons injected from the first electrode 7 and the second electrode 10 are recombined in the organic EL layer 8, whereby the organic EL layer 8 emits light. In addition, the base layer 2 and the first electrode 7 are configured to be light transmissive, and the second electrode 10 is configured to be light reflective. Light emission is transmitted through the first electrode 7 and the base layer 2 and extracted from the organic EL layer 8. (Bottom emission method).

 また、図2に示すように、集積回路チップ27には、接続用の端子27aが設けられており、配線端子25と端子27aを接続することにより、集積回路チップ27が配線端子25を介して第1のTFT4と接続され、集積回路チップ27が実装される構成となっている。 As shown in FIG. 2, the integrated circuit chip 27 is provided with a connection terminal 27a. By connecting the wiring terminal 25 and the terminal 27a, the integrated circuit chip 27 is connected via the wiring terminal 25. The integrated circuit chip 27 is mounted so as to be connected to the first TFT 4.

 また、第1のTFT素子4は、例えば、アモルファスシリコンを用いたTFTであり、アモルファスシリコンをチャネルとするものである。この第1のTFT素子4は、非晶質であるために、ポリシリコンを用いたTFT素子に比し、電子等のキャリア移動度が低いが、大画面(即ち、大きな表示領域)を有する表示装置を提供することが可能になる。 The first TFT element 4 is a TFT using amorphous silicon, for example, and uses amorphous silicon as a channel. Since the first TFT element 4 is amorphous, the carrier mobility of electrons and the like is lower than that of a TFT element using polysilicon, but the display has a large screen (that is, a large display area). An apparatus can be provided.

 また、図3に示すように、駆動回路領域24には、ドライバ部23の能動素子である第2のTFT素子41が形成されている。また、ドライバ部23には、層間絶縁膜5を貫通して第2のTFT素子41に電気的に接続されたメタル配線43が形成されており、当該メタル配線43を介して、第1のTFT素子4と第2のTFT素子41間、及び隣接して設けられた第2のTFT素子41間が接続されている。 Further, as shown in FIG. 3, a second TFT element 41 that is an active element of the driver section 23 is formed in the drive circuit region 24. In addition, a metal wiring 43 that penetrates the interlayer insulating film 5 and is electrically connected to the second TFT element 41 is formed in the driver portion 23, and the first TFT is connected via the metal wiring 43. The element 4 and the second TFT element 41 and the adjacent second TFT elements 41 are connected.

 ここで、本実施形態の有機EL表示装置1においては、図1~図3に示すように、表示領域22に、当該表示領域22の変形を防止するための変形防止部材28を設けている点に特徴がある。 Here, in the organic EL display device 1 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, the display area 22 is provided with a deformation preventing member 28 for preventing the display area 22 from being deformed. There is a feature.

 このような構成により、有機EL表示装置1における表示領域22の剛性を向上させることができるため、当該表示領域22に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。 With such a configuration, the rigidity of the display region 22 in the organic EL display device 1 can be improved, so that it is possible to effectively prevent the display region 22 from being deformed such as warpage or swell. Become.

 また、図1に示すように、表示領域21の周辺に設けられた額縁領域22においては、変形防止部材28が設けられておらず、フィルム状の可撓性を有するプラスチック基板2が設けられている構成となっている。従って、図2に示すように、表示領域21の周縁部21aを境界として、額縁領域22に規定された端子領域26を図中の矢印Xの方向に折り曲げることが可能になる。また、同様に、図3に示すように、表示領域21の周縁部21aを境界として、額縁領域22に規定された駆動回路領域24を図中の矢印Yの方向に折り曲げることが可能になる。即ち、表示領域21の周辺に設けられた額縁領域22を折り曲げることが可能になるため、図4に示すように、平面視において、表示領域21の周辺の額縁領域22をなくすことが可能になる。 Further, as shown in FIG. 1, in the frame region 22 provided around the display region 21, the deformation preventing member 28 is not provided and the film-like flexible plastic substrate 2 is provided. It is the composition which is. Therefore, as shown in FIG. 2, it is possible to bend the terminal region 26 defined in the frame region 22 in the direction of the arrow X in the figure with the peripheral edge 21a of the display region 21 as a boundary. Similarly, as shown in FIG. 3, it is possible to bend the drive circuit region 24 defined in the frame region 22 in the direction of the arrow Y in the figure with the peripheral edge 21a of the display region 21 as a boundary. That is, since the frame area 22 provided around the display area 21 can be bent, the frame area 22 around the display area 21 can be eliminated in a plan view as shown in FIG. .

 また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、有機EL表示装置1の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。 In addition, unlike the above-described conventional technology, it is not necessary to increase the thickness of the plastic substrate, so that the organic EL display device 1 can be reduced in thickness and weight.

 この変形防止部材28は、図2、図3に示すように、表示領域21において、有機EL表示素子11(即ち、第2電極10)上に設けられた接着剤層29を介して、積層される構成となっている。なお、変形防止部材28は、その全面が接着剤層29を介して設けられる構成としても良く、変形防止部材28の一部が接着剤層29を介して設けられる構成としても良い。 As shown in FIGS. 2 and 3, the deformation preventing member 28 is laminated in the display region 21 via an adhesive layer 29 provided on the organic EL display element 11 (that is, the second electrode 10). It is the composition which becomes. The deformation preventing member 28 may be configured such that the entire surface thereof is provided via the adhesive layer 29, or a part of the deformation preventing member 28 may be provided via the adhesive layer 29.

 また、変形防止部材28を形成する材料としては、表示領域22の変形を防止することができるものでれば、特に限定はされず、例えば、ガラス、硬質プラスチック、金属等を使用することができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、アルカリガラス等を使用することができる。また、硬質プラスチックとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン等を使用することができ、金属としては、例えば、SUSやアルミニウム等を使用することができる。なお、変形防止部材28の厚みとしては、0.05~0.3mmが好ましい。これは、厚みが0.05mm未満の場合は、表示領域の剛性を十分に向上できない場合があるからであり、また、0.3mmよりも大きい場合は、有機EL表示装置1全体の厚みが大きくなる場合があるからである。 The material for forming the deformation preventing member 28 is not particularly limited as long as it can prevent deformation of the display region 22. For example, glass, hard plastic, metal, or the like can be used. . Examples of the glass that can be used include alkali-free glass and alkali glass. In addition, as the hard plastic, for example, polyvinyl chloride, polypropylene or the like can be used, and as the metal, for example, SUS, aluminum or the like can be used. The thickness of the deformation preventing member 28 is preferably 0.05 to 0.3 mm. This is because when the thickness is less than 0.05 mm, the rigidity of the display region may not be sufficiently improved. When the thickness is greater than 0.3 mm, the thickness of the entire organic EL display device 1 is large. This is because there is a case.

 また、接着剤層29を構成する接着剤としては、特に限定されず、かかる接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂系、アクリル樹脂系などの、各種の樹脂系の接着剤が挙げられる。 Moreover, it does not specifically limit as an adhesive agent which comprises the adhesive bond layer 29, As this adhesive agent, various resin adhesives, such as an epoxy resin type, a butyral resin type, an acrylic resin type, are mentioned, for example. It is done.

 次に、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置1の製造方法について説明する。なお、以下に示す製造方法は単なる例示であり、本発明に係る有機EL表示装置1は以下に示す方法により製造されたものに限定されるものではない。図5~図14は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。より具体的には、図6、図8、図10、図11、及び図13は、図1のA-A断面方向における有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、図7、図9、図12、及び図14は、図1のB-B断面方向における有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 Next, a method for manufacturing the organic EL display device 1 according to the embodiment of the present invention will be described. The manufacturing method shown below is merely an example, and the organic EL display device 1 according to the present invention is not limited to the one manufactured by the method shown below. 5 to 14 are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 6, FIG. 8, FIG. 10, FIG. 11, and FIG. 13 are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing an organic EL display device in the AA cross-sectional direction of FIG. 7, 9, 12, and 14 are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the organic EL display device in the BB cross-sectional direction of FIG.

 まず、図5に示すように、支持基板として、例えば、厚みが0.7mm程度のガラス基板50を準備する。 First, as shown in FIG. 5, for example, a glass substrate 50 having a thickness of about 0.7 mm is prepared as a support substrate.

 次に、図5に示すように、ガラス基板50上に、例えば、耐熱温度(又は、ガラス転移温度)が400℃以上で、熱膨張係数が10ppm/℃以下の樹脂材料で形成された犠牲膜51を、例えば、0.1~1μm程度の厚みで形成する。このような条件を満たす犠牲膜51の樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂を用いることができる。なお、この犠牲膜51は、ガラス基板50の剥離を良好に行うためのものである。 Next, as shown in FIG. 5, for example, a sacrificial film formed on a glass substrate 50 with a resin material having a heat resistant temperature (or glass transition temperature) of 400 ° C. or higher and a thermal expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or lower. 51 is formed with a thickness of about 0.1 to 1 μm, for example. As the resin material of the sacrificial film 51 that satisfies such conditions, for example, a polyimide resin can be used. The sacrificial film 51 is for favorably peeling the glass substrate 50.

 次いで、透過型の表示素子の場合は、犠牲膜51上に、透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の基体層2を、例えば、5μm程度の厚みで形成する。基体層2を形成する樹脂材料としては、ポリイミド系樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂及びフッ素系樹脂を用いることができる。また、基体層2は、犠牲膜51の表面上に樹脂を塗布することにより形成する。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜51を形成する樹脂材料と同じ樹脂材料を用いて基体層2を形成することにより、犠牲膜を省く構成としても良い。 Next, in the case of a transmissive display element, a film-like substrate layer 2 made of a transparent resin film is formed on the sacrificial film 51 with a thickness of about 5 μm, for example. As the resin material for forming the base layer 2, polyimide resin, fluorene epoxy resin, and fluorine resin can be used. The base layer 2 is formed by applying a resin on the surface of the sacrificial film 51. In the case of a reflective display element or a top emission self-luminous display element, the sacrificial film is omitted by forming the base layer 2 using the same resin material as that for forming the sacrificial film 51. It is good also as a structure.

 続いて、図6に示すように、プラスチック基板2上に、金属膜や半導体膜等の形成、及びパターニング等を行い、画素20のスイッチング素子である第1のTFT素子4を形成する。なお、この際、図7に示すように、ドライバ部23において、プラスチック基板2上に、金属膜や半導体膜等の形成、及びパターニング等を行い、当該ドライバ部23の能動素子である第2のTFT素子41を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 6, a metal film, a semiconductor film, and the like are formed and patterned on the plastic substrate 2 to form the first TFT element 4 that is a switching element of the pixel 20. At this time, as shown in FIG. 7, in the driver portion 23, a metal film, a semiconductor film, or the like is formed on the plastic substrate 2, patterning is performed, and the second element which is an active element of the driver portion 23. A TFT element 41 is formed.

 次に、図6、図7に示すように、第1のTFT素子4、及び第2のTFT素子41を形成したプラスチック基板2上に、例えば、SiO膜やSiN膜等を用いて、層間絶縁膜5を、厚みが1~2μm程度となるように形成する。 Next, as shown in FIGS. 6 and 7, on the plastic substrate 2 on which the first TFT element 4 and the second TFT element 41 are formed, for example, using an SiO 2 film, an SiN film or the like, an interlayer is formed. The insulating film 5 is formed so as to have a thickness of about 1 to 2 μm.

 続いて、図6、図7に示すように、層間絶縁膜5の表面から第1のTFT素子4までコンタクトホールを設け、ITO等の透明導電材料によって第1のTFT素子4と電気的に接続するメタル配線6を形成し、さらにパターニング等によって、例えば、150nm程度の厚みを有する第1電極7及び配線端子25を形成する。また、図7に示すように、層間絶縁膜5の表面から第2のTFT素子41までコンタクトホールを設け、ITO等の透明導電材料によって第1のTFT素子4及び第2のTFT素子4と電気的に接続されるメタル配線43を形成する。 Subsequently, as shown in FIGS. 6 and 7, a contact hole is provided from the surface of the interlayer insulating film 5 to the first TFT element 4 and is electrically connected to the first TFT element 4 by a transparent conductive material such as ITO. The metal wiring 6 to be formed is formed, and further, for example, the first electrode 7 and the wiring terminal 25 having a thickness of about 150 nm are formed by patterning or the like. Further, as shown in FIG. 7, a contact hole is provided from the surface of the interlayer insulating film 5 to the second TFT element 41, and the first TFT element 4 and the second TFT element 4 are electrically connected with a transparent conductive material such as ITO. The metal wiring 43 to be connected is formed.

 次に、図6、図7に示すように、層間絶縁膜5上に、例えば、3μm程度の厚みを有する絶縁膜9を形成後、第1電極7に対応する部分をエッチングにより除去する。 Next, as shown in FIGS. 6 and 7, after an insulating film 9 having a thickness of, for example, about 3 μm is formed on the interlayer insulating film 5, a portion corresponding to the first electrode 7 is removed by etching.

 次いで、図6、図7に示すように、第1電極7上にホール輸送層と発光層とを形成することにより、有機EL層8を設ける。ホール輸送層としては、まず、溶剤にホール輸送材料である有機高分子材料を溶解、または分散させたホール輸送材料塗料を、例えば、インクジェット法等により露出している第1電極7上に供給する。その後、焼成処理を施すことによりホール輸送層を形成する。次に、発光層としては、溶剤に発光材料である有機高分子材料を溶解、または分散させた有機発光材料塗料を、例えば、インクジェット法等によりホール輸送層を覆うように供給する。その後、焼成処理を施すことにより発光層を形成する。 Next, as shown in FIGS. 6 and 7, an organic EL layer 8 is provided by forming a hole transport layer and a light emitting layer on the first electrode 7. As the hole transport layer, first, a hole transport material paint in which an organic polymer material that is a hole transport material is dissolved or dispersed in a solvent is supplied onto the exposed first electrode 7 by, for example, an inkjet method or the like. . Thereafter, a hole transport layer is formed by performing a baking treatment. Next, as the light-emitting layer, an organic light-emitting material paint in which an organic polymer material that is a light-emitting material is dissolved or dispersed in a solvent is supplied so as to cover the hole transport layer by, for example, an inkjet method. Then, a light emitting layer is formed by performing a baking process.

 続いて、図6、図7に示すように、絶縁膜9及び有機EL層8上に、スパッタ法等によりMg、Li、Ca、Ag、Al、In、Ce、またはCu等を用いて第2電極10を形成する。第2電極10の厚みは、例えば150nm程度とする。これにより、第1電極7と、第1電極7上に形成されるとともに、発光層を有する有機EL層8と、有機EL層8上に形成された第2電極10とにより構成される有機EL素子11が形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 6 and FIG. 7, the second film is formed on the insulating film 9 and the organic EL layer 8 using Mg, Li, Ca, Ag, Al, In, Ce, Cu, or the like by sputtering or the like. The electrode 10 is formed. The thickness of the second electrode 10 is about 150 nm, for example. Thus, an organic EL formed by the first electrode 7, the organic EL layer 8 having a light emitting layer and the second electrode 10 formed on the organic EL layer 8 while being formed on the first electrode 7. Element 11 is formed.

 次に、図8、図9に示すように、表示領域21において、第2電極10上に、例えば、エポキシ樹脂系の接着剤層29を形成するとともに、当該接着剤層29上に、例えば、ガラスにより形成された変形防止部材28を設ける。 Next, as shown in FIGS. 8 and 9, in the display region 21, for example, an epoxy resin-based adhesive layer 29 is formed on the second electrode 10, and on the adhesive layer 29, for example, A deformation preventing member 28 made of glass is provided.

 次に、図10に示すように、端子領域26において、集積回路チップ27の端子27aと配線端子25を接続することにより、集積回路チップ27を実装して、集積回路チップ27と第1のTFT4とを接続する。 Next, as shown in FIG. 10, in the terminal region 26, the integrated circuit chip 27 is mounted by connecting the terminal 27 a of the integrated circuit chip 27 and the wiring terminal 25, and the integrated circuit chip 27 and the first TFT 4. And connect.

 次いで、図11、図12に示すように、ガラス基板50側からレーザ光(図11、図12における矢印)を照射することにより、ガラス基板50を剥離させる。 Next, as shown in FIGS. 11 and 12, the glass substrate 50 is peeled off by irradiating laser light (arrows in FIGS. 11 and 12) from the glass substrate 50 side.

 ここで、ガラス基板50の除去は、レーザ光照射による剥離でなくても良い。例えば、研磨及びエッチング装置を用いてガラス基板50を除去しても良い。 Here, the removal of the glass substrate 50 may not be peeling by laser light irradiation. For example, the glass substrate 50 may be removed using a polishing and etching apparatus.

 次に、図13、図14に示すように、ガラス基板50を除去したことにより剥き出しとなった犠牲膜51をプラズマエッチングにより除去する。ここで、犠牲膜51の除去は、プラズマエッチングに限らず、例えば、マイクロ波プラズマエッチングにより行っても良い。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜51をエッチングする必要はない。 Next, as shown in FIGS. 13 and 14, the sacrificial film 51 exposed by removing the glass substrate 50 is removed by plasma etching. Here, the removal of the sacrificial film 51 is not limited to plasma etching, and may be performed by, for example, microwave plasma etching. In the case of a reflective display element or a top emission self-luminous display element, the sacrificial film 51 does not need to be etched.

 以上の方法により、図1~図3に示す有機EL表示装置1が作製される。 The organic EL display device 1 shown in FIGS. 1 to 3 is manufactured by the above method.

 以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。 According to the present embodiment described above, the following effects can be obtained.

 (1)本実施形態においては、有機EL表示装置1の表示領域21に、表示領域21の変形を防止するための変形防止部材28を設ける構成としている。従って、表示領域21の剛性が向上するため、表示領域21に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。 (1) In this embodiment, the display area 21 of the organic EL display device 1 is provided with a deformation preventing member 28 for preventing the display area 21 from being deformed. Accordingly, since the rigidity of the display area 21 is improved, it is possible to effectively prevent the display area 21 from being deformed such as warping or swell.

 (2)また、表示領域21の周辺に設けられた額縁領域22においては、可撓性を有するプラスチック基板2が設けられているが、変形防止部材28は設けられていない。従って、表示領域21の周辺に設けられた額縁領域22を折り曲げることが可能になるため、平面視において、表示領域21の周辺の額縁領域22をなくすことが可能になる。従って、表示面の額縁が殆どない狭額縁の有機EL表示装置1を提供することが可能になる。 (2) In the frame region 22 provided around the display region 21, the plastic substrate 2 having flexibility is provided, but the deformation preventing member 28 is not provided. Therefore, since the frame area 22 provided around the display area 21 can be bent, the frame area 22 around the display area 21 can be eliminated in a plan view. Accordingly, it is possible to provide the organic EL display device 1 having a narrow frame with almost no frame on the display surface.

 (3)また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、表示装置1の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。 (3) Further, unlike the above-described conventional technique, it is not necessary to increase the thickness of the plastic substrate, and thus the display device 1 can be reduced in thickness and weight.

 (4)本実施形態においては、変形防止部材28の厚みを、0.05~0.3mmに設定する構成としている。従って、表示領域21の剛性を十分に確保した状態で、有機EL表示装置1全体の厚みが大きくなるという不都合を防止して、有機EL表示装置1の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。 (4) In this embodiment, the thickness of the deformation preventing member 28 is set to 0.05 to 0.3 mm. Accordingly, it is possible to prevent the disadvantage that the thickness of the entire organic EL display device 1 is increased in a state where the rigidity of the display region 21 is sufficiently secured, and to reduce the thickness and weight of the organic EL display device 1. become.

 (5)本実施形態においては、変形防止部材28を、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる1種により形成する構成としている。従って、安価かつ汎用性のある材料により、変形防止部材28を形成することが可能になる。 (5) In the present embodiment, the deformation preventing member 28 is formed of one type selected from the group consisting of glass, hard plastic, and metal. Therefore, the deformation preventing member 28 can be formed from an inexpensive and versatile material.

 (6)本実施形態においては、有機EL表示素子11上に接着剤層29が設けられるとともに、変形防止部材28を、接着剤層29を介して設ける構成としている。従って、簡単な構成で、表示領域21に変形防止部材28を設けることが可能になる。 (6) In the present embodiment, the adhesive layer 29 is provided on the organic EL display element 11, and the deformation preventing member 28 is provided via the adhesive layer 29. Therefore, the deformation preventing member 28 can be provided in the display area 21 with a simple configuration.

 なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。 Note that the above embodiment may be modified as follows.

 実装された集積回路チップ27を絶縁保護するとともに、当該集積回路チップ27の剥離を防止するとの観点から、集積回路チップ27をエポキシ樹脂等により形成された封止部材(不図示)により封止する構成としても良い。 From the viewpoint of insulating and protecting the mounted integrated circuit chip 27 and preventing the integrated circuit chip 27 from being peeled off, the integrated circuit chip 27 is sealed with a sealing member (not shown) formed of epoxy resin or the like. It is good also as a structure.

 上記本実施形態、表示装置として有機EL(organic electro luminescence)に係るものについて示したが、表示装置は、LCD(liquid crystal display;液晶表示ディスプレイ)、電気泳動(electrophoretic)、PD(plasma display;プラズマディスプレイ)、PALC(plasma addressed liquid crystal display;プラズマアドレス液晶ディスプレイ)、無機EL(inorganic electro luminescence)、FED(field emission display;電界放出ディスプレイ)、又は、SED(surface-conduction electron-emitter display;表面電界ディスプレイ)等に係る表示装置であってもよい。 Although the present embodiment and the display device related to organic EL (organic electro luminescence) have been shown, the display device includes LCD (liquid crystal display), electrophoresis (electrophoretic), PD (plasma display). Display), PALC (plasma addressed liquid crystal display), inorganic EL (inorganic electroluminescence), FED (field emission display), or SED (surface-conduction electron-emitter display) A display device related to a display) or the like may be used.

 以上説明したように、本発明は、有機EL表示装置等の表示装置について有用である。 As described above, the present invention is useful for display devices such as organic EL display devices.

 1  有機EL表示装置
 2  プラスチック基板
 11  有機EL表示素子
 21  表示領域
 22  額縁領域
 28  変形防止部材
 29  接着剤層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL display device 2 Plastic substrate 11 Organic EL display element 21 Display area 22 Frame area 28 Deformation prevention member 29 Adhesive layer

Claims (5)

  1.  可撓性を有するプラスチック基板と、前記プラスチック基板上に形成された表示素子とを備え、表示領域と、該表示領域の周辺に設けられた額縁領域とを有する表示装置であって、
     前記表示領域に、該表示領域の変形を防止するための変形防止部材が設けられていることを特徴とする表示装置。
    A display device comprising a flexible plastic substrate and a display element formed on the plastic substrate, and having a display region and a frame region provided around the display region,
    A display device, wherein a deformation preventing member for preventing deformation of the display area is provided in the display area.
  2.  前記変形防止部材の厚みが、0.05~0.3mmであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the thickness of the deformation preventing member is 0.05 to 0.3 mm.
  3.  前記変形防止部材が、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる1種により形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。 3. The display device according to claim 1, wherein the deformation preventing member is formed of one selected from the group consisting of glass, hard plastic, and metal.
  4.  前記表示素子上に接着剤層が設けられるとともに、前記変形防止部材が、前記接着剤層を介して設けられていることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。 The adhesive layer according to any one of claims 1 to 3, wherein an adhesive layer is provided on the display element, and the deformation preventing member is provided via the adhesive layer. Display device.
  5.  前記表示素子が、有機EL表示素子であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to any one of claims 1 to 4, wherein the display element is an organic EL display element.
PCT/JP2009/007106 2009-04-30 2009-12-22 Display device WO2010125623A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-111300 2009-04-30
JP2009111300 2009-04-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010125623A1 true WO2010125623A1 (en) 2010-11-04

Family

ID=43031790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/007106 WO2010125623A1 (en) 2009-04-30 2009-12-22 Display device

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2010125623A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404732A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-21 GIO Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040474A (en) * 2000-07-20 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device with flexible printed circuit board
JP2004103526A (en) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd El element
JP2004103471A (en) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd El element
JP2004103525A (en) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Display
JP2005284252A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Samsung Sdi Co Ltd Flat display device
WO2007144995A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display and process for producing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040474A (en) * 2000-07-20 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display device with flexible printed circuit board
JP2004103471A (en) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd El element
JP2004103526A (en) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd El element
JP2004103525A (en) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Display
JP2005284252A (en) * 2004-03-29 2005-10-13 Samsung Sdi Co Ltd Flat display device
WO2007144995A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display and process for producing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404732A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-21 GIO Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof
CN108962914A (en) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 Electronic device and its manufacturing method
US10403650B2 (en) 2017-05-19 2019-09-03 Gio Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6736743B2 (en) Semiconductor device
KR102025062B1 (en) Light emitting device and electronic device
US10634944B2 (en) Method of manufacturing optical film
TWI654736B (en) Illuminating device
KR102076666B1 (en) Flexible display panel
US9196876B2 (en) Touch screen integrated organic light emitting display device and method for fabricating the same
CN102456712B (en) Method of fabricating flexible display device
JP5906132B2 (en) Display device
US9166193B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
US9666832B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US7241666B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
EP2983225B1 (en) Flexible display device and method of fabricating the same
JP6253541B2 (en) Display device
US9058074B2 (en) Organic light emitting display
CN100585908C (en) The manufacture method of luminescent device, and manufacturing installation
US8390019B2 (en) Light emitting device, semiconductor device, and method of fabricating the devices
JP4104489B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US7049161B2 (en) Method of manufacturing substrate, method of manufacturing organic electroluminescent display device using the method, and organic electroluminescent display device
JP5033880B2 (en) Electronic device having plastic substrate
CN106328671B (en) Flexible organic LED display device and its manufacturing method
CN103545320B (en) Display base plate and the flexible display apparatus containing this display base plate
JP4624309B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
EP1947697B1 (en) Organic light emitting display having an electrostatic discharge circuit
JP4684258B2 (en) Method for manufacturing organic electroluminescent display device
US9966420B2 (en) Display devices and methods of manufacturing display devices

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09843968

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09843968

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: JP